JP2011204820A - Semiconductor device, semiconductor wafer, and its power supply control method - Google Patents
Semiconductor device, semiconductor wafer, and its power supply control method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011204820A JP2011204820A JP2010069243A JP2010069243A JP2011204820A JP 2011204820 A JP2011204820 A JP 2011204820A JP 2010069243 A JP2010069243 A JP 2010069243A JP 2010069243 A JP2010069243 A JP 2010069243A JP 2011204820 A JP2011204820 A JP 2011204820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- circuit unit
- circuit
- semiconductor device
- control signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、半導体装置、半導体ウエハおよびその電源制御方法に関し、特に電源供給構造を備えた半導体装置、半導体ウエハおよびその電源制御方法および半導体ウエハに関する。 The present invention relates to a semiconductor device, a semiconductor wafer, and a power supply control method thereof, and more particularly to a semiconductor device, a semiconductor wafer, a power supply control method thereof, and a semiconductor wafer provided with a power supply structure.
電子回路の製造技術の微細化、素子の高集積化に伴い、1つの半導体装置に搭載される電子回路の機能は複雑化している。これらの機能を持つ電子回路の主回路部は、正確な論理動作を行う必要がある。そのため、主回路部に安定的に電源を供給する必要がある。 With the miniaturization of electronic circuit manufacturing technology and the high integration of elements, the functions of an electronic circuit mounted on one semiconductor device have become complicated. The main circuit portion of the electronic circuit having these functions needs to perform an accurate logic operation. Therefore, it is necessary to stably supply power to the main circuit unit.
主回路部に安定的に電源を供給する手法として、電源配線から主回路部に供給する電源を、制御回路で制御する技術が知られている。その一例が特許文献1に記載されている。
As a method for stably supplying power to the main circuit unit, a technique for controlling the power supplied from the power supply wiring to the main circuit unit with a control circuit is known. One example thereof is described in
特許文献1に記載の半導体装置は、バーインモード時に外部から電源を供給する電源配線と、ウエハテスト時に外部から電源を供給する信号パットと、主回路部に電源供給を行う電源回路と、電源回路に制御信号を出力する検出回路とを備える。検出回路が外部電源の変化を検出した時に電源回路に制御信号を出力する。電源回路は、検出回路からの制御信号に基づき主回路部の電源をオン・オフする。このような動作で、主回路部への電源供給を制御することとしている。
A semiconductor device described in
一方、特許文献2には、制御信号の受信を、無線接続を用いて行う半導体装置が記載されている。この半導体装置は、無線接続により受信した制御信号を電源回路に出力する送受信回路と、制御信号に基づき論理回路を動作させるための電源回路とを備える。この構成により、無線接続による制御信号を用いて、論理回路への電源スイッチを制御することとしている。 On the other hand, Patent Document 2 describes a semiconductor device that receives a control signal using a wireless connection. This semiconductor device includes a transmission / reception circuit that outputs a control signal received by wireless connection to a power supply circuit, and a power supply circuit for operating a logic circuit based on the control signal. With this configuration, the power switch to the logic circuit is controlled using a control signal by wireless connection.
特許文献1に記載された半導体装置では、主回路部を任意にオン・オフするために、外部装置から電源回路に何らかの信号を供給する必要がある。しかし、外部装置から信号供給する場合、ケーブルやプラグもしくはプローブ針などを用いて電源回路と外部装置を接続する必要があり、外部測定装置のコストが増大するという問題があった。
In the semiconductor device described in
そこで、外部測定装置のコストの縮小を図るために、制御信号の送受信を、無線接続を用いて行うことが考えられる。すなわち、特許文献1に記載の半導体装置において、特許文献2に記載された無線信号を受信する無線回路部を用いて、無線接続により外部からの制御信号を受信する方法である。無線信号を用いることで、外部測定装置としての検査装置のチャネル数やプローブカードの針数などを削減することが可能となり、外部測定装置のコストを低減することができる。
Therefore, in order to reduce the cost of the external measurement device, it is conceivable to transmit and receive control signals using a wireless connection. That is, in the semiconductor device described in
しかし、このような構成の半導体装置では、無線回路部と主回路部が同一の電源配線部を共有することになるため、主回路部の動作により発生した電源雑音の影響で、無線回路部が誤作動を起こすという問題があった。特に、無線回路部は、非常に微弱な信号を扱うために、他の回路部に比べ極めて雑音に敏感であり、誤作動を起こす可能性が高い。 However, in the semiconductor device having such a configuration, the radio circuit unit and the main circuit unit share the same power supply wiring unit, so that the radio circuit unit is affected by the power supply noise generated by the operation of the main circuit unit. There was a problem of causing malfunction. In particular, since the radio circuit unit handles very weak signals, it is extremely sensitive to noise as compared to other circuit units, and has a high possibility of malfunction.
このように関連する半導体装置においては、外部測定装置のコストの増大を招くことなく、電源回路を正確に制御することが困難であるという問題があった。 The related semiconductor device has a problem that it is difficult to accurately control the power supply circuit without increasing the cost of the external measuring device.
本発明の目的は、上述した電源供給構造を備えた半導体装置において、外部測定装置のコストの増大を招くことなく、電源回路を正確に制御することが困難であるという課題を解決する半導体装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor device that solves the problem that it is difficult to accurately control a power supply circuit without increasing the cost of an external measuring device in a semiconductor device having the above-described power supply structure. It is to provide.
本発明の半導体装置は、主回路部と、電源配線部と、無線信号を受信し制御信号を出力する無線回路部と、電源配線部と主回路部に接続され、無線回路部からの制御信号に基づき、主回路部への電源供給状態を制御する第一の電源回路部と、電源配線部と無線回路部に接続され、無線回路部への電源供給状態を制御する第二の電源回路部とを有する。 The semiconductor device of the present invention includes a main circuit unit, a power supply wiring unit, a radio circuit unit that receives a radio signal and outputs a control signal, and a control signal from the radio circuit unit that is connected to the power supply wiring unit and the main circuit unit. A first power supply circuit unit that controls the power supply state to the main circuit unit, and a second power supply circuit unit that is connected to the power supply wiring unit and the radio circuit unit and controls the power supply state to the radio circuit unit And have.
また、本発明の半導体装置は、複数の半導体回路部と、共通電源配線部と、を有し、複数の半導体回路部のそれぞれは、主回路部と、無線信号を受信し制御信号を出力する無線回路部と、共通電源配線部と主回路部に接続され、無線回路部からの制御信号に基づき、主回路部への電源供給状態を制御する第一の電源回路部と、共通電源配線部と無線回路部に接続され、無線回路部への電源供給状態を制御する第二の電源回路部、とを有する。 The semiconductor device of the present invention has a plurality of semiconductor circuit units and a common power supply wiring unit, and each of the plurality of semiconductor circuit units receives a radio signal and outputs a control signal with the main circuit unit. A wireless circuit unit, a first power supply circuit unit connected to the common power supply wiring unit and the main circuit unit, and controlling a power supply state to the main circuit unit based on a control signal from the wireless circuit unit, and a common power supply wiring unit And a second power supply circuit unit that is connected to the wireless circuit unit and controls a power supply state to the wireless circuit unit.
また、本発明の半導体装置の電源供給方法は、主回路部と無線回路部に電源を供給する電源配線部に第一の電源電圧を供給し、第一の電源電圧に基づいて無線回路部への電源供給状態を制御することによって無線回路部を動作状態とし、無線回路部が取得した無線信号に基づいて主回路部への電源供給状態を制御する半導体装置の電源制御方法。 In the semiconductor device power supply method of the present invention, the first power supply voltage is supplied to the power supply wiring portion that supplies power to the main circuit portion and the wireless circuit portion, and the wireless circuit portion is supplied based on the first power supply voltage. A method for controlling a power supply of a semiconductor device, wherein a power supply state of the main circuit unit is controlled based on a wireless signal acquired by the wireless circuit unit by setting the wireless circuit unit to an operating state by controlling a power supply state of
本発明による半導体装置によれば、外部測定装置のコストの増大を招くことなく、電源回路を正確に制御することができる。 According to the semiconductor device of the present invention, the power supply circuit can be accurately controlled without increasing the cost of the external measuring device.
以下に図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[第一の実施形態]
図1は、本発明による第一の実施形態の半導体装置の構成を示すブロック図である。図1において、半導体装置1は、主回路部11と電源配線部12と無線回路部13と第一の電源回路部14と第二の電源回路部15を有する。
[First embodiment]
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the
電源配線部12に電圧もしくは電流が印加されることによって、第二の電源回路部15が起動し、第二の電源回路部15は、無線回路部13に電圧もしくは電流の印加を開始する。無線回路部13は受信した無線信号に基づいて制御信号を発生させる。この制御信号は、第一の電源回路部14に出力される。
When the voltage or current is applied to the power supply wiring unit 12, the second power
第一の電源回路部14は、主回路部11と電源配線部12と無線回路部13とに接続されている。第一の電源回路部14は、無線回路部13からの制御信号に基づき、電源配線部12から主回路部11への電源供給状態を制御する。
The first power
第二の電源回路部15は、電源配線部12から無線回路部13への電源供給状態が、一定になるように制御する。これにより、電源配線部12または主回路部11からの雑音の影響による無線回路部13の誤動作を回避することができる。
The second power
ここで、電源供給状態を制御するとは、電源電位を印加する状態と、電源を遮断(開放もしくはオープン)する状態を切り替えることに加え、電源電圧を一定の精度で制御することも含む。 Here, controlling the power supply state includes switching between a state in which a power supply potential is applied and a state in which the power supply is shut off (opened or opened), and also controls the power supply voltage with a certain degree of accuracy.
本実施形態の半導体装置では、外部装置をケーブル等で接続し制御信号を受信する半導体装置と比較すると、無線回路および無線回路の電源供給状態を制御する電源回路を新たに必要とするが、外部測定装置の部品を削減できるため、結果としてコストの低減が可能である。 In the semiconductor device of the present embodiment, compared with a semiconductor device that connects an external device with a cable or the like and receives a control signal, a wireless circuit and a power supply circuit that controls a power supply state of the wireless circuit are newly required. Since the parts of the measuring device can be reduced, the cost can be reduced as a result.
また、各回路部は個別半導体チップで構成しても良い。この場合、SIP(System in Package)のような実装技術を用いることで、ケーブルなどが不要になり装置コストを低減することが可能である。 Further, each circuit unit may be constituted by an individual semiconductor chip. In this case, by using a mounting technology such as SIP (System in Package), a cable or the like is unnecessary, and the apparatus cost can be reduced.
図2は、本発明による第一の実施形態の半導体装置の動作を示すタイミングチャートの一例である。図2において、電源配線部に電源電圧(VDD)が投入されると、電源配線部に接続された第二の電源回路部15が起動し、無線回路部13に電源電圧(VDDa)を印加する。これにより、無線回路部13は、動作状態となる。
FIG. 2 is an example of a timing chart showing the operation of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 2, when the power supply voltage (VDD) is input to the power supply wiring section, the second power
外部からの無線信号を受信した無線回路部13は、この無線信号に基づいて制御信号を発生させる。この制御信号は、第一の電源回路部14に出力される。第一の電源回路部14は制御信号に基づき主回路部11に電源電圧(VDDb)を供給する。
The radio circuit unit 13 that has received the radio signal from the outside generates a control signal based on the radio signal. This control signal is output to the first power
また、図3に示すように、無線回路部33と第一の電源回路部34との間に制御回路部31を接続することとしてもよい。無線回路部33は、無線信号を受信すると第一の制御信号を制御回路部31に出力する。
Further, as shown in FIG. 3, the
制御回路部31は、電源配線部32より電圧もしくは電流が印加され、無線回路部33からの第一の制御信号に基づき、主回路部35への電源供給状態を制御する第二の制御信号を発生し、第一の電源回路部34に出力する。第一の電源回路部34は、制御回路部31から取得した第二の制御信号に基づき、主回路部35への電源供給状態を制御する。
The
図4は、図3に示した半導体装置3の動作を示すタイミングチャートの一例である。図4において、電源配線部32に電源電圧(VDD)が投入されると、第二の電源回路部36が起動し、無線回路部33に電源電圧(VDDa)を供給する。
FIG. 4 is an example of a timing chart showing the operation of the
これにより、無線回路部33は動作状態となり、無線信号を受信したとき、この無線信号に応じて第一の制御信号として例えばパルス信号を発生させる。この第一の制御信号は、制御回路部31に出力される。
As a result, the radio circuit unit 33 enters an operating state, and when a radio signal is received, for example, a pulse signal is generated as a first control signal in accordance with the radio signal. The first control signal is output to the
制御回路部31は第一の制御信号の立ち上がりエッジに同期して、主回路部35に電源を供給させるための第二の制御信号を発生させ、第一の電源回路部34に出力する。第一の電源回路部34は、第二の制御信号に基づき、主回路部35に電源電圧(VDDb)を供給する。
The
次に、第一の制御信号としてのパルス信号が制御回路部31に入力されると、制御回路部31は第一の制御信号の立ち上がりエッジに同期して、第二の制御信号の出力を中止する。このとき、第一の電源回路部34は、主回路部35の電源供給を遮断する。このような一連の動作により、無線接続による制御信号を用いて、主回路部の電源供給状態を制御する。
Next, when a pulse signal as the first control signal is input to the
一般に、電源電圧印加直後の無線回路部の出力は、必ずしもオフ状態にはなっておらず、第一の電源回路34がオン状態になっている場合がある。そのため、図1に示す半導体装置1では、無線回路部の初期状態をオフ状態にリセットするなどの必要がある。それに対し図3に示す半導体装置3では制御回路部を設けることにより、第一の制御信号としてのパルス信号が発生しない限り、第一の電源回路部34はオン状態にはならないため、第一の電源回路部34の電源電圧状態をより正確に制御することが可能となる。
In general, the output of the wireless circuit unit immediately after the application of the power supply voltage is not necessarily in the off state, and the first
また、無線回路部33の出力の電圧レベルと第一の電源回路部34の動作電圧レベルが異なるために、図1に示す半導体装置1の構成では異なる電位間での信号伝送によりリーク電流が増大する可能性がある。しかし、制御回路部31を設けることにより、制御回路部31で電圧レベルを変換することができ、リーク電流による電力増加を回避することが可能である。図3では、制御回路部を電源配線部から接続し電源を供給した場合を示したが、無線回路部から電源を供給することとしてもよい。
Further, since the voltage level of the output of the wireless circuit unit 33 and the operating voltage level of the first power
本実施形態の第一の電源回路部または第二の電源回路部は、参照電圧を生成する電圧レベル生成回路部と、出力電位を一意に定めるための電源電圧制御部を備える。なお、参照電圧は外部入力することとしてもよい。 The first power supply circuit unit or the second power supply circuit unit of this embodiment includes a voltage level generation circuit unit that generates a reference voltage and a power supply voltage control unit for uniquely determining an output potential. The reference voltage may be input externally.
図5に、第一の電源回路部52に参照電圧を印加するための信号配線部51を備えた半導体装置5を示す。信号配線部51を第一の電源回路部52に接続することで、第一の電源回路部52の電圧レベルを決める基準となる参照電圧を、外部から印加することができる。
FIG. 5 shows a semiconductor device 5 including a signal wiring portion 51 for applying a reference voltage to the first power
図5では、信号配線部51を第一の電源回路部52に接続した場合を示したが、第二の電源回路部53に接続することとしてもよい。
In FIG. 5, the signal wiring unit 51 is connected to the first power
主回路部の電源電位は、低電圧化やテストのために様々な値に設定する場合があるため、電圧レベル生成回路部を備えることとすると、回路面積が増大する可能性がある。これに対して図5に示すように、信号配線部51を配置し第一の電源回路部52に接続することで、第一の電源回路部52の電圧レベルを決めるための参照電圧を外部から印加することができる。そのため、第一の電源回路部52の高精度かつ広電圧レンジを有する電圧レベル生成回路部が不要となる。すなわち、第一の電源回路部52の面積を小さくすることが可能となる。
Since the power supply potential of the main circuit section may be set to various values for voltage reduction or testing, the circuit area may increase if the voltage level generation circuit section is provided. On the other hand, as shown in FIG. 5, by arranging the signal wiring part 51 and connecting it to the first
一方、無線回路部に接続された第二の電源回路部の電源電位は可変する必要が必ずしもないため、例えば特許文献2(図1)に開示された電源構成を採用すれば、比較的簡素で小面積な電源回路を構成できる。そのため、無線回路部55には、信号配線部51から高精度かつ広電圧レンジの参照電圧を供給する必要は必ずしも無い。しかしながら、信号配線部51を第二の電源回路部53に接続することで、第二の電源回路部53の電圧レベル生成回路部が不要となるため、第二の電源回路部53の面積を小さくすることが可能となる。
On the other hand, since it is not always necessary to vary the power supply potential of the second power supply circuit unit connected to the radio circuit unit, for example, if the power supply configuration disclosed in Patent Document 2 (FIG. 1) is adopted, it is relatively simple. A small area power supply circuit can be configured. Therefore, it is not always necessary to supply the
また、図6に示すように、外部から第一の電源回路部64に参照電圧を印加する第一の信号配線部63を第一の電源回路部64に接続し、さらに、外部から第二の電源回路部62に参照電圧を印加する第二の信号配線部61を第二の電源回路部62に接続してもよい。第一の信号配線部63と第二の信号配線部61を設けることにより、第一の電源回路部64および第二の電源回路部62の電圧レベル生成回路部が不要となる。
Further, as shown in FIG. 6, a first signal wiring part 63 for applying a reference voltage to the first power
その結果、第一電源回路部64および第二の電源回路部62の面積を小さくすることが可能となり、半導体装置1の回路面積の増加による装置コストの増大をさらに抑制することができる。
As a result, the areas of the first power
[第二の実施形態]
図7は、本発明による第二の実施形態の半導体装置の構成を示すブロック図である。図7において、半導体装置7は、複数の半導体回路部71を有する。
[Second Embodiment]
FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 7, the semiconductor device 7 has a plurality of semiconductor circuit portions 71.
各半導体回路部71には、主回路部73と無線回路部72と第一の電源回路部76と第二の電源回路部75を有する。これらの各回路部の機能は第一の実施形態と同様である。
Each semiconductor circuit unit 71 includes a
共通電源配線部74は、各半導体回路部71の第一の電源回路部76および第二の電源回路部75に接続されている。ここで、共通電源配線部74は複数の電源回路部に接続されているが、半導体装置7のすべての電源回路部が共通電源配線部74に接続されていてもよく、また、一部の複数の電源回路部が共通電源配線部74に接続されていてもよい。
The common power supply wiring section 74 is connected to the first power
各半導体回路部71の無線回路部72は、共通電源配線部74を通して周辺の半導体回路部の無線回路部72および主回路部73の動作により発生する電源雑音を受ける。そのため、無線回路部に電源が安定的に制御できず、無線回路部72が誤作動を起すという問題があった。
The
本実施形態の構成では、各半導体装置の第二の電源回路部75により、無線回路部72の電源電圧が一定に制御される。その結果、無線回路部72に安定的な電源電圧が印加されるため、共通電源配線部74および主回路部73からの雑音の影響による無線回路部72の誤動作を回避することができる。すなわち、無線回路部72の受信感度を高めることが可能となる。
In the configuration of the present embodiment, the power supply voltage of the
図8に、第一の電源回路部82に参照電圧を印加するための共通信号配線部81を備える各半導体回路部85を示す。共通信号配線部81を第一の電源回路部82に接続することで、第一の電源回路部82の電圧レベルを決める基準となる参照電圧を、外部から印加することができる。
FIG. 8 shows each semiconductor circuit unit 85 including a common signal wiring unit 81 for applying a reference voltage to the first power
そのため、第一の電源回路部82の高精度かつ広電圧レンジを有する電圧レベル生成回路部が不要となる。すなわち、第一の電源回路部82の面積を小さくすることが可能となる。
This eliminates the need for the voltage level generation circuit unit having the high accuracy and wide voltage range of the first power
図8では、共通信号配線部81を、第一の電源回路部82に接続した場合を示したが、第二の電源回路部84に接続されることとしてもよい。
Although FIG. 8 shows the case where the common signal wiring portion 81 is connected to the first power
共通信号配線部81を第二の電源回路部84に接続することで、第二の電源回路部84の電圧レベル生成回路部が不要となるため、第二の電源回路部84の面積を小さくすることが可能となる。
By connecting the common signal wiring portion 81 to the second power
また、図9に示すように、外部から第一の電源回路部93に参照電圧を印加する第一の共通信号配線部97を第一の電源回路部93に接続し、さらに、外部から第二の電源回路部92に参照電圧を印加する第二の共通信号配線部91を第二の電源回路部92に接続してもよい。第一の共通信号配線部97と第二の共通信号配線部91を設けることにより、第一の電源回路部93および第二の電源回路部92の電圧レベル生成回路部が不要となる。
Further, as shown in FIG. 9, a first common signal wiring portion 97 for applying a reference voltage to the first power
その結果、第一電源回路部93および第二の電源回路部92の面積を小さくすることが可能となり、半導体回路の面積の増加による装置コストの増大をさらに抑制することができる。
As a result, the areas of the first
[第三の実施形態]
図10は、本発明による第三の実施形態の半導体装置の構成を示すブロック図である。図10において、半導体装置10は、半導体ウエハ100上に構成されており、半導体ウエハ100は複数の半導体チップ領域101を有する。
[Third embodiment]
FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 10, the
各半導体チップ領域101には、主回路部103と無線回路部102と第一の電源回路部106と第二の電源回路部105を有する。これらの各回路部の機能は第一の実施形態と同様である。
Each semiconductor chip region 101 includes a
共通電源配線部104は、各半導体チップ領域101の第一の電源回路部106および第二の電源回路部105に接続されている。ここで、共通電源配線部104は複数の電源回路部に接続されているが、半導体装置100のすべての電源回路部が共通電源配線部104に接続されていてもよく、また、一部の複数の電源回路部が共通電源配線部104に接続されていてもよい。
The common power supply wiring section 104 is connected to the first power
各半導体チップ領域101の無線回路部102は、共通電源配線部104を通して周辺のチップ領域の無線回路部102および主回路部103の動作により発生する電源雑音を受ける。また、半導体ウエハ100の大口径化に伴って共通電源配線部104が長くなり、電源供給点から離れて配置された回路部に与えられる電圧が低下する場合がある。従って、電圧供給点からの距離によって無線回路部102に与えられる電圧が不均一になる。そのため、無線回路部に電源が安定的に制御できず、無線回路部102が誤作動を起すという問題があった。
The
本実施形態の構成では、各半導体チップ領域の第二の電源回路部105により、無線回路部102の電源電圧が一定に制御される。そのため、本実施形態における半導体装置10において、半導体ウエハ100上に共通電源配線部104を備えた場合であっても、安定に電源電圧を制御することが可能となる。その結果、無線回路部102に安定的な電源電圧が供給されるため、共通電源配線部104および主回路部103からの雑音の影響による無線回路部102の誤動作を回避することができる。
In the configuration of the present embodiment, the power supply voltage of the
図11に示すように、各半導体チップ領域116は、第一の電源回路部112の電圧レベルを印加するための共通信号配線部111を備えてもよい。共通信号配線部111を第一の電源回路部112に接続することで、第一の電源回路部112の電圧レベルを決めるための参照電圧を、外部から印加することができる。
As shown in FIG. 11, each semiconductor chip region 116 may include a common signal wiring portion 111 for applying the voltage level of the first power
そのため、第一の電源回路部112の高精度および広レンジの電圧レベル生成機能が不要となる。すなわち、第一の電源回路部112の面積を小さくすることが可能となる。
Therefore, the high-precision and wide-range voltage level generation function of the first power
図11において、共通信号配線部111は、第一の電源回路部112に接続した場合を示したが、第二の電源回路部114に接続することとしてもよい。
In FIG. 11, the common signal wiring unit 111 is connected to the first power
共通信号配線部111を第二の電源回路部114に接続することで、第二の電源回路部114の電圧レベル生成回路部が不要となるため、第二の電源回路部114の面積を小さくすることが可能となる。
By connecting the common signal wiring part 111 to the second power
また、図12に示すように、外部から第一の電源回路部123に参照電圧を印加する第一の共通信号配線部127を第一の電源回路部123に接続し、さらに、外部から第二の電源回路部122に参照電圧を印加する第二の共通信号配線部121を第二の電源回路部122に接続してもよい。第一の共通信号配線部127と第二の共通信号配線部121を設けることにより、第一の電源回路部123および第二の電源回路部122の電圧レベル生成回路部が不要となる。
In addition, as shown in FIG. 12, a first common signal wiring portion 127 that applies a reference voltage to the first power
その結果、第一電源回路部123および第二の電源回路部122の面積を小さくすることが可能となり、チップ面積の増加によるチップコストの増大をさらに抑制することができる。
As a result, the areas of the first power
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記記載に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能である。 The embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above description, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
1、3、5、7、9、10 半導体装置
11、35、56、66、73、83、94、103、113、124 主回路部
12、32、57、67 電源配線部
13、33、55、65、72、87、92、102、117、125 無線回路部
14、34、52、64、76、82、93、106、112、123 第一の電源回路部
15、36、53、62、75、84、95、105、114、122 第二の電源回路部
31 制御回路部
51 信号配線部
61 第二の信号配線部
63 第一の信号配線部
71、85、96 半導体回路部
74、89、94、104、119、128 共通電源配線部
81、111 共通信号配線部
91、121 第二の共通電源配線部
97、127 第一の共通信号配線部
100、110、120 半導体ウエハ
101、116、126 半導体チップ領域
1, 3, 5, 7, 9, 10
Claims (13)
電源配線部と、
無線信号を受信し制御信号を出力する無線回路部と、
前記電源配線部と前記主回路部に接続され、前記無線回路部からの前記制御信号に基づき、前記主回路部への電源供給状態を制御する第一の電源回路部と、
前記電源配線部と前記無線回路部に接続され、前記無線回路部への電源供給状態を制御する第二の電源回路部、とを有する半導体装置。 A main circuit section;
Power supply wiring section;
A radio circuit unit for receiving a radio signal and outputting a control signal;
A first power supply circuit section connected to the power supply wiring section and the main circuit section, for controlling a power supply state to the main circuit section based on the control signal from the radio circuit section;
A semiconductor device comprising: a power supply wiring portion; and a second power supply circuit portion connected to the wireless circuit portion and controlling a power supply state to the wireless circuit portion.
前記無線回路部は、前記無線信号に基づいて前記制御信号を構成する前記第一の制御信号を前記制御回路部に出力し、
前記制御回路部は、前記第一の制御信号に基づいて前記制御信号を構成する前記第二の制御信号を前記第一の電源回路部に出力し、
前記第一の電源回路部は前記第二の制御信号に基づいて前記主回路部への電源供給状態を制御する請求項1に記載の半導体装置。 A control circuit unit connected to the wireless circuit unit and the first power supply circuit unit;
The radio circuit unit outputs the first control signal constituting the control signal based on the radio signal to the control circuit unit,
The control circuit unit outputs the second control signal constituting the control signal to the first power circuit unit based on the first control signal,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the first power supply circuit unit controls a power supply state to the main circuit unit based on the second control signal.
前記複数の半導体回路部のそれぞれは、
主回路部と、
無線信号を受信し制御信号を出力する無線回路部と、
前記共通電源配線部と前記主回路部に接続され、前記無線回路部からの前記制御信号に基づき、前記主回路部への電源供給状態を制御する第一の電源回路部と、
前記共通電源配線部と前記無線回路部に接続され、前記無線回路部への電源供給状態を制御する第二の電源回路部、とを有する半導体装置。 A plurality of semiconductor circuit portions and a common power supply wiring portion;
Each of the plurality of semiconductor circuit units is
A main circuit section;
A radio circuit unit for receiving a radio signal and outputting a control signal;
A first power supply circuit section connected to the common power supply wiring section and the main circuit section and controlling a power supply state to the main circuit section based on the control signal from the radio circuit section;
A semiconductor device comprising: the common power supply wiring section; and a second power supply circuit section that is connected to the wireless circuit section and controls a power supply state to the wireless circuit section.
前記第二の電源回路部に第二の参照電圧を供給する第二の共通信号配線部と、をさらに備える請求項3に記載の半導体装置。 A first common signal wiring section for supplying a first reference voltage to the first power supply circuit section;
The semiconductor device according to claim 3, further comprising: a second common signal wiring portion that supplies a second reference voltage to the second power supply circuit portion.
該半導体ウエハ上には、請求項3から6のいずれか1項の半導体装置が設けられ、該半導体ウエハは複数の半導体チップを有し、
前記複数の半導体回路部は、それぞれ対応する前記複数の半導体チップ上に設けられ、
前記共通電源配線部と該複数の半導体チップが、前記半導体ウエハ上に設けられている、半導体ウエハ。 A semiconductor wafer,
A semiconductor device according to any one of claims 3 to 6 is provided on the semiconductor wafer, the semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips,
The plurality of semiconductor circuit units are provided on the corresponding semiconductor chips,
A semiconductor wafer, wherein the common power supply wiring portion and the plurality of semiconductor chips are provided on the semiconductor wafer.
前記第一の電源電圧に基づいて前記無線回路部への電源供給状態を制御することによって
前記無線回路部を動作状態とし、
前記無線回路部が取得した無線信号に基づいて前記主回路部への電源供給状態を制御する半導体装置の電源制御方法。 Supply the first power supply voltage to the power supply wiring section that supplies power to the main circuit section and the radio circuit section,
By controlling the power supply state to the wireless circuit unit based on the first power supply voltage, the wireless circuit unit is in an operating state,
A power control method for a semiconductor device, wherein the power supply state to the main circuit unit is controlled based on a radio signal acquired by the radio circuit unit.
請求項8に記載の半導体装置の電源制御方法。 9. The power control method for a semiconductor device according to claim 8, wherein a control signal is generated from the radio signal, and a power supply state to the main circuit unit is controlled based on the control signal.
請求項8または9に記載の半導体装置の電源制御方法。 10. The semiconductor device according to claim 8, wherein a first reference voltage for a power supply voltage of the main circuit unit is acquired, and a power supply state to the main circuit unit is controlled based on the first reference voltage. Power control method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010069243A JP2011204820A (en) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | Semiconductor device, semiconductor wafer, and its power supply control method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010069243A JP2011204820A (en) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | Semiconductor device, semiconductor wafer, and its power supply control method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011204820A true JP2011204820A (en) | 2011-10-13 |
Family
ID=44881182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010069243A Withdrawn JP2011204820A (en) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | Semiconductor device, semiconductor wafer, and its power supply control method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011204820A (en) |
-
2010
- 2010-03-25 JP JP2010069243A patent/JP2011204820A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2958231A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device with crystal resonator and manufacturing method of electronic device using the same | |
JP5321841B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US8704541B2 (en) | Test method of driving apparatus and circuit testing interface thereof | |
JP5301262B2 (en) | Semiconductor device and operation mode switching method | |
US20120161808A1 (en) | Methods and Systems to Measure a Signal on an Integrated Circuit Die | |
TWI405985B (en) | Semiconductor wafers, semiconductor circuits, test substrates, and test systems | |
US7221170B2 (en) | Semiconductor test circuit | |
US7679394B2 (en) | Power supply noise resistance testing circuit and power supply noise resistance testing method | |
ITTO20091057A1 (en) | COMMUNICATION CELL FOR AN INTEGRATED CIRCUIT, ELECTRONIC PLATE INCLUDING SUCH COMMUNICATION CELL, ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SUCH TEST PLATE AND TEST EQUIPMENT | |
US7915951B1 (en) | Locally calibrated current source | |
JP2011204820A (en) | Semiconductor device, semiconductor wafer, and its power supply control method | |
CN106896317B (en) | Circuit debugging method and circuit debugging system executed by scan chain of scan test | |
JP2009216565A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
WO2009144828A1 (en) | Wafer unit for testing and testing system | |
KR101126445B1 (en) | Device having circuit capable of intermittent operation | |
JP5440512B2 (en) | Electronic circuit, circuit device, test system, and electronic circuit control method | |
CN113711065A (en) | Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device | |
JP2007171060A (en) | Operating mode setting circuit, lsi having the operating mode setting circuit, and operating mode setting method | |
US20100327915A1 (en) | Semiconductor device and method for resetting the same | |
US8030958B2 (en) | System for providing a reference voltage to a semiconductor integrated circuit | |
JP2003218216A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of using the same | |
JP2015135284A (en) | power supply voltage noise measurement circuit and semiconductor device | |
CN111323689B (en) | Test key detection circuit | |
US20120139569A1 (en) | Circuit apparatus | |
JP2009025054A (en) | Circuit and method for inspecting semiconductor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20110707 |
|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130604 |