JP2009216565A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、内部の終端抵抗の抵抗値を測定することが可能な半導体集積回路に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit capable of measuring a resistance value of an internal termination resistor.
近年、大量の信号を伝送する手段の一つとして、電流を信号伝送の手段として用いた半導体集積回路であるLVDS(Low Voltage Differential Signaling)インターフェイス回路が用いられている。 In recent years, an LVDS (Low Voltage Differential Signaling) interface circuit, which is a semiconductor integrated circuit using current as a signal transmission means, is used as one of means for transmitting a large amount of signals.
このLVDS回路は、レシーバ回路の入力直前に100Ωの終端抵抗が接続される。この終端抵抗は、製品の部品数削減のため、半導体集積回路に内蔵されることがある。この終端抵抗の抵抗値は、製品として決められた仕様が定義されている。この仕様として、例えば、100Ω±15Ωといった範囲が決められている。 In this LVDS circuit, a 100Ω termination resistor is connected immediately before the input of the receiver circuit. This termination resistor may be incorporated in a semiconductor integrated circuit in order to reduce the number of product parts. A specification determined as a product is defined for the resistance value of the termination resistor. As this specification, for example, a range of 100Ω ± 15Ω is determined.
上記抵抗値を製品で保証するために、ダイソーターテスト工程時にウエハ上で抵抗値を測定し、また最終テスト工程時にアセンブリされた製品をソケットに入れて測定を行う必要がある。 In order to guarantee the resistance value with the product, it is necessary to measure the resistance value on the wafer during the die sorter test process, and to measure the assembled product in the socket during the final test process.
ここで、従来の抵抗の測定方法には、抵抗の両端を測定器に接続し、該抵抗に電圧を印加し、流れる電流値から抵抗を求める。この測定方法の場合、2端子で測定を行うため、測定器と抵抗の間になんらかの抵抗が付随した場合には測定誤差が発生する(例えば、特許文献1参照。)。 Here, in the conventional method for measuring resistance, both ends of the resistor are connected to a measuring instrument, a voltage is applied to the resistor, and the resistance is obtained from the flowing current value. In the case of this measurement method, since measurement is performed with two terminals, a measurement error occurs when some resistance is attached between the measuring instrument and the resistance (for example, see Patent Document 1).
例えば、ウエハ上の測定ではパッドと測定器の針の間、ソケットによる測定ではアセンブリ製品とソケットのピンとの間に接触抵抗が付随することがある。これにより、抵抗値が仕様内に製造できていたとしても、テスト上の問題で歩留まりを落とし得る。 For example, contact resistance may accompany the pad and the needle of the measuring instrument for measurement on the wafer, and contact between the assembly product and the pin of the socket for measurement by the socket. As a result, even if the resistance value can be manufactured within the specification, the yield can be lowered due to a test problem.
この接触抵抗の影響を受けない測定方法として、4端子で抵抗値の測定を行う方法がある。この4端子で測定する方法では、被測定抵抗の両端に接続された第1、第2の端子間に電流を印加し、該被測定抵抗の両端に別途接続された第3、第4の端子間に発生する電位差を、印加した該電流で割る。これにより、該被測定抵抗の抵抗値が求められる。 As a measuring method not affected by the contact resistance, there is a method of measuring a resistance value with four terminals. In this method of measuring with four terminals, a current is applied between the first and second terminals connected to both ends of the resistance to be measured, and third and fourth terminals separately connected to both ends of the resistance to be measured. Divide the potential difference between them by the applied current. Thereby, the resistance value of the resistance to be measured is obtained.
上記4端子法では第3、第4の端子間に電流が流れない。このため、第3、第4の端子と該被測定抵抗との間に接触抵抗が付随しても、この接触抵抗の影響を受けることなく該被測定抵抗の抵抗値を求めることができる。 In the four-terminal method, no current flows between the third and fourth terminals. Therefore, even if a contact resistance is attached between the third and fourth terminals and the resistance to be measured, the resistance value of the resistance to be measured can be obtained without being influenced by the contact resistance.
しかしながら、既述のLVDS回路において、上記4端子法を適用するためには、終端抵抗に接続された2つの入出力端子以外に、テスト用の入出力端子が2つ必要になる。したがって、入出力端子数の削減を図ることができないという問題があった。
本発明は、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることが可能な半導体集積回路を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of reducing the number of input / output terminals while more accurately measuring the resistance value of a termination resistor.
本発明の一態様に係る実施例に従った半導体集積回路は、伝送線路を伝搬した信号を受信するための半導体集積回路であって、論理演算する論理回路と、出力が前記論理回路に接続され、前記伝送線路を伝搬した信号を受信し前記論理回路に出力するための差動入力レシーバ回路と、前記伝送線路とインピーダンス整合するため、前記差動入力レシーバ回路の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続された終端抵抗と、前記差動入力レシーバ回路の前記非反転入力端子に接続され、前記信号を受信するための第1の入出力端子と、前記差動入力レシーバ回路の前記反転入力端子に接続され、前記信号を受信するための第2の入出力端子と、電源と前記第1の入出力端子との間に接続された第1のスイッチ回路と、接地と前記第2の入出力端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路および第2のスイッチ回路のオン/オフを制御する制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記終端抵抗の抵抗値を測定するテスト動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオンし、通常動作する通常動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオフすることを特徴とする。 A semiconductor integrated circuit according to an embodiment of one aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit for receiving a signal propagated through a transmission line, and includes a logic circuit that performs a logical operation and an output connected to the logic circuit. A differential input receiver circuit for receiving a signal propagated through the transmission line and outputting the signal to the logic circuit; and a non-inverting input terminal and an inverting input terminal of the differential input receiver circuit for impedance matching with the transmission line A termination resistor connected between the first input / output terminal for receiving the signal, the first input / output terminal connected to the non-inverting input terminal of the differential input receiver circuit, and the differential input receiver circuit A second input / output terminal connected to an inverting input terminal for receiving the signal, a first switch circuit connected between a power source and the first input / output terminal, ground, and the second Input and output And a control circuit for controlling on / off of the first switch circuit and the second switch circuit. The control circuit includes: a terminal resistor; In the test operation mode for measuring the resistance value, the first switch circuit and the second switch circuit are turned on, and in the normal operation mode in which the normal operation is performed, the first switch circuit and the second switch circuit. Is turned off.
本発明の他の態様に係る実施例に従った半導体集積回路は、伝送線路を伝搬した信号を送信するための半導体集積回路であって、論理演算する論理回路と、入力が前記論理回路に接続され、前記論理回路が出力した信号を前記伝送線路に送信するための差動出力ドライバ回路と、前記伝送線路とインピーダンス整合するため、前記差動出力ドライバ回路の非反転出力端子と反転出力端子との間に接続された終端抵抗と、前記差動出力ドライバ回路の前記非反転出力端子に接続され、前記信号を送信するための第1の入出力端子と、前記差動出力ドライバ回路の前記反転出力端子に接続され、前記信号を送信するための第2の入出力端子と、電源と前記第1の入出力端子との間に接続された第1のスイッチ回路と、接地と前記第2の入出力端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、前記第1のスイッチ回路および第2のスイッチ回路のオン/オフを制御する制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記終端抵抗の抵抗値を測定するテスト動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオンし、通常動作する通常動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオフすることを特徴とする。 A semiconductor integrated circuit according to an embodiment of another aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit for transmitting a signal propagated through a transmission line, and a logic circuit that performs a logical operation and an input connected to the logic circuit A differential output driver circuit for transmitting a signal output from the logic circuit to the transmission line; and a non-inverting output terminal and an inverting output terminal of the differential output driver circuit for impedance matching with the transmission line; A termination resistor connected between the first output terminal and the non-inverting output terminal of the differential output driver circuit, the first input / output terminal for transmitting the signal, and the inversion of the differential output driver circuit. A second input / output terminal connected to the output terminal for transmitting the signal, a first switch circuit connected between a power source and the first input / output terminal, ground, and the second I / O terminal And a control circuit for controlling on / off of the first switch circuit and the second switch circuit, and the control circuit has a resistance value of the termination resistor. In the test operation mode for measuring the first switch circuit, the first switch circuit and the second switch circuit are turned on, and in the normal operation mode for normal operation, the first switch circuit and the second switch circuit are turned off. It is characterized by doing.
本発明の半導体集積回路によれば、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることができる。 According to the semiconductor integrated circuit of the present invention, it is possible to reduce the number of input / output terminals while measuring the resistance value of the termination resistor more accurately.
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1、図2は、本発明の一態様である実施例1に係る半導体集積回路100の要部の構成を示す図である。なお、図1は、半導体集積回路100が、後述するテスト動作モードの状態を示す。また、図2は、半導体集積回路100が、後述する通常動作モードの状態を示す。
FIG. 1 and FIG. 2 are diagrams showing a configuration of a main part of a semiconductor integrated
図1、図2に示すように、伝送線路(図示せず)を伝送した信号を受信するための半導体集積回路100は、論理演算する論理回路1と、差動入力レシーバ回路2と、終端抵抗3と、第1の入出力端子4と、第2の入出力端子5と、第1のスイッチ回路6と、第2のスイッチ回路7と、第1の抵抗8と、第2の抵抗9と、制御回路10と、を備える。
As shown in FIGS. 1 and 2, a semiconductor integrated
差動入力レシーバ回路2は、出力が論理回路1に接続され、該伝送線路を伝搬した信号を受信し論理回路1に出力するようになっている。
The differential
終端抵抗3は、該伝送線路とインピーダンス整合するため、差動入力レシーバ回路2の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続されている。この終端抵抗3の抵抗値は、製品として決められた仕様が定義されている。この仕様として、例えば、100Ω±15Ωといった範囲が決められている。
The termination resistor 3 is connected between the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the differential
第1の入出力端子4は、差動入力レシーバ回路2の非反転入力端子に接続され、信号を受信するようになっている(信号が入力される)。
The first input /
第2の入出力端子5は、差動入力レシーバ回路2の反転入力端子に接続され、信号を受信するようになっている(信号が入力される)。
The second input /
第1のスイッチ回路6は、電源VDDと第1の入出力端子4との間に接続されている。
The
第2のスイッチ回路7は、接地GNDと第2の入出力端子5との間に接続されている。
The
制御回路10は、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7のオン/オフを制御するようになっている。
The
第1の抵抗8は、第1のスイッチ回路6と第1の入出力端子4との間に接続されている。
The
第2の抵抗9は、第2のスイッチ回路7と第2の入出力端子5との間に接続されている。
The
なお、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7は、テスト電流Itを流すので、オン抵抗が低いアナログスイッチ回路であることが望ましい。本実施例では、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7は、それぞれ制御回路10から入力される信号によりオン/オフが制御されるMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等のトランジスタで構成される。
The
既述のように、第1、第2のスイッチ回路6、7は、それぞれトランジスタで構成される。しかし、第1のスイッチ回路6は、第1の抵抗8を介して第1の入出力端子4と接続されている。また、第2のスイッチ回路7は、第2の抵抗9を介して第2の入出力端子5と接続されている。
As described above, the first and
このため、該トランジスタの静電破壊(ESD:electrostatic discharge)等を防止することができるようになっている。 For this reason, electrostatic breakdown (ESD) of the transistor can be prevented.
ここで、以上のような構成を有する半導体集積回路100の動作(半導体集積回路100の終端抵抗3の測定方法)について説明する。
Here, the operation of the semiconductor integrated
制御回路10は、終端抵抗3の抵抗値を測定するテスト動作モード時は、図1に示すように、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオンする。
In the test operation mode in which the resistance value of the termination resistor 3 is measured, the
この時、電源VDDと接地GNDとの間に、終端抵抗3を介してテスト電流Itを流す経路ができる。さらに、終端抵抗3の両端の電位差は、第1の入出力端子4と第2の入出力端子5とを用いて測定可能である。これにより、終端抵抗3に対して、抵抗値の測定が可能となる。
At this time, a path is formed between the power supply VDD and the ground GND so that the test current It flows through the termination resistor 3. Further, the potential difference between both ends of the termination resistor 3 can be measured using the first input /
すなわち、このテスト動作モード時は、式(1)に示すように、電源VDDと接地GNDとの間に流れるテスト電流Itにより生じた、第1の入出力端子4と第2の入出力端子5との間の電位差ΔVを測定する。なお、V1は第1の入出力端子4で測定された電位であり、V2は第2の入出力端子5で測定された電位である。
ΔV=V1−V2・・・式(1)
That is, in this test operation mode, as shown in the equation (1), the first input /
ΔV = V1−V2 Formula (1)
そして、式(2)に示すように、電位差ΔVをテスト電流Itで除算することにより、終端抵抗3の抵抗値Rを得る。
R=ΔV/It・・・式(2)
Then, as shown in Expression (2), the resistance value R of the termination resistor 3 is obtained by dividing the potential difference ΔV by the test current It.
R = ΔV / It (2)
なお、テスト電流Itの電流値は、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオフしたときの電源VDDの消費電流と、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオンしたときの電源の消費電流との差を求めることにより得ることができる。
Note that the current value of the test current It depends on the current consumption of the power supply VDD when the
一方、制御回路10は、通常動作する通常動作モード時は、図2に示すように、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオフする。
On the other hand, the
この時、第1、第2の入出力端子4、5は、差動入力レシーバ回路2が、伝送線路を伝送した信号を受信するための入出力端子として機能する。
At this time, the first and second input /
このように、半導体集積回路100は、テスト動作モード時と通常動作モード時において、同じ端子を用いる。このため、半導体集積回路100は、製品の端子数を増やすこと無く、高精度な終端抵抗の測定が可能である。
Thus, the semiconductor integrated
以上のように、本実施例に係る半導体集積回路によれば、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることができる。 As described above, according to the semiconductor integrated circuit of this embodiment, it is possible to reduce the number of input / output terminals while measuring the resistance value of the termination resistor more accurately.
実施例1では、伝送線路を伝送した信号を受信する差動入力レシーバ回路を有する構成について述べた。 In the first embodiment, the configuration including the differential input receiver circuit that receives the signal transmitted through the transmission line has been described.
本実施例2では、特に、より正確に終端抵抗の抵抗値を測定するための構成の一例について述べる。 In the second embodiment, an example of a configuration for measuring the resistance value of the termination resistor more accurately will be described.
図3は、本発明の一態様である実施例2に係る半導体集積回路200の要部の構成を示す図である。なお、図3は、半導体集積回路200が、テスト動作モードの状態を示す。また、半導体集積回路200の通常動作モードの状態(スイッチ回路の状態)は、図2の半導体集積回路100の通常動作モードの状態(スイッチ回路の状態)と同様である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a main part of the semiconductor integrated
図3に示すように、伝送線路(図示せず)を伝送した信号を受信するための半導体集積回路200は、実施例1の半導体集積回路100と比較して、第1の電流源11と、第2の電流源12と、をさらに備える。なお、半導体集積回路200のその他の構成は、実施例1の半導体集積回路100と同様である。
As shown in FIG. 3, a semiconductor integrated
第1の電流源11は、電源VDDと第1のスイッチ回路6との間に接続されている。
The first
第2の電流源12は、接地GNDと第2のスイッチ回路7との間に接続されている。
The second
以上のような構成を有する半導体集積回路200の動作(半導体集積回路200の終端抵抗3の測定方法)は、実施例1の半導体集積回路100の動作(半導体集積回路100の終端抵抗3の測定方法)と同様である。
The operation of the semiconductor integrated
したがって、半導体集積回路200は、テスト動作モード時と通常動作モード時において、同じ端子を用いる。このため、半導体集積回路200は、製品の端子数を増やすこと無く、高精度な終端抵抗の測定が可能である。
Therefore, the semiconductor integrated
また、第1、第2の電流源11、12により、テスト動作モード時、終端抵抗3により安定してテスト電流Itを流すことができる。すなわち、テスト電流Itに対する電源VDDの変動の影響を低減することができる。
In addition, the first and second
したがって、テスト動作モード時、終端抵抗3により安定してテスト電流Itを流すことができるので、より正確に終端抵抗3の抵抗値を測定することができる。 Therefore, in the test operation mode, the test current It can be made to flow stably by the termination resistor 3, so that the resistance value of the termination resistor 3 can be measured more accurately.
以上のように、本実施例に係る半導体集積回路によれば、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることができる。 As described above, according to the semiconductor integrated circuit of this embodiment, it is possible to reduce the number of input / output terminals while measuring the resistance value of the termination resistor more accurately.
実施例2では、より正確に終端抵抗の抵抗値を測定するために電流源を2つ備えた構成の一例について述べた。この電流源は1つであってもよい。 In the second embodiment, an example of a configuration including two current sources in order to measure the resistance value of the termination resistor more accurately has been described. There may be one current source.
そこで、本実施例3では、より正確に終端抵抗の抵抗値を測定するために電流源を1つ備えた構成の一例について述べる。 Therefore, in the third embodiment, an example of a configuration provided with one current source for measuring the resistance value of the termination resistor more accurately will be described.
図4は、本発明の一態様である実施例3に係る半導体集積回路300の要部の構成を示す図である。なお、図4は、半導体集積回路300が、テスト動作モードの状態を示す。また、半導体集積回路300の通常動作モードの状態(スイッチ回路の状態)は、図2の半導体集積回路100の通常動作モードの状態(スイッチ回路の状態)と同様である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a main part of a semiconductor integrated
図4に示すように、伝送線路(図示せず)を伝送した信号を受信するための半導体集積回路300は、実施例1の半導体集積回路100と比較して、電流源11をさらに備える。なお、半導体集積回路300のその他の構成は、実施例1の半導体集積回路100と同様である。
As shown in FIG. 4, the semiconductor integrated
電流源11は、電源VDDと第1のスイッチ回路6との間に接続されている。
The
以上のような構成を有する半導体集積回路300の動作(半導体集積回路300の終端抵抗3の測定方法)は、実施例1の半導体集積回路100の動作(半導体集積回路100の終端抵抗3の測定方法)と同様である。
The operation of the semiconductor integrated
したがって、半導体集積回路300は、テスト動作モード時と通常動作モード時において、同じ端子を用いる。このため、半導体集積回路300は、製品の端子数を増やすこと無く、高精度な終端抵抗の測定が可能である。
Therefore, the semiconductor integrated
また、電流源11により、テスト動作モード時、終端抵抗3により安定してテスト電流Itを流すことができる。すなわち、テスト電流Itに対する電源VDDの変動の影響を低減することができる。
In addition, the
したがって、テスト動作モード時、終端抵抗3により安定してテスト電流Itを流すことができるので、より正確に終端抵抗3の抵抗値を測定することができる。 Therefore, in the test operation mode, the test current It can be made to flow stably by the termination resistor 3, so that the resistance value of the termination resistor 3 can be measured more accurately.
以上のように、本実施例に係る半導体集積回路によれば、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることができる。 As described above, according to the semiconductor integrated circuit of this embodiment, it is possible to reduce the number of input / output terminals while measuring the resistance value of the termination resistor more accurately.
実施例3では、より正確に終端抵抗の抵抗値を測定するために電流源を1つ備えた構成の一例について述べた。 In the third embodiment, an example of a configuration including one current source for measuring the resistance value of the termination resistor more accurately has been described.
本実施例4では、より正確に終端抵抗の抵抗値を測定するために電流源を1つ備えた構成の他の例について述べる。 In the fourth embodiment, another example in which one current source is provided in order to more accurately measure the resistance value of the termination resistor will be described.
図5は、本発明の一態様である実施例4に係る半導体集積回路400の要部の構成を示す図である。なお、図5は、半導体集積回路400が、テスト動作モードの状態を示す。また、半導体集積回路400の通常動作モードの状態(スイッチ回路の状態)は、図2の半導体集積回路100の通常動作モードの状態(スイッチ回路の状態)と同様である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a main part of a semiconductor integrated circuit 400 according to the fourth embodiment which is an aspect of the present invention. FIG. 5 shows the semiconductor integrated circuit 400 in the test operation mode. The normal operation mode state (switch circuit state) of the semiconductor integrated circuit 400 is the same as the normal operation mode state (switch circuit state) of the semiconductor integrated
図5に示すように、伝送線路(図示せず)を伝送した信号を受信するための半導体集積回路400は、実施例1の半導体集積回路100と比較して、電流源12をさらに備える。なお、半導体集積回路400のその他の構成は、実施例1の半導体集積回路100と同様である。
As shown in FIG. 5, the semiconductor integrated circuit 400 for receiving a signal transmitted through a transmission line (not shown) further includes a
電流源12は、接地GNDと第2のスイッチ回路7との間に接続されている。
The
以上のような構成を有する半導体集積回路400の動作(半導体集積回路400の終端抵抗3の測定方法)は、実施例1の半導体集積回路100の動作(半導体集積回路100の終端抵抗3の測定方法)と同様である。
The operation of the semiconductor integrated circuit 400 having the above-described configuration (method of measuring the termination resistor 3 of the semiconductor integrated circuit 400) is the same as the operation of the semiconductor integrated
したがって、半導体集積回路400は、テスト動作モード時と通常動作モード時において、同じ端子を用いる。このため、半導体集積回路400は、製品の端子数を増やすこと無く、高精度な終端抵抗の測定が可能である。 Therefore, the semiconductor integrated circuit 400 uses the same terminal in the test operation mode and the normal operation mode. Therefore, the semiconductor integrated circuit 400 can measure the termination resistance with high accuracy without increasing the number of product terminals.
また、電流源12により、テスト動作モード時、終端抵抗3により安定してテスト電流Itを流すことができる。すなわち、テスト電流Itに対する電源VDDの変動の影響を低減することができる。
In addition, the
したがって、テスト動作モード時、終端抵抗3により安定してテスト電流Itを流すことができるので、より正確に終端抵抗3の抵抗値を測定することができる。 Therefore, in the test operation mode, the test current It can be made to flow stably by the termination resistor 3, so that the resistance value of the termination resistor 3 can be measured more accurately.
以上のように、本実施例に係る半導体集積回路によれば、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることができる。 As described above, according to the semiconductor integrated circuit of this embodiment, it is possible to reduce the number of input / output terminals while measuring the resistance value of the termination resistor more accurately.
実施例1ないし4では、伝送線路を伝送した信号を受信する差動入力レシーバ回路を有する構成について述べた。 In the first to fourth embodiments, the configuration including the differential input receiver circuit that receives the signal transmitted through the transmission line has been described.
本実施例では、伝送線路に伝搬させる信号を送信(出力)する差動出力ドライバ回路を有する構成について述べる。 In this embodiment, a configuration having a differential output driver circuit that transmits (outputs) a signal to be propagated to a transmission line will be described.
図6、図7は、本発明の一態様である実施例5に係る半導体集積回路500の要部の構成を示す図である。なお、図6は、半導体集積回路500が、後述するテスト動作モードの状態を示す。また、図7は、半導体集積回路500が、後述する通常動作モードの状態を示す。また、図において、実施例1と同様の符号は、実施例1と同様の構成を示す。
6 and 7 are diagrams showing the configuration of the main part of a semiconductor integrated
図6、図7に示すように、伝送線路(図示せず)に伝搬させる信号を送信するための半導体集積回路500は、論理演算する論理回路1と、差動出力ドライバ回路502と、終端抵抗503と、第1の入出力端子504と、第2の入出力端子505と、第1のスイッチ回路6と、第2のスイッチ回路7と、第1の抵抗8と、第2の抵抗9と、制御回路10と、を備える。
As shown in FIGS. 6 and 7, a semiconductor integrated
差動出力ドライバ回路502は、入力が論理回路1に接続され、論理回路1が出力した信号を該伝送線路に送信するようになっている。
The differential
終端抵抗503は、該伝送線路とインピーダンス整合するため、差動出力ドライバ回路502の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続されている。この終端抵抗503の抵抗値は、製品として決められた仕様が定義されている。この仕様として、例えば、100Ω±15Ωといった範囲が決められている。
The
第1の入出力端子504は、差動出力ドライバ回路502の非反転入力端子に接続され、信号を送信するようになっている(信号が出力される)。
The first input /
第2の入出力端子505は、差動出力ドライバ回路502の反転入力端子に接続され、信号を送信するようになっている(信号が出力される)。
The second input /
第1のスイッチ回路6は、電源VDDと第1の入出力端子504との間に接続されている。
The
第2のスイッチ回路7は、接地GNDと第2の入出力端子505との間に接続されている。
The
制御回路10は、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7のオン/オフを制御するようになっている。
The
第1の抵抗8は、第1のスイッチ回路6と第1の入出力端子504との間に接続されている。
The
第2の抵抗9は、第2のスイッチ回路7と第2の入出力端子505との間に接続されている。
The
なお、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7は、実施例1と同様に、テスト電流Itを流すので、オン抵抗が低いアナログスイッチ回路であることが望ましい。本実施例では、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7は、それぞれ制御回路10から入力される信号によりオン/オフが制御されるMOSトランジスタやバイポーラトランジスタ等のトランジスタで構成される。
Since the
既述のように、第1、第2のスイッチ回路6、7は、それぞれトランジスタで構成される。しかし、第1のスイッチ回路6は、第1の抵抗8を介して第1の入出力端子504と接続されている。また、第2のスイッチ回路7は、第2の抵抗9を介して第2の入出力端子505と接続されている。
As described above, the first and
このため、該トランジスタの静電破壊(ESD)等を防止することができるようになっている。 Therefore, electrostatic breakdown (ESD) or the like of the transistor can be prevented.
以上のように、半導体集積回路500は、基本的には、差動入力レシーバ回路2を差動出力ドライバ回路502に置き換えた以外は、実施例1の半導体集積回路100と同様の構成を有する。
As described above, the semiconductor integrated
ここで、以上のような構成を有する半導体集積回路500の動作(半導体集積回路500の終端抵抗503の測定方法)について説明する。
Here, the operation of the semiconductor integrated
制御回路10は、終端抵抗503の抵抗値を測定するテスト動作モード時は、図6に示すように、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオンする。
In the test operation mode in which the resistance value of the
この時、電源VDDと接地GNDとの間に、終端抵抗503を介してテスト電流Itを流す経路ができる。さらに、終端抵抗503の両端の電位差は、第1の入出力端子504と第2の入出力端子505とを用いて測定可能である。これにより、終端抵抗503に対して、抵抗値の測定が可能となる。
At this time, a path for allowing the test current It to flow through the
すなわち、このテスト動作モード時は、既述の式(1)に示すように、電源VDDと接地GNDとの間に流れるテスト電流Itにより生じた、第1の入出力端子504と第2の入出力端子505との間の電位差ΔVを測定する。なお、本実施例では、V1は第1の入出力端子504で測定された電位であり、V2は第2の入出力端子505で測定された電位である。
That is, in this test operation mode, as shown in the above-described equation (1), the first input /
そして、既述の式(2)に示すように、電位差ΔVをテスト電流Itで除算することにより、終端抵抗503の抵抗値Rを得る。
Then, as shown in Equation (2), the resistance value R of the
なお、テスト電流Itの電流値は、実施例1と同様に、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオフしたときの電源VDDの消費電流と、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオンしたときの電源の消費電流との差を求めることにより得ることができる。
As in the first embodiment, the current value of the test current It is the current consumption of the power supply VDD when the
一方、制御回路10は、通常動作する通常動作モード時は、図7に示すように、第1のスイッチ回路6および第2のスイッチ回路7をオフする。
On the other hand, the
この時、第1、第2の入出力端子504、505は、差動出力ドライバ回路502が出力した信号を該伝送線路に送信するための入出力端子として機能する。
At this time, the first and second input /
このように、半導体集積回路500は、実施例1と同様に、テスト動作モード時と通常動作モード時において、同じ端子を用いる。このため、半導体集積回路500は、実施例1と同様に、製品の端子数を増やすこと無く、高精度な終端抵抗の測定が可能である。
As described above, the semiconductor integrated
以上のように、本実施例に係る半導体集積回路によれば、終端抵抗の抵抗値をより正確に測定しつつ、入出力端子数の削減を図ることができる。 As described above, according to the semiconductor integrated circuit of this embodiment, it is possible to reduce the number of input / output terminals while measuring the resistance value of the termination resistor more accurately.
なお、本実施例5においては、実施例2ないし実施例4と同様に、電流源を追加して、より正確に終端抵抗の抵抗値を測定するようにしてもよい。 In the fifth embodiment, similarly to the second to fourth embodiments, a current source may be added to measure the resistance value of the termination resistor more accurately.
1 論理回路
4、504 第1の入出力端子
5、505 第2の入出力端子
2 差動入力レシーバ回路
3、503 終端抵抗
6 第1のスイッチ回路
7 第2のスイッチ回路
8 第1の抵抗
9 第2の抵抗
10 制御回路
11 第1の電流源
12 第2の電流源
100、200、300、400、500 半導体集積回路
502 差動出力ドライバ回路
DESCRIPTION OF
Claims (5)
論理演算する論理回路と、
出力が前記論理回路に接続され、前記伝送線路を伝搬した信号を受信し前記論理回路に出力するための差動入力レシーバ回路と、
前記伝送線路とインピーダンス整合するため、前記差動入力レシーバ回路の非反転入力端子と反転入力端子との間に接続された終端抵抗と、
前記差動入力レシーバ回路の前記非反転入力端子に接続され、前記信号を受信するための第1の入出力端子と、
前記差動入力レシーバ回路の前記反転入力端子に接続され、前記信号を受信するための第2の入出力端子と、
電源と前記第1の入出力端子との間に接続された第1のスイッチ回路と、
接地と前記第2の入出力端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、
前記第1のスイッチ回路および第2のスイッチ回路のオン/オフを制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記終端抵抗の抵抗値を測定するテスト動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオンし、
通常動作する通常動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオフする
ことを特徴とする半導体集積回路。 A semiconductor integrated circuit for receiving a signal propagated through a transmission line,
A logic circuit for performing a logical operation;
A differential input receiver circuit connected to the logic circuit for receiving a signal propagated through the transmission line and outputting the signal to the logic circuit;
In order to perform impedance matching with the transmission line, a termination resistor connected between a non-inverting input terminal and an inverting input terminal of the differential input receiver circuit;
A first input / output terminal connected to the non-inverting input terminal of the differential input receiver circuit for receiving the signal;
A second input / output terminal connected to the inverting input terminal of the differential input receiver circuit for receiving the signal;
A first switch circuit connected between a power supply and the first input / output terminal;
A second switch circuit connected between ground and the second input / output terminal;
A control circuit for controlling on / off of the first switch circuit and the second switch circuit,
The control circuit includes:
In the test operation mode for measuring the resistance value of the termination resistor, the first switch circuit and the second switch circuit are turned on,
In a normal operation mode in which a normal operation is performed, the first switch circuit and the second switch circuit are turned off.
前記第2のスイッチ回路と前記第2の入出力端子との間に接続された第2の抵抗と、をさらに備え、
前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路は、それぞれ前記制御回路から入力される信号によりオン/オフが制御されるトランジスタで構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 A first resistor connected between the first switch circuit and the first input / output terminal;
A second resistor connected between the second switch circuit and the second input / output terminal;
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein each of the first switch circuit and the second switch circuit includes a transistor whose on / off is controlled by a signal input from the control circuit. circuit.
ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体集積回路。 The current source is connected between at least one of the power source and the first switch circuit, or between the ground and the second switch circuit. The semiconductor integrated circuit as described.
論理演算する論理回路と、
入力が前記論理回路に接続され、前記論理回路が出力した信号を前記伝送線路に送信するための差動出力ドライバ回路と、
前記伝送線路とインピーダンス整合するため、前記差動出力ドライバ回路の非反転出力端子と反転出力端子との間に接続された終端抵抗と、
前記差動出力ドライバ回路の前記非反転出力端子に接続され、前記信号を送信するための第1の入出力端子と、
前記差動出力ドライバ回路の前記反転出力端子に接続され、前記信号を送信するための第2の入出力端子と、
電源と前記第1の入出力端子との間に接続された第1のスイッチ回路と、
接地と前記第2の入出力端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、
前記第1のスイッチ回路および第2のスイッチ回路のオン/オフを制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記終端抵抗の抵抗値を測定するテスト動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオンし、
通常動作する通常動作モード時は、前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路をオフする
ことを特徴とする半導体集積回路。 A semiconductor integrated circuit for transmitting a signal propagated through a transmission line,
A logic circuit for performing a logical operation;
A differential output driver circuit for connecting an input to the logic circuit and transmitting a signal output from the logic circuit to the transmission line;
A termination resistor connected between the non-inverting output terminal and the inverting output terminal of the differential output driver circuit for impedance matching with the transmission line;
A first input / output terminal for transmitting the signal, connected to the non-inverting output terminal of the differential output driver circuit;
A second input / output terminal connected to the inverting output terminal of the differential output driver circuit for transmitting the signal;
A first switch circuit connected between a power supply and the first input / output terminal;
A second switch circuit connected between ground and the second input / output terminal;
A control circuit for controlling on / off of the first switch circuit and the second switch circuit,
The control circuit includes:
In the test operation mode for measuring the resistance value of the termination resistor, the first switch circuit and the second switch circuit are turned on,
In a normal operation mode in which a normal operation is performed, the first switch circuit and the second switch circuit are turned off.
前記電位差を前記テスト電流の電流値で除算することにより、前記終端抵抗の抵抗値が得られる
ことを特徴とすることを特徴とする請求項1ないし4に記載の半導体集積回路。 During the test operation mode, a potential difference between the first input / output terminal and the second input / output terminal caused by a test current flowing between the power supply and the ground is measured;
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a resistance value of the termination resistor is obtained by dividing the potential difference by a current value of the test current.
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