JP2011198953A - Method of manufacturing electronic component laminate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure high precision and high reliability even when a semiconductor package is made compact by adjusting the amount of an adhesive for electronic component which protrudes from a junction region of a semiconductor chip or wafer.SOLUTION: A method of manufacturing an electronic component laminate having the semiconductor chip or wafer bonded to a substrate, the other semiconductor chip, or the other wafer through the adhesive for electronic component includes a coating process (1) of applying the adhesive for electronic component to the substrate, the other semiconductor chip, or the other wafer, a bonding process (2) of laminating the semiconductor chip or wafer on the substrate, the other semiconductor chip, or the other wafer through the applied adhesive for electronic component while heating and pressing them so that a region that the adhesive for electronic component spreads to wet is 60 to 100% of the junction region of the semiconductor wafer or wafer, and releasing them from being pressed thereafter; a process (3) of allowing the adhesive for electronic component to uniformly spread to wet the whole junction region of the semiconductor chip or wafer by heating the adhesive for electronic component; and a curing process (4) of curing the adhesive for electronic component. The region to which the adhesive for electronic component is applied in the coating process (1) is 40 to 90% of the junction region of the semiconductor chip or wafer, and the adhesive for electronic component has a viscosity of 20 to 100 Pa s at 0.5 rpm when the viscosity is measured at 25°C using an E type viscometer, and also has a viscosity of 4 to 25 Pa s at 0.5 rpm when the viscosity is measured at a bonding temperature using the E type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm being 2 to 4 times as large as the viscosity at 5 rpm.

Description

本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法に関する。 The present invention adjusts the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the bonding region of the semiconductor chip or wafer, and manufactures an electronic component laminate that can provide a highly accurate and reliable electronic component laminate even if it is downsized. Regarding the method.

近年、半導体パッケージの小型化への要望に伴い、半導体チップ又はウエハは極めて薄い薄膜となっており、半導体チップに接続されるボンディングワイヤも微細化している。また、極めて薄い半導体チップ又はウエハを作製できることから、複数の半導体チップを積層して多層の半導体チップ積層体とする3次元実装への動きも進んでいる。 In recent years, with the demand for miniaturization of semiconductor packages, semiconductor chips or wafers have become very thin films, and bonding wires connected to the semiconductor chips have become finer. In addition, since an extremely thin semiconductor chip or wafer can be manufactured, a movement toward three-dimensional mounting is also progressing, in which a plurality of semiconductor chips are stacked to form a multilayer semiconductor chip stack.

しかしながら、多層の半導体チップ積層体においては、単に同じサイズの半導体チップを積層しただけでは下層の半導体チップに接続されたボンディングワイヤと上層の半導体チップとが接触してしまい、ワイヤーボンディングすることができないことがある。そこで、従来、大きさの異なる半導体チップを積層する方法、又は、半導体チップの間に空隙を形成する方法等が行われてきたが、半導体チップを損傷なく、かつ、水平を保って積層することは容易ではなかった。 However, in a multilayer semiconductor chip stacked body, simply stacking semiconductor chips of the same size causes the bonding wires connected to the lower semiconductor chip to come into contact with the upper semiconductor chip, and wire bonding cannot be performed. Sometimes. Therefore, conventionally, a method of stacking semiconductor chips of different sizes or a method of forming a gap between the semiconductor chips has been performed. However, the semiconductor chips are stacked without damage and kept horizontal. Was not easy.

これに対して、信頼性の高い半導体チップ積層体を得ることを目的として、下層半導体チップのワイヤを保護する方法、又は、水平を保って積層することを目的として、半導体チップ間にスペーサーチップを介在させる方法等が検討されている。例えば、特許文献1には、複数の半導体チップを積層する際に、一方の半導体チップの他方の半導体チップを積層する面に、スペーサーを散点状に形成した後、他方の半導体チップを積層する方法が開示されている。また、特許文献2には、複数の半導体チップを積層する際に、接続する半導体チップの間にダミーチップ及びスペーサーを積層させる方法が開示されている。 On the other hand, for the purpose of obtaining a highly reliable semiconductor chip laminated body, a method for protecting the wires of the lower layer semiconductor chip, or a spacer chip between the semiconductor chips for the purpose of laminating while maintaining the level. A method of intervening has been studied. For example, in Patent Document 1, when a plurality of semiconductor chips are stacked, a spacer is formed in a dotted pattern on the surface of one semiconductor chip on which the other semiconductor chip is stacked, and then the other semiconductor chip is stacked. A method is disclosed. Patent Document 2 discloses a method of laminating a dummy chip and a spacer between semiconductor chips to be connected when laminating a plurality of semiconductor chips.

しかし、近年、半導体パッケージの小型化はますます進行し、半導体チップからワイヤーボンディングパッドまでの距離が数百μm程度にまで短くなってきていることから、特許文献1又は特許文献2の方法では対処できない新たな問題が生じている。 However, in recent years, the miniaturization of semiconductor packages has progressed, and the distance from the semiconductor chip to the wire bonding pad has been shortened to about several hundred μm. There is a new problem that cannot be done.

即ち、半導体チップからワイヤーボンディングパッドまでの距離が短くなるのに伴い、半導体チップを接合する接着剤のはみ出した部分、いわゆるフィレットと呼ばれる部分により、ワイヤーボンディングすることが困難になってきている。小型化した半導体パッケージにおいては、接着剤のはみ出した部分の接合領域からの距離は、200μm以下程度であることが求められている。一方、接着剤のはみ出しを防ぐために接着剤の使用量を減らした場合には、半導体チップの接合領域全体に接着剤が濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じ、充分な信頼性を有する半導体チップ積層体を得ることが困難である。
また、これらの問題を解決するためには、ペースト状の接着剤に代えて接着フィルムを用いることが考えられるが、接着フィルムは製造時にフィルム状に成形する工程を必要とし、接着剤に比べてコストが高いことが問題である。
That is, as the distance from the semiconductor chip to the wire bonding pad becomes shorter, it has become difficult to perform wire bonding due to the protruding portion of the adhesive bonding the semiconductor chip, that is, a so-called fillet. In a miniaturized semiconductor package, the distance from the bonding region where the adhesive protrudes is required to be about 200 μm or less. On the other hand, when the amount of adhesive used is reduced in order to prevent the adhesive from protruding, the adhesive does not spread over the entire bonding area of the semiconductor chip, and a cavity is created after mold sealing. It is difficult to obtain a chip stack.
In order to solve these problems, it is conceivable to use an adhesive film in place of the paste-like adhesive, but the adhesive film requires a step of forming into a film at the time of manufacture, compared to the adhesive. The problem is high cost.

特開2003−179200号公報JP 2003-179200 A 特開2006−66816号公報JP 2006-66816 A

本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention adjusts the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the bonding region of the semiconductor chip or wafer, and manufactures an electronic component laminate that can provide a highly accurate and reliable electronic component laminate even if it is downsized. It aims to provide a method.

本発明は、半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程(1)と、加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の60%以上100%未満とした後、押圧を解除するボンディング工程(2)と、前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に、前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)と、前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程(4)とを有し、前記塗布工程(1)において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の40〜90%であり、前記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が20〜100Pa・sであり、E型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が4〜25Pa・s、0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の2〜4倍である電子部品積層体の製造方法である。
以下、本発明を詳述する。
The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component laminate in which a semiconductor chip or wafer is bonded to a substrate, another semiconductor chip or another wafer via an adhesive for electronic components, the substrate, the other semiconductor chip or On the substrate, another semiconductor chip, or another wafer through the application step (1) for applying the adhesive for electronic components to another wafer and the applied adhesive for electronic components while heating and pressing. A bonding step (2) of laminating semiconductor chips or wafers, and setting the area where the adhesive for electronic components is spread out to 60% or more and less than 100% of the bonding area of the semiconductor chips or wafers, and then releasing the pressure; And heating the electronic component adhesive to uniformly wet and spread the electronic component adhesive over the entire bonding region of the semiconductor chip or wafer, and the electronic component A curing step (4) for curing the adhesive, and in the coating step (1), the area for applying the electronic component adhesive is 40 to 90% of the bonding area of the semiconductor chip or wafer. When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at 25 ° C. using an E type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is 20 to 100 Pa · s, and the bonding temperature is set using the E type viscometer. Thus, when the viscosity is measured, the viscosity is 4 to 25 Pa · s at 0.5 rpm, and the viscosity at 0.5 rpm is 2 to 4 times the viscosity at 5 rpm.
The present invention is described in detail below.

本発明者らは、半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法において、所定の粘度特性を有する電子部品用接着剤を用い、かつ、所定の塗布工程(1)、ボンディング工程(2)、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)及び硬化工程(4)を行うことで、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。 In the method for manufacturing an electronic component laminate in which a semiconductor chip or wafer is bonded to a substrate, another semiconductor chip or another wafer via an adhesive for electronic components, By using a component adhesive and performing a predetermined coating step (1), a bonding step (2), a step (3) for spreading the adhesive for electronic components, and a curing step (4), a semiconductor chip or By adjusting the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the bonding area of the wafer and reducing the size, it has been found that a highly accurate and reliable electronic component laminate can be obtained, and the present invention has been completed.

本発明の電子部品積層体の製造方法は、半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法である。
なお、本発明の電子部品積層体の製造方法では、例えば、基板に対して半導体チップを接合してもよく、例えば基板に接合された半導体チップ等の他の半導体チップに対して更に半導体チップを接合してもよく、ウエハに対して半導体チップを接合してもよく、また、基板に対してウエハを接合してもよく、例えば基板に接合されたウエハ等の他のウエハに対して更にウエハを接合してもよい。
The method for producing an electronic component laminate of the present invention is a method for producing an electronic component laminate in which a semiconductor chip or wafer is bonded to a substrate, another semiconductor chip or another wafer via an adhesive for electronic components.
In the electronic component laminate manufacturing method of the present invention, for example, a semiconductor chip may be bonded to a substrate. For example, a semiconductor chip may be bonded to another semiconductor chip such as a semiconductor chip bonded to the substrate. The semiconductor chip may be bonded to the wafer, or the wafer may be bonded to the substrate. For example, the wafer may be further bonded to another wafer such as a wafer bonded to the substrate. May be joined.

本発明の電子部品積層体の製造方法では、まず、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程(1)を行う。 In the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, first, an application step (1) of applying an adhesive for electronic components to a substrate, another semiconductor chip, or another wafer is performed.

上記塗布工程(1)において、上記電子部品用接着剤を塗布する領域は、半導体チップ又はウエハの接合領域(本明細書中、単に、接合領域ともいう)の40〜90%である。
なお、本明細書中、上記電子部品用接着剤を塗布する領域とは、塗布した電子部品用接着剤の最外部を直線で描き、その直線によって形成される1つ以上の多角形の内部の面積及びその面積の和を意味する。
上記電子部品用接着剤を塗布する領域が接合領域の40%未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体は信頼性に欠ける。上記電子部品用接着剤を塗布する領域が接合領域の90%を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記電子部品用接着剤を塗布する領域は、接合領域の60%以上、90%以下であることが好ましい。
In the coating step (1), the area to which the electronic component adhesive is applied is 40 to 90% of the bonding area (also simply referred to as a bonding area in the present specification) of the semiconductor chip or wafer.
In addition, in this specification, the area | region which apply | coats the said adhesive agent for electronic components draws the outermost part of the apply | coated adhesive for electronic components with a straight line, and is the inside of one or more polygons formed with the straight line. It means the area and the sum of the areas.
When the area for applying the adhesive for electronic components is less than 40% of the bonding area, the electronic component adhesive is bonded to the entire bonding area after the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components described later. Therefore, the obtained electronic component laminate is not reliable. When the area to which the adhesive for electronic parts is applied exceeds 90% of the joining area, the amount of the adhesive for electronic parts that protrudes from the joining area when the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic parts described later is performed. Therefore, it becomes difficult to wire-bond the resulting electronic component laminate. The area where the adhesive for electronic parts is applied is preferably 60% or more and 90% or less of the bonding area.

上記塗布工程(1)において、上記電子部品用接着剤の塗布形状は特に限定されず、例えば、クロス形状、ダブルクロス形状、トリプルクロス形状、スノークロス形状、ダブルワイ形状等が挙げられる。なお、本明細書中、クロス形状とは十字型の形状を意味し、ダブルクロス形状とは、2つの十字型の形状が重なった形状を意味し、トリプルクロス形状とは、3つの十字型の形状が重なった形状を意味する。また、本明細書中、スノークロス形状とは、ダブルクロス形状の一方の端部がY字状になった形状を意味し、ダブルワイ形状とは、2つのY字状の端部を結合した形状を意味する。 In the application step (1), the application shape of the adhesive for electronic components is not particularly limited, and examples thereof include a cross shape, a double cross shape, a triple cross shape, a snow cross shape, and a double Y shape. In this specification, the cross shape means a cross shape, the double cross shape means a shape in which two cross shapes overlap, and the triple cross shape means three cross shapes. It means a shape with overlapping shapes. In this specification, the snow cross shape means a shape in which one end of a double cross shape is Y-shaped, and the double Y shape means a shape in which two Y-shaped end portions are joined. Means.

上記電子部品用接着剤をクロス形状又はダブルクロス形状に塗布する場合には、該クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、接合領域の対角線の長さの70〜90%であることが好ましい。上記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、接合領域の対角線の長さの70%未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体は信頼性に欠けることがある。上記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、接合領域の対角線の長さの90%を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。 When the adhesive for electronic parts is applied in a cross shape or a double cross shape, the length of the diagonal line of the cross shape or the double cross shape is 70 to 90% of the length of the diagonal line of the joining region. preferable. When the length of the cross-shaped or double-cross-shaped diagonal is less than 70% of the length of the diagonal of the joining region, the electronic component is subjected to the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components described later. Since the component adhesive is not uniformly wetted and spreads over the entire bonding region, and a cavity is formed after mold sealing, the obtained electronic component laminate may lack reliability. If the length of the diagonal line of the cross shape or the double cross shape exceeds 90% of the length of the diagonal line of the joining region, the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components described later, The amount of the adhesive for protruding electronic components increases, and it may be difficult to wire bond the resulting electronic component laminate.

上記塗布工程(1)における塗布方法は特に限定されず、例えば、精密ノズルを取り付けたシリンジ等とディスペンサ等を組み合わせて用いて塗布する方法等が挙げられる。 The application method in the application step (1) is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying using a combination of a syringe equipped with a precision nozzle and a dispenser.

上記電子部品用接着剤は、硬化性化合物及び硬化剤を含有する接着組成物を含有することが好ましい。
上記硬化性化合物は特に限定されず、付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、開環重合反応により硬化する化合物を用いることができる。上記硬化性化合物として、具体的には、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化性化合物が挙げられる。なかでも、得られる電子部品積層体の信頼性及び接合強度に優れていることから、エポキシ樹脂、アクリル樹脂が好ましく、イミド骨格を有するエポキシ樹脂がより好ましい。
It is preferable that the said adhesive for electronic components contains the adhesive composition containing a sclerosing | hardenable compound and a hardening | curing agent.
The curable compound is not particularly limited, and a compound that is cured by addition polymerization, polycondensation, polyaddition, addition condensation, or ring-opening polymerization reaction can be used. Specific examples of the curable compound include urea resin, melamine resin, phenol resin, resorcinol resin, epoxy resin, acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polybenzimidazole resin, diallyl phthalate resin, xylene resin, alkyl -Thermosetting compounds such as benzene resin, epoxy acrylate resin, silicon resin, urethane resin and the like. Especially, since the reliability and joining strength of the electronic component laminated body obtained are excellent, an epoxy resin and an acrylic resin are preferable, and an epoxy resin having an imide skeleton is more preferable.

上記エポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールAD型、ビスフェノールS型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、NBR変性エポキシ樹脂、CTBN変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、粘度の低い電子部品用接着剤が得られることから、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂が好ましい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol AD type and bisphenol S type, novolac type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type, resorcinol type epoxy Resin, aromatic epoxy resin such as trisphenolmethane triglycidyl ether, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, polyether modified epoxy resin, NBR modified epoxy resin, CTBN modified epoxy resin, and These hydrogenated products can be mentioned. Of these, bisphenol F type epoxy resin, resorcinol type epoxy resin, and polyether-modified epoxy resin are preferable because an adhesive for electronic parts having a low viscosity can be obtained.

上記ビスフェノールF型エポキシ樹脂のうち、市販品としては、例えば、EXA−830−LVP、EXA−830−CRP(以上、DIC社製)等が挙げられる。また、上記レゾルシノール型エポキシ樹脂のうち、市販品としては、EX−201(ナガセケムテックス社製)等が挙げられる。また、上記ポリエーテル変性エポキシ樹脂のうち、市販品としては、EX−931(ナガセケムテックス社製)、EXA−4850−150(DIC社製)、EP−4005(アデカ社製)等が挙げられる。 Among the bisphenol F-type epoxy resins, examples of commercially available products include EXA-830-LVP, EXA-830-CRP (manufactured by DIC). Moreover, EX-201 (made by Nagase ChemteX Corporation) etc. are mentioned as a commercial item among the said resorcinol type epoxy resins. Moreover, EX-931 (made by Nagase ChemteX), EXA-4850-150 (made by DIC), EP-4005 (made by ADEKA) etc. are mentioned as a commercial item among the said polyether modified epoxy resins. .

上記硬化性化合物は、吸湿率の好ましい上限が1.5%であり、より好ましい上限が1.1%である。このような吸湿率を有する硬化性化合物は、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。 The above-mentioned curable compound has a preferable upper limit of moisture absorption of 1.5% and a more preferable upper limit of 1.1%. Examples of the curable compound having such a moisture absorption rate include naphthalene type epoxy resins, fluorene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins and the like.

上記硬化剤は特に限定されず、従来公知の硬化剤を上記硬化性化合物に合わせて適宜選択することができる。上記硬化性化合物としてエポキシ樹脂を用いる場合、上記硬化剤として、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The said hardening | curing agent is not specifically limited, A conventionally well-known hardening | curing agent can be suitably selected according to the said sclerosing | hardenable compound. When using an epoxy resin as the curable compound, examples of the curing agent include latent heat-curing acid anhydride-based curing agents such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, phenol-based curing agents, amine-based curing agents, and dicyandiamide. For example, a cationic curing agent and a cationic catalyst-type curing agent. These curing agents may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化剤の配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物の官能基と等量反応する硬化剤を用いる場合、上記硬化性化合物の官能基量に対して、60〜100当量であることが好ましい。また、触媒として機能する硬化剤を用いる場合、上記硬化剤の配合量は、上記硬化性化合物100重量部に対して好ましい下限が1重量部、好ましい上限が20重量部である。 Although the compounding quantity of the said hardening | curing agent is not specifically limited, When using the hardening | curing agent which reacts equally with the functional group of the said sclerosing | hardenable compound, it is 60-100 equivalent with respect to the functional group amount of the said sclerosing | hardenable compound. preferable. Moreover, when using the hardening | curing agent which functions as a catalyst, as for the compounding quantity of the said hardening | curing agent, a preferable minimum is 1 weight part with respect to 100 weight part of said curable compounds, and a preferable upper limit is 20 weight part.

上記接着組成物においては、硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤に加えて硬化促進剤を添加してもよい。 In the adhesive composition, a curing accelerator may be added in addition to the curing agent in order to adjust the curing speed or the physical properties of the cured product.

上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、3級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度又は硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The said hardening accelerator is not specifically limited, For example, an imidazole series hardening accelerator, a tertiary amine type hardening accelerator, etc. are mentioned. Among these, an imidazole-based curing accelerator is preferable because it is easy to control the reaction system for adjusting the curing speed or the physical properties of the cured product. These hardening accelerators may be used independently and may use 2 or more types together.

上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの1位をシアノエチル基で保護した1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、又は、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール系硬化促進剤(商品名「2MA−OK」、四国化成工業社製)等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The imidazole curing accelerator is not particularly limited. For example, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which the 1-position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, or an imidazole curing accelerator in which basicity is protected with isocyanuric acid (product) Name "2MA-OK", manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.). These imidazole type hardening accelerators may be used independently and may use 2 or more types together.

また、上記硬化促進剤として、例えば、2MZ、2MZ−P、2PZ、2PZ−PW、2P4MZ、C11Z−CNS、2PZ−CNS、2PZCNS−PW、2MZ−A、2MZA−PW、C11Z−A、2E4MZ−A、2MAOK−PW、2PZ−OK、2MZ−OK、2PHZ、2PHZ−PW、2P4MHZ、2P4MHZ−PW、2E4MZ・BIS、VT、VT−OK、MAVT、MAVT−OK(以上、四国化成工業社製)等も挙げられる。 Examples of the curing accelerator include 2MZ, 2MZ-P, 2PZ, 2PZ-PW, 2P4MZ, C11Z-CNS, 2PZ-CNS, 2PZCNS-PW, 2MZ-A, 2MZA-PW, C11Z-A, 2E4MZ- A, 2MAOK-PW, 2PZ-OK, 2MZ-OK, 2PHZ, 2PHZ-PW, 2P4MHZ, 2P4MHZ-PW, 2E4MZ · BIS, VT, VT-OK, MAVT, MAVT-OK (above, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) And so on.

上記硬化促進剤の配合量は特に限定されず、上記硬化性化合物100重量部に対して好ましい下限が1重量部、好ましい上限が10重量部である。 The compounding quantity of the said hardening accelerator is not specifically limited, A preferable minimum is 1 weight part with respect to 100 weight part of said curable compounds, and a preferable upper limit is 10 weight part.

上記硬化性化合物としてエポキシ樹脂を用い、かつ、上記硬化剤と上記硬化促進剤とを併用する場合、用いる硬化剤の配合量は、用いるエポキシ樹脂中のエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記硬化剤の配合量が理論的に必要な当量を超えると、電子部品用接着剤を硬化して得られる硬化物から、水分によって塩素イオンが溶出しやすくなることがある。即ち、硬化剤が過剰であると、例えば、得られる電子部品用接着剤の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のpHが4〜5程度となるため、エポキシ樹脂から塩素イオンが多量溶出することがある。従って、得られる電子部品用接着剤の硬化物1gを、100℃の純水10gで2時間浸した後の純水のpHが6〜8であることが好ましく、pHが6.5〜7.5であることがより好ましい。 When an epoxy resin is used as the curable compound and the curing agent and the curing accelerator are used in combination, the blending amount of the curing agent used is equivalent to the theoretically required equivalent to the epoxy group in the epoxy resin to be used. The following is preferable. When the blending amount of the curing agent exceeds the theoretically required equivalent, chlorine ions may be easily eluted by moisture from a cured product obtained by curing the adhesive for electronic components. That is, if the curing agent is excessive, for example, when the eluted component is extracted with hot water from the cured product of the obtained adhesive for electronic components, the pH of the extracted water becomes about 4-5, Large amounts of chloride ions may elute. Accordingly, it is preferable that the pH of pure water after 1 g of the cured product of the adhesive for electronic parts obtained is immersed in 10 g of pure water at 100 ° C. for 2 hours is 6 to 8, and the pH is 6.5 to 7. 5 is more preferable.

上記接着組成物は、粘度を低減させるために希釈剤を含有してもよい。
上記希釈剤は、エポキシ基を有することが好ましく、1分子中のエポキシ基数の好ましい下限が2、好ましい上限が4である。1分子中のエポキシ基数が2未満であると、電子部品用接着剤の硬化後に充分な耐熱性が発現しないことがある。1分子中のエポキシ基数が4を超えると、硬化によるひずみが発生したり、未硬化のエポキシ基が残存したりすることがあり、これにより、接合強度の低下又は繰り返しの熱応力による接合不良が発生することがある。上記希釈剤の1分子中のエポキシ基数のより好ましい上限は3である。
また、上記希釈剤は、芳香環及び/又はジシクロペンタジエン構造を有することが好ましい。
The adhesive composition may contain a diluent in order to reduce the viscosity.
The diluent preferably has an epoxy group, and the preferable lower limit of the number of epoxy groups in one molecule is 2, and the preferable upper limit is 4. If the number of epoxy groups in one molecule is less than 2, sufficient heat resistance may not be exhibited after the adhesive for electronic parts is cured. If the number of epoxy groups in one molecule exceeds 4, distortion due to curing may occur, or uncured epoxy groups may remain, which may result in poor bonding strength or poor bonding due to repeated thermal stress. May occur. A more preferable upper limit of the number of epoxy groups in one molecule of the diluent is 3.
The diluent preferably has an aromatic ring and / or a dicyclopentadiene structure.

上記希釈剤は、120℃又は150℃での重量減少量の好ましい上限が1%である。120℃又は150℃での重量減少量が1%を超えると、電子部品用接着剤の硬化中又は硬化後に未反応物が揮発してしまい、生産性又は得られる電子部品積層体の性能に悪影響を与えることがある。
また、上記希釈剤は、他の硬化性化合物よりも硬化開始温度が低く、硬化速度が大きいことが好ましい。
The above-mentioned diluent has a preferred upper limit of the weight loss at 120 ° C. or 150 ° C. of 1%. If the weight loss at 120 ° C. or 150 ° C. exceeds 1%, unreacted substances will volatilize during or after curing of the adhesive for electronic components, adversely affecting the productivity or performance of the resulting electronic component laminate. May give.
The diluent preferably has a lower curing start temperature and a higher curing rate than other curable compounds.

上記接着組成物における希釈剤の配合量の好ましい下限は1重量%、好ましい上限は20重量%である。上記希釈剤の配合量が上記範囲外であると、接着組成物の粘度を充分に低減できないことがある。 The preferable lower limit of the blending amount of the diluent in the adhesive composition is 1% by weight, and the preferable upper limit is 20% by weight. If the blending amount of the diluent is outside the above range, the viscosity of the adhesive composition may not be sufficiently reduced.

上記電子部品用接着剤は、CV値が10%以下のスペーサー粒子を含有することが好ましい。
上記CV値が10%以下のスペーサー粒子を含有することにより、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、ダミーチップ等を介在させることなく電子部品間距離を一定に保つことが可能となる。
The adhesive for electronic components preferably contains spacer particles having a CV value of 10% or less.
By including spacer particles having a CV value of 10% or less, for example, when a multilayer electronic component laminate is manufactured using the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, a dummy chip or the like is interposed. The distance between the electronic components can be kept constant.

上記スペーサー粒子のCV値が10%を超えると、粒子径のばらつきが大きいことから、電子部品間距離を一定に保つことが困難となり、スペーサー粒子としての機能を充分に果たせないことがある。上記スペーサー粒子のCV値のより好ましい上限は6%、更に好ましい上限は4%である。
なお、本明細書においてCV値とは、下記式(1)により求められる数値のことである。
粒子径のCV値(%)=(σ2/Dn2)×100 (1)
式(1)中、σ2は粒子径の標準偏差を表し、Dn2は数平均粒子径を表す。
また、本明細書において電子部品間距離とは、基板と半導体チップとの距離と、半導体チップ同士の距離と、基板とウエハとの距離と、ウエハ同士の距離と、半導体チップとウエハとの距離とを意味する。
When the CV value of the spacer particles exceeds 10%, the particle size varies greatly, so that it is difficult to keep the distance between the electronic components constant, and the function as the spacer particles may not be performed sufficiently. A more preferable upper limit of the CV value of the spacer particles is 6%, and a more preferable upper limit is 4%.
In addition, in this specification, CV value is a numerical value calculated | required by following formula (1).
CV value of particle diameter (%) = (σ2 / Dn2) × 100 (1)
In formula (1), σ2 represents the standard deviation of the particle diameter, and Dn2 represents the number average particle diameter.
In this specification, the distance between electronic components is the distance between the substrate and the semiconductor chip, the distance between the semiconductor chips, the distance between the substrate and the wafer, the distance between the wafers, and the distance between the semiconductor chip and the wafer. Means.

上記CV値が10%以下のスペーサー粒子(以下、単に、スペーサー粒子ともいう)の平均粒子径は特に限定されず、所望の電子部品間距離が達成可能となるような粒子径を選択することができるが、好ましい下限が5μm、好ましい上限が200μmである。上記スペーサー粒子の平均粒子径が5μm未満であると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、スペーサー粒子の粒子径程度にまで電子部品間距離を縮めることが困難となり、電子部品同士が水平を保てないことがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径が200μmを超えると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離が必要以上に大きくなることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径のより好ましい下限は9μm、より好ましい上限は50μmである。 The average particle diameter of the spacer particles having the CV value of 10% or less (hereinafter also simply referred to as spacer particles) is not particularly limited, and it is possible to select a particle diameter that can achieve a desired distance between electronic components. However, the preferable lower limit is 5 μm and the preferable upper limit is 200 μm. When the average particle diameter of the spacer particles is less than 5 μm, for example, when manufacturing a multilayer electronic component laminate using the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, It may be difficult to reduce the distance between the components, and the electronic components may not be kept horizontal. When the average particle diameter of the spacer particles exceeds 200 μm, for example, when a multilayer electronic component laminate is manufactured using the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, the distance between the electronic components becomes larger than necessary. Sometimes. The more preferable lower limit of the average particle diameter of the spacer particles is 9 μm, and the more preferable upper limit is 50 μm.

上記スペーサー粒子の平均粒子径は、電子部品用接着剤に添加するスペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の1.2倍以上であることが好ましい。上記スペーサー粒子の平均粒子径が上記スペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の1.2倍未満であると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離を確実にスペーサー粒子の粒子径程度にまで縮めることが困難となることがある。上記スペーサー粒子の平均粒子径は、上記スペーサー粒子以外の固体成分の平均粒子径の1.3倍以上であることがより好ましい。 The average particle size of the spacer particles is preferably 1.2 times or more the average particle size of solid components other than the spacer particles added to the adhesive for electronic components. When the average particle size of the spacer particles is less than 1.2 times the average particle size of solid components other than the spacer particles, for example, a multilayer electronic component laminate using the method for producing an electronic component laminate of the present invention When manufacturing the above, it may be difficult to reliably reduce the distance between the electronic components to the particle size of the spacer particles. The average particle size of the spacer particles is more preferably 1.3 times or more the average particle size of solid components other than the spacer particles.

上記スペーサー粒子は、下記式(2)で表されるK値の好ましい下限が980N/mm、好ましい上限が4900N/mmである。
K=(3/√2)・F・S−3/2・R−1/2 (2)
式(2)中、F、Sはそれぞれスペーサー粒子の10%圧縮変形における荷重値(kgf)、圧縮変位(mm)を表し、Rは該スペーサー粒子の半径(mm)を表す。
The spacer particles represented by the following formula (2) preferably the lower limit is 980 N / mm 2 of K value represented by, and the desirable upper limit is 4900 N / mm 2.
K = (3 / √2) · F · S -3/2 · R -1/2 (2)
In Formula (2), F and S represent the load value (kgf) and compression displacement (mm) in 10% compression deformation of the spacer particles, respectively, and R represents the radius (mm) of the spacer particles.

なお、上記K値は以下の測定方法により測定することができる。
まず、平滑表面を有する鋼板の上にスペーサー粒子を散布した後、その中から1個のスペーサー粒子を選び、微小圧縮試験機を用いてダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑な端面でスペーサー粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出する。そして、得られた圧縮変位−荷重の関係から10%圧縮変形における荷重値、圧縮変位をそれぞれ求め、得られた結果からK値を算出する。
The K value can be measured by the following measuring method.
First, after dispersing spacer particles on a steel plate having a smooth surface, one spacer particle is selected from the spacer particles, and the spacer particles are applied to the smooth end face of a diamond cylinder having a diameter of 50 μm using a micro compression tester. Compress. At this time, the compression load is electrically detected as an electromagnetic force, and the compression displacement is electrically detected as a displacement by the operating transformer. Then, a load value and a compression displacement in 10% compression deformation are obtained from the obtained compression displacement-load relationship, and a K value is calculated from the obtained result.

上記スペーサー粒子は20℃、10%の圧縮変形状態から解放した時の圧縮回復率の好ましい下限が20%である。このような圧縮回復率を有するスペーサー粒子を用いることにより、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合であって、かつ、積層された電子部品間に平均粒子径よりも大きなスペーサー粒子が存在する場合にも、圧縮変形により形状を回復してギャップ調整材として働かせることができる。従って、より安定した一定間隔で半導体チップ又はウエハを水平に積層することができる。 The preferable lower limit of the compression recovery rate when the spacer particles are released from the 10% compression deformation state at 20 ° C. is 20%. By using spacer particles having such a compression recovery rate, for example, in the case of producing a multilayer electronic component laminate using the method for producing an electronic component laminate of the present invention, the laminated electronic component Even when spacer particles larger than the average particle diameter are present between the parts, the shape can be recovered by compressive deformation and used as a gap adjusting material. Therefore, semiconductor chips or wafers can be horizontally stacked at a more stable and constant interval.

なお、上記圧縮回復率は、以下の測定方法により測定することができる。
上記K値の測定の場合と同様の手法によって圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出し、反転荷重値まで圧縮したのち荷重を減らしていき、その際の荷重と圧縮変位との関係を測定する。得られた測定結果から圧縮回復率を算出する。ただし、除荷重における終点は荷重値ゼロではなく、0.1g以上の原点荷重値とする。
The compression recovery rate can be measured by the following measuring method.
The compression displacement is electrically detected as the displacement by the actuating transformer by the same method as in the measurement of the K value, and after compressing to the reverse load value, the load is reduced and the relationship between the load and the compression displacement at that time is shown. taking measurement. The compression recovery rate is calculated from the obtained measurement result. However, the end point in the removal load is not a load value of zero but an origin load value of 0.1 g or more.

上記スペーサー粒子の材質は特に限定されないが、樹脂粒子であることが好ましい。
上記樹脂粒子を構成する樹脂は特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール等が挙げられる。なかでも、スペーサー粒子の硬さと圧縮回復率を調整しやすく、かつ、耐熱性を向上できることから、架橋樹脂を用いることが好ましい。
The material of the spacer particles is not particularly limited, but is preferably resin particles.
The resin constituting the resin particles is not particularly limited. For example, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyamide, polyimide , Polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal and the like. Among these, it is preferable to use a crosslinked resin because the hardness and compression recovery rate of the spacer particles can be easily adjusted and the heat resistance can be improved.

上記架橋樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体、トリアリルイソシアヌレート重合体、ベンゾグアナミン重合体等の網目構造を有する樹脂が挙げられる。なかでも、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体、ジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体等が好ましい。これらの架橋樹脂を用いた場合、半導体チップ又はウエハをボンディングした後、硬化プロセス、半田リフロープロセス等の熱処理プロセスへの耐性が優れる。 The cross-linked resin is not particularly limited. For example, epoxy resin, phenol resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, divinylbenzene polymer, divinylbenzene-styrene copolymer, divinylbenzene- (meth) acrylic ester copolymer And resins having a network structure such as diallyl phthalate polymer, triallyl isocyanurate polymer, and benzoguanamine polymer. Of these, divinylbenzene polymer, divinylbenzene-styrene copolymer, divinylbenzene- (meth) acrylate copolymer, diallyl phthalate polymer, and the like are preferable. When these cross-linked resins are used, after bonding a semiconductor chip or wafer, resistance to heat treatment processes such as a curing process and a solder reflow process is excellent.

上記スペーサー粒子は、必要に応じて表面処理がなされていることが好ましい。上記スペーサー粒子に表面処理を施すことにより、得られる電子部品用接着剤において後述する粘度特性を実現することが可能となる。
上記表面処理の方法は特に限定されないが、例えば、表面に疎水基を付与することが好ましい。また、上記表面処理として表面に親水基を付与する場合、上記表面に親水基を付与する方法は特に限定されず、例えば、親水基を有するカップリング剤で上記樹脂粒子の表面を処理する方法等が挙げられる。
The spacer particles are preferably surface-treated as necessary. By subjecting the spacer particles to a surface treatment, it is possible to achieve the viscosity characteristics described below in the obtained adhesive for electronic components.
Although the method of the said surface treatment is not specifically limited, For example, it is preferable to provide a hydrophobic group on the surface. In addition, when a hydrophilic group is imparted to the surface as the surface treatment, a method for imparting the hydrophilic group to the surface is not particularly limited. For example, a method of treating the surface of the resin particles with a coupling agent having a hydrophilic group, etc. Is mentioned.

上記スペーサー粒子は、球状であることが好ましい。また、上記スペーサー粒子のアスペクト比の好ましい上限は1.1である。アスペクト比を1.1以下とすることで、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離を安定して一定に保つことができる。
なお、本明細書においてアスペクト比とは、粒子の長径と短径に関して、短径の長さに対する長径の長さの比(長径の長さを短径の長さで割った値)を意味する。このアスペクト比の値が1に近いほどスペーサー粒子の形状は真球に近くなる。
The spacer particles are preferably spherical. The preferable upper limit of the aspect ratio of the spacer particles is 1.1. By setting the aspect ratio to 1.1 or less, for example, when a multilayer electronic component laminate is manufactured using the electronic component laminate manufacturing method of the present invention, the distance between the electronic components is stably maintained constant. be able to.
In the present specification, the aspect ratio means the ratio of the length of the major axis to the length of the minor axis (the value obtained by dividing the length of the major axis by the length of the minor axis) with respect to the major axis and minor axis of the particle. . The closer the aspect ratio value is to 1, the closer the shape of the spacer particle is to a true sphere.

上記電子部品用接着剤における上記スペーサー粒子の配合量の好ましい下限は0.01重量%、好ましい上限は5重量%である。上記スペーサー粒子の配合量が0.01重量%未満であると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合に、電子部品間距離を安定して一定に保つことができないことがある。上記スペーサー粒子の配合量が5重量%を超えると、得られる電子部品用接着剤の接着剤としての機能が低下することがある。 The preferable lower limit of the blending amount of the spacer particles in the adhesive for electronic components is 0.01% by weight, and the preferable upper limit is 5% by weight. When the amount of the spacer particles is less than 0.01% by weight, for example, when a multilayer electronic component laminate is manufactured using the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, the distance between the electronic components is stabilized. May not be kept constant. When the amount of the spacer particles exceeds 5% by weight, the function of the obtained adhesive for electronic parts as an adhesive may be deteriorated.

また、上記電子部品用接着剤が、上記スペーサー粒子以外に、上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分を含有する場合、このような固形成分の配合量の好ましい上限は1重量%である。
上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分の融点は、上記電子部品用接着剤の硬化温度以下であることが好ましい。
上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分の最大粒子径は、上記スペーサー粒子の平均粒子径の1.1〜1.5であることが好ましく、1.1〜1.2であることが更に好ましい。
Moreover, when the said adhesive for electronic components contains the solid component which has a particle diameter more than the average particle diameter of the said spacer particle | grain other than the said spacer particle | grain, the preferable upper limit of the compounding quantity of such a solid component is 1 weight. %.
The melting point of the solid component having a particle diameter equal to or larger than the average particle diameter of the spacer particles is preferably equal to or lower than the curing temperature of the adhesive for electronic components.
The maximum particle size of the solid component having a particle size equal to or larger than the average particle size of the spacer particles is preferably 1.1 to 1.5 of the average particle size of the spacer particles, and 1.1 to 1.2. More preferably it is.

上記電子部品用接着剤は、更に、チキソトロピー付与剤を含有することが好ましい。上記チキソトロピー付与剤を含有することにより、得られる電子部品用接着剤は所望の粘度挙動を達成することができる。 It is preferable that the adhesive for electronic components further contains a thixotropic agent. By containing the thixotropy-imparting agent, the obtained adhesive for electronic components can achieve a desired viscosity behavior.

上記チキソトロピー付与剤は特に限定されず、例えば、金属微粒子、炭酸カルシウム、ヒュームドシリカ、酸化アルミニウム、窒化硼素、窒化アルミニウム、硼酸アルミ等の無機微粒子等が挙げられる。なかでも、ヒュームドシリカが好ましい。 The thixotropy imparting agent is not particularly limited, and examples thereof include fine metal particles, calcium carbonate, fumed silica, inorganic fine particles such as aluminum oxide, boron nitride, aluminum nitride, and aluminum borate. Of these, fumed silica is preferable.

上記チキソトロピー付与剤として、必要に応じて、表面処理を行ったチキソトロピー付与剤を用いることができる。また、上記チキソトロピー付与剤として、表面に親水基を有する粒子を用いることが好ましい。上記表面に親水基を有する粒子として、具体的には例えば、表面に親水基を有するヒュームドシリカ等が挙げられる。 As the thixotropy-imparting agent, a thixotropy-imparting agent subjected to surface treatment can be used as necessary. Moreover, it is preferable to use the particle | grains which have a hydrophilic group on the surface as said thixotropy imparting agent. Specific examples of the particles having a hydrophilic group on the surface include fumed silica having a hydrophilic group on the surface.

上記チキソトロピー付与剤として、粒子状のチキソトロピー付与剤を用いる場合、平均粒子径の好ましい上限は1μmである。上記チキソトロピー付与剤の平均粒子径が1μmを超えると、得られる電子部品用接着剤が所望のチキソトロピー性を発現できないことがある。 When a particulate thixotropy imparting agent is used as the thixotropy imparting agent, the preferable upper limit of the average particle diameter is 1 μm. When the average particle diameter of the thixotropy-imparting agent exceeds 1 μm, the obtained adhesive for electronic parts may not exhibit desired thixotropy.

上記電子部品用接着剤における上記チキソトロピー付与剤の配合量は特に限定されないが、上記スペーサー粒子に表面処理がなされていない場合には、好ましい下限が0.5重量%、好ましい上限が20重量%である。上記チキソトロピー付与剤の配合量が0.5重量%未満であると、得られる電子部品用接着剤に充分なチキソトロピー性を付与することができないことがある。上記チキソトロピー付与剤の配合量が20重量%を超えると、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて電子部品積層体を製造する際に、電子部品用接着剤の排除性が低下することがある。上記チキソトロピー付与剤の配合量のより好ましい下限は3重量%、より好ましい上限は10重量%である。 The blending amount of the thixotropy imparting agent in the electronic component adhesive is not particularly limited, but when the spacer particles are not surface-treated, the preferred lower limit is 0.5% by weight and the preferred upper limit is 20% by weight. is there. When the blending amount of the thixotropy-imparting agent is less than 0.5% by weight, sufficient thixotropy may not be imparted to the resulting adhesive for electronic components. When the blending amount of the thixotropy-imparting agent exceeds 20% by weight, when the electronic component laminate is produced using the method for producing an electronic component laminate of the present invention, the exclusion of the adhesive for electronic components is reduced. There is. A more preferable lower limit of the amount of the thixotropy-imparting agent is 3% by weight, and a more preferable upper limit is 10% by weight.

上記電子部品用接着剤は、更に、上記硬化性化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物(以下、単に、反応可能な官能基を有する高分子化合物ともいう)を含有することが好ましい。このような高分子化合物を含有することにより、熱によるひずみが発生する際の接合信頼性が向上する。 The adhesive for electronic components preferably further contains a polymer compound having a functional group capable of reacting with the curable compound (hereinafter, also simply referred to as a polymer compound having a functional group capable of reacting). By including such a polymer compound, the bonding reliability when heat distortion occurs is improved.

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記硬化性化合物としてエポキシ樹脂を用いる場合には、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する高分子化合物等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。上記エポキシ基を有する高分子化合物を添加することで、電子部品用接着剤の硬化物は、優れた可撓性を発現する。即ち、上記電子部品用接着剤の硬化物は、上記硬化性化合物としての多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた可撓性とを兼備することとなり、耐冷熱サイクル性、耐ハンダリフロー性、寸法安定性等に優れ、高い接着信頼性及び高い導通信頼性を発現することとなる。 When an epoxy resin is used as the curable compound as the polymer compound having a reactive functional group, for example, a polymer compound having an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, or the like. Etc. Among these, a polymer compound having an epoxy group is preferable. By adding the above-mentioned polymer compound having an epoxy group, the cured product of the adhesive for electronic parts exhibits excellent flexibility. That is, the cured product of the adhesive for electronic components has excellent mechanical strength, heat resistance and moisture resistance derived from an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain as the curable compound, and the epoxy It has excellent flexibility derived from a polymer compound having a group, and is excellent in heat cycle resistance, solder reflow resistance, dimensional stability, etc., and exhibits high adhesion reliability and high conduction reliability. It will be.

上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び/又は側鎖(ペンダント位)にエポキシ基を有する高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含む高分子化合物を得ることができ、硬化物の機械的強度及び耐熱性がより優れたものとなることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有する高分子化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The polymer compound having an epoxy group is not particularly limited as long as it is a polymer compound having an epoxy group at the terminal and / or side chain (pendant position). For example, an epoxy group-containing acrylic rubber, an epoxy group-containing butadiene rubber, Examples thereof include bisphenol type high molecular weight epoxy resin, epoxy group-containing phenoxy resin, epoxy group-containing acrylic resin, epoxy group-containing urethane resin, and epoxy group-containing polyester resin. Among them, an epoxy group-containing acrylic resin is preferable because a polymer compound containing a large amount of epoxy groups can be obtained and the cured product has better mechanical strength and heat resistance. These polymer compounds having an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特に、エポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、上記エポキシ基を有する高分子化合物の重量平均分子量の好ましい下限が1万である。上記重量平均分子量が1万未満であると、電子部品用接着剤の造膜性が不充分となって、電子部品用接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。 As the polymer compound having a functional group capable of reacting, a polymer compound having the epoxy group, particularly when an epoxy group-containing acrylic resin is used, the preferred lower limit of the weight average molecular weight of the polymer compound having the epoxy group is 1. Ten thousand. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the film-forming property of the adhesive for electronic parts may be insufficient, and the flexibility of the cured product of the adhesive for electronic parts may not be sufficiently improved.

上記反応可能な官能基を有する高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特に、エポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、上記エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量の好ましい下限が200、好ましい上限が1000である。上記エポキシ当量が200未満であると、電子部品用接着剤の硬化物の可撓性が充分に向上しないことがある。上記エポキシ当量が1000を超えると、電子部品用接着剤の硬化物の機械的強度又は耐熱性が不充分となることがある。 When the polymer compound having an epoxy group is used as the polymer compound having a functional group capable of reacting, particularly when an epoxy group-containing acrylic resin is used, the preferred lower limit of the epoxy equivalent of the polymer compound having the epoxy group is 200, A preferred upper limit is 1000. If the epoxy equivalent is less than 200, the flexibility of the cured product of the adhesive for electronic components may not be sufficiently improved. When the said epoxy equivalent exceeds 1000, the mechanical strength or heat resistance of the hardened | cured material of the adhesive for electronic components may become inadequate.

上記電子部品用接着剤における上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物100重量部に対し、好ましい下限が1重量部、好ましい上限が30重量部である。上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の配合量が1重量部未満であると、電子部品用接着剤は、熱ひずみに対する充分な信頼性が得られないことがある。上記反応可能な官能基を有する高分子化合物の配合量が30重量部を超えると、電子部品用接着剤の耐熱性が低下することがある。 The amount of the polymer compound having a functional group capable of reacting in the adhesive for electronic parts is not particularly limited, but a preferable lower limit is 1 part by weight and a preferable upper limit is 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound. It is. When the amount of the polymer compound having a functional group capable of reacting is less than 1 part by weight, the electronic component adhesive may not have sufficient reliability with respect to thermal strain. If the amount of the polymer compound having a functional group capable of reacting exceeds 30 parts by weight, the heat resistance of the adhesive for electronic parts may be lowered.

上記電子部品用接着剤は、更に、表面処理されたシリカフィラーを含有することが好ましい。上記表面処理されたシリカフィラーは特に限定されないが、フェニルシランカップリング剤で表面処理されたシリカフィラーが好ましい。 The adhesive for electronic parts preferably further contains a surface-treated silica filler. Although the said surface-treated silica filler is not specifically limited, The silica filler surface-treated with the phenylsilane coupling agent is preferable.

上記電子部品用接着剤における上記表面処理されたシリカフィラーの配合量は特に限定されないが、上記硬化性化合物100重量部に対し、好ましい下限が30重量部、好ましい上限が400重量部である。上記表面処理されたシリカフィラーの配合量が30重量部未満であると、得られる電子部品用接着剤が充分な信頼性を保持することができないことがある。上記表面処理されたシリカフィラーの配合量が400重量部を超えると、得られる電子部品用接着剤の粘度が高くなりすぎて、塗布安定性が低下することがある。 The blending amount of the surface-treated silica filler in the adhesive for electronic parts is not particularly limited, but a preferable lower limit is 30 parts by weight and a preferable upper limit is 400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound. When the compounding amount of the surface-treated silica filler is less than 30 parts by weight, the obtained adhesive for electronic parts may not be able to maintain sufficient reliability. When the compounding amount of the surface-treated silica filler exceeds 400 parts by weight, the viscosity of the obtained adhesive for electronic parts may become too high, and the coating stability may be lowered.

上記電子部品用接着剤は、必要に応じて、溶媒を含有してもよい。
上記溶媒は特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素類、塩化芳香族炭化水素類、塩化脂肪族炭化水素類、アルコール類、エステル類、エーテル類、ケトン類、グリコールエーテル(セロソルブ)類、脂環式炭化水素類、脂肪族炭化水素類等が挙げられる。
The adhesive for electronic parts may contain a solvent as necessary.
The solvent is not particularly limited, and examples thereof include aromatic hydrocarbons, chlorinated aromatic hydrocarbons, chlorinated aliphatic hydrocarbons, alcohols, esters, ethers, ketones, glycol ethers (cellosolves), and fats. Examples thereof include cyclic hydrocarbons and aliphatic hydrocarbons.

上記電子部品用接着剤は、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。
上記無機イオン交換体のうち、市販品としては、例えば、IXEシリーズ(東亞合成社製)等が挙げられる。上記電子部品用接着剤における上記無機イオン交換体の配合量の好ましい上限は10重量%、好ましい下限は1重量%である。
The said adhesive for electronic components may contain an inorganic ion exchanger as needed.
Among the inorganic ion exchangers, examples of commercially available products include IXE series (manufactured by Toagosei Co., Ltd.). A preferable upper limit of the amount of the inorganic ion exchanger in the electronic component adhesive is 10% by weight, and a preferable lower limit is 1% by weight.

上記電子部品用接着剤は、更に、必要に応じて、ブリード防止剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤等のその他の添加剤を含有してもよい。 The adhesive for electronic parts may further contain other additives such as an anti-bleeding agent and an adhesion-imparting agent such as an imidazole silane coupling agent, if necessary.

上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が20Pa・s以上、100Pa・s以下である。
上記0.5rpmにおける粘度が20Pa・s未満であると、塗布後、後述するボンディング工程(2)までの間に塗布時の形状を維持することが困難となる。上記0.5rpmにおける粘度が100Pa・sを超えると、電子部品用接着剤を所望の形状で塗布することが困難となる。
上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が60Pa・s以下であることがより好ましい。
When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at 25 ° C. using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is 20 Pa · s or more and 100 Pa · s or less.
When the viscosity at 0.5 rpm is less than 20 Pa · s, it is difficult to maintain the shape at the time of application until the bonding step (2) described later after application. When the viscosity at 0.5 rpm exceeds 100 Pa · s, it is difficult to apply the adhesive for electronic components in a desired shape.
When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at 25 ° C. using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is more preferably 60 Pa · s or less.

上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の2〜5倍であることが好ましい。
上記0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の2倍未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。上記0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の5倍を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。
上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の4倍以下であることがより好ましい。
When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at 25 ° C. using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is preferably 2 to 5 times the viscosity at 5 rpm.
When the viscosity at 0.5 rpm is less than twice the viscosity at 5 rpm, the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the bonding region is large when the step (3) for spreading the adhesive for electronic components described later is performed. Therefore, it may be difficult to wire bond the obtained electronic component laminate. When the viscosity at 0.5 rpm exceeds 5 times the viscosity at 5 rpm, the electronic component adhesive is uniformly wetted and spreads over the entire bonding region when the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components described later is performed. However, since a cavity is generated after mold sealing, the obtained electronic component laminate may lack reliability.
When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at 25 ° C. using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is more preferably 4 times or less than the viscosity at 5 rpm.

上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が4Pa・s以上、25Pa・s以下である。このような粘度特性を有することで、上記電子部品用接着剤は、後述するボンディング工程(2)において押圧を解除した後、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)において、接合領域から大きくはみ出したり、濡れ広がりが不充分となったりすることなく、接合領域全体に均一に濡れ広がることができる。
上記0.5rpmにおける粘度が4Pa・s未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記0.5rpmにおける粘度が25Pa・sを超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体は信頼性に欠ける。また、上記0.5rpmにおける粘度が25Pa・sを超えると、例えば、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合、後述するボンディング工程(2)において、積層した半導体チップ又はウエハの押圧を行っても電子部品間距離をスペーサー粒子の粒子径と実質的に等しい距離にすることが困難である。
When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at a bonding temperature using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is 4 Pa · s or more and 25 Pa · s or less. By having such a viscosity characteristic, the adhesive for electronic parts is bonded in the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components described later after releasing the pressure in the bonding step (2) described later. It is possible to uniformly spread the entire bonding area without overhanging from the area or insufficiently spreading the area.
When the viscosity at 0.5 rpm is less than 4 Pa · s, the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the joining region is increased when the step (3) for spreading the adhesive for electronic components described later is performed. It becomes difficult to wire bond to the electronic component laminate. When the viscosity at 0.5 rpm exceeds 25 Pa · s, the electronic component adhesive does not spread evenly over the entire bonding area when the electronic component adhesive (step 3) described later is wetted and spread. Since a cavity is generated after sealing, the obtained electronic component laminate lacks reliability. When the viscosity at 0.5 rpm exceeds 25 Pa · s, for example, in the case of manufacturing a multilayer electronic component laminate using the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, in the bonding step (2) described later. Even when the stacked semiconductor chip or wafer is pressed, it is difficult to make the distance between the electronic components substantially equal to the particle diameter of the spacer particles.

なお、本明細書中、ボンディング温度とは、後述するボンディング工程(2)において用いられる温度を意味する。上記ボンディング温度として、例えば、25〜80℃の範囲の温度が挙げられる。 In the present specification, the bonding temperature means a temperature used in a bonding step (2) described later. As said bonding temperature, the temperature of the range of 25-80 degreeC is mentioned, for example.

上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の2〜4倍である。このような粘度特性を有することで、上記電子部品用接着剤は、後述するボンディング工程(2)においては、加熱及び押圧を行うことによって短時間で接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができ、次いで、押圧を解除した後、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)においては、接合領域から大きくはみ出したり、濡れ広がりが不充分となったりすることなく、接合領域全体に均一に濡れ広がることができる。
上記0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の2倍未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の4倍を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる電子部品積層体が信頼性に欠ける。
上記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の3倍以下であることが好ましい。
When the viscosity of the adhesive for electronic components is measured at a bonding temperature using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is 2 to 4 times the viscosity at 5 rpm. By having such a viscosity characteristic, in the bonding step (2), which will be described later, the adhesive for electronic components uniformly spreads in a predetermined range of the bonding region in a short time by heating and pressing. Then, after releasing the pressure, in the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components, which will be described later, the joining region does not protrude greatly or the wetting and spreading does not become insufficient. It can spread evenly throughout.
When the viscosity at 0.5 rpm is less than twice the viscosity at 5 rpm, the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the bonding region is large when the step (3) for spreading the adhesive for electronic components described later is performed. Therefore, it becomes difficult to wire bond the obtained electronic component laminate. When the viscosity at 0.5 rpm exceeds 4 times the viscosity at 5 rpm, the electronic component adhesive is uniformly spread over the entire joining region when the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components described later is performed. In addition, since a cavity is formed after mold sealing, the obtained electronic component laminate lacks reliability.
When the viscosity of the adhesive for electronic parts is measured at a bonding temperature using an E-type viscometer, the viscosity at 0.5 rpm is preferably not more than 3 times the viscosity at 5 rpm.

上記電子部品用接着剤は、硬化後の−55〜125℃における弾性率Eの好ましい下限が1GPa、好ましい上限が8GPaである。弾性率Eが1GPa未満であると、充分な耐熱性が得られないことがある。弾性率Eが8GPaを超えると、温度の変化によるひずみによって発生した応力が集中し、接合信頼性に悪影響を与えることがある。上記電子部品用接着剤は、硬化後の−55〜125℃における弾性率Eのより好ましい下限が2GPa、より好ましい上限が7GPaである。 The adhesive for electronic components has a preferable lower limit of the elastic modulus E at −55 to 125 ° C. after curing, 1 GPa, and a preferable upper limit of 8 GPa. If the elastic modulus E is less than 1 GPa, sufficient heat resistance may not be obtained. When the elastic modulus E exceeds 8 GPa, stress generated by strain due to temperature change concentrates, which may adversely affect the bonding reliability. The adhesive for electronic components has a more preferable lower limit of the elastic modulus E at −55 to 125 ° C. after curing, 2 GPa, and a more preferable upper limit of 7 GPa.

上記電子部品用接着剤は、20〜120℃の条件で5分間経過した後の反応率が5%未満であることが好ましい。上記反応率が5%以上であると、電子部品用接着剤の濡れ広がりが不充分となったり、目的とするスペース到達度が得られなかったりすることがある。 The electronic component adhesive preferably has a reaction rate of less than 5% after 5 minutes at 20 to 120 ° C. When the reaction rate is 5% or more, wetting and spreading of the adhesive for electronic components may be insufficient, or the target space reachability may not be obtained.

上記電子部品用接着剤を製造する方法は特に限定されず、例えば、上記硬化性化合物及び硬化剤を有する接着組成物に、必要に応じて上記硬化促進剤、上記硬化性化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物、上記チキソトロピー付与剤、その他の添加剤等を所定量配合して混合した後、上記スペーサー粒子を配合する方法が挙げられる。
上記混合の方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を使用する方法が挙げられる。
The method for producing the adhesive for electronic parts is not particularly limited. For example, the adhesive composition having the curable compound and the curing agent may be functionally reacted with the curing accelerator and the curable compound as necessary. A method of blending the spacer particles after blending a predetermined amount of the polymer compound having a group, the thixotropy-imparting agent, other additives, and the like.
The mixing method is not particularly limited, and examples thereof include a method using a homodisper, a universal mixer, a Banbury mixer, a kneader and the like.

本発明の電子部品積層体の製造方法では、次いで、加熱及び押圧しながら、上述のように塗布した電子部品用接着剤を介して、上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を接合領域の60%以上100%未満とした後、押圧を解除するボンディング工程(2)を行う。
上記ボンディング工程(2)では、塗布した電子部品用接着剤を介して、上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハに対し、上記半導体チップ又はウエハを位置合わせすることによって積層し、ボンディングする。
In the method for manufacturing an electronic component laminate according to the present invention, the semiconductor chip is then placed on the substrate, another semiconductor chip, or another wafer through the adhesive for electronic components applied as described above while being heated and pressed. Alternatively, a bonding step (2) for releasing the pressure is performed after laminating the wafers and setting the area where the adhesive for electronic parts is spread to 60% or more and less than 100% of the bonding area.
In the bonding step (2), the semiconductor chip or the wafer is laminated and bonded to the substrate, another semiconductor chip or another wafer through the applied adhesive for electronic components.

上記ボンディング工程(2)においては、上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に上記半導体チップ又はウエハを積層する際に、加熱及び押圧を行う。
上記加熱及び押圧を行うことにより、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができる。また、上記押圧を行うことにより、上記電子部品用接着剤が上記スペーサー粒子を含有する場合には、スペーサー粒子により電子部品間の間隔が支持されるように積層することができる。また、加熱を行わず押圧のみを行う場合には、上記電子部品用接着剤が濡れ広がるのに要する時間が長くなるのに対し、上記加熱及び押圧を行うことにより、短時間で、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができる。
In the bonding step (2), heating and pressing are performed when the semiconductor chip or wafer is stacked on the substrate, another semiconductor chip, or another wafer.
By performing the heating and pressing, the adhesive for electronic components can be spread evenly in a predetermined range of the joining region. Moreover, when the said adhesive for electronic components contains the said spacer particle | grains by performing the said press, it can laminate | stack so that the space | interval between electronic components may be supported by the spacer particle | grains. Further, when only pressing is performed without heating, the time required for the adhesive for electronic components to spread out gets longer, whereas by performing the heating and pressing, the electronic components can be made in a short time. The adhesive can spread evenly in a predetermined range of the joining area.

上記加熱は特に限定されないが、25℃以上、80℃以下の温度で行うことが好ましい。上記加熱を行う温度が25℃未満であると、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができず、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。上記加熱を行う温度が80℃を超えると、上記電子部品用接着剤の硬化が開始してしまい、濡れ広がりが困難になることがあり、また、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。
上記加熱は、40℃以上、60℃以下の温度で行うことがより好ましい。
Although the said heating is not specifically limited, It is preferable to carry out at the temperature of 25 to 80 degreeC. When the heating temperature is less than 25 ° C., the electronic component adhesive cannot uniformly spread and spread in a predetermined range of the joining region, and the electronic component adhesive described later (3) ), The electronic component adhesive is not uniformly spread over the entire bonding region, and the obtained electronic component laminate may be unreliable. When the temperature for performing the heating exceeds 80 ° C., the curing of the adhesive for electronic components may start, and wetting and spreading may be difficult, and the step of wetting and spreading the adhesive for electronic components to be described later When (3) is passed, the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the joining region increases, and it may be difficult to wire bond the resulting electronic component laminate.
The heating is more preferably performed at a temperature of 40 ° C. or higher and 60 ° C. or lower.

上記押圧は特に限定されないが、0.005MPa以上、0.2MPa以下の圧力で行うことが好ましい。上記押圧を行う圧力が0.005MPa未満であると、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができず、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。上記押圧を行う圧力が0.2MPaを超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となることがある。
上記押圧は、0.05MPa以上の圧力で行うことがより好ましい。
なお、上記押圧は、上記電子部品用接着剤を介して上記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に積層された、半導体チップ又はウエハに対して行う。
Although the said press is not specifically limited, It is preferable to perform by the pressure of 0.005 Mpa or more and 0.2 Mpa or less. When the pressure for performing the pressing is less than 0.005 MPa, the electronic component adhesive cannot be uniformly wetted and spread in a predetermined range of the joining region, and the electronic component adhesive described later is wetted and spread ( When 3), the electronic component adhesive is not uniformly spread over the entire bonding region, and the obtained electronic component laminate may be unreliable. When the pressure for pressing exceeds 0.2 MPa, the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the joining region increases when the electronic component adhesive described later (3) is wetted and spread, and the resulting electronic It may be difficult to wire bond the component stack.
The pressing is more preferably performed at a pressure of 0.05 MPa or more.
In addition, the said press is performed with respect to the semiconductor chip or wafer laminated | stacked on the said board | substrate, another semiconductor chip, or another wafer through the said adhesive agent for electronic components.

また、上記押圧は、所望の電子部品間距離の1〜1.5倍に電子部品間距離を縮小させるように行うことが好ましい。これにより、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)において、接合領域全体に上記電子部品用接着剤が均一に濡れ広がり、得られる電子部品積層体において所望の電子部品間距離を達成することができる。 The pressing is preferably performed so that the distance between the electronic components is reduced to 1 to 1.5 times the desired distance between the electronic components. Thereby, in the step (3) of spreading the adhesive for electronic components described later, the adhesive for electronic components uniformly spreads over the entire joining region, and a desired distance between the electronic components is obtained in the resulting electronic component laminate. Can be achieved.

上記加熱及び押圧する時間は特に限定さないが、0.1秒以上、5秒以下であることが好ましい。上記加熱及び押圧する時間が0.1秒未満であると、上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がることができず、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠けることがある。上記加熱及び押圧する時間が5秒を超えると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となったり、電子部品積層体の生産効率が低下したりすることがある。
上記加熱及び押圧する時間は、1秒以下であることがより好ましい。
The heating and pressing time is not particularly limited, but is preferably 0.1 second or more and 5 seconds or less. When the heating and pressing time is less than 0.1 seconds, the adhesive for electronic components cannot be spread evenly in a predetermined range of the joining region, and the adhesive for electronic components described later is spread. When the step (3) is performed, the electronic component adhesive is not uniformly spread over the entire bonding region, and the obtained electronic component laminate may lack reliability. If the heating and pressing time exceeds 5 seconds, the amount of the adhesive for electronic components that protrudes from the joining region increases when the electronic component adhesive (step 3) described later is wetted and spread. It may be difficult to wire bond the component laminate, or the production efficiency of the electronic component laminate may be reduced.
The heating and pressing time is more preferably 1 second or less.

上記ボンディング工程(2)では、上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を接合領域の60%以上100%未満とした後、押圧を解除する。このように上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を上記範囲内とした後で押圧を解除することにより、上記電子部品用接着剤は、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)において、接合領域から大きくはみ出したり、濡れ広がりが不充分となったりすることなく、接合領域全体に均一に濡れ広がることができる。
上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の60%未満であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる電子部品積層体が信頼性に欠ける。上記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の100%以上であると、後述する電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量が多くなり、得られる電子部品積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。
In the bonding step (2), the area where the adhesive for electronic components is spread out is set to 60% or more and less than 100% of the bonding area, and then the pressing is released. In this way, the adhesive for electronic components wets and spreads the adhesive for electronic components, which will be described later, by releasing the pressure after setting the region where the adhesive for electronic components spreads within the above range. In 3), it is possible to uniformly spread the entire bonding region without overhanging from the bonding region or insufficiently spreading the wetting.
When the area where the adhesive for electronic components spreads is less than 60% of the bonding area, the adhesive for electronic parts is bonded to the bonding area after the step (3) of spreading the adhesive for electronic components described later. The entire electronic component laminate is not reliable because it does not wet and spread uniformly throughout. When the region where the adhesive for electronic parts spreads out is 100% or more of the joining region, the adhesive for electronic components that protrudes from the joining region when the step (3) for spreading the adhesive for electronic components described later is performed. Therefore, it becomes difficult to wire-bond the resulting electronic component laminate.

なお、本発明の電子部品積層体の製造方法において、上記ボンディング工程(2)を経た後の状態を、図1に模式的に示す。図1において、半導体チップ又はウエハ2は、塗布した電子部品用接着剤3を介して、基板、他の半導体チップ又は他のウエハ1上に積層されている。 In addition, in the manufacturing method of the electronic component laminated body of this invention, the state after passing through the said bonding process (2) is typically shown in FIG. In FIG. 1, a semiconductor chip or wafer 2 is laminated on a substrate, another semiconductor chip or another wafer 1 through an applied electronic component adhesive 3.

本発明の電子部品積層体の製造方法では、次いで、上記電子部品用接着剤を加熱することにより、接合領域全体に上記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)(本明細書中、単に、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)ともいう)を行う。
上記電子部品用接着剤を加熱する方法は特に限定されないが、例えば、上記ボンディング工程(2)において用いた温度と同じ温度で加熱する方法が好ましい。
In the method for manufacturing an electronic component laminate according to the present invention, the electronic component adhesive is then heated to uniformly wet and spread the electronic component adhesive throughout the bonding region (3) (this specification). In the middle, the process (also referred to as the step (3) of simply spreading the electronic component adhesive) is performed.
The method for heating the adhesive for electronic components is not particularly limited. For example, a method of heating at the same temperature as that used in the bonding step (2) is preferable.

本発明の電子部品積層体の製造方法において、上記電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経た後の状態を図2及び3に模式的に示す。
上記電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経た後、上記電子部品用接着剤は、接合領域全体に均一に濡れ広がっていれば、図2に示すように接合領域からはみ出していなくてもよく、図3に示すように接合領域からはみ出してフィレットを形成してもよい。フィレットを形成することにより、得られる電子部品積層体の信頼性を更に高めることができる。
なお、本明細書中、フィレットとは、接合領域からはみ出した電子部品用接着剤の分厚い部分をいう。
2 and 3 schematically show the state after the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components in the method for producing an electronic component laminate of the present invention.
After the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic parts, the adhesive for electronic parts does not protrude from the joining area as shown in FIG. 2 as long as it spreads uniformly throughout the joining area. Alternatively, as shown in FIG. 3, the fillet may be formed so as to protrude from the joining region. By forming the fillet, the reliability of the obtained electronic component laminate can be further increased.
In addition, in this specification, a fillet means the thick part of the adhesive agent for electronic components which protruded from the joining area | region.

上記電子部品用接着剤が接合領域からはみ出してフィレットを形成する場合には、フィレットの接合領域からの距離は、好ましい下限が50μm、好ましい上限が300μmである。上記フィレットの接合領域からの距離が50μm未満であると、フィレットを形成する効果が充分に得られないことがある。上記フィレットの接合領域からの距離が300μmを超えると、フィレットがワイヤーボンディングパッドを汚染し、ワイヤーボンディング不良を引き起こすことがある。
上記フィレットの接合領域からの距離のより好ましい下限は100μm、更に好ましい下限は150μmである。
When the adhesive for electronic components protrudes from the joining region to form a fillet, the preferred lower limit of the distance from the joining region of the fillet is 50 μm, and the preferred upper limit is 300 μm. If the distance from the bonding region of the fillet is less than 50 μm, the effect of forming the fillet may not be sufficiently obtained. When the distance from the bonding region of the fillet exceeds 300 μm, the fillet may contaminate the wire bonding pad and cause wire bonding failure.
A more preferable lower limit of the distance from the joining region of the fillet is 100 μm, and a more preferable lower limit is 150 μm.

本発明の電子部品積層体の製造方法では、次いで、上記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程(4)を行う。これにより、上記電子部品用接着剤を硬化させて、電子部品積層体を得ることができる。 Next, in the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, a curing step (4) for curing the adhesive for electronic components is performed. Thereby, the said adhesive agent for electronic components can be hardened and an electronic component laminated body can be obtained.

上記硬化工程(4)における硬化方法は特に限定されず、上記電子部品用接着剤の硬化特性に合わせた硬化条件を適宜選択して用いることができ、例えば、120℃で30分、170℃で30分加熱する方法等が挙げられる。 The curing method in the curing step (4) is not particularly limited, and curing conditions suitable for the curing characteristics of the electronic component adhesive can be appropriately selected and used, for example, at 120 ° C. for 30 minutes and at 170 ° C. Examples include a method of heating for 30 minutes.

本発明の電子部品積層体の製造方法では、上述したような粘度特性を有する電子部品用接着剤を用いることにより、上記ボンディング工程(2)において上記加熱及び押圧を行うことによって、短時間で上記電子部品用接着剤が接合領域の所定の範囲に均一に濡れ広がり、次いで、上記電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)において上記電子部品用接着剤を加熱することによって、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がる。これにより、接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることができる。 In the manufacturing method of the electronic component laminate of the present invention, by using the adhesive for electronic components having the above-described viscosity characteristics, the heating and pressing are performed in the bonding step (2), whereby the above-described method can be performed in a short time. By heating the adhesive for electronic components in the step (3) of spreading the adhesive for electronic components uniformly and then spreading the adhesive for electronic components in a predetermined range of the joining region, the electronic component The adhesive is spread evenly throughout the bonding area. Thereby, even if it adjusts the quantity of the adhesive for electronic components which protrudes from a joining area | region, and it reduces in size, a highly accurate and reliable electronic component laminated body can be obtained.

本発明の電子部品積層体の製造方法により得られる電子部品積層体の電子部品間距離は、上記スペーサー粒子の平均粒子径よりも5〜10μm長いことが好ましい。上記電子部品間距離が上記範囲を外れると、電子部品間距離を制御することが困難となることがある。 The distance between the electronic components of the electronic component laminate obtained by the method for producing an electronic component laminate of the present invention is preferably 5 to 10 μm longer than the average particle diameter of the spacer particles. If the distance between the electronic components is out of the above range, it may be difficult to control the distance between the electronic components.

本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合、得られる電子部品積層体の電子部品間距離のばらつきは、3σで5μm未満であることが好ましい。上記電子部品間距離のばらつきが3σで5μm以上であると、得られる電子部品積層体のワイヤーボンディング不良、フリップチップボンディング不良が発生することがある。なお、σは標準偏差を表す。 When a multilayer electronic component laminate is produced using the method for producing an electronic component laminate of the present invention, the variation in the distance between the electronic components of the obtained electronic component laminate is preferably less than 5 μm at 3σ. If the variation in the distance between the electronic components is 5 μm or more at 3σ, wire bonding failure and flip chip bonding failure may occur in the obtained electronic component laminate. Note that σ represents a standard deviation.

本発明の電子部品積層体の製造方法において、上記ボンディング工程(2)から上記硬化工程(4)までの工程は、例えば、これらの工程を一連の工程として行ってもよく、各々の工程を区別して行ってもよい。いずれの場合であっても、各工程において温度、圧力、時間、昇温速度等を適切に選択することにより、上記電子部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がった状態で硬化させることが重要である。 In the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, the steps from the bonding step (2) to the curing step (4) may be performed as a series of steps, for example. It may be done separately. In any case, by appropriately selecting the temperature, pressure, time, temperature increase rate, etc. in each step, the electronic component adhesive is cured in a state where it is uniformly wetted and spreads over the entire bonding area. is important.

また、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて多層の電子部品積層体を製造する場合、上記ボンディング工程(2)から上記硬化工程(4)までの工程は、半導体チップ又はウエハを1つボンディングする度に行ってもよく、半導体チップ又はウエハの積層を所望の数まで繰り返した後、一度に行ってもよい。 Moreover, when manufacturing a multilayer electronic component laminated body using the manufacturing method of the electronic component laminated body of this invention, the process from the said bonding process (2) to the said hardening process (4) is a semiconductor chip or a wafer. It may be performed every time one bonding is performed, or may be performed at once after a desired number of semiconductor chips or wafers are stacked.

本発明の電子部品積層体の製造方法では、例えば、基板に対して半導体チップを接合してもよく、例えば基板に接合された半導体チップ等の他の半導体チップに対して更に半導体チップを接合してもよく、ウエハに対して半導体チップを接合してもよく、また、基板に対してウエハを接合してもよく、例えば基板に接合されたウエハ等の他のウエハに対して更にウエハを接合してもよい。
また、本発明の電子部品積層体の製造方法は、半導体チップを十字状に接合する場合に、特に好適に用いられる。
更に、本発明の電子部品積層体の製造方法を用いて電子部品積層体を製造し、更に、封止剤による封止等の必要な工程を行うことにより、半導体装置を製造することができる。
In the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention, for example, a semiconductor chip may be bonded to a substrate, and for example, a semiconductor chip is bonded to another semiconductor chip such as a semiconductor chip bonded to the substrate. The semiconductor chip may be bonded to the wafer, or the wafer may be bonded to the substrate. For example, the wafer may be bonded to another wafer such as a wafer bonded to the substrate. May be.
The method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention is particularly preferably used when semiconductor chips are joined in a cross shape.
Furthermore, an electronic component laminated body is manufactured using the manufacturing method of the electronic component laminated body of this invention, Furthermore, a semiconductor device can be manufactured by performing required processes, such as sealing with a sealing agent.

本発明によれば、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electronic component laminated body which can adjust the quantity of the adhesive for electronic components which protrudes from the joining area | region of a semiconductor chip or a wafer, and can obtain a highly accurate and reliable electronic component laminated body even if it reduces in size. The manufacturing method of can be provided.

図1は、本発明の電子部品積層体の製造方法において、ボンディング工程(2)を経た後の状態の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a state after undergoing a bonding step (2) in the method for manufacturing an electronic component laminate of the present invention. 図2は、本発明の半導体チップ積層体の製造方法において、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経た後の状態の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a state after the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components in the method for manufacturing a semiconductor chip laminate of the present invention. 図3は、本発明の半導体チップ積層体の製造方法において、電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)を経た後の状態の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a state after the step (3) of wetting and spreading the adhesive for electronic components in the method for manufacturing a semiconductor chip laminate of the present invention.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
なお、以下の実施例及び比較例に記載の粒子径の測定には粒子サイズ測定機(コールターカウンターZB/C−1000、コールターエレクトロニクス社製)を使用した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
In addition, the particle size measuring machine (Coulter counter ZB / C-1000, the product made by Coulter Electronics) was used for the measurement of the particle diameter as described in the following Examples and Comparative Examples.

(実施例1)
(1)電子部品用接着剤の製造
表1の実施例1の組成に従って、下記に示すスペーサー粒子以外の各材料を攪拌混合して、接着組成物を作製した。得られた接着組成物にスペーサー粒子を配合し、更に攪拌混合することにより、電子部品用接着剤を製造した。
Example 1
(1) Manufacture of adhesive for electronic components According to the composition of Example 1 in Table 1, materials other than the spacer particles shown below were stirred and mixed to prepare an adhesive composition. Spacer particles were blended into the obtained adhesive composition, and further stirred and mixed to produce an adhesive for electronic components.

1.エポキシ樹脂
ポリエーテル変性エポキシ樹脂(ポリエーテル型エポキシ樹脂、エポゴーセーPT、四日市合成社製)
2.エポキシ基を有する高分子化合物
エポキシ基含有アクリル樹脂(ブレンマーCP−30、日油社製)
3.硬化剤
酸無水物(YH−306、ジャパンエポキシレジン社製)
4.硬化促進剤
イミダゾール化合物(2MA−OK、四国化成工業社製)
5.接着性付与剤
イミダゾールシランカップリング剤(SP−1000、日鉱マテリアルズ社製)
6.チキソトロピー付与剤
ヒュームドシリカ(表面疎水基含有チキソトロピー付与剤、PM−20L、トクヤマ社製)
7.スペーサー粒子
樹脂粒子(ミクロパールSP−225、積水化学工業社製、平均粒子径25μm、CV値4%)
8.シリカフィラー
球状シリカ(SE−4050−SPE、アドマテックス社製、平均粒子径1μm、最大粒子径5μm)
1. Epoxy resin Polyether modified epoxy resin (Polyether type epoxy resin, Epogosay PT, manufactured by Yokkaichi Gosei Co., Ltd.)
2. Epoxy group-containing high molecular compound epoxy group-containing acrylic resin (Blenmer CP-30, manufactured by NOF Corporation)
3. Hardener acid anhydride (YH-306, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
4). Curing accelerator imidazole compound (2MA-OK, manufactured by Shikoku Chemicals)
5. Adhesiveness imparting agent imidazole silane coupling agent (SP-1000, manufactured by Nikko Materials)
6). Thixotropy imparting agent fumed silica (surface hydrophobic group-containing thixotropy imparting agent, PM-20L, manufactured by Tokuyama Corporation)
7). Spacer particle resin particles (Micropearl SP-225, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., average particle size 25 μm, CV value 4%)
8). Silica filler spherical silica (SE-4050-SPE, manufactured by Admatechs, average particle size 1 μm, maximum particle size 5 μm)

(2)電子部品積層体の製造
(2−1)塗布工程(1)
得られた電子部品用接着剤を10mLシリンジ(武蔵エンジニアリング社製)に充填し、シリンジ先端に精密ノズル(武蔵エンジニアリング社製、ノズル先端径0.6mm)を取り付け、ディスペンサ装置(SuperΣCMII−V5、武蔵エンジニアリング社製)を用いて、吐出圧30kPa、ガラスエポキシ基板とニードルとのギャップ250μm、塗布量3.0μLにてガラスエポキシ基板上に塗布した。
このとき、電子部品用接着剤を塗布した領域は、接合領域の70%であった。また、電子部品用接着剤の塗布形状はクロス形状であり、該クロス形状の対角線の長さは、接合領域の対角線の長さの70%であった。
(2) Manufacture of electronic component laminate (2-1) Application process (1)
The obtained adhesive for electronic components was filled into a 10 mL syringe (Musashi Engineering Co., Ltd.), a precision nozzle (Musashi Engineering Co., Ltd., nozzle tip diameter 0.6 mm) was attached to the syringe tip, and a dispenser device (SuperΣCMII-V5, Musashi). (Manufactured by Engineering Co., Ltd.) was applied onto the glass epoxy substrate at a discharge pressure of 30 kPa, a gap between the glass epoxy substrate and the needle of 250 μm, and a coating amount of 3.0 μL.
At this time, the area where the electronic component adhesive was applied was 70% of the bonded area. Moreover, the application shape of the adhesive for electronic components was a cross shape, and the length of the diagonal line of the cross shape was 70% of the length of the diagonal line of the joining region.

(2−2)ボンディング工程(2)
塗布後のガラスエポキシ基板を、60℃で加熱しながらダイボンダー(BESTEM−D02、キヤノンマシナリー社製)のボンディング部まで搬送し、塗布した電子部品用接着剤を介して、ベアシリコンチップ(チップ1)(厚さ100μm、9mm×13mm角)を60℃で0.005MPaの圧力で0.5秒間押圧することにより、ガラスエポキシ基板上に積層した。
このとき、電子部品用接着剤の濡れ広がった領域は、接合領域の95%であった。
(2-2) Bonding process (2)
The coated glass epoxy substrate is conveyed to the bonding part of a die bonder (BESTEM-D02, manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) while being heated at 60 ° C., and the bare silicon chip (chip 1) is passed through the applied adhesive for electronic components. The film was laminated on a glass epoxy substrate by pressing (thickness 100 μm, 9 mm × 13 mm square) at 60 ° C. and a pressure of 0.005 MPa for 0.5 seconds.
At this time, the area where the adhesive for electronic parts spread out was 95% of the bonded area.

(2−3)電子部品用接着剤を濡れ広がらせる工程(3)
次いで、ベアシリコンチップ(チップ1)積層後のガラスエポキシ基板を、80℃で加熱しながらダイボンダー(BESTEM−D02、キヤノンマシナリー社製)の搬出部まで搬送した。
このとき、電子部品用接着剤の濡れ広がった領域は、接合領域の100%であった。
(2-3) Step of wetting and spreading the adhesive for electronic components (3)
Next, the glass epoxy substrate after lamination of the bare silicon chip (chip 1) was conveyed to the unloading part of the die bonder (BESTEM-D02, manufactured by Canon Machinery) while heating at 80 ° C.
At this time, the area where the adhesive for electronic parts spread was 100% of the bonded area.

(2−4)硬化工程(4)
その後、熱風乾燥炉内にて80℃から120℃まで60分間かけて昇温処理を行い、120℃で15分間放置することにより保温処理を行った後、170℃で30分間加熱を行い、電子部品用接着剤を硬化させることにより、電子部品積層体を得た。
(2-4) Curing step (4)
Thereafter, the temperature is increased from 80 ° C. to 120 ° C. for 60 minutes in a hot air drying furnace, and the temperature is maintained by leaving it at 120 ° C. for 15 minutes, followed by heating at 170 ° C. for 30 minutes. The electronic component laminate was obtained by curing the component adhesive.

(実施例2)
表1の実施例2の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例1と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 2)
An adhesive for electronic components and an electronic component laminate were obtained in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition was prepared according to the composition of Example 2 in Table 1.

(実施例3)
表1の実施例3の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例1と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 3)
An adhesive for electronic components and an electronic component laminate were obtained in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition was prepared according to the composition of Example 3 in Table 1.

(実施例4)
表1の実施例4の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例1と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
Example 4
An adhesive for electronic components and an electronic component laminate were obtained in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition was prepared according to the composition of Example 4 in Table 1.

(実施例5)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を0.05MPaとしたこと以外は実施例2と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 5)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component are the same as in Example 2 except that the pressure when the bare silicon chip (chip 1) is laminated on the glass epoxy substrate is 0.05 MPa. A laminate was obtained.

(実施例6)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を0.2MPaとしたこと以外は実施例2と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 6)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component were the same as in Example 2 except that the pressure when laminating the bare silicon chip (chip 1) on the glass epoxy substrate was 0.2 MPa. A laminate was obtained.

(実施例7)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を0.05MPaとしたこと以外は実施例4と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 7)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component were the same as in Example 4 except that the pressure when the bare silicon chip (chip 1) was laminated on the glass epoxy substrate was 0.05 MPa. A laminate was obtained.

(実施例8)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を0.2MPaとしたこと以外は実施例4と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 8)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component were the same as in Example 4 except that the pressure when laminating the bare silicon chip (chip 1) on the glass epoxy substrate was 0.2 MPa. A laminate was obtained.

(実施例9)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の温度を40℃としたこと以外は実施例2と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
Example 9
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component lamination are performed in the same manner as in Example 2 except that the temperature at which the bare silicon chip (chip 1) is laminated on the glass epoxy substrate is 40 ° C. Got the body.

(実施例10)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を0.2MPaとしたこと以外は実施例9と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 10)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component were the same as in Example 9 except that the pressure when laminating the bare silicon chip (chip 1) on the glass epoxy substrate was 0.2 MPa. A laminate was obtained.

(実施例11)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の温度を80℃としたこと以外は実施例4と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 11)
In the bonding step (2), the adhesive for electronic components and the electronic component lamination were performed in the same manner as in Example 4 except that the temperature at which the bare silicon chip (chip 1) was laminated on the glass epoxy substrate was 80 ° C. Got the body.

(実施例12)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の圧力を0.2MPaとしたこと以外は実施例11と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Example 12)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component were the same as in Example 11 except that the pressure when laminating the bare silicon chip (chip 1) on the glass epoxy substrate was 0.2 MPa. A laminate was obtained.

(比較例1)
表2の比較例1の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例1と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Comparative Example 1)
An adhesive for electronic components and an electronic component laminate were obtained in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition was prepared according to the composition of Comparative Example 1 in Table 2.

(比較例2)
表2の比較例2の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は実施例1と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Comparative Example 2)
An adhesive for electronic components and an electronic component laminate were obtained in the same manner as in Example 1 except that an adhesive composition was produced according to the composition of Comparative Example 2 in Table 2.

(比較例3)
ボンディング工程(2)において、ベアシリコンチップ(チップ1)をガラスエポキシ基板上に積層する際の温度を90℃としたこと以外は実施例1と同様にして、電子部品用接着剤及び電子部品積層体を得た。
(Comparative Example 3)
In the bonding step (2), the adhesive for an electronic component and the electronic component lamination were performed in the same manner as in Example 1 except that the temperature at which the bare silicon chip (chip 1) was laminated on the glass epoxy substrate was 90 ° C. Got the body.

(評価)
実施例及び比較例で得られた電子部品用接着剤及び電子部品積層体について、以下の方法により評価を行った。結果を表1、2に示した。
(Evaluation)
The adhesive for electronic components and the electronic component laminate obtained in Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods. The results are shown in Tables 1 and 2.

(1)粘度の測定
E型粘度測定装置(商品名「VISCOMETER TV−22」、TOKI SANGYO CO.LTD社製、使用ローターφ15mm、設定温度=25℃)を用いて、得られた電子部品用接着剤の回転数0.5rpmにおける粘度(A)、5rpmにおける粘度(B)を測定した。また、0.5rpmにおける粘度(A)と5rpmにおける粘度(B)との比として(A/B)を求めた。
また、E型粘度測定装置(商品名「VISCOMETER TV−22」、TOKI SANGYO CO.LTD社製、使用ローターφ15mm、設定温度=ボンディング温度)を用いて、得られた電子部品用接着剤の回転数0.5rpmにおける粘度(C)、5rpmにおける粘度(D)を測定した。また、0.5rpmにおける粘度(C)と5rpmにおける粘度(D)との比として(C/D)を求めた。
(1) Measurement of viscosity Adhesion for electronic components obtained using an E-type viscosity measuring device (trade name “VISCOMETER TV-22”, manufactured by TOKI SANGYO CO. LTD, used rotor φ15 mm, set temperature = 25 ° C.) The viscosity (A) at a rotation speed of 0.5 rpm and the viscosity (B) at 5 rpm were measured. Moreover, (A / B) was calculated | required as a ratio of the viscosity (A) in 0.5 rpm, and the viscosity (B) in 5 rpm.
Moreover, the number of rotations of the adhesive for electronic components obtained using an E-type viscosity measuring apparatus (trade name “VISCOMETER TV-22”, manufactured by TOKI SANGYO CO. LTD, used rotor φ15 mm, set temperature = bonding temperature) The viscosity (C) at 0.5 rpm and the viscosity (D) at 5 rpm were measured. Moreover, (C / D) was calculated | required as a ratio of the viscosity (C) in 0.5 rpm, and the viscosity (D) in 5 rpm.

(2)電子部品用接着剤の充填性
ガラスエポキシ基板−ベアシリコンチップ(チップ1)間について、接合領域における電子部品用接着剤の充填性を、超音波探査映像装置(mi−scope hyper II、日立建機ファインテック社製)を用いて下記の基準で評価した。
○ 接合領域全体に電子部品用接着剤が充填されていた。
× 接合領域に電子部品用接着剤が充填されていない部分があった。
(2) Fillability of adhesive for electronic parts About the fillability of adhesive for electronic parts in the bonding region between the glass epoxy substrate and the bare silicon chip (chip 1), an ultrasonic exploration imaging device (mi-scope hyper II, The following criteria were used for evaluation.
○ The adhesive for electronic parts was filled in the entire joining area.
X There was a portion where the adhesive for electronic components was not filled in the joining region.

(3)電子部品用接着剤のはみ出し(フィレット距離)
ガラスエポキシ基板−ベアシリコンチップ(チップ1)間について、接合領域からはみ出した電子部品用接着剤のはみ出し距離(フィレット距離)の最大値を測定することにより、下記の基準で評価した。
◎ はみ出し距離の最大値が1〜100μmであった。
○ はみ出し距離の最大値が101〜200μmであった。
△ はみ出し距離の最大値が201〜300μmであった。
× はみ出し距離の最大値が301μm以上であった、又は、接合領域全体に電子部品用接着剤が充填されておらず、はみ出し距離の最大値が0μmであった。
(3) Overflow of adhesive for electronic components (fillet distance)
By measuring the maximum value of the protruding distance (fillet distance) of the adhesive for electronic components protruding from the bonding region between the glass epoxy substrate and the bare silicon chip (chip 1), the evaluation was performed according to the following criteria.
A The maximum value of the protruding distance was 1 to 100 μm.
(Circle) the maximum value of the protrusion distance was 101-200 micrometers.
(Triangle | delta) The maximum value of the protrusion distance was 201-300 micrometers.
X The maximum value of the protruding distance was 301 μm or more, or the entire bonding area was not filled with the adhesive for electronic components, and the maximum value of the protruding distance was 0 μm.

(4)電子部品間距離のばらつき
得られた電子部品積層体について、サンプルを10個作製し、各電子部品積層体の積層状態を、レーザー変位計(KS−1100、KEYENCE社製)を用いて測定した。具体的には、ベアシリコンチップ(チップ1)とガラスエポキシ基板の上面との段差を測定し、測定値からチップ厚みを引くことで、ベアシリコンチップ(チップ1)とガラスエポキシ基板との間の電子部品間距離を求めた後、電子部品間距離のばらつきを3σ(μm)(σ=標準偏差)として算出した。
(4) Variation in distance between electronic components With respect to the obtained electronic component laminate, ten samples were produced, and the lamination state of each electronic component laminate was measured using a laser displacement meter (KS-1100, manufactured by KEYENCE). It was measured. Specifically, the step between the bare silicon chip (chip 1) and the upper surface of the glass epoxy substrate is measured, and the chip thickness is subtracted from the measured value, whereby the difference between the bare silicon chip (chip 1) and the glass epoxy substrate is obtained. After obtaining the distance between the electronic components, the variation in the distance between the electronic components was calculated as 3σ (μm) (σ = standard deviation).

(5)耐リフロー試験
得られた電子部品積層体を125℃で6時間乾燥し、続いて85℃、85%の湿潤条件で48時間処理した後、ハンダリフロー時と同様の260℃、30秒の条件で加熱処理を行った。そして、このような加熱処理を3回行った後の電子部品積層体について、層間剥離が発生しているか否かを観察した。層間剥離の観察は、超音波探査映像装置(mi−scope hyper II、日立建機ファインテック社製)を用いて行った。
層間剥離について下記の基準で評価することにより、電子部品積層体の耐リフロー性評価を行った。
○ 層間剥離がほとんど観察されなかった。
△ 層間剥離がわずかに観察された。
× 層間の目立った剥離が観察された。
(5) Reflow resistance test The obtained electronic component laminate was dried at 125 ° C. for 6 hours, then treated for 48 hours at 85 ° C. and 85% wet conditions, and then at 260 ° C. for 30 seconds as in the case of solder reflow. The heat treatment was performed under the conditions. And it was observed whether the delamination had generate | occur | produced about the electronic component laminated body after performing such heat processing 3 times. Observation of delamination was performed using an ultrasonic exploration imaging apparatus (mi-scope hyper II, manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.).
By evaluating the delamination according to the following criteria, the reflow resistance of the electronic component laminate was evaluated.
○ Almost no delamination was observed.
Δ Slight delamination was observed.
X Conspicuous peeling between layers was observed.

Figure 2011198953
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Figure 2011198953
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本発明によれば、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electronic component laminated body which can adjust the quantity of the adhesive for electronic components which protrudes from the joining area | region of a semiconductor chip or a wafer, and can obtain a highly accurate and reliable electronic component laminated body even if it reduces in size. The manufacturing method of can be provided.

1 基板、他の半導体チップ又は他のウエハ
2 半導体チップ又はウエハ
3 電子部品用接着剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate, other semiconductor chip or other wafer 2 Semiconductor chip or wafer 3 Adhesive for electronic parts

Claims (5)

半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、
基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程(1)と、
加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の60%以上100%未満とした後、押圧を解除するボンディング工程(2)と、
前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)と、
前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程(4)とを有し、
前記塗布工程(1)において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の40〜90%であり、
前記電子部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が20〜100Pa・sであり、E型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、0.5rpmにおける粘度が4〜25Pa・s、0.5rpmにおける粘度が5rpmにおける粘度の2〜4倍である
ことを特徴とする電子部品積層体の製造方法。
A method for producing an electronic component laminate in which a semiconductor chip or wafer is bonded to a substrate, another semiconductor chip or another wafer via an adhesive for electronic components,
An application step (1) of applying an electronic component adhesive to a substrate, another semiconductor chip or another wafer;
While heating and pressing, a semiconductor chip or wafer is stacked on the substrate, another semiconductor chip or another wafer through the applied electronic component adhesive, and the electronic component adhesive is spread and wetted. A bonding step (2) for releasing the pressure after setting the semiconductor chip or wafer bonding region to 60% or more and less than 100%,
Heating the electronic component adhesive to uniformly wet and spread the electronic component adhesive over the entire bonding region of the semiconductor chip or wafer; and
A curing step (4) for curing the adhesive for electronic components,
In the application step (1), the area where the adhesive for electronic components is applied is 40 to 90% of the bonding area of the semiconductor chip or wafer,
The adhesive for electronic parts has a viscosity of 20 to 100 Pa · s at 0.5 rpm when the viscosity is measured at 25 ° C. using an E-type viscometer, and at the bonding temperature using an E-type viscometer. A method for producing an electronic component laminate, wherein when measured for viscosity, the viscosity at 0.5 rpm is 4 to 25 Pa · s, and the viscosity at 0.5 rpm is 2 to 4 times the viscosity at 5 rpm.
電子部品用接着剤は、硬化性化合物及び硬化剤を含有する接着組成物と、CV値が10%以下のスペーサー粒子とを含有することを特徴とする請求項1記載の電子部品積層体の製造方法。 2. The electronic component laminate according to claim 1, wherein the electronic component adhesive contains an adhesive composition containing a curable compound and a curing agent, and spacer particles having a CV value of 10% or less. Method. 電子部品間距離が、スペーサー粒子の平均粒子径よりも5〜10μm長いことを特徴とする請求項2記載の電子部品積層体の製造方法。 The method for producing an electronic component laminate according to claim 2, wherein the distance between the electronic components is 5 to 10 μm longer than the average particle diameter of the spacer particles. 塗布工程(1)において、電子部品用接着剤の塗布形状が、クロス形状又はダブルクロス形状であり、前記クロス形状又はダブルクロス形状の対角線の長さが、半導体チップ又はウエハの接合領域の対角線の長さの70〜90%であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の電子部品積層体の製造方法。 In the application step (1), the application shape of the adhesive for electronic components is a cross shape or a double cross shape, and the length of the diagonal line of the cross shape or the double cross shape is the diagonal line of the bonding region of the semiconductor chip or the wafer. 4. The method for manufacturing an electronic component laminate according to claim 1, wherein the length is 70 to 90% of the length. ボンディング工程(2)において、押圧を0.005MPa以上、0.2MPa以下の圧力で行うことを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の電子部品積層体の製造方法。 5. The method of manufacturing an electronic component laminate according to claim 1, wherein the pressing is performed at a pressure of 0.005 MPa or more and 0.2 MPa or less in the bonding step (2).
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013047643A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 積水化成品工業株式会社 Spacer particle for resin composition layer and use thereof
WO2017155116A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 積水化学工業株式会社 Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor
JP2018031019A (en) * 2016-03-30 2018-03-01 積水化学工業株式会社 Adhesive for inductor, and inductor
WO2019230881A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 積水化学工業株式会社 Spacer particles, adhesive agent and adhesive structural body

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013047643A1 (en) * 2011-09-27 2013-04-04 積水化成品工業株式会社 Spacer particle for resin composition layer and use thereof
JP2018142709A (en) * 2016-03-10 2018-09-13 積水化学工業株式会社 Adhesive for mounting semiconductor and semiconductor sensor
JPWO2017155116A1 (en) * 2016-03-10 2018-03-15 積水化学工業株式会社 Adhesive for semiconductor mounting and semiconductor sensor
CN108139285A (en) * 2016-03-10 2018-06-08 积水化学工业株式会社 Semiconductor sensor chip installation binding agent and semiconductor transducer
CN108139286A (en) * 2016-03-10 2018-06-08 积水化学工业株式会社 Semiconductor installation binding agent and semiconductor transducer
WO2017155116A1 (en) * 2016-03-10 2017-09-14 積水化学工業株式会社 Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor
EP3428599A4 (en) * 2016-03-10 2019-09-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor
EP3428600A4 (en) * 2016-03-10 2019-09-25 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor sensor chip mounting, and semiconductor sensor
US10679925B2 (en) 2016-03-10 2020-06-09 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor
US10790217B2 (en) 2016-03-10 2020-09-29 Sekisui Chemical Co., Ltd. Adhesive for semiconductor sensor chip mounting, and semiconductor sensor
JP2018031019A (en) * 2016-03-30 2018-03-01 積水化学工業株式会社 Adhesive for inductor, and inductor
WO2019230881A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 積水化学工業株式会社 Spacer particles, adhesive agent and adhesive structural body
JPWO2019230881A1 (en) * 2018-05-31 2021-04-22 積水化学工業株式会社 Spacer particles, adhesives and adhesive structures
JP7316223B2 (en) 2018-05-31 2023-07-27 積水化学工業株式会社 Spacer particles, adhesives and adhesive structures

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