JP2011177782A - Laser beam machining method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば脆性材の切断加工などに好適なレーザ加工方法に関する。 The present invention relates to a laser processing method suitable for cutting a brittle material, for example.
一般に、焼成セラミックスシートなどのような脆性材の切断加工には、砥石による研削など力学的な方法で整形が行われている。しかしながら、焼成セラミックスシートなどは、焼結することにより内部に高い残留応力が発生していることから、特にその基板厚さが薄くなるほど、残留応力が高くなり、加工開始時のクラックの発生等が無いように加工することが困難であった。 In general, cutting of a brittle material such as a fired ceramic sheet is performed by a mechanical method such as grinding with a grindstone. However, since sintered ceramic sheets and the like generate high residual stress inside by sintering, the lower the substrate thickness, the higher the residual stress and the occurrence of cracks at the start of processing. It was difficult to process so that there was no.
また、所望の加工性状を得るために焼成セラミックスシートなどにレーザ光を照射することで、切断等の加工を施す方法も知られている。例えば、従来、特許文献1には、シート保持プレート上にセラミックグリーンシートを載置し、このセラミックグリーンシートにレーザを照射して穴加工または切断加工を行う方法であって、上記シート保持プレートはその表面に載置された物体を吸着保持する真空吸引手段を持ち、上記シート保持プレートとセラミックグリーンシートとの間には補助シートが介装されていると共に、セラミックグリーンシートの裏面にはキャリアフィルムが貼着され、上記レーザによってセラミックグリーンシートと共にキャリアフィルムも加工する方法が提案されている。
In addition, a method of performing processing such as cutting by irradiating a fired ceramic sheet or the like with laser light in order to obtain desired processing properties is also known. For example, conventionally,
また、特許文献2には、レーザ光を用いた半導体ウェハの切断加工に使用するレーザ加工用粘着シートとして、基材と、この基材の一方の面に設けられた粘着剤層とを有したものが記載されている。
これらレーザ加工では、加工対象物の裏面にフィルムを接着してダイシング時に加工物を支持している。
Moreover, in
In these laser processing, a film is bonded to the back surface of a workpiece to support the workpiece during dicing.
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、従来のレーザ光を照射し、繰り返し走査してスクライブ溝を入れて割断する方法を用いた場合でも、加工途中の熱影響や不純物の分散具合により、スクライブ中に予期せぬ方向へとクラックが発生し分割してしまうという問題があった。特に、レーザ光による加工熱が加工対象物に蓄熱してしまい、加工対象物の応力が変化して亀裂やクラック等を発生させてしまう不都合があった。
The following problems remain in the conventional technology.
In other words, even when using the conventional method of irradiating laser light, repeatedly scanning, inserting and scribing scribe grooves, cracks in unexpected directions during scribing due to thermal effects during processing and the dispersion of impurities Has occurred and has been divided. In particular, the processing heat generated by the laser light is stored in the processing object, and the stress of the processing object changes to cause a crack or a crack.
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高い残留応力を持つ脆性材の切断加工においても蓄熱を抑制して亀裂など生じさせることなく加工可能なレーザ加工方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a laser processing method that can be processed without causing cracks by suppressing heat storage even in cutting processing of a brittle material having high residual stress. And
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のレーザ加工方法は、加工対象物にレーザ光を照射して加工する方法であって、レーザ光をパルス発振して前記加工対象物に一定の繰り返し周波数で照射すると共に走査するレーザ照射工程を有し、前記加工対象物の加工面に樹脂フィルムを接着すると共に、前記加工対象物の加工面の反対面に金属フィルムを接着し、該金属フィルムを取り付け治具に密着させて該取り付け治具に前記加工対象物を固定し、前記樹脂フィルム上からレーザ光を前記加工面に照射することを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the laser processing method of the present invention is a method of processing by irradiating a processing target with a laser beam, wherein the laser beam oscillates and irradiates the processing target with a constant repetition frequency. An irradiation step, and a resin film is bonded to the processed surface of the processing object, a metal film is bonded to the opposite surface of the processing object, and the metal film is closely attached to a mounting jig The processing object is fixed to an attachment jig, and the processing surface is irradiated with laser light from the resin film.
このレーザ加工方法では、加工対象物の加工面に樹脂フィルムを接着すると共に、加工対象物の加工面の反対面に金属フィルムを接着し、樹脂フィルム上からレーザ光を加工面に照射するので、表面の樹脂フィルムにより入射されるレーザ光の中心以外の余剰なエネルギーが吸収されると共に、熱伝導性の高い裏面の金属フィルムを介して加工時の熱が取り付け治具に放熱されて、脆性材等の加工対象物への蓄熱を防ぐことができる。また、樹脂フィルムおよび金属フィルムによって加工中の加工対象物を両面で力学的に保持することができ、亀裂やクラック等の発生を抑制することができる。 In this laser processing method, a resin film is bonded to the processed surface of the processing object, a metal film is bonded to the opposite surface of the processing object, and the processing surface is irradiated with laser light from the resin film. Excess energy other than the center of the incident laser beam is absorbed by the resin film on the front surface, and heat during processing is dissipated to the mounting jig through the metal film on the back surface with high thermal conductivity, so that the brittle material It is possible to prevent heat storage on the processing object such as. In addition, the object to be processed can be mechanically held on both sides by the resin film and the metal film, and generation of cracks, cracks, and the like can be suppressed.
また、本発明のレーザ加工方法は、前記取り付け治具の内部に冷却液を流通させながら前記照射を行うことを特徴とする。
すなわち、このレーザ加工方法では、取り付け治具の内部に冷却液を流通させながら照射を行うので、流通する冷却液によりレーザ光による加工熱を裏面の金属フィルムから取り付け治具を介して吸熱して、さらに脆性材等の加工対象物への蓄熱を防ぐことができる。
Moreover, the laser processing method of the present invention is characterized in that the irradiation is performed while circulating a coolant in the mounting jig.
That is, in this laser processing method, irradiation is performed while circulating the cooling liquid inside the mounting jig, so that the processing heat by the laser light is absorbed from the metal film on the back via the mounting jig by the circulating cooling liquid. Furthermore, it is possible to prevent heat accumulation on a workpiece such as a brittle material.
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の加工面に樹脂フィルムを接着すると共に、加工面の反対面に金属フィルムを接着するので、表面の樹脂フィルムと裏面の金属フィルムとにより、レーザ光の余剰エネルギーの吸収と加工対象物への蓄熱防止とを図ることができると共に、加工対象物を両面で力学的に保持することができ、亀裂やクラック等の発生を抑制することができる。
したがって、高い残留応力を持つ脆性材等の切断加工においても亀裂やクラック等が生じず安定した加工を行うことができる。
The present invention has the following effects.
That is, according to the laser processing method according to the present invention, the resin film is bonded to the processed surface of the object to be processed, and the metal film is bonded to the opposite surface of the processed surface. As a result, it is possible to absorb the excess energy of the laser beam and prevent heat accumulation on the workpiece, and to dynamically hold the workpiece on both sides, thereby suppressing the occurrence of cracks, cracks, etc. Can do.
Therefore, even when cutting a brittle material having a high residual stress, a stable process can be performed without causing cracks or cracks.
以下、本発明に係るレーザ加工方法の一実施形態を、図1から図3を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能又は認識容易な大きさとするために縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, an embodiment of a laser processing method according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. In each drawing used for the following description, the scale is appropriately changed in order to make each member recognizable or easily recognizable.
本実施形態のレーザ加工方法に用いるレーザ加工装置1は、図1から図3に示すように、加工対象物Wにレーザ光Lを照射して加工する装置であって、レーザ光Lをパルス発振して加工対象物Wに一定の繰り返し周波数で照射すると共に走査するレーザ光照射機構2と、加工対象物Wを保持して移動可能な移動機構3と、該移動機構3上に設置され加工対象物Wを取り付けて固定する取り付け治具4と、該取り付け治具4の内部に冷却液5aを流通させる冷却機構5と、これらを制御する制御部6と、を備えている。
A
上記加工対象物Wは、例えばセラミックス焼結体の基板などの高い残留応力を持つ脆性材である。
なお、加工時には、図2に示すように、加工対象物Wの加工面(表面)に樹脂フィルム7を接着し、樹脂フィルム7上からレーザ光Lを加工面に照射する。また、加工対象物Wの加工面の反対面(裏面)には、金属フィルム8を接着し、該金属フィルム8を取り付け治具4に密着させて該取り付け治具4に加工対象物Wを固定して照射を行う。
The workpiece W is a brittle material having a high residual stress such as a ceramic sintered substrate.
At the time of processing, as shown in FIG. 2, the
上記樹脂フィルム7としては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニル等のプラスチックフィルム、ポリオレフィン等の紫外線透過フィルム等が採用可能である。
また、上記金属フィルム8としては、アルミニウム、銅、ステンレス(SUS)等のメタルテープが採用可能である。この金属フィルム8は、加工対象物Wにアクリルゴム、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂等を主成分とする粘着剤で接着される。
As the
The metal film 8 may be a metal tape such as aluminum, copper, stainless steel (SUS). The metal film 8 is bonded to the workpiece W with an adhesive mainly composed of acrylic rubber, urethane resin, silicone resin or the like.
なお、これらの樹脂フィルム7および金属フィルム8としては、熱膨張係数が加工対象物Wに同じ又は近く、加工時の熱膨張差が生じ難い低熱膨張率のフィルムを採用することが好ましい。例えば、加工対象物Wとして、熱膨張係数が8.8×10−6/Kのアルミナ(Al2O3)や、熱膨張係数が10.8×10−6/Kのランタンガレートを加工する場合、樹脂フィルム7としては、熱膨張係数が6〜10×10−6/Kの低熱膨張率特殊樹脂(例えば、低熱膨張ポリイミド)を採用する。また、この場合、金属フィルム8としては、熱膨張係数が13.6×10−6/KのSUS304が好ましい。
In addition, as these
上記移動機構3は、水平面に平行なX方向に移動可能なX軸ステージ部3xと、該X軸ステージ部3x上に設けられX方向に対して垂直なかつ水平面に平行なY方向に移動方向なY軸ステージ部3yと、該Y軸ステージ部3y上に設けられ取り付け治具4が固定されて加工対象物Wを保持可能であると共に水平面に対して垂直方向に移動可能なZ軸ステージ部3zと、で構成されている。
The
上記レーザ光照射機構2は、Qスイッチのトリガー信号によりレーザ光Lを発振すると共にスポット状に集光させる光学系も有するレーザ光源9と、照射するレーザ光Lを走査させるガルバノスキャナ10と、保持された加工対象物Wの加工位置を確認するために撮像するCCDカメラ11と、を備えている。
上記レーザ光源9は、190〜550nmのいずれかの波長のレーザ光Lを照射できるものが使用可能であり、例えば本実施形態では、波長355nmのレーザ光Lを発振して出射できるものを用いている。
The laser
As the laser light source 9, one that can irradiate a laser beam L having a wavelength of 190 to 550 nm can be used. For example, in the present embodiment, a laser beam that can oscillate and emit a laser beam L having a wavelength of 355 nm is used. Yes.
上記ガルバノスキャナ10は、移動機構3の直上に配置されている。また、上記CCDカメラ11は、ガルバノスキャナ10に隣接して設置されている。
上記冷却機構5は、取り付け治具4の内部に設けられた流通路5b内に冷却液5aとして例えば冷却水を流通させる構造を有しており、流通路5bには冷却液5aの供給源(図示略)が接続されている。
The
The
また、取り付け治具4は、加工対象物Wの取り付け面(上面)に複数の吸着孔4aが形成されており、これら吸着孔4aは治具内部に形成された空洞部4bを介して真空源(図示略)に接続されている。すなわち、取り付け面に載置された加工対象物Wを吸着孔4aにより真空吸着して保持可能になっている。このように、取り付け治具4は、水冷機能と真空吸着機能とを有する水冷吸着治具とされている。
In addition, the
上記レーザ光照射機構2は、繰り返し周波数をH、レーザ光Lのビーム径をa、レーザ光Lの同一加工線上への走査回数をn、パルスレーザ光Lの1照射あたりの移動距離Lをn/2×aとしたとき、レーザ光Lの走査速度SをL/(1/H)とすると共に、走査回数1回目のレーザ光Lの照射開始位置をL1として、走査回数n回目のレーザ光の照射開始位置Lnを、L1+(L/n)×(n−1)として走査毎に照射開始位置をずらして照射を行うように設定されている。
The laser
なお、このとき、レーザ光一発あたりの時間は1/Hとなる。また、走査回数nは、任意の数で亀裂等が発生しない数であって、走査速度Sが制御可能な範囲に設定される。
また、レーザ光照射機構2は、レーザ出力を加工対象物Wの加工閾値より僅かに高く設定している。
At this time, the time per one laser beam is 1 / H. The number of scans n is an arbitrary number that does not cause cracks and the like, and is set in a range in which the scan speed S can be controlled.
Further, the laser
詳述すれば、図3に示すように、走査回数を3回(n=3)とした場合、1回目の走査時に照射開始位置L1から走査を開始し、移動距離Lを空けて加工線上をレーザ光Lが設定した繰り返し周波数Hおよび走査速度Sで照射される。例えば、ビーム径aを20μm、繰り返し周波数Hを10kHzとした場合、走査速度Sは、300mm/secに設定される。この1回目の走査では、加工線上で間隔を空けて加工されているため、加工点の間で加工対象物Wが繋がっている。 More specifically, as shown in FIG. 3, when the number of scans is 3 (n = 3), the scan is started from the irradiation start position L1 at the first scan, and the movement distance L is left on the processing line. Laser light L is irradiated at a set repetition frequency H and scanning speed S. For example, when the beam diameter a is 20 μm and the repetition frequency H is 10 kHz, the scanning speed S is set to 300 mm / sec. In the first scanning, since the machining is performed with an interval on the machining line, the workpiece W is connected between the machining points.
次に、2回目の走査時では、レーザ光Lの照射開始位置をL1+(L/2)に設定して1回目の照射開始位置からずらして1回目と同一の加工線上を走査する。さらに、最後の3回目の走査時では、レーザ光Lの照射開始位置をL1+(L/3)×2に設定して1回目および2回目の照射開始位置からずらして1回目と同一の加工線上で走査を行う。この3回の走査によって、加工対象物Wが加工線上で完全に切断される。 Next, at the time of the second scanning, the irradiation start position of the laser beam L is set to L1 + (L / 2) and is shifted from the first irradiation starting position to scan on the same processing line as the first time. Further, at the time of the last third scanning, the irradiation start position of the laser beam L is set to L1 + (L / 3) × 2 and is shifted from the first and second irradiation start positions on the same processing line as the first time. Scan with. By the three scans, the workpiece W is completely cut on the machining line.
このように本実施形態では、加工対象物Wの加工面に樹脂フィルム7を接着すると共に、加工対象物Wの加工面の反対面に金属フィルム8を接着し、樹脂フィルム7上からレーザ光Lを加工面に照射するので、表面の樹脂フィルム7により入射されるレーザ光Lの中心以外の余剰なエネルギーが吸収されると共に、熱伝導性の高い裏面の金属フィルム8を介して加工時の熱が取り付け治具4に放熱されて、脆性材等の加工対象物Wへの蓄熱を防ぐことができる。また、樹脂フィルム7および金属フィルム8によって加工中の加工対象物Wを両面で力学的に保持することができ、亀裂やクラック等の発生を抑制することができる。
As described above, in the present embodiment, the
また、取り付け治具4の内部に冷却液5aを流通させながら照射を行うので、流通する冷却液5aにより加工熱を裏面の金属フィルム8から取り付け治具4を介して吸熱して、さらに脆性材等の加工対象物Wへの蓄熱を防ぐことができる。
Further, since the irradiation is performed while circulating the cooling liquid 5a inside the mounting
なお、レーザ光Lの走査速度SをL/(1/H)とすると共に、走査回数1回目のレーザ光Lの照射開始位置をL1として、走査回数n回目のレーザ光Lの照射開始位置Lnを、L1+(L/n)×(n−1)として走査毎に照射開始位置をずらして照射を行うので、加工対象物Wの応力が急激に変化することを抑制して亀裂などが生じることなく加工が可能になる。 Note that the scanning speed S of the laser beam L is L / (1 / H), the irradiation start position of the laser beam L with the first scanning count is L1, and the irradiation start position Ln of the laser beam L with the scanning count of n. , L1 + (L / n) × (n−1) is performed by shifting the irradiation start position for each scan, so that the stress of the workpiece W is prevented from changing suddenly and cracks and the like are generated. Processing becomes possible.
すなわち、加工対象物Wに対してパルスとして照射されたレーザ光Lのスポット間隔である上記移動距離Lを埋めるように、照射開始位置をずらしながら次々に同じ加工線上を走査して加工を重ねるため、1回の走査時においては加工点が間隔を空けて離れているので、走査途中では、加工対象物Wが間隔を空けて繋がった状態であって割れ難くなる。また、従来のようにレーザ光による加工点が連続的に重なるように走査される場合では、繋がった溝が延ばされるようにして切断加工されるために、急激な応力変化が生じてしまうのに対し、本実施形態では、1回の走査時において加工点が連続せず、急激な応力変化を抑制することができる。 That is, in order to overlap the processing by scanning the same processing line one after another while shifting the irradiation start position so as to fill the moving distance L that is the spot interval of the laser light L irradiated as a pulse to the workpiece W. Since the machining points are spaced apart during a single scan, the workpieces W are connected with a gap during the scan, and are difficult to break. In addition, when scanning is performed so that the processing points by the laser beam continuously overlap as in the conventional case, since the connected grooves are cut and extended, a sudden stress change occurs. On the other hand, in the present embodiment, the machining points are not continuous during one scan, and a rapid stress change can be suppressed.
次に、本発明に係るレーザ加工方法により実際に加工された際の実施例について具体的に説明する。
本実施例では、本実施形態のレーザ加工方法を用いて、加工対象物としてセラミックス焼結体(厚さ250μm)を波長355nmのレーザ光にて加工した。その際、セラミックス焼結体の表面に樹脂フィルムとしてポリイミド樹脂フィルム(厚さ0.1mm)をアクリル系接着剤にて接着し、裏面に金属フィルムとしてアルミニウムフィルム(厚さ0.05mm)をシリコーン系接着剤にて接着した。この状態の加工対象物を、取り付け治具上に吸着させた。
Next, an embodiment when actually processed by the laser processing method according to the present invention will be specifically described.
In this example, a ceramic sintered body (thickness: 250 μm) was processed as a processing target with a laser beam having a wavelength of 355 nm using the laser processing method of the present embodiment. At that time, a polyimide resin film (thickness: 0.1 mm) as a resin film was adhered to the surface of the ceramic sintered body with an acrylic adhesive, and an aluminum film (thickness: 0.05 mm) as a metal film was adhered to the back side as a silicone film. Bonded with an adhesive. The workpiece in this state was adsorbed on the mounting jig.
レーザ光の出力を1.3W、繰り返し周波数Hを125kHzに設定し、ビームスポットを測定した結果、ビーム径は20μmであることから、ガルバノスキャナにて走査速度Sを3750mm/secに設定して走査回数3回で加工を行った。
この結果、クラックの無い良好な切断面を得ることができた。
The laser beam output was set to 1.3 W, the repetition frequency H was set to 125 kHz, and the beam spot was measured. As a result, the beam diameter was 20 μm, so the galvano scanner was used to set the scanning speed S to 3750 mm / sec. Processing was performed three times.
As a result, a good cut surface without cracks could be obtained.
本発明のレーザ加工方法は、特に高い残留応力を持つ脆性材の切断加工において好適なものである。 The laser processing method of the present invention is particularly suitable for cutting a brittle material having a high residual stress.
1…レーザ加工装置、2…レーザ光照射機構、4…取り付け治具、5…冷却機構、5a…冷却液、7…樹脂フィルム、8…金属フィルム、L…レーザ光、W…加工対象物
DESCRIPTION OF
Claims (2)
レーザ光をパルス発振して前記加工対象物に一定の繰り返し周波数で照射すると共に走査するレーザ照射工程を有し、
前記加工対象物の加工面に樹脂フィルムを接着すると共に、前記加工対象物の加工面の反対面に金属フィルムを接着し、
該金属フィルムを取り付け治具に密着させて該取り付け治具に前記加工対象物を固定し、前記樹脂フィルム上からレーザ光を前記加工面に照射することを特徴とするレーザ加工方法。 A method of processing by irradiating a processing object with laser light,
A laser irradiation step of oscillating and irradiating the workpiece with a constant repetition frequency by oscillating a laser beam;
While adhering a resin film to the processed surface of the object to be processed, and adhering a metal film to the opposite surface of the processed surface of the object to be processed,
A laser processing method, wherein the metal film is brought into close contact with a mounting jig, the object to be processed is fixed to the mounting jig, and the processing surface is irradiated with laser light from the resin film.
前記取り付け治具の内部に冷却液を流通させながら前記照射を行うことを特徴とするレーザ加工方法。 The laser processing method according to claim 1,
A laser processing method, wherein the irradiation is performed while circulating a coolant in the mounting jig.
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Publications (1)
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---|---|
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CN (1) | CN102189344A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046375A (en) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | ミネベア株式会社 | Planar lighting device and manufacturing method of light guide plate |
JP2015204367A (en) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社ディスコ | Processing method of optical device wafer |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102500896B (en) * | 2011-10-25 | 2015-01-07 | 碳元科技股份有限公司 | Method and system for thermal cutting of graphene layer |
JP5920662B2 (en) * | 2012-06-05 | 2016-05-18 | 三菱マテリアル株式会社 | Laser processing apparatus and laser processing method |
CN106769324A (en) * | 2017-01-13 | 2017-05-31 | 正新橡胶(中国)有限公司 | A kind of detection method of tire supporting material nonwoven fabric from filaments |
CN110860799A (en) * | 2018-08-07 | 2020-03-06 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Laser cutting method and laser cutting system |
CN114054957A (en) * | 2021-07-06 | 2022-02-18 | 武汉帝尔激光科技股份有限公司 | Laser welding method and system for dissimilar metal films |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002144058A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-21 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | Method and device for laser beam machining |
JP2005279757A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nitto Denko Corp | Production method for laser processed article and laser processing protection sheet |
JP2007301631A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Shibaura Mechatronics Corp | Cleaving apparatus and cleaving method |
JP2008100412A (en) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Murata Mfg Co Ltd | Laser cutting method |
JP2008114239A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser beam machining apparatus |
JP2008200694A (en) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for machining wafer, and laser beam machining apparatus |
JP2008229682A (en) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Epson Toyocom Corp | Manufacturing method of package component |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007033242A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Method and device for separating a plane plate made of brittle material into several individual plates by means of laser |
TWI409122B (en) * | 2007-07-13 | 2013-09-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | A method for processing a brittle material substrate and a crack forming apparatus for the method |
-
2010
- 2010-03-04 JP JP2010047395A patent/JP2011177782A/en active Pending
-
2011
- 2011-01-28 CN CN2011100355679A patent/CN102189344A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002144058A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-21 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | Method and device for laser beam machining |
JP2005279757A (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nitto Denko Corp | Production method for laser processed article and laser processing protection sheet |
JP2007301631A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Shibaura Mechatronics Corp | Cleaving apparatus and cleaving method |
JP2008100412A (en) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Murata Mfg Co Ltd | Laser cutting method |
JP2008114239A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser beam machining apparatus |
JP2008200694A (en) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for machining wafer, and laser beam machining apparatus |
JP2008229682A (en) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Epson Toyocom Corp | Manufacturing method of package component |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015046375A (en) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | ミネベア株式会社 | Planar lighting device and manufacturing method of light guide plate |
JP2015204367A (en) * | 2014-04-14 | 2015-11-16 | 株式会社ディスコ | Processing method of optical device wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102189344A (en) | 2011-09-21 |
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