JP2011174849A

JP2011174849A - 磁気センサ装置および電流センサ装置

Info

Publication number: JP2011174849A
Application number: JP2010039964A
Authority: JP
Inventors: Satoru Iwasaki; 悟岩崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2010-02-25
Filing date: 2010-02-25
Publication date: 2011-09-08

Abstract

【課題】Ｑ値の低い磁界検出用コイルを使用可能な磁気センサ装置および電流センサ装置を提供する。
【解決手段】磁性体コア11と、コイル21，可変容量キャパシタ22および抵抗素子23，24を有する定抵抗回路部20と、電源回路部30と、測定用回路部40と、可変電圧回路部50と、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったか否かを判定する判定回路部60と、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されたときに、コイル21を貫く磁界の大きさを算出する磁界算出回路部80とを備える磁気センサ装置とする。コイル21を定抵抗回路のインダクタとして利用しているため、Ｑ値の低いコイル21を使用可能な高精度の磁気センサ装置を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ｑ値の低い磁界検出用コイルを使用可能な磁気センサ装置および電流センサ装置に関するものである。

磁界検出用コイルをインダクタとして用いてＬＣ発振回路を構成し、磁界検出用コイルのインダクタンスの変化を発振周波数の変化として捉える磁気センサ装置が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。

特開平６−331754号公報

しかしながら、特許文献１にて提案された磁気センサ装置は、ＬＣ発振回路の発振周波数の変化を利用するものであるため、精度を高めるためには、磁界検出用コイルとキャパシタとで構成するＬＣ共振回路のＱ値を高くする必要があった。ＬＣ共振回路のＱ値を高くするためには磁界検出用コイルのＱ値も高くする必要があるが、磁界検出用コイルのＱ値を高くすることは困難であった。

本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、Ｑ値の低い磁界検出用コイルを使用可能な高精度の磁気センサ装置および電流センサ装置を提供することにある。

本発明の磁気センサ装置は、コイル，可変容量キャパシタおよび抵抗素子を少なくとも有する定抵抗回路部と、少なくとも一部が前記コイルの内側に位置するように配置された強磁性体である磁性体コアと、少なくとも交流電源を有し、前記定抵抗回路部に接続されて該定抵抗回路部とともに測定用回路部を構成する電源回路部と、前記測定用回路部に接続されており、該測定用回路部の所定の箇所における電圧または電流の測定値と予め設定された基準値とを比較して、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったか否かを判定する判定回路部と、該判定回路部および前記可変容量キャパシタに接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になっていないと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加する電圧を変化させることによって前記可変容量キャパシタの容量値を変化させる可変電圧回路部と、前記可変電圧回路部および前記判定回路部に接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加されている電圧に基づいて前記コイルを貫く磁界の大きさを算出する磁界算出回路部とを備えることを特徴とするものである。このような構成を備える磁気センサ装置によれば、コイルを定抵抗回路のインダクタとして利用しているため、コイルのＱ値の低さが問題にならないので、Ｑ値の低いコイルを使用可能な高精度の磁気センサ装置を得ることができる。

また、本発明の電流センサ装置は、コイル，可変容量キャパシタおよび抵抗素子を少なくとも有する定抵抗回路部と、前記コイルを貫く環状に形成された強磁性体であり、環の内側を通過するように導電路が配置される磁性体リングと、前記可変容量キャパシタに接続されており、前記可変容量キャパシタに印加する電圧を変化させることによって前記可変容量キャパシタの容量値を変化させる可変電圧回路部と、前記測定用回路部に接続され
ており、該測定用回路部の所定の箇所における電圧または電流の測定値と予め設定された基準値とを比較して、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったか否かを判定する判定回路部と、該判定回路部および前記可変容量キャパシタに接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になっていないと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加する電圧を変化させることによって前記可変容量キャパシタの容量値を変化させる可変電圧回路部と、前記可変電圧回路部および前記判定回路部に接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加されている電圧に基づいて前記導電路を流れる電流の大きさを算出する電流算出回路部とを備えることを特徴とするものである。このような構成を備える電流センサ装置によれば、コイルを定抵抗回路のインダクタとして利用しているため、コイルのＱ値の低さが問題にならないので、Ｑ値の低いコイルを使用可能な高精度の電流センサ装置を得ることができる。

上述した構成を備える本発明の磁気センサ装置および本発明の電流センサ装置によれば、Ｑ値の低いコイルを使用可能な高精度の磁気センサ装置および電流センサ装置を得ることができる。

本発明の実施の形態の第１の例の磁気センサ装置を模式的に示すブロック図である。図１に示す磁気センサ装置における磁界を検出する手順を模式的に示すフローチャートである。強磁性体における透磁率と磁界との関係を模式的に示すグラフである。本発明の実施の形態の第２の例の電流センサ装置を模式的に示すブロック図である。図４に示す電流センサ装置における電流を検出する手順を模式的に示すフローチャートである。

以下、本発明の磁気センサ装置および電流センサ装置を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

（実施の形態の第１の例）
図１は、本発明の実施の形態の第１の例の磁気センサ装置を模式的に示すブロック図である。本例の磁気センサ装置は、図１に示すように、測定用回路部40と、可変電圧回路部50と、判定回路部60と、磁界算出回路部80とを備えている。また、測定用回路部40は、定抵抗回路部20および電源回路部30で構成されている。

定抵抗回路部20は、コイル21，可変容量キャパシタ22および抵抗素子23，24を有しており、抵抗素子23，24の抵抗値は等しく設定されている。また、コイル21には、少なくとも一部がコイル21の内側に位置するように配置された強磁性体である磁性体コア11が挿入されている。つまり、磁性体コア11の一部分にコイル21が巻き付けられている。また、コイル21と抵抗素子23とは互いに直列に接続されており、可変容量キャパシタ22と抵抗素子24とは互いに直列に接続されている。そして、コイル21および抵抗素子23と、可変容量キャパシタ22および抵抗素子24とが並列に接続されて定抵抗回路部20が構成されている。

このような構成を備える定抵抗回路部20においては、定抵抗回路部20のインピーダンスをＺ，コイル21のインダクタンスをＬ，可変容量キャパシタ22の容量値（キャパシタンス）をＣ，抵抗素子23，24の抵抗値をＲとすると、Ｌ／Ｃ＝Ｒ^２の条件を満たすときに、Ｚ＝Ｒとなり、定抵抗回路部20は定抵抗回路となる。

電源回路部30は、交流電源としての交流電圧源31およびそれに直列に接続された抵抗素子32からなり、その両端がそれぞれ定抵抗回路部20の両端に接続されている。すなわち、定抵抗回路部20，抵抗素子32および交流電圧源31が直列に接続されている。このようにして、定抵抗回路部20およびそれに接続された電源回路部30によって測定用回路部40が構成されている。なお、抵抗素子32の抵抗値は抵抗素子23，24と同じ値に設定されている。

判定回路部60は、ＡＤ変換回路61および演算回路62からなる。ＡＤ変換回路61は、抵抗素子32の両端に接続されており、抵抗素子32の両端の電圧をデジタル信号に変換して演算回路62に出力する。演算回路62は、ＡＤ変換回路61から得た抵抗素子32の両端の電圧の測定値と、メモリに蓄積してある抵抗素子32の両端の電圧の基準値（定抵抗回路部20が定抵抗回路になったときの抵抗素子32の両端の電圧）とを比較して、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったか否かを判定する。このように、判定回路部60は、測定用回路部40に接続されており、測定用回路部40の所定の箇所における電圧または電流の測定値と予め設定された基準値とを比較して、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったか否かを判定する。

可変電圧回路部50は、可変容量キャパシタ22および判定回路部60の演算回路62に接続されており、定抵抗回路部20が定抵抗回路になっていないと判定されたときに、可変容量キャパシタ22に印加する電圧を変化させることによって可変容量キャパシタ22の容量値を変化させる。

磁界算出回路部80は、演算回路82およびＡＤ変換回路81からなる。ＡＤ変換回路81は、可変電圧回路部50に接続されており、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧をデジタル信号に変換して演算回路82に出力する。演算回路82は、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されたときに、ＡＤ変換回路81から得た可変容量キャパシタ22に印加されている電圧に基づいてコイル21を貫く磁界の大きさを算出する。このように、磁界算出回路部80は、可変電圧回路部50および判定回路部60に接続されており、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されたときに、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧に基づいてコイル21を貫く磁界の大きさを算出する。

次に、このような構成を備える本例の磁気センサ装置の動作について、図２を用いて説明する。図２は、図１に示す磁気センサ装置における磁界を検出する手順を模式的に示す図である。

磁界が検出される手順を以下に示す。
（１）演算回路62からの制御信号に基づいて、可変電圧回路部50において可変容量キャパシタ22に印加する電圧を初期値に設定する。これによって、可変容量キャパシタ22の容量値が初期値に設定される。
（２）この状態において、測定用回路部40の抵抗素子32の両端の電圧を測定する。抵抗素子32の両端の電圧の測定値は、判定回路部60において、ＡＤ変換回路61によってデジタル変換されて演算回路62に出力される。演算回路62は、ＡＤ変換回路61から出力された抵抗素子32の両端の電圧の測定値Ｖ１と、基準値として演算回路62内のメモリに蓄積されている、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったときの抵抗素子32の両端の電圧Ｖ２とを比較する。なお、本例の磁気センサ装置においては、計算を容易にするために抵抗素子23，24，32の抵抗値は全て等しい値Ｒに設定されているので、定抵抗回路部20が定抵抗回路となって、そのインピーダンスＺがＺ＝Ｒとなると、抵抗素子32の両端の電圧は交流電圧源31の電圧の１／２の値になる。よって、基準値としてメモリに蓄積されている、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったときの抵抗素子32の両端の電圧Ｖ２の値は、交流電圧源31の電圧をＶ３とすると、Ｖ２＝Ｖ３／２となる。
（３）Ｖ１＝Ｖ２が成立しない場合、演算回路62からの制御信号に基づいて、可変電圧回
路部50において可変容量キャパシタ22に印加する電圧を変更する。
（４）Ｖ１＝Ｖ２が成立するまで上記（２）および（３）を繰り返す。
（５）Ｖ１＝Ｖ２が成立して、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されると、その結果が判定回路部60の演算回路62から磁界算出回路部80の演算回路82に伝達される。また、そのときに可変電圧回路部50から可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値がＡＤ変換回路81によってデジタル変換されて演算回路82に出力される。演算回路82は、ＡＤ変換回路81から出力された、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値に基づいて、コイル21を貫く磁界Ｈの大きさを算出する。

次に、演算回路82において、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値に基づいて、コイル21を貫く磁界Ｈの大きさを算出する方法について以下に説明する。
（１）ＡＤ変換回路81から出力された、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値と、演算回路82内のメモリに蓄積されている、可変容量キャパシタ22における印加される電圧と容量値との対応データとを用いて、可変容量キャパシタ22の容量値を算出する。
（２）定抵抗回路部20が定抵抗回路となっているため、コイル21のインダクタンスをＬ，可変容量キャパシタ22の容量値をＣ，抵抗素子23，24の抵抗値をＲとすると、定抵抗回路の成立条件である、Ｌ／Ｃ＝Ｒ^２の関係が成立する。よってＬ＝Ｒ^２Ｃとなり、コイル21のインダクタンスＬが算出される。
（３）磁性体コア11の透磁率をμ，コイル21の断面積（磁性体コア11の断面積に一致）をＳ，コイル21の長さをＡ，コイル21の巻き数をｎとすると、コイル21のインダクタンスは、Ｌ＝μｎ^２Ｓ／Ａとなる。よって、μ＝ＬＡ／（ｎ^２Ｓ）となり、磁性体コア11の透磁率をμが算出される。
（４）図３は、強磁性体における透磁率と磁界との関係を模式的に示すグラフである。グラフにおいて、横軸は強磁性体に加えられる磁界を示しており、縦軸は強磁性体の透磁率を示している。強磁性体に加えられる磁界と強磁性体の透磁率μとの間には、図３に示すような関係があり、磁界の強さが０からＨ２の間においては、磁界の強さに対応して透磁率がμ０からμ２まで変化する。よって、ＡＤ変換回路81内に保存された、磁性体コア11における磁界Ｈと透磁率μとの関係を示すデータに基づいて、磁性体コア11とともにコイル21を貫く磁界Ｈの大きさを算出する。
このようにして、本例の磁気センサ装置によれば、コイル21を貫く磁界Ｈの大きさを算出することができる。

上述したような構成を備える本例の磁気センサ装置によれば、コイル21を定抵抗回路のインダクタとして利用しているため、コイル21のＱ値の低さが問題にならないので、Ｑ値の低いコイル21を使用可能な高精度の磁気センサ装置を得ることができる。

また、本例の磁気センサ装置によれば、コイル21のインダクタンスの変化を利用しているため、静磁場を検出可能な磁気センサ装置を得ることができる。

（実施の形態の第２の例）
図４は、本発明の実施の形態の第２の例の電流センサ装置を模式的に示すブロック図である。本例の電流センサ装置は、図４に示すように、測定用回路部40と、可変電圧回路部50と、判定回路部60と、電流算出回路部90とを備えている。また、測定用回路部40は、定抵抗回路部20および電源回路部30で構成されている。

定抵抗回路部20は、コイル21，可変容量キャパシタ22および抵抗素子23，24を有しており、抵抗素子23，24の抵抗値は等しく設定されている。また、本例の電流センサ装置は、コイル21を貫く環状に形成された強磁性体である磁性体リング12を備えている。つまり、磁性体リング12の一部分にコイル21が巻き付けられている。また、磁性体リング12の環の内側を通過するように、被測定電流が流れる導電路13が配置される。また、コイル21と抵
抗素子24とは互いに並列に接続されており、可変容量キャパシタ22と抵抗素子23とは互いに並列に接続されている。そして、コイル21および抵抗素子24と、可変容量キャパシタ22および抵抗素子23とが直列に接続されて定抵抗回路部20が構成されている。

電源回路部30は、交流電源として交流電流源33を有しており、その両端がそれぞれ定抵抗回路部20の両端に接続されている。すなわち、定抵抗回路部20および交流電流源33が直列に接続されている。このようにして、定抵抗回路部20およびそれに接続された電源回路部30によって測定用回路部40が構成されている。

判定回路部60は、ＡＤ変換回路61および演算回路62からなる。ＡＤ変換回路61は、定抵抗回路部20の両端に接続されており、定抵抗回路部20の両端の電圧をデジタル信号に変換して演算回路62に出力する。演算回路62は、ＡＤ変換回路61から得た定抵抗回路部20の両端の電圧の測定値と、メモリに蓄積してある定抵抗回路部20の両端の電圧の基準値（定抵抗回路部20が定抵抗回路になったときの定抵抗回路部20の両端の電圧）とを比較して、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったか否かを判定する。

電流算出回路部90は、ＡＤ変換回路81および演算回路91からなる。ＡＤ変換回路81は、可変電圧回路部50に接続されており、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧をデジタル信号に変換して演算回路91に出力する。演算回路91は、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されたときに、ＡＤ変換回路81から得た可変容量キャパシタ22に印加されている電圧に基づいて導電路13を流れる電流の大きさを算出する。このように、電流算出回路部90は、可変電圧回路部50および判定回路部60に接続されており、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されたときに、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧に基づいて導電路13を流れる電流の大きさを算出する。

次に、このような構成を備える本例の電流センサ装置の動作について、図５を用いて説明する。図５は、図４に示す電流センサ装置における電流を検出する手順を模式的に示す図である。

電流が検出される手順を以下に示す。
（１）演算回路62からの制御信号に基づいて、可変電圧回路部50において可変容量キャパシタ22に印加する電圧を初期値に設定する。これによって、可変容量キャパシタ22の容量値が初期値に設定される。
（２）この状態において、測定用回路部40の定抵抗回路部20の両端の電圧を測定する。定抵抗回路部20の両端の電圧の測定値は、判定回路部60において、ＡＤ変換回路61によってデジタル変換されて演算回路62に出力される。演算回路62は、ＡＤ変換回路61から出力された定抵抗回路部20の両端の電圧の測定値Ｖ１と、基準値として演算回路62内のメモリに蓄積されている、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったときの定抵抗回路部20の両端の電圧Ｖ２とを比較する。なお、本例の電流センサ装置においては、抵抗素子23，24の抵抗値はＲに設定されているので、定抵抗回路部20が定抵抗回路になると、そのインピーダンス
Ｚは、Ｚ＝Ｒとなる。そのときの定抵抗回路部20の両端の電圧は、交流電流源33の電流値をＩとすると、ＩＲになる。よって、基準値としてメモリに蓄積されている、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったときの定抵抗回路部20の両端の電圧Ｖ２の値は、交流電流源33の電流をＩとすると、Ｖ２＝ＩＲとなる。
（３）Ｖ１＝Ｖ２が成立しない場合、演算回路62からの制御信号に基づいて、可変電圧回路部50において可変容量キャパシタ22に印加する電圧を変更する。
（４）Ｖ１＝Ｖ２が成立するまで上記（２）および（３）を繰り返す。
（５）Ｖ１＝Ｖ２が成立して、定抵抗回路部20が定抵抗回路になったと判定されると、その結果が判定回路部60の演算回路62から電流算出回路部90の演算回路91に伝達される。また、そのときに可変電圧回路部50から可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値がＡＤ変換回路81によってデジタル変換されて演算回路91に出力される。演算回路91は、ＡＤ変換回路81から出力された、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値に基づいて、導電路13を流れる電流の大きさを算出する。

次に、演算回路91において、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値に基づいて、導電路13を流れる電流の大きさを算出する方法について以下に説明する。
（１）ＡＤ変換回路81から出力された、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値と、演算回路91内のメモリに蓄積されている、可変容量キャパシタ22における印加される電圧と容量値との対応データとを用いて、可変容量キャパシタ22の容量値を算出する。
（２）定抵抗回路部20が定抵抗回路となっているため、コイル21のインダクタンスをＬ，可変容量キャパシタ22の容量値をＣ，抵抗素子23，24の抵抗値をＲとすると、定抵抗回路の成立条件である、Ｌ／Ｃ＝Ｒ^２の関係が成立する。よってＬ＝Ｒ^２Ｃとなり、コイル21のインダクタンスＬが算出される。
（３）磁性体リング12の透磁率をμ，コイル21の断面積（磁性体リング12の断面積に一致）をＳ，コイル21の長さをＡ，コイル21の巻き数をｎとすると、コイル21のインダクタンスは、Ｌ＝μｎ^２Ｓ／Ａとなる。よって、μ＝ＬＡ／（ｎ^２Ｓ）となり、磁性体リング12の透磁率μが算出される。
（４）強磁性体に加えられる磁界と強磁性体の透磁率との間には、図３に示すような関係があり、磁界の強さが０からＨ２の間においては、磁界の強さに対応して透磁率がμ０からμ２まで変化する。よって、演算回路91内のメモリに保存された、磁性体リング12における磁界Ｈと透磁率μとの関係を示すデータに基づいて、磁性体リング12とともにコイル21を貫く磁界Ｈの大きさを算出する。
（５）導電路13を流れる電流ｉとコイル21を貫く磁界Ｈとの間には、磁性体リング12の半径をｒとすると、Ｈ＝ｉ／（２πｒ）の関係が成立する。よって、ｉ＝２πｒＨとなり、導電路13を流れる電流ｉの大きさを算出できる。
このようにして、本例の電流センサ装置によれば、導電路13を流れる電流ｉの大きさを算出することができる。

上述したような構成を備える本例の電流センサ装置によれば、コイル21を定抵抗回路のインダクタとして利用しているため、コイル21のＱ値の低さが問題にならないので、Ｑ値の低いコイル21を使用可能な高精度の電流センサ装置を得ることができる。

また、本例の電流センサ装置によれば、コイル21のインダクタンスの変化を利用しているため、定常電流を検出可能な電流センサ装置を得ることができる。

（変形例）
本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良が可能である。

上述した実施の形態の例においては、コイル21と、可変容量キャパシタ22と、抵抗素子
23，24とを用いて構成した定抵抗回路部20を用いた例を示したが、定抵抗回路として機能する他の構成の定抵抗回路部20を用いるようにしても構わない。

また、上述した実施の形態の例においては、定抵抗回路部20の両端の電圧または抵抗素子32の両端の電圧を測定する例を示したが、測定用回路部40の他の箇所の電圧を測定するようにしても良く、また、電流を測定するようにしても構わない。

さらに、上述した実施の形態の例においては、演算回路62，82，91内にそれぞれメモリを有する例を示したが、１つのメモリに全てのデータが蓄積されており、演算回路62，82，91がそのメモリにそれぞれアクセスするようにしても構わない。また、演算回路62，82，91の全ての機能を１つの演算回路が有するようにしても構わない。

またさらに、上述した実施の形態の例においては、可変電圧回路部50と、判定回路部60と、磁界算出回路部80または電流算出回路部90とが直接接続されて信号をやりとりする場合を示したが、これに限定されるものではない。例えば、全体の制御を行う制御回路部を設けて、可変電圧回路部50と、判定回路部60と、磁界算出回路部80または電流算出回路部90とが制御回路部を介して接続されて、制御回路部を介して信号をやりとりするようにしても構わない。

さらにまた、上述した実施の形態の例においては、可変容量キャパシタ22に印加されている電圧の値に基づいて、可変容量キャパシタ22の容量値，コイル21のインダクタンスＬ，磁性体リング12（磁性体コア11）の透磁率μ，コイル21を貫く磁界Ｈの大きさ，導電路13を流れる電流ｉの大きさを順次算出する例を示したが、これに限定されるものではなく、途中段階を省略することが可能である。例えば、コイル21を貫く磁界を変化させたときのコイル21のインダクタンスの変化を測定してそのデータを保存しておけば、コイル21のインダクタンスからコイル21を貫く磁界の大きさを直接的に得ることができる。

11：磁性体コア
12：磁性体リング
13：導電路
20：定抵抗回路部
21：コイル
22：可変容量キャパシタ
23，24，32：抵抗素子
30：電源回路部
40：測定用回路部
50：可変電圧回路部
60：判定回路部
80：磁界算出回路部
90：電流算出回路部

Claims

コイル，可変容量キャパシタおよび抵抗素子を少なくとも有する定抵抗回路部と、
少なくとも一部が前記コイルの内側に位置するように配置された強磁性体である磁性体コアと、
少なくとも交流電源を有し、前記定抵抗回路部に接続されて該定抵抗回路部とともに測定用回路部を構成する電源回路部と、
前記測定用回路部に接続されており、該測定用回路部の所定の箇所における電圧または電流の測定値と予め設定された基準値とを比較して、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったか否かを判定する判定回路部と、
該判定回路部および前記可変容量キャパシタに接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になっていないと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加する電圧を変化させることによって前記可変容量キャパシタの容量値を変化させる可変電圧回路部と、前記可変電圧回路部および前記判定回路部に接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加されている電圧に基づいて前記コイルを貫く磁界の大きさを算出する磁界算出回路部とを備えることを特徴とする磁気センサ装置。
コイル，可変容量キャパシタおよび抵抗素子を少なくとも有する定抵抗回路部と、
前記コイルを貫く環状に形成された強磁性体であり、環の内側を通過するように導電路が配置される磁性体リングと、
少なくとも交流電源を有し、前記定抵抗回路部に接続されて該定抵抗回路部とともに測定用回路部を構成する電源回路部と、
前記測定用回路部に接続されており、該測定用回路部の所定の箇所における電圧または電流の測定値と予め設定された基準値とを比較して、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったか否かを判定する判定回路部と、
該判定回路部および前記可変容量キャパシタに接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になっていないと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加する電圧を変化させることによって前記可変容量キャパシタの容量値を変化させる可変電圧回路部と、前記可変電圧回路部および前記判定回路部に接続されており、前記定抵抗回路部が定抵抗回路になったと判定されたときに、前記可変容量キャパシタに印加されている電圧に基づいて前記導電路を流れる電流の大きさを算出する電流算出回路部とを備えることを特徴とする電流センサ装置。