JP2011174165A - Method for refining aluminum scrap - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、特にアルミニウム(以下、「Al」と称す)スクラップから不純物元素としてのシリコン(以下、「Si」と称す)を高い割合で除去し、かつ、Al晶出物の回収率が高いAlスクラップの精製方法に関するものである。ここで、本願発明におけるAlスクラップとは、金属製品の廃棄物および金属製品の製造工程で生じる廃金属を意味し、市中屑や切削屑のほか、鋳造工程で出てくる鋳流れや再生塊を溶かしたものも含む。 In particular, the present invention removes silicon (hereinafter referred to as “Si”) as an impurity element from aluminum (hereinafter referred to as “Al”) scrap at a high rate, and Al has a high recovery rate of Al crystallization products. The present invention relates to a scrap refining method. Here, Al scrap in the present invention means metal product waste and waste metal produced in the manufacturing process of metal products, in addition to city scraps and cutting scraps, casting flows and recycled ingots that appear in the casting process Including those melted.
中長期的には、クラッド材などの生産量が増加し、それに伴う屑の量が増加していくと予測されている。しかし、クラッド材は、組成の異なる数種類のAl合金を重ねて作成するため、上記屑から製品への単純なリサイクルは困難である。そこで、上記屑(Alスクラップ)を精製し、不純物元素が取り除かれた再利用可能なAl材を作成し、原料の安定供給や原料費削減につなげることができる技術が望まれている。 In the medium to long term, it is predicted that the production volume of clad materials and the like will increase, and the amount of scrap associated therewith will increase. However, since the clad material is made by stacking several kinds of Al alloys having different compositions, it is difficult to simply recycle the scrap to the product. Therefore, a technique is desired that refines the scrap (Al scrap), creates a reusable Al material from which impurity elements are removed, and can lead to stable supply of raw materials and reduction of raw material costs.
これまでにも、下記のようないくつかの関連技術が提案されている。 Some related technologies have been proposed so far.
例えば、特許文献1には、容器にSiを0.5〜10wt%含むAl合金スクラップ溶湯を収容し、溶湯の液相線以下でかつ固相線以上の温度まで溶湯のほぼ全域を20℃/min以下の速度で冷却させてAl晶出物を発生させ、次いで容器の上部から押し固め板を下降させて、Al晶出物の集積体と濃化液相とを形成し、次いで押し固め板の下部面に対し2〜15MPaの圧力に相当する荷重を押し固め板に付与することで押し固めたAl晶出物を残りの液相部分から分離して回収するAlスクラップの精製方法が開示されている。また、回収されたAl晶出物および/または残りの液相部分を、他の原料Al溶湯と混合することを特徴とするAlスクラップの再利用方法も開示されている。 For example, in Patent Document 1, an Al alloy scrap molten metal containing 0.5 to 10 wt% of Si is contained in a container, and almost the entire area of the molten metal is 20 ° C./temperature up to a temperature below the liquidus of the molten metal and above the solidus. It is cooled at a rate of less than min to generate Al crystallized material, and then the compacted plate is lowered from the upper part of the container to form an aggregate of Al crystallized product and a concentrated liquid phase, and then the compacted plate A method for refining Al scrap is disclosed, in which a load corresponding to a pressure of 2 to 15 MPa is applied to the compaction plate to separate and recover the compacted Al crystallized product from the remaining liquid phase portion. ing. Also disclosed is a method of reusing Al scrap, characterized in that the recovered Al crystallized product and / or the remaining liquid phase part is mixed with other raw material Al molten metal.
また、特許文献2には、精製しようとする金属溶湯を冷却して初晶粒子を発生させ、初晶粒子を含む固相率0.3未満の金属溶湯を得る工程と、この初晶粒子を含む固相率0.3未満の金属溶湯を成形型に供給し、成形型内で冷却しながら、初晶粒子と濃化溶湯が混在する所定の断面形状の固相率0.3〜0.7の成形体を連続的に製造する工程と、得られた成形体に圧力を加えて初晶粒子塊と濃化溶湯とに分離して回収する工程、を含む金属の精製方法とこの方法を実現するユニットを備えた金属の精製装置が開示されている。
また、出願人が平成20年12月5日に提出した特願2008−311164号には、容器内にAlスクラップ溶湯を収容し、このAlスクラップ溶湯を液相線以下でかつ固相線以上の温度まで冷却させ、次に容器の上部から押し固め板を下降させて、Al晶出物の集積体と濃化液相とを形成し、次に押し固め板によりAl晶出物の集積体に所定圧力を付与することで、圧搾されたAl晶出物と残りの液相部分とに分離し、押し固め板を残りの液相部分より上方に上昇させ、次に残りの液相部分に対して上記冷却・圧力付与・分離工程を繰り返すことにより、連続圧搾されたAl晶出物が積層したAl精製体を回収するAlスクラップの精製方法が提案されている。 Further, in Japanese Patent Application No. 2008-31164 filed on December 5, 2008 by the applicant, an Al scrap molten metal is accommodated in a container, and the Al scrap molten metal is below the liquidus and above the solidus. Allow to cool to temperature, then lower the compaction plate from the top of the vessel to form an Al crystallized mass and concentrated liquid phase, and then the compaction plate to an Al crystallized mass By applying a predetermined pressure, the squeezed Al crystallized product and the remaining liquid phase part are separated, and the compacted plate is raised above the remaining liquid phase part, and then with respect to the remaining liquid phase part. A method of refining Al scrap has been proposed in which the above-described cooling, pressure application, and separation steps are repeated to recover the Al refined body in which the continuously squeezed Al crystallized product is laminated.
しかしながら、上記特許文献1、2に開示された技術には、以下のような問題点が存在する。
However, the techniques disclosed in
すなわち、特許文献1に記載のAlスクラップの精製方法に関する技術は、Siの除去率とAl晶出物の回収率とが相反する関係にあり、高いSiの除去率と高いAl晶出物の回収率を同時に満足させることができない。したがって、例えば高いSiの除去率となる条件でAlスクラップの精製を行った場合には、Al合金スクラップ溶湯から高いAl晶出物の回収率となるAl精製体を得るまでに極めて時間がかかり、生産性が悪い。 That is, the technology related to the Al scrap refining method described in Patent Document 1 has a relationship in which the Si removal rate and the Al crystallized material recovery rate are in conflict, and the high Si removal rate and the high Al crystallized material recovery rate. The rate cannot be satisfied at the same time. Therefore, for example, when refining Al scrap under conditions that result in a high Si removal rate, it takes a very long time to obtain an Al refined body that provides a high recovery rate of Al crystallized material from the molten Al alloy scrap, Productivity is poor.
また、特許文献2に記載の金属の精製方法は、連続的に精製する方法ではあるが、流動性のない半固化成形体に圧力を加えて固液分離するため、分離効率が低い。すなわち、Siの除去率が低くなる。また、この方法では、精製物の重量が精製しようとする金属溶湯(原料)のほぼ50%までしか得られない。
Moreover, although the metal purification method described in
上記特願2008−311164号に記載されたAlスクラップの精製方法は、上記特許文献1、2に開示された技術の問題点を解消し、Alスクラップから高いSiの除去率と高いAl晶出物の回収率を同時に満足するAl精製体を得ることができ、かつ、高い効率性と高い生産性が実現できるようになった。しかし、このAlスクラップの精製方法を用いた場合、Al精製体内に組成の傾斜が生ずるため、この組成の傾斜も解消できるさらなる技術の提案が望まれていた。
The method for refining Al scrap described in Japanese Patent Application No. 2008-31164 eliminates the problems of the techniques disclosed in
本発明の目的は、Alスクラップから高いSiの除去率と高いAl晶出物の回収率を同時に満足し、かつ組成の傾斜が抑えられたAl精製体を効率よく得ることができるAlスクラップの精製方法を提供することにある。 An object of the present invention is to refine Al scrap that can efficiently obtain an Al refined body that simultaneously satisfies a high Si removal rate and a high Al crystallized material recovery rate from Al scrap and has a suppressed composition gradient. It is to provide a method.
この目的を達成するために、本発明の請求項1に記載の発明は、
容器内にAlスクラップ溶湯を収容し、このAlスクラップ溶湯を液相線以下でかつ固相線以上の温度まで冷却させて、前記Alスクラップ溶湯内にAl晶出物(以下、「初晶」と称す)を所定固相率となるように発生させる初晶発生工程と、
前記初晶発生工程で作った初晶を含むAlスクラップ溶湯を、押し固め用の容器の上部から押し固め板を下降させて、前記初晶の集積体と濃化液相とに分離するとともに、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第1の所定圧力を所定時間付与する分離及び圧力付与工程と、
前記分離及び圧力付与工程で第1の所定圧力を所定時間付与した後、前記第1の所定圧力を除き前記押し固め板をそのままの位置に維持する押し固め板維持工程と、
を有した第1段階の精製工程と、
前記初晶の集積体と濃化液相とに分離されて収納された容器内を前記濃化液相の融点以上でかつ前記初晶の融点以下の温度まで再加熱し、前記初晶の集積体を軟化させるとともに、前記分離及び圧力付与工程で前記初晶の集積体内に取り残された前記濃化液相の残部(以下、「濃化部」と称す)を融解させる再加熱工程と、
前記再加熱工程で前記初晶の集積体が軟化し、かつ、前記濃化部が融解した後、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第2の所定圧力を所定時間付与し、前記初晶の集積体内から前記濃化部を排出させる濃化部排出工程と、
を有した一連の工程を前記第1段階の精製工程の次に少なくとも1回以上行ない、Al精製体を回収する第2段階の精製工程と、
を備えたことを特徴とするAlスクラップの精製方法である。
In order to achieve this object, the invention according to claim 1 of the present invention provides:
An Al scrap molten metal is accommodated in the container, and the Al scrap molten metal is cooled to a temperature below the liquidus and above the solidus, and an Al crystallized product (hereinafter referred to as “primary crystal”) is placed in the Al scrap molten metal. An initial crystal generation step for generating a predetermined solid phase ratio;
The Al scrap molten metal containing the primary crystal produced in the primary crystal generation step is separated from the aggregate of the primary crystal and the concentrated liquid phase by lowering the compaction plate from the top of the container for compaction, A separation and pressure application step of applying a first predetermined pressure to the aggregate of primary crystals for a predetermined time by the compaction plate;
After applying the first predetermined pressure in the separation and pressure applying step for a predetermined time, and maintaining the pressed plate in its position excluding the first predetermined pressure; and
A first stage purification process comprising:
Re-heating the inside of the container separated and stored in the primary crystal aggregate and the concentrated liquid phase to a temperature not lower than the melting point of the concentrated liquid phase and not higher than the melting point of the primary crystal, and collecting the primary crystals Reheating step of softening the body and melting the remainder of the concentrated liquid phase left in the primary crystal accumulation body in the separation and pressure application step (hereinafter referred to as "concentrated portion");
After the primary crystal aggregate is softened in the reheating step and the concentrated portion is melted, a second predetermined pressure is applied to the primary crystal aggregate by the compaction plate for a predetermined time, A thickening part discharging step of discharging the thickening part from the primary crystal accumulation body;
A second-stage purification step of recovering the Al purified product by performing a series of steps having the following steps at least once after the first-stage purification step:
A method for refining Al scrap, comprising:
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、
前記押し固め用の容器の下部には、前記押し固め用の容器の直径に適合した所定の液相排出孔の有る部分と前記液相排出孔の全く無い部分とを有したスライド式底板を備え、
前記第1段階の精製工程における前記分離及び圧力付与工程と前記押し固め板維持工程を実施する場合には、前記スライド式底板の前記液相排出孔の全く無い部分が前記押し固め用の容器内に配設され、
前記第2段階の精製工程を実施する場合には、前記スライド式底板の前記所定の液相排出孔の有る部分が前記押し固め用の容器内に配設されることを特徴とする。
The invention according to
A slide-type bottom plate having a portion having a predetermined liquid phase discharge hole and a portion having no liquid phase discharge hole adapted to the diameter of the compression container is provided at a lower portion of the compression container. ,
When carrying out the separation and pressure application step and the compaction plate maintenance step in the first-stage purification step, the portion of the slide-type bottom plate that does not have the liquid phase discharge hole is located in the compaction vessel. Arranged in
In carrying out the second purification step, the portion of the sliding bottom plate having the predetermined liquid phase discharge hole is disposed in the compacting container.
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明において、前記押し固め板には、所定の液相排出孔を有したことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the pressing plate has a predetermined liquid phase discharge hole.
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3に記載の発明において、前記所定固相率は、0.7以上であることを特徴とする。
The invention according to
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4に記載の発明において、前記第1の所定圧力は、1MPa以上であり、かつ、この第1の所定圧力を付与する所定時間は3〜5分であり、前記第2の所定圧力は、4MPa以上であり、かつ、この第2の所定圧力を付与する所定時間は3〜5分であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the first to fourth aspects of the invention, the first predetermined pressure is 1 MPa or more, and the predetermined time for applying the first predetermined pressure is 3 to 5 The second predetermined pressure is 4 MPa or more, and the predetermined time for applying the second predetermined pressure is 3 to 5 minutes.
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5に記載の発明において、前記Alスクラップは、共晶系合金であり、共晶温度での固溶限以上かつ共晶組成以下のSi濃度であることを特徴とする。
The invention according to
本発明に係るAlスクラップの精製方法は、
容器内にAlスクラップ溶湯を収容し、このAlスクラップ溶湯を液相線以下でかつ固相線以上の温度まで冷却させて、前記Alスクラップ溶湯内にAl晶出物(初晶)を所定固相率となるように発生させる初晶発生工程と、
前記初晶発生工程で作った初晶を含むAlスクラップ溶湯を、押し固め用の容器の上部から押し固め板を下降させて、前記初晶の集積体と濃化液相とに分離するとともに、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第1の所定圧力を所定時間付与する分離及び圧力付与工程と、
前記分離及び圧力付与工程で第1の所定圧力を所定時間付与した後、前記第1の所定圧力を除き前記押し固め板をそのままの位置に維持する押し固め板維持工程と、
を有した第1段階の精製工程と、
前記初晶の集積体と濃化液相とに分離されて収納された容器内を前記濃化液相の融点以上でかつ前記初晶の融点以下の温度まで再加熱し、前記初晶の集積体を軟化させるとともに、前記分離及び圧力付与工程で前記初晶の集積体内に取り残された前記濃化液相の残部(濃化部)を融解させる再加熱工程と、
前記再加熱工程で前記初晶の集積体が軟化し、かつ、前記濃化部が融解した後、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第2の所定圧力を所定時間付与し、前記初晶の集積体内から前記濃化部を排出させる濃化部排出工程と、
を有した一連の工程を前記第1段階の精製工程の次に少なくとも1回以上行ない、Al精製体を回収する第2段階の精製工程と、
を備えたことを特徴とする。
The method for refining Al scrap according to the present invention is as follows:
An Al scrap molten metal is accommodated in the container, and the Al scrap molten metal is cooled to a temperature below the liquidus and above the solidus, and an Al crystallized product (primary crystal) is placed in the Al scrap molten metal at a predetermined solid phase. A primary crystal generation process for generating
The Al scrap molten metal containing the primary crystal produced in the primary crystal generation step is separated from the aggregate of the primary crystal and the concentrated liquid phase by lowering the compaction plate from the top of the container for compaction, A separation and pressure application step of applying a first predetermined pressure to the aggregate of primary crystals for a predetermined time by the compaction plate;
After applying the first predetermined pressure in the separation and pressure applying step for a predetermined time, and maintaining the pressed plate in its position excluding the first predetermined pressure; and
A first stage purification process comprising:
Re-heating the inside of the container separated and stored in the primary crystal aggregate and the concentrated liquid phase to a temperature not lower than the melting point of the concentrated liquid phase and not higher than the melting point of the primary crystal, and collecting the primary crystals Reheating step of softening the body and melting the remainder (concentrated portion) of the concentrated liquid phase left in the primary crystal accumulation body in the separation and pressure application step;
After the primary crystal aggregate is softened in the reheating step and the concentrated portion is melted, a second predetermined pressure is applied to the primary crystal aggregate by the compaction plate for a predetermined time, A thickening part discharging step of discharging the thickening part from the primary crystal accumulation body;
A second-stage purification step of recovering the Al purified product by performing a series of steps having the following steps at least once after the first-stage purification step:
It is provided with.
以上のような構成であるため、本発明は、Alスクラップから高いSiの除去率と高いAl晶出物(初晶)の回収率を同時に満足し、かつ組成の傾斜が抑えられたAl精製体を効率よく得ることができる。 Because of the configuration as described above, the present invention is an Al refined body that simultaneously satisfies a high Si removal rate and a high Al crystallized product (primary crystal) recovery rate from Al scrap, and has a suppressed composition gradient. Can be obtained efficiently.
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
(本発明に係るAlスクラップの精製方法の構成)
本発明に係るAlスクラップの精製方法は、
容器内にAlスクラップ溶湯を収容し、このAlスクラップ溶湯を液相線以下でかつ固相線以上の温度まで冷却させて、前記Alスクラップ溶湯内にAl晶出物(初晶)を所定固相率となるように発生させる初晶発生工程と、
前記初晶発生工程で作った初晶を含むAlスクラップ溶湯を、押し固め用の容器の上部から押し固め板を下降させて、前記初晶の集積体と濃化液相とに分離するとともに、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第1の所定圧力を所定時間付与する分離及び圧力付与工程と、
前記分離及び圧力付与工程で第1の所定圧力を所定時間付与した後、前記第1の所定圧力を除き前記押し固め板をそのままの位置に維持する押し固め板維持工程と、
を有した第1段階の精製工程と、
前記初晶の集積体と濃化液相とに分離されて収納された容器内を前記濃化液相の融点以上でかつ前記初晶の融点以下の温度まで再加熱し、前記初晶の集積体を軟化させるとともに、前記分離及び圧力付与工程で前記初晶の集積体内に取り残された前記濃化液相の残部(濃化部)を融解させる再加熱工程と、
前記再加熱工程で前記初晶の集積体が軟化し、かつ、前記濃化部が融解した後、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第2の所定圧力を所定時間付与し、前記初晶の集積体内から前記濃化部を排出させる濃化部排出工程と、
を有した一連の工程を前記第1段階の精製工程の次に少なくとも1回以上行ない、Al精製体を回収する第2段階の精製工程と、
を備えたことを特徴とする。
(Configuration of Al scrap refining method according to the present invention)
The method for refining Al scrap according to the present invention is as follows:
An Al scrap molten metal is accommodated in the container, and the Al scrap molten metal is cooled to a temperature below the liquidus and above the solidus, and an Al crystallized product (primary crystal) is placed in the Al scrap molten metal at a predetermined solid phase. A primary crystal generation process for generating
The Al scrap molten metal containing the primary crystal produced in the primary crystal generation step is separated from the aggregate of the primary crystal and the concentrated liquid phase by lowering the compaction plate from the top of the container for compaction, A separation and pressure application step of applying a first predetermined pressure to the aggregate of primary crystals for a predetermined time by the compaction plate;
After applying the first predetermined pressure in the separation and pressure applying step for a predetermined time, and maintaining the pressed plate in its position excluding the first predetermined pressure; and
A first stage purification process comprising:
Re-heating the inside of the container separated and stored in the primary crystal aggregate and the concentrated liquid phase to a temperature not lower than the melting point of the concentrated liquid phase and not higher than the melting point of the primary crystal, and collecting the primary crystals Reheating step of softening the body and melting the remainder (concentrated portion) of the concentrated liquid phase left in the primary crystal accumulation body in the separation and pressure application step;
After the primary crystal aggregate is softened in the reheating step and the concentrated portion is melted, a second predetermined pressure is applied to the primary crystal aggregate by the compaction plate for a predetermined time, A thickening part discharging step of discharging the thickening part from the primary crystal accumulation body;
A second-stage purification step of recovering the Al purified product by performing a series of steps having the following steps at least once after the first-stage purification step:
It is provided with.
以上のような構成であるため、本発明は、Alスクラップから高いSiの除去率と高いAl晶出物(初晶)の回収率(Al回収率ともいう)を同時に満足し、かつ組成の傾斜が抑えられたAl精製体を効率よく得ることができる。
Si除去率=(初期Alスクラップ溶湯のSi濃度−圧搾された初晶の集積体のSi濃度)/初期Alスクラップ溶湯のSi濃度×100 … (1)
Al回収率=圧搾された初晶の集積体の体積/初期Alスクラップ溶湯の体積×100
… (2)
Because of the configuration as described above, the present invention simultaneously satisfies a high Si removal rate from Al scrap and a high Al crystallized product (primary crystal) recovery rate (also referred to as Al recovery rate), and a composition gradient. It is possible to efficiently obtain an Al refined product in which is suppressed.
Si removal rate = (Si concentration of initial Al scrap molten metal−Si concentration of pressed primary crystal aggregate) / Si concentration of initial Al scrap molten metal × 100 (1)
Al recovery rate = pressed primary crystal aggregate volume / initial Al scrap molten metal volume × 100
(2)
以下に、本発明に係るAlスクラップの精製方法の構成に至った理由について説明する。 The reason for reaching the configuration of the Al scrap refining method according to the present invention will be described below.
本発明者達は、上述したような多くの要求を如何にしたら満足できるのか鋭意研究を行った。その結果、高いAl回収率を確保しながら組成の傾斜が抑えられたAl精製体を効率良く得るためには、Alスクラップ溶湯を冷却し初晶を発生させ、初晶の集積体と濃化液相とに分離するとともに、押し固め板により初晶の集積体に第1の所定圧力を所定時間付与する最初の段階で、前記初晶の集積体内に取り残された前記濃化液相の残部(濃化部)を多少含んでもよいので可能な限り高い固相率状態かつ半凝固状態の初晶の集積体をまず作成することが必要であると判明した。何故ならば、最初の段階で、Alスクラップ溶湯内に高い固相率状態の初晶を発生させれば、少なくとも押し固め板に設けられている液相排出孔から初晶がすり抜け難く、高い固相率状態でかつ組成の傾斜が抑えられた初晶の集積体が得られるからである。このような初晶の集積体を確保し、次に初晶の集積体内に取り残された濃化部を効率的に排出する方法させ見出せば、高いSiの除去率も満足できるのではないかという技術思想を着想した。 The present inventors have intensively studied how to satisfy the many requirements as described above. As a result, in order to efficiently obtain an Al refined body in which the gradient of the composition is suppressed while ensuring a high Al recovery rate, the Al scrap molten metal is cooled to generate primary crystals, and the primary crystal aggregate and concentrated liquid In the first stage of applying a first predetermined pressure to the primary crystal aggregate for a predetermined time using a compaction plate, the remainder of the concentrated liquid phase left in the primary crystal aggregate ( It has been found that it is necessary to first prepare an aggregate of primary crystals in a solid phase ratio state and a semi-solidified state as high as possible. This is because, in the first stage, if a primary crystal having a high solid phase ratio is generated in the Al scrap molten metal, the primary crystal is difficult to slip through at least from the liquid phase discharge hole provided in the compaction plate, and the high solid state. This is because a primary crystal aggregate with a phase ratio and a suppressed compositional gradient can be obtained. It is said that a high Si removal rate can be satisfied by finding a method for securing such a primary crystal aggregate and then efficiently discharging the concentrated portion left in the primary crystal aggregate. Inspired by technical thought.
この着想を具現化する方法として、初晶の集積体と濃化液相とに分離されて収納された容器内を濃化液相の融点以上でかつ初晶の融点以下の温度まで再加熱し、初晶の集積体を軟化させるとともに、初晶の集積体内に取り残された濃化部を融解させる再加熱工程と、前記再加熱工程で初晶の集積体が軟化し、かつ、濃化部が融解した後、押し固め板により初晶の集積体に第2の所定圧力を所定時間付与し、初晶の集積体内から濃化部を排出させる濃化部排出工程と、を有した精製工程を見出した。 As a method of embodying this idea, the container contained in the primary crystal aggregate and concentrated liquid phase is reheated to a temperature not lower than the melting point of the concentrated liquid phase and lower than the melting point of the primary crystal. A reheating step of softening the primary crystal aggregate and melting the concentrated portion left in the primary crystal aggregate; and the primary crystal aggregate is softened in the reheating step, and the concentrated portion And a concentrating portion discharging step of applying a second predetermined pressure to the primary crystal aggregate by a compaction plate for a predetermined time and discharging the concentrated portion from the primary crystal aggregate. I found.
以下、具体的に図面を参照しながら、本発明に係るAlスクラップの精製方法に用いる精製装置(図1参照)とこの精製装置を用いた本発明の一実施例のAlスクラップの精製方法のプロセスを時系列的に説明する(図2参照)。 Hereinafter, a process of a refining apparatus (see FIG. 1) used in an Al scrap refining method according to the present invention and an Al scrap refining method according to an embodiment of the present invention using the refining apparatus, with reference to the drawings. Will be described in time series (see FIG. 2).
図1において、1は加熱炉、2は加熱炉1の内壁に設けられたヒータ、3はヒータ2が設けられた加熱炉1の内部に設置された内径130mm、高さ225mmの円筒型の黒鉛製容器、4は黒鉛製容器3内にAl−1.6wt%Si−0.1wt%Feの組成からなる5kgの合金(Alスクラップ)が溶解され、収容されたAlスクラップ溶湯、5は上下動のストロークが150mmの圧搾用スタンプ、6は圧搾用スタンプ5の下端に設けられた押し固め板であり、押し固め板6には直径7mmの液相排出孔(図示せず)が28個設けられている。また、押し固め板6はAlスクラップ溶湯4に略均一に圧力が付与できる構造となっている。
In FIG. 1, 1 is a heating furnace, 2 is a heater provided on the inner wall of the
まず、上記第1段階の精製工程について、図2(a)〜図2(c)を用いて説明する。 First, the purification process in the first stage will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (c).
図2(a)は、上記Alスクラップが溶解され、黒鉛製容器3内にAlスクラップ溶湯4が700℃に保持され収容された状態を示す。
FIG. 2A shows a state in which the Al scrap is melted and the Al
図2(b)は、図2(a)に示すAlスクラップ溶湯4を攪拌しながら、ヒータ2と冷却装置(図示せず)を調節して、Alスクラップ溶湯4を液相線以下でかつ固相線以上の温度(例えば、630℃)まで冷却させて、Alスクラップ溶湯4内に少なくとも押し固め板6に設けられている液相排出孔からすり抜け難い程度の所定固相率となるように初晶10を発生させること(初晶発生工程)が重要である。また、この段階の所定固相率が最終のAl精製体回収率に影響(初期固相率以上にはAl回収率は上がらない。)するため、より高いAl回収率を達成するという点を考慮すると、0.7以上の固相率とするのがより好ましい。また、回収固相量を上記温度制御から見積もることができるため、効率的なAl回収が可能となる。
FIG. 2 (b) shows that while the Al
図2(c)は、図2(b)に示す所定固相率の初晶10を含むAlスクラップ溶湯4が収容された黒鉛製容器3の上部から圧搾用スタンプ5の下端に設けられた押し固め板6を矢印Aの方向に下降させて、初晶の集積体12と濃化液相11とに分離するとともに、押し固め板6により初晶の集積体12に第1の所定圧力(例えば、6.5MPa)、かつ、この6.5MPaの所定圧力を所定時間(例えば、3分間)付与する工程(分離及び圧力付与工程)と、前記分離及び圧力付与工程で第1の所定圧力を所定時間付与した後、第1の所定圧力を除き押し固め板6をそのままの位置に維持する工程(押し固め板維持工程)と、を示す。この押し固め板6をそのままの位置に維持する工程では、黒鉛製容器3の周囲を断熱するのが好ましい。また、第1の所定圧力は、液相排出孔から濃化液相11がすり抜ける損失を抑えるためには低圧力が良いが、ある程度密な初晶の集積体12とするためには、1MPa以上が好ましい。また、全体のプロセス時間も考慮すると、第1の所定圧力を付与する所定時間は3〜5分が好ましい。以上により、第1段階の精製工程が構成される。上述の説明においては、図2(b)に示す初晶発生工程で用いる容器と図2(c)に示す分離及び圧力付与工程で用いる容器がともに同一の黒鉛製容器3である例について説明したが、必ずしも同じにする必要はなく、別途押し固め用の容器を設けても構わない。
FIG. 2 (c) shows a pressing provided from the upper part of the
次に、上記第2段階の精製工程について、図2(d)を用いて説明する。 Next, the purification process in the second stage will be described with reference to FIG.
図2(d)は、初晶の集積体12と濃化液相11とに分離されて収納された黒鉛製容器3内を濃化液相11の融点以上でかつ初晶10の融点以下の温度(例えば、640℃)まで再加熱し、この両者の融点差を利用して初晶の集積体12を軟化させるとともに、上記分離及び圧力付与工程で初晶の集積体12内に取り残された前記濃化液相11の残部{濃化部11a(図2(c)参照)}を融解させる再加熱工程と、前記再加熱工程で初晶の集積体12が軟化し、かつ、濃化部11aが融解した後、矢印Bの方向に押し固め板6を移動させ初晶の集積体12に第2の所定圧力(例えば、6.5MPa)を所定時間(例えば、3分間)付与し、初晶の集積体12内から濃化部11aを排出し、濃化部11aを濃化部11b程度にする濃化部排出工程と、を示す。また、第2の所定圧力は、初晶の集積体12内から濃化部11aを排出し、濃化部11aを濃化部11b程度に近づけるためには、4MPa以上が好ましい。また、全体のプロセス時間も考慮すると、第2の所定圧力を付与する所定時間は3〜5分が好ましい。以上により、第2段階の精製工程が構成される。また、初晶の集積体12内から濃化部11aを排出し、濃化部11aを濃化部11b程度よりさらに減少させるためには、この第2段階の精製工程の回数を増加させればよいが、全体のプロセス時間も考慮すると、2回〜4回程度繰り返すのが好ましい。この第2段階の精製工程は、少なくとも1回以上行なえば良い。
FIG. 2 (d) shows that the inside of the
なお、本実施形態においては、Alスクラップとして、Al−1.6wt%Si−0.1wt%Feの組成からなる合金を例に説明したが、必ずしもこれに限定されるものではない。何故ならば、Al−Si合金は共晶系合金であり、状態図における固相線勾配は液相線勾配に比べて急峻であり、平衡分配係数(初晶濃度CS/液相濃度CL)も小さい。従って、共晶組成付近の高Si組成の合金であっても形成する初晶と液相の濃度差は大きくなり、初晶の集積体作成後の融点差も大きくなるため、再加熱および圧搾時の固液分離は可能である。ただし、高Si組成の合金では、初晶の形成量が少なくなるため、高いAl回収率は期待できなくなる。さらに、濃化液相から初晶Siが形成される虞もある。よって、共晶系合金の場合、共晶温度での固溶限以上かつ共晶組成以下のSi濃度にするのが好ましい。さらに、Alスクラップとしては、上記具体例で記載したもの以外に、市中屑や切削屑のほか、鋳造工程で出てくる鋳流れや再生塊を溶かしたものも対象となる。 In the present embodiment, as an Al scrap, an alloy having a composition of Al-1.6 wt% Si-0.1 wt% Fe has been described as an example, but the present invention is not necessarily limited thereto. This is because the Al—Si alloy is a eutectic alloy, the solidus gradient in the phase diagram is steeper than the liquidus gradient, and the equilibrium partition coefficient (primary crystal concentration C S / liquid phase concentration C L ) Is also small. Therefore, even in the case of an alloy having a high Si composition near the eutectic composition, the difference in concentration between the primary crystal and the liquid phase to be formed becomes large, and the melting point difference after the primary crystal aggregate is formed also increases. Solid-liquid separation is possible. However, in an alloy having a high Si composition, the amount of primary crystals formed is reduced, so that a high Al recovery rate cannot be expected. Further, primary Si may be formed from the concentrated liquid phase. Therefore, in the case of a eutectic alloy, it is preferable that the Si concentration is not less than the solid solubility limit at the eutectic temperature and not more than the eutectic composition. Furthermore, as the Al scrap, in addition to those described in the above specific examples, in addition to city scraps and cutting scraps, those in which a casting flow and a reclaimed lump that emerges in the casting process are also targeted.
上述した図1および図2に示す本発明に係るAlスクラップの精製方法において、第2段階の精製工程を1回または2回行なう(すなわち、再加熱圧搾回数を1回または2回行う)試験(下記表1に示す試験No.1、2に相当)、及び、第2段階の精製工程を行わない試験(下記表1に示す試験No.3、4に相当)を実施した。その結果、試験No.1おいては、Si除去率が63.0%、Al回収率が54.3%、試験No.2おいては、Si除去率が65.8%、Al回収率が56.4%、試験No.3おいては、Si除去率が72.1%、Al回収率が20.0%、試験No.4おいては、Si除去率が52.8%、Al回収率が57.1%となった(下記表1参照)。試験No.1と試験No.2を比較すると、試験No.2の方が試験No.1よりSi除去率が多少高くなった。試験No.3との比較では試験No.1、2ともにSi除去率は低いが、Al回収率が大幅に高くなっており、試験No.4との比較では試験No.1、2ともSi除去率が大幅に高くなっていることから、第2段階の精製工程が効果を示している。また、試験No.1、2ともに得られたAl精製体内に組成の傾斜は認められなかった。このように本願発明のAlスクラップの精製方法を用いることで、Alスクラップから高いSiの除去率と高いAl晶出物の回収率(Al回収率)を同時に満足し、かつ組成の傾斜が抑えられたAl精製体を効率よく得ることができる。 In the Al scrap refining method according to the present invention shown in FIG. 1 and FIG. 2 described above, the second stage refining step is performed once or twice (that is, the reheat pressing is performed once or twice) test ( Test Nos. 1 and 2 shown in Table 1 below) and a test that does not perform the second-stage purification step (equivalent to Test Nos. 3 and 4 shown in Table 1 below) were performed. As a result, test no. 1, the Si removal rate was 63.0%, the Al recovery rate was 54.3%, 2, the Si removal rate was 65.8%, the Al recovery rate was 56.4%, and the test No. 3, the Si removal rate was 72.1%, the Al recovery rate was 20.0%, 4, the Si removal rate was 52.8%, and the Al recovery rate was 57.1% (see Table 1 below). Test No. 1 and test no. 2 is compared, the test No. No. 2 is the test number. The Si removal rate was slightly higher than 1. Test No. In comparison with test No. 3, test no. Although the Si removal rate is low in both 1 and 2, the Al recovery rate is significantly high. In comparison with test No. 4, test no. Since the Si removal rate in both 1 and 2 is significantly high, the second-stage purification process is effective. In addition, Test No. No gradient of composition was observed in the Al refined bodies obtained for both 1 and 2. Thus, by using the Al scrap refining method of the present invention, a high Si removal rate from Al scrap and a high Al crystallized material recovery rate (Al recovery rate) can be satisfied at the same time, and the composition gradient can be suppressed. In addition, an Al purified product can be obtained efficiently.
上述した図2に示す本発明に係るAlスクラップの精製方法において、Alスクラップ溶湯4の深さが増すと、初晶の集積体内の下部に取り残された濃化液相の残部(濃化部)の排出が不十分になる。その結果、回収されたAl精製体のSi除去率が上がらない場合がある。そこで、Alスクラップ溶湯4の深さが増したような場合にも対応可能な本発明に係る他のAlスクラップの精製方法を提案する。以下に、図3、図4を用いて、その詳細を説明する。
In the Al scrap refining method according to the present invention shown in FIG. 2 described above, when the depth of the Al
図3は、本発明の他の実施例のAlスクラップの精製方法で採用されたスライド式底板の模式図であって、(a)は平面図、(b)はc−c線による断面図である。図4は、本発明の他の実施例のAlスクラップの精製方法のプロセスを時系列的に説明するための模式図である。本実施例において、上記実施例1で用いた精製装置と同一の構成要素につては、同一番号を付与して、詳細な説明は省略し、異なる部分についてのみ詳述する。 FIG. 3 is a schematic view of a slide-type bottom plate employed in the Al scrap refining method of another embodiment of the present invention, where (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view taken along the line cc. is there. FIG. 4 is a schematic diagram for chronologically explaining the process of the Al scrap refining method according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, the same constituent elements as those of the purification apparatus used in the first embodiment are given the same reference numerals, detailed description thereof is omitted, and only different portions are described in detail.
図3、図4において、14はスライド式底板、14aは液相排出孔、14bは押し固め用の容器13の直径(内径130mm=図2に示す押し固め用の容器3の内径)をスライド式底板14上に重ねて明示するための円である。本実施例において、Alスクラップ溶湯4の深さ(図2参照)を上記実施例1の場合の2倍の300mmにしたため、押し固め用の容器13の高さも2倍の450mmにしてある。スライド式底板14は、押し固め用の容器13の下部に左右にスライド可能なように設けられている。また、図3(a)に示すスライド式底板14の右半分には、押し固め用の容器13の直径(図3に示す円14b)に適合した所定の液相排出孔の有る部分としての直径7mmの液相排出孔14aが21個設けられている。この直径7mmの液相排出孔14aが21個設けられた円14bの部分を以下「有液相排出孔部」と言う。また、図3(a)に示すスライド式底板14の左半分には、液相排出孔14aの全く無い部分が存在する。この部分を以下「無液相排出孔部」と言う。
3 and 4, 14 is a slide type bottom plate, 14a is a liquid phase discharge hole, 14b is a slide type of the diameter of the
図4(a)において、スライド式底板14の無液相排出孔部を押し固め用の容器13内に配設し、半溶融のAlスクラップ溶湯4が下方に流れ出すのを防ぐようにしてある。このようにセットした状態で、所定固相率の初晶10を含む深さ300mmのAlスクラップ溶湯4の上部から圧搾用スタンプ5の下端に設けられた上記所定の液相排出孔を有した押し固め板6を矢印Aの方向に下降させて、初晶の集積体12と濃化液相11とに分離するとともに、押し固め板6により初晶の集積体12に第1の所定圧力(例えば、6.5MPa)、かつ、この6.5MPaの所定圧力を所定時間(例えば、3分間)付与する工程(分離及び圧力付与工程)と、前記分離及び圧力付与工程で第1の所定圧力を所定時間付与した後、第1の所定圧力を除き押し固め板6をそのままの位置に維持する工程(押し固め板維持工程)と、を示す。この押し固め板6をそのままの位置に維持する工程では、押し固め用の容器13の周囲を断熱するのが好ましい。また、第1の所定圧力は、液相排出孔から濃化液相11がすり抜ける損失を抑えるためには低圧力が良いが、ある程度密な初晶の集積体12とするためには、1MPa以上が好ましい。また、全体のプロセス時間も考慮すると、第1の所定圧力を付与する所定時間は3〜5分が好ましい。以上により、第1段階の精製工程が構成される(Alスクラップ溶湯4が2倍で、スライド式底板14が用いられている以外、基本的には、上記実施例1と同じである。)。
In FIG. 4A, the non-liquid phase discharge hole portion of the slide-
図4(b)は、図4(a)の状態からスライド式底板14の有液相排出孔部が押し固め用の容器13内に配設されるように切り換えられ、初晶の集積体12と濃化液相11とに分離されて収納された黒鉛製容器3内を濃化液相11の融点以上でかつ初晶10の融点以下の温度(例えば、640℃)まで再加熱し、この両者の融点差を利用して初晶の集積体12を軟化させるとともに、上記分離及び圧力付与工程で初晶の集積体12内に取り残された前記濃化液相11の残部(濃化部11a)を融解させる再加熱工程と、前記再加熱工程で初晶の集積体12が軟化し、かつ、濃化部11aが融解した後、矢印Bの方向に押し固め板6を移動させ初晶の集積体12に第2の所定圧力(例えば、6.5MPa(下記表2の試験No.5に相当)、10.0MPa(下記表2の試験No.6に相当))を所定時間付与し、初晶の集積体12内から濃化部11aを押し固め板6の液相排出孔とスライド式底板14の液相排出孔14aを通して排出する濃化部排出工程と、を示す。以上により、第2段階の精製工程が構成される。本実施例においては、この第2段階の精製工程を1回実施した。また、比較のために、この第2段階の精製工程においても、スライド式底板14の有液相排出孔部を押し固め用の容器13内に配設させず、図4(a)に示したようにスライド式底板14の無液相排出孔部が押し固め用の容器13内に配設されたままの状態で試験した(下記表2の試験No.7(6.5MPa)、試験No.8(10.0MPa)参照)。
4 (b) is switched from the state of FIG. 4 (a) so that the liquid phase discharge hole portion of the sliding
以上の試験の結果、試験No.5においては、Si除去率が58.1%、Al回収率が58.3%、試験No.6においては、Si除去率が72.6%、Al回収率が42.4%、試験No.7においては、Si除去率が35.1%、Al回収率が66.1%、試験No.8においては、Si除去率が38.3%、Al回収率が65.4%となった。試験No.5と試験No.6を比較すると、試験No.6の方が試験No.5よりSi除去率が高くなった。また、試験No.5と試験No.6のグループと試験No.7と試験No.8のグループとの比較では、試験No.5と試験No.6のグループの方が試験No.7と試験No.8のグループよりSi除去率が大幅に高くなり、Al回収率は濃化部11aが液相排出孔14aを通して排出されるため多少低下した(上記表2参照)。
As a result of the above test, Test No. 5, the Si removal rate was 58.1%, the Al recovery rate was 58.3%, and the test No. 6, the Si removal rate was 72.6%, the Al recovery rate was 42.4%, and the test No. In No. 7, the Si removal rate was 35.1%, the Al recovery rate was 66.1%, and the test No. In No. 8, the Si removal rate was 38.3%, and the Al recovery rate was 65.4%. Test No. 5 and test no. 6 are compared with each other in Test No. No. 6 is the test no. The Si removal rate was higher than 5. In addition, Test No. 5 and test no.
また、図4(b)に示す初晶の集積体12内の上部(例えば、符号アの位置)、下部(例えば、符号イの位置)に相当する箇所を試験No.5、6、7、8についてより詳細に観察した結果、さらに以下のような知見が得られた。すなわち、下記表3に示すように、試験No.5と試験No.6の上部、下部のSi除去率は、ほぼ同等であるが、試験No.7と試験No.8の上部、下部のSi除去率は、上部では高いものの下部では非常に低くなっている。すなわち、第2段階の精製工程を実施する場合に、スライド式底板14の有液相排出孔部を押し固め用の容器13内に配設すれば、上方にある押し固め板6の液相排出孔から上部に存在する濃化部11aが排出されるばかりか、スライド式底板14の液相排出孔14aから下部に存在する濃化部11aも排出される。したがって、本実施例のようにAlスクラップ溶湯4が深い(すなわち、初晶の集積体12の高さが大きい)場合にも、初晶の集積体12の中心部から上下方向に濃化部11aが排出可能であるため、回収されたAl精製体内のSi除去率の平均値が向上するばかりか、回収されたAl精製体内のSi除去率の傾斜も小さくなり、高品質のAl精製体が得られる(下記表3の試験No.5、6参照)。一方、第2段階の精製工程を実施する場合に、スライド式底板14の無液相排出孔部が押し固め用の容器13内に配設したままでは、上方にある押し固め板6の液相排出孔から上部に存在する濃化部11aが排出されるのみで、下部に存在する濃化部11aが排出できず、上述したような高品質のAl精製体は得られない(下記表3の試験No.7、8参照)。
In addition, the locations corresponding to the upper part (for example, the position of the sign a) and the lower part (for example, the position of the sign a) in the
なお、実施例2においては、第2段階の精製工程を1回実施する例について説明したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、少なくとも1回以上行なえばよい。 In addition, in Example 2, although the example which implements the refinement | purification process of a 2nd step once was demonstrated, it is not necessarily limited to this, What is necessary is just to perform at least once or more.
また、実施例2においては、スライド式底板14の液相排出孔14aの直径が7mmの例について説明したが、必ずしもこれに限定されるものではない。ただし、液相排出孔14aの直径が10mmを超えると、第2の所定圧力の付与により、濃化部11aと共に初晶の集積体12も液相排出孔14aから押し出されてしまうため、好ましくない。すなわち、液相排出孔14aの直径は10mm以下が好ましい。
Moreover, in Example 2, although the example whose diameter of the liquid
また、スライド式底板14の液相排出孔14aの配置等を押し固め板6の液相排出孔と同様にすることで、それぞれからの濃化部11aの排出効果が同等となり、押し固めの条件設定が容易になる。すなわち、初晶の集積体12の中心より上部(初晶の集積体12の半分の体積)の最適な押し固めの条件が決定すれば、初晶の集積体12の中心より下部(初晶の集積体12の半分の体積)でもほぼ最適な条件となっている。
Further, by arranging the liquid
1 加熱炉
2 ヒータ
3 黒鉛製容器
4 Alスクラップ溶湯
5 圧搾用スタンプ
6 押し固め板
10 初晶
11 濃化液相
11a、11b 濃化部
12 初晶の集積体
13 押し固め用の容器
14 スライド式底板
14a 液相排出孔
14b 押し固め用の容器13の内径に相当する円
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (6)
前記初晶発生工程で作った初晶を含むAlスクラップ溶湯を、押し固め用の容器の上部から押し固め板を下降させて、前記初晶の集積体と濃化液相とに分離するとともに、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第1の所定圧力を所定時間付与する分離及び圧力付与工程と、
前記分離及び圧力付与工程で第1の所定圧力を所定時間付与した後、前記第1の所定圧力を除き前記押し固め板をそのままの位置に維持する押し固め板維持工程と、
を有した第1段階の精製工程と、
前記初晶の集積体と濃化液相とに分離されて収納された容器内を前記濃化液相の融点以上でかつ前記初晶の融点以下の温度まで再加熱し、前記初晶の集積体を軟化させるとともに、前記分離及び圧力付与工程で前記初晶の集積体内に取り残された前記濃化液相の残部(以下、「濃化部」と称す)を融解させる再加熱工程と、
前記再加熱工程で前記初晶の集積体が軟化し、かつ、前記濃化部が融解した後、前記押し固め板により前記初晶の集積体に第2の所定圧力を所定時間付与し、前記初晶の集積体内から前記濃化部を排出させる濃化部排出工程と、
を有した一連の工程を前記第1段階の精製工程の次に少なくとも1回以上行ない、Al精製体を回収する第2段階の精製工程と、
を備えたことを特徴とするAlスクラップの精製方法。 An Al scrap molten metal is accommodated in the container, and the Al scrap molten metal is cooled to a temperature below the liquidus and above the solidus, and an Al crystallized product (hereinafter referred to as “primary crystal”) is placed in the Al scrap molten metal. An initial crystal generation step for generating a predetermined solid phase ratio;
The Al scrap molten metal containing the primary crystal produced in the primary crystal generation step is separated from the aggregate of the primary crystal and the concentrated liquid phase by lowering the compaction plate from the top of the container for compaction, A separation and pressure application step of applying a first predetermined pressure to the aggregate of primary crystals for a predetermined time by the compaction plate;
After applying the first predetermined pressure in the separation and pressure applying step for a predetermined time, and maintaining the pressed plate in its position excluding the first predetermined pressure; and
A first stage purification process comprising:
Re-heating the inside of the container separated and stored in the primary crystal aggregate and the concentrated liquid phase to a temperature not lower than the melting point of the concentrated liquid phase and not higher than the melting point of the primary crystal, and collecting the primary crystals Reheating step of softening the body and melting the remainder of the concentrated liquid phase left in the primary crystal accumulation body in the separation and pressure application step (hereinafter referred to as "concentrated portion");
After the primary crystal aggregate is softened in the reheating step and the concentrated portion is melted, a second predetermined pressure is applied to the primary crystal aggregate by the compaction plate for a predetermined time, A thickening part discharging step of discharging the thickening part from the primary crystal accumulation body;
A second-stage purification step of recovering the Al purified product by performing a series of steps having the following steps at least once after the first-stage purification step:
A method for refining Al scrap, comprising:
前記第1段階の精製工程における前記分離及び圧力付与工程と前記押し固め板維持工程を実施する場合には、前記スライド式底板の前記液相排出孔の全く無い部分が前記押し固め用の容器内に配設され、
前記第2段階の精製工程を実施する場合には、前記スライド式底板の前記所定の液相排出孔の有る部分が前記押し固め用の容器内に配設されることを特徴とする請求項1に記載のAlスクラップの精製方法。 A slide-type bottom plate having a portion having a predetermined liquid phase discharge hole and a portion having no liquid phase discharge hole adapted to the diameter of the compression container is provided at a lower portion of the compression container. ,
When carrying out the separation and pressure application step and the compaction plate maintenance step in the first-stage purification step, the portion of the slide-type bottom plate that does not have the liquid phase discharge hole is located in the compaction vessel. Arranged in
2. When performing the second purification step, a portion of the sliding bottom plate having the predetermined liquid phase discharge hole is disposed in the compacting container. The method for refining Al scrap as described in 1.
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