JP2011171530A - Method and device for peeling protective tape, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハに貼付けられた保護テープを剥離する保護テープの剥離方法および剥離装置、ならびに前記保護テープの剥離方法を用いる半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a protective tape peeling method and a peeling device for peeling off a protective tape attached to a semiconductor wafer, and a semiconductor device manufacturing method using the protective tape peeling method.
半導体装置の薄型化による実装密度の向上、および電力用半導体装置の性能向上という観点から、半導体装置が実装された半導体チップの製造工程では、表面に回路パターンを形成した半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という場合がある)の回路パターン形成面に保護テープを貼付けた状態で、ウェハの裏面を研削して薄厚化することが行われている。 From the viewpoint of improving the mounting density by reducing the thickness of the semiconductor device and improving the performance of the power semiconductor device, in the manufacturing process of the semiconductor chip on which the semiconductor device is mounted, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “ In some cases, the back surface of the wafer is ground and thinned in a state where a protective tape is applied to the circuit pattern forming surface of the wafer).
薄厚化されたウェハは、回路パターン形成面を上向きにして、ダイシングテープを介してダイシングフレームにマウントされた後、回路パターン形成面に貼付けられた保護テープが剥離され、ダイシング工程においてチップ化される。 The thinned wafer is mounted on a dicing frame via a dicing tape with the circuit pattern forming surface facing upward, and then the protective tape attached to the circuit pattern forming surface is peeled off to form a chip in the dicing process. .
電力用半導体装置を製造する場合は、ウェハの薄厚化後にイオン注入工程および熱処理工程によって研削加工面に拡散層を形成し、その後、スパッタリング法などによって裏面電極を形成する。 When manufacturing a power semiconductor device, after the wafer is thinned, a diffusion layer is formed on the ground surface by an ion implantation process and a heat treatment process, and then a back electrode is formed by sputtering or the like.
電力用半導体デバイスの分野において、半導体ウェハとしては、ケイ素を材料とするウェハが用いられていたが、近年では、その材料特性から、炭化ケイ素を材料とするウェハが用いられている。炭化ケイ素を材料とするウェハを使用した電力用半導体装置においても、性能向上の観点から、保護テープを使用して、研削加工、拡散層形成および電極形成が行われている。 In the field of power semiconductor devices, as a semiconductor wafer, a wafer made of silicon is used. However, in recent years, a wafer made of silicon carbide is used because of its material characteristics. Also in power semiconductor devices using wafers made of silicon carbide, grinding, diffusion layer formation, and electrode formation are performed using a protective tape from the viewpoint of improving performance.
保護テープを剥離するにあたっては、剥離テープが用いられる。剥離テープを保護テープの表面に貼付けた後、引き剥がすことによって、剥離テープと共に保護テープがウェハから剥離される。剥離の起点を確実に形成する方法として、剥離テープよりも幅方向の寸法が短い貼付ローラを用いて、剥離テープの中央部を貼付ローラで保護テープの表面に押圧して、剥離テープを剥離する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。 In peeling off the protective tape, a peeling tape is used. After affixing a peeling tape on the surface of a protective tape, by peeling off, a protective tape is peeled from a wafer with a peeling tape. As a method for reliably forming the starting point of peeling, the peeling tape is peeled off by pressing the center part of the peeling tape against the surface of the protective tape with the sticking roller using a sticking roller having a width dimension shorter than that of the peeling tape. A method has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
また、剥離の起点となる部分の剥離テープと保護テープとの密着性を向上させる方法として、熱圧着ヒータを用いて、剥離テープと保護テープとの熱圧着部を、剥離テープのほぼ全幅にわたって形成する方法が提案されている(たとえば、特許文献2参照)。 In addition, as a method of improving the adhesion between the peeling tape and the protective tape at the starting point of peeling, a thermocompression bonding part between the peeling tape and the protective tape is formed over almost the entire width of the peeling tape using a thermocompression heater. Has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
半導体チップの薄型化を目的としたウェハの薄厚化に伴い、半導体チップの製造工程では、研削時にウェハが砥石から受ける応力が増加することによるウェハの割れ、ならびに加工後のウェハの反りおよびたわみ量の増加による搬送過程でのウェハの割れが増加する。ウェハの割れおよび反りを低減するために、保護テープに関しては、ウェハが薄くなるにつれて、緩衝性および剛性が高くなる傾向、つまり保護テープの厚み方向の寸法(以下「厚み寸法」という)が大きくなる傾向にある。 Along with the thinning of wafers for the purpose of reducing the thickness of semiconductor chips, in the semiconductor chip manufacturing process, wafer cracks due to the stress that the wafer receives from the grinding wheel during grinding, and the warpage and deflection of the processed wafers Increase in the number of wafers increases the number of cracks in the transfer process. In order to reduce the cracking and warping of the wafer, with respect to the protective tape, as the wafer becomes thinner, the cushioning property and rigidity tend to increase, that is, the dimension in the thickness direction of the protective tape (hereinafter referred to as “thickness dimension”) increases. There is a tendency.
このような保護テープを剥離する場合に、特許文献1に開示される技術のように押圧によって剥離の起点を形成する方法を用いると、保護テープの緩衝性によって、起点部となるウェハの端部において、剥離テープと保護テープとの密着性が不十分となるという問題がある。密着性を高めるためには、押圧力を高めることが考えられるが、押圧が強すぎると、ウェハ端部において、応力集中による割れが発生するという問題がある。
When peeling such a protective tape, if the method of forming the starting point of peeling by pressing is used as in the technique disclosed in
また特許文献2に開示される技術を用いると、熱圧着ヒータによる剥離テープと保護テープとの圧着において、保護テープの厚み寸法の増加によって保護テープと剥離テープとの圧着が不十分となったり、保護テープが熱圧着ヒータで過熱されて、剥離テープが切れたりするという問題がある。 In addition, when the technique disclosed in Patent Document 2 is used, in the pressure bonding between the peeling tape and the protective tape by the thermocompression heater, the pressure bonding between the protective tape and the peeling tape becomes insufficient due to the increase in the thickness dimension of the protective tape, There is a problem that the protective tape is overheated by the thermocompression heater and the peeling tape is cut off.
本発明の目的は、ウェハに貼付けられた保護テープを確実に剥離することができる保護テープの剥離方法および剥離装置、ならびに前記保護テープの剥離方法を用いる半導体装置の製造方法を提供することである。 The objective of this invention is providing the manufacturing method of the semiconductor device using the peeling method and peeling apparatus of the protective tape which can peel the protective tape affixed on the wafer reliably, and the peeling method of the said protective tape. .
本発明の保護テープの剥離方法は、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープを前記ウェハから剥離する保護テープの剥離方法であって、前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付工程と、前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱手段によって加熱するとともに、前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却手段によって冷却する加熱冷却工程と、前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープと共に前記ウェハから剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする。 The method for peeling off a protective tape of the present invention is a method for peeling off a protective tape that is attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer from the wafer, on the surface on one side in the thickness direction of the protective tape. Affixing step for affixing a release tape, and heating the adhesive portion between the wafer and the protective tape by a heating means, and a predetermined peeling start end as an end of the protective tape to start peeling from the wafer; A heating and cooling step for cooling the adhesive portion with the peeling tape by a cooling means, and a peeling step for peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape, starting from the peeling start end portion cooled by the cooling means. It is characterized by providing.
本発明の半導体装置の製造方法は、ウェハの厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンを形成する工程と、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に、前記回路パターンを保護する保護テープを貼付ける工程と、前記ウェハの前記保護テープが貼付けられた側とは反対側の厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理を施す工程と、前記本発明の保護テープの剥離方法を用いて、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた前記保護テープを剥離する工程とを備えることを特徴とする。 The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of forming a circuit pattern constituting a semiconductor device on a surface portion on one side in the thickness direction of the wafer, and protecting the circuit pattern on the surface on one side in the thickness direction of the wafer. A step of applying a protective tape, a step of performing a predetermined wafer processing on a surface portion of the other side in the thickness direction opposite to the side of the wafer where the protective tape is applied, and the present invention And a step of peeling off the protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer using a method for peeling off the protective tape.
本発明の保護テープの剥離装置は、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープを前記ウェハから剥離する保護テープの剥離装置であって、前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付手段と、前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱する加熱手段と、前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却する冷却手段と、前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープと共に前記ウェハから剥離する剥離手段とを備えることを特徴とする。 The protective tape peeling device of the present invention is a protective tape peeling device for peeling a protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer from the wafer, on the surface on the one side in the thickness direction of the protective tape. Affixing means for affixing a release tape, a heating means for heating an adhesive portion between the wafer and the protective tape, and a peeling start end part predetermined as an end part for starting the peeling from the wafer among the protective tape, and the A cooling means for cooling an adhesive portion with the peeling tape; and a peeling means for peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape starting from the peeling start end cooled by the cooling means. To do.
本発明の保護テープの剥離方法によれば、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープの厚み方向一方側の表面に、貼付工程で剥離テープが貼付けられる。加熱冷却工程において、ウェハと保護テープとの接着部が加熱手段によって加熱されるとともに、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部が冷却手段によって冷却される。この冷却手段によって冷却された剥離始端部を起点として、剥離工程において、保護テープが剥離テープと共にウェハから剥離される。 According to the peeling method of the protective tape of this invention, a peeling tape is affixed on the surface of the thickness direction one side of the protective tape affixed on the surface of the thickness direction one side of a wafer at the sticking process. In the heating and cooling step, the bonded portion between the wafer and the protective tape is heated by the heating means, and the bonded portion between the peeling start end portion of the protective tape and the peeling tape is cooled by the cooling means. Starting from the peeling start end cooled by the cooling means, the protective tape is peeled from the wafer together with the peeling tape in the peeling step.
このように加熱冷却工程において、ウェハと保護テープとの接着部を加熱するとともに、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部を冷却するので、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部の温度を、ウェハと保護テープとの接着部の温度よりも低くすることができる。これによって、剥離始端部における保護テープと剥離テープとの間の粘着力を、保護テープとウェハとの間の粘着力よりも高くすることができる。したがって、保護テープをウェハから確実に剥離することができる。 Thus, in the heating and cooling step, the bonded portion between the wafer and the protective tape is heated and the bonded portion between the peeling start end portion of the protective tape and the peeling tape is cooled. The temperature of the bonding portion can be made lower than the temperature of the bonding portion between the wafer and the protective tape. Thereby, the adhesive force between the protective tape and the peeling tape at the peeling start end can be made higher than the adhesive force between the protective tape and the wafer. Therefore, the protective tape can be reliably peeled from the wafer.
本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウェハの厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンが形成される。この回路パターンを保護する保護テープが、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた後、ウェハの保護テープが貼付けられた側とは反対側の厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理が施される。その後、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープが剥離されて、半導体装置が製造される。 According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the circuit pattern constituting the semiconductor device is formed on the surface portion on one side in the thickness direction of the wafer. After the protective tape for protecting the circuit pattern is applied to the surface on the one side in the thickness direction of the wafer, it is predetermined on the surface portion on the other side in the thickness direction opposite to the side on which the protective tape of the wafer is applied. Wafer processing is performed. Then, the protective tape affixed on the surface of the thickness direction one side is peeled, and a semiconductor device is manufactured.
保護テープを剥離するときには、前述のように保護テープをウェハから確実に剥離することのできる本発明の保護テープの剥離方法が用いられる。これによって、保護テープの剥離不良を引起こすことなく、保護テープの厚み寸法を大きくして、保護テープの緩衝性および剛性を高めることができる。したがって、ウェハの割れおよび反りを低減することができるので、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。 When the protective tape is peeled off, the protective tape peeling method of the present invention that can reliably peel off the protective tape from the wafer as described above is used. Accordingly, the thickness of the protective tape can be increased without causing the peeling failure of the protective tape, and the buffering property and rigidity of the protective tape can be increased. Therefore, cracks and warpage of the wafer can be reduced, and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.
本発明の保護テープの剥離装置によれば、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープの厚み方向一方側の表面に、貼付手段によって剥離テープが貼付けられる。ウェハと保護テープとの接着部は、加熱手段によって加熱され、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部は、冷却手段によって冷却される。この冷却手段によって冷却された剥離始端部を起点として、剥離手段によって、保護テープが剥離テープと共にウェハから剥離される。 According to the protective tape peeling apparatus of the present invention, the peeling tape is stuck on the surface on one side in the thickness direction of the protective tape stuck on the surface on the one side in the thickness direction of the wafer by the sticking means. The bonding portion between the wafer and the protective tape is heated by the heating means, and the bonding portion between the peeling start end portion of the protective tape and the peeling tape is cooled by the cooling means. Starting from the peeling start end cooled by the cooling means, the protective tape is peeled from the wafer together with the peeling tape by the peeling means.
このように、加熱手段によってウェハと保護テープとの接着部が加熱され、冷却手段によって保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部が冷却されるので、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部の温度を、ウェハと保護テープとの接着部の温度よりも低くすることができる。これによって、剥離始端部における保護テープと剥離テープとの間の粘着力を、保護テープとウェハとの間の粘着力よりも高くすることができる。したがって、保護テープをウェハから確実に剥離することができる。 In this way, the bonded portion between the wafer and the protective tape is heated by the heating means, and the bonded portion between the peeling start end of the protective tape and the peeling tape is cooled by the cooling means, so the peeling start end of the protective tape and the peeling tape Can be made lower than the temperature of the bonded portion between the wafer and the protective tape. Thereby, the adhesive force between the protective tape and the peeling tape at the peeling start end can be made higher than the adhesive force between the protective tape and the wafer. Therefore, the protective tape can be reliably peeled from the wafer.
<第1の実施の形態>
図1は、本発明の第1の実施の形態である剥離装置1の構成を示す側面図である。図2は、図1に示す剥離装置1のステージ23付近を拡大して示す断面図である。図2では、理解を容易にするために、剥離装置1を簡略化して示す。剥離装置1は、ウェハ21の回路パターンが形成された側の表面(以下「回路パターン形成面」という場合がある)に貼付けられた保護テープ22を、ウェハ21から剥離するときに用いられる。ウェハ21の回路パターン形成面は、ウェハ21の厚み方向一方側の表面、図1では紙面に向かって上側の表面(以下「上面」という場合がある)である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a side view showing a configuration of a
剥離装置1は、ステージ23、冷却用こて(以下「冷却こて」という)28、剥離テープ供給回収機構35、上下駆動機構36、昇降機構37、不図示の搬送ロボットおよび不図示のアライメント部を備えて構成される。冷却こて28は、冷却手段に相当する。
The
保護テープ22が貼付けられたウェハ21は、不図示の搬送ロボットを用いて、不図示のアライメント部などを利用して位置決めが適宜行われた後に、ステージ23に吸着される。図示は省略するが、ステージ23には、複数の吸引孔が形成されている。ウェハ21は、吸引孔からの吸引作用によってステージ23に吸着される。
The
ウェハ21は、厚み方向他方側の表面、図1では紙面に向かって下側の表面(以下「下面」という場合がある)が、ステージ23に吸着される。ウェハ21は、たとえばダイシングテープを介してダイシングフレームに貼付けられている場合、ダイシングフレームを介してステージ23に吸着される。ステージ23は、加熱手段である加熱部23aを有する。加熱部23aは、ステージ23の厚み方向一方側の表面部に形成される。加熱部23aは、たとえばステージ23の内部に電熱線を巻回して配置したヒータによって実現される。加熱部23aによってウェハ21を加熱することができる。
The surface of the
ステージ23の両側方の設置面には、2本の支柱11が立設される。2本の支柱11は、図1の紙面に向かって上側の端部である上端部同士で、桟11aを介して繋がれている。2本の支柱11には、それぞれ鉛直方向に延びる支柱レール12が設けられる。各支柱レール12には、不図示の両スライダが昇降動自在に嵌合される。この両スライダと一体となって、昇降枠13が設けられる。
Two
2本の支柱11の上端部を繋ぐ桟11a上には、昇降シリンダ14が設けられる。昇降シリンダ14のシリンダ軸14aは、昇降枠13の後方に突設された固定枠15に接続される。昇降枠13は、昇降シリンダ14の作用によって、レール12に沿った昇降動を自在に行うことができる。支柱11、レール12、昇降枠13、昇降シリンダ14および固定枠15は、昇降機構37を構成する。
An elevating
昇降枠13の背面下部付近には、不図示のユニット用レールが鉛直方向に延びて設けられる。ユニット用レールには、不図示のユニット用スライダが昇降動自在に嵌合される。ユニット用スライダと一体に、昇降ユニット16が設けられる。昇降ユニット16は、昇降枠13の背面に設けられた昇降シリンダ14のシリンダ軸14aに接続されるとともに、昇降ユニット16上に設けられるユニット用昇降シリンダ17のシリンダ軸17aに接続される。
A unit rail (not shown) is provided in the vicinity of the lower back of the lifting
昇降ユニット16は、昇降枠13が支柱11のレール12に沿った昇降動をするときには、それに従って昇降動する。ユニット用昇降シリンダ17が作動したときには、昇降ユニット16は、昇降枠13に対して、ユニット用レールに沿った昇降動を行う。昇降ユニット16、ユニット用昇降シリンダ17、ユニット用レールおよびユニット用スライダは、上下駆動機構36を構成する。
When the lifting
冷却こて28は、剥離テープ24による保護テープ22の剥離が開始される部分(以下「剥離開始部分」という場合がある)に配置可能に構成される。具体的には、冷却こて28は、保護テープ22の剥離が開始される側の端部(以下「剥離始端部」という)に貼付けられた部分の剥離テープ24に接するように配置可能に構成される。冷却こて28は、昇降枠13の不図示の切欠部を通じて、昇降枠13よりも図1の紙面に向かって手前側に突出して設けられる。冷却こて28は、上下駆動機構36によって、鉛直方向、図1では紙面に向かって上下方向に駆動可能に構成される。冷却こて28は、上下駆動機構36を構成する昇降ユニット16に支持される。
The cooling
冷却こて28は、昇降ユニット16の昇降動に伴って、図1の紙面に向かって上下方向に昇降動する。昇降ユニット16を図1の紙面に向かって下方に下降させることによって、冷却こて28を図1の紙面に向かって下方に下降させて、前述の剥離テープ24による保護テープ22の剥離開始部分に配置することができる。
The cooling
ステージ23の上方には、剥離テープ24の供給および回収を行う剥離テープ供給回収機構35が設けられる。剥離テープ供給回収機構35には、保護テープ22への剥離テープ24の貼付けを確実に行うために、剥離テープ供給側ガイド25および剥離テープ回収側ガイド27が備えられる。
Above the
より詳細には、剥離テープ供給回収機構35は、剥離テープ供給リール33、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27、第1ガイドローラ29、第2ガイドローラ30、ピンチローラ31、リール側ガイドローラ32および剥離テープ巻取リール34を備えて構成される。剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26および剥離テープ回収側ガイド27は、貼付手段に相当する。また剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29は、剥離手段に相当する。
More specifically, the release tape supply /
剥離テープ供給回収機構35を構成する各部材、すなわち剥離テープ供給リール33、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27、第1ガイドローラ29、第2ガイドローラ30、ピンチローラ31、リール側ガイドローラ32および剥離テープ巻取リール34は、昇降枠13に軸支される。これらの剥離テープ供給回収機構35を構成する各部材は、昇降枠13の不図示の窓孔を通じて、昇降枠13よりも図1の紙面に向かって手前側に突出して設けられる。
Each member constituting the release tape supply /
剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29は、不図示の鉛直方向移動機構によって、鉛直方向、図1では紙面に向かって上下方向に移動可能に構成される。また剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29は、不図示の水平方向移動機構によって、水平方向、図1では紙面に向かって左右方向に移動可能に構成される。
The release tape
剥離テープ供給リール33から供給される剥離テープ24は、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27、第1ガイドローラ29、第2ガイドローラ30、ピンチローラ31およびリール側ガイドローラ32に順次巻回され、剥離テープ巻取リール34によって巻取られる。本実施の形態では、剥離テープ供給リール33は時計回りに回転し、剥離テープ巻取リール34は反時計回りに回転する。剥離テープ巻取リール34は、不図示の巻取モータによって駆動される。ピンチローラ31は、巻取モータに連動して不図示の駆動手段で駆動されて、剥離テープ24を挟んで回転する。
The
剥離テープ24の張力は、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29の位置を不図示のセンサなどで検知しながら、剥離テープ供給リール33による剥離テープ24の送出し量および送出し速度、ならびに剥離テープ巻取リール34による剥離テープ24の巻取り量および巻取り速度などを制御することによって、調整することができる。剥離テープ24の巻取り量および巻取り速度の制御は、巻取モータと、ピンチローラ31の駆動手段とによって行うことができる。剥離テープ供給リール34側では、巻取モータなどによって、剥離テープ24に一定の張力で引張り抵抗を付勢しておく。
The tension of the peeling
次に、本実施の形態の剥離装置1を用いたウェハ21表面の保護テープ22の剥離方法について説明する。本実施の形態の剥離装置1を用いた保護テープの剥離方法は、本発明の保護テープの剥離方法の実施の一形態である。まず、前述の図2に示すように、アライメント部などを利用して位置決めが行われたウェハ21を、不図示の搬送ロボットを用いて、加熱部23aを有するステージ23で吸着する。
Next, a method for peeling the
その後、前述の図1に示す昇降枠13を下降させて、剥離テープ供給側ガイド25を用いて、ウェハ21表面の保護テープ22の剥離始端部に剥離テープ24を貼付ける。剥離テープ24の貼付けは、ステージ23の加熱部23aでウェハ21を加熱しながら行う。図2では、理解を容易にするために冷却こて28を剥離テープ24に接触させた状態を示しているが、実際には、冷却こて28は、後述する図3に示す工程において剥離テープ24に接触する状態となる。
Thereafter, the lifting
剥離テープ24としては、長尺状であり、ウェハ21よりも幅方向における寸法が小さい剥離テープが用いられる。ウェハ21よりも幅方向における寸法が小さい剥離テープを用いることによって、剥離テープ24がステージ23aに貼付いてしまうことを防ぐことができる。またウェハ21がダイシングフレームを介してステージ23に吸着されている場合には、剥離テープ24がダイシングテープまたはダイシングテープに貼付いてしまうことを防ぐことができる。これによって、剥離テープ24の貼付け、およびその後の保護テープ22の剥離を容易に行うことができる。
As the peeling
図3は、剥離テープ24を保護テープ22の剥離終端部まで貼付けた状態を示す側面図である。次いで、図3に示すように、剥離テープ貼付ローラ26をウェハ21の後端部側、図3では紙面に向かって左方に移動させて、剥離テープ24を保護テープ22の剥離始端部と反対側の端部(以下「剥離終端部」という)まで貼付ける。このときも加熱部23aでウェハ21を加熱しておく。ウェハ21の後端部とは、ウェハ21の保護テープ22の剥離始端部に対応する端部をウェハ21の先端部としたとき、その先端部とは反対側の端部のことである。剥離テープ供給側ガイド25は、剥離テープ貼付ローラ26とともに、ウェハ21の後端部側、すなわち図3の紙面に向かって左方に移動される。
FIG. 3 is a side view showing a state in which the peeling
以上のようにして保護テープ22の剥離始端部から剥離後端部まで剥離テープ24を貼付ける工程は、貼付工程に相当する。この剥離テープ24の貼付けは、前述のように加熱部23aでウェハ21を加熱しながら行う。これによって、ウェハ21および保護テープ22を介して剥離テープ24を加熱することができるので、剥離テープ24の粘着剤の粘着力を低下させ、剥離テープ24を保護テープ22に確実に貼付けることができる。
The process of sticking the peeling
次に、冷却こて28を前述の図1に示す上下駆動機構36によって下降させて、保護テープ22の剥離始端部に貼付けられた剥離テープ24に接触させることによって、剥離始端部の剥離テープ24を冷却し、剥離始端部の剥離テープ24の温度を下げる。これによって、剥離始端部の保護テープ22と剥離テープ24との接着部が冷却される。剥離始端部の冷却は、加熱部23aでウェハ21を加熱することによって、ウェハ21と保護テープ22との接着部を加熱しながら行う。この工程は、加熱冷却工程に相当する。その後、上下駆動機構36によって、冷却こて28を上方に引上げ、冷却こて28による冷却を停止する。
Next, the cooling
図4〜図6は、保護テープ22が剥離される過程を、順を追って示す図である。図4は、保護テープ22の剥離始端部が剥離された状態を示す側面図である。図5は、保護テープ22の中央部が剥離された状態を示す側面図である。図6は、保護テープ22の剥離終端部が剥離された状態を示す側面図である。
4-6 is a figure which shows the process in which the
次いで、前述の図1に示す剥離テープ巻取機構35を用いて、図4〜図6に示すように、剥離テープ回収側ガイド27をウェハ21の後端部側、すなわち図4〜図6の紙面に向かって左方に移動させる。これによって、冷却こて28で冷却された保護テープ22の剥離始端部を起点として、保護テープ22を剥離テープ24と共にウェハ21から剥離する。この工程は、剥離工程に相当する。剥離テープ回収側ガイド27は、具体的には、剥離された保護テープ22と、ウェハ21の保護テープ22が貼付けられていた表面との成す角度である保護テープ22の剥離角度が略180°に保持されるように移動される。
Next, using the peeling
具体的に述べると、まず図4に示すように、剥離テープ回収側ガイド27を移動させることによって、剥離テープ24とウェハ21とを、ウェハ21の厚み方向一方側の表面に平行に、かつ剥離テープ24の長手方向に沿って相対的に移動させる。これによって、冷却こて28で冷却された剥離始端部の保護テープ22および剥離テープ24を折返して、折返し部を形成する。具体的には、保護テープ22の剥離角度が略180°になるように折返し部を形成する。
Specifically, as shown in FIG. 4, first, the peeling tape collecting
次いで、図5に示すように、折返し部における保護テープ22および剥離テープ22の折返し状態を維持しながら、剥離テープ24とウェハ21とを剥離テープ24の長手方向に沿って相対的に移動させる。具体的には、剥離テープ回収側ガイド27を移動させて、保護テープ22の剥離角度が略180°に保持されるように剥離テープ24を移動させる。これによって、保護テープ22は、剥離テープ24に貼付いた状態で、略180°の剥離角度を有して剥がれていく。また、剥離テープ24とウェハ21との相対的移動に伴って、剥離テープ回収リール34を駆動して、ウェハ21から剥離された保護テープ22を剥離テープ24と共に回収する。
Next, as shown in FIG. 5, the peeling
最後に、図6に示すように、保護テープ22の剥離始端部と反対側の剥離終端部付近で、剥離テープ24をウェハ21に対して離反させることによって、保護テープ22をウェハ21から剥離する。
Finally, as shown in FIG. 6, the
図7は、保護テープ22および剥離テープ24の貼付け形態に応じた粘着力の温度依存性を示すグラフである。図7において、横軸は接着部の温度[℃]を表し、縦軸は粘着力[Arb.Unit](任意単位)を表す。図7では、ウェハ21表面に貼付けられた保護テープ22における粘着力、すなわち保護テープ22とウェハ21との間の粘着力の温度依存性を、参照符Aで示される実線で表す。また保護テープ22表面に貼付けられた剥離テープ24における粘着力、すなわち剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力の温度依存性を、参照符Bで示される破線で表す。
FIG. 7 is a graph showing the temperature dependence of the adhesive force according to the application form of the
接着部の温度が上昇する過程で、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力、および剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が急激に低下しているのは、接着部の温度が、保護テープ22および剥離テープ24の各基材テープに塗布された粘着剤のガラス転移温度Tgを超えてしまったためである。
The adhesive force between the
図7に示されるように、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力の方が、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力に比べて、より低い温度で粘着力の急激な低下が生じ始める。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を上回る範囲、すなわち破線Bが実線Aの上側に位置する範囲が存在する。この範囲内であれば、ウェハ21表面に貼付けられた保護テープ22を、剥離テープ24によって剥離することができる。
As shown in FIG. 7, the adhesive force between the
図7によれば、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度、および剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度が90℃近傍のときのみ、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を上回る。したがって、両方の接着部の温度が90℃前後であれば、保護テープ22を剥離テープ24によって安定して剥離することが可能であると考えられるが、実際には、両方の接着部の温度が90℃前後であっても、保護テープ22および剥離テープ24の製造時のばらつきなどによって、保護テープ22を剥離テープ24で剥離できない場合がある。
According to FIG. 7, only when the temperature of the bonding part between the
また、ウェハ21の薄厚化に伴い、ウェハ21の支持性の確保およびウェハ21の保護の観点から、保護テープ22を貼付けたままの状態でウェハプロセスを行うことが求められるようになっている。特に電力用半導体装置などの分野では、この傾向が強い。保護テープ22を貼付けたままの状態でウェハプロセスを行うことができるように、耐熱性を向上させたテープ材料の開発が進められている。これに伴い、保護テープ22の粘着剤のガラス転移温度Tgは、高くなる傾向にある。
Further, as the thickness of the
保護テープ22の粘着剤のガラス転移温度Tgが高くなると、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力が急激に低下し始めるときの接着部の温度が高くなるので、図7において、実線Aが破線B寄りにシフトすることになる。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を上回る範囲がほぼ無くなってしまい、保護テープ22を剥離テープ24で剥離できない場合が生じる。
When the glass transition temperature Tg of the adhesive of the
本実施の形態では、前述の図2に示す冷却こて28を用いて、剥離テープ24側から剥離テープ24と保護テープ22との接着部を冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を低下させつつ、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度のみを上げることが可能である。したがって、前述のように保護テープ22および剥離テープ24に製造時のばらつきがある場合、および保護テープ22の粘着剤のガラス転移温度Tgが高い場合などであっても、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力よりも高めることができる。したがって、保護テープ22を剥離テープ24によってウェハ21から確実に剥離することができる。
In the present embodiment, the bonding portion between the peeling
また、本実施の形態の保護テープの剥離方法は、ウェハ21の材料が炭化ケイ素である場合に好適である。炭化ケイ素は、半導体装置のウェハ材料に広く用いられているシリコンと比較して、熱伝導率が約2倍と高いので、ウェハ21の材料が炭化ケイ素である場合、ウェハ21の材料がシリコンである場合に比べて、ステージ23の加熱部23aの熱が、ウェハ21を介して保護テープ22に伝わりやすい。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度と、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度とに差がつきにくくなるので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力、および保護テープ22とウェハ21との間の粘着力の制御が難しくなる。
The protective tape peeling method of the present embodiment is suitable when the material of the
本実施の形態では、前述の図2に示す冷却こて28を用いて、剥離テープ24側から剥離テープ24と保護テープ22との接着部を冷却するので、ウェハ21の材料が炭化ケイ素である場合であっても、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度よりも低くすることができる。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力よりも高めることができるので、剥離テープ24によって、保護テープ22をウェハ21から確実に剥離することができる。
In the present embodiment, the bonding part between the peeling
また本実施の形態では、冷却手段として、冷却こて28を用いるので、他の冷却手段を用いる場合に比べて、より確実に、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度よりも低下させることができる。これによって、より確実に、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力よりも高めることができる。したがって、保護テープ22をより確実にウェハ21から剥離することができる。
In the present embodiment, since the cooling
冷却こて28は、保護テープ22が折返される方向、すなわち図4〜図6の紙面に向かって左方に移動可能に構成されてもよい。保護テープ22が折返される方向に移動可能に構成することによって、保護テープ22の剥離中も、冷却こて28で保護テープ22と剥離テープ24との接着部の冷却を継続することができる。このように冷却こて28を、保護テープ22がウェハ21から剥離されている間に、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却可能に構成して、保護テープ22の剥離時も冷却こて28で冷却し続けることによって、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を低い状態で維持することができる。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を高い状態で維持することができるので、保護テープ22をより確実にウェハ21から剥離することができる。
The cooling
また本実施の形態では、保護テープ22を剥離するときには、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29の作用によって、まず、前述の図4に示すように、冷却こて28で冷却された剥離始端部の保護テープ22および剥離テープ24を折返して折返し部を形成する。そして、前述の図5に示すように、折返し部における保護テープ22および剥離テープ22の折返し状態を維持しながら、剥離テープ24を移動させるとともに、ウェハ21から剥離された保護テープ22を剥離テープ24と共に回収する。最後に、前述の図6に示すように、保護テープ22の剥離始端部と反対側の剥離終端部付近で、剥離テープ24をウェハ21に対して離反させて、保護テープ22をウェハ21から剥離する。
In this embodiment, when the
このようにして保護テープ22の剥離を行うので、保護テープ22を剥離するときに、ウェハ21の厚み方向一方側の表面に垂直な方向、すなわちウェハ21の厚み方向に加わる力を小さくすることができる。特に本実施の形態では、保護テープ22は、剥離テープ24に貼付いた状態で、略180°の剥離角度を有して剥がれていくので、ウェハ21に対しては、ウェハ21の厚み方向一方側の表面と平行な方向に力が加わり、ウェハ21の厚み方向一方側の表面と垂直な方向に加わる力は、ほぼゼロになる。したがって、ウェハ21の厚み寸法が極めて小さい場合であっても、保護テープ22の持上がりなどによるチッピングなどの破損を防ぐことができる。
Since the
<第2の実施の形態>
図8は、本発明の第2の実施の形態である剥離装置40を示す断面図である。本実施の形態の剥離装置40は、前述の第1の実施の形態の剥離装置1と類似し、冷却こて28を除くその他の構成は、第1の実施の形態の剥離装置1と同様であるので、異なる部分についてのみ説明し、同様の構成には同一の参照符を付して共通する説明を省略する。図8では、前述の図2と同様に、剥離装置40のステージ23付近を拡大して示す。
<Second Embodiment>
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a
前述の第1の実施の形態の剥離装置1では、冷却手段として、冷却こて28が設けられているが、本実施の形態の剥離装置40では、冷却こて28に代えて、冷却ファン41が設けられている。
In the
冷却ファン41は、保護テープ22が貼付けられたウェハ21がステージ23に吸着された状態で、保護テープ22の剥離始端部が位置する部分の側方に設けられる。冷却ファン41は、保護テープ22の剥離始端部に向かって空気を送出可能に設けられる。冷却ファン41が作動すると、保護テープ22の剥離始端部の側方から、図8では紙面に向かって右方から、空気が送出される。これによって、保護テープ22の剥離始端部が冷却され、保護テープ22の剥離始端部と剥離テープ24との接着部が冷却される。
The cooling
このような本実施の形態の剥離装置40を用いて、本発明の実施の一形態である保護テープの剥離方法が実行される。本実施の形態における保護テープの剥離方法は、前述の第1の実施の形態における保護テープの剥離方法と同様であるので、異なる工程について説明し、共通の説明を省略する。
Using such a
本実施の形態では、第1の実施の形態と同様にして、ステージ23の加熱部23aでウェハ21を加熱しながら、剥離テープ24を保護テープ22の剥離始端部から剥離終端部まで貼付けた後、冷却ファン41から空気を送出させ、保護テープ22の剥離始端部、ひいては保護テープ22の剥離始端部と剥離テープ24との接着部を冷却する。冷却ファン41から空気を送出させる間、加熱部23aによってウェハ21を加熱しておく。
In this embodiment, after the peeling
冷却ファン41による保護テープ22の冷却、および加熱部23aによるウェハ21の加熱を停止した後、もしくは加熱を継続した状態で、第1の実施の形態と同様にして、剥離テープ24と共に保護テープ22を剥離する。
After the cooling of the
このように本実施の形態では、ウェハ21を加熱部23aで加熱するとともに、保護テープ22の剥離始端部を冷却ファン41で冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を維持しながら、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を低下させることができる。したがって、剥離テープ24によって、保護テープ22をウェハ21から安定かつ確実に剥離することができる。
As described above, in the present embodiment, the
また本実施の形態では、冷却手段として、冷却用ファン41を用いるので、他の冷却手段を用いる場合に比べて、剥離装置40を簡単な構成で実現することができ、剥離テープ24と保護テープ24との接着部の冷却を容易に実現することができる。
In the present embodiment, since the cooling
冷却ファン41の空気送出側、すなわち保護テープ22の剥離始端部に臨む側には、放電機構を設けてもよい。放電機構を設けることによって、空気と共に、イオンを送出することが可能となるので、剥離するときの保護テープ22によるウェハ21表面の素子の静電破壊を抑制することができる。
A discharge mechanism may be provided on the air delivery side of the cooling
また本実施の形態では、冷却ファン41は、ウェハ21がステージ23に吸着された状態で、保護テープ22の剥離始端部が位置する部分の側方に設けられるので、保護テープ22がウェハ21から剥離されている間も、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却することが可能である。したがって、保護テープ22の剥離中も冷却ファン41による冷却を継続するようにしてもよい。これによって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を高い状態で維持することができるので、保護テープ22をウェハ21からより確実に剥離することができる。
In the present embodiment, the cooling
<第3の実施の形態>
図9は、本発明の第3の実施の形態である剥離装置50を示す断面図である。本実施の形態の剥離装置40は、前述の第1の実施の形態の剥離装置1と類似し、冷却こて28を除くその他の構成は、第1の実施の形態の剥離装置1と同様であるので、異なる部分についてのみ説明し、同様の構成には同一の参照符を付して共通する説明を省略する。図9では、前述の図2と同様に、剥離装置50のステージ23付近を拡大して示す。
<Third Embodiment>
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a
前述の第1の実施の形態の剥離装置1では、冷却手段として、冷却こて28が設けられているが、本実施の形態の剥離装置50では、冷却こて28に代えて、有機溶剤吐出機構51が設けられている。有機溶剤吐出機構51は、有機溶剤供給手段に相当する。
In the
有機溶剤吐出機構51は、第1の実施の形態における冷却こて28と同様に、前述の図1に示す上下駆動機構36を構成する昇降ユニット16に支持され、上下駆動機構36によって、鉛直方向、すなわち図9の紙面に向かって上下方向に駆動可能に構成される。有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22がウェハ21から剥離されている間に、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却可能に構成される。具体的には、有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22が折返される方向、図9では紙面に向かって左方に移動可能に構成される。
Similar to the cooling
有機溶剤吐出機構51は、剥離テープ24がウェハ21表面の保護テープ22に貼付けられた状態では、剥離テープ24の上方に配置される。有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22の剥離始端部に貼付けられた部分の剥離テープ24に、有機溶剤を供給可能に設けられる。これによって、保護テープ22の剥離始端部と剥離テープ24との接着部が冷却される。有機溶剤吐出機構51は、剥離テープ24に向けて、図9では紙面に向かって上方から下方に向けて、有機溶剤を吐出、具体的には滴下またはスプレー塗布することによって、有機溶剤を供給する。
The organic
有機溶剤としては、保護テープ22および剥離テープ24の各基材テープを溶解させず、またウェハ21およびウェハ21のパターン形成面に形成された回路パターンを浸食せずに、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却可能な有機溶剤が用いられる。具体的には、イソプロピルアルコールなどの揮発性有機溶剤が用いられる。
As the organic solvent, the
このように有機溶剤吐出機構51から、保護テープ22の剥離始端部に貼付けられた部分の剥離テープ24に向けて、有機溶剤を供給することによって、保護テープ22の剥離始端部において、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却することができる。
In this way, by supplying the organic solvent from the organic
このような本実施の形態の剥離装置40を用いて、本発明の実施の一形態である保護テープの剥離方法が実行される。本実施の形態における保護テープの剥離方法は、前述の第1の実施の形態における保護テープの剥離方法と同様であるので、異なる工程について説明し、共通の説明を省略する。
Using such a
本実施の形態では、第1の実施の形態と同様にして、ステージ23の加熱部23aでウェハ21を加熱しながら、剥離テープ24を保護テープ22の剥離始端部から剥離終端部まで貼付けた後、有機溶剤吐出機構51から有機溶剤を供給して、保護テープ22の剥離始端部において、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却する。有機溶剤吐出機構51から有機溶剤を供給する間、加熱部23aによってウェハ21を加熱しておく。有機溶剤吐出機構51からの有機溶剤の供給、および加熱部23aによるウェハ21の加熱を停止した後、第1の実施の形態と同様にして、剥離テープ24と共に保護テープ22を剥離する。
In this embodiment, after the peeling
このように本実施の形態では、ウェハ21を加熱部23aで加熱するとともに、保護テープ22の剥離始端部を有機溶剤吐出機構51で冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を維持しながら、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を低下させることができる。したがって、剥離テープ24によって、保護テープ22をウェハ21から安定かつ確実に剥離することができる。
As described above, in this embodiment, the
また本実施の形態では、有機溶剤吐出機構51から供給された有機溶剤によって、保護テープ22の剥離始端部が浸食されるので、第1および第2の実施の形態に比べて、剥離始端部における保護テープ22とウェハ21との間の粘着力をさらに低下させることができる。したがって、保護テープ22をより確実にウェハ21から剥離することができる。
Further, in this embodiment, the peeling start end portion of the
また本実施の形態では、ステージ23の表面に保護テープ22の粘着剤が付着してしまった場合でも、有機溶剤吐出機構51から供給される有機溶剤によって、ステージ23表面に付着した保護テープ22の粘着剤を溶解させることができる。したがって、ステージ23表面に付着した保護テープ22の粘着剤によって、ウェハ21とステージ23とが接着した状態で、搬送アームがウェハ21を吸着することで、ウェハ21にストレスがかかることを防ぐことができるので、ウェハ21の破損を防ぐことができる。
Further, in the present embodiment, even when the adhesive of the
また本実施の形態では、有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22が折返される方向、図9では紙面に向かって左方に移動可能に構成されるので、保護テープ22の剥離中も、保護テープ22と剥離テープ24との接着部の冷却を継続することができる。これによって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を高い状態で維持することができるので、保護テープ22をウェハ21からより確実に剥離することができる。
Further, in the present embodiment, the organic
次に、本発明の実施の一形態である半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、前述の第1〜第3のいずれかの実施の形態における保護テープの剥離方法を用いて、ウェハ21の回路パターン形成面に貼付けられた保護テープ22をウェハ21から剥離する工程を備える。
Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described. The manufacturing method of the semiconductor device of the present embodiment is a
具体的には、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、まず、ウェハ21の厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンを形成した後、ウェハ21の回路パターンが形成された側の表面である回路パターン形成面に保護テープ22を貼付ける。そして、ウェハ21の保護テープ22が貼付けられた側とは反対側の表面部分、すなわち厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理を施す。予め定められたウェハ加工処理とは、たとえば、ウェハ21の回路パターン形成面とは反対側の表面を研削して、ウェハ21を薄厚化する処理である。予め定められたウェハ加工処理は、ウェハ21を薄膜化する処理の後に、たとえば、イオン注入および熱処理によって研削加工面に拡散層を形成し、その後、スパッタリング法などによって裏面電極を形成する処理を含んでもよい。
Specifically, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, first, after a circuit pattern constituting the semiconductor device is formed on the surface portion on one side in the thickness direction of the
次いで、ウェハ21の研削加工面、すなわち回路パターン形成面とは反対側の表面にダイシングテープを貼付けた後、前述の第1〜第3のいずれかの実施の形態における保護テープの剥離方法を用いて、ウェハ21の回路パターン形成面に貼付けられた保護テープ22をウェハ21から剥離する。その後、ウェハ21をダイシングしてチップ化し、半導体装置を得る。
Next, after attaching a dicing tape to the ground surface of the
前述のように、第1〜第3の実施の形態の保護テープの剥離方法では、冷却手段によって、剥離テープ24と保護テープ22との接着部を冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を維持しながら、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を低下させることができる。これによって、保護テープ22をウェハ21から確実に剥離することができる。
As described above, in the protective tape peeling method according to the first to third embodiments, the bonding portion between the peeling
本実施の形態の半導体装置の製造方法では、このような第1〜第3のいずれかの実施の形態の保護テープの剥離方法を用いて保護テープ22の剥離を行うので、保護テープ22の剥離不良を引起こすことなく、保護テープ22の厚み寸法を大きくして、保護テープ22の緩衝性および剛性を高めることができる。したがって、ウェハ21の割れおよび反りを低減することができるので、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。
In the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, the
1,40,50 剥離装置、21 ウェハ、22 保護テープ、23 ステージ、24 剥離テープ、25 剥離テープ供給側ガイド、26 剥離テープ貼付ローラ、27 剥離テープ回収側ガイド、28 冷却こて、29 第1ガイドローラ、30 第2ガイドローラ、41 冷却ファン、51 有機溶剤吐出機構。 1, 40, 50 Peeling Device, 21 Wafer, 22 Protection Tape, 23 Stage, 24 Peeling Tape, 25 Peeling Tape Supply Side Guide, 26 Peeling Tape Application Roller, 27 Peeling Tape Collection Side Guide, 28 Cooling Trowel, 29 First Guide roller, 30 Second guide roller, 41 Cooling fan, 51 Organic solvent discharge mechanism.
Claims (14)
前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付工程と、
前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱手段によって加熱するとともに、前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却手段によって冷却する加熱冷却工程と、
前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープと共に前記ウェハから剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする保護テープの剥離方法。 A protective tape peeling method for peeling off the protective tape attached to the surface on one side of the thickness direction of the wafer from the wafer,
A sticking step of attaching a release tape to the surface on one side of the thickness direction of the protective tape;
While heating the adhesion part of the said wafer and the said protective tape with a heating means, the adhesion part of the peeling start end part predetermined as an edge part which starts peeling from the said wafer and the said peeling tape among the said protective tape is cooled. A heating and cooling step of cooling by means;
And a peeling step of peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape, starting from the peeling start end cooled by the cooling means.
前記剥離工程は、
前記剥離テープと前記ウェハとを、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に平行に、かつ前記剥離テープの長手方向に沿って相対的に移動させることによって、前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部の前記保護テープおよび前記剥離テープを折返して、折返し部を形成する工程と、
前記折返し部における前記保護テープおよび前記剥離テープの折返し状態を維持しながら、前記剥離テープと前記ウェハとを前記剥離テープの長手方向に沿って相対的に移動させるとともに、前記ウェハから剥離された前記保護テープを前記剥離テープと共に回収する工程と、
前記保護テープの前記剥離始端部と反対側の剥離終端部付近で、前記剥離テープを前記ウェハに対して離反させる工程とを備えることを特徴とする請求項1に記載の保護テープの剥離方法。 In the attaching step, an elongated release tape as the release tape is attached to the surface on one side in the thickness direction of the protective tape,
The peeling step includes
The peeling start edge cooled by the cooling means by moving the peeling tape and the wafer relatively in parallel with the surface on one side in the thickness direction of the wafer and along the longitudinal direction of the peeling tape. Folding back the protective tape and the peeling tape to form a folded portion;
While maintaining the folded state of the protective tape and the peeling tape in the folded portion, the peeling tape and the wafer are relatively moved along the longitudinal direction of the peeling tape, and the peeled from the wafer. Recovering the protective tape together with the release tape;
The method for peeling off the protective tape according to claim 1, further comprising a step of separating the peeling tape from the wafer in the vicinity of the peeling end portion opposite to the peeling start end portion of the protective tape.
前記ウェハの厚み方向一方側の表面に、前記回路パターンを保護する保護テープを貼付ける工程と、
前記ウェハの前記保護テープが貼付けられた側とは反対側の厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理を施す工程と、
請求項1〜7のいずれか1つに記載の保護テープの剥離方法を用いて、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた前記保護テープを剥離する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a circuit pattern constituting the semiconductor device on a surface portion on one side in the thickness direction of the wafer;
A process of attaching a protective tape for protecting the circuit pattern to the surface on one side in the thickness direction of the wafer;
A step of performing a predetermined wafer processing on the surface portion on the other side in the thickness direction opposite to the side where the protective tape of the wafer is attached;
Using the method for peeling off a protective tape according to any one of claims 1 to 7, comprising a step of peeling off the protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer. A method for manufacturing a semiconductor device.
前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付手段と、
前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱する加熱手段と、
前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープとともに前記ウェハから剥離する剥離手段とを備えることを特徴とする保護テープの剥離装置。 A protective tape peeling apparatus that peels off the protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer from the wafer,
Affixing means for affixing a release tape to the surface on one side of the thickness direction of the protective tape;
Heating means for heating an adhesive portion between the wafer and the protective tape;
Among the protective tape, a cooling means for cooling an adhesive portion between the peeling start end portion and the peeling tape, which is predetermined as an end portion for starting peeling from the wafer,
An apparatus for peeling off a protective tape, comprising: a peeling means for peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape, starting from the peeling start end cooled by the cooling means.
前記剥離手段は、前記剥離テープと前記ウェハとを、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に平行に、かつ前記剥離テープの長手方向に沿って相対的に移動可能に構成されることを特徴とする請求項9に記載の保護テープの剥離装置。 The affixing means is configured to be able to affix an elongated release tape as the release tape to the surface on one side in the thickness direction of the protective tape,
The peeling means is configured to be capable of relatively moving the peeling tape and the wafer parallel to the surface on one side in the thickness direction of the wafer and along the longitudinal direction of the peeling tape. The peeling apparatus of the protective tape of Claim 9.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010034293A JP2011171530A (en) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | Method and device for peeling protective tape, and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011171530A true JP2011171530A (en) | 2011-09-01 |
Family
ID=44685331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010034293A Pending JP2011171530A (en) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | Method and device for peeling protective tape, and method of manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011171530A (en) |
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