JP2011171530A - Method and device for peeling protective tape, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method and device for peeling protective tape, and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

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Kazunari Nakada
和成 中田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for peeling a protective tape that reliably peel the protective tape stuck on a wafer, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the method for peeling the protective tape. <P>SOLUTION: After a peeling tape 24 is stuck on the surface of the protective tape 21 stuck on the surface of the wafer 21, the wafer 21 is heated by a heating unit 23a and the peeling tape 24 stuck on the peeling start end of the protective tape 22 is cooled by a cooling iron 28. The protective tape 22 is peeled from the wafer together with the peeling tape 24 with the peeling start end part cooled by the cooling iron 28 as a starting point. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェハに貼付けられた保護テープを剥離する保護テープの剥離方法および剥離装置、ならびに前記保護テープの剥離方法を用いる半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a protective tape peeling method and a peeling device for peeling off a protective tape attached to a semiconductor wafer, and a semiconductor device manufacturing method using the protective tape peeling method.

半導体装置の薄型化による実装密度の向上、および電力用半導体装置の性能向上という観点から、半導体装置が実装された半導体チップの製造工程では、表面に回路パターンを形成した半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という場合がある)の回路パターン形成面に保護テープを貼付けた状態で、ウェハの裏面を研削して薄厚化することが行われている。   From the viewpoint of improving the mounting density by reducing the thickness of the semiconductor device and improving the performance of the power semiconductor device, in the manufacturing process of the semiconductor chip on which the semiconductor device is mounted, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “ In some cases, the back surface of the wafer is ground and thinned in a state where a protective tape is applied to the circuit pattern forming surface of the wafer).

薄厚化されたウェハは、回路パターン形成面を上向きにして、ダイシングテープを介してダイシングフレームにマウントされた後、回路パターン形成面に貼付けられた保護テープが剥離され、ダイシング工程においてチップ化される。   The thinned wafer is mounted on a dicing frame via a dicing tape with the circuit pattern forming surface facing upward, and then the protective tape attached to the circuit pattern forming surface is peeled off to form a chip in the dicing process. .

電力用半導体装置を製造する場合は、ウェハの薄厚化後にイオン注入工程および熱処理工程によって研削加工面に拡散層を形成し、その後、スパッタリング法などによって裏面電極を形成する。   When manufacturing a power semiconductor device, after the wafer is thinned, a diffusion layer is formed on the ground surface by an ion implantation process and a heat treatment process, and then a back electrode is formed by sputtering or the like.

電力用半導体デバイスの分野において、半導体ウェハとしては、ケイ素を材料とするウェハが用いられていたが、近年では、その材料特性から、炭化ケイ素を材料とするウェハが用いられている。炭化ケイ素を材料とするウェハを使用した電力用半導体装置においても、性能向上の観点から、保護テープを使用して、研削加工、拡散層形成および電極形成が行われている。   In the field of power semiconductor devices, as a semiconductor wafer, a wafer made of silicon is used. However, in recent years, a wafer made of silicon carbide is used because of its material characteristics. Also in power semiconductor devices using wafers made of silicon carbide, grinding, diffusion layer formation, and electrode formation are performed using a protective tape from the viewpoint of improving performance.

保護テープを剥離するにあたっては、剥離テープが用いられる。剥離テープを保護テープの表面に貼付けた後、引き剥がすことによって、剥離テープと共に保護テープがウェハから剥離される。剥離の起点を確実に形成する方法として、剥離テープよりも幅方向の寸法が短い貼付ローラを用いて、剥離テープの中央部を貼付ローラで保護テープの表面に押圧して、剥離テープを剥離する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   In peeling off the protective tape, a peeling tape is used. After affixing a peeling tape on the surface of a protective tape, by peeling off, a protective tape is peeled from a wafer with a peeling tape. As a method for reliably forming the starting point of peeling, the peeling tape is peeled off by pressing the center part of the peeling tape against the surface of the protective tape with the sticking roller using a sticking roller having a width dimension shorter than that of the peeling tape. A method has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

また、剥離の起点となる部分の剥離テープと保護テープとの密着性を向上させる方法として、熱圧着ヒータを用いて、剥離テープと保護テープとの熱圧着部を、剥離テープのほぼ全幅にわたって形成する方法が提案されている(たとえば、特許文献2参照)。   In addition, as a method of improving the adhesion between the peeling tape and the protective tape at the starting point of peeling, a thermocompression bonding part between the peeling tape and the protective tape is formed over almost the entire width of the peeling tape using a thermocompression heater. Has been proposed (see, for example, Patent Document 2).

特開2008−4712号公報JP 2008-4712 A 特開2009−141314号公報JP 2009-141314 A

半導体チップの薄型化を目的としたウェハの薄厚化に伴い、半導体チップの製造工程では、研削時にウェハが砥石から受ける応力が増加することによるウェハの割れ、ならびに加工後のウェハの反りおよびたわみ量の増加による搬送過程でのウェハの割れが増加する。ウェハの割れおよび反りを低減するために、保護テープに関しては、ウェハが薄くなるにつれて、緩衝性および剛性が高くなる傾向、つまり保護テープの厚み方向の寸法(以下「厚み寸法」という)が大きくなる傾向にある。   Along with the thinning of wafers for the purpose of reducing the thickness of semiconductor chips, in the semiconductor chip manufacturing process, wafer cracks due to the stress that the wafer receives from the grinding wheel during grinding, and the warpage and deflection of the processed wafers Increase in the number of wafers increases the number of cracks in the transfer process. In order to reduce the cracking and warping of the wafer, with respect to the protective tape, as the wafer becomes thinner, the cushioning property and rigidity tend to increase, that is, the dimension in the thickness direction of the protective tape (hereinafter referred to as “thickness dimension”) increases. There is a tendency.

このような保護テープを剥離する場合に、特許文献1に開示される技術のように押圧によって剥離の起点を形成する方法を用いると、保護テープの緩衝性によって、起点部となるウェハの端部において、剥離テープと保護テープとの密着性が不十分となるという問題がある。密着性を高めるためには、押圧力を高めることが考えられるが、押圧が強すぎると、ウェハ端部において、応力集中による割れが発生するという問題がある。   When peeling such a protective tape, if the method of forming the starting point of peeling by pressing is used as in the technique disclosed in Patent Document 1, the end portion of the wafer that becomes the starting point due to the buffering property of the protective tape However, there exists a problem that the adhesiveness of a peeling tape and a protective tape becomes inadequate. In order to improve the adhesion, it is conceivable to increase the pressing force. However, if the pressing force is too strong, there is a problem that cracks due to stress concentration occur at the edge of the wafer.

また特許文献2に開示される技術を用いると、熱圧着ヒータによる剥離テープと保護テープとの圧着において、保護テープの厚み寸法の増加によって保護テープと剥離テープとの圧着が不十分となったり、保護テープが熱圧着ヒータで過熱されて、剥離テープが切れたりするという問題がある。   In addition, when the technique disclosed in Patent Document 2 is used, in the pressure bonding between the peeling tape and the protective tape by the thermocompression heater, the pressure bonding between the protective tape and the peeling tape becomes insufficient due to the increase in the thickness dimension of the protective tape, There is a problem that the protective tape is overheated by the thermocompression heater and the peeling tape is cut off.

本発明の目的は、ウェハに貼付けられた保護テープを確実に剥離することができる保護テープの剥離方法および剥離装置、ならびに前記保護テープの剥離方法を用いる半導体装置の製造方法を提供することである。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the semiconductor device using the peeling method and peeling apparatus of the protective tape which can peel the protective tape affixed on the wafer reliably, and the peeling method of the said protective tape. .

本発明の保護テープの剥離方法は、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープを前記ウェハから剥離する保護テープの剥離方法であって、前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付工程と、前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱手段によって加熱するとともに、前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却手段によって冷却する加熱冷却工程と、前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープと共に前記ウェハから剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする。   The method for peeling off a protective tape of the present invention is a method for peeling off a protective tape that is attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer from the wafer, on the surface on one side in the thickness direction of the protective tape. Affixing step for affixing a release tape, and heating the adhesive portion between the wafer and the protective tape by a heating means, and a predetermined peeling start end as an end of the protective tape to start peeling from the wafer; A heating and cooling step for cooling the adhesive portion with the peeling tape by a cooling means, and a peeling step for peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape, starting from the peeling start end portion cooled by the cooling means. It is characterized by providing.

本発明の半導体装置の製造方法は、ウェハの厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンを形成する工程と、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に、前記回路パターンを保護する保護テープを貼付ける工程と、前記ウェハの前記保護テープが貼付けられた側とは反対側の厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理を施す工程と、前記本発明の保護テープの剥離方法を用いて、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた前記保護テープを剥離する工程とを備えることを特徴とする。   The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of forming a circuit pattern constituting a semiconductor device on a surface portion on one side in the thickness direction of the wafer, and protecting the circuit pattern on the surface on one side in the thickness direction of the wafer. A step of applying a protective tape, a step of performing a predetermined wafer processing on a surface portion of the other side in the thickness direction opposite to the side of the wafer where the protective tape is applied, and the present invention And a step of peeling off the protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer using a method for peeling off the protective tape.

本発明の保護テープの剥離装置は、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープを前記ウェハから剥離する保護テープの剥離装置であって、前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付手段と、前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱する加熱手段と、前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却する冷却手段と、前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープと共に前記ウェハから剥離する剥離手段とを備えることを特徴とする。   The protective tape peeling device of the present invention is a protective tape peeling device for peeling a protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer from the wafer, on the surface on the one side in the thickness direction of the protective tape. Affixing means for affixing a release tape, a heating means for heating an adhesive portion between the wafer and the protective tape, and a peeling start end part predetermined as an end part for starting the peeling from the wafer among the protective tape, and the A cooling means for cooling an adhesive portion with the peeling tape; and a peeling means for peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape starting from the peeling start end cooled by the cooling means. To do.

本発明の保護テープの剥離方法によれば、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープの厚み方向一方側の表面に、貼付工程で剥離テープが貼付けられる。加熱冷却工程において、ウェハと保護テープとの接着部が加熱手段によって加熱されるとともに、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部が冷却手段によって冷却される。この冷却手段によって冷却された剥離始端部を起点として、剥離工程において、保護テープが剥離テープと共にウェハから剥離される。   According to the peeling method of the protective tape of this invention, a peeling tape is affixed on the surface of the thickness direction one side of the protective tape affixed on the surface of the thickness direction one side of a wafer at the sticking process. In the heating and cooling step, the bonded portion between the wafer and the protective tape is heated by the heating means, and the bonded portion between the peeling start end portion of the protective tape and the peeling tape is cooled by the cooling means. Starting from the peeling start end cooled by the cooling means, the protective tape is peeled from the wafer together with the peeling tape in the peeling step.

このように加熱冷却工程において、ウェハと保護テープとの接着部を加熱するとともに、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部を冷却するので、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部の温度を、ウェハと保護テープとの接着部の温度よりも低くすることができる。これによって、剥離始端部における保護テープと剥離テープとの間の粘着力を、保護テープとウェハとの間の粘着力よりも高くすることができる。したがって、保護テープをウェハから確実に剥離することができる。   Thus, in the heating and cooling step, the bonded portion between the wafer and the protective tape is heated and the bonded portion between the peeling start end portion of the protective tape and the peeling tape is cooled. The temperature of the bonding portion can be made lower than the temperature of the bonding portion between the wafer and the protective tape. Thereby, the adhesive force between the protective tape and the peeling tape at the peeling start end can be made higher than the adhesive force between the protective tape and the wafer. Therefore, the protective tape can be reliably peeled from the wafer.

本発明の半導体装置の製造方法によれば、ウェハの厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンが形成される。この回路パターンを保護する保護テープが、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた後、ウェハの保護テープが貼付けられた側とは反対側の厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理が施される。その後、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープが剥離されて、半導体装置が製造される。   According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the circuit pattern constituting the semiconductor device is formed on the surface portion on one side in the thickness direction of the wafer. After the protective tape for protecting the circuit pattern is applied to the surface on the one side in the thickness direction of the wafer, it is predetermined on the surface portion on the other side in the thickness direction opposite to the side on which the protective tape of the wafer is applied. Wafer processing is performed. Then, the protective tape affixed on the surface of the thickness direction one side is peeled, and a semiconductor device is manufactured.

保護テープを剥離するときには、前述のように保護テープをウェハから確実に剥離することのできる本発明の保護テープの剥離方法が用いられる。これによって、保護テープの剥離不良を引起こすことなく、保護テープの厚み寸法を大きくして、保護テープの緩衝性および剛性を高めることができる。したがって、ウェハの割れおよび反りを低減することができるので、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。   When the protective tape is peeled off, the protective tape peeling method of the present invention that can reliably peel off the protective tape from the wafer as described above is used. Accordingly, the thickness of the protective tape can be increased without causing the peeling failure of the protective tape, and the buffering property and rigidity of the protective tape can be increased. Therefore, cracks and warpage of the wafer can be reduced, and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.

本発明の保護テープの剥離装置によれば、ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープの厚み方向一方側の表面に、貼付手段によって剥離テープが貼付けられる。ウェハと保護テープとの接着部は、加熱手段によって加熱され、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部は、冷却手段によって冷却される。この冷却手段によって冷却された剥離始端部を起点として、剥離手段によって、保護テープが剥離テープと共にウェハから剥離される。   According to the protective tape peeling apparatus of the present invention, the peeling tape is stuck on the surface on one side in the thickness direction of the protective tape stuck on the surface on the one side in the thickness direction of the wafer by the sticking means. The bonding portion between the wafer and the protective tape is heated by the heating means, and the bonding portion between the peeling start end portion of the protective tape and the peeling tape is cooled by the cooling means. Starting from the peeling start end cooled by the cooling means, the protective tape is peeled from the wafer together with the peeling tape by the peeling means.

このように、加熱手段によってウェハと保護テープとの接着部が加熱され、冷却手段によって保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部が冷却されるので、保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部の温度を、ウェハと保護テープとの接着部の温度よりも低くすることができる。これによって、剥離始端部における保護テープと剥離テープとの間の粘着力を、保護テープとウェハとの間の粘着力よりも高くすることができる。したがって、保護テープをウェハから確実に剥離することができる。   In this way, the bonded portion between the wafer and the protective tape is heated by the heating means, and the bonded portion between the peeling start end of the protective tape and the peeling tape is cooled by the cooling means, so the peeling start end of the protective tape and the peeling tape Can be made lower than the temperature of the bonded portion between the wafer and the protective tape. Thereby, the adhesive force between the protective tape and the peeling tape at the peeling start end can be made higher than the adhesive force between the protective tape and the wafer. Therefore, the protective tape can be reliably peeled from the wafer.

本発明の第1の実施の形態である剥離装置1の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the peeling apparatus 1 which is the 1st Embodiment of this invention. 図1に示す剥離装置1のステージ23付近を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the stage 23 vicinity of the peeling apparatus 1 shown in FIG. 剥離テープ24を保護テープ22の剥離終端部まで貼付けた状態を示す側面図である。3 is a side view showing a state in which the peeling tape 24 is pasted up to a peeling end portion of the protective tape 22. 保護テープ22の剥離始端部が剥離された状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state by which the peeling start end part of the protective tape 22 was peeled. 保護テープ22の中央部が剥離された状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state from which the center part of the protective tape 22 was peeled. 保護テープ22の剥離終端部が剥離された状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state by which the peeling termination | terminus part of the protective tape 22 was peeled. 保護テープ22および剥離テープ24の貼付け形態に応じた粘着力の温度依存性を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature dependence of the adhesive force according to the sticking form of the protective tape 22 and the peeling tape 24. FIG. 本発明の第2の実施の形態である剥離装置40を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the peeling apparatus 40 which is the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態である剥離装置50を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the peeling apparatus 50 which is the 3rd Embodiment of this invention.

<第1の実施の形態>
図1は、本発明の第1の実施の形態である剥離装置1の構成を示す側面図である。図2は、図1に示す剥離装置1のステージ23付近を拡大して示す断面図である。図2では、理解を容易にするために、剥離装置1を簡略化して示す。剥離装置1は、ウェハ21の回路パターンが形成された側の表面(以下「回路パターン形成面」という場合がある)に貼付けられた保護テープ22を、ウェハ21から剥離するときに用いられる。ウェハ21の回路パターン形成面は、ウェハ21の厚み方向一方側の表面、図1では紙面に向かって上側の表面(以下「上面」という場合がある)である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a side view showing a configuration of a peeling apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged sectional view showing the vicinity of the stage 23 of the peeling apparatus 1 shown in FIG. In FIG. 2, in order to facilitate understanding, the peeling device 1 is shown in a simplified manner. The peeling apparatus 1 is used when peeling the protective tape 22 attached to the surface of the wafer 21 on which the circuit pattern is formed (hereinafter sometimes referred to as “circuit pattern forming surface”) from the wafer 21. The circuit pattern forming surface of the wafer 21 is a surface on one side in the thickness direction of the wafer 21, that is, a surface on the upper side toward the paper surface in FIG.

剥離装置1は、ステージ23、冷却用こて(以下「冷却こて」という)28、剥離テープ供給回収機構35、上下駆動機構36、昇降機構37、不図示の搬送ロボットおよび不図示のアライメント部を備えて構成される。冷却こて28は、冷却手段に相当する。   The peeling apparatus 1 includes a stage 23, a cooling iron (hereinafter referred to as “cooling iron”) 28, a peeling tape supply / recovery mechanism 35, a vertical drive mechanism 36, a lifting mechanism 37, a transport robot (not shown), and an alignment unit (not shown). It is configured with. The cooling iron 28 corresponds to a cooling means.

保護テープ22が貼付けられたウェハ21は、不図示の搬送ロボットを用いて、不図示のアライメント部などを利用して位置決めが適宜行われた後に、ステージ23に吸着される。図示は省略するが、ステージ23には、複数の吸引孔が形成されている。ウェハ21は、吸引孔からの吸引作用によってステージ23に吸着される。   The wafer 21 to which the protective tape 22 is attached is adsorbed to the stage 23 after being appropriately positioned using an unillustrated alignment unit or the like using a transfer robot (not illustrated). Although not shown, the stage 23 has a plurality of suction holes. The wafer 21 is attracted to the stage 23 by the suction action from the suction holes.

ウェハ21は、厚み方向他方側の表面、図1では紙面に向かって下側の表面(以下「下面」という場合がある)が、ステージ23に吸着される。ウェハ21は、たとえばダイシングテープを介してダイシングフレームに貼付けられている場合、ダイシングフレームを介してステージ23に吸着される。ステージ23は、加熱手段である加熱部23aを有する。加熱部23aは、ステージ23の厚み方向一方側の表面部に形成される。加熱部23aは、たとえばステージ23の内部に電熱線を巻回して配置したヒータによって実現される。加熱部23aによってウェハ21を加熱することができる。   The surface of the wafer 21 on the other side in the thickness direction, that is, the lower surface (hereinafter also referred to as “lower surface”) toward the paper surface in FIG. For example, when the wafer 21 is attached to a dicing frame via a dicing tape, the wafer 21 is attracted to the stage 23 via the dicing frame. The stage 23 includes a heating unit 23a that is a heating unit. The heating part 23 a is formed on the surface part on one side in the thickness direction of the stage 23. The heating unit 23a is realized by, for example, a heater arranged by winding a heating wire around the stage 23. The wafer 21 can be heated by the heating unit 23a.

ステージ23の両側方の設置面には、2本の支柱11が立設される。2本の支柱11は、図1の紙面に向かって上側の端部である上端部同士で、桟11aを介して繋がれている。2本の支柱11には、それぞれ鉛直方向に延びる支柱レール12が設けられる。各支柱レール12には、不図示の両スライダが昇降動自在に嵌合される。この両スライダと一体となって、昇降枠13が設けられる。   Two support columns 11 are erected on the installation surfaces on both sides of the stage 23. The two support | pillars 11 are connected via the crosspiece 11a by the upper end parts which are upper edge parts toward the paper surface of FIG. The two columns 11 are each provided with column rails 12 extending in the vertical direction. Both sliders (not shown) are fitted to each column rail 12 so as to be movable up and down. A lifting frame 13 is provided integrally with both the sliders.

2本の支柱11の上端部を繋ぐ桟11a上には、昇降シリンダ14が設けられる。昇降シリンダ14のシリンダ軸14aは、昇降枠13の後方に突設された固定枠15に接続される。昇降枠13は、昇降シリンダ14の作用によって、レール12に沿った昇降動を自在に行うことができる。支柱11、レール12、昇降枠13、昇降シリンダ14および固定枠15は、昇降機構37を構成する。   An elevating cylinder 14 is provided on the crosspiece 11 a connecting the upper ends of the two columns 11. The cylinder shaft 14 a of the elevating cylinder 14 is connected to a fixed frame 15 that protrudes behind the elevating frame 13. The lifting frame 13 can freely move up and down along the rail 12 by the action of the lifting cylinder 14. The support 11, the rail 12, the lifting frame 13, the lifting cylinder 14 and the fixed frame 15 constitute a lifting mechanism 37.

昇降枠13の背面下部付近には、不図示のユニット用レールが鉛直方向に延びて設けられる。ユニット用レールには、不図示のユニット用スライダが昇降動自在に嵌合される。ユニット用スライダと一体に、昇降ユニット16が設けられる。昇降ユニット16は、昇降枠13の背面に設けられた昇降シリンダ14のシリンダ軸14aに接続されるとともに、昇降ユニット16上に設けられるユニット用昇降シリンダ17のシリンダ軸17aに接続される。   A unit rail (not shown) is provided in the vicinity of the lower back of the lifting frame 13 so as to extend in the vertical direction. A unit slider (not shown) is fitted to the unit rail so as to be movable up and down. A lifting unit 16 is provided integrally with the unit slider. The elevating unit 16 is connected to the cylinder shaft 14 a of the elevating cylinder 14 provided on the back surface of the elevating frame 13, and is connected to the cylinder shaft 17 a of the unit elevating cylinder 17 provided on the elevating unit 16.

昇降ユニット16は、昇降枠13が支柱11のレール12に沿った昇降動をするときには、それに従って昇降動する。ユニット用昇降シリンダ17が作動したときには、昇降ユニット16は、昇降枠13に対して、ユニット用レールに沿った昇降動を行う。昇降ユニット16、ユニット用昇降シリンダ17、ユニット用レールおよびユニット用スライダは、上下駆動機構36を構成する。   When the lifting frame 13 moves up and down along the rails 12 of the support column 11, the lifting unit 16 moves up and down accordingly. When the unit elevating cylinder 17 is operated, the elevating unit 16 moves up and down along the unit rail with respect to the elevating frame 13. The elevating unit 16, the unit elevating cylinder 17, the unit rail, and the unit slider constitute a vertical drive mechanism 36.

冷却こて28は、剥離テープ24による保護テープ22の剥離が開始される部分(以下「剥離開始部分」という場合がある)に配置可能に構成される。具体的には、冷却こて28は、保護テープ22の剥離が開始される側の端部(以下「剥離始端部」という)に貼付けられた部分の剥離テープ24に接するように配置可能に構成される。冷却こて28は、昇降枠13の不図示の切欠部を通じて、昇降枠13よりも図1の紙面に向かって手前側に突出して設けられる。冷却こて28は、上下駆動機構36によって、鉛直方向、図1では紙面に向かって上下方向に駆動可能に構成される。冷却こて28は、上下駆動機構36を構成する昇降ユニット16に支持される。   The cooling iron 28 is configured to be disposed at a part where the peeling of the protective tape 22 by the peeling tape 24 is started (hereinafter sometimes referred to as “peeling start part”). Specifically, the cooling iron 28 is configured to be arranged so as to be in contact with a part of the peeling tape 24 attached to an end portion on which the protective tape 22 starts to be peeled (hereinafter referred to as “peeling start end portion”). Is done. The cooling iron 28 is provided so as to protrude through the notch portion (not shown) of the elevating frame 13 toward the front side from the elevating frame 13 toward the paper surface of FIG. The cooling iron 28 is configured to be driven in the vertical direction, in the vertical direction toward the paper surface in FIG. The cooling iron 28 is supported by the elevating unit 16 constituting the vertical drive mechanism 36.

冷却こて28は、昇降ユニット16の昇降動に伴って、図1の紙面に向かって上下方向に昇降動する。昇降ユニット16を図1の紙面に向かって下方に下降させることによって、冷却こて28を図1の紙面に向かって下方に下降させて、前述の剥離テープ24による保護テープ22の剥離開始部分に配置することができる。   The cooling iron 28 moves up and down in the vertical direction toward the paper surface of FIG. The lowering unit 16 is lowered downward toward the paper surface of FIG. 1 to lower the cooling iron 28 downward toward the paper surface of FIG. Can be arranged.

ステージ23の上方には、剥離テープ24の供給および回収を行う剥離テープ供給回収機構35が設けられる。剥離テープ供給回収機構35には、保護テープ22への剥離テープ24の貼付けを確実に行うために、剥離テープ供給側ガイド25および剥離テープ回収側ガイド27が備えられる。   Above the stage 23, a peeling tape supply / recovery mechanism 35 for supplying and collecting the peeling tape 24 is provided. The release tape supply / recovery mechanism 35 is provided with a release tape supply side guide 25 and a release tape recovery side guide 27 in order to securely attach the release tape 24 to the protective tape 22.

より詳細には、剥離テープ供給回収機構35は、剥離テープ供給リール33、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27、第1ガイドローラ29、第2ガイドローラ30、ピンチローラ31、リール側ガイドローラ32および剥離テープ巻取リール34を備えて構成される。剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26および剥離テープ回収側ガイド27は、貼付手段に相当する。また剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29は、剥離手段に相当する。   More specifically, the release tape supply / recovery mechanism 35 includes the release tape supply reel 33, the release tape supply side guide 25, the release tape application roller 26, the release tape recovery side guide 27, the first guide roller 29, and the second guide roller 30. , A pinch roller 31, a reel side guide roller 32, and a peeling tape take-up reel 34. The release tape supply side guide 25, the release tape application roller 26, and the release tape collection side guide 27 correspond to application means. Moreover, the peeling tape collection | recovery side guide 27 and the 1st guide roller 29 are equivalent to a peeling means.

剥離テープ供給回収機構35を構成する各部材、すなわち剥離テープ供給リール33、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27、第1ガイドローラ29、第2ガイドローラ30、ピンチローラ31、リール側ガイドローラ32および剥離テープ巻取リール34は、昇降枠13に軸支される。これらの剥離テープ供給回収機構35を構成する各部材は、昇降枠13の不図示の窓孔を通じて、昇降枠13よりも図1の紙面に向かって手前側に突出して設けられる。   Each member constituting the release tape supply / recovery mechanism 35, that is, the release tape supply reel 33, the release tape supply side guide 25, the release tape applying roller 26, the release tape recovery side guide 27, the first guide roller 29, and the second guide roller 30. The pinch roller 31, the reel side guide roller 32, and the peeling tape take-up reel 34 are pivotally supported by the elevating frame 13. Each member constituting the peeling tape supply / recovery mechanism 35 is provided so as to protrude through the window hole (not shown) of the lifting / lowering frame 13 toward the front side of the sheet of FIG.

剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29は、不図示の鉛直方向移動機構によって、鉛直方向、図1では紙面に向かって上下方向に移動可能に構成される。また剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29は、不図示の水平方向移動機構によって、水平方向、図1では紙面に向かって左右方向に移動可能に構成される。   The release tape supply side guide 25, the release tape application roller 26, the release tape collection side guide 27, and the first guide roller 29 are moved vertically by a vertical movement mechanism (not shown), up and down toward the paper surface in FIG. Configured to be possible. Further, the release tape supply side guide 25, the release tape application roller 26, the release tape collection side guide 27, and the first guide roller 29 are moved in the horizontal direction by a horizontal movement mechanism (not shown), and in the left and right direction in FIG. It is configured to be movable.

剥離テープ供給リール33から供給される剥離テープ24は、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27、第1ガイドローラ29、第2ガイドローラ30、ピンチローラ31およびリール側ガイドローラ32に順次巻回され、剥離テープ巻取リール34によって巻取られる。本実施の形態では、剥離テープ供給リール33は時計回りに回転し、剥離テープ巻取リール34は反時計回りに回転する。剥離テープ巻取リール34は、不図示の巻取モータによって駆動される。ピンチローラ31は、巻取モータに連動して不図示の駆動手段で駆動されて、剥離テープ24を挟んで回転する。   The release tape 24 supplied from the release tape supply reel 33 includes a release tape supply side guide 25, a release tape application roller 26, a release tape collection side guide 27, a first guide roller 29, a second guide roller 30, a pinch roller 31, and The reel-side guide roller 32 is sequentially wound and wound by a peeling tape take-up reel 34. In the present embodiment, the peeling tape supply reel 33 rotates clockwise, and the peeling tape take-up reel 34 rotates counterclockwise. The peeling tape take-up reel 34 is driven by a take-up motor (not shown). The pinch roller 31 is driven by driving means (not shown) in conjunction with the take-up motor and rotates with the peeling tape 24 interposed therebetween.

剥離テープ24の張力は、剥離テープ供給側ガイド25、剥離テープ貼付ローラ26、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29の位置を不図示のセンサなどで検知しながら、剥離テープ供給リール33による剥離テープ24の送出し量および送出し速度、ならびに剥離テープ巻取リール34による剥離テープ24の巻取り量および巻取り速度などを制御することによって、調整することができる。剥離テープ24の巻取り量および巻取り速度の制御は、巻取モータと、ピンチローラ31の駆動手段とによって行うことができる。剥離テープ供給リール34側では、巻取モータなどによって、剥離テープ24に一定の張力で引張り抵抗を付勢しておく。   The tension of the peeling tape 24 is determined by detecting the positions of the peeling tape supply side guide 25, the peeling tape application roller 26, the peeling tape collection side guide 27, and the first guide roller 29 with a sensor (not shown) or the like. It can be adjusted by controlling the feeding amount and feeding speed of the peeling tape 24 and the winding amount and winding speed of the peeling tape 24 by the peeling tape take-up reel 34. Control of the winding amount and winding speed of the peeling tape 24 can be performed by a winding motor and a driving means of the pinch roller 31. On the peeling tape supply reel 34 side, a tensile resistance is applied to the peeling tape 24 with a constant tension by a winding motor or the like.

次に、本実施の形態の剥離装置1を用いたウェハ21表面の保護テープ22の剥離方法について説明する。本実施の形態の剥離装置1を用いた保護テープの剥離方法は、本発明の保護テープの剥離方法の実施の一形態である。まず、前述の図2に示すように、アライメント部などを利用して位置決めが行われたウェハ21を、不図示の搬送ロボットを用いて、加熱部23aを有するステージ23で吸着する。   Next, a method for peeling the protective tape 22 on the surface of the wafer 21 using the peeling apparatus 1 of the present embodiment will be described. The protective tape peeling method using the peeling apparatus 1 of the present embodiment is an embodiment of the protective tape peeling method of the present invention. First, as shown in FIG. 2 described above, the wafer 21 that has been positioned using the alignment unit or the like is sucked by the stage 23 having the heating unit 23a using a transfer robot (not shown).

その後、前述の図1に示す昇降枠13を下降させて、剥離テープ供給側ガイド25を用いて、ウェハ21表面の保護テープ22の剥離始端部に剥離テープ24を貼付ける。剥離テープ24の貼付けは、ステージ23の加熱部23aでウェハ21を加熱しながら行う。図2では、理解を容易にするために冷却こて28を剥離テープ24に接触させた状態を示しているが、実際には、冷却こて28は、後述する図3に示す工程において剥離テープ24に接触する状態となる。   Thereafter, the lifting frame 13 shown in FIG. 1 is lowered, and the peeling tape 24 is attached to the peeling start end portion of the protective tape 22 on the surface of the wafer 21 using the peeling tape supply side guide 25. The peeling tape 24 is attached while the wafer 21 is heated by the heating unit 23 a of the stage 23. FIG. 2 shows a state in which the cooling iron 28 is in contact with the peeling tape 24 for easy understanding. Actually, however, the cooling iron 28 is used in the step shown in FIG. 3 to be described later. 24 is brought into contact.

剥離テープ24としては、長尺状であり、ウェハ21よりも幅方向における寸法が小さい剥離テープが用いられる。ウェハ21よりも幅方向における寸法が小さい剥離テープを用いることによって、剥離テープ24がステージ23aに貼付いてしまうことを防ぐことができる。またウェハ21がダイシングフレームを介してステージ23に吸着されている場合には、剥離テープ24がダイシングテープまたはダイシングテープに貼付いてしまうことを防ぐことができる。これによって、剥離テープ24の貼付け、およびその後の保護テープ22の剥離を容易に行うことができる。   As the peeling tape 24, a peeling tape that is long and has a smaller dimension in the width direction than the wafer 21 is used. By using a peeling tape whose dimension in the width direction is smaller than that of the wafer 21, it is possible to prevent the peeling tape 24 from sticking to the stage 23a. Further, when the wafer 21 is adsorbed to the stage 23 via the dicing frame, the peeling tape 24 can be prevented from sticking to the dicing tape or the dicing tape. Thereby, the peeling tape 24 can be attached and the protective tape 22 can be peeled easily thereafter.

図3は、剥離テープ24を保護テープ22の剥離終端部まで貼付けた状態を示す側面図である。次いで、図3に示すように、剥離テープ貼付ローラ26をウェハ21の後端部側、図3では紙面に向かって左方に移動させて、剥離テープ24を保護テープ22の剥離始端部と反対側の端部(以下「剥離終端部」という)まで貼付ける。このときも加熱部23aでウェハ21を加熱しておく。ウェハ21の後端部とは、ウェハ21の保護テープ22の剥離始端部に対応する端部をウェハ21の先端部としたとき、その先端部とは反対側の端部のことである。剥離テープ供給側ガイド25は、剥離テープ貼付ローラ26とともに、ウェハ21の後端部側、すなわち図3の紙面に向かって左方に移動される。   FIG. 3 is a side view showing a state in which the peeling tape 24 is pasted to the peeling end portion of the protective tape 22. Next, as shown in FIG. 3, the peeling tape applying roller 26 is moved to the rear end side of the wafer 21, and leftward in FIG. 3 toward the paper surface, and the peeling tape 24 is opposite to the peeling start end portion of the protective tape 22. Affix to the end of the side (hereinafter referred to as “peeling end”). Also at this time, the wafer 21 is heated by the heating unit 23a. The rear end portion of the wafer 21 is an end portion on the side opposite to the front end portion when the end portion corresponding to the peeling start end portion of the protective tape 22 of the wafer 21 is the front end portion of the wafer 21. The peeling tape supply side guide 25 is moved to the left side toward the rear end side of the wafer 21, that is, the paper surface of FIG.

以上のようにして保護テープ22の剥離始端部から剥離後端部まで剥離テープ24を貼付ける工程は、貼付工程に相当する。この剥離テープ24の貼付けは、前述のように加熱部23aでウェハ21を加熱しながら行う。これによって、ウェハ21および保護テープ22を介して剥離テープ24を加熱することができるので、剥離テープ24の粘着剤の粘着力を低下させ、剥離テープ24を保護テープ22に確実に貼付けることができる。   The process of sticking the peeling tape 24 from the peeling start end part of the protective tape 22 to the post-peeling end part as described above corresponds to the sticking process. The affixing of the peeling tape 24 is performed while heating the wafer 21 by the heating unit 23a as described above. Thereby, since the peeling tape 24 can be heated via the wafer 21 and the protective tape 22, the adhesive force of the adhesive of the peeling tape 24 is reduced, and the peeling tape 24 can be securely attached to the protective tape 22. it can.

次に、冷却こて28を前述の図1に示す上下駆動機構36によって下降させて、保護テープ22の剥離始端部に貼付けられた剥離テープ24に接触させることによって、剥離始端部の剥離テープ24を冷却し、剥離始端部の剥離テープ24の温度を下げる。これによって、剥離始端部の保護テープ22と剥離テープ24との接着部が冷却される。剥離始端部の冷却は、加熱部23aでウェハ21を加熱することによって、ウェハ21と保護テープ22との接着部を加熱しながら行う。この工程は、加熱冷却工程に相当する。その後、上下駆動機構36によって、冷却こて28を上方に引上げ、冷却こて28による冷却を停止する。   Next, the cooling iron 28 is lowered by the vertical drive mechanism 36 shown in FIG. 1 and brought into contact with the peeling tape 24 attached to the peeling start end portion of the protective tape 22, whereby the peeling tape 24 at the peeling start end portion. Then, the temperature of the peeling tape 24 at the peeling start end is lowered. As a result, the bonded portion between the protective tape 22 and the peeling tape 24 at the peeling start end is cooled. The peeling start end is cooled by heating the wafer 21 with the heating unit 23 a while heating the bonding portion between the wafer 21 and the protective tape 22. This step corresponds to a heating / cooling step. Thereafter, the vertical driving mechanism 36 pulls the cooling iron 28 upward, and the cooling by the cooling iron 28 is stopped.

図4〜図6は、保護テープ22が剥離される過程を、順を追って示す図である。図4は、保護テープ22の剥離始端部が剥離された状態を示す側面図である。図5は、保護テープ22の中央部が剥離された状態を示す側面図である。図6は、保護テープ22の剥離終端部が剥離された状態を示す側面図である。   4-6 is a figure which shows the process in which the protective tape 22 peels later on in order. FIG. 4 is a side view showing a state where the peeling start end portion of the protective tape 22 is peeled off. FIG. 5 is a side view showing a state where the central portion of the protective tape 22 is peeled off. FIG. 6 is a side view showing a state where the peeling end portion of the protective tape 22 is peeled off.

次いで、前述の図1に示す剥離テープ巻取機構35を用いて、図4〜図6に示すように、剥離テープ回収側ガイド27をウェハ21の後端部側、すなわち図4〜図6の紙面に向かって左方に移動させる。これによって、冷却こて28で冷却された保護テープ22の剥離始端部を起点として、保護テープ22を剥離テープ24と共にウェハ21から剥離する。この工程は、剥離工程に相当する。剥離テープ回収側ガイド27は、具体的には、剥離された保護テープ22と、ウェハ21の保護テープ22が貼付けられていた表面との成す角度である保護テープ22の剥離角度が略180°に保持されるように移動される。   Next, using the peeling tape winding mechanism 35 shown in FIG. 1 as described above, as shown in FIGS. 4 to 6, the peeling tape collecting side guide 27 is moved to the rear end side of the wafer 21, that is, in FIGS. 4 to 6. Move left toward the page. As a result, the protective tape 22 is peeled off from the wafer 21 together with the peeling tape 24 from the peeling start end of the protective tape 22 cooled by the cooling iron 28. This step corresponds to a peeling step. Specifically, the peeling tape collecting side guide 27 has an angle of peeling of the protective tape 22 that is an angle formed between the peeled protective tape 22 and the surface of the wafer 21 to which the protective tape 22 is attached to about 180 °. Moved to be held.

具体的に述べると、まず図4に示すように、剥離テープ回収側ガイド27を移動させることによって、剥離テープ24とウェハ21とを、ウェハ21の厚み方向一方側の表面に平行に、かつ剥離テープ24の長手方向に沿って相対的に移動させる。これによって、冷却こて28で冷却された剥離始端部の保護テープ22および剥離テープ24を折返して、折返し部を形成する。具体的には、保護テープ22の剥離角度が略180°になるように折返し部を形成する。   Specifically, as shown in FIG. 4, first, the peeling tape collecting side guide 27 is moved, so that the peeling tape 24 and the wafer 21 are peeled in parallel to the surface on one side in the thickness direction of the wafer 21. It moves relatively along the longitudinal direction of the tape 24. Thereby, the protective tape 22 and the peeling tape 24 at the peeling start end cooled by the cooling iron 28 are folded back to form a folded portion. Specifically, the folded portion is formed so that the peeling angle of the protective tape 22 is approximately 180 °.

次いで、図5に示すように、折返し部における保護テープ22および剥離テープ22の折返し状態を維持しながら、剥離テープ24とウェハ21とを剥離テープ24の長手方向に沿って相対的に移動させる。具体的には、剥離テープ回収側ガイド27を移動させて、保護テープ22の剥離角度が略180°に保持されるように剥離テープ24を移動させる。これによって、保護テープ22は、剥離テープ24に貼付いた状態で、略180°の剥離角度を有して剥がれていく。また、剥離テープ24とウェハ21との相対的移動に伴って、剥離テープ回収リール34を駆動して、ウェハ21から剥離された保護テープ22を剥離テープ24と共に回収する。   Next, as shown in FIG. 5, the peeling tape 24 and the wafer 21 are relatively moved along the longitudinal direction of the peeling tape 24 while maintaining the folded state of the protective tape 22 and the peeling tape 22 in the folded portion. Specifically, the peeling tape collection side guide 27 is moved, and the peeling tape 24 is moved so that the peeling angle of the protective tape 22 is maintained at approximately 180 °. As a result, the protective tape 22 is peeled off with a peeling angle of approximately 180 ° in a state of being attached to the peeling tape 24. Further, as the peeling tape 24 and the wafer 21 move relative to each other, the peeling tape collecting reel 34 is driven to collect the protective tape 22 peeled from the wafer 21 together with the peeling tape 24.

最後に、図6に示すように、保護テープ22の剥離始端部と反対側の剥離終端部付近で、剥離テープ24をウェハ21に対して離反させることによって、保護テープ22をウェハ21から剥離する。   Finally, as shown in FIG. 6, the protective tape 22 is peeled from the wafer 21 by separating the peeling tape 24 from the wafer 21 in the vicinity of the peeling end portion opposite to the peeling start end portion of the protective tape 22. .

図7は、保護テープ22および剥離テープ24の貼付け形態に応じた粘着力の温度依存性を示すグラフである。図7において、横軸は接着部の温度[℃]を表し、縦軸は粘着力[Arb.Unit](任意単位)を表す。図7では、ウェハ21表面に貼付けられた保護テープ22における粘着力、すなわち保護テープ22とウェハ21との間の粘着力の温度依存性を、参照符Aで示される実線で表す。また保護テープ22表面に貼付けられた剥離テープ24における粘着力、すなわち剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力の温度依存性を、参照符Bで示される破線で表す。   FIG. 7 is a graph showing the temperature dependence of the adhesive force according to the application form of the protective tape 22 and the release tape 24. In FIG. 7, the horizontal axis represents the temperature [° C.] of the bonded portion, and the vertical axis represents the adhesive strength [Arb.Unit] (arbitrary unit). In FIG. 7, the temperature dependence of the adhesive force of the protective tape 22 attached to the surface of the wafer 21, that is, the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 is represented by a solid line indicated by a reference symbol A. Further, the temperature dependency of the adhesive force of the peeling tape 24 affixed to the surface of the protective tape 22, that is, the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22, is represented by a broken line indicated by reference symbol B.

接着部の温度が上昇する過程で、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力、および剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が急激に低下しているのは、接着部の温度が、保護テープ22および剥離テープ24の各基材テープに塗布された粘着剤のガラス転移温度Tgを超えてしまったためである。   The adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 and the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 are rapidly reduced in the process of increasing the temperature of the adhesive portion. This is because the temperature has exceeded the glass transition temperature Tg of the adhesive applied to each base tape of the protective tape 22 and the release tape 24.

図7に示されるように、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力の方が、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力に比べて、より低い温度で粘着力の急激な低下が生じ始める。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を上回る範囲、すなわち破線Bが実線Aの上側に位置する範囲が存在する。この範囲内であれば、ウェハ21表面に貼付けられた保護テープ22を、剥離テープ24によって剥離することができる。   As shown in FIG. 7, the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 has a sharper adhesive force at a lower temperature than the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22. A decline begins to occur. Therefore, there is a range where the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 exceeds the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21, that is, a range where the broken line B is located above the solid line A. Within this range, the protective tape 22 attached to the surface of the wafer 21 can be peeled off by the peeling tape 24.

図7によれば、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度、および剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度が90℃近傍のときのみ、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を上回る。したがって、両方の接着部の温度が90℃前後であれば、保護テープ22を剥離テープ24によって安定して剥離することが可能であると考えられるが、実際には、両方の接着部の温度が90℃前後であっても、保護テープ22および剥離テープ24の製造時のばらつきなどによって、保護テープ22を剥離テープ24で剥離できない場合がある。   According to FIG. 7, only when the temperature of the bonding part between the protective tape 22 and the wafer 21 and the temperature of the bonding part between the peeling tape 24 and the protective tape 22 are around 90 ° C., the peeling tape 24 and the protective tape 22 The adhesive strength between them exceeds the adhesive strength between the protective tape 22 and the wafer 21. Therefore, if the temperature of both adhesion parts is around 90 degreeC, it is thought that the protective tape 22 can be stably peeled with the peeling tape 24, but actually, the temperature of both adhesion parts is Even at around 90 ° C., the protective tape 22 may not be peeled off by the peeling tape 24 due to variations in the production of the protective tape 22 and the peeling tape 24.

また、ウェハ21の薄厚化に伴い、ウェハ21の支持性の確保およびウェハ21の保護の観点から、保護テープ22を貼付けたままの状態でウェハプロセスを行うことが求められるようになっている。特に電力用半導体装置などの分野では、この傾向が強い。保護テープ22を貼付けたままの状態でウェハプロセスを行うことができるように、耐熱性を向上させたテープ材料の開発が進められている。これに伴い、保護テープ22の粘着剤のガラス転移温度Tgは、高くなる傾向にある。   Further, as the thickness of the wafer 21 is reduced, it is required to perform the wafer process with the protective tape 22 still attached from the viewpoint of securing the support of the wafer 21 and protecting the wafer 21. This tendency is particularly strong in the field of power semiconductor devices. Development of a tape material with improved heat resistance is underway so that the wafer process can be performed with the protective tape 22 still attached. Along with this, the glass transition temperature Tg of the adhesive of the protective tape 22 tends to increase.

保護テープ22の粘着剤のガラス転移温度Tgが高くなると、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力が急激に低下し始めるときの接着部の温度が高くなるので、図7において、実線Aが破線B寄りにシフトすることになる。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力が、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を上回る範囲がほぼ無くなってしまい、保護テープ22を剥離テープ24で剥離できない場合が生じる。   When the glass transition temperature Tg of the adhesive of the protective tape 22 is increased, the temperature of the adhesive portion when the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 starts to rapidly decrease is increased. In FIG. Shifts toward the broken line B. Therefore, there is almost no range where the adhesive strength between the peeling tape 24 and the protective tape 22 exceeds the adhesive strength between the protective tape 22 and the wafer 21, and the protective tape 22 may not be peeled off by the peeling tape 24. Arise.

本実施の形態では、前述の図2に示す冷却こて28を用いて、剥離テープ24側から剥離テープ24と保護テープ22との接着部を冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を低下させつつ、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度のみを上げることが可能である。したがって、前述のように保護テープ22および剥離テープ24に製造時のばらつきがある場合、および保護テープ22の粘着剤のガラス転移温度Tgが高い場合などであっても、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力よりも高めることができる。したがって、保護テープ22を剥離テープ24によってウェハ21から確実に剥離することができる。   In the present embodiment, the bonding portion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 is cooled from the peeling tape 24 side using the cooling iron 28 shown in FIG. It is possible to raise only the temperature of the bonding portion between the protective tape 22 and the wafer 21 while lowering the temperature of the bonding portion. Therefore, as described above, even when the protective tape 22 and the peeling tape 24 have manufacturing variations and when the glass transition temperature Tg of the adhesive of the protective tape 22 is high, the peeling tape 24 and the protective tape 22 The adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 can be made higher than the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21. Therefore, the protective tape 22 can be reliably peeled from the wafer 21 by the peeling tape 24.

また、本実施の形態の保護テープの剥離方法は、ウェハ21の材料が炭化ケイ素である場合に好適である。炭化ケイ素は、半導体装置のウェハ材料に広く用いられているシリコンと比較して、熱伝導率が約2倍と高いので、ウェハ21の材料が炭化ケイ素である場合、ウェハ21の材料がシリコンである場合に比べて、ステージ23の加熱部23aの熱が、ウェハ21を介して保護テープ22に伝わりやすい。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度と、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度とに差がつきにくくなるので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力、および保護テープ22とウェハ21との間の粘着力の制御が難しくなる。   The protective tape peeling method of the present embodiment is suitable when the material of the wafer 21 is silicon carbide. Since silicon carbide has a thermal conductivity approximately twice as high as that of silicon widely used as a wafer material for semiconductor devices, when the material of the wafer 21 is silicon carbide, the material of the wafer 21 is silicon. Compared with a case, the heat of the heating unit 23 a of the stage 23 is easily transmitted to the protective tape 22 through the wafer 21. Accordingly, the difference between the temperature at the bonding portion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 and the temperature at the bonding portion between the protective tape 22 and the wafer 21 is less likely to occur. It becomes difficult to control the force and the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21.

本実施の形態では、前述の図2に示す冷却こて28を用いて、剥離テープ24側から剥離テープ24と保護テープ22との接着部を冷却するので、ウェハ21の材料が炭化ケイ素である場合であっても、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度よりも低くすることができる。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力よりも高めることができるので、剥離テープ24によって、保護テープ22をウェハ21から確実に剥離することができる。   In the present embodiment, the bonding part between the peeling tape 24 and the protective tape 22 is cooled from the side of the peeling tape 24 using the cooling iron 28 shown in FIG. 2 described above, so the material of the wafer 21 is silicon carbide. Even in this case, the temperature of the bonded portion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be made lower than the temperature of the bonded portion between the protective tape 22 and the wafer 21. Accordingly, the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be made higher than the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21, so that the protective tape 22 is reliably secured from the wafer 21 by the peeling tape 24. Can be peeled off.

また本実施の形態では、冷却手段として、冷却こて28を用いるので、他の冷却手段を用いる場合に比べて、より確実に、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を、保護テープ22とウェハ21との接着部の温度よりも低下させることができる。これによって、より確実に、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力よりも高めることができる。したがって、保護テープ22をより確実にウェハ21から剥離することができる。   In the present embodiment, since the cooling iron 28 is used as the cooling means, the temperature of the bonded portion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be protected more reliably than when other cooling means are used. The temperature can be lower than the temperature at the bonding portion between the tape 22 and the wafer 21. Thereby, the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be more reliably increased than the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21. Therefore, the protective tape 22 can be more reliably peeled from the wafer 21.

冷却こて28は、保護テープ22が折返される方向、すなわち図4〜図6の紙面に向かって左方に移動可能に構成されてもよい。保護テープ22が折返される方向に移動可能に構成することによって、保護テープ22の剥離中も、冷却こて28で保護テープ22と剥離テープ24との接着部の冷却を継続することができる。このように冷却こて28を、保護テープ22がウェハ21から剥離されている間に、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却可能に構成して、保護テープ22の剥離時も冷却こて28で冷却し続けることによって、剥離テープ24と保護テープ22との接着部の温度を低い状態で維持することができる。したがって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を高い状態で維持することができるので、保護テープ22をより確実にウェハ21から剥離することができる。   The cooling iron 28 may be configured to be movable to the left in the direction in which the protective tape 22 is folded, that is, toward the paper surface of FIGS. By configuring the protective tape 22 to be movable in the direction in which the protective tape 22 is folded back, the cooling iron 28 can continue to cool the bonding portion between the protective tape 22 and the peeling tape 24 even during the peeling of the protective tape 22. In this way, the cooling iron 28 is configured so that the bonded portion between the protective tape 22 and the peeling tape 24 can be cooled while the protective tape 22 is peeled off from the wafer 21, and is cooled even when the protective tape 22 is peeled off. By continuing cooling with the iron 28, the temperature of the bonded portion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be maintained in a low state. Therefore, since the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be maintained in a high state, the protective tape 22 can be more reliably peeled from the wafer 21.

また本実施の形態では、保護テープ22を剥離するときには、剥離テープ回収側ガイド27および第1ガイドローラ29の作用によって、まず、前述の図4に示すように、冷却こて28で冷却された剥離始端部の保護テープ22および剥離テープ24を折返して折返し部を形成する。そして、前述の図5に示すように、折返し部における保護テープ22および剥離テープ22の折返し状態を維持しながら、剥離テープ24を移動させるとともに、ウェハ21から剥離された保護テープ22を剥離テープ24と共に回収する。最後に、前述の図6に示すように、保護テープ22の剥離始端部と反対側の剥離終端部付近で、剥離テープ24をウェハ21に対して離反させて、保護テープ22をウェハ21から剥離する。   In this embodiment, when the protective tape 22 is peeled off, it is first cooled by the cooling iron 28 by the action of the peeling tape collecting side guide 27 and the first guide roller 29 as shown in FIG. The protective tape 22 and the peeling tape 24 at the peeling start end are folded back to form a folded portion. Then, as shown in FIG. 5 described above, the peeling tape 24 is moved while maintaining the folded state of the protective tape 22 and the peeling tape 22 in the folded portion, and the peeling tape 24 removes the protective tape 22 peeled from the wafer 21. Collect with. Finally, as shown in FIG. 6 described above, the peeling tape 24 is separated from the wafer 21 in the vicinity of the peeling end portion on the opposite side of the peeling start end portion of the protective tape 22, and the protective tape 22 is peeled off from the wafer 21. To do.

このようにして保護テープ22の剥離を行うので、保護テープ22を剥離するときに、ウェハ21の厚み方向一方側の表面に垂直な方向、すなわちウェハ21の厚み方向に加わる力を小さくすることができる。特に本実施の形態では、保護テープ22は、剥離テープ24に貼付いた状態で、略180°の剥離角度を有して剥がれていくので、ウェハ21に対しては、ウェハ21の厚み方向一方側の表面と平行な方向に力が加わり、ウェハ21の厚み方向一方側の表面と垂直な方向に加わる力は、ほぼゼロになる。したがって、ウェハ21の厚み寸法が極めて小さい場合であっても、保護テープ22の持上がりなどによるチッピングなどの破損を防ぐことができる。   Since the protective tape 22 is peeled in this way, when the protective tape 22 is peeled off, the force applied in the direction perpendicular to the surface on the one side in the thickness direction of the wafer 21, that is, in the thickness direction of the wafer 21 can be reduced. it can. In particular, in the present embodiment, the protective tape 22 is peeled off with a peeling angle of about 180 ° in a state of being attached to the peeling tape 24, so that the wafer 21 is on one side in the thickness direction of the wafer 21. A force is applied in a direction parallel to the surface of the wafer 21, and a force applied in a direction perpendicular to the surface on one side in the thickness direction of the wafer 21 is substantially zero. Therefore, even when the thickness dimension of the wafer 21 is extremely small, damage such as chipping due to the lifting of the protective tape 22 can be prevented.

<第2の実施の形態>
図8は、本発明の第2の実施の形態である剥離装置40を示す断面図である。本実施の形態の剥離装置40は、前述の第1の実施の形態の剥離装置1と類似し、冷却こて28を除くその他の構成は、第1の実施の形態の剥離装置1と同様であるので、異なる部分についてのみ説明し、同様の構成には同一の参照符を付して共通する説明を省略する。図8では、前述の図2と同様に、剥離装置40のステージ23付近を拡大して示す。
<Second Embodiment>
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a peeling apparatus 40 according to the second embodiment of the present invention. The peeling device 40 of the present embodiment is similar to the peeling device 1 of the first embodiment described above, and the other configuration except for the cooling iron 28 is the same as that of the peeling device 1 of the first embodiment. Therefore, only different parts will be described, and the same reference numerals are given to the same components, and the common description will be omitted. In FIG. 8, the vicinity of the stage 23 of the peeling apparatus 40 is shown in an enlarged manner as in FIG.

前述の第1の実施の形態の剥離装置1では、冷却手段として、冷却こて28が設けられているが、本実施の形態の剥離装置40では、冷却こて28に代えて、冷却ファン41が設けられている。   In the peeling apparatus 1 of the first embodiment described above, the cooling iron 28 is provided as a cooling means. However, in the peeling apparatus 40 of the present embodiment, a cooling fan 41 is used instead of the cooling iron 28. Is provided.

冷却ファン41は、保護テープ22が貼付けられたウェハ21がステージ23に吸着された状態で、保護テープ22の剥離始端部が位置する部分の側方に設けられる。冷却ファン41は、保護テープ22の剥離始端部に向かって空気を送出可能に設けられる。冷却ファン41が作動すると、保護テープ22の剥離始端部の側方から、図8では紙面に向かって右方から、空気が送出される。これによって、保護テープ22の剥離始端部が冷却され、保護テープ22の剥離始端部と剥離テープ24との接着部が冷却される。   The cooling fan 41 is provided on the side of the portion where the peeling start end portion of the protective tape 22 is located in a state where the wafer 21 to which the protective tape 22 is attached is attracted to the stage 23. The cooling fan 41 is provided so that air can be sent out toward the peeling start end of the protective tape 22. When the cooling fan 41 is activated, air is sent out from the side of the peeling start end of the protective tape 22 and from the right in FIG. Thereby, the peeling start end portion of the protective tape 22 is cooled, and the bonding portion between the peeling start end portion of the protective tape 22 and the peeling tape 24 is cooled.

このような本実施の形態の剥離装置40を用いて、本発明の実施の一形態である保護テープの剥離方法が実行される。本実施の形態における保護テープの剥離方法は、前述の第1の実施の形態における保護テープの剥離方法と同様であるので、異なる工程について説明し、共通の説明を省略する。   Using such a peeling apparatus 40 of the present embodiment, a method for peeling a protective tape that is an embodiment of the present invention is executed. Since the method for peeling off the protective tape in the present embodiment is the same as the method for peeling off the protective tape in the first embodiment described above, different steps will be described and common description will be omitted.

本実施の形態では、第1の実施の形態と同様にして、ステージ23の加熱部23aでウェハ21を加熱しながら、剥離テープ24を保護テープ22の剥離始端部から剥離終端部まで貼付けた後、冷却ファン41から空気を送出させ、保護テープ22の剥離始端部、ひいては保護テープ22の剥離始端部と剥離テープ24との接着部を冷却する。冷却ファン41から空気を送出させる間、加熱部23aによってウェハ21を加熱しておく。   In this embodiment, after the peeling tape 24 is pasted from the peeling start end to the peeling end of the protective tape 22 while heating the wafer 21 by the heating unit 23a of the stage 23 in the same manner as in the first embodiment. Then, air is sent out from the cooling fan 41 to cool the peeling start end portion of the protective tape 22, and consequently the bonding portion between the peeling start end portion of the protective tape 22 and the peeling tape 24. While air is sent out from the cooling fan 41, the wafer 21 is heated by the heating unit 23a.

冷却ファン41による保護テープ22の冷却、および加熱部23aによるウェハ21の加熱を停止した後、もしくは加熱を継続した状態で、第1の実施の形態と同様にして、剥離テープ24と共に保護テープ22を剥離する。   After the cooling of the protective tape 22 by the cooling fan 41 and the heating of the wafer 21 by the heating unit 23a are stopped, or in a state where the heating is continued, the protective tape 22 together with the peeling tape 24 in the same manner as in the first embodiment. Peel off.

このように本実施の形態では、ウェハ21を加熱部23aで加熱するとともに、保護テープ22の剥離始端部を冷却ファン41で冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を維持しながら、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を低下させることができる。したがって、剥離テープ24によって、保護テープ22をウェハ21から安定かつ確実に剥離することができる。   As described above, in the present embodiment, the wafer 21 is heated by the heating unit 23a, and the peeling start end portion of the protective tape 22 is cooled by the cooling fan 41, so that the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 is increased. While maintaining, the adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 can be reduced. Therefore, the protective tape 22 can be stably and reliably peeled from the wafer 21 by the peeling tape 24.

また本実施の形態では、冷却手段として、冷却用ファン41を用いるので、他の冷却手段を用いる場合に比べて、剥離装置40を簡単な構成で実現することができ、剥離テープ24と保護テープ24との接着部の冷却を容易に実現することができる。   In the present embodiment, since the cooling fan 41 is used as the cooling means, the peeling device 40 can be realized with a simple configuration as compared with the case where other cooling means are used, and the peeling tape 24 and the protective tape. 24 can be easily cooled.

冷却ファン41の空気送出側、すなわち保護テープ22の剥離始端部に臨む側には、放電機構を設けてもよい。放電機構を設けることによって、空気と共に、イオンを送出することが可能となるので、剥離するときの保護テープ22によるウェハ21表面の素子の静電破壊を抑制することができる。   A discharge mechanism may be provided on the air delivery side of the cooling fan 41, that is, the side facing the peeling start end of the protective tape 22. By providing the discharge mechanism, it becomes possible to send out ions together with air, so that electrostatic breakdown of elements on the surface of the wafer 21 due to the protective tape 22 during peeling can be suppressed.

また本実施の形態では、冷却ファン41は、ウェハ21がステージ23に吸着された状態で、保護テープ22の剥離始端部が位置する部分の側方に設けられるので、保護テープ22がウェハ21から剥離されている間も、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却することが可能である。したがって、保護テープ22の剥離中も冷却ファン41による冷却を継続するようにしてもよい。これによって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を高い状態で維持することができるので、保護テープ22をウェハ21からより確実に剥離することができる。   In the present embodiment, the cooling fan 41 is provided on the side of the portion where the peeling start end portion of the protective tape 22 is located in a state where the wafer 21 is attracted to the stage 23, so that the protective tape 22 is removed from the wafer 21. Even during peeling, it is possible to cool the bonded portion between the protective tape 22 and the peeling tape 24. Therefore, the cooling by the cooling fan 41 may be continued while the protective tape 22 is peeled off. Thereby, since the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be maintained in a high state, the protective tape 22 can be more reliably peeled from the wafer 21.

<第3の実施の形態>
図9は、本発明の第3の実施の形態である剥離装置50を示す断面図である。本実施の形態の剥離装置40は、前述の第1の実施の形態の剥離装置1と類似し、冷却こて28を除くその他の構成は、第1の実施の形態の剥離装置1と同様であるので、異なる部分についてのみ説明し、同様の構成には同一の参照符を付して共通する説明を省略する。図9では、前述の図2と同様に、剥離装置50のステージ23付近を拡大して示す。
<Third Embodiment>
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a peeling apparatus 50 according to the third embodiment of the present invention. The peeling device 40 of the present embodiment is similar to the peeling device 1 of the first embodiment described above, and the other configuration except for the cooling iron 28 is the same as that of the peeling device 1 of the first embodiment. Therefore, only different parts will be described, and the same reference numerals are given to the same components, and the common description will be omitted. 9, the vicinity of the stage 23 of the peeling apparatus 50 is shown in an enlarged manner, as in FIG.

前述の第1の実施の形態の剥離装置1では、冷却手段として、冷却こて28が設けられているが、本実施の形態の剥離装置50では、冷却こて28に代えて、有機溶剤吐出機構51が設けられている。有機溶剤吐出機構51は、有機溶剤供給手段に相当する。   In the peeling device 1 of the first embodiment described above, the cooling iron 28 is provided as a cooling means. However, in the peeling device 50 of the present embodiment, an organic solvent discharge is used instead of the cooling iron 28. A mechanism 51 is provided. The organic solvent discharge mechanism 51 corresponds to an organic solvent supply unit.

有機溶剤吐出機構51は、第1の実施の形態における冷却こて28と同様に、前述の図1に示す上下駆動機構36を構成する昇降ユニット16に支持され、上下駆動機構36によって、鉛直方向、すなわち図9の紙面に向かって上下方向に駆動可能に構成される。有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22がウェハ21から剥離されている間に、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却可能に構成される。具体的には、有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22が折返される方向、図9では紙面に向かって左方に移動可能に構成される。   Similar to the cooling iron 28 in the first embodiment, the organic solvent discharge mechanism 51 is supported by the elevating unit 16 that constitutes the vertical drive mechanism 36 shown in FIG. That is, it is configured to be driven in the vertical direction toward the paper surface of FIG. The organic solvent discharge mechanism 51 is configured to be able to cool the bonding portion between the protective tape 22 and the peeling tape 24 while the protective tape 22 is peeled from the wafer 21. Specifically, the organic solvent discharge mechanism 51 is configured to be movable leftward in the direction in which the protective tape 22 is folded, that is, in FIG.

有機溶剤吐出機構51は、剥離テープ24がウェハ21表面の保護テープ22に貼付けられた状態では、剥離テープ24の上方に配置される。有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22の剥離始端部に貼付けられた部分の剥離テープ24に、有機溶剤を供給可能に設けられる。これによって、保護テープ22の剥離始端部と剥離テープ24との接着部が冷却される。有機溶剤吐出機構51は、剥離テープ24に向けて、図9では紙面に向かって上方から下方に向けて、有機溶剤を吐出、具体的には滴下またはスプレー塗布することによって、有機溶剤を供給する。   The organic solvent discharge mechanism 51 is disposed above the release tape 24 in a state where the release tape 24 is attached to the protective tape 22 on the surface of the wafer 21. The organic solvent discharge mechanism 51 is provided so that an organic solvent can be supplied to the part of the peeling tape 24 attached to the peeling start end of the protective tape 22. As a result, the bonded portion between the peeling start end portion of the protective tape 22 and the peeling tape 24 is cooled. The organic solvent discharge mechanism 51 supplies the organic solvent by discharging, specifically, dropping or spraying the organic solvent toward the peeling tape 24 from the upper side to the lower side in FIG. .

有機溶剤としては、保護テープ22および剥離テープ24の各基材テープを溶解させず、またウェハ21およびウェハ21のパターン形成面に形成された回路パターンを浸食せずに、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却可能な有機溶剤が用いられる。具体的には、イソプロピルアルコールなどの揮発性有機溶剤が用いられる。   As the organic solvent, the protective tape 22 and the release tape 24 are not dissolved without dissolving the base tapes of the protective tape 22 and the release tape 24, and without eroding the circuit pattern formed on the pattern forming surface of the wafer 21 and the wafer 21. An organic solvent capable of cooling the bonded portion with 24 is used. Specifically, a volatile organic solvent such as isopropyl alcohol is used.

このように有機溶剤吐出機構51から、保護テープ22の剥離始端部に貼付けられた部分の剥離テープ24に向けて、有機溶剤を供給することによって、保護テープ22の剥離始端部において、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却することができる。   In this way, by supplying the organic solvent from the organic solvent discharge mechanism 51 toward the part of the peeling tape 24 attached to the peeling start end of the protective tape 22, the protective tape 22 at the peeling start end of the protective tape 22 is supplied. And the adhesive part of the peeling tape 24 can be cooled.

このような本実施の形態の剥離装置40を用いて、本発明の実施の一形態である保護テープの剥離方法が実行される。本実施の形態における保護テープの剥離方法は、前述の第1の実施の形態における保護テープの剥離方法と同様であるので、異なる工程について説明し、共通の説明を省略する。   Using such a peeling apparatus 40 of the present embodiment, a method for peeling a protective tape that is an embodiment of the present invention is executed. Since the method for peeling off the protective tape in the present embodiment is the same as the method for peeling off the protective tape in the first embodiment described above, different steps will be described and common description will be omitted.

本実施の形態では、第1の実施の形態と同様にして、ステージ23の加熱部23aでウェハ21を加熱しながら、剥離テープ24を保護テープ22の剥離始端部から剥離終端部まで貼付けた後、有機溶剤吐出機構51から有機溶剤を供給して、保護テープ22の剥離始端部において、保護テープ22と剥離テープ24との接着部を冷却する。有機溶剤吐出機構51から有機溶剤を供給する間、加熱部23aによってウェハ21を加熱しておく。有機溶剤吐出機構51からの有機溶剤の供給、および加熱部23aによるウェハ21の加熱を停止した後、第1の実施の形態と同様にして、剥離テープ24と共に保護テープ22を剥離する。   In this embodiment, after the peeling tape 24 is pasted from the peeling start end to the peeling end of the protective tape 22 while heating the wafer 21 by the heating unit 23a of the stage 23 in the same manner as in the first embodiment. Then, the organic solvent is supplied from the organic solvent discharge mechanism 51, and the bonded portion between the protective tape 22 and the peeling tape 24 is cooled at the peeling start end of the protective tape 22. While the organic solvent is supplied from the organic solvent discharge mechanism 51, the wafer 21 is heated by the heating unit 23a. After the supply of the organic solvent from the organic solvent discharge mechanism 51 and the heating of the wafer 21 by the heating unit 23a are stopped, the protective tape 22 is peeled off together with the peeling tape 24 in the same manner as in the first embodiment.

このように本実施の形態では、ウェハ21を加熱部23aで加熱するとともに、保護テープ22の剥離始端部を有機溶剤吐出機構51で冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を維持しながら、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を低下させることができる。したがって、剥離テープ24によって、保護テープ22をウェハ21から安定かつ確実に剥離することができる。   As described above, in this embodiment, the wafer 21 is heated by the heating unit 23 a and the peeling start end portion of the protective tape 22 is cooled by the organic solvent discharge mechanism 51, so that the adhesion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 is achieved. The adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 can be reduced while maintaining the force. Therefore, the protective tape 22 can be stably and reliably peeled from the wafer 21 by the peeling tape 24.

また本実施の形態では、有機溶剤吐出機構51から供給された有機溶剤によって、保護テープ22の剥離始端部が浸食されるので、第1および第2の実施の形態に比べて、剥離始端部における保護テープ22とウェハ21との間の粘着力をさらに低下させることができる。したがって、保護テープ22をより確実にウェハ21から剥離することができる。   Further, in this embodiment, the peeling start end portion of the protective tape 22 is eroded by the organic solvent supplied from the organic solvent discharge mechanism 51, and therefore, compared with the first and second embodiments, at the peeling start end portion. The adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 can be further reduced. Therefore, the protective tape 22 can be more reliably peeled from the wafer 21.

また本実施の形態では、ステージ23の表面に保護テープ22の粘着剤が付着してしまった場合でも、有機溶剤吐出機構51から供給される有機溶剤によって、ステージ23表面に付着した保護テープ22の粘着剤を溶解させることができる。したがって、ステージ23表面に付着した保護テープ22の粘着剤によって、ウェハ21とステージ23とが接着した状態で、搬送アームがウェハ21を吸着することで、ウェハ21にストレスがかかることを防ぐことができるので、ウェハ21の破損を防ぐことができる。   Further, in the present embodiment, even when the adhesive of the protective tape 22 adheres to the surface of the stage 23, the protective tape 22 attached to the surface of the stage 23 by the organic solvent supplied from the organic solvent discharge mechanism 51. The pressure-sensitive adhesive can be dissolved. Therefore, it is possible to prevent the wafer 21 from being stressed by the transfer arm adsorbing the wafer 21 while the wafer 21 and the stage 23 are adhered to each other with the adhesive of the protective tape 22 attached to the surface of the stage 23. Therefore, damage to the wafer 21 can be prevented.

また本実施の形態では、有機溶剤吐出機構51は、保護テープ22が折返される方向、図9では紙面に向かって左方に移動可能に構成されるので、保護テープ22の剥離中も、保護テープ22と剥離テープ24との接着部の冷却を継続することができる。これによって、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を高い状態で維持することができるので、保護テープ22をウェハ21からより確実に剥離することができる。   Further, in the present embodiment, the organic solvent discharge mechanism 51 is configured to be movable in the direction in which the protective tape 22 is folded back, that is, to the left in FIG. Cooling of the adhesive portion between the tape 22 and the release tape 24 can be continued. Thereby, since the adhesive force between the peeling tape 24 and the protective tape 22 can be maintained in a high state, the protective tape 22 can be more reliably peeled from the wafer 21.

次に、本発明の実施の一形態である半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、前述の第1〜第3のいずれかの実施の形態における保護テープの剥離方法を用いて、ウェハ21の回路パターン形成面に貼付けられた保護テープ22をウェハ21から剥離する工程を備える。   Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described. The manufacturing method of the semiconductor device of the present embodiment is a protective tape 22 attached to the circuit pattern forming surface of the wafer 21 using the protective tape peeling method in any of the first to third embodiments described above. A step of peeling the wafer from the wafer 21.

具体的には、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、まず、ウェハ21の厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンを形成した後、ウェハ21の回路パターンが形成された側の表面である回路パターン形成面に保護テープ22を貼付ける。そして、ウェハ21の保護テープ22が貼付けられた側とは反対側の表面部分、すなわち厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理を施す。予め定められたウェハ加工処理とは、たとえば、ウェハ21の回路パターン形成面とは反対側の表面を研削して、ウェハ21を薄厚化する処理である。予め定められたウェハ加工処理は、ウェハ21を薄膜化する処理の後に、たとえば、イオン注入および熱処理によって研削加工面に拡散層を形成し、その後、スパッタリング法などによって裏面電極を形成する処理を含んでもよい。   Specifically, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, first, after a circuit pattern constituting the semiconductor device is formed on the surface portion on one side in the thickness direction of the wafer 21, the circuit pattern of the wafer 21 is formed. The protective tape 22 is affixed to the circuit pattern formation surface which is the surface of the done side. Then, a predetermined wafer processing is performed on the surface portion of the wafer 21 opposite to the side to which the protective tape 22 is attached, that is, the surface portion on the other side in the thickness direction. The predetermined wafer processing is, for example, a process in which the wafer 21 is thinned by grinding the surface of the wafer 21 opposite to the circuit pattern forming surface. The predetermined wafer processing process includes a process of forming a diffusion layer on the ground surface by ion implantation and heat treatment after the process of thinning the wafer 21, and then forming a back electrode by sputtering or the like. But you can.

次いで、ウェハ21の研削加工面、すなわち回路パターン形成面とは反対側の表面にダイシングテープを貼付けた後、前述の第1〜第3のいずれかの実施の形態における保護テープの剥離方法を用いて、ウェハ21の回路パターン形成面に貼付けられた保護テープ22をウェハ21から剥離する。その後、ウェハ21をダイシングしてチップ化し、半導体装置を得る。   Next, after attaching a dicing tape to the ground surface of the wafer 21, that is, the surface opposite to the circuit pattern forming surface, the protective tape peeling method according to any one of the first to third embodiments described above is used. Then, the protective tape 22 attached to the circuit pattern forming surface of the wafer 21 is peeled off from the wafer 21. Thereafter, the wafer 21 is diced into chips to obtain a semiconductor device.

前述のように、第1〜第3の実施の形態の保護テープの剥離方法では、冷却手段によって、剥離テープ24と保護テープ22との接着部を冷却するので、剥離テープ24と保護テープ22との間の粘着力を維持しながら、保護テープ22とウェハ21との間の粘着力を低下させることができる。これによって、保護テープ22をウェハ21から確実に剥離することができる。   As described above, in the protective tape peeling method according to the first to third embodiments, the bonding portion between the peeling tape 24 and the protective tape 22 is cooled by the cooling means. The adhesive force between the protective tape 22 and the wafer 21 can be reduced while maintaining the adhesive force between the two. Thereby, the protective tape 22 can be reliably peeled from the wafer 21.

本実施の形態の半導体装置の製造方法では、このような第1〜第3のいずれかの実施の形態の保護テープの剥離方法を用いて保護テープ22の剥離を行うので、保護テープ22の剥離不良を引起こすことなく、保護テープ22の厚み寸法を大きくして、保護テープ22の緩衝性および剛性を高めることができる。したがって、ウェハ21の割れおよび反りを低減することができるので、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。   In the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, the protective tape 22 is peeled off by using the protective tape peeling method according to any one of the first to third embodiments. Without causing a defect, the thickness of the protective tape 22 can be increased to increase the cushioning property and rigidity of the protective tape 22. Therefore, cracks and warpage of the wafer 21 can be reduced, and the manufacturing yield of the semiconductor device can be improved.

1,40,50 剥離装置、21 ウェハ、22 保護テープ、23 ステージ、24 剥離テープ、25 剥離テープ供給側ガイド、26 剥離テープ貼付ローラ、27 剥離テープ回収側ガイド、28 冷却こて、29 第1ガイドローラ、30 第2ガイドローラ、41 冷却ファン、51 有機溶剤吐出機構。   1, 40, 50 Peeling Device, 21 Wafer, 22 Protection Tape, 23 Stage, 24 Peeling Tape, 25 Peeling Tape Supply Side Guide, 26 Peeling Tape Application Roller, 27 Peeling Tape Collection Side Guide, 28 Cooling Trowel, 29 First Guide roller, 30 Second guide roller, 41 Cooling fan, 51 Organic solvent discharge mechanism.

Claims (14)

ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープを前記ウェハから剥離する保護テープの剥離方法であって、
前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付工程と、
前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱手段によって加熱するとともに、前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却手段によって冷却する加熱冷却工程と、
前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープと共に前記ウェハから剥離する剥離工程とを備えることを特徴とする保護テープの剥離方法。
A protective tape peeling method for peeling off the protective tape attached to the surface on one side of the thickness direction of the wafer from the wafer,
A sticking step of attaching a release tape to the surface on one side of the thickness direction of the protective tape;
While heating the adhesion part of the said wafer and the said protective tape with a heating means, the adhesion part of the peeling start end part predetermined as an edge part which starts peeling from the said wafer and the said peeling tape among the said protective tape is cooled. A heating and cooling step of cooling by means;
And a peeling step of peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape, starting from the peeling start end cooled by the cooling means.
前記貼付工程では、前記剥離テープとして長尺状の剥離テープを、前記保護テープの厚み方向一方側の表面に貼付け、
前記剥離工程は、
前記剥離テープと前記ウェハとを、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に平行に、かつ前記剥離テープの長手方向に沿って相対的に移動させることによって、前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部の前記保護テープおよび前記剥離テープを折返して、折返し部を形成する工程と、
前記折返し部における前記保護テープおよび前記剥離テープの折返し状態を維持しながら、前記剥離テープと前記ウェハとを前記剥離テープの長手方向に沿って相対的に移動させるとともに、前記ウェハから剥離された前記保護テープを前記剥離テープと共に回収する工程と、
前記保護テープの前記剥離始端部と反対側の剥離終端部付近で、前記剥離テープを前記ウェハに対して離反させる工程とを備えることを特徴とする請求項1に記載の保護テープの剥離方法。
In the attaching step, an elongated release tape as the release tape is attached to the surface on one side in the thickness direction of the protective tape,
The peeling step includes
The peeling start edge cooled by the cooling means by moving the peeling tape and the wafer relatively in parallel with the surface on one side in the thickness direction of the wafer and along the longitudinal direction of the peeling tape. Folding back the protective tape and the peeling tape to form a folded portion;
While maintaining the folded state of the protective tape and the peeling tape in the folded portion, the peeling tape and the wafer are relatively moved along the longitudinal direction of the peeling tape, and the peeled from the wafer. Recovering the protective tape together with the release tape;
The method for peeling off the protective tape according to claim 1, further comprising a step of separating the peeling tape from the wafer in the vicinity of the peeling end portion opposite to the peeling start end portion of the protective tape.
前記冷却手段は、冷却用こてであり、前記剥離テープの厚み方向一方側の表面に接触して前記剥離テープを冷却することによって、前記保護テープの剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却することを特徴とする請求項1または2に記載の保護テープの剥離方法。   The cooling means is a cooling iron, and contacts the surface on one side in the thickness direction of the peeling tape to cool the peeling tape, thereby bonding the peeling start end of the protective tape and the peeling tape. The method according to claim 1 or 2, wherein the protective tape is cooled. 前記冷却手段は、冷却用ファンであり、前記保護テープの前記剥離始端部に向けて空気を送出することによって、前記保護テープの剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却することを特徴とする請求項1または2に記載の保護テープの剥離方法。   The cooling means is a cooling fan, and cools an adhesive portion between the peeling start end of the protective tape and the peeling tape by sending air toward the peeling start end of the protective tape. The method for peeling off the protective tape according to claim 1 or 2. 前記冷却手段は、有機溶剤を供給することによって、前記保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部を冷却する有機溶剤供給手段であることを特徴とする請求項1または2に記載の保護テープの剥離方法。   3. The protection according to claim 1, wherein the cooling unit is an organic solvent supply unit that supplies an organic solvent to cool an adhesive portion between the peeling start end of the protective tape and the peeling tape. Tape peeling method. 前記剥離工程では、前記冷却手段によって前記保護テープと前記剥離テープとの接着部を冷却するとともに、前記保護テープを前記ウェハから剥離することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の保護テープの剥離方法。   In the said peeling process, while the adhesion part of the said protective tape and the said peeling tape is cooled by the said cooling means, the said protective tape is peeled from the said wafer, It is any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. The peeling method of the protective tape as described. 前記ウェハの材料は、炭化ケイ素であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の保護テープの剥離方法。   The method for peeling off a protective tape according to claim 1, wherein the material of the wafer is silicon carbide. ウェハの厚み方向一方側の表面部分に、半導体装置を構成する回路パターンを形成する工程と、
前記ウェハの厚み方向一方側の表面に、前記回路パターンを保護する保護テープを貼付ける工程と、
前記ウェハの前記保護テープが貼付けられた側とは反対側の厚み方向他方側の表面部分に、予め定められたウェハ加工処理を施す工程と、
請求項1〜7のいずれか1つに記載の保護テープの剥離方法を用いて、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた前記保護テープを剥離する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Forming a circuit pattern constituting the semiconductor device on a surface portion on one side in the thickness direction of the wafer;
A process of attaching a protective tape for protecting the circuit pattern to the surface on one side in the thickness direction of the wafer;
A step of performing a predetermined wafer processing on the surface portion on the other side in the thickness direction opposite to the side where the protective tape of the wafer is attached;
Using the method for peeling off a protective tape according to any one of claims 1 to 7, comprising a step of peeling off the protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer. A method for manufacturing a semiconductor device.
ウェハの厚み方向一方側の表面に貼付けられた保護テープを前記ウェハから剥離する保護テープの剥離装置であって、
前記保護テープの厚み方向一方側の表面に剥離テープを貼付ける貼付手段と、
前記ウェハと前記保護テープとの接着部を加熱する加熱手段と、
前記保護テープのうち、前記ウェハからの剥離を開始する端部として予め定める剥離始端部と前記剥離テープとの接着部を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段によって冷却された前記剥離始端部を起点として、前記保護テープを前記剥離テープとともに前記ウェハから剥離する剥離手段とを備えることを特徴とする保護テープの剥離装置。
A protective tape peeling apparatus that peels off the protective tape attached to the surface on one side in the thickness direction of the wafer from the wafer,
Affixing means for affixing a release tape to the surface on one side of the thickness direction of the protective tape;
Heating means for heating an adhesive portion between the wafer and the protective tape;
Among the protective tape, a cooling means for cooling an adhesive portion between the peeling start end portion and the peeling tape, which is predetermined as an end portion for starting peeling from the wafer,
An apparatus for peeling off a protective tape, comprising: a peeling means for peeling the protective tape from the wafer together with the peeling tape, starting from the peeling start end cooled by the cooling means.
前記貼付手段は、前記剥離テープとして長尺状の剥離テープを、前記保護テープの厚み方向一方側の表面に貼付け可能に構成され、
前記剥離手段は、前記剥離テープと前記ウェハとを、前記ウェハの厚み方向一方側の表面に平行に、かつ前記剥離テープの長手方向に沿って相対的に移動可能に構成されることを特徴とする請求項9に記載の保護テープの剥離装置。
The affixing means is configured to be able to affix an elongated release tape as the release tape to the surface on one side in the thickness direction of the protective tape,
The peeling means is configured to be capable of relatively moving the peeling tape and the wafer parallel to the surface on one side in the thickness direction of the wafer and along the longitudinal direction of the peeling tape. The peeling apparatus of the protective tape of Claim 9.
前記冷却手段は、前記剥離テープの厚み方向一方側の表面に接触して前記剥離テープを冷却する冷却用こてであることを特徴とする請求項9または10に記載の保護テープの剥離装置。   11. The protective tape peeling apparatus according to claim 9 or 10, wherein the cooling means is a cooling iron that cools the peeling tape by contacting a surface on one side in the thickness direction of the peeling tape. 前記冷却手段は、前記保護テープの前記剥離始端部に向けて空気を送出する冷却用ファンであることを特徴とする請求項9または10に記載の保護テープの剥離装置。   The said cooling means is a cooling fan which sends out air toward the said peeling start end part of the said protective tape, The peeling apparatus of the protective tape of Claim 9 or 10 characterized by the above-mentioned. 前記冷却手段は、有機溶剤を供給することによって、前記保護テープの剥離始端部と剥離テープとの接着部を冷却する有機溶剤供給手段であることを特徴とする請求項9または10に記載の保護テープの剥離装置。   The protection according to claim 9 or 10, wherein the cooling means is an organic solvent supply means for cooling an adhesive portion between the peeling start end of the protective tape and the peeling tape by supplying an organic solvent. Tape peeling device. 前記冷却手段は、前記保護テープが前記剥離手段によって前記ウェハから剥離されている間に、前記保護テープと前記剥離テープとの接着部を冷却可能に構成されることを特徴とする請求項9〜13のいずれか1つに記載の保護テープの剥離装置。   The cooling unit is configured to be capable of cooling an adhesive portion between the protective tape and the peeling tape while the protective tape is being peeled from the wafer by the peeling unit. The peeling apparatus of the protective tape as described in any one of 13.
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