JP2011165956A - Ball grid array substrate and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ball grid array substrate which can steadily deliver and receive a test signal from a side surface without rise in cost. <P>SOLUTION: The ball grid array substrate 1 is provided with a semiconductor chip 2, on the upper surface and a plurality of conductive balls 4 on the lower surface opposing the upper surface. The ball grid array substrate includes a first terminal, arranged on the upper surface and connected to the semiconductor chip 2, wiring electrically connected to the first terminal, and an insulating portion covering the wiring. The wiring has an exposed surface 112a exposed from the insulating portion on a side surface connecting the upper surface and the lower surface, and the first wiring width of the exposed surface 112a is larger than the wiring width of the wiring covered with the insulating portion. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明はボールグリッドアレイ基板、及びボールグリッドアレイ基板を含む半導体装置に関する。   The present invention relates to a ball grid array substrate and a semiconductor device including the ball grid array substrate.

BGA(ボールグリッドアレイ)基板は、面配列状に配置された複数の外部接続用の端子を、半導体チップ搭載面と反対の面に有している。BGA基板としては、例えば、特許文献1にその構造が開示されている。特許文献1に記載の半導体装置は、主表面において、外部電極とテスト端子とが隣接して設けられ、外部電極を介して内部導体とテスト端子とが接続されることを特徴としている。つまり、全ての端子が同一の面に配置されているBGA基板の例が開示されている。   A BGA (ball grid array) substrate has a plurality of external connection terminals arranged in a plane arrangement on the surface opposite to the semiconductor chip mounting surface. For example, Patent Document 1 discloses the structure of a BGA substrate. The semiconductor device described in Patent Document 1 is characterized in that an external electrode and a test terminal are provided adjacent to each other on the main surface, and the internal conductor and the test terminal are connected via the external electrode. That is, the example of the BGA board | substrate with which all the terminals are arrange | positioned on the same surface is disclosed.

特許文献2には、バンプと電気的に接続された検査パッドが、側面に配置されているBGAパッケージが開示されている。このようなBGAパッケージは、はんだバンプのサイズが縮小化しても、側面の検査パッドは影響を受けないため、検査時のピンショートを防ぐことができるというものである。   Patent Document 2 discloses a BGA package in which a test pad electrically connected to a bump is disposed on a side surface. In such a BGA package, even if the size of the solder bump is reduced, the test pad on the side surface is not affected, so that a pin short during the test can be prevented.

また、その他のBGA基板の構造として、めっき線が側面に露出したBGA基板が特許文献3に開示されている。   As another BGA substrate structure, Patent Document 3 discloses a BGA substrate in which a plating wire is exposed on the side surface.

特開平11−072534号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-072534 特開平11−17058号公報JP 11-17058 A 特開2001−274283号公報JP 2001-274283 A

半導体装置は、製品の小型化やコストダウンなどの要求に対して、サイズの縮小が求められている。但し、半導体装置のサイズを縮小化しても、テスト用の端子を確保しつつ、信号用の端子の数をできるだけ減少させないことが好ましい。これを実現するために、特許文献2のように、半導体装置の側面からテスト用の信号を受け渡しする方法が考えられている。しかし、この方法では、表面からテスト用の端子を減らすことができるものの、側面に新たな端子を形成する必要があるため、コストアップしてしまうことが問題となる。更に、追加で端子を設ける場合、特性悪化も懸念される。また、特許文献3に記載されているBGA基板のように、側面に露出しためっき線を用いて電気特性を検査する方法も考えられる。しかし、この方法では、側面に露出した面積が小さく安定したテストを行うことは難しい。   Semiconductor devices are required to be reduced in size in response to demands such as product miniaturization and cost reduction. However, even if the size of the semiconductor device is reduced, it is preferable that the number of signal terminals is not reduced as much as possible while securing the test terminals. In order to realize this, a method of passing a test signal from the side surface of the semiconductor device as in Patent Document 2 is considered. However, although this method can reduce the number of test terminals from the surface, it is necessary to form a new terminal on the side surface, which increases the cost. Furthermore, when an additional terminal is provided, there is a concern about deterioration of characteristics. Further, a method of inspecting electrical characteristics using a plated wire exposed on the side surface, such as a BGA substrate described in Patent Document 3, is also conceivable. However, with this method, it is difficult to perform a stable test with a small area exposed on the side surface.

以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。   In the following, means for solving the problems will be described using the reference numerals used in the embodiments for carrying out the invention in parentheses. This symbol is added to clarify the correspondence between the description of the claims and the description of the mode for carrying out the invention, and the technical scope of the invention described in the claims. Must not be used to interpret

本発明は、上面に半導体チップ(2)が搭載され、上面と対向する下面に複数の導電性ボール(4)が搭載されるボールグリッドアレイ基板(1)であって、上面に配置され、半導体チップ(2)に接続される第1端子(12)と、第1端子(12)と電気的に接続する配線(20)と、配線(20)を覆う絶縁部(30)とを具備する。配線(20)は、上面と下面とをつなぐ側面上で、絶縁部(30)から露出する露出面(112a)を有し、露出面(112a)の第1配線幅(W3)は、絶縁部(30)で覆われた配線の配線幅(W1)よりも広い。このようなボールグリッドアレイ基板(1)は、側面から露出している配線(20)の断面積が大きいため、探針が側面からでも安定して接触することができる。   The present invention is a ball grid array substrate (1) in which a semiconductor chip (2) is mounted on an upper surface and a plurality of conductive balls (4) are mounted on a lower surface opposite to the upper surface. A first terminal (12) connected to the chip (2), a wiring (20) electrically connected to the first terminal (12), and an insulating part (30) covering the wiring (20) are provided. The wiring (20) has an exposed surface (112a) exposed from the insulating portion (30) on the side surface connecting the upper surface and the lower surface, and the first wiring width (W3) of the exposed surface (112a) is the insulating portion. It is wider than the wiring width (W1) of the wiring covered with (30). In such a ball grid array substrate (1), since the cross-sectional area of the wiring (20) exposed from the side surface is large, the probe can stably contact from the side surface.

本発明の半導体装置(5)は、前段落のボールグリッドアレイ基板(1)と、上面に搭載される半導体チップ(2)と、下面に搭載される第1導電性ボール(4)とを具備する。半導体チップ(5)は、露出面(112a)を介してテスト装置との間の信号を伝送する。   The semiconductor device (5) of the present invention comprises the ball grid array substrate (1) of the previous paragraph, a semiconductor chip (2) mounted on the upper surface, and a first conductive ball (4) mounted on the lower surface. To do. The semiconductor chip (5) transmits signals to and from the test apparatus through the exposed surface (112a).

本発明のボールグリッドアレイ基板は、コストアップすることなく、テスト用の信号を安定に側面から受け渡しすることができる。   The ball grid array substrate of the present invention can pass test signals stably from the side without increasing costs.

図1は、本発明のBGA基板1を含む半導体装置5の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device 5 including a BGA substrate 1 of the present invention. 図2は、図1の半導体装置5をY方向から見た側面図である。FIG. 2 is a side view of the semiconductor device 5 of FIG. 1 viewed from the Y direction. 図3は、図1のA−A断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図4は、絶縁部32の上に形成されている上配線23を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing the upper wiring 23 formed on the insulating portion 32. 図5は、テストに使用されない配線25を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the wiring 25 that is not used in the test.

以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態によるBGA(ボールグリッドアレイ)基板を説明する。   Hereinafter, a BGA (ball grid array) substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明のBGA基板1を含む半導体装置5の平面図である。図2は、図1の半導体装置5をY方向から見た側面図である。図1及び図2を参照すると、半導体装置5は、BGA基板1と、半導体チップ2と、複数のボンディングワイヤ3と、複数の導電性ボール4とを具備する。尚、図1では、BGA基板1の表面にない導電性ボール4と導電性ボール4に接続する配線とが、点線で例示されている。   FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device 5 including a BGA substrate 1 of the present invention. FIG. 2 is a side view of the semiconductor device 5 of FIG. 1 viewed from the Y direction. Referring to FIGS. 1 and 2, the semiconductor device 5 includes a BGA substrate 1, a semiconductor chip 2, a plurality of bonding wires 3, and a plurality of conductive balls 4. In FIG. 1, the conductive balls 4 not on the surface of the BGA substrate 1 and the wirings connected to the conductive balls 4 are illustrated by dotted lines.

BGA基板1は、上面に半導体チップ2が搭載され、上面と対向する下面に複数の導電性ボール4が搭載されるボールグリッドアレイ基板である。BGA基板1は、半導体チップ2の複数の電極パッド(図示略)と接続するための複数の上端子と、複数の導電性ボール4と接続するための複数の下端子と、各上端子と各下端子とを接続する複数の配線とを具備する。図2の側面図を参照すると、BGA基板1は2層の配線構造を有しており、側面にそれら配線(後述する配線部23、配線部25など)の一部が露出している。尚、BGA基板1は、1層の配線構造や3層以上の多層配線構造であってもよい。   The BGA substrate 1 is a ball grid array substrate on which a semiconductor chip 2 is mounted on an upper surface and a plurality of conductive balls 4 are mounted on a lower surface facing the upper surface. The BGA substrate 1 includes a plurality of upper terminals for connection to a plurality of electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 2, a plurality of lower terminals for connection to a plurality of conductive balls 4, each upper terminal, And a plurality of wirings connecting the lower terminals. Referring to the side view of FIG. 2, the BGA substrate 1 has a two-layer wiring structure, and a part of these wirings (a wiring part 23, a wiring part 25, etc. described later) is exposed on the side surface. The BGA substrate 1 may have a single-layer wiring structure or a multilayer wiring structure of three or more layers.

半導体チップ2は、所望の機能を実現するための回路を含み、その回路とBGA基板1とを接続するための複数の電極パッドを表面に有する。複数のボンディングワイヤ3の各々は、半導体チップ2の電極パッドとBGA基板1の上端子とを電気的に接続する。複数の導電性ボール4は、半導体装置5が外部装置と信号を受け渡すための外部接続用の端子であり、下面に面配列状に配置される。尚、本実施の形態では、BGA基板1と半導体チップ2とは複数のボンディングワイヤ3によって接続されているが、フリップチップボンディングやテープオートメイテッドボンディングなどのワイヤレスボンディングで接続されていてもよい。   The semiconductor chip 2 includes a circuit for realizing a desired function, and has a plurality of electrode pads on the surface for connecting the circuit and the BGA substrate 1. Each of the plurality of bonding wires 3 electrically connects the electrode pad of the semiconductor chip 2 and the upper terminal of the BGA substrate 1. The plurality of conductive balls 4 are terminals for external connection for the semiconductor device 5 to exchange signals with the external device, and are arranged in a surface arrangement on the lower surface. In the present embodiment, the BGA substrate 1 and the semiconductor chip 2 are connected by a plurality of bonding wires 3, but may be connected by wireless bonding such as flip chip bonding or tape automated bonding.

BGA基板1の詳細を説明する。図3は、図1のA−A断面図である。図3を参照すると、BGA基板1は、下端子11と、上端子12と、配線20と、絶縁部30とを具備する。尚、図3では、下端子11、上端子12、配線20及び絶縁部30以外の構成は省略されている。下端子11は、BGA基板1の下面に配置され、導電性ボール4に接続される。上端子12は、BGA基板1の上面に配置され、ボンディングワイヤ3を介して半導体チップ2に接続される。配線20は、下端子11と上端子12とを電気的に接続する。絶縁部30は、配線20を覆い保護する。   Details of the BGA substrate 1 will be described. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. Referring to FIG. 3, the BGA substrate 1 includes a lower terminal 11, an upper terminal 12, a wiring 20, and an insulating unit 30. In FIG. 3, configurations other than the lower terminal 11, the upper terminal 12, the wiring 20, and the insulating unit 30 are omitted. The lower terminal 11 is disposed on the lower surface of the BGA substrate 1 and connected to the conductive ball 4. The upper terminal 12 is disposed on the upper surface of the BGA substrate 1 and is connected to the semiconductor chip 2 through the bonding wires 3. The wiring 20 electrically connects the lower terminal 11 and the upper terminal 12. The insulating unit 30 covers and protects the wiring 20.

配線20は、下配線21と、ビア22と、上配線21とを備える。絶縁部30は、絶縁部31と、絶縁部32と、絶縁部33とを備える。下配線21は、BGA基板1の上面及び下面に対して平行にパタン形成された配線である。下配線21は、絶縁部31の上に形成され、下端子11と接続する。尚、下端子11は、導電性ボール4及び下配線21と電気的に接続できるように、上下面の一部を残して絶縁部31に覆われる。   The wiring 20 includes a lower wiring 21, a via 22, and an upper wiring 21. The insulating unit 30 includes an insulating unit 31, an insulating unit 32, and an insulating unit 33. The lower wiring 21 is a wiring formed in a pattern parallel to the upper surface and the lower surface of the BGA substrate 1. The lower wiring 21 is formed on the insulating portion 31 and is connected to the lower terminal 11. The lower terminal 11 is covered with the insulating portion 31 except for a part of the upper and lower surfaces so that the lower terminal 11 can be electrically connected to the conductive ball 4 and the lower wiring 21.

ビア22は、下配線21の上に形成され、下配線21と上配線23とをBGA基板1の厚み方向に接続する。下配線21とビア22とは絶縁部32に覆われる。   The via 22 is formed on the lower wiring 21 and connects the lower wiring 21 and the upper wiring 23 in the thickness direction of the BGA substrate 1. The lower wiring 21 and the via 22 are covered with an insulating portion 32.

上配線23は、下配線21と同様に、BGA基板1の上面及び下面に対して平行にパタン形成された配線である。上配線23は、絶縁部32の上に形成され、上端子12と接続する。上配線23と上端子12とは、絶縁部33に覆われる。尚、上端子12は、上配線23の上に形成され、半導体チップ2と電気的に接続できるように、上面の一部を残して絶縁部33に覆われる。   Similar to the lower wiring 21, the upper wiring 23 is a wiring formed in a pattern parallel to the upper surface and the lower surface of the BGA substrate 1. The upper wiring 23 is formed on the insulating portion 32 and is connected to the upper terminal 12. The upper wiring 23 and the upper terminal 12 are covered with the insulating portion 33. The upper terminal 12 is formed on the upper wiring 23 and is covered with the insulating portion 33 except for a part of the upper surface so that it can be electrically connected to the semiconductor chip 2.

図4は、絶縁部32の上に形成されている上配線23を示す斜視図である。尚、図4は、図1のBで示した配線に相当する。図4を参照すると、上配線23は、配線部100と、めっき線部110とを含む。配線部100は、半導体チップ2と導電性ボール4との間で受け渡される信号を伝送する。めっき線部110は、配線20に必ず必要なものであって、BGA基板1から電荷を放出する。更に、めっき線部110は、半導体チップ2と外部のテスト装置との間で受け渡されるテスト用の信号を、安定に受け渡すことができる。   FIG. 4 is a perspective view showing the upper wiring 23 formed on the insulating portion 32. FIG. 4 corresponds to the wiring shown by B in FIG. Referring to FIG. 4, the upper wiring 23 includes a wiring part 100 and a plated wire part 110. The wiring unit 100 transmits a signal passed between the semiconductor chip 2 and the conductive ball 4. The plated wire portion 110 is necessary for the wiring 20 and discharges electric charges from the BGA substrate 1. Furthermore, the plated wire portion 110 can stably pass a test signal passed between the semiconductor chip 2 and an external test apparatus.

配線部100は、接続部100aと、接続部100bとを含む。接続部100aは、配線部100の下面において、絶縁部32で囲まれたビア22が接続する部位である。つまり、接続部100aは、ビア22と下配線21とを介して、下端子11に接続される。接続部100bは、配線部100の上面において、絶縁部33で囲まれた上端子12が接続する部位である。配線部100は、半導体チップ2と導電性ボール4との間で受け渡される信号を、接続部100aと接続部100bとを介して伝送する。配線部100の配線幅W1は、接続部100aと接続部100bとを結ぶ信号の伝送方向(配線の長さ方向)に直行し、BGA基板1の上面及び下面に対して平行な方向の幅である。   The wiring part 100 includes a connection part 100a and a connection part 100b. The connection part 100 a is a part to which the via 22 surrounded by the insulating part 32 is connected on the lower surface of the wiring part 100. That is, the connection part 100 a is connected to the lower terminal 11 through the via 22 and the lower wiring 21. The connection part 100 b is a part to which the upper terminal 12 surrounded by the insulating part 33 is connected on the upper surface of the wiring part 100. The wiring unit 100 transmits a signal passed between the semiconductor chip 2 and the conductive ball 4 via the connection unit 100a and the connection unit 100b. The wiring width W1 of the wiring part 100 is a width in a direction parallel to the upper surface and the lower surface of the BGA substrate 1 that is orthogonal to the signal transmission direction (wiring length direction) connecting the connecting part 100a and the connecting part 100b. is there.

めっき線部110は、めっき線部111と、末端部112とを含む。めっき線部111は、配線部100と末端部112とを接続する配線幅W2の配線である。配線幅W2は、隣接する配線と接触しないようにBGA基板1の側面まで配線部110を引き出すことができる幅であり、配線幅W1よりも狭いことが好ましい。配線幅W2が配線幅W1よりも狭くなると、他の配線との接触を避けながらBGA基板1の側面まで末端部112を容易に引き出すことができる。但し、配線幅W2は、他の配線との十分な距離が保てる場合は、配線幅W1と同じであってもよい。   The plated wire part 110 includes a plated wire part 111 and a terminal part 112. The plated wire portion 111 is a wire having a wiring width W2 that connects the wiring portion 100 and the end portion 112. The wiring width W2 is a width that allows the wiring portion 110 to be pulled out to the side surface of the BGA substrate 1 so as not to contact the adjacent wiring, and is preferably narrower than the wiring width W1. When the wiring width W2 is narrower than the wiring width W1, the end portion 112 can be easily pulled out to the side surface of the BGA substrate 1 while avoiding contact with other wiring. However, the wiring width W2 may be the same as the wiring width W1 if a sufficient distance from other wiring can be maintained.

末端部112は、めっき線部111に接続し、側面上で絶縁部33から露出する露出面112aを含む。末端部112が外に露出することで、BGA基板1は電荷を放出することができる。露出面112aの面積は、絶縁部30で覆われた配線20に含まれる他の配線の断面積よりも大きい。言い換えると、露出面112aの配線幅W3は、絶縁部30で覆われた配線20の他の配線幅よりも広い。詳細には、露出面112aの配線幅W3は、配線幅W1よりも大きく、隣接する他の配線に接触しない幅である。配線幅W3が、配線幅W1よりも大きくなることで、半導体装置5をテストするための探針が安定して接触することができる。つまり、末端部112は、電荷を放出できることと、探針が安定して接触できることの2つの効果を奏している。末端部112は、露出面112aの面積が大きくなるように、配線幅W3が前述した範囲で形成されていればよく、末端部112の平面形状は円形や方形など、どのような形状であってもよい。また、配線部110は、配線部100と接続されていればよく、接続される場所は全体の配線パタンに基づいて決定される。尚、図3では、上配線23にめっき線部110が含まれて露出する構成であるが、下配線21がめっき線部110を含み露出する構成であってもよい。つまり、下端子11と上端子12とを電気的に接続する配線20のなかで、下配線21と上配線23との少なくとも一方が側面から露出していればよい。   The end portion 112 includes an exposed surface 112a that is connected to the plated wire portion 111 and exposed from the insulating portion 33 on the side surface. The BGA substrate 1 can release charges by exposing the end portion 112 to the outside. The area of the exposed surface 112a is larger than the cross-sectional area of the other wiring included in the wiring 20 covered with the insulating portion 30. In other words, the wiring width W3 of the exposed surface 112a is wider than other wiring widths of the wiring 20 covered with the insulating portion 30. Specifically, the wiring width W3 of the exposed surface 112a is larger than the wiring width W1, and is a width that does not contact other adjacent wirings. Since the wiring width W3 is larger than the wiring width W1, a probe for testing the semiconductor device 5 can stably come into contact. That is, the end portion 112 has two effects of being able to discharge electric charges and being able to stably contact the probe. The end portion 112 only needs to be formed with the wiring width W3 in the above-described range so that the area of the exposed surface 112a is increased. The planar shape of the end portion 112 is any shape such as a circle or a rectangle. Also good. Moreover, the wiring part 110 should just be connected with the wiring part 100, and the place connected is determined based on the whole wiring pattern. In FIG. 3, the upper wiring 23 is exposed by including the plated wire portion 110, but the lower wiring 21 may be exposed by including the plated wire portion 110. That is, it is only necessary that at least one of the lower wiring 21 and the upper wiring 23 is exposed from the side surface in the wiring 20 that electrically connects the lower terminal 11 and the upper terminal 12.

前述したように、BGA基板1は、上面に半導体チップ2と接続するための複数の上端子と、下面に複数の導電性ボール4と接続するための複数の下端子と、各上端子と各下端子とを接続する複数の配線とを具備する。BGA基板1では、各上端子と各下端子とを接続する複数の配線が側面に露出する構成であるが、各配線が図4に示す末端部112を有していなくてもよい。つまり、複数の配線のうちでテストに使用されない配線では、側面から露出する露出面の配線幅は、絶縁部30に覆われる配線幅よりも狭いことが好ましい。例えば、図2における配線25は、テストに使用されない配線であるため、配線23の露出面112aよりも小さい露出面210aを有している。   As described above, the BGA substrate 1 includes a plurality of upper terminals for connecting to the semiconductor chip 2 on the upper surface, a plurality of lower terminals for connecting to the plurality of conductive balls 4 on the lower surface, the upper terminals, And a plurality of wirings connecting the lower terminals. In the BGA substrate 1, a plurality of wirings connecting the upper terminals and the lower terminals are exposed on the side surfaces, but each wiring may not have the end portion 112 shown in FIG. That is, in the wiring that is not used for the test among the plurality of wirings, the wiring width of the exposed surface exposed from the side surface is preferably narrower than the wiring width covered by the insulating portion 30. For example, since the wiring 25 in FIG. 2 is a wiring that is not used for the test, it has an exposed surface 210a that is smaller than the exposed surface 112a of the wiring 23.

図5は、テストに使用されない配線25を示す斜視図である。尚、図5は、図1のCで示した配線に相当する。図5を参照すると、配線25は、配線部200と、めっき線部210とを備える。配線部200は、配線部100と同様に、半導体チップ2と導電性ボール4との間で受け渡される信号を伝送する。めっき線部210は、めっき線部110と同様に、BGA基板1から電荷を放出する配線である。但し、めっき線部210は、めっき線部110と異なり、テスト用の信号の受け渡しを行わない。   FIG. 5 is a perspective view showing the wiring 25 that is not used in the test. FIG. 5 corresponds to the wiring indicated by C in FIG. Referring to FIG. 5, the wiring 25 includes a wiring part 200 and a plated wire part 210. Similar to the wiring unit 100, the wiring unit 200 transmits a signal transferred between the semiconductor chip 2 and the conductive ball 4. The plated wire portion 210 is a wiring that discharges charges from the BGA substrate 1, as with the plated wire portion 110. However, unlike the plated wire portion 110, the plated wire portion 210 does not pass a test signal.

配線部200は、接続部200aと、接続部200bとを含む。接続部200aは、配線部200の下面において、絶縁部32で囲まれたビアが接続する部位である。接続部200bは、配線部200の上面において、絶縁部33で囲まれた上端子が接続する部位である。配線部200は、半導体チップ2と導電性ボール4との間で受け渡される信号を、接続部200aと接続部200bとを介して伝送する。配線部200は、配線部100と同様に配線幅W1を有する。   The wiring part 200 includes a connection part 200a and a connection part 200b. The connection part 200 a is a part to which the via surrounded by the insulating part 32 is connected on the lower surface of the wiring part 200. The connection part 200 b is a part to which the upper terminal surrounded by the insulating part 33 is connected on the upper surface of the wiring part 200. The wiring unit 200 transmits a signal passed between the semiconductor chip 2 and the conductive ball 4 via the connection unit 200a and the connection unit 200b. The wiring part 200 has a wiring width W <b> 1 like the wiring part 100.

めっき線部210は、配線部200に接続し、側面上で絶縁部33から露出する露出面210aを含む。めっき線部210は、めっき線部111と同様に配線幅W2を有する。つまり、めっき線部210は、隣接する配線と接触せずに、BGA基板1の側面まで露出面210aを容易に引き出すことができる。そして、めっき線部210の露出面210aが外に露出することで、BGA基板1は電荷を放出することができる。尚、めっき線部210は、側面から露出面212aが露出できればよく、どのような平面形状であってもよい。更に、めっき線部210は、配線部200と接続されていればよく、接続される場所は全体の配線パタンに基づいて決定される。   The plated wire part 210 is connected to the wiring part 200 and includes an exposed surface 210a exposed from the insulating part 33 on the side surface. The plated wire portion 210 has a wiring width W2 like the plated wire portion 111. That is, the plated wire portion 210 can easily pull out the exposed surface 210a to the side surface of the BGA substrate 1 without contacting the adjacent wiring. The exposed surface 210a of the plated wire portion 210 is exposed to the outside, so that the BGA substrate 1 can release charges. The plated wire portion 210 may have any planar shape as long as the exposed surface 212a can be exposed from the side surface. Furthermore, the plating wire part 210 should just be connected with the wiring part 200, and the connection place is determined based on the whole wiring pattern.

また、本実施の形態のBGA基板1は、上配線23の上に更に配線が積層されていてもよく、その場合、積層された配線が上配線23と上端子12とを接続する。更に、BGA基板1は、下配線21が含まれていない1層でもよく、その場合、上配線23は下端子11及び上端子12と直接接続される。   Further, the BGA substrate 1 of the present embodiment may be further laminated with a wiring on the upper wiring 23, and in that case, the laminated wiring connects the upper wiring 23 and the upper terminal 12. Further, the BGA substrate 1 may be a single layer that does not include the lower wiring 21. In this case, the upper wiring 23 is directly connected to the lower terminal 11 and the upper terminal 12.

以上のように、本発明のBGA基板1は、広い配線幅W3の露出面112aを側面に有するため、側面から安定してテスト装置に接続された探針を接触させることができる。特に、露出面112aを含むめっき線部110は、配線部111は通常どおりの配線幅W2でよいので、配線を設計する段階で末端部112を容易に設定することができ、配線設計を大きく変える必要がない。つまり、本発明のBGA基板1は、めっき線部110を利用することで、設計が密集しているところに新たに配線を引く必要がないためコストが掛からない効果を奏している。即ち、本発明のBGA基板1は、コストアップすることなく、テスト用の端子としての露出面112aを側面に容易に設けることができ、そして、テスト用の信号を露出面112aから安定に受け渡しすることができる。   As described above, since the BGA substrate 1 of the present invention has the exposed surface 112a having the wide wiring width W3 on the side surface, the probe connected to the test apparatus can be contacted stably from the side surface. Particularly, in the plated wire portion 110 including the exposed surface 112a, since the wiring portion 111 may have the usual wiring width W2, the end portion 112 can be easily set at the stage of designing the wiring, and the wiring design is greatly changed. There is no need. In other words, the BGA substrate 1 according to the present invention uses the plated wire portion 110, so that it is not necessary to newly draw a wiring at a place where the design is dense, thereby producing an effect that does not cost. That is, the BGA substrate 1 of the present invention can easily provide the exposed surface 112a as a test terminal on the side surface without increasing the cost, and can stably pass a test signal from the exposed surface 112a. be able to.

このようなBGA基板1が搭載された半導体装置5は、側面の露出面112aを介して、テスト装置との間で、テスト用の信号を容易に受け渡しすることができる。半導体装置5の検査方法としては、BGA基板1の露出面112aにテスト装置と接続された探針を接触させた後、テスト装置が探針を介して、テスト用の信号を出力する。そして、半導体装置5が、信号に基づいた信号を出力し、出力された信号に基づいてテスト装置が判定する方法で実行される。   The semiconductor device 5 on which such a BGA substrate 1 is mounted can easily pass a test signal to and from the test device via the exposed surface 112a on the side surface. As an inspection method for the semiconductor device 5, a probe connected to a test device is brought into contact with the exposed surface 112 a of the BGA substrate 1, and then the test device outputs a test signal through the probe. Then, the semiconductor device 5 outputs a signal based on the signal, and the test device performs the determination based on the output signal.

1 BGA基板
2 半導体チップ
3 ボンディングワイヤ
4 導電性ボール
5 半導体装置
11 下端子
12 上端子
20 配線
21 下配線
22 ビア
23 上配線
25 配線
30 絶縁部
31 絶縁部
32 絶縁部
33 絶縁部
100 配線部
100a 接続部
100b 接続部
110 めっき線部
111 めっき線部
112 末端部
112a 露出面
200 配線部
200a 接続部
200b 接続部
210 めっき線部
210a 露出面
W1 配線幅
W2 配線幅
W3 配線幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 BGA board | substrate 2 Semiconductor chip 3 Bonding wire 4 Conductive ball 5 Semiconductor device 11 Lower terminal 12 Upper terminal 20 Wiring 21 Lower wiring 22 Via 23 Upper wiring 25 Wiring 30 Insulating part 31 Insulating part 32 Insulating part 33 Insulating part 100 Wiring part 100a Connection portion 100b Connection portion 110 Plating wire portion 111 Plating wire portion 112 Terminal portion 112a Exposed surface 200 Wiring portion 200a Connection portion 200b Connection portion 210 Plating wire portion 210a Exposed surface W1 Wiring width W2 Wiring width W3 Wiring width

Claims (5)

上面に半導体チップが搭載され、前記上面と対向する下面に複数の導電性ボールが搭載されるボールグリッドアレイ基板であって、
前記上面に配置され、前記半導体チップに接続される第1端子と、
前記第1端子と電気的に接続する配線と、
前記配線を覆う絶縁部と
を具備し、
前記配線は、
前記上面と前記下面とをつなぐ側面上で、前記絶縁部から露出する露出面
を有し、
前記露出面の第1配線幅は、前記絶縁部で覆われた前記配線の配線幅よりも広い
ボールグリッドアレイ基板。
A ball grid array substrate on which a semiconductor chip is mounted on an upper surface and a plurality of conductive balls are mounted on a lower surface facing the upper surface,
A first terminal disposed on the upper surface and connected to the semiconductor chip;
Wiring electrically connected to the first terminal;
An insulating portion covering the wiring,
The wiring is
On the side surface connecting the upper surface and the lower surface, and having an exposed surface exposed from the insulating portion,
The ball grid array substrate, wherein the first wiring width of the exposed surface is wider than the wiring width of the wiring covered with the insulating portion.
請求項1に記載のボールグリッドアレイ基板であって、
前記下面に配置され、第1導電性ボールに接続される第2端子
を更に具備し、前記第1端子と前記第2端子とは前記配線によって電気的に接続され、
前記配線は、
前記上面及び前記下面に対して平行にパタン形成された平面配線と、
前記第1端子と前記平面配線とを接続する第1配線部と、
前記第2端子と前記平面配線とを接続する第2配線部と
を備え、
前記平面配線は、
前記第1配線部が接続する第1接続部と、前記第2配線部が接続する第2接続部とを有する第3配線部と、
前記第3配線部に接続し、前記露出面を含む第4配線部と
を含み、
前記第1配線幅は、前記第3配線部の第2配線幅よりも広い
ボールグリッドアレイ基板。
The ball grid array substrate according to claim 1,
A second terminal disposed on the lower surface and connected to the first conductive ball, wherein the first terminal and the second terminal are electrically connected by the wiring;
The wiring is
A planar wiring pattern formed parallel to the upper surface and the lower surface;
A first wiring portion connecting the first terminal and the planar wiring;
A second wiring portion that connects the second terminal and the planar wiring;
The planar wiring is
A third wiring portion having a first connecting portion to which the first wiring portion is connected and a second connecting portion to which the second wiring portion is connected;
A fourth wiring part connected to the third wiring part and including the exposed surface;
The ball grid array substrate, wherein the first wiring width is wider than the second wiring width of the third wiring portion.
請求項2に記載のボールグリッドアレイ基板であって、
前記第4配線部は、
前記露出面を含む末端部と、
前記末端部と接続し、前記第3配線部に接続する第5配線部と
を含み、
前記第5配線部の第3配線幅は、前記第2配線幅よりも狭い
ボールグリッドアレイ基板。
The ball grid array substrate according to claim 2,
The fourth wiring part is
A terminal portion including the exposed surface;
A fifth wiring part connected to the terminal part and connected to the third wiring part;
The ball grid array substrate, wherein a third wiring width of the fifth wiring portion is narrower than the second wiring width.
請求項1乃至3の何れか一項に記載のボールグリッドアレイ基板であって、
前記第1端子と前記第1配線部とは同一であることと、前記第2端子と前記第2配線部とは同一であることの少なくとも一方を満たす
ボールグリッドアレイ基板。
A ball grid array substrate according to any one of claims 1 to 3,
A ball grid array substrate satisfying at least one of the first terminal and the first wiring portion being the same, and the second terminal and the second wiring portion being the same.
請求項1乃至4の何れか一項に記載のボールグリッドアレイ基板と、
前記上面に搭載される前記半導体チップと、
前記下面に搭載される前記第1導電性ボールと
を具備し、
前記半導体チップは、前記露出面を介してテスト装置との間の信号を伝送する
半導体装置。
The ball grid array substrate according to any one of claims 1 to 4,
The semiconductor chip mounted on the upper surface;
The first conductive ball mounted on the lower surface;
The semiconductor chip transmits a signal to and from a test apparatus through the exposed surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015107614A (en) * 2013-12-05 2015-06-11 エスアイアイ・プリンテック株式会社 Liquid jed head and liquid jet device

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