JP2011162852A

JP2011162852A - 成膜方法及びプラズマｃｖｄ成膜装置

Info

Publication number: JP2011162852A
Application number: JP2010027630A
Authority: JP
Inventors: Akira Hasegawa; 彰長谷川; Toshiya Kuroda; 俊也黒田; Takashi Sanada; 隆眞田
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2010-02-10
Filing date: 2010-02-10
Publication date: 2011-08-25

Abstract

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。
【選択図】図１−１

Description

本発明は、成膜方法及びこの成膜方法に好適に適用できるプラズマＣＶＤ成膜装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子や有機薄膜太陽電池などをロールツーロールプロセスで生産する場合には、支持基板（及び／又は封止基板）には柔軟性を有するフレキシブル基板が用いられる。

フレキシブル基板には透明性の他に水蒸気や酸素に対するバリア性（以下、単にバリア性という場合がある。）が要求される。フレキシブル基板にバリア性を持たせるために、基材上に透明な無機膜を成膜することが一般的に行われている。透明な無機膜の材料としては、例えばシリコン（Ｓｉ）の酸化物、窒化物、酸窒化物などが挙げられる。

無機膜の成膜法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、光ＣＶＤ法、Cat-ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ（Plasma Enhanced-Chemical Vapor Deposition）法などの化学蒸着法（ＣＶＤ法）がある。

化学蒸着法であるプラズマＣＶＤ法は、成膜速度が高く、生産性の高い成膜方法である。またプラズマＣＶＤ法で成膜された膜は、柔軟性に優れるため数百ｎｍ〜数μｍ程度の任意の膜厚とすることができる。さらにプラズマＣＶＤ法により成膜された膜は、柔軟性に富み、基材の変形に追従できるため、クラックや基材からの剥離が発生せず、バリア性が劣化しない。よってプラズマＣＶＤ法は、成膜ロール、搬送ロールといった曲率のあるロールに巻き取られ、また巻き出されるプロセスを含むロールツーロールプロセスに適した成膜法である。

プラズマＣＶＤ法の実施に用いられるプラズマＣＶＤ成膜装置としては、例えば対向電極とは別にガス流によって保護された電極を配置する構成が知られている。またプラズマＣＶＤ法として、フィルムを搬送する２つの対向する成膜ロール間に放電プラズマを発生させ、ガスを供給することで成膜ロールに巻き付けられた基材に膜を形成する方法が知られている（特許文献１及び２参照）。

特許第２５８７５０７号公報特許第４２６８１９５号公報

従来のプラズマＣＶＤ法では、成膜ロール上の基材近傍に導入されたガスの成分の一部が、基材上に到達して堆積する前に、特に自発核生成により、導入されたガスに起因する粒状体（パーティクルという場合がある）を形成してしまう場合がある。粒状体が基材及び／又は成膜されつつある膜上に付着すると、膜にクラックを生じさせたり、膜中に取り込まれてしまった粒状体が基材の表面に至る孔を生じさせたりするおそれがある。結果として膜のバリア性を損なってしまうおそれがある。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、ガスに起因する粒状体の成膜ゾーンへの到達を抑制して粒状体に起因する欠陥の発生を抑制することにより、長尺の基材上に成膜される膜の膜質を均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる成膜方法及びこの成膜方法に適用して好適なプラズマＣＶＤ成膜装置を提供することを目的とする。

本発明者らは、プラズマＣＶＤ法について鋭意研究を進めたところ、プラズマＣＶＤ成膜装置の真空チャンバにおいて、ガス供給管の配置を所定の配置としてガスを供給することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち本発明によれば、
〔１〕搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーンの下方に配置される少なくとも１本のガス供給管であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口を有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置を用い、前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。
〔２〕前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔１〕に記載の成膜方法。
〔３〕第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方である前記第１対称面内に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔１〕又は〔２〕に記載の成膜方法。
〔４〕第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方であって、前記第１対称面から離間した位置に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔１〕又は〔２〕に記載の成膜方法。
〔５〕前記成膜ゾーンの下方には２本以上のガス供給管が配置されており、該２本以上のガス供給管のうちの少なくとも１本と残りのガス供給管とが前記第１対称面を挟んで該第１対称面から離間するように配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔４〕に記載の成膜方法。
〔６〕２本以上のガス供給管を備えており、前記２本以上のガス供給管のうちの前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が前記成膜ゾーンの下方に配置され、かつ前記２本以上のガス供給管のうちの残りのガス供給管が前記成膜ゾーンの上方に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の成膜方法。
〔７〕前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が前記成膜ゾーンの下方に配置され、真空排気口を有する真空排気管が前記成膜ゾーンの上方に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の成膜方法。
〔８〕第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定され、前記成膜ゾーンの前記回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ前記第１対称面と直交する第２対称面が設定されており、前記ガス供給管が、前記成膜ゾーンを指向し、かつ前記第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を備える前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の成膜方法。
〔９〕前記ＣＶＤ成膜装置が、第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定され、前記成膜ゾーンの前記回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ前記第１対称面と直交する第２対称面が設定されており、前記第１対称面と前記第２対称面とが交差して画成される交差線に対して軸対称となるように、前記成膜ゾーンに対して下方に配置される１個以上の真空排気口と、該真空排気口に接続されている真空ポンプとをさらに備え、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給しつつ、前記真空ポンプにより圧力を調節する、〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の成膜方法。
〔１０〕前記第１対称面及び前記第２対称面に対して鏡面対称となるように配置されている１個又は２個以上の真空排気口を有する前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、〔９〕に記載の成膜方法。
〔１１〕〔１〕〜〔１０〕のいずれか一項に記載の成膜方法により前記基材上に膜を成膜する、フレキシブル基板の製造方法。
〔１２〕第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、該成膜ゾーンの下方に配置される少なくとも１本のガス供給管であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個又は２個以上のガス供給口を有する前記ガス供給管とを備えるプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１３〕前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、〔１２〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１４〕前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成する前記ガスを供給する、前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方である前記第１対称面内に配置される、〔１３〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１５〕前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給する、前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方であって、前記第１対称面から離間した位置に配置される、〔１３〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１６〕前記成膜ゾーンの下方には２本以上のガス供給管が配置されており、該２本以上のガス供給管が前記第１対称面を挟んで該第１対称面から離間するように配置される、〔１５〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１７〕２本以上のガス供給管を備えており、前記２本以上のガス供給管のうちの、前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が前記成膜ゾーンの下方に配置され、かつ前記２本以上のガス供給管のうちの残りのガス供給管が前記成膜ゾーンの上方に配置される、〔１２〕〜〔１６〕のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１８〕前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方である前記第１対称面内に配置され、真空排気口を有する真空排気管が、前記成膜ゾーンの上方に配置される、〔１２〕〜〔１７〕のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔１９〕前記ガス供給管が、前記成膜ゾーンの前記回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ前記第１対称面と直交する第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有する、〔１２〕〜〔１８〕のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔２０〕前記第１対称面と前記第２対称面とが交差して画成される交差線に対して軸対称となるように、前記成膜ゾーンに対して下方に配置される１個以上の真空排気口と、該真空排気口に接続されている真空ポンプとをさらに備える、〔１２〕〜〔１９〕のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
〔２１〕前記第１対称面及び前記第２対称面に対して鏡面対称となるように配置されている１個又は２個以上の真空排気口を有している、〔２０〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
が提供される。

本発明の成膜方法及びプラズマＣＶＤ成膜装置によれば、ガスに起因する粒状体の基材上及び／又は成膜されつつある膜上への到達及び堆積を抑制することにより、成膜された膜における欠陥の発生を効果的に抑制することができる。結果として成膜される膜の膜質を均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

図１−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を上方からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図１−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図１−３は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図２−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図２−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図３−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図３−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図４−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図４−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図５−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図５−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図６−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図６−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図７は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図８は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図９−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図９−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１０−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を上方からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１０−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１０−３は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１１−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を下方からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１１−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１１−３は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときのガス供給管を示した概略的な平面図である。図１２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図１３は、自動制御部の構成を説明する概略的なブロック図である。図１４−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置の動作を説明する概略的なフローチャートである。図１４−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置の動作を説明する概略的なフローチャートである。図１５−１は、真空排気口の構成例を説明するための概略的な平面図である。図１５−２は、真空排気口の構成例を説明するための概略的な平面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。なお以下の説明において図を参照して説明する場合があるが、各図は発明が理解できる程度に構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎず、これにより本発明が特に限定されるものではない。また各図において、同様の構成成分については同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合がある。

本発明の成膜方法に好適に適用できるプラズマＣＶＤ成膜装置は、第１成膜ロール及び第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、第１成膜ロールの回転軸と第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつこの線分と直交する第１対称面が設定され、第１成膜ロール及び第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、成膜ゾーンの下方に配置される少なくとも１本のガス供給管であって、成膜ゾーンの下方から成膜ゾーンを指向する１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管とを備える。

本発明のプラズマＣＶＤ装置は、減圧下において、対向配置された第１成膜ロール及び／又は第２成膜ロールに、交流あるいは極性反転を伴うパルス電圧を印加し、互いに対向している第１成膜ロール及び第２成膜ロールの間隙であって、少なくとも第１成膜ロール及び第２成膜ロールの全長にわたる範囲である放電プラズマ発生領域（成膜ゾーン）に放電を発生させ、成膜ロールに巻き付けられた長尺の基材のうち成膜ゾーンに露出する部分領域に、連続的に成膜を行うものである。

例えば有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池といった電子デバイスに使用される基板（フレキシブル基板）を用途として想定すると、長尺の基材としては、無色透明な樹脂からなるフィルム又はシートなどのロール状に巻き取り可能な絶縁性の材料であれば特に限定されない。このような基材に用いられる樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリカーボネート系樹脂；ポリスチレン系樹脂；ポリビニルアルコール系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル系樹脂；アセタール系樹脂；ポリイミド系樹脂；エポキシ樹脂が挙げられる。

これらの樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、製造コストが低いため、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

基材の厚みは特に限定されないが、成膜時の安定性を考慮して適宜に設定することができる。基材の厚みは、真空中でも基材の搬送を可能とするという観点から、５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好ましく。さらに、５０μｍ〜２００μｍの範囲であることがより好ましく、５０μｍ〜１００μｍの範囲であることが特に好ましい。

（第１の実施形態）
図１−１から図１−３を参照して、本発明の第１の実施形態にかかるプラズマＣＶＤ成膜装置の構成例及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法について説明する。
図１−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を上方からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。なお以下の説明において、図１−１中の白抜き矢印Ａ方向を正面方向とし、白抜き矢印Ｂ方向を側面方向とし、矢印Ｇ方向を重力方向（物体に重力加速度が加わる方向：鉛直下方）として説明する。図１−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図１−３は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。なお真空チャンバ外に設けられていて、成膜ロールを作動させる成膜ロール作動機構等については本発明の要旨ではないため、図示及びその説明を省略する。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図１−１、図１−２及び図１−３に示すように、第１の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

この構成例では、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとは、いずれも円柱状の形状を有しており、全長及び径がいずれも等しくされている。この円柱状の第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの直径の中心を通る芯部は回転軸とされており、第１成膜ロール２０Ａは回転軸２０Ａａを有しており、第２成膜ロール２０Ｂは回転軸２０Ｂａを有している。第２成膜ロール２０Ｂは第１成膜ロール２０Ａに対して平行に対向配置されている。なお成膜ロール２０の全長とは円柱の芯部の延在方向における一端から他端までの長さである。

この構成例では、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとが、同一構成である例につき説明したが、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとの全長及び径のいずれか一方又は双方が互いに異なっている構成としてもよい。

具体的には、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂは、回転軸２０Ａａ及び２０Ｂａに直交する面に第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの両端部が揃うように平行に対向配置されている。

なおプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、成膜ロール２０以外にも巻き出しロール、巻き取りロールといった他のロールを備えるが、こうした成膜ロール２０以外の他のロールは本発明の要旨ではないので図示及びその詳細な説明は省略する。

第１成膜ロール２０Ａ内及び第２成膜ロール２０Ｂ内には、図示しない放電プラズマ発生部材が格納されている。放電プラズマ発生部材は、第１成膜ロール２０Ａと、この第１の成膜ロール２０Ａと対向する第２成膜ロール２０Ｂとの間隙である成膜ゾーン２２に、成膜工程において放電（放電プラズマ）を発生させることができる部材である。

成膜ゾーン２２は、機能的観点から定義すると、導入されたガスが電離して放電プラズマとなることにより成膜可能となる領域であって、所定の膜厚（許容される膜厚精度の範囲内である所望の膜厚）で成膜可能な領域である。成膜ゾーン２２は、形状という観点から定義すると、第１成膜ロール２０Ａの表面及び第２成膜ロール２０Ｂの表面に接し、かつ第１成膜ロール２０Ａの回転軸２０Ａａ及び第２成膜ロール２０Ｂの回転軸２０Ｂａを含む面とは非交差である、互いに対向する２つの面とこれら２つの面に挟まれる第１成膜ロール２０Ａの表面及び第２成膜ロール２０Ｂの表面とにより画成される領域にほぼ相当する。
図示例では、成膜ゾーン２２の成膜ロール２０の回転軸に沿う方向の長さが、基材の長尺方向に直交する幅方向（ＴＤ方向）の長さ（第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの全長）と実質的に等しくされている。

成膜ゾーン２２の成膜ロール２０の回転軸に沿う方向（成膜ロール２０の延在方向に沿う方向）の長さは、成膜対象の基材のＴＤ方向の長さ（基材の幅）、成膜ロール２０の全長などを考慮して任意好適な長さとすることができる。成膜ゾーン２２の成膜ロール２０の回転軸（回転軸２０Ａａ及び／又は回転軸２０Ｂａ）に沿う方向の長さは、最大でも第１成膜ロール２０Ａの回転軸２０Ａａに沿う方向の全長又は第２成膜ロール２０Ｂの回転軸２０Ｂａに沿う方向の全長のうちのより長い方の全長となる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、内部のガスを排気して減圧可能な気密の真空チャンバ１２を備えている。上述した成膜ロール２０は真空チャンバ１２内に格納されている。真空チャンバ１２の内部には、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの配置と成膜ゾーン２２を基準として、対称面１８である第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂが設定されている。

第１対称面１８Ａは、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂ間に設定されており、第１成膜ロール２０Ａの回転軸２０Ａａと第２成膜ロール２０Ｂの回転軸２０Ｂａとを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつこの線分と直交する平面として設定される。

第２対称面１８Ｂは、成膜ゾーン２２の成膜ロール２０の回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ第１対称面１８Ａと直交する平面として設定される。
また第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される直線を交差線１９とする。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、ガス供給部３０を備えている。ガス供給部３０は、１本又は２本以上のガス供給管３２を含んでいる。以下の構成例ではガス供給管３２を直線状の構成であるものとして説明するが、例えば円弧状、波状といった曲線を含む構成としてもよい。

ガス供給管３２を含むガス供給部３０は、成膜ゾーン２２の下方に配置されている。「成膜ゾーン２２の下方」とは、成膜ゾーン２２よりも低い位置を意味している。「成膜ゾーン２２の下方」には、成膜ゾーン２２の直下（鉛直下方）の領域、及び成膜ゾーン２２の下側であって成膜ゾーン２２の直下の領域よりも外側である領域が含まれる。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。ガス供給口３４は、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向するように配置されている。「成膜ゾーン２２を指向する」とは、ガス供給口３４の中心３４ｃと成膜ゾーン２２の中心２２ｃとの距離が最短距離となるようにされていることを意味する（ガス供給口３４の詳細については後述する）。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、１個又は２個以上の真空排気口１４を備えている。この構成例では真空排気口１４は、真空チャンバ１２に直接的に開口するように設けられている。真空排気口１４は、この構成例では成膜ゾーン２２の下方であってガス供給管３２のさらに下方に配置されている。

真空排気口１４は、好ましくは第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置し、より好ましくは第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように配置する構成とするのがよい。第１の実施形態の真空チャンバ１２は、成膜ゾーン２２の中心２２ｃの鉛直下方に位置する１個の真空排気口１４を備えている。

第１の実施形態の１個の真空排気口１４は、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが直交して形成される直線である交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される第１領域２１ａ、第２領域２１ｂ、第３領域２１ｃ及び第４領域２１ｄにおいて真空排気口１４の平面形状及びその面積が略均等になるように設けられている。

真空排気口１４が「第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置されている」とは、真空チャンバ１２が備える真空排気口１４が３個以上の奇数個の場合は、少なくとも１個が第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される直線である交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される真空排気口１４の平面形状及びその面積が略均等になるように設けられ、残りの偶数個が第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置されることを意味しており、「第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように配置されている」とは、真空チャンバ１２が備える真空排気口１４が３個以上の奇数個の場合は、少なくとも１個が第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される直線である交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される真空排気口１４の平面形状及びその面積が略均等になるように設けられ、残りの偶数個が第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して対称となるように配置されていることを意味する。

真空排気口１４の配置位置は、ガスの拡散などを妨げないことを条件として本発明の目的を損なわない範囲で、上記定義の配置位置からから若干ずれていてもよい。

なお、第１の実施形態、その他の実施形態において、説明の便宜上、真空排気口１４を、真空チャンバ１２の底部（底面）に設ける構成例として説明するが、真空排気口１４の配置位置はこれに限定されるものでなく、後述するガス供給口３４から成膜ゾーン２２内を通って真空排気口１４に至るガスの流路が確保できることを前提とし、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置されるのが好ましく、第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となることを条件として、側壁部（側面）、天井部（上面）などに真空排気口１４を設けるのがより好ましい。

また真空排気口１４は、真空チャンバ１２に直接的に設けずに、例えば真空チャンバ１２外に設けられている真空ポンプ４０に接続されており、真空チャンバ１２内に突出する管状体である図示しない真空排気管に設ける構成としてもよい。

また、以下の実施形態においては、真空排気口１４（及びセンサ５０）の配置を第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称であり、かつ交差線１９に対して軸対称でもある例につき説明するが、これに限定されず、真空排気口１４（及びセンサ５０）の配置を、第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称ではないが交差線１９に対して軸対称であるものとすることもできる。

図１−２及び図１−３に示すように、ガス供給部３０は、この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとからなる２本のガス供給管３２を有している。この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、この構成例では成膜ゾーン２２の下方である第１対称面１８内に配置される。より具体的には第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーン２２の下方であって、交差線１９上に位置する中心２２ｃを含む第１対称面１８Ａ内に互いに平行かつ水平に延在するように配置されており、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂの延在方向が成膜ロール２０の延在方向と一致するように配列されている。

ガス供給管３２は、成膜工程において、原料ガス、反応ガス、キャリアガス及び放電用ガスを含む群から選ばれるいずれか１つ又はこれらの任意の組み合わせからなるガスを成膜ゾーン２２に供給する。

例えば第１ガス供給管３２Ａを反応ガス、キャリアガス、放電用ガスの供給に用い、かつ第２ガス供給管３２Ｂを原料ガスの供給管として用いる構成とすることができる。この構成例では、ガス供給管３２を２本の管状体により構成したが、ガス供給管３２は、３本以上の管状体により構成してもよく、また１本の管状体により構成してもよい。

ガス供給管３２が１本の管状体により構成される場合には、ガス供給管３２は成膜ゾーン２２の下方に配置される。ガス供給管３２が複数本の管状体により構成される場合には、少なくとも、成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給するガス供給管３２が、成膜ゾーン２２の下方に配置される。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。この例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂは、平面形状が略円形である開口とされている。

２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、上述のように成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。また２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１及び２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは、この例では等しくされている。また第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９の延在方向に沿う方向でみたときに、第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃うように配置されている。第１ガス供給口３４Ａの個数及び第２ガス供給口３４Ｂの個数は、図示例に限定されず、第１ガス供給口３４Ａの個数、及び第２ガス供給口３４Ｂの個数をそれぞれ３つ以上とし、かつ間隔Ｐ１及び間隔Ｐ２を等しくする構成としてもよい。

ガス供給部３０（ガス供給管３２）は、成膜ゾーン２２の特にＴＤ方向において、均一にガスを供給する機能を有している。ガス供給管３２及びガス供給口３４は、成膜ゾーン２２に対向する位置に設けられている。

ガス供給管３２は、本発明の目的を損なわない範囲で従来公知の任意好適な材料により構成することができ、市場にて入手可能な管状部材を用いることができる。
ガス供給管３２には、真空チャンバ１２外から延在して、ガス供給管３２にガスを輸送する配管が接続されている（図示しない）。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空ポンプ４０を備えている。真空ポンプ４０は真空チャンバ１２外に設けられており、真空排気管又は真空排気口１４に配管等を介して接続されている。真空ポンプ４０は、真空チャンバ１２内のガスを真空チャンバ１２外に排出して圧力を調整する機能を有している。真空ポンプ４０は、例えば市場にて入手可能な従来公知の任意好適な構成とすることができる。

上述の構成例では、真空排気口１４及びガス供給管３２を、いずれも成膜ゾーン２２の下方に配置したが、ガス供給管３２は、真空排気口１４と対向配置する構成とするのが好ましく、真空チャンバ１２内で成膜ゾーン２２を挟んで真空排気口１４に対向配置される構成とするのが好ましい。具体的には、ガス供給管３２を成膜ゾーン２２の下方に配置し、真空排気口１４又は真空排気口１４が設けられた真空排気管を成膜ゾーン２２を挟んで成膜ゾーン２２の上方に設ける構成とするのがよい（詳細は後述する）。

ガス供給管３２と成膜ゾーン２２との間隔及び成膜ゾーン２２と真空排気口１４との間隔は、ガスの拡散、ガスの流路などを考慮して任意好適な間隔とすることができる。特にガス供給管３２と成膜ゾーン２２との間隔は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２内に到達することなく、重力により落下させることができるように、圧力、その他の成膜条件を勘案して設定される。

第１の実施形態のＣＶＤ成膜装置によれば、ガス供給管３２を成膜ゾーン２２の下方に配置して、成膜ゾーン２２の下方から、成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給することになるため、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、粒状体を重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去することができる。よって成膜ゾーン２２には粒状体を含まないクリーンなガスのみを供給することができるため、成膜された膜における欠陥の発生を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質を均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

また真空排気口１４及びガス供給管３２のガス供給口３４を上述のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れるガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給されるガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜成膜方法＞
プラズマＣＶＤ成膜方法は、搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーンの下方に配置される少なくとも１本のガス供給管であって、成膜ゾーンの下方から成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置を用い、ガス供給口から成膜ゾーンにガスを供給して、基材を搬送しながら基材上に連続的に成膜することを特徴としている。

具体的には、まず図１−１から図１−３までを参照して既に説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に、真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

この工程は、１つの巻き出しロールから巻き出された長尺の基材を第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの２つの成膜ロールの両方に、成膜ゾーン２２を２回通るように巻き付けてもよいし、２つの巻き出しロールを準備し、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとに２つの異なる巻き出しロールから巻き出される、異なる長尺の基材をそれぞれ巻き付けるようにしてもよい。

長尺の基材は、成膜される膜との密着性を高めるという観点から、基材表面を清浄化するための常法に従う表面活性処理を予め実施しておくことが好ましい。このような表面活性処理としては、例えばコロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。

次に、ガス供給部３０（ガス供給管３２が有するガス供給口３４）から鉛直上方に向けて成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２にガスを供給し、真空ポンプ４０を動作させる。また真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整して放電プラズマ発生部材を動作させる。ガス供給部３０から供給されるガスの流量などの供給条件、真空ポンプ４０により調整される圧力条件といった成膜条件は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去できるように、かつクリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるように調整される。

さらに図示しない巻き出しロールから長尺の基材を巻き出し、巻き取りロールに長尺の基材を巻き取っていく。巻き出しロールから巻き取りロールへの経路の途中に位置する第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂは、長尺の基材を搬送する。こうして第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂによって搬送される長尺の基材のうち成膜ゾーン２２内を進行する部分領域に、所望の膜が連続的に成膜される。

ガス供給部３０から供給されるガスの成分である原料ガスは、成膜される膜の材質に応じて適宜選択して使用することができる。原料ガスの成分としては、例えば膜を酸化ケイ素等のケイ素を含有するものとする場合には、ケイ素を含有する有機ケイ素化合物を用いることができる。

このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物の中でも、取り扱い性及び成膜される膜のガスバリア性等の特性の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。またこれらの有機ケイ素化合物は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

ガスは、成膜される膜の材質が酸化物、窒化物、硫化物等の無機化合物である場合には、上記原料ガスに加えて、反応ガスが混合されていてもよい。このような反応ガスとしては、原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して使用することができる。

酸化物の膜を成膜するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。また窒化物の膜を成膜するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアを用いることができる。これらの反応ガスは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。例えば酸窒化物の膜を成膜する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて使用すればよい。

ガスは、原料ガスを真空チャンバ内に供給するために、必要に応じてキャリアガスが混合されていてもよい。またガスには、プラズマ放電を効率的に発生させるために、必要に応じて、さらに放電用ガスが混合されていてもよい。このようなキャリアガス及び放電用ガスとしては、任意好適な従来公知のものを使用することができ、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガス、水素を用いることができる。

真空チャンバ１２内の圧力は、原料ガスの種類等を勘案して任意好適な圧力に調整することができるが、０．１Ｐａ〜１０Ｐａの範囲とすることが好ましく、０．１Ｐａ〜５Ｐａの範囲とすることがより好ましく、０．１Ｐａ〜２．５Ｐａの範囲とすることがさらに好ましい。

真空チャンバ１２内の圧力が０．１Ｐａ程度未満であると、磁場領域における放電の発生が困難になり、圧力が１０Ｐａ程度を超えると磁場領域（成膜ゾーン２２）以外でのプラズマ放電の発生が顕著になって、成膜ロール２０に巻き付けられた基材のみならずそれ以外の部分にも成膜されてしまうおそれがある。圧力を５Ｐａ以下とすれば成膜ゾーン２２内での原料ガスの反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制でき、パーティクルの堆積による膜のバリア性の低下を効果的に防止することができる。さらに、圧力を２．５Ｐａ以下とすれば、パーティクルの発生をさらに抑制することができる。

放電プラズマ発生部材に供給される電力は、原料ガスの種類や真空チャンバ１２内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．１ｋＷ〜１０ｋＷの範囲とすることが好ましい。

長尺の基材の搬送速度（ライン速度）は、原料ガスの種類や真空チャンバ内の圧力等を勘案して任意好適な速度とすることができる。ライン速度は、０．２５ｍ／ｍｉｎ〜１００ｍ／ｍｉｎの範囲とすることが好ましく、０．５ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／ｍｉｎの範囲とすることがより好ましい。

ライン速度が０．２５ｍ／ｍｉｎ未満であると、長尺の基材に、プラズマ放電に起因する熱により皺が発生しやすくなってしまう傾向がある。他方でライン速度が２０ｍ／ｍｉｎを超えると、形成される膜の厚みが薄くなる傾向があり、所望の膜厚を得られないおそれがある。

第１の実施形態の成膜方法によれば、成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを、成膜ゾーン２２の鉛直下方から供給するため、粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去することができる。よって粒状体を含まないクリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるため、成膜された膜における欠陥の発生を効果的に抑制することができる。

さらに１個の真空排気口１４が、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差（直交）して画成される直線である交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される第１領域２１ａ、第２領域２１ｂ、第３領域２１ｃ及び第４領域２１ｄにおいて真空排気口１４の平面形状及びその面積が略均等になるように、すなわち第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称であり、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように設けられているため、ガスを成膜ゾーン２２の特にＴＤ方向に均一に供給することができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（第２の実施形態）
図２−１及び図２−２を参照して、本発明の第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置の構成例及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法につき説明する。なおガス供給管の配置以外については、既に説明した第１の実施の形態と変わるところがないため、図１−１に対応する図を省略して説明する。また第１の実施形態と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。また製造方法の説明において、第１の実施の形態と同様に実施できる工程については、条件等の詳細な説明を省略する場合がある。

図２−１は、第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−２と同様に正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図２−２は、第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−３と同様に側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。

第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの下方であって、第１対称面から離間した位置に配置される点に特徴を有している。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図２−１及び図２−２に示すように、第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、この構成例では２本のガス供給管３２を備えている。ガス供給管３２は、成膜ゾーン２２に対向するように設けられている。ガス供給管３２は、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを有している。第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは、この構成例では同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーンの下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置に配置される。

より具体的には、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーン２２の下方に配置されており、交差線１９上の中心２２ｃを含む第１対称面１８Ａと交差せず、第１対称面１８Ａを挟んで互いに平行に離間するように、かつ第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの延在方向に沿う方向に延在するように配列されている。

これら第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂのうちの少なくとも一方は、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管である。例えば第１ガス供給管３２Ａを原料ガスを供給するガス供給管とし、第２ガス供給管３２Ｂを反応ガスを供給するガス供給管とするのが好ましい。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。この構成例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂは、平面形状が略円形である開口とされている。

２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。また２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔（Ｐ１）と２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔とは、この例では等しくされている。また第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９の延在方向に沿う方向でみたときに、第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃うように配置されている。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、１個又は２個以上の真空排気口１４を備えている。真空排気口１４は、成膜ゾーン２２を指向するように配置されている。この構成例では真空排気口１４は、真空チャンバ１２に直接的に開口するように設けられている。真空排気口１４は、この構成例では成膜ゾーン２２の下方であって、ガス供給管３２のさらに下方に配置されている。具体的には、１個の真空排気口１４は、成膜ゾーン２２の中心２２ｃの鉛直下方に配置されている。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空ポンプ４０を備えている。真空ポンプ４０はこの構成例では真空チャンバ１２外に設けられており、真空排気管又は真空排気口１４に配管等を介して接続されている。

第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、ガス供給管３２が、成膜ゾーン２２の下方に配置されている。よって成膜ゾーン２２の下方から、ガスを供給することができるため、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、成膜ガス供給管３２が成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置に配置されているため、ガス供給管３２から斜め上方にガスを供給できるので、粒状体をガス供給管３２から離間した場所に落下させることができる。また重力により落下する粒状体が、成膜ゾーン２２に向かうガスの流れに再度乗ってしまうことによる成膜ゾーン２２への再到達を抑制することができる。よって粒状体のガス供給管３２への付着、堆積による成膜条件の変動を抑制することができる。また粒状体の成膜ゾーン２２への再到達及び付着による膜質の劣化を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜成膜方法＞
第２の実施形態の成膜方法は、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給する、少なくとも１本のガス供給管が、成膜ゾーンの下方であって、第１対称面から離間した位置に配置されるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いることを特徴としている。

具体的には、図２−１及び図２−２を参照して既に説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に、真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

次に、成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置に配置されるガス供給管３２が備えるガス供給口３４から成膜ゾーン２２に向けて斜め上方に成膜ゾーン２２の下方からガスを供給し、真空ポンプ４０を動作させる。また真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整して放電プラズマ発生部材を動作させる。ガス供給管３２から供給されるガスの流量などの供給条件、真空ポンプ４０により調整される圧力条件といった成膜条件は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去できるように、クリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるように、かつ粒状体がガス供給管３２上に落下しないように調整される。

第２の実施形態の成膜方法によれば、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置から斜め上方にガスを供給するので、粒状体をガス供給管３２から離間した場所に落下させることができる。また重力により落下する粒状体が、成膜ゾーン２２に向かうガスの流れに再度乗ってしまうことによる成膜ゾーン２２への再到達を抑制することができる。よって粒状体のガス供給管３２への付着、堆積による成膜条件の変動を抑制することができる。また粒状体の成膜ゾーン２２への再到達及び付着による膜質の劣化を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（第３の実施形態）
図３−１及び図３−２を参照して、本発明の第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置の構成例及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法につき説明する。なおガス供給管の配置以外については、既に説明した第１の実施形態と変わるところがないため、図１−１に対応する図を省略して説明する。また第１の実施形態と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。また製造方法の説明において、第１の実施形態と同様に実施できる工程については、条件等の詳細な説明を省略する場合がある。

図３−１は、第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−２と同様に正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図３−２は、第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−３と同様に側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。

第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、２本以上のガス供給管を備えており、２本以上のガス供給管が第１対称面を挟んでこの第１対称面から離間するように配置されている点に特徴を有している。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図３−１及び図３−２に示すように、第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

プラズマＣＶＤ装置１０は、成膜ゾーン２２の下方に配置されている２本以上のガス供給管３２を備えている。これら２本以上のガス供給管３２は、第１対称面１８Ａを挟んでこの第１対称面１８Ａから離間するように配置されている。具体的には、ガス供給管３２が２本である場合には１本ずつが第１対称面１８Ａを挟んでこの第１対称面１８Ａから離間するように配置されており、ガス供給管３２が３本以上である場合にはこれらガス供給管３２のうちの少なくとも１本と、残りのガス供給管３２とが第１対称面１８Ａを挟んで第１対称面１８Ａから離間するように配置される。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、この構成例では４本のガス供給管３２を備えている。ガス供給管３２は、成膜ゾーン２２に対向するように設けられている。ガス供給管３２は、２本で１組の第１ガス供給管３２Ａ（３２Ａ１及び３２Ａ２）と２本で１組の第２ガス供給管３２Ｂ（３２Ｂ１及び３２Ｂ２）とを有している。第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは、この構成例では同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーンの下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置に配置される。

より具体的には、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、いずれも成膜ゾーン２２の下方に配置されており、交差線１９上の中心２２ｃを含む第１対称面１８Ａと交差しないように配置されている。ガス供給管３２Ａ１とガス供給管３２Ａ２とは、第１対称面１８Ａを挟んで互いに水平方向に平行に、かつ第１対称面１８Ａに対して等間隔に離間するように配列されている。

同様にガス供給管３２Ｂ１とガス供給管３２Ｂ２とは、第１ガス供給管３２Ａの下方で、第１対称面１８Ａを挟んで互いに水平方向に平行に、第１ガス供給管３２Ａの鉛直下方で平行に、第１対称面１８Ａに対して等間隔に離間するように配列されている。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。ガス供給口３４は、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向するように、中心３４ｃが成膜ゾーン２２の中心２２ｃを指向するように傾けて配置されている。この構成例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂは、平面形状が略円形である開口とされている。

ガス供給管それぞれに設けられている２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。また１本のガス供給管に設けられている２つの第１ガス供給口３４Ａ（３４Ａ１、３４Ａ２）同士の間隔Ｐ１と２つの第２ガス供給口３４Ｂ（３４Ｂ１、３４Ｂ２）同士の間隔Ｐ２とは、この例では等しくされている。また第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９の延在方向に沿う方向でみたときに、第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃うように配置されている。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、１個又は２個以上の真空排気口１４を備えている。この構成例では真空排気口１４は、真空チャンバ１２に直接的に開口するように設けられている。真空排気口１４は、この構成例では成膜ゾーン２２の下方であって、ガス供給管３２のさらに下方に配置されている。具体的には、１個の真空排気口１４は、成膜ゾーン２２の中心２２ｃの鉛直下方に配置されている。

第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、ガス供給管３２が、成膜ゾーン２２の下方に配置されている。よって成膜ゾーン２２の下方から、ガスを供給することができるため、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、成膜ガス供給管３２が成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置に配置されているため、ガス供給管３２から斜め上方にガスを供給できるので、粒状体をガス供給管３２から離間した場所に落下させることができる。また重力により落下する粒状体が、成膜ゾーン２２に向かうガスの流れに再度乗ってしまうことによる成膜ゾーン２２への再到達を抑制することができる。よって粒状体のガス供給管３２への付着、堆積による成膜条件の変動を抑制することができる。また粒状体の成膜ゾーン２２への再到達及び付着による膜質の劣化を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜成膜方法＞
第３の実施形態の成膜方法は、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給する、少なくとも１本のガス供給管を含む４本のガス供給管が、成膜ゾーンの下方であって、第１対称面から離間した位置に配置されるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いることを特徴としている。

具体的には、図３−１及び図３−２を参照して既に説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に、真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

次に、成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置に配置される４本のガス供給管３２それぞれが備えるガス供給口３４から、成膜ゾーン２２に向けて成膜ゾーン２２の下方から斜め上方にガスを供給し、真空ポンプ４０を動作させる。また真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整して放電プラズマ発生部材を動作させる。ガス供給管３２から供給されるガスの流量などの供給条件、真空ポンプ４０により調整される圧力条件といった成膜条件は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去できるように、クリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるように、かつ粒状体がガス供給管３２上に落下しないように調整される。

第３の実施形態の成膜方法によれば、既に説明した第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。特に成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置から斜め上方にガスを供給するので、粒状体をガス供給管３２から離間した場所に落下させることができる。また重力により落下する粒状体が、成膜ゾーン２２に向かうガスの流れに再度乗ってしまうことによる成膜ゾーン２２への再到達を抑制することができる。よって粒状体のガス供給管３２への付着、堆積による成膜条件の変動を抑制することができる。また粒状体の成膜ゾーン２２への再到達及び付着による膜質の劣化を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（第４の実施形態）
図４−１及び図４−２を参照して、本発明の第４の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置の構成例及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法につき説明する。なおガス供給管の配置以外については、既に説明した第１の実施形態と変わるところがないため、図１−１に対応する図を省略して説明する。また第１の実施形態と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。また製造方法の説明において、第１の実施の形態と同様に実施できる工程については、条件等の詳細な説明を省略する場合がある。

図４−１は、第４の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−２と同様に正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図４−２は、第３の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−３と同様に側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。

第４の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、２本以上のガス供給管を備えており、２本以上のガス供給管のうちの、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの下方に配置され、かつ２本以上のガス供給管のうちの残りのガス供給管が成膜ゾーンの上方に配置される点に特徴を有している。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図４−１及び図４−２に示すように、第４の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、この構成例では２本のガス供給管３２を備えている。ガス供給管３２は、成膜ゾーン２２に対向するように設けられている。ガス供給管３２は、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを有している。第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは、この構成例では同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａは、成膜ゾーン２２の上方であって、第１対称面１８Ａ内に延在するように配置される。第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａ内に延在するように配置される。「成膜ゾーン２２の上方」とは、成膜ゾーン２２の直上（鉛直上方）の領域のみならず、成膜ゾーン２２の直上の領域よりも外側の領域を含む、成膜ゾーン２２よりも高い位置を意味している。

より具体的には、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは交差線１９上に位置する中心２２ｃを含む第１対称面１８Ａ内に延在するように配置されており、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂの延在方向が成膜ロール２０の延在方向と一致するように、互いに平行に成膜ゾーン２２を挟んで第１ガス供給管３２Ａと対向するように配列されている。
成膜ゾーン２２の下方に配置される第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管である。例えば第２ガス供給管３２Ｂを原料ガスを供給するガス供給管とし、第１ガス供給管３２Ａを反応ガスを供給するガス供給管とすることができる。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。ガス供給口３４は、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向するように配置されている。この構成例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂは、平面形状が略円形である開口とされている。

ガス供給管それぞれに設けられている２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。第１ガス供給管３２Ａの２つの第１ガス供給口３４Ａは、第１ガス供給管３２Ａの重力方向Ｇに一致する鉛直下方に開口するように設けられており、第２ガス供給管３２Ｂの２つの第２ガス供給口３４Ｂは第２ガス供給管３２Ｂの鉛直上方に開口するように設けられている。

２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１と２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは、この構成例では等しくされている。また第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９の延在方向に沿う方向でみたときに、第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃うように配置されている。

第４の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、ガス供給管３２のうちの第２ガス供給管３２Ｂが成膜ゾーンの下方に配置され、成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給しており、第１ガス供給管３２Ａが成膜ゾーン２２の上方に配置されている。よって成膜ゾーン２２の下方から、成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給することができるため、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、その他のガスを第１ガス供給管３２Ａにより成膜ゾーン２２の上方から供給できるため、例えば粒状体が生成し始める領域を成膜ゾーン２２のより近傍にすることができる。よって、粒状体の生成をより効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜成膜方法＞
第４の実施形態の成膜方法は、２本以上のガス供給管を備えており、２本以上のガス供給管のうちの、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの下方に配置され、かつ２本以上のガス供給管のうちの残りのガス供給管が成膜ゾーンの上方に配置されるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いることを特徴としている。

具体的には、図４−１及び図４−２を参照して既に説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に、真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

次に、成膜ゾーン２２の下方に配置されている第２ガス供給管３２Ｂが備えるガス供給口３４Ｂから、成膜ゾーン２２に向けて成膜ゾーン２２の下方から鉛直上方に成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給し、成膜ゾーン２２の上方に配置されている第１ガス供給管３２Ａが備えるガス供給口３４Ａから、成膜ゾーン２２に向けて鉛直下方にその他のガスを供給し、かつ真空ポンプ４０を動作させる。また真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整して放電プラズマ発生部材を動作させる。ガス供給管３２から供給されるガスの流量などの供給条件、真空ポンプ４０により調整される圧力条件といった成膜条件は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去できるように、かつクリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるように調整される。

第４の実施形態の成膜方法によれば、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。特に成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガス以外のガスを、成膜ゾーン２２の上方に配置されている第１ガス供給管３２Ａにより成膜ゾーン２２の上方から供給できるため、例えば粒状体が生成し始める領域を成膜ゾーン２２のより近傍にすることができる。よって、粒状体の生成をより効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（第５の実施形態）
図５−１及び図５−２を参照して、本発明の第５の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置の構成例及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法につき説明する。なおガス供給管の配置以外については、既に説明した第１の実施形態と変わるところがないため、図１−１に対応する図を省略して説明する。また第１の実施形態と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。また製造方法の説明において、第１の実施形態と同様に実施できる工程については、条件等の詳細な説明を省略する場合がある。

図５−１は、第５の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−２と同様に正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図５−２は、第５の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−３と同様に側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。

第５の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、２本以上のガス供給管を備えており、２本以上のガス供給管のうちの、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの下方であって、第１対称面から離間した位置に配置され、かつ少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの上方に配置される点に特徴を有している。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図５−１及び図５−２に示すように、第５の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、この構成例では３本のガス供給管３２を備えている。ガス供給管３２は、成膜ゾーン２２に対向するように設けられている。ガス供給管３２は、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを有している。第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは、この構成例では同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。

第１ガス供給管３２Ａは、成膜ゾーン２２の上方であって、第１対称面１８Ａ内に延在するように配置される。
第２ガス供給管３２Ｂは、２本のガス供給管（３２Ｂ１、３２Ｂ２）を含んでいる。第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面から離間した位置に配置される。

より具体的には、第２ガス供給管３２Ｂの２本のガス供給管３２Ｂ１及びガス供給管３２Ｂ２は、交差線１９上の中心２２ｃを含む第１対称面１８Ａと交差せず、第１対称面１８Ａを挟んで互いに水平方向に平行に、かつ第１対称面１８Ａに対して等間隔に離間するように配列されている。

成膜ゾーン２２の下方に配置される第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管である。例えば第２ガス供給管３２Ｂを原料ガスを供給するガス供給管とし、第１ガス供給管３２Ａを反応ガスを供給するガス供給管とすることができる。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。ガス供給口３４は、成膜ゾーン２２を指向するように配置されている。この構成例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂは、平面形状が略円形である開口とされている。

ガス供給管それぞれに設けられている２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。第１ガス供給管３２Ａの２つの第１ガス供給口３４Ａは、第１ガス供給管３２Ａの重力方向Ｇに一致する鉛直下方に開口するように設けられており、第２ガス供給管３２Ｂ（３２Ｂ１、３２Ｂ２）それぞれが有する２つの第２ガス供給口３４Ｂ（３４Ｂ１、３４Ｂ２）は第２ガス供給管３２Ｂの上方に中心３４ｃが成膜ゾーン２２の中心２２ｃを指向するように傾けて設けられている。

第５の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、ガス供給管３２のうちの第２ガス供給管３２Ｂが成膜ゾーンの下方に配置され、成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給しており、第１ガス供給管３２Ａが成膜ゾーン２２の上方に配置されている。よって成膜ゾーン２２の下方から、成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給することができるため、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。またその他のガスを第１ガス供給管３２Ａにより成膜ゾーン２２の上方から供給できるため、例えば粒状体が生成し始める領域を成膜ゾーン２２のより近傍にすることができる。よって、粒状体の生成をより効果的に抑制することができる。さらに成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置から斜め上方に成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給することができるので、粒状体を第２ガス供給管３２Ｂから離間した場所に落下させることができる。また重力により落下する粒状体が、成膜ゾーン２２に向かうガスの流れに再度乗ってしまうことによる成膜ゾーン２２への再到達を抑制することができる。よって粒状体の第２ガス供給管３２Ｂへの付着、堆積による成膜条件の変動を抑制することができる。また粒状体の成膜ゾーン２２への再到達及び付着による膜質の劣化を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜成膜方法＞
第５の実施形態の成膜方法は、２本以上のガス供給管を備えており、２本以上のガス供給管のうちの、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの下方であって、第１対称面から離間した位置に配置され、かつ少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの上方に配置されるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いることを特徴としている。

具体的には、図５−１及び図５−２を参照して既に説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に、真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

次に、成膜ゾーン２２の下方に配置されている第２ガス供給管３２Ｂが備えるガス供給口３４Ｂ（３４Ｂ１、３４Ｂ２）から斜め上方に成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２に向けて成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給し、成膜ゾーン２２の上方に配置されている第１ガス供給管３２Ａが備えるガス供給口３４Ａから、成膜ゾーン２２に向けて鉛直下方にその他のガスを供給し、かつ真空ポンプ４０を動作させる。また真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整して放電プラズマ発生部材を動作させる。ガス供給管３２から供給されるガスの流量などの供給条件、真空ポンプ４０により調整される圧力条件といった成膜条件は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去できるように、クリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるように、かつ粒状体が第２ガス供給管３２Ｂ上に落下しないように調整される。

第５の実施形態の成膜方法によれば、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。特に成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガス以外のガスを、成膜ゾーン２２の上方に配置されている第１ガス供給管３２Ａにより成膜ゾーン２２の上方から供給できるため、例えば粒状体が生成し始める領域を成膜ゾーン２２のより近傍にすることができる。よって、粒状体の生成をより効果的に抑制することができる。さらに成膜ゾーン２２の下方であって、第１対称面１８Ａから離間した位置から斜め上方に成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給するので、粒状体を第２ガス供給管３２Ｂから離間した場所に落下させることができる。また重力により落下する粒状体が、成膜ゾーン２２に向かうガスの流れに再度乗ってしまうことによる成膜ゾーン２２への再到達を抑制することができる。よって粒状体の第２ガス供給管３２Ｂへの付着、堆積による成膜条件の変動を抑制することができる。また粒状体の成膜ゾーン２２への再到達及び付着による膜質の劣化を効果的に抑制することができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質をより効果的に均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（第６の実施形態）
図６−１及び図６−２を参照して、本発明の第６の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置の構成例及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法につき説明する。なお真空排気口（真空排気管）の配置以外については、既に説明した第１の実施の形態と変わるところがないため、第１の実施形態と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。また製造方法の説明において、第１の実施形態と同様に実施できる工程については、条件等の詳細な説明を省略する場合がある。

図６−１は、第６の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−２と同様に正面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図６−２は、第６の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置を図１−３と同様に側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。
第６の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が、成膜ゾーンの下方に配置され、真空排気口を有する真空排気管が成膜ゾーンの上方に配置される点に特徴を有している。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図６−１及び図６−２に示すように、第２の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

この構成例では、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとは、いずれも円柱状の形状を有しており、全長及び径がいずれも等しくされている。この円柱状の第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂの直径の中心を通る芯部は回転軸とされており、第１成膜ロール２０Ａは回転軸２０Ａａを有しており、第２成膜ロール２０Ｂは回転軸２０Ｂａを有している。第２成膜ロール２０Ｂは第１成膜ロール２０Ａに対して平行に対向配置されている。

第１成膜ロール２０Ａ内及び第２成膜ロール２０Ｂ内には、図示しない放電プラズマ発生部材が格納されている。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、内部のガスを排気して減圧可能な気密の真空チャンバ１２を備えている。上述した成膜ロール２０は真空チャンバ１２内に格納されている。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、ガス供給部（３０）を備えている。ガス供給部は、１本又は２本以上のガス供給管３２を含んでいる。ガス供給管３２は、成膜ゾーン２２の下方に配置されている。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。ガス供給口３４は、成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向するように配置されている。

ガス供給管３２は、この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを含んでいる。この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、この構成例では成膜ゾーン２２の下方である第１対称面１８内に配置される。より具体的には第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、成膜ゾーン２２の下方であって、交差線１９上に位置する中心２２ｃを含む第１対称面１８Ａ内に互いに平行かつ水平に延在するように配置されており、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂの延在方向が成膜ロール２０の延在方向と一致するように配列されている。

２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、上述のように成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。また２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１及び２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは、この例では等しくされている。また第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９の延在方向に沿う方向でみたときに、第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃うように配置されている。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、１個又は２個以上の真空排気口４４を備えている。この構成例では真空排気口４４は、ガス供給管３２と同様の管状体である真空排気管４２に開口するように設けられている。真空排気口４４を有する真空排気管４２は、この構成例では成膜ゾーン２２の上方に配置されている。
真空排気管４２は、成膜ゾーン２２の上方であって、第１対称面１８Ａ内に延在するように配置される。真空排気管４２に設けられている２つの真空排気口４４は、重力方向Ｇに一致する鉛直下方に開口して成膜ゾーン２２の上方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように配列されている。

真空排気口４４は、好ましくは第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置するのがよく、より好ましくは第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように配置する構成とするのがよい。

真空排気口４４が「第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置されている」とは、特に真空排気口４４が３個以上の奇数個の場合は、少なくとも１個が第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される直線である交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される真空排気口４４の平面形状及びその面積が略均等になるように設けられ、残りの偶数個が第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される交差線１９に対して軸対称となるように配置されることを意味しており、「第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように配置されている」とは、真空排気口４４が特に３個以上の奇数個の場合は、少なくとも１個が第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが交差して画成される直線である交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される真空排気口４４の平面形状及びその面積が略均等になるように設けられ、残りの偶数個が第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して対称となるように配置されていることを意味する。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空ポンプ４０を備えている。真空ポンプ４０は真空チャンバ１２外に設けられており、真空排気管４２に配管等を介して接続されている。

ガス供給管３２と成膜ゾーン２２との間隔及び成膜ゾーン２２と真空排気口４４との間隔は、ガスの拡散、ガスの流路などを考慮して任意好適な間隔とすることができる。特にガス供給管３２と成膜ゾーン２２との間隔は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２内に到達することなく、重力により落下させることができるように、圧力、その他の成膜条件を勘案して設定される。

この構成例では、第１の実施形態で説明したガス供給管３２の構成に、成膜ゾーン２２の上方に配置された真空排気管４２を組み合わせる例について説明したが、第２の実施形態のガス供給管３２の構成、第３の実施形態のガス供給管３２の構成、第４の実施形態のガス供給管３２の構成及び第５の実施形態のガス供給管３２の構成それぞれに、第６の実施形態の成膜ゾーン２２の上方に配置された真空排気管４２を組み合わせることもできる。組み合わせるにあたり、真空排気管４２は、成膜ゾーン２２の上方に配置されるガス供給管３２よりもさらに上方に配置する構成とするのが好ましい。

第６の実施形態のＣＶＤ成膜装置によれば、ガス供給管３２を成膜ゾーン２２の下方に配置して、成膜ゾーン２２の下方から、成膜ゾーン２２に至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成してしまうガスを供給することになるため、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質を均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。加えて真空排気管４２が成膜ゾーン２２を挟んでガス供給管３２と対向するように配置されているため、ガスをより効率的に成膜ゾーン２２に導くことができる。結果として収率を効果的に向上させることができる。

＜成膜方法＞
第６の実施形態の成膜方法は、成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が成膜ゾーンの下方に配置され、真空排気口を有する真空排気管が成膜ゾーンの上方に配置されるプラズマＣＶＤ成膜装置を用いることを特徴としている。

具体的には、図６−１及び図６−２を参照して既に説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

次いで成膜ゾーン２２の下方に配置されているガス供給管３２（第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂ）が備えるガス供給口３４（第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂ）から鉛直上方に成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２に向けて成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給する。さらに真空ポンプ４０を動作させて成膜ゾーン２２の上方に配置されている真空排気管４２が備える真空排気口４４からチャンバ１２内のガスを排気して真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整しつつ放電プラズマ発生部材を動作させる。ガス供給管３２から供給されるガスの流量などの供給条件、真空ポンプ４０により調整される圧力条件といった成膜条件は、ガスに起因する粒状体が成膜ゾーン２２に到達する前に、重力により成膜ゾーン２２の下方に落下させて除去できるように、かつクリーンなガスのみを成膜ゾーン２２に供給することができるように調整される。

第６の実施形態の成膜方法によれば、既に説明した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。結果として基材上に成膜される膜の膜質を均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。また真空排気管４２が成膜ゾーン２２を挟んでガス供給管３２と対向するように配置して成膜ゾーン２２の下方からガスを供給し、かつ成膜ゾーンの上方で真空排気管４２が有する真空排気口４４から排気するため、ガスをより効率的に成膜ゾーン２２に導くことができる。結果として収率を効果的に向上させることができる。

（ガス供給管の構成例）
上述した第１の実施形態、第２の実施形態、第３の実施形態、第４の実施形態、第５の実施形態及び第６の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置に好適に適用できるガス供給管の構成例について、図面を参照して説明する。既に説明した実施形態と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。
なお、ガス供給管を成膜ゾーンの下方に配置する構成例を説明するが、上述した第４の実施形態及び第５の実施形態のように、ガス供給管が成膜ゾーンの上方にも配置される構成に適用する場合には、図示されている成膜ガス供給管のうちの少なくとも１本が成膜ゾーンの上方で成膜ゾーンに対向するように、ガス供給口が成膜ゾーンを指向するように配置すればよい。

＜第１の構成例＞
図７は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときの第１の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。

図７に示されるように、成膜ガス供給部３０は、この構成例では第１成膜ガス供給管３２Ａと第２成膜ガス供給管３２Ｂとからなる２本の成膜ガス供給管３２を有している。第１成膜ガス供給管３２Ａと第２成膜ガス供給管３２Ｂとは同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１成膜ガス供給管３２Ａ及び第２成膜ガス供給管３２Ｂは、互いに平行に配列されている。

第１成膜ガス供給管３２Ａは３つの第１成膜ガス供給口３４Ａを有し、第２成膜ガス供給管３２Ｂは２つの第２成膜ガス供給口３４Ｂを有している。

３つの第１成膜ガス供給口３４Ａ及び２つの第２成膜ガス供給口３４Ｂは、ガス供給管の上方に設けられていて成膜ゾーン２２と対向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。３つの第１成膜ガス供給口３４Ａのうち、１つの第１成膜ガス供給口３４Ａは、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが直交して画成される交差線１９上に位置するように、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように設けられている。

残りの２つの第１成膜ガス供給口３４Ａのうち、一方の第１成膜ガス供給口３４Ａは他方の第１成膜ガス供給口３４Ａについて、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に配置されている。

第２成膜ガス供給口３４Ｂについては、一方の第２成膜ガス供給口３４Ｂが、他方の第２成膜ガス供給口３４Ｂについて、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に配置されている。

隣り合う３つの第１成膜ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１と、隣り合う２つの第２成膜ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは等しくされている。

隣り合うガス供給口３４同士の間隔は、１本のガス供給管３２のガス供給口３４が３個である場合にはこれらが軸対称（鏡面対称）に配置されれば必然的に等しくなる。よって「隣り合うガス供給口３４同士の間隔が等しい」とは、ガス供給口３４が特に４個以上である場合に、隣り合うガス供給口３４同士間にできる３つ以上の間隔がいずれも等しくなることを意味する。

また第１成膜ガス供給口３４Ａと第２成膜ガス供給口３４Ｂとを交差線１９に沿う方向で見たときに、第１成膜ガス供給口３４Ａ及び第２成膜ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃わないようにずらして配置されている。ここで「ずらして（ずれる）」とは、少なくとも隣り合う成膜ガス供給管同士において、交差線１９に沿う方向で見たときに、成膜ガス供給口同士が一直線上に揃わずにずれるように配置されていることを意味する。よって成膜ガス供給管が３本以上の場合に、互いに隣り合わない成膜ガス供給管同士について、交差線１９に沿う方向で見たときに、成膜ガス供給口同士が一直線上に揃う場合も含まれる（他の構成例についても同様である）。

第１成膜ガス供給口３４Ａの個数と第２成膜ガス供給口３４Ｂの個数とは、図示例に限定されず、例えば第１成膜ガス供給口３４Ａの個数を５つとし、第２成膜ガス供給口３４Ｂの個数を４つとし、かつ間隔Ｐ１及びＰ２を等しくする構成としてもよい。

成膜ガス供給管３２には、真空チャンバ１２外から延在して、成膜ガス供給管３２に成膜ガスを輸送する配管が接続されている（図示しない）。

成膜ガス供給管３２の成膜ガス供給口３４を上記のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れる成膜ガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給される成膜ガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。また第１成膜ガス供給口３４Ａと第２成膜ガス供給口３４Ｂとを交差線１９に沿う方向で見たときに、第１成膜ガス供給口３４Ａ及び第２成膜ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃わないようにずらして配置しているため、第１成膜ガス供給管３２Ａ及び第２成膜ガス供給管３２Ｂそれぞれから供給される異なる種類のガスをより均一に成膜ゾーン２２内で拡散させ、より均一に分布させることができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜第２の構成例＞
ガス供給管の第２の構成例について図８を参照して説明する。図８は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときの第２の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。

図８に示されるように、この構成例ではガス供給管３２は、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを含んでいる。この構成例では、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、互いに平行に配列されている。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。この構成例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。

２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、ガス供給管の上方に設けられていて成膜ゾーン２２と対向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に配列されている。

２つの第１ガス供給口３４Ａのうち、一方の第１ガス供給口３４Ａは他方の第１ガス供給口３４Ａについて、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に配置されている。

第２ガス供給口３４Ｂについては、一方の第２ガス供給口３４Ｂが他方の第２ガス供給口３４Ｂについて、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に配置されている。

隣り合う２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１及び隣り合う２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは、異なる間隔とされている。具体的には間隔Ｐ１の方が間隔Ｐ２よりも大きくされている。なお第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂの配置は、第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９に沿う方向で見たときに、第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとが一直線上に揃わないようにずれるようにされている。第１ガス供給口３４Ａの個数と第２ガス供給口３４Ｂの個数は、図示例に限定されず、例えば第１ガス供給口３４Ａの個数を５つとし、第２ガス供給口３４Ｂの個数を４つとするなどの構成としてもよい。

ガス供給管３２には、真空チャンバ１２外から延在して、ガス供給管３２にガスを輸送する配管が接続されている（図示しない）。

ガス供給管３２のガス供給口３４を上記のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れるガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給されるガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。また第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１と第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とが互いに異なる間隔とされ、かつ第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９に沿う方向で見たときに、第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂが一直線上に揃わないようにずらして配置されているため、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂそれぞれから供給される異なる種類のガスをより均一に成膜ゾーン２２内で拡散させ、より均一に分布させることができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜第３の構成例＞
ガス供給管の第３の構成例について図９−１及び図９−２を参照して説明する。図９−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみたときの第３の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。図９−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときの第３の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。

図９−１及び図９−２に示されるように、この構成例はガス供給管に接続される接続部が、第２対称面に対して鏡面対称となる位置に設けられる点に特徴を有している。
ガス供給管３２は、この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを含んでいる。この構成例では、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、互いに平行に配列されている。

ガス供給管３２は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。この例では第１ガス供給管３２Ａは２つの第１ガス供給口３４Ａを有し、第２ガス供給管３２Ｂは２つの第２ガス供給口３４Ｂを有している。

２つの第１ガス供給口３４Ａ及び２つの第２ガス供給口３４Ｂは、ガス供給管の上方に設けられていて成膜ゾーン２２と対向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。

隣り合う２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１及び隣り合う２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは、異なる間隔とされている。具体的には間隔Ｐ１の方が間隔Ｐ２よりも大きくされている。なお第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂの配置は、第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９に沿う方向で見たときに、第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとが一直線上に揃わないようにずらして配置されている。

ガス供給管３２には、真空チャンバ１２外から延在して、ガス供給管３２にガスを輸送する配管３６が接続されている。この例では第１ガス供給管３２Ａに接続される第１配管３６Ａと、第２ガス供給管３２Ｂに接続される第２配管３６Ｂとを備えている。第１配管３６Ａが第１ガス供給管３２Ａと接続されている箇所（位置）を第１配管接続部３６Ａａと称し、第２配管３６Ｂが第２ガス供給管３２Ｂと接続されている箇所（位置）を第２配管接続部３６Ｂａと称する。

第１配管接続部３６Ａａ及び第２配管接続部３６Ｂａそれぞれは、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に設けられている。すなわち第１配管接続部３６Ａａ及び第２配管接続部３６Ｂａそれぞれは、第１配管３６Ａ及び第２配管３６Ｂに開口する第１配管接続部３６Ａａ及び第２配管接続部３６Ｂａの面積が第２対称面１８Ｂにより略均等に分断される位置に設けられている。

ガス供給管３２のガス供給口３４を上記のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れるガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給されるガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。またガス供給管３２に接続される配管３６との接続部を、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に設けるため、第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂそれぞれから供給される異なる種類のガスを第１ガス供給管３２Ａ内及び第２ガス供給管３２Ｂ内に均一に供給することができ、ガスをより均一に成膜ゾーン２２内で拡散させ、より均一に分布させることができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜第４の構成例＞
ガス供給管の第４の構成例について図１０−１、図１０−２及び図１０−３を参照して説明する。図１０−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を上方からみたときの第４の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。図１０−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみたときの第４の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。図１０−３は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときの第４の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。

図１０−１、図１０−２及び図１０−３に示されるように、この構成例のガス供給管は接続部がガス供給管の延在方向の両端部に設けられる点に特徴を有している。
この構成例ではガス供給管３２は、第１ガス供給管３２Ａと第２ガス３２Ｂとを含んでいる。この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとは同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、互いに平行に配列されている。

隣り合う２つの第１ガス供給口３４Ａ同士の間隔Ｐ１及び隣り合う２つの第２ガス供給口３４Ｂ同士の間隔Ｐ２とは、異なる間隔とされている。具体的には間隔Ｐ１の方が間隔Ｐ２よりも大きくされている。なお第１ガス供給口３４Ａ及び第２ガス供給口３４Ｂの配置は、第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとを交差線１９に沿う方向で見たときに、第１ガス供給口３４Ａと第２ガス供給口３４Ｂとが一直線上に揃わないようにずれるようにされている。

ガス供給管３２には、真空チャンバ１２外から延在して、ガス供給管３２にガスを輸送する配管３６が接続されている。この例では第１ガス供給管３２Ａに接続される第１配管３６Ａと、第２ガス供給管３２Ｂに接続される第２配管３６Ｂとを備えている。

第１配管３６Ａは、第１ガス供給管３２Ａと２箇所で接続されており、これらの接続されている箇所を第１配管接続部３６Ａａと称し、第２配管３６Ｂが第２ガス供給管３２Ｂと接続されている箇所を第２配管接続部３６Ｂａとする。

第１配管３６Ａは、２つの第１配管接続部３６Ａａにより、第１ガス供給管３２Ａに接続されている。２つの第１配管接続部３６Ａａそれぞれは、第１ガス供給管３２Ａの延在方向の両端部に設けられている。
第２配管３６Ｂは、２つの第２配管接続部３６Ｂａにより、第２ガス供給管３２Ｂに接続されている。２つの第２配管接続部３６Ｂａそれぞれは、第２ガス供給管３２Ｂの延在方向の両端部に設けられている。

第１配管接続部３６Ａａ及び第２配管接続部３６Ｂａそれぞれは、第１配管３６Ａ及び第２配管３６Ｂそれぞれの延在方向の長さを等分する面に対して鏡面対称となる位置に、この構成例では第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に設けられている。

ガス供給管３２のガス供給口３４を上記のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れるガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給されるガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。またガス供給管３２に接続される配管３６の接続部を、ガス供給管３２の延在方向の両端部に設けるため、例えば第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂそれぞれから供給される異なる種類のガスを、第１ガス供給管３２Ａ内及び第２ガス供給管３２Ｂ内に均一に供給することができるため、より均一に成膜ゾーン２２内で拡散させ、より均一に分布させることができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜第５の構成例＞
ガス供給管の第５の構成例について図１１−１、図１１−２及び図１１−３を参照して説明する。図１１−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置を下方からみたときの第５の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。図１１−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を正面からみたときの第５の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。図１１−３は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみたときの第５の構成例のガス供給管を示した概略的な平面図である。

図１１−１、図１１−２及び図１１−３に示されるように、この構成例は、ガス供給管が、延在方向の長さが互いに等しい２以上の短管部により構成され、２以上の短管部それぞれにガス供給口が設けられており、２以上の短管部それぞれに接続される接続部であって、短管部の延在方向の長さを２等分する位置に設けられる接続部を有する、ガス供給管にガスを供給する配管を備える点に特徴を有している。

ガス供給管３２は、この構成例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとを含んでいる。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、互いに平行に配列されている。

第１ガス供給管３２Ａは、２以上の短管部により構成されている。２以上の短管部は、この構成例では同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。

図１１−１及び図１１−３に示すように、この例では、第１ガス供給管３２Ａは、２つの短管部３２Ａａ１及び短管部３２Ａａ２を含んでいる。短管部３２Ａａ１と短管部３２Ａａ２とは、交差線１９に対して軸対称であって、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように、延在方向に一直線状になるように互いに離間させて配置されている。

第２ガス供給管３２Ｂも第１ガス供給管３２Ａと同様に、２以上の短管部により構成されている。

図１１−２及び図１１−３に示すように、第２ガス供給管３２Ｂは、第１ガス供給管３２Ａと同様に、２つの短管部３２Ｂａ１及び短管部３２Ｂａ２を含んでいる。短管部３２Ｂａ１と短管部３２Ｂ２ａとは、交差線１９に対して軸対称であって、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように、互いに離間して配置されている。

なおこの構成例では第２ガス供給管３２Ｂの短管部３２Ｂａ１及び３２Ｂａ２を、第１ガス供給管３２Ａの短管部３２Ａａ１及び短管部３２Ａａ２と同一の構成とする例を説明したがガス供給管３２の構成は、互いに異なる構成とすることができる。

短管部を構成するにあたり、ガス供給管３２を複数の管に分割して配列する構成とせず、一連のガス供給管３２を１又は２以上の仕切りで仕切った構成とすることもできる。

ガス供給管３２の短管部は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。この例では第１ガス供給管３２Ａの短管部３２Ａａ１は、２つのガス供給口３４Ａ１を有し、短管部３２Ａａ２は、２つのガス供給口３４Ａ２を有している。また第２ガス供給管３２Ｂの短管部３２Ｂa１は、２つのガス供給口３４Ｂ１を有し、短管部３２Ｂａ２は、２つのガス供給口３４Ｂ２を有している。

これらのガス供給口３４Ａ１、３４Ａ２、３４Ｂ１及び３４Ｂ２は、ガス供給管の上方に設けられていて成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。
図１１−３に示すように、短管部が備える１又は２以上のガス供給口は、短管部の延在方向の長さを２等分する第３対称面１８Ｃ１及び１８Ｃ２に鏡面対称となるように設けるのがよい。第３対称面１８Ｃ１及び１８Ｃ２は、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称であるため、第３対称面１８Ｃ１及び１８Ｃ２を基準として設けられたガス供給口も第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称な配置となる。

この構成例では、短管部３２Ａａ１、３２Ａａ２、３２Ｂａ１及び３２Ｂａ２は、隣り合う２つのガス供給口同士の間隔が、いずれも等しい間隔とされている。なお交差線１９に沿う方向で見た短管部３２Ａａ１及び短管部３２Ｂａ１、短管部３２Ａａ２及び短管部３２Ｂａ２のガス供給口の配置は、ガス供給口が一直線上に揃うようにされている。

しかしながら短管部それぞれにおける隣り合う２つのガス供給口同士の間隔は異なっていてもよく、また交差線１９に沿う方向で見たときの異なるガス供給管同士のガス供給口の配置は一直線上に揃わないようにずらして配置されていてもよい。

短管部３２Ａａ１、３２Ａａ２、３２Ｂａ１及び３２Ｂａ２それぞれには、真空チャンバ１２外から延在して、ガス供給管３２にガスを供給する配管３６が接続されている。この構成例では短管部３２Ａａ１に接続される配管３６Ａ１、短管部３２Ａａ２に接続される配管３６Ａ２、短管部３２Ｂａ１に接続される配管３６Ｂ１及び短管部３２Ｂａ２に接続される配管３６Ｂ２を備えている。

短管部３２Ａａ１に接続される配管３６Ａ１の接続部３６Ａ１ａ、短管部３２Ａａ２に接続される配管３６Ａ２の接続部３６Ａ２ａ、短管部３２Ｂａ１に接続される配管３６Ｂ１の接続部３６Ｂ１ａ及び短管部３２Ｂａ２に接続される配管３６Ｂ２の接続部３６Ｂ２ａそれぞれは、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に設けられている。接続部３６Ａ１ａ、接続部３６Ａ２ａ、接続部３６Ｂ１ａ及び接続部３６Ｂ２ａそれぞれは、短管部の延在方向の長さを２等分する第３対称面１８Ｃ１内及び１８Ｃ２内に位置するように設けるのがよい。

ガス供給管３２のガス供給口３４を上記のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れるガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給されるガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。またガス供給管３２を複数の短管部を含む構成とし、複数の短管部それぞれに接続される配管３６の接続部を、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に設ける。よって複数の短管部それぞれにガスを均一に供給することができるため、ガスをより均一に成膜ゾーン２２内で拡散させ、より均一に分布させることができる。結果として成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（第７の実施形態）
図１２、図１３、図１４−１及び図１４−２を参照して、本発明の第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置及びこのプラズマＣＶＤ成膜装置を用いる成膜方法につき説明する。

図１２は、プラズマＣＶＤ成膜装置を側面からみた、内部の構成を透過的に示した概略的な平面図である。図１３は、第７の実施形態の自動制御部の構成を説明する概略的なブロック図である。図１４−１は、プラズマＣＶＤ成膜装置の動作を説明する概略的なフローチャート（１）である。図１４−２は、プラズマＣＶＤ成膜装置の動作を説明する概略的なフローチャート（２）である。

第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置は、上記第５の構成例で説明したガス供給管を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置が、ガスの流量を調節するガス流量調節バルブ、ガス流量調節バルブを制御するための第１センサ、第１センサに接続されており、第１センサが測定した測定値又は設定値からの変動幅が入力できるように、かつガス流量調節バルブに接続されており、ガス流量調節バルブの開閉動作を制御できるように設けられる自動制御部、真空排気口と真空ポンプとの間に設けられており、真空排気口の個数と同数である１個又は２個以上の圧力調節バルブ、真空排気口それぞれと対をなす真空排気口の個数と同数の第２センサとをさらに備える点に特徴を有している。
なお上述の他の実施の形態及び構成例と同一の構成成分については同一の符号を付してその詳細な説明を省略する場合がある。また製造方法の説明において、上述の実施の形態と同様に実施できる工程については、条件等の詳細な説明を省略する場合がある。

＜プラズマＣＶＤ成膜装置＞
図１２に示すように、第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、上述した基材を巻きつけて搬送できる成膜ロール２０を備えている。成膜ロール２０は、第１成膜ロール２０Ａと第２成膜ロール２０Ｂとを含んでいる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、内部のガスを排気して減圧可能な気密の真空チャンバ１２を備えている。上述した成膜ロール２０は真空チャンバ１２内に格納されている。真空チャンバ１２の内部には、上述の実施形態と同様に成膜ゾーン２２を基準として、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが設定されている。

真空チャンバ１２は、上述の実施形態と同様の構成の真空排気口１４を備えている。プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、図１１−１から図１１−３までを参照して説明した第５の構成例のガス供給部３０を備えている。ガス供給部３０は、この例では第１ガス供給管３２Ａと第２ガス供給管３２Ｂとからなるガス供給管３２を有している。第１ガス供給管３２Ａ及び第２ガス供給管３２Ｂは、互いに平行に配列されている。

第１ガス供給管３２Ａは、２つの短管部３２Ａ１及び短管部３２Ａ２を含んでいる。短管部３２Ａ１と短管部３２Ａ２とは、交差線１９に対して軸対称であって、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように、延在方向に一直線状になるように互いに離間させて配置されている。

第２ガス供給管３２Ｂも同様に、２以上の短管部により構成されている。２以上の短管部は、同一の形状（径）であり、かつ同一の長さとされている。

第２ガス供給管３２Ｂは、第１ガス供給管３２Ａと同様に、２つの短管部３２Ｂ１及び短管部３２Ｂ２を含んでいる。短管部３２Ｂ１と短管部３２Ｂ２とは、交差線１９に対して軸対称であって、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となるように、互いに離間して配置されている。

ガス供給管３２の短管部は、１個又は２個以上のガス供給口３４を有している。この例では第１ガス供給管３２Ａの短管部３２Ａ１は、２つのガス供給口３４Ａ１を有し、短管部３２Ａ２は、２つのガス供給口３４Ａ２を有している。また第２ガス供給管３２Ｂの短管部３２Ｂ１は、２つのガス供給口３４Ｂ１を有し、短管部３２Ｂ２は、２つのガス供給口３４Ｂ２を有している。

これらのガス供給口３４Ａ１、３４Ａ２、３４Ｂ１及び３４Ｂ２は、ガス供給管の上方に設けられていて成膜ゾーン２２の下方から成膜ゾーン２２を指向し、かつ第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配列されている。
短管部が備える１又は２以上のガス供給口は、短管部の延在方向の長さを２等分する第３対称面１８Ｃ１及び１８Ｃ２それぞれに鏡面対称となるように設けるのがよい。

この例では、短管部３２Ａ１、３２Ａ２、３２Ｂ１及び３２Ｂ２は、隣り合う２つのガス供給口同士の間隔が、いずれも等しい間隔とされている。なお交差線１９に沿う方向で見た短管部３２Ａ１及び短管部３２Ｂ１、短管部３２Ａ２及び短管部３２Ｂ２のガス供給口の配置は、交差線１９に沿う方向でみたときに、ガス供給口が一直線上に揃うようにされている。

ガス供給管（短管部）３２及びガス供給口３４は、成膜ゾーン２２に対向して設けられている。ガス供給管３２は、真空排気口１４と対向配置されるのが好ましく、真空チャンバ１２内で成膜ゾーン２２を挟んで真空排気口１４に対向配置されている構成とするのがよい。

短管部３２Ａ１、３２Ａ２、３２Ｂ１及び３２Ｂ２それぞれには、真空チャンバ１２外から延在して、ガス供給管３２にガスを供給する配管３６が接続されている。この例では短管部３２Ａ１に接続される配管３６Ａ１、短管部３２Ａ２に接続される配管３６Ａ２、短管部３２Ｂ１に接続される配管３６Ｂ１及び短管部３２Ｂ２に接続される配管３６Ｂ２を備えている。

短管部３２Ａ１に接続される配管３６Ａ１の接続部３６Ａ１ａ、短管部３２Ａ２に接続される配管３６Ａ２の接続部３６Ａ２ａ、短管部３２Ｂ１に接続される配管３６Ｂ１の接続部３６Ｂ１ａ及び短管部３２Ｂ２に接続される配管３６Ｂ２の接続部３６Ｂ２ａそれぞれは、第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置に設けられている。接続部３６Ａ１ａ、接続部３６Ａ２ａ、接続部３６Ｂ１ａ及び接続部３６Ｂ２ａそれぞれは、短管部の延在方向の長さを２等分する第３対称面１８Ｃ１内、１８Ｃ２内に位置するように設けるのがよい。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空ポンプ４０を備えている。真空ポンプ４０は、真空チャンバ１２外に設けられている。
プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、バルブ６０（第１バルブ６２、第２バルブ６４）を備えている。

第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０では、配管３６に第１バルブ６２が設けられている。
配管３６Ａ１には第１バルブ６２Ａ１が設けられており、配管３６Ａ２には第１バルブ６２Ａ２が設けられており、配管３６Ｂ１には第１バルブ６２Ｂ１が設けられており、配管３６Ｂ２には第１バルブ６２Ｂ２が設けられている。

第１バルブ６２は、開閉動作により、チャンバ１２外からガス供給管３２に輸送されるガスの量（流量）を増減させて、成膜ゾーン２２に供給されるガスの量を調整することができる、流量調節バルブである。第１バルブ６２としては、例えば作動機構にフォースモータを用いる流量調節バルブを含む流量調節機構が市場にて入手可能であり、第１バルブ６２としてこうした市販の流量調節機構を用いることができる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、さらにセンサ５０（第１センサ５２、第２センサ５４）を備えている。

成膜ゾーン２２内の第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称となる位置には、ガス供給管３２に含まれる複数の短管部（３２Ａ１、３２Ａ２、３２Ｂ１及び３２Ｂ２）それぞれに接続されている、配管３６Ａ１に設けられた第１バルブ６２Ａ１及び配管３６Ｂ１に設けられた第１バルブ６２Ｂ１の組、配管３６Ａ２に設けられた第１バルブ６２Ａ２及び配管３６Ｂ２に設けられた第１バルブ６２Ｂ２の組それぞれと対をなす第１センサ５２が設けられている。具体的には、第１バルブ６２Ａ１及び第１バルブ６２Ｂ１の組と対をなす第１センサ５２ａ、第１バルブ６２Ａ２及び第１バルブ６２Ｂ２の組と対をなす第１センサ５２ｂが設けられている。

第７の実施形態では、第１センサ５２ａは、対をなす第１バルブ６２Ａ１により制御される短管部３２Ａ１及び第１バルブ６２Ｂ１により制御される短管部３２Ｂ１に対向するように、成膜ゾーン２２の第１部分領域２２Ａ内に設けられている。第１センサ５２ｂは、対をなす第１バルブ６２Ａ２により制御される短管部３２Ａ２及び第１バルブ６２Ｂ２により制御される短管部３２Ｂ２に対向するように、成膜ゾーン２２の第２部分領域２２Ｂ内に設けられている。
ここで「対をなす」とは、短管部に対応する第１バルブ６２の組の動作が第１センサ５２の検知結果と連動するように構成されていることをいう。

第１センサ５２としては、例えば設置箇所近傍である基材上に成膜される膜の膜厚を近似的に測定することができる膜厚センサが挙げられる。第１センサ５２としては、水晶振動子を用いて膜厚を測定する膜厚センサ、プラズマの発生状況をモニタするプラズマセンサなどを用いることができるが、膜厚センサが好ましい。このような膜厚センサ及び膜厚センサを含む膜厚モニタといった膜厚測定機構は市場にて入手可能であり、第１センサ５２としてこうした市販の膜厚測定機構を用いることができる。

真空排気口１４と真空ポンプ４０との間の例えば配管部に真空排気口１４の個数と同数である第２バルブ６４を備えている。
第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０では、真空排気口１４と真空ポンプ４０とを接続している配管等に第２バルブ６４が設けられている。

第２バルブ６４は、開閉動作により、真空排気口１４から真空ポンプ４０に流入して真空チャンバ１２外に排出されるガス（気体）の流量を増減させて、真空チャンバ１２内の圧力を調整することができる、例えば圧力調整バルブである。第２バルブ６４としては、例えば作動機構にフォースモータを用いる圧力調整バルブを含む圧力調整機構が市場にて入手可能であり、第２バルブ６４としてこうした市販の圧力調整機構を用いることができる。

第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称の位置に、真空排気口１４と対をなす第２センサ５４が設けられている。ここで「対をなす」とは、真空排気口１４に対応する第２バルブ６４の動作が第２センサ５４の検知結果に対応して連動する組を構成していることをいう。

第７の実施形態では真空チャンバ１２に設けられた真空排気口１４に対向する位置に第２センサ５４を設置している。具体的には、第１成膜ロール２０Ａ、第２成膜ロール２０Ｂ及びガス供給部３０を挟んで真空排気口１４と対向する位置に第２センサ５４が設けられている。

第７の実施形態では真空排気口１４の個数と第２センサ５４の個数とは１対１に対応させたため一致しているがこれに限定されず、例えば１つの真空排気口１４に対して２つの第２センサ５４を対応させて設けるといった構成としてもよい。

第２センサ５４としては、例えば設置箇所近傍である真空チャンバ１２内の圧力を測定するか、又は圧力の設定値からの変動を検知することができる圧力センサが挙げられる。第２センサ５４としては、真空チャンバ１２内の圧力（気圧）を測定可能であればよく、例えばピラニゲージ、シュルツゲージ、イオンゲージ、静電容量型絶対圧真空計、Ｂ−Ａゲージ、ペニング真空計などを用いることができるが、圧力０．１Ｐａ〜５０Ｐａ程度の範囲で安定して精度良く測れるセンサが好ましい。このような圧力センサは市場にて入手可能であり、第２センサ５４としてこうした市販の圧力センサを用いることができる。

第７の実施形態では、第２センサ５４が、対をなす真空排気口１４と対向する位置に設けられている構成例を説明したが、第２センサ５４が、例えば対をなす真空排気口１４の近傍に設けられている構成としてもよい。この場合には真空排気口１４と、対をなす第２センサ５４とは可能な限り近距離に設けるようにするのがよい。このように構成すれば第２センサ５４による圧力測定と第２バルブ６４による圧力の調節をより精密に実施することができる。

また第２センサ５４が、対をなす真空排気口１４と真空ポンプ４０との間に設けられている第２バルブ６４と一体的に設けられている構成としてもよい。

このような構成とすれば、第２センサ５４が検知した例えば圧力の変動に対応した制御をより迅速に、かつより精密に第２バルブ６４の開閉動作により実施することができる。

プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、センサ５０に接続されており、センサ５０が測定した測定値又は設定値からの変動幅が入力できるように、かつバルブ６０に接続されており、バルブ６０の開閉動作を制御できるように設けられている自動制御部７０を備えている。

自動制御部７０は、センサ信号線８２（８２Ａａ、８２Ａｂ、８２Ｂ）によりセンサ５０と接続されている。自動制御部７０は第１センサ信号線８２Ａにより第１センサ５２と接続されている。第１センサ５２ａは第１センサ信号線８２Ａａにより自動制御部７０と接続されており、第１センサ５２ｂは第１センサ信号線８２Ａｂにより自動制御部７０と接続されている。また自動制御部７０は、第２センサ信号線８２Ｂにより第２センサ５４と接続されている。

また自動制御部７０は、バルブ信号線８４（８４Ａａ、８４Ａｂ、８４Ａｃ、８４Ａｄ及び８４Ｂ）によりバルブ６０と接続されている。自動制御部７０は、第１バルブ信号線８４Ａ（８４Ａａ、８４Ａｂ、８４Ａｃ及び８４Ａｄ）により第１バルブ６２と接続されており、第２バルブ信号線８４Ｂにより第２バルブ６４と接続されている。
第１バルブ６２Ａ１は第１バルブ信号線８４Ａａにより自動制御部７０と接続されており、第１バルブ６２Ｂ１は第１バルブ信号線８４Ａｂにより自動制御部７０と接続されており、第１バルブ６２Ａ２は第１バルブ信号線８４Ａｃにより自動制御部７０と接続されており、第１バルブ６２Ｂ２は第１バルブ信号線８４Ａｄにより自動制御部７０と接続されている。

センサ信号線８２は、センサ５０が測定した測定値又は設定値からの変動幅（データ信号）を自動制御部７０に入力するための信号線である。
バルブ信号線８４は、バルブ６０の開閉動作を制御するための自動制御部７０からの制御信号をバルブ６０に入力するための信号線である。
これらセンサ信号線８２及びバルブ信号線８４は、いわゆる電気通信回線である。電気通信回線とは、電気、光等の媒体による有線又は無線による情報回線を意味する。

図１３を参照して、自動制御部７０の機能的な構成について説明する。図１３に示すように、自動制御部７０は、信号入力部７２と、信号入力部７２と接続されている演算部７４と、演算部７４と接続されている信号出力部７６とを含んでいる。

信号入力部７２は、センサ信号線８２によりセンサ５０と接続されている。信号出力部７６はバルブ信号線８４によりバルブ６０と接続されている。

自動制御部７０は、演算部７４に相当する例えばマイクロプロセッサ、信号入力部７２及び信号出力部７６に相当する例えばシリアル接続、パラレル接続のインターフェースを備えるコンピュータハードウェアにより実現することができる。

自動制御部７０は、複数のセンサ５０からの入力及び複数のバルブ６０の動作をそれぞれ独立に制御できる構成とするのが好ましい。なおこの例では、１つの自動制御部７０により第１センサ５２及び第２センサ５４、並びに第１バルブ６２及び第２バルブ６４を制御する構成を説明したが、複数の自動制御部により、例えば第１センサ５２及び第１バルブ６２の組と、第２センサ５４及び第２バルブ６４の組とを別々の自動制御部により制御する構成としてもよい。

真空排気口１４及びガス供給管３２のガス供給口３４を上記のように配置することにより、成膜ゾーン２２内を流れるガスの流れを最適化することができ、真空チャンバ１２内の圧力、供給されるガスの濃度、放電プラズマの発生といった特にＴＤ方向における成膜条件を均一にすることができる。またガス流量調節バルブ、第１センサ、自動制御部、圧力調節バルブ、及び第２センサをさらに備える。よって複数の短管部それぞれのガスの流量を第１センサの測定値に基づいて精密に制御することができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

＜成膜方法＞
第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜方法を実施するにあたり、図１２及び図１３を参照して説明した構成を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置１０を準備する。
次に、真空チャンバ１２に設けられている、第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂに、図示しない巻き出しロールから巻き出された上述の長尺の基材を、搬送可能、かつ巻き取りロールに巻き取り可能となるように巻き付ける。

次に、ガス供給部３０により下方から成膜ゾーン２２にガスを供給し、第１真空ポンプ４０Ａ及び第２真空ポンプ４０Ｂを動作させる。また真空チャンバ１２内の圧力（真空度）を調整して放電プラズマ発生部材を動作させる。さらに巻き出しロールから長尺の基材を巻き出し、巻き取りロールに長尺の基材を巻き取っていく。巻き出しロールから巻き取りロールへの経路の途中に位置する第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂは、長尺の基材を搬送する。こうして第１成膜ロール２０Ａ及び第２成膜ロール２０Ｂによって搬送される長尺の基材のうち成膜ゾーン２２内を進行する部分領域に、所望の膜が連続的に成膜される。

第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜方法は、自動制御部７０により、第１センサ５２及び第１バルブ６２を用いて、成膜条件を調整しつつ実施される。

成膜条件の調整は、例えば膜厚センサである第１センサ５２が測定した成膜ゾーン２２の部分領域ごと（例えば第１部分領域２２Ａ、第２部分領域２２Ｂ）の膜厚に偏りが検知された場合に、又は部分領域ごとの膜厚が設定された膜厚と異なっていることが検知された場合に、対をなす第１バルブ６２を開閉動作させてガスの流量を調節することにより実施される。

ガスの流量の調整は、具体的には流量を増加させる方向への調整であればバルブ６０の開度を増加させ、流量を減少させる方向への調整であればバルブ６０を閉じるか、又は開度を減少させることにより調整すればよい。

なお組となる例えば第１バルブ６２Ａ１及び６２Ｂ１の開閉動作を１組として一律に制御するのではなく、第１バルブ６２Ａ１及び６２Ｂ１を個別に制御することもできる。例えば第１バルブ６２Ａ１にかかるキャリアガスの流量を制御せずに、第１バルブ６２Ｂ１にかかる原料ガスの流量のみを制御するなどしてもよい。

ここで図１４−１を参照して、自動制御部７０による膜厚制御の一例を説明する。

まず、真空チャンバ１２内の所定位置に設置された第１センサ５２が、膜厚を測定し、膜厚についての測定値を取得する（Ｓ１Ａ）。

第１センサ５２が、取得した測定値をデータ信号として、第１センサ信号線８２Ａを介して自動制御部７０（信号入力部７２）に入力する（Ｓ２Ａ）。

自動制御部７０（演算部７４）が、測定値と予め設定されていた設定値とを比較する（Ｓ３Ａ）。

自動制御部７０が、測定値が設定値と等しいか否か判断する（Ｓ４Ａ）。等しい（Ｙｅｓ）と判断した場合には、終了する（エンド：この場合には、第１バルブ６２の動作制御は行われない。）。

自動制御部７０が、測定値が設定値と一致しない（Ｎｏ）と判断した場合には、自動制御部７０は、測定値が設定値より小さいか否か判断する（Ｓ５Ａ）。なお、このステップは、逆に測定値が設定値より大きいか否かを判断するステップとすることもできる。

自動制御部７０が、測定値が設定値より小さい（Ｙｅｓ）と判断した場合には、自動制御部７０（信号出力部７６）は、バルブ信号線８４（第１バルブ信号線８４Ａ）を介して、バルブ６０（第１バルブ６２）の開閉動作を制御するための制御信号を第１バルブ６２に入力し、第１バルブ６２の開度を増加させて（バルブを開いて）ガスの流量を増加させる方向へ調節する（Ｓ６Ａ）。

自動制御部７０が、測定値が設定値より大きい（Ｎｏ）と判断した場合には、自動制御部７０（信号出力部７６）は、第１バルブ信号線８４Ａを介して、第１バルブ６２の開閉動作を制御するための制御信号を第１バルブ６２に入力し、第１バルブ６２の開度を増大させて（バルブを開いて）上昇した圧力を低下させる方向へ調整する（Ｓ７Ａ）。

第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜方法は、自動制御部７０により、さらに第２センサ５４及び第２バルブ６４を用いて、成膜条件を調整しつつ実施される。

成膜条件の調整は、例えば圧力センサである第２センサ５４が真空チャンバ１２内の圧力の変動を検知した場合に、圧力の変化を検知した第２センサ５４と対をなす真空排気口１４に対応して設けられている第２バルブ６４を開閉動作させることにより実施される。

真空チャンバ１２内の圧力の調整は、具体的には低下した圧力を上昇させる方向への調整であればバルブ６０を閉じるか又は開度を減少させ、上昇した圧力を低下させる方向への調整であればバルブ６０の開度を増加させることにより所定の圧力になるように調整すればよい。

ここで図１４−２を参照して、自動制御部７０による真空チャンバ１２内の圧力制御の一例を説明する。

まず、真空チャンバ１２の所定位置に設置されたセンサ５０（第２センサ５４）が、圧力を測定し、圧力についての測定値を取得する（Ｓ１Ｂ）。

第２センサ５４が、取得した測定値をデータ信号として、センサ信号線８２（第２センサ信号線８２Ｂ）を介して自動制御部７０（信号入力部７２）に入力する（Ｓ２Ｂ）。

自動制御部７０（演算部７４）が、測定値と予め設定されていた設定値とを比較する（Ｓ３Ｂ）。

自動制御部７０が、測定値が設定値と等しいか否か判断する（Ｓ４Ｂ）。等しい（Ｙｅｓ）と判断した場合には、終了（エンド：この場合には、第２バルブ６４の動作制御は行われない。）する。

自動制御部７０が、測定値が設定値と一致しない（Ｎｏ）と判断した場合には、自動制御部７０は、測定値が設定値より小さいか否か判断する（Ｓ５Ｂ）。なお、このステップは、逆に測定値が設定値より大きいか否かを判断するステップとすることもできる。

自動制御部７０が、測定値が設定値より小さい（Ｙｅｓ）と判断した場合には、自動制御部７０（信号出力部７６）は、第２バルブ信号線８４Ｂを介して、第２バルブ６４の開閉動作を制御するための制御信号を第２バルブ６４に入力し、第２バルブ６４の開度を減少させて（バルブを閉じて）圧力を上昇させる方向へ調整する（Ｓ６Ｂ）。

自動制御部７０が、測定値が設定値より大きい（Ｎｏ）と判断した場合には、自動制御部７０（信号出力部７６）は、第２バルブ信号線８４Ｂを介して、第２バルブ６４の開閉動作を制御するための制御信号を第２バルブ６４に入力し、第２バルブ６４の開度を増大させて（バルブを開いて）上昇した圧力を低下させる方向へ調整する（Ｓ７Ｂ）。

上述した膜厚調節制御及び圧力調整制御において、自動制御部７０は、上記制御ステップを繰り返して測定値が設定値と等しくなるまでバルブ６０の開閉動作を制御する。自動制御部７０は、センサ５０及びバルブ６０がそれぞれ複数存在する場合には、複数のバルブ６０の動作をそれぞれ独立に制御することができる構成とするのがよい。

上述の自動制御部７０による制御は一例であり、自動制御部７０による制御は、例えばフィードバック制御の一種であるＰＩＤ制御といった制御が可能な市場で入手できる種々の制御機器により実現することができる。
上述した自動制御部７０による圧力制御及び膜厚制御は、同時に並行して実施してもよいし、いずれか一方を個別に実施してもよい。

上述のように自動制御部により成膜条件を調整する構成とすれば、ガス供給部から供給されるガスを、成膜ゾーンの特にＴＤ方向について、膜厚及び圧力に基づいてより精密に制御しつつ供給することができる。よって成膜条件の不均一性に起因して生じる薄膜欠陥の発生、成膜ゾーン２２内の成膜条件の不均一化を抑制することができるため、成膜される膜の膜質を特にＴＤ方向について均一かつ良好にでき、ひいてはバリア性をも均一かつ良好にできる。

（真空排気口の構成例）
ここで図１５−１及び図１５−２を参照して、上述した第１の実施形態から第７の実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置に好適に適用できる真空排気口の配置例について具体的に説明する。図１５−１は、第１対称面及び第２対称面に対して鏡面対称に配置された真空排気口の構成例を説明するための概略的な平面図である。図１５−２は、第１対称面と第２対称面とが交差して画成される交差線に対して軸対称に配置された真空排気口の構成例を説明するための概略的な平面図である。

図１５−１に示すように、真空排気口１４及び真空排気管（４２）に設けられる真空排気口４４は、３つの真空排気口１４（４４）を含んでおり、真空排気口１４（４４）同士が等間隔に第１対称面１８Ａに沿って配列されている。２番目（真ん中）の真空排気口１４は、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが直交して画成される交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される第１領域２１ａ、第２領域２１ｂ、第３領域２１ｃ及び第４領域２１ｄにおいて平面形状及びその面積が略均等になるように設けられている。

残りの２つの真空排気口１４（４４）のうち、一方の真空排気口１４（４４）は第１領域２１ａと第２領域２１ｂに均一にまたがるように第１対称面１８Ａに対して鏡面対称に設けられている。他方の真空排気口１４（４４）は、一方の真空排気口１４（４４）について第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称である位置であって、かつ第３領域２１ｃと第４領域２１ｄに均一にまたがるように第１対称面１８Ａに対して鏡面対称である位置に設けられている。この構成例は、第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配置された真空排気口１４（４４）の構成例であるが、真空排気口１４（４４）同士の配置関係は交差線１９に対して軸対称であるともいえる。

図１５−２に示すように、真空排気口１４（４４）は、３つの真空排気口１４（４４）を含んでいる。３つの真空排気口１４（４４）のうち、１つの真空排気口１４（４４）は、第１対称面１８Ａと第２対称面１８Ｂとが直交して画成される交差線１９上に位置し、かつ第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂで分断される第１領域２１ａ、第２領域２１ｂ、第３領域２１ｃ及び第４領域２１ｄにおいて平面形状及びその面積が略均等になるように設けられている。

残りの２つの真空排気口１４（４４）のうち、一方の真空排気口１４（４４）は第２領域２１ｂ内に設けられている。他方の真空排気口１４（４４）は、一方の真空排気口１４（４４）に対して交差線１９を挟んで交差線１９を通る直線上に配置されており、かつ交差線１９からの距離が互いに等しくなるように、交差線１９に対して軸対称に配置されている。この構成例の真空排気口１４（４４）は、交差線１９に対して軸対称に配置されているといえるが、第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称に配置されているとはいえない。

第１対称面１８Ａ及び第２対称面１８Ｂに対して鏡面対称ではないが交差線１９に対して軸対称である真空排気口１４（４４）のその他の具体的な構成例としては、交差線１９を挟んで交差線１９を通る直線上に配置されており、かつ交差線１９からの距離が互いに等しくなるように第１領域２１ａ内及び第４領域２１ｄ内にそれぞれ１個ずつ（同数ずつ）配置されている構成、交差線１９を挟んで交差線１９を通る直線上に配置されており、かつ交差線１９からの距離が互いに等しくなるように第２領域２１ｂ内及び第３領域２１ｃ内にそれぞれ１個ずつ（同数ずつ）配置されている構成、交差線１９を挟んで交差線１９を通る直線上に配置されており、かつ交差線１９からの距離が互いに等しくなるように第１領域２１ａ内、第２領域２１ｂ内、第３領域２１ｃ内及び第４領域２１ｄ内にそれぞれ１個ずつ（同数ずつ）配置されている構成などが挙げられる。

上述の説明から明らかな通り、本発明には下記の成膜方法及び成膜装置が含まれる。
［１］隣り合う前記ガス供給口同士が等間隔に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［２］２本以上の前記ガス供給管を備え、隣り合う前記ガス供給口同士の間隔が該ガス供給管ごとに異なっている前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［３］２本以上の前記ガス供給管を備え、前記ガス供給管それぞれが同じ個数の前記ガス供給口を備える前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［４］２本以上の前記ガス供給管を備え、隣り合う前記ガス供給管のうちの一方の前記ガス供給管が、前記第２対称面内に配置される前記ガス供給口を備える、成膜方法。
［５］前記ガス供給部が、前記ガス供給管に接続される接続部であって、前記第２対称面に対して鏡面対称となる位置に設けられる前記接続部を有する、前記ガス供給管にガスを供給する配管を備える前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［６］前記ガス供給部が、前記ガス供給管の延在方向の長さを２等分する位置に設けられる前記接続部を有する配管を備える前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［７］前記ガス供給部が、前記ガス供給管の延在方向の両端部に設けられる前記接続部を有する配管を備える前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［８］前記ガス供給管が、延在方向の長さが互いに等しい２以上の短管部により構成され、該２以上の短管部それぞれに前記ガス供給口が設けられる前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［９］前記ガス供給部が、前記２以上の短管部それぞれに接続される接続部であって、前記短管部の延在方向の長さを２等分する位置に設けられる前記接続部を有する、前記ガス供給管にガスを供給する配管を備える、成膜方法。
［１０］前記接続部を有する前記配管にはガス流量調節バルブが設けられており、該ガス流量調節バルブにより前記ガスの流量を調節しつつ前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。
［１１］前記ガス流量調節バルブを制御するための第１センサをさらに備え、該第１センサが測定した測定値に基づいて、前記ガス流量調節バルブにより前記ガスの流量を調節しつつ前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。
［１２］前記第１センサが測定した測定値が入力できるように該第１センサに接続されており、前記ガス流量調節バルブの開閉動作を制御できるように該ガス流量調節バルブに接続される自動制御部をさらに備え、
前記第１センサが、測定値を取得し、
前記第１センサが、取得された前記測定値を前記自動制御部に入力し、
前記自動制御部が、入力された前記測定値及び予め設定されていた設定値に基づいて、前記ガス流量バルブの開閉動作を制御して、前記測定値と前記設定値とが等しくなるように前記ガス流量バルブを開閉動作させる、成膜方法。
［１３］前記第１センサが成膜される膜の厚さを検知する膜厚センサであり、該膜厚センサが、測定値を取得し、
前記膜厚センサが、取得された前記測定値を前記自動制御部に入力し、
前記自動制御部が、前記測定値を予め設定された設定値と比較し、
前記制御部が、前記測定値は前記設定値より小さいと判断した場合には前記膜厚センサと対をなす前記ガス流量調節バルブを動作させてガス流量を増加させ、前記測定値は前記設定値よりも大きいと判断した場合には前記膜厚センサと対をなす前記ガス流量調節バルブを動作させてガス流量を減少させて、全領域の膜厚が前記設定値に近づくように制御する、成膜方法。
［１４］前記真空排気口が３個以上であり、該真空排気口が奇数個である場合には、少なくとも１個が第１対称面と第２対称面が直交する直線上に位置し、かつ第１対称面及び第２対称面で分断される真空排気口の平面形状及びその面積が均等になるように設けられる前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［１５］前記真空排気口と前記真空ポンプとの間に設けられており、前記真空排気口の個数と同数である１個以上の圧力調節バルブと、前記第１対称面及び前記第２対称面に対して鏡面対称の位置に、前記真空排気口それぞれと対をなす前記真空排気口の個数と同数の第２センサとをさらに備え、
前記第２センサが測定値を取得し、
前記第２センサが取得した前記測定値及び予め設定されていた設定値に基づいて、前記圧力調整バルブの開閉動作を制御して、前記測定値と前記設定値とが等しくなるように前記圧力調節バルブを開閉動作させる、成膜方法。
［１６］前記第２センサが、対をなす前記真空排気口と対向する位置に設けられる前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［１７］前記第２センサが、対をなす前記真空排気口の近傍に設けられる前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［１８］前記第２センサが、対をなす前記真空排気口と前記真空ポンプとの間に設けられている前記圧力調節バルブと一体的に設けられる前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［１９］前記第２センサが測定した測定値又は設定値からの変動幅が入力できるように前記第２センサに接続されており、かつ前記圧力調節バルブの開閉動作を制御できるように圧力調節バルブに接続されている自動制御部を備え、
前記第２センサが、測定値を取得し、
前記第２センサが、取得された前記測定値を前記自動制御部に入力し、
前記自動制御部が、入力された前記測定値及び予め設定されていた設定値に基づいて、前記圧力調節バルブの開閉動作を制御して、前記測定値と前記設定値とが等しくなるように前記圧力調節バルブを開閉動作させる、成膜方法。
［２０］前記第２センサが圧力を検知する圧力センサである前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、成膜方法。
［２１］隣り合う前記ガス供給口同士が等間隔に配置される、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２２］２本以上の前記ガス供給管を備え、隣り合う前記ガス供給口同士の間隔が該ガス供給管ごとに異なっている、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２３］２本以上の前記ガス供給管を備え、前記ガス供給管それぞれが同じ個数の前記ガス供給口を有する、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２４］２本以上の前記ガス供給管を備え、隣り合う前記ガス供給管のうちの一方の前記ガス供給管が、前記第２対称面内に配置される前記ガス供給口を有する、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２５］前記ガス供給部が、前記ガス供給管に接続される接続部であって、前記第２対称面に対して鏡面対称となる位置に設けられる前記接続部を有する、前記ガス供給管にガスを供給する配管を備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２６］前記ガス供給部が、前記ガス供給管の延在方向の長さを２等分する位置に設けられる前記接続部を有する配管を備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２７］前記ガス供給部が、前記ガス供給管の延在方向の両端部に設けられる前記接続部を有する配管を備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２８］前記ガス供給管が、延在方向の長さが互いに等しい２以上の短管部により構成され、該２以上の短管部それぞれに前記ガス供給口が設けられる、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［２９］前記ガス供給部が、前記２以上の短管部それぞれに接続される接続部であって、前記短管部の延在方向の長さを２等分する位置に設けられる前記接続部を有する、前記ガス供給管にガスを供給する配管を備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３０］前記接続部を有する前記配管に、ガス流量調節バルブが設けられる、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３１］前記ガス流量調節バルブを制御するための第１センサをさらに備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３２］前記第１センサが成膜される膜の厚さを検知する膜厚センサである、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３３］前記真空排気口が３個以上であり、該真空排気口が奇数個である場合には、少なくとも１個が第１対称面と第２対称面が直交する直線上に位置し、かつ第１対称面及び第２対称面で分断される真空排気口の平面形状及びその面積が均等になるように設けられる、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３４］前記真空排気口と前記真空ポンプとの間に設けられており、前記真空排気口の個数と同数である１個以上の圧力調節バルブと、前記第１対称面及び前記第２対称面に対して鏡面対称の位置に、前記真空排気口それぞれと対をなす前記真空排気口の個数と同数の第２センサとをさらに備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３５］前記第２センサが、対をなす前記真空排気口と対向する位置に設けられる、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３６］前記第２センサが、対をなす前記真空排気口の近傍に設けられる、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３７］前記第２センサが、対をなす前記真空排気口と前記真空ポンプとの間に設けられる前記圧力調節バルブと一体的に設けられる、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３８］前記第２センサが測定した測定値又は設定値からの変動幅が入力できるように第２センサに接続されており、かつ前記圧力調節バルブの開閉動作を制御できるように圧力調節バルブに接続されている自動制御部を備える、プラズマＣＶＤ成膜装置。
［３９］前記第２センサが圧力を検知する圧力センサである、プラズマＣＶＤ成膜装置。

１０ＣＶＤ成膜装置
１２真空チャンバ
１４、４４真空排気口
１８対称面
１８Ａ第１対称面
１８Ｂ第２対称面
１８Ｃ１、１８Ｃ２第３対称面
１９交差線
２０成膜ロール
２０Ａ第１成膜ロール
２０Ｂ第２成膜ロール
２０Ａａ、２０Ｂａ回転軸
２１ａ第１領域
２１ｂ第２領域
２１ｃ第３領域
２１ｄ第４領域
２２成膜ゾーン
２２Ａ第１部分領域
２２Ｂ第２部分領域
２２ｃ、３４ｃ中心
３０ガス供給部
３２ガス供給管
３２Ａ第１ガス供給管
３２Ａａ、３２Ｂａ短管部
３２Ｂ第２ガス供給管
３４ガス供給口
３４Ａ第１ガス供給口
３４Ｂ第２ガス供給口
３６配管
３６Ａ第１配管
３６Ａａ第１配管接続部
３６Ｂ第２配管
３６Ｂａ第２配管接続部
４０真空ポンプ
４２真空排気管
５０センサ
５２第１センサ
５４第２センサ
６０バルブ
６２第１バルブ
６４第２バルブ
７０自動制御部
７２信号入力部
７４演算部
７６信号出力部
８２センサ信号線
８２Ａ第１センサ信号線
８２Ｂ第２センサ信号線
８４バルブ信号線
８４Ａ第１バルブ信号線
８４Ｂ第２バルブ信号線

Claims

搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーンの下方に配置される少なくとも１本のガス供給管であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口を有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置を用い、
前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。
前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項１に記載の成膜方法。
第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、
前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方である前記第１対称面内に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項１又は２に記載の成膜方法。
第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、
前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方であって、前記第１対称面から離間した位置に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項１又は２に記載の成膜方法。
前記成膜ゾーンの下方には２本以上のガス供給管が配置されており、該２本以上のガス供給管のうちの少なくとも１本と残りのガス供給管とが前記第１対称面を挟んで該第１対称面から離間するように配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項４に記載の成膜方法。
２本以上のガス供給管を備えており、前記２本以上のガス供給管のうちの前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が前記成膜ゾーンの下方に配置され、かつ前記２本以上のガス供給管のうちの残りのガス供給管が前記成膜ゾーンの上方に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の成膜方法。
前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が前記成膜ゾーンの下方に配置され、真空排気口を有する真空排気管が前記成膜ゾーンの上方に配置される前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜方法。
第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定され、前記成膜ゾーンの前記回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ前記第１対称面と直交する第２対称面が設定されており、前記ガス供給管が、前記成膜ゾーンを指向し、かつ前記第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を備える前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の成膜方法。
前記ＣＶＤ成膜装置が、第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、前記基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定され、前記成膜ゾーンの前記回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ前記第１対称面と直交する第２対称面が設定されており、前記第１対称面と前記第２対称面とが交差して画成される交差線に対して軸対称となるように、前記成膜ゾーンに対して下方に配置される１個以上の真空排気口と、該真空排気口に接続されている真空ポンプとをさらに備え、
前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給しつつ、前記真空ポンプにより圧力を調節する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の成膜方法。
前記第１対称面及び前記第２対称面に対して鏡面対称となるように配置されている１個又は２個以上の真空排気口を有する前記プラズマＣＶＤ成膜装置を用いる、請求項９に記載の成膜方法。
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の成膜方法により前記基材上に膜を成膜する、フレキシブル基板の製造方法。
第１成膜ロール及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロールを含み、基材を巻き付けて搬送する成膜ロールと、
前記第１成膜ロールの回転軸と前記第２成膜ロールの回転軸とを最短距離で結ぶ線分を２等分し、かつ該線分と直交する第１対称面が設定され、前記第１成膜ロール及び前記第２成膜ロールの間隙に成膜ゾーンが設定されており、該成膜ゾーンの下方に配置される少なくとも１本のガス供給管であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個又は２個以上のガス供給口を有する前記ガス供給管と
を備えるプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、請求項１２に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成する前記ガスを供給する、前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方である前記第１対称面内に配置される、請求項１３に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給する、前記少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方であって、前記第１対称面から離間した位置に配置される、請求項１３に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記成膜ゾーンの下方には２本以上のガス供給管が配置されており、該２本以上のガス供給管が前記第１対称面を挟んで該第１対称面から離間するように配置される、請求項１５に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
２本以上のガス供給管を備えており、前記２本以上のガス供給管のうちの、前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が前記成膜ゾーンの下方に配置され、かつ前記２本以上のガス供給管のうちの残りのガス供給管が前記成膜ゾーンの上方に配置される、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記成膜ゾーンに至るまでに成分の一部が粒状体を不可避的に形成するガスを供給するガス供給管を含む、少なくとも１本のガス供給管が、前記成膜ゾーンの下方である前記第１対称面内に配置され、真空排気口を有する真空排気管が、前記成膜ゾーンの上方に配置される、請求項１２〜１７のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記ガス供給管が、前記成膜ゾーンの前記回転軸に沿う方向の長さを２等分し、かつ前記第１対称面と直交する第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有する、請求項１２〜１８のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記第１対称面と前記第２対称面とが交差して画成される交差線に対して軸対称となるように、前記成膜ゾーンに対して下方に配置される１個以上の真空排気口と、該真空排気口に接続されている真空ポンプとをさらに備える、請求項１２〜１９のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。
前記第１対称面及び前記第２対称面に対して鏡面対称となるように配置されている１個又は２個以上の真空排気口を有している、請求項２０に記載のプラズマＣＶＤ成膜装置。