JP2011159348A - レーザユニット、それを備えた光ピックアップ装置、及び光情報機器、並びにレーザユニットの調整方法 - Google Patents

Abstract

【課題】部品の加工コストを低減するとともに、高精度の位置調整を実現する。
【解決手段】本発明のレーザユニットにおける半導体レーザは、ダイクロイックビームスプリッタ３から出射する往路９ａの光の光軸に対し垂直な面に基準面２ａが形成された青色半導体レーザ２と、ダイクロイックビームスプリッタ３から出射する往路９ａの光の光軸に対し平行な面に基準面１ａが形成された２波長半導体レーザ１とで構成されており、レーザユニット筐体６には、基準面１ａおよび２ａと対向する位置にそれぞれ、位置決め面６ａおよび６ｂが形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ピックアップ装置に搭載される、複数の半導体レーザを備えたレーザユニットに関するものである。さらに詳しくは、レーザユニットにおいて、複数の半導体レーザの各々から出射されるレーザ光の発光点位置を調整するための技術に関するものである。

光ディスクに情報を記録再生する光ピックアップ装置は、半導体レーザやコリメートレンズ、受光素子などといった、多数の光学部品によって構成されている。

このような光ピックアップ装置の中でも、ＢＤ、ＤＶＤ、およびＣＤの３系統の光ディスクを記録再生する光ピックアップ装置は、３波長のレーザ光を出射するために、複数の半導体レーザを備えている。そして、部品点数削減、装置小型化、およびコスト削減のため、信号検出系は、１系統にまとめられているのが一般的である。

このような光ピックアップ装置を製造する場合、第１の半導体レーザ、信号検出系、第２の半導体レーザの順番に部品を位置調整し固定する方法が一般的に用いられている。しかしながら、半導体レーザは、コリメートレンズや受光素子と共役関係にある位置に調整固定するため、信号品質を高めるためには３方向に対して高精度な位置調整が必要となる。このため、半導体レーザの調整は、「空間調整」と呼ばれるＸ、Ｙ、Ｚの３軸を位置調整し部品の周囲を接着材で固定する方法が採られていた。

しかしながら、上記「空間調整」で光学部品の取り付けを行った場合、接着剤の膨張収縮により光学部品の位置が不安定になるという問題があった。また、調整軸数が多いため作業効率が悪いという問題があった。

このような問題を解決するための手段として、部品とこれに対応する部品取り付け位置のと両方に高精度に加工された位置決め部を形成し、対応する位置決め部同士を当接させて光学部品を位置決め固定するという方法が考えられる。このような方法を用いた例としては、例えば特許文献１が知られている。

特開２００８−２４３２５４号公報（２００８年１０月 ９日公開）

特許文献１に記載された光ピックアップ装置は、プラットフォームと呼ばれる部材に半導体レーザ、コリメートレンズ、受光素子などの主要部品が搭載されており、主要部品には位置決めの基準となる位置決め部が形成されている。また、プラットフォームには、各主要部品を搭載する位置に、部品の位置決め部に対応した位置決め部が形成され、部品の位置決め部とプラットフォームの位置決め部とを当接させることで部品の位置決めを行う構成となっている。

以下、特許文献１の光ピックアップ装置における部品の位置決めの例として、半導体レーザの位置決めについて、図１１を参照して説明する。

図１１において、半導体レーザ１０１は、発光素子１０１ａ、及び、これが搭載されたサブプラットフォーム１０１ｂによって構成されている。サブプラットフォーム１０１ｂは２つの基準面１０１ｃ、１０１ｄを有している。半導体レーザ１０１はサブプラットフォーム１０１ｂの基準面１０１ｃをプラットフォーム１０２の基準面１０２ａに当接させるとともに、基準面１０１ｄをプラットフォーム１０２の基準面１０２ｂに当接させることでプラットフォーム１０２に位置決めされている。このときサブプラットフォーム１０１ｂの基準面１０１ｃ、１０１ｄはそれぞれ、発光素子１０１ａの発光方向に対して正確に関連付けられており、基準面１０１ｃは発光方向に対して正確に垂直面であるとともに発光点からの距離が正確に制御されている。また、基準面１０１ｄについては、発光方向に対して正確に水平面であるとともに発光点からの距離が正確に制御されている。したがって、半導体レーザ１０１がプラットフォーム１０２に位置決め固定されると、半導体レーザ１０１の光軸は設定された方向に正しく固定される。

サブプラットフォーム１０１ｂの基準面１０１ｃ、１０１ｄと発光素子１０１ａの光軸との関連付けは以下の方法で行われる。

まず発光素子１０１ａの発光点を画像処理により認識しながら発光素子１０１ａの裏面を研磨することにより発光点と発光素子裏面との距離を調整する。次に発光素子１０１ａをチャックにて保持し、この状態でレーザを出射する。そして出射されたレーザとサブプラットフォーム１０１ｂの基準面１０１ｃ、１０１ｄとを画像処理で認識しながら発光素子１０１ａの搭載位置を調整し固定することで関連付けが成される（特許文献１の段落〔０１０９〕、〔０１１０〕参照）。

しかしながら、特許文献１に記載された方法では、半導体レーザの発光点と基準面とを一致させるために前加工を行っていること、および発光素子の位置調整に画像処理を用いていることから作業効率が悪いという問題がある。また、全ての基準面において高精度な加工が必要となり、部品の加工コストが増加するという問題がある。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品の加工コストを低減するとともに、高精度の位置調整が可能なレーザユニット、それを備えた光ピックアップ装置、及び光情報機器、並びに、上記レーザユニットを効率的に製造可能なレーザユニット調整方法を提供することにある。

本発明のレーザユニットは、上記の課題を解決するために、出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザと、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射する光学素子と、前記第１および第２の半導体レーザと前記光学素子とを収容する筐体とを備え、前記第１の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し垂直な面に第１の基準面が形成されており、前記第２の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し平行な面に第２の基準面が形成されており、前記筐体には、前記第１および第２の基準面と対向する位置にそれぞれ、第１および第２の位置決め面が形成されていることを特徴としている。

本発明のレーザユニットは、出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザと、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射する光学素子と、前記第１および第２の半導体レーザと前記光学素子とを収容する筐体とを備えた構成になっている。このような構成においては、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように前記光学素子から外部に出射するように、前記第１および第２の半導体レーザの位置調整が必要になる。

上記の構成によれば、前記第１の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し垂直な面に第１の基準面が形成されており、前記第２の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し平行な面に第２の基準面が形成されており、前記筐体には、前記第１および第２の基準面と対向する位置にそれぞれ、第１および第２の位置決め面が形成されているので、第１の半導体レーザを第２の半導体レーザの第２の基準面に対して位置調整することで複数の半導体レーザの発光点位置を一致させることができる。それゆえ、上記の構成によれば、第１および第２の半導体レーザの位置調整のための調整軸を削減することができる。したがって、上記の構成によれば、レーザユニットを構成する部品の加工コストを低減するとともに、高精度の位置調整が可能である。

本発明のレーザユニットでは、前記第１および第２の半導体レーザはそれぞれ、第１および第２の基準面が前記筐体の第１および第２の位置決め面と当接した状態で、位置決め固定されていることが好ましい。

これにより、上述した空間調整の必要がなく、接着後の半導体レーザの位置安定性に優れた位置安定性に優れたレーザユニットを実現することができる。

また、本発明のレーザユニットでは、前記複数の半導体レーザそれぞれは、異なる波長の光を出射し、前記光学素子は、前記第１の半導体レーザの出射光の一部を透過し、前記第２の半導体レーザの出射光の一部を外部へ反射することが好ましい。

上記の構成によれば、前記光学素子は、前記第１の半導体レーザの出射光の一部を透過し、前記第２の半導体レーザの出射光の一部を外部へ反射するので、複数の半導体レーザの出射光は、略同一の光路で、外部へ導かれることになる。それゆえ、第１および第２の半導体レーザの何れか一方の半導体レーザの出射光を基準としてレーザユニットの位置調整を行うことで、他方の半導体レーザの位置決めが完了することになる。それゆえ、上記の構成によれば、複数の半導体レーザの位置調整を容易に行うことができる。

また、本発明のレーザユニットでは、前記光学素子は、前記第１および第２の半導体レーザの出射光の一部を、前記光学素子からの出射光の光軸と異なる方向に導くことが好ましい。これにより、前記光学素子からの出射光の光軸と異なる方向に導かれた前記第１および第２の半導体レーザの出射光が進む先に、光検出手段を配置することで、前記第１および第２の半導体レーザについて、出射光の観測、および強度の制御が可能になる。

特に、この場合、前記光学素子は、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように、前記光学素子からの出射光の光軸と異なる方向に導くことが好ましい。これにより、１つの光検出手段により、前記第１および第２の半導体レーザの出射光を検出することができ、装置の簡便化が可能になる。なお、前記光検出手段は、前記筐体内に搭載されていることが好ましい。

本発明の光ピックアップ装置は、上記の課題を解決するために、上述のレーザユニットが搭載されたことを特徴としている。

上記の構成によれば、上述のレーザユニットが搭載されているので、部品の加工コストを低減するとともに、高精度の位置調整が可能な光ピックアップ装置を実現することができる。

本発明の光情報機器は、上記の課題を解決するために、上記光ピックアップ装置が搭載されたことを特徴としている。

上記の構成によれば、上記光ピックアップ装置が搭載されているので、部品の加工コストを低減するとともに、高精度の位置調整が可能な光情報機器を実現することができる。

本発明のレーザユニット調整方法は、上記の課題を解決するために、出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザを備え、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射するレーザユニットについて、前記第１および第２の半導体レーザの相対位置を調整するレーザユニット調整方法であって、前記第１および第２の半導体レーザの出射光を略平行光化するコリメートレンズと、前記コリメートレンズの光軸と垂直なミラー面を有する平面ミラーと、前記コリメートレンズを透過した光を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光した光をスポットとして撮像する撮像素子とを備えた調整装置を調整部材として用い、前記第１および第２の半導体レーザ同士の発光点の相対位置を調整する第１の調整ステップと、前記第１および第２の半導体レーザとコリメートレンズの光軸とを調整する第２の調整ステップと、前記コリメートレンズの焦点位置と前記第１および第２の半導体レーザそれぞれの発光点とを一致させる第３の調整ステップと、を経て半導体レーザの位置調整を行うことを特徴としている。

なお、本発明のレーザユニット調整方法においては、第１の半導体レーザには、レーザユニットの出射光の光軸に対し垂直な面に第１の基準面を形成し、第２の半導体レーザには、レーザユニットの出射光の光軸に対し平行な面に第２の基準面を形成することが好ましい。

これにより、複数の半導体レーザの相対位置を高精度に調整したレーザユニットを効率的に製造することができる。

また、本発明のレーザユニット調整方法では、前記撮像素子にて検出した半導体レーザの位置情報に基づいて、前記第１および第２の調整ステップを行うことが好ましい。これにより、発光点位置の粗調整が容易となり生産性を向上させることができる。

また、本発明のレーザユニット調整方法においては、前記調整装置は、前記コリメータレンズを、Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向の３方向に移動させる駆動手段を備え、前記第２の調整ステップでは、前記駆動手段により前記コリメータレンズの位置調整を行うことが好ましい。ここでいう３方向とは、レーザユニットの出射光の光軸をＺ軸としたときのＸＹＺ座標におけるＸ方向、Ｙ方向、およびＺ方向を意味する。

また、本発明のレーザユニット調整方法においては、前記調整装置は、前記半導体レーザの出射光の出力を検出する光出力検出手段と、前記半導体レーザへの注入電流を制御する注入電流制御手段とを備え、前記第３の調整ステップにおいて、前記半導体レーザへの注入電流あるいは半導体レーザの出射光出力強度を検出し、前記注入電流および前記レーザ光出力強度の一方の検出値を固定するように制御し、他方の検出値の変化が最大となる位置に前記半導体レーザの位置調整を行うことが好ましい。

前記半導体レーザから出射され、コリメートレンズで平行光化された出射光と、出射光がコリメートレンズおよび平面ミラーを介して反射して半導体レーザに戻る戻り光とが略平行である場合、出射光の発光点と戻り光の集束点が一致するので、自己結合効果によって半導体レーザの注入電流に対する半導体レーザの光出力強度の相対的な増大、または、半導体レーザの光出力強度に対する半導体レーザの注入電流の相対的な減少が生じる。

上記の構成によれば、自己結合効果に基づき、上記相対的な増大または減少が生じたと検知された位置、すなわち、出射光と戻り光とが略平行となる位置に半導体レーザを移動させるため、高精度な位置調整が可能となる。

また、本発明のレーザユニット調整方法においては、前記光検出手段は、前記複数の半導体レーザを収容する筐体内に設けられ、第３の調整ステップでは、この光検出手段を用いて、半導体レーザの出射光出力強度を検出することが好ましい。

上記の構成によれば、調整装置側に光検出手段を設ける必要がないので、調整装置の構成部品を削減することができる。

また、本発明のレーザユニット調整方法においては、第３の調整ステップでは、前記撮像素子を用いて、半導体レーザの出射光出力強度を検出してもよい。上記の構成によれば、光検出手段が不要になるため、調整装置の構成部品を削減することができる。

また、本発明のレーザユニット調整方法においては、前記複数の半導体レーザはそれぞれ、異なる波長の光を出射し、前記撮像素子として、ＲＧＢ検出が可能なカラー撮像素子を用いることが好ましい。これにより、複数の半導体レーザの出射光を同時に観測・調整することができるので、調整時間の短縮が可能になる。

また、本発明のレーザユニット調整方法においては、前記調整装置は、前記コリメータレンズと前記撮像素子との間の光路間に光を分波する光分波手段が設けられ、前記光分波手段により分波された光を検出する第２の撮像素子を備え、前記調整装置を調整部材として用いて、前記複数の半導体レーザの相対位置を調整することが好ましい。これにより、これにより、複数の半導体レーザの出射光を同時に観測・調整することができるので、調整時間の短縮が可能になる。

本発明のレーザユニットは、以上のように、出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザと、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射する光学素子と、前記第１および第２の半導体レーザと前記光学素子とを収容する筐体とを備え、前記第１の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し垂直な面に第１の基準面が形成されており、前記第２の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し平行な面に第２の基準面が形成されており、前記筐体には、前記第１および第２の基準面と対向する位置にそれぞれ、第１および第２の位置決め面が形成されている構成である。

また、本発明の光ピックアップ装置は、以上のように、上記レーザユニットが搭載された構成である。

また、本発明の光情報機器は、以上のように、上記光ピックアップ装置が搭載された構成である。

また、本発明のレーザユニット調整方法は、以上のように、出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザを備え、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射するレーザユニットについて、前記第１および第２の半導体レーザの相対位置を調整するレーザユニット調整方法であって、前記第１および第２の半導体レーザの出射光を略平行光化するコリメートレンズと、前記コリメートレンズの光軸と垂直なミラー面を有する平面ミラーと、前記コリメートレンズを透過した光を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光した光をスポットとして撮像する撮像素子とを備えた調整装置を調整部材として用い、前記第１および第２の半導体レーザ同士の発光点の相対位置を調整する第１の調整ステップと、前記第１および第２の半導体レーザとコリメートレンズの光軸とを調整する第２の調整ステップと、前記コリメートレンズの焦点位置と前記第１および第２の半導体レーザそれぞれの発光点とを一致させる第３の調整ステップと、を経て半導体レーザの位置調整を行う構成である。

それゆえ、高精度、且つ、接着後の位置安定性に優れたレーザユニット、及び、該レーザユニットを効率的に製造可能なレーザユニットの調整方法を実現することができる。

本発明の実施の一形態のレーザユニットの概略構成を示す斜視図である。 図１のレーザユニットが搭載された３波長の光ピックアップ装置の概略構成を模式的に示す上面図である。 レーザユニットの調整装置の概略構成を模式的に示す上面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１調整ステップでの青色半導体レーザの位置調整（フォーカス調整）を説明するための説明図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１調整ステップでの２波長半導体レーザの位置調整（フォーカス調整）を説明するための説明図であり、（ｄ）および（ｅ）は、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２について、互いの発光点の調整（光軸調整）を説明するための説明図である。 （ａ）および（ｂ）は、第２の調整ステップを説明するための説明図である。 （ａ）は自己結合効果を説明するための図であり、（ｂ）は、自己結合効果が生じた際のレーザ注入電流とレーザ光出力との関係を示すグラフである。 （ａ）〜（ｃ）は、第３の調整ステップを説明するための説明図である。 変形例１としてのレーザユニットの調整装置の概略構成を示す図である。 変形例２としてのレーザユニットの調整装置の概略構成を示す図である。 従来の光ピックアップ装置の構成を示す上面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。

本実施形態のレーザユニットは、出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザを備え、第１および第２の半導体レーザのいずれかの出射光を外部へ出射する構成になっている。

図１は、本実施形態のレーザユニットの概略構成を示す斜視図である。図１に示されるように、本実施形態のレーザユニット（以下、本レーザユニットと記す）は、２波長半導体レーザ１（第２の半導体レーザ）、青色半導体レーザ２（第１の半導体レーザ）、ダイクロイックビームスプリッタ３（光学素子）、回折素子４、およびモニタＰＤ５（光検出手段）で構成されている。そして、これらの部品は、レーザユニット筐体６に搭載されている。

本レーザユニットにおいては、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２は、出射レーザ光（出射光）の光軸が異なる（具体的には互いに直交する）ように配置されている。そして、これら半導体レーザの出射レーザ光（レーザ光７・８）のうち１つの出射レーザ光の光軸と同一になるように外部へ出射するようになっている。図１に示される構成では、レーザユニットの出射レーザ光の光軸は、２波長半導体レーザ１の出射レーザ光の光軸と同一になっている。なお、図１では、２波長半導体レーザ１の出射レーザ光７の光軸方向をＺ方向とし、２波長半導体レーザ２の出射レーザ光８の光軸方向をＸ方向とし、Ｘ方向およびＺ方向に垂直な方向をＹ方向としている。

２波長半導体レーザ１には、レーザユニットの出射レーザ光（往路９ａの光）の光軸に対して平行なＹ方向に基準面１ａ（第２の基準面）が形成されている。この基準面１ａは、ＸＺ平面に平行な面になっている。また、青色半導体レーザ２には、レーザユニットの出射レーザ光の光軸に対して垂直なＺ方向に基準面２ａ（第１の基準面）が形成されている。

レーザユニット筐体６には、基準面１ａおよび２ａと対向する位置にそれぞれ、位置決め面６ａおよび６ｂが形成されている。２波長半導体レーザ１は基準面１ａと位置決め面６ａ（第２の位置決め面）を当接した状態で、青色半導体レーザ２は基準面２ａと位置決め面６ｂ（第１の位置決め面）を当接した状態でそれぞれ位置決め固定されている。

２波長半導体レーザ１は、波長６５０ｎｍ帯または７８０ｎｍ帯のレーザ光７を出射する。７８０ｎｍ帯の光ビームは、ＣＤ系ディスクの記録再生を行うために用いられる。また、６５０ｎｍ帯の光ビームは、ＤＶＤ系ディスクの記録再生を行うために用いられる。

青色半導体レーザ２は、波長４０５ｎｍ帯のレーザ光８を出射する。４０５ｎｍ帯のレーザ光８は、ＢＤ系ディスクの記録再生を行うために用いられる。

回折素子４は、２波長半導体レーザ１から放射されたレーザ光７を０次光と±１次光との３つの光に分割する。回折素子４が設けられることにより、３ビーム法やＤＰＰ法を用いたトラッキングエラー信号の検出が可能になる。

ダイクロイックビームスプリッタ３は、波長４０５ｎｍ付近の波長であるレーザ光８の一部を反射する一方、波長６５０ｎｍまたは波長７８０ｎｍ付近の波長であるレーザ光７一部を透過する。そして、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２から出射されたレーザ光の一部を略同一の光路９ａ（以下、往路９ａと記す）に導く。すなわち、ダイクロイックビームスプリッタ３は、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２が出射するレーザ光７・８のうちレーザ光７の光軸と同一の光軸になるようにレーザユニット外部へ出射する光学素子である。また、本レーザユニットにおいては、レーザ光７・８の一部は、他方の光路１０に導かれ、光路１０の先に配置されたモニタＰＤ５で受光するようになっている。

モニタＰＤ５は、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２の光出力強度を検出する。モニタＰＤ５の検出信号を利用して、半導体レーザの光出力強度が一定となるようレーザ注入電流の制御が行われる。

図２は、本レーザユニットが搭載された３波長の光ピックアップ装置（以下、本光ピックアップ装置と記す）の概略構成を模式的に示す上面図である。この光ピックアップ装置は、ＢＤ系、ＤＶＤ系、ＣＤ系のディスクの記録再生を行うために用いられる。それゆえ、本光ピックアップ装置が搭載された光情報機器は、ＢＤ系、ＤＶＤ系、ＣＤ系のディスクの記録、再生、もしくは記録再生を実現する機器であれば、特に限定されない。

なお、図２においては、上記図１に示された構成を有する本レーザユニットをレーザユニット２５として示している。

図２に示されるように、レーザユニット２５はメインハウジング２２に位置決めして取り付けられている。メインハウジング２２内には、青立上げミラー１５、青対物レンズ１７、２波長立上げミラー１４、２波長対物レンズ１６、広帯域１／４波長板１３、コリメートレンズ１２、コリメートレンズ駆動ユニット２１、偏光ビームスプリッタ１１、ホログラム素子１８、センサレンズ１９、および受光素子２０が収容されている。本光ピックアップ装置では、青対物レンズ１７、および２波長対物レンズ１６は、図示しないアクチュエータに搭載され、光軸方向および光軸と直交する方向に駆動可能となっている。

偏光ビームスプリッタ１１は、レーザユニット２５から放射されたレーザ光９を反射して向きを変える。レーザユニット２５から放射されたレーザ光９は直線偏光である。偏光ビームスプリッタ１１は、レーザユニット２５から放射されたレーザ光９を反射し、レーザ光９の偏光方位と直交する直線偏光を透過するように設計されている。後述するように本光ピックアップ装置では、レーザユニット２５から放射されたレーザ光９と光ディスクからの反射光とは、偏光方位が約９０°異なっている。偏光ビームスプリッタ１１は、往路光を反射し、復路光を透過するように設計されている。

コリメートレンズ１２は、偏光ビームスプリッタ１１によって反射されたレーザ光を略平行光とする。コリメートレンズ１２は、コリメートレンズ駆動ユニット２１に搭載されており、光軸方向に可動するようになっている。ＢＤ系ディスクの記録再生においては、開口数が高いため、光ディスクの保護層の厚み誤差に起因する球面収差の影響が大きくなる。駆動ユニット２１は、コリメートレンズ１２を駆動することにより、この球面収差を補正する。

広帯域１／４波長板１３は、波長４０５〜７８０ｎｍの直線偏光を円偏光に変換し、逆に円偏光を直線偏光に変換する。本光ピックアップ装置では、広帯域１／４波長板１３を往復することにより、直線偏光は偏光方位が９０度回転する。

２波長立上げミラー１４は、波長６５０ｎｍ帯または７８０ｎｍ帯のレーザ光を反射し、波長４０５ｎｍ帯のレーザ光を透過する。２波長立上げミラー１４で反射されたレーザ光は２波長対物レンズ１６に導かれる。また、青立上げミラー１５は波長４０５ｎｍ帯のレーザ光を反射する。そして、青立上げミラー１５で反射されたレーザ光は青対物レンズ１７に導かれる。

２波長対物レンズ１６は、ＣＤ系ディスクまたはＤＶＤ系ディスクに対して、入射されたレーザ光を集光して光情報記録層に光スポットを形成する。青対物レンズ１７は、ＢＤ系ディスクに対して、入射されたレーザ光を集光して光情報記録層に光スポットを形成する。

ホログラム素子１８は、光ディスクからの戻り光を回折して、複数の回折光線に分割する機能を有している。例えば、ホログラム素子に入射するレーザ光の８０％をそのまま０次光として透過し、残りの２０％を±１次光として２つに分割して出射する機能を有している。

センサレンズ１９は、シリンドリカル面を有するレンズである。センサレンズ１９は光ディスクからの反射光に非点収差を与える。本光ピックアップ装置では、このレンズの挿入によって、非点収差法によるフォーカス誤差信号検出が可能になる。

受光素子２０は、センサレンズ１９を通過したレーザ光を受光し、各種のサーボ信号に変換する。

次に、３波長光ピックアップ装置の動作について説明する。２波長半導体レーザ１から出射された波長６５０ｎｍ帯のレーザ光（第１のレーザ光）７は、ダイクロイックビームスプリッタ３を透過し、偏光ビームスプリッタ１１で反射され、往路９ａに配されたコリメートレンズ１２で平行光化される。平行光化されたレーザ光７は、広帯域１／４波長板１３を透過して円偏光になり、２波長立上げミラー１４で反射されて光ディスクの法線方向に立ち上げられ、２波長対物レンズ１６によって光ディスクの記録再生面に集光される。光ディスクの記録再生面で反射された光は、往路９ａと逆の経路（復路９ｂ）を辿ってコリメートレンズ１２、偏光ビームスプリッタ１１へと導かれる。すなわち、２波長対物レンズ１６、２波長立上げミラー１４、広帯域１／４波長板１３を通過し、光路（往路）９ａの光とは直交する直線偏光になり、コリメートレンズ１２、偏光ビームスプリッタ１１へと導かれる。そして、復路９ｂの光は、図２に示されるように、偏光ビームスプリッタ１１を透過し、ホログラム素子１８、センサレンズ１９、受光素子２０という経路で信号検出光学系に導かれる。

一方、青色半導体レーザ２から出射された波長４０５ｎｍ帯のレーザ光（第２のレーザ光）８は、ダイクロイックビームスプリッタ３に入射し反射され、偏光ビームスプリッタ１１で反射され、往路９ａに配されたコリメートレンズ１２で平行光化される。平行光化されたレーザ光８は、１／４波長板１３を透過し円偏光になり、２波長立上げミラー１４を透過し、青立上げミラー１５により反射されて光ディスクの法線方向に立ち上げられ、青対物レンズ１７により光ディスクの記録再生面に集光される。光ディスクの記録再生面で反射された反射光は、往路９ａと逆の経路（復路９ｂ）を辿って、コリメートレンズ１２へ導かれる。すなわち、青対物レンズ１７、青立上げミラー１５、２波長立上げミラー１４を通って、コリメートレンズ１２へ導かれ、ホログラム素子１８、センサレンズ１９、受光素子２０という経路で信号検出光学系に導かれる。

本光ピックアップ装置の光学系では、復路９ｂの光学系について、広帯域１／４波長板１３から受光素子２０に至る光学系がＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤ共通の光学系になっている。ＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤともにトラック誤差信号、フォーカス誤差信号、再生信号を共通の受光素子２０で検出する。特に調整を簡単化するため、ＢＤおよびＤＶＤの再生信号検出用受光部が同一になっている。このとき、ＢＤ用光源とＤＶＤ用光源との位置ずれがあると、どちらか一方のレーザ光について、光軸と再生信号検出用受光部の中心軸とがずれる。このため、各種サーボ信号を正確に検知できなくなる。

例えば、青色半導体レーザ２と２波長半導体レーザ１との位置が光軸方向に数十μｍずれた場合、一方のフォーカス誤差信号は常にオフセットが発生し、正確なフォーカス制御ができなくなる。また、面内方向に十μｍずれた場合、一方のトラッキング誤差信号に常にオフセットが発生して正確なトラッキング制御ができなくなり、フォーカス誤差信号へのトラッキング誤差信号の漏れ込みが大きくなり、フォーカス制御が不安定になる。これらの問題を避けるために、レーザユニットに搭載される複数の半導体レーザの発光点位置をミクロンオーダーで調整する。

以下、レーザユニットの具体的な調整手順について図を参照して説明する。図３は、調整部材として用いるレーザユニットの調整装置の概略構成を模式的に示す上面図である。図３に示されるように、２波長半導体レーザ１、青色半導体レーザ２、およびレーザユニット筐体６は、部品セット部５０にセットされている。また、レーザユニット筐体６には、ダイクロイックビームスプリッタ３が搭載されている。

また、レーザユニットの調整装置は、２波長半導体レーザ１を位置調整する駆動機構５１と、青色半導体レーザ２を位置調整する駆動機構５２と、観測系５６と、集光レンズ５７と、撮像素子５８と、撮像素子の信号を出力するモニタ５９と、観測系５６を位置調整する駆動機構６０と、半導体レーザの出力を検出するパワーメータ６１とで構成される。観測系５６は、コリメートレンズ５４およびハーフミラー５５で構成される。なお、図中の矢印は、駆動機構５１，５２，６０それぞれの駆動方向を示している。

２波長半導体レーザ１は、駆動機構５１に保持されており、Ｘ方向およびＺ方向に位置調整可能になっている。なお、Ｙ方向における２波長半導体レーザ１の移動は、レーザユニット筐体６との当接により規制されている。青色半導体レーザ２は、駆動機構５２に保持されており、Ｙ方向に位置調整可能になっている。Ｘ方向またはＺ方向における青色半導体レーザ２の移動は、レーザユニット筐体６との当接により規制されている。また、観測系５６は、駆動機構６０に支持されており、Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向の３方向に位置調整可能になっている。

上記構成を備えた調整装置を用いたレーザユニットの調整方法（以下、本調整方法と記す）は、以下のステップを有している。すなわち、複数の半導体レーザ同士の発光点を調整する第１の調整ステップと、半導体レーザとコリメートレンズとの光軸を調整する第２の調整ステップと、コリメートレンズの焦点位置と半導体レーザの発光点とを一致させる第３の調整ステップとを有している。

以下、それぞれの調整ステップについて説明する。まず、第１の調整ステップについて図４（ａ）〜（ｃ）、および図５（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。図４（ａ）〜（ｃ）は、第１調整ステップでの青色半導体レーザ２の位置調整（フォーカス調整）を説明するための説明図である。図５（ａ）〜（ｃ）は、第１調整ステップでの２波長半導体レーザ１の位置調整（フォーカス調整）を説明するための説明図であり、図５（ｄ）および（ｅ）は、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２について、互いの発光点の調整（光軸調整）を説明するための説明図である。

まず、青色半導体レーザ２を発光させレーザ光８を出射する。このレーザ光８は、図４（ａ）に示されるように、ダイクロイックビームスプリッタ３で反射され、コリメートレンズ５４で平行光化された後、ハーフミラー５５を透過し、集光レンズ５７によって撮像素子５８に集光される。青色半導体レーザ２の発光点位置とコリメートレンズ５４の焦点位置とがずれていれば、撮像素子５８で検知する集光スポット６２は、図４（ｂ）に示すようにデフォーカスしスポット径が広がった状態となる。この集光スポット６２の径が最小となるよう、駆動機構６０を用いて観測系５６をＺ方向に位置調整する（図４（ｃ））。このとき、青色半導体レーザ２の集光スポット６２のＸ、Ｙ座標の値を取得する。

続いて、２波長半導体レーザ１を発光させレーザ光７を出射する。このレーザ光７は、図５（ａ）に示されるように、ダイクロイックビームスプリッタ３を透過し、コリメートレンズ５４で平行光化された後、ハーフミラー５５を透過し、集光レンズ５７によって像素子５８に集光される。２波長半導体レーザ１の発光点位置とコリメートレンズ５４の焦点位置とがずれていれば、図５（ｂ）に示されるように、撮像素子５８で検知する集光スポット６３はデフォーカスしスポット径が広がった状態となる。この集光スポット６３の径が最小となるよう、駆動機構５１を用いて２波長半導体レーザ１をＺ方向に調整する（図５（ｃ））。このとき、２波長半導体レーザ１の集光スポット６３のＸ、Ｙ座標を取得する。

そして、２波長半導体レーザ１の集光スポット６３の座標と先ほど取得した青色半導体レーザ２の集光スポット６２の座標との差分を演算する。図５（ｄ）に示されるように、Ｘ方向の差分については、該差分をキャンセルする方向に、駆動機構５１により２波長半導体レーザ１をＸ方向に位置調整する。同様にＹ方向の差分については、図５（ｅ）に示されるように、該差分をキャンセルする方向に、駆動機構５２により、青色半導体レーザ２をＹ方向に位置調整する。このように、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２について、互いの発光点の調整を行って、第１の調整ステップが完了する。

以上のように、第１の調整ステップでは、２波長半導体レーザ１のＸ座標は青色半導体レーザ２のＸ座標に対して調整され、青色半導体レーザ２のＹ座標は２波長半導体レーザ１のＹ座標に対して調整されている。このように調整されることで２つの半導体レーザの発光点位置を一致させている。このため、それぞれの半導体レーザの位置について、３方向に調整する必要が無く、調整軸を削減することができる。それゆえ、調整時間の短縮が可能となる。

続いて第２の調整ステップについて図６を参照して説明する。図６（ａ）および（ｂ）は、第２の調整ステップを説明するための説明図である。なお、図６（ａ）および（ｂ）は、２波長半導体レーザ１を発光させたときのステップを示している。まず、図６（ａ）は、第１の調整ステップが完了し、２波長半導体レーザ１と青色半導体レーザ２とについて、光軸が一致している状態を示している。

次に、２波長半導体レーザ１を発光させ、図６（ａ）に示された状態での撮像素子５８上の集光スポット６３のＸ，Ｙ座標を取得する。そして、取得された集光スポット６３のＸ，Ｙ座標と、予め設定された基準座標との差分を演算する。図６（ｂ）では、モニタ５９の十字線交点を基準座標としている。演算したＸ方向およびＹ方向の差分について、これら差分をキャンセルする方向に、駆動機構６０を用いて観測系５６を位置調整し、第２の調整ステップが完了する。

上記の例では、２波長半導体レーザ１の集光スポット６３の検出値に基づいて、観測系５６の調整を行っている。しかしながら、第２の調整ステップにおいては、青色半導体レーザ２の集光スポット６２の検出値に基づいて、観測系５６の調整を行っても何ら問題は無い。２つの半導体レーザの発光点は、第１の調整ステップにより位置調整を完了して一致している状態である、このため、何れかの半導体レーザの集光スポットの検出値に基づいて調整すれば、複数の半導体レーザの発光点とコリメートレンズ５４の焦点とを一致させることができる。

続いて第３の調整ステップでは、複数の半導体レーザそれぞれの発光点とコリメートレンズの焦点位置との微調整を行う。この第３の調整ステップには、半導体レーザの自己結合効果を利用する。まず、半導体レーザの自己結合効果について、図７を参照して説明する。図７（ａ）は自己結合効果を説明するための図であり、図７（ｂ）は、自己結合効果が生じた際のレーザ注入電流とレーザ光出力との関係を示すグラフである。

図７（ａ）に示された光学系は、半導体レーザ３１、コリメートレンズ３２、およびミラー３３から構成される。このような光学系における自己結合効果について説明する。

図７（ａ）に示された光学系では、半導体レーザ３１から出射されたレーザ光は、コリメートレンズ３２により平行光化され、ミラー３３により反射されて再び半導体レーザ３１に戻ってくる。このような場合、半導体レーザ３１では、注入電流の閾値が、戻り光の強度に比例して低下する「自己結合効果」と呼ばれる現象を示す。

図７（ｂ）に、そのときの注入電流−光出力特性を示す。図７（ｂ）において、破線は通常発振状態における注入電流−光出力特性を示し、実線は自己結合効果が生じたときの注入電流−光出力特性を示す。図７（ｂ）に示すように、自己結合効果が生じたとき、注入電流の閾値電流が低下する。

コリメートレンズ３２の光軸に対してミラー３３の法線が平行となるよう調整されていれば、コリメートレンズ３２からミラー３３に向かう出射光は、完全な平行光であり、その光軸がミラー３３の法線と平行である。このような場合、戻り光はそのまま半導体レーザ３１の発光点に戻り、自己結合効果が最大となり、注入電流の閾値の変化が最大となる。

一方、コリメートレンズ３２の出射光が平行光からずれていたり光軸がずれている場合、戻り光は発光点には戻らなかったり大きい点になったりする。このような場合、半導体レーザ３１に対する注入電流を一定にしておけば、コリメートレンズ３２の出射光が完全な平行光である状態よりも小さな強度となる。したがって、半導体レーザ３１の出力を検出することにより、コリメートレンズ３２の出射光が平行光状態かどうかの調整を適正に行うことができる。また、半導体レーザ３１の出力が一定になるように注入電流を制御しておけば、コリメートレンズ３２の出射光が平行光状態からずれると注入電流が大きくなるので、この注入電流の変化を注入電流検出手段により検出することによってコリメートレンズ３２の出射光が平行光状態かどうかの調整を適正に行うことができる。なお、自己結合効果については、特開２００２−３７３４４９等にも開示されている。

この自己結合効果は極めて精度が高い。それゆえ、この自己結合効果を用いれば、半導体レーザ活性層の厚み方向やそれと垂直な方向にはミクロンオーダー、光軸方向の位置変化については１０ミクロンオーダーの位置ずれ検出が可能である。そして、この自己結合効果を活用して、複数の半導体レーザの位置調整を行うことも可能である。すなわち、上記の自己結合効果を利用した発光点位置調整方法により、コリメートレンズ３２の焦点と複数の半導体レーザの位置とを調整することで、複数の半導体レーザの相対位置ずれを光軸方向について±１０ミクロン、光軸に直交する方向について±５ミクロン以下の精度で調整が可能である。

なお、半導体レーザの自己結合効果を用いて半導体レーザの位置調整を行う場合、ミクロン単位で半導体レーザの位置を移動させ、自己結合効果を確認する必要がある。それゆえ、仮に半導体レーザの初期位置が数百ミクロンのオーダでずれていた場合、自己結合効果が発現する位置に半導体レーザを移動させるまでに長時間を要する可能性がある。

しかし、本発明においては、第１、及び、第２の調整ステップにて２つの半導体レーザの発光点位置とコリメートレンズの焦点位置の粗調整を完了している。このため、自己結合効果発現までの位置調整を狭い範囲に留めることができ、調整時間を大幅に短縮することが可能である。

続いて、上述の自己結合効果を利用した、第３の調整ステップについて、図８を参照して説明する。図８（ａ）〜（ｃ）は、第３の調整ステップを説明するための説明図である。

図８（ａ）および（ｂ）は、第２の調整ステップが完了し、２波長半導体レーザ１と青色半導体レーザ２とのそれぞれについて、発光点とコリメータレンズ５４の焦点との粗調整が完了している状態を示す。これらの状態から、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２の微調整（第３の調整ステップ）について説明する。

まず、図８（ａ）に示されるように、青色半導体レーザ２を発光させレーザ光８を出射する。このレーザ光８の出力については、ダイクロイックビームスプリッタ３を透過したレーザ光８（光路１０のレーザ光）をパワーメータ６１で検出している。

レーザ光８は、コリメータレンズ５４で平行光化された後、ハーフミラー５５で一部反射し再び青色半導体レーザ２に戻ってくる。このとき、青色半導体レーザ２への注入電流を一定に制御している場合、青色半導体レーザ２のレーザ光出力は、自己結合効果により増加ずる。そして、青色半導体レーザ２のレーザ光出力が最大になったとき、ハーフミラー５５で反射した戻り光が青色半導体レーザ２の発光点に戻り、戻り光の光軸がハーフミラー５５の法線に平行になる。第３の調整ステップでは、青色半導体レーザ２のレーザ光出力をパワーメータ６１で検出する。そして、検出されたレーザ光出力が最大になるように、青色半導体レーザ２および観測系５６を移動させて微調整を行う。なお、この微調整は、青色半導体レーザ１をＹ方向に移動させ、観測系５６をＸ、Ｚ方向に移動させることで行う。

次に、図８（ｂ）に示されるように、２波長半導体レーザ１を発光させレーザ光７を出射する。このレーザ光７の出力については、ダイクロイックビームスプリッタ３を反射したレーザ光８（光路１０のレーザ光）をパワーメータ６１で検出している。

このとき、２波長半導体レーザ１のレーザ光出力は、青色半導体レーザ２の調整と同様の原理で、自己結合効果により増加する。このレーザ光出力をパワーメータ６１で検出しながら、２波長半導体レーザ１をＸ，Ｚ方向に移動させて、レーザ光出力が最大になるように微調整を行う。

そして、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２をレーザユニット筐体６に接着固定して、レーザユニットにおける半導体レーザの位置調整が完了する。

上述した本調整方法では、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２の位置調整を順番に行っていた。しかしながら、本調整方法においては、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２の位置調整を同時に行ってもよい。このように位置調整を同時に行う場合、撮像素子５８としてＲＧＢ検出が可能なカラー撮像素子を用いることで、複数の半導体レーザの各集光スポット座標の観測、および各半導体レーザの位置調整を同時に行うことができる。それゆえ、位置調整時間の短縮が可能になる。

また、本レーザユニットの調整装置は、図３に示された構成に限定されず、本レーザユニットから出射するレーザ光を平行化し撮像素子上で集光できる構成であればよい。以下、本レーザユニットの調整装置の構成において、図３に示す構成の変形例について説明する。図９は、変形例１としての調整装置の概略構成を示す図である。

図９に示されるように、変形例１としての調整装置は、ハーフミラー５５と集光レンズ５７との間にダイクロイックビームスプリッタ６４が配置されている。図９に示された構成では、ダイクロイックビームスプリッタ６４は、２波長半導体レーザ１のレーザ光７と青色半導体レーザ２のレーザ光８とが互いに異なる方向に反射するように設計されている。そして、ダイクロイックビームスプリッタ６４で反射したレーザ光７・８のいずれかが向かう方向に、集光レンズ６５、および撮像素子６６が配置されている。そして、撮像素子５８および撮像素子６６上の集光スポットの座標は、モニタ５９で取得するようになっている。図９に示された構成により、複数の半導体レーザの各集光スポット座標の観測、および各半導体レーザの位置調整を同時に行うことができる。それゆえ、位置調整時間の短縮が可能になる。

また、図３に示された構成では、半導体レーザのレーザ光出力を検出するパワーメータ６１がレーザユニット筐体６の近傍に配置されていた。しかしながら、本レーザユニットの調整装置におけるパワーメータ６１の配置は、図３に示された構成に限定されない。図１０は、変形例２としての調整装置の概略構成を示す図である。

図１０に示されるように、ダイクロイックビームスプリッタ６４は、レーザ光の光路間に配置され、ダイクロイックビームスプリッタ６４で反射されたレーザ光が進む方向にパワーメータ６１が配置されている。図１０に示された構成であっても、２波長半導体レーザ１および青色半導体レーザ２の位置調整が可能である。

また、本調整方法では、半導体レーザのレーザ光出力をパワーメータ６１により検出している。半導体レーザのレーザ光出力を検出する手段は、パワーメータ６１に限定されない。半導体レーザのレーザ光出力を検出する手段として撮像素子５８を用いてもよい。この場合、撮像素子５８の出力信号、例えば階調差などによりレーザ光出力を検知することができる。この場合、調整装置の部品点数を削減できるため、調整装置を安価に構成することが可能となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、複数の半導体レーザの発光点位置を高精度に調整固定し、さらに接着後の位置安定性に優れたレーザユニットを効率良く製造することが可能となる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることは言うまでもない。

（本発明の別の表現）
本発明は、以下のように表現することができる。

（１）複数の半導体レーザから出射された光束を出射するレーザユニットであって、レーザ光を出射する複数の半導体レーザと、複数の半導体レーザの出射光を同一の光軸に出射する光学素子と、前記複数の半導体レーザと前記光学素子を搭載する筐体とを備え、前記半導体レーザは少なくとも一方向に基準面を有し、前記筐体は前記半導体レーザに形成された基準面に対向する位置に位置決め面を有し、前記半導体レーザの一方には出射光の光軸に対して垂直な面に基準面が形成され、他方の半導体レーザには出射光の光軸に対して平行な面に基準面が形成されていることを特徴とするレーザユニット。

（２）前記半導体レーザは、前記筐体の位置決め面に基準面を当接して位置決め固定されていることを特徴とする、（１）に記載のレーザユニット。

（３）前記半導体レーザはそれぞれが異なる波長のレーザ光を出射し、前記光学素子は前記半導体レーザのうち一方のレーザ光を透過し、他方のレーザ光を反射することを特徴とする、（１）または（２）に記載のレーザユニット。

（４）前記光学素子は、レーザ光の一部を他方に導くことを特徴とする、（３）に記載のレーザユニット。

（５）前記半導体レーザから出射されたレーザ光を検知する光検出手段を備え、前記光検出手段は、前記光学素子で他方に導かれたレーザ光を検知することを特徴とする、（１）に記載のレーザユニット。

（６）前記光出力検出手段は、前記筐体に搭載されることを特徴とする、（５）に記載のレーザユニット。

（７）（１）〜（６）の何れかに記載のレーザユニットを搭載した光ピックアップ装置。

（８）（７）に記載の光ピックアップ装置を搭載した光情報機器。

（９）複数の半導体レーザから出射された光束を出射するレーザユニット内の複数の半導体レーザの相対位置を調整するレーザユニット調整方法であって、半導体レーザからの出射光を略平行光化するコリメートレンズと、コリメートレンズの光軸に垂直なミラー面を持つ平面ミラーと、コリメートレンズを透過した光束を集光する集光レンズと、撮像素子とを備え、半導体レーザ同士の発光点の相対位置を調整する第１の調整ステップ、半導体レーザとコリメートレンズの光軸を調整する第２の調整ステップ、コリメートレンズの焦点位置と半導体レーザの発光点を一致させる第３の調整ステップを経て半導体レーザの位置調整を行うことを特徴とするレーザユニット調整方法。

（１０）前記第１、及び、第２の調整ステップは、前記撮像素子にて検出した半導体レーザから出射されたレーザ光の位置情報をもとにして行うことを特徴とする、（９）に記載のレーザユニット調整方法。

（１１）前記コリメートレンズをＸ、Ｙ、Ｚの３方向に移動させる駆動手段を備え、前記第２の調整ステップは駆動手段にて前記コリメートレンズの位置を調整して行うことを特徴とする、（９）または（１０）に記載のレーザユニット調整方法。

（１２）前記半導体レーザの出射光の出力を検出する光出力検出手段と、前記半導体レーザへの注入電流を制御する注入電流制御手段とを備え、前記第３の調整ステップにおいて、前記半導体レーザへの注入電流あるいは半導体レーザのレーザ光出力強度を検出し、一方を固定するよう制御し、他方の変化が最大となる位置に前記半導体レーザの位置調整を行うことを特徴とする、（９）に記載のレーザユニット調整方法。

（１３）前記第３の調整ステップにおいて、前記半導体レーザの出力検出は、レーザユニット筐体に搭載された前記光検出手段を用いることを特徴とする、（１２）に記載のレーザユニット調整方法。

（１４）前記第３の調整ステップにおいて、前記半導体レーザの出力検出は、前記撮像素子を用いることを特徴とする（９）または（１２）に記載のレーザユニット調整方法。

（１５）前記半導体レーザは、それぞれが異なる波長のレーザ光を出射し、前記撮像素子は、ＲＧＢ検出が可能なカラー撮像素子であることを特徴とする、（９）に記載のレーザユニット調整方法。

（１６）前記コリメートレンズと、前記撮像素子の光路間に、レーザ光を分波するレーザ光分波手段を備え、前記レーザ光分波手段にて分波されたレーザ光を検出する第２の撮像素子を備えることを特徴とする、（９）に記載のレーザユニット調整方法。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明のレーザユニット、及びレーザユニットの調整方法は、多波長光ピックアップ装置の生産性改善に有用である。

１ ２波長半導体レーザ（第２の半導体レーザ）
２ 青色半導体レーザ（第１の半導体レーザ）
３ ダイクロイックビームスプリッタ（光学素子）
４ 回折素子
５ モニタＰＤ（光検出手段）
６ レーザユニット筐体（筐体）
９ａ 往路
９ｂ 復路
１１ 偏光ビームスプリッタ
１２，３２，５４ コリメートレンズ
１３ 広帯域１／４波長板
１４ ２波長立上げミラー
１５ 青立上げミラー
１６ ２波長対物レンズ
１７ 青対物レンズ
１８ ホログラム素子
１９ センサレンズ
２０ 受光素子
２１ コリメートレンズ駆動ユニット
２２ メインハウジング
２５ レーザユニット
３３ ミラー
５０ 部品セット部
５１，５２，６０ 駆動機構
５５ ハーフミラー（平面ミラー）
５６ 観測系
５７，６５ 集光レンズ
５８，６６ 撮像素子
５９ モニタ
６１ パワーメータ
６２，６３ 集光スポット
６４ ダイクロイックビームスプリッタ（光分波手段）

Claims (5)

1. 出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザと、
   前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射する光学素子と、
   前記第１および第２の半導体レーザと前記光学素子とを収容する筐体とを備え、
   前記第１の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し垂直な面に第１の基準面が形成されており、前記第２の半導体レーザには、前記光学素子からの出射光の光軸に対し平行な面に第２の基準面が形成されており、前記筐体には、前記第１および第２の基準面と対向する位置にそれぞれ、第１および第２の位置決め面が形成されていることを特徴とするレーザユニット。
2. 前記第１および第２の半導体レーザはそれぞれ、第１および第２の基準面が前記筐体の第１および第２の位置決め面と当接した状態で、位置決め固定されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザユニット。
3. 請求項１または２に記載のレーザユニットが搭載されたことを特徴とする光ピックアップ装置。
4. 請求項３に記載の光ピックアップ装置が搭載されたことを特徴とする光情報機器。
5. 出射光の光軸が異なるように配置された第１および第２の半導体レーザを備え、前記第１および第２の半導体レーザの出射光が同一の光軸になるように外部へ出射するレーザユニットについて、前記第１および第２の半導体レーザの相対位置を調整するレーザユニット調整方法であって、
   前記第１および第２の半導体レーザの出射光を略平行光化するコリメートレンズと、前記コリメートレンズの光軸と垂直なミラー面を有する平面ミラーと、前記コリメートレンズを透過した光を集光する集光レンズと、前記集光レンズにより集光した光をスポットとして撮像する撮像素子とを備えた調整装置を調整部材として用い、
   前記第１および第２の半導体レーザ同士の発光点の相対位置を調整する第１の調整ステップと、
   前記第１および第２の半導体レーザとコリメートレンズの光軸とを調整する第２の調整ステップと、
   前記コリメートレンズの焦点位置と前記第１および第２の半導体レーザそれぞれの発光点とを一致させる第３の調整ステップと、を経て半導体レーザの位置調整を行うことを特徴とするレーザユニット調整方法。

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