JP2011154676A - 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム - Google Patents
半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011154676A JP2011154676A JP2010262994A JP2010262994A JP2011154676A JP 2011154676 A JP2011154676 A JP 2011154676A JP 2010262994 A JP2010262994 A JP 2010262994A JP 2010262994 A JP2010262994 A JP 2010262994A JP 2011154676 A JP2011154676 A JP 2011154676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- write command
- parity
- semiconductor recording
- user data
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/29—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes combining two or more codes or code structures, e.g. product codes, generalised product codes, concatenated codes, inner and outer codes
- H03M13/2906—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes combining two or more codes or code structures, e.g. product codes, generalised product codes, concatenated codes, inner and outer codes using block codes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Probability & Statistics with Applications (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
【解決手段】ユーザデータ及びパリティデータを記録するためのフラッシュメモリ18と、フラッシュメモリ18にユーザデータの記録を指示する第1のライトコマンドを受信する外部インターフェイス部10と、パリティデータの有効又は無効を示す管理情報を管理するブロック管理部12とを備える。ブロック管理部12は、外部インターフェイス部10を介して受信した第1のライトコマンドに関連するユーザデータがフラッシュメモリ18に記録される際に、当該ユーザデータに対応するパリティデータが無効であることを示すように管理情報を更新する。
【選択図】図2
Description
まず、実施の形態1に係る半導体記録装置及び半導体記録システムについて、図2を用いて説明する。図2は、実施の形態1に係る半導体記録システムの全体構成を示す図である。
(T2)半導体記録装置200において、パリティデータをライトしている途中
(T3)半導体記録装置200において、ユーザデータのライトが完了後、ユーザデータと関連するパリティデータのライトが開始される前
(T4)(T1)〜(T3)に該当しないタイミング
次に、実施の形態2に係る半導体記録装置及び半導体記録システムについて、図9を用いて説明する。図9は、実施の形態2に係る半導体記録システムの全体構成を示す図である。
2 専用ドライバ
3 第1のECC処理部
4 専用コマンド処理部
5 汎用コマンド処理部
6、10 外部インターフェイス部
11、20 コマンド解析部
12 ブロック管理部
13、21 論物変換テーブル
14 空ブロックテーブル
15、22 ECCパリティ管理テーブル
16 第2のECC処理部
17 フラッシュメモリアクセス部
18、23 フラッシュメモリ
Claims (15)
- ユーザデータ及びパリティデータを記録するための不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに前記ユーザデータの記録を指示する第1のライトコマンドを受信するインターフェイス部と、
前記パリティデータの有効又は無効を示す管理情報を管理する管理部とを備え、
前記管理部は、
前記インターフェイス部を介して受信した前記第1のライトコマンドに関連するユーザデータが前記不揮発性メモリに記録される際に、当該ユーザデータに対応するパリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新する
半導体記録装置。 - さらに、前記管理情報が登録される管理テーブルを備え、
前記管理部は、前記管理テーブルに登録された前記管理情報を更新することにより、当該管理情報を管理する
請求項1に記載の半導体記録装置。 - 前記不揮発性メモリは、消去単位であるブロックによって構成されており、
前記管理情報は、前記ブロック単位で前記管理テーブルに登録されている
請求項2に記載の半導体記録装置。 - 前記不揮発性メモリは、複数のページからなるブロックによって構成されており、
前記管理情報は、記録可能な最小単位である前記ページ単位で前記管理テーブルに登録されている
請求項2に記載の半導体記録装置。 - 前記インターフェイス部は、前記パリティデータの記録を指示する第2のライトコマンドを受信し、
さらに、受信したコマンドが前記第1のライトコマンドであるか前記第2のライトコマンドであるかを識別するためのコマンド解析部を備え、
前記管理部は、
前記コマンド解析部によって前記受信したライトコマンドが前記第1のライトコマンドであると識別された場合に、前記パリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新し、前記コマンド解析部によって前記受信したライトコマンドが前記第2のライトコマンドであると識別された場合に、前記パリティデータが有効であることを示すように前記管理情報を更新する
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体記録装置。 - 前記外部インターフェイス部は、前記第1のライトコマンドを受信した後に、前記第2のライトコマンドを受信し、
前記管理部は、前記第1のライトコマンドによって前記パリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新した後に、前記第2のライトコマンドによって前記パリティデータが有効であることを示すように前記管理情報を更新する
請求項5に記載の半導体記録装置。 - さらに、前記第1のライトコマンド関連する前記ユーザデータに対応する前記パリティデータを生成して、当該ユーザデータと当該パリティデータとを含むECC符号を生成するためのECC処理部を備える
請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体記録装置。 - さらに、前記第1のライトコマンドを解析して、前記第1のライトコマンドのサイズが所定サイズの整数倍であるか否かを検出するコマンド解析部を備え、
前記ECC処理部は、前記コマンド解析部によって前記第1のライトコマンドのサイズが前記所定サイズの整数倍であると検出された場合に前記ECC符号を生成し、前記コマンド解析部によって前記第1のライトコマンドのサイズが前記所定サイズの整数倍でないと検出された場合に前記ECC符号を生成しない
請求項7に記載の半導体記録装置。 - 前記管理部は、前記コマンド解析部によって前記第1のライトコマンドのサイズが前記所定サイズの整数倍であると検出された場合に、前記記録済みのパリティデータが有効であることを示すように前記管理情報を更新し、前記コマンド解析部によって前記第1のライトコマンドのサイズが前記所定サイズの整数倍でないと検出された場合に、前記記録済みのパリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新する
請求項8に記載の半導体記録装置。 - ホスト機器と半導体記録装置からなる半導体記録システムであって、
前記ホスト機器は、
前記半導体記録装置との間でコマンドの送受信を行う外部インターフェイス部と、
ユーザデータに対するパリティデータを生成し、前記ユーザデータと前記パリティデータとを含むECC符号を生成するECC処理部と、
前記ユーザデータに関連する第1のライトコマンドを生成する第1のコマンド処理部と、
前記パリティデータに関連する第2のライトコマンドを生成する第2のコマンド処理部とを備え、
前記半導体記録装置は、
前記ユーザデータ及び前記パリティデータを記録するための不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリに前記ユーザデータの記録を指示する第1のライトコマンドを受信するインターフェイス部と、
前記パリティデータの有効又は無効を示す管理情報を管理する管理部とを備え、
前記管理部は、
前記外部インターフェイス部を介して受信した前記第1のライトコマンド関連するユーザデータが前記不揮発性メモリに記録される際に、当該ユーザデータに対応するパリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新する
半導体記録システム。 - 前記ホスト機器は、
前記外部インターフェイス部を介して第1のライトコマンド及び第2のライトコマンドを前記半導体記録装置に送信する際に、前記第1のライトコマンドを送信した後で、前記第2のライトコマンドを送信し、
前記半導体記録装置は、さらに、
前記管理情報が登録される管理テーブルを備え、
前記管理部は、
前記第1のライトコマンドに対応するユーザデータの記録開始時において、前記パリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新し、前記第2のライトコマンドに対応するパリティデータの記録終了時に、前記パリティデータが有効であることを示すように前記管理情報を更新する
請求項10に記載の半導体記録システム。 - 前記管理部は、
前記第2のライトコマンドにかかるライト処理を選択的に実施する
請求項10又は11に記載の半導体記録システム。 - 前記第1のコマンド処理部は、
汎用ドライバを用いて前記第1のライトコマンドを生成する
請求項10〜12のいずれか1項に記載の半導体記録システム。 - 前記管理部は、
前記第2のライトコマンドに対応するパリティデータを、汎用ドライバではアクセスすることができない前記不揮発性メモリの領域に記録する
請求項10〜13のいずれか1項に記載の半導体記録システム。 - ユーザデータ及びパリティデータを記録するための不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに前記ユーザデータの記録を指示する第1のライトコマンドを受信するインターフェイス部と、前記パリティデータの有効又は無効を示す管理情報を管理する管理部とを備える半導体記録装置の制御方法であって、
前記インターフェイス部を介して受信した前記第1のライトコマンドに関連するユーザデータが前記不揮発性メモリに記録される際に、当該ユーザデータに対応するパリティデータが無効であることを示すように前記管理情報を更新する
半導体記録装置の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262994A JP5798737B2 (ja) | 2009-12-28 | 2010-11-25 | 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009297391 | 2009-12-28 | ||
JP2009297391 | 2009-12-28 | ||
JP2010262994A JP5798737B2 (ja) | 2009-12-28 | 2010-11-25 | 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011154676A true JP2011154676A (ja) | 2011-08-11 |
JP5798737B2 JP5798737B2 (ja) | 2015-10-21 |
Family
ID=44188972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010262994A Active JP5798737B2 (ja) | 2009-12-28 | 2010-11-25 | 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8762810B2 (ja) |
JP (1) | JP5798737B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160144562A (ko) * | 2015-06-08 | 2016-12-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 모듈 및 그것의 동작 방법 |
KR20170121451A (ko) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 삼성전자주식회사 | 모바일 장치의 동작 방법 및 모바일 장치 |
CN112133019A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 威海新北洋荣鑫科技股份有限公司 | 数据显示方法、装置、自助设备及计算机可读存储介质 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5798737B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム |
US20140089561A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Kiran Pangal | Techniques Associated with Protecting System Critical Data Written to Non-Volatile Memory |
US9268635B2 (en) * | 2014-05-21 | 2016-02-23 | Sandisk Technologies Inc. | Error correction using multiple data sources |
CN105404468B (zh) * | 2014-11-17 | 2020-05-26 | 晶天电子(深圳)有限公司 | 绿能与非固态硬盘应用及其驱动器 |
US9619326B2 (en) | 2014-12-09 | 2017-04-11 | Western Digital Technologies, Inc. | Methods and systems for implementing redundancy in memory controllers |
US9678665B2 (en) * | 2015-03-06 | 2017-06-13 | Western Digital Technologies, Inc. | Methods and systems for memory page allocation |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09204363A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-05 | Toshiba Corp | データメモリ装置 |
JP2008511072A (ja) * | 2004-08-24 | 2008-04-10 | サンディスク スリーディー エルエルシー. | 消去可能/書換え可能メモリ用に設計されたホスト装置で一回又は数回プログラム可能なメモリを使用する方法および装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6161192A (en) * | 1995-10-13 | 2000-12-12 | Compaq Computer Corporation | Raid array data storage system with storage device consistency bits and raidset consistency bits |
US7536495B2 (en) * | 2001-09-28 | 2009-05-19 | Dot Hill Systems Corporation | Certified memory-to-memory data transfer between active-active raid controllers |
US7085819B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-01 | Sigma Storage | System and method for distributed network data storage |
JP4646526B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-03-09 | 株式会社日立製作所 | 記憶制御システム及び同システムの制御方法 |
JP4570891B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-10-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 記憶装置 |
JP2006018373A (ja) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Tdk Corp | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 |
US8959280B2 (en) * | 2008-06-18 | 2015-02-17 | Super Talent Technology, Corp. | Super-endurance solid-state drive with endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear |
JP5798737B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム |
US9342405B2 (en) * | 2011-02-25 | 2016-05-17 | Seagate Technology Llc | Hierarchical data compression testing |
-
2010
- 2010-11-25 JP JP2010262994A patent/JP5798737B2/ja active Active
- 2010-12-27 US US12/978,766 patent/US8762810B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09204363A (ja) * | 1996-01-29 | 1997-08-05 | Toshiba Corp | データメモリ装置 |
JP2008511072A (ja) * | 2004-08-24 | 2008-04-10 | サンディスク スリーディー エルエルシー. | 消去可能/書換え可能メモリ用に設計されたホスト装置で一回又は数回プログラム可能なメモリを使用する方法および装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160144562A (ko) * | 2015-06-08 | 2016-12-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 모듈 및 그것의 동작 방법 |
KR102290988B1 (ko) * | 2015-06-08 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 모듈 및 그것의 동작 방법 |
KR20170121451A (ko) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 삼성전자주식회사 | 모바일 장치의 동작 방법 및 모바일 장치 |
KR102546474B1 (ko) * | 2016-04-25 | 2023-06-22 | 삼성전자주식회사 | 모바일 장치의 동작 방법 및 모바일 장치 |
CN112133019A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 威海新北洋荣鑫科技股份有限公司 | 数据显示方法、装置、自助设备及计算机可读存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110161779A1 (en) | 2011-06-30 |
US8762810B2 (en) | 2014-06-24 |
JP5798737B2 (ja) | 2015-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5798737B2 (ja) | 半導体記録装置、半導体記録装置の制御方法及び半導体記録システム | |
TWI527037B (zh) | 資料儲存方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
US8086787B2 (en) | Wear leveling method, and storage system and controller using the same | |
US8397127B2 (en) | Semiconductor recording device and semiconductor recording device control method | |
US9037782B2 (en) | Method of programming memory cells and reading data, memory controller and memory storage apparatus using the same | |
US10310739B2 (en) | Memory management method, memory control circuit unit and memory storage device | |
US20170039141A1 (en) | Mapping table updating method, memory storage device and memory control circuit unit | |
US20090327804A1 (en) | Wear leveling in flash storage devices | |
US7725646B2 (en) | Method of using a flash memory for a circular buffer | |
US20110231597A1 (en) | Data access method, memory controller and memory storage system | |
US8769188B2 (en) | Nonvolatile memory controller and method for writing data to nonvolatile memory | |
US8516184B2 (en) | Data updating using mark count threshold in non-volatile memory | |
TWI490871B (zh) | 防止讀取干擾的方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置 | |
JP2009237668A (ja) | フラッシュメモリを用いた記憶装置 | |
US20150012687A1 (en) | Method for managing commands in command queue, memory control circuit unit and memory storage apparatus | |
TWI633428B (zh) | 資料儲存裝置與記憶體裝置之資料處理方法 | |
TWI476590B (zh) | 記憶體管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 | |
US8966157B2 (en) | Data management method, memory controller and memory storage apparatus | |
US9530509B2 (en) | Data programming method, memory storage device and memory control circuit unit | |
US20090044085A1 (en) | Defect management method for storage medium and system thereof | |
US8819387B2 (en) | Memory storage device, memory controller, and method for identifying valid data | |
JP4866107B2 (ja) | 不揮発性記憶装置及びその書き込み判定方法 | |
JP6080180B2 (ja) | 不揮発性メモリでのマーカプログラミング | |
JP2010079486A (ja) | 半導体記録装置 | |
TWI509615B (zh) | 資料儲存方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140702 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140812 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140912 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141020 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20141212 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150824 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5798737 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |