JP2011153340A - Apparatus for treatment of flexible board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、成膜等の表面処理を行うような可撓性基板を効率的に予備加熱、脱ガス、材料改質のため処理を行う処理装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for efficiently performing preheating, degassing, and material modification on a flexible substrate that performs surface treatment such as film formation.
半導体薄膜などの薄膜積層体基板には、通常、高剛性の基板が用いられている。一方、例えば太陽電池等に使用される光電変換素子の基板には、軽量で取り扱いが容易であるといった利便性や、大面積化及び大量生産によるコスト低減を図るため、樹脂製シートやステンレス鋼製薄板といった可撓性基板も用いられている。
このような可撓性基板を用いて薄膜積層体を製造する装置としては、主にロールツーロール方式のものと、ステッピングロール方式のものとがある。ロールツーロール方式の製造装置は、複数の各成膜室内を連続的に移動していく可撓性基板上に複数の層を連続的に成膜していくものであり、ステッピングロール方式の製造装置は、成膜室内で可撓性基板を一旦停止させて当該基板上に成膜した後、成膜が終了した可撓性基板部分をその成膜室から次の成膜室へ送り出すものである。
As a thin film laminated substrate such as a semiconductor thin film, a highly rigid substrate is usually used. On the other hand, the substrate of the photoelectric conversion element used for solar cells, for example, is made of a resin sheet or stainless steel for the convenience of being lightweight and easy to handle, and for cost reduction by increasing the area and mass production. A flexible substrate such as a thin plate is also used.
As an apparatus for manufacturing a thin film laminate using such a flexible substrate, there are mainly a roll-to-roll system and a stepping roll system. The roll-to-roll manufacturing device is a device that continuously forms a plurality of layers on a flexible substrate that moves continuously in a plurality of film forming chambers. The apparatus temporarily stops the flexible substrate in the deposition chamber, deposits the film on the substrate, and then sends the flexible substrate portion on which deposition has been completed from the deposition chamber to the next deposition chamber. is there.
このような方式の表面処理装置では、処理前に可撓性基板を加熱し、当該基板上に吸着している水分子等の不純物成分を除去する必要がある。また、処理時間の短縮のためには、事前に可撓性基板を処理温度まで昇温する必要がある。
かかる制御装置としては、特許文献1のように、可撓性基板を搬送しつつ予備加熱及び脱ガス処理を行う加熱処理機構が使用されている。
この加熱処理機構は、成膜処理室の前段に加熱室(脱ガス処理室)を設け、成膜前に可撓性基板を搬送しつつ予備加熱及び脱ガス処理を行っている。
In such a type of surface treatment apparatus, it is necessary to heat a flexible substrate before treatment and remove impurity components such as water molecules adsorbed on the substrate. In order to shorten the processing time, it is necessary to raise the temperature of the flexible substrate to the processing temperature in advance.
As such a control device, a heat treatment mechanism that performs preheating and degassing processing while transporting a flexible substrate is used as disclosed in Patent Document 1.
In this heat treatment mechanism, a heating chamber (degassing chamber) is provided in front of the film forming chamber, and preheating and degassing are performed while the flexible substrate is conveyed before film formation.
しかしながら、このような従来の加熱処理機構では、必要かつ十分な予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を行うためには、大型の加熱室を真空容器に設ける必要があるので、真空チャンバの容積が大きくなり、設備の大型化ひいてはコスト高を招くといった問題がある。
また、可撓性基板は、巻出し室から巻出した後に急激に昇温すると、シワが発生してしまい、品質低下が発生するという問題がある。
However, in such a conventional heat treatment mechanism, it is necessary to provide a large heating chamber in the vacuum vessel in order to perform necessary and sufficient preheating, degassing and material reforming processes. There is a problem in that the volume of the chamber is increased, and the equipment is increased in size and the cost is increased.
Further, the flexible substrate has a problem that wrinkles are generated when the temperature is rapidly increased after being unwound from the unwinding chamber, and the quality is deteriorated.
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、その目的は、小スペースで可撓性基板の予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を効率良く行うことが可能であり、かつ高い精度と応答性で温度及び処理条件の制御を行うことが可能な可撓性基板の処理装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to be able to efficiently perform preheating, degassing, and material modification of a flexible substrate in a small space. Another object of the present invention is to provide a flexible substrate processing apparatus capable of controlling temperature and processing conditions with high accuracy and responsiveness.
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、長手方向に沿って搬送される可撓性基板の表面処理を行う可撓性基板の処理装置において、前記可撓性基板の巻出し室に巻出しロールを配置するとともに、前記巻出しロールのコアに予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を行う加熱機構を設けている。 In order to solve the above-described problems of the prior art, the present invention provides a flexible substrate processing apparatus for performing a surface treatment of a flexible substrate transported along a longitudinal direction. An unwinding roll is disposed in the chamber, and a heating mechanism is provided in the core of the unwinding roll for performing preheating, degassing, and material modification.
本発明において、特に、次のように構成することが好ましい。
(1)前記巻出しロールの外側には、前記可撓性基板を加熱する非接触式加熱機構が配置されている。
(2)前記非接触式加熱機構は、これを往復動させる駆動部を備え、前記駆動部によって、前記非接触式加熱機構が前記巻出しロールに巻かれた前記可撓性基板の巻き径に連動して移動するように構成されている。
In the present invention, the following configuration is particularly preferable.
(1) A non-contact heating mechanism for heating the flexible substrate is disposed outside the unwinding roll.
(2) The non-contact type heating mechanism includes a driving unit that reciprocates the non-contact type heating mechanism, and the driving unit sets the non-contact type heating mechanism to a winding diameter of the flexible substrate wound on the unwinding roll. It is configured to move in conjunction.
(3)前記巻出し室には、前記可撓性基板の温度及び前記巻出しロールのコア温度の少なくとも一方を測定する温度測定器が配置され、前記温度測定器は、前記加熱機構及び前記非接触式加熱機構の出力を制御する温度制御手段に電気的に接続されている。
(4)前記巻出し室には、室内雰囲気中の不純物ガス濃度を測定するガス濃度測定器が配置され、前記ガス濃度測定器は、前記室内雰囲気中の不純物ガス濃度を監視するガス濃度監視手段に電気的に接続されている。
(5)前記巻出しロールは、これを回転駆動させる回転駆動部を備え、前記回転駆動部及び前記非接触式加熱機構の駆動部は、前記巻出しロールの回転速度及び前記非接触式加熱機構の移動距離を制御する駆動制御手段に電気的に接続されている。
(6)前記温度制御手段、前記ガス濃度監視手段及び前記駆動制御手段は、主制御装置を介して互いに電気的に接続されている。
(3) A temperature measuring device for measuring at least one of the temperature of the flexible substrate and the core temperature of the unwinding roll is disposed in the unwinding chamber, and the temperature measuring device includes the heating mechanism and the non-heating device. It is electrically connected to temperature control means for controlling the output of the contact heating mechanism.
(4) A gas concentration measuring device for measuring the impurity gas concentration in the indoor atmosphere is arranged in the unwinding chamber, and the gas concentration measuring device is a gas concentration monitoring means for monitoring the impurity gas concentration in the indoor atmosphere. Is electrically connected.
(5) The unwinding roll includes a rotation driving unit that rotationally drives the unwinding roll, and the rotation driving unit and the driving unit of the non-contact type heating mechanism include a rotation speed of the unwinding roll and the non-contact type heating mechanism. It is electrically connected to a drive control means for controlling the movement distance.
(6) The temperature control means, the gas concentration monitoring means, and the drive control means are electrically connected to each other via a main control device.
上述の如く、本発明に係る可撓性基板の処理装置は、長手方向に沿って搬送される可撓性基板の表面処理を行うものであって、前記可撓性基板の巻出し室に巻出しロールを配置するとともに、前記巻出しロールのコアに予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を行う加熱機構を設けているので、真空容器に大型の加熱室などを追加することなく、巻出しロールのコアに巻取られた状態で、可撓性基板を成膜処理前に予め加熱することができるとともに、当該可撓性基板上に吸着している水分子等の不純物成分を除去することができる。
したがって、本発明に係る可撓性基板の処理装置によれば、従来の加熱処理機構と比べて装置の小型化を図ることが可能となり、設置スペースの有効利用とコスト低減を実現することができる。また、本発明の処理装置によれば、従来の装置と比べて短い時間で、安定した特性を有する高い品質の表面処理を可撓性基板に対し施すことができる。
As described above, the flexible substrate processing apparatus according to the present invention performs a surface treatment of the flexible substrate conveyed along the longitudinal direction, and is wound around the flexible substrate unwinding chamber. A heating mechanism for preheating, degassing, and material modification is provided in the core of the unwinding roll and a large heating chamber is not added to the vacuum vessel. In addition, the flexible substrate can be preheated before film formation in the state of being wound around the core of the unwinding roll, and impurity components such as water molecules adsorbed on the flexible substrate can be removed. Can be removed.
Therefore, according to the flexible substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to reduce the size of the apparatus as compared with the conventional heat treatment mechanism, and it is possible to realize effective use of installation space and cost reduction. . In addition, according to the processing apparatus of the present invention, a high-quality surface treatment having stable characteristics can be applied to the flexible substrate in a shorter time than the conventional apparatus.
また、本発明の処理装置において、前記巻出しロールの外側には、前記可撓性基板を加熱する非接触式加熱機構が配置されているので、可撓性基板に対して効果的に予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を行うことができる。
しかも、本発明の処理装置において、前記非接触式加熱機構は、これを往復動させる駆動部を備え、前記駆動部によって、前記非接触式加熱機構が前記巻出しロールに巻かれた前記可撓性基板の巻き径に連動して移動するように構成されているので、可撓性基板に対してより迅速にかつ効率よくまた常に一定の条件で、予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を行うことができる。
In the processing apparatus of the present invention, a non-contact type heating mechanism for heating the flexible substrate is disposed outside the unwinding roll, so that the flexible substrate is effectively preheated. , Treatment for degassing and material modification can be performed.
Moreover, in the processing apparatus of the present invention, the non-contact heating mechanism includes a drive unit that reciprocates the flexible contact mechanism, and the flexible non-contact heating mechanism is wound around the unwinding roll by the drive unit. The flexible substrate is configured to move in conjunction with the winding diameter of the flexible substrate, so that the flexible substrate can be preheated, degassed, and material-modified at a constant speed more quickly and efficiently. Can be processed.
さらに、本発明の処理装置において、前記巻出し室には、前記可撓性基板の温度及び前記巻出しロールのコア温度の少なくとも一方を測定する温度測定器が配置され、前記温度測定器は、前記加熱機構及び前記非接触式加熱機構の出力を制御する温度制御手段に電気的に接続されているので、可撓性基板の温度及び巻出しロールのコア温度を監視し、温度制御手段を介してフィードバック制御を行うことにより、加熱機構の出力を変更することが可能となり、可撓性基板の温度及び巻出しロールのコア温度を高い精度で制御することができる。 Furthermore, in the processing apparatus of the present invention, a temperature measuring device that measures at least one of the temperature of the flexible substrate and the core temperature of the unwinding roll is disposed in the unwinding chamber, Since it is electrically connected to the temperature control means for controlling the outputs of the heating mechanism and the non-contact type heating mechanism, the temperature of the flexible substrate and the core temperature of the unwinding roll are monitored, and the temperature control means is used. By performing feedback control, the output of the heating mechanism can be changed, and the temperature of the flexible substrate and the core temperature of the unwinding roll can be controlled with high accuracy.
また、本発明の処理装置において、前記巻出し室には、室内雰囲気中の不純物ガス濃度を測定するガス濃度測定器が配置され、前記ガス濃度測定器は、前記室内雰囲気中の不純物ガス濃度を監視するガス濃度監視手段に電気的に接続されているので、巻出し室内の雰囲気中の不純物ガス濃度を監視し、ガス濃度監視手段を介してフィードバック制御を行うことにより、加熱機構などの出力を変更することが可能となり、処理条件を高い精度で制御することができる。 In the processing apparatus of the present invention, a gas concentration measuring device for measuring an impurity gas concentration in the indoor atmosphere is disposed in the unwinding chamber, and the gas concentration measuring device measures the impurity gas concentration in the indoor atmosphere. Since it is electrically connected to the gas concentration monitoring means to be monitored, the impurity gas concentration in the atmosphere in the unwind chamber is monitored, and feedback control is performed via the gas concentration monitoring means, so that the output of the heating mechanism or the like can be output. This makes it possible to change the processing conditions and control the processing conditions with high accuracy.
さらに、本発明の処理装置において、前記巻出しロールは、これを回転駆動させる回転駆動部を備え、前記回転駆動部及び前記非接触式加熱機構の駆動部は、前記巻出しロールの回転速度及び前記非接触式加熱機構の移動距離を制御する駆動制御手段に電気的に接続されているので、可撓性基板の温度及び巻出しロールのコア温度を監視し、駆動制御手段を介してフィードバック制御を行うことにより、巻出しロールの回転速度及び非接触式加熱機構の移動距離を変更して可撓性基板の搬送速度や加熱温度を調整することが可能となり、可撓性基板に対し必要かつ十分な加熱処理を行うことができる。 Furthermore, in the processing apparatus of the present invention, the unwinding roll includes a rotation driving unit that rotationally drives the unwinding roll, and the rotation driving unit and the driving unit of the non-contact type heating mechanism include a rotation speed of the unwinding roll and Since it is electrically connected to the drive control means for controlling the moving distance of the non-contact heating mechanism, the temperature of the flexible substrate and the core temperature of the unwinding roll are monitored, and feedback control is performed via the drive control means. By changing the rotation speed of the unwinding roll and the moving distance of the non-contact type heating mechanism, it is possible to adjust the conveyance speed and heating temperature of the flexible substrate, and it is necessary for the flexible substrate. Sufficient heat treatment can be performed.
そして、本発明の処理装置において、前記温度制御手段、前記ガス濃度監視手段及び前記駆動制御手段は、主制御装置を介して互いに電気的に接続されているので、応答性の優れた制御を実現することができる。 In the processing apparatus of the present invention, the temperature control means, the gas concentration monitoring means, and the drive control means are electrically connected to each other via the main control device, so that control with excellent responsiveness is realized. can do.
以下、本発明に係る可撓性基板の処理装置について、その実施形態に基づき詳細に説明する。
ここで、図1は本発明の実施形態に係る可撓性基板の処理装置の構成の断面模式図、図2は図1における処理装置の制御方法のフローチャートである。
Hereinafter, the processing apparatus of the flexible substrate which concerns on this invention is demonstrated in detail based on the embodiment.
Here, FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the configuration of a processing apparatus for a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart of a control method for the processing apparatus in FIG.
図1は、可撓性基板1をロールツーロール方式で連続搬送する場合の実施の形態を示している。図1において、本実施形態の処理装置は、可撓性基板1の搬送方向に沿って延在する真空容器2を備えており、該真空容器2は、上流側から下流側(図中、左側から右側)にかけて巻出し室3、複数(図1では1つのみが示されている)の成膜室4及び巻取り室5が設置されている。一般に、可撓性基板1としては、PET、PEN、PES、アクリル、アラミド等の絶縁性プラスチックやステンレス鋼材が使用されている。
巻出し室3内には、可撓性基板1の送り出し用の巻出しロール6及びガイドロール7が配置され、巻取り室5内には、可撓性基板1の巻取り用の巻取りロール8及びガイドロール7が配置されている。
可撓性基板1は、巻出しロール6からガイドロール7を経て、成膜室4を通過し、さらにガイドロール7を経て巻取りロール8までの間を連続的に移動するように構成されている。
FIG. 1 shows an embodiment when the flexible substrate 1 is continuously conveyed by a roll-to-roll method. In FIG. 1, the processing apparatus of the present embodiment includes a
An
The flexible substrate 1 is configured to continuously move from the
成膜室4内には、外部の高周波電源から整合回路ユニットの整合回路、ケーブルを介して高周波電力(RF電力)が供給される高周波電極(RF電極)9と、該高周波電極9と対向する位置に接地電極10が配置されている。高周波電極9は、表面側に成膜ガス(原料ガス)をシャワー状に放出するための多数のガス吹出口を穿設したシャワーヘッド電極板を備え、接地電極10内には、搬送されてくる可撓性基板1を加熱するヒータが内蔵されている。
そして、高周波電極9に高周波電圧が印加されると、高周波電極9と接地電極10との間の放電空間にプラズマが発生し、成膜ガスが分解、反応して、当該電極間に搬送されてくる可撓性基板1の表面に薄膜が形成されるようになっている。
In the
When a high-frequency voltage is applied to the high-
一方、本実施形態の処理装置における巻出しロール6のコア(巻き芯)には、予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理を行う加熱機構のロールコアヒータ11が設けられており、該ロールコアヒータ11は、巻出しロール6を所定の温度まで昇温ならびに保温することが可能な構造になっている。具体的には、ステンレス鋼材やアルミニウム材で作製したロールコアの内側にヒータを設置することによって構成され、コア内部より加熱するようになっている。ロールコアヒータ11としては、シーズヒータ、エレメントヒータまたはカートリッジヒータが用いられ、フィードスルーを介して電力が供給されている。なお、処理対象となる可撓性基板の材質や装置構成によっては、形状を円筒としたヒータ自体をロールコアとして使用することも可能である。
On the other hand, the core (winding core) of the unwinding
また、巻出しロール6の外側周囲には、所定以上の高温処理が必要な場合に対応できるようにするため、外周部側から可撓性基板1を加熱する例えば円弧状の非接触式加熱機構の非接触式ヒータ12が所定の間隔を空けて配置されている。この非接触式ヒータ12としては、遠赤外線加熱ランプヒータが挙げられる。遠赤外線加熱ランプヒータは、反射率が大きい、すなわち輻射率が小さい物質に対しての加熱効率が低いため、使用する可撓性基板1の処理状態に応じて使い分ける必要がある。なお、水分子等の長波長側の吸収が大きい物質については、加熱効率が高いため、脱ガス処理に適している。
加熱効率の例としては、厚さ50〜500μmのポリイミドフィルムにスパッタリング法により200〜1000nmのAgを裏面電極として成膜した、長さ300mの太陽電池成膜用基板を、直径160mmもアルミニウム製コアに巻き付けた場合、真空中においてコア温度を300℃に保つことでフィルム表面の温度は、約250℃に保たれることになる。この250℃に昇温することで、基板表面に付着した水分子等は脱離し、その後の処理において問題とならないレベルまで温度が低下することになる。
In addition, an arc-shaped non-contact heating mechanism that heats the flexible substrate 1 from the outer peripheral side is provided around the outside of the unwinding
As an example of the heating efficiency, a solar cell film-forming substrate having a length of 300 m, which is formed by depositing 200 to 1000 nm of Ag on a polyimide film having a thickness of 50 to 500 μm by a sputtering method, and having a 160 mm diameter aluminum core When the film is wound around the film, the temperature of the film surface is kept at about 250 ° C. by keeping the core temperature at 300 ° C. in a vacuum. By raising the temperature to 250 ° C., water molecules and the like adhering to the substrate surface are desorbed, and the temperature is lowered to a level that does not cause a problem in the subsequent processing.
しかも、非接触式ヒータ12は、当該ヒータを往復動させるアクチュエータなどの駆動部(図示せず)を備え、可動式の構造となっている。すなわち、非接触式ヒータ12は、当該駆動部によって、巻出しロール6に巻かれた可撓性基板1の巻き径に連動して移動するように構成されており、処理中において非接触式ヒータ12と可撓性基板1との間の距離が一定に保持され、可撓性基板1が所望の温度に保たれるようになっている。
Moreover, the
そして、本実施形態の巻出し室3内には、可撓性基板1の温度及び巻出しロール6のコア温度の少なくとも一方(本実施形態では両方)を測定する例えば非接触式の温度測定器13が配置されている。この温度測定器13は、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力を制御する温度制御手段14に電気的に接続されている。
また、本実施形態の巻出し室3内には、室内雰囲気中の不純物ガス濃度を測定するガス濃度測定器15が配置されている。このガス濃度測定器15には、例えば、四重極型質量分析計(QMASS)が用いられており、ガス濃度測定器15は、室内雰囲気中の不純物ガス濃度を監視するガス濃度監視手段16に電気的に接続されている。
In the unwinding
In the unwinding
さらに、本実施形態の巻出しロール6は、当該ロールを回転駆動させるモータなどの回転駆動部(図示せず)を備えており、該回転駆動部が巻出しロール6の回転速度を調整することによって、可撓性基板1の搬送速度が変更可能に構成されている。この巻出しロール6の回転駆動部及び非接触式ヒータ12の駆動部は、巻出しロール6の回転速度及び非接触式ヒータ12の移動距離を制御する駆動制御手段17にそれぞれ電気的に接続されている。
しかも、これら温度制御手段14、ガス濃度監視手段16及び駆動制御手段17は、主制御装置18を介して互いに電気的に接続されている。
Furthermore, the unwinding
Moreover, the
次に、本発明の実施形態に係る可撓性基板1の処理装置の制御方法について、図2の制御フローを参照しながら説明する。
まず、ガス濃度測定器15によって、巻出し室3内における室内雰囲気中の不純物ガス濃度を測定し、不純物ガス濃度が上昇しているかどうかを監視する(ステップS1)。不純物ガス濃度が指定の閾値を超過している場合は、温度測定器13によって、可撓性基板1の温度及び巻出しロール6のコア温度を測定し、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力上限かどうかを監視するとともに、可撓性基板1の耐熱温度以下かどうかも監視する(ステップS2)。
Next, a control method of the processing apparatus for the flexible substrate 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the control flow of FIG.
First, the gas
そして、監視の結果、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力上限以下であり、かつ可撓性基板1の耐熱温度以下である場合には、温度制御手段14、ガス濃度監視手段16及び主制御装置18を介してフィードバック制御を行い、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力を上げる(ステップS3)。
一方、監視の結果、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力が上限である、または可撓性基板1の耐熱温度に到達しそうな場合には、巻出しロール6の回転速度を小さくして可撓性基板1の搬送速度を下げ、加熱時間を延長するような変更が可能かどうかを判定する(ステップS4)。その結果、可撓性基板1の搬送速度を下げるような変更が可能である場合には、駆動制御手段17及び主制御装置18を介してフィードバック制御を行い、巻出しロール6の回転速度を小さくする(ステップS5)。これにより、ステップ3のフローに戻ることなる。しかし、可撓性基板1の搬送速度を下げるような変更が不可能である場合には、エラー出力となり、処理装置の運転を停止し、作業者が巻出し室3内における室内雰囲気中の不純物ガス濃度を確認し、処理装置の運転を続行するのか、あるいは運転を中止するのかを判断する(ステップS6)。
As a result of monitoring, if the output is below the upper limit of the output of the roll core heater 11 and the
On the other hand, as a result of monitoring, if the outputs of the roll core heater 11 and the
次いで、ガス濃度測定器15によって、巻出し室3内における室内雰囲気中の不純物ガス濃度を測定し、不純物ガス濃度が低下しているかどうかを監視する(ステップS7)。監視の結果、不純物ガス濃度が指定の閾値以下である場合は、制御終了となり(ステップS8)、成膜室4に送り出された可撓性基板1の表面に順次所望の表面処理が行われ、その後、可撓性基板1は巻取り室5の巻取りロール8に巻取られることになる。
一方、監視の結果、不純物ガス濃度が指定の閾値を超えている場合は、ステップS6と同様の操作が行われることになる(ステップS9)。
Next, the impurity gas concentration in the indoor atmosphere in the unwind
On the other hand, if the impurity gas concentration exceeds the specified threshold value as a result of monitoring, the same operation as step S6 is performed (step S9).
なお、本発明の実施形態に係る可撓性基板1の処理装置の制御方法では、ステップS1における監視の結果、不純物ガス濃度が指定の閾値よりも低い場合に、図2に示す制御フローに代えて、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力を下げたり、あるいは、巻出しロール6の回転速度を大きくして可撓性基板1の搬送速度を上げたりすることが可能になる。これによれば、処理装置の運転コストが低減し、処理装置の処理能力が上がり、可撓性基板1の生産性向上が図れることになる。
In the method for controlling the processing apparatus for the flexible substrate 1 according to the embodiment of the present invention, when the impurity gas concentration is lower than the specified threshold as a result of the monitoring in step S1, the control flow shown in FIG. Thus, the output of the roll core heater 11 and the
このように、本発明の実施形態の処理装置においては、巻出し室3に設置する巻出しロール6のコアにロールコアヒータ11が設けられ、巻出しロール6の外側周囲に非接触式ヒータ12が配置されているので、従来のように、可撓性基板1を加熱するために大型の加熱室などを設ける必要がなくなり、可撓性基板1を成膜処理前に予備加熱できるとともに、可撓性基板1上の水分子等の不純物成分を確実に除去することができる。
また、本実施形態の処理装置の巻出し室3には、温度測定器13及びガス濃度測定器15が配置され、これら温度測定器13及びガス濃度測定器15は温度制御手段14及びガス濃度監視手段16に電気的に接続されているので、フィードバック制御を行うことが可能であり、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力を変更することにより可撓性基板1の加熱条件を高い精度で制御できる。しかも、巻出しロール6の回転駆動部が駆動制御手段17に電気的に接続されているので、フィードバック制御を行うことが可能であり、巻出しロール6の回転速度を変更して可撓性基板1の搬送速度を調整することにより可撓性基板1の予備加熱、脱ガス及び材料改質のための処理時間を十分確保できる。
Thus, in the processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the roll core heater 11 is provided in the core of the unwinding
Further, a
以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。
例えば、既述の実施の形態では、成膜室4を連続的に移動していく可撓性基板1上に連続的に成膜するロールツーロール方式の処理装置について説明したが、本発明は、成膜室4内に搬送される可撓性基板1を一旦停止させ、この状態で成膜した後、成膜の終わった可撓性基板部分をその成膜室4から次の成膜室4へ送り出すステッピングロール方式の処理装置に適用することも可能である。
また、既述の実施の形態では、巻出しロール6の外側周囲に、外周部側から可撓性基板1を加熱する非接触式ヒータ12が配置されているが、適用機種によっては、ロールコアヒータ11のみが設けられ、非接触式ヒータ12が配置されていない場合も可能である。
While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made based on the technical idea of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, a roll-to-roll processing apparatus that continuously forms a film on the flexible substrate 1 that continuously moves in the
Further, in the above-described embodiment, the
1 可撓性基板
2 真空容器
3 巻出し室
4 成膜室
5 巻取り室
6 巻出しロール
8 巻取りロール
9 高周波電極
10 接地電極
11 ロールコアヒータ(加熱機構)
12 非接触式ヒータ(非接触式加熱機構)
13 温度測定器
14 温度制御手段
15 ガス濃度測定器
16 ガス濃度監視手段
17 駆動制御手段
18 主制御装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
12 Non-contact heater (non-contact heating mechanism)
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記可撓性基板の巻出し室に巻出しロールを配置するとともに、前記巻出しロールのコアに予備加熱、脱ガス、材料改質のための加熱処理を行う加熱機構を設けたことを特徴とする可撓性基板の処理装置。 In a flexible substrate processing apparatus that performs surface treatment of a flexible substrate conveyed along a longitudinal direction,
An unwinding roll is disposed in the unwinding chamber of the flexible substrate, and a heating mechanism is provided in the core of the unwinding roll for performing preheating, degassing, and heat treatment for material modification. An apparatus for processing a flexible substrate.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255559U (en) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | ||
JPH04324634A (en) * | 1991-04-24 | 1992-11-13 | Kawasaki Steel Corp | Sputtering method of aluminum |
JP2000272044A (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Transparent barrier film, method and apparatus for producing the same and laminated material and packaging container using transparent barrier film |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255559U (en) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | ||
JPH04324634A (en) * | 1991-04-24 | 1992-11-13 | Kawasaki Steel Corp | Sputtering method of aluminum |
JP2000272044A (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Transparent barrier film, method and apparatus for producing the same and laminated material and packaging container using transparent barrier film |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014141707A (en) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Konica Minolta Inc | Method of manufacturing functional film |
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