JP2011153335A - めっき方法および電解めっき装置 - Google Patents

Abstract

【課題】安定的に所望のめっき膜を形成することができるめっき方法、電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置２は、導電層１２に接続される陰極２０と、基材１の搬送方向に沿って配置されるとともに、離間配置された複数の陽極２１と、陽極２１の上方で、基材１の前記絶縁層１１の他面を前記陽極２１と対向させながら、基材１を搬送する搬送手段と、基材１の絶縁層１１の他面と、各陽極２１との間に電解めっきを流す電解めっき液供給部２３とを備える。当該電解めっき装置２は、電解めっき液供給部２３により、絶縁層１１の他面と陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流すとともに、絶縁層１１の他面と、陽極２１との間の前記電解めっき液Ｌを前記絶縁層１１の他面よりも下方に排出するように構成される。また、電解めっき装置２は、各陽極２１と、陰極２０との間に流れる電流量を制御する制御部を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、めっき方法およびめっき装置に関する。

従来、電子機器等に搭載される回路基板は、次のようにして製造されている（特許文献１、２参照）。
はじめに、絶縁層と、この絶縁層の一方の面に形成された第一金属膜とを有する基材を用意する。そして、基材の前記絶縁層に、レーザ等で孔を形成する。次に、第一金属膜をマスクで被覆する。その後、基材をめっき液に浸し、電解めっきを行う。これにより、絶縁層の孔中にビアを形成する。
次に、絶縁層の他方の面側に第二金属膜を形成し、第一金属膜、第二金属膜をそれぞれエッチング等で加工することで、回路層を形成する。

特開２００７−１８８９８５号公報 特開２００５−２７２８７４号公報

このような製造方法では、絶縁層の孔内にめっき法により、ビアを形成する際、第一金属膜の側面が露出していると第一金属膜の側面にめっきが析出してしまう。この場合には、第一金属膜側面の面積が本来めっきを析出させるべき孔面積に比較して非常に大きいためめっきの析出が優先的に進行し、孔内部にめっきがつきにくくなる。特に孔の径が非常に小さいような場合には、このような現象は顕著である。

本発明者らは、以上の課題を見出し、貫通孔が形成された絶縁層と、この絶縁層の一面に設けられ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐ導電層とを有する基材を用意する工程と、
前記導電層に陰極を接続するとともに、前記絶縁層の他面が陽極と対向するように、前記陽極の上方に前記基材を配置する工程と、前記絶縁層の他面と前記陽極との間に電解めっき液を流して、前記貫通孔内にめっき膜を形成するとともに、前記絶縁層の他面と前記陽極との間の前記電解めっき液を前記絶縁層の他面よりも下方に排出する工程とを含むめっき方法を発案した。そして、このようなめっき方法においては、搬送方向に沿って、陽極が複数配置されているため、各陽極と陰極との間に流れる電流量を制御することで、所望のめっき膜を形成することができることを見出した。
すなわち、本発明によれば、
貫通孔が形成された絶縁層と、この絶縁層の一面に設けられ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐ導電層とを有する基材を搬送し、前記貫通孔に電解めっき膜を形成するめっき方法であって、
前記基材の搬送方向に沿って配置された複数の陽極の上方で前記基材を搬送するとともに、前記絶縁層の他面と、前記絶縁層の他面と対向する前記陽極との間に電解めっき液を流して、前記貫通孔内にめっき膜を形成する工程と、
前記絶縁層の他面と、前記陽極との間の電解めっき液を前記絶縁層の他面よりも下方に排出する工程を含み、
前記めっき膜を形成する前記工程では、各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御するめっき方法が提供される。

この発明によれば、絶縁層の他面（導電層が設けられた面と反対側の面）と、陽極との間に電解めっき液を流し、貫通孔内にめっき膜を形成している。そして、電解めっき液を絶縁層の他面よりも下方に排出している。
これにより、絶縁層の一面上に設けられた導電層の側面に電解めっき液が付着し、導電層の側面にめっきが析出してしまうことを抑制できる。これにより、孔内部に安定的にめっきを施すことができる。
さらに、めっき膜を形成する前記工程では、各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御するため、貫通孔内に所望のめっき膜を形成することができる。

また、本発明によれば、貫通孔が形成された絶縁層と、この絶縁層の一面に設けられ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐ導電層とを有する基材を搬送しながら、前記貫通孔内に電解めっきを行うための電解めっき装置であって、
前記導電層に接続される陰極と、
前記基材の搬送方向に沿って配置されるとともに、離間配置された複数の陽極と、
前記陽極の上方で、前記基材の前記絶縁層の他面が前記陽極と対向させながら、前記基材を搬送する搬送手段と、
前記基材の前記絶縁層の他面と、前記各陽極との間に電解めっき液を流す電解めっき液供給部とを備え、
当該電解めっき装置は、前記電解めっき液供給部により、前記絶縁層の他面と前記陽極との間に電解めっき液を流すとともに、前記絶縁層の他面と、前記陽極との間の前記電解めっき液を前記絶縁層の他面よりも下方に排出するように構成され、
各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御する制御部を備える電解めっき装置も提供できる。

本発明によれば、安定的に所望のめっき膜を形成することができるめっき方法、電解めっき装置が提供される。

本発明の一実施形態にかかる電解めっき装置を示す平面図である。 図１のII-II方向の断面図である。 図１のIII-III方向の断面図である。 電解めっき装置の支持部材を示す図である。 基材を示す断面図である。 本発明の変形例にかかる電解めっき装置を示す平面図である。 本発明の変形例にかかる陽極を示す平面図である。 本発明の変形例にかかる電解めっき装置の要部を示す図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図３を参照して、本実施形態のめっき装置２の概要について説明する。
図１は、めっき装置２の平面図であり、図２は、図１のII-II方向の断面図であり、図３は、図１のIII-III方向の断面図である。
本実施形態のめっき装置２は、一方の開口側から他方の開口側に向かって径の大きさが変化する貫通孔１１１が形成された絶縁層１１と、この絶縁層１１の一面に設けられ、前記貫通孔１１１の一方の開口を塞ぐ導電層１２とを有する基材１を搬送しながら、前記貫通孔１１１内に電解めっきを行うための電解めっき装置である。
電解めっき装置２は、導電層１２に接続される陰極２０と、基材１の搬送方向に沿って配置されるとともに、離間配置された複数の陽極２１と、陽極２１の上方で、基材１の前記絶縁層１１の他面を前記陽極２１と対向させながら、基材１を搬送する搬送手段２５と、基材１の絶縁層１１の他面と、各陽極２１との間に電解めっきを流す電解めっき液供給部２３とを備える。
当該電解めっき装置２は、電解めっき液供給部２３により、絶縁層１１の他面と陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流すとともに、絶縁層１１の他面と、陽極２１との間の前記電解めっき液Ｌを前記絶縁層１１の他面よりも下方に排出するように構成される。
また、電解めっき装置２は、各陽極２１と、陰極２０との間に流れる電流量を制御する制御部２７を備える。

次に、本実施形態の電解めっき装置２について詳細に説明する。
はじめに、電解めっき装置２のめっき対象となる基材１について説明する。
この基材１は、図５に示すように、貫通孔１１１が形成された絶縁層１１と、導電層１２と備える。
基材１は、たとえば、フレキシブル回路基板となるものである。
絶縁層１１は、たとえば、ポリイミドフィルムであり、厚みは１０μｍ〜２００μｍ程度である。
絶縁層１１には、表裏面を貫通する複数の貫通孔１１１が形成されている。この貫通孔１１１は、絶縁層１１の表面（一面）側から裏面（他面）側に向かって径が大きくなるように形成されており、断面テーパ形状である。
絶縁層１１の一面側には、複数の貫通孔１１１の開口を塞ぐ導電層１２が設けられている。導電層１２は、金属膜であり、たとえば、銅膜である。
導電層１２の厚みは、たとえば、５〜５０μｍである。

図１〜４に示すように、本実施形態の電解めっき装置２は、上述した陰極２０と、陽極２１と、電解めっき液供給部２３と、搬送手段２５と、制御部２７と、電解めっき液Ｌが充填されためっき槽２４、支持部材２６とを備える。

本実施形態の電解めっき装置２は、搬送ローラ２５により、めっき槽２４上でシート状の基材１を搬送し、連続めっきする装置である。
めっき槽２４には、電解めっき液Ｌ、たとえば、硫酸銅等の電解めっき液が充填されている。
陽極２１は、めっき槽２４中の電解めっき液Ｌ中に浸漬されておらず、めっき槽２４中の電解めっき液Ｌの液面よりも上方に配置される。
ここで、陽極２１は、溶解性の陽極であってもよく、不溶性の陽極であってもよい。
複数の陽極２１は、基材１の搬送方向（図１〜３のｘ方向）に沿って離間配置されている。本実施形態では、１０個の陽極２１が基材１の搬送方向に沿って離間配置されている。
各陽極２１は、複数枚（本実施形態では２枚）の金属板２１１で構成されている。各陽極２１を構成する複数枚の金属板２１１は、搬送方向と直交する方向（図１〜３のｙ方向）に離間配置されている。
陽極２１は、図４に示すような支持部材２６で支持され、基材１の搬送方向に沿って隣り合う金属板２１１同士、基材１の搬送方向と直交する方向（ｙ方向）に隣り合う金属板２１１同士は、離間配置されている。
図４（Ａ）は、支持部材２６の平面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のIV-IV方向の断面図である。

支持部材２６は、絶縁性の材料（たとえば、硬質塩化ビニール）で構成され、陽極２１の金属板２１１をはめ込むための凹部２６１が形成されている。従って、支持部材２６に陽極２１をはめ込むことで、陽極２１間には、絶縁材料が配置されることとなり、陽極２１間は絶縁材料により絶縁されることとなる。
また、支持部材２６には、中央に、基材１の搬送方向に沿った貫通溝２６２が形成されている。この貫通溝２６２は、基材１の搬送方向と直交する方向に隣り合う金属板２１１間に位置し、この貫通溝２６２を介して電解めっき液Ｌが基材１側に供給される。
図１および図２に示すように陽極２１の幅Ｗ１（本実施形態では、基材１の搬送方向に直交する方向に並んだ２枚の金属板２１１間の隙間および２枚の金属板２１１の幅の合計値）は、基材１の幅Ｗ２（基材１の搬送方向と直交する方向の長さ）よりも小さい。
さらに、本実施形態では、支持部材２６の幅Ｗ３（基材搬送方向と直交する方向の長さ）は、基材１の幅Ｗ２よりも小さい。

また、めっき槽２４上部側からの平面視において、基材搬送方向と直交する方向に並んだ金属板２１１間の隙間、すなわち、貫通溝２６２は、基材１の搬送方向と直交する方向の幅Ｗ２の略中央に位置する。
ここで、図２に示すように、基材１を陽極２１上に搬送し、基材１と陽極２１とを対向させた状態において、金属板２１１の直上に位置する基材１の導電層１２と、金属板２１１との間の距離Ｈは、０．１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下であることが好ましい。
０．１ｍｍ以上とすることで、基板１の貫通孔１１１より外にまで析出した銅めっき膜と陽極２１の物理的な接触が避けられ、電流集中によるめっき焼けの現象が防止されるという効果があり、１０ｍｍ以下とすることで、各陽極２１と、陰極２０との間に流れる電流量を正確に制御できるという効果がある。すなわち、距離Ｈが大きすぎる場合には、各陽極２１と陰極２０との間に実際に流れる電流値が、設定した電流値から大きくずれてしまう可能性があるため、距離Ｈは１０ｍｍ以下とすることが好ましい。

図１，３に示すように、陰極２０は、ロール状に形成され、陽極２１よりも上方に配置されている。この陰極２０は、基材１表面の導電層１２に接触するように配置され、基材１を搬送するための搬送ローラとして機能する。
たとえば、陰極２０は、基材１の搬送方向基端側および先端側にそれぞれ配置されている。

搬送ローラ２５は、基材１を陽極２１上で搬送するものである。

図２に示すように、電解めっき液供給部２３は、めっき槽２４中の電解めっき液Ｌをめっき槽２４上部に配置される基材１に向かって供給するものである。電解めっき液供給部２３は、たとえば、ポンプＰおよびポンプＰに接続された配管Ｍで構成される。

電解めっき液供給部２３から排出された電解めっき液Ｌは、金属板２１１間の隙間（すなわち、貫通溝２６２）を介して、基材１に向かって供給される。
そして、図２に示すように、電解めっき液Ｌは、基材１の絶縁層１１と、金属板２１１との間を流れ、金属板２１１の外側の端部（基材１の搬送方向と直交する方向の端部）側から下方に向かって、自重により落下することとなる。
なお、電解めっき液供給部２３の配管Ｍを複数設け、貫通溝２６２の長手方向全体にわたって、電解めっき液Ｌが供給される構造としてもよく、また、図８に示すように、貫通溝２６２の下方に、貫通溝２６２の長手方向に沿って配置される複数の貫通穴２８１が形成された板材２８を配置し、複数の貫通穴２８１および貫通溝２６２を介して、貫通溝２６２の長手方向全体にわたって、電解めっき液Ｌが供給される構造としてもよい。
なお、図８は、図４（Ａ）のVIII−VIII方向の断面図に板材２８を追加した断面図である。また、図８の矢印は、電解めっき液Ｌの流れを示す。

図３に示す制御部２７は、各陽極２１と、陰極２０との間に流れる電流を制御するためのものである。本実施形態では、制御部２７は、各陽極２１と、陰極２０との間に配置された抵抗である。
なお、本実施形態では、陽極２１は、離間配置された２枚の金属板２１１で構成されるとしているが、各陽極２１において、一方の金属板２１１と陰極２０との間に流れる電流値、他方の金属板２１１と陰極２０との間に流れる電流値は同じものとする。
貫通孔１１１は、一方の開口側（導電層１２側の開口）から他方の開口側に向かって拡径するテーパ状である。従って、貫通孔１１１内部へのめっきが進むにつれて、めっき面積は、大きくなる。そのため、たとえば、基材搬送方向先端側に向かって、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流量を大きくするように制御部２７により制御すれば、被めっき面における電流密度を略均一なものとすることができる。すなわち、貫通孔１１１は、順次各陽極２１と対向するが、貫通孔１１１がそれぞれの陽極２１と対向した各状態において貫通孔１１１の被めっき面の電流密度が略同じとなる。
具体的には、基材搬送方向先端側の制御部２７である抵抗の値を、基材搬送方向基端側の制御部２７である抵抗の値よりも小さくする。
これにより、所望のめっき膜を得ることができる。

なお、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流値は、基材搬送方向先端側に向かって大きくなるように設定されるとしたが、これに限られず、めっき膜の成長段階に応じて、所望の電流密度となるように、制御部２７としての抵抗の値を制御してもよい。

次に、以上のような電解めっき装置２を使用しためっき方法について説明する。
はじめに、本実施形態のめっき方法の概要について説明する。
本実施形態のめっき方法は、基材１を複数の陽極２１上で搬送し、貫通孔１１１に電解めっき膜を形成するめっき方法である。
基材１の搬送方向に沿って配置された複数の陽極２１の上方で基材１を搬送するとともに、絶縁層１１の他面と、複数の陽極２１のうち絶縁層１１の他面と対向する陽極２１との間に電解めっき液を流して、貫通孔１１１内にめっき膜を形成する工程と、絶縁層１１の他面と、陽極２１との間の電解めっき液を絶縁層１１の他面よりも下方に排出する工程を含む。
そして、めっき膜を形成する前記工程では、各陽極２１と、陰極２０との間に流れる電流量を制御する。

次に、本実施形態のめっき方法について詳細に説明する。
はじめに、基材１を用意する。
基材１は、ロール状に巻かれており、搬送ローラ２５および陰極２０を介して、基材１はめっき槽２４上に供給される。このとき、陰極２０に導電層１２が直接接触するように基材１を供給する。
なお、電解めっきの前段では、脱脂が行われる。
基材１がめっき槽２４上に供給される前段において、制御部２７により、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流値を調整しておく。たとえば、基材搬送方向基端側から先端側に向かって陰極２０と陽極２１との間に流れる電流値が大きくなるように制御部２７で電流値を調整しておく。

基材１は、搬送ローラ２５および陰極２０により、めっき槽２４上で搬送されるが、このとき、めっき槽２４中の電解めっき液Ｌを、陽極２１側から、基材１に向かって上方に供給する。電解めっき液Ｌは、陽極２１の基材搬送方向と直交する方向に並ぶ金属板２１１間に形成された隙間（本実施形態では、貫通溝２６２）を介して、基材１の絶縁層１１の他面と金属板２１１との間に供給される。この電解めっき液Ｌは、絶縁層１１の貫通孔１１１内にも供給される。これにより、金属板２１１と絶縁層１１との間の隙間および貫通孔１１１内は、電解めっき液Ｌで充填され、電解めっき液Ｌは、金属板２１１と、貫通孔１１１から露出する導電層１２とに接触し、貫通孔１１１内部にめっきが析出することとなる。
なお、基材１がめっき槽２４上部を通過する間、貫通溝２６２からは、連続的に電解めっき液が供給される。従って、基材１がめっき槽２４の上部を通過する間は、金属板２１１と絶縁層１１との間の隙間および貫通孔１１１内が電解めっき液Ｌで満たされた状態が維持されることとなる。

基材１の絶縁層１１の他面と金属板２１１との間に供給された電解めっき液Ｌは、図２に示すように、金属板２１１の外側の端部（貫通溝２６２側と反対側の端部）側から、絶縁層１１の他面よりも下方に、自重により落下することとなる。
ここで、前述したように、陽極２１の幅Ｗ１は、基材１の幅Ｗ２よりも小さく、めっき槽２４上方からの平面視において、基材１の端部が、陽極２１の端部よりも、基材搬送方向と直交する方向（外方）に突出している。さらに、本実施形態では、陽極２１を支持する支持部材２６の幅Ｗ３も、基材１の幅Ｗ２よりも小さく、基材１の端部が支持部材２６からも外方に突出している。
そのため、基材１の絶縁層１１の他面と金属板２１１との間に供給された電解めっき液Ｌは、絶縁層１１上の導電層１２の端部や側面に接触することなく、めっき槽２４側に落下し、めっき槽２４で回収される。これにより、導電層１２に、めっきが析出してしまうことを抑制することができる。

なお、めっき槽２４で回収した電解めっき液Lは、再度、電解めっき液供給部２３により、貫通溝２６２から、基材１側に向かって流されることとなる。
めっき槽２４では、図示しないが、調整手段により、定期的に電解めっき液を分析し、電解めっき液Ｌ中の各成分の濃度を調整してもよい。

前述したように、制御部２７により、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流値は、調整されている。たとえば、基材搬送方向基端側に最も近い位置に配置された陽極２１と陰極２０との間には、０．１ｉの電流が流れるように制御部２７で制御されている。基材搬送方向基端側に２番目に近い位置に配置された陽極２１と陰極２０との間には、０．２ｉの電流が流れるように制御部２７により制御する。そして、基材搬送方向先端側にむかって０．１ｉづつ電流値が多くなるように制御部２７で制御する。

本実施形態では、基材１は、停止することなく、陽極２１上を通過する。基材１が陽極２１上を通過する間に貫通孔１１１内にめっきが施される。ただし、基材１は、陽極２１上で一時停止しながら、複数の陽極２１上を通過してもよい。
貫通孔１１１内部にめっきが施された基材１は、水洗され、貫通孔１１１内部にめっきが施された基材１が完成する。
その後、必要に応じて、基材１を切断し、基材１の絶縁層１１の他面側に金属膜を貼り付ける。その後、導電層１２および前記金属膜を選択的に除去して回路層を形成し、回路基板を得る。この回路基板はフレキシブル回路基板（フレキシブルプリント配線板）である。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、絶縁層１１の他面と陽極２１との間の電解めっき液Ｌを、絶縁層１１の他面よりも下側に流しているので、絶縁層１１の一面上に設けられた導電層１２の側面に電解めっき液Ｌが付着し、導電層１２の側面にめっきが析出してしまうことを抑制できる。これにより、貫通孔１１１内部に安定的にめっきを施すことができる。
特に、本実施形態では、基材１と陽極２１とを対向させた際に、陽極２１の幅Ｗ１は、基材１の幅Ｗ２よりも小さく、めっき槽２４上方からの平面視において、基材１の端部が、陽極２１の端部よりも、基材搬送方向と直交する方向（外方）に突出している。さらに、本実施形態では、陽極２１を支持する支持部材２６の幅Ｗ３も、基材１の幅Ｗ２よりも小さく、基材１の端部が支持部材２６からも外方に突出している。
従って、陽極２１と、絶縁層１１との間の電解めっき液Ｌが、絶縁層１１の端部に接触せずに、めっき槽２４側に排出されることとなるので、導電層１２の側面にめっきが析出してしまうことを確実に抑制できる。

また、前述したような従来の製造方法では、導電層にめっきが析出してしまうという課題があった。この課題を解決するために、例えば、基材が非連続状形状の場合には、導電層側に樹脂などの絶縁体板を当てたうえで、回路基板の外周を絶縁体の粘着テープなどで封止することにより導電層表面および側面をめっき液から隔離をしてめっきをおこなう方法や、基材が連続状形状の場合には導電層およびその側面すべてを連続状絶縁粘着テープで被覆するなどの方法が考えられる。
しかしながら、これらの方法はいずれも、めっき前に粘着テープの貼り付け、さらにめっき後の引き剥がし作業に多くの手間がかかり生産性が向上しない問題があった。
これに対し、本実施形態では、基材１の絶縁層１１の他面（導電層が設けられた面と反対側の面）と、陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流し、貫通孔１１１内にめっき膜を形成している。そして、電解めっき液Ｌを絶縁層１１の他面よりも下方に排出している。
これにより、絶縁層１１の一面に設けられた導電層１２には、電解めっき液Ｌが接触しないので、導電層１２をマスク等で被覆しなくてもよい。そのため、絶縁層１１の貫通孔１１１内へのめっき処理にかかる手間を省くことができ、効率よくめっきを行うことができる。

また、本実施形態では、制御部２７により、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流値を調整している。本実施形態では、基材搬送方向先端側に向かって、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流量を大きくするように制御部２７により制御している。
ここで、基材１の貫通孔１１１は、一方の開口側（導電層１２側の開口）から他方の開口側に向かって拡径するテーパ状である。従って、貫通孔１１１内部へのめっきが進むにつれて、めっき面積は、大きくなる。そのため、基材搬送方向先端側に向かって、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流量を大きくするように制御部２７により制御すれば、被めっき面における電流密度を略均一なものとすることができる。これにより、所望のめっき膜を得ることができる。

さらに、本実施形態では、電解めっき液Ｌを、陽極２１を構成する金属板２１１間の隙間（本実施形態では貫通溝２６２）から、基材１側に向かって上方に流している。このようにすることで、基材１の絶縁層１１と陽極２１との間に電解めっき液を安定的に流すことができる。
たとえば、図６に示すように、基材搬送方向基端側から、基材１と、陽極２１との間の隙間に電解めっき液Ｌを流すことも考えられる（図６の矢印は電解めっき液Ｌの流れを示す）。しかしながら、めっき槽２４上での搬送距離を長くした場合には、基材１の搬送方向基端側から、搬送方向先端側へむけて、電解めっき液Ｌを非常に勢いよく流さなければならず、基材１と陽極２１との間に安定的に電解めっき液Ｌを供給することが難しくなる。
これに対し、本実施形態では、基材搬送方向と直交する方向に隣り合う一対の金属板２１１間に隙間を形成し、この隙間から電解めっき液を基材１と陽極２１との間に供給しているため、電解めっき液Ｌを非常に勢いよく流さなくても、基材１の絶縁層１１と陽極２１との間に電解めっき液Ｌを安定的に流すことができる。

さらに、本実施形態では、陽極２１の基材搬送方向と直交する方向に隣り合う金属板２１１間の隙間の位置（本実施形態では、貫通溝２６２）が、基材１の幅Ｗ２方向の略中心位置にあるので、電解めっき液Ｌを貫通溝２６２から、基材１の端部側（基材搬送方向に沿った端部側）に略均等に流すことができ、めっきを安定的に実施することができる。

また、本実施形態では、陽極２１を絶縁性の支持部材２６にはめ込んでいる。これにより、基材搬送方向に隣接する陽極２１同士が絶縁されることとなるので、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流値を所望の電流値とすることができる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、各陽極２１を複数枚の金属板２１１で構成していたが、これに限られるものではない。たとえば、図７に示すように、陽極２１０を一枚の金属板２１２で構成してもよい。このようにすることで、めっき装置の構成を簡略化することができる。この場合には、金属板２１２に貫通孔２１２Ａを形成して、貫通孔２１２Ａから電解めっき液Ｌを基材１側に供給すればよい。

また、前記実施形態では、貫通孔１１１は断面テーパ状であるとしたが、これに限られず、貫通孔１１１の一方の開口から、他方の開口に向かって径が均等である形状、たとえば、円柱状としてもよい。

さらに、前記実施形態では、各陽極２１と陰極２０との間に流れる電流値は、基材搬送方向先端側に向かって大きくなるように設定されるとしたが、これに限られない。
たとえば、絶縁層の厚みが非常に厚く、貫通孔の開口径に比べ、貫通孔の深さ寸法が非常に大きい場合、めっき初期においては、めっき液中の金属イオンが貫通孔内部にまで到達しにくくなる。そのため、電流密度が高い場合には、水素等のガスにより、めっき膜中にボイドが形成されてしまうことがある。そこで、めっき初期においては、電流密度を低くする。
貫通孔の開口付近まで、めっき膜が形成されためっき後期においては、被めっき面への金属イオンの供給が円滑になるので、めっき速度をあげるために、電流密度を高くする。
このようにめっき膜の成長段階に応じて、各陽極２１、陰極２０間に流れる電流値を制御してもよい。

また、前記実施形態では、基材１がロール状に巻かれており、基材１がめっき槽２４上に連続的に供給される構造であったが、これに限らず、たとえば、基材１がロール状ではなく、一枚の板状であり、この一枚の基材をめっき槽２４上で搬送する構成としてもよい。

１ 基材
２ 電解めっき装置
１１ 絶縁層
１２ 導電層
２０ 陰極
２１ 陽極
２３ 電解めっき液供給部
２４ めっき槽
２５ 搬送ローラ（搬送手段）
２６ 支持部材
２７ 制御部
２８ 板材
１１１ 貫通孔
２１０ 陽極
２１１ 金属板
２１２Ａ 貫通孔
２１２ 金属板
２６１ 凹部
２６２ 貫通溝
２８１ 貫通穴
Ｈ 距離
Ｌ 電解めっき液
Ｍ 配管
Ｐ ポンプ
Ｗ１ 幅
Ｗ２ 幅
Ｗ３ 幅

Claims (14)

1. 貫通孔が形成された絶縁層と、この絶縁層の一面に設けられ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐ導電層とを有する基材を複数の陽極上で搬送し、前記貫通孔に電解めっき膜を形成するめっき方法であって、
   前記基材の搬送方向に沿って配置された前記複数の陽極の上方で前記基材を搬送するとともに、前記絶縁層の他面と、前記絶縁層の他面と対向する前記陽極との間に電解めっき液を流して、前記貫通孔内にめっき膜を形成する工程と、
   前記絶縁層の他面と、前記陽極との間の電解めっき液を前記絶縁層の他面よりも下方に排出する工程を含み、
   前記めっき膜を形成する前記工程では、各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御するめっき方法。
2. 請求項１に記載のめっき方法において、
   前記貫通孔は、一方の開口側から他方の開口側に向かって拡径するテーパー状に形成されており、
   前記基材の搬送方向基端側に位置する陽極と、前記陰極との間に流れる電流値は、前記基材の搬送方向先端側に位置する陽極と前記陰極との間に流れる電流値よりも小さいめっき方法。
3. 請求項１に記載のめっき方法において、
   前記貫通孔は、一方の開口側から他方の開口側に向かって径の大きさが変化するように前記絶縁層に形成されており、
   前記絶縁層の貫通孔の被めっき面における電流密度が略一定となるように、各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御するめっき方法。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のめっき方法において、
   前記各陽極と、前記絶縁層とを対向配置させた際に、前記絶縁層の端部は、前記各陽極の端部よりも外方に突出しており、
   前記絶縁層の他面と前記各陽極との間の前記電解めっき液は、前記絶縁層の前記端部に接触せずに、前記絶縁層の他面よりも下方に排出されるめっき方法。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき方法において、
   前記陽極には、前記めっき液を前記絶縁層側にむかって流す開口が形成され、
   前記陽極の開口を介して、前記陽極側から前記絶縁層の他面側に向かって電解めっき液を流し、前記絶縁層の他面と前記陽極との間に電解めっき液を流すめっき方法。
6. 請求項５に記載のめっき方法において、
   前記各陽極は、複数の金属板で構成され、
   前記複数の金属板間には、前記開口となる隙間が形成されており、前記電解めっき液を、前記隙間を介して前記陽極側から、前記絶縁層の他面側にむかって流すめっき方法。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき方法において、
   前記めっき膜を形成する前記工程では、前記基材の導電層と前記基材の直下に位置する陽極との間の距離が、０．１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下となるように、前記基材を前記複数の陽極上で搬送するめっき方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載のめっき方法において、
   当該基材はフレキシブルプリント配線板用のシートであるめっき方法。
9. 貫通孔が形成された絶縁層と、この絶縁層の一面に設けられ、前記貫通孔の一方の開口を塞ぐ導電層とを有する基材を搬送しながら、前記貫通孔内に電解めっきを行うための電解めっき装置であって、
   前記導電層に接続される陰極と、
   前記基材の搬送方向に沿って配置されるとともに、離間配置された複数の陽極と、
   前記陽極の上方で、前記基材の前記絶縁層の他面が前記陽極と対向させながら、前記基材を搬送する搬送手段と、
   前記基材の前記絶縁層の他面と、前記各陽極との間に電解めっき液を流す電解めっき液供給部とを備え、
   当該電解めっき装置は、前記電解めっき液供給部により、前記絶縁層の他面と前記陽極との間に電解めっき液を流すとともに、前記絶縁層の他面と、前記陽極との間の前記電解めっき液を前記絶縁層の他面よりも下方に排出するように構成され、
   各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御する制御部を備える電解めっき装置。
10. 請求項９に記載の電解めっき装置において、
    前記貫通孔は、一方の開口側から他方の開口側に向かって拡径するテーパー状に形成されており、
    前記基材の搬送方向基端側に位置する陽極と、前記陰極との間に流れる電流値は、前記基材の搬送方向先端側に位置する陽極と前記陰極との間に流れる電流値よりも小さい電解めっき装置。
11. 請求項９に記載の電解めっき装置において、
    一方の開口側から他方の開口側に向かって径の大きさが変化するように、前記貫通孔は、前記絶縁層に形成されており、
    前記制御部は、前記絶縁層の貫通孔の被めっき面における電流密度が略一定となるように、各前記陽極と、前記陰極との間に流れる電流量を制御する電解めっき装置。
12. 請求項９乃至１１のいずれかに記載の電解めっき装置において、
    前記陽極には、前記めっき液を前記絶縁層側にむかって流す開口が形成され、
    前記陽極の開口を介して、前記陽極側から前記絶縁層の他面側に向かって電解めっき液を流し、前記絶縁層の他面と前記陽極との間に電解めっき液を流す電解めっき装置。
13. 請求項１２に記載の電解めっき装置において、
    前記各陽極は、複数の金属板で構成され、
    前記複数の金属板間には、前記開口となる隙間が形成されており、
    前記隙間から電解めっき液を上方に向かって流すことで、前記絶縁層の他面と前記陽極との間に電解めっき液を流す電解めっき装置。
14. 請求項９乃至１３のいずれかに記載の電解めっき装置において、
    隣り合う陽極間には、絶縁体が配置されている電解めっき装置。

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