JP2011144434A - マルチターゲットスパッタ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空チャンバ12内に配置された基板20の下方に配置される導電性の板体であって、略水平に回転可能に支持され、回転中心から一定の距離の円周に沿って開口した複数の貫通孔を有する回転板体32と、回転板体に設けられ、貫通孔の略真下にターゲット板23を略水平に支持するターゲット支持部40と、ターゲット支持部に設けられ、ターゲット板の裏面に当接する導電性のプレートであって、回転板体から絶縁されたバッキングプレートと、バッキングプレートを介してターゲット板を所定の電位とするターゲット電極70と、ターゲット電極を昇降させる昇降部80とを備える。
【選択図】図1
Description
また、特許文献1によれば、リフトはリフト通過孔に配置されたターゲットを持ち上げ、さらにその上にあるターゲット保持部まで上昇させる必要がある。そのため、リフトの長尺化やリフトの稼動の複雑化を招く虞がある。
このように、特許文献1によれば、スパッタ装置が大型化して省スペース化を図れないという虞や、装置の複雑化や高コスト化を招く虞があるという問題があった。
本実施形態のマルチターゲットスパッタ装置は、スパッタにより薄膜が形成される基板と、前記薄膜の母材となる複数のターゲット板とを真空チャンバ内に配置し、前記基板の下方対向位置に前記ターゲット板を順次位置させ、前記薄膜を前記基板上に形成するマルチターゲットスパッタ装置である。したがって、例えば酸化物超電導薄膜積層体のように、異なる種類の薄膜を基板上に積層させてなる電子デバイスを製作する場合等に好適なスパッタ装置である。
本実施形態のマルチターゲットスパッタ装置10は、図1に示すように、真空チャンバ12と、基板ホルダ14と、回転板体32と、ターゲット支持部40と、ターゲット電極70と、昇降部80と、フレキシブルチューブ82と、絶縁管81とを備える。
さらに、真空チャンバ12は、図1に示すように、ガス導入管108を備える。このガス導入管108は、例えばAr原子のように、スパッタの際に基板20とターゲット板23との間でイオン化してターゲット板23に衝突する原子を含むプロセスガスを導入するパイプである。
なお、真空チャンバ12はステンレス製で形成され、図1に示すように、接地電位Gに接地される。
この回転板体32は、図1に示すように、基板20の下方であって真空チャンバ12の高さ方向の中央近傍に略水平な状態で配置され、その中央を例えばステッピングモータからなる駆動部33の回転軸35によって回転可能に支持される。図1において符号110は、回転軸35を回動自在に支持するベアリングを示している。本実施形態において、駆動部33は、図1に示すように、底壁11の中央部の裏面側にネジ等で固設され、回転軸35を真空チャンバ12内に立設する。また、ベアリング110は、図1に示すように、真空チャンバ12の底壁11にネジ等で固設される。
具体的には、開口部36は、例えばターゲット板23の直径の略2〜3倍の直径で、回転板体32の厚さの略4分の3〜5分の4程度の深さを有する円板状に形成される。そして、開口部36は、図3に示すように、開口部36の中心が貫通孔38の中心の真下に位置するように配置される。この開口部36には、図3に示すように、ターゲット板23が収納される。
また、回転板体32は、後述する連結雄ネジ52を螺合させる螺合孔51(図3参照)を開口部36の周囲に同心円状に配置する。
そして、本実施形態の回転板体32は、基板20や真空チャンバ12と同じ接地電位に接地される。
本実施形態のターゲット支持部40は、図3及び図4に示すように、バッキングプレート42と、絶縁板44と、補強部材63と、絶縁部材48とを備える。
まず、バッキングプレート42は、図3及び図4に示すように、例えば開口部36の直径よりやや小さい直径でターゲット板23の厚さの2倍程度の厚さを有するCu製の円板体で形成される。そして、バッキングプレート42は、図3及び図4に示すように、その上面の中央部に、例えばターゲット板23より僅かに大きい直径でターゲット板23の厚さの略半分の深さを有する座繰穴43を備える。この座繰穴43にターゲット板23を載置するのである。
また、バッキングプレート42は、図3及び図4に示すように、バッキングプレート42と後述する補強部材63とを連結するための連結ボルト50のネジ部分50bを挿通させるボルト挿通穴45を、座繰穴43の周囲に同心円状に配置して開設する。さらに、バッキングプレート42は、図3及び図4に示すように、連結ボルト50のヘッド50a収納する収納孔55をボルト挿通穴45の上部に開設する。
また、補強部材63は、図3及び図4に示すように、連結ボルト50を螺合させるネジ穴58を、円板63aに同心円状に配置する。さらに、補強部材63は、図3及び図4に示すように、後述する絶縁部材48を挿通させる挿通孔59を、フランジ63bに同心円状に配置する。
まず、バッキングプレート42の下に補強部材63を配置する。その際、バッキングプレート42の中心の真下に補強部材63の中心がくるように配置さる。そして、連結ボルト50をボルト挿通穴45に挿通させつつ、ネジ穴58に螺合させることで、バッキングプレート42と補強部材63とを連結する。このように、バッキングプレート42と補強部材63とを連結するのは、後述するように円筒状のターゲット電極70を上昇させて頭部74をバッキングプレート42の裏面に押し当てる際に、前記裏面を突き上げてバッキングプレート42が上方に湾曲することを抑制するためである。
また、連結ボルト50のヘッド50aは、上述した収納孔55に収納され、図3に示すように、バッキングプレート42の上端面49から突出しない。
次に、絶縁部材48を補強部材63の挿通孔59及び絶縁板44の挿通孔47に挿通させる。
さらに、連結雄ネジ52を絶縁部材48に挿通しつつ連結雄ネジ52の先端部分を螺合孔51に螺合することにより、ターゲット支持部40が回転板体32に固設される。
このように連結することで、図3に示すように、上述した鉛直線Kが、座繰穴43及び案内孔57の中心を通過する構成となっている。
以上のように構成される、ターゲット支持部40の底面図を図5に示す。
そして、図3に示すように、ターゲット板23は座繰穴43に載置されるのである。
また、バッキングプレート42は、図3に示すように、絶縁部材48によって回転板体32から絶縁される。すなわち、バッキングプレート42は、ターゲット支持部40に設けられ、ターゲット板23の裏面に当接する導電性のプレートであって、回転板体32から絶縁された構成となっているのである。
このように、回転板体32は、貫通孔38の周囲のドーナツ板状部分41を、ターゲット板23の周囲を覆うシールド部37とする構成となっているのである。
本実施形態のフレキシブルチューブ82は、図1に示すように、昇降用孔17と略同じ直径を有する円筒状の蛇腹を備える例えば公知の成形ベローズ管で形成され、その長さが伸縮自在な構成となっている。またフレキシブルチューブ82は、図1に示すように、上端及び下端にそれぞれ鍔89,90を備え、下端側の開放端を閉鎖する閉鎖板91が鍔90を介して固定されている。
そして、フレキシブルチューブ82は、図1に示すように、鉛直線Kが管央を通過するように配置され、鍔89を介して真空チャンバ12の底壁11に固定される。このように、フレキシブルチューブ82の内側は、昇降用孔17を介して真空チャンバ12内と連通する。
可動支持台85は、図1に示すように、水平な天板95と天板95の中央に垂下する円柱体96とを備え、公知の油圧シリンダ機構(図示せず)によって所定の範囲で昇降する。そして、昇降部80は、図1に示すように、フレキシブルチューブ82の下方で鉛直線Kが天板95の中央を通過する位置に配置される。
なお、可動支持台85を昇降させる機構は、油圧シリンダ機構に限るものではなく、ピニオンとラックによりモータ等の回転運動を昇降運動に変換する機構であってもよい。
なお配管86内を、後述するパイプ72や、ターゲット電極70と電源とを接続する電源コード(図示せず)等が通っている。
第1永久磁石75は、例えば、上面がS極で底面がN極で円板状に形成されたネオジウム磁石であり、図2及び図3に示すように、頭部74の中央に埋設される。
一方、第2永久磁石76は、上面がN極で下面がS極でリング状に形成されたネオジウム磁石であり、第1永久磁石75を取り巻くように頭部74に埋設される。
このようにマグネットを備えることで、ターゲット板23の表面近傍に磁場を形成できる。すなわち、本実施形態のマルチターゲットスパッタ装置10は、マグネトロンスパッタが可能な構成となっているのである。
なお、頭部74の上面は平坦に形成され、バッキングプレート42の平坦な裏面と頭部74上面との密着性を高めている。
なお、閉鎖板91には、絶縁管81の中空部と支持管84の中空部とを連通させる連通穴(図示せず)が開設されている。
そして、図3に示すように、上昇時にターゲット電極70の頭部74をバッキングプレート42の裏面に押し当てる。その際、図1に示すように、ターゲット電極70は、絶縁管81を介して真空チャンバ12と絶縁されるとともに、真空チャンバ12と離隔しつつ昇降してバッキングプレート42の裏面に当接する。したがって、バッキングプレート42を介してターゲット板23を真空チャンバ12や回転板体32に対して負電位等の所定の電位とすることができる。また、フレキシブルチューブ82を伸縮しつつターゲット電極70が昇降するので、真空チャンバ12内の雰囲気を維持しつつターゲット電極70を昇降できる。
したがって、囲繞部材100は、基板20とターゲット板23との間のスパッタ空間を囲繞するので、スパッタの際にターゲット板23からのスパッタ物質を他のターゲット板に対して遮蔽する遮蔽体として機能するのである。
本実施形態の絶縁筒体105は例えばセラミックス等の絶縁材からなり、図1及び図2に示すように、フランジ部材107を備える管体106からなる。管体106は、例えばターゲット電極70の直径の略2倍の内径と昇降用孔17の直径と略同じ外径で、ターゲット電極70の長さと略同じ管長を有する。フランジ部材107は、図1に示すように、例えば管体106の側面の長さ方向中間位置に、管体106と一体に突設される。そして、絶縁筒体105は、図1に示すように、その下端部分を昇降用孔17に嵌合させ、フランジ部材107を介して底壁11に固設される。
したがって、絶縁筒体105によって、ターゲット電極70(筒体)と、真空チャンバ12或いは回転板体32との間の異常放電を防止することで、マルチターゲットスパッタ装置10の稼動安定性を高めることができる。
まず、ターゲット板23をターゲット支持部40にセットし、真空チャンバ12内を真空ポンプにより真空雰囲気とする。
次に、ロードロック室から基板ホルダ14を真空チャンバ12内に侵入させて所定位置に基板20をセットする。
次に、駆動部33により回転板体32を回転させ基板20とターゲット板23とを対向させる(図2参照)。
次に、電源によってターゲット電極70を負電位とするとともに、パイプ72から液体窒素を噴出させてターゲット電極70(筒体)を冷却する。
次に、昇降部80によってターゲット電極70を上昇させる。その際、ターゲット電極70の頭部74が案内孔57通過し、バッキングプレート42の裏面に押し当てられる。このように、ターゲット電極70は、バッキングプレート42を介してターゲット板23を、基板20、真空チャンバ12及び回転板体32に対して負電位とする。
次に、ガス導入管108からArガスを導入する。そうすることにより、イオン化したAr原子がターゲット板23表面に衝突してターゲット板の物質を放出させる。そして、所定の時間シャッタ22を開放して基板20に薄膜を形成する。その際、ターゲット電極70が備えるマグネット(第1永久磁石75,第2永久磁石76)によって前記ターゲット板の表面近傍に磁場を形成し、マグネトロンスパッタリングによりスパッタ効率の向上を図ることができる。
次に、所定の厚さの薄膜形成後に、昇降部80によってターゲット電極70を下降させ、駆動部33によって回転板体32を回転させて次のターゲット板を基板20に対向させる。そして、上述と同様にして、真空チャンバ12内の雰囲気を維持しつつ前記薄膜の上に別の薄膜を形成することができる。
また、ターゲット電極70が冷却されるので、バッキングプレート42を介してターゲット板23を冷却可能となり、スパッタ中のイオン衝撃によってターゲット板23の温度が上昇して割れたり変質したりすることを防止することができる。
また、囲繞部材100により、スパッタ中にスパッタ物質が他のターゲット板に飛翔して付着することによるターゲット板の汚染を防止し、ターゲット板23の品質維持を図ることができる。
さらに、絶縁筒体105によって、例えばターゲット電極70が昇降する際に真空チャンバ12との間で放電することを防止できる。
例えば、上記の説明では基板20に対してターゲット電極70及びターゲット板23を負電位とするDCマグネトロンスパッタ方式を前提としたが、これに限るものではなくターゲット電極に高周波回路を接続したRFマグネトロンスパッタ方式であってもよい。
12 真空チャンバ
20 基板
23 ターゲット板
32 回転板体
37 シールド部
38 貫通孔
40 ターゲット支持部
42 バッキングプレート
70 ターゲット電極
75,76 マグネット
80 昇降部
100 囲繞部材
105 絶縁筒体
S 円周
Claims (7)
- スパッタにより薄膜が形成される基板と、前記薄膜の母材となる複数のターゲット板とを真空チャンバ内に配置し、前記基板の下方対向位置に前記ターゲット板を順次位置させ、前記薄膜を前記基板上に形成するマルチターゲットスパッタ装置において、
前記基板の下方に配置される導電性の板体であって、略水平に回転可能に支持され、前記回転中心から一定の距離の円周に沿って開口した複数の貫通孔を有する回転板体と、
前記回転板体に設けられ、前記貫通孔の略真下に前記ターゲット板を略水平に支持するターゲット支持部と、
前記ターゲット支持部に設けられ、前記ターゲット板の裏面に当接する導電性のプレートであって、前記回転板体から絶縁されたバッキングプレートと、
前記バッキングプレートを介して前記ターゲット板を所定の電位とするターゲット電極と、
前記ターゲット電極を昇降させる昇降部と、を備え、
前記回転板体が回転して前記基板の下方対向位置に前記ターゲット板を順次位置させ、前記昇降部が前記ターゲット電極を上昇させて前記バッキングプレートの裏面に押し当てることを特徴とするマルチターゲットスパッタ装置。 - 前記回転板体は、前記貫通孔の周囲部分を、前記ターゲット板の周囲を覆うシールド部とすることを特徴とする請求項1に記載のマルチターゲットスパッタ装置。
- 前記ターゲット電極は、頭部が前記バッキングプレートの裏面に当接する筒体を含み、前記筒体を冷却するための冷媒を通すパイプを前記筒体の内側に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチターゲットスパッタ装置。
- 前記ターゲット電極は、前記ターゲット板の表面近傍に磁場を形成するマグネットを備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のマルチターゲットスパッタ装置。
- 前記基板と前記ターゲット板との間の空間を囲繞する円筒状の囲繞部材を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のマルチターゲットスパッタ装置。
- 前記バッキングプレート及び前記筒体は、Cuからなることを特徴とする請求項3〜5のいずれかに記載のマルチターゲットスパッタ装置。
- 絶縁材からなり、前記筒体の側面を囲繞する絶縁筒体を備えることを特徴とする請求項3〜6のいずれかに記載のマルチターゲットスパッタ装置。
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