JP2011133554A

JP2011133554A - Display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: JP2011133554A
Application number: JP2009290814A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Sato; 努佐藤
Original assignee: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd; Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 2009-12-22
Filing date: 2009-12-22
Publication date: 2011-07-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve manufacturing yield and manufacturing reliability of a display device. <P>SOLUTION: The display device includes a first substrate. The first substrate includes a video line, a first electrode disposed on the same layer as the video line, an insulating film disposed in a layer upper than the first electrode, and a second electrode disposed in a layer upper than the insulating film. The video line includes a metal film, and a first transparent conductive film for covering the metal film. The display device includes a second substrate and a liquid crystal held between the first substrate and the second substrate, and drives the liquid crystal by generating an electric field with the first electrode and the second electrode. The first electrode is a pixel electrode, and the second electrode is a counter electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に係わり、特に、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device, and more particularly to an IPS (In Plane Switching) type liquid crystal display device.

表示装置として、例えばＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られている。このＩＰＳ方式の液晶表示装置は、画素電極（ＰＩＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に構成し、画素電極と対向電極とによって電界を発生させて液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際の表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。
ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、１サブピクセルの構造として、面状の対向電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する画素電極が配置された画素構造や、この逆の構成で面状の画素電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する対向電極が配置された画素構造が知られている。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。 As a display device, for example, an IPS liquid crystal display device is known. In this IPS liquid crystal display device, a pixel electrode (PIX) and a counter electrode (CT) are formed on the same substrate, and an electric field is generated by the pixel electrode and the counter electrode to rotate the liquid crystal within the substrate plane. Therefore, brightness and darkness are controlled. For this reason, there is a feature that the density of the display image when the screen is viewed obliquely is not reversed.
In an IPS liquid crystal display device, as a structure of one subpixel, a pixel structure in which a pixel electrode having a plurality of linear portions is disposed on a planar counter electrode with an insulating film interposed therebetween, or a reverse structure is used. A pixel structure is known in which a counter electrode having a plurality of linear portions is disposed on a pixel electrode through an insulating film.
In addition, there are the following as prior art documents related to the present invention.

特開２００５−３３８２５６号公報JP 2005-338256 A

図５は、従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。同図において、（ａ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上のゲート絶縁膜ＧＩ上に映像線ＤＬの金属膜１２を形成した状態を示す図、（ｂ）は、透明導電膜１３の成膜時に異物ｄｐが付着した状態を示す図、（ｃ）は異物ｄｐが脱落した状態を示す図、（ｄ）は、透明導電膜１３のパターンニングに使用するホトレジスト・マスクＲＭ１の現像工程を示す図、（ｅ）は、画素電極（ＰＩＸ）を形成した状態を示す図である。 FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional liquid crystal display device. In the figure, (a) is a view showing a state in which the metal film 12 of the video line DL is formed on the gate insulating film GI on the first substrate (SUB1), and (b) is a film formation of the transparent conductive film 13. The figure which shows the state in which the foreign material dp adhered sometimes, (c) is the figure which shows the state from which the foreign material dp fell, (d) is the figure which shows the image development process of photoresist mask RM1 used for patterning of the transparent conductive film 13 (E) is a figure which shows the state which formed the pixel electrode (PIX).

フリンジ電界を利用したＩＰＳモードで、特に、面状の画素電極上に絶縁膜を介して複数の線状部分を有する対向電極が配置された画素構造では、映像線ＤＬと画素電極（ＰＩＸ）とを同一層に形成することができるので、従来は、図５（（ａ）〜（ｅ））に示すように、映像線（ＤＬ）を形成した後に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜１３からなる画素電極（ＰＩＸ）を形成するプロセスとなっている。
ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、通常、スパッタリングにより成膜するが、その時に異物ｄｐが基板上に付着することがある（図５（ｂ）参照）。異物ｄｐは洗浄工程で容易に脱落し除去できるが、もしも異物ｄｐが金属膜１２からなる映像線（ＤＬ）上に付着すると（図５（ｂ）参照）、異物ｄｐが脱落した箇所において映像線（ＤＬ）が剥き出しの状態となる（図５（ｃ）参照）。
この後、図５（ｄ）に示すように、一連のホトリソグラフィ工程（レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３をパターンニングするためのホトレジスト・マスクＲＭ１を形成するが、この現像工程では浸漬する現像液ＤＶがアルカリ性であることが多い。
そのため、映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が現像液ＤＶに浸漬された場合、映像線（ＤＬ）の金属膜１２と透明導電膜１３との間で電池反応ＢＲが起こり（図５（ｄ）参照）、図５（ｅ）に示すように映像線（ＤＬ）が溶解し、結果として断線等の機能不良を引き起こし、製造歩留まり及び製品信頼性を著しく損なう問題があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。 In the IPS mode using a fringe electric field, in particular, in a pixel structure in which a counter electrode having a plurality of linear portions is arranged on a planar pixel electrode via an insulating film, a video line DL and a pixel electrode (PIX) Can be formed in the same layer. Conventionally, as shown in FIG. 5 ((a) to (e)), after forming the video line (DL), the transparent conductive film 13 such as an ITO film is used. The pixel electrode (PIX) is formed.
The transparent conductive film 13 such as an ITO film is usually formed by sputtering. At that time, a foreign substance dp may adhere to the substrate (see FIG. 5B). The foreign matter dp can be easily removed and removed in the cleaning process. However, if the foreign matter dp adheres on the video line (DL) made of the metal film 12 (see FIG. 5B), the video line at the location where the foreign matter dp has fallen off. (DL) is exposed (see FIG. 5C).
Thereafter, as shown in FIG. 5D, a series of photolithography processes (resist application process → exposure process → development process) are performed to form a photoresist mask RM1 for patterning the transparent conductive film 13. In this development step, the developer DV immersed is often alkaline.
Therefore, when the exposed part of the video line (DL) is immersed in the developer DV, a battery reaction BR occurs between the metal film 12 of the video line (DL) and the transparent conductive film 13 (see FIG. 5D). ), The video line (DL) is melted as shown in FIG. 5 (e), resulting in malfunctions such as disconnection, and there is a problem that the manufacturing yield and product reliability are significantly impaired.
The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a technique capable of improving the manufacturing yield and product reliability of a display device. is there.
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

上記目的は、映像線上にも画素電極の形成材料として使用する透明導電膜（例えばＩＴＯ膜）が残るようにすることで達成される。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１基板を有し、前記第１基板は、映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置であって、前記映像線は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される。
（２）前記（１）において、前記第１の電極は、第２透明導電膜で構成され、前記第２透明導電膜は、前記第１透明導電膜と同層の膜で構成される。
（３）前記（１）又は（２）において、前記第２の電極は、複数のスリットを有し、前記第１の電極は、前記複数のスリットと重畳する面状の電極である。
（４）前記（１）又は（２）において、前記第２の電極は、一端が互いに連結され他端が開放された複数本の櫛歯電極を有し、前記第１の電極は、前記複数本の櫛歯電極と重畳する面状の電極である。
（５）前記（１）乃至（４）の何れかにおいて、前記表示装置は、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する液晶表示装置である。
（６）前記（５）において、前記第１の電極は、画素電極であり、前記第２の電極は、対向電極である。 The object is achieved by leaving a transparent conductive film (for example, ITO film) used as a pixel electrode forming material on the video line.
Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
(1) having a first substrate, wherein the first substrate is a video line, a first electrode provided in the same layer as the video line, and an insulating film provided in an upper layer than the first electrode; The display device includes a second electrode provided above the insulating film, wherein the video line includes a metal film and a first transparent conductive film covering the metal film.
(2) In (1), the first electrode is composed of a second transparent conductive film, and the second transparent conductive film is composed of the same layer as the first transparent conductive film.
(3) In the above (1) or (2), the second electrode has a plurality of slits, and the first electrode is a planar electrode that overlaps the plurality of slits.
(4) In the above (1) or (2), the second electrode has a plurality of comb electrodes having one end connected to each other and the other end opened, and the first electrode includes the plurality of comb electrodes. It is a planar electrode which overlaps with the comb-tooth electrode.
(5) In any one of the above (1) to (4), the display device includes a second substrate and a liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate, The liquid crystal display device drives the liquid crystal by generating an electric field with one electrode and the second electrode.
(6) In the above (5), the first electrode is a pixel electrode, and the second electrode is a counter electrode.

（７）第１基板を有し、前記第１基板は、金属膜と、前記金属膜を覆う第１透明導電膜とで構成される映像線と、前記映像線と同層に設けられる第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられる絶縁膜と、前記絶縁膜よりも上層に設けられる第２の電極とを有する表示装置の製造方法であって、前記第１基板上に、前記映像線の前記金属膜を形成する工程１と、前記映像線の前記金属膜を含む前記第１基板上に透明導電膜を形成する工程２と、ホトリソグラフィ技術により、前記透明導電膜上に、前記映像線の前記金属膜を覆うようにレジスト膜を形成する工程３と、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜を形成する工程４とを有する。
（８）前記（７）において、前記工程３において、前記透明導電膜上に、前記第１の電極パターン状にレジスト膜を形成し、前記構成４において、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電膜をエッチングして、前記第１の電極を、前記映像線の前記金属膜を覆う透明導電膜と一緒に形成する。 (7) having a first substrate, wherein the first substrate is a video line composed of a metal film and a first transparent conductive film covering the metal film, and a first layer provided in the same layer as the video line. A display device comprising: a first electrode; an insulating film provided above the first electrode; and a second electrode provided above the insulating film, wherein the method comprises: A step 1 of forming the metal film of the video line; a step 2 of forming a transparent conductive film on the first substrate including the metal film of the video line; and Forming a resist film so as to cover the metal film of the video line, and a transparent conductive film covering the metal film of the video line by etching the transparent conductive film using the resist film as a mask. Forming step 4.
(8) In the step (7), a resist film is formed in the first electrode pattern on the transparent conductive film in the step 3, and in the configuration 4, the transparent conductive film is used with the resist film as a mask. The film is etched to form the first electrode together with a transparent conductive film covering the metal film of the video line.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、表示装置の製造歩留まり及び製品信頼性の向上を図ることが可能となる。 The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
According to the present invention, it is possible to improve the manufacturing yield and product reliability of the display device.

本発明の一実施例である液晶表示装置において、１サブピクセルの電極構成を示す平面図である。In the liquid crystal display device which is one Example of this invention, it is a top view which shows the electrode structure of 1 sub pixel. 図１のａ−ａ’線に沿った断面構造を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure along the line a-a ′ of FIG. 1. 図１のｂ−ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the cross-section along a b-b 'line | wire of FIG. 本発明の一実施例である液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the liquid crystal display device which is one Example of this invention. 従来の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the conventional liquid crystal display device.

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
本実施例では、表示装置の一つであるＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用した例について説明する。
本実施例の液晶表示装置は、カラー表示で２４０×３２０×３程度の小型の液晶表示パネルを有するＩＰＳ方式の液晶表示装置であり、携帯電話機などの携帯機器の表示部として使用される。
図１乃至図４は、本発明の一実施例の液晶表示装置に係る図であり、
図１は、１サブピクセルの電極構成を示す平面図、
図２は、図１のａ−ａ線に沿った断面構造を示す断面図、
図３は、図１のｂ−ｂ線に沿った断面構造を示す断面図、
図４は、液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are given the same reference numerals, and repeated explanation thereof is omitted.
In this embodiment, an example in which the present invention is applied to an IPS liquid crystal display device which is one of display devices will be described.
The liquid crystal display device of this embodiment is an IPS liquid crystal display device having a small liquid crystal display panel of about 240 × 320 × 3 in color display, and is used as a display unit of a mobile device such as a mobile phone.
1 to 4 are diagrams related to a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a plan view showing an electrode configuration of one subpixel,
2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure along the line aa in FIG.
3 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure along the line bb in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the liquid crystal display device.

本実施例の液晶表示装置は、図２及び図３に示す液晶表示パネル１を備えている。液晶表示パネル１は、図２及び図３に示すように、第１基板（ＳＵＢ１；ＴＦＴ基板とも言う）と第２基板（ＳＵＢ２；ＣＦ基板，カラーフィルタ基板とも言う）との間に、多数の液晶分子からなる液晶層（ＬＣ）を挟持した構成になっており、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶層側の面とは反対側の面が観察者側となっている。第１及び第２基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）としては、例えばガラス等の透明な絶縁性基板が用いられている。液晶層（ＬＣ）の液晶としては、例えばポジ型液晶、或いはネガ型液晶が用いられている。
また、液晶表示パネル１は、図１に示すサブピクセル２がマトリクス状に複数配置された表示部と、この表示部の周囲に配置された周辺部とを有する構成になっている。複数のサブピクセル２の各々は、画素電極（ＰＩＸ）と、対向電極（ＣＴ）とを有している。 The liquid crystal display device of the present embodiment includes a liquid crystal display panel 1 shown in FIGS. As shown in FIGS. 2 and 3, the liquid crystal display panel 1 includes a large number of substrates between a first substrate (SUB1; also referred to as a TFT substrate) and a second substrate (SUB2; also referred to as a CF substrate or a color filter substrate). The liquid crystal layer (LC) made of liquid crystal molecules is sandwiched, and the surface opposite to the liquid crystal layer side of the second substrate (SUB2) is the viewer side. As the first and second substrates (SUB1, SUB2), for example, transparent insulating substrates such as glass are used. As the liquid crystal of the liquid crystal layer (LC), for example, positive type liquid crystal or negative type liquid crystal is used.
Further, the liquid crystal display panel 1 has a configuration having a display unit in which a plurality of subpixels 2 shown in FIG. 1 are arranged in a matrix and a peripheral unit arranged around the display unit. Each of the plurality of subpixels 2 includes a pixel electrode (PIX) and a counter electrode (CT).

また、液晶表示パネル１は、同一平面内において互いに直交する２つの方向をＸ方向（第１の方向）とＹ方向（第２の方向）とした時、Ｘ方向に沿って延在する走査線（ＧＬ）及び対向電極線（ＣＴＬ）と、Ｙ方向に沿って延在する映像線（ＤＬ）とを有している。走査線（ＧＬ）及び対向電極線（ＣＴＬ）は、Ｙ方向に所定の間隔を置いて複数本配置され、映像線（ＤＬ）は、Ｘ方向に所定の間隔を置いて複数本配置されている。複数の走査線（ＧＬ）は複数の映像線（ＤＬ）と絶縁膜を介して交差しており、これらの走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）とが交差する各交点近傍には、サブピクセル２のスイッチング素子として使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）ＴＦＴが設けられている。複数の対向電極線（ＣＴＬ）は、複数の走査線（ＧＬ）と絶縁膜を介して平面的に重畳して配置されており、複数の走査線（ＧＬ）と同様に複数の映像線（ＤＬ）と交差している。
なお、複数のサブピクセル２の各々は、Ｘ方向及びＹ方向においてマトリスク状に配置されており、Ｘ方向に沿って１列に配置された複数のサブピクセルで１表示ラインが構成され、この１表示ラインはＹ方向に複数設けられている。 The liquid crystal display panel 1 also has a scanning line extending along the X direction when two directions orthogonal to each other in the same plane are defined as an X direction (first direction) and a Y direction (second direction). (GL) and a counter electrode line (CTL), and a video line (DL) extending along the Y direction. A plurality of scanning lines (GL) and counter electrode lines (CTL) are arranged at predetermined intervals in the Y direction, and a plurality of video lines (DL) are arranged at predetermined intervals in the X direction. . The plurality of scanning lines (GL) intersect with the plurality of video lines (DL) via an insulating film, and in the vicinity of each intersection where these scanning lines (GL) and the video lines (DL) intersect, A thin film transistor (TFT) TFT used as a switching element of the pixel 2 is provided. The plurality of counter electrode lines (CTL) are arranged so as to overlap with the plurality of scanning lines (GL) via an insulating film in a plane, and the plurality of video lines (DL) are arranged in the same manner as the plurality of scanning lines (GL). ).
Each of the plurality of subpixels 2 is arranged in a matrix form in the X direction and the Y direction, and one display line is configured by the plurality of subpixels arranged in one column along the X direction. A plurality of display lines are provided in the Y direction.

図２及び図３に示すように、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面には、走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）が形成され、更にこの走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を覆うにようにしてゲート絶縁膜（ＧＩ）が形成されている。ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層１１、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極（ＳＤ１，ＳＤ２）が形成され、更に映像線（ＤＬ）、画素電極（ＰＩＸ）が形成されている。ここで、本明細書では、便宜上ＳＤ１の方をソース電極と呼び、ＳＤ２の方をドレイン電極と呼ぶが、その逆の場合もある。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜として機能すると共に、走査線（ＧＬ）と映像線（ＤＬ）とを絶縁分離する層間絶縁膜としての機能も有する。半導体層１１は、例えばアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）からなり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル形成領域として機能する。
ソース電極（ＳＤ１）は、一部が半導体層１１と平面的に重なるように半導体層１１の上に配置され、他の部分が半導体層１１の外側に引き出されている。ソース電極（ＳＤ１）の一部分は半導体層１１と電気的にかつ機械的に接続され、ソース電極（ＳＤ１）の他の部分は画素電極（ＰＩＸ）と電気的にかつ機械的に接続されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, a scanning line (GL) and a gate electrode (GT) are formed on the surface of the first substrate (SUB1) on the liquid crystal layer side, and the scanning line (GL) and the gate electrode are further formed. A gate insulating film (GI) is formed so as to cover (GT). On the gate insulating film (GI), a semiconductor layer 11 of a thin film transistor (TFT), a pair of electrodes (SD1, SD2) functioning as a source electrode and a drain electrode are formed, and a video line (DL), a pixel electrode ( PIX) is formed. Here, in this specification, for convenience, SD1 is referred to as a source electrode and SD2 is referred to as a drain electrode, but the opposite may be the case.
The gate insulating film (GI) functions as a gate insulating film of a thin film transistor (TFT) and also functions as an interlayer insulating film that insulates and separates the scanning line (GL) and the video line (DL). The semiconductor layer 11 is made of, for example, amorphous silicon (a-Si) and functions as a channel formation region of a thin film transistor (TFT).
The source electrode (SD1) is arranged on the semiconductor layer 11 so that a part thereof overlaps the semiconductor layer 11 in a plan view, and the other part is drawn out to the outside of the semiconductor layer 11. A part of the source electrode (SD1) is electrically and mechanically connected to the semiconductor layer 11, and the other part of the source electrode (SD1) is electrically and mechanically connected to the pixel electrode (PIX).

ドレイン電極（ＳＤ２）は、映像線（ＤＬ）から分岐して半導体層１１と平面的に重なるように半導体層１１の上に配置され、半導体層１１と電気的にかつ機械的に接続されている。ゲート電極（ＧＴ）は走査線（ＧＬ）の一部からなり、半導体層１１は下層のゲート電極（ＧＴ）と平面的に重なるように配置されている。即ち、本実施例の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面に、ゲート電極（ＧＴ）、ゲート絶縁膜（ＧＩ）、半導体層１１、ソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）がこの順番で積層された逆スタガ型構造になっている。
ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上には、半導体層１１、ソース電極（ＳＤ１）、ドレイン電極（ＳＤ２）、映像線（ＤＬ）、画素電極（ＰＩＸ）等を覆うようにして層間絶縁膜（ＰＡＳ）が形成され、この層間絶縁膜（ＰＡＳ）の上には対向電極線（ＣＴＬ）及び対向電極（ＣＴ）が形成されている。
層間絶縁膜（ＰＡＳ）の上には、対向電極線（ＣＴＬ）及び対向電極（ＣＴ）等を覆うようにして配向膜（ＯＲ１）が形成されている。また、第１基板（ＳＵＢ１）の液晶層側の面とは反対側の面には、偏光板（ＰＯＬ１）が配置されている。 The drain electrode (SD2) is arranged on the semiconductor layer 11 so as to branch from the video line (DL) and overlap the semiconductor layer 11 in a planar manner, and is electrically and mechanically connected to the semiconductor layer 11. . The gate electrode (GT) consists of a part of the scanning line (GL), and the semiconductor layer 11 is arranged so as to overlap with the lower gate electrode (GT) in a plane. That is, the thin film transistor (TFT) of this embodiment has a gate electrode (GT), a gate insulating film (GI), a semiconductor layer 11, a source electrode (SD1), and a drain on the surface of the first substrate (SUB1) on the liquid crystal layer side. The electrode (SD2) has an inverted stagger type structure in which the electrodes are stacked in this order.
On the gate insulating film (GI), an interlayer insulating film (PAS) is formed so as to cover the semiconductor layer 11, the source electrode (SD1), the drain electrode (SD2), the video line (DL), the pixel electrode (PIX), and the like. The counter electrode line (CTL) and the counter electrode (CT) are formed on the interlayer insulating film (PAS).
An alignment film (OR1) is formed on the interlayer insulating film (PAS) so as to cover the counter electrode line (CTL), the counter electrode (CT), and the like. A polarizing plate (POL1) is disposed on the surface of the first substrate (SUB1) opposite to the surface on the liquid crystal layer side.

図２及び図３に示すように、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶側の面には、第２基板（ＳＵＢ２）から液晶層（ＬＣ）に向かって順に、遮光膜（ＢＭ）、赤・緑・青のカラーフィルタ（ＦＩＲ）、保護膜（ＯＣ）、配向膜（ＯＲ２）等が形成されている。また、第２基板（ＳＵＢ２）の液晶層側の面とは反対側の面には、偏光板（ＰＯＬ２）が配置されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, on the liquid crystal side surface of the second substrate (SUB2), a light shielding film (BM), red / green, in order from the second substrate (SUB2) to the liquid crystal layer (LC). A blue color filter (FIR), a protective film (OC), an alignment film (OR2), etc. are formed. A polarizing plate (POL2) is disposed on the surface of the second substrate (SUB2) opposite to the surface on the liquid crystal layer side.

図１に示すように、対向電極（ＣＴ）は、対向電極線（ＣＴＬ）から分岐して一体に構成されており、対向電極線（ＣＴＬ）と電気的に接続されている。対向電極（ＣＴ）は、長尺状のスリット（ＳＬＴ）が並設して複数配置された構造になっており、スリット（ＳＬＴ）で分割された部分が対向電極（ＣＴ）の線状部分（ＣＴａ）となる。本実施例ではスリット（ＳＬＴ）の両端が閉じた構造になっているが、スリット（ＳＬＴ）の一端側が開放された構造であってもよい。この場合の対向電極（ＣＴ）は、図示していないが、一端側が互いに連結され、他端側が開放された複数の線状部分（櫛歯電極）（ＣＴａ）を有する櫛歯電極構造となる。画素電極（ＰＩＸ）は、面状で形成されている。
図２に示すように、対向電極（ＣＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）側において画素電極（ＰＩＸ）よりも上層に形成されている。対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）は、層間絶縁膜（ＰＡＳ）を介して重畳、具体的には対向電極（ＣＴ）のスリット（ＳＬＴ）及び線状部分（ＣＴａ）と面状の画素電極（ＰＩＸ）とが層間絶縁膜（ＰＡＳ）を介して重畳されており、対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＩＸ）とによって発生する電界により、液晶層（ＬＣ）の液晶を駆動して表示を行う。即ち、本実施例のサブピクセル２は、面状の画素電極（ＰＩＸ）上に絶縁膜を介して複数の線状部分（ＣＴａ）を有する対向電極（ＣＴ）が配置された構造になっている。 As shown in FIG. 1, the counter electrode (CT) branches from the counter electrode line (CTL) and is integrally formed, and is electrically connected to the counter electrode line (CTL). The counter electrode (CT) has a structure in which a plurality of long slits (SLT) are arranged side by side, and a portion divided by the slit (SLT) is a linear portion of the counter electrode (CT) ( CTa). In this embodiment, both ends of the slit (SLT) are closed. However, one end of the slit (SLT) may be open. Although the counter electrode (CT) in this case is not illustrated, it has a comb electrode structure having a plurality of linear portions (comb electrodes) (CTa) that are connected to each other at one end and open at the other end. The pixel electrode (PIX) is formed in a planar shape.
As shown in FIG. 2, the counter electrode (CT) is formed in an upper layer than the pixel electrode (PIX) on the first substrate (SUB1) side. The counter electrode (CT) and the pixel electrode (PIX) overlap with each other via an interlayer insulating film (PAS). Specifically, the slit (SLT) and the linear portion (CTa) of the counter electrode (CT) and the planar pixel The electrode (PIX) is overlapped via an interlayer insulating film (PAS), and the liquid crystal of the liquid crystal layer (LC) is driven and displayed by the electric field generated by the counter electrode (CT) and the pixel electrode (PIX). I do. That is, the sub-pixel 2 of this embodiment has a structure in which the counter electrode (CT) having a plurality of linear portions (CTa) is disposed on the planar pixel electrode (PIX) via the insulating film. .

走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）は、例えばアルミニウム等の金属膜で構成されている。対向電極（ＣＴ）及び対向電極線（ＣＴＬ）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成されている。
画素電極（ＰＩＸ）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜１３で構成されている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）は、例えばアルミニウム等の金属膜で構成されている。映像線（ＤＬ）は、例えばアルミニウム等の金属膜１２と、この金属膜１２を覆う、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜１３とで構成されている。
映像線（ＤＬ）の金属膜１２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）と同層の膜で構成されている。映像線（ＤＬ）の金属膜１２とドレイン電極（ＳＤ２）とは一体に連結し、これら映像線（ＤＬ）及びドレイン電極（ＳＤ２）とソース電極（ＳＤ１）とは電気的にかつ構造的に分離されている。
映像線（ＤＬ）の透明導電膜１３は、画素電極（ＰＩＸ）と同層の膜（透明導電膜１３）で構成、換言すれば画素電極（ＰＩＸ）と同一工程で形成され、画素電極（ＰＩＸ）とは電気的にかつ構造的に分離されている。 The scanning line (GL) and the gate electrode (GT) are made of a metal film such as aluminum. The counter electrode (CT) and the counter electrode line (CTL) are made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example.
The pixel electrode (PIX) is composed of a transparent conductive film 13 such as ITO (Indium Tin Oxide). The source electrode (SD1) and the drain electrode (SD2) of the thin film transistor (TFT) are made of, for example, a metal film such as aluminum. The video line (DL) is composed of a metal film 12 such as aluminum and a transparent conductive film 13 such as ITO (Indium Tin Oxide) covering the metal film 12.
The metal film 12 of the video line (DL) is composed of a film in the same layer as the source electrode (SD1) and the drain electrode (SD2) of the thin film transistor (TFT). The metal film 12 of the video line (DL) and the drain electrode (SD2) are integrally connected, and the video line (DL), the drain electrode (SD2), and the source electrode (SD1) are electrically and structurally separated. Has been.
The transparent conductive film 13 of the video line (DL) is composed of a film (transparent conductive film 13) in the same layer as the pixel electrode (PIX), in other words, formed in the same process as the pixel electrode (PIX). ) And are structurally separated from each other.

ここで、本実施例の映像線（ＤＬ）は、前述したように、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで構成されている。このような映像線（ＤＬ）は、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成する際、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るようにすることで形成できる。以下、本実施例の映像線（ＤＬ）の形成方法について、図４を用いて説明する。
同図において、（ａ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上のゲート絶縁膜ＧＩ上に映像線ＤＬの金属膜１２を形成した状態を示す図、（ｂ）は、透明導電膜１３の成膜時に異物ｄｐが付着した状態を示す図、（ｃ）は異物ｄｐが脱落した状態を示す図、（ｄ）は、透明導電膜１３のパターンニングに使用するホトレジスト・マスクＲＭの現像工程を示す図、（ｅ）は、画素電極（ＰＩＸ）及び映像線（ＤＬ）を形成した状態を示す図である。 Here, the video line (DL) of the present embodiment is composed of the metal film 12 and the transparent conductive film 13 covering the metal film 12 as described above. Such a video line (DL) causes the transparent conductive film 13 to remain on the metal film 12 of the video line (DL) when the transparent conductive film 13 is patterned to form the pixel electrode (PIX). Can be formed. Hereinafter, the method of forming the video line (DL) of this embodiment will be described with reference to FIG.
In the figure, (a) is a view showing a state in which the metal film 12 of the video line DL is formed on the gate insulating film GI on the first substrate (SUB1), and (b) is a film formation of the transparent conductive film 13. The figure which shows the state in which the foreign material dp adhered at time, (c) is the figure which shows the state from which the foreign material dp dropped, (d) is the figure which shows the image development process of the photoresist mask RM used for patterning of the transparent conductive film 13 (E) is a figure which shows the state which formed the pixel electrode (PIX) and the video line (DL).

まず、第１基板（ＳＵＢ１）の主面（液晶層側の面）上に走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を形成し、その後、走査線（ＧＬ）及びゲート電極（ＧＴ）を覆うようにして第１基板（ＳＵＢ１）の主面上にゲート絶縁膜（ＧＩ）を形成する（図４（ａ）参照）。
次に、ゲート絶縁膜（ＧＩ）の上に例えばａ−Ｓｉからなる半導体層１１を形成し、そのこの半導体層１１を所定のパターンにパターンニングする。
次に、半導体層１１上を含むゲート絶縁膜（ＧＩ）上に、映像線（ＤＬ）や、ソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）等を形成するための金属膜１２を形成し、その後、金属膜１２をパターンニングして、図４（ａ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２を形成する。この工程において、金属膜１２からなるソース電極（ＳＤ１）及びドレイン電極（ＳＤ２）も形成される。
次に、図４（ｂ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上を含むゲート絶縁膜（ＧＩ）上に例えばＩＴＯ膜等の透明導電膜１３を形成する。この工程において、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、通常、スパッタリングにより成膜するが、その時に異物ｄｐが映像線（ＤＬ）の金属膜１２上に付着することがある。
次に、洗浄工程を施す。この工程において、図４（ｃ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上に付着した異物ｄｐは容易に脱落し除去されるが、異物が脱落した箇所において映像線（ＤＬ）の金属膜１２が剥き出しの状態となる。 First, the scanning lines (GL) and the gate electrodes (GT) are formed on the main surface (surface on the liquid crystal layer side) of the first substrate (SUB1), and then the scanning lines (GL) and the gate electrodes (GT) are covered. In this way, the gate insulating film (GI) is formed on the main surface of the first substrate (SUB1) (see FIG. 4A).
Next, a semiconductor layer 11 made of, for example, a-Si is formed on the gate insulating film (GI), and the semiconductor layer 11 is patterned into a predetermined pattern.
Next, a metal film 12 for forming a video line (DL), a source electrode (SD1), a drain electrode (SD2), and the like is formed on the gate insulating film (GI) including the semiconductor layer 11, and thereafter Then, the metal film 12 is patterned to form the metal film 12 of the video line (DL) as shown in FIG. In this step, a source electrode (SD1) and a drain electrode (SD2) made of the metal film 12 are also formed.
Next, as shown in FIG. 4B, a transparent conductive film 13 such as an ITO film is formed on the gate insulating film (GI) including the metal film 12 of the video line (DL). In this step, the transparent conductive film 13 such as an ITO film is usually formed by sputtering. At that time, the foreign matter dp may adhere to the metal film 12 of the video line (DL).
Next, a cleaning process is performed. In this step, as shown in FIG. 4C, the foreign matter dp adhering to the metal film 12 of the video line (DL) is easily removed and removed, but the video line (DL) is removed at the location where the foreign matter has fallen. The metal film 12 is exposed.

次に、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭを一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３上に形成する。この工程において、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭを形成する（図４（ｄ）参照）。
ここで、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭは、一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して形成されるが、この現像工程では、浸漬する現像液ＤＶがアルカリ性であることが多い。従来は、図５（ｄ）に示すように、映像線（ＤＬ）上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭ１を形成していないため、映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が現像液ＤＶに浸漬された場合、映像線（ＤＬ）の金属膜１２と透明導電膜１３との間で電池反応ＢＲが起こり、図５（ｅ）に示すように映像線ＤＬが溶解し、結果として断線等の機能不良を引き起こし、製造歩留まり及び製品信頼性を著しく損なう問題があった。
これに対し、本実施例では、図４（ｄ）に示すように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンでホトレジスト・マスクＲＭを形成しているため、仮に異物ｄｐの付着・脱落により映像線（ＤＬ）の剥き出し部分が発生したとしても、現像液ＤＶに浸漬されている期間は映像線（ＤＬ）の金属膜１２の剥き出し部分がホトレジスト・マスクＲＭで覆われているため、原理的に電池反応が発生しない。 Next, the transparent conductive film 13 is patterned to form a pixel electrode (PIX), and a photoresist mask RM is subjected to a series of photolithography processes (photosensitive resist coating process → exposure process → development process) to form a transparent conductive film. It is formed on the film 13. In this step, a photoresist mask RM is formed with a pattern that also covers the transparent conductive film 13 on the metal film 12 of the video line (DL) so that the transparent conductive film 13 remains on the metal film 12 of the video line (DL). (See FIG. 4 (d)).
Here, the photoresist mask RM for forming the pixel electrode (PIX) by patterning the transparent conductive film 13 is formed by performing a series of photolithography processes (photosensitive resist coating process → exposure process → development process). However, in this development step, the developer DV to be immersed is often alkaline. Conventionally, as shown in FIG. 5D, since the photoresist mask RM1 is not formed in a pattern that also covers the transparent conductive film 13 on the video line (DL), the exposed part of the video line (DL) is a developer. When immersed in DV, a battery reaction BR occurs between the metal film 12 and the transparent conductive film 13 of the video line (DL), and the video line DL is dissolved as shown in FIG. There has been a problem that the manufacturing yield and the product reliability are remarkably impaired.
On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 4D, the transparent conductive film 13 remains on the metal film 12 of the video line (DL) so as to remain on the metal film 12 of the video line (DL). Since the photoresist mask RM is formed in a pattern that also covers the transparent conductive film 13, even if the exposed portion of the video line (DL) is generated due to the attachment / dropping of the foreign matter dp, it is immersed in the developer DV. In the period, since the exposed portion of the metal film 12 of the video line (DL) is covered with the photoresist mask RM, the battery reaction does not occur in principle.

次に、ホトレジスト・マスクＲＭから露出している透明導電膜１３をエッチング、即ちホトレジスト・マスクＲＭのパターンに基づいて透明導電膜１３をパターンニングして、図４（ｅ）に示すように、透明導電膜１３からなる画素電極（ＰＩＸ）を形成すると共に、映像線（ＤＬ）の金属膜１２を覆う透明導電膜１３を形成する。この工程により、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とからなる映像線（ＤＬ）が形成される。 Next, the transparent conductive film 13 exposed from the photoresist mask RM is etched, that is, the transparent conductive film 13 is patterned based on the pattern of the photoresist mask RM, so that the transparent conductive film 13 is transparent as shown in FIG. A pixel electrode (PIX) made of the conductive film 13 is formed, and a transparent conductive film 13 covering the metal film 12 of the video line (DL) is formed. By this step, a video line (DL) including the metal film 12 and the transparent conductive film 13 covering the metal film 12 is formed.

本実施例の映像線（ＤＬ）は、金属膜１２と、この金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで構成されている。この映像線（ＤＬ）は、透明導電膜１３をパターンニングして画素電極（ＰＩＸ）を形成するためのホトレジスト・マスクＲＭを一連のホトリソグラフィ工程（感光性レジスト塗布工程⇒露光工程⇒現像工程）を施して透明導電膜１３上に形成する際、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上にも透明導電膜１３が残るように、映像線（ＤＬ）の金属膜１２上の透明導電膜１３も覆うパターンのホトレジスト・マスクＲＭとすることにより形成することができる。
このようにすることで、仮に異物ｄｐの付着・脱落により映像線（ＤＬ）の剥き出し部が発生したとしても現像液ＤＶに浸漬されている期間は映像線（ＤＬ）の金属膜１２の剥き出し部分がホトレジスト・マスクＲＭで覆われているため、原理的に電池反応が発生しない。これにより、液晶表示装置の製造歩留まり向上及び製品信頼性の向上を図ることが可能となる。
更に、ＩＴＯ膜等の透明導電膜１３は、導電性をもつ材料であるため、別起因で映像線（ＤＬ）の金属膜１２が断線したとしても冗長構造として働くため、断線に対するマージンが飛躍的に向上する。結果として、液晶表示装置の製造上の歩留及び製品信頼性を著しく向上することが可能になる。 The video line (DL) of this embodiment is composed of a metal film 12 and a transparent conductive film 13 covering the metal film 12. This video line (DL) is a series of photolithography processes (photosensitive resist coating process ⇒ exposure process ⇒ development process) for patterning the transparent conductive film 13 to form the pixel electrode (PIX). The transparent conductive film 13 on the metal film 12 of the video line (DL) also remains so that the transparent conductive film 13 remains on the metal film 12 of the video line (DL). It can be formed by using a photoresist mask RM with a covering pattern.
By doing in this way, even if the exposed portion of the video line (DL) is generated due to the attachment / dropping of the foreign matter dp, the exposed portion of the metal film 12 of the video line (DL) is in the period immersed in the developer DV. Is covered with the photoresist mask RM, so that no battery reaction occurs in principle. As a result, it is possible to improve the manufacturing yield and product reliability of the liquid crystal display device.
Furthermore, since the transparent conductive film 13 such as an ITO film is a conductive material, it works as a redundant structure even if the metal film 12 of the video line (DL) is disconnected due to another cause, so the margin for disconnection is drastically increased. To improve. As a result, it is possible to significantly improve the manufacturing yield and product reliability of the liquid crystal display device.

なお、前述の実施例では、金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３とで映像線（ＤＬ）を構成し、この映像線（ＤＬ）の金属膜１２と一体の金属膜１２でドレイン電極（ＳＤ２）を構成している。映像線（ＤＬ）と同様に、金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３とでドレイン電極（ＳＤ２）を構成してもよいが、ドレイン電極（ＳＤ２）とソース電極（ＳＤ１）との間のマージンを考慮すると、本実施例のようにドレイン電極（ＳＤ２）は金属膜１２のみで構成することが望ましい。
また、本実施例では、映像線（ＤＬ）が半導体層１１上を横切っている。このような場合、段差の緩和を考慮すると、映像線（ＤＬ）は、半導体層１１と重畳する部分１４ａ（図１参照）では金属膜１２のみの構成とし、半導体層１１と重畳しない部分１４ｂ（図１参照）では金属膜１２とこの金属膜１２を覆う透明導電膜１３との構成となるように透明導電膜１３を選択的に成形することが望ましい。
なお、前述の実施例では、表示装置として液晶表示装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ表示装置や無機ＥＬ表示装置等の他の表示装置に適用することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。 In the above-described embodiment, the metal film 12 and the transparent conductive film 13 covering the metal film 12 form a video line (DL), and the metal film 12 integral with the metal film 12 of the video line (DL). A drain electrode (SD2) is formed. Similarly to the video line (DL), the drain electrode (SD2) may be formed by the metal film 12 and the transparent conductive film 13 covering the metal film 12, but the drain electrode (SD2) and the source electrode (SD1) In consideration of the margin between the drain electrodes (SD2), it is desirable that the drain electrode (SD2) is composed only of the metal film 12 as in this embodiment.
In this embodiment, the video line (DL) crosses over the semiconductor layer 11. In such a case, considering the relaxation of the level difference, the video line (DL) is configured only by the metal film 12 in the portion 14a (see FIG. 1) overlapping with the semiconductor layer 11, and the portion 14b (not overlapping with the semiconductor layer 11) ( In FIG. 1), it is desirable to selectively form the transparent conductive film 13 so that the metal film 12 and the transparent conductive film 13 covering the metal film 12 are configured.
In the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a liquid crystal display device as a display device has been described. However, the present invention is not limited to this, and other organic EL display devices, inorganic EL display devices, etc. It can be applied to the display device.
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the above embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Of course.

１液晶表示パネル
２サブピクセル
１１半導体層
１２金属膜
１３透明導電膜
ＢＭ遮光膜
ＣＴ対向電極
ＤＬ映像線（ドレイン線、ソース線）
ＦＩＲカラーフィルタ層
ＧＩゲート絶縁膜
ＧＬ走査線（ゲート線）
ＧＴゲート電極
ＬＣ液晶層
ＯＣオーバーコート層
ＯＲ１，ＯＲ２配向膜
ＰＡＳ層間絶縁膜
ＰＩＸ画素電極
ＰＯＬ１，ＰＯＬ２偏光板
ＲＭ，ＲＭ１ホトレジスト・マスク
ＳＬＴスリット
ＳＵＢ１第１基板（ＴＦＴ基板）
ＳＵＢ２第２基板（ＣＦ基板）
ＴＦＴ薄膜トランジスタ
ＳＤ１ソース電極
ＳＤ２ドレイン電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display panel 2 Sub pixel 11 Semiconductor layer 12 Metal film 13 Transparent conductive film BM Light shielding film CT Counter electrode DL Video line (drain line, source line)
FIR color filter layer GI gate insulating film GL scanning line (gate line)
GT gate electrode LC liquid crystal layer OC overcoat layer OR1, OR2 alignment film PAS interlayer insulation film PIX pixel electrode POL1, POL2 polarizing plate RM, RM1 photoresist mask SLT slit SUB1 first substrate (TFT substrate)
SUB2 Second substrate (CF substrate)
TFT Thin film transistor SD1 Source electrode SD2 Drain electrode

Claims

Having a first substrate;
The first substrate includes a video line,
A first electrode provided in the same layer as the video line;
An insulating film provided in an upper layer than the first electrode;
A display device having a second electrode provided in an upper layer than the insulating film,
The video line includes a metal film,
A display device comprising: a first transparent conductive film covering the metal film.

The first electrode is composed of a second transparent conductive film,
The display device according to claim 1, wherein the second transparent conductive film is formed of the same layer as the first transparent conductive film.

The second electrode has a plurality of slits;
The display device according to claim 1, wherein the first electrode is a planar electrode that overlaps the plurality of slits.

The second electrode has a plurality of comb electrodes having one end connected to each other and the other end opened,
The display device according to claim 1, wherein the first electrode is a planar electrode that overlaps with the plurality of comb electrodes.

The display device includes a second substrate,
A liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate;
5. The display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device drives the liquid crystal by generating an electric field with the first electrode and the second electrode. 6. .

The first electrode is a pixel electrode;
The display device according to claim 5, wherein the second electrode is a counter electrode.

Having a first substrate;
The first substrate is a video line composed of a metal film and a first transparent conductive film covering the metal film,
A first electrode provided in the same layer as the video line;
An insulating film provided in an upper layer than the first electrode;
A method of manufacturing a display device having a second electrode provided in an upper layer than the insulating film,
Forming the metal film of the video line on the first substrate;
Forming a transparent conductive film on the first substrate including the metal film of the video line; and
Forming a resist film on the transparent conductive film so as to cover the metal film of the video line by photolithography technology;
And a step (4) of forming the transparent conductive film covering the metal film of the video line by etching the transparent conductive film using the resist film as a mask.

In the step 3, on the transparent conductive film, a resist film is formed in the first electrode pattern,
In the step 4, the transparent conductive film is etched using the resist film as a mask to form the first electrode together with the transparent conductive film covering the metal film of the video line. A method for manufacturing the display device according to claim 7.