JP2011129963A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device Download PDF

Info

Publication number
JP2011129963A
JP2011129963A JP2008102297A JP2008102297A JP2011129963A JP 2011129963 A JP2011129963 A JP 2011129963A JP 2008102297 A JP2008102297 A JP 2008102297A JP 2008102297 A JP2008102297 A JP 2008102297A JP 2011129963 A JP2011129963 A JP 2011129963A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
circuit
power supply
level shift
supply voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008102297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazumasa Takemoto
和正 竹本
Tsunaki Osato
綱規 大里
Akira Kawamoto
昭 河本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2008102297A priority Critical patent/JP2011129963A/en
Priority to PCT/JP2009/001651 priority patent/WO2009125595A1/en
Publication of JP2011129963A publication Critical patent/JP2011129963A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit for achieving control of an I/O circuit stably operating without using power-on procedures only with a digital circuit restraining an increase in a circuit size, without requiring any tuning. <P>SOLUTION: A signal generated by a signal generator 113 is converted to signal amplitude of a supply voltage Vcc2 by a level shift circuit 111. Then, the signal converted to the signal amplitude of Vcc2 is converted to signal amplitude of an internal supply voltage Vcc1 by a level shift circuit 112 again to generate a feedback signal. A comparator 114 logically compares the original signal generated by the signal generator 113 with the feedback signal generated through the two level shifts. When the original signal does not coincide with the feedback signal, it is regarded that a power supply of Vcc2 has been interrupted, and control is performed to prevent unstable propagation in the I/O circuit 115. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、内部電圧と異なる電源電圧で動作する周辺装置に対し、信号受け渡しを行う入出力回路と、レベルシフト回路を有する半導体集積回路装置および上記半導体集積回路装置を組み込んだセット装置に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having an input / output circuit for passing a signal to a peripheral device operating at a power supply voltage different from an internal voltage, a level shift circuit, and a set device incorporating the semiconductor integrated circuit device. is there.

近年、半導体集積回路装置では、複数の周辺装置を構成する半導体集積回路装置との間で信号の受け渡しが必要とされる。また上記複数の半導体集積回路装置は、それぞれが個別の電源電圧で動作する場合があり、半導体集積回路装置の入出力回路は、接続される装置の電源電圧で動作する必要がある。   In recent years, in a semiconductor integrated circuit device, it is necessary to exchange signals with semiconductor integrated circuit devices constituting a plurality of peripheral devices. The plurality of semiconductor integrated circuit devices may operate with individual power supply voltages, and the input / output circuit of the semiconductor integrated circuit device needs to operate with the power supply voltage of the connected device.

一方で、内部回路は高集積化や低消費電力化のために低電源電圧で動作しているため、上記入出力回路との間には、信号振幅を相互に変換するレベルシフト回路が設けられている。しかしながら、内部回路と入出力回路の電源投入順序や、立ち上がり時間が異なることにより、入出力信号が不定レベルとなり、それを受ける入出力回路で大きな貫通電流が流れたり、電圧衝突が生じたりして素子破壊を生じるといった問題がある。   On the other hand, since the internal circuit operates at a low power supply voltage for high integration and low power consumption, a level shift circuit that mutually converts signal amplitude is provided between the input and output circuits. ing. However, due to differences in the power-on sequence and rise time of the internal circuit and the input / output circuit, the input / output signal becomes an indefinite level, and a large through current flows in the input / output circuit that receives it or a voltage collision occurs. There is a problem of causing element destruction.

また内部回路が動作している際に入出力回路の電源が遮断される場合にも、入出力回路からの不定入力が内部回路に伝播し、同様の問題が発生する。   Even when the power supply of the input / output circuit is cut off while the internal circuit is operating, the undefined input from the input / output circuit propagates to the internal circuit, and the same problem occurs.

従来この問題の解決方法として、電源検知回路を用いて入出力回路に印加されている電源レベルを測定して、入出力回路からの不定伝播を防ぐよう入出力回路を制御する構成がなされていた(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, as a solution to this problem, the power supply detection circuit is used to measure the power supply level applied to the input / output circuit, and the input / output circuit is controlled to prevent indefinite propagation from the input / output circuit. (For example, refer to Patent Document 1).

入出力回路の電源電圧が所定のレベルに達した場合は、電源検知回路からの制御信号により、入出力回路に設けられているレベルシフタ回路の不定伝播防止部が有効になり内部回路への不定伝播を防いでいる。
特開2005−286675号公報
When the power supply voltage of the input / output circuit reaches a specified level, the control signal from the power supply detection circuit enables the indeterminate propagation prevention part of the level shifter circuit provided in the input / output circuit, and indefinite propagation to the internal circuit Is preventing.
JP 2005-286675 A

しかしながら、前記従来の構成では、電源検知回路を用いて入出力回路からの電源状況を監視し、不定伝播を防ぐように入出力回路を制御しているため、通常電源検知回路はアナログ回路を用いて構成され、回路規模が大きくなり装置小型化の妨げとなる課題を有していた。   However, in the conventional configuration, the power supply detection circuit is used to monitor the power supply status from the input / output circuit, and the input / output circuit is controlled so as to prevent indefinite propagation, so the normal power supply detection circuit uses an analog circuit. And has a problem that the circuit scale becomes large and hinders downsizing of the apparatus.

またアナログ回路の特性上、期待する検出信号を得るためには検知電圧のチューニングが必要となり、電圧・温度といった動作環境の様々な要因にも左右され、その特性が変化してしまい、入出力回路の制御には不向きであるといった課題を有していた。   In addition, due to the characteristics of the analog circuit, tuning of the detection voltage is necessary to obtain the expected detection signal, and the characteristics change depending on various factors of the operating environment such as voltage and temperature. It had the subject that it was unsuitable for control of.

本発明は、上記従来の課題を解決するもので、入出力回路の制御をディジタル回路のみで実現し、回路規模の増大を抑え、更にチューニングの必要を省いた、電源投入手順によらずに安定した動作を行う半導体集積回路装置を提供することを目的とするものである。   The present invention solves the above-described conventional problems, and realizes the control of the input / output circuit with only the digital circuit, suppresses the increase in circuit scale, and eliminates the need for tuning, and is stable regardless of the power-on procedure. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that performs the above operation.

上記従来の課題を解決するために、本発明の半導体集積回路装置は、第1レベルシフト回路に供給する信号を発生させる信号発生器と、信号発生器から出力された信号を第1電源電圧に対応した信号振幅を第2電源電圧に対応した信号振幅に変換する第1レベルシフト回路に入力し、第1レベルシフト回路から出力された信号を第2電源電圧に対応した信号振幅を第1電源電圧に対応した信号振幅に変換する第2レベルシフト回路に入力することで生成される第2レベルシフト回路からの出力信号と、信号発生器から出力された信号とを比較する比較器を有し、上記比較器は入力された2つの信号レベルが一致していない場合は、不定伝播を防ぐよう制御信号を出力する。   In order to solve the above-described conventional problems, a semiconductor integrated circuit device of the present invention includes a signal generator that generates a signal to be supplied to a first level shift circuit, and a signal output from the signal generator as a first power supply voltage. The corresponding signal amplitude is input to a first level shift circuit that converts the signal amplitude into a signal amplitude corresponding to the second power supply voltage, and the signal amplitude corresponding to the second power supply voltage is converted from the signal output from the first level shift circuit to the first power supply. A comparator for comparing an output signal from the second level shift circuit generated by inputting to the second level shift circuit that converts the signal amplitude to a voltage corresponding to the voltage and a signal output from the signal generator; When the two input signal levels do not match, the comparator outputs a control signal to prevent indefinite propagation.

ここで、信号発生器とは、要するに定期的または不定期なH区間とL区間が出現する、任意の波形を発生する回路であればいかなるものであってもよいので、具体的には例えばタイマー回路やカウンタ回路、発振回路などを使用することができる。またレベルシフト回路とは、異なる電源間で信号レベルや論理の受け渡しが行える回路であればいかなる回路であってもよいので、具体的には変圧器やリレー回路などを使用することができる。   Here, the signal generator may be any circuit as long as it generates an arbitrary waveform in which regular or irregular H intervals and L intervals appear. Specifically, for example, a timer is used. A circuit, a counter circuit, an oscillation circuit, or the like can be used. The level shift circuit may be any circuit as long as it can transfer signal levels and logic between different power supplies, and specifically, a transformer, a relay circuit, or the like can be used.

以上のように構成された本発明の半導体集積回路装置によれば、レベルシフト回路、信号発生器、比較器といった動作電圧や動作温度といった条件による影響が極めて少ないディジタル回路のみで、入出力回路からの不定伝播を防止するための制御信号を生成することができるため、回路規模を最小限に抑えた上で、内部電源と周辺回路の電源投入順序に関わらずに、半導体集積回路装置の安定動作を可能にすることができる。なお、内部回路および周辺回路が動作している際に、周辺回路の動作電源電圧のみ遮断した場合も、半導体集積回路装置は安定した動作が可能であり、その際はセット全体の低消費電力に貢献することが可能となる。   According to the semiconductor integrated circuit device of the present invention configured as described above, only the digital circuit, such as the level shift circuit, the signal generator, and the comparator, which is hardly affected by the conditions such as the operating voltage and the operating temperature is used. The control signal for preventing indefinite propagation of signals can be generated, so that the circuit scale can be minimized and the semiconductor integrated circuit device can operate stably regardless of the power-on sequence of the internal power supply and peripheral circuits. Can be made possible. Even when only the operating power supply voltage of the peripheral circuit is cut off while the internal circuit and the peripheral circuit are operating, the semiconductor integrated circuit device can operate stably. In this case, the power consumption of the entire set is reduced. It is possible to contribute.

以下本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における半導体集積回路装置の概略ブロック図である。
同図においてI/O領域に形成される入出力回路を介して、内部回路の動作電源電圧Vcc1とは異なる動作電源電圧Vcc2で動作する周辺回路装置の半導体集積回路装置との間で信号の授受を行う。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic block diagram of a semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention.
In the figure, signals are exchanged with a semiconductor integrated circuit device of a peripheral circuit device operating at an operating power supply voltage Vcc2 different from the operating power supply voltage Vcc1 of the internal circuit via an input / output circuit formed in the I / O region. I do.

111は内部回路で生成された電源電圧Vcc1の信号振幅を持った信号101を、電源電圧Vcc2の信号振幅を持った信号に変換する第1レベルシフト回路である。112は電源電圧Vcc2の信号振幅を持った信号を電源電圧Vcc1の信号振幅を持った信号に変換する第2レベルシフト回路である。第1レベルシフト回路111と第2レベルシフト回路112は上記のようなレベル変換動作を行うために、Vcc1とVcc2との2つの電源電圧で動作する。また第1レベルシフト回路111と第2レベルシフト回路112は信号線102によって接続されている。加えて、第1レベルシフト回路111には電源電圧Vcc2の信号振幅を持ったリセット信号RSTが入力されている。なお、本実施の形態において、Vcc1とVcc2は互いに異なる電圧であってもよいし、同じ電圧であってもよい。   Reference numeral 111 denotes a first level shift circuit for converting the signal 101 having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc1 generated by the internal circuit into a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc2. Reference numeral 112 denotes a second level shift circuit that converts a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc2 into a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc1. The first level shift circuit 111 and the second level shift circuit 112 operate with two power supply voltages Vcc1 and Vcc2 in order to perform the level conversion operation as described above. The first level shift circuit 111 and the second level shift circuit 112 are connected by a signal line 102. In addition, the first level shift circuit 111 is supplied with a reset signal RST having a signal amplitude of the power supply voltage Vcc2. In the present embodiment, Vcc1 and Vcc2 may be different voltages or the same voltage.

113は内部回路内に設けられた信号発生器であり、所定の信号を出力して信号線101を介し第1レベルシフタ111と比較器114に信号を供給する。なお、本実施の形態において、上記所定の信号とはH区間及びL区間の両方が定期的あるいは不定期に出現する信号である。また信号発生器113は発振回路であってもよいし、カウンタ回路であってもよい。   A signal generator 113 provided in the internal circuit outputs a predetermined signal and supplies a signal to the first level shifter 111 and the comparator 114 via the signal line 101. In the present embodiment, the predetermined signal is a signal in which both the H section and the L section appear regularly or irregularly. The signal generator 113 may be an oscillation circuit or a counter circuit.

114は第2レベルシフト回路112から出力された信号103と、信号発生器113から出力された信号101を比較する比較器であり、それぞれの信号を比較して所定の条件を満たすことを確認し、入出力回路115を制御する制御信号104を生成する。また第2レベルシフト回路112と比較器114は信号線103で接続され、信号線103はプルアップ抵抗116を介してVcc1に接続されている。なおプルアップ抵抗116はプルダウン抵抗とすることができる。なお所定の条件とは信号103と信号101の排他的論理和で不一致となる場合であってもよいし、AND,OR,NOTの論理の組み合わせで生成した条件であってもよい。   Reference numeral 114 denotes a comparator that compares the signal 103 output from the second level shift circuit 112 with the signal 101 output from the signal generator 113. The comparator 114 compares each signal to confirm that a predetermined condition is satisfied. The control signal 104 for controlling the input / output circuit 115 is generated. The second level shift circuit 112 and the comparator 114 are connected by a signal line 103, and the signal line 103 is connected to Vcc1 through a pull-up resistor 116. The pull-up resistor 116 can be a pull-down resistor. Note that the predetermined condition may be a case where the exclusive OR of the signal 103 and the signal 101 does not match, or a condition generated by a combination of AND, OR, and NOT logic.

115は内部回路で生成された信号を周辺回路装置の半導体集積回路装置に伝えたり、逆に周辺回路装置の半導体集積回路装置から受ける信号を内部回路に伝えたりする入出力回路である。また入出力回路115は、周辺回路装置の半導体集積回路装置との間で受け渡した信号が格納されるIOバッファと、第1レベルシフト回路111や第2レベルシフト回路112と同様にレベル変換動作を行う第1IOレベルシフト回路と第2IOレベルシフト回路を備えている。つまり上記第1IOレベルシフト回路は、内部回路で生成された電源電圧Vcc1の信号振幅を持った信号を、電源電圧Vcc2の信号振幅を持った信号に変換するレベルシフト回路であり、上記第2IOレベルシフト回路は、電源電圧Vcc2の信号振幅を持った信号を電源電圧Vcc1の信号振幅を持った信号に変換するレベルシフト回路である。また上記第1IOレベルシフト回路および第2IOレベルシフト回路には電源電圧Vcc2の信号振幅を持ったリセット信号RSTが入力されている。なお、本実施の形態において、上記入出力回路115は1つであってもよいし、2つ以上あってもよい。またVcc1とVcc2は互いに異なる電圧であってもよいし、同じ電圧であってもよい。またリセット信号RSTはI/O領域で生成される信号であってもよいし、外部から入力される信号であってもよい。   An input / output circuit 115 transmits a signal generated in the internal circuit to the semiconductor integrated circuit device of the peripheral circuit device, and conversely transmits a signal received from the semiconductor integrated circuit device of the peripheral circuit device to the internal circuit. In addition, the input / output circuit 115 performs the level conversion operation in the same manner as the IO buffer for storing the signal transferred to and from the semiconductor integrated circuit device of the peripheral circuit device, and the first level shift circuit 111 and the second level shift circuit 112. A first IO level shift circuit and a second IO level shift circuit are provided. That is, the first IO level shift circuit is a level shift circuit that converts a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc1 generated in the internal circuit into a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc2, and the second IO level. The shift circuit is a level shift circuit that converts a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc2 into a signal having the signal amplitude of the power supply voltage Vcc1. A reset signal RST having a signal amplitude of the power supply voltage Vcc2 is input to the first IO level shift circuit and the second IO level shift circuit. Note that in this embodiment, the number of the input / output circuits 115 may be one, or two or more. Vcc1 and Vcc2 may be different from each other or the same voltage. Further, the reset signal RST may be a signal generated in the I / O region or a signal input from the outside.

図2は、図1の半導体集積回路装置の動作の一例を説明する波形図である。同図では内部電源電圧Vcc1が立ち上がり、電源電圧Vcc2が遅れて立ち上がる状態を示している。リセット信号RSTは内部回路が安定してから解除され、内部電源電圧Vcc1の立ち上がり直後に解除される。このような順番で電源電圧が供給された場合、T1の区間では電源電圧Vcc2が供給されていないため、第1レベルシフト回路111と第2レベルシフト回路112は動作しておらず、信号線103はプルアップ抵抗116を介して内部電源電圧Vcc1と同電位に固定される。そのため信号発生器113から出力される信号101と、信号103が等しくならず、入出力回路115での不定伝播を防ぐ制御信号104が設定され、不定の伝播を防止することができる。またT2の区間では電源電圧Vccの供給が開始しており、第1レベルシフト回路111と第2レベルシフト回路112が動作する。よって、信号発生器113から出力される信号101と信号103が等しくなり、入出力回路115での不定伝播を防ぐ制御信号104は解除される。   FIG. 2 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. In the figure, the internal power supply voltage Vcc1 rises and the power supply voltage Vcc2 rises with a delay. The reset signal RST is released after the internal circuit is stabilized, and is released immediately after the internal power supply voltage Vcc1 rises. When the power supply voltage is supplied in this order, the first level shift circuit 111 and the second level shift circuit 112 are not operating because the power supply voltage Vcc2 is not supplied in the period T1, and the signal line 103 is not operated. Is fixed to the same potential as internal power supply voltage Vcc1 through pull-up resistor 116. Therefore, the signal 101 output from the signal generator 113 and the signal 103 are not equal, and the control signal 104 for preventing indefinite propagation in the input / output circuit 115 is set, and indefinite propagation can be prevented. In the period T2, the supply of the power supply voltage Vcc starts, and the first level shift circuit 111 and the second level shift circuit 112 operate. Therefore, the signal 101 and the signal 103 output from the signal generator 113 become equal, and the control signal 104 that prevents indefinite propagation in the input / output circuit 115 is canceled.

図3は、電源電圧Vcc2が立ち上がり、内部電源電圧Vcc1が遅れて立ち上がる状態を示している。リセット信号RSTは内部回路が安定してから解除され、内部電源電圧Vcc1の立ち上がり直後に解除される。このような順番で電源電圧が供給された場合、T1の区間では内部電源Vcc1が供給されておらず、入出力回路115での不定伝播を防ぐ制御信号104を生成する比較器113が動作していないが、Vcc1が立ち上がるまでの間は、リセット信号RSTがリセット状態となるため入出力回路からの不定伝播が防止される。またT2の区間では、内部電源電圧Vcc1が立ち上がり、リセット信号RSTが解除され、更に信号発生器113および比較器114が動作するため、信号発生器113から出力される信号101と、第1レベルシフト回路111と第2レベルシフト回路112を介した信号103が等しいと判断されて入出力回路115での不定伝播を防ぐ制御信号104が解除される。   FIG. 3 shows a state in which the power supply voltage Vcc2 rises and the internal power supply voltage Vcc1 rises with a delay. The reset signal RST is released after the internal circuit is stabilized, and is released immediately after the internal power supply voltage Vcc1 rises. When the power supply voltage is supplied in this order, the internal power supply Vcc1 is not supplied in the interval T1, and the comparator 113 that generates the control signal 104 that prevents indefinite propagation in the input / output circuit 115 is operating. However, since the reset signal RST is in the reset state until Vcc1 rises, indefinite propagation from the input / output circuit is prevented. In the period T2, the internal power supply voltage Vcc1 rises, the reset signal RST is released, and the signal generator 113 and the comparator 114 are operated. Therefore, the signal 101 output from the signal generator 113 and the first level shift It is determined that the signal 103 via the circuit 111 and the second level shift circuit 112 are equal, and the control signal 104 for preventing indefinite propagation in the input / output circuit 115 is canceled.

図4は、図1の半導体集積回路装置の動作の一例を説明する波形図である。動作時に電源電圧Vcc2が立ち下げられ、内部電源電圧Vcc1が遅れて立ち下がる電源遮断時の状態を示している。このような順番で電源が遮断された場合、T1の区間では電源電圧Vcc2が供給されなくなるため、第1レベルシフト回路111と第2レベルシフト回路112の動作が停止し、信号線103はプルアップ抵抗116を介して内部電源電圧Vcc1と同電位に固定される。そのため信号発生器113から出力される信号101と、信号103が等しくならず、入出力回路115での不定伝播を防ぐ制御信号104が設定され不定の伝播を防止することができ安定した動作を行うことができる。   FIG. 4 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. The power supply voltage Vcc2 is lowered during the operation, and the internal power supply voltage Vcc1 is delayed and the power supply is shut off. When the power supply is shut off in this order, the power supply voltage Vcc2 is not supplied during the period T1, so the operations of the first level shift circuit 111 and the second level shift circuit 112 are stopped, and the signal line 103 is pulled up. It is fixed at the same potential as internal power supply voltage Vcc1 through resistor 116. For this reason, the signal 101 output from the signal generator 113 and the signal 103 are not equal, and the control signal 104 for preventing indefinite propagation in the input / output circuit 115 is set to prevent indefinite propagation and perform stable operation. be able to.

なおT1の区間で再び電源電圧Vcc2が供給された場合は、図2の動作の一例で示した、内部電源電圧Vcc1が立ち上がり、電源電圧Vcc2が遅れて立ち上がる状態と同一の状態となり、同様に安定した動作を行うことができる。   When the power supply voltage Vcc2 is supplied again during the period T1, the internal power supply voltage Vcc1 rises and the power supply voltage Vcc2 rises with a delay as shown in the example of the operation in FIG. Operation can be performed.

(実施の形態2)
図5は、本発明の実施の形態2における半導体集積回路装置の概略ブロック図である。入出力回路等は実施の形態1と同じなので省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a schematic block diagram of the semiconductor integrated circuit device according to the second embodiment of the present invention. Since the input / output circuit and the like are the same as those in the first embodiment, they are omitted.

517はプルアップ抵抗516のON/OFFを切り替える制御回路である。比較器514の比較結果である信号504を受けて、制御信号505を生成する。比較器514において信号503と信号501が等しくないと判断されている期間は、実施の形態1と同様にプルアップ制御回路517はプルアップ抵抗516をON状態にして、第2レベルシフト回路512が不定を出力した際、比較器514への不定伝播を防止することができる。逆に信号503と信号501が等しいと判断されている期間は、プルアップ制御回路517はプルアップ抵抗516をOFF状態にし、第2レベルシフト回路512の出力がプルアップ抵抗516を介して、内部電源電圧Vcc1と短絡することを防ぐことができる。なお、本実施の形態において、プルアップ抵抗516の制御としてON/OFFの切り替え制御としたが、抵抗値を変更する制御により流れる電流を抑制することも可能である。また、本実施の形態ではプルアップ制御に比較器514の出力信号504を用いたが、信号発生器513の出力信号501を用いてもよいし、第2レベルシフト回路512の出力信号503を用いてもよいし、その他内部回路で生成される信号であってもよい。加えて、プルアップ抵抗をプルダウン抵抗とすることでも同様の効果を得ることが可能である。   Reference numeral 517 denotes a control circuit that switches ON / OFF of the pull-up resistor 516. The control signal 505 is generated in response to the signal 504 that is the comparison result of the comparator 514. During the period in which the comparator 514 determines that the signal 503 and the signal 501 are not equal, the pull-up control circuit 517 turns on the pull-up resistor 516 in the same manner as in the first embodiment, and the second level shift circuit 512 When indefinite is output, indefinite propagation to the comparator 514 can be prevented. On the contrary, during the period when the signal 503 and the signal 501 are determined to be equal, the pull-up control circuit 517 turns off the pull-up resistor 516, and the output of the second level shift circuit 512 passes through the pull-up resistor 516 to It is possible to prevent a short circuit with the power supply voltage Vcc1. In this embodiment, the ON / OFF switching control is used as the control of the pull-up resistor 516. However, the flowing current can be suppressed by the control of changing the resistance value. In this embodiment, the output signal 504 of the comparator 514 is used for pull-up control. However, the output signal 501 of the signal generator 513 may be used, or the output signal 503 of the second level shift circuit 512 is used. Alternatively, it may be a signal generated by an internal circuit. In addition, the same effect can be obtained by using a pull-down resistor as the pull-up resistor.

(実施の形態3)
図6は、本発明の実施の形態1における半導体集積回路装置を組み込んだディジタルビデオカメラの一例を示す概略ブロック図である。
(Embodiment 3)
FIG. 6 is a schematic block diagram showing an example of a digital video camera incorporating the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment of the present invention.

618はCCD撮像素子であり619のレンズを通過した、外界の光情報をディジタルル化して、ディジタルビデオカメラ内に取り込む機能を有する装置である。なお本実施の形態においてCCD撮像素子を使用しているが、CMOS撮像素子であってもよい。   Reference numeral 618 denotes a CCD image sensor, which is a device having a function of digitizing optical information of the outside world that has passed through the lens 619 and taking it into a digital video camera. Although a CCD image sensor is used in the present embodiment, a CMOS image sensor may be used.

620はCCD撮像素子618でディジタル化されたデータや内部回路で処理された結果を記録しておくハードディスク装置である。なお本実施の形態において記録媒体にハードディスクを使用した構成となっているが、ハードディスクだけではなく、SDカード、コンパクトFlashといった不揮発性メモリーを用いてもよいし、CD・DVDといった光学ディスク媒体に記録する構成であってもよいし、DVテープといった磁気テープ媒体に記録する構成であってもよい。   A hard disk device 620 records data digitized by the CCD image sensor 618 and results processed by an internal circuit. In this embodiment, a hard disk is used as a recording medium. However, not only a hard disk but also a non-volatile memory such as an SD card or a compact flash may be used, or recording may be performed on an optical disk medium such as a CD / DVD. It may be the structure which records, and the structure which records on magnetic tape media, such as a DV tape, may be sufficient.

621はハードディスク装置620に記録されたデータを再生することができる液晶ディスプレイである。なお本実施の形態において、液晶ディスプレイを用いているが、有機ELディスプレイやプラズマディスプレイを用いてもよい。   Reference numeral 621 denotes a liquid crystal display capable of reproducing data recorded on the hard disk device 620. In this embodiment, a liquid crystal display is used, but an organic EL display or a plasma display may be used.

625は本発明の実施の形態1の構成を含むマイクロコンピューターである。   Reference numeral 625 denotes a microcomputer including the configuration of the first embodiment of the present invention.

610はセット内に張り巡らされた通信路であり、CCD撮像素子618とは信号線607で、ハードディスク装置620とは信号線608で、液晶ディスプレイ621とは信号線609で、マイクロコンピューター625とは信号線606で、それぞれが通信路610と接続されている。なお本実施の形態において通信路610はCCD撮像素子618、ハードディスク装置620、液晶ディスプレイ621、マイクロコンピューター625の信号受け渡しにおいて通信路610を共用する構成をとっているが、各装置が個別に接続された通信路を構成していてもよいし、また一方向にしか通信できない通信路を構成してもよいし、双方向に通信できる通信路を構成してもよい。   Reference numeral 610 denotes a communication path extending in the set. The signal line 607 is connected to the CCD image sensor 618, the signal line 608 is connected to the hard disk device 620, the signal line 609 is connected to the liquid crystal display 621, and the microcomputer 625 is connected. Each signal line 606 is connected to the communication path 610. Note that in this embodiment, the communication path 610 is configured to share the communication path 610 in the signal transfer between the CCD image sensor 618, the hard disk device 620, the liquid crystal display 621, and the microcomputer 625, but each device is individually connected. The communication path may be configured, the communication path capable of communicating in only one direction may be configured, or the communication path capable of bidirectional communication may be configured.

622はマイクロコンピューター625の内部回路およびI/O領域に電源電圧Vcc1を供給する第1電源装置であり、624はCCD撮像素子618、ハードディスク装置620および液晶ディスプレイ621に電源電圧Vcc2を供給する第2電源装置である。   Reference numeral 622 denotes a first power supply device that supplies a power supply voltage Vcc1 to the internal circuit and I / O area of the microcomputer 625. Reference numeral 624 denotes a second power supply device that supplies the power supply voltage Vcc2 to the CCD image pickup device 618, the hard disk device 620, and the liquid crystal display 621. It is a power supply device.

623は第1電源装置622と第2電源装置624のON/OFFを個別に制御することができる電源制御装置である。上記電源制御装置623によって、第1電源装置622のみONにしたり、第1電源装置622および第2電源装置624の両方がONになっている際に、第2電源装置624のみOFFにしたりといった制御を行うことができる。   Reference numeral 623 denotes a power supply control device capable of individually controlling ON / OFF of the first power supply device 622 and the second power supply device 624. Control by the power supply control device 623 such as turning on only the first power supply device 622 or turning off only the second power supply device 624 when both the first power supply device 622 and the second power supply device 624 are turned on. It can be performed.

特に、上記電源制御装置623によって、第1電源装置622および第2電源装置624の両方がONになっている際に、第2電源装置624のみOFFにした場合、本発明の実施の形態1を構成要素とするマイクロコンピューター625が、内部で不定の伝播を防止することができるため、安定動作を保ったままCCD撮像素子618やハードディスク装置620、液晶ディスプレイ621の電源を遮断する事ができるため、ディジタルビデオカメラ全体として、消費電力を抑えることが可能となる。   In particular, when both the first power supply device 622 and the second power supply device 624 are turned on by the power supply control device 623, only the second power supply device 624 is turned off. Since the microcomputer 625 as a constituent element can prevent indefinite propagation inside, the power source of the CCD image sensor 618, the hard disk device 620, and the liquid crystal display 621 can be shut off while maintaining a stable operation. As a whole digital video camera, power consumption can be suppressed.

本発明は、内部電圧と異なる電源電圧で動作する周辺装置に対し、信号受け渡しを行う入出力回路と、レベルシフト回路を有する半導体集積回路装置において、内部電圧および周辺装置の電源電圧の投入や遮断といった順序などに制限を持たせずに、安定した動作を行う半導体集積回路装置を実現する際に有用となる。また上記半導体集積回路装置をセット装置に搭載し利用する事により、セット装置全体の低消費電力化に貢献することが可能となる。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having an input / output circuit for passing a signal to a peripheral device operating at a power supply voltage different from the internal voltage and a level shift circuit, and turning on / off the internal voltage and the power supply voltage of the peripheral device. This is useful in realizing a semiconductor integrated circuit device that performs stable operation without limiting the order. Also, by mounting and using the semiconductor integrated circuit device in the set device, it is possible to contribute to the reduction in power consumption of the entire set device.

本発明に係る半導体集積回路装置の第1実施形態を示す概略ブロック図1 is a schematic block diagram showing a first embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. 図1の半導体集積回路装置の動作において、内部電源電圧Vcc1が立ち上がり、電源電圧Vcc2が遅れて立ち上がる状態の一例を示した波形図1 is a waveform diagram showing an example of a state in which the internal power supply voltage Vcc1 rises and the power supply voltage Vcc2 rises with a delay in the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. 図1の半導体集積回路装置の動作において、電源電圧Vcc2が立ち上がり、内部電源電圧Vcc1が遅れて立ち上がる状態の一例を示した波形図1 is a waveform diagram showing an example of a state in which the power supply voltage Vcc2 rises and the internal power supply voltage Vcc1 rises with a delay in the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. 図1の半導体集積回路装置の動作において、動作時に電源電圧Vcc2が立ち下げられ、内部電源電圧Vcc1が遅れて立ち下がる電源遮断時の一例を示した波形図In the operation of the semiconductor integrated circuit device of FIG. 1, a waveform diagram showing an example when the power supply voltage Vcc2 falls during operation and the internal power supply voltage Vcc1 falls after a delay. 本発明に係る半導体集積回路装置の第2実施形態を示す概略ブロック図Schematic block diagram showing a second embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. 本発明に係る半導体集積回路装置を組み込んだセット回路の実施形態を示す概略ブロック図1 is a schematic block diagram showing an embodiment of a set circuit incorporating a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

111、511 第1レベルシフト回路
112、512 第2レベルシフト回路
113、513 信号発生器
114、514 比較器
115、515 入出力回路
517 プルアップ制御回路
610 通信路
618 CCD撮像素子
619 レンズ
620 ハードディスク装置
621 液晶ディスプレイ
622 第1電源装置
623 電源制御装置
624 第2電源装置
111,511 First level shift circuit 112,512 Second level shift circuit 113,513 Signal generator 114,514 Comparator 115,515 Input / output circuit 517 Pull-up control circuit 610 Communication path 618 CCD image sensor 619 Lens 620 Hard disk device 621 Liquid crystal display 622 1st power supply device 623 Power supply control device 624 2nd power supply device

Claims (5)

第1電源電圧を動作電圧とする内部回路と、
第1電源電圧よりも大きな第2電源電圧を動作電圧とし、
第1電源電圧に対応した信号振幅を第2電源電圧に対応した信号振幅に変換する第1IOレベルシフト回路および、第2電源電圧に対応した信号振幅を第1電源電圧に対応した信号振幅に変換する第2IOレベルシフト回路を備えた入出力回路と、
第1電源電圧に対応した信号振幅を第2電源電圧に対応した信号振幅に変換する第1レベルシフト回路と、
第2電源電圧に対応した信号振幅を第1電源電圧に対応した信号振幅に変換する第2レベルシフト回路と、
上記第1レベルシフト回路に供給する信号を発生させる信号発生器と、
上記入出力回路を制御する制御信号を生成するために、上記信号発生器から出力された信号を上記第1レベルシフト回路に入力し、上記第1レベルシフト回路から出力された信号を上記第2レベルシフト回路に入力することで生成される、上記第2レベルシフト回路からの出力信号と、上記信号発生器から出力された信号とを比較する比較器と、
上記第2レベルシフト回路から出力された信号が不定信号となった場合に、上記比較器への不定入力を防止するためのプルアップ抵抗と
上記第1IOレベルシフト回路および第2IOレベルシフト回路および第1レベルシフト回路において、信号振幅の変換を行うレベル変換部と、上記レベル変換部の出力信号と上記制御信号およびリセット信号とを受けるゲート回路からなる不定伝播防止部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
An internal circuit using the first power supply voltage as an operating voltage;
The second power supply voltage that is higher than the first power supply voltage is used as the operating voltage,
A first IO level shift circuit that converts a signal amplitude corresponding to the first power supply voltage into a signal amplitude corresponding to the second power supply voltage, and converts a signal amplitude corresponding to the second power supply voltage into a signal amplitude corresponding to the first power supply voltage. An input / output circuit including a second IO level shift circuit that
A first level shift circuit that converts a signal amplitude corresponding to the first power supply voltage into a signal amplitude corresponding to the second power supply voltage;
A second level shift circuit that converts a signal amplitude corresponding to the second power supply voltage into a signal amplitude corresponding to the first power supply voltage;
A signal generator for generating a signal to be supplied to the first level shift circuit;
In order to generate a control signal for controlling the input / output circuit, a signal output from the signal generator is input to the first level shift circuit, and a signal output from the first level shift circuit is input to the second level shift circuit. A comparator that compares the output signal from the second level shift circuit generated by inputting to the level shift circuit with the signal output from the signal generator;
When the signal output from the second level shift circuit becomes an indeterminate signal, a pull-up resistor, the first IO level shift circuit, the second IO level shift circuit, and the first to prevent indefinite input to the comparator The one-level shift circuit includes a level conversion unit that performs signal amplitude conversion, and an indefinite propagation prevention unit that includes a gate circuit that receives the output signal of the level conversion unit, the control signal, and the reset signal. A semiconductor integrated circuit device.
請求項1において、
上記プルアップ抵抗が、上記比較器の出力に応じてONあるいはOFFを切り替えることが出来る回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
In claim 1,
A semiconductor integrated circuit device comprising a circuit in which the pull-up resistor can be switched ON or OFF according to the output of the comparator.
請求項1において、
プルアップ抵抗の代わりに、プルダウン抵抗を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
In claim 1,
A semiconductor integrated circuit device comprising a pull-down resistor instead of a pull-up resistor.
請求項3において、
上記プルダウン抵抗が、上記比較器の出力に応じてONあるいはOFFを切り替えることが出来る回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
In claim 3,
A semiconductor integrated circuit device comprising a circuit in which the pull-down resistor can be switched ON or OFF according to the output of the comparator.
上記請求項1、請求項2、請求項3または請求項4の半導体集積回路装置をシステムの一部として用いるデジタルビデオカメラ。 A digital video camera using the semiconductor integrated circuit device according to claim 1, 2, 3, or 4 as a part of a system.
JP2008102297A 2008-04-10 2008-04-10 Semiconductor integrated circuit device Pending JP2011129963A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008102297A JP2011129963A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Semiconductor integrated circuit device
PCT/JP2009/001651 WO2009125595A1 (en) 2008-04-10 2009-04-09 Semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008102297A JP2011129963A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Semiconductor integrated circuit device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011129963A true JP2011129963A (en) 2011-06-30

Family

ID=41161731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008102297A Pending JP2011129963A (en) 2008-04-10 2008-04-10 Semiconductor integrated circuit device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2011129963A (en)
WO (1) WO2009125595A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020068405A (en) * 2018-10-22 2020-04-30 株式会社デンソー High frequency amplifier

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165993A (en) * 2002-11-13 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Multiple power supply interface of semiconductor integrated circuit
JP2005159697A (en) * 2003-11-26 2005-06-16 Seiko Epson Corp Semiconductor integrated circuit
JP4158787B2 (en) * 2005-06-14 2008-10-01 セイコーエプソン株式会社 Semiconductor integrated circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020068405A (en) * 2018-10-22 2020-04-30 株式会社デンソー High frequency amplifier
JP7215067B2 (en) 2018-10-22 2023-01-31 株式会社デンソー high frequency amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009125595A1 (en) 2009-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101688599B1 (en) Mode conversion method, display driving Integrated Circuit and image processing system applying the method
KR100607180B1 (en) Power-Up reset circuit of semiconductor memory device
JP2010218406A (en) Electronic device
JP4105082B2 (en) Input buffer
JP2011129963A (en) Semiconductor integrated circuit device
US7573290B2 (en) Data output driver for reducing noise
JP2010268258A (en) Reset circuit and semiconductor integrated circuit for reset
KR100616194B1 (en) Internal supply voltage generator for a delay locked loop circuit
JP7121741B2 (en) logic circuit, sequential circuit, power control circuit, switching power supply
JP5238984B2 (en) Level shift circuit
JP2009017436A (en) Semiconductor device
US8199600B2 (en) Voltage generator for peripheral circuit
JP2009212930A (en) Input-level determination circuit
JP6066872B2 (en) Disk unit
JPWO2015037195A1 (en) Semiconductor integrated circuit and device detection system having the same
JP2013190256A (en) Semiconductor integrated circuit and test mode setting method for the same
WO2023032302A1 (en) Imaging device, imaging method, and electronic apparatus
JP4750653B2 (en) Power supply voltage control circuit
JP2008145400A (en) Power supply voltage detection circuit
KR20060035836A (en) Generation device of output enable signal
JP2003234649A (en) Input/output buffer circuit
EP1394663A1 (en) Appliance with a software reset
JP2008236471A (en) Signal output circuit and electronic equipment
JP2008146597A (en) Bus system
JP5695538B2 (en) Semiconductor device