JP2011127223A - Cu膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高純度Cuからなるスパッタリングターゲットを用い、Cuのセルフイオンスパッタ法によりCu膜を製造するCu膜の製造方法であって、前記高純度CuはAgおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素を含有し、かつ前記AgおよびAuの合計含有量が0.005〜500ppmの範囲であり、前記AgおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量のバラツキがターゲット全体として±30%以内である。
【選択図】図1
Description
まず、Ag、Au、Fe、Ni、Cr、Nb、Ta、CoおよびAlの各元素の含有量を変化させた16種類のCuインゴットを作製した。これらCuインゴットに冷間鍛造および冷間圧延を施し、さらに250℃×120minの条件で熱処理した。この後、それぞれろう付け接合を適用してAlバッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直径320mm×厚さ10mmの11種類のCuスパッタリングターゲットを得た。なお、各元素の含有量については、ICP(発光分光分析装置:セイコーインスツルメンツ社製・SPS 1200A)によって分析した。
まず、AgおよびAuの含有量を変化させた10種類のCuインゴットを作製した。これら各Cuインゴットに対して、種々の条件下で冷間鍛造および冷間圧延を施し、さらに250〜400℃×120minの条件で熱処理した。この後、それぞれろう付け接合を適用してAlバッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直径320mm×厚さ10mmのCuスパッタリングターゲットをそれぞれ得た。なお、各元素の含有量は実施例1と同様にして測定した。また、AgおよびAu含有量のバラツキは前述した方法に基づいて測定した。
Claims (10)
- 高純度Cuからなるスパッタリングターゲットを用い、Cuのセルフイオンスパッタ法によりCu膜を製造するCu膜の製造方法であって、
前記高純度CuはAgおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素を含有し、かつ前記AgおよびAuの合計含有量が0.005〜500ppmの範囲であり、前記AgおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量のバラツキがターゲット全体として±30%以内であることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項1記載のCu膜の製造方法において、
前記高純度Cuは、不純物元素としてのFe、Ni、Cr、Ti、Al、NaおよびKの合計含有量が10ppm以下であることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項1または2記載のCu膜の製造方法において、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のCu膜の製造方法において、
前記Cu膜はCu配線であることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のCu膜の製造方法において、
前記Cu膜はCuメッキ配線のCuシード層であることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のCu膜の製造方法において、
前記Cu膜は電子デバイスのCu膜であることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項6記載のCu膜の製造方法において、
前記電子デバイスは半導体デバイスであることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項6記載のCu膜の製造方法において、
前記電子デバイスはSAWデバイスであることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項6記載のCu膜の製造方法において、
前記電子デバイスはTPHであることを特徴とするCu膜の製造方法。 - 請求項6記載のCu膜の製造方法において、
前記電子デバイスはLCDであることを特徴とするCu膜の製造方法。
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JPN6013056443; 堅田富夫, 和田純一, 坂田敦子, 松山日出人: 'Cuダマシン配線におけるバリアメタル・Cuシードのセルフイオンスパッタ技術' 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 Vol.59th, 20001214, Page.65-70 * |
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