JP2011124250A - スパイラルインダクタおよびこれを用いたトランス - Google Patents
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Abstract
【課題】周辺に拡がる磁束を削減し、機器周辺に干渉する電磁誘導雑音を軽減するとともに小型でインダクタンス値の大きいインダクタを安価に実現する。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に環状に形成された第2磁性体を有している。
【選択図】 図1
【解決手段】シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に環状に形成された第2磁性体を有している。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体プロセスを利用して作製されたスパイラルインダクタに関し、スパイラルインダクタの周辺に拡がる磁束を削減し、周辺に干渉する電磁誘導雑音を軽減させたスパイラルインダクタに関するものである。
図5(a〜c)は半導体プロセスを利用して作成されたスパイラルインダクタの基本構成を示すもので、(a)は斜視図、図(b)は(a)図のA−A断面図、図(c)は磁力線の様子を示す断面図である。
これらの図において、1はシリコン基板、2は配線を形成する金属導体を絶縁するための絶縁膜、3は金属導体からなるインダクタ本体でシリコン基板平面にスパイラル状にコイルを形成したものである。
上述の構成において、スパイラルコイル3の両端に交流電圧や電流を印加すると、図(c)に示すようにシリコン基板1の平面に対して垂直方向に磁界を発生し、インダクタンスとして作用する。
図6(a〜c)はUnited States Patent Application Publication US 2009/0140383 A1にて公開されている構成例で、図5のスパイラルコイルの中心部に透磁率の高い磁性体4をコアとして埋め込んだものである。図中の符号は図5と同様なのでここでの説明は省略する。
シリコン基板上に形成されるスパイラルインダクタは直径数100um前後のものが多いが、シリコン基板に直径100um前後の貫通穴を形成することは容易ではないため、小径の貫通ビアを複数形成し、ビア内部を磁性体で充填することによりコアを形成している。このような構成によれば、磁性体コア4により磁束を増加させインダクタンス値を増加させることができる。
しかしながら、上記従来技術においては次のような問題があった。
1)磁路が開磁路構造となっているため磁束が外部に出てしまう。そのため、周辺機器に電磁誘導雑音を引き起こす。
2)また、閉磁路の場合と比較して実効透磁率が小さくなるためインダクタンス値が低下する。
従って本発明の目的は、
1)周辺に拡がる磁束を削減し、周辺機器に干渉する電磁誘導雑音を軽減する。
2)小型でインダクタンス値の大きいインダクタを安価に実現する。
1)磁路が開磁路構造となっているため磁束が外部に出てしまう。そのため、周辺機器に電磁誘導雑音を引き起こす。
2)また、閉磁路の場合と比較して実効透磁率が小さくなるためインダクタンス値が低下する。
従って本発明の目的は、
1)周辺に拡がる磁束を削減し、周辺機器に干渉する電磁誘導雑音を軽減する。
2)小型でインダクタンス値の大きいインダクタを安価に実現する。
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、請求項1のスパイラルインダクタにおいては、
シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を有することを特徴とする。
シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を有することを特徴とする。
請求項2においては請求項1に記載のスパイラルインダクタにおいて、
前記第1磁性体は前記スパイラルコイルの中央部に複数本形成され、前記第2磁性体は前記スパイラルコイルの外周に複数本形成されていることを特徴とする。
前記第1磁性体は前記スパイラルコイルの中央部に複数本形成され、前記第2磁性体は前記スパイラルコイルの外周に複数本形成されていることを特徴とする。
請求項3においては請求項1または2に記載のスパイラルインダクタにおいて、
前記第1、第2磁性体は小径の貫通ビアTSV(Through Silicon Via)技術を利用して形成したことを特徴とする。
前記第1、第2磁性体は小径の貫通ビアTSV(Through Silicon Via)技術を利用して形成したことを特徴とする。
請求項4においては請求項1乃至3に記載のスパイラルインダクタにおいて、
前記スパイラルインダクタ及び第1、第2磁性体を含むシリコン基板の両面に磁性体膜を形成したことを特徴とする。
前記スパイラルインダクタ及び第1、第2磁性体を含むシリコン基板の両面に磁性体膜を形成したことを特徴とする。
請求項5においては、
シリコン基板の表面に形成された第1スパイラルコイルと、
該第1スパイラルコイルに絶縁状態で重ねて形成された第2スパイラルコイルと
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を有することを特徴とする。
シリコン基板の表面に形成された第1スパイラルコイルと、
該第1スパイラルコイルに絶縁状態で重ねて形成された第2スパイラルコイルと
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を有することを特徴とする。
以上説明したことから明らかなように、本発明の請求項1、2によれば、
シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
このスパイラルコイルの中央部にシリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を備え、第1磁性体は前記スパイラルコイルの中央部に複数本形成され、前記第2磁性体は前記スパイラルコイルの外周部に複数本形成されているので、周辺に拡がる磁束が減少し周辺に干渉する電磁誘導雑音が軽減される。
シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
このスパイラルコイルの中央部にシリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を備え、第1磁性体は前記スパイラルコイルの中央部に複数本形成され、前記第2磁性体は前記スパイラルコイルの外周部に複数本形成されているので、周辺に拡がる磁束が減少し周辺に干渉する電磁誘導雑音が軽減される。
また、実効磁路長が減少し、実効透磁率も増加するためインダクタンス値を大きくすることができる。
本発明の請求項3によれば、
小径の貫通ビアを近年低コスト化が進行中のTSV(Through Silicon Via)技術を利用して形成すれば、低コストで形成することが可能となり、安価に高性能のインダクタを作製することができる。
本発明の請求項3によれば、
小径の貫通ビアを近年低コスト化が進行中のTSV(Through Silicon Via)技術を利用して形成すれば、低コストで形成することが可能となり、安価に高性能のインダクタを作製することができる。
請求項4によれば、磁性体により閉磁路を形成するため、磁束の周辺への漏れをなくすことができ、周辺機器に干渉する電磁誘導雑音をなくすことができる。
また、実効磁路長が更に減少し、実効透磁率は更に増加することにより、ほぼ磁性体の透磁率となるためインダクタンス値を更に大きくすることができる。
また、実効磁路長が更に減少し、実効透磁率は更に増加することにより、ほぼ磁性体の透磁率となるためインダクタンス値を更に大きくすることができる。
請求項5によれば、本発明のスパイラルインダクタと同様、磁性体により閉磁路を形成するため、磁束の周辺への漏れをなくすことができ、周辺機器に干渉する電磁誘導雑音をなくすことができる。
また、実効磁路長が更に減少し、実効透磁率は更に増加することにより、ほぼ磁性体の透磁率となるためインダクタンス値を更に大きくすることができる。
また、実効磁路長が更に減少し、実効透磁率は更に増加することにより、ほぼ磁性体の透磁率となるためインダクタンス値を更に大きくすることができる。
図1(a〜c)は本発明のスパイラルインダクタの斜視図(a)、(a)図のA−A断面図(b)、磁力線の様子を示す断面図(c)である。
これらの図において図5と同一要素には同一符号を付している。図5と異なる点はスパイラルコイルの外周に第2磁生体(コア)5を複数個(図では16個)形成した点にある。なお、本発明では従来例で示した磁性体4を第1磁性体と呼ぶ。
これらの図において図5と同一要素には同一符号を付している。図5と異なる点はスパイラルコイルの外周に第2磁生体(コア)5を複数個(図では16個)形成した点にある。なお、本発明では従来例で示した磁性体4を第1磁性体と呼ぶ。
これら複数の第1,第2磁生体4,5は小径(例えば直径数10〜100μm程度)の貫通ビアであって近年低コスト化が進行中のTSV(Through Silicon Via)技術を利用して形成し、そのビア内部に透磁率の高い磁性体を充填したものである。
上述の構成によれば、第2磁性体5を形成することによりスパイラルコイル3の外周直近の磁束密度が上がるため、スパイラルコイルの中心部の磁性体4から出た磁束のうちスパイラルコイル外周直近を通って磁性体4に戻る磁束の割合が増加し、周辺に拡がる磁束が減少する。
図2は図1の構造の表面と裏面に第1、第2磁性体4,5を覆って透磁率の高いの磁性体膜6a、6bを形成または貼付けたものである。
図2の構成によれば、第1磁性体4から出た磁束の殆どが磁性体膜6aを通って第2磁性体5に入り、更に磁性体膜6bを通って第1磁性体4に戻る。
図2の構成によれば、第1磁性体4から出た磁束の殆どが磁性体膜6aを通って第2磁性体5に入り、更に磁性体膜6bを通って第1磁性体4に戻る。
図2の構成によれば、第1,第2磁性体4,5及び磁性膜6a.6bにより閉磁路を形成するため、磁束の周辺への漏れをなくすことができ、周辺の機器に干渉する電磁誘導雑音をなくすことができる。
また、実効磁路長が更に減少し、実効透磁率も更に増加し、ほぼ磁性体の透磁率となるためインダクタンス値を更に大きくすることができる。
また、実効磁路長が更に減少し、実効透磁率も更に増加し、ほぼ磁性体の透磁率となるためインダクタンス値を更に大きくすることができる。
図(a,b)はそれぞれ図1、図2に示す第1スパイラルコイル(インダクタ)3と並行して(絶縁して重ねた状態で)第2スパイラルコイル13を形成し、トランスを構成したものである。なお、本発明では従来例で示したスパイラルコイルを第1スパイラルコイルと呼ぶ。
インダクタの場合と同様に、周辺に干渉する電磁誘導雑音を軽減できるとともに、トランス巻線の自己インダクタンス、相互インダクタンスを向上でき、トランスの小型化が可能となる。
インダクタの場合と同様に、周辺に干渉する電磁誘導雑音を軽減できるとともに、トランス巻線の自己インダクタンス、相互インダクタンスを向上でき、トランスの小型化が可能となる。
図4はスパイラルコイルの形状の他の実施例を示すもので、(a)は矩形状に形成したもの、(b),(c)は8角状に形成したもので導体が交差する部分は絶縁部材で電気的な導通が遮断されている。(d),(e)は一巻きのコイルを絶縁した状態で複数段重ねて形成し、隣り合うコイルを繋げたものである。
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。例えばコイルの形状は円、矩形、8角の3種類を示したがこれに限るものではない。また、実施例では第2磁性体の数を環状に16個としたがこの形状および数値に限るものではない。
従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。
従って本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形を含むものである。
1 シリコン基板
2 絶縁膜
3 第1スパイラルコイル(インダクタ)
4 第1磁性体
5 第2磁性体(コア)
6 磁性体膜
13 第2スパイラルコイル(インダクタ)
2 絶縁膜
3 第1スパイラルコイル(インダクタ)
4 第1磁性体
5 第2磁性体(コア)
6 磁性体膜
13 第2スパイラルコイル(インダクタ)
Claims (5)
- シリコン基板の表面に形成されたスパイラルコイルと、
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を有することを特徴とするスパイラルインダクタ。 - 前記第1磁性体は前記スパイラルコイルの中央部に複数本形成され、前記第2磁性体は前記スパイラルコイルの外周に複数本形成されていることを特徴とする請求項1に記載のスパイラルインダクタ。
- 請求項3においては請求項1または2に記載のスパイラルインダクタにおいて、
前記第1、第2磁性体は小径の貫通ビアTSV(Through Silicon Via)技術を利用して形成したことを特徴とする請求項1または2に記載のスパイラルインダクタ。 - 前記スパイラルインダクタ及び第1、第2磁性体を含むシリコン基板の両面に磁性体膜を形成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のスパイラルインダクタ。
- シリコン基板の表面に形成された第1スパイラルコイルと、
該第1スパイラルコイルに絶縁状態で重ねて形成された第2スパイラルコイルと
該スパイラルコイルの中央部に前記シリコン基板を貫通して形成された第1磁性体と、
前記スパイラルコイルの外周に形成された第2磁性体を有することを特徴とするトランス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009278191A JP2011124250A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | スパイラルインダクタおよびこれを用いたトランス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009278191A JP2011124250A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | スパイラルインダクタおよびこれを用いたトランス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011124250A true JP2011124250A (ja) | 2011-06-23 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009278191A Pending JP2011124250A (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | スパイラルインダクタおよびこれを用いたトランス |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2011124250A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9111933B2 (en) | 2012-05-17 | 2015-08-18 | International Business Machines Corporation | Stacked through-silicon via (TSV) transformer structure |
DE112021003048T5 (de) | 2020-07-30 | 2023-06-07 | Rohm Co., Ltd. | Spulenkomponente und substrat mit integrierter spule |
-
2009
- 2009-12-08 JP JP2009278191A patent/JP2011124250A/ja active Pending
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DE112021003048T5 (de) | 2020-07-30 | 2023-06-07 | Rohm Co., Ltd. | Spulenkomponente und substrat mit integrierter spule |
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