JP2011119479A - パッケージ基板および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】多信号系のレイアウトスペースを十分に確保しつつ、電源供給系の電源ノイズを低減すること。
【解決手段】電源電圧が印加される電源プレーンを電源電極に電気的に接続する電源ビア44が通過する配線層52は、電源ビア44を取り囲む格子状グランドプレーン51が形成されている。格子状グランドプレーン51の全部は、グランドビア45を介して、グランドプレーンに電気的に接続されている。このとき、半導体装置1は、電源ビア44と格子状グランドプレーン51とは、強い相互インピーダンスをもち、電源の実効インピーダンスを著しく低減させ、電源ノイズを低減することができる。
【選択図】図8
【解決手段】電源電圧が印加される電源プレーンを電源電極に電気的に接続する電源ビア44が通過する配線層52は、電源ビア44を取り囲む格子状グランドプレーン51が形成されている。格子状グランドプレーン51の全部は、グランドビア45を介して、グランドプレーンに電気的に接続されている。このとき、半導体装置1は、電源ビア44と格子状グランドプレーン51とは、強い相互インピーダンスをもち、電源の実効インピーダンスを著しく低減させ、電源ノイズを低減することができる。
【選択図】図8
Description
本発明は、パッケージ基板および半導体装置に関し、特に、コアレス・高多層配線基板を備えるパッケージ基板および半導体装置に関する。
LSI(Large−Scale Integration)の高速化、多信号ピン化、および低消費電力化のための低電圧化によって電源ノイズによる誤動作が非常に大きな問題となっている。特に、いわゆるハイエンドに分類されるLSIでは、電源ノイズを適正量に抑えるために、Si(半導体チップ)、パッケージおよびボードを総合的に設計することが主流となりつつある。パッケージ基板一つを取っても、いかに電源ノイズを適正量に抑制するかが非常に大きな課題である。
高速化、多信号ピン化、および低電圧化によるパッケージ設計に対する影響には、次のようなものがある。
1つめの影響は、信号の高速化に伴い、電源・グランド系からLSI内部素子が引き出すあるいは放出するスイッチング電流の時間変化率が増大することである。この電流は、LSIパッケージの電源供給系からLSIに流れ込む(流れ出す)ので、LSIパッケージの寄生(電源)インダクタンスLによって発生する電源ノイズ(逆起電力)Vnは、その電流Iと時間tとを用いて、次式:
Vn=−LdI/dt…(1)
により表現される。電源ノイズは、(1)式からわかるように、信号の高速化に伴って増大することがわかる。実際には半導体チップ上にコンデンサを搭載することによって、LSIパッケージに流れ込む電流の時間変化率を低減することもできるが、チップの面積を消費してコスト増加を招く上、内部遅延も増加するので好ましくない。(1)式からわかるように、半導体チップ側の対応に頼らずに電源ノイズを一定値に抑えるには概略、信号スピードに反比例してLSIパッケージの電源インダクタンス(各周波数をかければ電源インピーダンス)を低減する必要がある。
1つめの影響は、信号の高速化に伴い、電源・グランド系からLSI内部素子が引き出すあるいは放出するスイッチング電流の時間変化率が増大することである。この電流は、LSIパッケージの電源供給系からLSIに流れ込む(流れ出す)ので、LSIパッケージの寄生(電源)インダクタンスLによって発生する電源ノイズ(逆起電力)Vnは、その電流Iと時間tとを用いて、次式:
Vn=−LdI/dt…(1)
により表現される。電源ノイズは、(1)式からわかるように、信号の高速化に伴って増大することがわかる。実際には半導体チップ上にコンデンサを搭載することによって、LSIパッケージに流れ込む電流の時間変化率を低減することもできるが、チップの面積を消費してコスト増加を招く上、内部遅延も増加するので好ましくない。(1)式からわかるように、半導体チップ側の対応に頼らずに電源ノイズを一定値に抑えるには概略、信号スピードに反比例してLSIパッケージの電源インダクタンス(各周波数をかければ電源インピーダンス)を低減する必要がある。
2つめの影響は、多信号ピン化により、SSO(Simultaneous Switching Output、同時スイッチング出力)によるSSN(Simultaneous Switching Noise、同時スイッチングノイズ)が問題となっていることである。もし、N本の信号線が全く同時にON/OFFしたとすると、スイッチング電流がN倍になるので、(1)式は、次式:
Vn=−NLdI/dt…(2)
となって、N倍の電源ノイズを発生させることになる。よって、ふたたび半導体チップ側の対応に頼らずに電源ノイズを一定値に抑えるには、概略、信号数に反比例してLSIパッケージの電源インピーダンスを低減する必要がある。
Vn=−NLdI/dt…(2)
となって、N倍の電源ノイズを発生させることになる。よって、ふたたび半導体チップ側の対応に頼らずに電源ノイズを一定値に抑えるには、概略、信号数に反比例してLSIパッケージの電源インピーダンスを低減する必要がある。
3つめの影響は、低電圧化によるものである。LSI回路が誤動作しないためには、電源電圧の変動量に限度(動作マージン)がある。電源電圧を下げる場合トランジスタのしきい値電圧も下げる必要があるので、一般的に、動作マージンは、電源電圧に概略比例する。たとえば、電源電圧に対して5%などである。この場合、電源電圧が2.0Vであれば100mVであるが、電源電圧が1.0Vになれば、約半分の50mVとなる。よってみたび、LSIパッケージの電源インピーダンスを概略電源電圧に反比例させて低減したいという要求が発生する。結局、高速化、多信号ピン化、および低電圧化の3つの影響を全て総合すると、次式:
信号速度 × 信号ピン数 / 電源電圧
により表現される値に反比例させてLSIパッケージの電源インピーダンスを低減しなくてはならず、非常に困難な状況に陥りつつある。よっていかにLSIパッケージの電源供給系インピーダンスを低減するかがLSI産業における大きな課題の一つとなっている。
信号速度 × 信号ピン数 / 電源電圧
により表現される値に反比例させてLSIパッケージの電源インピーダンスを低減しなくてはならず、非常に困難な状況に陥りつつある。よっていかにLSIパッケージの電源供給系インピーダンスを低減するかがLSI産業における大きな課題の一つとなっている。
しかし、一言でLSIパッケージの電源供給系インピーダンスを低減するといっても特に信号ピンが多数ある場合には容易ではない。LSIパッケージの形状や大きさには必ず制限があるからである。つまり、電源インピーダンスを低減するためにパッケージ内部のレイアウトスペースを電源供給系に多く使ってしまうと、信号を配置するスペースが不足してしまい、信号間の干渉や伝送インピーダンスの不整合が多発して信号波形が劣化してしまう。本来、電源インピーダンスを低減する目的は、LSI動作による電源変動つまり電源ノイズによって、信号波形が劣化するのを防ぐことにある。したがって、これでは本末転倒である。
逆に、信号間の干渉や伝送インピーダンスの不整合を低減するために信号配置スペースを多く確保すると、電源供給系に割り当てるスペースが不足してしまい、電源ノイズが増加してやはり信号波形が劣化する。このように高速・多信号LSIパッケージにおいては信号系のレイアウトリソースと電源供給系のレイアウトリソースがトレードオフの関係にあり、総合的に良好(安定)な動作をさせるのが難しい状況になりつつある。
特開2000−188478号公報には、特性インピーダンスの整合に要する基板構造の小型化を図る多層回路基板が開示されている。その多層回路基板は、対向配置された少なくとも2つの配線層と、前記配線層の間に設けられた絶縁体と、前記配線層の対向方向に沿って前記絶縁体を貫通して設けられて前記配線層どうしを接続する接続体と、前記配線層の対向方向に沿った前記接続体の中央位置において前記接続体に挟み込まれて、前記接続体の一端側部分と他端側部分とを電気的に接続する中間接続層と、前記中間接続層の略同一面上に設けられ、かつ、当該中間接続層の周囲に離間して配置されたシールド層とを有し、前記接続体および中間接続層を介した前記配線層間の接続距離をhとし、前記接続体を略円柱体とみなした場合の直径をRとし、前記中間接続層を略円形とみなした場合の直径をrとし、前記中間接続層と前記シールド層との間の離間距離をLとすると、
(R・r)/(2・h)≦L≦(5・R・r)/h
の条件を満たす範囲が中間接続層とシールド層との間の離間距離Lの最適値である。
(R・r)/(2・h)≦L≦(5・R・r)/h
の条件を満たす範囲が中間接続層とシールド層との間の離間距離Lの最適値である。
特開2005−064028号公報には、電源スルーホール導体あるいはグランドスルーホール導体のインピーダンスを低減し、この多層配線基板を使用した電気信号回路の高速論理回路の性能低下を防ぐことができる多層配線基板が開示されている。その配線基板は、板状金属コアの第一主表面と第二主表面とのそれぞれに金属導体層と誘電体層とが交互に積層され、前記導体層は少なくとも1層が電源層とされ、また、他の少なくとも1層はグランド層とされ、前記板状金属コアにコア貫通孔が形成され、該コア貫通孔内には、これを充填する誘電体材料により互いにかつ前記板状金属コアから空間的に隔てられた形で、前記第一主表面側の導体層と前記第二主表面側の導体層とを互いに接続する2以上のスルーホール導体が配置され、それらスルーホール導体の少なくとも一つが、前記電源層に導通する電源スルーホール導体とされ、他の少なくとも一つが前記グランド層に導通するグランドスルーホール導体とされたことを特徴とする。
文献「R.Oikawa and K.Suzuki:Proceedings of 39th international symposium on microelectronics, 1148(2006)」には、熱可塑性樹脂を利用したコアレス・高多層基板によって電源インピーダンスの低減をはかっている例が開示されている。その例では、配線・電源・グランドに使用できる合計20層以上のメタル層を有することにより、多信号系においても十分な信号レイアウトスペースを確保しつつ、電源供給系用に多くのレイアウトスペースを残しておくことができる。結果として、その例では、コア層を有するbuild−up基板などと比較して、特に多信号系における電源供給系インピーダンスを格段に低減することが可能となる。
R. Oikawa and K. Suzuki: Proceedings of 39th international symposium on microelectronics, 1148(2006)
特開2005−064028号公報には、電源とグランドの貫通孔(スルーホール)を隣接して並べ、相互インダクタンスによりスルーホールのインピーダンスを低減するというものが開示されている。これは、一般的によく知られた差動信号の原理である。電源とグランドを流れる電流は概ね逆位相で、したがって磁場の向きも概ね逆位相になるため、電源スルーホールとグランドスルーホールの発生磁場が打ち消しあって、実効インピーダンス(正確に言えばループインピーダンス)が低減する。相互インダクタンス分だけ実効インピーダンスが低減すると言い換えてもよい。もともと電源スルーホールもグランドスルーホールも必要なものなので、追加のレイアウトスペースを要することなく電源供給系のインピーダンスを低減することができる。
もっとも、通常のLSIパッケージ基板では電源スルーホールとグランドスルーホールを隣接しないように配置することは実質、幾何学的に不可能であって、信号スルーホールの周囲または空きスペースに電源とグランドのスルーホールをほぼ交互に配置するのが通常使われているパッケージ基板の構造である。
あるいは文献「R. Oikawa and K. Suzuki: Proceedings of 39th international symposium on microelectronics, 1148(2006)」に見られるように、熱可塑性樹脂を利用したコアレス・高多層基板によって電源インピーダンスの低減をはかっている例も見られる。配線・電源・GNDに使用できる合計20層以上のメタル層を有することにより、多信号系においても十分な信号レイアウトスペースを確保しつつ、電源供給系用に多くのレイアウトスペースを残しておくことができる。結果としてコア層を有するbuild−up基板などと比較して、特に多信号系における電源供給系インピーダンスを格段に低減することが可能となる。しかしながら、コアレス・高多層基板をもってしても常に十分に低い電源インピーダンスが得られるわけではない。
図1〜3は、周辺I/Oの他にSi die内側に形成されるいわゆるエリアI/Oを使用する多信号半導体チップにおいて、FCBGA(flip−chip BGA)パッケージ基板を適用した例を示している。
図1は、その例のパッケージ基板に配置された電極を示している。その電極106は、周辺グランド電極121と周辺電源電極122と周辺信号電極123とエリア電源電極124とエリア信号電極125とエリアグランド電極120とを含んでいる。そのパッケージ基板の電極106が配置される面は、半導体チップの実装エリアにあり、周辺グランド電極121と周辺電源電極122と周辺信号電極123とが配置される周辺I/O領域111と、エリア電源電極124とエリア信号電極125とエリアグランド電極120とが配置されるエリアI/O領域112とから形成されている。エリアI/O領域112は、周辺I/O領域111に隣接して配置され、周辺I/O領域111よりそのパッケージ基板の中央の側(半導体チップ中心方向115)に配置されている。すなわち、図1には、パッケージ基板の電極106が配置される面の一部のみが描かれているために、周辺I/O領域111とエリアI/O領域112とが一方向に並んでいるが、実際には、周辺I/O領域111は、エリアI/O領域112を取り囲むように配置されている。
周辺I/O領域111は、周辺グランド電極121直線状に並んで配置されている周辺グランド領域126と、周辺電源電極122が直線状に並んで配置されている周辺電源領域127と、周辺信号電極123が配置されている周辺信号領域128とを含んでいる。周辺グランド領域126は、周辺I/O領域111のうちのそのパッケージ基板の縁の側(半導体チップ外側方向114)に配置されている。周辺電源領域127は、周辺I/O領域111のうちのそのパッケージ基板の中央の側の縁に配置されている。周辺信号領域128は、周辺グランド領域126に隣接して配置され、周辺グランド領域126より半導体チップ中心方向115に配置されている。周辺信号領域128は、周辺電源領域127に隣接して配置され、周辺電源領域127より半導体チップ中心方向115の反対方向に配置されている。すなわち、周辺グランド領域126は、周辺信号領域128を取り囲むように配置され、周辺信号領域128は、周辺電源領域127を取り囲むように配置されている。周辺信号領域128は、周辺グランド領域126と周辺電源領域127との間に配置されている。
エリアI/O領域112は、エリアグランド電極120とエリア電源電極124が配置されているエリア電源グランド領域129と、エリア信号電極125が配置されているエリア信号領域130とを含んでいる。エリア電源電極124とエリアグランド電極120とは、エリア電源グランド領域129に直線状に並んで配置され、エリア電源電極124同士、エリアグランド電極120同士が隣り合わないで、エリア電源電極124とエリアグランド電極120とが隣接するように配置されている。すなわち、エリア電源電極124とエリアグランド電極120とは、交互にならぶように配置されている。エリア電源グランド領域129は、エリアI/O領域112のうちの半導体チップ中心方向115の縁に配置されている。エリア信号領域130は、エリア電源グランド領域129に隣接して配置され、エリア電源グランド領域129より半導体チップ中心方向115の反対方向に配置されている。すなわち、エリア信号領域130は、エリア電源グランド領域129を取り囲むように配置されている。
図2は、そのパッケージ基板を示している。パッケージ基板102は、複数の配線層131−1〜131−nが積層されて形成されている。複数の配線層131−1〜131−nは、それぞれ、金属に例示される導体から形成される複数の配線プレーンから形成され、各配線層間に絶縁層が配置されることにより互いに絶縁されている。その複数の配線プレーンは、周辺電源プレーン132とグランドプレーン133とエリア電源プレーン134とロジック電源プレーン135と信号プレーン136とを含んでいる。周辺電源プレーン132は、プリント基板を介して電源電圧が印加されている。グランドプレーン133は、プリント基板を介して接地されている。エリア電源プレーン134は、プリント基板を介して電源電圧が印加されている。ロジック電源プレーン135は、プリント基板を介して電源電圧が印加されている。信号プレーン136は、プリント基板のうちの信号線に電気的に接続されている。
パッケージ基板102は、複数のビアが形成されている。そのビアは、導体から形成され、複数の配線層131−1〜131−nのうちの1つの配線層131−i(i=1,2,3,…,n)の配線プレーンの一部を配線層131−iに隣接する配線層131−(i−1)の配線プレーンの一部に電気的に接続する。その複数のビアは、周辺電源ビア141と周辺信号ビア142とエリア信号ビア143とエリア電源ビア144とエリアグランドビア(後述される)とを含んでいる。周辺電源ビア141は、周辺電源電極122から周辺電源プレーン132までを直線状に繋ぐように配置され、周辺電源電極122を周辺電源プレーン132に電気的に接続している。周辺信号ビア142は、それぞれ、周辺信号電極123から信号プレーン136のうちの1つの信号プレーンまでを直線状に繋ぐように配置され、周辺信号電極123をその1つの信号プレーンに電気的に接続している。エリア信号ビア143は、それぞれ、エリア信号電極125から信号プレーン136のうちの1つの信号プレーンまでを直線状に繋ぐように配置され、エリア信号電極125をその1つの信号プレーンに電気的に接続している。エリア電源ビア144は、エリア電源電極124からエリア電源プレーン134までを直線状に繋ぐように配置され、エリア電源電極124をエリア電源プレーン134に電気的に接続している。このとき、周辺電源ビア141が沿う直線と周辺信号ビア142が沿う直線とエリア信号ビア143が沿う直線とエリア電源ビア144が沿う直線とは、互いに平行になるように配置されている。
図3は、その複数のビアのうちのエリアグランドビアを示している。そのエリアグランドビア145は、エリア電源ビア144とほぼ平行に配置され、エリアグランド電極120をグランドプレーン133に電気的に接続している。さらに、エリアグランドビア145とエリア電源ビア144とは、1つの平面に含まれるように配置され、交互にならぶように配置されている。
周辺I/O領域111では、周辺電源電極122の列と周辺グランド電極121の列が周辺信号電極123の群を挟んで離れて配置されているが、このような配置はまれである。理由は、丁度真ん中の信号を駆動するI/Oバッファ以外では、電圧降下が非対称になってしまうからである。通常は、エリアI/O領域112のように、電源・グランドが交互にならぶか電源列とグランド列が隣接して配置される。これら電源・グランドのC4電極は、下層の電源・グランドプレーンにビアホールによって接続されるので、電源・グランドのビアホールはC4電極配列を反映して互いに隣接して配置される。よって、電源ビアホールとグランドビアホールの互いに逆向きに発生する磁場によって実効インダクタンスが低減される。
この例のように周辺I/O領域111、エリアI/O領域112ともに、信号ピンが高密度に配置されている場合が問題となる。信号を高密度にしかも多層にわたって配置したことにより、エリアI/O領域112では、FCBGA基板の上面側(dieに近い側)に電源プレーンを配置するスペースが十分に取れなくなる。図2に示されているように、エリアI/O領域112のエリア電源電極124がかなり下層、すなわちdieからかなり離れた層でしか電源プレーン134に接続できない場合が発生する。このときdieから電源プレーン134までの距離が大きいためエリアI/O領域112で電源インピーダンスが高くなりやすい。エリア電源ビア144とエリアグランドビア145を隣り合わせに並べることによってインピーダンスの低減がはかられてはいるが、これだけの効果では不十分であることがある。実際のところ電源ビアとグランドビアとを隣接させて配置する場合、グランドビアを配置した分だけ電源ビアを配置することができるスペースが減ってしまうので、インピーダンス減少効果と増加効果が相殺しあって大きな効果が得られない。
図4Aは、この例におけるエリア電源ビア144のインピーダンスの測定結果を示している。その測定結果161は、エリア電源ビア144のインピーダンスのばらつきが比較的大きいことを示している。図4Bは、この例における周辺電源ビア141のインピーダンスの測定結果を示している。その測定結果162は、周辺電源ビア141のインピーダンスのばらつきが比較的大きいことを示している。測定結果161と測定結果162とは、周辺電源ビア141のインピーダンスとエリア電源ビア144のインピーダンスとに2倍以上の開きがあることを示している。
本発明の目的は、多信号系のレイアウトリソース(レイアウトスペース)を十分に確保しつつ、電源供給系の電源インピーダンスを低減するパッケージ基板を提供することにある。
以下に、発明を実施するための形態・実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態・実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
本発明によるパッケージ基板(2)は、半導体チップ(3)に電気的に接続される複数の電極(4)と、積層された複数の配線層(31−1〜31−n)と、複数の配線層(31−1〜31−n)に形成される複数のプレーンを電気的に接続する複数のビアとを備えている。その複数のビアのうちの電源ビア(44)は、その複数のプレーンのうちの電源電圧が印加される電源プレーン(34)を複数の電極(4)のうちの電源電極(24)に電気的に接続する。複数の配線層(31−1〜31−n)のうちの電源ビア(44)が通過する通過配線層は、電源ビア(44)を取り囲む格子状グランドプレーン(51、53)が形成されている。格子状グランドプレーン(51、53)の全部は、その複数のビアのうちのグランドビア(45)を介して、その複数のプレーンのうちの接地されるグランドプレーン(33)に電気的に接続されている。このとき、電源ビア(44)と格子状グランドプレーン(51、53)とは、強い相互インピーダンスをもち、電源の実効インピーダンスが低減する。このため、このようなパッケージ基板(2)は、電源ビア(44)からの電源ノイズを低減することができる。
本発明による半導体装置(1)は、半導体チップ(3)と、半導体チップ(3)に電気的に接続される複数の電極(4)と、積層された複数の配線層(31−1〜31−n)と、複数の配線層(31−1〜31−n)に形成される複数のプレーンを電気的に接続する複数のビアとを備えている。その複数のビアのうちの電源ビア(44)は、その複数のプレーンのうちの電源電圧が印加される電源プレーン(34)を複数の電極(4)のうちの電源電極(24)に電気的に接続する。複数の配線層(31−1〜31−n)のうちの電源ビア(44)が通過する通過配線層は、電源ビア(44)を取り囲む格子状グランドプレーン(51、53)が形成されている。格子状グランドプレーン(51、53)の全部は、その複数のビアのうちのグランドビア(45)を介して、その複数のプレーンのうちの接地されるグランドプレーン(33)に電気的に接続されている。このとき、電源ビア(44)と格子状グランドプレーン(51、53)とは、強い相互インピーダンスをもち、電源の実効インピーダンスが低減する。このため、このような半導体装置(1)は、電源ビア(44)からの電源ノイズを低減することができる。
本発明によるパッケージ基板は、電源ビアと格子状パターンとの間に強い相互インダクタンスが発生し、電源ビアの実効インピーダンスが低減し、このため、電源ノイズを低減することができる。本発明によるパッケージ基板は、さらに、電源・グランド系のレイアウトスペースの増加が比較的少なく、電源・グランド系以外のレイアウトスペース(たとえば、信号系のレイアウトリソース)を十分に確保することができる。
図面を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態を記載する。その半導体装置1は、図5に示されているように、パッケージ基板2と半導体チップ3と樹脂5と複数のバンプ6とを備えている。パッケージ基板2は、板状に形成され、半導体チップ3の側の面に複数の電極を備えている。半導体チップ3は、多くの回路素子を備え、複数のボンディングパッドを備えている。半導体チップ3は、その複数のボンディングパッドを介して入力される入力電気信号に基づいて、出力電気信号を生成し、その複数のボンディングパッドを介してその出力電気信号を外部に出力する。バンプ6は、それぞれ、導体から形成され、半導体チップ3のボンディングパッドのうちの1つをパッケージ基板2の複数の電極のうちの1つに電気的に接続している。樹脂5は、絶縁体である樹脂から形成され、半導体チップ3とパッケージ基板2との間のバンプ6が配置されている空間を封止している。
半導体装置1は、プリント基板7に実装されて利用される。すなわち、プリント基板7は、複数のボールランド(図示せず)を備えている。その複数のボールランドは、プリント基板7の半導体装置1の側の面に露出するように配置されている。パッケージ基板2は、さらに、プリント基板7の側の面に複数のボールランド(図示せず)を備えている。半導体装置1は、複数のはんだボール8を介して、パッケージ基板2のボールランドがプリント基板7のボールランドの1つに電気的に接続されている。
図6は、パッケージ基板2に配置された電極4を示している。電極4は、周辺グランド電極21と周辺電源電極22と周辺信号電極23とエリア電源電極24とエリア信号電極25とを含んでいる。パッケージ基板2のうちの電極4が配置される面は、半導体チップ3の側で半導体チップの実装エリアにあり、周辺グランド電極21と周辺電源電極22と周辺信号電極23とが配置される周辺I/O領域11とエリア電源電極24とエリア信号電極25とが配置されるエリアI/O領域12とからなる。エリアI/O領域12は、周辺I/O領域11に隣接して配置され、周辺I/O領域11よりパッケージ基板2の中央の側(半導体チップ中心方向15)に配置されている。すなわち、図6には、パッケージ基板2の電極4が配置される面の一部のみが描かれているために、周辺I/O領域11とエリアI/O領域12とが一方向に並んでいるが、実際には、周辺I/O領域11は、エリアI/O領域12を取り囲むように配置されている。
周辺I/O領域11は、周辺グランド電極21が直線状に並んで配置される周辺グランド領域26と、周辺電源電極22が直線状に並んで配置される周辺電源領域27と、周辺信号電極23が配置される周辺信号領域28とを含んでいる。周辺グランド領域26は、周辺I/O領域11のうちのパッケージ基板2の縁の側(半導体チップ外側方向14)に配置されている。周辺電源領域27は、周辺グランド領域26に隣接して配置され、周辺グランド領域26より半導体チップ中心方向15に配置されている。周辺信号領域28は、周辺電源領域27に隣接して配置され、周辺電源領域27より半導体チップ中心方向15に配置され、周辺I/O領域11のうちの半導体チップ中心方向15の縁に配置されている。すなわち、周辺グランド領域26は、周辺電源領域27を取り囲むように配置され、周辺電源領域27は、周辺信号領域28を取り囲むように配置されている。
エリアI/O領域12は、エリア電源電極24が直線状に並んで配置されるエリア電源領域29と、エリア信号電極25が配置されているエリア信号領域30とを含んでいる。エリア電源領域29は、エリアI/O領域12のうちの半導体チップ中心方向15の縁に配置されている。エリア信号領域30は、エリア電源領域29に隣接して配置され、エリア電源領域29より半導体チップ外側方向14に配置されている。すなわち、エリア信号領域30は、エリア電源領域29を取り囲むように配置されている。
図7は、パッケージ基板2の一部分の断面を示している。パッケージ基板2は、複数の配線層31−1〜31−nが積層されて形成されている。複数の配線層31−1〜31−nは、それぞれ、金属に例示される導体から形成される複数の配線プレーンから形成され、各配線層間に絶縁層が配置されることにより互いに絶縁されている。その複数の配線プレーンは、周辺電源プレーン32とグランドプレーン33と下部電源プレーン34と内側電源プレーン35と信号プレーン36とを含んでいる。周辺電源プレーン32は、プリント基板7を介して電源電圧が印加されている。グランドプレーン33は、プリント基板7を介して接地されている。下部電源プレーン34は、信号プレーン36が形成される配線層より半導体チップ3から遠い側に配置される配線層に形成され、プリント基板7を介して電源電圧が印加されている。内側電源プレーン35は、周辺電源プレーン32より半導体チップ中心方向15の側に配置され、プリント基板7を介して電源電圧が印加されている。信号プレーン36は、プリント基板7のうちの信号線に電気的に接続されている。
パッケージ基板2は、複数のビアが形成されている。そのビアは、導体から形成され、複数の配線層31−1〜31−nのうちの1つの配線層31−i(i=1,2,3,…,n)の配線プレーンの一部を配線層31−iに隣接する配線層31−(i−1)の配線プレーンの一部に電気的に接続する。その複数のビアは、周辺電源ビア41と周辺信号ビア42とエリア信号ビア43とエリア電源ビア44とエリアグランドビア45とを含んでいる。周辺電源ビア41は、周辺電源電極22から周辺電源プレーン32までを直線状に繋ぐように配置され、周辺電源電極22を周辺電源プレーン32に電気的に接続している。周辺信号ビア42は、それぞれ、周辺信号電極23から信号プレーン36のうちの1つの信号プレーンまでを直線状に繋ぐように配置され、周辺信号電極23をその1つの信号プレーンに電気的に接続している。エリア信号ビア43は、それぞれ、エリア信号電極25から信号プレーン36のうちの1つの信号プレーンまでを直線状に繋ぐように配置され、エリア信号電極25をその1つの信号プレーンに電気的に接続している。エリア電源ビア44は、エリア電源電極24から下部電源プレーン34までを直線状に繋ぐように配置され、エリア電源電極24を下部電源プレーン34に電気的に接続している。エリアグランドビア45は、複数の配線層31−1〜31−nのうちのエリア電源ビア44が通過する配線層を直線状に繋ぐように配置され、複数の配線層31−1〜31−nに形成される格子状グランドプレーン(後述される)の全部をグランドプレーン33に電気的に接続している。このとき、周辺電源ビア41が沿う直線と周辺信号ビア42が沿う直線とエリア信号ビア43が沿う直線とエリア電源ビア44が沿う直線とエリアグランドビア45が沿う直線とは、互いにほぼ平行になるように配置されている。
パッケージ基板2は、複数の配線層31−1〜31−nのうちのエリア電源ビア44が配置される配線層に格子状パターンが形成されている。
図8は、複数の配線層31−1〜31−nのうちの内側電源プレーン35が形成された電源配線層52を示している。電源配線層52には、格子状グランドプレーン51が形成されている。格子状グランドプレーン51は、エリア電源ビア44と電気的に絶縁され、エリア電源ビア44の各々を取り囲むように形成されている。すなわち、エリア電源ビア44のうちの2つのエリア電源ビアの間には、格子状グランドプレーン51の一部が配置されている。かつ、エリア電源ビア44の各々とエリア信号ビア43の各々との間には、格子状グランドプレーン51の一部が配置されている。格子状グランドプレーン51は、さらに、内側電源プレーン35と電気的に絶縁されている。格子状グランドプレーン51は、エリアグランドビア45を介してグランドプレーン33に電気的に接続されている。各々のエリア信号ビア43の間には、格子状グラウンドプレーン51が配置されていない。つまり、複数のエリア信号ビア43各々は、格子状グラウンドプレーン51を介さずに、隣接して配置されている。
図9は、複数の配線層31−1〜31−nのうちのグランドプレーン33が形成されたグランド配線層54を示している。グランド配線層54には、格子状グランドプレーン53が形成されている。格子状グランドプレーン53は、エリア電源ビア44と電気的に絶縁され、エリア電源ビア44の各々を取り囲むように形成されている。すなわち、エリア電源ビア44のうちの2つのエリア電源ビアの間には、格子状グランドプレーン53の一部が配置されている。かつ、エリア電源ビア44の各々とエリア信号ビア43の各々との間には、格子状グランドプレーン53の一部が配置されている。格子状グランドプレーン53は、さらに、エリアグランドビア45に電気的に接続され、グランドプレーン33と電気的に接続されている。
このとき、エリアグランドビア45は、格子状グランドプレーン51の全部と格子状グランドプレーン53の全部とをグランドプレーン33に電気的に接続している。エリアグランドビア45と格子状グランドプレーン51の全部と格子状グランドプレーン53の全部とは、エリア電源ビア44を取り囲む格子状パターンに形成されている。
パッケージ基板2のエリア電源ビア44は、まわりをその格子状パターンで取り囲まれているために、エリア電源ビア44とその格子状パターンとは、強い相互インピーダンスをもち、エリア電源の実効インピーダンスが著しく低下する。この結果、半導体装置1の電源ノイズを低減することができる。また、エリア電源電極24がエリア信号電極25よりパッケージ基板2の半導体チップ中心方向15の側に配置されているために、半導体装置1は、さらに、多信号系のレイアウトスペースを十分に確保することができる。
また、パッケージ基板2の複数のエリア信号ビア43の各々の間には、格子状グラウンドプレーン51が配置されず、エリア信号ビア43が隣接して配置されている。これにより、多信号マクロのI/Oサイズとパッケージのレイアウトスペースを節約しつつ、エリア信号ビア43をまとめて高密度に配置し、かつ電源インピーダンスを低くすることができる。
これに対して、例えば特開平06−085099号公報では、信号ビアの周囲を取り囲むようにグランドプレーンを複数層設けて、擬似的な同軸線路構造が形成されている。かかる構成では、少ない信号での高速伝送には良いが、信号密度を十分に稼ぐことができない、I/Oマクロサイズが大きくなるといった問題がある。このため、本願発明のような効果を得ることができない。
なお、エリア電源ビア44は、1つの直線に沿わないで配置することもできる。このとき、エリア電源ビア44は、第1エリア電源ビア47と第2エリア電源ビア48とから形成されている。第1エリア電源ビア47は、下部電源プレーン34から配線層31−2までを直線状に繋ぐように配置され、下部電源プレーン34を配線層31−2の一部に電気的に接続している。配線層31−2は、複数の配線層31−1〜31−nのうちのエリア電源電極24に2番目に近いプレーンである。第2エリア電源ビア48は、配線層31−2のうちの第1エリア電源ビア47に電気的に接続される。また、一方をエリア電源電極24に電気的に接続している。このようなエリア電源ビア44は、エリア電源電極24のピッチが小さいために配線層31−1に格子状パターンを形成することができないときに、適用される。このようなエリア電源ビア44であっても、その格子状パターンとの間に強い相互インピーダンスをもち、エリア電源の実効インピーダンスを低減することができる。この結果、半導体装置1の電源ノイズを低減することができる。
3次元電磁界解析結果によれば、図1〜図3に示される半導体装置の例のように電源ビアホールとグランドビアホールを隣接させて配置させるよりも、本発明のように電源ビアホールを格子状グランドプレーンによって取り囲んだほうがより低いインピーダンスを示している。これは、一つには、ビアホールとプレーンの電磁界結合がかなり強いこと、もう一つには、グランドビアホールを減らしてその分を電源ビアホールに回すことが可能になるという理由による。本発明による半導体装置は、ビアホール−plane結合、電源ビアホール数およびグランドビアホール数を、電磁界解析を行いながら最適化することにより、図1〜図3の半導体装置よりも著しく低いインピーダンスを得ることが可能となる。
図10Aは、本発明による半導体装置1におけるエリア電源ビア44のインピーダンスの測定結果を示している。その測定結果61は、図4A、Bの測定結果161、162が示すインピーダンスに比較して、エリア電源ビア44のインピーダンスのばらつきがより小さいことを示している。図10Bは、本発明による半導体装置1における周辺電源ビア41のインピーダンスの測定結果を示している。その測定結果62は、図4A、Bの測定結果161、162が示すインピーダンスに比較して、周辺電源ビア41のインピーダンスのばらつきが小さいことを示している。測定結果61と測定結果62とは、周辺電源ビア41のインピーダンスとエリア電源ビア44のインピーダンスとが概ね一致することを示し、さらに、周辺電源ビア41のインピーダンスとエリア電源ビア44のインピーダンスとのばらつきが小さいことを示している。すなわち、測定結果61と測定結果62とは、さらに、図1〜図3に示される半導体装置に比較して、本発明による半導体装置1がエリア電源ビア44よる電源ノイズをより低減することができることを示している。
なお、本発明による半導体装置1は、パッケージ基板2がエリアI/O領域12にエリアグランド電極をさらに備えることができる。そのエリアグランド電極は、エリア信号領域30とエリア電源領域29との間に配置されるエリアグランド領域に配置され、直線状に並んで配置されている。そのエリアグランド電極は、さらに、エリアグランドビア45に電気的に接続されている。そのエリアグランド電極は、半導体チップ3に電気的に接続されて適用される。本発明による半導体装置は、このようなエリアグランド電極を備える場合であっても、既述の実施の形態における半導体装置と同様にして、エリア電源ビア44とその格子状パターンとが強い相互インピーダンスをもち、エリア電源の実効インピーダンスが著しく低下し、エリア電源ビア44からの電源ノイズを低減することができ、さらに、多信号系のレイアウトスペースを十分に確保することができる。すなわち、本発明による技術は、このようなエリアグランド電極を備える半導体装置にも適用されることができる。
また、上述の実施形態では、格子状グランドプレーン51が、エリア電源ビア44と電気的に絶縁され、エリア電源ビア44の各々を取り囲むように形成されている例を示したが、グラウンドと電源の関係は逆になっていても同様の効果を有する。具体的には、図7および図8において、格子状電源プレーンが、エリアグラウンドビア44と電気的に絶縁され、エリアグラウンドビア44の各々を取り囲むように形成されていてもよい。このとき、エリアグラウンドビア44のうちの2つのエリアグラウンドビアの間には、格子状電源プレーン51の一部が配置される。かつ、エリアグラウンドビア44の各々とエリア信号ビア43の各々との間には、格子状電源プレーン51の一部が配置される。格子状電源プレーン51は、さらに、内側グラウンドプレーン35と電気的に絶縁される。格子状電源プレーン51は、エリア電源ビア45を介して電源プレーン33に電気的に接続される。各々のエリア信号ビア43は、格子状電源プレーン51を介さずに、隣接して配置される。
さらに、電源とグラウンドの関係は、各配線層間で切り替えてもよい。つまり、ある配線層では格子状グランドプレーンが、エリア電源ビアの各々を取り囲むように形成され、別の配線層では格子状電源プレーンが、エリアグラウンドビアの各々を取り囲むように形成されていてもよい。かかる構成においても、上述の実施形態と同様の効果を有する。
1 :半導体装置
2 :パッケージ基板
3 :半導体チップ
4 :電極
5 :樹脂
6 :バンプ
7 :プリント基板
8 :はんだボール
11:周辺I/O領域
12:エリアI/O領域
14:半導体チップ外側方向
15:半導体チップ中心方向
21:周辺グランド電極
22:周辺電源電極
23:周辺信号電極
24:エリア電源電極
25:エリア信号電極
26:周辺グランド領域
27:周辺電源領域
28:周辺信号領域
29:エリア電源領域
30:エリア信号領域
31−1〜31−n:複数の配線層
32:周辺電源プレーン
33:グランドプレーン
34:下部電源プレーン
35:内側電源プレーン
36:信号プレーン
41:周辺電源ビア
42:周辺信号ビア
43:エリア信号ビア
44:エリア電源ビア
45:エリアグランドビア
47:第1エリア電源ビア
48:第2エリア電源ビア
51:格子状グランドプレーン
52:電源配線層
53:格子状グランドプレーン
54:グランド配線層
61:測定結果
62:測定結果
2 :パッケージ基板
3 :半導体チップ
4 :電極
5 :樹脂
6 :バンプ
7 :プリント基板
8 :はんだボール
11:周辺I/O領域
12:エリアI/O領域
14:半導体チップ外側方向
15:半導体チップ中心方向
21:周辺グランド電極
22:周辺電源電極
23:周辺信号電極
24:エリア電源電極
25:エリア信号電極
26:周辺グランド領域
27:周辺電源領域
28:周辺信号領域
29:エリア電源領域
30:エリア信号領域
31−1〜31−n:複数の配線層
32:周辺電源プレーン
33:グランドプレーン
34:下部電源プレーン
35:内側電源プレーン
36:信号プレーン
41:周辺電源ビア
42:周辺信号ビア
43:エリア信号ビア
44:エリア電源ビア
45:エリアグランドビア
47:第1エリア電源ビア
48:第2エリア電源ビア
51:格子状グランドプレーン
52:電源配線層
53:格子状グランドプレーン
54:グランド配線層
61:測定結果
62:測定結果
Claims (10)
- 半導体チップに電気的に接続される複数の電極と、
積層された複数の配線層と、
前記複数の配線層に形成される複数のプレーンを電気的に接続する複数のビアとを具備し、
前記複数のビアのうちの電源ビアは、前記複数のプレーンのうちの電源電圧が印加される電源プレーンを前記複数の電極のうちの電源電極に電気的に接続し、
前記複数の配線層のうちの前記電源ビアが通過する通過配線層は、前記電源ビアを取り囲む格子状グランドプレーンが形成され、
前記格子状グランドプレーンの全部は、前記複数のビアのうちのグランドビアを介して、前記複数のプレーンのうちの接地されるグランドプレーンに電気的に接続される
パッケージ基板。 - 請求項1において、
前記複数のビアは、電気信号を伝達するための複数の信号ビアを含み、前記複数の信号ビアは前記格子状グラウンドプレーンを介さずに隣接して配置されている
パッケージ基板。 - 請求項2において、
前記通過配線層には、前記複数のプレーンのうちの前記電気信号を伝達するための信号プレーンが形成されており、
前記信号ビアは前記信号プレーンに電気的に接続されている
パッケージ基板。 - 請求項2または請求項3のいずれかにおいて、
前記電源電極は、前記複数の電極のうちの前記電気信号が伝達される信号電極より本パッケージ基板の中央の側に配置されている
パッケージ基板。 - 半導体チップに電気的に接続される複数の電極と、
積層された複数の配線層と、
前記複数の配線層に形成される複数のプレーンを電気的に接続する複数のビアとを具備し、
前記複数のビアのうちのグラウンドビアは、前記複数のプレーンのうちの接地されるグラウンドプレーンを前記複数の電極のうちのグラウンド電極に電気的に接続し、
前記複数の配線層のうちの前記グラウンドビアが通過する通過配線層は、前記グラウンドビアを取り囲む格子状電源プレーンが形成され、
前記格子状電源プレーンの全部は、前記複数のビアのうちの電源ビアを介して、前記複数のプレーンのうちの電源電圧が印加される電源プレーンに電気的に接続される
パッケージ基板。 - 請求項5において、
前記複数のビアは、電気信号を伝達するための複数の信号ビアを含み、前記複数の信号ビアは前記格子状電源プレーンを介さずに互いに隣接して配置されている
パッケージ基板。 - 半導体チップと、
前記半導体チップに電気的に接続される複数の電極と、
積層された複数の配線層と、
前記複数の配線層に形成される複数のプレーンを電気的に接続する複数のビアとを具備し、
前記複数のビアのうちの電源ビアは、前記複数のプレーンのうちの電源電圧が印加される電源プレーンを前記複数の電極のうちの電源電極に電気的に接続し、
前記複数の配線層のうちの前記電源ビアが通過する通過配線層は、前記電源ビアを取り囲む格子状グランドプレーンが形成され、
前記格子状グランドプレーンの全部は、前記複数のビアのうちのグランドビアを介して、前記複数のプレーンのうちの接地されるグランドプレーンに電気的に接続される
半導体装置。 - 請求項7において、
前記複数のビアは、電気信号を伝達するための複数の信号ビアを含み、前記複数の信号ビアは前記格子状グラウンドプレーンを介さずに互いに隣接して配置されている
半導体装置。 - 請求項7または請求項8のいずれかにおいて、
前記通過配線層には、前記複数のプレーンのうちの電気信号を伝達するための信号プレーンが形成されおり、
前記信号ビアは前記信号プレーンに電気的に接続されている
半導体装置。 - 請求項8または請求項9のいずれかにおいて、
前記電源電極は、前記複数の電極のうちの前記電気信号が伝達される信号電極より本パッケージ基板の中央の側に配置されている
半導体装置。
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20130205 |