JP2011103440A - Thermosetting die bonding film - Google Patents

Thermosetting die bonding film Download PDF

Info

Publication number
JP2011103440A
JP2011103440A JP2010187413A JP2010187413A JP2011103440A JP 2011103440 A JP2011103440 A JP 2011103440A JP 2010187413 A JP2010187413 A JP 2010187413A JP 2010187413 A JP2010187413 A JP 2010187413A JP 2011103440 A JP2011103440 A JP 2011103440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermosetting
die
bonding film
film
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010187413A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichiro Shishido
雄一郎 宍戸
Hisahide Takamoto
尚英 高本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2010187413A priority Critical patent/JP2011103440A/en
Publication of JP2011103440A publication Critical patent/JP2011103440A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermosetting die bonding film and a dicing die bonding film, capable of suppressing cure shrinkage after die bonding and preventing generation of warpage to an adherend. <P>SOLUTION: The thermosetting die bonding film is for adhering semiconductor elements onto the adherend to fix them. A gel fraction in an organic component after heat curing by thermal treatment at 120°C for one hour is in the range of 20 wt.% or less. And the gel fraction in the organic component after heat curing by thermal treatment at 175°C for one hour is in the range of 10-30 wt.%. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体チップ等の半導体素子を基板やリードフレーム等の被着体上に固着する際に用いられる熱硬化型ダイボンドフィルムに関する。また本発明は、当該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムに関する。   The present invention relates to a thermosetting die-bonding film used when a semiconductor element such as a semiconductor chip is fixed on an adherend such as a substrate or a lead frame. The present invention also relates to a dicing die bond film in which the thermosetting die bond film and the dicing film are laminated.

従来、半導体装置の製造過程に於いては、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが使用されてきた（下記特許文献１参照）。このダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されて構成されたものである。即ち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングした後、支持基材を延伸し、半導体チップをダイボンドフィルムと共にピックアップする。更に、リードフレームのダイパッド上にダイボンドフィルムを介して半導体チップをダイボンドする。   Conventionally, in the manufacturing process of a semiconductor device, a dicing die-bonding film that adheres and holds a semiconductor wafer in a dicing process and also provides an adhesive layer for chip fixation necessary for a mounting process has been used (see below). Patent Document 1). This dicing die-bonding film is configured by sequentially laminating a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer on a supporting substrate. That is, after the semiconductor wafer is diced while being held by the adhesive layer, the support base is stretched, and the semiconductor chip is picked up together with the die bond film. Further, a semiconductor chip is die-bonded on the die pad of the lead frame via a die-bonding film.

しかし、近年、半導体ウェハの大型化・薄型化に伴い、半導体チップも薄型化している。その様な半導体チップを前記ダイボンドフィルムを介して基板等の被着体上に固着させ熱硬化させると（ダイボンディング）、ダイボンドフィルムの熱硬化により硬化収縮する。その結果、被着体が反るという問題がある。   However, in recent years, semiconductor chips have also been made thinner as semiconductor wafers have become larger and thinner. When such a semiconductor chip is fixed on an adherend such as a substrate via the die bond film and thermally cured (die bonding), the die bond film is cured and contracted by heat curing. As a result, there is a problem that the adherend is warped.

特開昭６０−５７３４２号公報JP 60-57342 A

本発明は前記の問題点に鑑みなされたものであり、ダイボンディング後の硬化収縮を抑制し、これにより被着体に対する反りの発生を防止することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and suppresses curing shrinkage after die bonding, thereby preventing the occurrence of warpage of an adherend, and a dicing film An object is to provide a die bond film.

本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、熱硬化型ダイボンドフィルム及びダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、熱処理後の熱硬化型ダイボンドフィルムにおいて、その有機成分におけるゲル分率が一定の数値範囲内であるとその硬化収縮を低減できることを見出して、本発明を完成させるに至った。   In order to solve the above-mentioned conventional problems, the inventors of the present application have studied a thermosetting die bond film and a dicing die bond film. As a result, in the thermosetting die-bonding film after heat treatment, it was found that the curing shrinkage can be reduced when the gel fraction in the organic component is within a certain numerical range, and the present invention has been completed.

即ち、本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が２０重量％以下の範囲内であり、かつ、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が１０〜３０重量％の範囲内であることを特徴とする。   That is, the thermosetting die-bonding film according to the present invention is a thermosetting die-bonding film for adhering and fixing a semiconductor element on an adherend, and after thermosetting by heat treatment at 120 ° C. for 1 hour. The gel fraction in the organic component is in the range of 20% by weight or less, and the gel fraction in the organic component after being thermally cured by heat treatment at 175 ° C. for 1 hour is in the range of 10 to 30% by weight. It is characterized by being.

熱硬化型ダイボンドフィルムを用いて、半導体素子を被着体上にダイボンディングする際には、半導体素子と被着体との接着固定を確実にする観点から、熱硬化型ダイボンドフィルムを十分に熱硬化させるのが好ましい。しかし、熱硬化反応を進行させ過ぎると熱硬化型ダイボンドフィルム自身が硬化収縮する場合がある。本発明においては、前記構成の通り、１２０℃、１時間での熱処理により熱硬化したときの有機成分におけるゲル分率が２０重量％以下であり、また１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化したときの有機成分におけるゲル分率が１０〜３０重量％の範囲内であるので、例えば、半導体素子を被着体上にダイボンドする際、又はワイヤーボンディングの際に行われる熱処理において、フィルムが完全に熱硬化するのを抑制する。これにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの硬化収縮の低減を可能にしている。その結果、当該硬化収縮に起因して被着体に反りが発生するのを抑制することができ、半導体装置の製造においてスループットの向上が図れる。   When die bonding a semiconductor element on an adherend using a thermosetting die bond film, the thermosetting die bond film is sufficiently heated from the viewpoint of ensuring the adhesion and fixing between the semiconductor element and the adherend. It is preferable to cure. However, if the thermosetting reaction is allowed to proceed excessively, the thermosetting die-bonding film itself may be cured and contracted. In the present invention, as described above, the gel fraction of the organic component when thermally cured by heat treatment at 120 ° C. for 1 hour is 20% by weight or less, and heat cured by heat treatment at 175 ° C. for 1 hour. Since the gel fraction in the organic component is in the range of 10 to 30% by weight, for example, in the heat treatment performed when the semiconductor element is die-bonded on the adherend or wire bonding, the film is completely Suppresses thermosetting. This makes it possible to reduce curing shrinkage of the thermosetting die-bonding film. As a result, it is possible to suppress the occurrence of warpage of the adherend due to the curing shrinkage, and the throughput can be improved in the manufacture of the semiconductor device.

前記構成の熱硬化型ダイボンドフィルムは、その酸価が４〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内であることが好ましい。これにより、例えば、１２０℃、１時間の条件下での熱処理で被着体に反りが発生するのを抑制しながら剪断接着力を向上させることができる。   The thermosetting die-bonding film having the above structure preferably has an acid value in the range of 4 to 10 mgKOH / g. Thereby, for example, the shear adhesive force can be improved while suppressing the occurrence of warpage of the adherend by heat treatment under conditions of 120 ° C. and 1 hour.

前記構成の熱硬化型ダイボンドフィルムは、酸価が１０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内の熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂とにより形成されたものであることが好ましい。これにより、ダイボンド時に熱硬化型ダイボンドフィルムに対し行われる熱処理において、熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。   The thermosetting die-bonding film having the above structure is preferably formed of a thermoplastic resin having an acid value in the range of 10 to 40 mgKOH / g and a thermosetting resin. Thereby, in the heat processing performed with respect to a thermosetting type die-bonding film at the time of die-bonding, it can suppress that thermosetting of a thermosetting type die-bonding film advances excessively.

前記構成の熱硬化型ダイボンドフィルムは熱硬化触媒が添加されたものであることが好ましい。例えば、被着体上にダイボンディングされた半導体素子を封止樹脂により封止し、更に、後硬化工程を行う際には、熱硬化型ダイボンドフィルムを十分に熱硬化させるのが好ましい。本発明に於いては、前記構成の様に熱硬化触媒を添加させることで、被着体上への半導体素子のダイボンディングの際は硬化収縮が発生しない程度に熱硬化させ、前記後硬化工程の際には熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化を十分に進行させることが可能になる。その結果、被着体上に半導体素子を確実に接着固定させ、半導体素子が被着体から剥離することのない半導体装置の製造が可能になる。   It is preferable that the thermosetting die-bonding film having the above-described configuration is a film to which a thermosetting catalyst is added. For example, when a semiconductor element die-bonded on an adherend is sealed with a sealing resin, and a post-curing step is performed, it is preferable that the thermosetting die-bonding film is sufficiently heat-cured. In the present invention, by adding a thermosetting catalyst as in the above-described structure, the post-curing step is performed by thermosetting to the extent that curing shrinkage does not occur during die bonding of the semiconductor element on the adherend. In this case, the thermosetting of the thermosetting die bond film can be sufficiently advanced. As a result, it is possible to manufacture a semiconductor device in which the semiconductor element is securely bonded and fixed on the adherend and the semiconductor element is not peeled off from the adherend.

前記構成に於いては、１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の剪断接着力が０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、例えば、ワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、熱硬化型ダイボンドフィルムと半導体素子又は被着体との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これによりワイヤーボンディングの成功率の低下を抑制することができる。   In the said structure, it is preferable that the shear adhesive force after thermosetting by 120 degreeC and the heat processing for 1 hour is 0.2 Mpa or more. Thereby, for example, even if a wire bonding step is performed, shear deformation does not occur on the bonding surface between the thermosetting die-bonding film and the semiconductor element or the adherend due to ultrasonic vibration or heating in the step. That is, the semiconductor element does not move due to the ultrasonic vibration during wire bonding, thereby suppressing a decrease in the success rate of wire bonding.

また、前記構成に於いては、熱硬化前の１２０℃における溶融粘度が５０〜１０００Ｐａ・ｓの範囲内であることが好ましい。熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前の溶融粘度を５０Ｐａ・ｓ以上にすることで、被着体に対する密着性を良好なものにする。その結果、被着体との接着面に於いて、ボイドの発生を低減することができる。また、前記溶融粘度を１０００Ｐａ・ｓ以下にすることで、熱硬化型ダイボンドフィルムから接着剤成分等が滲み出すのを抑制することができる。その結果、被着体やこれに接着固定させる半導体素子の汚染を防止することができる。   Moreover, in the said structure, it is preferable that the melt viscosity in 120 degreeC before thermosetting exists in the range of 50-1000 Pa.s. By making the melt viscosity before thermosetting of the thermosetting die-bonding film 50 Pa · s or more, the adhesion to the adherend is improved. As a result, generation of voids can be reduced on the adhesion surface with the adherend. Moreover, it can suppress that an adhesive agent component etc. ooze out from a thermosetting die-bonding film by making the said melt viscosity into 1000 Pa.s or less. As a result, it is possible to prevent contamination of the adherend and the semiconductor element adhered and fixed thereto.

前記構成に於いて、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の２６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、例えば、耐湿半田リフロー試験等においても信頼性が高く、耐湿リフロー性に優れた半導体装置の製造を可能にする。   In the above structure, it is preferable that the storage elastic modulus at 260 ° C. after being thermally cured by heat treatment at 175 ° C. for 1 hour is 1 MPa or more. Thereby, for example, it is possible to manufacture a semiconductor device having high reliability in a moisture-resistant solder reflow test and the like and excellent in moisture-resistant reflow property.

また、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記の課題を解決する為に、前記に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層された構造であることを特徴とする。   The dicing die-bonding film according to the present invention has a structure in which the thermosetting die-bonding film described above is laminated on the dicing film in order to solve the above-described problems.

更に、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決する為に、前記熱硬化型ダイボンドフィルム、又は前記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造されたものであることを特徴とする。   Furthermore, the semiconductor device according to the present invention is manufactured using the thermosetting die-bonding film or the dicing die-bonding film in order to solve the above problems.

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムによれば、１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が２０重量％以下であり、かつ、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が１０〜３０重量％の範囲内であるので、例えば、半導体素子を被着体上にダイボンドする際やワイヤーボンディングの際に行われる熱処理において、フィルムが完全に熱硬化することがない。その結果、熱硬化型ダイボンドフィルムの硬化収縮を低減させ、被着体に反りが発生するのを防止することができ、半導体装置の製造においてスループットの向上が図れる。 The present invention has the following effects by the means described above.
That is, according to the thermosetting die-bonding film of the present invention, the gel fraction in the organic component after being thermally cured by heat treatment at 120 ° C. for 1 hour is 20% by weight or less, and at 175 ° C. for 1 hour. Since the gel fraction in the organic component after being thermally cured by the heat treatment is in the range of 10 to 30% by weight, for example, in the heat treatment performed at the time of die bonding or wire bonding of the semiconductor element on the adherend The film does not completely heat cure. As a result, curing shrinkage of the thermosetting die-bonding film can be reduced and warpage of the adherend can be prevented, and throughput can be improved in the manufacture of semiconductor devices.

本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the dicing die-bonding film which concerns on other embodiment of this invention. 本発明の実施の一形態に係るダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted the semiconductor chip via the die-bonding film which concerns on one Embodiment of this invention. 前記ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted the semiconductor chip three-dimensionally through the said die-bonding film. 前記ダイボンドフィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介して３次元実装した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which mounted two-dimensionally the semiconductor chip through the spacer using the said die-bonding film. ソルダーレジスト付き樹脂基板上に熱硬化型ダイボンドフィルムを介してダイボンディングされた半導体チップに於いて、その反り量の測定方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the measuring method of the curvature amount in the semiconductor chip die-bonded via the thermosetting die-bonding film on the resin substrate with a soldering resist.

本実施の形態に係る熱硬化型ダイボンドフィルム（以下、「ダイボンドフィルム」という。）について、図１に示す様に基材１上に粘着剤層２が積層されてなるダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムの態様を例にして以下に説明する。   The thermosetting die bond film (hereinafter referred to as “die bond film”) according to the present embodiment was laminated on a dicing film in which an adhesive layer 2 was laminated on a substrate 1 as shown in FIG. The embodiment of the dicing die bond film will be described below as an example.

前記ダイボンドフィルム３に於いて、１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率は２０重量％以下、好ましくは０〜１５重量％、より好ましくは０〜１０重量％の範囲内である。前記ゲル分率が２０重量％以下であると、例えば、ダイボンドの際の熱処理において、ダイボンドフィルム３が完全に熱硬化し、これにより硬化収縮するのを抑制することができる。また、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率は１０〜３０重量％、好ましくは１０〜２５重量％、より好ましくは１０〜２０重量％の範囲内である。前記ゲル分率が１０〜３０重量％であると、例えばワイヤーボンディングの際の熱処理においても、ダイボンドフィルム３が完全に熱硬化し、これにより硬化収縮するのを抑制することができる。   In the die bond film 3, the gel fraction in the organic component after being thermally cured by heat treatment at 120 ° C. for 1 hour is 20 wt% or less, preferably 0 to 15 wt%, more preferably 0 to 10 wt%. Is within the range. When the gel fraction is 20% by weight or less, for example, in the heat treatment at the time of die bonding, it is possible to suppress the die bond film 3 from being completely thermally cured and thereby being cured and shrunk. The gel fraction in the organic component after being thermally cured by heat treatment at 175 ° C. for 1 hour is in the range of 10 to 30% by weight, preferably 10 to 25% by weight, more preferably 10 to 20% by weight. . When the gel fraction is 10 to 30% by weight, for example, in the heat treatment during wire bonding, the die-bonding film 3 can be completely cured by heat, thereby suppressing the curing and shrinkage.

前記ダイボンドフィルム３の酸価は４〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内が好ましく、６〜８ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内がより好ましい。酸価が４ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であると、例えば、１２０℃、１時間の条件下での熱処理で被着体に反りが発生するのを抑制しながら剪断接着力を向上させることができる。その一方、酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であると、常温で保管したときのダイボンドフィルム３の粘度上昇を抑えることができる。   The acid value of the die bond film 3 is preferably in the range of 4 to 10 mgKOH / g, and more preferably in the range of 6 to 8 mgKOH / g. When the acid value is 4 mgKOH / g or more, for example, the shear adhesive force can be improved while suppressing the warpage of the adherend by heat treatment under conditions of 120 ° C. and 1 hour. On the other hand, when the acid value is 10 mgKOH / g or less, an increase in viscosity of the die bond film 3 when stored at room temperature can be suppressed.

前記ダイボンドフィルム３の構成材料としては、熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂とにより形成されるものが好ましい。更に、前記熱可塑性樹脂には、酸価が好ましくは１０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、より好ましくは２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、更に好ましくは２５〜３５ｍｇＫＯＨ／ｇのものが含まれているのが好ましい。酸価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、１２０℃、１時間の熱処理後のせん断接着力が不足する場合がある。その一方、酸価が４０ｍｇＫＯＨ／ｇより大きいと、保存性が悪化する場合がある。   As a constituent material of the die bond film 3, a material formed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin is preferable. Further, the thermoplastic resin preferably contains an acid value of 10 to 40 mgKOH / g, more preferably 20 to 40 mgKOH / g, and still more preferably 25 to 35 mgKOH / g. If the acid value is less than 10 mgKOH / g, the shear adhesive strength after heat treatment at 120 ° C. for 1 hour may be insufficient. On the other hand, when the acid value is larger than 40 mgKOH / g, the storage stability may be deteriorated.

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン―酢酸ビニル共重合体、エチレン―アクリル酸共重合体、エチレン―アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。   Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Examples thereof include plastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor element is particularly preferable.

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or two or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. Examples include polymers as components. Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, dodecyl group and the like.

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチルとはアクリル酸２−ヒドロキシエチル及び／又はメタクリル酸２−ヒドロキシエチルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   In addition, the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Carboxyl group-containing monomers such as acid anhydride monomers such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4- (meth) acrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyla Hydroxyl group-containing monomers such as relate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as acryloyloxynaphthalene sulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate. In addition, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate refers to 2-hydroxyethyl acrylate and / or 2-hydroxyethyl methacrylate, and (meth) in the present invention has the same meaning.

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。   Examples of the thermosetting resin include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities or the like that corrode semiconductor elements is preferable. Moreover, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。尚、エポキシ樹脂は、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ない。   The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type. Biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., bifunctional epoxy resin or polyfunctional epoxy resin, or hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate Type or glycidylamine type epoxy resin is used. These can be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like. The epoxy resin contains little ionic impurities that corrode semiconductor elements.

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうち、下記化学式で表されるビフェニル型フェノールノボラック樹脂や、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   Further, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, biphenyl type phenol novolac resins and phenol aralkyl resins represented by the following chemical formula are preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

Figure 2011103440
尚、前記ｎは０〜１０の自然数であることが好ましく、０〜５の自然数であることがより好ましい。前記数値範囲内にすることにより、ダイボンドフィルム３の流動性の確保が図れる。
Figure 2011103440
 The n is preferably a natural number of 0 to 10, and more preferably a natural number of 0 to 5. By making it within the numerical range, the fluidity of the die bond film 3 can be ensured.

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂は、熱硬化性樹脂成分中のフェノール性水酸基のモル数に対する、前記熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数の割合が１．５〜６の範囲内となるように配合される。また前記割合は、好ましくは１．５〜４より好ましくは２〜３である。前記割合を１．３以上にすることで、熱硬化型ダイボンドフィルム自身の引張弾性率を低下させ、硬化収縮の低減を可能にする。また、前記割合を６以下にすることで、エポキシ樹脂の熱硬化反応が不十分となるのを防止することができる。   The ratio of the number of moles of epoxy groups in the thermosetting component to the number of moles of phenolic hydroxyl groups in the thermosetting resin component is within the range of 1.5 to 6 for the epoxy resin and the phenol resin. Blended. The ratio is preferably 1.5 to 4, more preferably 2 to 3. By setting the ratio to 1.3 or more, the tensile elastic modulus of the thermosetting die-bonding film itself is lowered, and curing shrinkage can be reduced. Moreover, it can prevent that the thermosetting reaction of an epoxy resin becomes inadequate by making the said ratio 6 or less.

尚、本実施の形態に係るダイボンドフィルム３は、熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂により形成されるものであれば、他の熱硬化性成分を含んでもよい。その様な他の熱硬化性成分としては、例えば、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。また、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化した熱硬化性成分が好適である。これらの樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。前記他の熱硬化性成分の配合割合は、熱硬化性成分１００重量部に対し、０．１〜１０重量部の範囲内が好ましく、０．４〜５重量部の範囲内がより好ましい。   The die bond film 3 according to the present embodiment may include other thermosetting components as long as it is formed of an epoxy resin and a phenol resin as thermosetting components. Examples of such other thermosetting components include amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting polyimide resins. Further, a thermosetting component that has been desolvated, made into a sheet, and made into a B-stage is preferable. These resins can be used alone or in combination of two or more. The blending ratio of the other thermosetting component is preferably in the range of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably in the range of 0.4 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting component.

ここで、熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂との配合割合は、アクリル樹脂１００重量部に対し、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の混合量が１０〜７００重量部の範囲内であることが好ましく、２０〜６００重量部の範囲内であることがより好ましい。尚、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。   Here, when an acrylic resin is used as the thermoplastic resin, the mixing ratio of the epoxy resin and the phenol resin is such that the mixing amount of the epoxy resin and the phenol resin is within a range of 10 to 700 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic resin. It is preferable that it is within the range of 20 to 600 parts by weight. In addition, since the epoxy resin, the phenol resin, and the acrylic resin have few ionic impurities and high heat resistance, the reliability of the semiconductor element can be ensured.

熱硬化性樹脂成分中のフェノール性水酸基のモル数に対する、前記熱硬化性樹脂成分中のエポキシ基のモル数の割合が１．５〜６の場合に於いては、ダイボンドフィルム３の構成材料として熱硬化触媒を使用してもよい。その配合割合としては、有機成分１００重量部に対し０．０１〜３．５重量部の範囲内が好ましく、０．０１〜１重量部の範囲内がより好ましく、０．０１〜０．５重量部の範囲内が特に好ましい。配合割合を０．０１重量部以上にすることにより、ダイボンディング時においては未反応であったエポキシ基同士を、例えば、後硬化工程までには重合させ、当該未反応のエポキシ基を低減ないは消失させることができる。その結果、被着体（詳細については後述する。）上に半導体素子を確実に接着固定させ剥離のない半導体装置の製造が可能になる。その一方、配合割合を３．５重量部以下にすることにより、硬化阻害の発生を防止することができる。   In the case where the ratio of the number of moles of epoxy groups in the thermosetting resin component to the number of moles of phenolic hydroxyl groups in the thermosetting resin component is 1.5 to 6, as the constituent material of the die bond film 3 A thermosetting catalyst may be used. The blending ratio is preferably in the range of 0.01 to 3.5 parts by weight, more preferably in the range of 0.01 to 1 part by weight, with respect to 100 parts by weight of the organic component, and 0.01 to 0.5 parts by weight. Within the range of parts is particularly preferred. By making the blending ratio 0.01 parts by weight or more, epoxy groups that have not reacted at the time of die bonding are polymerized, for example, by the post-curing step, and the unreacted epoxy groups are not reduced. Can be eliminated. As a result, the semiconductor device can be reliably bonded and fixed on the adherend (details will be described later), and a semiconductor device without peeling can be manufactured. On the other hand, when the blending ratio is 3.5 parts by weight or less, the occurrence of curing inhibition can be prevented.

前記熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。   The thermosetting catalyst is not particularly limited, and examples thereof include imidazole compounds, triphenylphosphine compounds, amine compounds, triphenylborane compounds, and trihalogenborane compounds. These can be used alone or in combination of two or more.

前記イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。   Examples of the imidazole compound include 2-methylimidazole (trade name; 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name; C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name; C17Z), and 1,2-dimethylimidazole (product). Name: 1.2 DMZ), 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name; 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name; 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name; 2P4MZ), 1- Benzyl-2-methylimidazole (trade name; 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name; 1B2PZ), 1-cyanoethyl-2-methylimidazole (trade name; 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2 -Undecylimidazole (trade name: C11Z-CN), 1-cyanoethyl 2-phenylimidazolium trimellitate (trade name; 2PZCNS-PW), 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine (trade name; 2MZ-A) ), 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine (trade name; C11Z-A), 2,4-diamino-6- [2'- Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine (trade name; 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl -S-triazine isocyanuric acid adduct (trade name; 2MA-OK), 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (trade name; 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl-5-hydride Carboxymethyl-methylimidazole (trade name; 2P4MHZ-PW), and the like (all made by Shikoku Kasei Co., Ltd.).

前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）等が例示できる。尚、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。   The triphenylphosphine compound is not particularly limited, and examples thereof include triorganophosphines such as triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, and diphenyltolylphosphine. Fin, tetraphenylphosphonium bromide (trade name; TPP-PB), methyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphonium (trade name) ; TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-ZC) and the like (all manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.). The triphenylphosphine compound is preferably substantially insoluble in the epoxy resin. It can suppress that thermosetting progresses too much that it is insoluble with respect to an epoxy resin. Examples of the thermosetting catalyst having a triphenylphosphine structure and substantially insoluble in the epoxy resin include methyltriphenylphosphonium (trade name: TPP-MB). The “insoluble” means that the thermosetting catalyst made of a triphenylphosphine compound is insoluble in a solvent made of an epoxy resin, and more specifically, a temperature range of 10 to 40 ° C. It means that 10% by weight or more does not dissolve.

前記トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。   The triphenylborane compound is not particularly limited, and examples thereof include tri (p-methylphenyl) phosphine. The triphenylborane compound further includes those having a triphenylphosphine structure. The compound having the triphenylphosphine structure and the triphenylborane structure is not particularly limited. For example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name; (TPP-MK), benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-ZK), triphenylphosphine triphenylborane (trade name; TPP-S), and the like (all manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.).

前記アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。   The amino compound is not particularly limited, and examples thereof include monoethanolamine trifluoroborate (manufactured by Stella Chemifa Corporation), dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque Corporation), and the like.

前記トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。   The trihalogen borane compound is not particularly limited, and examples thereof include trichloroborane.

本発明のダイボンドフィルム３を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。   When the die-bonding film 3 of the present invention is crosslinked to some extent in advance, a polyfunctional compound that reacts with a functional group at the molecular chain end of the polymer is preferably added as a crosslinking agent. Thereby, the adhesive property under high temperature can be improved and heat resistance can be improved.

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。   A conventionally well-known thing can be employ | adopted as said crosslinking agent. In particular, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The addition amount of the crosslinking agent is usually preferably 0.05 to 7 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive force is lowered, which is not preferable. On the other hand, if it is less than 0.05 parts by weight, the cohesive force is insufficient, which is not preferable. Moreover, you may make it include other polyfunctional compounds, such as an epoxy resin, together with such a polyisocyanate compound as needed.

また、ダイボンドフィルム３には、その用途に応じて無機充填剤（無機成分）を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は、０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し０〜８０重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは０〜７０重量部である。   In addition, an inorganic filler (inorganic component) can be appropriately blended in the die bond film 3 according to its application. The blending of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, adjust the elastic modulus, and the like. Examples of the inorganic filler include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead. And various inorganic powders made of metals such as tin, zinc, palladium, solder, or alloys, and other carbons. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, silica, particularly fused silica is preferably used. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of an inorganic filler exists in the range of 0.1-80 micrometers. The blending amount of the inorganic filler is preferably set to 0 to 80 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. Particularly preferred is 0 to 70 parts by weight.

尚、ダイボンドフィルム３には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。   In addition to the said inorganic filler, another additive can be suitably mix | blended with the die-bonding film 3 as needed. Examples of other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, and the like. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like. These compounds can be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These can be used alone or in combination of two or more.

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１のダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   The die bond film 3 of the dicing die bond films 10 and 11 is preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die bond film 3 until it is put into practical use. Further, the separator can be used as a support base material when the die bond film 3 is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer 2. The separator is peeled off when the workpiece is stuck on the die bond film 3 of the dicing die bond film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used.

また、前記ダイボンドフィルム３の熱硬化前の１２０℃における溶融粘度は５０〜１０００Ｐａ・ｓであることが好ましく、１００〜８００Ｐａ・ｓであることがより好ましく、２００〜６００Ｐａ・ｓであることが特に好ましい。前記溶融粘度を５０Ｐａ・ｓ以上にすることで、基板等の被着体に対する密着性を良好なものにする。その結果、被着体との接着面に於いて、ボイドの発生を低減することができる。その一方、前記溶融粘度を１０００Ｐａ・ｓ以下にすることで、熱硬化型ダイボンドフィルムから接着剤成分等が滲み出すのを抑制することができる。その結果、被着体やこれに接着固定させる半導体素子の汚染を防止することができる。尚、前記溶融粘度は次の測定方法により測定し算出することができる。即ち、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、商品名；ＲＳ−１）を用いて、パラレルプレート法により測定することができる。即ち、１００℃になる様に加熱しているプレートに、ダイボンドフィルム３から０．１ｇの試料を仕込み、測定を開始する。測定開始から１２０秒後の値の平均値を溶融粘度とする。尚、プレート間のギャップは０．１ｍｍとする。   Further, the melt viscosity at 120 ° C. before thermosetting of the die bond film 3 is preferably 50 to 1000 Pa · s, more preferably 100 to 800 Pa · s, and particularly preferably 200 to 600 Pa · s. preferable. By setting the melt viscosity to 50 Pa · s or more, the adhesion to an adherend such as a substrate is improved. As a result, generation of voids can be reduced on the adhesion surface with the adherend. On the other hand, by setting the melt viscosity to 1000 Pa · s or less, it is possible to prevent the adhesive component and the like from seeping out from the thermosetting die-bonding film. As a result, it is possible to prevent contamination of the adherend and the semiconductor element adhered and fixed thereto. The melt viscosity can be measured and calculated by the following measuring method. That is, it can be measured by a parallel plate method using a rheometer (manufactured by HAAKE, trade name: RS-1). That is, 0.1 g of a sample from the die bond film 3 is placed on a plate heated to 100 ° C., and measurement is started. The average value after 120 seconds from the start of measurement is taken as the melt viscosity. The gap between the plates is 0.1 mm.

前記ダイボンドフィルム３の熱硬化後の２６０℃における貯蔵弾性率は１ＭＰａ以上であることが好ましく、５〜１００ＭＰａであることがより好ましく、１０〜１００ＭＰａであることが特に好ましい。これにより、例えば、封止工程において半導体素子が傾斜するのを防止し、また、はんだリフロー工程の際にダイボンドフィルムと被着体の間に剥離が生じるのを防止することができる。尚、ここでいうダイボンドフィルム３の熱硬化とは、１４０℃で２時間の熱処理を行った後、更に１７５℃で１時間の熱処理を行ったときの状態を意味する。また、貯蔵弾性率の測定は、例えば、固体粘弾性測定装置（レオメトリックサイエンティック社製：形式：ＲＳＡ−III）を用いることにより可能である。即ち、サンプルサイズを長さ４００ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ２００μｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし−５０〜３００℃の温度域での引張貯蔵弾性率及び損失弾性率を、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で測定し、２６０℃での貯蔵弾性率（Ｅ’）を読み取ることにより得られる。   The storage elastic modulus at 260 ° C. after the thermosetting of the die bond film 3 is preferably 1 MPa or more, more preferably 5 to 100 MPa, and particularly preferably 10 to 100 MPa. Thereby, for example, it is possible to prevent the semiconductor element from inclining in the sealing process, and to prevent peeling between the die bond film and the adherend during the solder reflow process. In addition, the thermosetting of the die bond film 3 here means the state when heat-treating at 175 ° C. for 1 hour after heat-treating at 140 ° C. for 2 hours. The storage elastic modulus can be measured, for example, by using a solid viscoelasticity measuring device (Rheometric Scientific, Inc .: Model: RSA-III). That is, the sample size is 400 mm long × 10 mm wide × 200 μm thick, the measurement specimen is set in a film tensile measurement jig, and the tensile storage elastic modulus and loss elastic modulus in the temperature range of −50 to 300 ° C. are expressed as frequency. It can be obtained by measuring under the conditions of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min and reading the storage elastic modulus (E ′) at 260 ° C.

ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。   Although the thickness (in the case of a laminated body) of the die-bonding film 3 is not specifically limited, For example, it is about 5-100 micrometers, Preferably it is about 5-50 micrometers.

尚、ダイボンドフィルム３は、例えば接着剤層の単層のみからなる構成とすることができる。また、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造にしてもよい。半導体ウェハのダイシング工程では切削水を使用することから、ダイボンドフィルム３が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま、基板等に接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイボンドフィルム３としては、透湿性の高いコア材料を接着剤層で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気がフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、ダイボンドフィルム３はコア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造にしてもよい。   In addition, the die-bonding film 3 can be comprised only from the single layer of an adhesive bond layer, for example. Alternatively, a thermoplastic resin having a different glass transition temperature and a thermosetting resin having a different thermosetting temperature may be appropriately combined to form a multilayer structure having two or more layers. Since cutting water is used in the dicing process of the semiconductor wafer, the die bond film 3 may absorb moisture and have a moisture content higher than the normal state. When bonded to a substrate or the like with such a high water content, water vapor may accumulate at the bonding interface at the stage of after-curing and float may occur. Therefore, the die-bonding film 3 has a structure in which a highly moisture-permeable core material is sandwiched between adhesive layers, so that water vapor diffuses through the film in the after-curing stage, and this problem can be avoided. Become. From this point of view, the die bond film 3 may have a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one side or both sides of the core material.

前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。   Examples of the core material include films (for example, polyimide films, polyester films, polyethylene terephthalate films, polyethylene naphthalate films, polycarbonate films), resin substrates reinforced with glass fibers and plastic non-woven fibers, mirror silicon wafers, silicon substrates Or a glass substrate etc. are mentioned.

また、ダイボンドフィルム３は、セパレータ（図示しない）により保護されていることが好ましい。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシングフィルムにダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。   The die bond film 3 is preferably protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protective material for protecting the die bond film until it is put into practical use. Moreover, a separator can further be used as a support base material at the time of transferring the die-bonding film 3 to a dicing film. The separator is peeled off when a workpiece is stuck on the die bond film 3. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine release agent, or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used.

前記ダイシングフィルムとしては、例えば基材１上に粘着剤層２を積層したものが挙げられる。ダイボンドフィルム３は、粘着剤層２上に積層される。また図２に示すように、半導体ウェハ貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。   As said dicing film, what laminated | stacked the adhesive layer 2 on the base material 1 is mentioned, for example. The die bond film 3 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 2. Moreover, as shown in FIG. 2, the structure which formed the die-bonding film 3 'only in the semiconductor wafer affixing part may be sufficient.

前記基材１はダイシング・ダイボンドフィルム１０、１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、基材１は紫外線に対し透過性を有するものが好ましい。   The substrate 1 serves as a strength matrix for the dicing die-bonding films 10 and 11. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid Vinyl copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer, Polyester such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfur De, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), paper, and the like. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is an ultraviolet curable type, the substrate 1 is preferably one that is permeable to ultraviolet rays.

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。   Moreover, as a material of the base material 1, polymers, such as the crosslinked body of the said resin, are mentioned. The plastic film may be used unstretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching or the like, the adhesive area between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die bond film 3 is reduced by thermally shrinking the base material 1 after dicing, and the semiconductor chip can be recovered. Simplification can be achieved.

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。   The surface of the substrate 1 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers. Alternatively, a physical treatment or a coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be performed.

前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層又は２種以上の複層でもよい。   The base material 1 can be used by appropriately selecting the same kind or different kinds, and a blend of several kinds can be used as necessary. Further, in order to impart antistatic ability to the base material 1, a conductive material vapor deposition layer having a thickness of about 30 to 500 mm made of metal, alloy, oxides thereof, or the like is provided on the base material 1. be able to. The substrate 1 may be a single layer or two or more layers.

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。   The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 μm.

尚、基材１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤等）が含まれていてもよい。   In addition, various additives (for example, a colorant, a filler, a plasticizer, an anti-aging agent, an antioxidant, a surfactant, a flame retardant, etc.) are added to the substrate 1 as long as the effects of the present invention are not impaired. May be included.

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤は、ダイボンドフィルム３を剥離可能に制御できるものであれば特に制限されない。例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性接着剤を用いることができる。前記感圧性接着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   The pressure-sensitive adhesive used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited as long as the die-bonding film 3 can be controlled to be peelable. For example, a general pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive can be used. As the pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer from the viewpoint of cleanability with an organic solvent such as ultrapure water or alcohol of an electronic component that is difficult to contaminate a semiconductor wafer or glass Is preferred.

前記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include those using an acrylic ester as a main monomer component. Examples of the acrylic ester include (meth) acrylic acid alkyl ester (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl esters, eicosyl esters, etc., alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, especially 4 to 18 carbon linear or branched alkyl esters, etc.) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, acrylic polymers such as one or more was used as a monomer component of the cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なのモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。   The acrylic polymer includes units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, as necessary, for the purpose of modifying cohesive strength, heat resistance, and the like. You may go out. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; The Sulfonic acid groups such as lensulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is crosslinked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) Examples include acrylates. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be performed by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, the content of the low molecular weight substance is preferably small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked, and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifiers and anti-aging agent, as needed other than the said component for an adhesive.

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。例えば、図２に示す粘着剤層２の部分２ａのみに放射線照射することにより、部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. A radiation-curable pressure-sensitive adhesive can easily reduce its adhesive strength by increasing the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays. For example, by irradiating only the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 shown in FIG. 2, a difference in adhesive strength with the portion 2b can be provided.

また、ダイボンドフィルム３’に合わせて、放射線硬化型粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付られるため、部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、部分２ｂを形成する。   Further, by curing the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die bond film 3 ′, it is possible to easily form the portion 2 a where the adhesive strength is remarkably reduced. Since the die bond film 3 ′ is attached to the cured portion 2 a having a reduced adhesive strength, the interface between the portion 2 a and the die bond film 3 ′ has a property of being easily peeled off during pickup. On the other hand, the part which is not irradiated with radiation has sufficient adhesive force, and forms the part 2b.

前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、半導体チップ（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。   As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 10 shown in FIG. 1, the portion 2b formed of the uncured radiation-curable pressure-sensitive adhesive sticks to the die-bonding film 3 and is used when dicing. A holding force can be secured. In this way, the radiation curable pressure-sensitive adhesive can support the die bond film 3 for fixing a semiconductor chip (semiconductor chip or the like) to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 11 shown in FIG. 2, the portion 2b can fix the wafer ring.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。   As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include additive-type radiation curable pressure-sensitive adhesives in which radiation-curable monomer components and oligomer components are blended with general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives such as acrylic pressure-sensitive adhesives and rubber-based pressure-sensitive adhesives. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その重量平均分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a weight average molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。   In addition to the additive-type radiation-curable adhesive described above, the radiation-curable adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain, main chain, or main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so they are stable without the oligomer components, etc. moving through the adhesive over time. This is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer having a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is copolymerized in advance with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation-curable carbon-carbon double bond. Examples of the method include condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. In addition, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by the combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。   As the intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation-curable monomer is not deteriorated in properties. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2 -Naphthalenesulfoni Aromatic sulfonyl chloride compounds such as luchloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、部分２ａの粘着力＜部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射するのが好ましい。図２のダイシング・ダイボンドフィルムでは、例えば、被着体としてＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する関係で、部分２ａの粘着力＜部分２ｂの粘着力、となるようにする。   When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable that a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with radiation so that the adhesive strength of the portion 2a <the adhesive strength of the portion 2b. In the dicing die-bonding film of FIG. 2, for example, the adhesive strength of the portion 2a <the adhesive strength of the portion 2b in relation to the SUS304 plate (# 2000 polishing) as the adherend.

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。   Examples of the method for forming the portion 2a on the pressure-sensitive adhesive layer 2 include a method in which after the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the substrate 1, the portion 2a is partially irradiated with radiation to be cured. . The partial radiation irradiation can be performed through a photomask in which a pattern corresponding to the portion 3b other than the semiconductor wafer pasting portion 3a is formed. Moreover, the method etc. of irradiating and hardening | curing an ultraviolet-ray spotly are mentioned. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 2 can be formed by transferring what is provided on the separator onto the substrate 1. Partial radiation curing can also be performed on the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 provided on the separator.

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。   In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, all or a part of at least one side of the substrate 1 other than the part corresponding to the semiconductor wafer pasting part 3a is shielded from light. The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed thereon and then irradiated with radiation to cure the portion corresponding to the semiconductor wafer pasting portion 3a, thereby forming the portion 2a with reduced adhesive strength. it can. As a light shielding material, what can become a photomask on a support film can be prepared by printing, vapor deposition, or the like. According to this manufacturing method, the dicing die-bonding film 10 of the present invention can be manufactured efficiently.

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。   In the case where curing is inhibited by oxygen during irradiation, it is desirable to block oxygen (air) from the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 2 by some method. For example, a method of coating the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, a method of irradiating ultraviolet rays or the like in a nitrogen gas atmosphere, and the like can be mentioned.

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には好ましくは５〜２５μｍである。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive layer. Preferably it is 2-30 micrometers, More preferably, it is 5-25 micrometers.

尚、粘着剤層２には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（例えば、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、粘着付与剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、架橋剤等）が含まれていてもよい。   In the pressure-sensitive adhesive layer 2, various additives (for example, a colorant, a thickener, a bulking agent, a filler, a tackifier, a plasticizer, an anti-aging agent, Antioxidants, surfactants, crosslinking agents, etc.) may be included.

本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、次の通りにして製造することができる。以下では、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を例にして説明する。先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。   The dicing die-bonding film according to the present embodiment can be manufactured as follows. Hereinafter, the dicing die bond film 10 will be described as an example. First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

次に、基材１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、塗布は直接基材１上に行ってもよく、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材１に転写してもよい。   Next, the pressure-sensitive adhesive composition is applied onto the substrate 1 and dried (heat-crosslinked as necessary) to form the pressure-sensitive adhesive layer 2. Examples of the coating method include roll coating, screen coating, and gravure coating. Moreover, application | coating may be performed directly on the base material 1, and you may transfer to the base material 1 after apply | coating to the release paper etc. which performed the peeling process on the surface.

一方、ダイボンドフィルム３を形成する為の形成材料を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して塗布層を形成する。この塗布層を前記粘着剤層２上に転写することにより、ダイボンドフィルム３を形成する。また、前記粘着剤層２上に形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによってもダイボンドフィルム３を形成することができる。以上により、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。   On the other hand, a forming material for forming the die bond film 3 is applied onto the release paper so as to have a predetermined thickness, and further dried under predetermined conditions to form an application layer. By transferring this coating layer onto the pressure-sensitive adhesive layer 2, the die bond film 3 is formed. Moreover, after apply | coating a forming material directly on the said adhesive layer 2, the die-bonding film 3 can also be formed by drying on predetermined conditions. As described above, the dicing die-bonding film 10 according to the present invention can be obtained.

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施の形態に係るダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。図３はダイボンドフィルムを介して半導体素子を実装した例を示す断面模式図である。 (Method for manufacturing semiconductor device)
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the die bond film according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor element is mounted via a die bond film.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ（半導体素子）５を被着体６上に、ダイボンドフィルム３のウェハ貼り付け部分３ａ（以下、ダイボンドフィルム３ａという。）を介して固着する固着工程と、ワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程とを有する。さらに、半導体チップ５を封止樹脂８で封止する樹脂封止工程と、当該封止樹脂８をアフターキュアする後硬化工程とを有する。   In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, a semiconductor chip (semiconductor element) 5 is fixed on an adherend 6 via a wafer bonding portion 3a of a die bond film 3 (hereinafter referred to as a die bond film 3a). An adhering step for performing wire bonding, and a wire bonding step for performing wire bonding. Furthermore, it has a resin sealing step for sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 and a post-curing step for after-curing the sealing resin 8.

前記被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。   Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, and a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend that can be easily deformed or a non-deformable adherend (such as a semiconductor wafer) that is difficult to deform. A conventionally well-known thing can be used as said board | substrate. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board that can be used by mounting a semiconductor element and electrically connecting the semiconductor element.

前記固着工程は、図１に示すように、半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３ａを介して被着体６にダイボンドする工程である。当該工程は、所定条件下での熱処理を行うことにより、ダイボンドフィルム３ａを熱硬化させて半導体チップ５を被着体６上に完全に接着させる。熱処理を行う際の温度は、１００〜２００℃で行うのが好ましく、１２０℃〜１８０℃の範囲内で行うのがより好ましい。また、熱処理時間は０．２５〜１０時間で行うことが好ましく、０．５〜８時間で行うことがより好ましい。半導体チップ５を被着体６上に固着する方法としては、例えば被着体６上にダイボンドフィルム３ａを積層した後、ダイボンドフィルム３ａ上に、ワイヤーボンド面が上側となる様にして半導体チップ５を順次積層して固着する方法が挙げられる。また、予めダイボンドフィルム３ａが固着された半導体チップ５を被着体６に固着して積層してもよい。   As shown in FIG. 1, the fixing step is a step of die-bonding the semiconductor chip 5 to the adherend 6 via the die-bonding film 3a. In this step, the die bond film 3a is thermally cured by performing heat treatment under a predetermined condition, and the semiconductor chip 5 is completely bonded onto the adherend 6. The temperature at which the heat treatment is performed is preferably 100 to 200 ° C, more preferably 120 to 180 ° C. The heat treatment time is preferably 0.25 to 10 hours, more preferably 0.5 to 8 hours. As a method for fixing the semiconductor chip 5 on the adherend 6, for example, after the die bond film 3 a is laminated on the adherend 6, the semiconductor chip 5 is placed on the die bond film 3 a so that the wire bond surface is on the upper side. A method of sequentially laminating and fixing them. Alternatively, the semiconductor chip 5 to which the die bond film 3a is fixed in advance may be fixed to the adherend 6 and laminated.

前記ワイヤーボンディング工程は、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。   The wire bonding step is a step of electrically connecting the tips of terminal portions (inner leads) of the adherend 6 and electrode pads (not shown) on the semiconductor chip 5 with bonding wires 7. As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is 80 to 250 ° C, preferably 80 to 220 ° C. The heating time is several seconds to several minutes. The connection is performed by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and pressure energy by pressurization while being heated so as to be within the temperature range.

前記樹脂封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させる。本発明においては、ダイボンド工程において、ダイボンドフィルム３ａを熱硬化させる為に熱処理を行う場合にも、封止樹脂工程後において、ダイボンドフィルム３ａと被着体６との間のボイドを消失させることができる。   The resin sealing step is a step of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8. This step is performed to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is performed by molding a sealing resin with a mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. Although the heating temperature at the time of resin sealing is normally performed at 175 degreeC for 60 to 90 second, this invention is not limited to this, For example, it can cure at 165 to 185 degreeC for several minutes. Thereby, the sealing resin is cured. In the present invention, voids between the die bond film 3a and the adherend 6 can be eliminated after the sealing resin step even when heat treatment is performed to thermally cure the die bond film 3a in the die bond step. it can.

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。また、本工程においては、ダイボンドフィルム３ａを完全に熱硬化させることもできる。その場合、ダイボンドフィルム３ａ中には前記熱硬化触媒が配合されていることが好ましい。これにより、残存する未反応のエポキシ基同士を重合反応し、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化が一層進行する。その結果、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ５を被着体に確実に固定することができる。   In the post-curing step, the sealing resin 8 that is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. Although the heating temperature in this process changes with kinds of sealing resin, it exists in the range of 165-185 degreeC, for example, and heating time is about 0.5 to 8 hours. Further, in this step, the die bond film 3a can be completely thermoset. In that case, it is preferable that the thermosetting catalyst is blended in the die bond film 3a. Thereby, the remaining unreacted epoxy groups undergo a polymerization reaction, and the thermosetting of the die bond film 3a further proceeds. As a result, the semiconductor chip 5 can be reliably fixed to the adherend via the die bond film 3a.

以上の様にして得られた半導体パッケージは、例えば耐湿半田リフロー試験を行った場合にも当該試験に耐え得る高信頼性を有する。耐湿半田リフロー試験は従来公知の方法にて行われる。   The semiconductor package obtained as described above has high reliability that can withstand the test even when, for example, a moisture-resistant solder reflow test is performed. The moisture-resistant solder reflow test is performed by a conventionally known method.

また、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、ダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つのダイボンドフィルム３ａを被着体６上に固着した後、ダイボンドフィルム３ａを介して半導体チップ１５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして固着する。次に、ダイボンドフィルム１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて固着する。更に、他の半導体チップ１５をダイボンドフィルム１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にして固着する。   Further, as shown in FIG. 4, the dicing die-bonding film of the present invention can also be suitably used when a plurality of semiconductor chips are stacked and three-dimensionally mounted. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor chip is three-dimensionally mounted through a die bond film. In the case of the three-dimensional mounting shown in FIG. 4, after fixing at least one die bond film 3a cut out to be the same size as the semiconductor chip on the adherend 6, first, the semiconductor chip 15 is interposed via the die bond film 3a. The wire bond surface is fixed so that it is on the upper side. Next, the die bond film 13 is fixed while avoiding the electrode pad portion of the semiconductor chip 5. Further, another semiconductor chip 15 is fixed on the die bond film 13 so that the wire bond surface is on the upper side.

次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。   Next, a wire bonding process is performed. Thereby, each electrode pad in the semiconductor chip 5 and the other semiconductor chip 15 and the adherend 6 are electrically connected by the bonding wire 7.

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、ダイボンドフィルム３ａにより被着体６と半導体チップ５との間を固着する。また、ダイボンドフィルム１３により半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も固着させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。   Subsequently, a sealing process for sealing the semiconductor chip 5 and the like with the sealing resin 8 is performed, and the sealing resin is cured. At the same time, the adherend 6 and the semiconductor chip 5 are fixed together by the die bond film 3a. Further, the semiconductor chip 5 and another semiconductor chip 15 are also fixed by the die bond film 13. In addition, you may perform a postcure process after a sealing process.

半導体チップの３次元実装の場合に於いても、ダイボンドフィルム３ａ、１３の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。   Even in the case of three-dimensional mounting of semiconductor chips, since the heat treatment by heating the die bond films 3a and 13 is not performed, the manufacturing process can be simplified and the yield can be improved. In addition, since the adherend 6 is not warped, and the semiconductor chip 5 and other semiconductor chips 15 are not cracked, the semiconductor element can be made thinner.

また、図５に示すように、半導体チップ間にダイボンドフィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。図５は、２つの半導体チップをスペーサを介してダイボンドフィルムにより３次元実装した例を示す断面模式図である。   Moreover, as shown in FIG. 5, it is good also as three-dimensional mounting which laminated | stacked the spacer via the die-bonding film between the semiconductor chips. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example in which two semiconductor chips are three-dimensionally mounted with a die bond film via a spacer.

図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上にダイボンドフィルム３ａ、半導体チップ５及びダイボンドフィルム２１を順次積層して仮固着する。更に、ダイボンドフィルム２１上に、スペーサ９、ダイボンドフィルム２１、ダイボンドフィルム３ａ及び半導体チップ５を順次積層して固着する。   In the case of the three-dimensional mounting shown in FIG. 5, first, the die bond film 3a, the semiconductor chip 5 and the die bond film 21 are sequentially laminated on the adherend 6 and temporarily fixed. Further, the spacer 9, the die bond film 21, the die bond film 3 a and the semiconductor chip 5 are sequentially laminated and fixed on the die bond film 21.

次に、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 5, a wire bonding process is performed. Thereby, the electrode pad in the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are electrically connected by the bonding wire 7.

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８を硬化させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。   Subsequently, a sealing step of sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed, and the sealing resin 8 is cured. Thereby, a semiconductor package is obtained. The sealing process is preferably a batch sealing method in which only the semiconductor chip 5 side is sealed on one side. Sealing is performed to protect the semiconductor chip 5 attached on the pressure-sensitive adhesive sheet, and the typical method is molding in a mold using the sealing resin 8. In that case, it is common to perform a sealing process simultaneously using the metal mold | die which consists of an upper metal mold | die and a lower metal mold | die which have a some cavity. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably in the range of 170 to 180 ° C, for example. A post-curing step may be performed after the sealing step.

尚、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えば従来公知のシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス基板等を使用できる。   The spacer 9 is not particularly limited, and for example, a conventionally known silicon chip or polyimide film can be used. A core material can be used as the spacer. It does not specifically limit as a core material, A conventionally well-known thing can be used. Specifically, a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film, etc.), a resin substrate reinforced with glass fibers or plastic non-woven fibers, a mirror silicon wafer, a silicon substrate or A glass substrate or the like can be used.

次に、プリント配線板上に、前記の半導体パッケージを表面実装する。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めハンダを供給した後、温風などにより加熱溶融しハンダ付けを行うリフローハンダ付けが挙げられる。加熱方法としては、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、全体加熱、局部加熱の何れの方式でもよい。加熱温度は２４０〜２６５℃、加熱時間は１〜２０秒の範囲内であることが好ましい。   Next, the semiconductor package is surface-mounted on a printed wiring board. Examples of the surface mounting method include reflow soldering in which solder is supplied on a printed wiring board in advance and then heated and melted with warm air to perform soldering. Examples of the heating method include hot air reflow and infrared reflow. Moreover, any system of whole heating or local heating may be used. The heating temperature is preferably 240 to 265 ° C., and the heating time is preferably in the range of 1 to 20 seconds.

（その他の事項）
前記基板等上に半導体素子を３次元実装する場合、半導体素子の回路が形成される面側には、バッファーコート膜が形成されている。当該バッファーコート膜としては、例えば窒化珪素膜やポリイミド樹脂等の耐熱樹脂からなるものが挙げられる。 (Other matters)
When a semiconductor element is three-dimensionally mounted on the substrate or the like, a buffer coat film is formed on the surface side where the circuit of the semiconductor element is formed. Examples of the buffer coat film include those made of a heat resistant resin such as a silicon nitride film or a polyimide resin.

また、半導体素子の３次元実装の際に、各段で使用されるダイボンドフィルムは同一組成からなるものに限定されるものではなく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。   Moreover, the die-bonding film used at each stage when the semiconductor element is three-dimensionally mounted is not limited to the one having the same composition, and can be appropriately changed according to the manufacturing conditions and applications.

また、前記実施の形態に於いては、基板等に複数の半導体素子を積層させた後に、一括してワイヤーボンディング工程を行う態様について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体素子を基板等の上に積層する度にワイヤーボンディング工程を行うことも可能である。   Further, in the above-described embodiment, the mode in which the wire bonding process is performed collectively after laminating a plurality of semiconductor elements on a substrate or the like has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it is possible to perform a wire bonding process every time a semiconductor element is stacked on a substrate or the like.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、本発明は、以下の実施例に記載されている材料や配合量等において、限定的な記載がない限り、それらに限定されるものではない。また、部とあるのは重量部を意味する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the present invention is not limited to materials, blending amounts, and the like described in the following examples unless there is a limited description. The term “parts” means parts by weight.

（実施例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステルポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＷＳ−０２３、酸価２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）７．５重量％、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）１８．６重量％、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）１２．０重量％、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２１．７重量％、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）３９．９重量％、シランカップリング剤（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ−３０３）０．２９重量％、熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ）０．０１重量％（球状シリカを除く有機成分１００重量部に対し０．０１７重量部）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物を調製した（但し、前記有機成分からメチルエチルケトンは除く）。尚、（接着剤組成物における熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数）／（接着剤組成物における熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数）は１．５であった。 Example 1
Acrylic acid ester polymer based on ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, WS-023, acid value 20 mgKOH / g) 7.5% by weight, epoxy resin A (manufactured by JER Corporation) Epicoat 1004) 18.6% by weight, epoxy resin B (manufactured by JER Corporation, Epicoat 827) 12.0% by weight, phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Millex XLC-4L) 21.7% by weight, spherical Silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-25R) 39.9% by weight, silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., KBM-303) 0.29% by weight, thermosetting catalyst (Shikoku Chemicals Co., Ltd.) C11-Z) 0.01% by weight (0.017 parts by weight with respect to 100 parts by weight of organic components excluding spherical silica) was dissolved in methyl ethyl ketone, and the concentration 3.6 was prepared% by weight of the adhesive composition (however, methyl ethyl ketone is excluded from the organic component). In addition, (number of moles of epoxy group in thermosetting component in adhesive composition) / (number of moles of phenolic hydroxyl group in thermosetting component in adhesive composition) was 1.5.

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムを作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thereby, a thermosetting die-bonding film having a thickness of 25 μm was produced.

（実施例２）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステルポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７００ＡＳ、酸価３６ｍｇＫＯＨ／ｇ）７．５重量％、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）１８．６重量％、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）１２．０重量％、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２１．７重量％、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）３９．９重量％、シランカップリング剤（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ−３０３）０．２９重量％、熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ）０．０１重量％（球状シリカを除く有機成分１００重量部に対し０．０１７重量部）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物を調製した（但し、前記有機成分からメチルエチルケトンは除く）。尚、（接着剤組成物における熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数）／（接着剤組成物における熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数）は１．５であった。 (Example 2)
Acrylic acid ester polymer based on ethyl acrylate-methylmethacrylate (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-700AS, acid value 36 mgKOH / g) 7.5% by weight, epoxy resin A (manufactured by JER Corporation) Epicoat 1004) 18.6% by weight, epoxy resin B (manufactured by JER Corporation, Epicoat 827) 12.0% by weight, phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Millex XLC-4L) 21.7% by weight, spherical Silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-25R) 39.9% by weight, silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., KBM-303) 0.29% by weight, thermosetting catalyst (Shikoku Chemicals Co., Ltd.) C11-Z) 0.01% by weight (0.017 parts by weight with respect to 100 parts by weight of organic components excluding spherical silica) was dissolved in methyl ethyl ketone, Was prepared degrees 23.6% by weight of the adhesive composition (however, methyl ethyl ketone is excluded from the organic component). In addition, (number of moles of epoxy group in thermosetting component in adhesive composition) / (number of moles of phenolic hydroxyl group in thermosetting component in adhesive composition) was 1.5.

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムを作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thereby, a thermosetting die-bonding film having a thickness of 25 μm was produced.

（実施例３）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステルポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７００ＡＳ改、酸価５０ｍｇＫＯＨ／ｇ）７．５重量％、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）１８．６重量％、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）１２．０重量％、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２１．７重量％、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）３９．９重量％、シランカップリング剤（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ−３０３）０．２９重量％、熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ）０．０１重量％（球状シリカを除く有機成分１００重量部に対し０．０１７重量部）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物を調製した（但し、前記有機成分からメチルエチルケトンは除く）。尚、（接着剤組成物における熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数）／（接着剤組成物における熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数）は１．５であった。 (Example 3)
Acrylic ester polymer based on ethyl acrylate-methyl methacrylate (Nagase ChemteX Corp., SG-700AS modified, acid value 50 mgKOH / g) 7.5% by weight, epoxy resin A (JER Corp.) Epicote 1004) 18.6% by weight, epoxy resin B (manufactured by JER Co., Ltd., Epicote 827) 12.0% by weight, phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Millex XLC-4L) 21.7% by weight, Spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-25R) 39.9% by weight, silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., KBM-303) 0.29% by weight, thermosetting catalyst (Shikoku Kasei Co., Ltd.) ), C11-Z) 0.01% by weight (0.017 parts by weight with respect to 100 parts by weight of organic components excluding spherical silica) is dissolved in methyl ethyl ketone. It was prepared concentration of 23.6% by weight of the adhesive composition (however, methyl ethyl ketone is excluded from the organic component). In addition, (number of moles of epoxy group in thermosetting component in adhesive composition) / (number of moles of phenolic hydroxyl group in thermosetting component in adhesive composition) was 1.5.

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムを作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thereby, a thermosetting die-bonding film having a thickness of 25 μm was produced.

（比較例１）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステルポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０Ｌ、酸価４ｍｇＫＯＨ／ｇ）７．５重量％、エポキシ樹脂Ａ（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４）１８．６重量％、エポキシ樹脂Ｂ（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７）１２．０重量％、フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２１．７重量％、球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ）３９．９重量％、シランカップリング剤（信越シリコーン（株）製、ＫＢＭ−３０３）０．２９重量％、熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ）０．０１重量％（球状シリカを除く有機成分１００重量部に対し０．０１７重量部）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物を調製した（但し、前記有機成分からメチルエチルケトンは除く）。尚、（接着剤組成物における熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数）／（接着剤組成物における熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数）は１．５であった。 (Comparative Example 1)
Acrylic ester polymer based on ethyl acrylate-methyl methacrylate (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, SG-70L, acid value 4 mg KOH / g) 7.5% by weight, epoxy resin A (manufactured by JER Corporation) Epicoat 1004) 18.6% by weight, epoxy resin B (manufactured by JER Corporation, Epicoat 827) 12.0% by weight, phenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., Millex XLC-4L) 21.7% by weight, spherical Silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., SO-25R) 39.9% by weight, silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., KBM-303) 0.29% by weight, thermosetting catalyst (Shikoku Chemicals Co., Ltd.) C11-Z) 0.01% by weight (0.017 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic component excluding spherical silica) was dissolved in methyl ethyl ketone to give a concentration of 2 .6 was prepared% by weight of the adhesive composition (however, methyl ethyl ketone is excluded from the organic component). In addition, (number of moles of epoxy group in thermosetting component in adhesive composition) / (number of moles of phenolic hydroxyl group in thermosetting component in adhesive composition) was 1.5.

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２５μｍの熱硬化型ダイボンドフィルムを作製した。   The adhesive composition solution was applied on a release film (release liner) made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm after the silicone release treatment, and then dried at 130 ° C. for 2 minutes. Thereby, a thermosetting die-bonding film having a thickness of 25 μm was produced.

（ゲル分率の測定）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムについて、ゲル分率を次の通りに測定した。即ち、熱硬化前の各々の熱硬化型ダイボンドフィルムから約１ｇの試料を採取し、これらを７５０℃で２時間の空焼きを行った。その後、室温下で冷却した。更に、坩堝に秤取し、バーナーで煙が発生しなくなるまで焼成させた。続いて、７５０℃で０．５時間焼成し、灰化させた。室温下で冷却し、坩堝に残った灰分の重量を測定した。試料の灰化前後の重量より灰分の重量％を求めた。このときの灰分の重量％を熱硬化型ダイボンドフィルムにおける無機成分の重量％とした。 (Measurement of gel fraction)
About the thermosetting type die-bonding film produced in the said Example and comparative example, the gel fraction was measured as follows. That is, about 1 g of a sample was collected from each thermosetting die-bonding film before thermosetting, and baked at 750 ° C. for 2 hours. Then, it cooled at room temperature. Furthermore, it was weighed in a crucible and fired until no smoke was generated by a burner. Then, it baked at 750 degreeC for 0.5 hour, and was ashed. After cooling at room temperature, the weight of the ash remaining in the crucible was measured. The weight percent of ash was determined from the weight of the sample before and after ashing. The weight percent of ash at this time was the weight percent of the inorganic component in the thermosetting die bond film.

また、実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化前の各々の熱硬化型ダイボンドフィルムから０．３ｇ（初期重量）の試料をそれぞれ採取し、これらを厚さ０．２μｍのテフロン(登録商標)シートに包み、４０ｍＬのＴＨＦ中に浸漬させて７日間放置した。その後、不溶分をテフロンシートごと新たに２０ｍＬのＴＨＦで２回洗浄を行い乾固させた。これを秤量し試料の乾燥重量を得た。更に、試料の前後の重量から、下記式によりゲル分率を求めた。得られたゲル分率から前記の無機成分の重量％を除いた値を、熱硬化型ダイボンドフィルムの有機成分におけるゲル分率とした。結果を下記表１に示す。
ゲル分率（重量％）＝（試料の乾燥重量（ｇ））÷（試料の初期重量（ｇ））×１００ In addition, samples of 0.3 g (initial weight) were taken from each of the thermosetting die-bonding films before thermosetting produced in the examples and comparative examples, and these were obtained as Teflon (registered trademark) having a thickness of 0.2 μm. ) Wrapped in a sheet, immersed in 40 mL of THF and left for 7 days. Thereafter, the insoluble matter was newly washed with 20 mL of THF twice together with the Teflon sheet and dried. This was weighed to obtain the dry weight of the sample. Furthermore, the gel fraction was calculated | required by the following formula from the weight before and behind a sample. A value obtained by removing the weight percentage of the inorganic component from the obtained gel fraction was defined as the gel fraction in the organic component of the thermosetting die-bonding film. The results are shown in Table 1 below.
Gel fraction (% by weight) = (dry weight of sample (g)) ÷ (initial weight of sample (g)) × 100

（溶融粘度の測定）
各実施例及び比較例で作製した熱硬化前の各熱硬化型ダイボンドフィルムについて、それぞれ１２０℃における溶融粘度を測定した。即ち、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いてパラレルプレート法により測定した。各実施例又は比較例で作製した熱硬化型ダイボンドフィルムから０．１ｇの試料を採取し、予め１００℃で熱してあるプレートに仕込んだ。次に、測定開始から３００秒後の値を溶融粘度とした。プレート間のギャップは０．１ｍｍとした。結果を下記表１に示す。 (Measurement of melt viscosity)
About each thermosetting type die-bonding film before thermosetting produced in each Example and the comparative example, the melt viscosity in 120 degreeC was measured, respectively. That is, it measured by the parallel plate method using the rheometer (the product made from HAAKE, RS-1). A 0.1-g sample was taken from the thermosetting die-bonding film produced in each example or comparative example, and charged into a plate heated at 100 ° C. in advance. Next, the value 300 seconds after the start of measurement was taken as the melt viscosity. The gap between the plates was 0.1 mm. The results are shown in Table 1 below.

（４週間後の溶融粘度の測定）
各実施例及び比較例で作製した熱硬化前の各熱硬化型ダイボンドフィルムについて、２３℃の環境下で６７２時間放置した。その後、１２０℃における溶融粘度をそれぞれ測定した。即ち、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いてパラレルプレート法により測定した。各実施例又は比較例で作製した熱硬化型ダイボンドフィルムから０．１ｇの試料を採取し、予め１００℃で熱してあるプレートに仕込んだ。次に、測定開始から３００秒後の値を溶融粘度とした。プレート間のギャップは０．１ｍｍとした。結果を下記表１に示す。 (Measurement of melt viscosity after 4 weeks)
Each thermosetting die-bonding film before thermosetting produced in each example and comparative example was left in an environment of 23 ° C. for 672 hours. Thereafter, the melt viscosity at 120 ° C. was measured. That is, it measured by the parallel plate method using the rheometer (the product made from HAAKE, RS-1). A 0.1-g sample was taken from the thermosetting die-bonding film produced in each example or comparative example, and charged into a plate heated at 100 ° C. in advance. Next, the value 300 seconds after the start of measurement was taken as the melt viscosity. The gap between the plates was 0.1 mm. The results are shown in Table 1 below.

（熱硬化型ダイボンドフィルムの酸価の測定）
各実施例及び比較例で作製した熱硬化型ダイボンドフィルムの酸価の測定は、ＪＩＳ Ｋ ００７０の中和滴定法に準拠して行った。 (Measurement of acid value of thermosetting die bond film)
The acid value of the thermosetting die-bonding film produced in each example and comparative example was measured according to JIS K 0070 neutralization titration method.

具体的には、先ず、各熱硬化型ダイボンドフィルムを約１ｃｍ角大に裁断して測定用試料を作成した。次に、前記測定用試料を正確に秤量し、その１ｇをメチルエチルケトン１００ｍｌと共に容積２００ｍｌの三角フラスコに加えた。その後、２０分間の超音波溶解を行い、試料溶液をそれぞれ作成した。   Specifically, first, each thermosetting die bond film was cut into a size of about 1 cm square to prepare a measurement sample. Next, the measurement sample was accurately weighed, and 1 g thereof was added together with 100 ml of methyl ethyl ketone to a 200 ml Erlenmeyer flask. Thereafter, ultrasonic dissolution for 20 minutes was performed to prepare sample solutions.

続いて、前記試料溶液に対し、滴定液として０．０２５ｍｏｌ／ｌの水酸化カリウム・エタノール溶液（指示薬：１％フェノールフタレイン溶液）を用いて、酸価の測定を行った。即ち、各試料溶液にフェノールフタレイン溶液を数滴加え、水浴上で試料が完全に溶解するまで十分に振り混ぜた。更に、水酸化カリウム・エタノール溶液で滴定を行い、指示薬のうすい紅色が３０秒間続いたときを終点とした。   Subsequently, the acid value of the sample solution was measured using a 0.025 mol / l potassium hydroxide / ethanol solution (indicator: 1% phenolphthalein solution) as a titrant. That is, a few drops of a phenolphthalein solution was added to each sample solution and shaken sufficiently until the sample was completely dissolved on a water bath. Further, titration was carried out with a potassium hydroxide / ethanol solution, and the end point was defined as the time when the indicator was light red for 30 seconds.

（２６０℃での貯蔵弾性率）
各実施例及び比較例で作製した各熱硬化型ダイボンドフィルムを１２０℃で１時間の加熱処理をした後、更に１７５℃で１時間の加熱処理を行って熱硬化させた。続いて、熱硬化後の各熱硬化型ダイボンドフィルムを厚さ２００μｍ、長さ４００ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。更に、これらの試料を固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件下で、−５０〜３００℃での引張貯蔵弾性率、及び損失弾性率を測定した。貯蔵弾性率（Ｅ’）は、この測定の際の２６０℃における値を読み取って得た。結果を下記表１に示す。 (Storage elastic modulus at 260 ° C)
Each thermosetting die-bonding film prepared in each Example and Comparative Example was heat-treated at 120 ° C. for 1 hour, and then further heat-treated at 175 ° C. for 1 hour to be thermoset. Subsequently, each thermosetting die-bonding film after thermosetting was cut into a strip shape having a thickness of 200 μm, a length of 400 mm, and a width of 10 mm with a cutter knife. Furthermore, these samples were subjected to tensile storage at −50 to 300 ° C. using a solid viscoelasticity measuring apparatus (RSAIII, manufactured by Rheometric Scientific) under the conditions of a frequency of 1 Hz and a heating rate of 10 ° C./min. The elastic modulus and loss elastic modulus were measured. The storage elastic modulus (E ′) was obtained by reading the value at 260 ° C. during this measurement. The results are shown in Table 1 below.

（剪断接着力）
前記実施例及び比較例に於いて作製した熱硬化型ダイボンドフィルムの剪断接着力を以下の通り測定した。
先ず、各熱硬化型ダイボンドフィルムをラミネーターを用いて半導体素子（縦５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）に貼り付けた。貼り付け条件は、温度５０℃、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、圧力０．１５ＭＰａとした。更に、他の半導体素子（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）上に、前記半導体素子を熱硬化型ダイボンドフィルムを介して貼り付けた。貼り付け条件は、温度５０℃、ラミネート速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、圧力０．１５ＭＰａとした。続いて、１２０℃、１時間の条件下で熱処理を行い、熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化を行った。 (Shearing adhesive strength)
The shear adhesive strength of the thermosetting die-bonding films produced in the examples and comparative examples was measured as follows.
First, each thermosetting die-bonding film was attached to a semiconductor element (length 5 mm × width 5 mm × thickness 0.5 mm) using a laminator. The affixing conditions were a temperature of 50 ° C., a laminating speed of 10 mm / sec, and a pressure of 0.15 MPa. Furthermore, the said semiconductor element was affixed through the thermosetting die-bonding film on the other semiconductor element (length 10mm x width 10mm x thickness 0.5mm). The affixing conditions were a temperature of 50 ° C., a laminating speed of 10 mm / sec, and a pressure of 0.15 MPa. Subsequently, heat treatment was performed at 120 ° C. for 1 hour, and the thermosetting die-bonding film was thermally cured.

熱硬化後、ボンドテスター（Dagy社製、＃４０００）を用いて、ステージ温度１７５℃、ヘッド高さ１００μｍ、速度０．５ｍｍ／ｓｅｃにおける剪断接着力を測定した。結果を下記表１に示す。   After heat curing, the shear adhesive force at a stage temperature of 175 ° C., a head height of 100 μm, and a speed of 0.5 mm / sec was measured using a bond tester (Dagy, # 4000). The results are shown in Table 1 below.

（反り量）
各実施例及び比較例で作製した各熱硬化型ダイボンドフィルムをそれぞれ温度４０℃の条件下で、１０ｍｍ角、厚さ５０μｍの半導体チップに貼り付けた。更に、各熱硬化型ダイボンドフィルムを介して半導体チップをソルダーレジスト付き樹脂基板（ガラスエポキシ系基板、基板厚さ０．２３ｍｍ）にマウントした。その際の条件は、温度１２０℃、圧力０．２ＭＰａ、２秒とした。更に、半導体チップがマウントされた前記樹脂基板を、乾燥機にて１４０℃、２時間熱処理し、熱硬化型ダイボンドフィルムを熱硬化させた。 (Warpage amount)
Each thermosetting die-bonding film produced in each Example and Comparative Example was attached to a 10 mm square and 50 μm thick semiconductor chip under the condition of a temperature of 40 ° C., respectively. Further, the semiconductor chip was mounted on a resin substrate with a solder resist (glass epoxy substrate, substrate thickness 0.23 mm) through each thermosetting die bond film. The conditions at that time were a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.2 MPa, and 2 seconds. Further, the resin substrate on which the semiconductor chip was mounted was heat-treated at 140 ° C. for 2 hours with a dryer to thermally cure the thermosetting die bond film.

続いて、前記樹脂基板が下側になる様に平板上に載置し、半導体チップの対角線上の凹凸を測定した。これにより、平板上から浮いている半導体チップの高さ、即ち反り量（μｍ）を測定した。測定に際しては、半導体チップの対角線上における両端部を平衡に補正した（０にした）。また測定は、表面粗さ計（Ｖｅｅｃｏ社製、ＤＥＫＴＡＫ８）を用いて、測定速度１．５ｍｍ／ｓ、加重１ｇの条件下で行った。測定の結果、反り量が５０μｍ以下のものを○とし、５０μｍを超えるものを×とした。結果を下記表１に示す。   Subsequently, the resin substrate was placed on a flat plate so that the resin substrate faced downward, and the unevenness on the diagonal line of the semiconductor chip was measured. Thus, the height of the semiconductor chip floating from the flat plate, that is, the amount of warpage (μm) was measured. In the measurement, both end portions on the diagonal line of the semiconductor chip were corrected to be balanced (set to 0). The measurement was performed using a surface roughness meter (DEKTAK8, manufactured by Veeco) under the conditions of a measurement speed of 1.5 mm / s and a load of 1 g. As a result of the measurement, a case where the warpage amount was 50 μm or less was rated as “◯”, and a case where the warpage amount exceeded 50 μm was rated as “X”. The results are shown in Table 1 below.

（結果）
下記表１における実施例１〜３の結果から分かる通り、熱可塑性樹脂の酸価が２０、３６ｍｇＫＯＨ／ｇであると、１２０℃、１時間の条件下で熱硬化させた熱硬化型ダイボンドフィルムの剪断接着力を０．５ＭＰａ以上にすることができた。また、実施例１及び２においては、４週間後の１２０℃における溶融粘度においてもその増大を抑制することができ、保存性にすぐれていることが確認された。また、ソルダーレジスト付き樹脂基板の反り量が何れも５０μｍ以下であり、熱硬化型ダイボンドフィルムの硬化収縮が抑制されていることが確認された。 (result)
As can be seen from the results of Examples 1 to 3 in Table 1 below, when the acid value of the thermoplastic resin is 20, 36 mgKOH / g, the thermosetting die-bonding film cured at 120 ° C. for 1 hour is used. The shear adhesive strength could be 0.5 MPa or more. Further, in Examples 1 and 2, it was confirmed that the increase in melt viscosity at 120 ° C. after 4 weeks could be suppressed, and the storage stability was excellent. Moreover, the curvature amount of the resin substrate with a solder resist was 50 μm or less, and it was confirmed that the curing shrinkage of the thermosetting die bond film was suppressed.

一方、比較例１の様に、熱可塑性樹脂の酸価が４ｍｇＫＯＨ／ｇであると、４週間後の１２０℃における溶融粘度の増大を抑制することはできたが、１２０℃、１時間の条件下で熱硬化させた後の剪断接着力が０．１ＭＰａにとどまり、接着性に劣ることが確認された。   On the other hand, when the acid value of the thermoplastic resin was 4 mgKOH / g as in Comparative Example 1, the increase in melt viscosity at 120 ° C. after 4 weeks could be suppressed, but the conditions of 120 ° C. and 1 hour It was confirmed that the shear adhesive strength after heat-curing below remained at 0.1 MPa, and the adhesiveness was poor.

Figure 2011103440
Figure 2011103440

１ 基材
２ 粘着剤層
３、１３、２１ ダイボンドフィルム
３ａ ダイボンドフィルム
３ａ 部分
３ｂ 部分
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１１ ダイシング・ダイボンドフィルム
１５ 半導体チップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Adhesive layer 3, 13, 21 Die bond film 3a Die bond film 3a Part 3b Part 5 Semiconductor chip 6 Substrate 7 Bonding wire 8 Sealing resin 9 Spacer 10, 11 Dicing die bond film 15 Semiconductor chip

Claims (9)

被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、
１２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が２０重量％以下の範囲内であり、かつ、１７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の有機成分におけるゲル分率が１０〜３０重量％の範囲内である熱硬化型ダイボンドフィルム。 A thermosetting die-bonding film for adhering and fixing a semiconductor element on an adherend,
The gel fraction in the organic component after being thermally cured by heat treatment at 120 ° C. for 1 hour is in the range of 20% by weight or less, and in the organic component after being thermally cured by heat treatment at 175 ° C. for 1 hour. A thermosetting die-bonding film having a gel fraction in the range of 10 to 30% by weight. 酸価が４〜１０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内である請求項１に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting die-bonding film according to claim 1, wherein the acid value is in the range of 4 to 10 mg KOH / g. 酸価が１０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲内の熱可塑性樹脂と、熱硬化性樹脂とにより形成されたものである請求項１又は２に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting die-bonding film according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting die-bonding film is formed of a thermoplastic resin having an acid value of 10 to 40 mgKOH / g and a thermosetting resin. 熱硬化触媒が添加されたものである請求項１〜３の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting die-bonding film according to any one of claims 1 to 3, wherein a thermosetting catalyst is added. １２０℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の剪断接着力が０．２ＭＰａ以上である請求項１〜４の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting die-bonding film according to any one of claims 1 to 4, wherein the shear adhesive strength after being thermally cured by heat treatment at 120 ° C for 1 hour is 0.2 MPa or more. 熱硬化前の１２０℃における溶融粘度が５０〜１０００Ｐａ・ｓの範囲内である請求項１〜５の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting die-bonding film according to claim 1, wherein the melt viscosity at 120 ° C. before thermosetting is in the range of 50 to 1000 Pa · s. １７５℃、１時間の熱処理により熱硬化された後の２６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である請求項１〜６の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム。   The thermosetting die-bonding film according to any one of claims 1 to 6, wherein a storage elastic modulus at 260 ° C after being thermoset by heat treatment at 175 ° C for 1 hour is 1 MPa or more. 請求項１〜７の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層された構造であるダイシング・ダイボンドフィルム。   A dicing die-bonding film having a structure in which the thermosetting die-bonding film according to claim 1 is laminated on a dicing film. 請求項１〜７の何れか１項に記載の熱硬化型ダイボンドフィルム、又は請求項８に記載のダイシング・ダイボンドフィルムを用いて製造された半導体装置。


The semiconductor device manufactured using the thermosetting type die-bonding film of any one of Claims 1-7, or the dicing die-bonding film of Claim 8.


JP2010187413A 2009-10-14 2010-08-24 Thermosetting die bonding film Withdrawn JP2011103440A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010187413A JP2011103440A (en) 2009-10-14 2010-08-24 Thermosetting die bonding film

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009237600 2009-10-14
JP2009237600 2009-10-14
JP2010187413A JP2011103440A (en) 2009-10-14 2010-08-24 Thermosetting die bonding film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011103440A true JP2011103440A (en) 2011-05-26

Family

ID=44032984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010187413A Withdrawn JP2011103440A (en) 2009-10-14 2010-08-24 Thermosetting die bonding film

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2011103440A (en)
KR (1) KR20110040732A (en)
CN (1) CN102074493A (en)
TW (1) TW201118145A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015198117A (en) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, die bond film with dicing sheet, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
CN106167687A (en) * 2015-05-21 2016-11-30 日东电工株式会社 Adhesive sheet, dicing tape integrated adhesive sheet, thin film, the manufacture method of semiconductor device and semiconductor device
JP2019104864A (en) * 2017-12-14 2019-06-27 日東電工株式会社 Adhesive film and adhesive film having dicing tape
KR20200133717A (en) 2018-03-23 2020-11-30 린텍 가부시키가이샤 Film adhesive and sheet for semiconductor processing
KR20210122146A (en) 2020-03-30 2021-10-08 린텍 가부시키가이샤 Film adhesive
WO2023058302A1 (en) * 2021-10-05 2023-04-13 リンテック株式会社 Thermosetting film, composite sheet, and method for producing semiconductor device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201305306A (en) * 2011-07-25 2013-02-01 Nitto Denko Corp Adhesive sheet and use thereof
JP6242679B2 (en) * 2013-12-25 2017-12-06 日東電工株式会社 Resin film for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10279897A (en) * 1997-04-02 1998-10-20 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet
JP2007184484A (en) * 2006-01-10 2007-07-19 Sekisui Chem Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2009194303A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Nitto Denko Corp Dicing die-bonding film

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068604A (en) * 1999-06-22 2001-03-16 Seiko Epson Corp Fixing resin, anisotropic conductive resin, semiconductor device and manufacture thereof, circuit board and electronic equipment
US6521703B2 (en) * 2000-01-18 2003-02-18 General Electric Company Curable resin composition, method for the preparation thereof, and articles derived thereform
JP2005327789A (en) * 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for both dicing and die-bonding, and method of manufacturing semiconductor device using the same
EP1783820A1 (en) * 2004-08-02 2007-05-09 Sekisui Chemical Co., Ltd. Process for producing ic chip
CN101291973B (en) * 2005-10-18 2012-10-17 旭化成化学株式会社 Thermosetting resin composition and photosemiconductor encapsulation material
JP4523611B2 (en) * 2007-02-20 2010-08-11 日東電工株式会社 Manufacturing method of semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10279897A (en) * 1997-04-02 1998-10-20 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet
JP2007184484A (en) * 2006-01-10 2007-07-19 Sekisui Chem Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP2009194303A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Nitto Denko Corp Dicing die-bonding film

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015198117A (en) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 Thermosetting die bond film, die bond film with dicing sheet, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
CN106167687A (en) * 2015-05-21 2016-11-30 日东电工株式会社 Adhesive sheet, dicing tape integrated adhesive sheet, thin film, the manufacture method of semiconductor device and semiconductor device
JP2016219619A (en) * 2015-05-21 2016-12-22 日東電工株式会社 Adhesive sheet, dicing tape-integrated adhesive sheet, film, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device
JP2019104864A (en) * 2017-12-14 2019-06-27 日東電工株式会社 Adhesive film and adhesive film having dicing tape
JP7046586B2 (en) 2017-12-14 2022-04-04 日東電工株式会社 Adhesive film and adhesive film with dicing tape
KR20200133717A (en) 2018-03-23 2020-11-30 린텍 가부시키가이샤 Film adhesive and sheet for semiconductor processing
KR20210122146A (en) 2020-03-30 2021-10-08 린텍 가부시키가이샤 Film adhesive
WO2023058302A1 (en) * 2021-10-05 2023-04-13 リンテック株式会社 Thermosetting film, composite sheet, and method for producing semiconductor device
JP7291310B1 (en) * 2021-10-05 2023-06-14 リンテック株式会社 Thermosetting film, composite sheet, and method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110040732A (en) 2011-04-20
CN102074493A (en) 2011-05-25
TW201118145A (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5305501B2 (en) Thermosetting die bond film
JP6068386B2 (en) Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device manufacturing method
JP5561949B2 (en) Thermosetting die bond film
JP2011102383A (en) Thermosetting die-bonding film
JP6101492B2 (en) Adhesive film, dicing die bond film, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP6322026B2 (en) Die bond film, die bond film with dicing sheet, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP2009049400A (en) Thermoset die bond film
JP2012169484A (en) Semiconductor device manufacturing method
JP5828881B2 (en) Adhesive film, dicing die bond film, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP2011103440A (en) Thermosetting die bonding film
JP2014216488A (en) Adhesive film, dicing/die bonding film, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP2008135448A (en) Dicing die bond film
KR102402235B1 (en) Adhesive film, dicing·die bond film, process for producing semiconductor device and semiconductor device
JP5219302B2 (en) Thermosetting die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device
JP5888805B2 (en) Adhesive film and dicing die bond film
JP5715680B1 (en) Adhesive film, dicing die-bonding film, semiconductor device manufacturing method
JP2015122425A (en) Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, adhesive film for embedding use, and dicing/die-bonding film
JP5714090B1 (en) Film roll for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2017092296A (en) Dicing/die-bonding film, and method of manufacturing semiconductor device
JP6193926B2 (en) Adhesive film, dicing die-bonding film, and semiconductor device manufacturing method
JP2015120836A (en) Adhesive film, dicing/die-bonding film, manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP6312422B2 (en) Dicing die bond film, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP5714091B1 (en) Film roll for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2008108828A (en) Dicing die bond film
JP2017098331A (en) Sheet-like resin composition, laminate sheet, and method for manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131115

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20131220