JP2011097026A - Element loading substrate, semiconductor module, optical module, and camera module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュールおよびカメラモジュールに関する。 The present invention relates to an element mounting substrate, a semiconductor module, an optical module, and a camera module.
携帯電話、PDA、DVC、DSCといったポータブルエレクトロニクス機器には、人物や風景を撮影できるカメラ機能が付加されるなどの高機能化が加速している。 Portable electronic devices such as mobile phones, PDAs, DVCs, and DSCs are accelerating the advancement of functions such as the addition of a camera function that can capture people and landscapes.
こうした製品においては、搭載する半導体素子が光学素子であると、それの発光または受光部分に異物が載ってしまうことにより、良好な画像を得ることができないため、基板からの発塵を抑制するための防塵対策も要求されている。 In such a product, if the semiconductor element to be mounted is an optical element, foreign matter will be placed on the light emitting or receiving part of the optical element, and a good image cannot be obtained. Dust-proof measures are also required.
また、本来、入射される光、あるいは発光する光が、カメラモジュール内で乱反射してしまい、良好な映像を得るという課題の解決が求められている。 In addition, there is a need to solve the problem that incident light or emitted light is diffusely reflected in the camera module and a good image is obtained.
従来のポータブルエレクトロニクス機器の一例であるカメラモジュールについて説明する。 A camera module which is an example of a conventional portable electronic device will be described.
図12は、従来のカメラモジュールの構造を示す断面図である。 FIG. 12 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional camera module.
図12に示すように、従来のカメラモジュール1000は、プリント基板110、筐体140、鏡筒146及び円筒型本体145が結合された構造を有する。プリント基板110上には、CCDやCMOSイメージセンサ等の半導体素子111が接着剤(不図示)により取り付けられている。そしてワイヤボンディング114によって、半導体素子111の素子電極112とプリント基板110上の電極113とが電気的に接続されている。さらに、半導体素子111、素子電極112及び電極113を覆うようにプラスチック材質の筐体140が配置されている。
As shown in FIG. 12, a
そして、その筐体140に、円筒型本体145と鏡筒146(筐体140)とが鏡筒146の内周面に設けられたネジ部の螺合によって結合している。
Then, the cylindrical
さらに、プリント基板110の上方の円筒型本体145に取り付けられたレンズ141と、プリント基板110の上面に取り付けられた半導体素子111との間にはIRカットフィルター122が結合されており、半導体素子111へ流入する過度な長波長の赤外線を遮断するようになっている。
Further, an
ところで、携帯電話等のポータブルエレクトロニクス機器に搭載するカメラモジュールおいては、本来、入射される光、あるいは発光する光が、カメラモジュール内で乱反射してしまい、良好な映像を得ることができないという課題もあった。 By the way, in a camera module mounted on a portable electronic device such as a mobile phone, originally, incident light or emitted light is irregularly reflected in the camera module, and a good image cannot be obtained. There was also.
また、半導体素子111、素子電極112及び電極113を覆うように形成された筐体140等には光を通すための開口部が設けられているが、その開口部はドリルによって形成するため、その端面はプリント基板材料の破片等が残っており、それが半導体素子の受光又は発光領域に落ちて本来の映像を得るという課題を解決することができなかった。
The
本発明のある態様は、第1の主面と、前記第1の主面に対向する第2の主面と、前記第1の主面から前記第2の主面に至る端面と、を有する素子搭載用基板において、前記第1の主面及び前記第2の主面には、前記端面を介して連続的に覆われた遮光性樹脂が設けられている素子搭載用基板である。 An aspect of the present invention includes a first main surface, a second main surface facing the first main surface, and an end surface extending from the first main surface to the second main surface. In the element mounting substrate, the first main surface and the second main surface are provided with a light-shielding resin continuously covered through the end surface.
本発明によれば、光の乱反射を抑制することができる、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュール及びカメラモジュールを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an element mounting substrate, a semiconductor module, an optical module, and a camera module that can suppress irregular reflection of light.
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係る半導体モジュール1の構造を示す平面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view showing the structure of the
半導体モジュール1は、下側の配線基板10と上側の配線基板20とを備えており、それらの配線基板10、20が接続導電部材の一例であるはんだボール30によって電気的に接続されている。また、受動素子や駆動IC等のチップ部品23が上側の配線基板20の上面に搭載されている。半導体モジュール1は縦約10mm×横約10mmの大きさである。
The
ここで、この下側の配線基板10と上側の配線基板20とが接続された断面構造につい図2に基づいて説明する。
Here, a cross-sectional structure in which the
図2は、図1のA−A’線に沿った半導体モジュールの断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor module taken along line A-A ′ of FIG. 1.
図2に示すように、下側の配線基板10と上側の配線基板20とは接続導電部材であるはんだボール30により電気的に接続されている。そのはんだボール30は、上側の配線基板20及び下側の配線基板10の周囲近傍に配置されている。上側の配線基板20は、はんだボール30で接続される領域以外は凹部17を有している。この凹部17により下側の配線基板10に搭載する半導体素子11と上側の配線基板20とが接触することによる配線の短絡を防止できる。
As shown in FIG. 2, the
配線基板10及び20が接続される周辺の領域には、はんだボール30が接続される第1の電極160及び第3の電極161が形成されている。その第1の電極160及び第3の電極161はその上層に形成されるフォトソルダーレジスト18の開口部から露出している構造である。
A
ここで、上側の配線基板20に設けられた開口部21の周辺近傍の構造について説明する。
Here, the structure near the periphery of the opening 21 provided in the
まず、上側の配線基板20は、上側の配線基板20の上側である第1の主面20aと、上側の配線基板20の下側である第2の主面20bとを備えている。開口部21は、その第1の主面20aから第2の主面20bに向かう貫通孔を設けることにより形成される。その貫通孔により貫通孔の側面20c、即ち開口部21の端面20cができる。
First, the
これらの第1の主面20a、第2の主面20b及び端面20cには黒色の樹脂26(図3において黒色のハッチングで図示)が塗布されている。つまり、第1の主面20a、第2の主面20bのうち、開口部21の周辺部と、端面20cとを連続的に覆うように遮光性(特に、黒色)の樹脂26が塗布されている。このように塗布されることにより、金属によって覆われた場合に比べ光を反射しにくいことから、光学モジュール等に用いた場合には乱反射を抑制することができる。樹脂26の表面形状については後述する。
A black resin 26 (shown by black hatching in FIG. 3) is applied to the first
開口部21は、後述のように、半導体素子11の受光部16に対応する位置を、例えばカッターやドリル、あるいはレーザによって上側の配線基板20を切り抜くことにより形成される。しかし、開口部21を形成した際に、その内面(開口部内の対向する面)の切り口には配線材料の切りくずや破片となる部分が生じてしまう。そうすると、半導体モジュール1を使用中にそれらが上側の配線基板20の切り屑等として半導体素子11上に落下し、例えば半導体素子11に形成された発光面あるいは受光面を全面又は部分的に覆ってしまい、発光あるいは受光機能を著しく低下させてしまうことになる。
As will be described later, the
そこで、上側の配線基板20の第1の主面20aから、開口部21の端面20cを覆い、さらに第2の主面20bまでを覆うように樹脂26を塗布した構造とする。
Therefore, the
そうすることにより、上側の配線基板20の開口部21の端面21cからプリント基板の切り屑が半導体素子に落下することが防止できる。
By doing so, it is possible to prevent chips on the printed circuit board from falling onto the semiconductor element from the end face 21c of the opening 21 of the
さらに、本願においては、樹脂26の表面にブラスト材を照射することによって、樹脂26の表面に凹凸を形成するため、半導体モジュールにおいて、外部から開口部21を通過し半導体素子11に至る光のうち、半導体素子11に対して斜めから入射する光が乱反射する事を防止できるとともに、半導体素子11から発せられる光のうち、斜め方向に進んで上側の配線基板20に当たった光は乱反射することなく消滅させることができる。
Furthermore, in this application, in order to form an unevenness on the surface of the
ここで、図3(A)及び(B)に、図1に示した半導体モジュールの上側の配線基板20と下側の配線基板10のそれぞれの平面図を示す。
Here, FIGS. 3A and 3B are plan views of the
まず、図3(A)に示す上側の配線基板20は、約8mm×約8mmの概ね四角形状をしており、複数の配線層及び絶縁層からなるいわゆる多層配線層を有する配線基板である。そして、下側の配線基板10に搭載した半導体素子11に対応した位置に開口部21を備えている。開口部21の形状は、上側の配線基板20の上側から見ると概ね「ロ」の字形状をしている。たとえば、下側の配線基板10に搭載した半導体素子11内に発光又は受光する機能部が設けられている場合、上側の配線基板20側から開口部21を覗いたときに、その発光又は受光する機能部が視認できる形状であればよい。具体的には、必ずしも「ロ」の字形状でなくてもよく、例えば円形状、楕円形状あるいは矩形状でもよい。なお、半導体素子11の厚みは約100μm〜約150μm程度である。
First, the
次に、図3(B)に示す下側の配線基板10について説明する。
Next, the
下側の配線基板10は、複数の配線層及び絶縁層からなるいわゆる多層配線層を有する配線基板であり、前述の上側の配線基板20の外周端部よりも大きい配線基板である。一例として、上側の配線基板20の縦及び横の長さよりもそれぞれ2mm程度大きく、縦約10mm、横約10mm程度の大きさである。即ち、上側の配線基板20の外周端部が下側の配線基板の10の外周端部よりも内側にある構造である。このような構造を採ることにより、半導体モジュール1を後述のカメラモジュール(後述の図12参照)に適用した場合に、筐体40を支持する領域(庇部)として利用が可能である。また、下側の配線基板10は、基材となる銅板15を層内に備えており、それにより配線基板10の剛性を維持することができる。下側の配線基板10の表面には、開口部21に対応した下側の配線基板10のほぼ中央部に半導体素子11を搭載している。その半導体素子11は、接着樹脂によって下側の配線基板10表面に接着されている。なお、半導体素子11の具体例としては、受光素子であるCMOSセンサー、発光素子であるLEDなどの光学素子や、集積回路(IC)、大規模集積回路(LSI)などの半導体チップが挙げられる。CMOSセンサーあるいはLEDなどの光学素子の場合には、その受光面または発光面が開口部21の位置に対応するように配置される。
The
また、半導体素子11の上表面には素子電極12が形成されており、その素子電極12と下側の配線基板10の表面に設けられた電極13とがボンディングワイヤ14によって接続されることにより、下側の配線基板10と半導体素子11とが電気的に接続されている。
Further, an
なお、半導体素子11は、その素子電極12が半導体素子11の下面側に設けられた構造のものでも良く、その場合にはボンディングワイヤを用いることなく、下側の配線基板10とはいわゆるフリップチップ実装によって電気的に接続されてもよい。
The
以上のような上側の配線基板20と下側の配線基板10とがはんだボール30によって電気的に接続されている。
The
なお、その開口部21の周辺(上側の配線基板20の上面)には、例えば半導体モジュール1をカメラモジュールに採用した場合であれば、そのレンズを駆動するためのチップ部品23(例えば、駆動IC、電源IC、抵抗や容量等の受動部品等のチップ部品)が配置されている。
In the vicinity of the opening 21 (upper surface of the upper wiring board 20), for example, when the
また、光学フィルターの一例で近赤外光をカットするIRカットフィルター22を開口部21を覆うように設ける。光学フィルターとしては、他にも紫外線カットフィルターや偏光板などが挙げられる。なお、これらの光学フィルターは必要に応じて設ければよい。
In addition, an
また、はんだボール30は、前述の図1及び図2に示すように、両配線基板10及び20の各辺に沿って「千鳥掛け状」に配列されている。即ち、下側の配線基板10のある1辺に沿ったはんだボール30に注目すると、はんだボール30は、2列に並んでおり、一方の列のうちの隣接する2つのはんだボールの間に、他方の列のはんだボール30が重なるように配列されている。
Further, as shown in FIGS. 1 and 2 described above, the
このように配列することにより、上側の配線基板20及び下側の配線基板10に、より多くの接続領域を効率よく確保することができるとともに、1列に配列した場合に比べて、外部からの不要な光が入ってくること又は外部に光が漏れ出すことを防止できる。
By arranging in this way, it is possible to efficiently secure more connection regions in the
さらに、エポキシ樹脂などの接着樹脂に遮光材料を混合させたアンダーフィル31によってそのはんだボール30の周囲を覆い隣接するはんだボール30間に充填することにより、下側の配線基板10と上側の配線基板20との間の接着力を強固なものとすることができるとともに、半導体モジュール1からの光の漏れあるいは外光の入射を防止できる。
Further, the
以上のように、本願においては、「千鳥掛け状」に配置すること、はんだボール30を覆うアンダーフィル樹脂が遮光性を有することを組み合わせることにより、はんだボールによる接続部から外部に必要な光を放出することや、逆にそこから不必要な光が入ってくることを防止できる。
As described above, in the present application, by arranging the arrangement in a “staggered shape” and the fact that the underfill resin covering the
このアンダーフィル31は、図1及び図2(B)において斜線(左上から右下に向かった斜線)で示すように、両配線基板10、20の周囲に設けられる。その内側の端部は半導体素子11を覆わない程度の位置に設けられている。下側の基板10は上側の配線基板20よりもはみ出した庇部があり、その部分にカメラモジュールの筐体を設ける場合には、アンダーフィル31は、庇部には設けず、上側の配線基板20の端部までしか設けない。
<上側の配線基板の製造方法>
以下に、上側の配線基板20の製造方法について、図4〜図6に基づいて説明する。
The
<Method for manufacturing upper wiring board>
Below, the manufacturing method of the
まず、図4(A)に示すように、縦約8mm×横約8mmの大きさの上側の配線基板が複数個(同図においては16個の場合を示している。さらに多くの上側の配線基板を設けていてもよい。)設けられた基材を準備する。 First, as shown in FIG. 4A, there are a plurality of upper wiring boards each having a size of about 8 mm in length and about 8 mm in width (in the figure, 16 cases are shown. More upper wirings are shown. A substrate may be provided.) A provided base material is prepared.
次に、図4(B)に示すように、上側の配線基板20のほぼ中央付近に、ドリル52を用いて開口部21を形成する。この開口部21の形成位置は必ずしも中央付近でなくてもよい。下側の配線基板10に搭載する半導体素子が受光センサーの場合にはそのセンサー部の位置に対応した位置に形成すればよい。言い換えると、開口部21の端面20dがセンサー部と重畳しなければよい。
Next, as shown in FIG. 4B, an
次に、図5(A)に示すように、開口部21を形成した上側の配線基板20の表面に、スプレイノズル60を用いて配線基板20の上下面から液状の樹脂26を塗布する。
Next, as shown in FIG. 5A, a
液状の樹脂26が噴出するノズル60を上側の配線基板20の上面20a側及び下面20c側に配置し、そのノズル60を左右に扇状に回動させながら、上側の配線基板20を一方向に移動することにより、樹脂26は、上側の配線基板20の第1の主面20a、周囲の側面20d、第2の主面20b及び開口部21の側面(端面)20cの全面に塗布される。そして、加熱して樹脂26の溶媒を蒸発させる。この樹脂26は、感光性のエポキシ樹脂(PSR:Photo Solder Resist)からなり、黒色の粉末が混入されて黒色を呈する。
The
図5(B)に示すように、開口部21の周辺(第1の主面20a、第2の主面20b及び端面20c)に樹脂26が残るように、その他の領域の樹脂26を除去する。それは、たとえば光を遮るフォトマスク(不図示)を接触させて、樹脂26を残す開口部21の周辺の領域のみを覆い、露光し、フォトマスクをはずして現像を行うことにより、開口部21の周辺に樹脂26を残すことが可能である。なお、樹脂26は全面に形成されても良い。樹脂26の厚みは、第1の主面20aが約45μm〜約55μm、第2の主面20bが約35μm〜約40μm、端面20cの頂部が約45μm〜約80μmである。
As shown in FIG. 5B, the
そして、図6に示すように、上側の配線基板20の第1の主面20a側及び第2の主面20b側からウェットブラスト処理50を行い、樹脂26の表面に凹凸26aを形成する。ウェットブラスト処理は、たとえば1200番程度の粗さのブラスト材を約0.2Mpa程度の圧力で配線基板20の樹脂26に対して噴射することで行われる。
Then, as shown in FIG. 6, the
ここで、この凹凸26aの形状について図7を用いて説明する。
Here, the shape of the
図7はウェットブラスト処理を施す前後の上側の配線基板20の開口部21近傍の一部の樹脂表面の形状を示したものである。
FIG. 7 shows the shape of a part of the resin surface in the vicinity of the
同図(A)はウェットブラスト処理前の形状を示し、同図(B)はウェットブラスト処理後の形状を示している。 FIG. 4A shows the shape before wet blasting, and FIG. 4B shows the shape after wet blasting.
樹脂26を塗布した後は、図7(A)に示すように、開口部21の周辺に樹脂26が形成されている。この樹脂26自体も表面が平坦ではなくある程度うねった凹凸形状を有している。その樹脂26表面にウェットブラスト処理を施すと、同図(B)に示すように、樹脂26の表面に凹凸26aが形成される。
After the
このとき、上側の配線基板20の第1の主面20a側及び第2の主面20b側に形成された樹脂26の表面の凹凸26aの高低差は、端面20c側の頂点26cに形成された樹脂26の表面の凹凸の高低差に比べて大きい。それは、ウェットブラスト処理を第1の主面20a側及び第2の主面20b側から行うため、第1の主面20a側及び第2の主面20b側の樹脂26の表面に対してほぼ垂直にブラスト材が表面に当たるため、凹凸の高低差が大きくなるのである。これに対して、端面20c側にはブラスト材はほぼ端面20cに対して平行にしか当たらないので、樹脂表面にはウェットブラスト処理ではほとんど凹凸が形成されず、もともとの樹脂26表面のうねり分の凹凸程度である。
At this time, the height difference of the
このように、切り屑が最も発光または受光機能を有する半導体素子または受動素子などの回路素子に落ちて影響を及ぼしやすい端面20cに設けられた凹凸の深さは、第1の主面20a及び第2の主面20bに設けられた凹凸の深さよりも浅くできるので、端面20cからの樹脂26の切り屑等が発生しにくいことから、発光または受光機能を有する回路素子への切り屑等による光の遮蔽を防止することができる。
As described above, the depth of the unevenness provided on the
このようにして、上側の配線基板20の開口部21周辺に形成した樹脂26の表面に凹凸26aを形成する。
In this way,
(実施の形態2)
次に、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに用いた場合について、図8に基づいて説明する。
(Embodiment 2)
Next, a case where the semiconductor module of the present application is used for a camera module will be described with reference to FIG.
図8は、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに用いた断面図を示すものである。 FIG. 8 shows a cross-sectional view in which the semiconductor module of the present application is used in a camera module.
前述のとおり、銅板15を基材とする下側の配線基板10の上表面に、接着材によりCMOSセンサー11が、開口部21からの光を受光できるように固定されている。CMOSセンサー11の素子電極12と下側の配線基板10の電極13がボンディングワイヤ14によって電気的に接続されている。
As described above, the
上側の配線基板20は、その周辺のはんだボール30を介して下側の配線基板10と接続されている。また、開口部21の周辺の領域には、後述のレンズ41を駆動する駆動ICや受動素子(抵抗、容量等)が配置されている。レンズのみならず、CMOSセンサーを駆動するチップ等も配置することができる。
The
イメージセンサ11へ流入する過度な長波長の赤外線を遮断するように、レンズ41とCMOSセンサー11との間には、開口部21を覆うようにIRカットフィルター22が配置されている。
An IR cut
接続部に設けられたはんだボール30は遮光材料が混入されたアンダーフィル剤31で覆われているので、接続部から外光が入ってくることを防止できる。このとき、アンダーフィル剤は図8ではCMOSセンサー11の端部を覆っていないが、ボンディングワイヤ14及び素子電極12をも含んで、センサー部の近傍まで覆っても良く、そうすることによりさらに接続部からの外光の入り込みを防止できる。
Since the
上側と下側の配線基板10、20からなる半導体モジュール1の上側には、カメラのレンズを支持する筐体40が結合している。筐体40は、外光(風景、人物などの映像)を集光するレンズ41とそのレンズ41の焦点を調整するために上下に移動できる可動部42と、外光を取り込む開口部43とを備えている。
A
また、上側の配線基板20は下側の配線基板10よりも面積が小さく、上側の配線基板20の外周端部は全周囲において下側の配線基板10の外周端部よりも内側にある。即ち、下側の配線基板10が上側の配線基板20よりも外方向に突出しているので下側の配線基板10には、筐体40を支持する支持領域(庇部)44が存在する。その支持領域44において筐体40と半導体モジュール1とが、接着剤、あるいは上側の配線基板20又は筐体40の内周面にネジ部を設けその螺合によって固着される。
The
以上のように、本願の半導体モジュールはカメラモジュールに採用することができる。 As described above, the semiconductor module of the present application can be employed in a camera module.
このように、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに採用した場合にも、上側の配線基板20の開口部21の周辺には、上側の配線基板20の上側面20a、開口部21の端面20d及び上側の配線基板20の下側面20cを黒色の樹脂26によって覆うことにより、開口部21の端面20dからのプリント基板材料の切り屑等がイメージセンサ11のセンサ部に落ちることが防止できるので、良好な映像を得ることができる。
Thus, even when the semiconductor module of the present application is adopted as a camera module, the
また、カメラモジュールの場合、外部から入ってきた光(映像)には開口部21を通過しない光と開口部21を通過する光とがある。一方の開口部21を通過しない光は、筐体40の内部で反射を繰り返すことになる。しかし、上側の配線基板20の上側の面20aの樹脂26表面の凹凸により乱反射が抑制されることから、開口部21を通過しにくくすることができる。
In the case of a camera module, light (image) that has entered from the outside includes light that does not pass through the
また、開口部21を通過した光は、イメージセンサ11に到達する光と、その他の箇所(下側の配線基板10と、はんだボール30と、上側の配線基板20とによって構成される空間内)に至る光とがある。このその他の箇所に至る光は空間内の各所にて反射を繰り返して凹凸を有する樹脂26の表面にも至る。その際、表面の凹凸26により乱反射することを抑制できるので、本来イメージセンサに入射されるべきではない光(映像)が入射することを抑制できる。そのため、良好な映像を再現することができる。
Further, the light that has passed through the
これに対して、従来のカメラモジュールにおいては、開口部の端面の切り屑等がセンサ部に落下して本来の光(映像)を得ることができなかったが、本願のような構成を採ることにより、上述のように、本来の光(映像)を得ることができるようになった。 On the other hand, in the conventional camera module, chips or the like on the end face of the opening portion fell on the sensor unit and the original light (image) could not be obtained. As described above, the original light (image) can be obtained.
なお、従来の構造においては、レンズを駆動するための駆動ICや受動素子を配線基板10と筐体40とによって形成される空間内に平面的に並べて配置する必要があったため面積が大きくなっていた。しかしながら、上述のように、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに採用することにより、小型化したカメラモジュールを得ることができる。即ち、レンズを駆動するための駆動ICや受動素子を上側の配線基板20の開口部21周辺に配置することができるための小型化が可能となる。
In the conventional structure, the driving IC and the passive element for driving the lens need to be arranged in a plane in the space formed by the
なお、上述の図8において封止樹脂280で上側の配線基板20を覆った構造を示したが、その封止樹脂280は必要に応じて設けるものである。封止樹脂を設けると、チップ部品23を保護することができ、設けない場合にはその封止樹脂の分だけ軽量化を図ることができる。
8 shows the structure in which the
また、本願の半導体モジュールにおいては、上側の配線基板20の外周端部は下側の配線基板10の外周端部よりも内側にあるか、あるいは上側及び下側の配線基板の外周端部面が同一面であってもよい。
Further, in the semiconductor module of the present application, the outer peripheral end of the
(実施の形態3)
図9は、カメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。図10は、実施の形態3に係るカメラモジュールに採用した樹脂26の端面27の形状を示す要部拡大図である。実施の形態3のカメラモジュールの基本的な構成は、実施の形態2のカメラモジュールと同様である。実施の形態3のカメラモジュールについて、実施の形態2のカメラモジュールと同様な構成に関する説明を適宜省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional shape adopted in the camera module. FIG. 10 is an enlarged view of a main part showing the shape of the
図10に示すように、実施の形態3のカメラモジュールでは、上側の配線基板20の第1の主面20aと接する樹脂26の端面27の上方部分が開口部21とは反対側にせり出した構造となっている。本実施の形態では、樹脂26より外側に位置する上側の配線基板20の第1の主面20aと樹脂26の端面27とがなす角度Θが90°未満であり、好ましくは、45°から55°である。また、本実施の形態では、IRカットフィルター22の周縁部分が樹脂26の端面27の上端よりも外側に位置している(図9参照)。これにより、IRカットフィルター22、樹脂26の端面27、上側の配線基板20の第1の主面20aで囲まれた領域が形成されている。
As shown in FIG. 10, in the camera module according to the third embodiment, the structure in which the upper part of the
このように、樹脂26の端面27が逆テーパ状となった構造を採用することにより、樹脂26の端面27と上側の配線基板20の第1の主面20aとの間の隙間にダスト300が捕らえられる。当該ダスト300の大きさは、半導体素子11の受光面または発光面のセルサイズ以上であり、具体的には、1.4μm以上の大きさである。ダスト300は、IRカットフィルター22を上側の配線基板20の第1の主面20aに搭載する前に発生した異物であり、具体的には、上側の配線基板20をダイシングにより個片化する際に発生し、洗浄工程で除去しきれずに残った破片、開口部21を覆うようにIRカットフィルター22を上側の配線基板20の第1の主面20aに接着する際に発生する塵などである。
In this way, by adopting a structure in which the
また、本実施の形態では、IRカットフィルター22、樹脂26の端面27、上側の配線基板20の第1の主面20aで囲まれた領域がポケット状に形成されているため、この領域にダスト300が溜まりやすくなっており、一度捕らえられたダスト300が放出されにくくなっている。
In the present embodiment, the region surrounded by the IR cut
本実施の形態のような、樹脂26の端面27の逆テーパ形状は、図5(B)で説明した露光、現像過程で得ることができる。すなわち、樹脂26は遮光性が高いため、露光により感光する部分が上側の配線基板20の第1の主面20aに近くなるほど、開口部21の側にずれる。これにより、上側の配線基板20の第1の主面20aに接する樹脂26の端面27の上端部分が開口部21とは反対側にせり出した逆テーパ構造が得られる。
The reverse taper shape of the
図11は、変形例に係るカメラモジュールに採用した樹脂26の端面27の形状を示す要部拡大図である。実施の形態3では、樹脂26の端面27が逆テーパ構造となっているが、図11に示すように、Θが90°より大きい形状、すなわち樹脂26の端面27がテーパ状であり、かつ、IRカットフィルター22の周縁部分が樹脂26の端面27の上端よりも外側に位置していてもよい。これによれば、樹脂26の端面27とIRカットフィルター22の下面との間の隙間にダスト300が捕らえられる。さらに、IRカットフィルター22、樹脂26の端面、上側の配線基板20の第1の主面20aで囲まれたポケット状の領域にダスト300を溜まりやすくすることができ、一度捕らえられたダスト300が放出されにくくなっている。
FIG. 11 is an enlarged view of a main part showing the shape of the
1 半導体モジュール、10 下側の配線基板、11 半導体素子、15 基材、16 受光部、17 凹部、20 上側の配線基板、21 開口部、22 IRカットフィルター、23 受動部品、26 樹脂、30 はんだボール、31 アンダーフィル、40 筐体、41 レンズ、160 第1の電極、161 第2の電極
DESCRIPTION OF
Claims (12)
の主面に至る端面と、を有する素子搭載用基板において、
前記第1の主面及び前記第2の主面には、前記端面を介して連続的に覆われた遮光性樹
脂が設けられていることを特徴とする素子搭載用基板。 A first main surface, a second main surface opposite to the first main surface, and the second main surface from the first main surface to the second main surface.
In an element mounting substrate having an end surface reaching the main surface of
The element mounting substrate, wherein the first main surface and the second main surface are provided with a light-shielding resin continuously covered through the end surface.
備えられていることを特徴とする請求項1に記載の素子搭載用基板。 2. The element mounting substrate according to claim 1, wherein unevenness is provided on the first principal surface side and the second principal surface side of the surface of the light shielding resin.
設けられた凹凸の深さは、前記第1の主面及び前記第2の主面に設けられた前記凹凸の深
さよりも浅いことを特徴とする請求項2に記載の素子搭載用基板。 The unevenness is further provided on the surface of the light-shielding resin that covers the end surface, and the depth of the unevenness provided on the end surface is provided on the first main surface and the second main surface. The element mounting substrate according to claim 2, wherein the element mounting substrate is shallower than a depth of the unevenness.
前記半導体素子に対応した位置に開口部を備えた第2の配線基板と、
前記第2の配線基板の第1の主表面から、前記開口部の前記第2の配線基板の端面を介して連続的に前記第2の配線基板の第2の主表面までを覆う遮光性樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体モジュール。 A first wiring board on which a semiconductor element is mounted;
A second wiring board having an opening at a position corresponding to the semiconductor element;
A light-shielding resin that covers continuously from the first main surface of the second wiring board to the second main surface of the second wiring board through the end face of the second wiring board of the opening. When,
A semiconductor module comprising:
備えられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体モジュール。 6. The semiconductor module according to claim 5, wherein the first principal surface side and the second principal surface side of the surface of the light shielding resin are provided with irregularities.
前記半導体素子に対応した位置に開口部を備えた第2の配線基板と、
前記第2の配線基板の第1の主表面から前記開口部の前記第2の配線基板の端面を介して前記第2の配線基板の第2の主表面までを覆う遮光性樹脂と、
前記第2の配線基板の前記第1の配線基板とは反対側に備えられている光学レンズと、を備えることを特徴とする光学モジュール。 A first wiring board on which a semiconductor element having a function of receiving or emitting light is mounted;
A second wiring board having an opening at a position corresponding to the semiconductor element;
A light-shielding resin that covers from the first main surface of the second wiring board to the second main surface of the second wiring board through the end face of the second wiring board of the opening;
An optical module comprising: an optical lens provided on a side of the second wiring board opposite to the first wiring board.
備えられていることを特徴とする請求項8に記載の光学モジュール。 The optical module according to claim 8, wherein unevenness is provided on the first principal surface side and the second principal surface side of the surface of the light shielding resin.
設けられた凹凸の深さは、前記第1の主面及び前記第2の主面に設けられた前記凹凸の深
さよりも浅いことを特徴とする請求項8または9に記載の光学モジュール。 The unevenness is further provided on the surface of the light-shielding resin that covers the end surface, and the depth of the unevenness provided on the end surface is provided on the first main surface and the second main surface. 10. The optical module according to claim 8, wherein the optical module is shallower than the depth of the unevenness.
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