JP2011097026A - Element loading substrate, semiconductor module, optical module, and camera module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an element loading substrate, a semiconductor module, an optical module and camera module, which suppress irregular reflection of light. <P>SOLUTION: In the semiconductor module, a lower wiring board 10 with a semiconductor element 11 is electrically connected with an upper wiring board 20 having an opening 21 at a position corresponding to the semiconductor element 11 and having a mounting component loadable region around the opening 21, via a plurality of solder balls 30 around the semiconductor element 11. A first main surface 20a, the opening 21, an end surface 20c and a second main surface 20b of the upper wiring board 20 are covered with a black resin 26, and a surface of the resin 26 is made rugged. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュールおよびカメラモジュールに関する。   The present invention relates to an element mounting substrate, a semiconductor module, an optical module, and a camera module.

携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＣ、ＤＳＣといったポータブルエレクトロニクス機器には、人物や風景を撮影できるカメラ機能が付加されるなどの高機能化が加速している。   Portable electronic devices such as mobile phones, PDAs, DVCs, and DSCs are accelerating the advancement of functions such as the addition of a camera function that can capture people and landscapes.

こうした製品においては、搭載する半導体素子が光学素子であると、それの発光または受光部分に異物が載ってしまうことにより、良好な画像を得ることができないため、基板からの発塵を抑制するための防塵対策も要求されている。   In such a product, if the semiconductor element to be mounted is an optical element, foreign matter will be placed on the light emitting or receiving part of the optical element, and a good image cannot be obtained. Dust-proof measures are also required.

また、本来、入射される光、あるいは発光する光が、カメラモジュール内で乱反射してしまい、良好な映像を得るという課題の解決が求められている。   In addition, there is a need to solve the problem that incident light or emitted light is diffusely reflected in the camera module and a good image is obtained.

従来のポータブルエレクトロニクス機器の一例であるカメラモジュールについて説明する。   A camera module which is an example of a conventional portable electronic device will be described.

図１２は、従来のカメラモジュールの構造を示す断面図である。   FIG. 12 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional camera module.

図１２に示すように、従来のカメラモジュール１０００は、プリント基板１１０、筐体１４０、鏡筒１４６及び円筒型本体１４５が結合された構造を有する。プリント基板１１０上には、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等の半導体素子１１１が接着剤（不図示）により取り付けられている。そしてワイヤボンディング１１４によって、半導体素子１１１の素子電極１１２とプリント基板１１０上の電極１１３とが電気的に接続されている。さらに、半導体素子１１１、素子電極１１２及び電極１１３を覆うようにプラスチック材質の筐体１４０が配置されている。   As shown in FIG. 12, a conventional camera module 1000 has a structure in which a printed circuit board 110, a housing 140, a lens barrel 146, and a cylindrical main body 145 are coupled. On the printed circuit board 110, a semiconductor element 111 such as a CCD or CMOS image sensor is attached by an adhesive (not shown). The element electrode 112 of the semiconductor element 111 and the electrode 113 on the printed board 110 are electrically connected by wire bonding 114. Furthermore, a plastic case 140 is disposed so as to cover the semiconductor element 111, the element electrode 112, and the electrode 113.

そして、その筐体１４０に、円筒型本体１４５と鏡筒１４６（筐体１４０）とが鏡筒１４６の内周面に設けられたネジ部の螺合によって結合している。   Then, the cylindrical main body 145 and the lens barrel 146 (housing 140) are coupled to the casing 140 by screwing of a screw portion provided on the inner peripheral surface of the lens barrel 146.

さらに、プリント基板１１０の上方の円筒型本体１４５に取り付けられたレンズ１４１と、プリント基板１１０の上面に取り付けられた半導体素子１１１との間にはＩＲカットフィルター１２２が結合されており、半導体素子１１１へ流入する過度な長波長の赤外線を遮断するようになっている。   Further, an IR cut filter 122 is coupled between the lens 141 attached to the cylindrical main body 145 above the printed board 110 and the semiconductor element 111 attached to the upper surface of the printed board 110. It cuts off excessively long-wavelength infrared rays that flow into the water.

特開２００７−３０６３０７号公報JP 2007-306307 A

ところで、携帯電話等のポータブルエレクトロニクス機器に搭載するカメラモジュールおいては、本来、入射される光、あるいは発光する光が、カメラモジュール内で乱反射してしまい、良好な映像を得ることができないという課題もあった。   By the way, in a camera module mounted on a portable electronic device such as a mobile phone, originally, incident light or emitted light is irregularly reflected in the camera module, and a good image cannot be obtained. There was also.

また、半導体素子１１１、素子電極１１２及び電極１１３を覆うように形成された筐体１４０等には光を通すための開口部が設けられているが、その開口部はドリルによって形成するため、その端面はプリント基板材料の破片等が残っており、それが半導体素子の受光又は発光領域に落ちて本来の映像を得るという課題を解決することができなかった。   The housing 140 formed so as to cover the semiconductor element 111, the element electrode 112, and the electrode 113 is provided with an opening for allowing light to pass therethrough, but the opening is formed by a drill. On the end face, printed circuit board material debris or the like remains, and the problem that it falls into the light receiving or light emitting region of the semiconductor element to obtain the original image cannot be solved.

本発明のある態様は、第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面と、前記第１の主面から前記第２の主面に至る端面と、を有する素子搭載用基板において、前記第１の主面及び前記第２の主面には、前記端面を介して連続的に覆われた遮光性樹脂が設けられている素子搭載用基板である。   An aspect of the present invention includes a first main surface, a second main surface facing the first main surface, and an end surface extending from the first main surface to the second main surface. In the element mounting substrate, the first main surface and the second main surface are provided with a light-shielding resin continuously covered through the end surface.

本発明によれば、光の乱反射を抑制することができる、素子搭載用基板、半導体モジュール、光学モジュール及びカメラモジュールを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an element mounting substrate, a semiconductor module, an optical module, and a camera module that can suppress irregular reflection of light.

実施の形態１に係る半導体モジュールの構造を示す平面図である。1 is a plan view showing a structure of a semiconductor module according to a first embodiment. 図１のＡ−Ａ’線に沿った実施の形態１に係る半導体モジュールの断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor module which concerns on Embodiment 1 along the A-A 'line | wire of FIG. 実施の形態１に係る半導体モジュールの上側の配線基板と下側の配線基板の構造を示す平面図である。4 is a plan view showing a structure of an upper wiring board and a lower wiring board of the semiconductor module according to the first embodiment. FIG. 実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。5 is a diagram showing a method for manufacturing the semiconductor module according to the first embodiment. FIG. 実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。5 is a diagram showing a method for manufacturing the semiconductor module according to the first embodiment. FIG. 実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す図である。5 is a diagram showing a method for manufacturing the semiconductor module according to the first embodiment. FIG. 実施の形態１に係る上側の配線基板に設けた樹脂の形状を示す図である。4 is a diagram showing the shape of a resin provided on the upper wiring board according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態２に係るカメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional shape employ | adopted as the camera module which concerns on Embodiment 2. FIG. 実施の形態３に係るカメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。It is a figure which shows the cross-sectional shape employ | adopted as the camera module which concerns on Embodiment 3. FIG. 実施の形態３に係るカメラモジュールに採用した樹脂の端面の形状を示す要部拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view of a main part showing the shape of an end face of resin employed in a camera module according to Embodiment 3. 変形例に係るカメラモジュールに採用した樹脂の端面の形状を示す要部拡大図である。It is a principal part enlarged view which shows the shape of the end surface of resin employ | adopted as the camera module which concerns on a modification. 従来の半導体モジュールを備えたカメラモジュールの構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the camera module provided with the conventional semiconductor module.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る半導体モジュール１の構造を示す平面図である。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a plan view showing the structure of the semiconductor module 1 according to the first embodiment.

半導体モジュール１は、下側の配線基板１０と上側の配線基板２０とを備えており、それらの配線基板１０、２０が接続導電部材の一例であるはんだボール３０によって電気的に接続されている。また、受動素子や駆動ＩＣ等のチップ部品２３が上側の配線基板２０の上面に搭載されている。半導体モジュール１は縦約１０ｍｍ×横約１０ｍｍの大きさである。   The semiconductor module 1 includes a lower wiring board 10 and an upper wiring board 20, and these wiring boards 10 and 20 are electrically connected by solder balls 30 which are an example of a connection conductive member. Further, a chip component 23 such as a passive element or a driving IC is mounted on the upper surface of the upper wiring board 20. The semiconductor module 1 is about 10 mm long by about 10 mm wide.

ここで、この下側の配線基板１０と上側の配線基板２０とが接続された断面構造につい図２に基づいて説明する。   Here, a cross-sectional structure in which the lower wiring board 10 and the upper wiring board 20 are connected will be described with reference to FIG.

図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った半導体モジュールの断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor module taken along line A-A ′ of FIG. 1.

図２に示すように、下側の配線基板１０と上側の配線基板２０とは接続導電部材であるはんだボール３０により電気的に接続されている。そのはんだボール３０は、上側の配線基板２０及び下側の配線基板１０の周囲近傍に配置されている。上側の配線基板２０は、はんだボール３０で接続される領域以外は凹部１７を有している。この凹部１７により下側の配線基板１０に搭載する半導体素子１１と上側の配線基板２０とが接触することによる配線の短絡を防止できる。   As shown in FIG. 2, the lower wiring board 10 and the upper wiring board 20 are electrically connected by solder balls 30 that are connecting conductive members. The solder balls 30 are arranged in the vicinity of the upper wiring board 20 and the lower wiring board 10. The upper wiring board 20 has a recess 17 except for a region connected by the solder balls 30. The recess 17 can prevent a short circuit of the wiring due to the contact between the semiconductor element 11 mounted on the lower wiring board 10 and the upper wiring board 20.

配線基板１０及び２０が接続される周辺の領域には、はんだボール３０が接続される第１の電極１６０及び第３の電極１６１が形成されている。その第１の電極１６０及び第３の電極１６１はその上層に形成されるフォトソルダーレジスト１８の開口部から露出している構造である。   A first electrode 160 and a third electrode 161 to which the solder balls 30 are connected are formed in a peripheral region to which the wiring boards 10 and 20 are connected. The first electrode 160 and the third electrode 161 have a structure exposed from the opening of the photo solder resist 18 formed in the upper layer.

ここで、上側の配線基板２０に設けられた開口部２１の周辺近傍の構造について説明する。   Here, the structure near the periphery of the opening 21 provided in the upper wiring board 20 will be described.

まず、上側の配線基板２０は、上側の配線基板２０の上側である第１の主面２０ａと、上側の配線基板２０の下側である第２の主面２０ｂとを備えている。開口部２１は、その第１の主面２０ａから第２の主面２０ｂに向かう貫通孔を設けることにより形成される。その貫通孔により貫通孔の側面２０ｃ、即ち開口部２１の端面２０ｃができる。   First, the upper wiring board 20 includes a first main surface 20 a that is the upper side of the upper wiring board 20 and a second main surface 20 b that is the lower side of the upper wiring board 20. The opening 21 is formed by providing a through hole from the first main surface 20a to the second main surface 20b. The side surface 20c of the through hole, that is, the end surface 20c of the opening 21 is formed by the through hole.

これらの第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂ及び端面２０ｃには黒色の樹脂２６（図３において黒色のハッチングで図示）が塗布されている。つまり、第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂのうち、開口部２１の周辺部と、端面２０ｃとを連続的に覆うように遮光性（特に、黒色）の樹脂２６が塗布されている。このように塗布されることにより、金属によって覆われた場合に比べ光を反射しにくいことから、光学モジュール等に用いた場合には乱反射を抑制することができる。樹脂２６の表面形状については後述する。   A black resin 26 (shown by black hatching in FIG. 3) is applied to the first main surface 20a, the second main surface 20b, and the end surface 20c. That is, the light-shielding (particularly black) resin 26 is applied so as to continuously cover the peripheral portion of the opening 21 and the end surface 20c of the first main surface 20a and the second main surface 20b. Yes. By being applied in this way, light is less likely to be reflected than when it is covered with metal, so that irregular reflection can be suppressed when used in an optical module or the like. The surface shape of the resin 26 will be described later.

開口部２１は、後述のように、半導体素子１１の受光部１６に対応する位置を、例えばカッターやドリル、あるいはレーザによって上側の配線基板２０を切り抜くことにより形成される。しかし、開口部２１を形成した際に、その内面（開口部内の対向する面）の切り口には配線材料の切りくずや破片となる部分が生じてしまう。そうすると、半導体モジュール１を使用中にそれらが上側の配線基板２０の切り屑等として半導体素子１１上に落下し、例えば半導体素子１１に形成された発光面あるいは受光面を全面又は部分的に覆ってしまい、発光あるいは受光機能を著しく低下させてしまうことになる。   As will be described later, the opening 21 is formed by cutting out the upper wiring substrate 20 at a position corresponding to the light receiving portion 16 of the semiconductor element 11 with, for example, a cutter, a drill, or a laser. However, when the opening 21 is formed, a portion that becomes a chip or a fragment of the wiring material is generated at the cut surface of the inner surface (an opposing surface in the opening). Then, while the semiconductor module 1 is in use, they fall onto the semiconductor element 11 as chips or the like of the upper wiring board 20, for example, covering the light emitting surface or the light receiving surface formed on the semiconductor element 11 entirely or partially. As a result, the light emission or light reception function is significantly reduced.

そこで、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａから、開口部２１の端面２０ｃを覆い、さらに第２の主面２０ｂまでを覆うように樹脂２６を塗布した構造とする。   Therefore, the resin 26 is applied so as to cover the first main surface 20a of the upper wiring board 20 from the first main surface 20a to the end surface 20c of the opening 21 and further to the second main surface 20b.

そうすることにより、上側の配線基板２０の開口部２１の端面２１ｃからプリント基板の切り屑が半導体素子に落下することが防止できる。   By doing so, it is possible to prevent chips on the printed circuit board from falling onto the semiconductor element from the end face 21c of the opening 21 of the upper wiring board 20.

さらに、本願においては、樹脂２６の表面にブラスト材を照射することによって、樹脂２６の表面に凹凸を形成するため、半導体モジュールにおいて、外部から開口部２１を通過し半導体素子１１に至る光のうち、半導体素子１１に対して斜めから入射する光が乱反射する事を防止できるとともに、半導体素子１１から発せられる光のうち、斜め方向に進んで上側の配線基板２０に当たった光は乱反射することなく消滅させることができる。   Furthermore, in this application, in order to form an unevenness on the surface of the resin 26 by irradiating the surface of the resin 26 with a blast material, in the semiconductor module, out of the light that passes through the opening 21 from the outside and reaches the semiconductor element 11 The light incident on the semiconductor element 11 from an oblique direction can be prevented from being irregularly reflected, and the light emitted from the semiconductor element 11 that travels in an oblique direction and strikes the upper wiring substrate 20 is not diffusely reflected. Can be extinguished.

ここで、図３（Ａ）及び（Ｂ）に、図１に示した半導体モジュールの上側の配線基板２０と下側の配線基板１０のそれぞれの平面図を示す。   Here, FIGS. 3A and 3B are plan views of the upper wiring board 20 and the lower wiring board 10 of the semiconductor module shown in FIG.

まず、図３（Ａ）に示す上側の配線基板２０は、約８ｍｍ×約８ｍｍの概ね四角形状をしており、複数の配線層及び絶縁層からなるいわゆる多層配線層を有する配線基板である。そして、下側の配線基板１０に搭載した半導体素子１１に対応した位置に開口部２１を備えている。開口部２１の形状は、上側の配線基板２０の上側から見ると概ね「ロ」の字形状をしている。たとえば、下側の配線基板１０に搭載した半導体素子１１内に発光又は受光する機能部が設けられている場合、上側の配線基板２０側から開口部２１を覗いたときに、その発光又は受光する機能部が視認できる形状であればよい。具体的には、必ずしも「ロ」の字形状でなくてもよく、例えば円形状、楕円形状あるいは矩形状でもよい。なお、半導体素子１１の厚みは約１００μｍ〜約１５０μｍ程度である。   First, the upper wiring board 20 shown in FIG. 3A is a wiring board having a generally rectangular shape of about 8 mm × about 8 mm and having a so-called multilayer wiring layer composed of a plurality of wiring layers and insulating layers. An opening 21 is provided at a position corresponding to the semiconductor element 11 mounted on the lower wiring board 10. The shape of the opening 21 is generally “B” when viewed from the upper side of the upper wiring board 20. For example, when a functional unit that emits or receives light is provided in the semiconductor element 11 mounted on the lower wiring board 10, the light is emitted or received when the opening 21 is viewed from the upper wiring board 20 side. Any shape can be used as long as the functional unit is visible. Specifically, it does not necessarily have a “B” shape, and may be, for example, a circular shape, an elliptical shape, or a rectangular shape. The semiconductor element 11 has a thickness of about 100 μm to about 150 μm.

次に、図３（Ｂ）に示す下側の配線基板１０について説明する。   Next, the lower wiring board 10 shown in FIG. 3B will be described.

下側の配線基板１０は、複数の配線層及び絶縁層からなるいわゆる多層配線層を有する配線基板であり、前述の上側の配線基板２０の外周端部よりも大きい配線基板である。一例として、上側の配線基板２０の縦及び横の長さよりもそれぞれ２ｍｍ程度大きく、縦約１０ｍｍ、横約１０ｍｍ程度の大きさである。即ち、上側の配線基板２０の外周端部が下側の配線基板の１０の外周端部よりも内側にある構造である。このような構造を採ることにより、半導体モジュール１を後述のカメラモジュール（後述の図１２参照）に適用した場合に、筐体４０を支持する領域（庇部）として利用が可能である。また、下側の配線基板１０は、基材となる銅板１５を層内に備えており、それにより配線基板１０の剛性を維持することができる。下側の配線基板１０の表面には、開口部２１に対応した下側の配線基板１０のほぼ中央部に半導体素子１１を搭載している。その半導体素子１１は、接着樹脂によって下側の配線基板１０表面に接着されている。なお、半導体素子１１の具体例としては、受光素子であるＣＭＯＳセンサー、発光素子であるＬＥＤなどの光学素子や、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）などの半導体チップが挙げられる。ＣＭＯＳセンサーあるいはＬＥＤなどの光学素子の場合には、その受光面または発光面が開口部２１の位置に対応するように配置される。   The lower wiring board 10 is a wiring board having a so-called multilayer wiring layer composed of a plurality of wiring layers and insulating layers, and is a wiring board larger than the outer peripheral end portion of the upper wiring board 20 described above. As an example, the length is about 2 mm larger than the vertical and horizontal lengths of the upper wiring board 20, and is about 10 mm long and about 10 mm wide. That is, the outer peripheral end of the upper wiring board 20 is inside the outer peripheral end of the lower wiring board 10. By adopting such a structure, when the semiconductor module 1 is applied to a camera module described later (see FIG. 12 described later), the semiconductor module 1 can be used as a region (a collar portion) that supports the housing 40. Further, the lower wiring board 10 includes a copper plate 15 serving as a base material in the layer, whereby the rigidity of the wiring board 10 can be maintained. On the surface of the lower wiring board 10, the semiconductor element 11 is mounted at a substantially central portion of the lower wiring board 10 corresponding to the opening 21. The semiconductor element 11 is bonded to the surface of the lower wiring substrate 10 with an adhesive resin. Specific examples of the semiconductor element 11 include a CMOS sensor as a light receiving element, an optical element such as an LED as a light emitting element, and a semiconductor chip such as an integrated circuit (IC) and a large scale integrated circuit (LSI). In the case of an optical element such as a CMOS sensor or an LED, the light receiving surface or the light emitting surface is disposed so as to correspond to the position of the opening 21.

また、半導体素子１１の上表面には素子電極１２が形成されており、その素子電極１２と下側の配線基板１０の表面に設けられた電極１３とがボンディングワイヤ１４によって接続されることにより、下側の配線基板１０と半導体素子１１とが電気的に接続されている。   Further, an element electrode 12 is formed on the upper surface of the semiconductor element 11, and the element electrode 12 and the electrode 13 provided on the surface of the lower wiring substrate 10 are connected by a bonding wire 14. The lower wiring board 10 and the semiconductor element 11 are electrically connected.

なお、半導体素子１１は、その素子電極１２が半導体素子１１の下面側に設けられた構造のものでも良く、その場合にはボンディングワイヤを用いることなく、下側の配線基板１０とはいわゆるフリップチップ実装によって電気的に接続されてもよい。   The semiconductor element 11 may have a structure in which the element electrode 12 is provided on the lower surface side of the semiconductor element 11, and in this case, a so-called flip chip is used for the lower wiring substrate 10 without using a bonding wire. It may be electrically connected by mounting.

以上のような上側の配線基板２０と下側の配線基板１０とがはんだボール３０によって電気的に接続されている。   The upper wiring board 20 and the lower wiring board 10 as described above are electrically connected by solder balls 30.

なお、その開口部２１の周辺（上側の配線基板２０の上面）には、例えば半導体モジュール１をカメラモジュールに採用した場合であれば、そのレンズを駆動するためのチップ部品２３（例えば、駆動ＩＣ、電源ＩＣ、抵抗や容量等の受動部品等のチップ部品）が配置されている。   In the vicinity of the opening 21 (upper surface of the upper wiring board 20), for example, when the semiconductor module 1 is employed in a camera module, a chip component 23 (for example, a driving IC) for driving the lens is used. , Power supply ICs, chip components such as passive components such as resistors and capacitors).

また、光学フィルターの一例で近赤外光をカットするＩＲカットフィルター２２を開口部２１を覆うように設ける。光学フィルターとしては、他にも紫外線カットフィルターや偏光板などが挙げられる。なお、これらの光学フィルターは必要に応じて設ければよい。   In addition, an IR cut filter 22 that cuts near infrared light as an example of an optical filter is provided so as to cover the opening 21. Other examples of the optical filter include an ultraviolet cut filter and a polarizing plate. In addition, what is necessary is just to provide these optical filters as needed.

また、はんだボール３０は、前述の図１及び図２に示すように、両配線基板１０及び２０の各辺に沿って「千鳥掛け状」に配列されている。即ち、下側の配線基板１０のある１辺に沿ったはんだボール３０に注目すると、はんだボール３０は、２列に並んでおり、一方の列のうちの隣接する２つのはんだボールの間に、他方の列のはんだボール３０が重なるように配列されている。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2 described above, the solder balls 30 are arranged in a “staggered manner” along each side of both the wiring boards 10 and 20. That is, when attention is paid to the solder balls 30 along one side of the lower wiring substrate 10, the solder balls 30 are arranged in two rows, and between two adjacent solder balls in one row, The solder balls 30 in the other row are arranged so as to overlap each other.

このように配列することにより、上側の配線基板２０及び下側の配線基板１０に、より多くの接続領域を効率よく確保することができるとともに、１列に配列した場合に比べて、外部からの不要な光が入ってくること又は外部に光が漏れ出すことを防止できる。   By arranging in this way, it is possible to efficiently secure more connection regions in the upper wiring board 20 and the lower wiring board 10 and from the outside as compared with the case where they are arranged in one row. It is possible to prevent unnecessary light from entering or leakage of light to the outside.

さらに、エポキシ樹脂などの接着樹脂に遮光材料を混合させたアンダーフィル３１によってそのはんだボール３０の周囲を覆い隣接するはんだボール３０間に充填することにより、下側の配線基板１０と上側の配線基板２０との間の接着力を強固なものとすることができるとともに、半導体モジュール１からの光の漏れあるいは外光の入射を防止できる。   Further, the underfill 31 in which a light shielding material is mixed with an adhesive resin such as an epoxy resin covers the periphery of the solder ball 30 and fills between the adjacent solder balls 30, so that the lower wiring board 10 and the upper wiring board are filled. Adhesive strength between the semiconductor module 1 and the semiconductor module 1 can be increased, and leakage of light from the semiconductor module 1 or incidence of external light can be prevented.

以上のように、本願においては、「千鳥掛け状」に配置すること、はんだボール３０を覆うアンダーフィル樹脂が遮光性を有することを組み合わせることにより、はんだボールによる接続部から外部に必要な光を放出することや、逆にそこから不必要な光が入ってくることを防止できる。   As described above, in the present application, by arranging the arrangement in a “staggered shape” and the fact that the underfill resin covering the solder balls 30 has a light-shielding property, the necessary light is connected to the outside from the connection portion by the solder balls. It is possible to prevent emission and unnecessary light from entering.

このアンダーフィル３１は、図１及び図２（Ｂ）において斜線（左上から右下に向かった斜線）で示すように、両配線基板１０、２０の周囲に設けられる。その内側の端部は半導体素子１１を覆わない程度の位置に設けられている。下側の基板１０は上側の配線基板２０よりもはみ出した庇部があり、その部分にカメラモジュールの筐体を設ける場合には、アンダーフィル３１は、庇部には設けず、上側の配線基板２０の端部までしか設けない。
＜上側の配線基板の製造方法＞
以下に、上側の配線基板２０の製造方法について、図４〜図６に基づいて説明する。 The underfill 31 is provided around both the wiring boards 10 and 20 as shown by hatching in FIG. 1 and FIG. 2B (hatching from upper left to lower right). The inner end portion is provided at a position that does not cover the semiconductor element 11. The lower substrate 10 has a ridge that protrudes beyond the upper wiring substrate 20, and when the camera module housing is provided in that portion, the underfill 31 is not provided in the ridge, but the upper wiring substrate. Only 20 ends are provided.
<Method for manufacturing upper wiring board>
Below, the manufacturing method of the upper wiring board 20 is demonstrated based on FIGS.

まず、図４（Ａ）に示すように、縦約８ｍｍ×横約８ｍｍの大きさの上側の配線基板が複数個（同図においては１６個の場合を示している。さらに多くの上側の配線基板を設けていてもよい。）設けられた基材を準備する。   First, as shown in FIG. 4A, there are a plurality of upper wiring boards each having a size of about 8 mm in length and about 8 mm in width (in the figure, 16 cases are shown. More upper wirings are shown. A substrate may be provided.) A provided base material is prepared.

次に、図４（Ｂ）に示すように、上側の配線基板２０のほぼ中央付近に、ドリル５２を用いて開口部２１を形成する。この開口部２１の形成位置は必ずしも中央付近でなくてもよい。下側の配線基板１０に搭載する半導体素子が受光センサーの場合にはそのセンサー部の位置に対応した位置に形成すればよい。言い換えると、開口部２１の端面２０ｄがセンサー部と重畳しなければよい。   Next, as shown in FIG. 4B, an opening 21 is formed using a drill 52 in the vicinity of the approximate center of the upper wiring board 20. The position where the opening 21 is formed is not necessarily near the center. If the semiconductor element mounted on the lower wiring board 10 is a light receiving sensor, it may be formed at a position corresponding to the position of the sensor portion. In other words, the end surface 20d of the opening 21 may not overlap with the sensor unit.

次に、図５（Ａ）に示すように、開口部２１を形成した上側の配線基板２０の表面に、スプレイノズル６０を用いて配線基板２０の上下面から液状の樹脂２６を塗布する。   Next, as shown in FIG. 5A, a liquid resin 26 is applied from the upper and lower surfaces of the wiring substrate 20 to the surface of the upper wiring substrate 20 in which the opening 21 is formed, using a spray nozzle 60.

液状の樹脂２６が噴出するノズル６０を上側の配線基板２０の上面２０ａ側及び下面２０ｃ側に配置し、そのノズル６０を左右に扇状に回動させながら、上側の配線基板２０を一方向に移動することにより、樹脂２６は、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ、周囲の側面２０ｄ、第２の主面２０ｂ及び開口部２１の側面（端面）２０ｃの全面に塗布される。そして、加熱して樹脂２６の溶媒を蒸発させる。この樹脂２６は、感光性のエポキシ樹脂（ＰＳＲ：Photo Solder Resist）からなり、黒色の粉末が混入されて黒色を呈する。   The nozzle 60 from which the liquid resin 26 is ejected is arranged on the upper surface 20a side and the lower surface 20c side of the upper wiring substrate 20, and the upper wiring substrate 20 is moved in one direction while rotating the nozzle 60 in a fan shape to the left and right. Thus, the resin 26 is applied to the entire surface of the first main surface 20a, the surrounding side surface 20d, the second main surface 20b, and the side surface (end surface) 20c of the opening 21 of the upper wiring board 20. Then, the solvent of the resin 26 is evaporated by heating. The resin 26 is made of a photosensitive epoxy resin (PSR: Photo Solder Resist), and black powder is mixed with the black powder.

図５（Ｂ）に示すように、開口部２１の周辺（第１の主面２０ａ、第２の主面２０ｂ及び端面２０ｃ）に樹脂２６が残るように、その他の領域の樹脂２６を除去する。それは、たとえば光を遮るフォトマスク（不図示）を接触させて、樹脂２６を残す開口部２１の周辺の領域のみを覆い、露光し、フォトマスクをはずして現像を行うことにより、開口部２１の周辺に樹脂２６を残すことが可能である。なお、樹脂２６は全面に形成されても良い。樹脂２６の厚みは、第１の主面２０ａが約４５μｍ〜約５５μｍ、第２の主面２０ｂが約３５μｍ〜約４０μｍ、端面２０ｃの頂部が約４５μｍ〜約８０μｍである。   As shown in FIG. 5B, the resin 26 in other regions is removed so that the resin 26 remains around the opening 21 (the first main surface 20a, the second main surface 20b, and the end surface 20c). . For example, a photomask (not shown) that shields light is brought into contact so as to cover only the area around the opening 21 where the resin 26 is left, exposed, and the development is performed by removing the photomask and developing. It is possible to leave the resin 26 around. The resin 26 may be formed on the entire surface. The resin 26 has a thickness of about 45 μm to about 55 μm for the first main surface 20a, about 35 μm to about 40 μm for the second main surface 20b, and about 45 μm to about 80 μm for the top of the end surface 20c.

そして、図６に示すように、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側からウェットブラスト処理５０を行い、樹脂２６の表面に凹凸２６ａを形成する。ウェットブラスト処理は、たとえば１２００番程度の粗さのブラスト材を約０．２Ｍｐａ程度の圧力で配線基板２０の樹脂２６に対して噴射することで行われる。   Then, as shown in FIG. 6, the wet blast process 50 is performed from the first main surface 20 a side and the second main surface 20 b side of the upper wiring substrate 20 to form the unevenness 26 a on the surface of the resin 26. The wet blasting process is performed, for example, by spraying a blasting material having a roughness of about 1200 to the resin 26 of the wiring board 20 at a pressure of about 0.2 Mpa.

ここで、この凹凸２６ａの形状について図７を用いて説明する。   Here, the shape of the unevenness 26a will be described with reference to FIG.

図７はウェットブラスト処理を施す前後の上側の配線基板２０の開口部２１近傍の一部の樹脂表面の形状を示したものである。   FIG. 7 shows the shape of a part of the resin surface in the vicinity of the opening 21 of the upper wiring board 20 before and after the wet blast treatment.

同図（Ａ）はウェットブラスト処理前の形状を示し、同図（Ｂ）はウェットブラスト処理後の形状を示している。   FIG. 4A shows the shape before wet blasting, and FIG. 4B shows the shape after wet blasting.

樹脂２６を塗布した後は、図７（Ａ）に示すように、開口部２１の周辺に樹脂２６が形成されている。この樹脂２６自体も表面が平坦ではなくある程度うねった凹凸形状を有している。その樹脂２６表面にウェットブラスト処理を施すと、同図（Ｂ）に示すように、樹脂２６の表面に凹凸２６ａが形成される。   After the resin 26 is applied, the resin 26 is formed around the opening 21 as shown in FIG. The resin 26 itself is not flat but has a corrugated shape with a certain degree of undulation. When wet blasting is performed on the surface of the resin 26, as shown in FIG. 5B, irregularities 26a are formed on the surface of the resin 26.

このとき、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側に形成された樹脂２６の表面の凹凸２６ａの高低差は、端面２０ｃ側の頂点２６ｃに形成された樹脂２６の表面の凹凸の高低差に比べて大きい。それは、ウェットブラスト処理を第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側から行うため、第１の主面２０ａ側及び第２の主面２０ｂ側の樹脂２６の表面に対してほぼ垂直にブラスト材が表面に当たるため、凹凸の高低差が大きくなるのである。これに対して、端面２０ｃ側にはブラスト材はほぼ端面２０ｃに対して平行にしか当たらないので、樹脂表面にはウェットブラスト処理ではほとんど凹凸が形成されず、もともとの樹脂２６表面のうねり分の凹凸程度である。   At this time, the height difference of the unevenness 26a on the surface of the resin 26 formed on the first main surface 20a side and the second main surface 20b side of the upper wiring substrate 20 was formed on the vertex 26c on the end surface 20c side. This is larger than the level difference of the unevenness on the surface of the resin 26. Since the wet blasting is performed from the first main surface 20a side and the second main surface 20b side, it is substantially perpendicular to the surface of the resin 26 on the first main surface 20a side and the second main surface 20b side. Since the blast material hits the surface, the height difference of the unevenness becomes large. On the other hand, since the blast material only hits the end surface 20c side almost in parallel with the end surface 20c, the surface of the resin is hardly uneven by wet blasting, and the undulation of the original surface of the resin 26 is not formed. Unevenness.

このように、切り屑が最も発光または受光機能を有する半導体素子または受動素子などの回路素子に落ちて影響を及ぼしやすい端面２０ｃに設けられた凹凸の深さは、第１の主面２０ａ及び第２の主面２０ｂに設けられた凹凸の深さよりも浅くできるので、端面２０ｃからの樹脂２６の切り屑等が発生しにくいことから、発光または受光機能を有する回路素子への切り屑等による光の遮蔽を防止することができる。   As described above, the depth of the unevenness provided on the end face 20c, on which the chips are most likely to fall on a circuit element such as a semiconductor element or a passive element having a light emitting or receiving function, is affected. 2 can be made shallower than the depth of the unevenness provided on the main surface 20b, so that it is difficult for chipping of the resin 26 from the end face 20c to occur. Can be prevented.

このようにして、上側の配線基板２０の開口部２１周辺に形成した樹脂２６の表面に凹凸２６ａを形成する。   In this way, irregularities 26 a are formed on the surface of the resin 26 formed around the opening 21 of the upper wiring board 20.

（実施の形態２）
次に、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに用いた場合について、図８に基づいて説明する。 (Embodiment 2)
Next, a case where the semiconductor module of the present application is used for a camera module will be described with reference to FIG.

図８は、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに用いた断面図を示すものである。   FIG. 8 shows a cross-sectional view in which the semiconductor module of the present application is used in a camera module.

前述のとおり、銅板１５を基材とする下側の配線基板１０の上表面に、接着材によりＣＭＯＳセンサー１１が、開口部２１からの光を受光できるように固定されている。ＣＭＯＳセンサー１１の素子電極１２と下側の配線基板１０の電極１３がボンディングワイヤ１４によって電気的に接続されている。   As described above, the CMOS sensor 11 is fixed to the upper surface of the lower wiring substrate 10 having the copper plate 15 as a base material so that the light from the opening 21 can be received by the adhesive. The element electrode 12 of the CMOS sensor 11 and the electrode 13 of the lower wiring substrate 10 are electrically connected by a bonding wire 14.

上側の配線基板２０は、その周辺のはんだボール３０を介して下側の配線基板１０と接続されている。また、開口部２１の周辺の領域には、後述のレンズ４１を駆動する駆動ＩＣや受動素子（抵抗、容量等）が配置されている。レンズのみならず、ＣＭＯＳセンサーを駆動するチップ等も配置することができる。   The upper wiring board 20 is connected to the lower wiring board 10 via the peripheral solder balls 30. In addition, in a region around the opening 21, a driving IC that drives a lens 41 described later and passive elements (such as a resistor and a capacitor) are arranged. Not only a lens but also a chip for driving a CMOS sensor can be arranged.

イメージセンサ１１へ流入する過度な長波長の赤外線を遮断するように、レンズ４１とＣＭＯＳセンサー１１との間には、開口部２１を覆うようにＩＲカットフィルター２２が配置されている。   An IR cut filter 22 is disposed between the lens 41 and the CMOS sensor 11 so as to cover the opening 21 so as to block an excessively long wavelength infrared ray flowing into the image sensor 11.

接続部に設けられたはんだボール３０は遮光材料が混入されたアンダーフィル剤３１で覆われているので、接続部から外光が入ってくることを防止できる。このとき、アンダーフィル剤は図８ではＣＭＯＳセンサー１１の端部を覆っていないが、ボンディングワイヤ１４及び素子電極１２をも含んで、センサー部の近傍まで覆っても良く、そうすることによりさらに接続部からの外光の入り込みを防止できる。   Since the solder ball 30 provided in the connection portion is covered with the underfill agent 31 mixed with a light shielding material, it is possible to prevent external light from entering from the connection portion. At this time, the underfill agent does not cover the end portion of the CMOS sensor 11 in FIG. 8, but it may cover the vicinity of the sensor portion including the bonding wire 14 and the element electrode 12, thereby further connecting. The entry of outside light from the part can be prevented.

上側と下側の配線基板１０、２０からなる半導体モジュール１の上側には、カメラのレンズを支持する筐体４０が結合している。筐体４０は、外光（風景、人物などの映像）を集光するレンズ４１とそのレンズ４１の焦点を調整するために上下に移動できる可動部４２と、外光を取り込む開口部４３とを備えている。   A housing 40 that supports the lens of the camera is coupled to the upper side of the semiconductor module 1 including the upper and lower wiring boards 10 and 20. The housing 40 includes a lens 41 that collects external light (images of scenery, people, etc.), a movable part 42 that can be moved up and down to adjust the focus of the lens 41, and an opening 43 that takes in external light. I have.

また、上側の配線基板２０は下側の配線基板１０よりも面積が小さく、上側の配線基板２０の外周端部は全周囲において下側の配線基板１０の外周端部よりも内側にある。即ち、下側の配線基板１０が上側の配線基板２０よりも外方向に突出しているので下側の配線基板１０には、筐体４０を支持する支持領域（庇部）４４が存在する。その支持領域４４において筐体４０と半導体モジュール１とが、接着剤、あるいは上側の配線基板２０又は筐体４０の内周面にネジ部を設けその螺合によって固着される。   The upper wiring board 20 has a smaller area than the lower wiring board 10, and the outer peripheral edge of the upper wiring board 20 is inside the outer peripheral edge of the lower wiring board 10 in the entire periphery. That is, since the lower wiring board 10 protrudes outward from the upper wiring board 20, the lower wiring board 10 has a support region (a collar part) 44 that supports the housing 40. In the support region 44, the housing 40 and the semiconductor module 1 are fixed to each other by providing a screw portion on the adhesive, or on the inner peripheral surface of the upper wiring board 20 or the housing 40.

以上のように、本願の半導体モジュールはカメラモジュールに採用することができる。   As described above, the semiconductor module of the present application can be employed in a camera module.

このように、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに採用した場合にも、上側の配線基板２０の開口部２１の周辺には、上側の配線基板２０の上側面２０ａ、開口部２１の端面２０ｄ及び上側の配線基板２０の下側面２０ｃを黒色の樹脂２６によって覆うことにより、開口部２１の端面２０ｄからのプリント基板材料の切り屑等がイメージセンサ１１のセンサ部に落ちることが防止できるので、良好な映像を得ることができる。   Thus, even when the semiconductor module of the present application is adopted as a camera module, the upper side surface 20a of the upper wiring substrate 20, the end surface 20d of the upper portion 21 and the upper side are provided around the opening portion 21 of the upper wiring substrate 20. By covering the lower side surface 20c of the wiring board 20 with the black resin 26, it is possible to prevent chips or the like of the printed board material from the end face 20d of the opening 21 from falling on the sensor part of the image sensor 11. You can get a picture.

また、カメラモジュールの場合、外部から入ってきた光（映像）には開口部２１を通過しない光と開口部２１を通過する光とがある。一方の開口部２１を通過しない光は、筐体４０の内部で反射を繰り返すことになる。しかし、上側の配線基板２０の上側の面２０ａの樹脂２６表面の凹凸により乱反射が抑制されることから、開口部２１を通過しにくくすることができる。   In the case of a camera module, light (image) that has entered from the outside includes light that does not pass through the opening 21 and light that passes through the opening 21. Light that does not pass through one opening 21 is repeatedly reflected inside the housing 40. However, since irregular reflection is suppressed by the unevenness of the surface of the resin 26 on the upper surface 20a of the upper wiring board 20, it is difficult to pass through the opening 21.

また、開口部２１を通過した光は、イメージセンサ１１に到達する光と、その他の箇所（下側の配線基板１０と、はんだボール３０と、上側の配線基板２０とによって構成される空間内）に至る光とがある。このその他の箇所に至る光は空間内の各所にて反射を繰り返して凹凸を有する樹脂２６の表面にも至る。その際、表面の凹凸２６により乱反射することを抑制できるので、本来イメージセンサに入射されるべきではない光（映像）が入射することを抑制できる。そのため、良好な映像を再現することができる。   Further, the light that has passed through the opening 21 is light that reaches the image sensor 11 and other locations (in a space constituted by the lower wiring board 10, the solder balls 30, and the upper wiring board 20). There is a light to reach. The light reaching other places is repeatedly reflected at various places in the space and reaches the surface of the resin 26 having irregularities. At this time, since irregular reflection by the surface irregularities 26 can be suppressed, it is possible to suppress the incidence of light (video) that should not be incident on the image sensor. Therefore, a good video can be reproduced.

これに対して、従来のカメラモジュールにおいては、開口部の端面の切り屑等がセンサ部に落下して本来の光（映像）を得ることができなかったが、本願のような構成を採ることにより、上述のように、本来の光（映像）を得ることができるようになった。   On the other hand, in the conventional camera module, chips or the like on the end face of the opening portion fell on the sensor unit and the original light (image) could not be obtained. As described above, the original light (image) can be obtained.

なお、従来の構造においては、レンズを駆動するための駆動ＩＣや受動素子を配線基板１０と筐体４０とによって形成される空間内に平面的に並べて配置する必要があったため面積が大きくなっていた。しかしながら、上述のように、本願の半導体モジュールをカメラモジュールに採用することにより、小型化したカメラモジュールを得ることができる。即ち、レンズを駆動するための駆動ＩＣや受動素子を上側の配線基板２０の開口部２１周辺に配置することができるための小型化が可能となる。   In the conventional structure, the driving IC and the passive element for driving the lens need to be arranged in a plane in the space formed by the wiring board 10 and the housing 40, so that the area is large. It was. However, as described above, by adopting the semiconductor module of the present application as a camera module, a miniaturized camera module can be obtained. That is, it is possible to reduce the size because the driving IC and the passive element for driving the lens can be arranged around the opening 21 of the upper wiring board 20.

なお、上述の図８において封止樹脂２８０で上側の配線基板２０を覆った構造を示したが、その封止樹脂２８０は必要に応じて設けるものである。封止樹脂を設けると、チップ部品２３を保護することができ、設けない場合にはその封止樹脂の分だけ軽量化を図ることができる。   8 shows the structure in which the upper wiring substrate 20 is covered with the sealing resin 280, the sealing resin 280 is provided as necessary. When the sealing resin is provided, the chip component 23 can be protected, and when not provided, the weight can be reduced by the amount of the sealing resin.

また、本願の半導体モジュールにおいては、上側の配線基板２０の外周端部は下側の配線基板１０の外周端部よりも内側にあるか、あるいは上側及び下側の配線基板の外周端部面が同一面であってもよい。   Further, in the semiconductor module of the present application, the outer peripheral end of the upper wiring board 20 is inside the outer peripheral end of the lower wiring board 10, or the outer peripheral end surfaces of the upper and lower wiring boards are The same surface may be sufficient.

（実施の形態３）
図９は、カメラモジュールに採用した断面形状を示す図である。図１０は、実施の形態３に係るカメラモジュールに採用した樹脂２６の端面２７の形状を示す要部拡大図である。実施の形態３のカメラモジュールの基本的な構成は、実施の形態２のカメラモジュールと同様である。実施の形態３のカメラモジュールについて、実施の形態２のカメラモジュールと同様な構成に関する説明を適宜省略する。 (Embodiment 3)
FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional shape adopted in the camera module. FIG. 10 is an enlarged view of a main part showing the shape of the end face 27 of the resin 26 employed in the camera module according to the third embodiment. The basic configuration of the camera module of the third embodiment is the same as that of the camera module of the second embodiment. Regarding the camera module according to the third embodiment, description of the same configuration as that of the camera module according to the second embodiment will be omitted as appropriate.

図１０に示すように、実施の形態３のカメラモジュールでは、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａと接する樹脂２６の端面２７の上方部分が開口部２１とは反対側にせり出した構造となっている。本実施の形態では、樹脂２６より外側に位置する上側の配線基板２０の第１の主面２０ａと樹脂２６の端面２７とがなす角度Θが９０°未満であり、好ましくは、４５°から５５°である。また、本実施の形態では、ＩＲカットフィルター２２の周縁部分が樹脂２６の端面２７の上端よりも外側に位置している（図９参照）。これにより、ＩＲカットフィルター２２、樹脂２６の端面２７、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａで囲まれた領域が形成されている。   As shown in FIG. 10, in the camera module according to the third embodiment, the structure in which the upper part of the end surface 27 of the resin 26 in contact with the first main surface 20 a of the upper wiring board 20 protrudes to the side opposite to the opening 21. It has become. In the present embodiment, the angle Θ formed by the first main surface 20a of the upper wiring board 20 positioned outside the resin 26 and the end surface 27 of the resin 26 is less than 90 °, and preferably 45 ° to 55 °. °. Moreover, in this Embodiment, the peripheral part of IR cut filter 22 is located outside the upper end of the end surface 27 of the resin 26 (refer FIG. 9). Thereby, a region surrounded by the IR cut filter 22, the end face 27 of the resin 26, and the first main surface 20a of the upper wiring board 20 is formed.

このように、樹脂２６の端面２７が逆テーパ状となった構造を採用することにより、樹脂２６の端面２７と上側の配線基板２０の第１の主面２０ａとの間の隙間にダスト３００が捕らえられる。当該ダスト３００の大きさは、半導体素子１１の受光面または発光面のセルサイズ以上であり、具体的には、１．４μｍ以上の大きさである。ダスト３００は、ＩＲカットフィルター２２を上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに搭載する前に発生した異物であり、具体的には、上側の配線基板２０をダイシングにより個片化する際に発生し、洗浄工程で除去しきれずに残った破片、開口部２１を覆うようにＩＲカットフィルター２２を上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに接着する際に発生する塵などである。   In this way, by adopting a structure in which the end surface 27 of the resin 26 has a reverse taper shape, the dust 300 is generated in the gap between the end surface 27 of the resin 26 and the first main surface 20a of the upper wiring board 20. Captured. The size of the dust 300 is equal to or larger than the cell size of the light receiving surface or the light emitting surface of the semiconductor element 11, and specifically, 1.4 μm or larger. The dust 300 is a foreign matter generated before the IR cut filter 22 is mounted on the first main surface 20a of the upper wiring board 20. Specifically, when the upper wiring board 20 is separated into individual pieces by dicing. Generated in the cleaning process, and the dust generated when the IR cut filter 22 is bonded to the first main surface 20a of the upper wiring board 20 so as to cover the opening 21. .

また、本実施の形態では、ＩＲカットフィルター２２、樹脂２６の端面２７、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａで囲まれた領域がポケット状に形成されているため、この領域にダスト３００が溜まりやすくなっており、一度捕らえられたダスト３００が放出されにくくなっている。   In the present embodiment, the region surrounded by the IR cut filter 22, the end surface 27 of the resin 26, and the first main surface 20a of the upper wiring board 20 is formed in a pocket shape. 300 is easy to accumulate, and dust 300 once captured is difficult to be released.

本実施の形態のような、樹脂２６の端面２７の逆テーパ形状は、図５（Ｂ）で説明した露光、現像過程で得ることができる。すなわち、樹脂２６は遮光性が高いため、露光により感光する部分が上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに近くなるほど、開口部２１の側にずれる。これにより、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａに接する樹脂２６の端面２７の上端部分が開口部２１とは反対側にせり出した逆テーパ構造が得られる。   The reverse taper shape of the end face 27 of the resin 26 as in the present embodiment can be obtained in the exposure and development processes described with reference to FIG. That is, since the resin 26 has a high light shielding property, the closer to the first main surface 20 a of the upper wiring substrate 20, the closer to the opening 21 side the portion exposed by exposure. As a result, an inverted taper structure in which the upper end portion of the end surface 27 of the resin 26 in contact with the first main surface 20a of the upper wiring board 20 protrudes to the side opposite to the opening 21 is obtained.

図１１は、変形例に係るカメラモジュールに採用した樹脂２６の端面２７の形状を示す要部拡大図である。実施の形態３では、樹脂２６の端面２７が逆テーパ構造となっているが、図１１に示すように、Θが９０°より大きい形状、すなわち樹脂２６の端面２７がテーパ状であり、かつ、ＩＲカットフィルター２２の周縁部分が樹脂２６の端面２７の上端よりも外側に位置していてもよい。これによれば、樹脂２６の端面２７とＩＲカットフィルター２２の下面との間の隙間にダスト３００が捕らえられる。さらに、ＩＲカットフィルター２２、樹脂２６の端面、上側の配線基板２０の第１の主面２０ａで囲まれたポケット状の領域にダスト３００を溜まりやすくすることができ、一度捕らえられたダスト３００が放出されにくくなっている。   FIG. 11 is an enlarged view of a main part showing the shape of the end face 27 of the resin 26 employed in the camera module according to the modification. In the third embodiment, the end surface 27 of the resin 26 has a reverse taper structure, but as shown in FIG. 11, Θ is larger than 90 °, that is, the end surface 27 of the resin 26 is tapered, and The peripheral edge portion of the IR cut filter 22 may be located outside the upper end of the end surface 27 of the resin 26. According to this, the dust 300 is trapped in the gap between the end surface 27 of the resin 26 and the lower surface of the IR cut filter 22. Furthermore, the dust 300 can be easily collected in the pocket-shaped region surrounded by the IR cut filter 22, the end face of the resin 26, and the first main surface 20 a of the upper wiring board 20. It is difficult to release.

１ 半導体モジュール、１０ 下側の配線基板、１１ 半導体素子、１５ 基材、１６ 受光部、１７ 凹部、２０ 上側の配線基板、２１ 開口部、２２ ＩＲカットフィルター、２３ 受動部品、２６ 樹脂、３０ はんだボール、３１ アンダーフィル、４０ 筐体、４１ レンズ、１６０ 第１の電極、１６１ 第２の電極   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor module, 10 Lower wiring board, 11 Semiconductor element, 15 Base material, 16 Light receiving part, 17 Recessed part, 20 Upper wiring board, 21 Opening part, 22 IR cut filter, 23 Passive component, 26 Resin, 30 Solder Ball, 31 underfill, 40 housing, 41 lens, 160 first electrode, 161 second electrode

Claims (12)

第１の主面と、前記第１の主面に対向する第２の主面と、前記第１の主面から前記第２
の主面に至る端面と、を有する素子搭載用基板において、
前記第１の主面及び前記第２の主面には、前記端面を介して連続的に覆われた遮光性樹
脂が設けられていることを特徴とする素子搭載用基板。 A first main surface, a second main surface opposite to the first main surface, and the second main surface from the first main surface to the second main surface.
In an element mounting substrate having an end surface reaching the main surface of
The element mounting substrate, wherein the first main surface and the second main surface are provided with a light-shielding resin continuously covered through the end surface. 前記遮光性樹脂の表面のうち前記第１の主面側及び前記第２の主面側の表面には凹凸が
備えられていることを特徴とする請求項１に記載の素子搭載用基板。 2. The element mounting substrate according to claim 1, wherein unevenness is provided on the first principal surface side and the second principal surface side of the surface of the light shielding resin. 前記凹凸は、前記端面を覆った遮光性樹脂の表面にさらに設けられており、この端面に
設けられた凹凸の深さは、前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられた前記凹凸の深
さよりも浅いことを特徴とする請求項２に記載の素子搭載用基板。 The unevenness is further provided on the surface of the light-shielding resin that covers the end surface, and the depth of the unevenness provided on the end surface is provided on the first main surface and the second main surface. The element mounting substrate according to claim 2, wherein the element mounting substrate is shallower than a depth of the unevenness. 前記第１の主面の接する前記遮光性樹脂の端面が前記第１の主面に対して傾きを有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の素子搭載用基板。   4. The element mounting substrate according to claim 1, wherein an end surface of the light shielding resin that is in contact with the first main surface is inclined with respect to the first main surface. 5. 半導体素子を搭載した第１の配線基板と、
前記半導体素子に対応した位置に開口部を備えた第２の配線基板と、
前記第２の配線基板の第１の主表面から、前記開口部の前記第２の配線基板の端面を介して連続的に前記第２の配線基板の第２の主表面までを覆う遮光性樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体モジュール。 A first wiring board on which a semiconductor element is mounted;
A second wiring board having an opening at a position corresponding to the semiconductor element;
A light-shielding resin that covers continuously from the first main surface of the second wiring board to the second main surface of the second wiring board through the end face of the second wiring board of the opening. When,
A semiconductor module comprising: 前記遮光性樹脂の表面のうち前記第１の主面側及び前記第２の主面側の表面には凹凸が
備えられていることを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。 6. The semiconductor module according to claim 5, wherein the first principal surface side and the second principal surface side of the surface of the light shielding resin are provided with irregularities. 前記第１の主面の接する前記遮光性樹脂の端面が前記第１の主面に対して傾きを有する請求項５または６に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to claim 5, wherein an end surface of the light-shielding resin that is in contact with the first main surface is inclined with respect to the first main surface. 受光または発光の機能を有する半導体素子を搭載した第１の配線基板と、
前記半導体素子に対応した位置に開口部を備えた第２の配線基板と、
前記第２の配線基板の第１の主表面から前記開口部の前記第２の配線基板の端面を介して前記第２の配線基板の第２の主表面までを覆う遮光性樹脂と、
前記第２の配線基板の前記第１の配線基板とは反対側に備えられている光学レンズと、を備えることを特徴とする光学モジュール。 A first wiring board on which a semiconductor element having a function of receiving or emitting light is mounted;
A second wiring board having an opening at a position corresponding to the semiconductor element;
A light-shielding resin that covers from the first main surface of the second wiring board to the second main surface of the second wiring board through the end face of the second wiring board of the opening;
An optical module comprising: an optical lens provided on a side of the second wiring board opposite to the first wiring board. 前記遮光性樹脂の表面のうち前記第１の主面側及び前記第２の主面側の表面には凹凸が
備えられていることを特徴とする請求項８に記載の光学モジュール。 The optical module according to claim 8, wherein unevenness is provided on the first principal surface side and the second principal surface side of the surface of the light shielding resin. 前記凹凸は、前記端面を覆った遮光性樹脂の表面にさらに設けられており、この端面に
設けられた凹凸の深さは、前記第１の主面及び前記第２の主面に設けられた前記凹凸の深
さよりも浅いことを特徴とする請求項８または９に記載の光学モジュール。 The unevenness is further provided on the surface of the light-shielding resin that covers the end surface, and the depth of the unevenness provided on the end surface is provided on the first main surface and the second main surface. 10. The optical module according to claim 8, wherein the optical module is shallower than the depth of the unevenness. 前記第１の主面の接する前記遮光性樹脂の端面が前記第１の主面に対して傾きを有する請求項８乃至１０のいずれか１項に光学モジュール。   The optical module according to claim 8, wherein an end surface of the light-shielding resin that is in contact with the first main surface is inclined with respect to the first main surface. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の素子搭載用基板、請求項５乃至７のうちいずれか１項に記載の半導体モジュール、または請求項８乃至１１のうちいずれか１項に記載の光学モジュールを備えたことを特徴とするカメラモジュール。   The element mounting substrate according to any one of claims 1 to 4, the semiconductor module according to any one of claims 5 to 7, or the semiconductor module according to any one of claims 8 to 11. A camera module comprising an optical module.
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