JP2011096695A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は電力用半導体装置に関し、特にモールド樹脂で一体封止した電力用半導体装置に関する。 The present invention relates to a power semiconductor device, and more particularly to a power semiconductor device integrally sealed with a mold resin.
半導体素子をモールド樹脂により封止した電力用半導体装置では、一般に、半導体装置を制御するための制御基板は、この半導体装置の外部に取り出された端子と接続される。即ち、数十A〜数百A程度の電流が流れるパワー回路部は、通常Cuフレームを用いて構成され、0.5〜10mm2程度の大きな断面積を有する。一方、ゲートのオンオフや過電流保護、短絡保護、温度保護などの保護機能、ゲート駆動の絶縁分離、および絶縁された電源回路などの保護回路は、流れる電流は数十mA程度であり、回路部の断面積は小さくても良いため、通常プリント配線板(制御基板)に作りこまれる。半導体装置の小型化のために、制御基板は半導体素子の上方に配置され、具体的には、半導体素子の電極に金属電極板が固定され、その金属電極板の上の広いスペースに制御基板が接着剤で固定された上で、制御基板と半導体素子はモールド樹脂により一体封止されて電力用の半導体装置が得られる。 In a power semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with a mold resin, in general, a control substrate for controlling the semiconductor device is connected to a terminal taken out of the semiconductor device. That is, the power circuit portion through which a current of about several tens of A to several hundreds of A flows is usually configured using a Cu frame and has a large cross-sectional area of about 0.5 to 10 mm 2 . On the other hand, the protection circuit such as gate on / off, overcurrent protection, short circuit protection, temperature protection, gate drive insulation isolation, and insulated power supply circuit, etc., has a current of about several tens of mA. Since the cross-sectional area may be small, it is usually built on a printed wiring board (control board). In order to reduce the size of the semiconductor device, the control board is arranged above the semiconductor element. Specifically, the metal electrode plate is fixed to the electrode of the semiconductor element, and the control board is placed in a wide space on the metal electrode plate. After being fixed with an adhesive, the control substrate and the semiconductor element are integrally sealed with a mold resin to obtain a power semiconductor device.
しかしながら、金属電極板を半導体素子に搭載するには、例えばボンディングワイヤ等の接続に用いない半導体素子の電極に、金属電極板をはんだで固定する必要があり、製造工程が増えるという問題があった。特に、良好なはんだ濡れ性を得るために、半導体素子の電極上に濡れ性の良い金属層を予め形成する必要があり、通常のウエハプロセスでは使用しないめっき工程が必要となり製造工程が複雑化する。 However, in order to mount a metal electrode plate on a semiconductor element, for example, it is necessary to fix the metal electrode plate to an electrode of a semiconductor element that is not used for connection of a bonding wire or the like with solder, which increases the manufacturing process. . In particular, in order to obtain good solder wettability, it is necessary to previously form a metal layer with good wettability on the electrode of the semiconductor element, which requires a plating process that is not used in a normal wafer process, and the manufacturing process becomes complicated. .
そこで、本発明は、金属電極板を用いずに、通常のウエハプロセスを用いて、半導体素子の上方に制御素子を配置した電力用半導体装置の提供を目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a power semiconductor device in which a control element is arranged above a semiconductor element using a normal wafer process without using a metal electrode plate.
本発明は、リードフレームと、リードフレームの素子配置面に固着された半導体素子と、半導体素子を制御するための制御基板とが、モールド樹脂で樹脂封止された半導体装置であって、リードフレームは素子配置面の法線方向に折り曲げられた制御基板固定部を含み、制御基板は制御基板固定部に固定されて、素子配置面の上方に素子配置面に略平行に保持されたことを特徴とする半導体装置である。 The present invention is a semiconductor device in which a lead frame, a semiconductor element fixed to an element arrangement surface of the lead frame, and a control board for controlling the semiconductor element are sealed with a mold resin. Includes a control board fixing part bent in the normal direction of the element arrangement surface, and the control board is fixed to the control board fixing part and held substantially parallel to the element arrangement surface above the element arrangement surface. This is a semiconductor device.
上述のように、本発明にかかる半導体装置では、金属電極板を用いることなくリードフレーム上に制御基板を配置することができ、簡単な製造工程で半導体装置の小型化が可能となる。 As described above, in the semiconductor device according to the present invention, the control substrate can be disposed on the lead frame without using the metal electrode plate, and the semiconductor device can be miniaturized with a simple manufacturing process.
実施の形態1.
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置であり、(a)は平面図、(b)は断面図である。ただし、(a)は、構成が分かりやすくなるように上部のモールド樹脂を除いて記載してある。
1A and 1B show a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, indicated as a whole by 100, wherein FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a cross-sectional view. However, (a) is shown excluding the upper mold resin so that the configuration can be easily understood.
図1(b)に示すように、リードフレーム20の一部は、リードフレーム20の平面(素子配置面)に対して垂直になるように(素子配置面の法線方向に)折り曲げられ、制御基板固定部11となっている。制御基板固定部11の上には、制御基板5が支持されている。制御基板固定部11は、制御基板5を支持しやすいように、複数設けられる。図1では、4本の制御基板固定部11が設けられている。
As shown in FIG. 1B, a part of the
図2にリードフレーム20を詳しく示す。リードフレーム20は、例えば銅からなり、主端子1、リード端子2を含む。またリードフレーム20の素子配置面の上には例えばパワーMOSFETやIGBTのような半導体素子3が固着されている。主端子1、リード端子2、および半導体素子3の間は、適宜、ワイヤ配線4で電気的に接続されている。
FIG. 2 shows the
制御基板5にはスルーホール6が設けられ、スルーホール6に制御基板固定部11が垂直に挿入されている。スルーホール6の横断面は円形であることが好ましいが、他の形状とすることもできる。リードフレーム20上の半導体素子3と、制御基板5上の電子部品9が干渉しないように、リードフレーム20と制御基板5との間を一定の距離(クリアランス)に保つように、両者を固着する。リードフレーム20の素子配置面と制御基板5とは略平行に保持される。
The
制御基板5の上には、半導体素子3を制御するための電子部品9が設けられている。電子部品9と半導体素子3とは、ワイヤ配線10で電気的に接続される。更に、リードフレーム20や制御基板5は、モールド樹脂12により樹脂封止され、モールド樹脂12の両側から、主端子1とリード端子2が突き出した構成となっている。モールド樹脂12は、例えばエポキシ樹脂からなる。
On the
また、リードフレーム20の下方には、絶縁シート13を介してヒートシンク14が設けられている。絶縁シート13は、例えばエポキシ樹脂からなり、ヒートシンク14は例えば銅からなる。
A
図3は、制御基板固定部11の端部の拡大図である。制御基板固定部11の先端は細くなり、スルーホール6の径と同じ径の挿入部15と、保持部16が設けられ、段差構造となっている。スルーホール6に挿入部15を挿入すると、保持部16が制御基板5の下面に当接されて制御基板5を支える。このように、制御基板5を保持部16で支えることで、垂直方向の位置ずれを防止できる。即ち、このように制御基板5を段差構造で保持することで、制御基板5上にワイヤボンディングを行う際の超音波振動の伝達ロスを低減し、接合不良を抑制できる。また、トランスファーモールド等を用いたモールド樹脂12による樹脂封止時に発生する制御基板5の位置ずれやたわみ等も抑制できる。更に、挿入部15とスルーホール6の横断面を略同一形状(ここでは同一半径の円)とすることで、接触荷重により両者を固定することができる。なお、スルーホール6に挿入部15を挿入した後、両者をはんだ付けしてもよい。
FIG. 3 is an enlarged view of an end portion of the control
ここで、ワイヤボンディングは、電力用半導体装置で一般的に用いられている配線方法である。直径200〜500μm程度の断面積を有するアルミ太線を、常温で加圧ツールを用いて電極に押し付け、超音波振動を印加し、アルミ太線および接合対象の電極表面を変形させる。アルミ太線の表面および接合対象の電極の表面は、表面の吸着物を破壊しながら接合界面に新生面を出現させ、凝着が進行して接合される。このように超音波振動および加圧により主にアルミ太線を変形させるが、超音波の伝達ロスが生じると、接合界面において実際の接合に寄与するエネルギが減少し問題となる。即ち、ボンディングを行う電極の固定状態が不安定で、超音波振動によって滑るなどの問題があると、伝達ロスが大きくなり、接合界面で実際に接合に寄与するエネルギが減る。このため、電極および基板、リードフレームなどの固定状態が接合の安定性を確保するために非常に重要である。 Here, wire bonding is a wiring method generally used in power semiconductor devices. An aluminum thick wire having a cross-sectional area of about 200 to 500 μm in diameter is pressed against the electrode using a pressure tool at room temperature, and ultrasonic vibration is applied to deform the aluminum thick wire and the electrode surface to be joined. The surface of the aluminum thick wire and the surface of the electrode to be joined are joined by causing a new surface to appear at the joining interface while destroying the adsorbed material on the surface, and the adhesion proceeds. In this way, the aluminum thick wire is mainly deformed by ultrasonic vibration and pressurization. However, when an ultrasonic transmission loss occurs, energy that contributes to actual bonding is reduced at the bonding interface, which becomes a problem. That is, if the fixing state of the electrode for bonding is unstable and there is a problem such as slipping due to ultrasonic vibration, the transmission loss increases, and the energy that actually contributes to the bonding is reduced at the bonding interface. For this reason, the fixed state of the electrode, the substrate, the lead frame, and the like is very important for ensuring the stability of the bonding.
上述のような段差構造を用いて制御基板固定部11と制御基板5とを固定することで両者を強く固定することができ、制御基板5上でのボンディング工程における超音波振動の伝達ロスを低減し、効率のよいワイヤボンディングが可能となる。
By fixing the control
図4は、本実施の形態の他の制御基板固定部11の端部の拡大図である。制御基板固定部11の先端の挿入部17は、横幅がスルーホール6の径よりも少し大きく、かつ中央に貫通穴を有するプレスフィット形状となっている。プレスフィット形状の挿入部17を変形させながらスルーホール6に圧入することで、挿入部17とスルーホール6の接触荷重が増大し、制御基板5と制御基板固定部11とをより強固に固定できる。即ち、制御基板のスルーホールとプレスフィット形状の挿入部は、固定した後の遊びがない状態で固定される。
FIG. 4 is an enlarged view of an end portion of another control
このように、本実施の形態1にかかる半導体装置100では、制御基板5とリードフレーム20と間のクリアランスを一定に保つように固定するため、リードフレーム20上の半導体素子3と制御基板5上の電子部品の間の干渉を防止でき、品質安定性を確保できる。
As described above, in the
また、図1(a)に示すように、制御基板5の幅(図1(a)の上下方向の長さ)をリードフレームの幅(図1(a)の上下方向の長さ)より大きくし、ワイヤボンディング装置で制御基板5を保持する制御基板保持部8を備えることで、ワイヤボンディングを行う場合に、ワイヤボンディング装置で制御基板5を保持し易くなり、ワイヤボンディングを容易にかつ確実に行うことができる。
Further, as shown in FIG. 1A, the width of the control board 5 (the vertical length in FIG. 1A) is larger than the width of the lead frame (the vertical length in FIG. 1A). In addition, by providing the control board holding unit 8 that holds the
制御基板5では、制御基板保持部8とパッド部7とが、同一直線上に配置されることが好ましい。即ち、制御基板保持部8からパッド部7までの直線距離が短いほど安定して固定される。また、パッド部7のワイヤボンドを行う場合、パッド部7がこの直線からずれると、ワイヤボンド時の荷重により、捩れる方向に力が作用する。制御基板5は樹脂材料からなるため、ある程度の弾性変形が生じ制御基板5が傾く。制御基板5が傾いた場合、超音波振動を与えてパッド部7に押し付けられたアルミワイヤの凝着が十分形成されていない接合初期段階において、ワイヤの先端がパッド部7の表面で滑る現象が生じやすくなる。このため、ワイヤボンド用のパッド部7は直線上に配置され、その直線の延長線上に、制御基板保持部8が形成されることが好ましい。
In the
また、制御基板保持部8は、例えば横断面が1mm×5mm程度の大きさで、略平坦な領域からなる。多数の制御基板保持部8を形成することは、面積効率が悪いため困難である。そこで図1のように、パッド部7を直線的に配置し、その直線の延長線上に1対の制御基板保持部8を配置した。なお、リードフレームの一部を垂直に折り曲げて加工する場合、この延長線上からオフセットされている。
Further, the control board holding unit 8 has a substantially flat region having a cross section of about 1 mm × 5 mm, for example. It is difficult to form a large number of control board holders 8 because the area efficiency is poor. Therefore, as shown in FIG. 1, the
また、リードフレーム20と制御基板5の、少なくとも一部に予め樹脂をコーティングしておくことで、樹脂モールド時の効率や、樹脂モールド後のモールド樹脂との密着性を向上させることができる。即ち、半導体装置の信頼性に関わる、ボイドや剥離の発生を抑制することができる。コーティングする樹脂材料は、例えばポリイミドやポリアミドイミド等である。
In addition, by coating the
実施の形態2.
図5は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置であり、(a)に平面図、(b)に断面図を示す。ただし、(a)は、構成が分かりやすくなるように上部のモールド樹脂を除いて記載してある。
FIGS. 5A and 5B show a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, the whole being represented by 200, wherein FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is a cross-sectional view. However, (a) is shown excluding the upper mold resin so that the configuration can be easily understood.
本実施の形態にかかる半導体装置200では、制御基板固定部11で制御基板5を支持するとともに、曲げ加工されたリードフレーム20のリード端子2が制御基板5に設けられた複数のスルーホール21に挿入されて、スルーホール21内の導電体22を介して制御基板5に設けられた回路に電気的に接続されている。
In the
図6は、本実施の形態2にかかるリード端子2の端部の拡大図である。リード端子2の先端の挿入部18は、横幅がスルーホール21の径よりも少し大きく、かつ中央に貫通穴19を有するプレスフィット形状となっている。プレスフィット形状の挿入部18を変形させながらスルーホール21に圧入することで、挿入部18とスルーホール21の接触荷重が増大し、制御基板5とリード端子2とを強固に固定できる。
FIG. 6 is an enlarged view of an end portion of the
制御基板5を保持するための制御基板固定部11により、制御基板5とリードフレーム20は一定のクリアランスを保っている。このため、制御基板5上の電子部品とリードフレーム上の半導体素子3が干渉することなく、モールド樹脂12で一体封止できる。
The
このようにリードフレーム20のリード端子2を曲げて配線にも用いることで、制御基板5をより安定して固定できワイヤボンドの安定性が増すとともに、配線工数を減らすことができ、製造工程を簡略化できる。
Thus, by bending the
1 主端子、2 リード端子、3 半導体素子、4 ワイヤ配線、5 制御基板、6 スルーホール、7 パッド部、8 制御基板保持部、9 電子部品、10 ワイヤ配線、11 制御基板固定部、12 モールド樹脂、13 絶縁シート、14 ヒートシンク、15 挿入部、16 保持部、17 挿入部、18 挿入部、19 貫通孔、20 リードフレーム、21 スルーホール、100 半導体装置。
DESCRIPTION OF
Claims (8)
該リードフレームは該素子配置面の法線方向に折り曲げられた制御基板固定部を含み、該制御基板は該制御基板固定部に固定されて、該素子配置面の上方に該素子配置面に略平行に保持されたことを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device in which a lead frame, a semiconductor element fixed to an element arrangement surface of the lead frame, and a control board for controlling the semiconductor element are resin-sealed with a mold resin,
The lead frame includes a control board fixing portion bent in a normal direction of the element arrangement surface, and the control board is fixed to the control board fixing portion, and is substantially above the element arrangement surface to the element arrangement surface. A semiconductor device which is held in parallel.
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