JP2011093777A - 単結晶体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質なGaN,AlN,AlGaNなどの単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶体の製造方法は、単結晶3bを形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板3aを、回転軸Aが鉛直方向となるように回転させる工程と、水平方向に開口したガス供給口4cを先端に有し、同軸構造の外筒部4bと内筒部4aとから構成され、内筒部4aのガス供給口4cの中心軸Bが鉛直方向で且つ前記回転軸Aの延長線上から離間したガス供給管4において、前記内筒部4aから3族元素ガスまたは5族元素ガスのいずれか一方を、前記内筒部4aと前記外筒部4bとの間から3族元素ガスまたは5族元素ガスの他方のガスを前記種基板3aに供給させる工程と、を具備する。
【選択図】図1
【解決手段】単結晶体の製造方法は、単結晶3bを形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板3aを、回転軸Aが鉛直方向となるように回転させる工程と、水平方向に開口したガス供給口4cを先端に有し、同軸構造の外筒部4bと内筒部4aとから構成され、内筒部4aのガス供給口4cの中心軸Bが鉛直方向で且つ前記回転軸Aの延長線上から離間したガス供給管4において、前記内筒部4aから3族元素ガスまたは5族元素ガスのいずれか一方を、前記内筒部4aと前記外筒部4bとの間から3族元素ガスまたは5族元素ガスの他方のガスを前記種基板3aに供給させる工程と、を具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、GaN,AlN,AlGaNなどの単結晶体を気相成長法によって成長させる単結晶体の製造方法に関するものである。
GaN,AlGaNなどの窒化物体は、例えば、発光ダイオード(LED),半導体レーザ(LD)などの発光素子,トランジスタ,パワーFET(Field Effect Transistor)などのパワーデバイスなどの電子素子などに用いられ、今後、使用の拡大が見込まれている。
しかしながら、GaN,AlGaNなどの3族窒化物単結晶体は、高融点であること、N(窒素)の平衡蒸気圧が高いことなどから、液相からのバルク型の単結晶の製造が困難である。そのため、サファイア(Al2O3),炭化珪素(SiC)などの種基板上に薄膜を気相成長させて、その薄膜を各種デバイス用に利用することが行われている。
例えば、特許文献1には、ハイドライド気相成長法を用い、アンモニアガスと塩化ガリウムガスとをそれぞれ異なるガス供給管から種基板上に設ける技術が記載されている。
しかし、特許文献1の製造方法では、アンモニアガスと塩化ガリウムガスとが十分に混合されず、高品質な単結晶体が得られない傾向があった。さらに、得られた単結晶体の厚みの分布にばらつきがあるため、単結晶体を厚膜成長させる場合に、厚み分布のばらつきがさらに大きくなり、十分な品質が得られず、また、この単結晶体から単結晶基板を切り出す場合、単結晶基板の取り数が減少する傾向があった。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、厚み分布のばらつきが小さく、高品質な単結晶体を提供することにある。
本発明の一実施形態にかかる単結晶体の製造方法は、気相成長法を用いた単結晶体の製造方法であって、単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、水平方向に開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成され、内筒部のガス供給口の中心軸が鉛直方向で且つ前記回転軸の延長線上から離間したガス供給管のガス供給口において、前記内筒部から3族元素ガスまたは5族元素ガスのいずれか一方を、前記内筒部と前記外筒部との間から3族元素ガスまたは5族元素ガスの他方のガスを前記種基板に供給させる工程と、を具備する。
前記種基板が円板状であるとき、前記種基板の回転軸の延長線と、前記内筒部のガス供給口の中心軸と、の離間距離は、前記種基板の直径に対して5〜25%であることが好ましい。
前記気相成長法は、ハイドライド気相成長法であることが好ましい。
前記気相成長法は、ホモエピタキシャル成長であることが好ましい。
前記3族元素ガスは、塩化ガリウム、塩化アルミニウムおよび塩化インジウムからなる群から選ばれる1種以上であることが好ましい。
前記単結晶体は窒化ガリウムであることが好ましい。
本発明の単結晶体の製造方法によれば、気相成長法において前述のような特定のガス供給管から3族元素ガスおよび5族元素ガスを種基板の供給し、さらに、ガス供給管の内筒部の開口中心軸が鉛直方向で且つ種基板の回転軸延長線と離間していることにより、厚みの分布のばらつきが小さく、高品質な単結晶体を提供することができる。
以下、本発明の単結晶体の製造方法について、実施形態の一例を説明する。
本発明の単結晶体の製造方法は、気相成長法を用いる。気相成長法としては、ハイドライド気相成長法(HVPE法)、有機金属気相成長法(MOVPE法)、昇華法などが挙げられる。なかでも、成長速度が速く、品質も良く、窒化物体を作製させやすいという理由によりHVPE法が好ましい。以下、HVPE法を用いた例で説明する。
(工程1)
本発明の一実施形態の単結晶体の製造方法は、種基板3aを回転させる工程を含む(工程1)。
本発明の一実施形態の単結晶体の製造方法は、種基板3aを回転させる工程を含む(工程1)。
図1において種基板3aは気相成長装置Sの保持体1上に設けられる。種基板3aは、単結晶を成長させるための主面が水平になるように設けられている。ここで、水平とは重力方向と直角に交わる方向を示し、−5°〜5°の範囲内のずれは許容とする。
図1において保持体1は、その中心軸を中心として種基板3aを回転させる機構を設けている。これにより保持体1は回転方向8に回転することで種基板3aを回転させる。これにより、種基板3a上に成長させる単結晶の均一性を向上させることができる。なお、回転数としては、例えば、2rpm〜50rpm程度の範囲から選択することが可能である。
種基板3は鉛直方向に回転軸Aを有する。ここで、鉛直方向とは重力方向を示し、−5°〜5°の範囲内のずれは許容とする。
保持体1にはグラファイトを用いることができるが、単結晶体の原料ガスとして腐食性のアンモニアおよび塩化水素を使用する場合、表面にSiC、BNおよびTaCからなる群から選ばれる1種以上をコーティングしておくことが好ましい。なお、コーティング法としては、CVD法、スパッタ法などが挙げられる。これにより保持体1の耐食性が向上する。なお、BNのなかでもPBNが好ましい。PBNとは、焦性窒化ホウ素(パイロリティックBN(p−BN))である。
(工程2)
本発明の一実施形態の単結晶体の製造方法は、特定の位置に設けた特定のガス供給管から3族元素ガスおよび5族元素ガスを種基板3aに供給させる工程を含む(工程2)。ここで、3族元素ガスとは、周期表の第13族元素(たとえば、ガリウム、アルミニウム、インジウムなど)を含むガスをいう。例えば、塩化ガリウム、塩化アルミニウム、塩化インジウムなどが挙げられる。また、5族元素ガスとは、周期表の第15族元素(たとえば、窒素、砒素など)を含むガスをいい、例えば、アンモニアなどが挙げられる。
本発明の一実施形態の単結晶体の製造方法は、特定の位置に設けた特定のガス供給管から3族元素ガスおよび5族元素ガスを種基板3aに供給させる工程を含む(工程2)。ここで、3族元素ガスとは、周期表の第13族元素(たとえば、ガリウム、アルミニウム、インジウムなど)を含むガスをいう。例えば、塩化ガリウム、塩化アルミニウム、塩化インジウムなどが挙げられる。また、5族元素ガスとは、周期表の第15族元素(たとえば、窒素、砒素など)を含むガスをいい、例えば、アンモニアなどが挙げられる。
ガス供給管4は、図2に示すようにガス供給口4c付近にて同軸構造となるように設けられた外筒部4bと内筒部4aとから構成される。同軸構造とすることで、ガス供給管4のガス供給口4cから供給された3族元素ガスおよび5族元素ガスが種基板3a上にて均一に混合され、結果として結晶性に優れ、厚みのばらつきが少ない単結晶体の作製が可能となる。
図1の場合、内筒部4aから3族元素ガス5aが供給され、内筒部4aと外筒部4bとの隙間から5族元素ガス5bが供給されるが、内筒部4aから5族元素ガスが供給され、内筒部4aと外筒部4bとの隙間から3族元素ガスが供給されてもかまわない。
図1のように、ガリウム容器7bをガス供給管4内に設けることが可能であり、さらに、結晶性に優れ、厚みのばらつきが少ない単結晶体を好適に作製できるように3族元素ガスおよび5族元素ガスを供給できるため、内筒部4aから3族元素ガス5aが供給され、内筒部4aと外筒部4bとの隙間から5族元素ガス5bが供給されることがより好ましい。
図3に示すように工程2において用いるガス供給管4は、種基板3aの回転軸Aの延長線と、ガス供給口4cにおける内筒部4aの中心軸Bと、が離間している。回転軸Aの延長線と中心軸Bとが重なっている場合、作製された単結晶体の表面は回転軸A付近に頂点をもつ山型の形状を示す傾向があり、単結晶体の厚みにばらつきが発生するが、本発明のように、回転軸Aと中心軸Bとを離間させることで、作製される単結晶体の厚み分布のばらつきを低減させることができる。
種基板3aが図3に示すような円板状である場合、回転軸Aの延長線と中心軸Bとの離間距離9は、種基板3aの直径10の長さに対して5〜25%であることが好ましく、10〜20%であることがより好ましい。これにより、厚みが十分に均一化された単結晶体が得られる。
工程2のように、回転軸Aと中心軸Bを離間させ、同軸構造の外筒部4bと内筒部4aとを有するガス供給管4を用いて気相成長法を行うことにより、厚みが均一化され、さらに、高品質な単結晶体を作製することができる(例えば、図4に示すような、円柱状の単結晶体)。そのため、単結晶体の厚みを1mm以上(好ましくは10mm以上、最も好ましくは25mm以上)と成長させても、平均転位密度が1×109cm−2以下と低い高品質な単結晶体が得られる。このように、大きな厚みを有し、かつ結晶品質のばらつきが小さい単結晶体から、ダイシングにより、複数枚の単結晶基板を切り出すことができる。
以上の説明において種基板3aの具体例として、サファイアを用いた。種基板3aとしては他に、GaN,AlGaNなどの3族窒化物単結晶体、SiC、GaN単結晶、AlN単結晶、またはGaN単結晶およびAlN単結晶の混晶などを挙げることができる。種基板3aとしては、得られる単結晶体の品質に優れることから、成長させる単結晶体と同一の材料、つまり、ホモエピタキシャル成長させるものが好ましい。例えば、GaN単結晶体を作製する場合、種基板3aとしてはGaN基板が好ましい。成長用の種基板3aの厚みは0.3〜0.6mm程度である。また、種基板3aが円板状である場合、種基板3aの直径は20mm〜60mmである。
気相成長装置Sを形成する装置本体2とガス供給管4bとは、石英などからなり、形状は円筒状、角筒状などの筒状体のものが好適に用いられる。
単結晶体の製造にて行われる加熱は、図1の場合、装置本体2の外周部に周設されたヒータ6aおよび6bを用いて行われる。ヒータ6aおよび6bは、単結晶成長開始時は1000〜1300℃とする。
3族元素ガスである塩化ガリウムは、図1に示すように、金属ガリウムを石英製のガリウム容器7bに充填して加熱によりガリウム融液7aを作製し、約800℃で塩化水素ガスを流して反応させることにより生成される。このためには、原料供給側のヒータ6bを所定の温度に加熱することにより、ガリウム容器7を加熱するとよい。このようにして生成した塩化ガリウムガス5aに、アンモニアガス5bを混合させて、所定の温度とした種基板3aに供給することによって種基板3aの表面にGaNの単結晶体3bを高速で成長させることができる。なお、反応時の圧力は、通常、HVPE法では大気圧(常圧)とする。
アンモニアガスと、塩化ガリウムガスの原料である塩化水素ガスと、の流量比は、アンモニアガスの流量が塩化水素ガスの流量の15〜80倍程度とするとよい。この比率とすることによって、GaN単結晶体の成長速度を高めることができ、GaN単結晶体中の転位を増加させる柱状結晶の成長を抑えることができる。
図示していないが、気相成長装置Sには、原料ガスを乱流の起こらないように層流にしたり、成長に寄与できなかった反応生成物を装置の外部に運んだり、石英管2の内側に付着物が付着することを防止したりするために導入されるカウンターフローを用いてもよい。カウンターフロー用のガスとしては、窒素、水素またはこれらの混合ガスを用いることができる。
得られた単結晶体3bは、例えば、以下に示す方法により基板形状に加工される。
まず、ダイアモンド砥石を使用して成長させた単結晶体3bを外周研削して所定の外径とする。次に、単結晶体を、ダイアモンド砥粒などを固着させたワイヤ、または、真鍮ワイヤにダイアモンドまたはSiC砥粒をスラリーで滴下しながら、ワイヤの往復運動で結晶を切断するワイヤーソーにより、所定厚み(例えば0.6mm)のウェハ形状に切り出す。
そして、単結晶ウェハの両面をダイアモンド砥粒、または、SiC砥粒を用いて粗研磨した後に、コロイダルシリカを用いてデバイス工程で使用する表面を鏡面研磨することにより、単結晶ウェハ基板を得る。
以上より、光学素子、電子素子に適用される窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長するのに好適なバルク型でかつ高品質な単結晶基板の製造が可能となる。
以下に実施例を示す。
実施例として、GaN種基板3a(直径52mm、厚み0.4mm、円板状)の回転軸Aの延長線と、ガス供給口4cにおける内筒部4aの中心軸Bと、の離間距離9が7.5mmとなるようにガス供給管4が設けられた図1に示すHVPE装置を用いてGaN単結晶体3bの作製をおこなった。なお、ガス供給管4において、内筒部4aの直径は10mm、外筒部4bの直径は23mmであった。また、ガス供給口4cと種基板3aとの距離は50mmとした。
種基板3aを10rpmで回転させ、内筒部4aから塩化ガリウムガスを、内筒部4aと外筒部4bとの隙間からアンモニアガスを、それぞれ流速69mm/sで種基板3aに吹き付けて、GaN単結晶体3bを約0.2mmの厚みまで成長させた。このとき、ヒータ6aおよび6bの温度は1150℃に設定した。
一方、比較例として、種基板3aの回転軸Aの延長線と、ガス供給口4cにおける内筒部4aの中心軸Bと、が重なっている以外は実施例のHVPE装置と同様の装置にて、同様の方法によりGaN単結晶体3bを約1mmの厚みまで成長させた。
実施例および比較例にてそれぞれ得られたGaN単結晶体3bの厚みの分布のばらつきを測定した。
具体的には、円板状のGaN単結晶体3b上面の中心を基準点とし、その基準点から径方向に5mmずつ離れた点にて厚みをそれぞれ測定した。
実施例にて得られたGaN単結晶体3bの厚み(種基板3aの厚みを除く)は、測定位置が、0mm、5mm、10mm、15mm、20mm、25mmのとき、それぞれ0.18mm、0.18mm、0.17mm、0.14mm、0.13mm、0.12mmであり、厚みのばらつきは38%であった。なお、本発明において「単結晶体3bのばらつき」とは、それぞれの測定位置において測定した単結晶体3bの厚みの平均値に対するそれぞれ測定した厚みの中での最大値と最小値との差の比を計算し、パーセント表示したものである。
比較例にて得られたGaN単結晶体3bについても円板状のGaN単結晶体3b上面の中心を基準点とし、測定位置が、0mm、5mm、10mm、15mm、20mm、25mmのときのGaN単結晶体3bの厚み(種基板3aの厚みを除く)は、それぞれ1.2mm、1.1mm、0.93mm、0.72mm、0.52mm、0.48mmでありであり、厚みのばらつきは82%であった。
このように、本発明の一実施態様の単結晶体製造方法を用いることで、得られた単結晶体の厚みのばらつきを低減する効果が得られた。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
また、図1では、種基板3aの成長面が鉛直方向に対して上向きとなるように、ガス供給管4を種基板3a上に設けた気相成長装置Sを具体例として挙げたが、種基板3aの成長面が鉛直方向に対して下向きとなるように、ガス供給管4上に種基板3aを設けた気相成長装置を用いてもよい。
S:気相成長装置
1:保持体
2:装置本体
3a:種基板
3b:(成長した)単結晶体
4:ガス供給管
4a:内筒部
4b:外筒部
4c:ガス供給口
5a:3族元素ガス
5b:5族元素ガス
6a,6b:ヒータ
7a:ガリウム融液
7b:ガリウム容器
8:保持体1の回転方向
A:種基板3aの回転軸
B:ガス供給口4cのうち内筒部4aのガス供給口の中心軸
9:回転軸Aの延長線と中心軸Bとの離間距離
10:種基板3aの直径
1:保持体
2:装置本体
3a:種基板
3b:(成長した)単結晶体
4:ガス供給管
4a:内筒部
4b:外筒部
4c:ガス供給口
5a:3族元素ガス
5b:5族元素ガス
6a,6b:ヒータ
7a:ガリウム融液
7b:ガリウム容器
8:保持体1の回転方向
A:種基板3aの回転軸
B:ガス供給口4cのうち内筒部4aのガス供給口の中心軸
9:回転軸Aの延長線と中心軸Bとの離間距離
10:種基板3aの直径
Claims (6)
- 気相成長法を用いた単結晶体の製造方法であって、
単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、
水平方向に開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成され、内筒部のガス供給口の中心軸が鉛直方向で且つ前記回転軸の延長線上から離間したガス供給管のガス供給口において、前記内筒部から3族元素ガスまたは5族元素ガスのいずれか一方を、前記内筒部と前記外筒部との間から3族元素ガスまたは5族元素ガスの他方のガスを前記種基板に供給させる工程と、
を具備する単結晶体の製造方法。 - 前記種基板が円板状であるとき、
前記種基板の回転軸の延長線と、前記内筒部のガス供給口の中心軸と、の離間距離は、前記種基板の直径に対して5〜25%である請求項1記載の単結晶体の製造方法。 - 前記気相成長法が、ハイドライド気相成長法である請求項1または2記載の単結晶体の製造方法。
- 前記気相成長法が、ホモエピタキシャル成長である請求項1乃至3のいずれか記載の単結晶体の製造方法。
- 前記3族元素ガスは、塩化ガリウム、塩化アルミニウムおよび塩化インジウムからなる群から選ばれる1種以上である請求項1乃至4のいずれか記載の単結晶体の製造方法。
- 前記単結晶体は窒化ガリウムである請求項1乃至5のいずれか記載の単結晶体の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009270124A JP2011093777A (ja) | 2009-09-29 | 2009-11-27 | 単結晶体の製造方法 |
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JP2009270124A Pending JP2011093777A (ja) | 2009-09-29 | 2009-11-27 | 単結晶体の製造方法 |
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