JP2011084711A - Resin composition for circuit board, prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents

Resin composition for circuit board, prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition for a circuit board, which has a low thermal expansion rate and excellent heat resistance and adhesiveness with a conductor circuit; a prepreg using the resin composition; a laminate; a printed wiring board; and a semiconductor device. <P>SOLUTION: The resin composition for a circuit board includes following compounds as essential constituents: a compound (A) having two or more maleimide groups in the molecule; a compound (B) having two or more amino groups in the molecule and having an aromatic ring structure; and a compound (C) wherein hydroxy groups are bonded individually to two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、回路基板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板、プリント配線板、及び半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition for circuit boards, a prepreg, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device.

近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して小型化かつ高密度化が進んでいる。   In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices, etc., the integration of electronic components and the mounting of high-density packaging have been progressing. In addition, miniaturization and higher density are progressing.

プリント配線板を薄くした場合は、実装信頼性の低下、プリント配線板の反りが大きくなるという問題が生じるため、プリント配線板に用いられる樹脂組成物の熱膨張率を下げ、ガラス転移温度を高くする方法が様々検討されている。   If the printed wiring board is made thinner, the mounting reliability will decrease and the warpage of the printed wiring board will increase. Therefore, the thermal expansion coefficient of the resin composition used for the printed wiring board will be lowered, and the glass transition temperature will be increased. Various methods have been studied.

低熱膨張率と高ガラス転移温度とを兼ね備えた樹脂組成物として、マレイミド樹脂と、ジアミン類化合物を反応させることが一般に知られている(例えば、特許文献1、及ぶ2に記載。)。低熱膨張率と高耐熱性とを十分に発現するためには、マレイミド樹脂と、ジアミン化合物とを完全に反応させることが必要であるが、完全に反応させるためには高温で反応させることが必要であり、低温での反応では十分に反応が進まないことから、十分な低熱膨張率と高耐熱性とを得ることができなかった。また、高温で反応させると、マレイミド樹脂が自己重合するため、硬化収縮が大きくなり、プリント配線板等に用いた場合、十分な導体回路との密着性を得ることができなかった。   As a resin composition having both a low coefficient of thermal expansion and a high glass transition temperature, it is generally known to react a maleimide resin and a diamine compound (for example, described in Patent Documents 1 and 2). In order to fully develop low thermal expansion coefficient and high heat resistance, it is necessary to completely react maleimide resin and diamine compound, but it is necessary to react at high temperature in order to completely react. Since the reaction does not proceed sufficiently in the reaction at a low temperature, a sufficient low coefficient of thermal expansion and high heat resistance could not be obtained. Further, when reacted at a high temperature, the maleimide resin self-polymerizes, so that the curing shrinkage increases, and when used for a printed wiring board or the like, sufficient adhesion with a conductor circuit cannot be obtained.

特開平05−86138号公報JP 05-86138 A 特開2006−104337号公報JP 2006-104337 A

本発明は、熱膨張率が低く、耐熱性、及び導体回路との密着性に優れる回路基板用樹脂組成物、並びに、これを用いたプリプレグ、積層板、プリント配線板、及び、半導体装置を提供するものである。   The present invention provides a resin composition for a circuit board having a low coefficient of thermal expansion, excellent heat resistance and adhesion to a conductor circuit, and a prepreg, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device using the same. To do.

このような目的は、下記[1]〜[8]項に記載の本発明により達成される。
[1](A)分子内に2つ以上のマレイミド基を有する化合物、(B)分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を有する化合物と、(C)芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を必須成分とすることを特徴とする回路基板用樹脂組成物。
[2]前記(C)芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が、ジヒドロキシナフタレン、カテコール、およびピロガロールよりなる群から選ばれる少なくとも1種である[1]項に記載の回路基板用樹脂組成物
[3]前記(B)分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を有する化合物が、ジアミノジフェニルスルホンである[1]または[2]項に記載の回路基板用樹脂組成物
[4][1]ないし[3]項のいずれかに記載の回路基板用樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。
[5][4]項に記載のプリプレグを少なくとも1枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有する積層板。
[6][1]ないし[3]項のいずれかに記載の回路基板用樹脂組成物よりなる絶縁層をフィルム上、又は金属箔上に形成してなる樹脂シート。
[7][4]項に記載のプリプレグ、[5]項に記載の積層板、および[6]項に記載の樹脂シートからなる群より選ばれる少なくとも1つを用いて作製されるプリント配線板。
[8][7]項に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
Such an object is achieved by the present invention described in the following items [1] to [8].
[1] (A) a compound having two or more maleimide groups in the molecule, (B) a compound having two or more amino groups in the molecule and having an aromatic ring structure, and (C) an aromatic ring A resin composition for a circuit board, comprising as an essential component a compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms that constitute the above.
[2] The compound (C) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting the aromatic ring is at least one selected from the group consisting of dihydroxynaphthalene, catechol, and pyrogallol [1] [3] The resin composition for circuit boards according to [3], wherein the compound (B) having two or more amino groups in the molecule and having an aromatic ring structure is diaminodiphenylsulfone [1] or [ [2] A prepreg obtained by impregnating a substrate with the circuit board resin composition according to any one of [1] to [3].
[5] A laminate having a metal foil on at least one side of a laminate obtained by superposing at least one prepreg according to the item [4].
[6] A resin sheet obtained by forming an insulating layer made of the resin composition for circuit boards according to any one of [1] to [3] on a film or a metal foil.
[7] A printed wiring board produced using at least one selected from the group consisting of the prepreg according to the item [4], the laminate according to the item [5], and the resin sheet according to the item [6]. .
[8] A semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on the printed wiring board according to the item [7].

本発明の回路用樹脂組成物は、熱膨張率が低く、優れた耐熱性を有し、プリント配線板等に用いた場合、導体回路との密着性に優れる。   The resin composition for a circuit of the present invention has a low coefficient of thermal expansion, excellent heat resistance, and excellent adhesion to a conductor circuit when used for a printed wiring board or the like.

以下、本発明の回路基板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板、プリント配線板、及び半導体装置について説明する。   Hereinafter, the resin composition for circuit boards, the prepreg, the laminated board, the printed wiring board, and the semiconductor device of the present invention will be described.

本発明の回路板用樹脂組成物は、ガラス繊維基材等の基材に含浸させプリプレグ、前記プリプレグを用いた積層板に用いることができる。
また、本発明の回路板用樹脂組成物は、優れた絶縁性を有することから、例えばプリント配線板の絶縁層に用いることができる。
さらに本願発明の回路用樹脂組成物は、低線膨張であり、耐熱性、及び導体回路との密着性に優れることから、半導体装置のインターポーザとして用いることができる。
The resin composition for circuit boards of the present invention can be impregnated in a base material such as a glass fiber base material and used for a prepreg and a laminate using the prepreg.
Moreover, since the resin composition for circuit boards of this invention has the outstanding insulation, it can be used for the insulating layer of a printed wiring board, for example.
Furthermore, since the resin composition for a circuit of the present invention has low linear expansion and is excellent in heat resistance and adhesion to a conductor circuit, it can be used as an interposer for a semiconductor device.

半導体装置のプリント配線板としては、マザーボード及びインターポーザが知られている。インターポーザは、マザーボードと同様のプリント配線板であるが、半導体素子(ベアチップ)又は半導体パッケージとマザーボードの間に介在し、マザーボード上に搭載される。
インターポーザは、マザーボードと同様に、半導体パッケージを実装する基板として用いても良いが、マザーボードと異なる特有の使用方法としては、パッケージ基板又はモジュール基板として用いられる。
As a printed wiring board of a semiconductor device, a mother board and an interposer are known. The interposer is a printed wiring board similar to the mother board, but is interposed between the semiconductor element (bare chip) or semiconductor package and the mother board and mounted on the mother board.
The interposer may be used as a substrate on which a semiconductor package is mounted in the same manner as a mother board. However, the interposer is used as a package substrate or a module substrate as a specific usage method different from the motherboard.

パッケージ基板とは、半導体パッケージの基板としてインターポーザが用いられるという意味である。半導体パッケージには、半導体素子をリードフレーム上に搭載し、両者をワイアボンディングで接続し、樹脂で封止するタイプと、インターポーザをパッケージ基板として用い、半導体素子を当該インターポーザ上に搭載し、両者をワイアボンディング等の方法で接続し、樹脂で封止するタイプとがある。   The package substrate means that an interposer is used as a substrate of a semiconductor package. In a semiconductor package, a semiconductor element is mounted on a lead frame, both are connected by wire bonding and sealed with resin, and an interposer is used as a package substrate, and a semiconductor element is mounted on the interposer, There is a type that is connected by a method such as wire bonding and sealed with resin.

次に本発明の回路基板用樹脂組成物について詳細を説明する。 Next, details of the resin composition for circuit boards of the present invention will be described.

本発明の回路基板用樹脂組成物は、(A)分子内に2つ以上のマレイミド基を有する化合物、(B)分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を有する化合物と、(C)芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を必須成分とする。このことにより、低熱膨張率を達成でき、耐熱性、及び導体回路との密着性に優れるものとなる。 The resin composition for circuit boards of the present invention comprises (A) a compound having two or more maleimide groups in the molecule, (B) two or more amino groups in the molecule, and an aromatic ring structure. An essential component is a compound and (C) a compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring. As a result, a low coefficient of thermal expansion can be achieved, and the heat resistance and the adhesion to the conductor circuit are excellent.

前記(A)分子内に2つ以上のマレイミド基を有する化合物(以下、「(A)マレイミド樹脂」ということがある。)は、マレイミド基が、5員環の平面構造を有し、またマレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく、さらに極性が高いため、特に、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物と強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができるため、回路用樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を下げることができ、また耐熱性に優れるものとなる。 The compound (A) having two or more maleimide groups in the molecule (hereinafter sometimes referred to as “(A) maleimide resin”) has a maleimide group having a five-membered planar structure. Since the double bond of the group is easy to interact between molecules and is more polar, it exhibits strong intermolecular interaction with maleimide groups, benzene rings, and other compounds having a planar structure, and suppresses molecular motion. Therefore, the coefficient of thermal expansion of the cured product of the circuit resin composition can be reduced, and the heat resistance is excellent.

上記(A)マレイミド樹脂は、特に限定されないが、例えば、4,4‘−ジフェニルメタンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、p−フェニレンビスマレイミド、2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、N,N‘−エチレンジマレイミド、N,N‘−ヘキサメチレンジマレイミドなどのビスマレイミド、また、ポリフェニルメタンマレイミドのようなポリマレイミドがあげられる。低吸水率などを考慮すると、2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタンが特に好ましい。   The (A) maleimide resin is not particularly limited. For example, 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, m-phenylene bismaleimide, p-phenylene bismaleimide, 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) Phenyl] propane, bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, N, N′-ethylenedimaleimide, N, N′-hexamethylene Examples thereof include bismaleimides such as dimaleimide and polymaleimides such as polyphenylmethane maleimide. Considering a low water absorption rate, 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane and bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane are particularly preferable.

上記(A)マレイミド樹脂は、1種類もしくは2種類以上を組み合わせて使用してもよい。   The (A) maleimide resin may be used alone or in combination of two or more.

上記(A)マレイミド樹脂の含有量は、特に限定されないが、回路用樹脂組成物全体のうちシリカ、水酸化アルミニウム、その他の無機充填材を除いた樹脂組成物中60〜95重量%であることが好ましい。さらに好ましくは70〜85重量%である。これにより、回路用樹脂組成物は、効果的に低線膨張係数を発現させることができる。(A)マレイミド樹脂の含有量が前記下限値未満であると線膨張係数が十分に低くならない場合があり、実装信頼性が低下したり、プリント配線板の反りが大きくなる場合がある。また前記上限値を超えると導体回路と樹脂層との密着性に関し、ピール強度が低下する場合がある。   The content of the (A) maleimide resin is not particularly limited, but is 60 to 95% by weight in the resin composition excluding silica, aluminum hydroxide, and other inorganic fillers in the entire circuit resin composition. Is preferred. More preferably, it is 70 to 85% by weight. Thereby, the resin composition for circuits can express a low linear expansion coefficient effectively. (A) When content of maleimide resin is less than the said lower limit, a linear expansion coefficient may not become low enough, mounting reliability may fall, or the curvature of a printed wiring board may become large. When the upper limit is exceeded, the peel strength may be lowered with respect to the adhesion between the conductor circuit and the resin layer.

上記(B)分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を有する化合物(以下、(B)芳香族ジアミン化合物)ということがある)は、(A)マレイミド樹脂と反応させることにより、回路用樹脂組成物の硬化物の熱膨張率をさらに下げることができ、また耐熱性がさらに向上する。   The compound (B) having two or more amino groups in the molecule and having an aromatic ring structure (hereinafter sometimes referred to as (B) aromatic diamine compound) reacts with (A) maleimide resin. By making it, the thermal expansion coefficient of the hardened | cured material of the resin composition for circuits can further be reduced, and heat resistance further improves.

更に、(B)芳香族ジアミン化合物は、分子内に窒素原子を有するため、(A)マレイミド樹脂と反応して得られる硬化物は、導体回路と高い密着性を有するものとなる。   Furthermore, since the (B) aromatic diamine compound has nitrogen atoms in the molecule, the cured product obtained by reacting with the (A) maleimide resin has high adhesion to the conductor circuit.

(B)芳香族ジアミン類化合物としては、分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を1つ以上有する化合物であれば特に限定されないが、例えば、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、o−キシレンジアミン等の芳香族環を1個有する芳香族ジアミン化合物、ビフェニル系ジアミン化合物、ジフェニルエーテル系ジアミン化合物、ベンゾフェノン系ジアミン化合物、ジフェニルスルホン系ジアミン化合物、ジフェニルメタン系ジアミン化合物、ジフェニルプロパン系ジアミン化合物、ジフェニルチオエーテル系ジアミン化合物等の芳香族環を2個有する芳香族ジアミン化合物、 ビス(フェノキシ)ベンゼン系ジアミン化合物、ビス(フェノキシフェニル)スルホン系ジアミン化合物等の芳香族環を3個有する芳香族ジアミン化合物、ビス(フェノキシ)ジフェニルスルホン系ジアミン化合物、ビス(フェノキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン系ジアミン化合物、ビス(フェノキシフェニル)プロパン系ジアミン化合物等の芳香族環を4個有する芳香族ジアミン化合物を挙げることができ、それらを単独、または、混合物として使用することができる。
これらの中でも、芳香族環が2個以上、4個以下の芳香族ジアミン類化合物が好ましい。
このような化合物は、例えば、芳香族環を2個有する4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホン、1,5−ジアミノナフタレン、4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5‘−ジメチルジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4‘−ジアミノジフェニルメタン、芳香族環を3個有する4,4’−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ジアニリン、、3つ 1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、芳香族環を3個有する2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンなどが挙げられる。
また、樹脂組成物を低熱膨張率にする観点から4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンなどが好ましい。
(B) The aromatic diamine compound is not particularly limited as long as it is a compound having two or more amino groups in the molecule and one or more aromatic ring structures. For example, m-phenylenediamine, Aromatic diamine compounds having one aromatic ring such as p-phenylenediamine, o-xylenediamine, biphenyl diamine compounds, diphenyl ether diamine compounds, benzophenone diamine compounds, diphenylsulfone diamine compounds, diphenylmethane diamine compounds, diphenyl Three aromatic rings such as propane-based diamine compounds, diphenylthioether diamine compounds, etc., aromatic diamine compounds having two aromatic rings, bis (phenoxy) benzene-based diamine compounds, bis (phenoxyphenyl) sulfone-based diamine compounds, etc. Have Aromatic diamine compounds having four aromatic rings such as aromatic diamine compounds, bis (phenoxy) diphenylsulfone diamine compounds, bis (phenoxyphenyl) hexafluoropropane diamine compounds, bis (phenoxyphenyl) propane diamine compounds, and the like. Which can be used alone or as a mixture.
Among these, aromatic diamine compounds having 2 or more and 4 or less aromatic rings are preferable.
Such compounds include, for example, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylpropane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone having two aromatic rings, , 3′-diaminodiphenylsulfone, 1,5-diaminonaphthalene, 4,4′-diamino-3,3′-diethyl-5,5′-dimethyldiphenylmethane, 3,3′-diethyl-4,4′-diamino Diphenylmethane, 4,4 ′-(p-phenylenediisopropylidene) dianiline having 3 aromatic rings, 3,1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2 having 3 aromatic rings -Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and the like.
Moreover, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, etc. are preferable from the viewpoint of making the resin composition have a low coefficient of thermal expansion.

(B)芳香族ジアミン化合物の配合量は、特に限定されないが、(A)マレイミド樹脂と(B)芳香族ジアミン化合物の当量比は0.8〜1.2が好ましい。前記当量比が0.8未満もしくは1.2を超えると、未反応の化合物が残存し、耐熱性が低下しする場合がある。 Although the compounding quantity of (B) aromatic diamine compound is not specifically limited, 0.8-1.2 are preferable as for the equivalent ratio of (A) maleimide resin and (B) aromatic diamine compound. When the equivalent ratio is less than 0.8 or exceeds 1.2, an unreacted compound may remain and heat resistance may decrease.

上記(C)芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(以下、「化合物(C)」ということがある。)は、(A)マレイミド樹脂と(B)芳香族ジアミン化合物の反応を促進させることができる。   (C) A compound in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting an aromatic ring (hereinafter sometimes referred to as “compound (C)”) includes (A) maleimide resin and (B) The reaction of the aromatic diamine compound can be promoted.

化合物(C)は、その構造が有する水素イオンを容易に離脱しやすい。
化合物(C)より離脱した水素イオンは、(A)マレイミド樹脂のマレイミド基のC−C二重結合に付加し、二重結合の一方の炭素がカチオンとなる。
そうすると(B)芳香族ジアミン化合物の窒素原子が(A)マレイミド樹脂のC−C二重結合を求核攻撃しやすくなりなることから、硬化反応を促進させることができると推察される。
従って、化合物(C)存在下において、(A)マレイミド樹脂と(B)芳香族ジアミン化合物とは低温でも反応をすることができるため従来に比べ、本発明の回路用樹脂組成物の硬化物の熱膨張率をさらに下げることができ、また耐熱性がさらに向上すると推察する。
The compound (C) easily leaves the hydrogen ion of its structure.
The hydrogen ion released from the compound (C) is added to the C—C double bond of the maleimide group of the (A) maleimide resin, and one carbon of the double bond becomes a cation.
As a result, the nitrogen atom of the (B) aromatic diamine compound is likely to nucleophilic attack the CC double bond of the (A) maleimide resin, and it is assumed that the curing reaction can be promoted.
Therefore, in the presence of the compound (C), the (A) maleimide resin and the (B) aromatic diamine compound can react even at a low temperature. It is assumed that the coefficient of thermal expansion can be further reduced and the heat resistance is further improved.

また化合物(C)は、(A)マレイミド樹脂の自己重合を抑制し、樹脂組成物の硬化物の架橋構造に歪を生じないため、残留応力が小さく導体回路との密着性に優れると推察する。   In addition, the compound (C) suppresses the self-polymerization of the (A) maleimide resin and does not cause distortion in the cross-linked structure of the cured resin composition, so it is presumed that the residual stress is small and the adhesiveness to the conductor circuit is excellent. .

化合物(C)は、水酸基以外の置換基を有していてもよい。化合物(C)としては、下記一般式( 1 ) で示される単環式化合物又は下記一般式( 2 ) で示される多環式化合物を用いることができ、上記化合物(C)は、2種以上併用してもよい。 The compound (C) may have a substituent other than a hydroxyl group. As the compound (C), a monocyclic compound represented by the following general formula (1) or a polycyclic compound represented by the following general formula (2) can be used. You may use together.


( 上記一般式( 1 ) において、R 、R はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基。R 、R 、R は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基。)

(In the above general formula (1), one of R 1 and R 5 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is hydrogen, a hydroxyl group, or a substituent other than a hydroxyl group. R 2 , R 3 , R 4 are hydrogen. , Hydroxyl groups or substituents other than hydroxyl groups.)


( 上記一般式( 2 ) において、R 、R はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基。R 、R 、R 、R 、R は水素、水酸基又は水酸基以外の置換基。)

(In the general formula (2), one of R 1 and R 7 is a hydroxyl group, and when one is a hydroxyl group, the other is hydrogen, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group. R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are hydrogen, a hydroxyl group or a substituent other than a hydroxyl group.)

上記、一般式( 1 ) で示される単環式化合物の具体例として、例えば、カテコール、クロロカテコール、メトキシカテコール、メチルカテコール、メチルカテコール、ブチルカテコール、3,5−ジ−t−ブチルカテコールピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル又はこれらの誘導体が挙げられる。反応促進性の点からはピロガロールが好ましい。 Specific examples of the monocyclic compound represented by the general formula (1) include, for example, catechol, chlorocatechol, methoxycatechol, methylcatechol, methylcatechol, butylcatechol, 3,5-di-t-butylcatechol pyrogallol, Examples thereof include gallic acid, gallic acid ester, and derivatives thereof. From the viewpoint of reaction promotion, pyrogallol is preferred.

また、上記一般式( 2 ) で示される多環式化合物の具体例として、例えば、1 , 2 − ジヒドロキシナフタレン、2 , 3 − ジヒドロキシナフタレンおよびこれらの誘導体が挙げられる。そのうち硬化性の制御のしやすさの観点、融点や揮発性の観点から、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレンが好ましい。 Specific examples of the polycyclic compound represented by the general formula (2) include 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, and derivatives thereof. Of these, 1,2-dihydroxynaphthalene and 2,3-dihydroxynaphthalene are preferable from the viewpoint of ease of control of curability and the melting point and volatility.

上記回路基板用樹脂組成物の硬化物とは、回路基板用樹脂組成物を構成する硬化性樹脂組成物中の硬化性樹脂成分が有する官能基の反応が実質的に完結した状態を意味し、例えば、示差走査熱量測定(DSC)装置により発熱量を測定することにより評価することができる。
具体的には、この発熱量がほとんど検出されない状態を指すものである。
このような樹脂材料の硬化物を得る条件としては、例えば、120〜220℃で、30〜180分間処理することが好ましく、特に、180〜230℃で、45〜120分間処理することが好ましい。
The cured product of the circuit board resin composition means a state in which the reaction of the functional group of the curable resin component in the curable resin composition constituting the circuit board resin composition is substantially completed, For example, it can be evaluated by measuring the calorific value with a differential scanning calorimetry (DSC) device.
Specifically, this indicates a state in which this calorific value is hardly detected.
As a condition for obtaining a cured product of such a resin material, for example, it is preferably treated at 120 to 220 ° C. for 30 to 180 minutes, and particularly preferably treated at 180 to 230 ° C. for 45 to 120 minutes.

本発明の回路基板用樹脂組成物は、上述した分子内に2つ以上のマレイミド基を含有する化合物と芳香族ジアミン類とオルト位に2つ以上の水酸基を有する芳香族化合物を必須成分として含有するが、本発明の目的に反しない範囲において、その他の樹脂、硬化剤、硬化促進剤、難燃剤、カップリング剤、無機充填材、その他の成分を添加することは差し支えない。 The resin composition for circuit boards of the present invention contains, as essential components, a compound containing two or more maleimide groups in the molecule, an aromatic diamine, and an aromatic compound having two or more hydroxyl groups at the ortho position. However, other resins, curing agents, curing accelerators, flame retardants, coupling agents, inorganic fillers, and other components may be added without departing from the object of the present invention.

次に、プリプレグについて説明する。 Next, the prepreg will be described.

本発明のプリプレグは、上述の回路基板用樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、耐熱性等の各種特性に優れたプリプレグを得ることができる。
本発明のプリプレグで用いる基材としては、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度、吸水率の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材が好ましい。
The prepreg of the present invention is obtained by impregnating a base material with the above-described resin composition for circuit boards. Thereby, the prepreg excellent in various characteristics, such as heat resistance, can be obtained.
Examples of the base material used in the prepreg of the present invention include glass fiber base materials such as glass fiber cloth and glass non-woven cloth, inorganic fiber base materials such as fiber cloth and non-fiber cloth containing inorganic compounds other than glass, and aromatic polyamide resins. And organic fiber base materials composed of organic fibers such as polyamide resin, aromatic polyester resin, polyester resin, polyimide resin, and fluororesin. Among these base materials, glass fiber base materials represented by glass woven fabric are preferable in terms of strength and water absorption.

前記回路基板用樹脂組成物を前記基材に含浸させる方法は、例えば、溶剤を用い回路基板用樹脂組成物を樹脂ワニスにし、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。   Examples of the method of impregnating the base material with the circuit board resin composition include, for example, using a solvent to make the circuit board resin composition into a resin varnish, immersing the base material in the resin varnish, and applying with various coaters. For example, a spraying method may be used. Among these, the method of immersing the base material in the resin varnish is preferable. Thereby, the impregnation property of the resin composition with respect to a base material can be improved. In addition, when a base material is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used.

前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記回路基板用樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばN−メチルピロリドン等が挙げられる。
前記樹脂ワニス中の固形分は、特に限定されないが、前記回路基板用樹脂組成物の固形分40〜80重量%が好ましく、特に50〜65重量%が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。
前記基材に前記回路基板用樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば80〜200℃で乾燥させることによりプリプレグを得ることができる。
The solvent used in the resin varnish desirably has good solubility in the resin composition for circuit boards, but a poor solvent may be used as long as it does not have an adverse effect. Examples of the solvent exhibiting good solubility include N-methylpyrrolidone and the like.
Although the solid content in the resin varnish is not particularly limited, the solid content of the resin composition for circuit boards is preferably 40 to 80% by weight, and particularly preferably 50 to 65% by weight. Thereby, the impregnation property to the base material of a resin varnish can further be improved.
A prepreg can be obtained by impregnating the base material with the resin composition for a circuit board and drying at a predetermined temperature, for example, 80 to 200 ° C.

次に、樹脂シートについて説明する。
前記回路基板用樹脂組成物を用いた樹脂シートは、前記樹脂ワニスからなる絶縁層をキャリアフィルム、又は金属箔上に形成することにより得られる。
Next, the resin sheet will be described.
A resin sheet using the circuit board resin composition is obtained by forming an insulating layer made of the resin varnish on a carrier film or a metal foil.

前記樹脂ワニス中の回路基板用樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、45〜85重量%が好ましく、特に55〜75重量%が好ましい。 Although content of the resin composition for circuit boards in the said resin varnish is not specifically limited, 45 to 85 weight% is preferable and 55 to 75 weight% is especially preferable.

次に前記樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、キャリアフィルム上または金属箔上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置によりキャリアフィルムまたは金属箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これらの方法により樹脂シートを作製することができる。 Next, the resin varnish is coated on a carrier film or a metal foil using various coating apparatuses, and then dried. Or after spray-coating a resin varnish on a carrier film or metal foil with a spray apparatus, this is dried. A resin sheet can be produced by these methods.

前記塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。 Although the said coating apparatus is not specifically limited, For example, a roll coater, a bar coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, a comma coater, a curtain coater, etc. can be used. Among these, a method using a die coater, a knife coater, and a comma coater is preferable. Thereby, the resin sheet which does not have a void and has the thickness of a uniform insulating layer can be manufactured efficiently.

前記キャリアフィルムは、キャリアフィルムに絶縁層を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、樹脂シートの絶縁層を内層回路基板面に積層後、キャリアフィルムを剥離することから、内層回路基板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。したがって、前記キャリアフィルムは、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。これらキャリアフィルムの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、絶縁層から適度な強度で剥離することが容易となる。 Since the carrier film forms an insulating layer on the carrier film, it is preferable to select one that is easy to handle. Moreover, since the carrier film is peeled after laminating the insulating layer of the resin sheet on the inner layer circuit board surface, it is preferable that the resin sheet is easily peeled after being laminated on the inner layer circuit board. Therefore, it is preferable to use a thermoplastic resin film having heat resistance such as a polyester resin such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate, a fluorine-based resin, or a polyimide resin, for example. Among these carrier films, a film made of polyester is most preferable. This facilitates peeling from the insulating layer with an appropriate strength.

前記キャリアフィルムの厚さは、特に限定されないが、1〜100μmが好ましく、特に3〜50μmが好ましい。キャリアフィルムの厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また絶縁層表面の平坦性に優れる。   Although the thickness of the said carrier film is not specifically limited, 1-100 micrometers is preferable and 3-50 micrometers is especially preferable. When the thickness of the carrier film is within the above range, handling is easy and the flatness of the surface of the insulating layer is excellent.

前記金属箔は、前記キャリアフィルム同様、内層回路基板に樹脂シートを積層後、剥離して用いても良いし、また、金属箔をエッチングし導体回路として用いても良い。前記金属箔は、特に限定されないが、例えば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。 Similar to the carrier film, the metal foil may be used after peeling a resin sheet on an inner circuit board and may be used after peeling the metal foil as a conductor circuit. The metal foil is not particularly limited. For example, copper and / or copper-based alloy, aluminum and / or aluminum-based alloy, iron and / or iron-based alloy, silver and / or silver-based alloy, gold and gold-based alloy, Metal foils such as zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys can be used.

前記金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.1μm以上70μm以下であることが好ましい。さらには1μm以上35μ以下が好ましく、さらに好ましくは1.5μm以上18μm以下が好ましい。前記金属箔の厚さが上記下限値未満であると、金属箔の傷つき、ピンホールの発生し、金属箔をエッチングし導体回路として用いて場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、金属箔粗化面の表面粗さバラツキが大きくなったりする場合がある。 The thickness of the metal foil is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm or more and 70 μm or less. Further, it is preferably 1 μm or more and 35 μm or less, more preferably 1.5 μm or more and 18 μm or less. If the thickness of the metal foil is less than the above lower limit, the metal foil is scratched, pinholes are generated, and when the metal foil is etched and used as a conductor circuit, plating variations, circuit disconnection, etching during circuit pattern molding There is a risk of infiltration of chemicals such as liquid and desmear liquid. When the upper limit is exceeded, the thickness variation of the metal foil increases or the surface roughness variation of the metal foil roughened surface increases. There is a case.

また、前記金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。前記極薄金属箔の厚さは、0.1μm以上10μm以下が好ましい。さらに、0.5μm以上5μm以下が好ましく、さらに1μm以上3μm以下が好ましい。前記極薄金属箔の厚さが前記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生、ピンホールの発生による回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、極薄金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、極薄金属箔粗化面の表面粗さのバラツキが大きくなったりする場合がある。
通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。
The metal foil may be an ultrathin metal foil with a carrier foil. The ultrathin metal foil with a carrier foil is a metal foil obtained by laminating a peelable carrier foil and an ultrathin metal foil. Since an ultra-thin metal foil layer can be formed on both sides of the insulating layer by using an ultra-thin metal foil with a carrier foil, for example, when forming a circuit by a semi-additive method, etc. By electroplating the metal foil directly as the power feeding layer, the ultrathin copper foil can be flash etched after the circuit is formed. By using an ultra-thin metal foil with a carrier foil, even with an ultra-thin metal foil having a thickness of 10 μm or less, for example, a reduction in handling properties of the ultra-thin metal foil in a pressing process, and cracking or cutting of the ultra-thin copper foil are prevented. Can do. The thickness of the ultrathin metal foil is preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less. Furthermore, it is preferably 0.5 μm or more and 5 μm or less, more preferably 1 μm or more and 3 μm or less. When the thickness of the ultrathin metal foil is less than the lower limit, the ultrathin metal foil is damaged after peeling the carrier foil, the pinhole of the ultrathin metal foil is generated, and the circuit pattern is formed by the generation of the pinhole. Plating variation, disconnection of circuit wiring, penetration of chemicals such as etching liquid and desmear liquid, etc. may occur. If the above upper limit is exceeded, the thickness variation of the ultrathin metal foil will increase or the ultrathin metal foil There may be a case where the roughness of the roughened surface becomes large.
Usually, an ultrathin metal foil with a carrier foil peels off the carrier foil before forming a circuit pattern on the press-molded laminate.

次に、積層板について説明する。 Next, a laminated board is demonstrated.

本発明の積層板は、上述のプリプレグを少なくとも1枚成形してなるものである。これにより、優れた耐熱性と密着性を有し、誘電率や誘電正接が低い積層板を得ることができる。 The laminate of the present invention is formed by molding at least one prepreg described above. Thereby, the laminated board which has the outstanding heat resistance and adhesiveness, and whose dielectric constant and dielectric loss tangent are low can be obtained.

プリプレグ1枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔あるいはキャリアフィルムを重ねる。
また、プリプレグを2枚以上積層することもできる。プリプレグ2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。尚、積層板に用いる金属箔あるいはキャリアフィルムは、前記樹脂シートに用いるものを用いることができる。
In the case of a single prepreg, a metal foil or a carrier film is stacked on both upper and lower surfaces or one surface.
Two or more prepregs can be laminated. When two or more prepregs are laminated, a metal foil or film is laminated on the outermost upper and lower surfaces or one surface of the laminated prepreg. In addition, what is used for the said resin sheet can be used for the metal foil or carrier film used for a laminated board.

次に、プリプレグと金属箔、及び/またはキャリアフィルムとを重ねたものを加熱、加圧して成形することで積層板を得ることができる。
前記加熱する温度は、特に限定されないが、150〜240℃が好ましく、特に180〜220℃が好ましい。
また、前記加圧する圧力は、特に限定されないが、2〜5MPaが好ましく、特に2.5〜4MPaが好ましい。
Next, a laminate can be obtained by heating and pressurizing a laminate of a prepreg and a metal foil and / or a carrier film.
The heating temperature is not particularly limited, but is preferably 150 to 240 ° C, and particularly preferably 180 to 220 ° C.
Moreover, the pressure to pressurize is not particularly limited, but is preferably 2 to 5 MPa, and particularly preferably 2.5 to 4 MPa.

次に、プリント配線板について説明するが、プリント配線板の製造方法は特に限定されるものでない。例えば、以下のように製造することができる。 Next, although a printed wiring board is demonstrated, the manufacturing method of a printed wiring board is not specifically limited. For example, it can be manufactured as follows.

前記で得られた両面に銅箔を有する積層板を用意し、ドリル等によりスルーホールを形成し、メッキにより前記スルーホールを充填した後、積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路(内層回路)を形成し、導体回路を黒化処理等の粗化処理することにより内層回路基板を作製する。 A laminated board having copper foil on both sides obtained above is prepared, a through hole is formed by a drill or the like, and after filling the through hole by plating, a predetermined conductor circuit ( The inner layer circuit board is manufactured by forming the inner layer circuit) and subjecting the conductor circuit to a roughening process such as a blackening process.

本発明の回路用樹脂組成物を用いた場合、従来に比べ微細スルーホールを歩留まり良く形成することができ、また従来にスルーホール形成後の壁の凹凸が非常に小さなものとなる。 When the resin composition for a circuit of the present invention is used, fine through-holes can be formed with a high yield as compared with the conventional case, and the unevenness of the wall after forming the through-hole is very small as compared with the conventional case.

次に内層回路基板の上下面に、前述した樹脂シート、または前述したプリプレグを形成し、加熱加圧成形する。
具体的には、前記樹脂シート、またはプリプレグと内層回路基板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させる。その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより内層回路基板上に絶縁層を形成することができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度60〜160℃、圧力0.2〜3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、時間30〜120分間で実施することができる。
Next, the above-described resin sheet or the above-described prepreg is formed on the upper and lower surfaces of the inner layer circuit board, and is heated and pressed.
Specifically, the resin sheet or prepreg and the inner layer circuit board are combined and subjected to vacuum heating and pressing using a vacuum pressurizing laminator apparatus or the like. Thereafter, the insulating layer can be formed on the inner circuit board by heat-curing with a hot air drying device or the like.
Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, if an example is given, it can implement at the temperature of 60-160 degreeC, and the pressure of 0.2-3 MPa. Moreover, it is although it does not specifically limit as conditions to heat-harden, If an example is given, it can implement in temperature 140-240 degreeC and time 30-120 minutes.

または、前記樹脂シート、またはプリプレグを内層回路基板に重ね合わせ、これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより内層回路基板上に絶縁層を形成することもできる。
ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、圧力1〜4MPaで実施することができる。
Alternatively, the insulating layer can also be formed on the inner layer circuit board by superimposing the resin sheet or prepreg on the inner layer circuit board and then heat-pressing the resin sheet or prepreg using a flat plate press apparatus or the like.
Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, If an example is given, it can implement at the temperature of 140-240 degreeC, and the pressure of 1-4 MPa.

上述した方法にて得られた積層体は、絶縁層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。 The laminated body obtained by the above-described method can form a new conductive wiring circuit by metal plating after roughening the surface of the insulating layer with an oxidizing agent such as permanganate or dichromate. it can.

本発明の回路用樹脂組成物を用いた場合、従来に比べ微細配線加工に優れ、導体回路を形成した際の導体幅(ライン)、及び導体間(スペース)が非常に狭い配線を歩留まり良く形成することができる。   When the resin composition for a circuit of the present invention is used, it is excellent in fine wiring processing compared to the prior art, and a conductor width (line) when a conductor circuit is formed and a wiring with a very narrow space between conductors (space) can be formed with high yield. can do.

その後、前記絶縁層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、例えば、160℃〜240℃の範囲で硬化させることができる。好ましくは180℃〜200℃で硬化させることである。
次に、絶縁層に、炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図る。なお、外層回路には、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。
その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、多層プリント配線板を得ることができる。
Thereafter, the insulating layer is cured by heating. Although the temperature to harden | cure is not specifically limited, For example, it can be hardened in the range of 160 to 240 degreeC. Preferably it is made to harden | cure at 180 to 200 degreeC.
Next, an opening is provided in the insulating layer by using a carbonic acid laser device, and an outer layer circuit is formed on the surface of the insulating layer by electrolytic copper plating to achieve conduction between the outer layer circuit and the inner layer circuit. The outer layer circuit is provided with a connection electrode portion for mounting a semiconductor element.
After that, a solder resist is formed on the outermost layer, the connection electrode part is exposed so that a semiconductor element can be mounted by exposure / development, nickel gold plating treatment is performed, and it is cut into a predetermined size to obtain a multilayer printed wiring board. Can do.

本発明の回路用樹脂組成物を用いた場合、ニッケル金メッキの際に従来のエポキシ樹脂組成物を用いた場合に比べ、絶縁層にニッケル等の金属原子が残らないため、電気信頼性に優れる。 When the circuit resin composition of the present invention is used, compared to the case where a conventional epoxy resin composition is used during nickel gold plating, no metal atoms such as nickel remain in the insulating layer, so that the electrical reliability is excellent.

次に、半導体装置について説明する。
半導体装置は、上述した方法にて製造されたプリント配線板に半導体素子を実装し、製造することができる。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子とプリント配線板とを用い、フリップチップボンダーなどを用いて多層プリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプの位置合わせを行う。その後、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。そして、プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体装置を得ることができる。
Next, a semiconductor device will be described.
A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor element on a printed wiring board manufactured by the method described above. The mounting method and the sealing method of the semiconductor element are not particularly limited. For example, a semiconductor element and a printed wiring board are used, and the connection electrode part on the multilayer printed wiring board and the solder bump of the semiconductor element are aligned using a flip chip bonder or the like. Thereafter, the solder bump is heated to the melting point or higher by using an IR reflow device, a hot plate, or other heating device, and the printed wiring board and the solder bump are connected by fusion bonding. And a semiconductor device can be obtained by filling and hardening a liquid sealing resin between a printed wiring board and a semiconductor element.

本発明の回路用樹脂組成物を用いた場合、半導体素子を実装する約260℃の温度においてもプリント配線板の反りを抑制でき、実装性に優れる。 When the resin composition for a circuit of the present invention is used, the printed wiring board can be prevented from warping even at a temperature of about 260 ° C. where the semiconductor element is mounted, and the mountability is excellent.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to this.

(実施例1)
(1)樹脂ワニスの調製
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを81.0重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを17.6重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウム(昭和電工製HP−360)を150重量部にN−メチルピロリドンを加え不揮発分65%となるように調整し、樹脂ワニスを得た。
Example 1
(1) Preparation of resin varnish 81.0 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 17.6 parts by weight of 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 2,3- N-methylpyrrolidone was added to 1.4 parts by weight of dihydroxynaphthalene and 150 parts by weight of aluminum hydroxide (Showa Denko HP-360) to adjust the nonvolatile content to 65% to obtain a resin varnish.

(2)プリプレグの製造
上述の樹脂ワニスを用いて、ガラス繊布(厚さ0.18mm、日東紡績社製)100重量部に対して、樹脂ワニスを固形分で80重量部含浸させて、190℃の乾燥炉で7分間乾燥させ、樹脂含有量44.4重量%のプリプレグを作製した。
(2) Manufacture of prepreg Using the above-mentioned resin varnish, 100 parts by weight of glass fiber cloth (thickness 0.18 mm, manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.) was impregnated with 80 parts by weight of resin varnish in a solid content, and 190 ° C. The prepreg having a resin content of 44.4% by weight was prepared by drying in a drying oven for 7 minutes.

(3)樹脂シートの製造
前記で得られた樹脂ワニスを、剥離可能なキャリア箔層と0.5〜5.0μmの厚みの電解銅箔層とを張り合わせた銅箔(三井金属鉱山社製、マイクロシンEx−3、キャリア箔層:銅箔(18μm)、電解銅箔層(3μm))の電解銅箔層に、コンマコーターを用いて乾燥後の樹脂層が40μmとなるように塗工し、これを150℃の乾燥装置で10分間乾燥して、樹脂シートを製造した。
(3) Manufacture of resin sheet Copper foil (Mitsui Metal Mining Co., Ltd., manufactured by bonding the resin varnish obtained above with a peelable carrier foil layer and an electrolytic copper foil layer having a thickness of 0.5 to 5.0 μm. Apply to the electrolytic copper foil layer of micro thin Ex-3, carrier foil layer: copper foil (18 μm), electrolytic copper foil layer (3 μm) using a comma coater so that the resin layer after drying is 40 μm. This was dried for 10 minutes with a drying apparatus at 150 ° C. to produce a resin sheet.

(3)積層板の製造
上記プリプレグを2枚重ね、上下に厚さ18μmの電解銅箔(日本電解製YGP−18)を重ねて、圧力4MPa、温度220℃で180分間加熱加圧成形を行い、厚さ0.4mmの両面に銅箔を有する積層板を得た。
(3) Manufacture of laminated board Two prepregs are stacked, and an electrolytic copper foil with a thickness of 18 μm (YGP-18 manufactured by Nihon Electrolytic Co., Ltd.) is stacked on top and bottom, followed by heat and pressure molding at a pressure of 4 MPa and a temperature of 220 ° C. for 180 minutes. A laminate having copper foil on both sides with a thickness of 0.4 mm was obtained.

(4)プリント配線板の作製
前記で得られた積層板に、0.1mmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、メッキによりスルーホールを充填した。さらに、両面をエッチングにより回路形成し、内層回路基板として用いた。前記内層回路基板の表裏に、前記で得られたプリプレグを重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた。これを、熱風乾燥装置にて170℃で60分間加熱し硬化させて、積層体を得た。
(4) Production of printed wiring board The laminated board obtained above was subjected to through hole processing using a 0.1 mm drill bit, and then filled with through holes by plating. Further, a circuit was formed on both sides by etching and used as an inner layer circuit board. The prepreg obtained above was superposed on the front and back of the inner layer circuit board, and this was subjected to vacuum heating and press molding at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa using a vacuum pressurizing laminator apparatus. This was heated and cured at 170 ° C. for 60 minutes in a hot air drying apparatus to obtain a laminate.

次に、表面の電解銅箔層に黒化処理を施した後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のφ60μmのビアホールを形成した。次いで、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に15分浸漬後、中和してビアホール内のデスミア処理を行った。次に、フラッシュエッチングにより電解銅箔層表面を1μm程度エッチングした後、無電解銅メッキを厚さ0.5μmで行い、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ18μm形成しパターン銅メッキし、温度200℃時間60分加熱してポストキュアした。次いで、メッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、L/S=20/20μmのパターンを形成した。
最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を厚さ20μm形成しプリント配線板を得た。
Next, the surface electrolytic copper foil layer was subjected to blackening treatment, and a φ60 μm via hole for interlayer connection was formed by a carbon dioxide gas laser. Next, it is immersed in a swelling solution at 70 ° C. (Atotech Japan Co., Swelling Dip Securigant P) for 5 minutes, and further immersed in an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (Concentrate Compact CP, manufactured by Atotech Japan) for 15 minutes. Then, it neutralized and the desmear process in a via hole was performed. Next, after the surface of the electrolytic copper foil layer is etched by about 1 μm by flash etching, electroless copper plating is performed with a thickness of 0.5 μm, a resist layer for electrolytic copper plating is formed with a thickness of 18 μm, and pattern copper plating is performed. The film was post-cured by heating at 60 ° C. for 60 minutes. Next, the plating resist was peeled off and the entire surface was flash etched to form a pattern of L / S = 20/20 μm.
Finally, a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) having a thickness of 20 μm was formed on the circuit surface to obtain a printed wiring board.

(5)半導体装置の製造
プリント配線板は、前記で得られたプリント配線板であって、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mm)は、Sn/Pb組成の共晶で形成された半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製CRC−8300)で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。
(5) Manufacture of semiconductor device The printed wiring board is a printed wiring board obtained as described above, and is provided with a connection electrode portion subjected to nickel gold plating corresponding to the solder bump arrangement of the semiconductor element. It cut | disconnected and used for the magnitude | size of * 50mm. A semiconductor element (TEG chip, size 15 mm × 15 mm, thickness 0.8 mm) has a solder bump formed of a eutectic of Sn / Pb composition, and a circuit protective film of the semiconductor element is a positive photosensitive resin (Sumitomo Bakelite). What was formed by company CRC-8300) was used. In assembling the semiconductor device, first, a flux material was uniformly applied to the solder bumps by a transfer method, and then mounted on a multilayer printed wiring board by thermocompression bonding using a flip chip bonder device. Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4152S) was filled and the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. The curing condition of the liquid sealing resin was a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.

(実施例2)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを78.2重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを20.4重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 2)
78.2 parts by weight of 2,2 '-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 20.4 parts by weight of 3,3'-diaminodiphenylsulfone, and 1.4 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例3)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを83.9重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを14.6重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.5重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 3)
83.9 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 14.6 parts by weight of 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and 1.5 by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例4)
ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタンを76.7重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを32.5重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.7重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 4)
76.7 parts by weight of bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, 32.5 parts by weight of 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and 1.7 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例5)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを82.0重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを17.6重量部、1,2−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 5)
82.0 parts by weight of 2,2 '-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 17.6 parts by weight of 3,3'-diaminodiphenylsulfone, and 1.4 parts by weight of 1,2-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例6)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを82.5重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを17.7重量部、ピロガロールを0.8重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 6)
82.5 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 17.7 parts by weight of 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 0.8 parts by weight of pyrogallol, aluminum hydroxide A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount was changed to 150 parts by weight, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例7)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを81.0重量部、4,4‘−ジアミノジフェニルスルホンを17.6重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 7)
81.0 parts by weight of 2,2 '-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 17.6 parts by weight of 4,4'-diaminodiphenylsulfone, and 1.4 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例8)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを83.8重量部、4,4‘−ジアミノジフェニルメタンを14.7重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.5重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 8)
83.8 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 14.7 parts by weight of 4,4′-diaminodiphenylmethane, and 1.5 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used to obtain a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

(実施例9)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを75.8重量部、4,4‘−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ジアニリンを22.9重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.3重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
Example 9
75.8 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 22.9 parts by weight of 4,4 ′-(p-phenylenediisopropylidene) dianiline, 2,3-dihydroxy A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 1.3 parts by weight of naphthalene and 150 parts by weight of aluminum hydroxide were used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained. It was.

(実施例10)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを79.1重量部、4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5‘−ジメチルジフェニルメタン(イハラケミカル社製 商品名:キュアハードMED)を19.5重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 10)
79.1 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyl-5,5′-dimethyldiphenylmethane (manufactured by Ihara Chemical Co., Ltd.) A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 19.5 parts by weight of product name: Cure Hard MED), 1.4 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene, and 150 parts by weight of aluminum hydroxide were used. Thus, a prepreg, a resin sheet, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(実施例11)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを80.6重量部、3,3’−ジエチル−4,4‘−ジアミノジフェニルメタン(日本化薬社製 商品名:カヤハードA−A)を17.9重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.5重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 11)
80.6 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 3,3′-diethyl-4,4′-diaminodiphenylmethane (trade name: Kayahard A-, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that A) was 17.9 parts by weight, 2,3-dihydroxynaphthalene was 1.5 parts by weight, and aluminum hydroxide was 150 parts by weight. Sheets, laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices were obtained.

(実施例12)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを78.9重量部、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンを19.8重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.3重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 12)
78.9 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 19.8 parts by weight of 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, and 2,3-dihydroxynaphthalene Except that 1.3 parts by weight and 150 parts by weight of aluminum hydroxide were used, a resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

(実施例13)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを72.6重量部、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(和歌山精化製 商品名BAPP)を26.1重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.3重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Example 13)
72.6 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (trade name BAPP manufactured by Wakayama Seika) A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 26.1 parts by weight, 1.3 parts by weight of 2,3-dihydroxynaphthalene, and 150 parts by weight of aluminum hydroxide were prepared, and a prepreg, a resin sheet, A laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(比較例1)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを84.1重量部、4,4‘−ジアミノジフェニルメタンを15.9重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 1)
Except for 84.1 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 15.9 parts by weight of 4,4′-diaminodiphenylmethane, and 150 parts by weight of aluminum hydroxide, A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

(比較例2)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを75.3重量部、4,4‘−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ジアニリンを24.7重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 2)
75.3 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 24.7 parts by weight of 4,4 ′-(p-phenylenediisopropylidene) dianiline, 150 aluminum hydroxide A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for changing to parts by weight, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(比較例3)
ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタンを72.0重量部、4,4‘−(p−フェニレンジイソプロピリデン)ジアニリンを28.0重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 3)
72.0 parts by weight of bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, 28.0 parts by weight of 4,4 ′-(p-phenylenediisopropylidene) dianiline, and 150% of aluminum hydroxide A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for changing to parts by weight, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(比較例4)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを81.0重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを19.0重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 4)
Except for 81.0 parts by weight of 2,2 ′-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 19.0 parts by weight of 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and 150 parts by weight of aluminum hydroxide. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 to obtain a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

(比較例5)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを81.0重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを17.6重量部、1,6−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 5)
81.0 parts by weight of 2,2 '-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 17.6 parts by weight of 3,3'-diaminodiphenylsulfone, and 1.4 parts by weight of 1,6-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(比較例6)
2,2’−[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパンを81.0重量部、3,3‘−ジアミノジフェニルスルホンを17.6重量部、2,7−ジヒドロキシナフタレンを1.4重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 6)
81.0 parts by weight of 2,2 '-[4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, 17.6 parts by weight of 3,3'-diaminodiphenylsulfone, and 1.4 parts by weight of 2,7-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

(比較例7)
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(DIC製エピクロンN−690、エポキシ当量220)を76.7重量部、3,3’−ジアミノジフェニルスルホンを32.5重量部、2,3−ジヒドロキシナフタレンを1.7重量部、水酸化アルミニウムを150重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、樹脂シート、積層板、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
(Comparative Example 7)
76.7 parts by weight of a cresol novolac type epoxy resin (Epiclon N-690 manufactured by DIC, epoxy equivalent 220), 32.5 parts by weight of 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and 1.7 weights of 2,3-dihydroxynaphthalene A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by weight of aluminum hydroxide was used, and a prepreg, a resin sheet, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

各実施例および比較例により得られた樹脂ワニスおよび積層板について、次の各評価を行った。各評価を、評価方法と共に以下に示す。また得られた結果を表1に示す。 The following evaluation was performed about the resin varnish and laminated board which were obtained by each Example and the comparative example. Each evaluation is shown below together with the evaluation method. The obtained results are shown in Table 1.

・ 評価方法
(1)ゲルタイム
JIS C6521に準拠して、固形質量が0.15gとなる量の樹脂ワニスを170℃に加熱したキュアプレート上に載せ、ストップウォッチで計時を開始する。棒の先端にて試料を均一に攪拌し、糸状に試料が切れてプレートに残るようになった時、ストップウォッチを止める。この試料が切れてプレートに残るようになるまでの時間をゲルタイムとした。
Evaluation method (1) Gel time In accordance with JIS C6521, an amount of resin varnish with a solid mass of 0.15 g is placed on a cure plate heated to 170 ° C., and time measurement is started with a stopwatch. Stir the sample evenly with the tip of the rod and stop the stopwatch when the sample breaks into a string and remains on the plate. The time until this sample was cut and remained on the plate was defined as the gel time.

(2)ガラス転移温度
前記実施例、及び比較例で得られた厚さ0.4mmの両面銅張積層板を全面エッチ
ングし、6mm×25mmの試験片を作製し、DMA装置(TAインスツルメント社製動的粘弾性測定装置DMA983)を用いて5℃/分で昇温し、tanδのピーク位置をガラス転移温度とした。
(2) Glass transition temperature The entire surface of the double-sided copper clad laminate having a thickness of 0.4 mm obtained in the examples and comparative examples was etched.
6 mm × 25 mm test pieces were prepared, and the temperature was raised at 5 ° C./min using a DMA apparatus (dynamic viscoelasticity measuring apparatus DMA983 manufactured by TA Instruments), and the peak position of tan δ was determined as the glass transition temperature. It was.

(3)線膨張係数
前記実施例、及び比較例で得られた厚さ0.4mmの両面に銅箔を有する積層板の銅箔を全面エッチングし、得られた積層板から5mm×20mmの試験片を作製し、TMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて5℃/分の条件で、面方向(X方向)の線膨張係数を測定した。
(3) Linear expansion coefficient The copper foil of the laminated board which has a copper foil on both surfaces of 0.4 mm thickness obtained by the said Example and the comparative example was etched on the whole surface, and the test of 5 mm x 20 mm from the obtained laminated board A piece was prepared, and the linear expansion coefficient in the plane direction (X direction) was measured under the condition of 5 ° C./min by using a TMA apparatus (manufactured by TA Instruments).

(4)ピール強度
前記実施例、及び比較例で得られた厚さ0.4mmの両面に銅箔を有する積層板から100mm×20mmの試験片を作製し、23℃におけるピール強度を測定した。
尚、ピール強度測定は、JIS C 6481に準拠して行った。
(4) Peel strength A 100 mm x 20 mm test piece was prepared from a laminate having copper foil on both sides of 0.4 mm thickness obtained in the above examples and comparative examples, and the peel strength at 23 ° C was measured.
The peel strength measurement was performed according to JIS C 6481.

(5)反応率
反応率は、DSC装置(TAインスツルメント社製 示差走査熱量測定DSC2920)を用い測定することにより求めた。
未反応の樹脂組成物と、硬化後の樹脂組成物の双方についてDSCの反応による発熱ピークの面積を比較することにより、次式(I)により求めた。なお、測定は昇温速度10℃/分、窒素雰囲気下で行った。
反応率(%)=(1−硬化後の樹脂組成物の反応ピークの面積/未反応の樹脂組成物の反応ピーク面積)×100(I)
ここで、未反応の樹脂組成物の発熱ピークは、本発明の実施例および比較例の樹脂組成物からなる樹脂ワニスを基材に含浸し、40℃で10分風乾後、40℃、1kPaの真空下、1時間で、溶剤を除去したものを試料として、DSC測定を行った際に得られた発熱ピークである。
硬化後の樹脂組成物の発熱ピークは、本発明の実施例および比較例の厚さ0.4mmの両面に銅箔を有する積層板の銅箔をエッチングし、表面より樹脂を削り取ったものを試料としてDSC測定を行った際の発熱ピークである。
(5) Reaction rate The reaction rate was calculated | required by measuring using a DSC apparatus (The differential scanning calorimetry DSC2920 by TA Instruments company).
It calculated | required by following Formula (I) by comparing the area of the exothermic peak by DSC reaction about both the unreacted resin composition and the resin composition after hardening. In addition, the measurement was performed in a nitrogen atmosphere at a heating rate of 10 ° C./min.
Reaction rate (%) = (1−area of reaction peak of resin composition after curing / reaction peak area of unreacted resin composition) × 100 (I)
Here, the exothermic peak of the unreacted resin composition was obtained by impregnating a base material with a resin varnish comprising the resin compositions of Examples and Comparative Examples of the present invention, air drying at 40 ° C. for 10 minutes, 40 ° C. and 1 kPa. This is an exothermic peak obtained when DSC measurement was performed using a sample from which the solvent was removed in vacuum for 1 hour.
The heat generation peak of the resin composition after curing was obtained by etching the copper foil of the laminate having copper foil on both sides of the examples of the present invention and the comparative example having a thickness of 0.4 mm, and removing the resin from the surface as a sample. As an exothermic peak when DSC measurement is performed.

表から明らかなように、実施例1〜13は、分子内に2つ以上のマレイミド基を含有する化合物と芳香族ジアミン類化合物とオルト位に2つ以上の水酸基を有する芳香族化合物を含有する本発明の回路基板用樹脂組成物を用いた積層板であり、ガラス転移温度も高く、熱膨張係数も低い値であり、密着性に優れていた。
さらに、ゲルタイムが短いことから、生産性に優れるものであった。
これに対して比較例1ないし6はゲルタイムが長く、生産性が悪化した。
As is apparent from the table, Examples 1 to 13 contain a compound containing two or more maleimide groups in the molecule, an aromatic diamine compound, and an aromatic compound having two or more hydroxyl groups at the ortho position. It was a laminate using the circuit board resin composition of the present invention, had a high glass transition temperature, a low coefficient of thermal expansion, and excellent adhesion.
Furthermore, since the gel time was short, it was excellent in productivity.
On the other hand, Comparative Examples 1 to 6 had a long gel time and deteriorated productivity.

比較例1ないし4はいずれも密着性を示すピール強度測定において十分な値とならなかった。
また、比較例1ないし6はゲルタイムが長く、生産性に劣るものとなった。
実施例と同等の生産性を得るにはより高温で硬化させる必があることが分かる。
また、比較例3ないし7は、反応率の結果から、反応率が十分でなく、220℃で180分のプレス条件では、成形できないことが分かった。
In all of Comparative Examples 1 to 4, sufficient values were not obtained in the peel strength measurement showing adhesion.
Further, Comparative Examples 1 to 6 had a long gel time and were inferior in productivity.
It can be seen that it is necessary to cure at a higher temperature in order to obtain productivity equivalent to that of the example.
Moreover, from Comparative Example 3 to 7, it was found from the results of the reaction rate that the reaction rate was not sufficient and molding was not possible under the pressing conditions at 220 ° C. for 180 minutes.

エポキシ樹脂を用いた比較例7は、ゲルタイムは良好であるが、線膨張率が高いという課題があった。 Comparative Example 7 using an epoxy resin had a problem that the gel time was good, but the linear expansion coefficient was high.

実施例で得られたプリント配線板、及び半導体装置は、すべて歩留まり良く良品が製造できた。一方、比較例はすべて、歩留まりが悪く、特に半導体装置製造時の半導体素子とプリント配線板との接続信頼性が悪かった。 All the printed wiring boards and semiconductor devices obtained in the examples were able to be manufactured with good yield. On the other hand, in all the comparative examples, the yield was poor, and in particular, the connection reliability between the semiconductor element and the printed wiring board at the time of manufacturing the semiconductor device was poor.

本発明の回路基板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板は、高いガラス転移温度を有し、かつ熱膨張係数が低く、耐熱性にも優れる。これにより薄型のシステムインパッケージ基板、半導体装置に有用に用いることができる。   The resin composition for circuit boards, the prepreg, and the laminate of the present invention have a high glass transition temperature, a low coefficient of thermal expansion, and excellent heat resistance. Thereby, it can be usefully used for a thin system-in-package substrate and semiconductor device.

Claims (8)

(A)分子内に2つ以上のマレイミド基を有する化合物、(B)分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を有する化合物と、(C)芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を必須成分とすることを特徴とする回路基板用樹脂組成物。 (A) a compound having two or more maleimide groups in the molecule, (B) a compound having two or more amino groups in the molecule and having an aromatic ring structure, and (C) constituting an aromatic ring A resin composition for circuit boards, comprising as an essential component a compound in which a hydroxyl group is bonded to two or more adjacent carbon atoms. 前記(C)芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が、ジヒドロキシナフタレン、カテコール、およびピロガロールよりなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の回路基板用樹脂組成物   The compound (C) in which a hydroxyl group is bonded to each of two or more adjacent carbon atoms constituting the aromatic ring is at least one selected from the group consisting of dihydroxynaphthalene, catechol, and pyrogallol. Resin composition for circuit board 前記(B)分子内に2つ以上のアミノ基を有し、かつ芳香族環構造を有する化合物が、ジアミノジフェニルスルホンである請求項1または2に記載の回路基板用樹脂組成物 The resin composition for a circuit board according to claim 1 or 2, wherein the compound (B) having two or more amino groups in the molecule and having an aromatic ring structure is diaminodiphenyl sulfone. 請求項1ないし3のいずれかに記載の回路基板用樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。 A prepreg obtained by impregnating a base material with the circuit board resin composition according to claim 1. 請求項4に記載のプリプレグを少なくとも1枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を有する積層板。 A laminate having a metal foil on at least one surface of a laminate in which at least one prepreg according to claim 4 is laminated. 請求項1ないし3のいずれかに記載の回路基板用樹脂組成物よりなる絶縁層をフィルム上、又は金属箔上に形成してなる樹脂シート。 The resin sheet formed by forming the insulating layer which consists of a resin composition for circuit boards in any one of Claim 1 thru | or on a film or metal foil. 請求項4に記載のプリプレグ、請求項5に記載の積層板、および請求項6に記載の樹脂シートからなる群より選ばれる少なくとも1つを用いて作製されるプリント配線板。 A printed wiring board produced using at least one selected from the group consisting of the prepreg according to claim 4, the laminate according to claim 5, and the resin sheet according to claim 6. 請求項7に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。 A semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on the printed wiring board according to claim 7.
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