JP5740941B2 - Prepreg, metal-clad laminate, printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents

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本発明は、樹脂ワニス、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線板及び半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin varnish, a prepreg, a metal-clad laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device.

電子材料分野では、ノート型パーソナルコンピューターや携帯電話等の情報処理機器を含む電子機器に対する小型化、高速化等の要求に伴い、当該電子機器に使用される半導体装置等の電子部品においても小型化、高速化等が進んでおり、情報伝達の高速伝送においては、電気信号の劣化が問題となっている。電気信号の劣化は、導体損失と誘電体損失の和で表されるが、特に多層プリント配線板に用いられる層間絶縁材料の誘電特性に起因する誘電体損失は、高速伝送に必要な高周波領域では著しく増加する。そのため、誘電体損失がGHz帯の周波数において電気信号劣化の主要因となっている。この問題を解決するために、プリント配線板の絶縁層に低誘電率及び低誘電正接の特性を有する材料を用いることが求められている。   In the electronic materials field, along with demands for downsizing and speeding up electronic devices including information processing devices such as notebook personal computers and mobile phones, electronic components such as semiconductor devices used in such electronic devices are also downsized. As the speed increases, the degradation of electrical signals is a problem in high-speed information transmission. Electrical signal degradation is expressed as the sum of conductor loss and dielectric loss. In particular, dielectric loss due to the dielectric properties of the interlayer insulation material used in multilayer printed wiring boards is limited in the high-frequency region required for high-speed transmission. Increase significantly. For this reason, dielectric loss is a major cause of electrical signal degradation at frequencies in the GHz band. In order to solve this problem, it is required to use a material having low dielectric constant and low dielectric loss tangent for the insulating layer of the printed wiring board.

プリント配線板の絶縁層は、プリプレグを用いて形成することができる。プリプレグは、一般的に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂組成物を溶剤に含有させて樹脂ワニスとし、これをガラスクロス等の基材に含浸させて加熱乾燥させることにより作製される。プリント配線板の絶縁層を低誘電率化及び低誘電正接化させる手段として、絶縁層に用いられるプリプレグのガラスクロスに保持される樹脂組成物量を大きくする方法がある。特にGHz帯での高周波領域において、ガラスクロスは誘電率及び誘電正接が比較的高く、樹脂は誘電率及び誘電正接が比較的低いため、ガラスクロスの体積比を小さくし、樹脂を主成分とした樹脂組成物の体積比を大きくすることで、プリプレグ全体の誘電率及び誘電正接を下げることができる。
また、プリプレグ上に金属箔等の導体層を設けて導体回路層を形成することにより作製したプリント配線板は、前記プリプレグが有する樹脂組成物量を大きくすることで、誘電率及び誘電正接が比較的高いガラスクロスから導体回路層までの間隔が広くなるため、低誘電率化、低誘電正接化を図ることができる。
しかし、プリプレグが有する樹脂組成物量を大きくすると、プリプレグが厚くなってしまうため、プリプレグの樹脂組成物量を大きくし、且つ、プリプレグの厚さを従来と同等に維持し或いは従来よりも薄くするためには、薄いガラスクロスを用いる必要がある。
しかしながら、薄いガラスクロスを用いて作製したプリプレグは、ガラスクロスに対する樹脂組成物量は大きいが、樹脂の弾性率や熱膨張率の影響が大きくなるため、プリプレグ全体の弾性率低下、熱膨張率増大が起こる。そこで従来は、樹脂組成物中の充填材の含有量を大きくすることによってプリプレグの弾性率低下、熱膨張率増大を阻止していた。さらに、充填材は樹脂に比べても誘電正接が低いため、樹脂組成物中に充填材を多量に含有させることにより、プリプレグの誘電正接をさらに低くすることができる。
The insulating layer of the printed wiring board can be formed using a prepreg. In general, a prepreg is obtained by containing a resin composition mainly composed of a thermosetting resin such as an epoxy resin in a solvent to form a resin varnish, impregnating it into a substrate such as a glass cloth, and drying by heating. Produced. As a means for reducing the dielectric constant and the dielectric loss tangent of the insulating layer of the printed wiring board, there is a method of increasing the amount of the resin composition held on the glass cloth of the prepreg used for the insulating layer. Especially in the high-frequency region in the GHz band, glass cloth has a relatively high dielectric constant and dielectric loss tangent, and resin has a relatively low dielectric constant and dielectric loss tangent. By increasing the volume ratio of the resin composition, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the entire prepreg can be lowered.
Moreover, the printed wiring board produced by providing a conductor layer such as a metal foil on the prepreg to form a conductor circuit layer has a relatively high dielectric constant and dielectric loss tangent by increasing the amount of the resin composition of the prepreg. Since the distance from the high glass cloth to the conductor circuit layer becomes wide, it is possible to reduce the dielectric constant and the dielectric loss tangent.
However, if the amount of the resin composition of the prepreg is increased, the prepreg becomes thicker, so that the amount of the resin composition of the prepreg is increased, and the thickness of the prepreg is maintained to be equal to that of the conventional or thinner than that of the conventional. Requires the use of a thin glass cloth.
However, a prepreg produced using a thin glass cloth has a large amount of resin composition with respect to the glass cloth, but since the influence of the elastic modulus and thermal expansion coefficient of the resin is large, the elastic modulus of the entire prepreg is decreased and the thermal expansion coefficient is increased. Occur. Therefore, conventionally, a decrease in the elastic modulus and an increase in the thermal expansion coefficient of the prepreg have been prevented by increasing the content of the filler in the resin composition. Further, since the filler has a lower dielectric loss tangent than the resin, the dielectric loss tangent of the prepreg can be further reduced by containing a large amount of the filler in the resin composition.

また、特許文献1には、ヤーンを構成するモノフィラメントを切断する起毛処理を施した後の厚み変化率が10%以上のガラスクロスと、このガラスクロスに保持された半硬化の硬化性樹脂とから成ることを特徴とするプリプレグが開示され、当該プリプレグは、ガラスクロスの起毛によって半硬化の硬化性樹脂の保持率が高まり、低誘電率及び低誘電正接である旨が記載されている。   Patent Document 1 discloses a glass cloth having a thickness change rate of 10% or more after performing a raising process for cutting a monofilament constituting a yarn, and a semi-cured curable resin held by the glass cloth. There is disclosed a prepreg characterized in that the prepreg has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent because the retention rate of the semi-cured curable resin is increased by raising the glass cloth.

特開平8−41224号公報JP-A-8-41224

しかしながら、樹脂組成物中の充填材量を大きくすると、当該樹脂組成物を用いて作製したプリプレグは、コア基板用基材として用いる時に導体層との密着性が悪かったり、当該プリプレグをビルドアップ用絶縁材として用いる時に回路の埋め込みが困難になったりする等の問題が生じる。また、充填材量が大きいプリプレグでは、半硬化状態の樹脂層にボイドが発生しやすく、当該プリプレグを用いて得られたプリント配線板や半導体装置は、絶縁層に発生するボイドにより、絶縁信頼性の低下が起こりやすくなる。このような問題点は、反応性が低く低粘度の樹脂を用いることで改善することができるが、低粘度の樹脂を用いた樹脂組成物のワニスは、流動性が高く、ワニス中の樹脂と充填材とが分離しやすい。そのため、当該ワニスを用いてプリプレグを作製し、得られたプリプレグを加熱加圧成形して積層板を作製すると、ワニスを基材に含浸させる際に樹脂と充填材とが分離することに起因して、得られる積層板は、スジ状のムラが発生する等の外観不良が生じやすくなる。   However, when the amount of the filler in the resin composition is increased, the prepreg produced using the resin composition has poor adhesion to the conductor layer when used as a core substrate substrate, or the prepreg is used for build-up. When used as an insulating material, problems such as difficulty in embedding circuits arise. In addition, in a prepreg with a large amount of filler, voids are likely to occur in a semi-cured resin layer, and printed wiring boards and semiconductor devices obtained using the prepreg have insulation reliability due to voids generated in the insulating layer. Is likely to occur. Such a problem can be improved by using a low-viscosity resin with low reactivity, but the varnish of the resin composition using the low-viscosity resin has high fluidity, and the resin in the varnish Easy to separate from filler. Therefore, when a prepreg is produced using the varnish, and the resulting prepreg is heated and pressed to produce a laminate, the resin and the filler are separated when the varnish is impregnated into the substrate. As a result, the resulting laminate tends to have poor appearance such as streak-like unevenness.

また、特許文献1に開示されているプリプレグは、本発明者の実験によれば、起毛したガラスクロスを用いているため、表面の回路パターンの平滑性が高い積層板を得るためにはプリプレグの厚みが厚くなり、薄膜化に対応させることが困難である。   In addition, the prepreg disclosed in Patent Document 1 uses a brushed glass cloth according to the experiments of the present inventor. Therefore, in order to obtain a laminated board having a high smoothness of the circuit pattern on the surface, The thickness becomes thick and it is difficult to cope with the thinning.

本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、本発明の目的は、誘電特性に優れ、導体層との密着性及び回路加工等を施した平滑でない面に対する接着性(回路埋め込み性)に優れ、ボイドの発生がなく、スジ状のムラ等の外観不良がない絶縁層を作製することができる樹脂ワニスを提供することにある。
また、本発明の別の目的は、前記樹脂ワニスをガラスクロスに保持させた後、前記ケトン系溶剤を除去することにより得られる、誘電特性に優れ、導体層との密着性及び回路埋め込み性に優れ、ボイドの発生がないプリプレグを提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、前記プリプレグを用いて作製した金属張積層板を提供し、前記プリプレグ又は前記金属張積層板を用いてプリント配線板を提供し、前記プリント配線板を用いて作製した半導体装置を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and the object of the present invention is to provide excellent dielectric properties, adhesion to a conductor layer, and adhesion to a non-smooth surface subjected to circuit processing ( An object of the present invention is to provide a resin varnish that is excellent in circuit embedding property, does not generate voids, and can produce an insulating layer having no appearance defects such as streaky irregularities.
Another object of the present invention is to obtain excellent dielectric properties, adhesion to a conductor layer and circuit embedding obtained by holding the resin varnish on a glass cloth and then removing the ketone solvent. The object is to provide a prepreg which is excellent and free from voids.
Still another object of the present invention is to provide a metal-clad laminate produced using the prepreg, provide a printed wiring board using the prepreg or the metal-clad laminate, and produce using the printed wiring board. An object of the present invention is to provide a semiconductor device.

上記目的は、下記発明(1)〜()により達成される。 The above object is achieved by the following inventions (1) to ( 6 ).

(1)エポキシ樹脂及びビスマレイミド化合物を含有する熱硬化性樹脂と、固形分中60〜85質量%の割合で含有する充填材とを含む熱硬化性樹脂組成物を、ケトン系溶剤に含有させた樹脂ワニスを、ガラスクロスに保持させた後、前記ケトン系溶剤を除去することにより得られ、
前記ガラスクロスの単位面積あたり重量が24g/m〜49g/mで、且つ前記熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が48g/m〜279g/mであり、
前記熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が、前記ガラスクロスの単位面積あたりの重量の2倍〜5.7倍であり、
前記ケトン系溶剤が、シクロヘキサノン、イソホロン及びメチルシクロヘキサノンのうち少なくとも1種を含み、且つ、シクロヘキサノン、イソホロン及びメチルシクロヘキサノンの含有量の総量が70質量%以上であることを特徴とするプリプレグ
(2)前記熱硬化性樹脂が、さらにシアネート樹脂を含むものである、上記(1)に記載のプリプレグ。
)上記(1)又は(2)に記載のプリプレグ上に金属箔を積層し、加熱加圧して得られることを特徴とする金属張積層板。
)上記()に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とするプリント配線板。
)内層回路上に、上記(1)又は(2)に記載のプリプレグを絶縁層に用いてなることを特徴とするプリント配線板。
)上記()又は()に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
(1) A ketone solvent contains a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin containing an epoxy resin and a bismaleimide compound and a filler contained in a solid content of 60 to 85% by mass. Obtained by removing the ketone solvent after holding the resin varnish on a glass cloth,
The weight per unit area of glass cloth with 24g / m 2 ~49g / m 2 , and the weight per unit area of the thermosetting resin composition is a 48g / m 2 ~279g / m 2 ,
Weight per unit area of the thermosetting resin composition, are two-fold ~5.7 Baidea the weight per unit area of the glass cloth,
The prepreg characterized in that the ketone solvent contains at least one of cyclohexanone, isophorone and methylcyclohexanone, and the total content of cyclohexanone, isophorone and methylcyclohexanone is 70% by mass or more .
(2 ) The prepreg according to (1 ) above, wherein the thermosetting resin further contains a cyanate resin.
( 3 ) A metal-clad laminate obtained by laminating a metal foil on the prepreg according to the above (1) or (2) and heating and pressing.
( 4 ) A printed wiring board comprising the metal-clad laminate as described in ( 3 ) above as an inner circuit board.
( 5 ) A printed wiring board comprising the prepreg described in (1) or (2) above as an insulating layer on an inner layer circuit.
( 6 ) A semiconductor device, wherein a semiconductor element is mounted on the printed wiring board according to ( 4 ) or ( 5 ).

本発明によれば、誘電特性に優れ、導体層との密着性及び回路埋め込み性に優れ、ボイドの発生がなく、スジ状のムラ等の外観不良がない絶縁層を作製することができる樹脂ワニスを得ることができる。
また、本発明によれば、前記樹脂ワニスを用いて、誘電特性に優れ、導体層との密着性及び回路埋め込み性に優れ、ボイドの発生がないプリプレグを得ることができる。
さらに、本発明によれば、前記プリプレグを用いて、金属張積層板を得ることができ、前記プリプレグまたは前記金属張積層板を用いてプリント配線板を得ることができ、前記プリント配線板を用いて半導体装置を得ることができる。
According to the present invention, a resin varnish that can produce an insulating layer having excellent dielectric properties, excellent adhesion to a conductor layer and excellent circuit embedding properties, no generation of voids, and no appearance defects such as streaky irregularities. Can be obtained.
Further, according to the present invention, it is possible to obtain a prepreg having excellent dielectric characteristics, excellent adhesion to a conductor layer and circuit embedding property, and no generation of voids, using the resin varnish.
Furthermore, according to the present invention, a metal-clad laminate can be obtained using the prepreg, a printed wiring board can be obtained using the prepreg or the metal-clad laminate, and the printed wiring board is used. Thus, a semiconductor device can be obtained.

本発明のプリプレグの製造に用いられる含浸塗布設備の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the impregnation coating equipment used for manufacture of the prepreg of this invention.

(樹脂ワニス)
本発明の樹脂ワニスは、エポキシ樹脂及びビスマレイミド化合物を含有する熱硬化性樹脂と、固形分中60〜85質量%の割合で含有する充填材とを含む熱硬化性樹脂組成物(以下、単に「樹脂組成物」と称することがある。)を、ケトン系溶剤に含有させたことを特徴とする。
なお、本発明において熱硬化性樹脂組成物とは、樹脂ワニスの溶剤以外の全成分、すなわち固形分を意味し、液状の樹脂成分等も固形分に含まれる。
また、本発明において熱硬化性樹脂組成物を溶剤に含有するとは、前記熱硬化性樹脂組成物に含まれる可溶性の樹脂等は溶剤に溶解し、不溶性の充填材等は溶剤に分散していることを意味する。
(Resin varnish)
The resin varnish of the present invention is a thermosetting resin composition (hereinafter simply referred to as a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin containing an epoxy resin and a bismaleimide compound and a filler contained in a solid content of 60 to 85% by mass. It may be referred to as “resin composition”) in a ketone solvent.
In addition, in this invention, a thermosetting resin composition means all components other than the solvent of a resin varnish, ie, solid content, and a liquid resin component etc. are contained in solid content.
In the present invention, the term “containing a thermosetting resin composition in a solvent” means that a soluble resin or the like contained in the thermosetting resin composition is dissolved in a solvent, and an insoluble filler or the like is dispersed in the solvent. Means that.

樹脂組成物を溶剤に含有させて得られる樹脂ワニスは、流動性が高すぎると樹脂と充填材とが分離しやすくなる。そのため、前記樹脂ワニスをガラスクロスに保持させた後、溶剤を除去することにより得られるプリプレグは、樹脂ワニスを基材に含浸させる際に樹脂と充填材とが分離することに起因して、加熱加圧成形するとスジ状のムラが発生したりする。一方、従来の流動性の低い樹脂ワニスを用いると、得られるプリプレグを加熱加圧成形してもスジ状のムラは発生しない。しかし、流動性の低い樹脂ワニスを用いて得られたプリプレグは、コア基板用基材として用いる時に導体層との密着性が悪かったり、ビルドアップ用絶縁材として用いる時に回路の埋め込みが困難になったりする。さらに、流動性の低い樹脂ワニスを用いると、得られるプリプレグや当該プリプリプレグを加熱加圧成形した時に樹脂層にボイドが発生しやすく、当該プリプレグを用いて製造したプリント配線板や半導体装置の絶縁信頼性を低下させたりする。従って、プリプレグの作製等に用いられる樹脂ワニスは、溶剤を含んだ樹脂ワニスの状態では、樹脂と充填材とが分離しにくい高すぎない流動性を有し、且つ、当該樹脂ワニスを用いて得られるプリプレグは、コア基板用基材として用いる時の導体層との密着性、及び、ビルドアップ用絶縁材として用いる時の回路埋め込みに優れ、ボイドの発生がない組成であることが求められる。
本発明者らは鋭意検討の結果、ビスマレイミド化合物とケトン系溶剤とを組み合わせることにより、多量の充填材を含有しているにも関わらず、溶剤を含んだ状態では、樹脂と充填材とが分離しにくい高すぎない流動性を有し、当該樹脂ワニスを用いて得られるプリプレグが、コア基板用基材として用いる時の導体層との密着性、及び、ビルドアップ用絶縁材として用いる時の回路埋め込みに優れ、ボイドの発生がなく、加熱加圧成形した時にスジ状のムラが発生しないことを見出した。
ビスマレイミド化合物は、極性が高いため、極性の低い溶剤には溶解せず、また、ビスマレイミド化合物の二重結合部分がルイス酸的な性質を有するため、アルコール等のプロトン性極性溶剤には溶解しない。また、ビスマレイミド化合物は、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等の含窒素非プロトン性極性溶剤には溶解するが、これらの溶剤に溶解させた場合、ビスマレイミド化合物と含窒素非プロトン性極性溶剤の相互作用が強く、流動性が高くなってしまう。これに対し、本発明者らは、ケトン系化合物を溶剤として用いた場合、ビスマレイミド化合物が溶解し、かつ、ワニスの流動性が低下することを見出した。これは、ビスマレイミド化合物の二重結合部分のルイス酸的な性質と、ケトン系溶剤のカルボニル部分が適度に相互作用し、溶解するものの、ケトン系溶剤の疎水性であるアルキル鎖部分が適度に反発することで、ワニスの流動性が低下するものと考えられる。また、本発明者らは、ケトン系溶剤の中でも、特にシクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロンなどの環状ケトン類が、カルボニル基の極性が高く、ワニスの高い溶解性と流動性の低下を両立できることを見出した。また、本発明の樹脂ワニス中のビスマレイミド化合物とケトン系溶剤とは、相互作用して平衡状態となっており、一部のビスマレイミド化合物が硬化反応し難い状態となる。硬化反応し難い状態となったビスマレイミド化合物の一部は、樹脂ワニスを加熱乾燥した後にも存在し、樹脂組成物の硬化反応の進行を遅くするため、半硬化状態での樹脂組成物の粘度を下げると考えられる。従って、本発明の樹脂ワニスを用いて得られるプリプレグは、樹脂組成物中に充填材を多量に含有しているにも関わらず、コア基板用基材として用いる時の導体層との密着性、及び、ビルドアップ用絶縁材として用いる時の回路埋め込みに優れ、ボイドが発生しない。
さらに、本発明の樹脂ワニスを用いて得られるプリプレグは、本発明の樹脂ワニスが、エポキシ樹脂を含むことで導体層との密着性に優れ、ビスマレイミド化合物を含むことで、誘電特性(誘電率、誘電正接)に優れ、充填材を多量に含有することで高弾性及び低熱膨張性であり、誘電正接がより低い。
If the resin varnish obtained by containing the resin composition in a solvent has too high fluidity, the resin and the filler are easily separated. Therefore, the prepreg obtained by holding the resin varnish on the glass cloth and then removing the solvent is heated due to separation of the resin and the filler when the resin varnish is impregnated into the base material. When pressure forming, streaky unevenness occurs. On the other hand, when a conventional resin varnish with low fluidity is used, even if the obtained prepreg is heat-press molded, streaky unevenness does not occur. However, a prepreg obtained using a resin varnish with low fluidity has poor adhesion to a conductor layer when used as a base material for a core substrate, or it becomes difficult to embed a circuit when used as a build-up insulating material. Or Furthermore, if a resin varnish with low fluidity is used, voids are likely to occur in the resin layer when the resulting prepreg and the prepreg are heated and pressed, and insulation of printed wiring boards and semiconductor devices manufactured using the prepreg Reducing reliability. Therefore, the resin varnish used for preparing the prepreg has a fluidity that is not too high that the resin and the filler are difficult to separate in the state of the resin varnish containing the solvent, and is obtained using the resin varnish. The prepreg to be formed is required to have a composition that is excellent in adhesion to a conductor layer when used as a core substrate base material and excellent in circuit embedding when used as a build-up insulating material and does not generate voids.
As a result of intensive studies, the present inventors have combined a bismaleimide compound and a ketone solvent, so that the resin and the filler are contained in the solvent-containing state even though it contains a large amount of the filler. When the prepreg obtained by using the resin varnish has a fluidity that is not difficult to separate and is used as a base material for a core substrate, and when used as an insulating material for buildup It has been found that it is excellent in circuit embedding, does not generate voids, and does not cause streak-like unevenness when heated and pressed.
Since bismaleimide compounds are highly polar, they do not dissolve in solvents with low polarity, and because the double bond portion of bismaleimide compounds has Lewis acid properties, it dissolves in protic polar solvents such as alcohol. do not do. Bismaleimide compounds dissolve in nitrogen-containing aprotic polar solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, but when dissolved in these solvents, bismaleimide compounds and nitrogen-containing compounds are dissolved. The interaction of the aprotic polar solvent is strong and the fluidity becomes high. In contrast, the present inventors have found that when a ketone compound is used as a solvent, the bismaleimide compound is dissolved and the fluidity of the varnish is lowered. This is because the Lewis acid nature of the double bond part of the bismaleimide compound and the carbonyl part of the ketone solvent interact and dissolve appropriately, but the hydrophobic alkyl chain part of the ketone solvent moderately It is considered that the fluidity of the varnish decreases due to repulsion. In addition, the present inventors have found that among ketone solvents, cyclic ketones such as cyclohexanone, methylcyclohexanone, and isophorone have high carbonyl group polarity, and can achieve both high varnish solubility and low fluidity. It was. In addition, the bismaleimide compound and the ketone solvent in the resin varnish of the present invention interact with each other in an equilibrium state, and a part of the bismaleimide compound hardly undergoes a curing reaction. Some of the bismaleimide compounds that have become difficult to cure are present even after the resin varnish is heated and dried, and slows the progress of the curing reaction of the resin composition, so the viscosity of the resin composition in a semi-cured state It is thought that lowers. Therefore, the prepreg obtained by using the resin varnish of the present invention contains a large amount of filler in the resin composition, but the adhesion with the conductor layer when used as a core substrate substrate, And it is excellent in circuit embedding when used as an insulating material for buildup, and no void is generated.
Furthermore, the prepreg obtained by using the resin varnish of the present invention has excellent adhesiveness to the conductor layer because the resin varnish of the present invention contains an epoxy resin, and includes a bismaleimide compound. The dielectric loss tangent is excellent, and by containing a large amount of filler, it has high elasticity and low thermal expansion, and the dielectric loss tangent is lower.

まず、本発明の樹脂ワニスに用いられる熱硬化性樹脂組成物について説明する。
前記熱硬化性樹脂組成物は、少なくともエポキシ樹脂及びビスマレイミド化合物を含有する熱硬化性樹脂と、充填材とを含有する。
First, the thermosetting resin composition used for the resin varnish of the present invention will be described.
The thermosetting resin composition contains at least a thermosetting resin containing an epoxy resin and a bismaleimide compound, and a filler.

前記熱硬化性樹脂は、少なくともエポキシ樹脂及びビスマレイミド化合物を含み、その他にも、特に限定されないが、例えば、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、ポリエステル樹脂等を含んでいてもよい。
前記熱硬化性樹脂は、硬化性及び導体層との密着性の観点からエポキシ樹脂を含み、硬化性及び誘電特性(低誘電率、低誘電正接)の観点からビスマレイミド化合物を含む。さらに、ビスマレイミド化合物は、本発明の樹脂ワニスに含まれるケトン系溶媒と組み合わせることにより、前記樹脂ワニスの流動性を下げる効果がある。また、前記熱硬化性樹脂は、難燃性を向上させ、熱膨張係数を小さくし、プリプレグの誘電特性(低誘電率、低誘電正接)、導体層との密着性等を向上させ、さらには耐熱性、剛性等を向上させる点から、シアネート樹脂を含むことがより好ましい。
The thermosetting resin includes at least an epoxy resin and a bismaleimide compound, and is not particularly limited. For example, cyanate resin, phenol resin, benzoxazine resin, urea resin, melamine resin, silicon resin, polyester resin, etc. May be included.
The thermosetting resin contains an epoxy resin from the viewpoint of curability and adhesion to the conductor layer, and contains a bismaleimide compound from the viewpoint of curability and dielectric properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent). Further, the bismaleimide compound has an effect of lowering the fluidity of the resin varnish by combining with a ketone solvent contained in the resin varnish of the present invention. In addition, the thermosetting resin improves flame retardancy, reduces the thermal expansion coefficient, improves the prepreg dielectric properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), adhesion to the conductor layer, etc. In view of improving heat resistance, rigidity and the like, it is more preferable to include a cyanate resin.

前記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂であり、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4’−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4’−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、1,1,2,2−(テトラフェノール)エタンのグリシジルエーテル類、3官能、又は4官能のグリシジルアミン類、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂、ナフトールアルキレン型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、上記エポキシ樹脂をハロゲン化した難燃化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる分子量を有する2種類以上を併用することもでき、1種類又は2種類以上と、それらのプレポリマーを併用することもできる。
これらのエポキシ樹脂の中でも特に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。これにより、低吸水性、耐熱性及び難燃性が向上する。
The epoxy resin is not particularly limited, but is an epoxy resin that does not substantially contain a halogen atom. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, Bisphenol Z type epoxy resin (4,4′-cyclohexyldiene bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 ′-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol M Type epoxy resins (4,4 '-(1,3-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resins) and other bisphenol type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, and cresol novolak type epoxy resins. Si resin, biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, biphenyl dimethylene type epoxy resin, trisphenol methane novolak type epoxy resin, 1,1,2,2- (tetra Phenol) ethane glycidyl ethers, trifunctional or tetrafunctional glycidyl amines, arylalkylene type epoxy resins such as tetramethylbiphenyl type epoxy resins, naphthalene skeleton modified cresol novolak type epoxy resins, methoxynaphthalene modified cresol novolak type epoxy resins , Naphthalene type epoxy resins such as methoxynaphthalene dimethylene type epoxy resin, naphthol alkylene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy Fat, dicyclopentadiene type epoxy resins, norbornene type epoxy resins, adamantane type epoxy resins, fluorene type epoxy resins, flame-retarded epoxy resin or the like halogenated epoxy resins. One of these can be used alone, two or more having different molecular weights can be used in combination, and one or two or more thereof and their prepolymers can be used in combination.
Among these epoxy resins, in particular, from the group consisting of biphenylaralkyl type epoxy resins, naphthalene skeleton modified cresol novolac type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, and naphthalene type epoxy resins. At least one selected is preferred. Thereby, a low water absorption, heat resistance, and a flame retardance improve.

前記エポキシ樹脂の分子量は、特に限定されないが、300〜3000が好ましく、特に400〜2000が好ましい。分子量が前記下限値未満であると、プリプレグの機械的強度が低下したり、タック性が生じたりする場合がある。分子量が前記上限値を超えると、プリプレグ作製時におけるガラスクロスへの含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合があったり、硬化反応が速くなり、半硬化状態での導体層との密着性や回路埋め込み性が悪くなったりする場合がある。   Although the molecular weight of the said epoxy resin is not specifically limited, 300-3000 are preferable and 400-2000 are especially preferable. If the molecular weight is less than the lower limit, the mechanical strength of the prepreg may be lowered or tackiness may occur. When the molecular weight exceeds the above upper limit, the impregnation property into the glass cloth at the time of prepreg production is lowered, and a uniform product may not be obtained, or the curing reaction is accelerated, and the conductor layer in the semi-cured state is Adhesion and circuit embedding may be deteriorated.

前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体の固形分基準で5〜25重量%が好ましく、特に6〜10重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したり、導体層との密着性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下したり、誘電特性が不十分になったりする場合がある。   Although content of the said epoxy resin is not specifically limited, 5-25 weight% is preferable on the solid content basis of the whole thermosetting resin composition, and 6-10 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the curability may decrease, the moisture resistance of the resulting product may decrease, or the adhesion to the conductor layer may decrease. In some cases, the performance may be reduced, or the dielectric characteristics may be insufficient.

前記ビスマレイミド化合物は、分子鎖の両末端にマレイミド基を有する化合物であり、例えば、下記式(1)で表わされるものを用いることができる。ただし、前記ビスマレイミド化合物は、分子鎖の両末端以外にマレイミド基を有していても良い。   The bismaleimide compound is a compound having maleimide groups at both ends of a molecular chain, and for example, a compound represented by the following formula (1) can be used. However, the bismaleimide compound may have a maleimide group in addition to both ends of the molecular chain.

Figure 0005740941
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式(1)中、R1〜R4は水素又は炭素数1〜4の置換若しくは無置換の炭化水素基であり、R5は2価の置換又は無置換の有機基である。ここで有機基とは、異種原子を含んでいてもよい炭化水素基であり、異種原子としては、例えばO、S等が挙げられる。Rは、好ましくはメチレン基、芳香環及びエーテル結合(−O−)が任意の順序で結合した主鎖構造を有し、主鎖上に置換基及び/又は側鎖を有していても良い炭化水素基であり、主鎖構造に含まれるメチレン基、芳香環及びエーテル結合の合計数が15個以下のもの、より好ましくは11個以下のものである。上記置換基又は側鎖としては、例えば、炭素数3個以下の炭化水素基、マレイミド基、アルコキシ基等が挙げられる。 In formula (1), R 1 to R 4 are hydrogen or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and R 5 is a divalent substituted or unsubstituted organic group. Here, the organic group is a hydrocarbon group that may contain a heteroatom, and examples of the heteroatom include O and S. R 5 preferably has a main chain structure in which a methylene group, an aromatic ring and an ether bond (—O—) are bonded in any order, and may have a substituent and / or a side chain on the main chain. It is a good hydrocarbon group, and the total number of methylene groups, aromatic rings and ether bonds contained in the main chain structure is 15 or less, more preferably 11 or less. Examples of the substituent or side chain include a hydrocarbon group having 3 or less carbon atoms, a maleimide group, and an alkoxy group.

以下に、本発明による好ましいビスマレイミドの具体的例示化合物(2)〜(5)を示すが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。   Specific examples of preferred bismaleimide compounds (2) to (5) according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these compounds.

Figure 0005740941
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前記ビスマレイミド化合物としては、具体的には、4,4'−ジフェニルメタンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、p−フェニレンビスマレイミド、2,2'−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、N,N'−エチレンジマレイミド、N,N'−ヘキサメチレンジマレイミド等が挙げられる。これらの中でも、低吸水率等を考慮すると、2,2'−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタンが好ましい。
前記ビスマレイミド化合物は、単独で用いてもよいし、種類の異なるビスマレイミド化合物を併用したり、ビスマレイミド化合物とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
Specific examples of the bismaleimide compound include 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, m-phenylene bismaleimide, p-phenylene bismaleimide, and 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl]. Propane, bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, N, N′-ethylenedimaleimide, N, N′-hexamethylenedimaleimide Etc. Among these, in consideration of low water absorption, 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane and bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane are preferable. .
The bismaleimide compounds may be used singly, or different types of bismaleimide compounds may be used in combination, or a bismaleimide compound and a prepolymer thereof may be used in combination.

前記ビスマレイミド化合物の含有量は、特に限定されないが、樹脂ワニス全体から溶媒を除いた固形分基準で5〜25重量%が好ましく、特に6〜10重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性や誘電特性(低誘電率、低誘電正接)が不十分となる場合があり、前記上限値を超えると半田耐熱性が悪化する場合がある。   Although content of the said bismaleimide compound is not specifically limited, 5 to 25 weight% is preferable on the solid content basis except the solvent from the whole resin varnish, and 6 to 10 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, curability and dielectric properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) may be insufficient, and if the content exceeds the upper limit, solder heat resistance may deteriorate.

前記シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。   The cyanate resin is not particularly limited, and can be obtained, for example, by reacting a halogenated cyanide compound with phenols or naphthols, and prepolymerizing by a method such as heating as necessary. Moreover, the commercial item prepared in this way can also be used.

前記シアネート樹脂の種類としては、特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、及びナフトールアラルキル型シアネート樹脂等を挙げることができる。ノボラック型シアネート樹脂は、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができ、樹脂層の機械的強度、誘電特性(低誘電率、低誘電正接)にも優れる。   The kind of the cyanate resin is not particularly limited. For example, bisphenol cyanate resin such as novolak type cyanate resin, bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin, tetramethylbisphenol F type cyanate resin, and naphthol aralkyl type. And cyanate resin. The novolac-type cyanate resin can reduce the thermal expansion coefficient of the resin layer, and is excellent in the mechanical strength and dielectric properties (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) of the resin layer.

前記シアネート樹脂は、分子内に2個以上のシアネート基(−O−CN)を有することが好ましい。例えば、2,2’−ビス(4−シアナトフェニル)イソプロピリデン、1,1’−ビス(4−シアナトフェニル)エタン、ビス(4−シアナト−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアナトフェニル−1−(1−メチルエチリデン))ベンゼン、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル、フェノールノボラック型シアネートエステル、ビス(4−シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(4−シアナトフェニル)エーテル、1,1,1−トリス(4−シアナトフェニル)エタン、トリス(4−シアナトフェニル)ホスファイト、ビス(4−シアナトフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、1,3−、1,4−、1,6−、1,8−、2,6−又は2,7−ジシアナトナフタレン、1,3,6−トリシアナトナフタレン、4,4−ジシアナトビフェニル、及びフェノールノボラック型、クレゾールノボラック型の多価フェノール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂等が挙げられる。これらの中で、フェノールノボラック型シアネート樹脂が難燃性、及び低熱膨張性に優れ、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)イソプロピリデン、及びジシクロペンタジエン型シアネートエステルが架橋密度の制御、及び耐湿信頼性に優れている。特に、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、更に他のシアネート樹脂を1種類あるいは2種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。   The cyanate resin preferably has two or more cyanate groups (—O—CN) in the molecule. For example, 2,2′-bis (4-cyanatophenyl) isopropylidene, 1,1′-bis (4-cyanatophenyl) ethane, bis (4-cyanato-3,5-dimethylphenyl) methane, 3-bis (4-cyanatophenyl-1- (1-methylethylidene)) benzene, dicyclopentadiene type cyanate ester, phenol novolac type cyanate ester, bis (4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanato) Phenyl) ether, 1,1,1-tris (4-cyanatophenyl) ethane, tris (4-cyanatophenyl) phosphite, bis (4-cyanatophenyl) sulfone, 2,2-bis (4-si Anatophenyl) propane, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- or 2,7-dicyanatonaphthalene, 1 Cyanate resin obtained by reaction of 3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl, phenol novolac type, cresol novolac type polyhydric phenols with cyanogen halide, naphthol aralkyl type polyvalent naphthol And cyanate resin obtained by the reaction of a halogenated cyanide. Among these, phenol novolac-type cyanate resin is excellent in flame retardancy and low thermal expansion, and 2,2-bis (4-cyanatophenyl) isopropylidene and dicyclopentadiene-type cyanate ester are used to control the crosslinking density, Excellent moisture resistance reliability. In particular, a phenol novolac type cyanate resin is preferred from the viewpoint of low thermal expansion. Furthermore, other cyanate resins may be used alone or in combination of two or more, and are not particularly limited.

前記シアネート樹脂は、単独で用いてもよいし、種類の異なるシアネート樹脂を併用したり、シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
前記プレポリマーは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応等により、例えば3量化することで得られるものであり、ワニスの成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。
前記プレポリマーは、特に限定されないが、例えば、3量化率が20〜50重量%のプレポリマーを用いた場合、良好な成形性、流動性を発現できる。
The said cyanate resin may be used independently, can also use together cyanate resin from which a kind differs, or can also use cyanate resin and its prepolymer together.
The prepolymer is usually obtained by, for example, trimerizing the cyanate resin by a heating reaction or the like, and is preferably used for adjusting the moldability and fluidity of the varnish.
The prepolymer is not particularly limited. For example, when a prepolymer having a trimerization rate of 20 to 50% by weight is used, good moldability and fluidity can be expressed.

前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、5.0×10〜4.5×10が好ましく、特に6.0×10〜3.0×10が好ましい。重量平均分子量が下限値未満であるとプリプレグを作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が上限値を超えると反応が速くなりすぎ、特にプリプレグが導体層との密着性及び回路埋め込み性に劣ることがある。なお、シアネート樹脂の重量平均分子量は、ポリスチレン換算のゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定した値である。 The weight average molecular weight of the cyanate resin is not particularly limited, but is preferably 5.0 × 10 2 to 4.5 × 10 3 , and particularly preferably 6.0 × 10 2 to 3.0 × 10 3 . If the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur when the prepreg is produced, and the prepreg may adhere to each other or transfer of the resin may occur. Further, when the weight average molecular weight exceeds the upper limit, the reaction becomes too fast, and in particular, the prepreg may be inferior in adhesion to the conductor layer and circuit embedding property. In addition, the weight average molecular weight of cyanate resin is the value measured by the gel permeation chromatography method of polystyrene conversion.

前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体の固形分基準で5〜25重量%が好ましく、特に6〜10重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、シアネート樹脂は、効果的に耐熱性、及び難燃性を発現させることができる。また、含有量が前記下限未満であると、熱膨張性が大きくなり、耐熱性が低下する場合があり、前記上限値を超えると得られるプリプレグの強度が低下する場合がある。   Although content of the said cyanate resin is not specifically limited, 5 to 25 weight% is preferable on the solid content basis of the whole thermosetting resin composition, and 6 to 10 weight% is especially preferable. When the content is within the above range, the cyanate resin can effectively exhibit heat resistance and flame retardancy. Further, if the content is less than the lower limit, the thermal expansibility increases and the heat resistance may decrease, and if it exceeds the upper limit, the strength of the prepreg obtained may decrease.

また、本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂の他に、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂を含有していても良い。   In addition to the thermosetting resin, the thermosetting resin composition used in the present invention contains a thermoplastic resin such as a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene oxide resin, and a polyethersulfone resin. May be.

本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物は充填材を含有する。これにより、当該熱硬化性樹脂組成物を溶剤に含有した樹脂ワニスの流動性を低下させることができ、さらに、当該樹脂ワニスを用いて作製したプリプレグを高弾性、低熱膨張性、及び低誘電正接とすることができる。
前記充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等の無機充填材、シリコンゴム、アクリルゴム粒子、ポリスチレンパウダー等の有機充填材を用いることができる。
The thermosetting resin composition used in the present invention contains a filler. As a result, the fluidity of the resin varnish containing the thermosetting resin composition in the solvent can be reduced, and the prepreg produced using the resin varnish can have high elasticity, low thermal expansion, and low dielectric loss tangent. It can be.
Examples of the filler include silicates such as talc, fired clay, unfired clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, silica, and fused silica; calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite, and the like. Carbonates: hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite; zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, boron Borates such as calcium oxide and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride; inorganic fillers such as titanates such as strontium titanate and barium titanate, silicon rubber, acrylic Organic fillers such as rubber particles and polystyrene powder can be used

本発明に用いられる充填材としては、これらの中でも特に低誘電正接及び低熱膨張性である点から、シリカが好ましく、特に溶融シリカが好ましい。
また、前記充填材の形状は、破砕状、球状等が挙げられるが、プリプレグ製造において樹脂組成物のガラスクロスに対する含浸性を確保するため、球状であることが好ましく、特に球状シリカを使うことが好ましい。
Of these, silica is preferred as the filler used in the present invention, and fused silica is particularly preferred because of its low dielectric loss tangent and low thermal expansion.
In addition, the shape of the filler includes a crushed shape, a spherical shape, and the like, but in order to ensure the impregnating property of the resin composition to the glass cloth in the prepreg production, the spherical shape is preferable, and in particular, spherical silica is used. preferable.

前記充填材の粒径は、特に限定されないが、平均粒径が0.01〜5.0μmであることが好ましく、特に0.1〜2.0μmであることが好ましい。充填材の平均粒径が前記下限値未満であると、本発明の樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製する際に、樹脂ワニスの粘度が高くなるため、プリプレグを作製する際の作業性に影響を与える場合がある。一方、前記上限値を超えると、樹脂ワニス中で充填材の沈降等の現象が起こる場合がある。充填材の平均粒径を前記範囲内とすることにより、作業性に優れたものとすることができる。なお、前記平均粒径は、例えば、超音波振動電流法(ゼータ電位)、超音波減衰分光法(粒度分布)およびレーザー回折散乱法により測定することができる。具体的には、微粒子の平均粒径はD50で規定できる。   The particle size of the filler is not particularly limited, but the average particle size is preferably 0.01 to 5.0 μm, particularly preferably 0.1 to 2.0 μm. When the average particle size of the filler is less than the lower limit, when preparing a resin varnish using the resin composition of the present invention, the viscosity of the resin varnish becomes high, so that the workability when preparing a prepreg is improved. May have an effect. On the other hand, if the upper limit is exceeded, phenomena such as sedimentation of the filler may occur in the resin varnish. By making the average particle diameter of the filler within the above range, the workability can be improved. The average particle diameter can be measured by, for example, an ultrasonic vibration current method (zeta potential), ultrasonic attenuation spectroscopy (particle size distribution), and laser diffraction scattering method. Specifically, the average particle diameter of the fine particles can be defined by D50.

また前記充填材は、特に限定されないが、平均粒径が単分散の充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の充填材を用いることができる。なお、本発明において平均粒径が単分散であるとは、粒径の標準偏差が10%以下であるものを意味し、多分散であるとは、粒径の標準偏差が10%以上であるものを意味する。
本発明に用いられる充填材としては、平均粒径が単分散及び/または、多分散の充填材を1種類単独で用いることもできるし、2種類以上併用することもできる。
Further, the filler is not particularly limited, but a filler having a monodispersed average particle diameter can be used, and a filler having a polydispersed average particle diameter can be used. In the present invention, the average particle size being monodispersed means that the standard deviation of the particle size is 10% or less, and being polydispersed means that the standard deviation of the particle size is 10% or more. Means things.
As the filler used in the present invention, a monodisperse and / or polydisperse filler having an average particle diameter can be used alone or in combination of two or more.

前記充填材の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂組成物全体の固形分基準で60〜85重量%が好ましく、特に65〜75重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると充填材の分散性に優れ、樹脂ワニスがガラスクロスに保持されやすいためガラスクロスへの樹脂層の厚付けができ、さらに、前記熱硬化性樹脂組成物を用いて作製したプリプレグは高弾性、低熱膨張性、低誘電率及び低誘電正接となる。   Although content of the said filler is not specifically limited, 60 to 85 weight% is preferable on the solid content basis of the said whole thermosetting resin composition, and 65 to 75 weight% is especially preferable. When the content is in the above range, the dispersibility of the filler is excellent, and the resin varnish is easily held by the glass cloth, so that the resin layer can be thickened to the glass cloth, and further, the thermosetting resin composition is used. The prepreg produced in this way has high elasticity, low thermal expansion, low dielectric constant, and low dielectric loss tangent.

本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物は、硬化剤を含有することができる。
前記硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば特に限定することなく用いることができ、エポキシ樹脂の硬化剤として公知の脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂等を用いることができる。これらの硬化剤は、単独で用いても2種類以上を併用しても良い。これらの中でも、耐熱性の観点から芳香族アミンが好ましい。
The thermosetting resin composition used in the present invention can contain a curing agent.
The curing agent can be used without particular limitation as long as it cures an epoxy resin. Known curing agents for epoxy resins include aliphatic amines, aromatic amines, dicyandiamide, dicarboxylic acid dihydrazide compounds, and acid anhydrides. Products, phenol resins and the like can be used. These curing agents may be used alone or in combination of two or more. Among these, aromatic amines are preferable from the viewpoint of heat resistance.

前記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂を用いない場合は、前記熱硬化性樹脂組成物全体の固形分基準で2〜15重量%が好ましく、特に5〜12重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると、硬化を促進する効果が不充分で樹脂組成物の流動性が高く、プリプレグの加熱加圧成形時にスジ状のムラが発生したり、硬化が不充分でモノマーが残存し、その結果半田耐熱性が悪化したりする場合がある。一方、含有量が前記上限値を超えると、硬化を促進する効果が飽和する場合があり、硬化に寄与しない反応基が残存し、誘電特性(低誘電率、低誘電正接)が悪化する場合がある。
なお、前記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂を用いる場合はシアネート樹脂とアミノ基が激しく反応するため、前記硬化剤の含有量は、前記熱硬化性樹脂組成物全体の固形分基準で0〜5重量%が好ましく、特に0〜2重量%が好ましい。
The content of the curing agent is not particularly limited, but when a cyanate resin is not used as the thermosetting resin, it is preferably 2 to 15% by weight based on the solid content of the entire thermosetting resin composition, particularly 5 ˜12% by weight is preferred. If the content is less than the lower limit, the effect of accelerating curing is insufficient and the fluidity of the resin composition is high, streaky unevenness occurs during heat-press molding of the prepreg, or curing is insufficient. The monomer may remain, and as a result, solder heat resistance may deteriorate. On the other hand, if the content exceeds the upper limit, the effect of promoting curing may be saturated, reactive groups that do not contribute to curing may remain, and dielectric characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) may deteriorate. is there.
In addition, since cyanate resin and an amino group react violently when using cyanate resin as the said thermosetting resin, content of the said hardening | curing agent is 0-5 weight on the solid content basis of the said whole thermosetting resin composition. % Is preferable, and 0 to 2% by weight is particularly preferable.

また、本発明において硬化剤と硬化促進剤を併用しても良い。前記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機燐系や、1.8−ジアザビシクロウンデセン、トリエチレンジアミン、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール等の窒素系の硬化促進剤かそれらのアダクト品が好適に使用される。   In the present invention, a curing agent and a curing accelerator may be used in combination. Although it does not specifically limit as said hardening accelerator, For example, organic phosphorus type | system | groups, such as a triphenyl phosphine and a tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate, 1.8-diazabicycloundecene, a triethylenediamine, 2-ethyl-4- Nitrogen-based curing accelerators such as methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole or their adducts are preferably used.

また、本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を使用することができる。これにより、熱硬化性樹脂と充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、ガラスクロスに対して樹脂及び充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を向上させることができる。   Moreover, although the thermosetting resin composition used for this invention is not specifically limited, A coupling agent can be used. This improves the wettability of the interface between the thermosetting resin and the filler, thereby uniformly fixing the resin and the filler to the glass cloth and improving the heat resistance, particularly the solder heat resistance after moisture absorption. be able to.

前記カップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。   Although it does not specifically limit as said coupling agent, For example, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, a silicone oil type coupling agent etc. are mentioned.

前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記充填材100重量部に対して0.1〜5重量部が好ましく、特に0.1〜2重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると前記充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低い場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。   Although content of the said coupling agent is not specifically limited, 0.1-5 weight part is preferable with respect to 100 weight part of said fillers, and 0.1-2 weight part is especially preferable. When the content is less than the lower limit value, the filler cannot be sufficiently covered, and thus the effect of improving heat resistance may be low. When the content exceeds the upper limit value, the reaction is affected, and the bending strength is reduced. There is.

本発明の熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、上記成分以外の添加物を、特性を損なわない範囲で添加することができる。上記成分以外の成分としては、アクリル系重合物等の表面調整剤、染料及び顔料等の着色剤等を挙げることができる。   The thermosetting resin composition of this invention can add additives other than the said component as needed in the range which does not impair a characteristic. Examples of components other than the above components include surface conditioners such as acrylic polymers, and colorants such as dyes and pigments.

本発明の樹脂ワニスは、溶剤としてケトン系溶剤を用いる。本発明の樹脂ワニスに用いられる溶剤は、全体の70質量%以上がケトン類からなるものであればよく、アルコール類、エーテル類、アセタール類、エステル類、アルコールエステル類、エーテルアルコール類、及びエステルエーテル類等のケトン類以外の溶剤を30質量%未満の割合で含んでいてもよい。   The resin varnish of the present invention uses a ketone solvent as a solvent. The solvent used in the resin varnish of the present invention is not limited as long as 70% by mass or more of the total is composed of ketones. Alcohols, ethers, acetals, esters, alcohol esters, ether alcohols, and esters A solvent other than ketones such as ethers may be contained in a proportion of less than 30% by mass.

前記ケトン類としては、特に限定されないが、例えば、アセトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジエチルケトン、メチル−n−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、アセトニルアセトン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2‐(1‐シクロヘキセニル)シクロヘキサノン等が挙げられる。前記ケトン類は、1種を単独で、または2種以上を併用して用いられる。これらの中でも、ビスマレイミド化合物の溶解性の点で環状ケトン類が好ましく、特にシクロヘキサノン、イソホロン及びメチルシクロヘキサノンが好ましい。つまり、本発明に用いられるケトン系溶剤は、シクロヘキサノン、イソホロン及びメチルシクロヘキサノンのうち少なくとも1つを含み、且つ、当該3種のケトン類の含有量の総量が70質量%以上であることが好ましい。また、特に沸点及び生産性の観点からシクロヘキサノンを含むことが好ましい。なお、本発明において環状ケトン類とは、飽和又は不飽和脂環式ケトンである。また、前記メチルシクロヘキサノンは、2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノンのいずれにおいても同様に好ましい。   Examples of the ketones include, but are not limited to, acetone, acetophenone, methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, diethyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, dipropyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl ketone, and acetonyl acetone. , Isophorone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, 2- (1-cyclohexenyl) cyclohexanone, and the like. The ketones are used alone or in combination of two or more. Among these, cyclic ketones are preferable from the viewpoint of solubility of the bismaleimide compound, and cyclohexanone, isophorone, and methylcyclohexanone are particularly preferable. That is, it is preferable that the ketone solvent used in the present invention contains at least one of cyclohexanone, isophorone, and methylcyclohexanone, and the total content of the three types of ketones is 70% by mass or more. Moreover, it is preferable that cyclohexanone is included especially from a viewpoint of a boiling point and productivity. In the present invention, cyclic ketones are saturated or unsaturated alicyclic ketones. Further, the methylcyclohexanone is similarly preferable in any of 2-methylcyclohexanone, 3-methylcyclohexanone, and 4-methylcyclohexanone.

本発明の樹脂ワニスは、特に限定されないが、例えば、前記充填材を溶剤に分散したスラリーを調製し、当該スラリーにその他の成分を添加し、さらに前記溶剤を加えて溶解・混合させる方法等が挙げられる。スラリー状のものを用いることで、充填材の2次凝集を防止することができ、分散性が向上される。   Although the resin varnish of the present invention is not particularly limited, for example, a method of preparing a slurry in which the filler is dispersed in a solvent, adding other components to the slurry, and further adding the solvent to dissolve and mix, etc. Can be mentioned. By using the slurry, secondary aggregation of the filler can be prevented and dispersibility is improved.

本発明の樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。樹脂ワニスの固形分量が前記下限値未満であると、樹脂ワニスの流動性が高すぎ、前記上限値を超えると、樹脂ワニスの流動性が低すぎる。樹脂ワニスの固形分量が前記範囲内であると、樹脂ワニスの流動性が良好であるため、プリプレグ作製時において、ガラスクロスに対する樹脂組成物の保持率が高く且つ作業性に優れる。   The solid content of the resin varnish of the present invention is not particularly limited, but is preferably 30 to 80% by weight, and particularly preferably 40 to 70% by weight. When the solid content of the resin varnish is less than the lower limit value, the fluidity of the resin varnish is too high, and when it exceeds the upper limit value, the fluidity of the resin varnish is too low. When the solid content of the resin varnish is within the above range, the fluidity of the resin varnish is good. Therefore, when the prepreg is produced, the retention rate of the resin composition with respect to the glass cloth is high and the workability is excellent.

(プリプレグ)
次に、本発明のプリプレグについて説明する。
本発明のプリプレグは、上述した本発明の樹脂ワニスをガラスクロスに保持させた後、前記樹脂ワニス中の溶剤を除去することにより得られる。プリプレグ作製の際の加熱乾燥工程では、樹脂ワニス中の溶剤が除去されると同時に、樹脂ワニスが含有する樹脂組成物の硬化反応が進行し、加熱乾燥後の樹脂層は半硬化状態となる。
本発明のプリプレグは、上述の樹脂ワニスを用いて作製されるため、多量の充填材が含まれているにも関わらず、樹脂ワニスを基材に含浸させる際に樹脂と充填材とが分離しない。よって、加熱加圧成形して積層板を製造する際にも、スジ状のムラが発生する等の外観不良が生じない。
また、本発明のプリプレグの樹脂層は、加熱乾燥時の硬化反応の進行が、ビスマレイミド化合物と残留ケトン溶剤との相互作用によって遅くなるため、半硬化状態においてボイドが発生せず、当該プリプレグをコア基板用基材として用いる時の樹脂層と導体層との密着性、及び当該プリプレグをビルドアップ用絶縁材として用いる時の樹脂層への回路埋め込み性にも優れる。
また、本発明のプリプレグは、本発明の樹脂ワニスが、エポキシ樹脂を含むことで導体層との密着性に優れ、ビスマレイミド化合物を含むことで、誘電特性(誘電率、誘電正接)に優れ、充填材を多量に含有することで高弾性及び低熱膨張性であり、誘電正接がより低い。
(Prepreg)
Next, the prepreg of the present invention will be described.
The prepreg of the present invention can be obtained by holding the resin varnish of the present invention described above on a glass cloth and then removing the solvent in the resin varnish. In the heating and drying step during the preparation of the prepreg, the solvent in the resin varnish is removed, and at the same time, the curing reaction of the resin composition contained in the resin varnish proceeds, and the resin layer after heating and drying is in a semi-cured state.
Since the prepreg of the present invention is produced using the above-mentioned resin varnish, the resin and the filler are not separated when the base material is impregnated with the resin varnish even though a large amount of the filler is contained. . Therefore, even when a laminated board is manufactured by heat and pressure molding, appearance defects such as streak-like unevenness do not occur.
In addition, the resin layer of the prepreg of the present invention is slowed by the interaction between the bismaleimide compound and the residual ketone solvent, so that no voids are generated in the semi-cured state. The adhesiveness between the resin layer and the conductor layer when used as a core substrate base material and the circuit embedding property in the resin layer when the prepreg is used as an insulating material for buildup are also excellent.
In addition, the prepreg of the present invention has excellent adhesion with the conductor layer by including the epoxy resin in the resin varnish of the present invention, and excellent in dielectric properties (dielectric constant, dielectric loss tangent) by including the bismaleimide compound, By containing a large amount of filler, it has high elasticity and low thermal expansion, and has a lower dielectric loss tangent.

前記ガラスクロスとしては、例えばガラス織布、ガラス不織布、ガラスペーパー等が挙げられる。これらの中でも線膨張係数を低減する観点から、ガラス織布が好ましい。
前記ガラスクロスを構成するガラスは、特に限定されないが、例えば、Eガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの中でもEガラス、Tガラス、または、Sガラスが好ましい。これにより、ガラスクロスの高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。
Examples of the glass cloth include glass woven fabric, glass nonwoven fabric, and glass paper. Among these, a glass woven fabric is preferable from the viewpoint of reducing the linear expansion coefficient.
Although the glass which comprises the said glass cloth is not specifically limited, For example, E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, H glass etc. are mentioned. Among these, E glass, T glass, or S glass is preferable. Thereby, the high elasticity of a glass cloth can be achieved and a thermal expansion coefficient can also be made small.

前記樹脂ワニスを前記ガラスクロスに含浸させる方法は、例えばガラスクロスを樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、ガラスクロスを樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、ガラスクロスに対する熱硬化性樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。尚、ガラスクロスを樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。図1に示すように、ガラスクロス1を、含浸槽2の樹脂ワニス3中に浸漬して、ガラスクロス1に樹脂ワニス3を含浸する。その際、含浸槽2が備えるディップロール4(図1では3本)によってガラスクロス1は樹脂ワニス3中に浸漬される。次いで、樹脂ワニス3を含浸したガラスクロス1を、垂直方向に引き上げて、水平方向に並設され、対向している1対のスクイズロール又は、コンマロール(図1の5はスクイズロール)の間を通して、ガラスクロス1への樹脂ワニス3の塗布量を調整する。その後、樹脂ワニス3が塗布されたガラスクロス1を、乾燥機6で所定の温度で加熱して、塗布された樹脂ワニス中の溶剤を揮発させると共に熱硬化性樹脂組成物を半硬化させてプリプレグ7を製造する。なお、図1中の上部ロール8はプリプレグ7を進行方向に移動させるために、プリプレグ7の進行方向と同方向に回転している。また、前記樹脂ワニス3の溶剤を乾燥させる条件は、温度90〜180℃、時間1〜10分で乾燥させることにより半硬化のプリプレグ7を得ることができる。   Examples of the method for impregnating the glass cloth with the resin varnish include a method of immersing the glass cloth in the resin varnish, a method of applying with various coaters, and a method of spraying with a spray. Among these, the method of immersing the glass cloth in the resin varnish is preferable. Thereby, the impregnation property of the thermosetting resin composition with respect to the glass cloth can be improved. In addition, when a glass cloth is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used. As shown in FIG. 1, the glass cloth 1 is immersed in a resin varnish 3 in an impregnation tank 2 to impregnate the glass cloth 1 with the resin varnish 3. In that case, the glass cloth 1 is immersed in the resin varnish 3 by the dip roll 4 (three in FIG. 1) with which the impregnation tank 2 is equipped. Next, the glass cloth 1 impregnated with the resin varnish 3 is pulled up in the vertical direction, and arranged between a pair of squeeze rolls or comma rolls (5 in FIG. 1 is a squeeze roll) arranged in parallel in the horizontal direction. Then, the application amount of the resin varnish 3 to the glass cloth 1 is adjusted. Thereafter, the glass cloth 1 coated with the resin varnish 3 is heated at a predetermined temperature with a dryer 6 to volatilize the solvent in the coated resin varnish and to semi-cure the thermosetting resin composition to prepare a prepreg. 7 is manufactured. Note that the upper roll 8 in FIG. 1 rotates in the same direction as the direction of travel of the prepreg 7 in order to move the prepreg 7 in the direction of travel. Moreover, the conditions which dry the solvent of the said resin varnish 3 can obtain the semi-hardened prepreg 7 by drying at the temperature of 90-180 degreeC for 1 to 10 minutes of time.

本発明のプリプレグは、前記ガラスクロスの単位面積あたり重量が24g/m〜49g/mで、且つ前記熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が48g/m〜279g/mであることが好ましい。ガラスクロスの単位面積あたり重量及び熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が前記範囲内であると、ガラスクロスに保持される樹脂組成物量が大きいので、プリプレグが低誘電率及び低誘電正接となり、且つ、ガラスクロスが薄いので、プリプレグ全体の厚さが従来と同等又はそれ以下となる。 The prepreg of the present invention, the glass cloth per unit area weight 24g / m 2 ~49g / m 2 , and the weight per unit area of the thermosetting resin composition is at 48g / m 2 ~279g / m 2 Preferably there is. If the weight per unit area of the glass cloth and the weight per unit area of the thermosetting resin composition are within the above ranges, the amount of the resin composition held by the glass cloth is large, so that the prepreg has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent. And since the glass cloth is thin, the thickness of the whole prepreg is equal to or less than the conventional thickness.

また、本発明のプリプレグは、前記熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が、ガラスクロスの単位面積あたりの重量の2倍〜5.7倍であることが好ましく、特に3倍〜5倍であることが好ましい。これにより、プリプレグが低誘電率及び低誘電正接となる。   In the prepreg of the present invention, the weight per unit area of the thermosetting resin composition is preferably 2 to 5.7 times the weight per unit area of the glass cloth, particularly 3 to 5 times. It is preferable that Thereby, the prepreg has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent.

(金属張積層板)
次に、金属張積層板について説明する。
本発明の金属張積層板は、上述のプリプレグ上に金属箔を積層し、加熱加圧して得られる。前記プリプレグは、1枚で用いても良いし、2枚以上積層した積層体を用いても良い。プリプレグを1枚で用いるときは、その上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。プリプレグを2枚以上積層した積層体を用いるときは、当該積層体の最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。次に、プリプレグと金属箔とを重ねたものを加熱加圧成形することで金属張積層板を得ることができる。
(Metal-clad laminate)
Next, the metal-clad laminate will be described.
The metal-clad laminate of the present invention is obtained by laminating a metal foil on the above prepreg and heating and pressing. One prepreg may be used, or a laminate in which two or more prepregs are stacked may be used. When using a single prepreg, the metal foil is overlapped on both upper and lower surfaces or one surface. When using the laminated body which laminated | stacked two or more prepregs, metal foil is piled up on the outermost upper and lower surfaces or one side of the laminated body. Next, a metal-clad laminate can be obtained by heat-pressing a laminate of a prepreg and a metal foil.

前記金属箔としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金等の金属箔が挙げられる。また、上記のような銅、銅系合金等の導体層をめっきにより形成してもよい。   Examples of the metal foil include copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy, gold, gold alloy, zinc, zinc alloy, nickel, nickel alloy, tin, tin alloy, Metal foils, such as iron and an iron-type alloy, are mentioned. Moreover, you may form conductor layers, such as the above coppers and copper-type alloys, by plating.

前記加熱する温度は、特に限定されないが、120〜220℃が好ましく、特に150〜200℃が好ましい。前記加圧する圧力は、特に限定されないが、0.5〜5MPaが好ましく、特に1〜3MPaが好ましい。また、必要に応じて高温槽等で150〜300℃の温度で後硬化を行ってもかまわない。   Although the temperature to heat is not specifically limited, 120-220 degreeC is preferable and especially 150-200 degreeC is preferable. Although the pressure to pressurize is not particularly limited, 0.5 to 5 MPa is preferable, and 1 to 3 MPa is particularly preferable. Moreover, you may perform post-curing at the temperature of 150-300 degreeC with a high temperature tank etc. as needed.

本発明の金属張積層板は、本発明のプリプレグを用いているため、ボイドの発生がなく、金属箔の密着性に優れる。さらに、加熱加圧成形時の樹脂組成物のフローが少なく、加熱加圧中の金属張積層板内における溶融樹脂の不均一な移動が抑制され、金属張積層板表面のスジ状のムラを防止し、且つ均一な厚みとすることができる。   Since the metal-clad laminate of the present invention uses the prepreg of the present invention, voids are not generated and the adhesion of the metal foil is excellent. In addition, the flow of the resin composition during heat and pressure molding is small, and uneven movement of the molten resin in the metal-clad laminate during heating and pressing is suppressed, preventing streaky irregularities on the surface of the metal-clad laminate. And a uniform thickness.

(プリント配線板)
次に、本発明のプリント配線板について説明する。
本発明のプリント配線板は、上記の金属張積層板を内層回路基板に用いてなる。
または、本発明のプリント配線板は、上記のプリプレグを絶縁層に用いてなる。
(Printed wiring board)
Next, the printed wiring board of the present invention will be described.
The printed wiring board of the present invention uses the above metal-clad laminate as an inner layer circuit board.
Or the printed wiring board of this invention uses said prepreg for an insulating layer.

本発明においてプリント配線板とは、絶縁層の上に金属箔等の導体層を設けて導体回路層を形成したものであり、片面プリント配線板(一層板)、両面プリント配線板(二層板)、及び多層プリント配線板(多層板)のいずれであってもよい。多層プリント配線板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法等により3層以上に重ねたプリント配線板であり、内層回路基板に絶縁層を重ね合わせて加熱加圧成形することによって得ることができる。
前記内層回路基板は、例えば、本発明の金属張積層板の金属箔にエッチング等を行って、所定パターンの導体回路を形成し、当該導体回路部分を黒化処理したものを好適に用いることができる。
前記絶縁層としては、本発明のプリプレグを用いることができる。尚、前記絶縁層として、本発明のプリプレグを用いる場合は、前記内層回路基板は本発明の金属張積層板からなるものでなくてもよい。
In the present invention, the printed wiring board is a conductor circuit layer formed by providing a conductive layer such as a metal foil on an insulating layer. A single-sided printed wiring board (single-layer board), a double-sided printed wiring board (double-layer board) ) And multilayer printed wiring boards (multilayer boards). A multilayer printed wiring board is a printed wiring board that is laminated in three or more layers by a plated through hole method, a build-up method, or the like, and can be obtained by heating and press-molding an insulating layer on an inner circuit board. .
For the inner layer circuit board, for example, the metal foil of the metal-clad laminate of the present invention is preferably subjected to etching or the like to form a conductor circuit of a predetermined pattern, and the conductor circuit portion is blackened. it can.
As the insulating layer, the prepreg of the present invention can be used. When the prepreg of the present invention is used as the insulating layer, the inner layer circuit board may not be made of the metal-clad laminate of the present invention.

以下、本発明のプリント配線板の代表例として、本発明の金属張積層板を内層回路基板として用い、本発明のプリプレグを絶縁層として用いる場合の多層プリント配線板について説明する。
前記金属張積層板の片面又は両面に、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等の公知の方法により回路形成し、内層回路基板を作製する。場合によっては、ドリル加工、レーザー加工によりスルーホールを形成し、メッキ等で両面の電気的接続をとることもできる。この内層回路基板に前記プリプレグを重ね合わせて加熱加圧成形することで絶縁層を形成する。同様にして、前記公知の方法により導体回路層と絶縁層とを交互に繰り返し形成することにより、多層プリント配線板を得ることができる。
Hereinafter, as a representative example of the printed wiring board of the present invention, a multilayer printed wiring board in which the metal-clad laminate of the present invention is used as an inner circuit board and the prepreg of the present invention is used as an insulating layer will be described.
A circuit is formed on one side or both sides of the metal-clad laminate by a known method such as a subtractive method, an additive method, or a semi-additive method to produce an inner layer circuit board. In some cases, through holes can be formed by drilling or laser processing, and electrical connection on both sides can be achieved by plating or the like. The insulating layer is formed by stacking the prepreg on the inner layer circuit board and molding it by heating and pressing. Similarly, a multilayer printed wiring board can be obtained by alternately and repeatedly forming a conductor circuit layer and an insulating layer by the known method.

具体的には、前記プリプレグと前記内層回路基板とを重ね合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形し、その後、熱風乾燥装置等で絶縁層を加熱硬化させる。ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度60〜160℃、圧力0.2〜3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、時間30〜120分間で実施することができる。   Specifically, the prepreg and the inner layer circuit board are overlapped and vacuum heated and pressed using a vacuum pressurizing laminator device or the like, and then the insulating layer is heated and cured with a hot air dryer or the like. Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, If an example is given, it can implement at the temperature of 60-160 degreeC, and the pressure of 0.2-3 MPa. Moreover, it is although it does not specifically limit as conditions to carry out heat hardening, If an example is given, it can implement in temperature 140-240 degreeC and time 30-120 minutes.

次に、積層した絶縁層にレーザーを照射して、開孔部を形成する。前記レーザーは、エキシマレーザー、UVレーザー及び炭酸ガスレーザー等が使用できる。   Next, the laminated insulating layer is irradiated with a laser to form an opening. As the laser, an excimer laser, a UV laser, a carbon dioxide gas laser, or the like can be used.

レーザー照射後の樹脂残渣(スミア)等は過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤等により除去する処理、すなわちデスミア処理を行うことが好ましい。デスミア処理が不十分で、デスミア性が十分に確保されていないと、開孔部に金属メッキ処理を行っても、スミアが原因で上層導体回路層と下層導体回路層との通電性が十分に確保されなくなるおそれがある。また、デスミア処理を行うことで、平滑な絶縁層の表面を同時に粗化することができるため、次工程において金属メッキにより形成される外層回路の密着性を上げることができる。尚、レーザー照射による開孔部形成の前に、絶縁層表面に導体層を形成してもよい。   Resin residue (smear) after laser irradiation is preferably removed by an oxidizing agent such as permanganate or dichromate, that is, desmear treatment. If the desmear treatment is insufficient and the desmear property is not sufficiently secured, even if metal plating is applied to the aperture, the conductive properties between the upper and lower conductor circuit layers are sufficient due to smear. May not be secured. Moreover, since the surface of the smooth insulating layer can be simultaneously roughened by performing the desmear treatment, the adhesion of the outer layer circuit formed by metal plating in the next step can be improved. Note that a conductor layer may be formed on the surface of the insulating layer before the opening is formed by laser irradiation.

次に、開孔部に金属メッキ処理を行い、前記公知の方法により絶縁層表面に外層回路形成を行う。開孔部に金属メッキ処理を行うことで、外層回路と内層回路との導通を図る。   Next, a metal plating process is performed on the opening and an outer layer circuit is formed on the surface of the insulating layer by the known method. Conducting the outer hole circuit and the inner layer circuit by conducting metal plating on the opening portion.

さらに絶縁層を積層し、前記同様回路形成を行っても良いが、多層プリント配線板では、回路形成後、最外層にソルダーレジスト膜を形成する。ソルダーレジスト膜の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストを積層(ラミネート)し、露光、及び現像により形成する方法、又は液状レジストを印刷したものを露光、及び現像により形成する方法によりなされる。尚、得られた多層プリント配線板を半導体装置に用いる場合、半導体素子を実装するため接続用電極部を設ける。接続用電極部は、金メッキ、ニッケルメッキ及び半田メッキ等の金属皮膜で適宜被覆することができる。   Further, an insulating layer may be laminated and a circuit may be formed in the same manner as described above. However, in the multilayer printed wiring board, a solder resist film is formed on the outermost layer after the circuit is formed. The method for forming the solder resist film is not particularly limited. For example, a method of forming a dry film type solder resist by laminating (laminating), exposing and developing, or printing a liquid resist by exposing and developing. This is done by the forming method. In addition, when using the obtained multilayer printed wiring board for a semiconductor device, the electrode part for a connection is provided in order to mount a semiconductor element. The connection electrode portion can be appropriately coated with a metal film such as gold plating, nickel plating, or solder plating.

(半導体装置)
次に、本発明の半導体装置について説明する。
前記で得られたプリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、半田バンブを介して、前記プリント配線板との接続を図る。そして、プリント配線板と半導体素子との間には封止樹脂を充填し、半導体装置を形成する。半田バンプは、錫、鉛、銀、銅、ビスマス等からなる合金で構成されることが好ましい。
(Semiconductor device)
Next, the semiconductor device of the present invention will be described.
A semiconductor element having solder bumps is mounted on the printed wiring board obtained above, and connection to the printed wiring board is attempted through the solder bump. Then, a sealing resin is filled between the printed wiring board and the semiconductor element to form a semiconductor device. The solder bump is preferably made of an alloy made of tin, lead, silver, copper, bismuth or the like.

半導体素子とプリント配線板との接続方法は、フリップチップボンダー等を用いて、プリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプとの位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。尚、接続信頼性を良くするため、予めプリント配線板上の接続用電極部に半田ペースト等、比較的融点の低い金属の層を形成しておいてもよい。この接合工程に先んじて、半田バンプ及び/又はプリント配線板上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。   The method for connecting the semiconductor element and the printed wiring board is to use a flip chip bonder or the like to align the connection electrode portion on the printed wiring board with the solder bumps of the semiconductor element, and then the IR reflow apparatus, the hot plate In addition, the solder bumps are heated to the melting point or higher by using other heating devices, and the printed wiring board and the solder bumps are connected by fusion bonding. In order to improve connection reliability, a metal layer having a relatively low melting point, such as solder paste, may be formed in advance on the connection electrode portion on the printed wiring board. Prior to this joining step, the connection reliability can be improved by applying a flux to the surface layer of the connection electrode portion on the solder bump and / or printed wiring board.

以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
(1)ワニスの調製
8.0重量部のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)、9.1重量部の2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)、12.3重量部のフェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)、0.1重量部の2−フェニルイミダゾール(四国化成製、2PZ)、0.5質量部の3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン製、KBM−403)、70.0質量部の溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)を42.8重量部のシクロヘキサノンに加え、不揮発分(固形分)が70質量%となるように調整して熱硬化性樹脂組成物のワニスを得た。
Example 1
(1) Preparation of Varnish 8.0 parts by weight of biphenyl aralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285), 9.1 parts by weight of 2,2′-bis [4- (4- Maleimidophenoxy) phenyl] propane (manufactured by Keisei Kasei Co., Ltd., BMI-80), 12.3 parts by weight of phenol novolac type cyanate resin (manufactured by LONZA, Primaset PT-30), 0.1 part by weight of 2-phenylimidazole (Shikoku) 2PZ), 0.5 parts by mass of 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Silicone, KBM-403), 70.0 parts by mass of fused silica particles (manufactured by Admatechs, SO-25R, average) (Particle size 0.5 μm) is added to 42.8 parts by weight of cyclohexanone, and the non-volatile content (solid content) is adjusted to 70% by mass. To obtain a varnish of a curable resin composition.

(2)プリプレグの製造
上記で得られたワニスを用いて、ガラス織布(厚さ0.032mm、旭化成エレクトロニクス製)31g/mに対して、ワニスを熱硬化性樹脂組成物の固形分で151g/m含浸させて、180℃の乾燥炉で5分間乾燥させ、熱硬化性樹脂組成物含有量83.0質量%のプリプレグを作製した。なお、このとき、熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたりの重量は、ガラスクロスの単位面積あたりの重量の4.9倍であった。
(2) Manufacture of prepreg Using the varnish obtained above, the varnish is a solid content of the thermosetting resin composition with respect to a glass woven fabric (thickness 0.032 mm, manufactured by Asahi Kasei Electronics) 31 g / m 2 . It was impregnated with 151 g / m 2 and dried in a drying furnace at 180 ° C. for 5 minutes to prepare a prepreg having a thermosetting resin composition content of 83.0% by mass. At this time, the weight per unit area of the thermosetting resin composition was 4.9 times the weight per unit area of the glass cloth.

(3)金属張積層板の製造
上記で得られたプリプレグを4枚重ね、その最も外側の上下両面に厚さ12μmの電解銅箔(古河サーキットホイル製、F2WS−12)を重ねて、圧力4MPa、温度220℃で180分間加熱加圧成形を行い、厚さ0.4mmの両面銅張積層板を得た。
(3) Manufacture of metal-clad laminate Four layers of the prepreg obtained above are stacked, and 12 μm thick electrolytic copper foil (F2WS-12, manufactured by Furukawa Circuit Foil) is stacked on the outermost upper and lower surfaces, and the pressure is 4 MPa. Then, heat pressing was performed at a temperature of 220 ° C. for 180 minutes to obtain a double-sided copper clad laminate having a thickness of 0.4 mm.

(4)プリント配線板の製造
上記で得られた両面銅張積層板に、0.1mmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、無電解メッキで上下銅箔間の導通を図り、両面の銅箔をエッチングすることにより内層回路を両面に形成した(L(導体回路幅(μm))/S(導体回路間幅(μm))=50/50)。
次に、内層回路に過酸化水素水と硫酸を主成分とする薬液(旭電化工業(株)製、テックSO−G)をスプレー吹き付けすることにより、粗化処理による凹凸形成を行った。
次に、前記プリプレグを内層回路上に真空積層装置を用いて積層し、温度170℃、時間60分間加熱硬化し、積層体を得た。
その後、得られた積層体が有するプリプレグに、炭酸レーザー装置を用いてφ60μmの開孔部(ブラインド・ビアホール)を形成し、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクト CP)に15分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
次に、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜による約0.5μmの給電層を形成した。この給電層表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム(旭化成社製、AQ−2558)をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅/線間が20μm/20μmのパターンが描画されたクロム蒸着マスク(トウワプロセス社製)を使用して、位置を合わせ、露光装置(ウシオ電機社製UX−1100SM−AJN01)にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。
次に、給電層を電極として電解銅めっき(奥野製薬社製81−HL)を3A/dmにて30分間行い、厚さ約25μmの銅配線を形成した。ここで2段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、1段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液(三菱ガス化学社製R−100)、2段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液(日本マクダーミッド社製、マキュダイザー9275、9276)、中和には酸性アミン水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9279)をそれぞれ用いた。
そして、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液(メルテックス(株)製、AD−485)に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に、絶縁層を温度200℃、時間60分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製、PSR4000/AUS308)を形成し、プリント配線板を得た。
(4) Manufacture of printed wiring board After conducting through-hole processing on the double-sided copper-clad laminate obtained above using a 0.1 mm drill bit, aiming at conduction between the upper and lower copper foils by electroless plating, The inner layer circuit was formed on both surfaces by etching the copper foils on both surfaces (L (conductor circuit width (μm)) / S (conductor circuit width (μm)) = 50/50).
Next, the chemical | medical solution (Asahi Denka Kogyo Co., Ltd. make, Tech SO-G) which has hydrogen peroxide water and a sulfuric acid as a main component was spray-sprayed to the inner layer circuit, and the unevenness | corrugation formation by a roughening process was performed.
Next, the prepreg was laminated on the inner layer circuit using a vacuum laminator, and heat cured at a temperature of 170 ° C. for 60 minutes to obtain a laminate.
Thereafter, an opening portion (blind via hole) having a diameter of 60 μm is formed on the prepreg of the obtained laminate using a carbonic acid laser device, and a swelling liquid of 70 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) For 5 minutes, and further immersed in an aqueous potassium permanganate solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) at 80 ° C. for 15 minutes, followed by neutralization and roughening treatment.
Next, after the steps of degreasing, applying a catalyst, and activating, a power supply layer of about 0.5 μm was formed by an electroless copper plating film. A chromium-deposited film on which a 25 μm-thick UV-sensitive dry film (AQ-2558, manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) is bonded to the surface of the power feeding layer with a hot roll laminator, and a pattern having a minimum line width / line spacing of 20 μm / 20 μm is drawn. The position was adjusted using a mask (manufactured by Towa Process Co., Ltd.), exposure was performed with an exposure apparatus (UX-1100SM-AJN01 manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.), and development was performed with an aqueous sodium carbonate solution to form a plating resist.
Next, electrolytic copper plating (81-HL manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the power feeding layer as an electrode to form a copper wiring having a thickness of about 25 μm. Here, the plating resist was peeled off using a two-stage peeling machine. Each chemical solution is mainly composed of monoethanolamine solution (R-100 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) in the first stage alkaline aqueous solution layer, and potassium permanganate and sodium hydroxide as the main ingredients in the second stage oxidizing resin etchant. An aqueous solution of acidic amine (Mc. Dicer 9279, manufactured by Nihon Mcder Mid Co., Ltd.) was used for neutralization.
Then, the power feeding layer was immersed in an ammonium persulfate aqueous solution (AD-485 manufactured by Meltex Co., Ltd.) to remove the etching, and ensure insulation between the wirings. Next, the insulating layer was finally cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes, and finally a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Co., PSR4000 / AUS308) was formed on the circuit surface to obtain a printed wiring board.

(5)半導体装置の製造
プリント配線板は、前記で得られたプリント配線板であって、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mm)は、半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製、CRC−8300)で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。
(5) Manufacture of semiconductor device The printed wiring board is a printed wiring board obtained as described above, and is provided with a connection electrode portion subjected to nickel gold plating corresponding to the solder bump arrangement of the semiconductor element. It cut | disconnected and used for the magnitude | size of * 50mm. The semiconductor element (TEG chip, size 15 mm × 15 mm, thickness 0.8 mm) has solder bumps, and the circuit protection film of the semiconductor element was formed of a positive photosensitive resin (CRC-8300, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). I used something. In assembling the semiconductor device, first, a flux material was uniformly applied to the solder bumps by a transfer method, and then mounted on a printed wiring board by thermocompression bonding using a flip chip bonder device. Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4152S) was filled and the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. The curing condition of the liquid sealing resin was a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.

(実施例2)
ワニスに含まれる2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)の添加量を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 2)
Addition amount of 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (manufactured by Keiai Kasei Co., Ltd., BMI-80), phenol novolac cyanate resin (manufactured by LONZA, Primeset PT-30) contained in the varnish In the same manner as in Example 1, except for changing as shown in Table 1, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out.

(実施例3)
ワニスに含まれるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)をナフタレン骨格変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂(日本化薬製、NC−7300L、エポキシ当量230)に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 3)
The biphenyl aralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285) contained in the varnish was changed to a naphthalene skeleton modified cresol novolac epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-7300L, epoxy equivalent 230). In the same manner as in Example 1, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out.

(実施例4)
ワニスに含まれるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)をアントラセン型エポキシ樹脂(三菱化学製、YX−8800、エポキシ当量210)に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
Example 4
Example 1 except that the biphenyl aralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285) contained in the varnish was changed to an anthracene type epoxy resin (Mitsubishi Chemical, YX-8800, epoxy equivalent 210). In the same manner, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out.

(実施例5)
ワニスに含まれる2.2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)をビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン(ケイアイ化成製、BMI−70)に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 5)
2.2'-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (manufactured by Keiai Kasei Co., Ltd., BMI-80) contained in the varnish was replaced with bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane ( A varnish was prepared, a prepreg was manufactured, a metal-clad laminate was manufactured, a printed wiring board was manufactured, and a semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that it was changed to KAI Kasei BMI-70). .

(実施例6)
ワニスに含まれる2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)をポリフェニルメタンマレイミド(大和化成製、BMI−2300)に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 6)
Except for changing 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (manufactured by Keiai Kasei, BMI-80) contained in the varnish to polyphenylmethane maleimide (manufactured by Daiwa Kasei, BMI-2300) In the same manner as in Example 1, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out.

(実施例7)
ワニスに含まれるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)、2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)、溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)の添加量を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 7)
Biphenyl aralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285), 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (Kai Kasei, BMI-80) contained in varnish ), Phenol novolac-type cyanate resin (manufactured by LONZA, Primaset PT-30), fused silica particles (manufactured by Admatechs, SO-25R, average particle size 0.5 μm), except for changing the addition amount as shown in Table 1. In the same manner as in Example 1, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out.

(実施例8)
ワニスに含まれるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)、2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)、溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)の添加量を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 8)
Biphenyl aralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285), 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (Kai Kasei, BMI-80) contained in varnish ), Phenol novolac-type cyanate resin (manufactured by LONZA, Primaset PT-30), fused silica particles (manufactured by Admatechs, SO-25R, average particle size 0.5 μm), except for changing the addition amount as shown in Table 1. In the same manner as in Example 1, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out.

(実施例9)
実施例1のワニスを用いて、ガラス織布(厚さ0.039mm、旭化成エレクトロニクス製)25g/mに対して、ワニスを樹脂組成物の固形分で142g/m含浸させて、180℃の乾燥炉で5分間乾燥させ、樹脂組成物含有量85.0質量%のプリプレグを作製した以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。なお、実施例9で得られたプリプレグの熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたりの重量は、ガラスクロスの単位面積あたりの重量の5.7倍であった。
Example 9
Using a varnish of Example 1, a glass woven fabric (thickness 0.039 mm, Asahi Kasei EMD Corporation) with respect to 25 g / m 2, and varnish is 142g / m 2 impregnated with the solid content of the resin composition, 180 ° C. In the same manner as in Example 1, except that the prepreg having a resin composition content of 85.0% by mass was prepared by drying in a drying furnace, the varnish was prepared, the prepreg was produced, and the metal-clad laminate was produced. Printed wiring boards and semiconductor devices were manufactured. In addition, the weight per unit area of the thermosetting resin composition of the prepreg obtained in Example 9 was 5.7 times the weight per unit area of the glass cloth.

(実施例10)
実施例1のワニスを用いて、ガラス織布(厚さ0.045mm、旭化成エレクトロニクス製)49g/mに対して、ワニスを樹脂組成物の固形分で126g/m含浸させて、180℃の乾燥炉で5分間乾燥させ、樹脂組成物含有量73.5質量%のプリプレグを作製した以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。なお、実施例10で得られたプリプレグの熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたりの重量は、ガラスクロスの単位面積あたりの重量の2.6倍であった。
(Example 10)
Using a varnish of Example 1, a glass woven fabric (thickness 0.045 mm, Asahi Kasei EMD Corporation) with respect to 49 g / m 2, and varnish was 126 g / m 2 impregnated with the solid content of the resin composition, 180 ° C. In the same manner as in Example 1, except that the prepreg having a resin composition content of 73.5% by mass was prepared by drying in a drying oven for 5 minutes, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, Printed wiring boards and semiconductor devices were manufactured. In addition, the weight per unit area of the thermosetting resin composition of the prepreg obtained in Example 10 was 2.6 times the weight per unit area of the glass cloth.

(実施例11)
実施例1の溶剤を3−メチルシクロヘキサノンに変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 11)
Except that the solvent of Example 1 was changed to 3-methylcyclohexanone, the same procedure as in Example 1 was followed. Preparation of varnish, manufacture of prepreg, manufacture of metal-clad laminate, manufacture of printed wiring board, manufacture of semiconductor device went.

(実施例12)
実施例1の溶剤をイソホロンに変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 12)
A varnish was prepared, a prepreg was manufactured, a metal-clad laminate was manufactured, a printed wiring board was manufactured, and a semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the solvent of Example 1 was changed to isophorone.

(実施例13)
実施例1の溶剤をシクロヘキサノン32.8重量部及びメチルイソブチルケトン10.0重量部に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 13)
Except that the solvent of Example 1 was changed to 32.8 parts by weight of cyclohexanone and 10.0 parts by weight of methyl isobutyl ketone, the same procedure as in Example 1 was carried out to prepare a varnish, to produce a prepreg, to produce a metal-clad laminate, Printed wiring boards and semiconductor devices were manufactured.

(実施例14)
ワニスに含まれるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)を9.5重量部、2.2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)12.5重量部に変え、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)を用いず、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(三井化学製、APB)を7.4重量部用いた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Example 14)
9.5 parts by weight of biphenylaralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285) contained in the varnish, 2.2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (KAI 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (manufactured by Mitsui Chemicals) without using phenol novolac cyanate resin (manufactured by LONZA, Primaset PT-30) instead of 12.5 parts by weight. , APB), except that 7.4 parts by weight were used, varnish preparation, prepreg manufacture, metal-clad laminate manufacture, printed wiring board manufacture, and semiconductor device manufacture were performed in the same manner as in Example 1. .

(比較例1)
ビスマレイミド化合物を用いず、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)の添加量を表2に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 1)
Preparation of varnish and prepreg were carried out in the same manner as in Example 1 except that the addition amount of phenol novolac cyanate resin (manufactured by LONZA, Primaset PT-30) was changed as shown in Table 2 without using a bismaleimide compound. Manufacturing of metal-clad laminates, printed wiring boards, and semiconductor devices.

(比較例2)
ビスマレイミド化合物を用いず、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬製、NC−3000H、エポキシ当量285)の添加量を表2に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 2)
A varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of biphenylaralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku, NC-3000H, epoxy equivalent 285) was changed as shown in Table 2 without using a bismaleimide compound. Preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production.

(比較例3)
ビスマレイミド化合物を用いず、アントラセン型エポキシ樹脂(三菱化学製、YX−8800、エポキシ当量210)の添加量を表2に示すように変えた以外は、実施例4と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 3)
Preparation of varnish was carried out in the same manner as in Example 4 except that the amount of anthracene epoxy resin (Mitsubishi Chemical, YX-8800, epoxy equivalent 210) was changed as shown in Table 2 without using a bismaleimide compound. Production of prepregs, production of metal-clad laminates, production of printed wiring boards, and production of semiconductor devices were performed.

(比較例4)
エポキシ樹脂を用いず、2,2’−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン(ケイアイ化成製、BMI−80)、フェノールノボラック型シアネート樹脂(LONZA社製、Primaset PT−30)の添加量を表2に示すように変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 4)
Without using an epoxy resin, 2,2′-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane (manufactured by Keiai Kasei Co., Ltd., BMI-80), phenol novolac type cyanate resin (manufactured by LONZA, Primaset PT-30) Except for changing the addition amount as shown in Table 2, the varnish was prepared, the prepreg was manufactured, the metal-clad laminate was manufactured, the printed wiring board was manufactured, and the semiconductor device was manufactured in the same manner as in Example 1. .

(比較例5)
溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)の添加量を表2に示すように30.0重量部に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 5)
Except for changing the addition amount of fused silica particles (manufactured by Admatechs, SO-25R, average particle size 0.5 μm) to 30.0 parts by weight as shown in Table 2, in the same manner as in Example 1, Preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were performed.

(比較例6)
溶融シリカ粒子(アドマテックス製、SO−25R、平均粒径0.5μm)の添加量を表2に示すように200.0重量部に変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 6)
Except for changing the addition amount of fused silica particles (manufactured by Admatechs, SO-25R, average particle size 0.5 μm) to 200.0 parts by weight as shown in Table 2, in the same manner as in Example 1, Preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were performed.

(比較例7)
溶剤をジメチルホルムアミドに変えた以外は、実施例1と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 7)
Except that the solvent was changed to dimethylformamide, varnish preparation, prepreg production, metal-clad laminate production, printed wiring board production, and semiconductor device production were carried out in the same manner as in Example 1.

(比較例8)
溶剤をジメチルホルムアミドに変えた以外は、実施例5と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 8)
A varnish was prepared, a prepreg was produced, a metal-clad laminate was produced, a printed wiring board was produced, and a semiconductor device was produced in the same manner as in Example 5 except that the solvent was changed to dimethylformamide.

(比較例9)
溶剤をジメチルホルムアミドに変えた以外は、実施例14と同様にして、ワニスの調製、プリプレグの製造、金属張積層板の製造、プリント配線板の製造、半導体装置の製造を行った。
(Comparative Example 9)
A varnish, a prepreg, a metal-clad laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device were manufactured in the same manner as in Example 14 except that the solvent was changed to dimethylformamide.

(評価)
各実施例および各比較例で得られた金属張積層板又はプリント配線板を用いて以下の評価を行った。評価内容を項目と共に示す。また、各実施例により得られた評価結果を表1に示し、各比較例により得られた評価結果を表2に示す。
(Evaluation)
The following evaluation was performed using the metal-clad laminate or the printed wiring board obtained in each Example and each Comparative Example. The evaluation contents are shown together with the items. Moreover, the evaluation result obtained by each Example is shown in Table 1, and the evaluation result obtained by each comparative example is shown in Table 2.

(1)スジ状ムラの発生状況
各実施例及び各比較例で得られた両面銅張積層板表面のスジ状のムラの発生状況を目視により評価した。スジ状のムラが確認されなかったものを「問題なし」とし、スジ状のムラが確認されたものを「スジあり」とした。
(1) Generation | occurrence | production condition of stripe-shaped unevenness The generation | occurrence | production condition of the stripe-shaped unevenness on the double-sided copper clad laminated board surface obtained by each Example and each comparative example was evaluated visually. The case where no streak-like unevenness was confirmed was defined as “no problem”, and the case where streak-like unevenness was confirmed was defined as “with streak”.

(2)ボイドの発生状況
各実施例及び各比較例で得られた両面銅張積層板を全面エッチングし、ボイドの発生状況を目視により評価した。ボイドが確認されなかったものを「問題なし」とし、ボイドが確認されたものを「ボイドあり」とした。なお、両面銅張積層板に発生するボイドは、プリプレグに発生したボイドが加熱加圧により硬化したものであるので、両面銅張積層板にボイドが確認されたものは、当該両面銅張積層板の製造に用いられたプリプレグにもボイドが発生していたことを意味する。
(2) Generation state of voids The double-sided copper-clad laminate obtained in each Example and each Comparative Example was etched on the entire surface, and the generation state of voids was evaluated visually. The case where no void was confirmed was designated as “no problem”, and the case where void was confirmed was designated as “with void”. In addition, since the void which generate | occur | produced in a double-sided copper clad laminated board is a thing which the void which generate | occur | produced in the prepreg hardened | cured by heating and pressurizing, what the void was confirmed by the double-sided copper clad laminated board is the said double-sided copper clad laminated board This means that voids were also generated in the prepreg used in the production of the above.

(3)熱膨張係数(50〜100℃)
各実施例及び各比較例で得られた両面銅張積層板を全面エッチングし、得られた積層板から5mm×20mmの試験片を作製し、TMA(熱機械的分析)装置(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、温度範囲30〜300℃、昇降温速度10℃/分、荷重5gの条件で、温度30〜300℃の昇降温を1サイクルとし、2サイクル目の50〜100℃における線膨張係数(CTE)を測定した。
(3) Thermal expansion coefficient (50-100 ° C)
The double-sided copper-clad laminate obtained in each Example and each Comparative Example was etched on the entire surface, and a test piece of 5 mm × 20 mm was prepared from the obtained laminate, and a TMA (thermomechanical analysis) apparatus (TA instrument) Q400), a temperature range of 30 to 300 ° C., a temperature increase / decrease rate of 10 ° C./min, and a load of 5 g, a temperature increase / decrease temperature of 30 to 300 ° C. is defined as one cycle, and the second cycle 50 to 100 The linear expansion coefficient (CTE) at 0 ° C. was measured.

(4)銅箔ピール強度
各実施例及び各比較例で得られた両面銅張積層板から100mm×20mmの試験片を作製し、23℃におけるピール強度を測定した。尚、ピール強度測定は、JIS C 6481に準拠して行った。
(4) Copper foil peel strength A 100 mm x 20 mm test piece was prepared from the double-sided copper clad laminate obtained in each of the examples and comparative examples, and the peel strength at 23 ° C was measured. The peel strength measurement was performed according to JIS C 6481.

(5)誘電特性
各実施例及び各比較例で得られた両面銅張積層板を全面エッチングし、97×25mm、53×25mm、38×25mmに切断し、0.018mmの圧延銅箔を貼り付け、トリプレート線路共振器を作成し、マイクロ波ネットワークアナライザHP8510C、HP83651A、HP8517B(アジレントテクノロジー製)を用いて、トリプレート線路共振器法で誘電率及び誘電正接を測定した。
(5) Dielectric properties The double-sided copper-clad laminate obtained in each example and each comparative example was etched on the entire surface, cut into 97 × 25 mm, 53 × 25 mm, and 38 × 25 mm, and a rolled copper foil of 0.018 mm was attached. Then, a triplate line resonator was prepared, and dielectric constant and dielectric loss tangent were measured by a triplate line resonator method using a microwave network analyzer HP8510C, HP83651A, HP8517B (manufactured by Agilent Technologies).

(6)回路埋め込み性
各実施例及び各比較例で得られたプリント配線板の回路部分の断面を研磨し、蛍光液(マークテック社製蛍光浸透探傷剤、SUPER GLO OD−2800N)とともに圧力容器に入れ、125℃、1.5気圧で15分間浸透させた後、プリント配線板の回路部分の断面を落射蛍光顕微鏡により観察した。回路埋め込み不良により、回路の導体部分と絶縁層の間に埋め込みができなかった空隙部分が生じ、その空隙部分に蛍光浸透探傷剤が浸透し、蛍光が見られたものを「埋め込み不良」とし、蛍光が見られなかったものを「異常なし」とした。
(6) Circuit embedding property The cross section of the circuit portion of the printed wiring board obtained in each example and each comparative example is polished, and a pressure vessel together with a fluorescent solution (fluorescent penetrant flaw detector, SUPER GLO OD-2800N manufactured by Marktec) The sample was permeated at 125 ° C. and 1.5 atmospheres for 15 minutes, and then the cross section of the circuit portion of the printed wiring board was observed with an epifluorescence microscope. Due to poor circuit embedding, a void portion that could not be embedded occurs between the conductor portion of the circuit and the insulating layer, and the fluorescence penetrating flaw detection agent penetrated into the void portion, and the one where fluorescence was seen was regarded as a “embedding defect” The case where no fluorescence was observed was regarded as “no abnormality”.

Figure 0005740941
Figure 0005740941

Figure 0005740941
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比較例1では、ビスマレイミド化合物を用いず、シアネート樹脂を多く使用したため、回路埋め込み性が悪かった。
比較例2では、ビスマレイミド化合物を用いず、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂を多く使用したため、誘電正接が悪化した。
比較例3では、ビスマレイミド化合物を用いず、アントラセン型エポキシ樹脂を多く使用したため、スジ状のムラが発生した。
比較例4では、エポキシ樹脂を用いなかったため、銅箔ピール強度が悪化した。
比較例5では、充填材の量が少ないため、熱膨張係数及び誘電正接が高かった。
比較例6では、充填材の量が多いため、ボイドが発生し、回路埋め込み性が悪く、銅箔ピール強度が悪化した。
比較例5、6、7では、溶剤としてケトン系溶剤を用いず、含窒素非プロトン性極性溶媒を用いたため、樹脂ワニスの流動性が大きく、スジ状のムラが発生した。
一方、実施例1〜14では、誘電特性に優れ、導体層との密着性及び回路埋め込み性に優れ、スジ状のムラやボイドの発生もなく、低熱膨張性、銅箔ピール強度に優れる等の基本的な要求品質も満たしていた。
In Comparative Example 1, the circuit embedding property was poor because a large amount of cyanate resin was used without using a bismaleimide compound.
In Comparative Example 2, since the bismaleimide compound was not used and a large amount of biphenyl aralkyl type epoxy resin was used, the dielectric loss tangent deteriorated.
In Comparative Example 3, streaky unevenness occurred because a large amount of anthracene type epoxy resin was used without using a bismaleimide compound.
In Comparative Example 4, since no epoxy resin was used, the copper foil peel strength deteriorated.
In Comparative Example 5, since the amount of the filler was small, the thermal expansion coefficient and the dielectric loss tangent were high.
In Comparative Example 6, since the amount of the filler was large, voids were generated, the circuit embedding property was poor, and the copper foil peel strength was deteriorated.
In Comparative Examples 5, 6, and 7, a ketone-based solvent was not used as the solvent, and a nitrogen-containing aprotic polar solvent was used. Therefore, the fluidity of the resin varnish was large and streaky irregularities were generated.
On the other hand, in Examples 1 to 14, excellent dielectric properties, excellent adhesion to the conductor layer and circuit embedding properties, no generation of streaky irregularities and voids, low thermal expansion, excellent copper foil peel strength, etc. The basic required quality was also met.

1…ガラスクロス
2…含浸槽
3…樹脂ワニス
4…ディップロール
5…スクイズロール
6…乾燥機
7…プリプレグ
8…上部ロール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass cloth 2 ... Impregnation tank 3 ... Resin varnish 4 ... Dip roll 5 ... Squeeze roll 6 ... Dryer 7 ... Prepreg 8 ... Upper roll

Claims (6)

エポキシ樹脂及びビスマレイミド化合物を含有する熱硬化性樹脂と、固形分中60〜85質量%の割合で含有する充填材とを含む熱硬化性樹脂組成物を、ケトン系溶剤に含有させた樹脂ワニスを、ガラスクロスに保持させた後、前記ケトン系溶剤を除去することにより得られ、
前記ガラスクロスの単位面積あたり重量が24g/m〜49g/mで、且つ前記熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が48g/m〜279g/mであり、
前記熱硬化性樹脂組成物の単位面積あたり重量が、前記ガラスクロスの単位面積あたりの重量の2倍〜5.7倍であり、
前記ケトン系溶剤が、シクロヘキサノン、イソホロン及びメチルシクロヘキサノンのうち少なくとも1種を含み、且つ、シクロヘキサノン、イソホロン及びメチルシクロヘキサノンの含有量の総量が70質量%以上であることを特徴とするプリプレグ。
Resin varnish containing a thermosetting resin composition containing a thermosetting resin containing an epoxy resin and a bismaleimide compound and a filler contained in a solid content in a proportion of 60 to 85% by mass in a ketone solvent Is obtained by removing the ketone solvent after holding the glass cloth,
The weight per unit area of glass cloth with 24g / m 2 ~49g / m 2 , and the weight per unit area of the thermosetting resin composition is a 48g / m 2 ~279g / m 2 ,
Weight per unit area of the thermosetting resin composition, are two-fold ~5.7 Baidea the weight per unit area of the glass cloth,
The prepreg characterized in that the ketone solvent contains at least one of cyclohexanone, isophorone and methylcyclohexanone, and the total content of cyclohexanone, isophorone and methylcyclohexanone is 70% by mass or more .
前記熱硬化性樹脂が、さらにシアネート樹脂を含むものである、請求項1に記載のプリプレグ。 The prepreg according to claim 1, wherein the thermosetting resin further contains a cyanate resin. 前記請求項1又は2に記載のプリプレグ上に金属箔を積層し、加熱加圧して得られることを特徴とする金属張積層板。 A metal-clad laminate obtained by laminating a metal foil on the prepreg according to claim 1 or 2 , and heating and pressing the metal foil. 前記請求項に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とするプリント配線板。 A printed wiring board comprising the metal-clad laminate according to claim 3 as an inner layer circuit board. 内層回路上に、前記請求項1又は2に記載のプリプレグを絶縁層に用いてなることを特徴とするプリント配線板。 A printed wiring board comprising the prepreg according to claim 1 or 2 as an insulating layer on an inner layer circuit. 前記請求項又はに記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。 Wherein a formed by mounting a semiconductor element on a printed wiring board according to claim 4 or 5.
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