JP2011081183A - Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel - Google Patents

Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel Download PDF

Info

Publication number
JP2011081183A
JP2011081183A JP2009233298A JP2009233298A JP2011081183A JP 2011081183 A JP2011081183 A JP 2011081183A JP 2009233298 A JP2009233298 A JP 2009233298A JP 2009233298 A JP2009233298 A JP 2009233298A JP 2011081183 A JP2011081183 A JP 2011081183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
manufacturing
substrate
warpage
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009233298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomohiro Murakoso
智宏 村社
Hidekazu Uryu
英一 瓜生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2009233298A priority Critical patent/JP2011081183A/en
Publication of JP2011081183A publication Critical patent/JP2011081183A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve high-accuracy pattern formation by preliminarily measuring warpage of a substrate and forming a pattern complying with the amount of warpage in the process of manufacturing a photomask. <P>SOLUTION: The method for manufacturing a photomask using glass as the main material of a substrate comprises preliminarily measuring a warpage amount of the substrate and then selecting a photomask pattern complying with the warpage amount. It is preferable that, with every 100 μm or more of a change in the warpage of the substrate with respect to a reference value, the width of a pattern is changed to be thinner by 1 μm to 5 μm. The plasma display panel is manufactured by using the photomask. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトリソグラフィ工程に用いるフォトマスクの製造方法および当該フォトマスクを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a photomask used in a photolithography process and a method for manufacturing a plasma display panel using the photomask.

プラズマディスプレイパネル(以下、PDPとする)として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、ガラス製の前面基板と、1対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対と、それらを覆う誘電体層および保護層を有する。背面板は、ガラス製の背面基板と、データ電極と、それを覆う誘電体層と、隔壁と、蛍光体層とを有する。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このように構成されたPDPの各放電セル内でガス放電を発生させ、赤、緑、青各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。   A typical AC surface discharge type panel as a plasma display panel (hereinafter referred to as a PDP) has a large number of discharge cells formed between a front plate and a back plate arranged opposite to each other. The front plate includes a front substrate made of glass, a display electrode pair including a pair of scan electrodes and sustain electrodes, and a dielectric layer and a protective layer covering them. The back plate includes a glass back substrate, data electrodes, a dielectric layer covering the data electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer. Then, the front plate and the rear plate are arranged opposite to each other so that the display electrode pair and the data electrode are three-dimensionally crossed and sealed, and a discharge gas is sealed in the internal discharge space. Here, a discharge cell is formed at a portion where the display electrode pair and the data electrode face each other. A gas discharge is generated in each discharge cell of the PDP configured as described above, and red, green, and blue phosphors are excited and emitted to perform color display.

走査電極および維持電極のそれぞれは、例えば幅の広いストライプ状の透明電極の上に幅の狭いストライプ状のバス電極を積層して形成されている。透明電極は、例えばスパッタ法等を用いて前面基板上に形成されたITO薄膜を、フォトリソグラフ法等によりストライプ状にパターニングして形成する。またバス電極は、透明電極上に銀ペーストをストライプ状に印刷し焼成して形成する(例えば、特許文献1参照)。   Each of the scan electrode and the sustain electrode is formed by, for example, laminating a narrow striped bus electrode on a wide striped transparent electrode. The transparent electrode is formed by, for example, patterning an ITO thin film formed on the front substrate using a sputtering method or the like into a stripe shape using a photolithographic method or the like. The bus electrode is formed by printing and baking a silver paste on a transparent electrode in a stripe shape (see, for example, Patent Document 1).

特開2000−156168号公報JP 2000-156168 A

フォトマスクの製造プロセスにおいて、マスク検査時にそり測定を行い、そり量が規格値を越える場合、マスクを再度作成することが必要であった。また、そり量を細かく限定すると、フォトマスク用材料が高価になり製造費用が増加するという課題があった。また、そり量によって、パターン幅のばらつきが生じ、精度向上の課題があった。   In the photomask manufacturing process, it is necessary to measure warpage during mask inspection and to re-create the mask if the warpage amount exceeds the standard value. Further, if the amount of warping is finely limited, there is a problem that the photomask material becomes expensive and the manufacturing cost increases. In addition, variation in pattern width occurs depending on the warp amount, and there is a problem of improving accuracy.

上記の課題を解決するために本発明は、ガラスを基板の主材料としたフォトマスクの製造方法において、基板のそり量を測定した後に、そり量に応じたフォトマスクのパターンを選択して形成することを特徴とする。ここで、基板のそり量が基準値に対して100μm以上変化する毎に、パターンの幅を1μm〜5μm細く変更することが望ましい。また、本発明のPDPの製造方法はこれらのフォトマスクを用いた製造法である。   In order to solve the above problems, the present invention provides a method for manufacturing a photomask using glass as a main material of a substrate. After measuring the amount of warpage of the substrate, the photomask pattern corresponding to the amount of warpage is selected and formed. It is characterized by doing. Here, every time the amount of warpage of the substrate changes by 100 μm or more with respect to the reference value, it is desirable to change the pattern width to 1 μm to 5 μm. Moreover, the manufacturing method of PDP of this invention is a manufacturing method using these photomasks.

本発明によれば、フォトマスクの製造ロスを抑え、かつフォトマスク描画パターンを精度良く製造することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to suppress the manufacturing loss of a photomask and to manufacture a photomask drawing pattern accurately.

本発明の実施形態のフォトマスクの製造プロセスの説明図Explanatory drawing of the manufacturing process of the photomask of embodiment of this invention フォトマスクそり量の発生頻度分布を示す図Diagram showing frequency distribution of photomask warpage 本発明の実施形態におけるPDPの分解斜視図The disassembled perspective view of PDP in embodiment of this invention 本発明の実施形態における前面板構成図Front plate configuration diagram of an embodiment of the present invention 本発明の実施形態における背面板構成図Back plate configuration diagram in an embodiment of the present invention

本発明の実施形態におけるフォトマスクの製造方法について、図面を用いて説明する。図1は本発明の実施形態におけるフォトマスク製造プロセスのフローチャートを示した図である。このように、材料加工、表面研磨、遮光膜形成、レジスト膜形成、レジストレーザー描画、現像、検査・出荷の順で行われる。   A method for manufacturing a photomask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing a flowchart of a photomask manufacturing process in an embodiment of the present invention. In this way, material processing, surface polishing, light shielding film formation, resist film formation, resist laser drawing, development, inspection, and shipping are performed in this order.

従来技術では、出荷時に描画パターンの検査を行っているが、本発明の実施形態では、表面研磨の後にそり量を測定し、描画するパターンの選択を行う工程を有していることを特徴としている。   In the prior art, the drawing pattern is inspected at the time of shipment, but the embodiment of the present invention is characterized by measuring the amount of warpage after surface polishing and selecting a pattern to be drawn. Yes.

従来技術では、出荷前において、そり量の測定を行っているため、そり量が大きい場合、再度パターン描画を修正する製造ロスが発生していた。これに対して、本発明の実施形態では、事前にそり量を測定し、その測定結果に応じたフォトマスクのパターンを選択して作成する。   In the prior art, since the amount of warpage is measured before shipment, if the amount of warpage is large, a manufacturing loss for correcting pattern drawing again occurs. In contrast, in the embodiment of the present invention, the amount of warpage is measured in advance, and a photomask pattern corresponding to the measurement result is selected and created.

図2はガラスを主材料とした基板のそり量とその発生頻度の関係を示した図である。このように、そり量の分布については、大きなばらつきをもって分布している。また本発明の実施形態において、そり量の測定は基板を直立させてレーザー変位形によって、測定することとする。これにより、基板の変位方向に対して自重による作用を無視できるようになり、精度良くそり量を測定することが可能である。   FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the amount of warpage of a substrate mainly made of glass and the frequency of occurrence thereof. As described above, the distribution of the warp amount is distributed with a large variation. In the embodiment of the present invention, the amount of warpage is measured by a laser displacement type with the substrate upright. This makes it possible to ignore the action due to its own weight with respect to the direction of displacement of the substrate, and it is possible to accurately measure the amount of warpage.

また、本発明の実施形態では、基準値に対してそり量が200μm、望ましくは100μm以上変化する毎に応じて、フォトマスクのパターン幅を材料毎に変更することとしている。   In the embodiment of the present invention, the pattern width of the photomask is changed for each material in accordance with the change of the warp amount to 200 μm, preferably 100 μm or more with respect to the reference value.

例えば、PDP前面板の電極パターンでは、そり量100μmに対して、電極線幅が1μm変化する。そのため、パターン設計線幅を100μm以上のそり量が計測されるに従い、上記電極幅に相当する描画を1μm細く設計する。これにより、PDP製造時には電極幅が一定になる。ただし、この変化量は材料によって、異なるため、一意的に決まるわけではなく最適値が存在する。   For example, in the electrode pattern of the PDP front plate, the electrode line width changes by 1 μm with respect to the warp amount of 100 μm. Therefore, the drawing corresponding to the electrode width is designed to be thinner by 1 μm as the warpage amount of 100 μm or more is measured as the pattern design line width. As a result, the electrode width is constant during PDP manufacturing. However, since the amount of change varies depending on the material, it is not uniquely determined and there is an optimum value.

以下、本発明の実施形態でのフォトマスクを使用したプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a plasma display panel using a photomask according to an embodiment of the present invention will be described.

図3は、本発明の実施形態1におけるPDPの構造を示す分解斜視図である。PDP10は、前面板20と背面板30とを対向配置し、周辺部を封着部材(図示せず)を用いて封着することにより構成されており、内部に多数の放電セルが形成されている。   FIG. 3 is an exploded perspective view showing the structure of the PDP in Embodiment 1 of the present invention. The PDP 10 is configured by disposing the front plate 20 and the back plate 30 so as to face each other and sealing the periphery using a sealing member (not shown), and a large number of discharge cells are formed therein. Yes.

前面板20は、ガラス製の前面基板21と、走査電極22と維持電極23とからなる表示電極対24と、ブラックストライプ25と、誘電体層26と、保護層27とを有する。前面基板21上には1対の走査電極22と維持電極23とからなる表示電極対24が互いに平行に複数形成されている。そして隣り合う表示電極対24の間にはブラックストライプ25が形成されている。図3には表示電極対24とブラックストライプ25とが、走査電極22、維持電極23、ブラックストライプ25、走査電極22、維持電極23、ブラックストライプ25、・・・となるように形成されている図を示した。しかし表示電極対24とブラックストライプ25とが、走査電極22、維持電極23、ブラックストライプ25、維持電極23、走査電極22、ブラックストライプ25、走査電極22、維持電極23、ブラックストライプ25、維持電極23、走査電極22、ブラックストライプ25、・・・となるように形成されていてもよい。   The front plate 20 includes a front substrate 21 made of glass, a display electrode pair 24 including a scan electrode 22 and a sustain electrode 23, a black stripe 25, a dielectric layer 26, and a protective layer 27. A plurality of display electrode pairs 24 including a pair of scanning electrodes 22 and sustain electrodes 23 are formed on the front substrate 21 in parallel with each other. A black stripe 25 is formed between adjacent display electrode pairs 24. 3, the display electrode pair 24 and the black stripe 25 are formed so as to become the scanning electrode 22, the sustain electrode 23, the black stripe 25, the scan electrode 22, the sustain electrode 23, the black stripe 25,. The figure is shown. However, the display electrode pair 24 and the black stripe 25 are composed of the scan electrode 22, the sustain electrode 23, the black stripe 25, the sustain electrode 23, the scan electrode 22, the black stripe 25, the scan electrode 22, the sustain electrode 23, the black stripe 25, and the sustain electrode. 23, the scanning electrode 22, the black stripe 25, and so on.

そしてそれら表示電極対24およびブラックストライプ25を覆うように誘電体層26が形成され、誘電体層26上に保護層27が形成されている。   A dielectric layer 26 is formed so as to cover the display electrode pair 24 and the black stripe 25, and a protective layer 27 is formed on the dielectric layer 26.

背面板30は、ガラス製の背面基板31と、データ電極32と、誘電体層33と、隔壁34と、蛍光体層35とを有する。背面基板31上には、複数のデータ電極32が互いに平行に形成されている。そしてデータ電極32を覆うように誘電体層33が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁34が形成され、誘電体層33の表面と隔壁34の側面とに赤、緑、青各色の蛍光体層35が形成されている。   The back plate 30 includes a glass back substrate 31, a data electrode 32, a dielectric layer 33, a partition wall 34, and a phosphor layer 35. On the back substrate 31, a plurality of data electrodes 32 are formed in parallel to each other. A dielectric layer 33 is formed so as to cover the data electrode 32, and a grid-like partition wall 34 is formed thereon, and red, green, and blue fluorescent lights are formed on the surface of the dielectric layer 33 and the side surfaces of the partition wall 34. A body layer 35 is formed.

そして、表示電極対24とデータ電極32とが立体交差するように前面板20と背面板30とが対向配置され、表示電極対24とデータ電極32とが対向する部分に放電セルが形成される。放電セルが形成された画像表示領域の外側の位置で、低融点ガラスを用いて前面板20と背面板30とが封着され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。   The front plate 20 and the back plate 30 are arranged to face each other so that the display electrode pair 24 and the data electrode 32 are three-dimensionally crossed, and a discharge cell is formed at a portion where the display electrode pair 24 and the data electrode 32 face each other. . The front plate 20 and the back plate 30 are sealed using low-melting glass at a position outside the image display area where the discharge cells are formed, and a discharge gas is sealed in the internal discharge space.

次にPDP10の製造方法について説明する。図4は、本発明の実施形態におけるPDP10の前面板20の製造方法を説明するための図である。   Next, a method for manufacturing the PDP 10 will be described. FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the front plate 20 of the PDP 10 in the embodiment of the present invention.

前面板20を製造するには、まず透明電極(図示せず)が形成されたガラス製の前面基板21をアルカリ洗浄する。その後、酸化ルテニウムや黒色顔料を主成分とする黒色層用ペーストを用いて、黒色層22c、23cの前駆体22cx、23cx、およびブラックストライプ25の前駆体25xを前面基板21上に形成する。これら前駆体22cx、23cx、25xはスクリーン印刷法によって全面塗布したペースト層を、上記本発明の実施形態におけるフォトマスクを用い、フォトリソグラフィ工程にて形成する。その後、同様の手法により、銀を含む導電層用ペーストを用いて前駆体22cx、23cxの上に導電層22d、23dの前駆体22dx、23dxを形成する(図4(a))。   In order to manufacture the front plate 20, first, the glass front substrate 21 on which a transparent electrode (not shown) is formed is alkali-cleaned. Thereafter, the black layers 22c and 23c precursors 22cx and 23cx and the black stripe 25 precursor 25x are formed on the front substrate 21 using a black layer paste mainly composed of ruthenium oxide or a black pigment. These precursors 22cx, 23cx, and 25x are formed by a photolithography process using a photomask according to the above-described embodiment of the present invention, by applying a paste layer coated on the entire surface by a screen printing method. Thereafter, the precursors 22dx and 23dx of the conductive layers 22d and 23d are formed on the precursors 22cx and 23cx by the same method using the conductive layer paste containing silver (FIG. 4A).

次に、前駆体22cx、23cx、25x、22dx、23dxが形成された前面基板21を焼成して、バス電極22a、23a、ブラックストライプ25を形成する。このときの焼成のピーク温度は550〜600℃が望ましく、本実施形態においては580℃である。またバス電極22a、23aの厚みは、1μm〜6μmが望ましく、本実施形態においては4μmである(図4(b))。   Next, the front substrate 21 on which the precursors 22cx, 23cx, 25x, 22dx, and 23dx are formed is fired to form bus electrodes 22a and 23a and black stripes 25. The peak temperature of the firing at this time is preferably 550 to 600 ° C., and in this embodiment is 580 ° C. The thickness of the bus electrodes 22a, 23a is preferably 1 μm to 6 μm, and is 4 μm in the present embodiment (FIG. 4B).

次に、走査電極22、維持電極23およびブラックストライプ25が形成された前面基板21上に、印刷法等の公知技術により、誘電体層の前駆体を形成する。そして誘電体層の前駆体を焼成して、厚み20μm〜50μmの誘電体層26を形成する。   Next, a precursor of a dielectric layer is formed on the front substrate 21 on which the scan electrode 22, the sustain electrode 23, and the black stripe 25 are formed by a known technique such as a printing method. Then, the dielectric layer precursor is baked to form a dielectric layer 26 having a thickness of 20 μm to 50 μm.

本実施形態においては、酸化硼素35wt%、酸化硅素1.4wt%、酸化亜鉛27.6wt%、酸化物バリウム3.3wt%、酸化ビスマス25wt%、酸化アルミニウム1.1wt%、酸化モリブデン4.0wt%、酸化タングステン3.0wt%を含んだ誘電体ガラスを含む誘電体ペーストを作成した。このようにして作成された誘電体ガラスの軟化点は約570℃である。次に走査電極22、維持電極23およびブラックストライプ25が生成された前面基板21上にダイコート法により誘電体ペーストを塗布して誘電体層の前駆体を形成した。そして誘電体層の前駆体を約590℃で焼成して誘電体層26を形成した。このときの誘電体層26の厚みは約40μmである。   In the present embodiment, boron oxide 35 wt%, silicon oxide 1.4 wt%, zinc oxide 27.6 wt%, barium oxide 3.3 wt%, bismuth oxide 25 wt%, aluminum oxide 1.1 wt%, molybdenum oxide 4.0 wt%. %, And a dielectric paste containing dielectric glass containing tungsten oxide 3.0 wt% was prepared. The dielectric glass thus prepared has a softening point of about 570 ° C. Next, a dielectric paste was applied to the front substrate 21 on which the scan electrodes 22, the sustain electrodes 23, and the black stripes 25 were formed by a die coating method to form a dielectric layer precursor. Then, the dielectric layer precursor was baked at about 590 ° C. to form the dielectric layer 26. The thickness of the dielectric layer 26 at this time is about 40 μm.

なお、誘電体ペーストとしては、上記以外にも、例えば、酸化硼素、酸化硅素、酸化亜鉛、アルカリ土類酸化物、アルカリ金属酸化物、酸化ビスマス、酸化アルミニウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化セリウム等の中からいくつかを含んだ軟化点520℃〜590℃の誘電体ガラスを含む誘電体ペーストを用いることができる。   In addition to the above, as the dielectric paste, for example, boron oxide, silicon oxide, zinc oxide, alkaline earth oxide, alkali metal oxide, bismuth oxide, aluminum oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, cerium oxide, etc. A dielectric paste containing dielectric glass having a softening point of 520 ° C. to 590 ° C. including some of them can be used.

そして誘電体層26の上に、酸化マグネシウムを主成分とする保護層27を、真空蒸着法等の公知技術により形成する(図4(c))。   Then, a protective layer 27 containing magnesium oxide as a main component is formed on the dielectric layer 26 by a known technique such as a vacuum deposition method (FIG. 4C).

次に背面板30の製造方法について説明する。まず、スクリーン印刷法と本発明の実施形態によるフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ工程により、背面基板31上に、銀を主成分とする導電層用ペーストを一定間隔でストライプ状に塗布し、データ電極32の前駆体32xを形成する(図5(a))。   Next, a method for manufacturing the back plate 30 will be described. First, by a screen printing method and a photolithography process using a photomask according to an embodiment of the present invention, a conductive layer paste mainly composed of silver is applied in stripes at regular intervals on the back substrate 31 to form data electrodes. 32 precursors 32x are formed (FIG. 5A).

次に、前駆体32xが形成された背面基板31を焼成して、データ電極32を形成する。データ電極32の厚みは、例えば2〜10μmである(図5(b))。   Next, the back substrate 31 on which the precursor 32x is formed is baked to form the data electrodes 32. The thickness of the data electrode 32 is, for example, 2 to 10 μm (FIG. 5B).

続いて、データ電極32を形成した背面基板31上に誘電体ペーストを塗布し、この後焼成して誘電体層33を形成する。誘電体層33の厚みは、例えば約5〜15μmである(図5(c))。   Subsequently, a dielectric paste is applied on the back substrate 31 on which the data electrodes 32 are formed, and then baked to form a dielectric layer 33. The thickness of the dielectric layer 33 is, for example, about 5 to 15 μm (FIG. 5C).

続いて、誘電体層33を形成した背面基板31上に感光性の誘電体ペーストを塗布した後、焼成して隔壁34の前駆体を形成する。その後、本発明の実施形態によるフォトマスクを用いて感光し、エッチングして隔壁34を形成する。隔壁34の高さは、例えば100〜150μmである(図5(d))。   Subsequently, a photosensitive dielectric paste is applied on the back substrate 31 on which the dielectric layer 33 is formed, and then baked to form a precursor of the partition wall 34. After that, the barrier ribs 34 are formed by using a photomask according to an embodiment of the present invention, and exposing and etching. The height of the partition wall 34 is, for example, 100 to 150 μm (FIG. 5D).

そして、隔壁34の壁面および誘電体層33の表面に、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体のいずれかを含む蛍光体インクを塗布する。そののち乾燥、焼成して蛍光体層35を形成する(図5(e))。   Then, a phosphor ink containing any one of a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor is applied to the wall surface of the partition wall 34 and the surface of the dielectric layer 33. Thereafter, the phosphor layer 35 is formed by drying and firing (FIG. 5E).

そして上述した前面板20と背面板30とを、表示電極対24とデータ電極32とが立体交差するように対向配置し、放電セルが形成された画像表示領域の外側の位置で低融点ガラスを用いて封着する。その後、内部の放電空間にキセノンを含む放電ガスを封入して、PDP10が完成する。   Then, the front plate 20 and the back plate 30 described above are arranged to face each other so that the display electrode pair 24 and the data electrode 32 are three-dimensionally crossed, and the low melting point glass is placed at a position outside the image display area where the discharge cells are formed. Use and seal. Thereafter, a discharge gas containing xenon is sealed in the internal discharge space, and the PDP 10 is completed.

本発明によれば、フォトマスクの製造ロスを抑え、かつフォトマスク描画パターンを精度良く製造することが可能となる点で、産業上有用である。   According to the present invention, it is industrially useful in that a photomask manufacturing loss can be suppressed and a photomask drawing pattern can be manufactured with high accuracy.

10 PDP
20 前面板
21 前面基板
22 走査電極
23 維持電極
24 表示電極対
25 ブラックストライプ
26 誘電体層
27 保護層
30 背面板
31 背面基板
32 データ電極
33 誘電体層
34 隔壁
35 蛍光体層
10 PDP
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Front plate 21 Front substrate 22 Scan electrode 23 Sustain electrode 24 Display electrode pair 25 Black stripe 26 Dielectric layer 27 Protective layer 30 Back plate 31 Back substrate 32 Data electrode 33 Dielectric layer 34 Partition 35 Phosphor layer

Claims (3)

ガラスを基板の主材料としたフォトマスクの製造方法において、前記基板のそり量を測定した後に、前記そり量に応じたフォトマスクのパターンを選択して形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 In a photomask manufacturing method using glass as a main material of a substrate, a photomask pattern is formed by selecting a photomask pattern corresponding to the warpage amount after measuring the warpage amount of the substrate. Method. 前記基板のそり量が基準値に対して100μm以上変化する毎に、前記パターンの幅を1μm〜5μm細く変更することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。 2. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the width of the pattern is changed from 1 μm to 5 μm every time the warpage amount of the substrate changes by 100 μm or more with respect to a reference value. 請求項1から2のいずれかに記載のフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 A method for manufacturing a plasma display panel, wherein a photolithography process is performed using the photomask according to claim 1.
JP2009233298A 2009-10-07 2009-10-07 Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel Pending JP2011081183A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009233298A JP2011081183A (en) 2009-10-07 2009-10-07 Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009233298A JP2011081183A (en) 2009-10-07 2009-10-07 Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011081183A true JP2011081183A (en) 2011-04-21

Family

ID=44075299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009233298A Pending JP2011081183A (en) 2009-10-07 2009-10-07 Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011081183A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005203359A (en) Plasma display panel
KR20080098508A (en) Member for plasma display and method for producing the same
JP2011081183A (en) Method for manufacturing photomask and method for manufacturing plasma display panel
JP4375113B2 (en) Plasma display panel
KR100726631B1 (en) Manufacturing Method of Plasma Display Panel
US20070085479A1 (en) Plasma display panel (PDP) and its method of manufacture
JP2012064319A (en) Photomask for plasma display panel and method for manufacturing plasma display panel
JP2008159528A (en) Method of forming barrier rib
JP5293485B2 (en) Method for manufacturing plasma display member
JP2013084407A (en) Plasma display panel
JP4259190B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
KR100823514B1 (en) Plasma display panel
JP2006351263A (en) Plasma display panel and its manufacturing method
JP2005135831A (en) Plasma display panel
JP4788471B2 (en) Plasma display panel
JP2012124053A (en) Back plate for plasma display, and plasma display panel
JP2008123937A (en) Plasma display panel, and its manufacturing method
JP2013222572A (en) Plasma display panel
JP2005135832A (en) Plasma display panel
JP2006253058A (en) Manufacturing method of plasma display panel
KR20140020711A (en) Plasma display panel and method for producing the same
JP2009193945A (en) Plasma display panel
JP2011082018A (en) Method of manufacturing plasma display panel
KR20060067028A (en) Manufacturing method of plasma display panel
JP2012038446A (en) Method for manufacturing plasma display panel