JP2011077938A - Acoustic wave device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an acoustic wave device which can improve a structural function around a terminal. <P>SOLUTION: A SAW (Surface Acoustic Wave) device 1 has a substrate 3; a SAW element 11 provided on a first principal surface 3a of the substrate 3; and a cover 5 covering and sealing the SAW element 11 while forming a vibration space S on the SAW element 11. Further, the SAW device 1 has a terminal 7 with which a hole 5h is filled, the hole 5h penetrating the cover 5 in a direction that the first principal surface 3a faces, outside of the vibration space S, and which is connected to the SAW element 11, and an insulating film 25 interposed between the side surface of the terminal 7 and the inner wall of the hole 5h. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an acoustic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device and a piezoelectric thin film resonator (FBAR), and a method for manufacturing the same.

基板の主面上に配置された弾性波素子を覆う樹脂製のカバーを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。カバーは、弾性波素子の周囲に空間を形成しつつ、弾性波素子を封止する。これにより、ＳＡＷが基板の主面において伝搬し易くなるとともに、弾性波素子が水分などから保護される。   An acoustic wave device having a resin cover that covers an acoustic wave element disposed on a main surface of a substrate is known (for example, Patent Document 1). The cover seals the acoustic wave element while forming a space around the acoustic wave element. This facilitates the propagation of SAW on the main surface of the substrate and protects the acoustic wave element from moisture and the like.

弾性波素子と、弾性波装置の外部の電子回路との接続は、基板の主面に立設され、カバーを貫通する端子により行われる。このような端子は、例えば、カバーに形成された孔部内において、無電解めっきによりめっき下地層が形成され、電気めっきにより金属が析出されることにより形成される。そして、端子の側面は、カバーの内壁と密着している。   The acoustic wave element and the electronic circuit outside the acoustic wave device are connected to each other by a terminal standing on the main surface of the substrate and penetrating the cover. Such a terminal is formed, for example, by forming a plating base layer by electroless plating and depositing a metal by electroplating in a hole formed in the cover. The side surface of the terminal is in close contact with the inner wall of the cover.

特開２００９−１０５５９号公報JP 2009-10559 A

端子の周囲において、更なる構造的機能の向上が図られることが望まれる。例えば、端子の側面とカバーの孔部の内壁との間からカバー内に水分が浸入することが抑制されることが望まれる。また、例えば、カバーの孔部の内壁には、種々の事情により、めっき下地層の成膜が困難な段差等が形成されることがあり、このような形状における成膜の容易化が望まれる。そして、このような要求に応えることができる新たな端子構造が提案されることが望まれる。   It is desirable to further improve the structural function around the terminals. For example, it is desirable to prevent moisture from entering the cover from between the side surface of the terminal and the inner wall of the hole of the cover. In addition, for example, there may be a step on the inner wall of the hole of the cover, which makes it difficult to form a plating base layer due to various circumstances, and it is desired to facilitate film formation in such a shape. . And it is desired that a new terminal structure capable of meeting such a demand is proposed.

本発明の目的は、端子周辺の構造的機能を向上させることができる弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an acoustic wave device capable of improving the structural function around a terminal and a method for manufacturing the same.

本発明の弾性波装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子上に空間を形成しつつ前記弾性波素子を覆って封止するとともに、前記空間の外側において前記主面の面する方向へ貫通する孔部を有するカバーと、前記孔部に充填され、前記弾性波素子に接続された端子と、前記端子の側面と前記孔部の内壁との間に介在する絶縁膜と、を有する。   The acoustic wave device of the present invention covers a substrate, an acoustic wave element provided on a main surface of the substrate, covers the acoustic wave element while forming a space on the acoustic wave element, and seals the space. A cover having a hole penetrating in the direction of the main surface on the outside, a terminal filled in the hole and connected to the acoustic wave element, a side surface of the terminal, and an inner wall of the hole And an insulating film interposed therebetween.

本発明の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を設ける工程と、前記弾性波素子上に空間を形成しつつ前記弾性波素子を覆って封止しており、前記空間の外側において前記主面の面する方向へ貫通する孔部が形成されたカバーを形成する工程と、液状の絶縁材料を前記孔部の内壁に付着させて絶縁膜を成膜する工程と、無電解めっき法により、前記孔部の内壁に対して前記絶縁膜上に下地層を成膜する工程と、電気めっき法により、前記下地層上に金属を析出させ、前記孔部に充填された中実部を形成する工程と、を有する。   The method of manufacturing an acoustic wave device according to the present invention includes a step of providing an acoustic wave element on a main surface of a substrate, and covering and sealing the acoustic wave element while forming a space on the acoustic wave element. A step of forming a cover in which a hole penetrating in the direction of the main surface is formed outside, a step of forming an insulating film by attaching a liquid insulating material to the inner wall of the hole, A step of forming a base layer on the insulating film with respect to the inner wall of the hole by electrolytic plating, and metal deposited on the base layer by electroplating and filling the hole Forming a real part.

本発明によれば、端子周辺の構造的機能を向上させることができる。   According to the present invention, the structural function around the terminal can be improved.

本発明の第１の実施形態の弾性表面波装置の外観を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating an appearance of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. 図１の弾性表面波装置を一部を破断して示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing the surface acoustic wave device of FIG. 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。It is sectional drawing in the III-III line of FIG. 図３の端子周辺における拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view around a terminal in FIG. 3. 図１の弾性表面波装置の製造方法を説明する、図３に対応する断面図である。It is sectional drawing corresponding to FIG. 3 explaining the manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus of FIG. 図５の続きを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the continuation of FIG. 図６の続きを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the continuation of FIG. 変形例に係る端子周辺における断面図である。It is sectional drawing in the terminal periphery which concerns on a modification.

以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置（ＳＡＷ装置）について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。   Hereinafter, a surface acoustic wave device (SAW device) according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.

（ＳＡＷ装置の構成）
図１は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。 (Configuration of SAW device)
FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device 1 according to an embodiment of the present invention.

ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する複数の端子７と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。   The SAW device 1 is a so-called wafer level package (WLP) type SAW device. The SAW device 1 includes a substrate 3, a cover 5 fixed to the substrate 3, a plurality of terminals 7 exposed from the cover 5, and a back surface portion 9 provided on the side opposite to the cover 5 of the substrate 3. ing.

なお、カバー５の表面は、後述するように、絶縁膜２５により覆われている。従って、厳密には、カバー５は、ＳＡＷ装置１の外部から直接的に視認することはできない。しかし、説明の便宜上、図１においては、カバー５が視認されているものとしてカバー５に係る符号を付している。なお、カバー５と絶縁膜２５とを広義のカバーとして捉えることも可能である。   The surface of the cover 5 is covered with an insulating film 25 as will be described later. Therefore, strictly speaking, the cover 5 cannot be directly visually recognized from the outside of the SAW device 1. However, for convenience of explanation, in FIG. 1, the reference numeral related to the cover 5 is given as the cover 5 is visually recognized. Note that the cover 5 and the insulating film 25 can be regarded as a cover in a broad sense.

ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。   Signals are input to the SAW device 1 via any of the plurality of terminals 7. The input signal is filtered by the SAW device 1. Then, the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of terminals 7. The SAW device 1 is, for example, resin-sealed in a state where the surface on the cover 5 side faces a mounting surface such as a circuit board (not shown) and is placed on the mounting surface, whereby the terminal 7 is placed on the mounting surface. It is mounted while connected to the terminal.

基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。   The substrate 3 is composed of a piezoelectric substrate. Specifically, for example, the substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The board | substrate 3 has the 1st main surface 3a and the 2nd main surface 3b of the back side. The planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate, but is rectangular, for example. Although the magnitude | size of the board | substrate 3 may be set suitably, for example, thickness is 0.2 mm-0.5 mm, and the length of 1 side is 0.5 mm-2 mm.

カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様（本実施形態では矩形）である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。   The cover 5 is provided so as to cover the first main surface 3a. The planar shape of the cover 5 is, for example, the same as the planar shape of the substrate 3 (rectangular in this embodiment). The cover 5 has, for example, a width approximately equal to that of the first main surface 3a and covers almost the entire surface of the first main surface 3a.

複数の端子７は、カバー５の上面５ａ（基板３とは反対側の面）から露出している。複数の端子７の数及び配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている場合を例示している。   The plurality of terminals 7 are exposed from the upper surface 5a of the cover 5 (surface opposite to the substrate 3). The number and arrangement position of the plurality of terminals 7 are appropriately set according to the configuration of the electronic circuit inside the SAW device 1. In this embodiment, the case where the six terminals 7 are arranged along the outer periphery of the cover 5 is illustrated.

裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆い、基準電位が付与される裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。   Although not particularly illustrated, the back surface portion 9 includes, for example, a back surface electrode that covers substantially the entire surface of the second main surface 3b and is applied with a reference potential, and an insulating protective layer that covers the back surface electrode. The back surface electrode discharges the charge charged on the surface of the substrate 3 due to a temperature change or the like. Damage to the substrate 3 is suppressed by the protective layer. In addition, below, illustration and description of the back surface part 9 may be omitted.

図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の概略斜視図である。   FIG. 2 is a schematic perspective view of the SAW device 1 with a part of the cover 5 cut away.

第１主面３ａには、弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）１１が設けられている。ＳＡＷ素子１１は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子１１は、第１主面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１２を有している。各櫛歯状電極１２は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１２ａと、バスバー１２ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１２ｂとを有している。一つの櫛歯状電極１２同士は、それぞれの電極指１２ｂが互いに噛み合うように設けられている。   A surface acoustic wave element (SAW element) 11 is provided on the first main surface 3a. The SAW element 11 is for filtering a signal input to the SAW device 1. The SAW element 11 has a pair of comb-like electrodes (IDT electrodes) 12 formed on the first main surface 3a. Each comb-like electrode 12 includes a bus bar 12a extending in the surface acoustic wave propagation direction (X direction) on the substrate 3 and a plurality of electrode fingers 12b extending from the bus bar 12a in a direction (Y direction) perpendicular to the propagation direction. Have. One comb-like electrode 12 is provided so that the electrode fingers 12b are engaged with each other.

なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１２ｂを有する一対の櫛歯状電極１２を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子１１が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。   Since FIG. 2 is a schematic diagram, a pair of comb-like electrodes 12 having several electrode fingers 12b is shown. In practice, a plurality of pairs of comb-like electrodes having a larger number of electrode fingers may be provided. In addition, a plurality of SAW elements 11 may be connected by a system such as a series connection or a parallel connection, and a ladder type SAW filter, a double mode SAW resonator filter, or the like may be configured. The SAW element 11 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.

カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部１５と、枠部１５の開口を塞ぐ蓋部１７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２１）、枠部１５及び蓋部１７により囲まれた空間により、ＳＡＷ素子１１の振動を容易化する振動空間Ｓが形成されている。なお、振動空間Ｓは、適宜な数及び形状で設けられてよく、図２では、２つの振動空間Ｓが設けられている場合を例示している。   The cover 5 includes a frame portion 15 that surrounds the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a, and a lid portion 17 that closes the opening of the frame portion 15. A vibration space S that facilitates vibration of the SAW element 11 is formed by a space surrounded by the first main surface 3a (strictly speaking, a protective layer 21 described later), the frame portion 15, and the lid portion 17. The vibration space S may be provided in an appropriate number and shape, and FIG. 2 illustrates the case where two vibration spaces S are provided.

枠部１５は、概ね一定の厚さの層に振動空間Ｓとなる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。枠部１５の厚さ（振動空間Ｓの高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１７は、枠部１５上に積層される、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。   The frame portion 15 is configured by forming one or more openings (two in this embodiment) serving as the vibration space S in a layer having a substantially constant thickness. The thickness of the frame portion 15 (the height of the vibration space S) is, for example, several μm to 30 μm. The lid portion 17 is configured by a layer having a substantially constant thickness that is stacked on the frame portion 15. The thickness of the lid portion 17 is, for example, several μm to 30 μm.

枠部１５及び蓋部１７は、例えば、感光性の樹脂により形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。   The frame portion 15 and the lid portion 17 are made of, for example, a photosensitive resin. The photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acryl group or a methacryl group.

枠部１５及び蓋部１７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１５と蓋部１７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。   The frame portion 15 and the lid portion 17 may be formed of the same material, or may be formed of different materials. In the present application, for convenience of explanation, the boundary line between the frame portion 15 and the lid portion 17 is clearly shown. However, in an actual product, the frame portion 15 and the lid portion 17 are formed of the same material and are integrally formed. May be.

端子７は、第１主面３ａに立設され、カバー５に形成された孔部５ｈを介してカバー５の上面５ａに露出している。具体的には、孔部５ｈは、振動空間Ｓの外側において、枠部１５及び蓋部１７を第１主面３ａの面する方向へ貫通している。端子７は、孔部５ｈに充填された柱状部７ａと、孔部５ｈから露出するランド７ｂとを有している。ランド７ｂは、カバー５の上面５ａ上に位置するフランジを有している。   The terminal 7 is erected on the first main surface 3 a and is exposed to the upper surface 5 a of the cover 5 through a hole 5 h formed in the cover 5. Specifically, the hole portion 5h penetrates the frame portion 15 and the lid portion 17 in the direction facing the first main surface 3a outside the vibration space S. The terminal 7 has a columnar part 7a filled in the hole 5h and a land 7b exposed from the hole 5h. The land 7 b has a flange located on the upper surface 5 a of the cover 5.

第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１に接続された配線１３と、配線１３に接続された複数のパッド１４とが設けられている。端子７は、パッド１４上に設けられることにより、ＳＡＷ素子１１と接続されている。   The first main surface 3 a is provided with a wiring 13 connected to the SAW element 11 and a plurality of pads 14 connected to the wiring 13. The terminal 7 is connected to the SAW element 11 by being provided on the pad 14.

図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。   3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.

ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａ上に形成された導体層１９と、導体層１９を覆う保護層２１と、導体層１９の一部に積層された接続強化層２３とを有している。   The SAW device 1 has a conductor layer 19 formed on the first main surface 3a, a protective layer 21 covering the conductor layer 19, and a connection reinforcing layer 23 laminated on a part of the conductor layer 19. .

上述したＳＡＷ素子１１及び配線１３は、導体層１９により構成され、パッド１４は、導体層１９及び接続強化層２３により構成されている。ＳＡＷ素子１１及び配線１３は保護層２１により覆われており、パッド１４は保護層２１から露出している。   The SAW element 11 and the wiring 13 described above are constituted by a conductor layer 19, and the pad 14 is constituted by a conductor layer 19 and a connection reinforcing layer 23. The SAW element 11 and the wiring 13 are covered with a protective layer 21, and the pad 14 is exposed from the protective layer 21.

導体層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。導体層１９は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金により形成されており、その厚さは、例えば、１００〜３００ｎｍである。   The conductor layer 19 is a basic layer regarding the configuration of circuit elements, wirings, and the like on the first main surface 3a. The conductor layer 19 is formed of, for example, an Al alloy such as an Al—Cu alloy, and the thickness thereof is, for example, 100 to 300 nm.

保護層２１は、導体層１９の酸化防止等に寄与するものである。保護層２１は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層２１は、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンなどにより形成されている。保護層２１の厚さは適宜に設定されてよく、例えば、導体層１９の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）でもよいし、導体層１９の厚さと同等以上（１００ｎｍ〜３００ｎｍ）でもよい。 The protective layer 21 contributes to preventing the conductor layer 19 from being oxidized. The protective layer 21 is formed of, for example, a material having an insulating property and a light mass so as not to affect the SAW propagation. For example, the protective layer 21 is formed of silicon oxide (SiO 2 or the like), silicon nitride, silicon, or the like. The thickness of the protective layer 21 may be appropriately set. For example, it may be about 1/10 (10 to 30 nm) of the thickness of the conductor layer 19, or may be equal to or greater than the thickness of the conductor layer 19 (100 nm to 300 nm). Good.

接続強化層２３は、導体層１９と端子７との接続強度を向上させるために設けられる。接続強化層２３は、例えば、金、ニッケル、クロムにより形成されている。接続強化層２３は、例えば、導体層１９よりも厚く形成されており、その厚さは、例えば、１〜２μｍである。   The connection reinforcing layer 23 is provided in order to improve the connection strength between the conductor layer 19 and the terminal 7. The connection reinforcing layer 23 is made of, for example, gold, nickel, or chromium. The connection reinforcing layer 23 is formed to be thicker than the conductor layer 19, for example, and the thickness is, for example, 1 to 2 μm.

なお、カバー５は、厳密には、基板３の第１主面３ａに直接的には設けられておらず、保護層２１等の上に設けられている。本願では、このように、所定の部材や層などが間接的に基板３の主面に設けられており、直接的には基板３の主面に設けられていない場合も、これら所定の部材や層などが基板３の主面に設けられていると表現することがあるものとする。積層の語についても同様である。   Strictly speaking, the cover 5 is not provided directly on the first main surface 3a of the substrate 3, but is provided on the protective layer 21 or the like. In the present application, in this way, the predetermined members and layers are indirectly provided on the main surface of the substrate 3, and even when the predetermined members and layers are not directly provided on the main surface of the substrate 3, It may be expressed that a layer or the like is provided on the main surface of the substrate 3. The same applies to the term “stack”.

ＳＡＷ装置１は、更に、カバー５の上面５ａの全体、側面５ｂの全体、及び、孔部５ｈの内壁全体を覆う絶縁膜２５を有している。   The SAW device 1 further includes an insulating film 25 that covers the entire upper surface 5a, the entire side surface 5b, and the entire inner wall of the hole 5h.

絶縁膜２５は、例えば、カバー５の材料よりも遮水性の高い材料により形成されている。絶縁膜２５の材料は、例えば、一般に、有機材料（カバー５を構成する樹脂）よりも遮水性の高い無機材料である。このような材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁膜２５の材料は、保護層２１の材料と同一材料であることが好ましい。 The insulating film 25 is made of, for example, a material having a higher water shielding property than the material of the cover 5. The material of the insulating film 25 is, for example, generally an inorganic material having a higher water shielding property than an organic material (resin constituting the cover 5). Examples of such a material include silicon oxide (such as SiO 2 ), silicon nitride, and silicon. The material of the insulating film 25 is preferably the same material as that of the protective layer 21.

絶縁膜２５は、孔部５ｈ内において、孔部５ｈの内壁と端子７の側面との界面に介在している。換言すれば、絶縁膜２５は、孔部５ｈの内壁と端子７の側面とに密着している。また、絶縁膜２５は、孔部５ｈの内壁全体に成膜されており、基板３側においては、孔部５ｈの全周に亘って保護層２１に密着している。なお、絶縁膜２５は、孔部５ｈの底面（保護層２１）に対しても成膜され、パッド１４を露出させる開口が形成されていてもよい。   The insulating film 25 is interposed in the interface between the inner wall of the hole 5 h and the side surface of the terminal 7 in the hole 5 h. In other words, the insulating film 25 is in close contact with the inner wall of the hole 5 h and the side surface of the terminal 7. The insulating film 25 is formed over the entire inner wall of the hole 5h, and is in close contact with the protective layer 21 over the entire circumference of the hole 5h on the substrate 3 side. The insulating film 25 may also be formed on the bottom surface (protective layer 21) of the hole 5h, and an opening exposing the pad 14 may be formed.

絶縁膜２５の厚さは、適宜に設定されてよい。また、絶縁膜２５の厚さは、成膜される位置に応じて厚さが異なっていてもよい。絶縁膜２５の厚さは、例えば、５００ｎｍ〜２μｍである。   The thickness of the insulating film 25 may be set as appropriate. Further, the thickness of the insulating film 25 may be different depending on the position where the film is formed. The thickness of the insulating film 25 is, for example, 500 nm to 2 μm.

図４は、図３の端子７周辺を拡大して示す断面図である。   FIG. 4 is an enlarged sectional view showing the periphery of the terminal 7 in FIG.

孔部５ｈは、枠部１５に形成された第１貫通孔１５ｈと、蓋部１７に形成された第２貫通孔１７ｈとにより構成されている。第１貫通孔１５ｈは、第２貫通孔１７ｈよりも径が小さく、孔部５ｈには段差部５ｋが形成されている。なお、このように第２貫通孔１７ｈの径が第１貫通孔１５ｈの径よりも大きくされている理由については、後述するＳＡＷ装置１の製造方法の説明において述べる。   The hole 5 h is configured by a first through hole 15 h formed in the frame portion 15 and a second through hole 17 h formed in the lid portion 17. The first through hole 15h has a smaller diameter than the second through hole 17h, and a step portion 5k is formed in the hole portion 5h. The reason why the diameter of the second through hole 17h is larger than the diameter of the first through hole 15h will be described in the description of the method for manufacturing the SAW device 1 described later.

絶縁膜２５は、孔部５ｈの内壁や縁部の凹凸を緩和している。具体的には、カバー５の上面５ａと孔部５ｈの内壁とが成す角部、及び、段差部５ｋの角部（枠部１５の上面と第１貫通孔１５ｈの内壁とが成す角部）において、端子７側（内周側）の表面がこれらの角部よりもなだらかに形成されている。特に、段差部５ｋ周辺においては、絶縁膜２５は、第２貫通孔１７ｈにおいて、第１貫通孔１５ｈにおける膜厚よりも厚くなっており、段差部５ｋの段差も緩和しており、段差部５ｋの角部を顕著になだらかにしている。   The insulating film 25 relaxes the unevenness of the inner wall and edge of the hole 5h. Specifically, the corner portion formed by the upper surface 5a of the cover 5 and the inner wall of the hole portion 5h, and the corner portion of the step portion 5k (the corner portion formed by the upper surface of the frame portion 15 and the inner wall of the first through hole 15h). The surface on the terminal 7 side (inner peripheral side) is formed more gently than these corners. In particular, in the vicinity of the step portion 5k, the insulating film 25 is thicker in the second through hole 17h than the film thickness in the first through hole 15h, and the step of the step portion 5k is relaxed. The corners of the are significantly smoothed.

端子７は、孔部５ｈ内等において成膜された下地層２７と、下地層２７上に形成された中実部２９とを有している。端子７は、この他、カバー５から露出する面に、ニッケルや金などにより形成された層を有していてもよい。   The terminal 7 includes a base layer 27 formed in the hole 5 h and the like, and a solid portion 29 formed on the base layer 27. In addition, the terminal 7 may have a layer formed of nickel, gold, or the like on the surface exposed from the cover 5.

下地層２７は、例えば、銅やチタンにより形成されている。下地層２７は、孔部５ｈの底面において、接続強化層２３及びその周囲の絶縁膜２５の上に成膜され、孔部５ｈの内壁において、絶縁膜２５上に成膜され、カバー５の上面５ａの、孔部５ｈの周囲部分において絶縁膜２５上に成膜されている。下地層２７の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層２７が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層２７がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。   The underlayer 27 is made of, for example, copper or titanium. The underlayer 27 is formed on the connection reinforcing layer 23 and the surrounding insulating film 25 on the bottom surface of the hole 5h, and is formed on the insulating film 25 on the inner wall of the hole 5h. 5a is formed on the insulating film 25 around the hole 5h. The thickness of the foundation layer 27 is substantially uniform. The thickness may be appropriately set. For example, when the underlayer 27 is made of copper, the thickness is 300 nm to 1 μm, and when the underlayer 27 is made of titanium, the thickness is 10 nm to 100 nm.

中実部２９は、例えば、銅により形成されている。中実部２９は、下地層２７の内側において孔部５ｈに充填されている。また、中実部２９は、孔部５ｈにおいてカバー５の上面５ａよりも高く形成されるとともに、孔部５ｈの周囲において上面５ａ上の絶縁膜２５上に形成されている。   The solid part 29 is made of, for example, copper. The solid portion 29 is filled in the hole 5 h inside the base layer 27. The solid portion 29 is formed higher than the upper surface 5a of the cover 5 in the hole 5h, and is formed on the insulating film 25 on the upper surface 5a around the hole 5h.

（ＳＡＷ装置の製造方法）
図５〜図７は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図３（図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線）に対応する断面図である。製造工程は、図５（ａ）から図７（ｃ）まで順に進んでいく。 (Method for manufacturing SAW device)
5-7 is sectional drawing corresponding to FIG. 3 (III-III line | wire of FIG. 1) explaining the manufacturing method of the SAW apparatus 1. FIG. The manufacturing process proceeds in order from FIG. 5 (a) to FIG. 7 (c).

以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５〜図７では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導体層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。   The steps described below are realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the mother substrate that becomes the substrate 3 by being divided, and then a large number of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing. . However, in FIGS. 5-7, only the part corresponding to one SAW apparatus 1 is shown in figure. Moreover, although a conductor layer and an insulating layer change a shape with progress of a process, a common code | symbol is used before and behind a change.

図５（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、導体層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により、基板３の第１主面３ａ上に導体層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。これにより、ＳＡＷ素子１１、配線１３及びパッド１４の下層部分を含む導体層１９が形成される。   As shown in FIG. 5A, first, the conductor layer 19 is formed on the first main surface 3 a of the substrate 3. Specifically, first, a metal layer to be the conductor layer 19 is formed on the first main surface 3a of the substrate 3 by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus. Thereby, the conductor layer 19 including the lower layer portion of the SAW element 11, the wiring 13 and the pad 14 is formed.

次に、図５（ｂ）に示すように、保護層２１及び接続強化層２３が形成される。保護層２１及び接続強化層２３は、いずれが先に形成されてもよい。例えば、まず、保護層２１となる薄膜がＣＶＤ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。次に、導体層１９のうち、端子７の配置位置における部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２１が形成される。次に、蒸着法等により導体層１９の露出部分及び保護層２１上に金属層が形成されるとともに、フォトリソグラフィー等により保護層２１上の金属層が除去される。これにより、接続強化層２３が形成される。   Next, as shown in FIG. 5B, the protective layer 21 and the connection reinforcing layer 23 are formed. Either the protective layer 21 or the connection reinforcing layer 23 may be formed first. For example, first, a thin film to be the protective layer 21 is formed by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method. Next, a part of the thin film is removed by photolithography so that a portion of the conductor layer 19 at the position where the terminal 7 is disposed is exposed. Thereby, the protective layer 21 is formed. Next, a metal layer is formed on the exposed portion of the conductor layer 19 and the protective layer 21 by vapor deposition or the like, and the metal layer on the protective layer 21 is removed by photolithography or the like. Thereby, the connection reinforcing layer 23 is formed.

保護層２１及び接続強化層２３が形成されると、図５（ｃ）に示すように、枠部１５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより、又は、保護層２１等と同様の薄膜形成法により形成される。   When the protective layer 21 and the connection reinforcing layer 23 are formed, a thin film that becomes the frame portion 15 is formed as shown in FIG. The thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin, or by a thin film forming method similar to that for the protective layer 21 and the like.

枠部１５となる薄膜が形成されると、図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法により、薄膜の一部が除去され、振動空間Ｓとなる開口及び第１貫通孔１５ｈが形成される。また、ダイシングラインに沿って溝が形成され、枠部１５の側面も形成される。すなわち、薄膜から枠部１５が形成される。なお、フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよい。   When the thin film to be the frame portion 15 is formed, as shown in FIG. 5D, a part of the thin film is removed by photolithography, and the opening to be the vibration space S and the first through hole 15h are formed. The Moreover, a groove is formed along the dicing line, and the side surface of the frame portion 15 is also formed. That is, the frame portion 15 is formed from the thin film. Photolithography may be either a positive type or a negative type.

枠部１５が形成されると、図６（ａ）に示すように、蓋部１７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂により形成されたフィルムが貼り付けられることにより形成される。薄膜を枠部１５に積層することにより、枠部１５の開口は塞がれ、振動空間Ｓが構成される。   When the frame portion 15 is formed, a thin film that becomes the lid portion 17 is formed as shown in FIG. The thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin. By laminating the thin film on the frame portion 15, the opening of the frame portion 15 is closed and the vibration space S is configured.

蓋部１７となる薄膜が形成されると、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法により、薄膜の一部が除去され、第２貫通孔１７ｈが形成される。また、ダイシングラインに沿って溝が形成され、蓋部１７の側面も形成される。すなわち、薄膜から蓋部１７が形成される。なお、フォトリソグラフィーは、ポジ型及びネガ型のいずれでもよい。   When the thin film that will become the lid portion 17 is formed, as shown in FIG. 6B, a part of the thin film is removed by photolithography to form the second through-hole 17h. Further, a groove is formed along the dicing line, and a side surface of the lid portion 17 is also formed. That is, the lid portion 17 is formed from the thin film. Photolithography may be either a positive type or a negative type.

蓋部１７が形成されると、図６（ｃ）に示すように、絶縁膜２５となる薄膜、及び、当該薄膜に積層されたレジスト層２６が形成される。   When the lid portion 17 is formed, as shown in FIG. 6C, a thin film that becomes the insulating film 25 and a resist layer 26 laminated on the thin film are formed.

絶縁膜２５となる薄膜は、基板３の第１主面３ａ側の全面に亘って形成される。具体的には、薄膜は、カバー５の上面５ａ、側面５ｂ及び孔部５ｈの内部に亘って形成される。薄膜は、例えば、スピンコーティング法やスプレー法等の液相成長法により形成される。換言すれば、薄膜は、液状の絶縁材料をカバー５等に付着させることにより形成される。液状の絶縁材料の付着により薄膜を形成することから、絶縁材料の流動性及び粘性に起因して、薄膜は、図４を参照して説明したように、孔部５ｈにおける角部をなだらかにするような形状に形成される。なお、角部をなだらかにするためには、スピンコーティング法が好ましい。   The thin film that becomes the insulating film 25 is formed over the entire surface of the substrate 3 on the first main surface 3a side. Specifically, the thin film is formed over the upper surface 5a, the side surface 5b, and the hole 5h of the cover 5. The thin film is formed, for example, by a liquid phase growth method such as a spin coating method or a spray method. In other words, the thin film is formed by attaching a liquid insulating material to the cover 5 or the like. Since the thin film is formed by adhesion of the liquid insulating material, due to the fluidity and viscosity of the insulating material, the thin film smoothes the corners in the hole 5h as described with reference to FIG. It is formed in such a shape. In order to smooth the corners, spin coating is preferable.

レジスト層２６は、ＲＩＥにより薄膜の一部を除去するためのものである。レジスト層２６は、フォトリソグラフィー法により、パッド１４上に開口が形成されている。   The resist layer 26 is for removing a part of the thin film by RIE. The resist layer 26 has an opening formed on the pad 14 by photolithography.

その後、図７（ａ）に示すように、ＲＩＥにより薄膜の一部が除去されることにより、パッド１４が露出する。すなわち、絶縁膜２５が形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 7A, a part of the thin film is removed by RIE, so that the pad 14 is exposed. That is, the insulating film 25 is formed.

絶縁膜２５が形成されると、図７（ｂ）に示すように、下地層２７となる金属層、及び、当該金属層に積層されたレジスト層２８が形成される。   When the insulating film 25 is formed, as shown in FIG. 7B, a metal layer that becomes the base layer 27 and a resist layer 28 laminated on the metal layer are formed.

下地層２７となる金属層は、基板３の第１主面３ａ側の全面に亘って形成される。具体的には、金属層は、カバー５の上面５ａ及び孔部５ｈの内部に亘って形成される。下地層２７は、例えば、スパッタ法で形成するのが好適な一例である。   The metal layer serving as the foundation layer 27 is formed over the entire surface of the substrate 3 on the first main surface 3a side. Specifically, the metal layer is formed over the upper surface 5a of the cover 5 and the inside of the hole 5h. For example, the underlayer 27 is preferably formed by sputtering.

レジスト層２８は、例えば、スピンコーティング法等の手法で基板に薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。パターニングにより薄膜の一部が除去されることにより、下地層２７は、孔部５ｈ及びその周囲部分において露出する。   The resist layer 28 is formed, for example, by forming a thin film on a substrate by a technique such as a spin coating method and patterning the thin film by photolithography. By removing a part of the thin film by patterning, the base layer 27 is exposed at the hole 5h and the surrounding portion.

レジスト層２８が形成されると、図７（ｃ）に示すように、電気めっき法により下地層２７の露出部分に金属を析出させる。これにより、中実部２９が形成される。その後、下地層２７のレジスト層２８に被覆されていた部分及びレジスト層２８を除去する。これにより、図３に示すように、端子７が形成される。   When the resist layer 28 is formed, a metal is deposited on the exposed portion of the base layer 27 by electroplating as shown in FIG. Thereby, the solid part 29 is formed. Thereafter, the portion of the base layer 27 covered with the resist layer 28 and the resist layer 28 are removed. Thereby, the terminal 7 is formed as shown in FIG.

中実部２９を形成する電気めっき法においては、下地層２７に電圧が印加されることにより、金属が析出される。従って、下地層２７は、孔部５ｈの内壁等に対して隙間なく成膜されること（断線が生じないこと）が好ましい。   In the electroplating method for forming the solid portion 29, a metal is deposited by applying a voltage to the underlayer 27. Therefore, it is preferable that the underlayer 27 is formed without a gap with respect to the inner wall or the like of the hole 5h (no disconnection occurs).

ここで、第２貫通孔１７ｈが第１貫通孔１５ｈと同一の径である場合、第２貫通孔１７ｈを形成するときに位置ずれが発生すると、カバー５の上方から見て、第１貫通孔１５ｈの一部が蓋部１７（第２貫通孔１７ｈの周囲部分）により覆われることになる。すなわち、スパッタ法などにより第２貫通孔１７ｈを介して第１貫通孔１５ｈ内に下地層２７を形成することが困難になる部分が生じる。   Here, when the second through-hole 17h has the same diameter as the first through-hole 15h, when the second through-hole 17h is displaced, the first through-hole is viewed from above the cover 5 when a displacement occurs. A part of 15h is covered with the lid part 17 (a peripheral part of the second through hole 17h). That is, there is a portion where it becomes difficult to form the base layer 27 in the first through hole 15h through the second through hole 17h by sputtering or the like.

そこで、実施形態では、生じ得る位置ずれの大きさよりも大きい差で、第２貫通孔１７ｈを第１貫通孔１５ｈよりも径を大きくしている。その結果、第１貫通孔１５ｈと第２貫通孔１７ｈとの間には、段差部５ｋが形成されている。   Therefore, in the embodiment, the diameter of the second through hole 17h is made larger than that of the first through hole 15h with a difference larger than the size of the positional deviation that can occur. As a result, a step portion 5k is formed between the first through hole 15h and the second through hole 17h.

しかし、段差部５ｋにおいては、角部において下地層２７を成膜することが難しい。しかし、絶縁膜２５によって段差部５ｋの角部がなだらかにされることにより、下地層２７の成膜を行い易くなる。   However, in the step portion 5k, it is difficult to form the base layer 27 at the corner portion. However, since the corners of the stepped portion 5k are smoothed by the insulating film 25, the base layer 27 can be easily formed.

以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、ＳＡＷ素子１１上に振動空間Ｓを形成しつつＳＡＷ素子１１を覆って封止するカバー５とを有する。さらに、ＳＡＷ装置１は、カバー５を振動空間Ｓの外側において第１主面３ａの面する方向へ貫通する孔部５ｈに充填され、ＳＡＷ素子１１に接続された端子７と、端子７の側面と孔部５ｈの内壁との間に介在する絶縁膜２５とを有する。   According to the above embodiment, the SAW device 1 includes the substrate 3, the SAW element 11 provided on the first main surface 3 a of the substrate 3, and the SAW element 11 while forming the vibration space S on the SAW element 11. And a cover 5 for covering and sealing. Furthermore, the SAW device 1 is filled in a hole 5h that passes through the cover 5 in the direction of the first main surface 3a outside the vibration space S, and is connected to the SAW element 11 and the side surface of the terminal 7. And an insulating film 25 interposed between the inner wall of the hole 5h.

従って、絶縁膜２５の材料、厚さ及び成膜範囲を適宜に設定することにより、種々の構造的機能の向上を図ることができる。具体的には、以下のとおりである。   Therefore, various structural functions can be improved by appropriately setting the material, thickness, and film forming range of the insulating film 25. Specifically, it is as follows.

絶縁膜２５は、カバー５の材料よりも遮水性の高い材料により形成され、孔部５ｈ内において第１主面３ａ上の保護層２１と接している。従って、孔部５ｈから浸入した水分がカバー５と保護層２１との間から振動空間Ｓ内に浸入することが抑制される。   The insulating film 25 is formed of a material having a higher water barrier than the material of the cover 5 and is in contact with the protective layer 21 on the first main surface 3a in the hole 5h. Accordingly, it is possible to suppress the moisture that has entered from the hole 5 h from entering the vibration space S from between the cover 5 and the protective layer 21.

なお、当該効果を得る観点からは、絶縁膜２５が孔部５ｈの全周に亘って保護層２１と密着することが好ましい。また、絶縁膜２５と保護層２１との材料が同一であり、絶縁膜２５と保護層２１との接着強度が高いことが好ましい。さらに、絶縁膜２５が孔部５ｈの内壁の比較的広い範囲に成膜されている場合には、孔部５ｈに浸入した水分がカバー５に浸透することにより、水分が振動空間Ｓに浸入することも抑制される。比較的広い範囲は、例えば、孔部５ｈの基板３側の端部から振動空間Ｓの上面の高さまでの範囲、第１貫通孔１５ｈの内壁全体又は孔部５ｈの内壁全体である。   From the viewpoint of obtaining the effect, it is preferable that the insulating film 25 is in close contact with the protective layer 21 over the entire circumference of the hole 5h. Moreover, it is preferable that the material of the insulating film 25 and the protective layer 21 is the same, and the adhesive strength between the insulating film 25 and the protective layer 21 is high. Further, when the insulating film 25 is formed in a relatively wide range of the inner wall of the hole 5h, the moisture that has entered the hole 5h permeates the cover 5 so that the moisture enters the vibration space S. This is also suppressed. The relatively wide range is, for example, the range from the end of the hole 5h on the substrate 3 side to the height of the upper surface of the vibration space S, the entire inner wall of the first through hole 15h, or the entire inner wall of the hole 5h.

絶縁膜２５は、孔部５ｈの内壁からカバーの上面５ａへ延在し、カバーの上面５ａを覆っている。従って、絶縁膜２５は、孔部５ｈの上面５ａ側の縁部を覆い、水分が絶縁膜２５と孔部５ｈの内壁との間に浸入することを抑制する。その結果、孔部５ｈの内壁に成膜された絶縁膜２５の遮水機能がより確実に発揮される。   The insulating film 25 extends from the inner wall of the hole 5h to the upper surface 5a of the cover and covers the upper surface 5a of the cover. Therefore, the insulating film 25 covers the edge of the hole 5h on the upper surface 5a side, and prevents moisture from entering between the insulating film 25 and the inner wall of the hole 5h. As a result, the water shielding function of the insulating film 25 formed on the inner wall of the hole 5h is more reliably exhibited.

なお、当該効果を得る観点からは、絶縁膜２５は、孔部５ｈの全周に亘って、孔部５ｈの内壁からカバーの上面５ａへ延在していることが好ましい。さらに、絶縁膜２５がカバー５の上面５ａの比較的広い範囲（例えば上面５ａ全体）に形成されている場合には、水分が上面５ａからカバー５に浸透することにより、水分が振動空間Ｓに侵入することも抑制される。   From the viewpoint of obtaining the effect, the insulating film 25 preferably extends from the inner wall of the hole 5h to the upper surface 5a of the cover over the entire circumference of the hole 5h. Furthermore, when the insulating film 25 is formed in a relatively wide range of the upper surface 5a of the cover 5 (for example, the entire upper surface 5a), moisture penetrates into the cover 5 from the upper surface 5a, so that moisture enters the vibration space S. Intrusion is also suppressed.

絶縁膜２５は、カバー５の上面５ａからカバー５の側面５ｂへ延在し、カバーの側面５ｂを覆っている。従って、水分がカバー５の上面５ａと絶縁膜２５との間に浸入することが抑制され、ひいては、孔部５ｈの内壁に成膜された絶縁膜２５の遮水機能がより確実に発揮される。このような効果は、実施形態のように、端子７がカバー５の上面５ａの外周側に配置されたり、複数の端子７が上面５ａの外周に沿って配置されたりしており、上面５ａにおいて孔部５ｈの周囲に広く絶縁膜２５を形成することが難しい場合に有効である。   The insulating film 25 extends from the upper surface 5a of the cover 5 to the side surface 5b of the cover 5 and covers the side surface 5b of the cover. Therefore, it is possible to prevent moisture from entering between the upper surface 5a of the cover 5 and the insulating film 25, and as a result, the water shielding function of the insulating film 25 formed on the inner wall of the hole 5h is more reliably exhibited. . Such an effect is that, as in the embodiment, the terminal 7 is disposed on the outer peripheral side of the upper surface 5a of the cover 5, or the plurality of terminals 7 are disposed along the outer periphery of the upper surface 5a. This is effective when it is difficult to form the insulating film 25 widely around the hole 5h.

なお、当該効果を得る観点からは、絶縁膜２５は、カバー５の上面５ａの全周に亘って、上面５ａから側面５ｂへ延在していることが好ましい。さらに、絶縁膜２５がカバー５の側面５ｂの比較的広い範囲（例えば側面５ｂ全体）に形成されている場合には、水分が側面５ｂからカバー５に浸透することにより、水分が振動空間Ｓに侵入することも抑制される。また、側面５ｂにおいて絶縁膜２５と保護層２１とが接している場合には、カバー５と保護層２１との間から水分が浸入することも抑制される。当該効果を得る観点からは、絶縁膜２５は、カバー５の全周に亘って保護層２１と密着することが好ましい。また、絶縁膜２５と保護層２１との材料が同一であり、絶縁膜２５と保護層２１との密着性が高いことが好ましい。   From the viewpoint of obtaining the effect, it is preferable that the insulating film 25 extends from the upper surface 5a to the side surface 5b over the entire circumference of the upper surface 5a of the cover 5. Further, when the insulating film 25 is formed in a relatively wide range of the side surface 5b of the cover 5 (for example, the entire side surface 5b), moisture penetrates into the cover 5 from the side surface 5b, so that moisture enters the vibration space S. Intrusion is also suppressed. In addition, when the insulating film 25 and the protective layer 21 are in contact with each other on the side surface 5b, the intrusion of moisture from between the cover 5 and the protective layer 21 is also suppressed. From the viewpoint of obtaining the effect, the insulating film 25 is preferably in close contact with the protective layer 21 over the entire circumference of the cover 5. The insulating film 25 and the protective layer 21 are preferably made of the same material, and the insulating film 25 and the protective layer 21 preferably have high adhesion.

また、ＳＡＷ装置１の製造方法は、基板３の第１主面３ａにＳＡＷ素子１１を設ける工程（図５（ａ））と、ＳＡＷ素子１１上に振動空間Ｓを形成しつつＳＡＷ素子１１を覆って封止しており、振動空間Ｓの外側において第１主面３ａの面する方向へ貫通する孔部５ｈが形成されたカバー５を形成する工程（図５（ｃ）〜図６（ｂ））とを有する。さらに、当該製造方法は、液状の絶縁材料を孔部５ｈの内壁に付着させて絶縁膜２５を成膜する工程（図６（ｃ）〜図７（ａ））と、無電解めっき法により、孔部５ｈの内壁に対して絶縁膜２５上に下地層２７を成膜する工程（図７（ｂ））と、電気めっき法により、下地層２７上に金属を析出させ、孔部５ｈに充填された中実部２９を形成する工程（図７（ｃ））とを有する。   In addition, the method for manufacturing the SAW device 1 includes the step of providing the SAW element 11 on the first main surface 3 a of the substrate 3 (FIG. 5A), and the SAW element 11 while forming the vibration space S on the SAW element 11. A process of forming a cover 5 that is covered and sealed and has a hole 5h that penetrates in the direction of the first main surface 3a on the outside of the vibration space S (FIGS. 5C to 6B). )). Further, in the manufacturing method, a liquid insulating material is attached to the inner wall of the hole 5h to form the insulating film 25 (FIGS. 6C to 7A) and an electroless plating method. Forming a base layer 27 on the insulating film 25 on the inner wall of the hole 5h (FIG. 7B) and depositing metal on the base layer 27 by electroplating to fill the hole 5h Forming the solid portion 29 (FIG. 7C).

従って、上述したように、液状の絶縁材料の流動性及び粘性を利用して、孔部５ｈの凹凸をなだらかにし、下地層２７の形成容易性を向上させることができる。   Therefore, as described above, by using the fluidity and viscosity of the liquid insulating material, the unevenness of the hole 5h can be smoothed, and the ease of forming the foundation layer 27 can be improved.

なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１１は本発明の弾性波素子の一例である。   In the above embodiment, the SAW device 1 is an example of the acoustic wave device of the present invention, and the SAW element 11 is an example of the acoustic wave device of the present invention.

図８は、本発明の変形性に係る孔部１０５ｈ及び端子１０７を示す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing the hole 105h and the terminal 107 according to the deformability of the present invention.

孔部１０５ｈを構成する第１貫通孔１１５ｈ及び第２貫通孔１１７ｈは、それぞれ、基板３側が拡径するテーパ状に形成されている。また、第１貫通孔１１５ｈの第２貫通孔１１７ｈ側の径は、第２貫通孔１１７ｈの第１貫通孔１１５ｈ側の径よりも小さく、第１貫通孔１１５ｈと第２貫通孔１１７ｈとの間には段差部が形成されている。   The first through-hole 115h and the second through-hole 117h constituting the hole portion 105h are each formed in a tapered shape whose diameter increases on the substrate 3 side. The diameter of the first through hole 115h on the second through hole 117h side is smaller than the diameter of the second through hole 117h on the first through hole 115h side, and is between the first through hole 115h and the second through hole 117h. A step portion is formed in the.

このような孔部１０５ｈは、例えば、カバー１０５を構成する枠部１１５及び蓋部１１７がネガ型の感光性樹脂により形成されることにより実現される。具体的には、第１貫通孔１１５ｈを例にとると、以下のとおりである。   Such a hole portion 105h is realized, for example, by forming the frame portion 115 and the lid portion 117 constituting the cover 105 with a negative photosensitive resin. Specifically, taking the first through hole 115h as an example, it is as follows.

ネガ型の感光性樹脂を用いた枠部１１５においては、現像後に感光性樹脂が残るべき領域に光が照射される。第１貫通孔１１５ｈの周囲部分に対して照射された光は、第１貫通孔１１５ｈの配置位置へ一部が発散されてしまうことから、枠部１１５の深くまで（基板３側まで）光が十分に到達しない。従って、第１貫通孔１１５ｈの周囲部分は、基板３側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第１貫通孔１１５ｈは、第１主面３ａ側ほど拡径するテーパ状に形成される。   In the frame portion 115 using a negative photosensitive resin, light is irradiated to an area where the photosensitive resin should remain after development. A part of the light emitted to the peripheral portion of the first through hole 115h is diverged to the position where the first through hole 115h is arranged, so that the light is deeply into the frame 115 (up to the substrate 3 side). Not enough. Therefore, the peripheral portion of the first through hole 115h is removed without the substrate 3 being sufficiently cured. As a result, the first through hole 115h is formed in a taper shape whose diameter increases toward the first main surface 3a side.

第１貫通孔１１５ｈ及び第２貫通孔１１７ｈは、基板３とは反対側が基板３側よりも縮径していることから、その内壁が基板３側を向いている。従って、スパッタ法等により、基板３とは反対側から、これらの孔の内壁に金属層を形成することが難しい。   Since the first through hole 115h and the second through hole 117h have a diameter smaller on the opposite side to the substrate 3 than on the substrate 3, the inner wall faces the substrate 3 side. Therefore, it is difficult to form a metal layer on the inner walls of these holes from the side opposite to the substrate 3 by sputtering or the like.

一方、絶縁膜１２５は、実施形態と同様に、スピンコーティング等の液相成長法により成膜される。そして、液状材料の流動性及び粘性に起因して、絶縁膜１２５は、第１貫通孔１１５ｈ及び第２貫通孔１１７ｈにおいて、基板３とは反対側よりも基板３側が厚く形成されている。   On the other hand, the insulating film 125 is formed by a liquid phase growth method such as spin coating as in the embodiment. Due to the fluidity and viscosity of the liquid material, the insulating film 125 is formed such that the substrate 3 side is thicker than the opposite side of the substrate 3 in the first through hole 115h and the second through hole 117h.

従って、第１貫通孔１１５ｈ及び第２貫通孔１１７ｈの傾斜が緩和され、金属層（下地層１２７）を形成することが容易化され、ひいては、中実部１２９を形成することが容易化される。なお、第１貫通孔１１５ｈ及び第２貫通孔１１７ｈの間の角部は、実施形態と同様に、絶縁膜１２５によりなだらかにされている。   Therefore, the inclinations of the first through hole 115h and the second through hole 117h are alleviated, and it is easy to form the metal layer (underlayer 127). As a result, it is easy to form the solid portion 129. . The corner between the first through hole 115h and the second through hole 117h is gently smoothed by the insulating film 125, as in the embodiment.

なお、以上の変形例において、第１貫通孔１１５ｈ全体又は第２貫通孔１１７ｈ全体は、本発明の孔部の貫通方向の所定範囲の一例である。   In the above modification, the entire first through hole 115h or the entire second through hole 117h is an example of a predetermined range in the through direction of the hole of the present invention.

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiments and modifications, and may be implemented in various aspects.

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層（２１）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。例えば、立体配線が必要な場合には、導体層１９の一部に積層される絶縁層と、当該絶縁層を介して導体層１９の一部に積層される他の導体層とが設けられてもよい。なお、保護層が省略された場合には、絶縁膜は、基板の主面に密着してもよい。   The elastic wave device is not limited to the SAW device. For example, the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator. In the acoustic wave device, the protective layer (21) may be omitted, or conversely, another appropriate layer may be formed. For example, when three-dimensional wiring is required, an insulating layer laminated on a part of the conductor layer 19 and another conductor layer laminated on a part of the conductor layer 19 via the insulating layer are provided. Also good. Note that when the protective layer is omitted, the insulating film may be in close contact with the main surface of the substrate.

絶縁膜は、防水性の向上や下地層の形成容易性向上を目的としたものに限定されない。換言すれば、絶縁膜は、カバーの材料よりも遮水性の高い材料により形成されるものや、液相成長法により成膜されるものに限定されない。例えば、絶縁膜は、カバーと端子との接着強度を向上させ、端子のカバーからの抜けを抑制することを目的としたものであってもよい。   The insulating film is not limited to those for the purpose of improving the waterproof property and improving the ease of forming the underlayer. In other words, the insulating film is not limited to a film formed by a material having a higher water barrier property than the material of the cover or a film formed by a liquid phase growth method. For example, the insulating film may be intended to improve the adhesive strength between the cover and the terminal and to prevent the terminal from coming off from the cover.

絶縁膜は、１層から構成されるものに限定されず、２層から構成されてもよい。例えば、遮水性の高い層と、端子とカバーとの熱膨張差による熱応力を緩和可能な弾性率を有する層とにより構成されてもよい。   The insulating film is not limited to one composed of one layer, and may be composed of two layers. For example, you may be comprised by the layer which has high elasticity, and the layer which has an elasticity modulus which can relieve | moderate the thermal stress by the thermal expansion difference of a terminal and a cover.

弾性波装置の製造方法は、枠部と蓋部とを順次形成するものに限定されない。例えば、振動空間Ｓとなる領域に犠牲層を形成し、犠牲層上に枠部及び蓋部となる樹脂を積層し、その後、枠部又は蓋部に形成された孔部を介して犠牲層を排除してもよい。   The method of manufacturing the acoustic wave device is not limited to the method of sequentially forming the frame portion and the lid portion. For example, a sacrificial layer is formed in a region that becomes the vibration space S, a resin that becomes a frame portion and a lid portion is laminated on the sacrificial layer, and then the sacrificial layer is formed through a hole formed in the frame portion or the lid portion. May be eliminated.

１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、７…端子、１１…弾性表面波素子（弾性波素子）、２５…絶縁膜。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface acoustic wave apparatus (elastic wave apparatus), 3 ... Board | substrate, 3a ... 1st main surface (main surface), 5 ... Cover, 7 ... Terminal, 11 ... Surface acoustic wave element (elastic wave element), 25 ... Insulation film.

Claims (9)

基板と、
前記基板の主面に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子上に空間を形成しつつ前記弾性波素子を覆って封止するとともに、前記空間の外側において前記主面の面する方向へ貫通する孔部を有するカバーと、
前記孔部に充填され、前記弾性波素子に接続された端子と、
前記端子の側面と前記孔部の内壁との間に介在する絶縁膜と、
を有する弾性波装置。 A substrate,
An acoustic wave element provided on a main surface of the substrate;
Covering and sealing the acoustic wave element while forming a space on the acoustic wave element, and a cover having a hole penetrating in a direction facing the main surface outside the space;
A terminal filled in the hole and connected to the acoustic wave element;
An insulating film interposed between the side surface of the terminal and the inner wall of the hole;
An elastic wave device. 前記絶縁膜は、少なくとも前記孔部の基板側の端部から前記空間の上面の高さまで成膜されている
請求項１に記載の弾性波装置。 The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating film is formed from at least an end portion of the hole portion on the substrate side to a height of an upper surface of the space. 前記絶縁膜は、前記カバーの材料よりも遮水性の高い材料により形成され、前記孔部内において前記主面又は前記主面に積層された層と接している
請求項１又は２に記載の弾性波装置。 The elastic wave according to claim 1, wherein the insulating film is formed of a material having a higher water barrier property than the material of the cover, and is in contact with the main surface or a layer laminated on the main surface in the hole. apparatus. 前記絶縁膜は、前記孔部の内壁から前記カバーの上面へ延在し、前記カバーの上面を覆っている
請求項３に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 3, wherein the insulating film extends from an inner wall of the hole portion to an upper surface of the cover and covers the upper surface of the cover. 前記絶縁膜は、前記カバーの上面から前記カバーの側面へ延在し、前記カバーの側面を覆っている
請求項４に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 4, wherein the insulating film extends from an upper surface of the cover to a side surface of the cover and covers the side surface of the cover. 前記絶縁膜の材料はＳｉＯ２である
請求項３〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 3, wherein a material of the insulating film is SiO 2 . 前記端子は、
前記孔部の内壁に対して前記絶縁膜上に成膜された下地層と、
前記下地層の内側において前記孔部内に充填された中実部と、
を有し、
前記孔部の内壁には、前記孔部が前記基板側において前記基板とは反対側よりも縮径する段差部が形成されており、
前記絶縁膜は、前記段差部の角部を覆い、その覆う部分において、前記下地層が成膜される表面が、前記角部よりもなだらかに形成されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The terminal is
An underlayer formed on the insulating film with respect to the inner wall of the hole,
A solid portion filled in the hole inside the underlayer;
Have
On the inner wall of the hole portion, a step portion is formed in which the diameter of the hole portion is smaller than that on the side opposite to the substrate on the substrate side,
The said insulating film covers the corner | angular part of the said level | step-difference part, and the surface in which the said base layer is formed in the part which covers is formed more gently than the said corner | angular part. The elastic wave device according to item. 前記端子は、
前記絶縁膜を介して前記孔部の内壁に対して成膜された下地層と、
前記下地層の内側において前記孔部内に充填された中実部と、
を有し、
前記孔部は、貫通方向の所定範囲において前記基板側が前記基板とは反対側よりも拡径し、
前記絶縁膜は、前記所定範囲において前記基板側が前記基板とは反対側よりも厚く形成されている
請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。 The terminal is
An underlayer formed on the inner wall of the hole through the insulating film;
A solid portion filled in the hole inside the underlayer;
Have
The hole has a larger diameter on the substrate side than the opposite side of the substrate in a predetermined range in the penetrating direction,
The acoustic wave device according to claim 1, wherein the insulating film is formed so that the substrate side is thicker than the side opposite to the substrate in the predetermined range. 基板の主面に弾性波素子を設ける工程と、
前記弾性波素子上に空間を形成しつつ前記弾性波素子を覆って封止しており、前記空間の外側において前記主面の面する方向へ貫通する孔部が形成されたカバーを形成する工程と、
液状の絶縁材料を前記孔部の内壁に付着させて絶縁膜を成膜する工程と、
無電解めっき法により、前記孔部の内壁に対して前記絶縁膜上に下地層を成膜する工程と、
電気めっき法により、前記下地層上に金属を析出させ、前記孔部に充填された中実部を形成する工程と、
を有する弾性波装置の製造方法。 Providing an acoustic wave element on the principal surface of the substrate;
Forming a cover that covers and seals the acoustic wave element while forming a space on the acoustic wave element, and that has a hole formed in a direction facing the main surface outside the space; When,
Depositing an insulating film by attaching a liquid insulating material to the inner wall of the hole; and
Forming an underlayer on the insulating film with respect to the inner wall of the hole by an electroless plating method;
Depositing a metal on the underlayer by electroplating and forming a solid portion filled in the hole; and
The manufacturing method of the elastic wave apparatus which has.
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