JP2011077341A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】六方晶系窒化物半導体からなる基板5と、基板5の主面に含まれる第1の領域上に設けられた半導体部2bと、基板5の主面に含まれており第1の領域に隣接する第2の領域上に設けられた半導体部4bとを備え、半導体部2bは、InGaNからなる井戸層を含む発光層を有し、半導体部4bは、InGaNからなる井戸層を含んでおり半導体部2bの発光層の発光波長と異なる発光波長の発光層を有し、基板5のうち第1の領域上の第1の部分のc軸方向と基板5の主面の法線方向との成す第1の角度と、基板5のうち第2の領域上の第2の部分のc軸方向とこの法線方向との成す第2の角度とは異なっている。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- 六方晶系窒化物半導体からなる基板と、
前記基板の主面に含まれる第1の領域上に設けられた第1の窒化物半導体部と、
前記主面に含まれる第2の領域上に設けられた第2の窒化物半導体部と
を備え、
前記第1の窒化物半導体部は、InGaNからなる第1の井戸層を含む第1の発光層を有し、
前記第2の窒化物半導体部は、InGaNからなる第2の井戸層を含んでおり前記第1の発光層の発光波長と異なる発光波長の第2の発光層を有し、
前記基板のうち前記第1の領域上の第1の部分のc軸方向と前記主面の法線方向との成す第1の角度と、前記基板のうち前記第2の領域上の第2の部分のc軸方向と前記法線方向との成す第2の角度とは異なっている、
ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記第1の角度と前記第2の角度との差は5度以上である、ことを特徴とする請求項1に記載に窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の井戸層のIn組成は、前記第2の井戸層のIn組成と異なる、ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の窒化物半導体部は、InGaNからなる第1の光ガイド層を有し、
前記第2の窒化物半導体部は、InGaNからなる第2の光ガイド層を有し、
前記第1の光ガイド層のIn組成は、前記第2の光ガイド層のIn組成と異なる、ことを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記第1の井戸層の発光波長は、430nm以上480nm以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2の井戸層の発光波長は、500nm以上550nm以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項1〜請求項5の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2の角度は、63度以上80度以下の範囲内又は100度以上117度以下の範囲内にある、ことを特徴とする請求項1〜請求項6の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の窒化物半導体部及び前記第2の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第1の部分のc軸方向は前記第1の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交し、前記第2の部分のc軸方向は前記第2の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交している、ことを特徴とする請求項1〜請求項7の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の窒化物半導体部及び前記第2の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第1の部分のc軸方向は前記第1の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行し、前記第2の部分のc軸方向は前記第2の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行している、ことを特徴とする請求項1〜請求項7の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の窒化物半導体部及び前記第2の窒化物半導体部は光を導波するための導波路を有し、前記第1の部分のc軸方向は前記第1の窒化物半導体部の導波路の延びている方向に直交し、前記第2の部分のc軸方向は前記第2の窒化物半導体部の導波路の延びている方向と前記主面の法線方向とによってなる平面に平行している、ことを特徴とする請求項1〜請求項7の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
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