JP2011075609A - Radiation sensitive resin composition and laminated body - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide radiation sensitive resin composition, giving a resin film having excellent contactness to various kinds of materials, high heat resistance, ITO electrode processability, and excellent pattern processability. <P>SOLUTION: This radiation sensitive resin composition includes: (A) cyclic olefin polymer having protic polar group; (B) a cross linking agent; (C) a radiation sensitive compound; (D) a thiol compound expressed by the following general formula (1); and (E) a compound containing carboxyl group. In the general formula (1), X<SP>1</SP>-X<SP>3</SP>are respectively independently -SH, -SR, -NR'R" or -SM(R, R' and R" are respectively independently 1-5C straight chain or branch alkyl group, and M is alkali metal), and at least one of these is -SH. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、感放射線性樹脂組成物、及び積層体に係り、さらに詳しくは、種々の材料に対する密着性に優れ、ITO電極加工性(樹脂膜を貫通した状態、あるいは樹脂膜の表面にITO電極を形成した際における加工性)、パターン加工性及び耐熱性に優れた樹脂膜を与える感放射線性樹脂組成物、及び該感放射線性樹脂組成物から形成される樹脂膜を有する積層体に関する。   The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition and a laminate, and more particularly, has excellent adhesion to various materials, and ITO electrode processability (in a state where the resin film is penetrated or on the surface of the resin film, an ITO electrode) The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition that gives a resin film excellent in pattern processability and heat resistance, and a laminate having a resin film formed from the radiation-sensitive resin composition.

有機EL素子や液晶表示素子などの各種表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、カラーフィルター、ブラックマトリックス等の電子部品には、その劣化や損傷を防止するための保護膜、素子表面や配線を平坦化するための平坦化膜、電気絶縁性を保つための電気絶縁膜等として種々の樹脂膜が設けられている。また、有機EL素子には、発光体部を分離するために画素分離膜としての樹脂膜が設けられており、さらに、薄膜トランジスタ型液晶用の表示素子や集積回路素子等の素子には、層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜としての樹脂膜が設けられている。   Various display elements such as organic EL elements and liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state imaging elements, color filters, black matrices, and other electronic parts are provided with protective films, element surfaces and wiring to prevent their deterioration and damage. Various resin films are provided as a planarization film for planarization, an electrical insulation film for maintaining electrical insulation, and the like. In addition, the organic EL element is provided with a resin film as a pixel separation film in order to separate the light-emitting body portion. Further, in an element such as a display element for thin film transistor type liquid crystal or an integrated circuit element, the organic EL element is layered. A resin film as an interlayer insulating film is provided to insulate between the arranged wirings.

従来、これらの樹脂膜を形成するための樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材料が汎用されていた。近年においては、配線やデバイスの高密度化に伴い、これらの樹脂材料にも、微細なパターニングが可能であり、低誘電性等の電気特性に優れた新しい感放射線性樹脂材料の開発が求められている。   Conventionally, thermosetting resin materials such as epoxy resins have been widely used as resin materials for forming these resin films. In recent years, with the increase in the density of wiring and devices, the development of new radiation-sensitive resin materials that are capable of fine patterning on these resin materials and have excellent electrical properties such as low dielectric properties is required. ing.

これらの要求に対応するため、感放射線性樹脂材料として、アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂が検討されている。例えば、特許文献1には、カルボン酸エステルを置換基内に有する、N−置換環状イミド構造含有環状オレフィンの付加重合体、開環重合体及びその水素添加物が開示されている。この重合体及びその水素添加物は、耐熱性、極性溶剤への溶解性及び無機基板への密着性に優れることが開示されている。   In order to meet these requirements, alkali-soluble cyclic polyolefin resins have been studied as radiation-sensitive resin materials. For example, Patent Document 1 discloses an addition polymer of a N-substituted cyclic imide structure-containing cyclic olefin, a ring-opening polymer, and a hydrogenated product thereof having a carboxylic acid ester in the substituent. It is disclosed that this polymer and its hydrogenated product are excellent in heat resistance, solubility in polar solvents, and adhesion to inorganic substrates.

しかしながら、特許文献1においては、該文献に開示されたN−置換環状イミド構造含有環状オレフィンの付加重合体、開環重合体及びその水素添加物を、感放射線性樹脂材料として用い、上述した各種電子部品を構成するための樹脂膜を形成させるための具体的な配合について開示されておらず、そのため、このような電子部品用の樹脂膜に求められる特性、たとえば、複数の材料に対する密着性、ITO電極加工性及びパターン加工性などの加工特性などの特性を満足できない場合があった。   However, in Patent Document 1, an N-substituted cyclic imide structure-containing cyclic olefin addition polymer, a ring-opening polymer, and a hydrogenated product thereof disclosed in the document are used as radiation-sensitive resin materials, and the above-described various types. There is no disclosure about a specific formulation for forming a resin film for constituting an electronic component, and therefore characteristics required for such a resin film for an electronic component, for example, adhesion to a plurality of materials, In some cases, characteristics such as ITO electrode processability and pattern processability cannot be satisfied.

特開2008−222935号公報JP 2008-222935 A

本発明は、種々の材料に対する密着性に優れ、高い耐熱性を有し、ITO電極加工性(樹脂膜を貫通した状態、あるいは樹脂膜の表面にITO電極を形成した際における加工性)及びパターン加工性に優れた樹脂膜を与える感放射線性樹脂組成物、並びに、該感放射線性樹脂組成物から形成される樹脂膜を有する積層体を提供することを目的とする。   The present invention is excellent in adhesion to various materials, has high heat resistance, ITO electrode processability (processability when the ITO electrode is formed on the surface of the resin film) It aims at providing the radiation sensitive resin composition which gives the resin film excellent in workability, and the laminated body which has a resin film formed from this radiation sensitive resin composition.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、プロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体、架橋剤、及び感放射線化合物を含有する樹脂組成物に、特定のチオール化合物、及びカルボキシル基含有化合物を添加することにより、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that a specific thiol compound, a resin composition containing a cyclic olefin polymer having a protic polar group, a crosslinking agent, and a radiation sensitive compound, And it discovered that the said subject could be solved by adding a carboxyl group-containing compound, and came to complete this invention.

すなわち、本発明によれば、プロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A)、架橋剤(B)、感放射線化合物(C)、及び下記一般式(1)で表されるチオール化合物(D)、及びカルボキシル基含有化合物(E)を含む感放射線性樹脂組成物が提供される。

Figure 2011075609
(式(1)中、X〜Xは、それぞれ独立して−SH、−SR、−NR’R’’又は−SM(R、R’及びR’’は、それぞれ独立して炭素数1〜5の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Mはアルカリ金属である。)であり、これらのうち少なくとも1つは−SHである。) That is, according to the present invention, a cyclic olefin polymer (A) having a protic polar group, a crosslinking agent (B), a radiation sensitive compound (C), and a thiol compound represented by the following general formula (1) ( D) and a radiation sensitive resin composition containing a carboxyl group-containing compound (E) are provided.
Figure 2011075609
(In the formula (1), X 1 to X 3 are each independently —SH, —SR, —NR′R ″ or —SM (R, R ′ and R ″ are each independently carbon number) 1-5 linear or branched alkyl groups, and M is an alkali metal.), At least one of which is —SH.

好ましくは、前記一般式(1)中のX〜Xのうち、少なくとも2つが−SHである。
好ましくは、前記チオール化合物(D)が、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジンである。
好ましくは、前記カルボキシル基含有化合物(E)の酸解離定数pKaが、2.5以上、4.5以下である。
好ましくは、前記カルボキシル基含有化合物(E)が、カルボキシル基を少なくとも2つ有する。
Preferably, at least two of X 1 to X 3 in the general formula (1) are —SH.
Preferably, the thiol compound (D) is 2,4,6-trimercapto-s-triazine.
Preferably, the carboxyl group-containing compound (E) has an acid dissociation constant pKa of 2.5 or more and 4.5 or less.
Preferably, the carboxyl group-containing compound (E) has at least two carboxyl groups.

また、本発明によれば、上記いずれかの感放射線性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜と、基板とを有する積層体が提供される。   Moreover, according to this invention, the laminated body which has a resin film formed using one of the said radiation sensitive resin compositions, and a board | substrate is provided.

本発明によれば、種々の材料に対する密着性に優れ、高い耐熱性を有し、ITO電極加工性(樹脂膜を貫通した状態、あるいは樹脂膜の表面にITO電極を形成した際における加工性)及びパターン加工性に優れた樹脂膜を与える感放射線性樹脂組成物、並びに、該感放射線性樹脂組成物から形成される樹脂膜を備える積層体を提供することができる。   According to the present invention, excellent adhesion to various materials, high heat resistance, and ITO electrode processability (processability when penetrating a resin film or when an ITO electrode is formed on the surface of a resin film) And the radiation sensitive resin composition which gives the resin film excellent in pattern workability, and a laminated body provided with the resin film formed from this radiation sensitive resin composition can be provided.

(感放射線性樹脂組成物)
本発明の感放射線性樹脂組成物は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A)、架橋剤(B)、感放射線化合物(C)、所定のチオール化合物(D)、及びカルボキシル基含有化合物(E)を含む組成物である。
(Radiation sensitive resin composition)
The radiation sensitive resin composition of the present invention comprises a cyclic olefin polymer (A) having a protic polar group, a crosslinking agent (B), a radiation sensitive compound (C), a predetermined thiol compound (D), and a carboxyl group. It is a composition containing a containing compound (E).

(プロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A))
本発明で用いるプロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A)(以下、単に、「環状オレフィン系重合体(A)」とする。)は、主鎖に、環状オレフィン単量体単位の環状構造(脂環又は芳香環)を有する、環状オレフィン単量体の単独重合体又は共重合体であって、プロトン性極性基を有するものである。
(Cyclic olefin polymer having a protic polar group (A))
The cyclic olefin polymer (A) having a protic polar group used in the present invention (hereinafter simply referred to as “cyclic olefin polymer (A)”) has a cyclic olefin monomer unit in its main chain. A homopolymer or copolymer of a cyclic olefin monomer having a cyclic structure (alicyclic ring or aromatic ring) and having a protic polar group.

このような環状オレフィン系重合体(A)としては、1または2以上の環状オレフィン単量体の重合体、又は、1または2以上の環状オレフィン単量体と、これと共重合可能な単量体との共重合体が挙げられるが、本発明においては、環状オレフィン系重合体(A)を形成するための単量体として、少なくともプロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)を用いることが好ましい。   As such a cyclic olefin polymer (A), a polymer of one or two or more cyclic olefin monomers, or one or two or more cyclic olefin monomers and a monomer copolymerizable therewith In the present invention, a cyclic olefin monomer (a1) having at least a protic polar group is used as a monomer for forming the cyclic olefin polymer (A). It is preferable to use it.

ここで、プロトン性極性基とは、周期律表第15族又は第16族に属する原子に水素原子が直接結合している原子を含む基をいう。周期律表第15族又は第16族に属する原子は、好ましくは周期律表第15族又は第16族の第1又は第2周期に属する原子であり、より好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子であり、特に好ましくは酸素原子である。   Here, the protic polar group refers to a group containing an atom in which a hydrogen atom is directly bonded to an atom belonging to Group 15 or 16 of the periodic table. The atom belonging to group 15 or 16 of the periodic table is preferably an atom belonging to the first or second period of group 15 or 16 of the periodic table, more preferably an oxygen atom, nitrogen atom or sulfur An atom, particularly preferably an oxygen atom.

このようなプロトン性極性基の具体例としては、水酸基、カルボキシ基(ヒドロキシカルボニル基)、スルホン酸基、リン酸基等の酸素原子を有する極性基;第一級アミノ基、第二級アミノ基、第一級アミド基、第二級アミド基(イミド基)等の窒素原子を有する極性基;チオール基等の硫黄原子を有する極性基;等が挙げられる。これらの中でも、酸素原子を有するものが好ましく、より好ましくはカルボキシ基である。
本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に結合しているプロトン性極性基の数に特に限定はなく、また、相異なる種類のプロトン性極性基が含まれていてもよい。
Specific examples of such protic polar groups include polar groups having oxygen atoms such as hydroxyl groups, carboxy groups (hydroxycarbonyl groups), sulfonic acid groups, phosphoric acid groups; primary amino groups, secondary amino groups A polar group having a nitrogen atom such as a primary amide group or a secondary amide group (imide group); a polar group having a sulfur atom such as a thiol group; Among these, those having an oxygen atom are preferable, and a carboxy group is more preferable.
In the present invention, the number of protic polar groups bonded to the cyclic olefin resin having a protic polar group is not particularly limited, and different types of protic polar groups may be included.

プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)(以下、適宜、「単量体(a1)」という。)の具体例としては、5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシメチル−5−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン、9−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9,10−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等のカルボキシ基含有環状オレフィン;5−(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、9−(4−ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−(4−ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等の水酸基含有環状オレフィン等が挙げられる。これらのなかでも、得られる樹脂膜の密着性が高くなるという点より、カルボキシ基含有環状オレフィンが好ましく、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エンが特に好ましい。これら単量体(a1)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group (hereinafter, appropriately referred to as “monomer (a1)”) include 5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept- 2-ene, 5-methyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxymethyl-5-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5 , 6-Dihydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 9-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9,10-dihydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . Carboxy group-containing cyclic olefin such as 0 2,7 ] dodec-4-ene; 5- (4-hydroxyphenyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl-5- (4-hydroxy Phenyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 9- (4-hydroxyphenyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9- (4-hydroxyphenyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . Hydroxyl-containing cyclic olefins such as 0 2,7 ] dodec-4-ene. Among these, a carboxy group-containing cyclic olefin is preferable from the viewpoint that the obtained resin film has high adhesion, and 8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene is particularly preferred. These monomers (a1) may be used alone or in combination of two or more.

本発明で用いる環状オレフィン系重合体(A)は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)と、これと共重合可能な単量体(a2)とを共重合して得られる共重合体であってもよい。このような共重合可能な単量体としては、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(a2−1)、極性基を持たない環状オレフィン単量体(a2−2)、及び環状オレフィン以外の単量体(a2−3)(以下、適宜、「単量体(a2−1)」、「単量体(a2−2)」、「単量体(a2−3)」という。)が挙げられる。   The cyclic olefin polymer (A) used in the present invention is obtained by copolymerizing a cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group and a monomer (a2) copolymerizable therewith. A copolymer may also be used. As such a copolymerizable monomer, a cyclic olefin monomer having a polar group other than a protic polar group (a2-1), a cyclic olefin monomer having no polar group (a2-2), And monomer other than cyclic olefin (a2-3) (hereinafter, “monomer (a2-1)”, “monomer (a2-2)”, “monomer (a2-3)” as appropriate) Said).

プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(a2−1)としては、たとえば、N−置換イミド基、エステル基、シアノ基又はハロゲン原子を有する環状オレフィンが挙げられる。   Examples of the cyclic olefin monomer (a2-1) having a polar group other than the protic polar group include a cyclic olefin having an N-substituted imide group, an ester group, a cyano group, or a halogen atom.

N−置換イミド基を有する環状オレフィンとしては、たとえば、下記一般式(2)で表される単量体、又は下記一般式(3)で表される単量体が挙げられる。

Figure 2011075609
(上記一般式(2)中、Rは炭素数5〜16の分岐状アルキル基又はフェニル基を表す。)
Figure 2011075609
(上記一般式(3)中、Rは炭素数1〜3の2価のアルキレン基、Rは、炭素数1〜10の1価のアルキル基、または、炭素数1〜10の1価のハロゲン化アルキル基を表す。) Examples of the cyclic olefin having an N-substituted imide group include a monomer represented by the following general formula (2) or a monomer represented by the following general formula (3).
Figure 2011075609
(In the general formula (2), R 1 represents a branched alkyl group having 5 to 16 carbon atoms or a phenyl group.)
Figure 2011075609
(In the general formula (3), R 2 is a divalent alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, R 3 is a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or monovalent having 1 to 10 carbon atoms. Represents a halogenated alkyl group.)

上記一般式(2)中において、Rは炭素数5〜16の分岐状アルキル基又はフェニル基であり、炭素数5〜16の分岐状アルキル基としては、例えば、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、1−メチルペンチル基、1−エチルブチル基、2−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシル基、4−メチルヘプチル基、1−メチルノニル基、1−メチルトリデシル基、1−メチルテトラデシル基などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性及び極性溶剤への溶解性により優れることから、炭素数6〜14の分岐状アルキル基が好ましく、炭素数7〜10の分岐状アルキル基がより好ましい。炭素数が4以下であると極性溶剤への溶解性に劣り、炭素数が17以上であると耐熱性に劣り、さらに樹脂膜をパターン化した場合に、熱により溶融しパターンを消失してしまうという問題がある。 In the general formula (2), R 1 is a branched alkyl group having 5 to 16 carbon atoms or a phenyl group, and examples of the branched alkyl group having 5 to 16 carbon atoms include 1-methylbutyl group, 2- Methylbutyl group, 1-methylpentyl group, 1-ethylbutyl group, 2-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 4-methylheptyl group, 1-methylnonyl group, 1-methyltridecyl group, 1-methyltetradecyl group, etc. Is mentioned. Among these, a branched alkyl group having 6 to 14 carbon atoms is preferable, and a branched alkyl group having 7 to 10 carbon atoms is more preferable because of excellent heat resistance and solubility in a polar solvent. When the carbon number is 4 or less, the solubility in a polar solvent is poor, when the carbon number is 17 or more, the heat resistance is poor, and when the resin film is patterned, the pattern is lost by melting with heat. There is a problem.

上記一般式(2)で表される単量体の具体例としては、N−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−ブチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−ブチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−プロピルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−プロピルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−プロピルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−プロピルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−プロピルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(5−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルドデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルウンデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルドデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルトリデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルテトラデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルペンタデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、等が挙げられる。なお、これらはそれぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the monomer represented by the general formula (2) include N-phenyl-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1- Methylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3 -Dicarboximide, N- (1-methylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylpentyl) -bicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- ( 2-Ethylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5- -2,3-dicarboximide, N- (1-methylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylhexyl)- Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-di Carboximide, N- (1-butylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-butylpentyl) -bicyclo [2.2.1 ] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2 -Methylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept- -Ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylheptyl) -Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-di Carboximide, N- (2-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-propylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-propyl) Pentyl) -bicyclo [2.2.1 Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2- Methyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2 , 3-dicarboximide, N- (4-methyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethylheptyl) -bicyclo [2 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-ethylheptyl) -bicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-ethylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-propylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-propylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5- Ene-2,3-dicarboximide, N- (3-propylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide , N- (3-methylnonyl) -bicyclo [ 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N -(5-Methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5 Ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-ethyloctyl)- Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-di Carboximide, N- (1-methyldecyl) -bicyclo [ 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyldodecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylundecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyldodecyl) -bicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyltridecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1- Methyltetradecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylpentadecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene -2,3-dicarboximide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

一方、上記一般式(3)において、Rは炭素数1〜3の2価のアルキレン基であり、炭素数1〜3の2価のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基およびイソプロピレン基が挙げられる。この中でも、重合活性が良好であるため、メチレン基およびエチレン基が好ましい。 On the other hand, in the general formula (3), R 2 is a divalent alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. Examples of the divalent alkylene group having 1 to 3 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and An isopropylene group is mentioned. Among these, a methylene group and an ethylene group are preferable because of good polymerization activity.

また、上記一般式(3)において、Rは、炭素数1〜10の1価のアルキル基、または、炭素数1〜10の1価のハロゲン化アルキル基である。炭素数1〜10の1価のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基およびシクロヘキシル基などが挙げられる。炭素数1〜10の1価のハロゲン化アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基およびパーフルオロペンチル基などが挙げられる。これら中でも、極性溶剤への溶解性に優れるため、Rとしては、メチル基およびエチル基が好ましい。 In the general formula (3), R 3 is a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group, and cyclohexyl group. . Examples of the monovalent halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a fluoromethyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a difluoromethyl group, a dichloromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group, Examples include 2,2,2-trifluoroethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, perfluorobutyl group, and perfluoropentyl group. Among these, because of excellent solubility in polar solvents, as R 3, methyl and ethyl are preferred.

なお、上記一般式(2)、(3)で表される単量体は、たとえば、対応するアミンと、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物とのアミド化反応により得ることができる。また、得られた単量体は、アミド化反応の反応液を公知の方法で分離・精製することにより効率よく単離できる。   The monomers represented by the general formulas (2) and (3) can be obtained, for example, by an amidation reaction between a corresponding amine and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride. . The obtained monomer can be efficiently isolated by separating and purifying the reaction solution of the amidation reaction by a known method.

エステル基を有する環状オレフィンとしては、例えば、5−アセトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチル−5−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、9−アセトキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等が挙げられる。 Examples of the cyclic olefin having an ester group include 5-acetoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl- 5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 9-acetoxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-n-propoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-isopropoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-n-butoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-methoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-ethoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-n-propoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-isopropoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-n-butoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene and the like.

シアノ基を有する環状オレフィンとしては、例えば、9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、5−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン等が挙げられる。 Examples of the cyclic olefin having a cyano group include 9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 5-cyanobicyclo [2.2.1] hept-2-ene and the like.

ハロゲン原子を有する環状オレフィンとしては、例えば、9−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチル−9−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン等が挙げられる。 Examples of the cyclic olefin having a halogen atom include 9-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methyl-9-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene and the like.

これら単量体(a2−1)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。   These monomers (a2-1) may be used alone or in combination of two or more.

極性基を持たない環状オレフィン単量体(a2−2)としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン(「ノルボルネン」ともいう。)、5−エチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ブチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ビニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−3,8−ジエン(慣用名:ジシクロペンタジエン)、テトラシクロ[10.2.1.02,11.04,9]ペンタデカ−4,6,8,13−テトラエン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン(「テトラシクロドデセン」ともいう。)、9−メチル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エチル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチリデン−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エチリデン−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−ビニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−プロペニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10]ペンタデカ−5,12−ジエン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、9−フェニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、テトラシクロ[9.2.1.02,10.03,8]テトラデカ−3,5,7,12−テトラエン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10]ペンタデカ−12−エン等が挙げられる。
これら単量体(a2−2)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Examples of the cyclic olefin monomer having no polar group (a2-2) include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (also referred to as “norbornene”) and 5-ethyl-bicyclo [2.2. 1] hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylidene-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylidene-bicyclo [ 2.2.1] Hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] deca-3,8-diene (common name: dicyclopentadiene), tetracyclo [10.2.1.0 2,11. 0 4,9 ] pentadeca-4,6,8,13-tetraene, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene (also referred to as “tetracyclododecene”), 9-methyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methylidene-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethylidene-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-vinyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-propenyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10] pentadeca-5,12-diene, cyclopentene, cyclopentadiene, 9-phenyl - tetracyclo [6.2.1.1 3, 6. 0 2,7] dodeca-4-ene, tetracyclo [9.2.1.0 2,10. 0 3,8 ] tetradeca-3,5,7,12-tetraene, pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10] pentadeca-12-ene, and the like.
These monomers (a2-2) may be used alone or in combination of two or more.

環状オレフィン以外の単量体(a2−3)の具体例としては、エチレン;プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、3−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、3−エチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ペンテン、4−エチル−1−ヘキセン、3−エチル−1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコセン等の炭素数2〜20のα−オレフィン;1,4−ヘキサジエン、4−メチル−1,4−ヘキサジエン、5−メチル−1,4−ヘキサジエン、1,7−オクタジエン等の非共役ジエン、及びこれらの誘導体;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、3a,5,6,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ−1H−インデンなどのシクロオレフィン等が挙げられる。これらの中でも、α−オレフィン、特にエチレンが好ましい。
これら単量体(a2−3)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Specific examples of the monomer (a2-3) other than cyclic olefin include ethylene; propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene, 3-ethyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-pentene, 4-ethyl-1- An α-olefin having 2 to 20 carbon atoms such as hexene, 3-ethyl-1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicocene; 1 , 4-hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, 5-methyl-1,4-hexadiene, non-conjugated dienes such as 1,7-octadiene, and derivatives thereof; cyclobutene Cyclopentene, cyclohexene, cyclooctene, 3a, 5,6,7A- tetrahydro-4,7-methano -1H- indene cycloolefin, etc., such as. Among these, an α-olefin, particularly ethylene is preferable.
These monomers (a2-3) may be used alone or in combination of two or more.

これら単量体(a2−1)〜(a2−3)のなかでも、本発明の効果がより一層顕著となるという観点より、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(a2−1)が好ましく、N−置換イミド基を有する環状オレフィンが特に好ましい。   Among these monomers (a2-1) to (a2-3), a cyclic olefin monomer having a polar group other than a protic polar group (a2) from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable. -1) is preferred, and cyclic olefins having an N-substituted imide group are particularly preferred.

本発明の環状オレフィン系重合体(A)における、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)の単位と、共重合可能な単量体(a2)の単位との比率は、「単量体(a1)の単位:単量体(a2)の単位」の重量比で、好ましくは90:10〜20:80、より好ましくはより好ましくは80:20〜30:70、さらに好ましくは70:30〜40:60である。プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)の単位が少なすぎると、現像液への溶解性が低下するためパターニングが不可となったり、パターニング後の樹脂膜を加熱した際にパターンが変化してしまう場合があり、一方、多すぎると、現像液への溶解性が高すぎるためにパターニング時の膜残存部と膜溶解部の溶解度比率が小さくなってしまい、パターニングが不可となったり、樹脂膜の吸水性が増加してしまい水分の存在を嫌う用途への適用が困難となる場合がある。   In the cyclic olefin polymer (A) of the present invention, the ratio of the units of the cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group to the copolymerizable monomer (a2) is “single”. The weight ratio of unit of monomer (a1): unit of monomer (a2) ”is preferably 90:10 to 20:80, more preferably 80:20 to 30:70, and still more preferably 70. : 30 to 40:60. If the number of units of the cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group is too small, the solubility in the developing solution is lowered, so that patterning becomes impossible or the pattern is formed when the resin film after patterning is heated. On the other hand, if too much, the solubility ratio in the developer is too high, so the solubility ratio of the film remaining part and the film dissolving part at the time of patterning becomes small, and patterning becomes impossible. In some cases, the water absorption of the resin film increases, making it difficult to apply to applications that dislike the presence of moisture.

なお、本発明においては、プロトン性極性基を有しない環状オレフィン系重合体に、公知の変性剤を利用してプロトン性極性基を導入することで、環状オレフィン系重合体(A)にプロトン極性基を導入してもよい。
プロトン性極性基を有しない重合体は、上述した単量体(a2−1)及び(a2−2)のうち少なくとも一種と、必要に応じて単量体(a2−3)とを任意に組み合わせて重合することによって得ることができる。
In the present invention, a protic polar group is introduced into the cyclic olefin polymer (A) by introducing a protic polar group into the cyclic olefin polymer having no protic polar group using a known modifier. Groups may be introduced.
The polymer having no protic polar group is an arbitrary combination of at least one of the monomers (a2-1) and (a2-2) described above and, if necessary, the monomer (a2-3). Can be obtained by polymerization.

プロトン性極性基を導入するための変性剤としては、通常、一分子内にプロトン性極性基と反応性の炭素−炭素不飽和結合とを有する化合物が用いられる。
このような化合物の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、アンゲリカ酸、チグリン酸、オレイン酸、エライジン酸、エルカ酸、ブラシジン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、アトロパ酸、ケイ皮酸等の不飽和カルボン酸;アリルアルコール、メチルビニルメタノール、クロチルアルコール、メタリルアルコール、1−フェニルエテン−1−オール、2−プロペン−1−オール、3−ブテン−1−オール、3−ブテン−2−オール、3−メチル−3−ブテン−1−オール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、2−メチル−3−ブテン−1−オール、4−ペンテン−1−オール、4−メチル−4−ぺンテン−1−オール、2−ヘキセン−1−オール等の不飽和アルコール;等が挙げられる。
これら変性剤を用いた重合体の変性反応は、常法に従えばよく、通常、ラジカル発生剤の存在下で行われる。
As the modifier for introducing a protic polar group, a compound having a protic polar group and a reactive carbon-carbon unsaturated bond in one molecule is usually used.
Specific examples of such compounds include acrylic acid, methacrylic acid, angelic acid, tiglic acid, oleic acid, elaidic acid, erucic acid, brassic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, atropaic acid. Unsaturated carboxylic acids such as acids and cinnamic acids; allyl alcohol, methyl vinyl methanol, crotyl alcohol, methallyl alcohol, 1-phenylethen-1-ol, 2-propen-1-ol, 3-butene-1- All, 3-buten-2-ol, 3-methyl-3-buten-1-ol, 3-methyl-2-buten-1-ol, 2-methyl-3-buten-2-ol, 2-methyl- Saturation of 3-buten-1-ol, 4-penten-1-ol, 4-methyl-4-penten-1-ol, 2-hexen-1-ol, etc. Alcohol; and the like.
The modification reaction of the polymer using these modifiers may be performed according to a conventional method, and is usually performed in the presence of a radical generator.

本発明で用いる環状オレフィン系重合体(A)の重量平均分子量は、重合体の製造目的によって任意に選択することができるが、通常、1,000〜1,000,000、好ましくは1,500〜500,000、より好ましくは2,000〜50,000である。環状オレフィン系重合体(A)の重量平均分子量(Mw)は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算値として求められる値である。   The weight average molecular weight of the cyclic olefin polymer (A) used in the present invention can be arbitrarily selected depending on the production purpose of the polymer, but is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 1,500. ˜500,000, more preferably 2,000 to 50,000. The weight average molecular weight (Mw) of the cyclic olefin polymer (A) is a value determined as a polystyrene equivalent value by gel permeation chromatography (GPC).

なお、本発明で用いる環状オレフィン系重合体(A)は、上述した単量体を開環重合させた開環重合体であってもよいし、あるいは、上述した単量体を付加重合させた付加重合体であってもよいが、本発明の効果がより一層顕著になるという点より、開環重合体であることが好ましい。   In addition, the cyclic olefin polymer (A) used in the present invention may be a ring-opening polymer obtained by ring-opening polymerization of the above-described monomer, or addition polymerization of the above-described monomer. Although it may be an addition polymer, it is preferably a ring-opening polymer from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable.

開環重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)及び必要に応じて用いられる共重合可能な単量体(a2)を、メタセシス反応触媒の存在下に開環メタセシス重合することにより製造することができる。   The ring-opening polymer comprises a ring-opening metathesis polymerization of a cyclic olefin monomer having a protic polar group (a1) and a copolymerizable monomer (a2) used as necessary in the presence of a metathesis reaction catalyst. Can be manufactured.

メタセシス反応触媒は、周期表第3〜11族遷移金属化合物であって、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)を開環メタセシス重合する触媒であればどのようなものでもよい。例えば、メタセシス反応触媒として、Olefin Metathesis and Metathesis Polymerization(K.J.Ivinand J.C.Mol,Academic Press,San Diego 1997)に記載されているようなものが使用できる。   The metathesis reaction catalyst may be any catalyst as long as it is a group 3-11 transition metal compound of the periodic table and performs ring-opening metathesis polymerization of the cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group. For example, as a metathesis reaction catalyst, one described in Olefin Metathesis and Metathesis Polymerization (KJ Ivinand JC Mol, Academic Press, San Diego 1997) can be used.

メタセシス反応触媒としては、例えば、周期表第3〜11族遷移金属−カルベン錯体触媒、が挙げられる。これらの中でも、ルテニウムカルベン錯体触媒の使用が好ましい。   As a metathesis reaction catalyst, a periodic table group 3-11 transition metal carbene complex catalyst is mentioned, for example. Among these, use of a ruthenium carbene complex catalyst is preferable.

周期表第3〜11族遷移金属−カルベン錯体触媒としては、例えば、タングステンアルキリデン錯体触媒、モリブデンアルキリデン錯体触媒、レニウムアルキリデン錯体触媒、ルテニウムカルベン錯体触媒等が挙げられる。   Examples of the periodic table Group 3-11 transition metal-carbene complex catalyst include a tungsten alkylidene complex catalyst, a molybdenum alkylidene complex catalyst, a rhenium alkylidene complex catalyst, and a ruthenium carbene complex catalyst.

タングステンアルキリデン錯体触媒の具体例としては、W(N−2,6−Pr )(CHBu)(OBu、W(N−2,6−Pr )(CHBu)(OCMeCF、W(N−2,6−Pr )(CHBu)(OCMe(CF、W(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(OBuW(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(OCMeCF、W(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(OCMe(CF等が挙げられる。 Specific examples of tungsten alkylidene complex catalysts, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OBu t) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2, W (N-2, 6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OBu t) 2 W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe 2 CF 3) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe (CF 3) 2) 2 and the like.

モリブデンアルキリデン錯体触媒の具体例としては、Mo(N−2,6−Pr )(CHBu)(OBu、Mo(N−2,6−Pr )(CHBu)(OCMeCF、Mo(N−2,6−Pr )(CHBu)(OCMe(CF、Mo(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(OBuMo(N−2,6−Pr )(CHCMe2Ph)(OCMeCF、Mo(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(OCMe(CF、Mo(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(BIPHEN)、Mo(N−2,6−Pr )(CHCMePh)(BINO)(THF)等が挙げられる。 Specific examples of molybdenum alkylidene complex catalyst, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OBu t) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2, Mo (N-2, 6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OBu t) 2 Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe2Ph) (OCMe 2 CF 3) 2, Mo (N -2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe (CF 3) 2) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) ( BIPHEN), Mo (N-2,6 -Pr i 2 C 6 H 3 ) (CHCMe 2 Ph) (BINO) (THF) and the like.

レニウムアルキリデン錯体触媒の具体例としては、Re(CBu)(CHBu)(O−2,6−Pr 、Re(CBu)(CHBu)(O−2−Bu、Re(CBu)(CHBu)(OCMeCF、Re(CBu)(CHBu)(OCMe(CF、Re(CBu)(CHBu)(O−2,6−Me等が挙げられる。 Specific examples of rhenium alkylidene complex catalyst, Re (CBu t) (CHBu t) (O-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) 2, Re (CBu t) (CHBu t) (O-2- Bu t C 6 H 4) 2 , Re (CBu t) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, Re (CBu t) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2, Re (CBu t) (CHBu t ) (O-2,6-Me 2 C 6 H 3 ) 2 and the like.

上記式中、Prはイソプロピル基を、Buはtert−ブチル基を、Meはメチル基を、Phはフェニル基を、BIPHENは、5,5’,6,6’−テトラメチル−3,3’−ジ−tert−ブチル−1,1’−ビフェニル−2,2’−ジオキシ基を、BINOは、1,1’−ジナフチル−2,2’−ジオキシ基を、THFはテトラヒドロフランをそれぞれ表す。 In the above formula, the Pr i isopropyl group, a Bu t is tert- butyl group, Me is a a methyl group, Ph refers to a phenyl group, BIPHEN is 5,5 ', 6,6'-tetramethyl-3, 3′-di-tert-butyl-1,1′-biphenyl-2,2′-dioxy group, BINO represents 1,1′-dinaphthyl-2,2′-dioxy group, and THF represents tetrahydrofuran. .

また、ルテニウムカルベン錯体触媒の具体例としては、下記一般式(4)又は一般式(5)で表される化合物が挙げられる。   Further, specific examples of the ruthenium carbene complex catalyst include compounds represented by the following general formula (4) or general formula (5).

Figure 2011075609
Figure 2011075609
Figure 2011075609
Figure 2011075609

上記一般式(4)及び(5)中、=CR、及び=C=CRは、反応中心のカルベン炭素を含むカルベン化合物である。R及びRは、それぞれ独立して水素原子、又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子もしくは珪素原子を含んでもよい炭素数1〜20の炭化水素基を表し、これらのカルベン化合物はヘテロ原子を含有していてもいなくてもよい。Lはヘテロ原子含有カルベン化合物を表し、Lはヘテロ原子含有カルベン化合物又は任意の中性の電子供与性化合物を表す。 In the general formulas (4) and (5), ═CR 4 R 5 and ═C═CR 4 R 5 are carbene compounds containing a carbene carbon as a reaction center. R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a halogen atom, oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom, phosphorus atom or silicon atom, The carbene compound may or may not contain a heteroatom. L 1 represents a heteroatom-containing carbene compound, and L 2 represents a heteroatom-containing carbene compound or any neutral electron-donating compound.

ここで、ヘテロ原子含有カルベン化合物とは、カルベン炭素及びヘテロ原子とを含有する化合物をいう。L及びLの両方又はLは、ヘテロ原子含有カルベン化合物であり、これらに含まれるカルベン炭素にはルテニウム金属原子が直接に結合しており、ヘテロ原子を含む基が結合している。 Here, the hetero atom-containing carbene compound refers to a compound containing a carbene carbon and a hetero atom. Both L 1 and L 2 or L 1 is a heteroatom-containing carbene compound, and a ruthenium metal atom is directly bonded to the carbene carbon contained therein, and a group containing a heteroatom is bonded.

及びLは、それぞれ独立して任意のアニオン性配位子を示す。また、R、R、L、L、L及びLの2個、3個、4個、5個又は6個は、互いに結合して多座キレート化配位子を形成してもよい。また、ヘテロ原子の具体例としては、N、O、P、S、As、Se原子等を挙げることができる。これらの中でも、安定なカルベン化合物が得られる観点から、N、O、P、S原子等が好ましく、N原子が特に好ましい。 L 3 and L 4 each independently represent an arbitrary anionic ligand. Also, two, three, four, five or six of R 4 , R 5 , L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are bonded to each other to form a multidentate chelating ligand. May be. Specific examples of heteroatoms include N, O, P, S, As, and Se atoms. Among these, from the viewpoint of obtaining a stable carbene compound, N, O, P, S atoms and the like are preferable, and N atom is particularly preferable.

上記一般式(4)及び式(5)において、アニオン(陰イオン)性配位子L、Lは、中心金属から引き離されたときに負の電荷を持つ配位子であり、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ジケトネート基、アルコキシ基、アリールオキシ基やカルボキシル基等の酸素を含む炭化水素基;塩化シクロペンタジエニル基等のハロゲン原子で置換された脂環式炭化水素基等を挙げることができる。これらの中でもハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。 In the general formulas (4) and (5), the anionic (anionic) ligands L 3 and L 4 are ligands having a negative charge when separated from the central metal, for example, Halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine; hydrocarbons containing oxygen such as diketonate, alkoxy, aryloxy and carboxyl groups; substituted with halogen atoms such as cyclopentadienyl chloride And alicyclic hydrocarbon groups. Among these, a halogen atom is preferable and a chlorine atom is more preferable.

が中性の電子供与性化合物の場合は、Lは中心金属から引き離されたときに中性の電荷を持つ配位子であればいかなるものでもよい。その具体例としては、カルボニル類、アミン類、ピリジン類、エーテル類、ニトリル類、エステル類、ホスフィン類、チオエーテル類、芳香族化合物、オレフィン類、イソシアニド類、チオシアネート類等が挙げられる。これらの中でも、ホスフィン類やピリジン類が好ましく、トリアルキルホスフィンがより好ましい。 When L 2 is a neutral electron donating compound, L 2 may be any ligand as long as it has a neutral charge when separated from the central metal. Specific examples thereof include carbonyls, amines, pyridines, ethers, nitriles, esters, phosphines, thioethers, aromatic compounds, olefins, isocyanides, thiocyanates, and the like. Among these, phosphines and pyridines are preferable, and trialkylphosphine is more preferable.

上記一般式(4)で表されるルテニウム錯体触媒としては、例えば、ベンジリデン(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(3−メチル−2−ブテン−1−イリデン)(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−オクタヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン[1,3−ジ(1−フェニルエチル)−4−イミダゾリン−2−イリデン](トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−2,3−ジヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(トリシクロヘキシルホスフィン)(1,3,4−トリフェニル−2,3,4,5−テトラヒドロ−1H−1,2,4−トリアゾール−5−イリデン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジイソプロピルヘキサヒドロピリミジン−2−イリデン)(エトキシメチレン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ピリジンルテニウムジクロリド等のヘテロ原子含有カルベン化合物と中性の電子供与性化合物が結合したルテニウムカルベン錯体;ベンジリデンビス(1,3−ジシクロヘキシルイミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデンビス(1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド等の2つのヘテロ原子含有カルベン化合物が結合したルテニウムカルベン錯体;等が挙げられる。   Examples of the ruthenium complex catalyst represented by the general formula (4) include benzylidene (1,3-dimesitylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1,3-dimesityl). Imidazolidine-2-ylidene) (3-methyl-2-butene-1-ylidene) (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityl-octahydrobenzimidazol-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) Ruthenium dichloride, benzylidene [1,3-di (1-phenylethyl) -4-imidazoline-2-ylidene] (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityl-2,3-dihydrobenzimidazole-2 -B Den) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (tricyclohexylphosphine) (1,3,4-triphenyl-2,3,4,5-tetrahydro-1H-1,2,4-triazole-5-ylidene) Ruthenium dichloride, (1,3-diisopropylhexahydropyrimidin-2-ylidene) (ethoxymethylene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesitylimidazolidine-2-ylidene) pyridine ruthenium dichloride, etc. Ruthenium carbene complex in which a hetero atom-containing carbene compound and a neutral electron donating compound are bonded; benzylidenebis (1,3-dicyclohexylimidazolidine-2-ylidene) ruthenium dichloride, benzylidenebis (1,3 Ruthenium carbene complex-diisopropyl-4-imidazolin-2-ylidene) two hetero atom-containing carbene compounds such as ruthenium dichloride are bonded; and the like.

上記一般式(5)で表されるルテニウムカルベン錯体触媒としては、例えば、(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(フェニルビニリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(t−ブチルビニリデン)(1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ビス(1,3−ジシクロヘキシル−4−イミダゾリン−2−イリデン)フェニルビニリデンルテニウムジクロリド等が挙げられる。   Examples of the ruthenium carbene complex catalyst represented by the general formula (5) include (1,3-dimesitylimidazolidine-2-ylidene) (phenylvinylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (t-butyl). Vinylidene) (1,3-diisopropyl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride, bis (1,3-dicyclohexyl-4-imidazoline-2-ylidene) phenylvinylidene ruthenium dichloride, and the like.

メタセシス反応触媒の使用量は、触媒に対する単量体のモル比で、触媒:単量体=1:100〜1:2,000,000、好ましくは1:500〜1:1,000,000、より好ましくは1:1,000〜1:500,000である。触媒量が多すぎると触媒除去が困難となることがあり、少なすぎると十分な重合活性が得られないことがある。   The amount of the metathesis reaction catalyst used is the molar ratio of monomer to catalyst, catalyst: monomer = 1: 100 to 1: 2,000,000, preferably 1: 500 to 1: 1,000,000, More preferably, it is 1: 1,000-1: 500,000. If the amount of catalyst is too large, it may be difficult to remove the catalyst, and if it is too small, sufficient polymerization activity may not be obtained.

メタセシス反応触媒を用いる開環重合は、溶剤中又は無溶剤で行なうことができる。重合反応終了後、生成した重合体を単離することなく、そのまま水素化反応を行う場合は、溶剤中で重合するのが好ましい。   Ring-opening polymerization using a metathesis reaction catalyst can be carried out in a solvent or without a solvent. When the hydrogenation reaction is carried out as it is without isolating the produced polymer after completion of the polymerization reaction, the polymerization is preferably carried out in a solvent.

溶剤は生成する重合体を溶解し、かつ重合反応を阻害しない溶剤であれば特に限定されない。用いる溶剤としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素;ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等の含窒素系炭化水素;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、安息香酸メチル等のエステル類;クロロホルム、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素;等が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素、脂環族炭化水素、エーテル類、ケトン類又はエステル類の使用が好ましい。   The solvent is not particularly limited as long as it dissolves the produced polymer and does not inhibit the polymerization reaction. Examples of the solvent used include aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane, and n-heptane; cyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane, trimethylcyclohexane, ethylcyclohexane, diethylcyclohexane, decahydronaphthalene, and bicyclo Alicyclic hydrocarbons such as heptane, tricyclodecane, hexahydroindene and cyclooctane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and mesitylene; nitrogen-containing compounds such as nitromethane, nitrobenzene, acetonitrile, propionitrile and benzonitrile Hydrocarbons; ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, etc .; acetone, ethyl methyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, etc. Ketones; methyl acetate, ethyl acetate, ethyl propionate, methyl benzoate, chloroform, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene; and the like. Among these, the use of aromatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, ethers, ketones or esters is preferable.

溶剤中の単量体混合物の濃度は、好ましくは1〜50重量%、より好ましくは2〜45重量%、さらに好ましくは5〜40重量%である。単量体混合物の濃度が1重量%未満では重合体の生産性が悪くなることがあり、50重量%を超えると重合後の粘度が高すぎて、その後の水素化等が困難となることがある。   The concentration of the monomer mixture in the solvent is preferably 1 to 50% by weight, more preferably 2 to 45% by weight, and still more preferably 5 to 40% by weight. If the concentration of the monomer mixture is less than 1% by weight, the productivity of the polymer may be deteriorated. If it exceeds 50% by weight, the viscosity after polymerization may be too high, and subsequent hydrogenation and the like may be difficult. is there.

メタセシス反応触媒は溶剤に溶解して反応系に添加してもよいし、溶解させることなくそのまま添加してもよい。触媒溶液を調製する溶剤としては、上述した重合反応に用いる溶剤と同様の溶剤が挙げられる。   The metathesis reaction catalyst may be dissolved in a solvent and added to the reaction system, or may be added as it is without being dissolved. Examples of the solvent for preparing the catalyst solution include the same solvents as those used in the polymerization reaction described above.

また、重合反応においては、重合体の分子量を調整するために分子量調整剤を反応系に添加することができる。分子量調整剤としては、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン等のα−オレフィン;スチレン、ビニルトルエン等のスチレン類;エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル等のエーテル類;アリルクロライド等のハロゲン含有ビニル化合物;酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレート等酸素含有ビニル化合物;アクリロ二トリル、アクリルアミド等の窒素含有ビニル化合物等を用いることができる。プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)を含む単量体混合物に対して、分子量調整剤を0.05〜50モル%使用することにより、所望の分子量を有する重合体を得ることができる。   In the polymerization reaction, a molecular weight modifier can be added to the reaction system in order to adjust the molecular weight of the polymer. Examples of molecular weight modifiers include α-olefins such as 1-butene, 1-pentene, 1-hexene and 1-octene; styrenes such as styrene and vinyltoluene; ethers such as ethyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether and allyl glycidyl ether; Halogen-containing vinyl compounds such as allyl chloride; oxygen-containing vinyl compounds such as allyl acetate, allyl alcohol and glycidyl methacrylate; nitrogen-containing vinyl compounds such as acrylonitrile and acrylamide can be used. A polymer having a desired molecular weight is obtained by using 0.05 to 50 mol% of a molecular weight modifier with respect to the monomer mixture containing the cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group. Can do.

重合温度は特に制限はないが、通常、−100℃〜+200℃、好ましくは−50℃〜+180℃、より好ましくは−30℃〜+160℃、さらに好ましくは0℃〜+140℃である。重合時間は、通常1分から100時間であり、反応の進行状況に応じて適宜調節することができる。   The polymerization temperature is not particularly limited, but is usually −100 ° C. to + 200 ° C., preferably −50 ° C. to + 180 ° C., more preferably −30 ° C. to + 160 ° C., and further preferably 0 ° C. to + 140 ° C. The polymerization time is usually from 1 minute to 100 hours, and can be appropriately adjusted according to the progress of the reaction.

一方、付加重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a1)及び必要に応じて用いられる共重合可能な単量体(a2)を、公知の付加重合触媒、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いて重合させて得ることができる。これらの重合触媒は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。重合触媒の量は、重合触媒中の金属化合物:単量体のモル比で、通常、1:100〜1:2,000,000の範囲である。   On the other hand, the addition polymer is obtained by converting a cyclic olefin monomer (a1) having a protic polar group and a copolymerizable monomer (a2) used as necessary into a known addition polymerization catalyst such as titanium, It can be obtained by polymerization using a catalyst comprising a zirconium or vanadium compound and an organoaluminum compound. These polymerization catalysts can be used alone or in combination of two or more. The amount of the polymerization catalyst is a molar ratio of the metal compound to the monomer in the polymerization catalyst and is usually in the range of 1: 100 to 1: 2,000,000.

また、本発明で用いる環状オレフィン系重合体(A)が、開環重合体である場合には、さらに水素添加反応を行い、主鎖に含まれる炭素−炭素二重結合が水素添加された水素添加物とすることが好ましい。環状オレフィン系重合体(A)が水素添加物である場合における、水素化された炭素−炭素二重結合の割合(水素添加率)は、通常50%以上であり、耐熱性の観点から、70%以上であるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましく、95%以上であるのがさらに好ましい。   Further, when the cyclic olefin polymer (A) used in the present invention is a ring-opening polymer, a hydrogenation reaction is further performed, and hydrogen in which a carbon-carbon double bond contained in the main chain is hydrogenated. An additive is preferred. When the cyclic olefin polymer (A) is a hydrogenated product, the ratio of hydrogenated carbon-carbon double bonds (hydrogenation rate) is usually 50% or more, and from the viewpoint of heat resistance, 70 % Or more is preferable, 90% or more is more preferable, and 95% or more is further preferable.

水素添加物の水素添加率は、例えば、開環重合体のH−NMRスペクトルにおける炭素−炭素二重結合に由来するピーク強度と、水素添加物のH−NMRスペクトルにおける炭素−炭素二重結合に由来するピーク強度とを比較することにより求めることができる。 Hydrogenation ratio of the hydrogenated product may, for example, carbon in the 1 H-NMR spectrum of the ring-opening polymer - a peak intensity derived from the carbon-carbon double bond, carbon in the 1 H-NMR spectrum of the hydrogenated product - carbon double It can obtain | require by comparing with the peak intensity derived from a coupling | bonding.

水素添加反応は、例えば、水素化触媒の存在下に水素ガスを用いて、開環重合体の主鎖中の炭素−炭素二重結合を飽和単結合に変換することにより行なうことができる。   The hydrogenation reaction can be performed, for example, by converting a carbon-carbon double bond in the main chain of the ring-opening polymer into a saturated single bond using hydrogen gas in the presence of a hydrogenation catalyst.

用いる水素化触媒は、均一系触媒、不均一系触媒等、特に限定されず、オレフィン化合物の水素化に際して一般的に用いられているものを適宜使用することができる。   The hydrogenation catalyst to be used is not particularly limited, such as a homogeneous catalyst and a heterogeneous catalyst, and those generally used for hydrogenation of olefin compounds can be used as appropriate.

均一系触媒としては、例えば、酢酸コバルトとトリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナートとトリイソブチルアルミニウム、チタノセンジクロリドとn−ブチルリチウムの組み合わせ、ジルコノセンジクロリドとsec−ブチルリチウム、テトラブトキシチタネートとジメチルマグネシウム等の遷移金属化合物とアルカリ金属化合物の組み合わせからなるチーグラー系触媒;前記開環メタセシス反応触媒の項で記述したルテニウムカルベン錯体触媒、ジクロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム、特開平7−2929号公報、特開平7−149823号公報、特開平11−109460号公報、特開平11−158256号公報、特開平11−193323号公報、特開平11−109460号公報等に記載されているルテニウム化合物からなる貴金属錯体触媒;等が挙げられる。   Examples of homogeneous catalysts include transitions such as cobalt acetate and triethylaluminum, nickel acetylacetonate and triisobutylaluminum, a combination of titanocene dichloride and n-butyllithium, zirconocene dichloride and sec-butyllithium, tetrabutoxytitanate and dimethylmagnesium, etc. Ziegler catalyst comprising a combination of a metal compound and an alkali metal compound; ruthenium carbene complex catalyst, dichlorotris (triphenylphosphine) rhodium described in the above section of ring-opening metathesis reaction catalyst, JP-A-7-2929, JP-A-7 -149823, JP-A-11-109460, JP-A-11-158256, JP-A-11-193323, JP-A-11-109460, etc. Noble metal complex catalyst consisting ruthenium compound; and the like.

不均一系触媒としては、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等の金属を、カーボン、シリカ、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタン等の担体に担持させた水素化触媒が挙げられる。より具体的には、例えば、ニッケル/シリカ、ニッケル/ケイソウ土、ニッケル/アルミナ、パラジウム/カーボン、パラジウム/シリカ、パラジウム/ケイソウ土、パラジウム/アルミナ等を用いることができる。これらの水素化触媒は単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the heterogeneous catalyst include a hydrogenation catalyst in which a metal such as nickel, palladium, platinum, rhodium, and ruthenium is supported on a carrier such as carbon, silica, diatomaceous earth, alumina, and titanium oxide. More specifically, for example, nickel / silica, nickel / diatomaceous earth, nickel / alumina, palladium / carbon, palladium / silica, palladium / diatomaceous earth, palladium / alumina and the like can be used. These hydrogenation catalysts can be used alone or in combination of two or more.

これらの中でも、開環重合体に含まれる官能基の変性等の副反応を起こすことなく、該重合体中の炭素−炭素二重結合を選択的に水素添加できる点から、ロジウム、ルテニウム等の貴金属錯体触媒及びパラジウム/カーボン等のパラジウム担持触媒の使用が好ましく、ルテニウムカルベン錯体触媒又はパラジウム担持触媒の使用がより好ましい。   Among these, rhodium, ruthenium, and the like from the point that the carbon-carbon double bond in the polymer can be selectively hydrogenated without causing side reactions such as modification of the functional group contained in the ring-opening polymer. The use of a noble metal complex catalyst and a palladium supported catalyst such as palladium / carbon is preferred, and the use of a ruthenium carbene complex catalyst or a palladium supported catalyst is more preferred.

上述したルテニウムカルベン錯体触媒は、開環メタセシス反応触媒及び水素添加触媒として使用することができる。この場合には、開環メタセシス反応と水素添加反応を連続的に行なうことができる。   The ruthenium carbene complex catalyst described above can be used as a ring-opening metathesis reaction catalyst and a hydrogenation catalyst. In this case, the ring-opening metathesis reaction and the hydrogenation reaction can be performed continuously.

また、ルテニウムカルベン錯体触媒を使用して開環メタセシス反応と水素添加反応を連続的に行う場合、エチルビニルエーテル等のビニル化合物やα−オレフィン等の触媒改質剤を添加して該触媒を活性化させてから、水素添加反応を開始する方法も好ましく採用される。さらに、トリエチルアミン、N,N−ジメチルアセトアミド等の塩基を添加して活性を向上させる方法を採用するのも好ましい。   When a ring-opening metathesis reaction and a hydrogenation reaction are continuously performed using a ruthenium carbene complex catalyst, a vinyl compound such as ethyl vinyl ether or a catalyst modifier such as an α-olefin is added to activate the catalyst. Then, a method of starting the hydrogenation reaction is preferably employed. Furthermore, it is also preferable to employ a method of improving the activity by adding a base such as triethylamine or N, N-dimethylacetamide.

水素添加反応は、通常、有機溶剤中で行なわれる。有機溶剤としては、生成する水素化物の溶解性により適宜選択することができ、前記重合溶剤と同様の有機溶剤を使用することができる。したがって、重合反応後、溶剤を入れ替えることなく、反応液又は該反応液からメタセシス反応触媒をろ別して得られるろ液に水素化触媒を添加して反応させることもできる。   The hydrogenation reaction is usually performed in an organic solvent. As an organic solvent, it can select suitably by the solubility of the hydride to produce | generate, The organic solvent similar to the said polymerization solvent can be used. Therefore, after the polymerization reaction, the hydrogenation catalyst can be added to the reaction solution or the filtrate obtained by filtering the metathesis reaction catalyst from the reaction solution without replacing the solvent.

水素添加反応の条件は、使用する水素化触媒の種類に応じて適宜選択すればよい。水素化触媒の使用量は、開環重合体100重量部に対して,通常0.01〜50重量部、好ましくは0.05〜20重量部、より好ましくは0.1〜10重量部である。反応温度は、通常−10℃〜+250℃、好ましくは−10℃〜+210℃、より好ましくは0℃〜+200℃である。この範囲より低い温度では反応速度が遅くなり、逆に高い温度では副反応が起こりやすくなる。水素の圧力は、通常0.01〜10.0MPa、好ましくは0.05〜8.0MPa、より好ましくは0.1〜6.0MPaである。   The conditions for the hydrogenation reaction may be appropriately selected according to the type of hydrogenation catalyst used. The amount of the hydrogenation catalyst used is usually 0.01 to 50 parts by weight, preferably 0.05 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the ring-opening polymer. . The reaction temperature is usually −10 ° C. to + 250 ° C., preferably −10 ° C. to + 210 ° C., more preferably 0 ° C. to + 200 ° C. At a temperature lower than this range, the reaction rate becomes slow. Conversely, at a high temperature, a side reaction tends to occur. The pressure of hydrogen is usually 0.01 to 10.0 MPa, preferably 0.05 to 8.0 MPa, more preferably 0.1 to 6.0 MPa.

水素添加反応の時間は、水素添加率を制御するために適宜選択される。反応時間は、通常0.1〜50時間の範囲であり、重合体中の主鎖の炭素−炭素二重結合のうち50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上、最も好ましくは95%以上を水素添加することができる。   The time for the hydrogenation reaction is appropriately selected in order to control the hydrogenation rate. The reaction time is usually in the range of 0.1 to 50 hours, and 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 90% or more, most preferably, of the carbon-carbon double bonds of the main chain in the polymer. 95% or more can be hydrogenated.

(架橋剤(B))
本発明で用いる架橋剤(B)は、加熱により架橋剤分子間に架橋構造を形成するものや、環状オレフィン系重合体(A)と反応して樹脂分子間に架橋構造を形成するものであり、具体的には、2以上の反応性基を有する化合物が挙げられる。このような反応性基としては、例えば、アミノ基、カルボキシ基、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、より好ましくはアミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基であり、さらに好ましくはアミノ基及びエポキシ基である。また、エポキシ基としては、末端エポキシ基、脂環式エポキシ基が好ましく、脂環式エポキシ基がより好ましい。
(Crosslinking agent (B))
The crosslinking agent (B) used in the present invention forms a crosslinked structure between crosslinking agent molecules by heating, or reacts with the cyclic olefin polymer (A) to form a crosslinked structure between resin molecules. Specific examples include compounds having two or more reactive groups. Examples of such a reactive group include an amino group, a carboxy group, a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group, more preferably an amino group, an epoxy group, and an isocyanate group, and further preferably an amino group and an epoxy group. It is a group. Moreover, as an epoxy group, a terminal epoxy group and an alicyclic epoxy group are preferable, and an alicyclic epoxy group is more preferable.

架橋剤(B)の分子量は、特に限定されないが、通常、100〜100,000、好ましくは300〜50,000、より好ましくは500〜10,000である。架橋剤は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Although the molecular weight of a crosslinking agent (B) is not specifically limited, Usually, it is 100-100,000, Preferably it is 300-50,000, More preferably, it is 500-10,000. A crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 types or more, respectively.

架橋剤(B)の具体例としては、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ポリアミン類;4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルフォン等の芳香族ポリアミン類;2,6−ビス(4’−アジドベンザル)シクロヘキサノン、4,4’−ジアジドジフェニルスルフォン等のアジド類;ナイロン、ポリヘキサメチレンジアミンテレレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミド等のポリアミド類;N,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサアルコキシアルキル)メラミン等のメチロール基やイミノ基等を有していても良いメラミン類(商品名「サイメル303、サイメル325、サイメル370、サイメル232、サイメル235、サイメル272、サイメル212、マイコート506」{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ、マイコートシリーズ);N,N’,N’’,N’’’−(テトラアルコキシアルキル)グリコールウリル等のメチロール基やイミノ基等を有していても良いグリコールウリル類(商品名「サイメル1170」{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ);エチレングリコールジ(メタ)アクリレート等のアクリレート化合物;ヘキサメチレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート系ポリイソシアネート、トリレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物;1,4−ジ−(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン、1,4−ジ−(ヒドロキシメチル)ノルボルナン;1,3,4−トリヒドロキシシクロヘキサン;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族グリシジルエーテル、エポキシアクリレート重合体等のエポキシ化合物;を挙げることができる。   Specific examples of the crosslinking agent (B) include aliphatic polyamines such as hexamethylenediamine; aromatic polyamines such as 4,4′-diaminodiphenyl ether and diaminodiphenylsulfone; 2,6-bis (4′-azidobenzal) Azides such as cyclohexanone and 4,4′-diazidodiphenylsulfone; polyamides such as nylon, polyhexamethylenediamineterephthalamide and polyhexamethyleneisophthalamide; N, N, N ′, N ′, N ″, Melamines which may have a methylol group such as N ″-(hexaalkoxyalkyl) melamine or an imino group (trade names “Cymel 303, Cymel 325, Cymel 370, Cymel 232, Cymel 235, Cymel 272, Cymel 212, My Coat 506 "{End Cymel series, Mycoat series, etc. made by Ndustries Co., Ltd.]; even if it has a methylol group or imino group such as N, N ′, N ″, N ′ ″-(tetraalkoxyalkyl) glycoluril, etc. Good glycolurils (trade name “Cymel 1170” {Cymele Series, made by Cytec Industries, Inc.}); acrylate compounds such as ethylene glycol di (meth) acrylate; hexamethylene diisocyanate polyisocyanate, isophorone diisocyanate polyisocyanate Isocyanate compounds such as tolylene diisocyanate polyisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate; 1,4-di- (hydroxymethyl) cyclohexane, 1,4-di- (hydroxymethyl) norbornane; , 4-trihydroxycyclohexane; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, polyphenol type epoxy resin, cyclic aliphatic epoxy resin, aliphatic glycidyl ether, epoxy acrylate heavy And epoxy compounds such as coalescence;

エポキシ化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエンを骨格とする3官能性のエポキシ化合物(商品名「XD−1000」、日本化薬社製)、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する15官能性の脂環式エポキシ樹脂、商品名「EHPE3150」、ダイセル化学工業社製)、エポキシ化3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸ビス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(脂肪族環状3官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT301」、ダイセル化学工業社製)、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製)等の脂環構造を有するエポキシ化合物;   Specific examples of the epoxy compound include a trifunctional epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton (trade name “XD-1000”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2,2-bis (hydroxymethyl) 1-butanol. 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct (15-functional alicyclic epoxy resin having a cyclohexane skeleton and a terminal epoxy group, trade name “EHPE3150”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), epoxidation 3-cyclohexene-1,2-dicarboxylate bis (3-cyclohexenylmethyl) modified ε-caprolactone (aliphatic cyclic trifunctional epoxy resin, trade name “Epolide GT301”, manufactured by Daicel Chemical Industries), epoxidized butane Tetracarboxylic acid tetrakis (3-cyclohexenylmethyl) modified ε-caprolactone (fat An epoxy compound having an alicyclic structure such as an aliphatic cyclic tetrafunctional epoxy resin, trade name “Epolide GT401” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd .;

芳香族アミン型多官能エポキシ化合物(商品名「H−434」、東都化成工業社製)、クレゾールノボラック型多官能エポキシ化合物(商品名「EOCN−1020」、日本化薬社製)、フェノールノボラック型多官能エポキシ化合物(エピコート152、154、ジャパンエポキシレジン社製)、ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ化合物(商品名EXA−4700、大日本インキ化学株式会社製)、鎖状アルキル多官能エポキシ化合物(商品名「SR−TMP」、坂本薬品工業社製)、多官能エポキシポリブタジエン(商品名「エポリードPB3600」、ダイセル化学工業社製)、グリセリンのグリシジルポリエーテル化合物(商品名「SR−GLG」、阪本薬品工業株式会社製)、ジグリセリンポリグリシジルエーテル化合物(商品名「SR−DGE」、阪本薬品工業株式会社製、ポリグリセリンポリグリシジルエーテル化合物(商品名「SR−4GL」、阪本薬品工業株式会社製)等の脂環構造を有さないエポキシ化合物;を挙げることができる。   Aromatic amine type polyfunctional epoxy compound (trade name “H-434”, manufactured by Tohto Kasei Kogyo Co., Ltd.), cresol novolac type polyfunctional epoxy compound (trade name “EOCN-1020”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), phenol novolac type Polyfunctional epoxy compounds (Epicoat 152, 154, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), polyfunctional epoxy compounds having a naphthalene skeleton (trade name EXA-4700, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), chain alkyl polyfunctional epoxy compounds (products) Name “SR-TMP”, manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., multifunctional epoxy polybutadiene (trade name “Epolide PB3600”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), glycerin glycidyl polyether compound (trade name “SR-GLG”, Sakamoto Yakuhin) Kogyo Co., Ltd.), diglycerin polyglycidyl ether compound ( Product name “SR-DGE”, Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd., polyglycerol polyglycidyl ether compound (trade name “SR-4GL”, Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd.) and other epoxy compounds having no alicyclic structure; be able to.

エポキシ化合物の中でも、エポキシ基を2つ以上有する多官能エポキシ化合物が好ましく、感放射線性樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜を耐熱形状保持性に優れるものとすることができることから、脂環構造を有し、かつ、エポキシ基が3個以上の多官能エポキシ化合物が、特に好ましい。   Among epoxy compounds, a polyfunctional epoxy compound having two or more epoxy groups is preferable, and a resin film obtained using a radiation-sensitive resin composition can be excellent in heat-resistant shape retention. And a polyfunctional epoxy compound having 3 or more epoxy groups is particularly preferable.

本発明の感放射線性樹脂組成物中における架橋剤(B)の含有量は、格別制限されず、本発明の樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜にパターンを設ける場合に求められる耐熱性の程度を考慮して任意に設定すればよいが、環状オレフィン系重合体(A)100重量部に対して、通常、20〜120重量部、好ましくは25〜100重量部、より好ましくは30〜80重量部である。架橋剤(B)が多すぎても少なすぎても耐熱性が低下する傾向がある。   The content of the crosslinking agent (B) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and the heat resistance required when a pattern is provided on a resin film obtained using the resin composition of the present invention. Although it may be arbitrarily set in consideration of the degree, it is usually 20 to 120 parts by weight, preferably 25 to 100 parts by weight, more preferably 30 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the cyclic olefin polymer (A). Parts by weight. If the crosslinking agent (B) is too much or too little, the heat resistance tends to decrease.

(感放射線化合物(C))
本発明で用いる感放射線化合物(C)は、紫外線や電子線等の放射線の照射により、化学反応を引き起こすことのできる化合物である。本発明において感放射線化合物(C)は、感放射線性樹脂組成物から形成されてなる樹脂膜のアルカリ溶解性を制御できるものが好ましく、特に、光酸発生剤を使用することが好ましい。
(Radiation sensitive compound (C))
The radiation sensitive compound (C) used in the present invention is a compound capable of causing a chemical reaction by irradiation with radiation such as ultraviolet rays and electron beams. In the present invention, the radiation sensitive compound (C) is preferably one that can control the alkali solubility of a resin film formed from the radiation sensitive resin composition, and it is particularly preferable to use a photoacid generator.

このような感放射線化合物(C)としては、例えば、アセトフェノン化合物、トリアリールスルホニウム塩、キノンジアジド化合物等のアジド化合物等が挙げられるが、好ましくはアジド化合物、特に好ましくはキノンジアジド化合物である。   Examples of such a radiation sensitive compound (C) include azide compounds such as acetophenone compounds, triarylsulfonium salts, quinonediazide compounds, and the like, preferably azide compounds, and particularly preferably quinonediazide compounds.

キノンジアジド化合物としては、例えば、キノンジアジドスルホン酸ハライドとフェノール性水酸基を有する化合物とのエステル化合物を用いることができる。キノンジアジドスルホン酸ハライドの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド等が挙げられる。フェノール性水酸基を有する化合物の代表例としては、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール等が挙げられる。これら以外のフェノール性水酸基を有する化合物としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、ノボラック樹脂のオリゴマー、フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物とジシクロペンタジエンとを共重合して得られるオリゴマー等が挙げられる。
これらの中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライドとフェノール性水酸基を有する化合物との縮合物が好ましく、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(2.0モル)との縮合物がより好ましい。
As the quinonediazide compound, for example, an ester compound of a quinonediazidesulfonic acid halide and a compound having a phenolic hydroxyl group can be used. Specific examples of the quinone diazide sulfonic acid halide include 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-benzoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Can be mentioned. Typical examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1. -[4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and the like. Other compounds having a phenolic hydroxyl group include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, tris (4- Hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (4-hydroxy-3-methylphenyl) ethane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, novolac resin oligomer, phenolic hydroxyl group Examples thereof include oligomers obtained by copolymerizing one or more compounds and dicyclopentadiene.
Among these, a condensate of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and a compound having a phenolic hydroxyl group is preferable, and 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)- A condensate of 3-phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) is more preferred.

また、光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物の他、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、α,α’−ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α’−スルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等、公知のものを用いることができる。
これらの感放射線化合物は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
In addition to quinonediazide compounds, photoacid generators include onium salts, halogenated organic compounds, α, α′-bis (sulfonyl) diazomethane compounds, α-carbonyl-α′-sulfonyldiazomethane compounds, sulfone compounds, Known compounds such as organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, and organic acid imide compounds can be used.
These radiation-sensitive compounds can be used alone or in combination of two or more.

本発明の感放射線性樹脂組成物中における感放射線化合物(C)の含有量は、環状オレフィン系重合体(A)100重量部に対して、好ましくは10〜50重量部、より好ましくは15〜45重量部、さらに好ましくは20〜40重量部の範囲である。感放射線化合物(C)の含有量がこの範囲にあれば、感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜をパターン化する際に、放射線照射部と放射線未照射部との現像液への溶解度差が大きくなり、放射線感度も高くなり、現像によるパターン化が容易であるので好適である。   The content of the radiation sensitive compound (C) in the radiation sensitive resin composition of the present invention is preferably 10 to 50 parts by weight, more preferably 15 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the cyclic olefin polymer (A). It is 45 weight part, More preferably, it is the range of 20-40 weight part. If the content of the radiation sensitive compound (C) is within this range, when patterning a resin film made of the radiation sensitive resin composition, there is a difference in solubility in the developer between the radiation irradiated portion and the radiation unirradiated portion. It is preferable because it is large, radiation sensitivity is high, and patterning by development is easy.

(チオール化合物(D))
本発明の感放射線性樹脂組成物は、上述したプロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A)、架橋剤(B)、及び感放射線化合物(C)に加えて、下記一般式(1)で表されるチオール化合物(D)を含有する。

Figure 2011075609
(Thiol compound (D))
The radiation-sensitive resin composition of the present invention includes the following general formula (1) in addition to the above-described cyclic olefin polymer (A) having a protic polar group, a crosslinking agent (B), and a radiation-sensitive compound (C). The thiol compound (D) represented by this is contained.
Figure 2011075609

上記一般式(1)中、X〜Xは、それぞれ独立して−SH、−SR、−NR’R’’又は−SM(R、R’及びR’’は、それぞれ独立して炭素数1〜5の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Mはアルカリ金属である。)でありる。また、X〜Xのうち、少なくとも1つは−SHであり、本発明においては、X〜Xのうち、少なくとも2つが−SHであることが好ましい。 In the general formula (1), X 1 to X 3 are each independently —SH, —SR, —NR′R ″ or —SM (R, R ′ and R ″ are each independently carbon. A linear or branched alkyl group of 1 to 5 and M is an alkali metal). In addition, at least one of X 1 to X 3 is —SH, and in the present invention, at least two of X 1 to X 3 are preferably —SH.

本発明の感放射線性樹脂組成物に、後述するカルボキシル基含有化合物(E)とともに、チオール化合物(D)を含有させることにより、得られる樹脂膜を、種々の材料に対する密着性が高く、ITO電極加工性、パターン加工性及び耐熱性に優れたものとすることができる。   By incorporating the thiol compound (D) together with the carboxyl group-containing compound (E) described later into the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the resulting resin film has high adhesion to various materials, and the ITO electrode It can be excellent in processability, pattern processability and heat resistance.

このようなチオール化合物(D)の具体例としては、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2−アニリノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2−モルホリル−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2−モノラウリル−4,6−ジメルカプト−s−トリアジンなどのトリアジンジチオール化合物;2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン−モノソデイウムソルトなどのトリアジントリチオール化合物;などが挙げられる。
これらのなかでも、密着性の向上効果が高いという観点より、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、及び2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジンが好ましく、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジンが特に好ましい。チオール化合物は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
Specific examples of such a thiol compound (D) include 2-dibutylamino-4,6-dimercapto-s-triazine, 2-anilino-4,6-dimercapto-s-triazine, and 2-morpholyl-4,6. -Triazine dithiol compounds such as dimercapto-s-triazine, 2-monolauryl-4,6-dimercapto-s-triazine; 2,4,6-trimercapto-s-triazine, 2,4,6-trimercapto-s -Triazine trithiol compounds such as triazine-monosodium salt;
Among these, 2-dibutylamino-4,6-dimercapto-s-triazine and 2,4,6-trimercapto-s-triazine are preferable from the viewpoint of high adhesion improving effect, and 2,4 2,6-trimercapto-s-triazine is particularly preferred. The thiol compounds can be used alone or in combination of two or more.

本発明の感放射線性樹脂組成物中におけるチオール化合物(D)の含有量は、環状オレフィン系重合体(A)100重量部に対して、好ましくは1〜10重量部、より好ましくは1.5〜7.5重量部、さらに好ましくは2〜5重量部の範囲である。チオール化合物(D)の含有量が少なすぎると、密着性の低下や、ITO電極加工性の低下、さらには、パターニング後の樹脂膜を加熱した際にパターンが変化してしまうという不都合が生じる場合があり、一方、多すぎると、樹脂膜の透明性が低下してしまったり、感放射線性樹脂組成物を保存していると粘度が変化したり微粒子が増加してしまうといったように保存安定性が悪化してしまう場合がある。   The content of the thiol compound (D) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 1 to 10 parts by weight, more preferably 1.5 parts per 100 parts by weight of the cyclic olefin polymer (A). It is -7.5 weight part, More preferably, it is the range of 2-5 weight part. When the content of the thiol compound (D) is too small, there is a problem in that the adhesiveness decreases, the ITO electrode processability decreases, and further, the pattern changes when the resin film after patterning is heated. On the other hand, if it is too much, the transparency of the resin film will decrease, and if the radiation sensitive resin composition is stored, the viscosity will change and the storage stability will increase so that the fine particles will increase. May get worse.

(カルボキシル基含有化合物(E))
また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、上述したプロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A)、架橋剤(B)、及び感放射線化合物(C)、チオール化合物(D)に加えて、カルボキシル基含有化合物(E)を含有する。
(Carboxyl group-containing compound (E))
Moreover, the radiation sensitive resin composition of this invention is the above-mentioned cyclic olefin polymer (A) which has a protic polar group, a crosslinking agent (B), a radiation sensitive compound (C), and a thiol compound (D). In addition, it contains a carboxyl group-containing compound (E).

カルボキシル基含有化合物(E)としては、カルボキシル基を含有する化合物であればよく特に限定されないが、酸解離定数pKaが2.5以上、4.5以下の範囲にあるものが好ましい。また、カルボキシル基を2つ以上有する化合物である場合には、第一解離定数pKa1が上記範囲にあるものが好ましい。なお、pKaは、希薄水溶液条件下で、酸解離定数Ka=[H][B]/[BH]を測定し、pKa=−logKaにしたがって、求められる。ここでBHは、有機酸を表し、Bは有機酸の共役塩基を表す。
また、pKaの測定方法は、例えばpHメーターを用いて水素イオン濃度を測定し、該当物質の濃度と水素イオン濃度から算出することができる。
The carboxyl group-containing compound (E) is not particularly limited as long as it is a compound containing a carboxyl group, but those having an acid dissociation constant pKa in the range of 2.5 to 4.5 are preferred. Moreover, when it is a compound which has two or more carboxyl groups, what has 1st dissociation constant pKa1 in the said range is preferable. The pKa is obtained according to pKa = −logKa by measuring the acid dissociation constant Ka = [H 3 O + ] [B ] / [BH] under dilute aqueous solution conditions. Here, BH represents an organic acid, and B represents a conjugate base of the organic acid.
Moreover, the measuring method of pKa can calculate hydrogen ion concentration, for example using a pH meter, and can calculate from the density | concentration of a relevant substance, and hydrogen ion concentration.

また、カルボキシル基含有化合物(E)は、カルボキシル基以外の置換基を有していてもよい。
このような置換基としては、アルキル基、アリール基等の炭化水素基のほか、ハロゲン原子;アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヘテロ環オキシ基;アルキル基又はアリール基又は複素環基で置換されたアミノ基、アシルアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基;アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基;等のプロトンを有しない極性基、これらのプロトンを有しない極性基で置換された炭化水素基、等を挙げることができる。
Moreover, the carboxyl group-containing compound (E) may have a substituent other than the carboxyl group.
As such substituents, in addition to hydrocarbon groups such as alkyl groups and aryl groups, halogen atoms; alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, heterocyclic oxy groups; substituted with alkyl groups, aryl groups, or heterocyclic groups Polar groups having no proton such as amino group, acylamino group, ureido group, sulfamoylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group; alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group; Examples thereof include a hydrocarbon group substituted with a polar group having no proton.

このようなカルボキシル基含有化合物(E)の具体例としては、メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、グリコール酸、グリセリン酸、エタン二酸(「シュウ酸」ともいう。)、プロパン二酸(「マロン酸」ともいう。)、ブタン二酸(「コハク酸」ともいう。)、ペンタン二酸、ヘキサン二酸(「アジピン酸」ともいう。)、1、2―シクロヘキサンジカルボン酸、2−オキソプロパン酸、2−ヒドロキシブタン二酸、2−ヒドロキシプロパントリカルボン酸、メルカプトこはく酸、ジメルカプトこはく酸等の脂肪族カルボン酸化合物;   Specific examples of such a carboxyl group-containing compound (E) include methanoic acid, ethanoic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decane. Acid, glycolic acid, glyceric acid, ethanedioic acid (also referred to as “oxalic acid”), propanedioic acid (also referred to as “malonic acid”), butanedioic acid (also referred to as “succinic acid”), pentanedioic acid Hexane diacid (also referred to as “adipic acid”), 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 2-oxopropanoic acid, 2-hydroxybutanedioic acid, 2-hydroxypropanetricarboxylic acid, mercaptosuccinic acid, dimercaptosuccinic acid, etc. An aliphatic carboxylic acid compound of

安息香酸、p−ヒドロキシベンゼンカルボン酸、o−ヒドロキシベンゼンカルボン酸、2−ナフタレンカルボン酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸、3−フェニルプロパン酸、2−ヒドロキシ安息香酸、ジヒドロキシ安息香酸、ジメトキシ安息香酸、ベンゼン−1,2−ジカルボン酸(「フタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,3−ジカルボン酸(「イソフタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,4−ジカルボン酸(「テレフタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,2,3−トリカルボン酸、ベンゼン−1,2,4−トリカルボン酸、ベンゼン−1,3,5−トリカルボン酸、ベンゼンヘキサカルボン酸、ビフェニル−2,2’−ジカルボン酸、2−(カルボキシメチル)安息香酸、3−(カルボキシメチル)安息香酸、4−(カルボキシメチル)安息香酸、2−(カルボキシカルボニル)安息香酸、3−(カルボキシカルボニル)安息香酸、4−(カルボキシカルボニル)安息香酸、2−メルカプト安息香酸、4−メルカプト安息香酸、2−メルカプト−6−ナフタレンカルボン酸、2−メルカプト−7−ナフタレンカルボン酸等の芳香族カルボン酸化合物;   Benzoic acid, p-hydroxybenzenecarboxylic acid, o-hydroxybenzenecarboxylic acid, 2-naphthalenecarboxylic acid, methylbenzoic acid, dimethylbenzoic acid, trimethylbenzoic acid, 3-phenylpropanoic acid, 2-hydroxybenzoic acid, dihydroxybenzoic acid , Dimethoxybenzoic acid, benzene-1,2-dicarboxylic acid (also referred to as “phthalic acid”), benzene-1,3-dicarboxylic acid (also referred to as “isophthalic acid”), benzene-1,4-dicarboxylic acid ( Also referred to as “terephthalic acid”), benzene-1,2,3-tricarboxylic acid, benzene-1,2,4-tricarboxylic acid, benzene-1,3,5-tricarboxylic acid, benzenehexacarboxylic acid, biphenyl-2 , 2'-dicarboxylic acid, 2- (carboxymethyl) benzoic acid, 3- (carboxymethyl) benzoic acid 4- (carboxymethyl) benzoic acid, 2- (carboxycarbonyl) benzoic acid, 3- (carboxycarbonyl) benzoic acid, 4- (carboxycarbonyl) benzoic acid, 2-mercaptobenzoic acid, 4-mercaptobenzoic acid, 2- Aromatic carboxylic acid compounds such as mercapto-6-naphthalenecarboxylic acid and 2-mercapto-7-naphthalenecarboxylic acid;

ニコチン酸、イソニコチン酸、2−フロ酸、ピロール−2,3−ジカルボン酸、ピロール−2,4−ジカルボン酸、ピロール−2,5−ジカルボン酸、ピロール−3,4−ジカルボン酸、イミダゾール−2,4−ジカルボン酸、イミダゾール−2,5−ジカルボン酸、イミダゾール−4,5−ジカルボン酸、ピラゾール−3,4−ジカルボン酸、ピラゾール−3,5−ジカルボン酸等の窒素原子を含む五員複素環を有するカルボン酸化合物;チオフェン−2,3−ジカルボン酸、チオフェン−2,4−ジカルボン酸、チオフェン−2,5−ジカルボン酸、チオフェン−3,4−ジカルボン酸、チアゾール−2,4−ジカルボン酸、チアゾール−2,5−ジカルボン酸、チアゾール−4,5−ジカルボン酸、イソチアゾール−3,4−ジカルボン酸、イソチアゾール−3,5−ジカルボン酸、1,2,4−チアジアゾール−2,5−ジカルボン酸、1,3,4−チアジアゾール−2,5−ジカルボン酸、3−(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルスルファニル)こはく酸、2−(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルスルファニル)こはく酸、(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)酢酸、(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)酢酸、3−(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)プロピオン酸、2−(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)プロピオン酸、3−(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)コハク酸、2−(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)コハク酸、4−(3−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオブタンスルホン酸、4−(2−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−5−イル)チオブタンスルホン酸等の窒素原子と硫黄原子を含む五員複素環を有するカルボン酸化合物;   Nicotinic acid, isonicotinic acid, 2-furoic acid, pyrrole-2,3-dicarboxylic acid, pyrrole-2,4-dicarboxylic acid, pyrrole-2,5-dicarboxylic acid, pyrrole-3,4-dicarboxylic acid, imidazole Five-membered nitrogen atoms such as 2,4-dicarboxylic acid, imidazole-2,5-dicarboxylic acid, imidazole-4,5-dicarboxylic acid, pyrazole-3,4-dicarboxylic acid, pyrazole-3,5-dicarboxylic acid Carboxylic acid compound having a heterocyclic ring; thiophene-2,3-dicarboxylic acid, thiophene-2,4-dicarboxylic acid, thiophene-2,5-dicarboxylic acid, thiophene-3,4-dicarboxylic acid, thiazole-2,4- Dicarboxylic acid, thiazole-2,5-dicarboxylic acid, thiazole-4,5-dicarboxylic acid, isothiazole-3,4-dicarbo Acid, isothiazole-3,5-dicarboxylic acid, 1,2,4-thiadiazole-2,5-dicarboxylic acid, 1,3,4-thiadiazole-2,5-dicarboxylic acid, 3- (5-mercapto-1) , 2,4-thiadiazol-3-ylsulfanyl) succinic acid, 2- (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylsulfanyl) succinic acid, (5-mercapto-1,2,4-thiadiazole) -3-ylthio) acetic acid, (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylthio) acetic acid, 3- (5-mercapto-1,2,4-thiadiazol-3-ylthio) propionic acid, 2- (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylthio) propionic acid, 3- (5-mercapto-1,2,4-thiadiazol-3-ylthio) succinate 2- (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylthio) succinic acid, 4- (3-mercapto-1,2,4-thiadiazol-5-yl) thiobutanesulfonic acid, 4- ( Carboxylic acid compounds having a 5-membered heterocyclic ring containing a nitrogen atom and a sulfur atom, such as 2-mercapto-1,3,4-thiadiazol-5-yl) thiobutanesulfonic acid;

ピリジン−2,3−ジカルボン酸、ピリジン−2,4−ジカルボン酸、ピリジン−2,5−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、ピリジン−3,4−ジカルボン酸、ピリジン−3,5−ジカルボン酸、ピリダジン−3,4−ジカルボン酸、ピリダジン−3,5−ジカルボン酸、ピリダジン−3,6−ジカルボン酸、ピリダジン−4,5−ジカルボン酸、ピリミジン−2,4−ジカルボン酸、ピリミジン−2,5−ジカルボン酸、ピリミジン−4,5−ジカルボン酸、ピリミジン−4,6−ジカルボン酸、ピラジン−2,3−ジカルボン酸、ピラジン−2,5−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、トリアジン−2,4−ジカルボン酸等の窒素原子を含む六員複素環を有するカルボン酸化合物;が挙げられる。
これらの中でも、得られる保護膜の密着性をより高めることができるという観点から、カルボキシル基の数は、2つ以上であることが好ましく、2つが特に好ましい。
Pyridine-2,3-dicarboxylic acid, pyridine-2,4-dicarboxylic acid, pyridine-2,5-dicarboxylic acid, pyridine-2,6-dicarboxylic acid, pyridine-3,4-dicarboxylic acid, pyridine-3,5 -Dicarboxylic acid, pyridazine-3,4-dicarboxylic acid, pyridazine-3,5-dicarboxylic acid, pyridazine-3,6-dicarboxylic acid, pyridazine-4,5-dicarboxylic acid, pyrimidine-2,4-dicarboxylic acid, pyrimidine -2,5-dicarboxylic acid, pyrimidine-4,5-dicarboxylic acid, pyrimidine-4,6-dicarboxylic acid, pyrazine-2,3-dicarboxylic acid, pyrazine-2,5-dicarboxylic acid, pyridine-2,6- And carboxylic acid compounds having a six-membered heterocyclic ring containing a nitrogen atom such as dicarboxylic acid and triazine-2,4-dicarboxylic acid.
Among these, the number of carboxyl groups is preferably 2 or more, and particularly preferably 2 from the viewpoint that the adhesion of the protective film obtained can be further improved.

本発明の感放射線性樹脂組成物中におけるカルボキシル基含有化合物(E)の含有量は、環状オレフィン系重合体(A)100重量部に対して、好ましくは1〜15重量部、より好ましくは1.5〜10重量部、さらに好ましくは2〜5重量部の範囲である。カルボキシル基含有化合物(E)の含有量が少なすぎると、密着性の低下や、ITO電極加工性の低下、さらには、パターニング後の樹脂膜を加熱した際にパターンが変化してしまうという不都合が生じる場合があり、一方、多すぎると、現像液への溶解性が高すぎるためにパターニング時の膜残存部と膜溶解部の溶解度比率が小さくなってしまい、パターニングが不可となったり、感放射線性樹脂組成物を保存していると粘度が変化したり微粒子が増加してしまうといったように保存安定性が悪化してしまう場合がある。   The content of the carboxyl group-containing compound (E) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 1 to 15 parts by weight, more preferably 1 to 100 parts by weight of the cyclic olefin polymer (A). The range is from 5 to 10 parts by weight, more preferably from 2 to 5 parts by weight. If the content of the carboxyl group-containing compound (E) is too small, there is a disadvantage that the adhesiveness decreases, the ITO electrode processability decreases, and the pattern changes when the patterned resin film is heated. On the other hand, if the amount is too large, the solubility ratio in the developing solution is too high, so that the solubility ratio of the remaining film portion and the film dissolving portion at the time of patterning becomes small, and patterning becomes impossible or radiation sensitive. When the functional resin composition is stored, the storage stability may deteriorate such that the viscosity changes or the fine particles increase.

また、本発明の感放射線性樹脂組成物には、上記各成分に加えて、溶剤が含有されていてもよい。溶剤としては、特に限定されず、感放射線性樹脂組成物の溶剤として公知のもの、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、4−オクタノンなどの直鎖のケトン類;n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類;セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロラクトンなどの飽和γ−ラクトン類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらの溶剤は、単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。溶剤の含有量は、重合体(A)100重量部に対して、好ましくは400〜2,000重量部、より好ましくは450〜1,600重量部、さらに好ましくは500〜1,200重量部の範囲である。   Moreover, in addition to each said component, the solvent may contain in the radiation sensitive resin composition of this invention. The solvent is not particularly limited, and is known as a solvent for the radiation sensitive resin composition, for example, acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone. Linear ketones such as 2-octanone, 3-octanone and 4-octanone; alcohols such as n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol and cyclohexanol; ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and dioxane Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, and other alcohol ethers; propyl formate, butyl formate, propyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, propio Esters such as ethyl acid, methyl butyrate, ethyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate; cellosolve esters such as cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate; propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycols such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether; diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether Diethylene glycols; saturated γ-lactones such as γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-caprolactone; halogenated hydrocarbons such as trichloroethylene; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Examples include polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylformamide, and N-methylacetamide. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The content of the solvent is preferably 400 to 2,000 parts by weight, more preferably 450 to 1,600 parts by weight, and even more preferably 500 to 1,200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer (A). It is a range.

さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、所望により、界面活性剤、カップリング剤又はその誘導体、増感剤、潜在的酸発生剤、酸化防止剤、光安定剤、消泡剤、顔料、染料、フィラー等のその他の配合剤;等を含有していてもよい。   Furthermore, the radiation-sensitive resin composition of the present invention is a surfactant, a coupling agent or a derivative thereof, a sensitizer, a latent acid generator, an oxidation, if desired, as long as the effects of the present invention are not inhibited. Other compounding agents such as an inhibitor, a light stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a dye, and a filler;

界面活性剤は、ストリエーション(塗布筋あと)の防止、現像性の向上等の目的で使用される。界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤;フッ素系界面活性剤;シリコーン系界面活性剤;メタクリル酸共重合体系界面活性剤;アクリル酸共重合体系界面活性剤;等が挙げられる。   The surfactant is used for the purpose of preventing striation (after application stripes) and improving developability. Specific examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, and the like. Polyoxyethylene aryl ethers; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; Fluorine surfactants; Silicone surfactants; Methacrylic acid copolymer System surfactants; acrylic acid copolymer system surfactants; and the like.

カップリング剤又はその誘導体は、感放射線性樹脂組成物からなる樹脂膜の密着性をより高める効果を有する。カップリング剤又はその誘導体としては、ケイ素原子、チタン原子、アルミニウム原子、ジルコニウム原子から選ばれる1つの原子を有し、該原子に結合したヒドロカルビルオキシ基又はヒドロキシ基を有する化合物等が使用できる。   The coupling agent or derivative thereof has an effect of further improving the adhesion of the resin film made of the radiation sensitive resin composition. As the coupling agent or derivative thereof, a compound having one atom selected from a silicon atom, a titanium atom, an aluminum atom, and a zirconium atom and having a hydrocarbyloxy group or a hydroxy group bonded to the atom can be used.

カップリング剤又はその誘導体としては、例えば、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−ペンチルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘプチルトリメトキシシラン、n−オクチルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−エチル(トリメトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン、3−エチル(トリエトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィドなどのトリアルコキシシラン類、
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−i−プロピルジメトキシシラン、ジ−i−プロピルジエトキシシラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ペンチルジメトキシシラン、ジ−n−ペンチルジエトキシシラン、ジ−n−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−n−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−n−へプチルジメトキシシラン、ジ−n−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−n−オクチルジメトキシシラン、ジ−n−オクチルジエトキシシラン、ジ−n−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−n−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのジアルコキシシラン類の他、
メチルトリアセチルオキシシラン、ジメチルジアセチルオキシシラン、商品名X−12−414、KBP−44(信越化学工業株式会社製)、217FLAKE、220FLAKE、233FLAKE、z6018(東レダウコーニング株式会社製)等のケイ素原子含有化合物;
As a coupling agent or a derivative thereof, for example,
Tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane,
Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, n- Butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, p-styryl Trimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyl Nyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 3-amino Propyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyl Limethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyl Triethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-ethyl (trimethoxysilylpropoxymethyl) oxetane, 3-ethyl (triethoxysilylpropoxymethyl) Kisetan, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl - butylidene) propylamine, trialkoxysilanes such as bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide,
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-i-propyldimethoxysilane, di-i-propyldiethoxy Silane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n-pentyldiethoxysilane, di-n-hexyldimethoxysilane, di-n-hexyldiethoxysilane, di-n-heptyl Dimethoxysilane, di-n-heptyldiethoxysilane, di-n-octyldimethoxysilane, di-n-octyldiethoxysilane, di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, Diphenyldie Xysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-acryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropylmethyldiethoxysilane In addition to dialkoxysilanes such as N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane,
Silicon atoms such as methyltriacetyloxysilane, dimethyldiacetyloxysilane, trade names X-12-414, KBP-44 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 217FLAKE, 220FLAKE, 233FLAKE, z6018 (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) Containing compounds;

(テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、チタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、プロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタンの他、プレンアクトシリーズ(味の素ファインテクノ株式会社製))等のチタン原子含有化合物;
(アセトアルコキシアルミウムジイソプロピレート)等のアルミニウム原子含有化合物;
(テトラノルマルプロポキシジルコニウム、テトラノルマルブトキシジルコニウム、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシアセチルアセトネート、ジルコニウムものブトキシアセチルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムジブトキシビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシステアレート)等のジルコニウム原子含有化合物;が挙げられる。
(Tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, titanium-i-propoxyoctylene glycolate, di-i-propoxybis (acetylacetonato) titanium, propanedi Oxytitanium bis (ethylacetoacetate), tri-n-butoxytitanium monostearate, di-i-propoxytitanium distearate, titanium stearate, di-i-propoxytitanium diisostearate, (2-n-butoxycarbonyl Titanium atom-containing compounds such as benzoyloxy) tributoxytitanium, di-n-butoxy bis (triethanolaminato) titanium, as well as the preneact series (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.);
An aluminum atom-containing compound such as (acetoalkoxyaluminum diisopropylate);
(Tetranormal propoxyzirconium, tetranormalbutoxyzirconium, zirconium tetraacetylacetonate, zirconium tributoxyacetylacetonate, zirconium butoxyacetylacetonate bis (ethylacetoacetate), zirconium dibutoxybis (ethylacetoacetate), zirconium tetraacetyl Zirconium atom-containing compounds such as acetonate and zirconium tributoxy systemate).

増感剤の具体例としては、2H−ピリド−(3,2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−(3,2−b)−1,4−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。   Specific examples of the sensitizer include 2H-pyrido- (3,2-b) -1,4-oxazin-3 (4H) -ones, 10H-pyrido- (3,2-b) -1,4. -Benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans, maleimides and the like.

潜在的酸発生剤は、本発明の感放射線性樹脂組成物の耐熱性及び耐薬品性を向上する目的で使用される。その具体例としては、加熱により酸を発生するカチオン重合触媒である、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等が挙げられる。これらの中でも、スルホニウム塩及びベンゾチアゾリウム塩が好ましい。   The latent acid generator is used for the purpose of improving the heat resistance and chemical resistance of the radiation-sensitive resin composition of the present invention. Specific examples thereof include sulfonium salts, benzothiazolium salts, ammonium salts, and phosphonium salts, which are cationic polymerization catalysts that generate an acid upon heating. Of these, sulfonium salts and benzothiazolium salts are preferred.

酸化防止剤としては、通常の重合体に使用されている、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤等が使用できる。例えば、フェノール類として、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、p−メトキシフェノール、スチレン化フェノール、n−オクタデシル−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3’−t−ブチル−5’−メチル−2’−ヒドロキシベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、アルキル化ビスフェノール等を挙げることができる。リン系酸化防止剤としては、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリス(ノニルフェニル)、イオウ系としては、チオジプロピオン酸ジラウリル等が挙げられる。   As the antioxidant, there can be used phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants, sulfur antioxidants, lactone antioxidants and the like used in ordinary polymers. For example, as phenols, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, p-methoxyphenol, styrenated phenol, n-octadecyl-3- (3 ′, 5′-di-t-butyl-4 '-Hydroxyphenyl) propionate, 2,2'-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2-t-butyl-6- (3'-t-butyl-5'-methyl-2' -Hydroxybenzyl) -4-methylphenyl acrylate, 4,4'-butylidene-bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-thio-bis (3-methyl-6-tert-butylphenol) ), Pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], alkylated bisphenols, etc. Can. Examples of the phosphorus-based antioxidant include triphenyl phosphite and tris (nonylphenyl) phosphite. Examples of the sulfur-based antioxidant include dilauryl thiodipropionate.

光安定剤としては、ベンゾフェノン系、サリチル酸エステル系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、金属錯塩系等の紫外線吸収剤、ヒンダ−ドアミン系(HALS)等、光により発生するラジカルを捕捉するもの等のいずれでもよい。これらのなかでも、HALSはピペリジン構造を有する化合物で、感放射線性樹脂組成物に対し着色が少なく、安定性がよいため好ましい。具体的な化合物としては、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル/トリデシル1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート、ビス(1−オクチロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート等が挙げられる。   Examples of light stabilizers include ultraviolet absorbers such as benzophenone-based, salicylic acid ester-based, benzotriazole-based, cyanoacrylate-based, and metal complex-based salts, hindered amine-based (HALS), and the like that capture radicals generated by light. Either is acceptable. Among these, HALS is a compound having a piperidine structure, and is preferable because it is less colored and has good stability with respect to the radiation-sensitive resin composition. Specific compounds include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl / tridecyl 1,2,3,4 -Butanetetracarboxylate, bis (1-octyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate and the like.

本発明の感放射線性樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、感放射線性樹脂組成物を構成する各成分を公知の方法により混合すればよい。
混合の方法は特に限定されないが、感放射線性樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散して得られる溶液又は分散液を混合するのが好ましい。これにより、感放射線性樹脂組成物は、溶液又は分散液の形態で得られる。
The preparation method of the radiation sensitive resin composition of this invention is not specifically limited, What is necessary is just to mix each component which comprises a radiation sensitive resin composition by a well-known method.
The mixing method is not particularly limited, but it is preferable to mix a solution or dispersion obtained by dissolving or dispersing each component constituting the radiation-sensitive resin composition in a solvent. Thereby, a radiation sensitive resin composition is obtained with the form of a solution or a dispersion liquid.

感放射線性樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散する方法は、常法に従えばよい。具体的には、攪拌子とマグネティックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用して行なうことができる。また、各成分を溶剤に溶解又は分散した後に、例えば、孔径が0.5μm程度のフィルター等を用いて濾過してもよい。   The method for dissolving or dispersing each component constituting the radiation-sensitive resin composition may be in accordance with a conventional method. Specifically, stirring using a stirrer and a magnetic stirrer, a high-speed homogenizer, a disper, a planetary stirrer, a twin-screw stirrer, a ball mill, a three-roll, etc. can be used. Further, after each component is dissolved or dispersed in a solvent, it may be filtered using, for example, a filter having a pore size of about 0.5 μm.

本発明の感放射線性樹脂組成物の固形分濃度は、通常、1〜70重量%、好ましくは5〜60重量%、より好ましくは10〜50重量%である。固形分濃度がこの範囲にあれば、溶解安定性、塗布性や形成される樹脂膜の膜厚均一性、平坦性等が高度にバランスされ得る。   The solid content concentration of the radiation-sensitive resin composition of the present invention is usually 1 to 70% by weight, preferably 5 to 60% by weight, and more preferably 10 to 50% by weight. If the solid content concentration is within this range, dissolution stability, coating properties, film thickness uniformity of the formed resin film, flatness, and the like can be highly balanced.

(積層体)
本発明の積層体は、上述した本発明の感放射線性樹脂組成物から形成される樹脂膜と、基板とを有し、たとえば、上述した本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に樹脂膜を形成させた後、必要に応じて樹脂膜を架橋させることにより、得ることができる。
(Laminate)
The laminate of the present invention has a resin film formed from the above-described radiation-sensitive resin composition of the present invention and a substrate. For example, on the substrate using the radiation-sensitive resin composition of the present invention described above. After the resin film is formed, the resin film can be cross-linked as necessary.

本発明において、基板は、例えば、プリント配線基板、シリコンウエハー基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。基板は、基板表面が物理的及び/又は化学的に表面処理を施されていてもよく、また基板表面に他の薄膜が形成された複数の層構造を有していてもよい。また、ディスプレイ分野において使用される、ガラス基板やプラスチック基板等に薄型トランジスタ型液晶表示素子、薄膜トランジスタ、有機ELなどの各種素子、カラーフィルター、ブラックマトリックス等が形成されたものも好適に用いられる。   In the present invention, for example, a printed wiring board, a silicon wafer substrate, a glass substrate, a plastic substrate, or the like can be used as the substrate. The substrate surface may be physically and / or chemically surface treated, and may have a multiple layer structure in which other thin films are formed on the substrate surface. Further, a glass substrate, a plastic substrate, or the like used in the display field, in which various elements such as a thin transistor type liquid crystal display element, a thin film transistor, and an organic EL, a color filter, a black matrix, and the like are suitably used.

樹脂膜を基板上に形成する方法は、特に限定されず、例えば、塗布法やフィルム積層法等の方法を用いることができる。   The method for forming the resin film on the substrate is not particularly limited, and for example, a method such as a coating method or a film lamination method can be used.

塗布法は、例えば、感放射線性樹脂組成物を、塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去する方法である。感放射線性樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて異なるが、通常、30〜150℃、好ましくは60〜120℃で、通常、0.5〜90分間、好ましくは1〜60分間、より好ましくは1〜30分間で行なえばよい。   The application method is, for example, a method in which a radiation-sensitive resin composition is applied and then dried by heating to remove the solvent. Examples of the method for applying the radiation sensitive resin composition include various methods such as a spray method, a spin coating method, a roll coating method, a die coating method, a doctor blade method, a spin coating method, a bar coating method, and a screen printing method. Can be adopted. The heating and drying conditions vary depending on the type and blending ratio of each component, but are usually 30 to 150 ° C., preferably 60 to 120 ° C., usually 0.5 to 90 minutes, preferably 1 to 60 minutes, and more. Preferably it may be performed in 1 to 30 minutes.

フィルム積層法は、感放射線性樹脂組成物を、樹脂フィルムや金属フィルム等のBステージフィルム形成用基材上に塗布した後に加熱乾燥により溶剤を除去してBステージフィルムを得、次いで、このBステージフィルムを、基材上に、積層する方法である。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、加熱温度は、通常、30〜150℃であり、加熱時間は、通常、0.5〜90分間である。フィルム積層は、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の圧着機を用いて行なうことができる。   In the film lamination method, the radiation-sensitive resin composition is applied onto a B-stage film-forming substrate such as a resin film or a metal film, and then the solvent is removed by heat drying to obtain a B-stage film. In this method, a stage film is laminated on a substrate. The heating and drying conditions can be appropriately selected according to the type and mixing ratio of each component, but the heating temperature is usually 30 to 150 ° C., and the heating time is usually 0.5 to 90 minutes. . Film lamination can be performed using a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, a roll laminator or the like.

基板上に形成される樹脂膜の厚さとしては、特に限定されず、用途に応じて適宜設定すればよいが、樹脂膜の厚さは、好ましくは0.1〜100μm、より好ましくは0.5〜50μm、さらに好ましくは0.5〜30μmである。   The thickness of the resin film formed on the substrate is not particularly limited and may be set as appropriate according to the application. The thickness of the resin film is preferably 0.1 to 100 μm, more preferably 0. It is 5-50 micrometers, More preferably, it is 0.5-30 micrometers.

また、本発明の感放射線性樹脂組成物が架橋剤(B)を含むものであるため、上記した塗布法又はフィルム積層法により形成した樹脂膜について、架橋反応を行なうことができる。このような架橋は、架橋剤(B)の種類に応じて適宜方法を選択すればよいが、通常、加熱により行なう。加熱方法は、例えば、ホットプレート、オーブン等を用いて行なうことができる。加熱温度は、通常、180〜250℃であり、加熱時間は、樹脂膜の面積や厚さ、使用機器等により適宜選択され、例えばホットプレートを用いる場合は、通常、5〜60分間、オーブンを用いる場合は、通常、30〜90分間の範囲である。加熱は、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活性ガスとしては、酸素を含まず、かつ、樹脂膜を酸化させないものであればよく、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン等が挙げられる。これらの中でも窒素とアルゴンが好ましく、特に窒素が好ましい。特に、酸素含有量が0.1体積%以下、好ましくは0.01体積%以下の不活性ガス、特に窒素が好適である。これらの不活性ガスは、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Moreover, since the radiation sensitive resin composition of this invention contains a crosslinking agent (B), a crosslinking reaction can be performed about the resin film formed by the above-mentioned coating method or film lamination method. Such crosslinking may be appropriately selected depending on the type of the crosslinking agent (B), but is usually performed by heating. The heating method can be performed using, for example, a hot plate or an oven. The heating temperature is usually 180 to 250 ° C., and the heating time is appropriately selected according to the area and thickness of the resin film, the equipment used, and the like. For example, when using a hot plate, the oven is usually used for 5 to 60 minutes. When used, it is usually in the range of 30 to 90 minutes. Heating may be performed in an inert gas atmosphere as necessary. The inert gas is not particularly limited as long as it does not contain oxygen and does not oxidize the resin film. Examples thereof include nitrogen, argon, helium, neon, xenon, and krypton. Among these, nitrogen and argon are preferable, and nitrogen is particularly preferable. In particular, an inert gas having an oxygen content of 0.1% by volume or less, preferably 0.01% by volume or less, particularly nitrogen is suitable. These inert gases can be used alone or in combination of two or more.

また、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて形成された樹脂膜は、パターン化されていてもよい。
樹脂膜をパターン化する方法としては、例えば、パターン化前の樹脂膜に活性放射線を照射して潜像パターンを形成し、次いで潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させることによりパターンを顕在化させる方法などが挙げられる。
Moreover, the resin film formed using the radiation sensitive resin composition of this invention may be patterned.
As a method of patterning the resin film, for example, the latent image pattern is formed by irradiating the resin film before patterning with active radiation, and then the developer is brought into contact with the resin film having the latent image pattern. The method of making it manifest is mentioned.

活性放射線としては、感放射線性樹脂組成物に含有される感放射線化合物(C)を活性化させ、感放射線化合物(C)を含む感放射線性樹脂組成物のアルカリ可溶性を変化させることができるものであれば特に限定されない。具体的には、紫外線、g線やi線等の単一波長の紫外線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線;電子線のような粒子線;等を用いることができる。これらの活性放射線を選択的にパターン状に照射して潜像パターンを形成する方法としては、常法に従えばよく、例えば、縮小投影露光装置等により、紫外線、g線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線を所望のマスクパターンを介して照射する方法、又は電子線等の粒子線により描画する方法等を用いることができる。活性放射線として光線を用いる場合は、単一波長光であっても、混合波長光であってもよい。照射条件は、使用する活性放射線に応じて適宜選択されるが、例えば、波長200〜450nmの光線を使用する場合、照射量は、通常10〜1,000mJ/cm、好ましくは50〜500mJ/cmの範囲であり、照射時間と照度に応じて決まる。このようにして活性放射線を照射した後、必要に応じ、保護膜を60〜130℃程度の温度で1〜2分間程度加熱処理する。 As actinic radiation, what can activate the radiation sensitive compound (C) contained in a radiation sensitive resin composition, and can change the alkali solubility of the radiation sensitive resin composition containing a radiation sensitive compound (C). If it is, it will not specifically limit. Specifically, ultraviolet rays, ultraviolet rays having a single wavelength such as g-line or i-line, light rays such as KrF excimer laser light and ArF excimer laser light; particle beams such as electron beams; As a method for selectively irradiating these actinic radiations in a pattern to form a latent image pattern, a conventional method may be used. For example, ultraviolet, g-line, i-line, KrF excimer is used by a reduction projection exposure apparatus or the like. A method of irradiating a light beam such as laser light or ArF excimer laser light through a desired mask pattern, a method of drawing with a particle beam such as an electron beam, or the like can be used. When a light beam is used as the active radiation, it may be single wavelength light or mixed wavelength light. Although irradiation conditions are suitably selected according to the actinic radiation to be used, for example, when using light with a wavelength of 200 to 450 nm, the irradiation amount is usually 10 to 1,000 mJ / cm 2 , preferably 50 to 500 mJ /. It is a range of cm 2 and is determined according to irradiation time and illuminance. After irradiation with actinic radiation in this manner, the protective film is heat-treated at a temperature of about 60 to 130 ° C. for about 1 to 2 minutes as necessary.

次に、パターン化前の樹脂膜に形成された潜像パターンを現像して顕在化させる。現像液としては、通常、アルカリ性化合物の水性溶液が用いられる。アルカリ性化合物としては、例えば、アルカリ金属塩、アミン、アンモニウム塩を使用することができる。アルカリ性化合物は、無機化合物であっても有機化合物であってもよい。これらの化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等のアルカリ金属塩;アンモニア水;エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一級アミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第二級アミン;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン;ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、N−メチルピロリドン等の環状アミン類;等が挙げられる。これらアルカリ性化合物は、それぞれ単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   Next, the latent image pattern formed on the resin film before patterning is developed and made visible. As the developer, an aqueous solution of an alkaline compound is usually used. As the alkaline compound, for example, an alkali metal salt, an amine, or an ammonium salt can be used. The alkaline compound may be an inorganic compound or an organic compound. Specific examples of these compounds include alkali metal salts such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and sodium metasilicate; ammonia water; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; diethylamine Secondary amines such as di-n-propylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide and choline Alcohol alcohols such as dimethylethanolamine and triethanolamine; pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5 -En, N-Me Cyclic amines such as Rupiroridon; and the like. These alkaline compounds can be used alone or in combination of two or more.

アルカリ水性溶液の水性媒体としては、水;メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤を使用することができる。アルカリ水性溶液は、界面活性剤等を適当量添加したものであってもよい。
潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法等の方法が用いられる。現像は、通常、0〜100℃、好ましくは5〜55℃、より好ましくは10〜30℃の範囲で、通常、30〜180秒間の範囲で適宜選択される。
As an aqueous medium of the alkaline aqueous solution, water; water-soluble organic solvents such as methanol and ethanol can be used. The alkaline aqueous solution may have a surfactant added in an appropriate amount.
As a method of bringing the developer into contact with the resin film having the latent image pattern, for example, a paddle method, a spray method, a dipping method, or the like is used. The development is usually appropriately selected in the range of 0 to 100 ° C, preferably 5 to 55 ° C, more preferably 10 to 30 ° C, and usually 30 to 180 seconds.

このようにして目的とするパターンが形成された樹脂膜は、必要に応じて、現像残渣を除去するために、リンス液でリンスすることができる。リンス処理の後、残存しているリンス液を圧縮空気や圧縮窒素により除去する。
さらに、必要に応じて、感放射線化合物(C)を失活させるために、基板全面に、活性放射線を照射することもできる。活性放射線の照射には、上記潜像パターンの形成に例示した方法を利用できる。照射と同時に、又は照射後に樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、基板をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。温度は、通常、100〜300℃、好ましくは120〜200℃の範囲である。
The resin film on which the target pattern is formed in this way can be rinsed with a rinsing liquid as necessary in order to remove the development residue. After the rinse treatment, the remaining rinse liquid is removed with compressed air or compressed nitrogen.
Furthermore, in order to deactivate the radiation sensitive compound (C), the entire surface of the substrate can be irradiated with actinic radiation as necessary. For irradiation with actinic radiation, the method exemplified in the formation of the latent image pattern can be used. The resin film may be heated simultaneously with irradiation or after irradiation. Examples of the heating method include a method of heating the substrate in a hot plate or an oven. The temperature is usually in the range of 100 to 300 ° C, preferably 120 to 200 ° C.

本発明において、樹脂膜は、パターン化した後に、架橋反応を行なうことができる。架橋は、上述した方法にしたがって行なえばよい。   In the present invention, the resin film can be subjected to a crosslinking reaction after being patterned. Crosslinking may be performed according to the method described above.

本発明によれば、積層体を構成する樹脂膜を、上述した本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて形成するため、本発明の積層体を、種々の材料に対する密着性に優れ、高い耐熱性を有し、ITO電極加工性(樹脂膜を貫通した状態、あるいは樹脂膜の表面にITO電極を形成した場合における加工性)及びパターン加工性に優れた樹脂膜を備えるものとすることができる。そのため、本発明の積層体は、種々の電子部品、特に半導体デバイスとして有用である。特に、本発明の積層体を構成する樹脂膜は、ITO電極加工性及びパターン加工性に優れるものであるため、本発明の積層体は、樹脂膜を貫通した状態、あるいは樹脂膜の表面にITO電極(Indium Tin Oide)を形成し、かつ、樹脂膜を所定のパターンでパターン化することで製造される、アクティブマトリックス基板(たとえば、薄膜トランジスタを基板上に複数実装してなるアクティブマトリックス基板)として好適である。   According to the present invention, since the resin film constituting the laminate is formed using the above-described radiation-sensitive resin composition of the present invention, the laminate of the present invention has excellent adhesion to various materials and is high. It has heat resistance and is provided with a resin film excellent in ITO electrode processability (processability when the ITO electrode is formed on the surface of the resin film) it can. Therefore, the laminate of the present invention is useful as various electronic components, particularly as a semiconductor device. In particular, since the resin film constituting the laminate of the present invention is excellent in ITO electrode processability and pattern processability, the laminate of the present invention is in a state of penetrating the resin film or on the surface of the resin film. Suitable as an active matrix substrate (for example, an active matrix substrate in which a plurality of thin film transistors are mounted on a substrate) manufactured by forming an electrode (Indium Tin Oide) and patterning a resin film in a predetermined pattern It is.

以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の部及び%は、特に断りのない限り、重量基準である。
なお、各特性の定義及び評価方法は、以下のとおりである。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. Parts and% in each example are based on weight unless otherwise specified.
In addition, the definition and evaluation method of each characteristic are as follows.

<密着性>
基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコートしたのち、ホットプレートを用いて90℃で2分間プリベークして、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で40秒間現像処理を行ったのち、超純水で30秒間リンスした。次いで、オーブンを用いて、窒素雰囲気において230℃で60分間加熱するポストベークを行い、樹脂膜と基板とからなる積層体を得た。
そして、得られた積層体について、ダイプラ・ウィンテス株式会社製の表面・界面物性解析装置(SAICAS D20)を用いて剥離強度の測定を行なった。剥離強度を測定する際においては、カッターを用いて積層体に形成された樹脂膜に1mm幅の切り込みを入れた後、1mmの切刃により、切り込み部の樹脂膜と基板との界面を剥離した。そして、その際に切刃にかかる水平力を測定し、測定した水平力を1mあたりに換算した値を密着性として観測した。
なお、本実施例では、基板として、それぞれ、Cu基板、Mo基板、SiNx基板、及びa−Si基板(アモルファスシリコン基板)を用いた積層体を作製し、樹脂膜とこれら各基板との密着性を評価した。
<Adhesion>
After spin-coating the radiation sensitive resin composition on the substrate, it was prebaked at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to form a resin film having a thickness of 2.5 μm. Next, after developing for 40 seconds at 25 ° C. using a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, the substrate was rinsed with ultrapure water for 30 seconds. Next, post-baking was performed by heating at 230 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere using an oven to obtain a laminate including a resin film and a substrate.
And about the obtained laminated body, the peeling strength was measured using the surface / interface physical-property analyzer (SAICAS D20) made from Daipura-Wintes. When measuring the peel strength, a 1 mm wide cut was made in the resin film formed in the laminate using a cutter, and then the interface between the resin film and the substrate in the cut portion was peeled off with a 1 mm cutting blade. . And the horizontal force applied to a cutting blade in that case was measured, and the value which converted the measured horizontal force per 1 m was observed as adhesiveness.
In this example, a laminate using a Cu substrate, a Mo substrate, a SiNx substrate, and an a-Si substrate (amorphous silicon substrate) as a substrate was prepared, and the adhesion between the resin film and each of these substrates was prepared. Evaluated.

<ITO電極加工性>
ガラス基板(コーニング社、製品名コーニング1737)上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて90℃で2分間加熱乾燥(プリベーク)して、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、現像工程を行い、樹脂膜全面に高圧水銀灯を用いて光を照射し、膜中に残存する分解していない感光剤を分解した。そして、窒素雰囲気中において230℃で30分間加熱することにより、樹脂膜とガラス基板とからなる積層体を得た。次いで、得られた積層体の樹脂膜の表面に、スパッタリング法により120nmのITO膜を形成した。次いで、ITO膜にコンタクトホールパターンを形成するためにエッチングのマスクとして使用するポジ型フォトレジスト(日本ゼオン社製ZPP−1800U3)を、スピンコート法によりITO膜上に塗布し、ホットプレートを用いて溶媒を除去することで1.5μmのレジスト膜を形成した。次いで、露光工程、現像工程を行い、レジスト膜をパターニングした。なお、露光工程においては、0.5μmから5.0μmまで0.5μm毎に大きさの異なるコンタクトホールパターン、及び、10μm、25μm、50μmの各コンタクトホールパターンを形成可能なマスクを用いた。そして、4%シュウ酸二水和物水溶液を用いて、ウェットエッチングによりITO膜のパターニングを行いITO膜にコンタクトホールパターンを形成した。次いで、レジスト膜を、モノエタノールアミン(MEA)とジメチルスルホキシド(DMSO)の混合溶液(MEA/DMSO=7/3)の剥離液を用いて除去することにより、基板上に、樹脂膜、及び大きさの異なるコンタクトホールパターンを有するITO膜が形成された積層体を得た。
そして、光学顕微鏡を用いて、得られた積層体のコンタクトホール形成部分を観察し、クラックの有無を確認することにより、ITO電極加工性の評価を行った。本評価においては、クラックの発生が観測されたコンタクトホールのうち、最大のものの一辺の長さを、ITO電極加工時のクラックとして観測した。なお、クラックが全く観測されなかった場合には、ITO電極加工時のクラックは、「無し」とした。ITO電極加工時のクラックが、「無し」である場合には、0.5μm以下の精度で、ITO電極を加工することができるため、ITO電極加工性に特に優れ、また、ITO電極加工時のクラックが発生した場合でも、ITO電極加工時のクラックが小さい程、より細かいパターンでITO電極を加工できることから、ITO電極加工性に優れ、良好であると判断できる。
<ITO electrode workability>
A radiation-sensitive resin composition is applied onto a glass substrate (Corning, product name Corning 1737) by spin coating, and is heated and dried (prebaked) at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate. A 5 μm resin film was formed. Next, a development process was performed, and light was irradiated to the entire surface of the resin film using a high-pressure mercury lamp to decompose the undecomposed photosensitive agent remaining in the film. And the laminated body which consists of a resin film and a glass substrate was obtained by heating for 30 minutes at 230 degreeC in nitrogen atmosphere. Next, an ITO film having a thickness of 120 nm was formed on the surface of the resin film of the obtained laminate by a sputtering method. Next, a positive photoresist (ZPP-1800U3 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) used as an etching mask to form a contact hole pattern on the ITO film is applied onto the ITO film by a spin coating method, and a hot plate is used. A 1.5 μm resist film was formed by removing the solvent. Next, an exposure process and a development process were performed, and the resist film was patterned. In the exposure process, a mask capable of forming contact hole patterns having different sizes every 0.5 μm from 0.5 μm to 5.0 μm and contact hole patterns of 10 μm, 25 μm, and 50 μm was used. Then, using a 4% oxalic acid dihydrate aqueous solution, the ITO film was patterned by wet etching to form a contact hole pattern in the ITO film. Next, the resist film is removed using a stripping solution of a mixed solution of monoethanolamine (MEA) and dimethyl sulfoxide (DMSO) (MEA / DMSO = 7/3), so that the resin film and the size of the resist film on the substrate are removed. A laminate having ITO films having different contact hole patterns was obtained.
And the contact hole formation part of the obtained laminated body was observed using the optical microscope, and ITO electrode processability was evaluated by confirming the presence or absence of a crack. In this evaluation, the maximum length of one side of the contact holes where cracks were observed was observed as a crack during processing of the ITO electrode. In addition, when no crack was observed, the crack at the time of ITO electrode processing was set to “None”. When the crack at the time of ITO electrode processing is “None”, the ITO electrode can be processed with an accuracy of 0.5 μm or less, so that it is particularly excellent in ITO electrode processability. Even when a crack occurs, the smaller the crack during ITO electrode processing, the more fine the ITO electrode can be processed. Therefore, it can be judged that the ITO electrode processability is excellent and good.

<パターン加工性>
シリコン窒化膜基板(シリコン基板上に化学気相成長法(CVD)により200nmの厚さのシリコン窒化膜を製膜した基板)上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて90℃で2分間加熱乾燥(プリベーク)して、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、樹脂膜をパターニングするために、0.5μmから5.0μmまで0.5μm毎に幅が異なるラインアンドスペースパターン、及び10μm、25μm、50μmのラインアンドスペースパターンを形成可能なマスクを用いて露光工程を行った。次いで、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で40秒間現像処理を行ったのち、超純水で30秒間リンスした。これにより、幅の異なる複数のラインアンドスペースパターンが形成された樹脂膜とシリコン窒化膜基板とからなる積層体を得た。
そして、光学顕微鏡を用いて、得られた積層体の樹脂膜のラインアンドスペース形成部分を観察し、ラインパターンの欠けが観測されたラインパターンのうち、最大幅のラインパターンの幅の長さをパターン欠けとした。なお、パターン欠けが観測されなかった場合は、パターン欠けは、「無し」とした。パターン欠けが、「無し」である場合には、0.5μm以下の精度で、パターン加工が可能であるため、パターン加工性に特に優れ、また、パターン欠けが発生した場合でも、パターン欠けが小さい程、より細かいパターンにて、樹脂膜のパターンニングが可能となることがから、パターン加工性に優れ、良好であると判断できる。
<Pattern workability>
A radiation sensitive resin composition is applied by spin coating on a silicon nitride film substrate (a substrate in which a 200 nm thick silicon nitride film is formed on a silicon substrate by chemical vapor deposition (CVD)), and hot A plate was used to heat dry (pre-bake) at 90 ° C. for 2 minutes to form a resin film having a thickness of 2.5 μm. Next, in order to pattern the resin film, a mask capable of forming a line and space pattern having a width varying from 0.5 μm to 5.0 μm every 0.5 μm and a line and space pattern of 10 μm, 25 μm, and 50 μm is used. An exposure process was performed. Next, after developing for 40 seconds at 25 ° C. using a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, the substrate was rinsed with ultrapure water for 30 seconds. As a result, a laminate including a resin film on which a plurality of line and space patterns having different widths were formed and a silicon nitride film substrate was obtained.
Then, using an optical microscope, observe the line-and-space formation portion of the resin film of the obtained laminate, and among the line patterns in which line pattern defects were observed, determine the maximum width of the line pattern width. The pattern was missing. When no pattern defect was observed, the pattern defect was judged as “none”. When the pattern chipping is “None”, the pattern processing is possible with an accuracy of 0.5 μm or less, so that the pattern processing is particularly excellent. Even when the pattern chipping occurs, the pattern chipping is small. Since the resin film can be patterned with a finer pattern, it can be judged that the pattern processability is excellent and good.

<耐熱性>
シリコン窒化膜基板(シリコン基板上に化学気相成長法(CVD)により200nmの厚さのシリコン窒化膜を製膜した基板)上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて90℃で2分間加熱乾燥(プリベーク)して、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、樹脂膜をパターニングするために、0.5μmから5.0μmまで0.5μm毎に大きさの異なるコンタクトホールパターン、及び、10μm、25μm、50μmの各ラコンタクトホールパターンを形成可能なマスクを用いて、露光工程を行った。次いで、2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で40秒間現像処理を行ったのち、超純水で30秒間リンスすることにより、大きさの異なるコンタクトホールパターンが形成された樹脂膜と、シリコン窒化膜基板とからなる積層体を得た。
そして、光学顕微鏡を用いて、得られた積層体の樹脂膜の5μm角のコンタクトホールパターンの最長部の長さ(L1)を測定した。次いで、積層体を、オーブンを用いて、窒素雰囲気において230℃で30分間加熱した。そして、光学顕微鏡を用いて、加熱後の積層体を観察し、加熱前に観察したコンタクトホールパターンの最長部の長さ(L2)を測定し、(L2/L1)×100(単位は、%)に従って、加熱後におけるパターン保持率を算出することで、樹脂膜の耐熱性の評価を行った。加熱後におけるパターン保持率が、100%に近いほど、加熱工程を経た後における、コンタクトホールパターンの変化は小さく、耐熱性に優れていると判断できる。
<Heat resistance>
A radiation sensitive resin composition is applied by spin coating on a silicon nitride film substrate (a substrate in which a 200 nm thick silicon nitride film is formed on a silicon substrate by chemical vapor deposition (CVD)), and hot A plate was used to heat dry (pre-bake) at 90 ° C. for 2 minutes to form a resin film having a thickness of 2.5 μm. Next, in order to pattern the resin film, a mask capable of forming contact hole patterns having different sizes every 0.5 μm from 0.5 μm to 5.0 μm and la contact hole patterns of 10 μm, 25 μm, and 50 μm is formed. And an exposure step was performed. Next, after developing for 40 seconds at 25 ° C. using a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, rinsing with ultrapure water for 30 seconds forms contact hole patterns of different sizes. A laminate comprising the resin film and the silicon nitride film substrate was obtained.
And the length (L1) of the longest part of the 5 micrometer square contact hole pattern of the resin film of the obtained laminated body was measured using the optical microscope. The laminate was then heated using an oven at 230 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere. And the laminated body after a heating is observed using an optical microscope, The length (L2) of the longest part of the contact hole pattern observed before a heating is measured, (L2 / L1) x100 (a unit is% ), The heat retention of the resin film was evaluated by calculating the pattern retention after heating. It can be determined that the closer the pattern retention after heating is to 100%, the smaller the change in the contact hole pattern after the heating step, and the better the heat resistance.

《合成例1》
8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン65部、N−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド35部、及び1,5−ヘキサジエン2.8部、(1,3−ジメシチルイミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムクロリド0.05部、及びエチレングリコールエチルメチルエーテル400部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しつつ80℃にて2時間反応させて重合反応液を得た。
<< Synthesis Example 1 >>
8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene 65 parts, N-phenyl-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide 35 parts, and 1,5-hexadiene 2.8 Parts, (1,3-dimesitylimidazolin-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) benzylidene ruthenium chloride 0.05 parts, and ethylene glycol ethyl methyl ether 400 parts were charged into a nitrogen-substituted glass pressure-resistant reactor, The mixture was reacted at 80 ° C. for 2 hours with stirring to obtain a polymerization reaction solution.

そして、得られた重合反応液をオートクレーブに入れて、150℃、水素圧4MPaで、5時間攪拌して水素化反応を行い、環状オレフィン系重合体(A1)を得た。得られた環状オレフィン系重合体(A1)の重合転化率は99.9%、重量平均分子量は4,430、数平均分子量は2,570、分子量分布は1.72、水素添加率は99.9%であった。   And the obtained polymerization reaction liquid was put into the autoclave, and it stirred at 150 degreeC and the hydrogen pressure of 4 MPa for 5 hours, and performed the hydrogenation reaction, and obtained the cyclic olefin type polymer (A1). The resulting cyclic olefin polymer (A1) had a polymerization conversion rate of 99.9%, a weight average molecular weight of 4,430, a number average molecular weight of 2,570, a molecular weight distribution of 1.72, and a hydrogenation rate of 99.99. It was 9%.

《合成例2》
8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン65部、及びN−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド35部の代わりに、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン60部、及びN−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド40部を用いた以外は、合成例1と同様にして、重合反応および水素添加反応を行い、環状オレフィン系重合体(A2)を得た。得られた環状オレフィン系重合体(A2)の重合転化率は99.6%、重量平均分子量は7,180、数平均分子量は4,650、分子量分布は1.55、水素添加率は99.8%であった。
<< Synthesis Example 2 >>
8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . Instead of 65 parts 17, 10 ] dodec-3-ene and 35 parts N-phenyl-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide Cyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodeca-3-ene 60 parts and N- (2-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide 40 parts. In the same manner as in Synthesis Example 1, a polymerization reaction and a hydrogenation reaction were performed to obtain a cyclic olefin polymer (A2). The resulting cyclic olefin polymer (A2) had a polymerization conversion of 99.6%, a weight average molecular weight of 7,180, a number average molecular weight of 4,650, a molecular weight distribution of 1.55, and a hydrogenation rate of 99.99. It was 8%.

《合成例3》
L−アスパラギン酸100部、及びエタノール120部を窒素置換したガラス反応器に仕込み、氷水で冷却、攪拌しながら塩化チオニル107部滴下し、その後、80℃で反応させた。反応液をロータリーエバポレーターを用い、3倍に濃縮し、得られた濃縮液、ピリジン 53.5部、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物 111.2部を窒素置換したガラス反応器に仕込み170℃、2時間、攪拌しながら反応させた。この反応溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、−20℃で冷却することにより析出物を得た。IRスペクトルおよびH−NMRスペクトルにより、析出物はN−(エンド−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルジカルボニル)アスパラギン酸エチルであることを確認した。収率は81%であった。
<< Synthesis Example 3 >>
A glass reactor in which 100 parts of L-aspartic acid and 120 parts of ethanol were substituted with nitrogen was charged, and 107 parts of thionyl chloride was added dropwise while cooling with ice water and stirring, and then reacted at 80 ° C. The reaction solution was concentrated 3 times using a rotary evaporator, and the obtained concentrated solution, 53.5 parts of pyridine, and 111.2 parts of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride were placed in a nitrogen-substituted glass reactor. The reaction was conducted at 170 ° C. for 2 hours with stirring. The reaction solution was concentrated with a rotary evaporator and cooled at −20 ° C. to obtain a precipitate. From the IR spectrum and 1 H-NMR spectrum, it was confirmed that the precipitate was N- (endo-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-diyldicarbonyl) ethyl aspartate. The yield was 81%.

そして、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン65部、及びN−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド35部の代わりに、8−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカ−3−エン65部、及び上記にて得られたN−(エンド−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジイルジカルボニル)アスパラギン酸エチル35部を用いた以外は、合成例1と同様にして、重合反応および水素添加反応を行い、環状オレフィン系重合体(A3)を得た。得られた環状オレフィン系重合体(A3)の重合転化率は99.9%、重量平均分子量は4,200、数平均分子量は2,830、分子量分布は1.66、水素添加率は99.9%であった。 And 8-hydroxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . Instead of 65 parts 17, 10 ] dodec-3-ene and 35 parts N-phenyl-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide Cyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7, 10 ] dodec-3-ene 65 parts, and ethyl N- (endo-bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-diyldicarbonyl) aspartate obtained above Except having used 35 parts, it carried out similarly to the synthesis example 1, and performed the polymerization reaction and the hydrogenation reaction, and obtained the cyclic olefin type polymer (A3). The resulting cyclic olefin polymer (A3) had a polymerization conversion rate of 99.9%, a weight average molecular weight of 4,200, a number average molecular weight of 2,830, a molecular weight distribution of 1.66, and a hydrogenation rate of 99.99. It was 9%.

《実施例1》
合成例1で得られた環状オレフィン系重合体(A1)100部、架橋剤(B)としてのエポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製、脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂)30部、感放射線化合物(C)としての1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(2.0モル)との縮合物(商品名「TS200」、東洋合成工業社製)30部、チオール化合物(D)としての2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン5部、カルボキシル基含有化合物(E)としてのフタル酸3部、及び溶剤としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル500部を混合することにより、感放射線性樹脂組成物を得た。
Example 1
100 parts of the cyclic olefin polymer (A1) obtained in Synthesis Example 1, epoxidized butanetetracarboxylic acid tetrakis (3-cyclohexenylmethyl) modified ε-caprolactone (trade name “Epolide GT401”) as a crosslinking agent (B) , Daicel Chemical Industries, Ltd., 30 parts of an aliphatic cyclic tetrafunctional epoxy resin), 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3- as the radiation-sensitive compound (C) 30 parts condensate of phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) (trade name “TS200”, manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.), thiol compound (D) 2,4,6-trimercapto-s-triazine as 5 parts, 3 parts of phthalic acid as carboxyl group-containing compound (E), and as solvent By mixing 500 parts of ethylene glycol ethyl methyl ether to obtain a radiation-sensitive resin composition.

そして、得られた感放射線性樹脂組成物を用いて、上記方法に従い、密着性、ITO電極加工性、パターン欠け及び加熱後におけるパターン保持率の各評価を行った。結果を表1に示す。   And according to the said method using the obtained radiation sensitive resin composition, each evaluation of the adhesiveness, ITO electrode workability, a pattern chip, and the pattern retention after a heating was performed. The results are shown in Table 1.

《実施例2》
合成例1で得られた環状オレフィン系重合体(A1)100部の代わりに、合成例2で得られた環状オレフィン系重合体(A2)100部を用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
Example 2
The same procedure as in Example 1 was conducted except that 100 parts of the cyclic olefin polymer (A2) obtained in Synthesis Example 2 was used instead of 100 parts of the cyclic olefin polymer (A1) obtained in Synthesis Example 1. A radiation sensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

《実施例3》
合成例1で得られた環状オレフィン系重合体(A1)100部の代わりに、合成例3で得られた環状オレフィン系重合体(A3)100部を用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
Example 3
The same procedure as in Example 1 was conducted except that 100 parts of the cyclic olefin polymer (A3) obtained in Synthesis Example 3 was used instead of 100 parts of the cyclic olefin polymer (A1) obtained in Synthesis Example 1. A radiation sensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

《実施例4》
チオール化合物(D)として、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン5部の代わりに、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン5部を用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
Example 4
Example 1 except that 5 parts of 2-dibutylamino-4,6-dimercapto-s-triazine was used in place of 5 parts of 2,4,6-trimercapto-s-triazine as the thiol compound (D). In the same manner as above, a radiation sensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

《実施例5》
カルボキシル基含有化合物(E)として、フタル酸3部の代わりに、2−カルボキシメチル安息香酸3部を用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
Example 5
A radiation-sensitive resin composition was prepared and carried out in the same manner as in Example 1 except that 3 parts of 2-carboxymethylbenzoic acid was used as the carboxyl group-containing compound (E) instead of 3 parts of phthalic acid. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

《実施例6》
カルボキシル基含有化合物(E)として、フタル酸3部の代わりに、安息香酸3部を用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
Example 6
As the carboxyl group-containing compound (E), a radiation sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 3 parts of benzoic acid was used instead of 3 parts of phthalic acid. And evaluated. The results are shown in Table 1.

《比較例1》
カルボキシル基含有化合物(E)としてのフタル酸3部を用いなかった以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
<< Comparative Example 1 >>
A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 3 parts of phthalic acid as the carboxyl group-containing compound (E) was not used, and evaluated in the same manner as in Example 1. . The results are shown in Table 1.

《比較例2》
チオール化合物(D)としての2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン5部を用いなかった以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
<< Comparative Example 2 >>
A radiation sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5 parts of 2,4,6-trimercapto-s-triazine as the thiol compound (D) was not used. Evaluation was performed in the same manner. The results are shown in Table 1.

《比較例2》
チオール化合物(D)としての2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン5部、及びカルボキシル基含有化合物(E)としてのフタル酸3部を用いなかった以外は、実施例1と同様にして、感放射線性樹脂組成物を調製し、実施例1と同様にして、評価を行った。結果を表1に示す。
<< Comparative Example 2 >>
Except that 5 parts of 2,4,6-trimercapto-s-triazine as the thiol compound (D) and 3 parts of phthalic acid as the carboxyl group-containing compound (E) were not used, the same manner as in Example 1 was performed. A radiation sensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

Figure 2011075609
Figure 2011075609

表1に示すように、環状オレフィン系重合体(A)、架橋剤(B)、感放射線化合物(C)、チオール化合物(D)、及びカルボキシル基含有化合物(E)を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、各種材料(Cu、Mo、SiNx及びa−Si)に対する密着性に優れ、ITO電極加工性、パターン加工性(パターン欠け)、及び耐熱性(加熱後パターン保持率)に優れるものであった(実施例1〜6)。   As shown in Table 1, a radiation-sensitive resin containing a cyclic olefin polymer (A), a crosslinking agent (B), a radiation-sensitive compound (C), a thiol compound (D), and a carboxyl group-containing compound (E) The resin film obtained using the composition has excellent adhesion to various materials (Cu, Mo, SiNx and a-Si), ITO electrode processability, pattern processability (pattern chipping), and heat resistance (pattern after heating). (Retention rate) was excellent (Examples 1 to 6).

これに対し、感放射線性樹脂組成物として、含窒素複素環化合物(D)及びカルボキシル基含有化合物(E)のいずれか一方、又は両方を含有しないものを用いた場合には、いずれの材料に対しても密着性が低く、さらには、ITO電極加工性、パターン加工性(パターン欠け)、及び耐熱性(加熱後パターン保持率)のいずれにも劣るものであった(比較例1〜3)。   On the other hand, as a radiation-sensitive resin composition, when any one of the nitrogen-containing heterocyclic compound (D) and the carboxyl group-containing compound (E) or a compound that does not contain both is used, In contrast, the adhesion was low, and furthermore, it was inferior to any of ITO electrode processability, pattern processability (pattern chipping), and heat resistance (pattern retention after heating) (Comparative Examples 1 to 3). .

Claims (6)

プロトン性極性基を有する環状オレフィン系重合体(A)、架橋剤(B)、感放射線化合物(C)、及び下記一般式(1)で表されるチオール化合物(D)、及びカルボキシル基含有化合物(E)を含む感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011075609
(式(1)中、X〜Xは、それぞれ独立して−SH、−SR、−NR’R’’又は−SM(R、R’及びR’’は、それぞれ独立して炭素数1〜5の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Mはアルカリ金属である。)であり、これらのうち少なくとも1つは−SHである。)
Cyclic olefin polymer (A) having a protic polar group, crosslinking agent (B), radiation sensitive compound (C), thiol compound (D) represented by the following general formula (1), and carboxyl group-containing compound A radiation-sensitive resin composition comprising (E).
Figure 2011075609
(In the formula (1), X 1 to X 3 are each independently —SH, —SR, —NR′R ″ or —SM (R, R ′ and R ″ are each independently carbon number) 1-5 linear or branched alkyl groups, and M is an alkali metal.), At least one of which is —SH.
前記一般式(1)中のX〜Xのうち、少なくとも2つが−SHである請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。 The radiation sensitive resin composition according to claim 1, wherein at least two of X 1 to X 3 in the general formula (1) are —SH. 前記チオール化合物(D)が、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジンである請求項1または2に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation-sensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the thiol compound (D) is 2,4,6-trimercapto-s-triazine. 前記カルボキシル基含有化合物(E)の酸解離定数pKaが、2.5以上、4.5以下である請求項1〜3のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the carboxyl group-containing compound (E) has an acid dissociation constant pKa of 2.5 or more and 4.5 or less. 前記カルボキシル基含有化合物(E)が、カルボキシル基を少なくとも2つ有する請求項1〜4のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the carboxyl group-containing compound (E) has at least two carboxyl groups. 請求項1〜5のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物を用いて形成される樹脂膜と、基板とを有する積層体。   The laminated body which has a resin film formed using the radiation sensitive resin composition in any one of Claims 1-5, and a board | substrate.
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