JP2011059277A - 化合物及びレジスト組成物 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
【課題】微細なレジストパターンを形成できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式(C1)で表される化合物及び酸発生剤を含むレジスト組成物は、微細なレジストパターンを形成できる[式(C1)中、m3は4〜10の整数を表し;Rc1は、ヒドロキシ基等を表し;n3は1〜4の整数を表し;Rc2は、式(2−1)又は式(2−2)で表される基である。式(2−1)及び式(2−2)中、Lc1は、2価の炭化水素基を表し;Lc2は、単結合又は2価の炭化水素基を表し;Rc3及びRc4は、水素原子又は脂肪族炭化水素基を表し;Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。]。
【選択図】なし
【解決手段】式(C1)で表される化合物及び酸発生剤を含むレジスト組成物は、微細なレジストパターンを形成できる[式(C1)中、m3は4〜10の整数を表し;Rc1は、ヒドロキシ基等を表し;n3は1〜4の整数を表し;Rc2は、式(2−1)又は式(2−2)で表される基である。式(2−1)及び式(2−2)中、Lc1は、2価の炭化水素基を表し;Lc2は、単結合又は2価の炭化水素基を表し;Rc3及びRc4は、水素原子又は脂肪族炭化水素基を表し;Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。]。
【選択図】なし
Description
本発明は、化学増幅型レジスト組成物で使用されるクエンチャーとして有用な新規化合物、及びこれを含有する化学増幅型レジスト組成物に関する。
酸発生剤を含む化学増幅型レジスト組成物(以下、「レジスト組成物」と略称することがある)には、露光後の引き置きに伴う酸拡散によって生ずるレジスト膜の性能劣化を抑制するために、通常、クエンチャーとして塩基性化合物が添加される。例えば、ポリヒドロキシスチレンベースの樹脂、イオン系光酸発生剤、強塩基性アミンを含有するレジスト組成物が知られている(非特許文献1)。
JSRテクニカルレビュー,No.114/2007,pp.9−15
半導体の微細加工に用いられるレジスト組成物は、微細なレジストパターンを形成できることが求められている。そこで本発明の目的は、微細なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及びこのレジスト組成物のクエンチャーとして有用な新規化合物を提供することにある。
上記目的を達成し得た本発明のレジスト組成物は、式(C1)で表される化合物及び酸発生剤を含むことを特徴とする。なお以下では「式(C1)で表される化合物」を「化合物(C1)」と略称することがある。また他の化学式で表される化合物又は基等も同様に略称することがある。
式(C1)中、m3は4〜10の整数を表す。Rc1は、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシ基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-5脂肪族炭化水素基を表し;n3は1〜4の整数を表し;n3が2以上である場合、複数のRc1は、互いに同一でも異なっていてもよい。Rc2は、式(2−1)又は式(2−2)で表される基である。
式(2−1)中、Lc1は、直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Rc3及びRc4は、それぞれ独立に、水素原子、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基を表す。
式(2−2)中、Lc2は、単結合、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。
なお式(2−1)及び式(2−2)中の「*」マークは、それぞれ、基(2−1)及び基(2−2)の結合位置を表す。他の化学式でも同様である。
式(2−2)中、Lc2は、単結合、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。
なお式(2−1)及び式(2−2)中の「*」マークは、それぞれ、基(2−1)及び基(2−2)の結合位置を表す。他の化学式でも同様である。
Rc1は、好ましくはヒドロキシ基及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましく、1つ又は2つのヒドロキシ基を含むことがより好ましい。
Rc2は、好ましくは、式(2−3)で表される基である。
式(2−3)中、Lc3及びLc4は、それぞれ独立に、単結合、或いは直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-4脂肪族炭化水素基を表す。但しLc3及びLc4の炭素数合計は4以下である。Rc3及びRc4は、前記と同じである。
Rc2が式(2−2)で表される基であり、Rc5が、環を構成する原子として窒素原子を含み、且つ不飽和結合を有する環式の基であることも好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂を含んでいてもよい。
式(C1)で表される化合物の含有量は、酸発生剤100質量部に対して、好ましくは10〜100質量部である。
前記酸発生剤は、好ましくは、式(B1)で表される酸発生剤を含む。
式(B1)中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1-6ペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合、或いは置換基を有していてもよい直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-17飽和脂肪族炭化水素基を表し;前記2価の飽和脂肪族炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい環式のC3-36脂肪族炭化水素基を表し;前記脂肪族炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。Z+は、有機カチオンを表す。
本明細書において「Cx-y飽和脂肪族炭化水素基」とは、炭素数がx以上y以下である飽和脂肪族炭化水素基を表す。但しこの炭素数には、飽和脂肪族炭化水素基が有する置換基の炭素数は含まれない。飽和脂肪族炭化水素基以外の基の「Cx-y」も同様の意味を有する。また「メチレン基(−CH2−)が酸素原子(−O−)等で置換されている飽和脂肪族炭化水素基」等とは、「見掛け上、脂肪族炭化水素基のメチレン基(−CH2−)が酸素原子(−O−)等で置換されたとみなされる基」等を意味し、「実際上、脂肪族炭化水素基を合成した後に、メチレン基(−CH2−)を酸素原子(−O−)等で置換して得られる基」等を意味しない。「水素原子がハロゲン原子等で置換されている脂肪族炭化水素基」等の表現も同様の意味である。
化合物(C1)は、クエンチャーとして有用である。化合物(C1)の中でも、
(1)Rc1の少なくとも1つがヒドロキシ基である化合物(C1)、及び
(2)Rc3が、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基を表し;Rc4が、水素原子、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基を表す化合物(C1)
が好ましい。
(1)Rc1の少なくとも1つがヒドロキシ基である化合物(C1)、及び
(2)Rc3が、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基を表し;Rc4が、水素原子、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基を表す化合物(C1)
が好ましい。
化合物(C1)を含有する本発明のレジスト組成物は、微細なレジストパターンを形成できる。
〈化合物(C1)〉
本発明のレジスト組成物は、クエンチャーとして化合物(C1)を含有することを特徴とする。化合物(C1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。以下、化合物(C1)の構造を順に説明する。
本発明のレジスト組成物は、クエンチャーとして化合物(C1)を含有することを特徴とする。化合物(C1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。以下、化合物(C1)の構造を順に説明する。
式(C1)中、m3は、4〜10の整数、好ましくは4〜8の整数、より好ましくは4である。
式(C1)中、Rc1は、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシ基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-5脂肪族炭化水素基を表す。Rc1のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペントキシ基、1−メチルブトキシ基、2−メチルブトキシ基、3−メチルブトキシ基、1−エチルプロポキシ基、2−エチルプロポキシ基等が挙げられ、これらの中でもメトキシ基が好ましい。Rc1の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルプロピル基、2−エチルプロピル基等が挙げられ、これらの中でもメチル基が好ましい。
式(C1)中、n3は、1〜4の整数、好ましくは1〜3の整数、より好ましくは1又は2である。n3が2以上である場合、複数のRc1は、互いに同一でも異なっていてもよい。Rc1は、好ましくはヒドロキシ基及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも1つ;より好ましくは少なくとも1つのヒドロキシ基;さらに好ましくは1つ又は2つのヒドロキシ基を含む。特に好ましい化合物(C1)は、フェノールとアルデヒドとが縮合したカリックスアレーン類{式(C1)中、n3=1、Rc1=ヒドロキシ基};又はレゾルシノールとアルデヒドとが縮合したレゾルシナレーン類{式(C1)中、n3=2、Rc1=ヒドロキシ基};である。
式(C1)中、Rc2は、式(2−1)又は式(2−2)で表される基である。
式(2−1)及び式(2−2)中、Lc1は、直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;Lc2は、単結合、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Lc1及びLc2の2価のC1-10炭化水素基は、脂肪族でも、芳香族でもよい。Lc1及びLc2の2価のC1-10脂肪族炭化水素基は、飽和でも、不飽和でもよく、鎖状(直鎖状又は分枝鎖状)でも、環式でもよい。Lc1及びLc2の2価の直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基などが挙げられる。Lc1及びLc2の2価の環式の脂肪族炭化水素基としては、例えばシクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロヘプテンジイル基、シクロオクテンジイル基、ヒドロナフタレンジイル基、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ノルボルネンジイル基などが挙げられる。Lc1及びLc2の2価の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。Lc1及びLc2は、直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価の脂肪族炭化水素基と2価の芳香族炭化水素基との組合せでもよい。
Lc1及びLc2の2価のC1-10炭化水素基は、好ましくは式(3)で表される基、或いはメチレン基(−CH2−)が酸素原子(−O−)で置換されていてもよい直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルカンジイル基である。
式(3)中、Lc3及びLc4は、それぞれ独立に、単結合、或いは直鎖状又は分枝鎖状の2価のC1-4脂肪族炭化水素基を表す。但しLc3及びLc4の炭素数合計は4以下である。また式(3)の化学式は、左側で炭素原子と結合し、右側で窒素原子又はRc5と結合することを表す。Lc3は、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは単結合である。Lc4は、好ましくは単結合である。
Lc1は、より好ましくは、メチレン基(−CH2−)、エチレン基(−C2H4−)、メチレン−オキシ−エチレン基(−CH2−O−C2H4−)、エチレン−オキシ−メチレン基(−C2H4−O−CH2−)、フェニレン基(−Ph−)又はこれらの組合せ(例えばメチレン−フェニレン基{−CH2−Ph−}、又はエチレン−フェニレン基{−C2H4−Ph−}など)であり、さらに好ましくはフェニレン基である。但しLc1の前記化学式は、左側で炭素原子と結合し、右側で窒素原子と結合することを表す。Lc2は、より好ましくは、単結合又はフェニレン基(−Ph−)である。
式(2−1)中、Rc3及びRc4は、それぞれ独立に、水素原子、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基(好ましくは飽和脂肪族炭化水素基、即ちアルキル基又はシクロアルキル基)を表す。Rc3及びRc4の直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルプロピル基、2−エチルプロピル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などが挙げられる。Rc3及びRc4の環式の脂肪族炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基などが挙げられる。
式(2−1)中の−NRc3Rc4基は、好ましくは置換アミノ基であり(即ち、少なくともRc3が直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基であり)、より好ましくはメチルアミノ基又はジメチルアミノ基である。
式(2−2)中、Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基(以下、「含窒素複素環」と略称する)を表す。Rc5の含窒素複素環は、環を構成する原子として、窒素原子以外のヘテロ原子(例えば酸素原子、硫黄原子)を含有していてもよい。以下、「窒素原子以外のヘテロ原子を有する含窒素複素環」を「複合複素環」と略称する。また「含窒素複素環」又は「複合複素環」を、「含窒素複素環等」と略称することがある。含窒素複素環等の環を構成する原子数は、好ましくは、5以上(より好ましくは6以上)であり、14以下(より好ましくは10以下)である。
Rc5の含窒素複素環等は、好ましくは不飽和結合を有するものであり、より好ましくは芳香族である。以下、「不飽和結合を有する含窒素複素環」等を「含窒素・不飽和複素環」等と、「芳香族である含窒素複素環」等を「含窒素・芳香族複素環」等と、「不飽和結合を有さない含窒素複素環」等を「含窒素・飽和複素環」等と略称する。
Rc5の含窒素・飽和複素環としては、例えばイミダゾリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環などが挙げられる。Rc5の含窒素・芳香族複素環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、キノリン環、アクリジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ピロリジン環などが挙げられる。
Rc5の複合・飽和複素環としては、例えばモルホリン環、チオモルホリン環、チオモルホリンジオキシド環などが挙げられる。Rc5の複合・芳香族複素環としては、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、フェノチアジン環、オキサゾール環、フェノキサジン環などが挙げられる。
Rc5の含窒素複素環等は、置換基として、オキソ基、ハロゲン原子、直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルキル基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルキルカルボニルオキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシカルボニル基、C6-14アリールカルボニルオキシ基、C6-14アリールオキシカルボニル基などを有していてもよい。Rc5の置換基を有する含窒素・芳香族複素環としては、例えばアクリドン環などが挙げられる。
Rc5は、好ましくは含窒素・不飽和複素環、より好ましくは含窒素・芳香族複素環、さらに好ましくはピリジン環又はイミダゾール環である。
Rc2は、好ましくは式(2−1)で表される基であり、より好ましくは式(2−3)で表される基である{式(2−3)中、Lc3、Lc4、Rc3及びRc4は、前記と同じである。}。
次に具体例を示す。式(2−1)で表されるRc2としては、例えば以下のものが挙げられる。
式(2−2)で表されるRc2としては、例えば以下のものが挙げられる。
化合物(C1)は、好ましくは式(C1−1)〜式(C1−10)のいずれかで表され、より好ましくは式(C1−2)、式(C1−6)又は式(C1−8)で表される。化合物(C1−1)〜化合物(C1−10)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明のレジスト組成物中の化合物(C1)の含有量は、酸発生剤100質量部に対して、好ましくは、4質量部以上(より好ましくは5質量部以上)、100質量部以下(より好ましくは90質量部以下)である。また本発明のレジスト組成物が樹脂を含む場合に、化合物(C1)の含有量を樹脂基準で表すと、化合物(C1)の含有量は、樹脂100質量部に対して、好ましくは、0.1質量部以上(より好ましくは0.5質量部以上)、10質量部以下(より好ましくは5質量部以下)である
Rc1としてヒドロキシ基を有する化合物(C1)は、カリックスアレーン類の公知の製造方法及び条件に従い、フェノール類とアルデヒド類とを縮合させることによって製造できる。例えば、好ましい化合物(C1−2)は、下記実施例で示すようにレゾルシノールと4−ジメチルアミノベンズアルデヒドとを縮合させることによって製造できる。また好ましい化合物(C1−6)及び化合物(C1−8)は、化合物(C1−2)の製造方法で4−ジメチルアミノベンズアルデヒドに替えて、それぞれ3−ピリジンカルボアルデヒド及び1H−イミダゾール−2−カルボアルデヒドを使用すれば製造できる。
Rc1としてアルコキシ基を有する化合物(C1)は、上述のようにフェノール類とアルデヒド類とを縮合させてカリックスアレーン類を製造した後、これとアルコールとを反応させて、フェノール性水酸基をアルコキシ基に変換することで製造できる。
〈レジスト組成物〉
一般的な化学増幅型レジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(B)、クエンチャー及び溶剤(D)を含有する。以下、本発明のレジスト組成物に使用できる各成分を順に説明する。
一般的な化学増幅型レジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(B)、クエンチャー及び溶剤(D)を含有する。以下、本発明のレジスト組成物に使用できる各成分を順に説明する。
〈樹脂(A)〉
樹脂(A)は、好ましくは、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂は、酸の作用により親水性が向上するモノマー(以下、「酸可溶化モノマー(a1)」と略称することがある)を重合することによって製造できる。酸可溶化モノマー(a1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
樹脂(A)は、好ましくは、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂である。酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂は、酸の作用により親水性が向上するモノマー(以下、「酸可溶化モノマー(a1)」と略称することがある)を重合することによって製造できる。酸可溶化モノマー(a1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
〈酸可溶化モノマー(a1)〉
酸可溶化モノマー(a1)としては、酸に不安定な基を有するモノマーが挙げられる。ここで「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えばヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、酸素原子(−O−)が3級炭素原子(但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く)と結合した式(1)で表されるアルコキシカルボニル基(即ち3級アルコール残基を有するエステル結合)が挙げられる。なお以下では、式(1)で表される基を「酸に不安定な基(1)」と略称する。
酸可溶化モノマー(a1)としては、酸に不安定な基を有するモノマーが挙げられる。ここで「酸に不安定な基」とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基(例えばヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、酸素原子(−O−)が3級炭素原子(但し橋かけ環状炭化水素基の橋頭炭素原子を除く)と結合した式(1)で表されるアルコキシカルボニル基(即ち3級アルコール残基を有するエステル結合)が挙げられる。なお以下では、式(1)で表される基を「酸に不安定な基(1)」と略称する。
基(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基を表すか;或いはRa1及びRa2は互いに結合して環を形成していてもよい。なお式(1)中の「*」マークは、基(1)の結合位置を表す。他の化学式でも同様である。
酸に不安定な基(1)としては、例えば1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(基(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基であるもの、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキル−2−アダマンチルオキシカルボニル基(基(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基であるもの)、及び1−(1−アダマンチル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(基(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基であるもの)などが挙げられる。
酸可溶化モノマー(a1)は、好ましくは、酸に不安定な基(1)とオレフィン性二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基(1)を有する(メタ)アクリル系モノマーである。なお本明細書において「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。
酸に不安定な基(1)を有する(メタ)アクリル系モノマーの中でも、環式のC5-20脂肪族炭化水素基を有するものが好ましい。環式の脂肪族炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸可溶化モノマー(a1)を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。環式の脂肪族炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロアルキル基(例えばシクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基)やシクロアルケニル基(例えばシクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基)などが挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、縮合芳香族炭化水素基を水素化して得られる基(例えばヒドロナフチル基)、橋かけ環状炭化水素基(例えばアダマンチル基、ノルボルニル基)などが挙げられる。橋かけ環状炭化水素基は、その内部に不飽和結合を有していてもよい(例えばノルボルネンイル基など)。さらに下記のような、橋かけ環(例えばノルボルナン環)と単環(例えばシクロヘプタン環やシクロヘキサン環)又は多環(例えばデカヒドロナフタレン環)とが縮合した形状の基、或いは橋かけ環同士が縮合した形状の基も、環式の脂肪族炭化水素基に含まれる。
酸に不安定な基(1)と環式の脂肪族炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーの中でも、式(a1−1)又は式(a1−2)で表される酸可溶化モノマーが好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
式(a1−1)及び式(a1−2)中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2)k1−CO−O−を表し;k1は1〜7の整数を表す。但しLa1及びLa2で列挙した−O−等は、それぞれ、左側で式(a1−1)及び式(a1−2)のカルボニル基と結合し、右側でアダマンチル基又はシクロへキシル基と結合することを意味する。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-8脂肪族炭化水素基、或いは環式のC3-10脂肪族炭化水素基を表し;m1は0〜14の整数を表し;n1は0〜10の整数を表す。但しm1又はn1が0であるとは、それぞれ、メチル基が存在しないことを意味する。なお本明細書における化学式は立体異性体も包含する。
Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは6以下であり、環式の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは8以下、より好ましくは6以下である。Ra6及びRa7の直鎖状または分枝鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、1−メチルエチル基(イソプロピル基)、1,1−ジメチルエチル基(tert−ブチル基)、プロピル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基(イソブチル基)、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、ブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−プロピルブチル基、ペンチル基、1−メチルペンチル基、ヘキシル基、1,4−ジメチルヘキシル基、ヘプチル基、1−メチルヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。Ra6及びRa7の環式の脂肪族炭化水素基としては、例えばシクロヘプチル基、メチルシクロヘプチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基などが挙げられる。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
アダマンチル基を有する酸可溶化モノマー(a1−1)としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、及び2−イソプロピル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。
シクロへキシル基を有する酸可溶化モノマー(a1−2)としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも1−エチル−1−シクロヘキシル(メタ)アクリレートが好ましく、1−エチル−1−シクロヘキシルメタクリレートがより好ましい。
酸に不安定な基(1)とオレフィン性二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、式(a1−3)で表されるノルボルネン環を有する酸可溶化モノマーであってもよい。酸可溶化モノマー(a1−3)に由来する構造単位を有する樹脂は、嵩高い構造を有するので、レジストの解像度を向上させることができる。さらに酸可溶化モノマー(a1−3)は、樹脂の主鎖に剛直なノルボルナン環を導入してレジストのドライエッチング耐性を向上させることができる。
式(a1−3)中、Ra9は、水素原子、置換基(例えばヒドロキシ基)を有していてもよいC1-3脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基(−COORa13)を表し;Ra13は、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-8脂肪族炭化水素基を表し;前記脂肪族炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基で置換されていてもよく;前記脂肪族炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。Ra10〜Ra12は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-12脂肪族炭化水素基を表すか;或いはRa10及びRa11は互いに結合して環を形成していてもよく;前記脂肪族炭化水素基の水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく;前記脂肪族炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。
Ra9の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基、又は2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
Ra10〜Ra12としては、例えば、メチル基、エチル基、シクロへキシル基、メチルシクロへキシル基、ヒドロキシシクロへキシル基、オキソシクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。Ra10、Ra11及びこれらが結合する炭素が形成する環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロへキシル基、アダマンチル基などが挙げられる。
ノルボルネン環を有する酸可溶化モノマー(a1−3)としては、例えば、5−ノルボルネン−2−カルボン酸−tert−ブチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−シクロヘキシル−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチルシクロヘキシル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−メチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−エチル−2−アダマンチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−メチルシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチルなどが挙げられる。
樹脂(A)は、好ましくは、酸可溶化モノマー(a1)と、酸に不安定な基を有さないモノマー(以下、「酸安定モノマー」と略称することがある)との共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂(A)が酸可溶化モノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸可溶化モノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。またアダマンチル基を有する酸可溶化モノマー(特に酸可溶化モノマー(a1−1))に由来する構造単位を、酸可溶化モノマー(a1)100モル%に対して15モル%以上とすることが好ましい。アダマンチル基を有する酸可溶化モノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下、「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下、「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基体への密着性を向上させることができる。
〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーが好ましい。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)はベンゼン環を含まないため、KrFエキシマレーザー露光(248nm)やEUV露光(13〜14nm)を用いる場合だけでなく、ArFエキシマレーザー露光(193nm)を用いる場合にも、充分な透過率を確保できる。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーが好ましい。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)はベンゼン環を含まないため、KrFエキシマレーザー露光(248nm)やEUV露光(13〜14nm)を用いる場合だけでなく、ArFエキシマレーザー露光(193nm)を用いる場合にも、充分な透過率を確保できる。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
式(a2−1)中、La3は、酸素原子(−O−)、カルボニル基(−CO−)、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、又はこれらの組合せを表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0〜10の整数を表す。但しo1が0であるとは、メチル基が存在しないことを意味する。
酸素原子(−O−)やC1-17アルカンジイル基等が組み合わさった形状のLa3は、その主鎖を構成する原子数が17個以内であることが好ましい。組合せ形状のLa3としては、例えば
−O−C1-16アルカンジイル−、−C1-16アルカンジイル−O−、−Cj1アルカンジイル−O−Ci1アルカンジイル−(式中、1≦j1、1≦i1、j1+i1≦16、以下同じ);
−CO−C1-16アルカンジイル−、−C1-16アルカンジイル−CO−、−Cj1アルカンジイル−CO−Ci1アルカンジイル−;
−CO−O−、−CO−O−C1-15アルカンジイル−、−C1-15アルカンジイル−CO−O−、−Ch1アルカンジイル−CO−O−Cg1アルカンジイル−(式中、1≦h1、1≦g1、h1+g1≦15、以下同じ);
−O−CO−、−O−CO−C1-15アルカンジイル−、−C1-15アルカンジイル−O−CO−、−Ch1アルカンジイル−O−CO−Cg1アルカンジイル−;
−O−C1-14アルカンジイル−CO−O−、−CO−O−C1-14アルカンジイル−O−、−CO−O−C1-13アルカンジイル−CO−O−;
などが挙げられる。なおLa3で列挙した−O−C1-16アルカンジイル−等は、左側で式(a2−1)のカルボニル基と結合し、右側でヒドロキシアダマンチル基と結合することを意味する。
−O−C1-16アルカンジイル−、−C1-16アルカンジイル−O−、−Cj1アルカンジイル−O−Ci1アルカンジイル−(式中、1≦j1、1≦i1、j1+i1≦16、以下同じ);
−CO−C1-16アルカンジイル−、−C1-16アルカンジイル−CO−、−Cj1アルカンジイル−CO−Ci1アルカンジイル−;
−CO−O−、−CO−O−C1-15アルカンジイル−、−C1-15アルカンジイル−CO−O−、−Ch1アルカンジイル−CO−O−Cg1アルカンジイル−(式中、1≦h1、1≦g1、h1+g1≦15、以下同じ);
−O−CO−、−O−CO−C1-15アルカンジイル−、−C1-15アルカンジイル−O−CO−、−Ch1アルカンジイル−O−CO−Cg1アルカンジイル−;
−O−C1-14アルカンジイル−CO−O−、−CO−O−C1-14アルカンジイル−O−、−CO−O−C1-13アルカンジイル−CO−O−;
などが挙げられる。なおLa3で列挙した−O−C1-16アルカンジイル−等は、左側で式(a2−1)のカルボニル基と結合し、右側でヒドロキシアダマンチル基と結合することを意味する。
La3は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2)f1−CO−O−であり(前記式中、f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート、3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート及び(メタ)アクリル酸1−(3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルオキシカルボニル)メチルが好ましく;3−ヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレート及び3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチル(メタ)アクリレートがより好ましく;3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート及び3,5−ジヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートがさらに好ましい。
ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、ヒドロキシスチレン系モノマーを使用してもよい。ヒドロキシスチレン系モノマーに由来する構造単位を有する樹脂は、KrFエキシマレーザー露光(248nm)及びEUV露光(13〜14nm)を利用する場合に、充分な透過率を示す。ヒドロキシスチレン系モノマーとしては、式(a2−2)で示される酸安定モノマーが好ましい。ヒドロキシスチレン系の酸安定モノマー(a2−2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
式(a2−2)中、Ra18は、水素原子又はメチル基を表す。Ra19は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-6脂肪族炭化水素基を表し、p1は0〜4の整数を表す。但しp1が0であるとは、Ra19が存在しないことを意味し、p1が2以上のとき、複数のRa19は、互いに同一でも異なってもよい。
式(a2−2)中、ヒドロキシ基の結合位置は、好ましくは3位又は4位、より好ましくは4位である(但し、CH2=C(Ra18)−基の結合位置を1位とする)。Ra18として、水素原子及びメチル基の両方とも好ましい。Ra19は、好ましくは直鎖状又は分枝鎖状のC1-4アルキル基、より好ましくはメチル基又はエチル基であり、p1は、好ましくは0又は1である。
ヒドロキシスチレン系の酸安定モノマー(a2−2)としては、例えば以下のものが挙げられ、これらの中でも、4−ヒドロキシスチレン及び4−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが好ましい。
ヒドロキシスチレン系モノマーに由来する構造単位を樹脂に組み込む方法としては、上述のようなヒドロキシスチレン系モノマーを重合する方法や、ヒドロキシスチレン系モノマーの代わりにアセトキシスチレン系モノマーを重合した後、酸又は塩基で脱アセチル化してヒドロキシ基を形成する方法などが挙げられる。
〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えばβ−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、或いは単環状のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環、及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えばβ−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、或いは単環状のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環、及びγ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。
ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
式(a3−1)〜式(a3−3)中、La4〜La6は、それぞれ独立に、酸素原子(−O−)、カルボニル基(−CO−)、直鎖状又は分枝鎖状のC1-17アルカンジイル基、又はこれらの組合せを表す。Ra20〜Ra22は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra23は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-4脂肪族炭化水素基を表し、q1は0〜5の整数を表す。Ra24及びRa25は、それぞれ独立にカルボキシ基、シアノ基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-4脂肪族炭化水素基を表し、r1及びs1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。但しq1、r1又はs1が0であるとは、それぞれ、Ra23、Ra24又はRa25が存在しないことを意味し、q1、r1又はs1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa23、Ra24又はRa25は、互いに同一でも異なってもよい。
La4〜La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4〜La6は、それぞれ独立に、好ましくは−O−又は−O−(CH2)d1−CO−O−(前記式中、d1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。但しLa4〜La6で列挙した−O−等は、それぞれ、左側で式(a3−1)〜式(a3−3)のカルボニル基と結合し、右側でラクトン環と結合することを意味する。Ra20〜Ra22は、好ましくはメチル基である。Ra23は、好ましくはメチル基である。Ra24及びRa25は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。q1〜s1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
γ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)としては、例えば以下のものが挙げられる。
γ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)としては、例えば以下のものが挙げられる。
γ−ブチロラクトン環とシクロヘキサン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−3)としては、例えば以下のものが挙げられる。
ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)の中でも、(メタ)アクリル酸(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロ−2−オキソ−3−フリル、(メタ)アクリル酸2−(5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルオキシ)−2−オキソエチルが好ましく、メタクリレート形態のものがより好ましい。
〈その他の酸安定モノマー(a4)〉
その他の酸安定モノマー(a4)としては、例えば、式(a4−1)で表される無水マレイン酸、式(a4−2)で表される無水イタコン酸、又は式(a4−3)で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。
その他の酸安定モノマー(a4)としては、例えば、式(a4−1)で表される無水マレイン酸、式(a4−2)で表される無水イタコン酸、又は式(a4−3)で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。
式(a4−3)中、Ra27及びRa28は、それぞれ独立に、水素原子、置換基(例えばヒドロキシ基)を有していてもよいC1-3脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基、又はアルコキシカルボニル基(−COORa29)を表すか;或いはRa27及びRa28は互いに結合してカルボニルオキシカルボニル基:−CO−O−CO−を形成し;Ra29は、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-36脂肪族炭化水素基を表し;環式の脂肪族炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。但し−COORa29が酸不安定基となるものは除く(即ちRa29は、3級炭素原子が酸素原子(−O−)と結合するものを含まない)。
Ra27及びRa28の置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエチル基、などが挙げられる。Ra29の直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1〜8より好ましくは1〜6であり、環式の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは4〜36、より好ましくは4〜12である。Ra29としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、2−オキソ−オキソラン−3−イル基、2−オキソ−オキソラン−4−イル基などが挙げられる。
ノルボルネン環を有する酸安定モノマー(a4−3)としては、例えば2−ノルボルネン、2−ヒドロキシ−5−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシ−1−エチル、5−ノルボルネン−2−メタノール、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物などが挙げられる。
好ましい樹脂(A)は、少なくとも、酸可溶化モノマー(a1)、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及びラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)を重合させた共重合体である。この好ましい共重合体において、酸可溶化モノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有する酸可溶化モノマー(a1−1)及びシクロへキシル基を有する酸可溶化モノマー(a1−2)の少なくとも1種(さらに好ましくはアダマンチル基を有する酸可溶化モノマー(a1−1))であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。樹脂(A)は、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造できる。
樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下)である。
本発明のレジスト組成物が樹脂(A)を含有する場合、その含有量は、組成物の固形分中、好ましくは75質量%以上、より好ましくは85質量%以上である。なお本明細書において「組成物中の固形分」とは、溶剤(D)を除いた組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分、及びこれに対する樹脂(A)の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。
〈酸発生剤(B)〉
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、DNQ 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
酸発生剤(B)としては、レジスト分野で使用される酸発生剤(特に光酸発生剤)だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線(光)によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3,914,407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。
酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表されるスルホン酸塩である。
式(B1)中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はC1-6ペルフルオロアルキル基を表す。ペルフルオロアルキル基としては、例えばペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
式(B1)中、Yは、環式のC3-36脂肪族炭化水素基を表す。Yは、見掛け上、メチレン基(−CH2−)が酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換された環式の脂肪族炭化水素基でもよい。即ちYは、例えば環状エーテルの基{メチレン基(−CH2−)が酸素原子(−O−)で置換}、オキソ基を有する環式の脂肪族炭化水素基{メチレン基(−CH2−)がカルボニル基(−CO−)で置換}又はラクトン環の基{隣り合う2つのメチレン基(−CH2−)が、それぞれ、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換}であってもよい。
Yの環式の脂肪族炭化水素基としては、例えば式(Y1)〜式(Y24)で表される基が挙げられる。
環式の脂肪族炭化水素基は、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。
Yは、置換基を有していてもよい。Yの置換基としては、例えばハロゲン原子(但しフッ素原子を除く)、ヒドロキシ基、オキソ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有C1-12脂肪族炭化水素基、C1-12アルコキシ基、C6-18芳香族炭化水素基、C7-21アラルキル基、C2-4アシル基、グリシジルオキシ基、或いは−(CH2)j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-16脂肪族炭化水素基、或いはC6-18芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す。但しj2が0であるとはメチレン基が存在しないことを意味する。)などが挙げられる。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基としては、樹脂(A)で説明したものなどが例示できる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えばヒドロキシメチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基などが挙げられる。アラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。アシル基としては、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などが挙げられる。複数の置換基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
以下、置換基を有するYを例示する。まず脂肪族炭化水素基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
−(CH2)j2−O−CO−Rb1基を有するYとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Yは、好ましくは置換基(例えばオキソ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。
式(B1)中、Lb1は、単結合、或いは置換基を有していてもよい直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-17飽和脂肪族炭化水素基を表す。2価の飽和脂肪族炭化水素基としては、まず直鎖状アルカンジイル基、例えばメチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基が挙げられる。Lb1は、分枝鎖状アルカンジイル基でもよい。分枝鎖状アルカンジイル基としては、例えば、前記直鎖状アルカンジイル基に、見掛け上、直鎖状又は分枝鎖状のC1-4アルキル基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を付け加えたものが挙げられる。環式の2価の飽和脂肪族炭化水素基としては、シクロアルカンジイル基(例えばシクロヘキサンジイル基)、2価の橋かけ環状炭化水素基(例えばアダマンタンジイル基)が挙げられる。Lb1の飽和脂肪族炭化水素基の形状は、直鎖状、分枝鎖状及び環式の少なくとも2種を組み合わせたものでもよい。
Lb1の2価の飽和脂肪族炭化水素基は、置換基として、例えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、C6-18芳香族炭化水素基、C7-21アラルキル基、C2-4アシル基、又はグリシジルオキシ基などを有していてもよい。
Lb1のメチレン基(−CH2−)は、酸素原子(−O−)又はカルボニル基(−CO−)で置換されていてもよい。Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−6)のいずれか、より好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれか、さらに好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)で表される。なお式(b1−1)〜式(b1−6)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、左側でC(Q1)(Q2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−6)の具体例も同様である。
式(b1−1)、Lb2は、単結合、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。
式(b1−2)中、Lb3は、単結合、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルカンジイル基を表し;Lb4は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-13アルカンジイル基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数合計は13以下である。
式(b1−3)中、Lb5は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。
式(b1−4)中、Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数合計は16以下である。
式(b1−5)中、Lb8は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-14アルカンジイル基を表す。
式(b1−6)中、Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-11アルカンジイル基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数合計は12以下である。
これらの中でも連結部(b1−1)が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基(−CH2−)である連結部(b1−1)がより好ましい。
式(b1−2)中、Lb3は、単結合、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルカンジイル基を表し;Lb4は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-13アルカンジイル基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数合計は13以下である。
式(b1−3)中、Lb5は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。
式(b1−4)中、Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、直鎖状又は分枝鎖状のC1-15アルカンジイル基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数合計は16以下である。
式(b1−5)中、Lb8は、直鎖状又は分枝鎖状のC1-14アルカンジイル基を表す。
式(b1−6)中、Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-11アルカンジイル基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数合計は12以下である。
これらの中でも連結部(b1−1)が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基(−CH2−)である連結部(b1−1)がより好ましい。
連結部(b1−1)としては、例えば以下のものが挙げられる。
連結部(b1−2)としては、例えば以下のものが挙げられる。
連結部(b1−3)としては、例えば以下のものが挙げられる。
連結部(b1−4)としては、例えば以下のものが挙げられる。
連結部(b1−5)としては、例えば以下のものが挙げられる。
連結部(b1−6)としては、例えば以下のものが挙げられる。
スルホン酸アニオンは、連結部(b1−1)を有するものが好ましく、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるものがより好ましい。
式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)中、Q1、Q2及びLb2は、前記と同じである。Rb2及びRb3は、それぞれ独立にC1-4脂肪族炭化水素基(好ましくはメチル基)を表す。
次に具体的なスルホン酸アニオンを例示する。まず、無置換のYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオン;又は脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオン;としては、例えば以下のものが挙げられる。
−(CH2)j2−O−CO−Rb1基を有するYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基又はアラルキル基を有するYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
環状エーテルであるYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ラクトン環であるYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
オキソ基を有するYと連結部(b1−1)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
無置換のYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオン;又は脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオン;としては、例えば以下のものが挙げられる。
−(CH2)j2−O−CO−Rb1基を有するYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
環状エーテルであるYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ラクトン環であるYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
オキソ基を有するYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基を有するYと連結部(b1−2)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
無置換のYと連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオン;又は脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオン;としては、例えば以下のものが挙げられる。
アルコキシ基を有するYと連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
オキソ基を有するYと連結部(b1−3)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
アルコキシ基を有するYと連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基を有するYと連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
オキソ基を有するYと連結部(b1−4)とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。
上述のもののなかでも、連結部(b1−1)を有する以下のスルホン酸アニオンが好ましい。
次に酸発生剤(B)に含まれるカチオンについて説明する。酸発生剤のカチオンとしては、オニウムカチオン、例えばスルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。
式(B1)中のZ+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表される。
式(b2−1)中、Rb4〜Rb6は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-30脂肪族炭化水素基、或いはC6-18芳香族炭化水素基を表す。前記直鎖状、分枝鎖状又は環式の脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基及びC6-18芳香族炭化水素基よりなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよく;前記環式の脂肪族炭化水素基は、ハロゲン原子、C2-4アシル基、及びグリシジルオキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよく;前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-36脂肪族炭化水素基、及びC1-12アルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。
式(b2−2)中、Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基を表し、m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。但しm2又はn2が0であるとは、それぞれの置換基が存在しないことを意味し、m2又はn2が2以上のとき、それぞれ、複数のRb7及びRb8は、互いに同一でも異なってもよい。
式(b2−3)中、Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-36脂肪族炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-36脂肪族炭化水素基、或いはC6-18芳香族炭化水素基を表す。Rb9〜Rb11の直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1〜12であり、環式の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは3〜36、より好ましくは4〜12である。Rb12は、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-12脂肪族炭化水素基、或いはC6-18芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-12脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基、及びアルキルカルボニルオキシ基(このアルキル基には、環式の飽和脂肪族炭化水素基を含む)よりなり群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよく;これらの環は、環を形成する原子として、酸素原子(O)、硫黄原子(S)、及びオキソ基と結合した炭素原子(CO)よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含んでいてもよい。
式(b2−4)中、Rb13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12脂肪族炭化水素基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基を表す。Lb11は、硫黄原子又は酸素原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0〜2の整数)を表し、q2及びr2は、それぞれ独立に0〜4の整数(好ましくは0〜2の整数)を表し、u2は0又は1を表す。但しo2〜u2のいずれかが0であるとは、それぞれの置換基が存在しないことを意味し、o2〜t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13〜Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。
次に式(b2−1)〜式(b2−4)に含まれる置換基を説明する。脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基としては、上述したものを例示できる。好ましい直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、及び2−エチルヘキシル基である。好ましい環式の脂肪族炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキル−2−アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)−1−アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基(アラルキル基)としては、ベンジル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブチトキシ基、tert−ブチトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えばチオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えばオキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。
カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、カチオン(b2−1)が好ましく、式(b2−1−1)で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)がさらに好ましい。
式(b2−1−1)中、Rb19〜Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、直鎖状、分枝鎖状又は環式のC1-36脂肪族炭化水素基、或いは直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基を表す。前記直鎖状又は分枝鎖状の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは1〜12であり、環式の脂肪族炭化水素基の炭素数は、好ましくは4〜36である。前記直鎖状、分枝鎖状又は環式の脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルコキシ基及びC6-18芳香族炭化水素基よりなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよく;前記環式の脂肪族炭化水素基は、ハロゲン原子、C2-4アシル基、及びグリシジルオキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも1種で置換されていてもよい。v2〜x2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。但しv2〜x2のいずれかが0であるとは、それぞれ、Rb19〜Rb21が存在しないことを意味し、v2〜x2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19〜Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。
式(b2−1−1)中のRb19〜Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、直鎖状又は分枝鎖状のC1-12アルキル基、或いはC1-12アルコキシ基を表し;v2〜x2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。但しv2〜x2のいずれかが0であるとは、それぞれ、Rb19〜Rb21が存在しないことを意味する。
次に酸発生剤(B)に含まれる具体的なカチオンを例示する。まずカチオン(b2−1−1)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
カチオン(b2−2)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
カチオン(b2−3)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
カチオン(b2−4)の具体例としては、以下のものが挙げられる。
酸発生剤(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが好ましい。
好ましい酸発生剤(B1)は、式(B1−1)〜式(B1−16)で表されるものであり、これらの中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤(B1−1)、(B1−2)、(B1−6)、(B1−11)、(B1−12)、(B1−13)及び(B1−14)がより好ましい。
酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは20質量部以下(より好ましくは15質量部以下)である。
〈溶剤(D)〉
本発明のレジスト組成物は、溶剤(D)を含有していてもよい。溶剤(D)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン(メチルアミルケトン)、シクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤(D)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明のレジスト組成物は、溶剤(D)を含有していてもよい。溶剤(D)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン(メチルアミルケトン)、シクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等の環状エステル類;などを挙げることができる。溶剤(D)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
溶剤(D)の含有量は、レジスト組成物全体に対して、通常、60質量%以上(好ましくは80質量%以上、より好ましくは90質量%以上)、99.5質量%以下(好ましくは98質量%以下)である。
〈その他の任意成分(E)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の任意成分(E)を含有していてもよい。任意成分(E)に特に限定は無く、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の任意成分(E)を含有していてもよい。任意成分(E)に特に限定は無く、レジスト分野で公知の添加剤、例えば増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料などを利用できる。
〈レジストパターンの製造方法〉
レジストパターンの製造方法は、通常、
(1)レジスト組成物を基体上に塗布してレジスト膜を得る工程(以下、「塗布工程1」と略称する)と、
(2)レジスト膜をプリベークする工程(以下、「プリベーク工程2」と略称する)と、
(3)プリベークしたレジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程3」と略称する)と、
(4)露光したレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程(以下、「ポストエクスポージャーベーク工程4」と略称する)と、
(5)ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程(以下、「現像工程5」と略称する)と
を含む。以下、各工程を順に説明する。
レジストパターンの製造方法は、通常、
(1)レジスト組成物を基体上に塗布してレジスト膜を得る工程(以下、「塗布工程1」と略称する)と、
(2)レジスト膜をプリベークする工程(以下、「プリベーク工程2」と略称する)と、
(3)プリベークしたレジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程3」と略称する)と、
(4)露光したレジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程(以下、「ポストエクスポージャーベーク工程4」と略称する)と、
(5)ポストエクスポージャーベークしたレジスト膜をアルカリ現像液で現像してレジストパターンを得る工程(以下、「現像工程5」と略称する)と
を含む。以下、各工程を順に説明する。
〈塗布工程1〉
レジスト組成物を塗布するにあたっては、予め、レジスト組成物の各成分を溶剤中で混合した後、ポアサイズが0.2μm以下程度のフィルタでろ過しておくことが望ましい。ろ過することで、レジスト組成物を塗布する際の均一性が向上する。
レジスト組成物を塗布するにあたっては、予め、レジスト組成物の各成分を溶剤中で混合した後、ポアサイズが0.2μm以下程度のフィルタでろ過しておくことが望ましい。ろ過することで、レジスト組成物を塗布する際の均一性が向上する。
レジスト組成物が塗布される基体としては、用途に応じて適宜設定でき、例えばセンサ、回路、トランジスタなどが形成されたシリコンウエハ、石英ウエハなどが挙げられる。
基体上にレジスト組成物の塗膜を形成する方法は特に限定されず、スピンコート法などの通常の塗布方法を適宜採用できる。
〈プリベーク工程2〉
プリベークによって、レジスト膜の機械的強度を高め、露光後のレジスト膜中の活性種(H+)の拡散度合いを調整することができる。プリベーク温度TPBは、例えば50〜200℃程度である。
プリベークによって、レジスト膜の機械的強度を高め、露光後のレジスト膜中の活性種(H+)の拡散度合いを調整することができる。プリベーク温度TPBは、例えば50〜200℃程度である。
〈露光工程3〉
本発明のレジスト組成物は、レーザー露光又は電子線露光などに使用できる。レーザー露光の場合、プリベーク後のレジスト膜に、目的のパターン(例えばラインアンドスペース、ドット、コンタクトホール)に対応するマスクを介して露光が行われる。一方、電子線露光の場合は、マスクを使用しなくてもよい。露光機としては、例えば縮小投影型露光装置が用いられる。レーザー露光の光源としては、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、F2エキシマレーザー(波長157nm)のような紫外域のレーザー光を放射するもの、固体レーザー光源(YAG又は半導体レーザー等)からのレーザー光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザー光を放射するものなどを使用できる。電子線露光では、電子銃などを使用できる。露光量は、レジスト組成物中の成分の種類及び含有量に応じて適宜選択すればよい。
本発明のレジスト組成物は、レーザー露光又は電子線露光などに使用できる。レーザー露光の場合、プリベーク後のレジスト膜に、目的のパターン(例えばラインアンドスペース、ドット、コンタクトホール)に対応するマスクを介して露光が行われる。一方、電子線露光の場合は、マスクを使用しなくてもよい。露光機としては、例えば縮小投影型露光装置が用いられる。レーザー露光の光源としては、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、F2エキシマレーザー(波長157nm)のような紫外域のレーザー光を放射するもの、固体レーザー光源(YAG又は半導体レーザー等)からのレーザー光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザー光を放射するものなどを使用できる。電子線露光では、電子銃などを使用できる。露光量は、レジスト組成物中の成分の種類及び含有量に応じて適宜選択すればよい。
〈ポストエクスポージャーベーク工程4〉
露光後のレジスト膜で活性種(H+)の拡散及び活性種による反応を促進するために、ポストエクスポージャーベークが行われる。ポストエクスポージャーベーク温度TPEBは、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
露光後のレジスト膜で活性種(H+)の拡散及び活性種による反応を促進するために、ポストエクスポージャーベークが行われる。ポストエクスポージャーベーク温度TPEBは、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
〈現像工程5〉
現像は、現像装置を用いて、レジスト膜が設けられた基体を通常の現像液に接触することで行えばよい。現像液としては、例えばアルカリ水溶液(詳しくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等)が用いられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を添加してもよい。現像液を振り切り、水洗し、次いで水を除去することによってレジストパターンを形成することが好ましい。
現像は、現像装置を用いて、レジスト膜が設けられた基体を通常の現像液に接触することで行えばよい。現像液としては、例えばアルカリ水溶液(詳しくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等)が用いられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を添加してもよい。現像液を振り切り、水洗し、次いで水を除去することによってレジストパターンを形成することが好ましい。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、上記・下記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
以下において、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記がないかぎり質量基準である。
以下において、含有量ないし使用量を表す%及び部は、特記がないかぎり質量基準である。
樹脂の重量平均分子量は、以下の条件のゲル浸透クロマトグラフィーによって求めた値である。
装置;HLC−8120GPC(東ソー(株)製)
カラム:「TSKgel Multipore HXL−M」3本+「guardcolumn」(東ソー(株)製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー(株)製)
装置;HLC−8120GPC(東ソー(株)製)
カラム:「TSKgel Multipore HXL−M」3本+「guardcolumn」(東ソー(株)製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μL
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー(株)製)
化合物の構造は、NMR(日本電子製EX−270型)、質量分析(LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)で確認した。
1.化合物(C1)の合成
レゾルシノール20.76部、メタノール33.22部及び4−ジメチルアミノベンズアルデヒド25.32部を含む溶液に、塩酸24.51部を氷浴上で攪拌しながら滴下した。得られた混合物にイオン交換水16.61部加え、60℃で7時間攪拌した。冷却後、1,4―ジオキサンを843.02部加え、析出物を濾取した。次いで濾取した析出物を3%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、酢酸エチル249.17部に溶解させ、その溶解液をイオン交換水で洗浄した。次いで分液して得られた有機層を濃縮し、トルエンを加え、析出した化合物を濾取し、さらに濾取した析出物38.8部を酢酸エチル77.6部に溶解させ、活性炭1部を添加し、攪拌し、濾過により活性炭を除去し、得られた濾液にトルエン620部を加え、析出物を濾取した。さらに濾取した析出物を減圧乾燥することによって、化合物(C1−2)31.65g(純度92%、収率77%)を得た。
レゾルシノール20.76部、メタノール33.22部及び4−ジメチルアミノベンズアルデヒド25.32部を含む溶液に、塩酸24.51部を氷浴上で攪拌しながら滴下した。得られた混合物にイオン交換水16.61部加え、60℃で7時間攪拌した。冷却後、1,4―ジオキサンを843.02部加え、析出物を濾取した。次いで濾取した析出物を3%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、酢酸エチル249.17部に溶解させ、その溶解液をイオン交換水で洗浄した。次いで分液して得られた有機層を濃縮し、トルエンを加え、析出した化合物を濾取し、さらに濾取した析出物38.8部を酢酸エチル77.6部に溶解させ、活性炭1部を添加し、攪拌し、濾過により活性炭を除去し、得られた濾液にトルエン620部を加え、析出物を濾取した。さらに濾取した析出物を減圧乾燥することによって、化合物(C1−2)31.65g(純度92%、収率77%)を得た。
化合物(C1−2)の物性データ
MS:964.44
1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6):δ(ppm)2.73(m,24H)、5.40(m,4H)、5.90−6.90(m,24H)、8.00−8.87(m,8H)
MS:964.44
1H−NMR(ジメチルスルホキシド−d6):δ(ppm)2.73(m,24H)、5.40(m,4H)、5.90−6.90(m,24H)、8.00−8.87(m,8H)
2.樹脂(A)の合成
(1)樹脂(A1)の合成
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル{即ち下記式(a1−1−1)で表されるモノマー}及びp−アセトキシスチレンを、モル比30:70の割合で仕込み、次いで、モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のイソプロパノールを加えた。得られた混合物に、開始剤としてジメチル2,2−アゾビス(2−メチルプロピオネート)をモノマーの合計モル数に対して6モル%の割合で添加し、これを75℃で約12時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させる操作を行なうことによって共重合体を得た。
(1)樹脂(A1)の合成
メタクリル酸2−エチル−2−アダマンチル{即ち下記式(a1−1−1)で表されるモノマー}及びp−アセトキシスチレンを、モル比30:70の割合で仕込み、次いで、モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のイソプロパノールを加えた。得られた混合物に、開始剤としてジメチル2,2−アゾビス(2−メチルプロピオネート)をモノマーの合計モル数に対して6モル%の割合で添加し、これを75℃で約12時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールに注いで沈殿させる操作を行なうことによって共重合体を得た。
得られた共重合体と、共重合体質量に対して3.0質量倍のメタノールとを仕込み、次いで、4−ジメチルアミノピリジンを共重合体化前のモノマーの合計モル数に対して、10モル%の割合で添加し、20時間加熱還流することによってアセトキシ基を脱アセチル化し、共重合体中にヒドロキシ基を形成した。冷却後、反応液を氷酢酸で中和して、大量の水に注いで沈殿させた。析出した共重合体をろ別し、アセトンに溶解させた後、大量の水に注いで沈殿させる操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約8200の共重合体を収率65%で得た。この共重合体を樹脂(A1)とした。
(2)樹脂(A2)の合成
温度計及び攪拌装置を備えたフラスコに、モノマー(a1−1−1)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−1)を、モル比35:12:30:23の割合で仕込み、次いでモノマーの合計質量に対して1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を、モノマーの合計モル数に対して、それぞれ1モル%及び3モル%の割合で添加し、これを75℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、メタノールと水との容量比4:1の混合溶媒の大過剰量中に注いで、析出した樹脂を濾取した。さらに濾取された樹脂を前記と同じ比率の大過剰量の混合溶媒中に注いで、濾取する操作を2回行うことによって精製し、重量平均分子量が約8200の共重合体を収率76%で得た。この共重合体を樹脂(A2)とした。
温度計及び攪拌装置を備えたフラスコに、モノマー(a1−1−1)、モノマー(a2−1−1)、モノマー(a3−1−1)及びモノマー(a3−2−1)を、モル比35:12:30:23の割合で仕込み、次いでモノマーの合計質量に対して1.5質量倍のジオキサンを加えた。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を、モノマーの合計モル数に対して、それぞれ1モル%及び3モル%の割合で添加し、これを75℃で約5時間加熱した。その後、反応液を、メタノールと水との容量比4:1の混合溶媒の大過剰量中に注いで、析出した樹脂を濾取した。さらに濾取された樹脂を前記と同じ比率の大過剰量の混合溶媒中に注いで、濾取する操作を2回行うことによって精製し、重量平均分子量が約8200の共重合体を収率76%で得た。この共重合体を樹脂(A2)とした。
3.レジスト組成物及びレジストパターンの製造
(1)試験No.1〜5(電子線露光)
以下の各成分を混合・溶解して得られた混合物を、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することで、化学増幅型レジスト組成物を調製した。
(1)試験No.1〜5(電子線露光)
以下の各成分を混合・溶解して得られた混合物を、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することで、化学増幅型レジスト組成物を調製した。
樹脂(A1):10部
酸発生剤(B1−11):1.73部
化合物(C1−2):表1に示す量
溶剤(D1):445部
{溶剤(D1)の内訳:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400部プロピレングリコールモノメチルエーテル40部、及びγ−ブチロラクトン5部}
酸発生剤(B1−11):1.73部
化合物(C1−2):表1に示す量
溶剤(D1):445部
{溶剤(D1)の内訳:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400部プロピレングリコールモノメチルエーテル40部、及びγ−ブチロラクトン5部}
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した上で、プリベーク後のレジスト膜の膜厚が40nmとなるように、レジスト組成物をスピンコートした。スピンコート後、ダイレクトホットプレート上にて表1に示す温度で60秒間プリベークした。プリベーク後のレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機(HL−800D;(株)日立ハイテクノロジーズ製;50keV)を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターン(ライン線幅:スペース線幅=1:1)を露光した。露光後に、ホットプレート上にて表1に示す温度で60秒間ポストエクスポージャーベークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
現像後のレジストパターンを走査型電子顕微鏡(S−4100;(株)日立製作所製)で観察した。100nmのラインアンドスペースパターンの線幅が1:1となる露光量を実効感度とし、この実効感度において、解像しているラインアンドスペースパターンの最小寸法を解像度として測定した。実効感度及び解像度の結果を表1に示す。表1に示されているように、本発明のレジスト組成物の解像度は60nmであり、電子線露光で、微細なレジストパターンを製造できる。
(2)試験No.6(ArFエキシマレーザー露光)
以下の各成分を混合・溶解して得られた混合物を、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することで、化学増幅型レジスト組成物を調製した。
以下の各成分を混合・溶解して得られた混合物を、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過することで、化学増幅型レジスト組成物を調製した。
樹脂(A2):10部
酸発生剤(B1−6):0.5部
化合物(C1−2):0.095部
溶剤(D2):313.5部
{溶剤(D2)の内訳:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート250部、2−ヘプタノン20.0部、プロピレングリコールモノメチルエーテル40.0部、及びγ−ブチロラクトン3.5部}
酸発生剤(B1−6):0.5部
化合物(C1−2):0.095部
溶剤(D2):313.5部
{溶剤(D2)の内訳:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート250部、2−ヘプタノン20.0部、プロピレングリコールモノメチルエーテル40.0部、及びγ−ブチロラクトン3.5部}
シリコンウェハーに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃・60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いでこの有機反射防止膜の上に、プリベーク後のレジスト膜の膜厚が85nmとなるようにレジスト組成物をスピンコートした。スピンコート後、得られたシリコンウェハーをダイレクトホットプレート上にて、100℃で60秒間、プリベークした。プリベーク後のレジスト組成物の膜が形成されたシリコンウェハーに、ArFエキシマレーザーステッパー(FPA5000−AS3;(株)キヤノン製;NA=0.75、2/3Annular)を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターン(ライン線幅:スペース線幅=1:1)を形成するためのフォトマスクを介して露光した。露光後に、前記シリコンウェハーを、ホットプレート上にて100℃で60秒間ポストエクスポージャーベークを行い、さらに2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行なった。
現像後のレジストパターンを走査型電子顕微鏡(S−4100;(株)日立製作所製)で観察したところ、実効感度30mJ/cm2で、線幅85nmの1:1ラインアンドスペースパターンが形成できていることを確認した。このように本発明のレジスト組成物は、ArFエキシマレーザー露光で微細なレジストパターンを形成できる。
本発明のレジスト組成物は、電子線露光及びレーザー露光のいずれにも有用である。本発明のレジスト組成物は、いずれの露光でも微細なレジストパターンを形成できる。
Claims (10)
- 式(C1)で表される化合物及び酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。
式(2−2)中、Lc2は、単結合、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。] - Rc1が、ヒドロキシ基及び直鎖状又は分枝鎖状のC1-5アルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも1つを含む請求項1に記載のレジスト組成物。
- Rc1が、1つ又は2つのヒドロキシ基を含む請求項1又は2に記載のレジスト組成物。
- Rc2が、式(2−3)で表される基である請求項1〜3のいずれかに記載のレジスト組成物。
- Rc2が式(2−2)で表される基であり、Rc5が、環を構成する原子として窒素原子を含み、且つ不飽和結合を有する環式の基である請求項1〜3のいずれかに記載のレジスト組成物。
- さらに、酸の作用によりアルカリ可溶となる樹脂を含む請求項1〜5のいずれかに記載のレジスト組成物。
- 式(C1)で表される化合物の含有量が、酸発生剤100質量部に対して4〜100質量部である請求項1〜6のいずれかに記載のレジスト組成物。
- 酸発生剤が、式(B1)で表される酸発生剤を含む請求項1〜7のいずれかに記載のレジスト組成物。
- 式(C1)で表される化合物。
式(2−2)中、Lc2は、単結合、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。] - 式(C1)で表される化合物。
式(2−2)中、Lc2は、単結合、或いは直鎖状、分枝鎖状又は環式の2価のC1-10炭化水素基を表し;前記2価の炭化水素基のメチレン基(−CH2−)は酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。Rc5は、環を構成する原子として窒素原子を含む環式の基を表す。]
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020106696A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型感光性組成物、感光性ドライフィルム、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、めっき造形物の製造方法及び化合物 |
-
2009
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US11474432B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-10-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified photosensitive composition, photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and compound |
JP7257142B2 (ja) | 2018-12-27 | 2023-04-13 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型感光性組成物、感光性ドライフィルム、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法及びめっき造形物の製造方法 |
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