JP2011054831A - Back contact type solar cell, solar cell string, and solar cell module - Google Patents

Back contact type solar cell, solar cell string, and solar cell module Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a back contact type solar cell reduced in cost, and improved in a yield by preventing occurrence of a short circuit. <P>SOLUTION: This back contact type solar cell includes: a substrate 2 with p-type diffusion regions 3 and n-type diffusion regions 4 alternately and respectively linearly formed at predetermined intervals on a back face side on the side opposite to a light reception surface side; and a first insulation film 5 formed on the upper surface of the back face of the substrate 2 with first openings 6 formed along the p-type diffusion regions 3 and the n-type diffusion regions 4. The solar cell further includes: first p-type metal electrodes 7 located above the p-type diffusion regions 3 and formed to embed the insides of the first openings 6; and first n-type metal electrodes 8 located above the n-type diffusion regions 4 and formed to embed the insides of the first openings 6. The solar cell still further includes: a second insulation film 9 formed on the upper surface of the insulation film 5 with a plurality of openings 10 formed thereon, and second metal electrodes 11 formed to embed the insides of the second openings 10. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールに関し、特に、金属電極を2層で形成した、バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールに関する。   The present invention relates to a back contact solar cell, a solar cell string and a solar cell module, and more particularly to a back contact solar cell, a solar cell string and a solar cell module in which metal electrodes are formed in two layers.

従来の太陽電池セルにおいては、シリコン基板の太陽光が入射する側の表面である受光面から、シリコン基板の導電型とは反対の導電型の不純物を拡散することにより、pn接合を形成していた。その基板の受光面、および、受光面とは反対側の裏面に、それぞれ電極を形成していた。   In a conventional solar cell, a pn junction is formed by diffusing impurities of a conductivity type opposite to the conductivity type of the silicon substrate from the light receiving surface which is the surface of the silicon substrate on which sunlight is incident. It was. Electrodes were formed on the light receiving surface of the substrate and on the back surface opposite to the light receiving surface, respectively.

上記の太陽電池セルにおいては、受光面に電極が形成されているため、電極により太陽光の入射が妨げられ、発電効率が低下するという問題があった。そこで、シリコン基板の受光面に電極を形成せず、裏面のみに電極を形成するバックコンタクト型(裏面接合型)太陽電池が提案されている。バックコンタクト型太陽電池の製造方法を開示した先行文献として、特許文献1(米国特許4,927,770号公報)がある。   In the above-described solar battery cell, since the electrode is formed on the light receiving surface, there is a problem that the incidence of sunlight is hindered by the electrode and the power generation efficiency is lowered. Accordingly, a back contact type (back junction type) solar cell has been proposed in which an electrode is not formed on the light receiving surface of a silicon substrate, but an electrode is formed only on the back surface. Patent Document 1 (US Pat. No. 4,927,770) is a prior art document that discloses a method for manufacturing a back contact solar cell.

図25は、従来のバックコンタクト型太陽電池セルを模式的に示す断面図である。図26は、従来の太陽電池ストリングを模式的に示す断面図である。なお、図26に示す太陽電池ストリングにおけるバックコンタクト型太陽電池セルは、図25に示すバックコンタクト型太陽電池セルとは上下方向を逆に記載している。また、図示の簡略化のため、図26に示す太陽電池ストリングにおけるバックコンタクト型太陽電池セルにおいては、第1p型金属電極57はp型拡散領域52のみに接続され、第2n型金属電極60はn型拡散領域53のみに接続されるように図示している。   FIG. 25 is a cross-sectional view schematically showing a conventional back contact solar cell. FIG. 26 is a cross-sectional view schematically showing a conventional solar cell string. In addition, the back contact type solar cell in the solar cell string shown in FIG. 26 is described upside down with respect to the back contact type solar cell shown in FIG. For simplification of illustration, in the back contact solar cell in the solar cell string shown in FIG. 26, the first p-type metal electrode 57 is connected only to the p-type diffusion region 52, and the second n-type metal electrode 60 is It is illustrated so as to be connected only to the n-type diffusion region 53.

図25に示すように、従来のバックコンタクト型太陽電池セルにおいては、シリコン基板51の太陽光64の受光面とは反対側の裏面に、p型拡散領域52とn型拡散領域53とが、図の紙面に垂直な方向に直線状に形成されている。シリコン基板51の裏面の上面には、酸化シリコン膜54aおよび窒化シリコン膜54bからなる第1絶縁膜が形成されている。   As shown in FIG. 25, in the conventional back contact solar cell, a p-type diffusion region 52 and an n-type diffusion region 53 are formed on the back surface of the silicon substrate 51 opposite to the light receiving surface of the sunlight 64. It is formed linearly in a direction perpendicular to the drawing sheet. On the upper surface of the back surface of the silicon substrate 51, a first insulating film made of a silicon oxide film 54a and a silicon nitride film 54b is formed.

第1絶縁膜54a,54bにおける、p型拡散領域52およびn型拡散領域53の上方の位置に、第1開口部65が形成されている。この第1開口部65を埋めるように、p型拡散領域52に接続される第1p型金属電極57、およびn型拡散領域53に接続される第1n型金属電極59が形成されている。   A first opening 65 is formed at a position above the p-type diffusion region 52 and the n-type diffusion region 53 in the first insulating films 54a and 54b. A first p-type metal electrode 57 connected to the p-type diffusion region 52 and a first n-type metal electrode 59 connected to the n-type diffusion region 53 are formed so as to fill the first opening 65.

窒化シリコン膜54bの上面には、第2絶縁膜58が形成されている。第2絶縁膜58には、p型拡散領域52およびn型拡散領域53が延びる方向に対して直交する方向の直線上において、p型拡散領域52またはn型拡散領域53の一方の上方の位置に第2開口部66が形成されている。さらに、第2絶縁膜58には、p型拡散領域52およびn型拡散領域53が延びる方向に対して直交する方向の他の直線上において、p型拡散領域52またはn型拡散領域53の他方の上方の位置に第2開口部66が形成されている。   A second insulating film 58 is formed on the upper surface of the silicon nitride film 54b. The second insulating film 58 has a position above one of the p-type diffusion region 52 and the n-type diffusion region 53 on a straight line perpendicular to the direction in which the p-type diffusion region 52 and the n-type diffusion region 53 extend. A second opening 66 is formed in the first. Further, the second insulating film 58 includes the other of the p-type diffusion region 52 and the n-type diffusion region 53 on another straight line in the direction orthogonal to the direction in which the p-type diffusion region 52 and the n-type diffusion region 53 extend. A second opening 66 is formed at a position above the.

p型拡散領域52の上方の第2開口部66を埋めるように第2p型金属電極が、また、n型拡散領域53の上方の第2開口部66を埋めるように第2n型金属電極60が、それぞれ形成されている。第2p型金属電極は、第1p型金属電極57を通じてp型拡散領域52に接続されている。第2n型金属電極60は、第1n型金属電極59を通じてn型拡散領域53に接続されている。   A second p-type metal electrode fills the second opening 66 above the p-type diffusion region 52, and a second n-type metal electrode 60 fills the second opening 66 above the n-type diffusion region 53. , Each is formed. The second p-type metal electrode is connected to the p-type diffusion region 52 through the first p-type metal electrode 57. The second n-type metal electrode 60 is connected to the n-type diffusion region 53 through the first n-type metal electrode 59.

このバックコンタクト型太陽電池セルは、大きな電流を生じるとともに、比較的低い出力電圧となるため、太陽電池セルの直列抵抗は、極度に小さい値でなければならない。バックコンタクト型太陽電池セルの直列抵抗を極度に小さい値にするため、バックコンタクト型太陽電池セルに2層の金属層を形成している。   The back contact solar cell generates a large current and has a relatively low output voltage. Therefore, the series resistance of the solar cell must be extremely small. In order to make the series resistance of the back contact solar cell extremely small, two metal layers are formed on the back contact solar cell.

つまり、1層目の金属層において、第1p型金属電極57をp型拡散領域52に、および、第1n型金属電極59をn型拡散領域53にそれぞれ沿うように形成することにより、第1p型金属電極57とp型拡散領域52との接触面積、および、第1n型金属電極59とn型拡散領域53との接触面積を広く確保して直列抵抗値を低減している。2層目の金属層において、第2p型金属電極および第2n型金属電極60からなる第2金属電極を形成することにより、電極が形成された電極基板に半田付けが可能な構造となっている。   That is, by forming the first p-type metal electrode 57 along the p-type diffusion region 52 and the first n-type metal electrode 59 along the n-type diffusion region 53 in the first metal layer, the first p-type metal electrode 57 is formed. The series resistance value is reduced by ensuring a wide contact area between the type metal electrode 57 and the p-type diffusion region 52 and a contact area between the first n-type metal electrode 59 and the n-type diffusion region 53. In the second metal layer, the second metal electrode composed of the second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode 60 is formed so that the electrode substrate on which the electrode is formed can be soldered. .

p型拡散領域52と接続される第1p型金属電極57およびn型拡散領域53と接続される第1n型金属電極59を、非常に幅の狭い配線により形成することにより、シリコン基板51の表面におけるキャリアの再結合速度を低く抑えている。上記のようにして、バックコンタクト型太陽電池セルの高集光化および高効率化を図っている。   By forming the first p-type metal electrode 57 connected to the p-type diffusion region 52 and the first n-type metal electrode 59 connected to the n-type diffusion region 53 with a very narrow wiring, the surface of the silicon substrate 51 The recombination rate of the carrier is kept low. As described above, high concentration and high efficiency of the back contact solar cell are achieved.

図26に示すように、従来のバックコンタクト型太陽電池ストリングにおいては、第2p型金属電極および第2n型金属電極60が、接合部材である半田61により、電極基板63の上面に形成された電極62に接合されている。電極基板63には、バックコンタクト型太陽電池セルの第2p型金属電極および第2n型金属電極を構成する配線パターンに対応した電極62が形成されている。   As shown in FIG. 26, in the conventional back contact type solar cell string, the second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode 60 are formed on the upper surface of the electrode substrate 63 by the solder 61 as a joining member. 62 is joined. On the electrode substrate 63, electrodes 62 corresponding to the wiring patterns constituting the second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode of the back contact solar cell are formed.

バックコンタクト型太陽電池において、電極基板に半田付けされる基板表面を平坦化して導電性を確保したバックコンタクト型太陽電池セルの製造方法を開示した先行文献として、特許文献2(特開2001−189481号公報)がある。   Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-189481) is a prior art document that discloses a method of manufacturing a back contact solar cell in which a substrate surface soldered to an electrode substrate is flattened to ensure conductivity in a back contact solar cell. Issue gazette).

特許文献2に記載されたバックコンタクト型太陽電池セルの製造方法においては、バックコンタクト型太陽電池セルに接合させる電極基板との導電性を確保するために、バックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第1金属電極層と第2金属電極層との間に形成される絶縁膜としてポリイミドを用いることにより、基板表面を平坦化している。   In the manufacturing method of the back contact solar cell described in Patent Document 2, in order to ensure conductivity with the electrode substrate to be joined to the back contact solar cell, By using polyimide as an insulating film formed between the metal electrode layer and the second metal electrode layer, the substrate surface is planarized.

米国特許第4,927,770号明細書U.S. Pat. No. 4,927,770 特開2001−189481号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-189481

図27は、図25に示す従来のバックコンタクト型太陽電池セルにおける問題点を模式的に示す断面図である。図27に示すように、第2金属電極のうち、下方に第2絶縁膜58が形成されている部分(図中の破線で囲まれた部分)は、図26に示す電極基板63とバックコンタクト型太陽電池セルとの電気的接続をする際に、省略することができる部分である。   FIG. 27 is a cross-sectional view schematically showing a problem in the conventional back contact solar cell shown in FIG. As shown in FIG. 27, the portion of the second metal electrode in which the second insulating film 58 is formed below (the portion surrounded by the broken line in the drawing) is the back contact with the electrode substrate 63 shown in FIG. This is a part that can be omitted when making electrical connection with the solar cell.

具体的には、図26に示すように、バックコンタクト型太陽電池セルの第2金属電極と電極基板63の電極62とを接合する場合、第2絶縁膜58に設けられた第2開口部66に埋め込まれた第2金属電極により、第1p型金属電極57および第1n型金属電極59との電気的接続が確保できていればよい。そのため、図27に示す破線部分においては、電極形成が不要となる。   Specifically, as shown in FIG. 26, when the second metal electrode of the back contact solar cell and the electrode 62 of the electrode substrate 63 are joined, the second opening 66 provided in the second insulating film 58. It is only necessary to ensure electrical connection between the first p-type metal electrode 57 and the first n-type metal electrode 59 by the second metal electrode embedded in the first electrode. Therefore, it is not necessary to form an electrode in the broken line portion shown in FIG.

図25に示すような電極が2層金属で形成されている場合において、第2金属電極を厚膜の配線パターンにより形成する方法として、印刷法などがある。印刷法により配線を形成する材料として銀などが用いられる。図27において示す破線で囲まれた導電性を確保するうえで不要な部分に、銀などが印刷されることにより、バックコンタクト型太陽電池セルのコスト削減の妨げとなっていた。   In the case where the electrode as shown in FIG. 25 is formed of a two-layer metal, a method of forming the second metal electrode with a thick film wiring pattern includes a printing method. Silver or the like is used as a material for forming wiring by a printing method. 27. Since silver or the like is printed on an unnecessary portion for ensuring the conductivity surrounded by the broken line shown in FIG. 27, the cost reduction of the back contact solar cell has been hindered.

また、図27において、第2絶縁膜58にピンホール69などの欠陥が形成された場合、第1p型金属電極57と第2n型金属電極67、または、第1n型金属電極59と第2p型金属電極とが電気的に接続されてしまい、ショートを引き起こす。この場合、バックコンタクト型太陽電池セルの歩留まりの低下の原因となる。   In FIG. 27, when a defect such as a pinhole 69 is formed in the second insulating film 58, the first p-type metal electrode 57 and the second n-type metal electrode 67, or the first n-type metal electrode 59 and the second p-type. The metal electrode is electrically connected to cause a short circuit. In this case, the yield of the back contact solar cell is reduced.

本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、第1p型金属電極および第1n型金属電極の上面に間隔を置いて形成された第2開口部の位置に第2金属電極を形成することにより、コスト削減を図るとともに、第2絶縁膜にピンホールなどの欠陥ができた場合に、ショートが発生することを防止して歩留まりの向上を図ることができる、バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and the second metal electrode is formed at the position of the second opening formed at an interval on the upper surfaces of the first p-type metal electrode and the first n-type metal electrode. As a result, the back contact solar cell can reduce the cost and prevent the occurrence of a short circuit and improve the yield when a defect such as a pinhole is formed in the second insulating film. An object is to provide a solar cell string and a solar cell module.

本発明に基づくバックコンタクト型太陽電池セルにおいては、受光面側とは反対側の裏面側に、p型拡散領域とn型拡散領域とが交互にそれぞれ直線状に所定の間隔を置いて形成された基板と、基板の裏面の上面に形成され、p型拡散領域およびn型拡散領域に沿うように第1開口部が設けられた第1絶縁膜とを備えている。また、バックコンタクト型太陽電池セルは、p型拡散領域の上方の第1開口部の内部を埋め込むように形成された第1p型金属電極と、n型拡散領域の上方の第1開口部の内部を埋め込むように形成された第1n型金属電極とを備えている。さらに、バックコンタクト型太陽電池セルは、第1絶縁膜の上面に形成され、複数の第2開口部が設けられた第2絶縁膜と、第2開口部内の内部を埋め込むように形成された第2金属電極とを備えている。第2開口部には、第1開口部が沿う方向に対して交差する方向に延び、互いに平行で所定の間隔を有する複数の第1仮想直線上において、第1p型金属電極の上方の位置に形成された複数の第1コンタクト開口部と、第1仮想直線と交互に平行に配置され、互いに所定の間隔を有する複数の第2仮想直線上において、第1n型金属電極の上方の位置に形成された複数の第2コンタクト開口部が含まれる。第2金属電極には、第1コンタクト開口部の内部を埋め込むように形成された第2p型金属電極と、第2コンタクト開口部の内部を埋め込むように形成された第2n型金属電極とが含まれる。   In the back contact solar cell according to the present invention, the p-type diffusion region and the n-type diffusion region are alternately formed on the back surface side opposite to the light receiving surface side at predetermined intervals. And a first insulating film formed on the upper surface of the back surface of the substrate and provided with a first opening along the p-type diffusion region and the n-type diffusion region. The back contact solar cell includes a first p-type metal electrode formed so as to embed the inside of the first opening above the p-type diffusion region, and the inside of the first opening above the n-type diffusion region. And a first n-type metal electrode formed so as to be embedded. Further, the back contact solar cell is formed on the upper surface of the first insulating film, the second insulating film provided with a plurality of second openings, and the second insulating film formed so as to fill the inside of the second opening. 2 metal electrodes. The second opening extends at a position above the first p-type metal electrode on a plurality of first imaginary straight lines extending in a direction intersecting the direction along which the first opening extends and parallel to each other and having a predetermined interval. A plurality of formed first contact openings and a plurality of second imaginary lines arranged alternately in parallel with the first imaginary line and having a predetermined interval are formed at positions above the first n-type metal electrode. A plurality of second contact openings are included. The second metal electrode includes a second p-type metal electrode formed so as to fill the inside of the first contact opening and a second n-type metal electrode formed so as to fill the inside of the second contact opening. It is.

上記のバックコンタクト型太陽電池セルによると、第2金属電極の材料を削減することができ、バックコンタクト型太陽電池セルの製造コストを抑えることができる。特に、第2金属電極を厚膜の配線で形成した場合には、コスト削減の効果が顕著になる。また、第2絶縁膜にピンホールなどの欠陥によりショートが発生することによる、バックコンタクト型太陽電池セルの歩留まりの低下を抑制することができる。   According to said back contact type solar cell, the material of a 2nd metal electrode can be reduced, and the manufacturing cost of a back contact type solar cell can be held down. In particular, when the second metal electrode is formed of a thick film wiring, the effect of cost reduction becomes remarkable. In addition, it is possible to suppress a decrease in the yield of the back contact solar cells due to a short circuit caused by a defect such as a pinhole in the second insulating film.

本発明に基づく太陽電池ストリングにおいては、上記に記載のバックコンタクト型太陽電池セルを含む太陽電池ストリングであって、第2p型金属電極に接続される第1配線、および、第2n型金属電極に接続される第2配線が形成された配線シートと、配線シートとバックコンタクト型太陽電池セルとを接合する導電性部材とを備えている。第1配線は、第2絶縁膜の上面における第1仮想直線上に配置され、第2配線は、第2絶縁膜の上面における第2仮想直線上に配置され、導電性部材は、第2金属電極の近傍に配置されている。   In the solar cell string based on this invention, it is a solar cell string containing the back contact type solar cell as described above, Comprising: In 1st wiring connected to a 2nd p-type metal electrode, and 2nd n-type metal electrode A wiring sheet on which a second wiring to be connected is formed, and a conductive member that joins the wiring sheet and the back contact solar cell. The first wiring is disposed on a first imaginary straight line on the upper surface of the second insulating film, the second wiring is disposed on a second imaginary straight line on the upper surface of the second insulating film, and the conductive member is a second metal. It is arranged in the vicinity of the electrode.

上記の太陽電池ストリングによると、隣接する第2p型金属電極と第2n型金属電極との距離が、隣接する第1p型金属電極と第1n型金属電極との距離よりも離れているため、第2p型金属電極と第2n型金属電極との間において起こるマイグレーションの発生を抑制することができる。また、配線シートとバックコンタクト型太陽電池セルとを接合する導電性部材が、第2金属電極の近傍に点状に配置されているため、導電性部材同士の間において起こるブリッジの発生を防止することができる。   According to the solar cell string described above, the distance between the adjacent second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode is greater than the distance between the adjacent first p-type metal electrode and the first n-type metal electrode. The occurrence of migration that occurs between the 2p-type metal electrode and the second n-type metal electrode can be suppressed. In addition, since the conductive member that joins the wiring sheet and the back contact solar cell is arranged in the form of dots in the vicinity of the second metal electrode, the occurrence of a bridge between the conductive members is prevented. be able to.

好ましくは、導電性部材は、第2p型金属電極および第2n型金属電極の表面全体を覆った状態で、配線シートとバックコンタクト型太陽電池セルとを接合している。   Preferably, the conductive member joins the wiring sheet and the back contact solar cell in a state where the entire surface of the second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode is covered.

上記の太陽電池ストリングによると、第2金属電極を構成する金属の移動を導電性部材により阻害することにより、第2p型金属電極と第2n型金属電極との間において起こるマイグレーションの発生頻度を抑制することができる。   According to the solar cell string, the occurrence of migration between the second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode is suppressed by inhibiting the movement of the metal constituting the second metal electrode by the conductive member. can do.

好ましくは、配線シートとバックコンタクト型太陽電池セルとの間に、絶縁性樹脂からなる接着部材が設けられている。   Preferably, an adhesive member made of an insulating resin is provided between the wiring sheet and the back contact solar cell.

上記の太陽電池ストリングによると、配線シートとバックコンタクト型太陽電池セルとを接合する導電性部材を点状に配置することにより低下した接合強度を、接着部材による接合により補強することができる。   According to said solar cell string, the joint strength reduced by arrange | positioning the electroconductive member which joins a wiring sheet and a back contact type solar cell in the shape of a dot can be reinforced by joining by an adhesive member.

本発明に基づく太陽電池モジュールにおいては、上記に記載の太陽電池ストリングを有する太陽電池モジュールであって、バックコンタクト型太陽電池セルの受光面側に配置されるガラス基板と、配線シートのバックコンタクト型太陽電池セルに接合される側とは反対側に配置される水分透過防止層と、ガラス基板と水分透過防止層との間において、太陽電池ストリングを封止する封止部材とを備えている。   In the solar cell module based on this invention, it is a solar cell module which has a solar cell string as described above, Comprising: The glass substrate arrange | positioned at the light-receiving surface side of a back contact type solar cell, and the back contact type of a wiring sheet A moisture permeation preventing layer disposed on the side opposite to the side bonded to the solar battery cell, and a sealing member for sealing the solar cell string between the glass substrate and the moisture permeation preventing layer are provided.

上記の太陽電池モジュールによると、製造コストの低減されたバックコンタクト型太陽電池セル、および、電極間または導電性部材間におけるショートの発生を抑制された太陽電池ストリングを備えているため、モジュールの製造コストの低減を図りつつ、モジュールの信頼性の向上を図ることができる。   According to the above solar cell module, since the back contact solar cell with reduced manufacturing cost and the solar cell string in which the occurrence of a short circuit between the electrodes or between the conductive members is suppressed, the module is manufactured. It is possible to improve the reliability of the module while reducing the cost.

本発明によると、第2金属電極の材料を削減することができ、バックコンタクト型太陽電池セルの製造コストを抑えることができる。また、第2絶縁膜にピンホールなどの欠陥によりショートが発生することによる、バックコンタクト型太陽電池セルの歩留まりの低下を抑制することができる。   According to the present invention, the material of the second metal electrode can be reduced, and the manufacturing cost of the back contact solar cell can be suppressed. In addition, it is possible to suppress a decrease in the yield of the back contact solar cells due to a short circuit caused by a defect such as a pinhole in the second insulating film.

本発明の一実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルの外観を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the external appearance of the back contact type photovoltaic cell which concerns on one Embodiment of this invention. 図1のII−II線矢視断面図である。It is the II-II sectional view taken on the line of FIG. 図1のIII−III線矢視断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1. 図1に示した実施形態に係る配線シートの外観を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the external appearance of the wiring sheet which concerns on embodiment shown in FIG. 図4をV−V線矢視断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line VV. 同実施形態に係る太陽電池ストリングを第2n型金属電極を含む断面において模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the solar cell string which concerns on the same embodiment in the cross section containing a 2nd n-type metal electrode. 同実施形態に係る太陽電池ストリングを第2p型金属電極を含む断面において模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the solar cell string which concerns on the same embodiment in the cross section containing a 2nd p-type metal electrode. 本発明の実施形態の一変形例の太陽電池ストリングに使用される配線シートの外観を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the external appearance of the wiring sheet used for the solar cell string of the modified example of embodiment of this invention. 同変形例の太陽電池ストリングを模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the solar cell string of the modification. 同実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第1p型金属電極7および第1n型金属電極8を形成した状態を模式的に示す断面図である。In the back contact type photovoltaic cell concerning the embodiment, it is a sectional view showing typically the state where the 1st p type metal electrode 7 and the 1st n type metal electrode 8 were formed. 図10のバックコンタクト型太陽電池セルを矢印XIから見た平面図である。It is the top view which looked at the back contact type photovoltaic cell of FIG. 10 from arrow XI. 同実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第2絶縁膜に第2開口部を形成した状態を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a state where a second opening is formed in a second insulating film in the back contact solar cell according to the same embodiment. 図12のバックコンタクト型太陽電池セルを矢印XIIIから見た平面図である。It is the top view which looked at the back contact type photovoltaic cell of FIG. 12 from arrow XIII. 同実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第2金属電極を形成した状態を模式的に示す断面図である。In the back contact type photovoltaic cell concerning the embodiment, it is a sectional view showing typically the state where the 2nd metal electrode was formed. 図14のバックコンタクト型太陽電池セルを矢印XVから見た平面図である。It is the top view which looked at the back contact type photovoltaic cell of FIG. 14 from arrow XV. 同実施形態に係る太陽電池ストリングにおいて、半田を形成した状態を模式的に示す断面図である。In the solar cell string which concerns on the same embodiment, it is sectional drawing which shows typically the state in which the solder was formed. 図16の太陽電池ストリングを矢印XVIIから見た平面図である。It is the top view which looked at the solar cell string of FIG. 16 from arrow XVII. 同実施形態に係る太陽電池ストリングにおいて、接着部材を形成した状態を模式的に示す断面図である。In the solar cell string which concerns on the same embodiment, it is sectional drawing which shows typically the state in which the adhesive member was formed. 図18の太陽電池ストリングを矢印XIX方向から見た平面図である。It is the top view which looked at the solar cell string of FIG. 18 from the arrow XIX direction. 同実施形態に係る太陽電池ストリングにおいて、半田の接合状態を配線シート側から見た平面図である。In the solar cell string which concerns on the same embodiment, it is the top view which looked at the joining state of the solder from the wiring sheet side. 比較例として、配線シートの配線に沿って半田を設けて接合した状態を配線シート側から見た平面図である。It is the top view which looked at the state which provided and joined the solder along the wiring of the wiring sheet as a comparative example from the wiring sheet side. 同実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおける第2金属電極の位置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of the 2nd metal electrode in the back contact type photovoltaic cell which concerns on the same embodiment. 同実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルを用いた太陽電池ストリングを有する太陽電池モジュールの構成を模式的にを示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the solar cell module which has a solar cell string using the back contact type photovoltaic cell which concerns on the embodiment. 同実施形態に係る太陽電池モジュールのを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the solar cell module which concerns on the same embodiment. 従来のバックコンタクト型太陽電池セルを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional back contact type photovoltaic cell typically. 従来のバックコンタクト型太陽電池ストリングを模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional back contact type solar cell string typically. 図25に示す従来のバックコンタクト型太陽電池セルのにおける問題点を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the problem in the conventional back contact type photovoltaic cell shown in FIG.

以下、本発明の一実施形態におけるバックコンタクト型太陽電池セルについて、図を参照しながら説明する。なお、図面において、同一の参照符号を付した部材は、同一の部材または相当する部材を表すものとし、図示の便宜のため、部材のサイズおよび形状は、変形あるいは誇張して模式的に示している。   Hereinafter, a back contact solar cell according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, members denoted by the same reference numerals represent the same or corresponding members, and the size and shape of the members are schematically illustrated in a deformed or exaggerated manner for convenience of illustration. Yes.

図1は、本発明の一実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルの外観を模式的に示す平面図である。図1に示すように、本実施形態のバックコンタクト型太陽電池セル1においては、第2絶縁膜9により覆われた裏面側において、第2p型金属電極14および第2n型金属電極11が点状に形成されている。なお、裏面側は、太陽光が入射する受光面側の反対側である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing the appearance of a back contact solar cell according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in the back contact solar cell 1 of the present embodiment, the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 are dotted on the back side covered with the second insulating film 9. Is formed. In addition, the back surface side is the opposite side to the light receiving surface side on which sunlight is incident.

第2絶縁膜9の下方の基板には、p型拡散領域とn型拡散領域とが交互にそれぞれ直線状に所定の間隔を置いて形成されている。p型拡散領域およびn型拡散領域が形成された直線方向に対して交差する方向に延び、互いに平行で所定の間隔を有する複数の第1仮想直線を設定する。また、第1仮想直線と交互に平行に配置され、互いに所定の間隔を有する複数の第2仮想直線を設定する。   On the substrate below the second insulating film 9, p-type diffusion regions and n-type diffusion regions are alternately formed at predetermined intervals in a straight line. A plurality of first imaginary straight lines extending in a direction intersecting the linear direction in which the p-type diffusion region and the n-type diffusion region are formed and parallel to each other and having a predetermined interval are set. In addition, a plurality of second imaginary lines that are alternately arranged in parallel with the first imaginary line and have a predetermined interval are set.

第2p型金属電極14は、p型拡散領域が形成された直線と第1仮想直線との交点の位置に形成されている。第2n型金属電極11は、n型拡散領域が形成された直線と第2仮想直線との交点の位置に形成されている。図1においては、p型拡散領域およびn型拡散領域が形成された直線と、第1仮想直線および第2仮想直線とは、略直交しているが、互いに交差すればよく、直交しなくてもよい。   The second p-type metal electrode 14 is formed at the intersection of the straight line on which the p-type diffusion region is formed and the first virtual line. The second n-type metal electrode 11 is formed at the intersection of the straight line on which the n-type diffusion region is formed and the second virtual straight line. In FIG. 1, the straight line on which the p-type diffusion region and the n-type diffusion region are formed, and the first virtual line and the second virtual line are substantially perpendicular to each other. Also good.

図2は、図1のII−II線矢視断面図である。図3は、図1のIII−III線矢視断面図である。図2,3に示すように、本実施形態のバックコンタクト型太陽電池セルにおいては、シリコン基板2の裏面側に、p型拡散領域3とn型拡散領域4とが交互にそれぞれ図の紙面に垂直な方向の直線上に所定の間隔を置いて形成されている。シリコン基板2の受光面の上面に、表面絶縁膜12が形成されている。   2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. As shown in FIGS. 2 and 3, in the back contact solar cell of this embodiment, the p-type diffusion region 3 and the n-type diffusion region 4 are alternately arranged on the paper surface of the figure on the back surface side of the silicon substrate 2. They are formed at a predetermined interval on a straight line in the vertical direction. A surface insulating film 12 is formed on the upper surface of the light receiving surface of the silicon substrate 2.

シリコン基板2の裏面の上面に、第1絶縁膜5が形成されている。第1絶縁膜5には、p型拡散領域3およびn型拡散領域4に沿うように第1開口部6が設けられている。p型拡散領域3の上方の第1開口部6の内部を埋め込むように、第1p型金属電極7が形成されている。n型拡散領域4の上方の第1開口部6の内部を埋め込むように、第1n型金属電極8が形成されている。   A first insulating film 5 is formed on the upper surface of the back surface of the silicon substrate 2. The first insulating film 5 is provided with a first opening 6 along the p-type diffusion region 3 and the n-type diffusion region 4. A first p-type metal electrode 7 is formed so as to fill the inside of the first opening 6 above the p-type diffusion region 3. A first n-type metal electrode 8 is formed so as to fill the inside of the first opening 6 above the n-type diffusion region 4.

第1絶縁膜5の上面に、第2絶縁膜9が形成されている。第2絶縁膜9には、複数の第2開口部が設けられている。図2に示すように、第2開口部には、第1n型金属電極8の上方の位置に形成された複数の第2コンタクト開口部10が含まれる。図3に示すように、第2開口部には、第1p型金属電極7の上方の位置に形成された複数の第1コンタクト開口部13が含まれる。   A second insulating film 9 is formed on the upper surface of the first insulating film 5. The second insulating film 9 is provided with a plurality of second openings. As shown in FIG. 2, the second opening includes a plurality of second contact openings 10 formed at a position above the first n-type metal electrode 8. As shown in FIG. 3, the second opening includes a plurality of first contact openings 13 formed at a position above the first p-type metal electrode 7.

第2開口部内の内部を埋め込むように第2金属電極が形成されている。図2に示すように、第2金属電極には、第2コンタクト開口部10の内部を埋め込むように形成された第2n型金属電極11が含まれる。図3に示すように、第2金属電極には、第1コンタクト開口部13の内部を埋め込むように形成された第2p型金属電極14が含まれる。   A second metal electrode is formed so as to fill the inside of the second opening. As shown in FIG. 2, the second metal electrode includes a second n-type metal electrode 11 formed so as to fill the inside of the second contact opening 10. As shown in FIG. 3, the second metal electrode includes a second p-type metal electrode 14 formed so as to fill the inside of the first contact opening 13.

上記のように、本実施形態のバックライト型太陽電池セルにおいては、金属電極を2層で設けている。1層目の第1p型金属電極7をp型拡散領域3に沿うように接続することにより、接触面積を確保して接触抵抗を低減している。同様に、第1n型金属電極8をn型拡散領域4に沿うように接続することにより、接触面積を確保して接触抵抗を低減している。   As described above, in the backlight type solar battery cell of this embodiment, the metal electrode is provided in two layers. By connecting the first p-type metal electrode 7 of the first layer along the p-type diffusion region 3, the contact area is secured and the contact resistance is reduced. Similarly, by connecting the first n-type metal electrode 8 along the n-type diffusion region 4, the contact area is ensured and the contact resistance is reduced.

また、第2p型金属電極14および第2n型金属電極11を点状に形成することにより、第2金属電極の材料を削減することができ、バックコンタクト型太陽電池セルの製造コストを抑えることができる。特に、第2金属電極を厚膜の配線で形成した場合には、コスト削減の効果が顕著になる。   Further, by forming the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 in a dot shape, the material of the second metal electrode can be reduced, and the manufacturing cost of the back contact solar cell can be suppressed. it can. In particular, when the second metal electrode is formed of a thick film wiring, the effect of cost reduction becomes remarkable.

さらに、第2絶縁膜9の上面に形成される第2p型金属電極14および第2n型金属電極11を低減しているため、第2絶縁膜9にピンホールなどの欠陥が発生した場合に、第1p型金属電極7と第2n型金属電極11、または、第1n型金属電極8と第2p型金属電極14とが電気的に接続されることを減少させることができる。よって、バックコンタクト型太陽電池セルにショートが発生して不良品となることによる、バックコンタクト型太陽電池セルの歩留まりの低下を抑制することができる。   Furthermore, since the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 formed on the upper surface of the second insulating film 9 are reduced, when defects such as pinholes occur in the second insulating film 9, The electrical connection between the first p-type metal electrode 7 and the second n-type metal electrode 11 or the first n-type metal electrode 8 and the second p-type metal electrode 14 can be reduced. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the yield of the back contact solar cells due to occurrence of a short circuit in the back contact solar cells and a defective product.

以下、本実施形態に係る太陽電池ストリングについて説明する。図4は、本実施形態に係る配線シートの外観を模式的に示す平面図である。図5は、図4をV−V線矢視断面図である。配線シート15は、バックコンタクト型太陽電池セルで発生したキャリアを外部に取り出すためのものである。   Hereinafter, the solar cell string according to the present embodiment will be described. FIG. 4 is a plan view schematically showing the appearance of the wiring sheet according to the present embodiment. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. The wiring sheet 15 is for taking out the carrier generated in the back contact solar cell to the outside.

図4,5に示すように、配線シート15においては、矩形状の絶縁性基材16の一方の表面上に、配線19が形成されている。配線19は、第2p型金属電極14に接続される第1配線であるp型用配線17、および、第2n型金属電極11に接続される第2配線であるn型用配線18から構成されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, in the wiring sheet 15, a wiring 19 is formed on one surface of a rectangular insulating base 16. The wiring 19 includes a p-type wiring 17 that is a first wiring connected to the second p-type metal electrode 14 and an n-type wiring 18 that is a second wiring connected to the second n-type metal electrode 11. ing.

p型用配線17およびn型用配線18は、それぞれ導電性を有する。p型用配線17およびn型用配線18のそれぞれは、所定の間隔を開けて形成された長手方向を有する複数の矩形部を有している。p型用配線17の矩形部とn型用配線18の矩形部とは、矩形部の長手方向に直交する方向において、所定の間隔を開けて、1本ずつ交互に配置されている。   Each of the p-type wiring 17 and the n-type wiring 18 has conductivity. Each of the p-type wiring 17 and the n-type wiring 18 has a plurality of rectangular portions having a longitudinal direction formed at predetermined intervals. The rectangular portion of the p-type wiring 17 and the rectangular portion of the n-type wiring 18 are alternately arranged one by one at a predetermined interval in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the rectangular portion.

絶縁性基材16の上面における一方の端部近傍に、p型用配線17の矩形部の長手方向に直交する方向に延在し、p型用配線17のすべての矩形部と連続する幹部が形成されている。このように、p型用配線17は、櫛歯状に形成されている。   A trunk portion extending in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the rectangular portion of the p-type wiring 17 in the vicinity of one end portion on the upper surface of the insulating base 16 and continuing to all the rectangular portions of the p-type wiring 17 is provided. Is formed. Thus, the p-type wiring 17 is formed in a comb-teeth shape.

絶縁性基材16の上面における他方の端部近傍に、n型用配線18の矩形部の長手方向に直交する方向に延在し、n型用配線18のすべての矩形部と連続する幹部が形成されている。このように、n型用配線18は、櫛歯状に形成されている。   In the vicinity of the other end portion on the upper surface of the insulating base material 16, a trunk portion extending in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the rectangular portion of the n-type wiring 18 and continuing to all the rectangular portions of the n-type wiring 18 is provided. Is formed. As described above, the n-type wiring 18 is formed in a comb-teeth shape.

配線シート15は、たとえば、0.1mm〜3mmピッチの間隔で配線19が形成されている。絶縁性基材16として、廉価な、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PI(ポリイミド)などから構成されるフレキシブル基材を用いることができる。配線19として、Cuなどの配線19の電気抵抗を低減することができる導電性材料を用いることができる。   In the wiring sheet 15, for example, wirings 19 are formed at intervals of 0.1 mm to 3 mm. As the insulating base material 16, an inexpensive flexible base material made of PEN (polyethylene naphthalate), PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), or the like can be used. As the wiring 19, a conductive material such as Cu that can reduce the electrical resistance of the wiring 19 can be used.

図6は、本実施形態に係る太陽電池ストリング26を第2n型金属電極を含む断面において模式的に示す断面図である。図7は、本実施形態に係る太陽電池ストリング26を第2p型金属電極を含む断面において模式的に示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the solar cell string 26 according to the present embodiment in a cross section including the second n-type metal electrode. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the solar cell string 26 according to the present embodiment in a cross section including the second p-type metal electrode.

図6,7に示すように、配線シート15とバックコンタクト型太陽電池セル1とを接合する導電性部材である半田20が、第2金属電極の近傍に配置されている。図6に示すように、n型用配線18は、第2絶縁膜9の上面における第2仮想直線上に配置され、第2n型金属電極11に接続されている。図7に示すように、p型用配線17は、第2絶縁膜9の上面における第1仮想直線上に配置され、第2p型金属電極14に接続されている。   As shown in FIGS. 6 and 7, solder 20, which is a conductive member that joins the wiring sheet 15 and the back contact solar cell 1, is disposed in the vicinity of the second metal electrode. As shown in FIG. 6, the n-type wiring 18 is disposed on the second virtual line on the upper surface of the second insulating film 9 and is connected to the second n-type metal electrode 11. As shown in FIG. 7, the p-type wiring 17 is arranged on the first virtual line on the upper surface of the second insulating film 9 and is connected to the second p-type metal electrode 14.

図6,7に示すように、半田20は、第2p型金属電極14および第2n型金属電極11の表面全体を覆った状態で、配線シート15とバックコンタクト型太陽電池セル1とを接合している。このようにすることにより、第2金属電極を構成する金属の移動を半田20により阻害することにより、第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との間において起こるマイグレーションの発生頻度を抑制することができる。   As shown in FIGS. 6 and 7, the solder 20 joins the wiring sheet 15 and the back contact solar cell 1 with the entire surface of the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 covered. ing. By doing so, the movement of the metal constituting the second metal electrode is inhibited by the solder 20, thereby suppressing the occurrence frequency of migration occurring between the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11. can do.

また、本実施形態においては、配線シート15とバックコンタクト型太陽電池セル1との間に、絶縁性樹脂からなる接着部材21が設けられている。このようにすることにより、配線シート15とバックコンタクト型太陽電池セル1とを接合する半田20を点状に配置することにより低下した接合強度を、接着部材21による接合により補強することができる。   In the present embodiment, an adhesive member 21 made of an insulating resin is provided between the wiring sheet 15 and the back contact solar cell 1. By doing in this way, the joint strength reduced by arrange | positioning the solder 20 which joins the wiring sheet 15 and the back contact type photovoltaic cell 1 to dot shape can be reinforced by joining by the adhesive member 21. FIG.

図8は、本発明の実施形態の一変形例の太陽電池ストリングに使用される配線シートの外観を模式的に示す平面図である。図8に示すように、変形例の太陽電池ストリングに使用される配線シート23は、図4に示す配線シート15が直列に複数接続されている。p型用配線17およびn型用配線18のそれぞれが、接続用配線22により電気的に接続されている。   FIG. 8 is a plan view schematically showing the appearance of a wiring sheet used in a solar cell string according to a modification of the embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, the wiring sheet 23 used for the solar cell string of the modification has a plurality of wiring sheets 15 shown in FIG. 4 connected in series. Each of the p-type wiring 17 and the n-type wiring 18 is electrically connected by a connection wiring 22.

図9は、本変形例の太陽電池ストリングを模式的に示す側面図である。図9に示すように、配線シート23と複数のバックコンタクト型太陽電池セル1とが接合されている。バックコンタクト型太陽電池セル1を直列に接続することにより、高電圧の電流を取り出すことができる。このように、一枚の配線シート23に設けられた配線17,18に複数のバックコンタクト型太陽電池セル1を接続することにより、大型のストリングとなり、大面積の太陽電池モジュールの形成が可能となる。   FIG. 9 is a side view schematically showing a solar cell string of the present modification. As shown in FIG. 9, the wiring sheet 23 and the plurality of back contact solar cells 1 are joined. By connecting the back contact solar cells 1 in series, a high voltage current can be taken out. Thus, by connecting a plurality of back contact solar cells 1 to the wirings 17 and 18 provided on one wiring sheet 23, a large string can be formed and a large area solar cell module can be formed. Become.

以下、本実施形態の太陽電池ストリングの製造方法について説明する。図10は、本実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第1p型金属電極7および第1n型金属電極8を形成した状態を模式的に示す断面図である。図11は、図10のバックコンタクト型太陽電池セルを矢印XIから見た平面図である。   Hereinafter, the manufacturing method of the solar cell string of this embodiment is demonstrated. FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the first p-type metal electrode 7 and the first n-type metal electrode 8 are formed in the back contact solar cell according to the present embodiment. FIG. 11 is a plan view of the back contact solar cell of FIG. 10 as viewed from the arrow XI.

図10に示すバックコンタクト型太陽電池セルの製造方法として、まず、シリコン基板2への不純物拡散のマスクとして、酸化シリコン膜を形成する。シリコン基板2の裏面側のn型拡散領域4を形成する部分の酸化シリコン膜を、エッチングにより除去する。シリコン基板2の裏面側にn型拡散領域4を、イオン注入法または熱拡散法により形成する。   As a method of manufacturing the back contact solar cell shown in FIG. 10, first, a silicon oxide film is formed as a mask for impurity diffusion into the silicon substrate 2. A portion of the silicon oxide film that forms the n-type diffusion region 4 on the back surface side of the silicon substrate 2 is removed by etching. An n-type diffusion region 4 is formed on the back surface side of the silicon substrate 2 by an ion implantation method or a thermal diffusion method.

次に、シリコン基板2の裏面側のp型拡散領域3を形成する部分の酸化シリコン膜を、エッチングにより除去する。シリコン基板2の裏面側に、アルミニウムの蒸着後熱処理またはイオン注入法を用いて、p型拡散領域3を形成する。第1絶縁膜5および表面絶縁膜12を熱酸化法により形成する。   Next, a portion of the silicon oxide film that forms the p-type diffusion region 3 on the back surface side of the silicon substrate 2 is removed by etching. A p-type diffusion region 3 is formed on the back surface side of the silicon substrate 2 by heat treatment after aluminum deposition or ion implantation. The first insulating film 5 and the surface insulating film 12 are formed by a thermal oxidation method.

p型拡散領域3およびn型拡散領域4の上方の第1絶縁膜5に、コンタクトホールである第1開口部6を形成する。p型拡散領域3の上方の第1開口部6の内部を埋め込むように、スクリーン印刷法または蒸着法によりAlなどから構成される第1p型金属電極7を形成する。n型拡散領域4の上方の第1開口部6の内部を埋め込むように、スクリーン印刷法または蒸着法によりAlなどから構成される第1n型金属電極8を形成する。   A first opening 6 that is a contact hole is formed in the first insulating film 5 above the p-type diffusion region 3 and the n-type diffusion region 4. A first p-type metal electrode 7 made of Al or the like is formed by screen printing or vapor deposition so as to fill the inside of the first opening 6 above the p-type diffusion region 3. A first n-type metal electrode 8 made of Al or the like is formed by screen printing or vapor deposition so as to embed the inside of the first opening 6 above the n-type diffusion region 4.

図11に示すように、第1p型金属電極7および第1n型金属電極8を、所定の間隔を置いて平行な直線上に交互に並ぶように形成する。本実施形態においては、第1p型金属電極7および第1n型金属電極8は、第1絶縁膜5の上面から突出するように形成する。   As shown in FIG. 11, the first p-type metal electrodes 7 and the first n-type metal electrodes 8 are formed so as to be alternately arranged on parallel straight lines at a predetermined interval. In the present embodiment, the first p-type metal electrode 7 and the first n-type metal electrode 8 are formed so as to protrude from the upper surface of the first insulating film 5.

図12は、本実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第2絶縁膜に第2開口部を形成した状態を模式的に示す断面図である。図13は、図12のバックコンタクト型太陽電池セルを矢印XIIIから見た平面図である。   FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the second opening is formed in the second insulating film in the back contact solar cell according to the present embodiment. FIG. 13 is a plan view of the back contact solar cell of FIG. 12 as viewed from the arrow XIII.

図12に示すように、第1絶縁膜5の上面に、たとえば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を印刷して焼成することにより第2絶縁膜9を形成する。図13に示すように、第2絶縁膜9に、複数の第2開口部を点状に形成する。第2開口部においては、上述の第1仮想直線と第1p型金属電極7との交点の位置に第1コンタクト開口部13を設ける。また、上述の第2仮想直線と第1n型金属電極8との交点の位置に第2コンタクト開口部10を設ける。   As shown in FIG. 12, the second insulating film 9 is formed on the upper surface of the first insulating film 5 by printing and baking, for example, an epoxy resin or a polyimide resin. As shown in FIG. 13, a plurality of second openings are formed in the second insulating film 9 in the form of dots. In the second opening, the first contact opening 13 is provided at the intersection of the first imaginary straight line and the first p-type metal electrode 7 described above. In addition, the second contact opening 10 is provided at the position of the intersection between the second virtual straight line and the first n-type metal electrode 8 described above.

第2絶縁膜9の印刷の方法としては、スクリーン印刷、オフセット印刷およびディスペンサなどを用いることができる。また、第2絶縁膜9の別の形成方法としては、全面に絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィを用いてエッチング処理およびパターン処理を行なう方法などがある。   As a method for printing the second insulating film 9, screen printing, offset printing, dispenser, and the like can be used. Another method for forming the second insulating film 9 includes a method of forming an insulating film on the entire surface and then performing an etching process and a pattern process using photolithography.

図14は、本実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおいて、第2金属電極を形成した状態を模式的に示す断面図である。図15は、図14のバックコンタクト型太陽電池セルを矢印XVから見た平面図である。   FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the second metal electrode is formed in the back contact solar cell according to the present embodiment. FIG. 15 is a plan view of the back contact solar cell of FIG. 14 as viewed from the arrow XV.

図14に示すように、第1コンタクト開口部13および第2コンタクト開口部10を埋めるように、第2金属電極を形成する。第2金属電極の形成方法として、たとえば、金属電極として銀ペーストを用いて、印刷法により形成する。他の方法として、クロム/ニッケル/銅またはチタン/ニッケル/銅などのスパッタによる蒸着を用いて、多層金属層からなる第2金属電極を形成してもよい。第2開口部は、第2金属電極に隙間無く埋められるようにする。図15に示すように、第2p型金属電極14および第2n型金属電極11を点状に形成する。   As shown in FIG. 14, the second metal electrode is formed so as to fill the first contact opening 13 and the second contact opening 10. As a method for forming the second metal electrode, for example, a silver paste is used as the metal electrode and is formed by a printing method. As another method, the second metal electrode made of a multilayer metal layer may be formed by using vapor deposition by sputtering such as chromium / nickel / copper or titanium / nickel / copper. The second opening is filled in the second metal electrode without a gap. As shown in FIG. 15, the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 are formed in a dot shape.

図16は、本実施形態に係る太陽電池ストリングにおいて、半田を形成した状態を模式的に示す断面図である。図17は、図16の太陽電池ストリングを矢印XVIIから見た平面図である。図16,17に示すように、第2金属電極の表面全体を覆うように、半田20を形成する。半田20の形成方法として、たとえば、融点が低いSnBi系の半田を印刷法により塗布する。半田20の他の材料として、SnPbなど低融点で、電気抵抗率が低く、取扱いが容易な材料を用いることができる。   FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing a state where solder is formed in the solar cell string according to the present embodiment. FIG. 17 is a plan view of the solar cell string of FIG. 16 viewed from the arrow XVII. As shown in FIGS. 16 and 17, solder 20 is formed so as to cover the entire surface of the second metal electrode. As a method for forming the solder 20, for example, SnBi solder having a low melting point is applied by a printing method. As another material of the solder 20, a material such as SnPb having a low melting point, a low electrical resistivity, and easy handling can be used.

図18は、本実施形態に係る太陽電池ストリングにおいて、接着部材を形成した状態を模式的に示す断面図である。図19は、図18の太陽電池ストリングを矢印XIX方向から見た平面図である。   FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing a state where an adhesive member is formed in the solar cell string according to this embodiment. FIG. 19 is a plan view of the solar cell string of FIG. 18 as viewed from the direction of arrow XIX.

図18に示すように、バックコンタクト型太陽電池セルの第2絶縁膜9の上面において、半田20が形成されていない箇所に絶縁性樹脂からなる接着部材21を形成する。接着部材21として、たとえば、シリコーン系、エポキシ系およびアクリル系などの比較的耐熱性の高い樹脂を用いることが好ましい。   As shown in FIG. 18, on the upper surface of the second insulating film 9 of the back contact solar cell, an adhesive member 21 made of an insulating resin is formed at a location where the solder 20 is not formed. As the adhesive member 21, it is preferable to use, for example, a resin having a relatively high heat resistance such as silicone, epoxy, and acrylic.

また、接着部材21としては、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとを重ね合わせた際に生じる隙間を完全に埋めることができる、粘着性と流動性とを備える材料を用いることが好ましい。接着部材21が粘着性を有することにより、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとを重ね合わせた際の互いの位置を維持した状態で接合することができる。接着部材21が流動性を有することにより、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとを重ね合わせた際の隙間に、接着部材21が行き渡りやすくなる。   Moreover, as the adhesive member 21, it is preferable to use a material having adhesiveness and fluidity that can completely fill a gap generated when the back contact solar cell and the wiring sheet are overlapped. Since the adhesive member 21 has adhesiveness, it can be joined in a state where the positions of the back contact solar cell and the wiring sheet are maintained when they are overlapped. Since the adhesive member 21 has fluidity, the adhesive member 21 can easily spread in the gap when the back contact solar cell and the wiring sheet are overlapped.

このような接着部材21を用いることにより、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとを重ね合わせた際の密着力を強化するとともに、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとの間に気泡などが残留することを抑制することにより、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとを安定して接合することができる。   By using such an adhesive member 21, the adhesion between the back contact solar cell and the wiring sheet is enhanced, and bubbles or the like are formed between the back contact solar cell and the wiring sheet. By suppressing the remaining, the back contact solar cell and the wiring sheet can be stably bonded.

図20は、本実施形態に係る太陽電池ストリングにおいて、半田の接合状態を配線シート側から見た平面図である。図21は、比較例として、配線シートの配線に沿って半田を設けて接合した状態を配線シート側から見た平面図である。図20,21においては、図示の便宜上、配線シートの絶縁性基材の表示を省略し、半田20にハッチングしている。   FIG. 20 is a plan view of the joining state of the solder as viewed from the wiring sheet side in the solar cell string according to the present embodiment. FIG. 21 is a plan view of a state in which solder is provided and joined along the wiring of the wiring sheet as a comparative example, as viewed from the wiring sheet side. 20 and 21, for convenience of illustration, the display of the insulating base material of the wiring sheet is omitted, and the solder 20 is hatched.

図20に示すように、本実施形態に係る太陽電池ストリングにおいては、第2金属電極の近傍に半田20を設け、バックコンタクト型太陽電池セルの第2電極と配線シートの配線17,18とを接続している。そのため、半田20は、第2電極の位置に合わせて点状に配置される。   As shown in FIG. 20, in the solar cell string according to the present embodiment, solder 20 is provided in the vicinity of the second metal electrode, and the second electrode of the back contact solar cell and the wirings 17 and 18 of the wiring sheet are connected. Connected. Therefore, the solder 20 is arranged in a dot shape in accordance with the position of the second electrode.

図21に示すように、比較例の太陽電池ストリングにおいては、配線シートの配線17,18に沿うように半田20を設け、バックコンタクト型太陽電池セルの第2金属電極と配線シートの配線17,18とを接続している。比較例の太陽電池ストリングに用いられているバックコンタクト型太陽電池セルの第2金属電極は、第1p型金属電極および第1n型金属電極の上面に直線状に形成されている。   As shown in FIG. 21, in the solar cell string of the comparative example, the solder 20 is provided along the wirings 17 and 18 of the wiring sheet, and the second metal electrode of the back contact solar cell and the wiring 17 of the wiring sheet are provided. 18 is connected. The second metal electrode of the back contact solar cell used in the solar cell string of the comparative example is formed linearly on the top surfaces of the first p-type metal electrode and the first n-type metal electrode.

このようにした場合、p型用配線17を接続する半田20とn型用配線18を接続する半田20との距離が近いため、半田20が濡れ広がった場合、図中の破線で囲んだ範囲24に示すように、p型用配線17を接続する半田20とn型用配線18を接続する半田20とが接触してしまいブリッジが発生することがある。   In this case, since the distance between the solder 20 connecting the p-type wiring 17 and the solder 20 connecting the n-type wiring 18 is short, the range surrounded by the broken line in FIG. As shown in FIG. 24, the solder 20 connecting the p-type wiring 17 and the solder 20 connecting the n-type wiring 18 may come into contact with each other and a bridge may be generated.

また、第2金属電極を直線状に形成しているため、図中の破線で囲んだ範囲25に示すように、隣り合う第2p型金属電極と第2n型金属電極との間において、マイグレーションが発生することがある。   In addition, since the second metal electrode is formed in a straight line shape, migration is caused between the adjacent second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode as shown in a range 25 surrounded by a broken line in the figure. May occur.

上記のブリッジおよびマイグレーションが発生してしまうと、太陽電池ストリングにおいてショートが発生し、その太陽電池ストリングは不良品になってしまう。特に、第2金属電極として、Agペーストを用いた場合に、マイグレーションの発生が顕著になる。   When the bridge and migration occur, a short circuit occurs in the solar cell string, and the solar cell string becomes a defective product. In particular, when Ag paste is used as the second metal electrode, the occurrence of migration becomes significant.

本実施形態に係る太陽電池ストリングにより、ブリッジおよびマイグレーションが抑制できる理由を図22を参照しながら説明する。   The reason why the bridge and migration can be suppressed by the solar cell string according to this embodiment will be described with reference to FIG.

図22は、本実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルにおける第2金属電極の位置関係を示す平面図である。図22に示すように、隣接する第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との距離をCとする。隣接する第1p型金属電極と第1n型金属電極との距離をAとし、隣接する第1仮想直線と第2仮想直線との距離をBとする。   FIG. 22 is a plan view showing the positional relationship of the second metal electrodes in the back contact solar cell according to this embodiment. As shown in FIG. 22, the distance between adjacent second p-type metal electrode 14 and second n-type metal electrode 11 is C. The distance between the adjacent first p-type metal electrode and the first n-type metal electrode is A, and the distance between the adjacent first virtual line and the second virtual line is B.

図22に示すように、第2p型金属電極14および第2n型金属電極11が延びる方向と、第1仮想直線および第2仮想直線とが直交する場合においては、C2=A2+B2の関係が成り立つ。このように、隣接する第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との距離Cは、隣接する第1p型金属電極と第1n型金属電極との距離Aより大きくなる。 As shown in FIG. 22, when the direction in which the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 extend is perpendicular to the first imaginary line and the second imaginary line, C 2 = A 2 + B 2 A relationship is established. Thus, the distance C between the adjacent second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 is greater than the distance A between the adjacent first p-type metal electrode and the first n-type metal electrode.

したがって、図21に示す比較例のように、第2金属電極を第1p型金属電極および第1n型金属電極の上面に直線状に形成した場合と比較して、本実施形態では、隣接する第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との距離を大きくすることができる。この結果、第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との間で発生するマイグレーションの発生を低減することができる。   Therefore, as in the comparative example shown in FIG. 21, compared with the case where the second metal electrode is formed linearly on the upper surfaces of the first p-type metal electrode and the first n-type metal electrode, in this embodiment, the adjacent first The distance between the 2p type metal electrode 14 and the second n type metal electrode 11 can be increased. As a result, the occurrence of migration between the second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11 can be reduced.

また、隣接する第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との距離を大きくすることにより、半田20同士の距離を大きくすることができる。よって、第2p型金属電極14の近傍に配置される半田20と第2n型金属電極11の近傍に配置される半田20とが接触することによるブリッジおよびショートの発生を低減することができる。   Further, the distance between the solders 20 can be increased by increasing the distance between the adjacent second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of a bridge and a short circuit due to the contact between the solder 20 disposed in the vicinity of the second p-type metal electrode 14 and the solder 20 disposed in the vicinity of the second n-type metal electrode 11.

さらに、隣接する第2p型金属電極14と第2n型金属電極11との距離を大きくすることにより、バックコンタクト型太陽電池セルに対向して貼り合わされる配線シートの配線のピッチも大きくすることが可能となる。その結果、配線基材の選択範囲が広がり、配線形成プロセスが容易になるため、製造コストの低減を図ることができる。配線のピッチを大きくすることにより、バックコンタクト型太陽電池セルと配線シートとを接合する際の位置合わせが容易になり、接合プロセスにおける歩留まりが向上する。その観点では、B>Aであることが好ましいが、この範囲に限定するものではない。   Furthermore, by increasing the distance between the adjacent second p-type metal electrode 14 and the second n-type metal electrode 11, the wiring pitch of the wiring sheet bonded facing the back contact solar cell can be increased. It becomes possible. As a result, the selection range of the wiring substrate is expanded and the wiring forming process is facilitated, so that the manufacturing cost can be reduced. By increasing the wiring pitch, it becomes easy to align the back contact solar cell and the wiring sheet, and the yield in the bonding process is improved. From this viewpoint, B> A is preferable, but the range is not limited thereto.

図23は、本実施形態に係るバックコンタクト型太陽電池セルを用いた太陽電池ストリングを有する太陽電池モジュールの構成を模式的にを示す断面図である。図23に示すように、本実施形態に係る太陽電モジュールにおいては、バックコンタクト型太陽電池セル1と配線シート15とを重ね合わせた太陽電池ストリング26が、封止部材27aにより挟まれるように配置されている。   FIG. 23 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a solar cell module having a solar cell string using the back contact solar cell according to the present embodiment. As shown in FIG. 23, in the solar cell module according to the present embodiment, the solar cell string 26 in which the back contact solar cell 1 and the wiring sheet 15 are overlapped is arranged so as to be sandwiched between the sealing members 27a. Has been.

バックコンタクト型太陽電池セル1の受光面側に配置された封止部材27aの下面に、ガラス基板28が配置されている。バックコンタクト型太陽電池セル1の裏面側に配置された封止部材27aの上面に、水分透過防止層29が配置されている。このように積層した状態で、加熱および加圧することにより接合して太陽電池モジュールを形成する。   A glass substrate 28 is disposed on the lower surface of the sealing member 27 a disposed on the light receiving surface side of the back contact solar cell 1. A moisture permeation preventive layer 29 is disposed on the upper surface of the sealing member 27 a disposed on the back surface side of the back contact solar cell 1. In the laminated state, the solar cell module is formed by joining by heating and pressurizing.

図24は、本実施形態に係る太陽電池モジュールのを模式的に示す断面図である。図24に示すように、本実施形態に係る太陽電池モジュール30においては、バックコンタクト型太陽電池セル1の受光面側にガラス基板28が配置されている。よって、太陽光31に対して、ガラス基板28が太陽電池モジュール30の受光面になる。配線シート15のバックコンタクト型太陽電池セル1に接合される側とは反対側に、水分透過防止層29が配置されている。ガラス基板28と水分透過防止層29との間において、太陽電池ストリング26が硬化した封止部材27bにより封止されている。   FIG. 24 is a cross-sectional view schematically showing the solar cell module according to this embodiment. As shown in FIG. 24, in the solar cell module 30 according to the present embodiment, a glass substrate 28 is arranged on the light receiving surface side of the back contact solar cell 1. Therefore, the glass substrate 28 becomes the light receiving surface of the solar cell module 30 with respect to the sunlight 31. A moisture permeation preventive layer 29 is disposed on the side of the wiring sheet 15 opposite to the side joined to the back contact solar cell 1. Between the glass substrate 28 and the moisture permeation prevention layer 29, the solar cell string 26 is sealed with a cured sealing member 27b.

封止部材27a,27bとしては、太陽光31に対して透明な樹脂などを用いることが好ましい。たとえば、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂などを用いることができる。水分透過防止層29としては、たとえば、アルミニウムなどの金属フィルムを用いることができる。水分透過防止層29としては、水蒸気の透過を防止可能な材料を用いることが好ましい。   As the sealing members 27 a and 27 b, it is preferable to use a resin that is transparent to the sunlight 31. For example, EVA (ethylene vinyl acetate) resin or the like can be used. As the moisture permeation preventing layer 29, for example, a metal film such as aluminum can be used. As the moisture permeation preventing layer 29, a material capable of preventing permeation of water vapor is preferably used.

太陽電池モジュール30の形成を行なう前の、太陽電池ストリング26の形成において、バックコンタクト型太陽電池セル1と配線シート15とは、機械的に圧着することが好ましい。このようにすることにより、バックコンタクト型太陽電池セル1と配線シート15との接合を強化することができ、太陽電池ストリング26の信頼性を向上させることができる。   In forming the solar cell string 26 before the solar cell module 30 is formed, the back contact solar cell 1 and the wiring sheet 15 are preferably mechanically pressure-bonded. By doing in this way, joining of back contact type photovoltaic cell 1 and wiring sheet 15 can be strengthened, and the reliability of solar cell string 26 can be improved.

以下、太陽電池モジュール30の形成方法について説明する。太陽電池モジュール30の形成においては、圧着工程と硬化工程とを含むように実施する。まず、ガラス基板28上に配置された封止部材27aと、配線シート15の上面に配置された封止部材27aとの間に、太陽電池ストリング26を挟み込む。   Hereinafter, a method for forming the solar cell module 30 will be described. The formation of the solar cell module 30 is performed so as to include a crimping step and a curing step. First, the solar cell string 26 is sandwiched between the sealing member 27 a disposed on the glass substrate 28 and the sealing member 27 a disposed on the upper surface of the wiring sheet 15.

配線シート15の上面に配置された封止部材27aの上面に、水分透過防止層29を配置した後に、加熱しながら真空圧着を行なう。これにより、ガラス基板28と水分透過防止層29とに取り囲まれた空間に充填された封止部材27bの中に、バックコンタクト型太陽電池セル1と配線シート15とが接続された太陽電池ストリング26が収容される。   After the moisture permeation preventing layer 29 is disposed on the upper surface of the sealing member 27a disposed on the upper surface of the wiring sheet 15, vacuum pressure bonding is performed while heating. Thereby, the solar cell string 26 in which the back contact solar cell 1 and the wiring sheet 15 are connected in the sealing member 27 b filled in the space surrounded by the glass substrate 28 and the moisture permeation preventive layer 29. Is housed.

このように太陽電池モジュール30を形成することにより、太陽電池モジュール30を構成する構成部材同士の密着性を向上させるとともに、バックコンタクト型太陽電池セル1と配線シート15との電気的な接続を強化することができる。封止部材27bにより太陽電池ストリング26を封止することにより、外部からの水の浸入を防いで、太陽電池モジュール30の長寿命化を図ることができる。   By forming the solar cell module 30 in this way, the adhesion between the constituent members constituting the solar cell module 30 is improved, and the electrical connection between the back contact solar cell 1 and the wiring sheet 15 is enhanced. can do. By sealing the solar cell string 26 with the sealing member 27b, the penetration of water from the outside can be prevented and the life of the solar cell module 30 can be extended.

上記の方法では、太陽電池ストリング26の接合工程および太陽電池モジュール30の封止工程を、一工程により行なうことが可能となるため、太陽電池ストリング26への加熱回数を低減することができる。よって、太陽電池ストリング26における半田同士のブリッジ、および、金属電極間のマイグレーションの発生を低減することができる。   In the above method, the joining step of the solar cell string 26 and the sealing step of the solar cell module 30 can be performed in one step, so that the number of times of heating the solar cell string 26 can be reduced. Therefore, the bridge | bridging of the solder in the solar cell string 26 and the generation | occurrence | production of the migration between metal electrodes can be reduced.

本実施形態に係る太陽電池モジュール30は、製造コストの低減されたバックコンタクト型太陽電池セル、および、電極間または導電性部材間におけるショートの発生を抑制された太陽電池ストリングを備えているため、太陽電池モジュールの製造コストの低減を図りつつ、太陽電池モジュールの信頼性の向上を図ることができる。   Since the solar cell module 30 according to this embodiment includes a back contact solar cell with reduced manufacturing cost and a solar cell string in which occurrence of a short circuit between electrodes or between conductive members is suppressed, The reliability of the solar cell module can be improved while reducing the manufacturing cost of the solar cell module.

なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   In addition, the said embodiment disclosed this time is an illustration in all the points, Comprising: It does not become a basis of limited interpretation. Therefore, the technical scope of the present invention is not interpreted only by the above-described embodiments, but is defined based on the description of the scope of claims. Further, all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of the claims are included.

1 バックコンタクト型太陽電池セル、2,51 シリコン基板、3,52 p型拡散領域、4,53 n型拡散領域、5 第1絶縁膜、6 第1開口部、7 第1p型金属電極、8 第1n型金属電極、9 第2絶縁膜、10 第2コンタクト開口部、11 第2n型金属電極、12 表面絶縁膜、13 第1コンタクト開口部、14 第2p型金属電極、15,23 配線シート、16 絶縁性基材、17 p型用配線、18 n型用配線、19 配線、20,61 半田、21 接着部材、22 接続用配線、26 太陽電池ストリング、27a,27b 封止部材、28 ガラス基板、29 水分透過防止層、30 太陽電池モジュール、31,64 太陽光、54a 酸化シリコン膜、54b 窒化シリコン膜、57 第1p型金属電極、58 第2絶縁膜、59 第1n型金属電極、60,67 第2n型金属電極、62 電極、63 電極基板、66 第2開口部、69 ピンホール。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Back contact type photovoltaic cell, 2,51 Silicon substrate, 3,52 p-type diffusion region, 4,53 n-type diffusion region, 5 1st insulating film, 6 1st opening part, 7 1st p-type metal electrode, 8 First n-type metal electrode, 9 Second insulating film, 10 Second contact opening, 11 Second n-type metal electrode, 12 Surface insulating film, 13 First contact opening, 14 Second p-type metal electrode, 15, 23 Wiring sheet , 16 Insulating substrate, 17 p-type wiring, 18 n-type wiring, 19 wiring, 20, 61 solder, 21 adhesive member, 22 connection wiring, 26 solar cell string, 27a, 27b sealing member, 28 glass Substrate, 29 moisture permeation preventive layer, 30 solar cell module, 31, 64 sunlight, 54a silicon oxide film, 54b silicon nitride film, 57 first p-type metal electrode, 58 second insulation Membrane, 59 1st n-type metal electrode, 60, 67 2nd n-type metal electrode, 62 electrode, 63 electrode substrate, 66 2nd opening, 69 pinhole.

Claims (5)

受光面側とは反対側の裏面側に、p型拡散領域とn型拡散領域とが交互にそれぞれ直線状に所定の間隔を置いて形成された基板と、
前記基板の裏面の上面に形成され、前記p型拡散領域および前記n型拡散領域に沿うように第1開口部が設けられた第1絶縁膜と、
前記p型拡散領域の上方の前記第1開口部の内部を埋め込むように形成された第1p型金属電極と、
前記n型拡散領域の上方の前記第1開口部の内部を埋め込むように形成された第1n型金属電極と、
前記第1絶縁膜の上面に形成され、複数の第2開口部が設けられた第2絶縁膜と、
前記第2開口部内の内部を埋め込むように形成された第2金属電極と
を備え、
前記第2開口部には、前記第1開口部が沿う方向に対して交差する方向に延び、互いに平行で所定の間隔を有する複数の第1仮想直線上において、前記第1p型金属電極の上方の位置に形成された複数の第1コンタクト開口部と、前記第1仮想直線と交互に平行に配置され、互いに所定の間隔を有する複数の第2仮想直線上において、前記第1n型金属電極の上方の位置に形成された複数の第2コンタクト開口部が含まれ、
前記第2金属電極には、前記第1コンタクト開口部の内部を埋め込むように形成された第2p型金属電極と、前記第2コンタクト開口部の内部を埋め込むように形成された第2n型金属電極とが含まれる、バックコンタクト型太陽電池セル。
A substrate in which p-type diffusion regions and n-type diffusion regions are alternately formed on the back surface side opposite to the light-receiving surface side at predetermined intervals,
A first insulating film formed on an upper surface of the back surface of the substrate and having a first opening along the p-type diffusion region and the n-type diffusion region;
A first p-type metal electrode formed so as to fill the inside of the first opening above the p-type diffusion region;
A first n-type metal electrode formed so as to fill the inside of the first opening above the n-type diffusion region;
A second insulating film formed on an upper surface of the first insulating film and provided with a plurality of second openings;
A second metal electrode formed so as to fill the inside of the second opening,
The second opening extends above the first p-type metal electrode on a plurality of first imaginary straight lines extending in a direction intersecting with the direction along which the first opening extends and parallel to each other and having a predetermined interval. The plurality of first contact openings formed at the positions and the plurality of second imaginary lines that are alternately arranged in parallel with the first imaginary line and have a predetermined distance from each other, the first n-type metal electrode Including a plurality of second contact openings formed in an upper position;
The second metal electrode includes a second p-type metal electrode formed so as to fill the inside of the first contact opening, and a second n-type metal electrode formed so as to fill the inside of the second contact opening. A back contact solar cell.
請求項1に記載のバックコンタクト型太陽電池セルを含む太陽電池ストリングであって、
前記第2p型金属電極に接続される第1配線、および、前記第2n型金属電極に接続される第2配線が形成された配線シートと、
前記配線シートと前記バックコンタクト型太陽電池セルとを接合する導電性部材と
を備え、
前記第1配線は、前記第2絶縁膜の上面における前記第1仮想直線上に配置され、
前記第2配線は、前記第2絶縁膜の上面における前記第2仮想直線上に配置され、
前記導電性部材は、前記第2金属電極の近傍に配置された、太陽電池ストリング。
A solar cell string including the back contact solar cell according to claim 1,
A wiring sheet on which a first wiring connected to the second p-type metal electrode and a second wiring connected to the second n-type metal electrode are formed;
A conductive member that joins the wiring sheet and the back contact solar cell;
The first wiring is disposed on the first imaginary straight line on the upper surface of the second insulating film,
The second wiring is disposed on the second imaginary straight line on the upper surface of the second insulating film,
The conductive member is a solar cell string disposed in the vicinity of the second metal electrode.
前記導電性部材は、前記第2p型金属電極および前記第2n型金属電極の表面全体を覆った状態で、前記配線シートと前記バックコンタクト型太陽電池セルとを接合している、請求項2に記載の太陽電池ストリング。   The conductive member joins the wiring sheet and the back contact solar cell in a state of covering the entire surfaces of the second p-type metal electrode and the second n-type metal electrode. The solar cell string as described. 前記配線シートと前記バックコンタクト型太陽電池セルとの間に、絶縁性樹脂からなる接着部材が設けられた、請求項2または3に記載の太陽電池ストリング。   The solar cell string according to claim 2 or 3, wherein an adhesive member made of an insulating resin is provided between the wiring sheet and the back contact solar cell. 請求項2から4のいずれかに記載の太陽電池ストリングを有する太陽電池モジュールであって、
前記バックコンタクト型太陽電池セルの受光面側に配置されるガラス基板と、
前記配線シートの前記バックコンタクト型太陽電池セルに接合される側とは反対側に配置される水分透過防止層と、
前記ガラス基板と前記水分透過防止層との間において、前記太陽電池ストリングを封止する封止部材と
を備えた、太陽電池モジュール。
A solar cell module comprising the solar cell string according to any one of claims 2 to 4,
A glass substrate disposed on the light receiving surface side of the back contact solar cell,
A moisture permeation preventive layer disposed on the side of the wiring sheet opposite to the side bonded to the back contact solar cell;
A solar cell module comprising a sealing member for sealing the solar cell string between the glass substrate and the moisture permeation preventive layer.
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Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101178344B1 (en) 2011-05-18 2012-08-29 현대중공업 주식회사 Back contact solar cell and method for fabricating the same
WO2013149093A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 Solexel, Inc. Back contact solar cells using aluminum-based alloy metallization
JP2014127552A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Sharp Corp Solar battery
JP2014127553A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Sharp Corp Solar battery, and solar battery manufacturing method
JP2014127551A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Sharp Corp Solar battery
JP2015512563A (en) * 2012-03-19 2015-04-27 アールイーシー・ソーラー・ピーティーイー・リミテッド Semiconductor wafer cell and module processing for back contact photovoltaic modules
JP2015515257A (en) * 2012-04-23 2015-05-21 ソレクセル、インコーポレイテッド Removal method of resistance component of back contact solar cell
JP2015516145A (en) * 2012-04-02 2015-06-08 ソレクセル、インコーポレイテッド High efficiency solar cell structure and manufacturing method thereof
JP2016512928A (en) * 2013-03-15 2016-05-09 サンパワー コーポレイション Reduced contact resistivity and improved lifetime of solar cells
JP2016092421A (en) * 2014-11-04 2016-05-23 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド Solar battery module
KR101668104B1 (en) 2015-11-20 2016-10-20 (주)상아프론테크 Polyvinylidene polymer piezoelectril film and the preparing method thereof
CN107293606A (en) * 2017-06-19 2017-10-24 浙江晶科能源有限公司 P-type IBC battery structures and preparation method thereof
CN108352416A (en) * 2015-08-26 2018-07-31 奈特考尔技术公司 The system and method for emitter solar cell behind formation foil contact
JP2019050380A (en) * 2013-06-28 2019-03-28 サンパワー コーポレイション Photovoltaic cell and metalization of laminate
CN110246911A (en) * 2019-05-30 2019-09-17 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 Back contacts lamination solar battery string and manufacturing method, lamination solar module
JP2020053487A (en) * 2018-09-25 2020-04-02 シャープ株式会社 Solar cell module
US10727369B2 (en) 2016-09-30 2020-07-28 Sunpower Corporation Conductive foil based metallization of solar cells
US10879413B2 (en) 2013-12-20 2020-12-29 Sunpower Corporation Contacts for solar cells
US10930804B2 (en) 2013-09-27 2021-02-23 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
US10971638B2 (en) 2016-07-01 2021-04-06 Sunpower Corporation Laser techniques for foil-based metallization of solar cells
JP2021101441A (en) * 2019-12-24 2021-07-08 株式会社カネカ Method of manufacturing solar cell string and solar cell string
US11081601B2 (en) 2013-12-20 2021-08-03 Sunpower Corporation Single-step metal bond and contact formation for solar cells
US11101401B2 (en) 2016-05-13 2021-08-24 Sunpower Corporation Roll-to-roll metallization of solar cells
WO2021241425A1 (en) * 2020-05-29 2021-12-02 株式会社カネカ Solar cell and method for producing solar cell
US11276785B2 (en) 2018-04-06 2022-03-15 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell fabrication
US11362220B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local metallization for semiconductor substrates using a laser beam
US11362234B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam
US11374137B2 (en) 2014-12-19 2022-06-28 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US11424373B2 (en) 2016-04-01 2022-08-23 Sunpower Corporation Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells
US11456395B2 (en) * 2013-08-21 2022-09-27 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
US11646387B2 (en) 2018-04-06 2023-05-09 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation
US11664472B2 (en) 2018-04-06 2023-05-30 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell stringing
CN117253929A (en) * 2023-11-16 2023-12-19 隆基绿能科技股份有限公司 Back contact battery and manufacturing method thereof
US11894472B2 (en) 2015-06-26 2024-02-06 Maxeon Solar Pte. Ltd. Leave-in etch mask for foil-based metallization of solar cells
US11908958B2 (en) 2016-12-30 2024-02-20 Maxeon Solar Pte. Ltd. Metallization structures for solar cells
US11967657B2 (en) 2014-03-28 2024-04-23 Maxeon Solar Pte. Ltd. Foil-based metallization of solar cells

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08298334A (en) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp Solar cell board
JP2001189481A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing solar cell
JP2005317779A (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Toyota Motor Corp Photoelectric converting element
JP2005340362A (en) * 2004-05-25 2005-12-08 Sharp Corp Solar cell and solar cell module
WO2008090718A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell, solar battery array, solar battery module and method for manufacturing solar battery array
WO2009025147A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Rear surface bonding type solar cell, rear surface bonding type solar cell having wiring board, solar cell string and soar cell module
JP2009152589A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Palo Alto Research Center Inc Method for forming multiple-layer electrode structure on solar cell, metallization contact structure, patterning method of layer, and method for forming functional structure
JP2009182244A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Sharp Corp Method of manufacturing solar battery module

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08298334A (en) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp Solar cell board
JP2001189481A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing solar cell
JP2005317779A (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Toyota Motor Corp Photoelectric converting element
JP2005340362A (en) * 2004-05-25 2005-12-08 Sharp Corp Solar cell and solar cell module
WO2008090718A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell, solar battery array, solar battery module and method for manufacturing solar battery array
WO2009025147A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Sharp Kabushiki Kaisha Rear surface bonding type solar cell, rear surface bonding type solar cell having wiring board, solar cell string and soar cell module
JP2009152589A (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Palo Alto Research Center Inc Method for forming multiple-layer electrode structure on solar cell, metallization contact structure, patterning method of layer, and method for forming functional structure
JP2009182244A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Sharp Corp Method of manufacturing solar battery module

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101178344B1 (en) 2011-05-18 2012-08-29 현대중공업 주식회사 Back contact solar cell and method for fabricating the same
JP2015512563A (en) * 2012-03-19 2015-04-27 アールイーシー・ソーラー・ピーティーイー・リミテッド Semiconductor wafer cell and module processing for back contact photovoltaic modules
WO2013149093A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 Solexel, Inc. Back contact solar cells using aluminum-based alloy metallization
JP2015516145A (en) * 2012-04-02 2015-06-08 ソレクセル、インコーポレイテッド High efficiency solar cell structure and manufacturing method thereof
JP2015515257A (en) * 2012-04-23 2015-05-21 ソレクセル、インコーポレイテッド Removal method of resistance component of back contact solar cell
JP2014127552A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Sharp Corp Solar battery
JP2014127553A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Sharp Corp Solar battery, and solar battery manufacturing method
JP2014127551A (en) * 2012-12-26 2014-07-07 Sharp Corp Solar battery
JP2016512928A (en) * 2013-03-15 2016-05-09 サンパワー コーポレイション Reduced contact resistivity and improved lifetime of solar cells
JP2019050380A (en) * 2013-06-28 2019-03-28 サンパワー コーポレイション Photovoltaic cell and metalization of laminate
US11456395B2 (en) * 2013-08-21 2022-09-27 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
US10930804B2 (en) 2013-09-27 2021-02-23 Sunpower Corporation Metallization of solar cells using metal foils
US11081601B2 (en) 2013-12-20 2021-08-03 Sunpower Corporation Single-step metal bond and contact formation for solar cells
US11616159B2 (en) 2013-12-20 2023-03-28 Sunpower Corporation Contacts for solar cells
US11784264B2 (en) 2013-12-20 2023-10-10 Maxeon Solar Pte. Ltd. Single-step metal bond and contact formation for solar cells
US10879413B2 (en) 2013-12-20 2020-12-29 Sunpower Corporation Contacts for solar cells
US11967657B2 (en) 2014-03-28 2024-04-23 Maxeon Solar Pte. Ltd. Foil-based metallization of solar cells
JP2016092421A (en) * 2014-11-04 2016-05-23 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド Solar battery module
US11374137B2 (en) 2014-12-19 2022-06-28 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US11817512B2 (en) 2014-12-19 2023-11-14 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US11894472B2 (en) 2015-06-26 2024-02-06 Maxeon Solar Pte. Ltd. Leave-in etch mask for foil-based metallization of solar cells
CN108352416A (en) * 2015-08-26 2018-07-31 奈特考尔技术公司 The system and method for emitter solar cell behind formation foil contact
KR101668104B1 (en) 2015-11-20 2016-10-20 (주)상아프론테크 Polyvinylidene polymer piezoelectril film and the preparing method thereof
US11424373B2 (en) 2016-04-01 2022-08-23 Sunpower Corporation Thermocompression bonding approaches for foil-based metallization of non-metal surfaces of solar cells
US11101401B2 (en) 2016-05-13 2021-08-24 Sunpower Corporation Roll-to-roll metallization of solar cells
US10971638B2 (en) 2016-07-01 2021-04-06 Sunpower Corporation Laser techniques for foil-based metallization of solar cells
US10727369B2 (en) 2016-09-30 2020-07-28 Sunpower Corporation Conductive foil based metallization of solar cells
US11908958B2 (en) 2016-12-30 2024-02-20 Maxeon Solar Pte. Ltd. Metallization structures for solar cells
CN107293606A (en) * 2017-06-19 2017-10-24 浙江晶科能源有限公司 P-type IBC battery structures and preparation method thereof
US11362234B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam
US11362220B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local metallization for semiconductor substrates using a laser beam
US11276785B2 (en) 2018-04-06 2022-03-15 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell fabrication
US11646387B2 (en) 2018-04-06 2023-05-09 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation
US11664472B2 (en) 2018-04-06 2023-05-30 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell stringing
US11682737B2 (en) 2018-04-06 2023-06-20 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell fabrication
JP7203546B2 (en) 2018-09-25 2023-01-13 シャープ株式会社 solar module
JP2020053487A (en) * 2018-09-25 2020-04-02 シャープ株式会社 Solar cell module
CN110246911A (en) * 2019-05-30 2019-09-17 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 Back contacts lamination solar battery string and manufacturing method, lamination solar module
JP2021101441A (en) * 2019-12-24 2021-07-08 株式会社カネカ Method of manufacturing solar cell string and solar cell string
WO2021241425A1 (en) * 2020-05-29 2021-12-02 株式会社カネカ Solar cell and method for producing solar cell
CN117253929A (en) * 2023-11-16 2023-12-19 隆基绿能科技股份有限公司 Back contact battery and manufacturing method thereof
CN117253929B (en) * 2023-11-16 2024-04-09 隆基绿能科技股份有限公司 Back contact battery and manufacturing method thereof

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