JP2011048365A - 不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置 - Google Patents

不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、駆動素子の数を減少させることが可能な不揮発表示モジュール等を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の不揮発性表示モジュール2は、表示パネル3及び駆動回路4を有する。表示パネル3は基板31を有し、さらに、基板31上にはスキャンラインS21〜S2m、データラインD21〜D2n及び、これらのインターレース領域に位置する薄膜トランジスタを有する。駆動回路4は、メモリユニット41、電圧レベル発生ユニット42及び電圧レベル選択ユニット43を有する。メモリユニット41は、クロック信号CKに基づき、画像コントロール信号A21を受信する。電圧レベル発生ユニット42は複数の電圧レベル信号を発生させる。電圧レベル選択ユニット43は、それぞれスキャンライン、データライン、メモリユニット41及び電圧レベル発生ユニット42に電気的に接続されて、画像コントロール信号A21に基づき、スキャンラインまたはデータラインに伝送する。
【選択図】図4

Description

本発明は表示モジュール及び表示装置に関し、特に不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置に関する。
表示装置は、初期の陰極線管(cathode ray tube, CRT)表示装置に始まり、現在の液晶表示(liquid crystal display, LCD)装置、有機発光ダイオード(organic light emitting diode, OLED)表示装置及び電子ペーパー(E-Paper)表示装置にまで発展している。
その体積及び重量はいずれも大幅に縮小されて、広く通信、情報及び消費型電子製品等に応用されている。
図1を参照しながら説明する。
従来の表示装置は液晶表示装置を例としている。
それは、液晶表示モジュール1を備え、液晶表示モジュール1は、液晶表示パネル11、データ駆動回路12及びスキャン駆動回路13を有する。
データ駆動回路12は、複数のデータラインD11〜D1nによって液晶表示パネル11に電気的に接続される。
スキャン駆動回路13は、複数のスキャンラインS11〜S1mによって液晶表示パネル11に電気的に接続される。
図2に示したように、データ駆動回路12は、シフトレジスタユニット122、第一レベルラッチユニット123、第二レベルラッチユニット124及びレベルシフトユニット125を備える。
シフトレジスタユニット122は、第一レベルラッチユニット123に電気的に接続され、第二レベルラッチユニット124は、それぞれ第一レベルラッチユニット123及びレベルシフトユニット125に電気的に接続される。
同時に、図3を参照しながら説明する。
シフトレジスタユニット122は、パルス開始(start pulse)信号A01及びクロック信号CKに基づき、シフトレジスタ信号A11〜A1nを発生させて、それを第一レベルラッチユニット123に伝送する。
第一レベルラッチユニット123は、シフトレジスタ信号A11〜A1nに基づき、画像信号A02を受信する。
このうち、画像信号A02は複数の画像データを含み、第一レベルラッチユニット123中に保存する。
第二レベルラッチユニット124は、ラッチイネーブル(latch enable)信号A03に基づき、画像信号A02を第二レベルラッチユニット124中に読み取る。
レベルシフトユニット125は、第二レベルラッチユニット124中に保存された画像信号A02を、複数の表示信号に変換し、対応するデータラインD11〜D1nを介して、表示信号を液晶表示パネル11に転送して表示画面を表示する。
技術の進歩に伴い、いわゆる不揮発性材料が表示装置中に応用されるようになった。
不揮発性材料は、例えば、電気泳動性材料、エレクトロ・ウェッティング性材料、コレステリック液晶、あるいは、ネマチック液晶である。
通常、不揮発性材料が使用される表示装置はいずれも体積が小さく、携帯に便利であるという特色が要求されるため、現有の表示装置の構造において、表示モジュール中のデータ駆動回路12とスキャン駆動回路13が統合されて、素子の数を減少させることが可能となることで、表示装置において、さらに空間が省略できる上、軽薄化が可能となり、生産コストの削減が図れる。
したがって、本発明は、駆動素子の数を減少させることが可能な不揮発表示モジュール及び不揮発表示装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明は、駆動素子の数を減少させることが可能な不揮発表示モジュール及び不揮発表示装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の不揮発性表示装置は、表示パネル及び駆動回路を備える。
表示パネルは基板を有し、さらに、基板上には少なくとも1個のスキャンライン、少なくとも1個のデータライン及び少なくとも1個の薄膜トランジスタを有する。
薄膜トランジスタは、スキャンラインとデータラインのインターレース領域に位置する。
駆動回路は、メモリユニット、電圧レベル発生ユニット及び電圧レベル選択ユニットを有する。
メモリユニットは、クロック信号に基づき、少なくとも1個の画像コントロール信号を受信する。
電圧レベル発生ユニットは複数の電圧レベル信号を発生させる。
電圧レベル選択ユニットは、それぞれスキャンライン、データライン、メモリユニット及び電圧レベル発生ユニットに電気的に接続されて、メモリユニットが保存する画像コントロール信号に基づき、前記電圧レベル信号のうちの1個を選択して、スキャンラインまたはデータラインに伝送する。
さらに、上記目的を達成するために、本発明の不揮発性表示装置は、不揮発性表示モジュールを備える。
不揮発性表示モジュールは、表示パネル及び駆動回路を有する。
駆動回路は、メモリユニット、電圧レベル発生ユニット及び電圧レベル選択ユニットを有する。
メモリユニットは、クロック信号に基づき、少なくとも1個の画像コントロール信号を受信する。
電圧レベル発生ユニットは複数の電圧レベル信号を発生させる。
電圧レベル選択ユニットは、スキャンライン、データライン、メモリユニット及び電圧レベル発生ユニットに電気的に接続されて、メモリユニットが保存する画像コントロール信号に基づき、前記電圧レベル信号のうちの1個を選択して、スキャンラインまたはデータラインに伝送する。
このように、本発明の不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置は、メモリユニット、電圧レベル発生ユニット及び電圧レベル選択ユニットを有する駆動回路によって、スキャンライン及びデータラインに伝送する信号を処理することで表示画面を発生させる。
従来の技術と比較して、本発明の不揮発性表示装置は、従来のスキャン駆動回路及びデータ駆動回路を統合させた他、さらに、シンプルな構造の駆動回路を使用することで、同時にスキャンライン及びデータラインに伝送する信号を処理する。
したがって、本発明の不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置は、駆動素子の数を減少させることで空間を節約すると同時に、コストの削減も図ることが可能である。
本発明の不揮発性表示装置は、従来のスキャン駆動回路及びデータ駆動回路を統合させた他、さらに、シンプルな構造の駆動回路を使用することで、同時にスキャンライン及びデータラインに伝送する信号を処理する。
したがって、本発明の不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置は、駆動素子の数を減少させることで空間を節約すると同時に、コストの削減も図ることが可能である。
従来の表示装置を示した図である。 従来のデータ駆動回路を示した図である。 従来の表示装置におけるデータ駆動回路のタイミングコントロール図である。 本発明の好適な実施例における不揮発性表示装置を示した図である。 図4の表示装置のマルチプレクサ及び電圧レベル発生ユニットの回路接続構造を示した図である。 図4の表示装置のマルチプレクサ及び電圧レベル発生ユニットの回路接続構造を示した図である。 図4の表示装置のマルチプレクサ及び電圧レベル発生ユニットの回路接続構造を示した図である。 図7の構造における電圧レベル発生ユニットが出力する電圧レベル信号のシーケンス図である。
以下、図を参照しながら、本発明の好適な実施例における不揮発性表示モジュール及び不揮発性表示装置について説明する。
いわゆる不揮発性表示装置とは、表示装置が少なくとも2個の安定状態を有し、電源供給を行わない状態でも前記安定状態が少なくとも数十ミリ秒維持できるものを指す。
また、表示装置中の光学調整物質は、電気泳動液、エレクトロ・ウェッティング物質、コレステロール(cholesterol)液晶またはネマチック(Nematic)液晶を含む。
図4を参照しながら説明する。
本発明の好適な実施例における不揮発性表示装置は、不揮発性表示モジュール2を備える。
不揮発性表示モジュール2は、表示パネル3及び駆動回路4を含む。
本実施例において、駆動回路4は、複数のスキャンラインS21〜S2m及び複数のデータラインD21〜D2nを介して表示パネル3に電気的に接続される。
表示パネル3は、基板31、少なくとも1個のスキャンライン、少なくとも1個のデータライン及び少なくとも1個の薄膜トランジスタTFTを有する。
このうち、薄膜トランジスタTFTは、データライン及びスキャンラインのインターレース領域(interlaced area)に設置されて、電極に電気的に接続される。
このうち、インターレース領域及び薄膜トランジスタTFTを画素ユニットと称する。
画素ユニットの配列方式は、一次元マトリクスまたは二次元マトリクス形式である。
本実施例において、表示パネル3は、複数の画素ユニット311〜3mnを含む場合を例として説明する。
その配列方式は、二次元マトリクス方式である。
表示パネル3上には、スキャンラインS21〜S2m及びデータラインD21〜D2nが交錯して設置されて複数のインターレース領域を形成し、各画素ユニット311〜3mnが対応するインターレース領域に設置される。
駆動回路4は、メモリユニット41、電圧レベル発生ユニット42及び電圧レベル選択ユニット43を備える。
電圧レベル選択ユニット43は、それぞれスキャンラインS21〜S2m、データラインD21〜D2n、電圧レベル発生ユニット42及びメモリユニット41に電気的に接続される。
メモリユニット41は、シフトレジスタ411及びラッチ412を有し、シフトレジスタ411はラッチ412に電気的に接続される。
電圧レベル選択ユニット43は少なくとも1個のマルチプレクサを有する。
本実施例の電圧レベル選択ユニット43は複数のマルチプレクサ431を有し、各マルチプレクサ431はそれぞれメモリユニット41、電圧レベル発生ユニット42及び対応するスキャンラインS21〜S2mまたは対応するデータラインD21〜D2nに電気的に接続される。
駆動回路4が駆動されると、シフトレジスタ411がクロック信号CKに基づき画像コントロール信号A21を受信する。
このうち、画像コントロール信号A21は複数の第一駆動信号A31〜A3m及び複数の第二駆動信号A41〜A4nを含む。
ラッチ412は、ラッチ信号A51に基づき、第一駆動信号A31〜A3m及び第二駆動信号A41〜A4nをラッチ412中に読み取って、電圧レベル選択ユニット43に伝送する。
また、シフトレジスタ411はシリアル形式で画像コントロール信号A21を受信し、ラッチ412はパラレル形式で第一駆動信号A31〜A3m及び第二駆動信号A41〜A4nを電圧レベル選択ユニット43に伝送する。
説明を簡潔にするため、以下に電圧レベル発生ユニット42、マルチプレクサ431及びそれに電気的に接続されるスキャンラインS21を例として、電圧レベル選択ユニット43が画像コントロール信号A21に基づき、電圧レベル信号のうちの1つをスキャンラインS21に伝送する様態を説明する。
図5を参照しながら説明する。
電圧レベル発生ユニット42は、四個の電圧レベル信号A61〜A64を出力し、それをマルチプレクサ431に伝送する。
このうち、電圧レベル発生ユニット42は、例えば、直流/直流電圧レベルコンバータである。
電圧レベル信号A61〜A64は、それぞれ直流電圧信号であり、例えば、それぞれ30V、−10V、20V、−5Vである。
マルチプレクサ431はスキャンラインS21に対応するため、画像コントロール信号A21は第一駆動信号A31を例とする。
この時、マルチプレクサ431は、第一駆動信号A31に基づき、電圧レベル信号A61〜A64のうちの一個をスキャンラインS21に伝送することにより、スキャンラインS21が伝送するスキャン信号の電圧レベルを決定する。
スキャンラインS21が30Vまたは20Vの電圧レベルを伝送する時は、画素311のトランジスタを通電させる。
スキャンラインS21が−10Vまたは−5Vの画素の電圧レベルを伝送する時は、画素311のトランジスタを断ち切る。
しかしながら、本実施例では、電圧レベル発生ユニット42が四個の電圧レベル信号A61〜A64を発生させる場合のみに制限せず、当該分野の技術に熟知している者がわかるように、電圧レベル発生ユニット42の出力は必要に応じて設計されることが可能である。
よって、ここでは、その出力される信号の数量及びレベルの高低は制限しない。
また、一部のマルチプレクサ431は、スキャンラインS21に電気的に接続され、他の一部のマルチプレクサ431はデータラインD21〜D2nに電気的に接続される。
説明を簡潔にするために、以下に、電圧レベル発生ユニット42、マルチプレクサ431及びそれに電気的に接続されるデータラインD21を例として、電圧レベル選択ユニット43が画像コントロール信号A21に基づき、電圧レベル信号のうちの1個をデータラインD21に伝送する様態を説明する。
図6を参照しながら説明する。
電圧レベル発生ユニット42は、四個の電圧レベル信号A61〜A64を出力し、それをマルチプレクサ431に伝送する。
このうち、電圧レベル信号A61〜A64は、それぞれ直流電圧信号であり、例えば、それぞれ30V、−10V、20V、−5Vである。
マルチプレクサ431はデータラインD21に対応するため、画像コントロール信号A21は、第二駆動信号A41を例とする。
この時、マルチプレクサ431は、第二駆動信号A41に基づき、電圧レベル信号A61〜A64のうちの一個をデータラインD21に伝送することにより、データラインD21が伝送する画像信号の電圧レベルを決定する。
画素311中のトランジスタが通電状態の時、データラインD21が伝送する画像信号は画素311を書き込み、画像信号の電圧レベル(30V、−10V、20V、−5V)によって、表示画面の階調をコントロールする。
このように、電圧レベル発生ユニット42が出力する前記電圧レベル信号A61〜A64は、それぞれ異なる出力端子またはリード線を介してマルチプレクサ431に出力される外、図7に示したように、前記電圧レベル信号A61〜A64は電圧レベル発生ユニット42aの同一出力端子またはリード線を介してマルチプレクサ431aに出力されることも可能である。
図8に示したように、電圧レベル発生ユニット42aが出力する前記電圧レベル信号A61〜A64は、時間上の区分を利用して、同一出力端子またはリード線を介して、異なる時間内にマルチプレクサ431aに出力される。
例えば、時間Tに電圧レベル信号A61を出力し、時間Tに電圧レベル信号A62を出力し、時間Tに電圧レベル信号A63を出力し、時間Tに電圧レベル信号A64を出力し、時間Tの後、再び前記電圧レベル信号A61〜A64を順に繰り返して出力するが、その出力の順序(電圧レベルの大きさの配列)はここでは限定しない。
また、実作において、効果的に体積を縮減させるために、駆動回路4の少なくとも一部は、それぞれ集積回路(integrated circuit, IC)チップ中に単結晶製造工程によって設置されるか、または、多結晶製造工程または非結晶製造工程によって画素ユニット311〜3mnと同じ基板に設置される。
ここでは、非結晶製造工程は、非結晶シリコン薄膜トランジスタ製造工程または有機薄膜トランジスタ製造工程である。
その混合形式も可能で、例えば、メモリユニット41は、単結晶半導体製造工程技術によってICチップ中に設置されて、電圧レベル発生ユニット42及び電圧レベル選択ユニット43は、多結晶製造工程または非結晶製造工程によって、画素ユニット311〜3mnと同じ基板に設置される。
つまり、メモリユニット41、電圧レベル発生ユニット42及び電圧レベル選択ユニット43は、一IC回路中に統合されるか、メモリユニット41及び電圧レベル選択ユニット43のみが一IC回路中に統合されるということであり、このうち、IC回路は単結晶集積回路である。
以上、本発明の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成は、これらの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更などがあっても、本発明に含まれる。
1 液晶表示モジュール
11 液晶表示パネル
12 データ駆動回路
122 シフトレジスタユニット
123 第一レベルラッチユニット
124 第二レベルラッチユニット
125 レベルシフトユニット
13 スキャン駆動回路
2 不揮発性表示モジュール
3 表示パネル
31 基板
11〜3mn 画素ユニット
4 駆動回路
41 メモリユニット
411 シフトレジスタ
412 ラッチ
42、42a 電圧レベル発生ユニット
43 電圧レベル選択ユニット
431、431a マルチプレクサ
01 スタートパルス信号
02 画像信号
03 ラッチイネーブル信号
11〜A1n シフトレジスタ信号
21 画像コントロール信号
31〜A3m 第一駆動信号
41〜A4n 第二駆動信号
51 ラッチ信号
61〜A64 電圧レベル信号
CK クロック信号
11〜D1n、D21〜D2n データライン
11〜S1m、S21〜S2m スキャンライン
〜T 時間
TFT 薄膜トランジスタ

Claims (8)

  1. 基板を有し、前記基板上に少なくとも1個のスキャンライン、少なくとも1個のデータライン及び少なくとも1個の薄膜トランジスタが設置され、前記薄膜トランジスタは前記スキャンラインと前記データラインのインターレース領域に位置する表示パネルと、
    クロック信号に基づいて少なくとも1個の画像コントロール信号を受信して保存するメモリユニットと、複数の電圧レベル信号を発生させる電圧レベル発生ユニットと、それぞれ前記スキャンライン、前記データライン、前記メモリユニット及び前記電圧レベル発生ユニットに電気的に接続されて、前記メモリユニットが保存する画像コントロール信号に基づいて前記複数の電圧レベル信号のうちの1個を選択してスキャンラインまたはデータラインに伝送する電圧レベル選択ユニットとを有する駆動回路と、
    を備えることを特徴とする
    不揮発性表示モジュール。
  2. 前記メモリユニットは、
    前記クロック信号に基づいて前記画像コントロール信号を受信する少なくとも1個のシフトレジスタと、
    前記シフトレジスタに電気的に接続されて、ラッチ信号に基づいて前記画像コントロール信号を受信する少なくとも1個のラッチとを有することを特徴とする
    請求項1に記載の表示モジュール。
  3. 前記画像コントロール信号は、複数の画像信号及び複数のスキャン信号を含むことを特徴とする
    請求項1に記載の表示モジュール。
  4. 前記電圧レベル発生ユニットは、直流/直流電圧レベルコンバータであることを特徴とする
    請求項1に記載の表示モジュール。
  5. その少なくとも一部は、単結晶製造工程、多結晶製造工程または非結晶製造工程によって製造されることを特徴とする
    請求項1に記載の表示モジュール。
  6. 前記メモリユニット、前記電圧レベル発生ユニット及び前記電圧レベル選択ユニットは、集積回路中に設置されることを特徴とする
    請求項1に記載の表示モジュール。
  7. 前記メモリユニット及び前記電圧レベル選択ユニットは、集積回路中に設置されることを特徴とする
    請求項1に記載の表示モジュール。
  8. 基板を有し、前記基板上に少なくとも1個のスキャンライン、少なくとも1個のデータライン及び少なくとも1個の薄膜トランジスタが設置され、前記薄膜トランジスタは前記スキャンラインと前記データラインのインターレース領域に位置する表示パネルと、
    クロック信号に基づいて少なくとも1個の画像コントロール信号を受信して保存するメモリユニットと、複数の電圧レベル信号を発生させる電圧レベル発生ユニットと、それぞれ前記スキャンライン、前記データライン、前記メモリユニット及び前記電圧レベル発生ユニットに電気的に接続されて、前記メモリユニットが保存する画像コントロール信号に基づいて前記電圧レベル信号のうちの1個を選択してスキャンラインまたはデータラインに伝送する電圧レベル選択ユニットとを有する駆動回路と、
    を有する不揮発性表示モジュールを備えることを特徴とする
    不揮発性表示装置。
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