JP2011044737A - 光配線モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光導波路部材2を含む光配線基板20と、この光配線基板20に対してフリップチップ実装される第1及び第2の光半導体素子3とを有する光配線モジュール1であって、光導波路部材2は、クラッド層6,8と、クラッド層6,8上に積層され、光路変換手段40を有する複数のコア層7と、を含んで構成され、光配線基板20上には、第1の光半導体素子3に設けられる光素子4と、第2の光半導体素子3の光素子4との間に設けられ、非光透過性の樹脂から成る遮光部材62が配置されていることを特徴とする光配線モジュール1。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光配線モジュール1を示す斜視図であって、一部を断面で示す。図2は、光配線モジュール1を示す平面図である。図3は、図2の部分拡大断面図である。
(Vertical Cavity Surface-Emitting Laser:略称VCSEL)や端面発光型レーザダイオード等のレーザが挙げられる。また光素子4の一例である受光素子としては、たとえばフォトダイオードがある。
次に本発明の第2の実施形態に係る光配線モジュール1Aに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図4は、光配線モジュール1Aの一部を拡大して示す断面図である。
次に本発明の第3の実施形態に係る光配線モジュール1Bに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図5は、光配線モジュール1Bの部分拡大断面図である。
次に本発明の第4の実施形態に係る光配線モジュール1Cに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図6は、光配線モジュール1Cの一部を拡大して示す断面図である。
次に本発明の第5の実施形態に係る光配線モジュール1Dに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図7は、光配線モジュール1Dの一部を拡大して示す断面図である。
次に本発明の第6の実施形態に係る光配線モジュール1Eに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図9は、光配線モジュール1Eの一部を拡大して示す断面図である。
次に本発明の第7の実施形態に係る光配線モジュール1Fに関して説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる構成について主に説明し、第1の実施形態と共通する構成については説明を省略し、第1の実施形態と共通する構成については同一の参照符号を用いる。図10は、光配線モジュール1Fの一部を拡大して示す断面図であり、図11は図10の光配線モジュール1Fを構成する光半導体素子3Fの平面図である。
2 光導波路部材
20 光配線基板
3、3F 光半導体素子
4、4E、4F 光素子
5 支持基板
6 第1クラッド層
7 コア層
8 第2クラッド層
9 周辺部
10 貫通電極
11 接続パッド
13、13A 傾斜部
14、14A 反射膜
24 バンプ
25 ダミーバンプ
40、40A 光路変換手段
61D 孔部
62、62D〜62F 遮光部材
100C マイクロレンズ
101B、101D 透光部材
Claims (20)
- 光導波路部材を含む光配線基板と、この光配線基板に対してフリップチップ実装される第1及び第2の光半導体素子とを有する光配線モジュールであって、
前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、
前記光配線基板上には、第1の光半導体素子に設けられる光素子と、第2の光半導体素子の光素子との間に設けられ、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする光配線モジュール。 - 光導波路部材を含む光配線基板と、
該光配線基板に対してフリップチップ実装され、前記光配線基板との対向面上に複数の光素子を備えた光半導体素子と、を有する光配線モジュールであって、
前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、
前記光半導体素子の前記対向面上で、且つ隣り合う前記光素子間に、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする光配線モジュール。 - 光導波路部材を含む光配線基板と、
該光配線基板の上面に対してフリップチップ実装され、前記光配線基板との対向面上に複数の光素子を備えた光半導体素子と、を有する光配線モジュールであって、
前記光導波路部材は、クラッド層と、クラッド層上に積層され、光路変換手段を有する複数のコア層と、を含んで構成され、
前記光配線基板の上面で、且つ前記隣接する光素子間に、非光透過性の樹脂から成る遮光部材が配置されていることを特徴とする光配線モジュール。 - 前記遮光部材の表面は、前記光素子の表面よりも前記光配線基板側に位置していることを特徴とする請求項2に記載の光配線モジュール。
- 前記遮光部材の表面は、前記光素子の表面よりも前記光半導体素子側に位置していることを特徴とする請求項3に記載の光配線モジュール。
- 前記遮光部材は、前記光素子の外周を囲繞することを特徴とする請求項2〜5のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記光素子は、発光素子または受光素子であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記遮光部材は、前記第1および第2の光半導体素子を、その外周に沿って囲繞することを特徴とする請求項1記載の光配線モジュール。
- 前記遮光部材は、前記第1および/または第2の光半導体素子と前記光配線基板との間隙に設けられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記光路変換手段は、光を反射する反射手段であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記反射手段は、前記光素子より前記反射手段に対して入射した光を前記コア層に沿った方向に向けて反射する機能、または前記コア層より前記反射手段に対して入射した光を前記光素子に向けて反射する機能を有することを特徴とする請求項10に記載の光配線モジュール。
- 前記反射手段が設けられる前記コア層の表面及び前記反射手段の表面は、前記クラッド層の表面に対して傾斜していることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の光配線モジュール。
- 前記反射手段が設けられる前記コア層の表面及び前記反射手段の表面は、前記反射手段によって反射された光の進行方向とは逆方向に突出する凸曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記反射手段が設けられる前記コア層の表面の前記クラッド層の表面に対する傾斜角度が41度以上49度以下に規定されることを特徴とする請求項12記載の光配線モジュール。
- 前記光素子と、前記光導波路部材の前記クラッド層とが非接触の状態に保持されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 少なくとも前記光素子と前記光路変換手段との間には、光透過性の樹脂から成る透光部材が設けられていることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記透光部材は、前記第1および/または第2の光半導体素子と前記光配線基板とを機械的に接続することを特徴とする請求項16に記載の光配線モジュール。
- 前記クラッド層は、前記光素子と対向する位置に、前記光素子からの光、または前記光素子に向かう光を集光する集光手段を含むことを特徴とする請求項1〜17のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
- 前記集光手段は、前記クラッド層と一体に形成されることを特徴とする請求項18に記載の光配線モジュール。
- 前記光素子と、前記光路変換手段上に位置する前記光導波路部材の前記クラッド層とが接触している状態に保持されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1つに記載の光配線モジュール。
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