JP2011043563A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】異物に起因する不良を低減することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】画素電極１４および対向センサ電極４１の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより第２基板２０のたわみ位置を検出する。対向センサ電極４１に、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａよりもラビング方向上流側に設けられた延長領域４３とを設ける。ラビング処理で発生した異物４４を、ラビング方向上流側の延長領域４３の端に付着させる。接点領域４２には異物４４が付着しておらず、異物４４に起因する短絡不良や動作不良が低減される。
【選択図】図３

Description

本発明は、位置検出のためのセンサ機能を有する表示装置およびこの表示装置を備えた電子機器に関する。

従来より、表示装置の表示面を用いて選択された位置の座標成分（位置座標）を入力する技術が知られている。その中でも代表的なものとして、タッチパネル機能を備えた表示装置が挙げられる。これは、主に表示パネル上にタッチパネルシートが取り付けられた構成であり、このタッチパネルシートを用いることにより、接触する物体（接触体）の位置座標の特定および入力を行うようになっている。

一方、近年では、表示パネル自体にセンサ機能を持たせるようにしたものが提案されている。例えば特許文献１および特許文献２には、画像表示のための表示電極と、タッチ箇所検出のためのタッチ電極とを、液晶層に隣接して形成したものが記載されている。このようなタッチパネル内蔵表示装置では、タッチ電極どうしの接触または近接による電位または容量の変化を検出することでタッチ箇所を特定する。

特開２００１−７５０７４号公報 特開２００７−９５０４４号公報

しかしながら、このような従来のタッチパネル内蔵表示装置では、製造工程、例えばラビング処理で発生する異物がタッチ電極に付着して不良となってしまう場合があった。更に、センサ感度を高めるためにタッチ電極どうしの距離を小さくするほど、小さな異物でも不良が生じてしまうことになり、歩留まり低下などの原因になっていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、異物に起因する不良を低減することが可能な表示装置および電子機器を提供することにある。

本発明の第１の表示装置は、第１基板および第２基板の間に液晶層を有する表示パネルと、第１基板および第２基板の一方に設けられた突起、突起の少なくとも上面に設けられた第１センサ電極、並びに、第１基板および第２基板の他方に突起に対向して設けられた第２センサ電極を有し、第２基板のたわみによる第１センサ電極および第２センサ電極の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより第２基板のたわみ位置を検出する位置検出手段とを備え、第２センサ電極は、第２基板のたわみにより第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、突起のラビング方向上流側端部よりもラビング方向上流側に設けられた延長領域とを有するものである。

本発明の第２の表示装置は、第１基板および第２基板の間に液晶層を有する表示パネルと、第１基板および第２基板の一方に設けられた突起、突起の少なくとも上面に設けられた第１センサ電極、第１基板および第２基板の他方に突起に対向して設けられた窪み、並びに、窪み内に設けられた第２センサ電極を有し、第２基板のたわみによる第１センサ電極および第２センサ電極の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより第２基板のたわみ位置を検出する位置検出手段とを備え、第２センサ電極は、第２基板のたわみにより第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、突起のラビング方向下流側端部よりもラビング方向下流側に設けられた延長領域とを有するものである。

本発明の第１および第２の電子機器は、表示装置を備えたものであって、表示装置が、上記本発明の第１および第２の表示装置によりそれぞれ構成されているものである。

本発明の第１の表示装置では、手または物体の接触により第２基板がたわむと、第１センサ電極および第２センサ電極が接触または近接し、これに応じた電位または容量の変化が読み取られることにより第２基板のたわみ位置が検出される。ここでは、第２センサ電極が、第２基板のたわみにより第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、突起のラビング方向上流側端部よりもラビング方向上流側に設けられた延長領域とを有しているので、ラビング処理で発生した異物は、ラビング方向上流側の延長領域の端に付着している。よって、接点領域には異物が付着しておらず、異物に起因する不良が低減される。

本発明の第２の表示装置では、手または物体の接触により第２基板がたわむと、第１センサ電極および第２センサ電極が接触または近接し、これに応じた電位または容量の変化が読み取られることにより第２基板のたわみ位置が検出される。ここでは、第２センサ電極が、第２基板のたわみにより第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、突起のラビング方向下流側端部よりもラビング方向下流側に設けられた延長領域とを有しているので、ラビング処理で発生した異物は、ラビング方向下流側の延長領域の端または窪みの縁に付着している。よって、接点領域には異物が付着しておらず、異物に起因する不良が低減される。

本発明の第１の表示装置によれば、第２センサ電極に、第２基板のたわみにより第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、突起のラビング方向上流側端部よりもラビング方向上流側に設けられた延長領域とを設けるようにしたので、ラビング処理で発生する異物を延長領域の端に付着させ、異物に起因する不良を低減することが可能となる。

本発明の第２の表示装置によれば、第２センサ電極を窪み内に設けると共に、第２センサ電極を、第２基板のたわみにより第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、突起のラビング方向下流側端部よりもラビング方向下流側に設けられた延長領域とを設けるようにしたので、ラビング処理で発生する異物を延長領域の端または窪みの縁に付着させ、異物に起因する不良を低減することが可能となる。

本発明の第１または第２の電子機器によれば、上記本発明による第１または第２の表示装置を備えているので、異物に起因する表示装置のセンサ不良が少なくなっており、優れたセンサ特性による利便性の向上が可能となる。特に、画素電極が複数のスリットを含む平面形状を有する、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶表示パネルを採用した場合に極めて好適である。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。 図１に示した画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図１に示した画素電極と対向センサ電極との位置関係の他の例を表す断面図である。 図１に示した画素電極と対向センサ電極との位置関係の更に他の例を表す断面図である。 従来の画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す平面図である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。 変形例１に係る表示装置の画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す断面図である。 変形例２に係る表示装置の画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す断面図である。 変形例３に係る表示装置の有効領域、外周領域およびパネル外領域の構成を説明するための断面図である。 図１０に示した有効領域、外周領域およびパネル外領域の配置を説明するための平面図である。 変形例４に係る表示装置の画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す断面図である。 変形例５に係る表示装置の画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の画素電極と対向センサ電極との位置関係を表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（対向センサ電極に、接点領域に連続してラビング方向上流側に延長した延長領域を設けた例）
２．変形例１（接点領域と延長領域とを溝により分離した例）
３．変形例２（延長領域を、接点領域よりも高くなった段差に設けた例）
４．変形例３（パネル外領域に突起を設けた例）
５．変形例４（二つの画素電極に対向して一つの対向センサ電極を設けると共に、二つの画素電極をラビング方向と平行な方向に配置した例）
６．変形例５（二つの画素電極に対向して一つの対向センサ電極を設けると共に、二つの画素電極をラビング方向にずらした例）
７．第２の実施の形態（対向センサ電極を窪み内に設け、延長領域をラビング方向下流側に延長した例）

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、液晶テレビなどの中型ないし大型の表示装置、または携帯電話機あるいはゲーム機などのモバイル用途に用いられるものであり、例えばＦＦＳ方式の液晶表示パネル１に、接触式のタッチセンサ機能を持たせたものである。液晶表示パネル１は、第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層３０を有している。

第１基板１０は、ガラス基板１０Ａに、画素トランジスタ１１、第１層間絶縁膜１２Ａ、共通電極１３、第２層間絶縁膜１２Ｂおよび画素電極１４を順に設けたものである。

画素トランジスタ１１は、ガラス基板１０Ａ上に、ゲートライン、ゲート絶縁膜および半導体層（いずれも図示せず）を順に積層した構成を有し、半導体層は、コンタクト部１１Ａを介して、画素電極１４に電気的に接続されている。第１層間絶縁膜１２Ａは、例えば無機膜あるいは有機膜、またはこれらの積層膜により構成されている。

画素電極１４および共通電極１３は、液晶層３０に電界を印加するための表示電極であり、例えば、厚みが０．０５μｍないし０．１５μｍ程度であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＺｎＯ等の透明導電膜により構成されている。画素電極１４は、複数のスリット１４Ａを含む平面形状を有し、共通電極１３は、画素電極１４の下に、無機絶縁膜よりなる第２層間絶縁膜１２Ｂを間にして設けられている。画素電極１４に与えられた電位は、スリット１４Ａを通って共通電極１３へ電界を生じる。これにより、液晶層３０の液晶分子の方向は、無電界時にはスリット１４Ａの長手方向に対して平行になっているが、電界印加時にはスリット１４Ａの長手方向に対して交差するようになっている。

また、画素電極１４は、後述する対向センサ電極４１と共に、液晶表示パネル１内に、位置検出手段としての接触式タッチセンサを構成するものである。ここで、画素電極１４が、本発明における「第１センサ電極」の一具体例に対応し、対向センサ電極４１が、本発明における「第２センサ電極」の一具体例に対応している。

第１基板１０には、また、スペーサ１５および突起１６がそれぞれ所定の間隔で配置されている。スペーサ１５は、液晶層３０のギャップを形成する機能を有しており、その高さは液晶層３０の厚みと同じ、例えば約２．５μｍないし５μｍ程度である。

突起１６は、その上面および側面に画素電極１４が延在しており、画素電極１４と後述する対向センサ電極４１との間の距離（電極間距離）を小さくしてタッチセンサの感度を高めるためのものである。センサが距離を感じるのに必要な圧力を作動開始圧と呼ぶが、この作動開始圧と、センサが動作する電極間距離（センサギャップ）とは比例関係にある。そのため、軽いタッチ感を得るためには電極間距離は狭くすることが望ましい。容量を検出する場合も同様であり、容量の変化を読み取るには電極間距離を十分に短くしないと十分な感度が得られない。電極間距離は、突起１６の高さを調節することによって調整することが可能である。突起１６の高さは、スペーサ１５の高さすなわち液晶層３０の厚みよりも低い。電極間距離は、例えば１μｍ以下、具体的には０．３μｍないし０．５μｍ程度である。

スペーサ１５および突起１６は、例えば、有機弾性体により構成されている。具体的には、ＮＮ系（ＪＳＲ製）あるいはＰＣ系（ＪＳＲ製）のレジスト、またはノボラックレジストが挙げられる。

第２基板２０は、ガラス基板２０Ａに、有機膜よりなるカラーフィルタ２１と、熱硬化樹脂よりなる平坦化層（オーバーコート層）２２と、対向センサ電極４１とを順に設けたものである。

対向センサ電極４１は、第２基板２０のオーバーコート層２２上に、突起１６に対向して設けられ、例えば、厚みが０．０５μｍないし０．１５μｍ程度であり、ＩＴＯまたはＺｎＯ等の透明導電膜により構成されている。この対向センサ電極４１は、接触体（例えば、指先など）により第２基板２０がたわむと、突起１６の上面の画素電極１４に接触または近接可能となっている。

第１基板１０および第２基板２０と液晶層３０との間には、それぞれ、配向膜（図示せず）が設けられている。この配向膜は、液晶層３０の液晶分子を配向させるためのものであり、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、ポリイミド等の有機膜により構成されている。

第１基板１０上の配向膜は、突起１６の高さに追従しきれないので、突起１６の先端部にはほとんど形成されていない。すなわち、突起１６の上面では、画素電極１４が露出している。画素電極１４の露出を確実にするためには、突起１６のアスペクト比（高さ／幅）は大きいほうが好ましく、また、突起１６の先端部を尖らせるようにすれば更に効果的である。

一方、第２基板２０には突起１６が形成されていないので、対向センサ電極４１はおおよそ平坦面に設けられている。対向センサ電極４１と画素電極１４との間の容量を調べる場合、つまり近接により感知する場合には、対向センサ電極４１は配向膜で被覆されていてもよい。一方、対向センサ電極４１と画素電極１４とが外圧により接触して反応する電極接触式の場合には、配向膜は絶縁なので、動作不良を抑えるため、対向センサ電極４１は配向膜で被覆されていないことが望ましい。

図２および図３は、画素電極１４と対向センサ電極４１との位置関係を説明するためのものである。なお、図２および図３では、表示パネル１の主要な構成要素のみを図示し、画素トランジスタ１１，共通電極１３，カラーフィルタ２１，オーバーコート層２２などは省略している。また、画素電極１４は突起１６の表面に設けられた部分のみを表し、スリット１４Ａなどは省略している。

対向センサ電極４１は、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａよりもラビング方向上流側に設けられた延長領域４３とを有している。これにより、この表示装置では、異物に起因する不良を低減することが可能となっている。

ここで、ラビング方向上流側とは、図２および図３においてラビング方向Ｒを表す矢印の根元の側をいう。また、ラビング方向下流側とは、図２および図３においてラビング方向Ｒを表す矢印の矢先の側をいう。

接点領域４２は、画素電極１４に接触または近接することにより位置検出センサとして機能する部分である。延長領域４３は、ラビング処理で発生した異物４４を堰き止め、異物４４が接点領域４２に付着して短絡不良や動作不良を引き起こすのを抑えるためのものであり、例えば、接点領域４２に連続してラビング方向上流側に延長されている。画素電極１４または対向センサ電極４１はエッチングによりパターニングされるので、縁が切り立った（シャープな）形状となっており、ラビングで発生した異物４４が付着しやすくなっている。延長領域４３を設けることにより、異物４４を接点領域４２から遠い位置で捕獲し、異物４４が接点領域４２に付着することに起因する不良の低減が可能となる。ちなみに、カラーフィルタ２１など、フォトリソグラフィで成形される構造物は、縁がなだらかになっており、ラビングで発生した異物４４が付着しにくくなっている。

対向センサ電極４１のラビング方向上流側端部４１Ａと突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａとの間の上流側オフセット距離ＤＡは、対向センサ電極４１のラビング方向下流側端部４１Ｂと突起１６のラビング方向下流側端部１６Ｂとの間の下流側オフセット距離ＤＢよりも大きいことが好ましい。対向センサ電極４１のラビング方向上流側端部４１Ａを突起１６または接点領域４２から十分に離すことにより、異物４４に起因する不良を確実に抑えることが可能となるからである。

対向センサ電極２３は、第１基板１０と第２基板２０との重ね合わせの余裕を考慮して接点領域４２よりも大きく形成されており、図４に示したように、対向センサ電極２３が突起１６の下流側にはみ出している場合もありうる。また、図５に示したように、対向センサ電極２３が突起１６の上流側にずれている場合もありうる。これらの場合も、図３に示した場合と同様に、対向センサ電極２３のラビング方向上流側端部２３Ａと突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａとの間の上流側オフセット距離ＤＡは、対向センサ電極２３のラビング方向下流側端部２３Ｂと突起１６のラビング方向下流側端部１６Ｂとの間の下流側オフセット距離ＤＢよりも大きいことが好ましい。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、ガラス基板１０Ａを用意し、このガラス基板１０Ａに、一般的な製造方法により、ゲートライン、ゲート絶縁膜および半導体層（いずれも図示せず）を順に積層し、画素トランジスタ１１を形成する。次いで、画素トランジスタ１１上に、上述した材料よりなる第１層間絶縁膜１２Ａおよび上述した厚みおよび材料よりなるコモン電極１３を順に形成し、第２層間絶縁膜１２Ｂで覆う。続いて、第１層間絶縁膜１２Ａおよび第２層間絶縁膜１２Ｂに、コンタクト部１１Ａを形成し、このコンタクト部１１Ａを画素トランジスタ１１の半導体層に接続する。

そののち、第２層間絶縁膜１２Ｂ上に、上述した高さおよび材料よりなるスペーサ１５および突起１６を形成する。続いて、上述した厚みおよび材料よりなる画素電極１４を形成し、例えばドライエッチングまたはウェットエッチングにより、複数のスリット１４Ａを含む平面形状にパターニングする。画素電極１４を形成したのち、上述した厚みおよび材料よりなる配向膜（図示せず）を形成し、この配向膜をラビング処理する。これにより、第１基板１０が形成される。

また、ガラス基板２０Ａを用意し、このガラス基板２０Ａに、上述した材料よりなるカラーフィルタ２１、平坦化層２２、対向センサ電極４１および配向膜（図示せず）を形成し、配向膜をラビング処理する。これにより、第２基板２０が形成される。

対向センサ電極４１と画素電極１４とが外圧により接触して反応する電極接触式の場合には、配向膜を形成したのちに対向センサ電極４１を形成することにより、対向センサ電極４１が配向膜で被覆されないようにする。あるいは、対向センサ電極４１を形成したのちに配向膜を形成し、配向膜をドライエッチングなどによりパターニングしてもよい。

一方、対向センサ電極４１と画素電極１４との間の容量を調べる場合、つまり近接により感知する場合には、対向センサ電極４１は配向膜で被覆されていてもよいので、対向センサ電極４１を形成したのちに配向膜を形成してもよい。

配向膜のラビング処理は、ローラに巻きつけたラビング用バフ材（コットン等）を配向膜表面に擦り付けることにより行う。ラビング圧は、液晶に必要なプレチルト角が得られる範囲で、強めに設定されることが望ましい。このラビングにより、密着性の悪い配向膜の一部は擦り取られる。その梳りカス（いわゆるバフカス）はローラに付着し、ローラの転動に伴って第１基板１０または第２基板２０上の他の位置または他の構造物に付着し、異物４４が発生する。ここでは、対向センサ電極４１が、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａよりもラビング方向上流側に設けられた延長領域４３とを有しているので、ラビング処理で発生した異物４４は、ラビング方向上流側の延長領域４３の端に付着する。よって、接点領域４２には異物４４が付着しておらず、異物４４に起因する不良が低減される。従って、工程を増やす必要もなく、対向センサ電極４１の形状を変えるのみで、不良の発生を抑え、生産性を低下させることなく容易に歩留まりを高めることが可能となる。

これに対して従来では、図６および図７に示したように、対向センサ電極４１に延長領域を設けていなかったので、異物４４の高さが対向センサ電極４１の厚みを上回り、突起１６上の画素電極１４に接触してしまう場合があった。よって、異物４４に画素電極１４や対向センサ電極４１に由来するＩＴＯなど導電性成分が含まれている場合は短絡不良を生じていた。一方、異物４４が配向膜由来のポリイミドなどの絶縁物よりなる場合は、対向センサ電極４１と画素電極１４との接触または近接が阻害され、動作不良を生じてしまっていた。

このようにして第１基板１０および第２基板２０を形成したのち、これらを対向配置して周囲を封止し、内部に液晶を注入して液晶層３０を形成する。以上により、図１に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、手または物体の接触により第２基板２０がたわむと、画素電極１４および対向センサ電極４１が接触または近接し、これに応じた電位または容量の変化が読み取られることにより第２基板２０のたわみ位置が検出される。ここでは、対向センサ電極４１が、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａよりもラビング方向上流側に設けられた延長領域４３とを有しているので、ラビング処理で発生した異物４４は、ラビング方向上流側の延長領域４３の端に付着している。よって、接点領域４２には異物４４が付着しておらず、異物４４に起因する短絡不良や動作不良が低減される。

このように本実施の形態では、対向センサ電極４１に、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向上流側端部１６Ａよりもラビング方向上流側に設けられた延長領域４３とを設けるようにしたので、ラビング処理で発生する異物４４を延長領域４３の端に付着させ、異物４４に起因する不良を低減することが可能となる。

（変形例１）
なお、上記第１の実施の形態では、延長領域４３が接点領域４２に連続してラビング方向上流側に延長されている場合について説明したが、図８に示したように、接点領域４２と延長領域４３とは、溝４５により分離されていてもよい。

（変形例２）
図９は、変形例２に係る表示装置の画素電極１４と対向センサ電極４１との位置関係を表したものである。本変形例では、突起１６を第２基板２０側に設ける一方、画素電極１４に接点領域４２および延長領域４３を設け、更に、延長領域４３を、接点領域４２よりも高くなった段差４６に設けたものである。段差４６は、信号線ＳＬの下地により周囲の領域よりも高くなったものである。これにより、本変形例では、延長領域４３に異物４４が更に付着しやすくすることが可能となっている。また、信号線ＳＬなどの配線を下地として利用することにより、工程を増やす必要もなく、生産性を低下させることなく容易に歩留まりを高めることが可能となる。

（変形例３）
図１０は、変形例３に係る表示装置の有効領域、外周領域およびパネル外領域の構成を表したものである。本変形例は、液晶表示パネル１の有効領域５１だけでなく、液晶表示パネル１の外周領域５２、パネル外領域５３および端子領域５４にも突起１６および対向センサ電極４１を配置することにより、異物４４に起因する不良を更に低減するようにしたものである。

液晶表示パネル１は、図１１に示したように、マザー基板５０に一つまたは複数（図１１では例えば四つ）配置されている。各液晶表示パネル１は矩形状を有し、中央に有効領域５１、その周囲に外周領域５２が設けられている。外周領域５２には、液晶層３０を封止するための紫外線硬化樹脂などよりなる枠状の封止層３１が設けられている。各液晶表示パネル１の一辺には端子領域５４が設けられている。隣接する液晶表示パネル１の間、およびマザー基板５０の外周は、パネル外領域５１となっている。

ラビング処理は、配向膜をパターニングして、パネル外領域５３，外周領域５２または端子領域５４など不要なエリアを除いて全面行う。その場合、一つの有効領域５１をラビング処理した際に異物４４が発生し、その異物４４がローラに付着し、次にラビング処理された有効領域５１に付着してしまうおそれがある。本変形例では、外周領域５２，パネル外領域５３または端子領域５４に突起１６および対向センサ電極４１を設けるようにしたので、一つの有効領域５１で発生した異物４４を、外周領域５２，パネル外領域５３または端子領域５４の突起１６または対向センサ電極４１に付着させ、次にラビング処理される有効領域５１に付着するのを抑えることが可能となる。なお、外周領域５２，パネル外領域５３，端子領域５４の対向センサ電極４１には、必ずしも延長領域４３を設ける必要はない。

（変形例４）
図１２は、変形例４に係る表示装置の画素電極１４と対向センサ電極４１との位置関係を表したものである。本変形例は、二つの画素電極１４に対向して一つの対向センサ電極４１を設け、三つの電極で一つの位置を検出する場合に、二つの画素電極１４をラビング方向と平行な方向に配置したものである。これにより、本変形例では、ラビング方向上流側の画素電極１４が異物４４の付着により不良となっても、ラビング方向下流側の画素電極１４に異物４４が付着するのを抑えることが可能となる。

（変形例５）
図１３は、変形例５に係る表示装置の画素電極１４と対向センサ電極４１との位置関係を表したものである。本変形例は、二つの画素電極１４に対向して一つの対向センサ電極４１を設け、三つの電極で一つの位置を検出する場合に、二つの画素電極１４をラビング方向にずらして配置したものである。これにより、本変形例では、変形例４と同様に、ラビング方向上流側の画素電極１４が異物４４の付着により不良となっても、ラビング方向下流側の画素電極１４に異物４４が付着するのを抑えることが可能となる。

（第２の実施の形態）
図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の画素電極１４と対向センサ電極４１との位置関係を表したものである。本実施の形態は、対向センサ電極４１を窪み６１内に設け、延長領域４６をラビング方向下流側に延長するようにしたものである。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第１の実施の形態と同様の構成を有し、同様にして製造することができ、その動作、作用および効果も第１の実施の形態と同様である。

窪み６１は、突起１６に対向して配置されており、具体的には、カラーフィルタ２１の色による段差を反映して平坦化層２２に生じた凹部でもよいし、平坦化層２２の厚みを場所によって異ならせることにより設けた凹部でもよい。

対向センサ電極４１は、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向下流側端部１６Ｂよりもラビング方向下流側に設けられた延長領域４６とを有している。これにより、この表示装置では、異物に起因する不良を低減することが可能となっている。

延長領域４６は、第１の実施の形態の延長領域４３と同様に、ラビング処理で発生した異物４４を堰き止め、異物４４が接点領域４２に付着して短絡不良や動作不良を引き起こすのを抑えるためのものであり、例えば、接点領域４２に連続してラビング方向下流側に延長されている。異物４４は、ラビング下流側の延長領域４６の端または窪み６１の縁に付着している。

この表示装置では、手または物体の接触により第２基板２０がたわむと、第１の実施の形態と同様にして第２基板２０のたわみ位置が検出される。ここでは、対向センサ電極４１が、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向下流側端部１６Ｂよりもラビング方向下流側に設けられた延長領域４６とを有しているので、ラビング処理で発生した異物４４は、ラビング方向下流側の延長領域４６の端または窪み６１の縁に付着している。よって、接点領域４２には異物４４が付着しておらず、異物に起因する不良が低減される。

このように本実施の形態では、対向センサ電極４１を窪み６１内に設けると共に、対向センサ電極４１を、第２基板２０のたわみにより画素電極１４に接触または近接する接点領域４２と、突起１６のラビング方向下流側端部１６Ｂよりもラビング方向下流側に設けられた延長領域４６とを設けるようにしたので、ラビング処理で発生する異物４４を延長領域４６の端または窪み６１の縁に付着させ、異物に起因する不良を低減することが可能となる。

（適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例である電子機器について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（適用例１）
図１５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１７は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図１８は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設
けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図１９は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、スペーサ１５および突起１６は、第１基板１０および第２基板２０のいずれに形成してもよいし、第１基板１０および第２基板２０の両方に形成することも可能である。

例えば、上記実施の形態では、視野角の良いフリンジフィールド電界を用いた液晶を例として説明しているが、このほかに、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード液晶など、電極を用いた液晶駆動モードであれば応用が可能であることは言うまでもない。

また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、電極材料は、上記実施の形態で説明したＩＴＯ，ＺｎＯなどの透明導電膜のほか、反射電極（Ａｌ，Ａｇなど）またはブラックを形成するための材料（酸化クロム，Ｃｒ，Ｍｏなど）であってもよい。

更に、上記実施の形態では、液晶表示パネル１の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素または全ての層を備える必要はなく、また、他の構成要素または他の層を備えていてもよい。

１…液晶表示パネル、１０…第１基板、１０Ａ，２０Ａ…ガラス基板、１１…画素トランジスタ、１２Ａ…第１層間絶縁膜、１２Ｂ…第２層間絶縁膜、１３…共通電極、１４…画素電極、１４Ａ…スリット、２０…第２基板、２１…カラーフィルタ、２２…平坦化層、４１…対向センサ電極、４２…接点領域、４３，４６…延長領域、４４…異物、４５…溝、３０…液晶層、ＳＬ…信号線

Claims (9)

1. 第１基板および第２基板の間に液晶層を有する表示パネルと、
   前記第１基板および前記第２基板の一方に設けられた突起、前記突起の少なくとも上面に設けられた第１センサ電極、並びに、前記第１基板および前記第２基板の他方に前記突起に対向して設けられた第２センサ電極を有し、前記第２基板のたわみによる前記第１センサ電極および前記第２センサ電極の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより前記第２基板のたわみ位置を検出する位置検出手段と
   を備え、
   前記第２センサ電極は、前記第２基板のたわみにより前記第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、前記突起のラビング方向上流側端部よりもラビング方向上流側に設けられた延長領域とを有する
   表示装置。
2. 前記第２センサ電極のラビング方向上流側端部と前記突起のラビング方向上流側端部との間の上流側オフセット距離は、前記第２センサ電極のラビング方向下流側端部と前記突起のラビング方向下流側端部との間の下流側オフセット距離よりも大きい
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記延長領域は、前記接点領域に連続して前記ラビング方向上流側に延長されている
   請求項１記載の表示装置。
4. 前記延長領域は、前記接点領域よりも高くなった段差に設けられている
   請求項２記載の表示装置。
5. 前記接点領域と前記延長領域とは溝により分離されている
   請求項１記載の表示装置。
6. 前記表示パネルは、前記液晶層に電界を印加するための画素電極および共通電極を有し、
   前記画素電極は、複数のスリットを含む平面形状を有すると共に前記第１センサ電極または前記第２センサ電極の一方を兼ねており、
   前記共通電極は、前記画素電極の下に、層間絶縁膜を間にして形成されている
   請求項１記載の表示装置。
7. 第１基板および第２基板の間に液晶層を有する表示パネルと、
   前記第１基板および前記第２基板の一方に設けられた突起、前記突起の少なくとも上面に設けられた第１センサ電極、前記第１基板および前記第２基板の他方に前記突起に対向して設けられた窪み、並びに、前記窪み内に設けられた第２センサ電極を有し、前記第２基板のたわみによる前記第１センサ電極および前記第２センサ電極の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより前記第２基板のたわみ位置を検出する位置検出手段と
   を備え、
   前記第２センサ電極は、前記第２基板のたわみにより前記第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、前記突起のラビング方向下流側端部よりもラビング方向下流側に設けられた延長領域とを有する
   表示装置。
8. 表示装置を備えた電子機器であって、
   前記表示装置は、
   第１基板および第２基板の間に液晶層を有する表示パネルと、
   前記第１基板および前記第２基板の一方に設けられた突起、前記突起の少なくとも上面に設けられた第１センサ電極、並びに、前記第１基板および前記第２基板の他方に前記突起に対向して設けられた第２センサ電極を有し、前記第２基板のたわみによる前記第１センサ電極および前記第２センサ電極の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより前記第２基板のたわみ位置を検出する位置検出手段と
   を備え、
   前記第２センサ電極は、前記第２基板のたわみにより前記第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、前記突起のラビング方向上流側端部よりもラビング方向上流側に設けられた延長領域とを有する
   電子機器。
9. 表示装置を備えた電子機器であって、
   前記表示装置は、
   第１基板および第２基板の間に液晶層を有する表示パネルと、
   前記第１基板および前記第２基板の一方に設けられた突起、前記突起の少なくとも上面に設けられた第１センサ電極、前記第１基板および前記第２基板の他方に前記突起に対向して設けられた窪み、並びに、前記窪み内に設けられた第２センサ電極を有し、前記第２基板のたわみによる前記第１センサ電極および前記第２センサ電極の接触または近接に応じた電位または容量の変化を読み取ることにより前記第２基板のたわみ位置を検出する位置検出手段と
   を備え、
   前記第２センサ電極は、前記第２基板のたわみにより前記第１センサ電極に接触または近接する接点領域と、前記突起のラビング方向下流側端部よりもラビング方向下流側に設けられた延長領域とを有する
   電子機器。

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