JP2011042832A - Electroless plating method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、無電解めっき処理方法に関し、特に半導体ウェハに対する無電解めっき処理方法に関する。 The present invention relates to an electroless plating method, and more particularly to an electroless plating method for a semiconductor wafer.
半導体デバイスの作製おいて、シリコン(Si)ウェハ工程が終了した段階で、表面にはパッシベーション膜が設けられている。このパッシベーション膜には、部分的に除去された領域があり、たとえば、アルミニウム(Al)を主成分とする電極が露出されている。そして、この電極を通して外部と電気的な接続をとるために、電極に外部金属を接続する。 In the fabrication of semiconductor devices, a passivation film is provided on the surface when the silicon (Si) wafer process is completed. This passivation film has a partially removed region, for example, an electrode mainly composed of aluminum (Al) is exposed. Then, in order to make an electrical connection with the outside through this electrode, an external metal is connected to the electrode.
外部金属を接続する方法としては、ワイヤーボンディングが一般的である。一方、用途によっては、リードフレームと電極を直接半田付けにより接続した方が、抵抗や放熱の点から有利な場合もある。しかしながら、リードフレームと電極とを直接半田付けをするのは困難なため、たとえば、ニッケル(Ni)にリン(P)が数%混ざった数μmの厚さのNi−P層と、表面の酸化防止を目的とした金(Au)層と、を無電解めっき処理によって形成する方法が提案されている。この無電解めっき処理方法によれば、アルミニウム上のみにNi−P層およびAu層が析出されるため、パターニングの必要がない。また、めっき時の温度が100℃以下であるため、プロセス上の熱的な問題も発生しないなどの利点がある。 As a method for connecting an external metal, wire bonding is generally used. On the other hand, depending on the application, it may be advantageous in terms of resistance and heat dissipation to directly connect the lead frame and the electrode by soldering. However, since it is difficult to solder the lead frame and the electrode directly, for example, a Ni-P layer having a thickness of several μm in which several percent of phosphorus (P) is mixed with nickel (Ni), and surface oxidation A method of forming a gold (Au) layer for the purpose of prevention by an electroless plating process has been proposed. According to this electroless plating treatment method, since the Ni—P layer and the Au layer are deposited only on the aluminum, there is no need for patterning. Moreover, since the temperature at the time of plating is 100 ° C. or less, there is an advantage that a thermal problem in the process does not occur.
つぎに、従来の無電解めっき処理方法について説明する。図7は、従来の無電解めっき処理方法に用いられるめっき装置の構造を示す断面図である。また、図8は、図7の切断線A−A'における断面構造を示す断面図である。図7または図8に示すように、めっき装置は、めっき槽11が薬液によって満たされている。ウェハカセット13には、複数枚の被処理ウェハ12が互いに接触しないように並べられている。このウェハカセット13は、被処理ウェハ12が薬液表面と垂直になるように、めっき槽11に浸漬されている。
Next, a conventional electroless plating method will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view showing the structure of a plating apparatus used in a conventional electroless plating method. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure taken along section line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 7 or FIG. 8, in the plating apparatus, the
また、めっき槽11の底部と、ウェハカセット13と、の間には、薬液供給ノズル14が設けられている。薬液供給ノズル14は、図示しないポンプから送られてきた薬液をめっき槽11内の薬液表面に向けて供給する。これによって、ウェハカセット13に並べられた被処理ウェハ12の間に薬液が流れることとなる。そして、めっき槽11内の薬液を循環させる。このように薬液を循環させることによって、無電解めっき処理により半導体デバイスに形成されるめっき層の膜厚、およびニッケル中のリン濃度などの膜質を一様にすることができる。また、めっき特性に大きな影響を及ぼす、めっき槽11内の薬液の温度および濃度を一様にすることができる。
A
めっき槽11からオーバーフローした薬液は、外槽15によって回収される。外槽15は、めっき槽11の外側に設けられている。外槽15には、薬液を排水する排水口16が設けられている。この排水口16によって排水された薬液は、再び図示しないポンプによって薬液供給ノズル14からめっき槽11内へ供給される。
The chemical solution overflowed from the
ここで、被処理ウェハ12に膜厚および膜質が均一な層を析出させるためには、被処理ウェハ12の表面に均一な速度で薬液を流すことが重要である。しかしながら、被処理ウェハ12に垂直な面での薬液の流れを考えると、薬液供給ノズル14からの薬液の供給を被処理ウェハ12を並べた方向に一様にすることは困難である。すなわち、被処理ウェハ12間の薬液の流速をどこでも同じにすることは困難である。また、被処理ウェハ12と、平行な面での薬液の流れを考えると、図7に示すように、薬液の供給は、比較的狭い領域からおこなわれる。さらに、オーバーフローによる排水は、槽の上端部周辺からおこなわれる。このため、めっき槽11内で局所的な渦や対流が発生する。したがって、被処理ウェハ12の表面に一様な速度で薬液を流すのは困難であるという問題がある。
Here, in order to deposit a layer having a uniform film thickness and film quality on the
さらに、図7および図8に示す技術では、Ni−P層の膜厚および膜質の均一性は、薬液の供給流量や薬液供給ノズル14の方向で大きく異なり、最適化が困難であるといった問題がある。
Further, the technique shown in FIGS. 7 and 8 has a problem that the film thickness and the film quality uniformity of the Ni—P layer are greatly different depending on the supply flow rate of the chemical solution and the direction of the chemical
また、薬液による処理の別の方法としては、洗浄槽の側壁に薬液供給口を設け、相対する側壁に薬液排出口を設け、複数枚の半導体基板を薬液表面と平行になるように挿入する方法が提案されている(たとえば、下記特許文献1参照。)。この方法によれば、たとえば、半導体基板を洗浄する際に、半導体基板に付着したパーティクルが、隣接する半導体基板に付着するのを防ぐことができる。 Further, as another method of treatment with a chemical solution, a method is provided in which a chemical solution supply port is provided on the side wall of the cleaning tank, a chemical solution discharge port is provided on the opposite side wall, and a plurality of semiconductor substrates are inserted in parallel with the chemical solution surface. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1 below). According to this method, for example, when cleaning a semiconductor substrate, particles adhering to the semiconductor substrate can be prevented from adhering to the adjacent semiconductor substrate.
しかしながら、上述した特許文献1の技術では、無電解めっき処理については記載されておらず、たとえば、無電解めっき処理に用いた場合に、形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にできるか否かがわからないといった問題がある。また、1つのカセットに並べられたウェハにのみ処理をおこなうため、一度に処理できるウェハの枚数に制限があるといった問題がある。 However, the technique of Patent Document 1 described above does not describe electroless plating treatment. For example, when it is used for electroless plating treatment, can the thickness and quality of the formed plating layer be uniform? There is a problem of not knowing whether or not. Further, since processing is performed only on the wafers arranged in one cassette, there is a problem that the number of wafers that can be processed at one time is limited.
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすることができる無電解めっき処理方法を提供することを目的とする。また、この発明は、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうことができる無電解めっき処理方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an electroless plating treatment method capable of making the film thickness and film quality of a plating layer formed on a wafer uniform in order to eliminate the above-described problems caused by the prior art. Another object of the present invention is to provide an electroless plating method capable of performing electroless plating on a large number of wafers at once.
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項1の発明にかかる無電解めっき処理方法は、複数の薄い平板が適当な間隔をおいて平行に並べられたカセットを、めっき槽内へ薬液表面に対して前記平板が垂直となるように挿入するカセット挿入工程と、複数の開口部を有し、かつ該開口部の総面積が前記めっき槽内へ薬液を供給する配管の断面積と同程度である整流手段の前記開口部内に薬液を通すことによって、前記配管から前記めっき槽内へ供給された薬液の流れを、薬液表面および前記平板と平行な方向に一様になるように整流しながら、前記薬液中に前記カセットを浸漬して、前記平板にめっき層を形成するめっき層形成工程と、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, an electroless plating method according to the invention of claim 1 is a method in which a cassette in which a plurality of thin flat plates are arranged in parallel at appropriate intervals is placed in a plating tank. A cassette insertion step for inserting the flat plate so that the flat plate is perpendicular to the surface of the chemical solution; and a cross-sectional area of a pipe having a plurality of openings, the total area of the openings supplying the chemical solution into the plating tank By flowing the chemical solution through the opening of the rectifying means having the same degree, the flow of the chemical solution supplied from the pipe into the plating tank is rectified so as to be uniform in the direction parallel to the chemical solution surface and the flat plate. And a plating layer forming step of immersing the cassette in the chemical solution to form a plating layer on the flat plate.
また、請求項2の発明にかかる無電解めっき処理方法は、複数の薄い平板が適当な間隔をおいて平行に並べられた複数のカセットを、めっき槽内へ薬液表面に対して前記平板が垂直となるように挿入するカセット挿入工程と、複数の開口部を有し、かつ該開口部の総面積が前記めっき槽内へ薬液を供給する配管の断面積と同程度である整流手段の前記開口部内に薬液を通すことによって、前記配管から前記めっき槽内へ供給された薬液の流れを、薬液表面および前記平板と平行な方向に一様になるように整流しながら、前記薬液中に前記カセットを浸漬して、前記平板にめっき層を形成するめっき層形成工程と、を含むことを特徴とする。 The electroless plating method according to the second aspect of the present invention is a method in which a plurality of cassettes in which a plurality of thin flat plates are arranged in parallel at an appropriate interval are placed in a plating tank so that the flat plates are perpendicular to the chemical surface. The cassette insertion step for inserting the rectifying means to have a plurality of openings, and the total area of the openings is approximately the same as the cross-sectional area of the pipe for supplying the chemical solution into the plating tank By passing the chemical solution through the part, the flow of the chemical solution supplied from the pipe into the plating tank is rectified so as to be uniform in a direction parallel to the chemical solution surface and the flat plate, and the cassette is placed in the chemical solution. And a plating layer forming step of forming a plating layer on the flat plate.
また、請求項3の発明にかかる無電解めっき処理方法は、請求項2に記載の発明において、前記めっき槽には、それぞれの前記カセットの直前に、前記整流手段が配置され、それぞれの前記カセットの直前に配置された前記整流手段によって、それぞれの前記カセットに流通する薬液の流れを整流することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, there is provided the electroless plating method according to the second aspect of the present invention, wherein the rectifying means is disposed in the plating tank immediately before each of the cassettes, The flow of the chemical liquid flowing through each of the cassettes is rectified by the rectification means disposed immediately before the cassette.
また、請求項4の発明にかかる無電解めっき処理方法は、請求項2または3に記載の発明において、前記めっき槽には、前記カセット同士の間に、薬液を撹拌させる導流手段が配置され、前記導流手段によって薬液を攪拌しながらめっきをおこなうことを特徴とする。
Further, in the electroless plating method according to the invention of claim 4, in the invention of
また、請求項5の発明にかかる無電解めっき処理方法は、請求項1〜4のいずれか一つに記載の発明において、前記平板の表面のアルミニウムを主成分とする金属が露出された領域に、ニッケルおよびリンを主成分とするめっき層を無電解で形成することを特徴とする。 Moreover, the electroless-plating processing method concerning invention of Claim 5 is set to the area | region where the metal which has aluminum as a main component on the surface of the said flat plate was exposed in the invention as described in any one of Claims 1-4. And a plating layer mainly composed of nickel and phosphorus is formed electrolessly.
上記各発明によれば、めっき槽内の薬液の流れを薬液表面と平行方向にし、ウェハを薬液表面に対して垂直で、薬液の流れに対して平行となるように挿入することで、それぞれのウェハに一様な流速で薬液が流れることとなる。これによって、ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすることができる。 According to each of the above inventions, each chemical flow in the plating tank is made parallel to the chemical liquid surface, and the wafer is inserted so as to be perpendicular to the chemical liquid surface and parallel to the chemical liquid flow. The chemical solution flows through the wafer at a uniform flow rate. Thereby, the film thickness and film quality of the plating layer formed on the wafer can be made uniform.
また、請求項2〜4の発明によれば、複数のウェハカセットをめっき槽内に配置することで、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうことができる。このため、製造コストを抑えることができる。 Moreover, according to invention of Claims 2-4, an electroless-plating process can be performed to a lot of wafers at once by arrange | positioning a several wafer cassette in a plating tank. For this reason, manufacturing cost can be held down.
また、請求項3の発明によれば、それぞれのウェハカセットに流れる薬液を、それぞれのウェハカセットの直前に配置されたバッファー板によって整流することができる。したがって、複数のウェハカセットがめっき槽内に配置された場合でも、それぞれのウェハカセットに流れの整流された薬液が流れるため、ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質をより均一にすることができる。 According to the third aspect of the present invention, the chemical solution flowing through each wafer cassette can be rectified by the buffer plate disposed immediately before each wafer cassette. Accordingly, even when a plurality of wafer cassettes are arranged in the plating tank, the flowed rectified chemicals flow through the respective wafer cassettes, so that the thickness and quality of the plating layer formed on the wafer can be made more uniform. Can do.
また、請求項4の発明によれば、それぞれのウェハカセットに流れる薬液を、ウェハカセット同士の間に配置された導流板によって撹拌することができる。したがって、それぞれのウェハカセットに、濃度に偏りのない薬液が流れるため、ウェハに形成されるめっき層の膜質をより均一にすることができる。 According to the invention of claim 4, the chemical liquid flowing through each wafer cassette can be agitated by the flow guide plate disposed between the wafer cassettes. Therefore, since the chemical solution with no concentration bias flows in each wafer cassette, the film quality of the plating layer formed on the wafer can be made more uniform.
本発明にかかる無電解めっき処理方法によれば、ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすることができるという効果を奏する。また、この無電解めっき処理方法によれば、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうことができるという効果を奏する。 According to the electroless plating method according to the present invention, there is an effect that the film thickness and film quality of the plating layer formed on the wafer can be made uniform. Moreover, according to this electroless plating treatment method, there is an effect that the electroless plating treatment can be performed on a large number of wafers at once.
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる無電解めっき処理方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明およびすべての添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Exemplary embodiments of an electroless plating method according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that, in the following description of the embodiments and all the attached drawings, the same reference numerals are given to the same components, and duplicate descriptions are omitted.
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1にかかる無電解めっき処理方法に用いられるめっき装置の構造を示す上面図である。図1に示すように、めっき槽1には、側壁に薬液供給口4が設けられている。また、薬液排水口7は、めっき槽1の薬液供給口4が設けられた側壁と相対する側壁に設けられている。薬液供給口4からめっき槽1中に薬液を供給し、薬液排水口7から薬液を排出することによって、薬液の流れを薬液表面と平行にすることができる。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a top view showing the structure of a plating apparatus used in the electroless plating method according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the plating tank 1 is provided with a chemical supply port 4 on the side wall. Moreover, the chemical | medical solution drain port 7 is provided in the side wall facing the side wall in which the chemical solution supply port 4 of the plating tank 1 was provided. By supplying the chemical solution into the plating tank 1 from the chemical solution supply port 4 and discharging the chemical solution from the chemical solution drain port 7, the flow of the chemical solution can be made parallel to the surface of the chemical solution.
バッファー板6は、薬液供給口4と、ウェハカセット3の置かれる場所との間、およびウェハカセット3の置かれる場所と薬液排水口7との間に設けられている。バッファー板6は、薬液の流れを薬液供給口4側から薬液排水口7側へ向かう一様な層流にする。また、バッファー板6は、平板であり、小径の開口部が複数設けられている。バッファー板6の開口部の総面積は、たとえば、薬液供給口4の断面積と同程度である。このような構成のめっき槽1に薬液が満たされる。
The
ウェハカセット3は、複数枚の被処理ウェハ2を適当な間隔で平行に並べたものである。このため、ウェハカセット3において、被処理ウェハ2は、互いに接触しないように並べられている。このウェハカセット3は、めっき槽1内に、被処理ウェハ2が薬液表面に対し垂直で、薬液の流れに対して平行になるように配置される。ここで被処理ウェハ2は、たとえば、シリコン(Si)ウェハであり、厚さが、たとえば、100μm以下である。
The
つぎに、実施の形態1にかかる無電解めっき処理方法について説明する。図2は、実施の形態1にかかる無電解めっき処理方法について示す斜視図である。図2に示すように、めっき槽1内には薬液が満たされており、図示しないポンプから送られた薬液が、薬液供給口4から供給され、薬液排水口7から排水される。また、バッファー板6によって薬液の流れが、薬液供給口4側から薬液排水口7側へ向かう一様な層流になっている。このめっき槽1の中へ、被処理ウェハ2が薬液表面に対して垂直で、薬液の流れに対して平行となるように、ウェハカセット3を挿入する。これによって、被処理ウェハ2を薬液へ浸すときの抵抗が軽減する。
Next, the electroless plating method according to the first embodiment will be described. FIG. 2 is a perspective view illustrating the electroless plating method according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the plating tank 1 is filled with a chemical solution, and a chemical solution sent from a pump (not shown) is supplied from the chemical solution supply port 4 and drained from the chemical solution drain port 7. Moreover, the flow of the chemical solution is a uniform laminar flow from the chemical solution supply port 4 side to the chemical solution drain port 7 side by the
ウェハカセット3を通過した薬液は、再度バッファー板6によって流れが整流され、薬液排水口7から排水される。これによって、めっき槽1内においては、薬液表面と平行に薬液が流れることとなる。また、薬液排水口7によって排水された薬液は、図示しない領域において、濾過、濃度調整および温度調整がおこなわれる。温度調整は、たとえば、薬液をおよそ70℃にする。そして、この薬液が再びポンプによって薬液供給口4からめっき槽1内へ供給される。ここで、たとえば、NiPめっきの場合、ウェハカセット3を、薬液におよそ20分間浸漬させる。
The flow of the chemical liquid that has passed through the
実施の形態1にかかる無電解めっき処理方法によれば、被処理ウェハ2が、薬液の流れと平行に並べられているため、それぞれの被処理ウェハ2間には、ほぼ一様な流速で薬液が流れる。また、被処理ウェハ2は、100μm以下と薄いため、薬液の流れを大きく乱さない。これによって、被処理ウェハ2に形成されるめっき層の膜厚と膜質とを均一にすることができる。
According to the electroless plating method according to the first embodiment, since the
(実施の形態2)
図3は、実施の形態2にかかる無電解めっき処理方法に用いられるめっき装置の構造を示す平面図である。図3に示すように、実施の形態2において用いられるめっき装置は、実施の形態1に示すウェハカセット3を流路に対して直列に複数個並べたものである。ウェハカセット3同士は、適当な間隔をおいて配置される。
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a plan view showing a structure of a plating apparatus used in the electroless plating method according to the second embodiment. As shown in FIG. 3, the plating apparatus used in the second embodiment has a plurality of
つぎに、実施の形態2にかかる無電解めっき処理方法について説明する。薬液の満たされためっき槽1内において、図示しないポンプから送られた薬液が、薬液供給口4によってめっき槽1内へ供給され、バッファー板6によって薬液供給口4側から薬液排水口7側へ向かう一様な層流になって流れている。このめっき槽1の中に、被処理ウェハ2が薬液表面に対して垂直で、薬液の流れに対して平行になるように、複数のウェハカセット3を挿入する。これによって、被処理ウェハ2を薬液へ浸すときの抵抗が軽減する。そして、それぞれのウェハカセット3を流路に対して直列になるように、適当な間隔をおいて配置する。これによって、バッファー板6によって流れの整流された薬液が、複数のウェハカセット3に順次流れ込む。そして、再度バッファー板6によって薬液の流れが整流され、薬液排水口7から排水される。また、薬液排水口7によって排水された薬液は、図示しない領域において、濾過、濃度調整および温度調整がおこなわれる。そして、この薬液が再びポンプによって薬液供給口4からめっき槽1内へ供給される。
Next, the electroless plating method according to the second embodiment will be described. In the plating tank 1 filled with the chemical solution, a chemical solution sent from a pump (not shown) is supplied into the plating tank 1 through the chemical solution supply port 4, and from the chemical solution supply port 4 side to the chemical solution drain port 7 side by the
実施の形態2にかかる無電解めっき処理方法によれば、薬液供給口4から供給された薬液の一様な流れが、被処理ウェハ2によって乱される。しかしながら、ウェハカセット3を適当な間隔をおいて配置することで、上流の被処理ウェハ2によって乱された流れは、下流の被処理ウェハ2に至る前に再び一様な流れとなる。したがって、それぞれのウェハカセット3において薬液の流れは同様となる。このため、それぞれのウェハカセット3に並べられたそれぞれの被処理ウェハ2間に、ほぼ一様な流速で薬液が流れる。これによって、複数のウェハカセット3が配置されためっき装置においても、それぞれの被処理ウェハ2に形成されるめっき層の膜厚と膜質とを均一にすることができる。また、一度の処理で大量の被処理ウェハ2にめっき処理をおこなうことができるため、製造コストを抑えることができる。
According to the electroless plating method according to the second embodiment, the uniform flow of the chemical solution supplied from the chemical solution supply port 4 is disturbed by the
(実施の形態3)
図4は、実施の形態3にかかる無電解めっき処理方法に用いられるめっき装置の構造を示す平面図である。図4に示すように、実施の形態3において用いられるめっき装置は、実施の形態2において用いられるめっき装置の各ウェハカセット3の直前にバッファー板6が配置されている。また、ウェハカセット3同士の間に、導流板8がそれぞれ設けられていてもよい。導流板8は、めっき槽1に薬液を満たす前に、めっき槽1に取り付けられる。図5は、導流板の形状の一例を示す斜視図である。導流板8の形状は、薬液を撹拌することができればよいため、図5の(a)〜(d)に示す形状に限らない。また、図6は、導流板の形状の他の一例を示す斜視図である。図6に示すように、導流板8は、複数枚で構成されていてもよい。具体的には、たとえば、3枚の平板を上下に互い違いに配置した形状でもよい。
(Embodiment 3)
FIG. 4 is a plan view showing the structure of a plating apparatus used in the electroless plating method according to the third embodiment. As shown in FIG. 4, in the plating apparatus used in the third embodiment, a
つぎに、実施の形態3にかかる無電解めっき処理方法について説明する。まず、めっき槽1に薬液を満たす前に、それぞれのウェハカセット3が置かれる場所の直前にバッファー板6を配置し、ウェハカセット3が置かれる場所同士の間に、導流板8を配置する。ついで、図示しないポンプから送られた薬液を、薬液供給口4からめっき槽1内へ供給し、めっき槽1内を満たす。さらに、バッファー板6によって流れの整流された薬液が、薬液供給口4側から薬液排水口7側へ向かう一様な層流になって流れている。このめっき槽1の中に、被処理ウェハ2が薬液表面に対して垂直で、薬液の流れに対して平行となるように、複数のウェハカセット3を挿入する。そして、それぞれのウェハカセット3を流路に対して直列になるように、適当な間隔をおいて配置する。
Next, the electroless plating method according to the third embodiment will be described. First, before the plating tank 1 is filled with the chemical solution, the
ついで、バッファー板6によって薬液の流れが整流される。そして、まず最初のウェハカセット3に薬液が流れ込む。ウェハカセット3を通過した薬液が、導流板8によって撹拌され、バッファー板6によって流れが整流される。そして、つぎのウェハカセット3に流れ込む。このようにして、薬液がすべてのウェハカセット3に流れ込んだ後に、再度バッファー板6によって流れが整流され、薬液排水口7から排水される。また、薬液排水口7によって排水された薬液は、図示しない領域において、濾過、濃度調整および温度調整がおこなわれる。そして、この薬液が再びポンプによって薬液供給口4からめっき槽1内へ供給される。
Next, the flow of the chemical solution is rectified by the
実施の形態3にかかる無電解めっき処理方法によれば、各ウェハカセット3の直前にバッファー板6が配置されているため、各ウェハカセット3に流れの整流された薬液が供給される。したがって、それぞれのウェハカセット3に並べられたそれぞれの被処理ウェハ2間に、ほぼ一様な流速で薬液が流れる。これによって、実施の形態2にかかる無電解めっき処理方法よりも、さらに、すべての被処理ウェハ2に形成されるめっき層の膜厚と膜質とを均一にすることができる。
According to the electroless plating method according to the third embodiment, since the
また、この無電解めっき処理方法によれば、ウェハカセット3同士の間に、導流板8がそれぞれ設けられている。したがって、たとえば、薬液が直前のウェハカセット3に流れ込んだことにより濃度に偏りが生じた場合でも、導流板8によって撹拌され、濃度が均等となる。これによって、実施の形態2にかかる無電解めっき処理方法よりも、さらに、被処理ウェハ2に形成されるめっき層の膜質を均一にすることができる。
Further, according to the electroless plating method, the
なお、本明細書においては、シリコンウェハに無電解めっき処理によってめっき膜を形成する方法について説明したが、これに限るものではない。本発明は、たとえば、シリコンウェハ以外の平板に無電解めっき処理によってめっき層を形成する場合にも、適用することができる。 In the present specification, the method of forming a plating film on a silicon wafer by electroless plating has been described. However, the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied, for example, when a plating layer is formed on a flat plate other than a silicon wafer by electroless plating.
以上のように、本発明にかかる無電解めっき処理方法は、薄板に無電解めっきをおこなうのに有用であり、特に、半導体ウェハに無電解めっきをおこなうのに適している。 As described above, the electroless plating method according to the present invention is useful for performing electroless plating on a thin plate, and is particularly suitable for performing electroless plating on a semiconductor wafer.
1 めっき槽
2 被処理ウェハ
3 ウェハカセット
4 薬液供給口
6 バッファー板
7 薬液排水口
8 導流板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (5)
複数の開口部を有し、かつ該開口部の総面積が前記めっき槽内へ薬液を供給する配管の断面積と同程度である整流手段の前記開口部内に薬液を通すことによって、前記配管から前記めっき槽内へ供給された薬液の流れを、薬液表面および前記平板と平行な方向に一様になるように整流しながら、前記薬液中に前記カセットを浸漬して、前記平板にめっき層を形成するめっき層形成工程と、
を含むことを特徴とする無電解めっき処理方法。 A cassette insertion step of inserting a cassette in which a plurality of thin flat plates are arranged in parallel at appropriate intervals into the plating tank so that the flat plates are perpendicular to the chemical surface,
By passing the chemical solution through the opening of the rectifying means having a plurality of openings and the total area of the openings being about the same as the cross-sectional area of the piping for supplying the chemical solution into the plating tank, While rectifying the flow of the chemical solution supplied into the plating tank so as to be uniform in the direction parallel to the chemical solution surface and the flat plate, the cassette is immersed in the chemical solution, and a plating layer is formed on the flat plate. A plating layer forming step to be formed;
The electroless-plating processing method characterized by including.
複数の開口部を有し、かつ該開口部の総面積が前記めっき槽内へ薬液を供給する配管の断面積と同程度である整流手段の前記開口部内に薬液を通すことによって、前記配管から前記めっき槽内へ供給された薬液の流れを、薬液表面および前記平板と平行な方向に一様になるように整流しながら、前記薬液中に前記カセットを浸漬して、前記平板にめっき層を形成するめっき層形成工程と、
を含むことを特徴とする無電解めっき処理方法。 A cassette inserting step of inserting a plurality of cassettes in which a plurality of thin flat plates are arranged in parallel at appropriate intervals into the plating tank so that the flat plates are perpendicular to the surface of the chemical solution;
By passing the chemical solution through the opening of the rectifying means having a plurality of openings and the total area of the openings being about the same as the cross-sectional area of the piping for supplying the chemical solution into the plating tank, While rectifying the flow of the chemical solution supplied into the plating tank so as to be uniform in the direction parallel to the chemical solution surface and the flat plate, the cassette is immersed in the chemical solution, and a plating layer is formed on the flat plate. A plating layer forming step to be formed;
The electroless-plating processing method characterized by including.
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