JP2011041075A - Radioactive image photographing apparatus - Google Patents

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Koji Amitani
幸二 網谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radioactive image photographing apparatus which performs dark read processing in a practical time while maintaining accuracy of an offset correction. <P>SOLUTION: The radioactive image photographing apparatus 1,100 includes: a plurality of radioactive detecting elements 7; switch means 8; a current detecting means 43 detecting a current flowing in a device by the irradiation of radioactive rays; and a control means 22 detecting the start of the irradiation of at least radioactive rays on the basis of the value of the detected current. The control means 22 applies an off voltage Voff to each switch means 8 before radioactive image photographing and stores dark charges in each radioactive detecting element 7, applies an on voltage Von to each switch means 8 and applies the off voltage Voff to each switch means 8 again when detecting the start of the irradiation of the radioactive rays. The control means 22 applies the on voltage Von to each switch means 8 at the same time interval as the applying time T2-T1 of the on voltage Von to each switch means 8 at radioactive image photographing for dark reading processing, and conducts the dark reading processing. T1 represents the time bringing each switch means 8 to an on state and T2 the irradiation start time of radioactive rays. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線の照射開始等を装置自体で検出することが可能な放射線画像撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiographic image capturing apparatus, and more particularly to a radiographic image capturing apparatus capable of detecting the start of radiation irradiation and the like by the apparatus itself.

照射されたX線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。   A so-called direct type radiographic imaging device that generates electric charges by a detection element in accordance with the dose of irradiated radiation such as X-rays and converts it into an electrical signal, or other radiation such as visible light with a scintillator or the like. Various so-called indirect radiographic imaging devices have been developed that convert charges to electromagnetic waves after being converted into electrical signals by generating electric charges with photoelectric conversion elements such as photodiodes in accordance with the energy of the converted and irradiated electromagnetic waves. Yes. In the present invention, the detection element in the direct type radiographic imaging apparatus and the photoelectric conversion element in the indirect type radiographic imaging apparatus are collectively referred to as a radiation detection element.

このタイプの放射線画像撮影装置はFPD(Flat Panel Detector)として知られており、従来は支持台(或いはブッキー装置)と一体的に形成されていたが(例えば特許文献1参照)、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2、3参照)。   This type of radiographic imaging apparatus is known as an FPD (Flat Panel Detector), and conventionally formed integrally with a support base (or a bucky apparatus) (see, for example, Patent Document 1). A portable radiographic imaging device in which an element or the like is housed in a housing has been developed and put into practical use (see, for example, Patent Documents 2 and 3).

ところで、これらの放射線画像撮影装置、特に可搬型の放射線画像撮影装置では、放射線照射装置やシステムを管理するコンピュータ等の外部装置から放射線画像撮影装置に放射線の照射の開始や終了の情報を送信し、それに応じて放射線画像撮影装置で放射線の照射終了後に各放射線検出素子からの画像データの読み出しを行うように構成される場合がある。   By the way, in these radiographic imaging apparatuses, particularly portable radiographic imaging apparatuses, information on the start and end of radiation irradiation is transmitted to the radiographic imaging apparatus from an external device such as a computer that manages the radiation irradiation apparatus and system. Accordingly, the radiation image capturing apparatus may be configured to read image data from each radiation detection element after the radiation irradiation ends.

しかし、そのためには、放射線照射装置やコンピュータ等と放射線画像撮影装置とのインターフェースをとり、放射線照射装置やコンピュータ等を含むシステム全体で制御構成を構築しなければならず、放射線画像撮影装置が放射線の照射の開始や終了を認識するための構成が大掛かりになる。そのため、放射線の照射の開始や終了を放射線画像撮影装置自体で検出できるように構成することが望ましい。   However, for that purpose, an interface between the radiation irradiating apparatus and the computer and the radiation imaging apparatus must be established, and a control configuration must be constructed in the entire system including the radiation irradiating apparatus and the computer. The configuration for recognizing the start and end of irradiation is large. For this reason, it is desirable that the radiation imaging apparatus itself can detect the start and end of radiation irradiation.

放射線の照射の開始等を放射線画像撮影装置自体で検出するためには、放射線画像撮影装置にセンサ等を配設して、センサで放射線の照射の開始や終了を検出するように構成することも可能であるが、放射線画像撮影装置内にセンサを配設するためのスペースが必要になり、装置が大型化してしまう。また、センサを設けると、センサを駆動する分だけ多くの電力を消費し、特に可搬型の放射線画像撮影装置では内蔵されたバッテリの消費を招いてしまう等の問題があった。   In order to detect the start of radiation irradiation by the radiographic imaging apparatus itself, a sensor or the like is provided in the radiographic imaging apparatus so that the sensor can detect the start or end of radiation irradiation. Although it is possible, a space for arranging the sensor in the radiographic image capturing apparatus is required, and the apparatus becomes large. Further, when the sensor is provided, there is a problem that a large amount of electric power is consumed for driving the sensor, and in particular, a portable radiographic imaging apparatus consumes a built-in battery.

そこで、後述する図7に示すように、例えば、各放射線検出素子7にバイアス電極14からバイアス電圧を印加するためのバイアス線9やそれらの結線10を流れる電流を検出するように構成し、放射線が照射されると各放射線検出素子7内で電子正孔対が発生してバイアス線9内を電流が流れることを利用して、その電流値の増減で放射線の照射の開始や終了を検出することが提案されている(特許文献4参照)。   Therefore, as shown in FIG. 7 to be described later, for example, it is configured to detect a bias line 9 for applying a bias voltage from the bias electrode 14 to each radiation detection element 7 and a current flowing through the connection 10 to detect radiation. Is used to detect the start and end of radiation irradiation by increasing or decreasing the current value by utilizing the fact that an electron-hole pair is generated in each radiation detection element 7 and a current flows in the bias line 9. Has been proposed (see Patent Document 4).

特開平9−73144号公報JP-A-9-73144 特開2006−058124号公報JP 2006-058124 A 特開平6−342099号公報JP-A-6-342099 米国特許第7211803号明細書US Pat. No. 7,211,803

ところで、上記のようにバイアス線9や結線10を流れる電流を検出してその電流値の増減で放射線の照射の開始や終了を検出する場合、各放射線検出素子7に接続されているスイッチ手段である各TFT8(Thin Film Transistor。図7等参照)がオン状態となっていて各TFT8のゲートが開いている状態である方が放射線の照射に伴ってバイアス線9や結線10を流れる電流が流れ易い。また、各放射線検出素子7内では、各放射線検出素子7自体の熱による熱励起等によりいわゆる暗電荷が発生するが、上記のように放射線の照射前に各TFT8をオン状態とすることで、各放射線検出素子7内で発生する暗電荷を各放射線検出素子7から除去することも可能となる。   By the way, when detecting the current flowing through the bias line 9 and the connection 10 as described above and detecting the start or end of radiation irradiation by increasing or decreasing the current value, the switch means connected to each radiation detection element 7 is used. When each TFT 8 (Thin Film Transistor; see FIG. 7 and the like) is in an ON state and the gate of each TFT 8 is in an open state, a current flowing through the bias line 9 and the connection line 10 flows with radiation. easy. Further, in each radiation detection element 7, so-called dark charges are generated by thermal excitation or the like due to the heat of each radiation detection element 7 itself, but by turning each TFT 8 on before radiation irradiation as described above, It is also possible to remove dark charges generated in each radiation detection element 7 from each radiation detection element 7.

このように、放射線の照射開始を検出するための電流の増減を検出し易くなり、また、放射線検出素子7内で発生する暗電荷を除去できることから、放射線の照射開始を検出する際には、図16に示すタイミングチャートの時刻T1に示すように、走査駆動手段15のゲートドライバ15b(図7参照)から走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧Vonを印加して各TFT8をオン状態としておくように構成されることが多い。   Thus, since it becomes easy to detect the increase / decrease in the current for detecting the start of radiation irradiation, and since the dark charge generated in the radiation detection element 7 can be removed, when detecting the start of radiation irradiation, As shown at time T1 in the timing chart shown in FIG. 16, the on-voltage Von is applied to the lines L1 to Lx of the scanning line 5 from the gate driver 15b (see FIG. 7) of the scanning driving means 15 to turn on the TFTs 8. Often configured to keep

そして、放射線の照射開始後もTFT8をオン状態としたままとすると、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷が放射線検出素子7内に蓄積されずに流出してしまうため、時刻T2で放射線の照射開始を検出すると、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから走査線5の各ラインL1〜Lxを介して各TFT8に印加される電圧がオフ電圧Voffに切り替えられて、各TFT8がオフ状態に切り替えられる。そして、放射線が照射された後、各放射線検出素子7に蓄積された電荷を読み出すために走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧Vonを順次切り替えながら印加して(時刻T3〜T3参照)、各放射線検出素子7から電荷(画像データ)が読み出される。 If the TFT 8 is kept on even after the start of radiation irradiation, the charge generated in each radiation detection element 7 due to the radiation irradiation flows out without being accumulated in the radiation detection element 7. When the start of radiation irradiation is detected at T2, the voltage applied to each TFT 8 from the gate driver 15b of the scanning drive means 15 via each line L1 to Lx of the scanning line 5 is switched to the off voltage Voff, and each TFT 8 is turned on. Switched off. Then, after the irradiation with radiation, in order to read out the electric charge accumulated in each radiation detection element 7, the on-voltage Von is applied to each line L 1 to Lx of the scanning line 5 while being sequentially switched (time T 3 1 to T 3 x Reference), electric charge (image data) is read from each radiation detection element 7.

上記のように、この各TFT8がオフ状態とされている期間ΔT〜ΔTにも各放射線検出素子7にはそれぞれ暗電荷が蓄積され、上記の電荷(画像データ)とともに読み出されて、いわゆるオフセット分として画像データに重畳されてしまうため、通常、放射線画像撮影後に、放射線を照射しない状態で放射線画像撮影時と同じように各TFT8をオン/オフさせて各放射線検出素子7に暗電荷を蓄積させてそれを読み出す、いわゆるダーク読取処理が行われる。なお、このダーク読取処理によって得られたいわゆるダーク読取値に基づいて上記のオフセット分が算出され、それをオフセット分が重畳されている画像データから差し引くことで真の画像データを得るオフセット補正が行われる。 As described above, dark charges are accumulated in the radiation detection elements 7 during the periods ΔT 1 to ΔT x in which the TFTs 8 are turned off, and are read together with the charges (image data). Since it is superimposed on the image data as a so-called offset, each TFT 8 is normally turned on / off in the same manner as in the radiographic image capture after the radiographic image is not irradiated, and dark charges are applied to the radiation detection elements 7. A so-called dark reading process is performed in which the data is stored and read out. The offset is calculated based on the so-called dark reading value obtained by this dark reading process, and offset correction is performed to obtain true image data by subtracting it from the image data on which the offset is superimposed. Is called.

そして、放射線画像撮影とできるだけ同じ条件で暗電荷を蓄積してダーク読取値として読み出すために、通常、ダーク読取処理では、各TFT8をオン状態とする時間間隔T5−T4(図16参照)が、放射線画像撮影で各TFT8をオン状態としていた時間間隔T2−T1と同じ時間間隔になるように調整される。   In order to accumulate dark charges and read out as dark reading values under the same conditions as in radiographic imaging as much as possible, in the dark reading process, the time interval T5-T4 (see FIG. 16) for turning on each TFT 8 is normally It is adjusted so as to be the same time interval as the time interval T2-T1 in which each TFT 8 is turned on in radiographic imaging.

しかしながら、放射線画像撮影の際に、時刻T1で各TFT8をオン状態とした後、放射線の照射が開始されるまでの時間間隔T2−T1が例えば数十秒かかり長くなると、ダーク読取処理においても各TFT8をオン状態とする時間間隔T5−T4を数十秒とらなければならなくなるが、これではダーク読取処理に時間がかかり過ぎ、現実的ではない(以下、これを問題点1という。)。   However, when the time interval T2-T1 from when the TFTs 8 are turned on at the time T1 to the start of radiation irradiation takes longer, for example, several tens of seconds during radiographic image capture, The time interval T5-T4 for turning on the TFT 8 must be several tens of seconds. However, this takes too much time for the dark reading process and is not realistic (hereinafter referred to as problem 1).

一方、放射線画像撮影の際には各TFT8をオン状態とした時間間隔T2−T1が上記のように数十秒かかったのに、ダーク読取処理で各TFT8をオン状態とする時間間隔T5−T4を例えば1秒程度と短くすると、放射線画像撮影の際には各放射線検出素子7内から暗電荷が十分に除去された状態から時刻T2で各TFT8がオフ状態とされて暗電荷の蓄積が始まるのに対し、ダーク読取処理では、各TFT8がオン状態とされる時間間隔T5−T4が短く、十分に暗電荷が除去されないうちに各TFT8がオフ状態とされて暗電荷の蓄積が開始されるようになる。   On the other hand, the time interval T2-T1 in which each TFT 8 is turned on at the time of radiographic imaging takes several tens of seconds as described above, but the time interval T5-T4 in which each TFT 8 is turned on in the dark reading process. If, for example, the time is shortened to about 1 second, at the time T2, each TFT 8 is turned off from the state where the dark charge is sufficiently removed from the inside of each radiation detection element 7 at the time of radiographic imaging, and the accumulation of dark charge starts. On the other hand, in the dark reading process, the time interval T5-T4 at which each TFT 8 is turned on is short, and each TFT 8 is turned off before dark charges are sufficiently removed, and accumulation of dark charges is started. It becomes like this.

そのため、このようにして得られたダーク読取値に基づいてオフセット分を算出しても、算出したそのオフセット分は、必ずしも放射線画像撮影時に各放射線検出素子7に蓄積された暗電荷によるオフセット分と同じ値にならない。そのため、ダーク読取処理により得られたオフセット分を画像データから差し引いても、必ずしも真の画像データを得ることができなくなり、オフセット補正の精度が低下してしまうといった問題がある(以下、これを問題点2という。)。   Therefore, even if the offset is calculated based on the dark reading value obtained in this way, the calculated offset is not necessarily the offset due to the dark charge accumulated in each radiation detection element 7 at the time of radiographic image capturing. It will not be the same value. For this reason, even if the offset obtained by the dark reading process is subtracted from the image data, true image data cannot always be obtained, and the accuracy of the offset correction is reduced (hereinafter, this is a problem). It is called point 2.)

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、オフセット補正の精度を維持しつつ、かつ、ダーク読取処理を現実的な時間内で行うことが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a radiographic imaging device capable of performing dark reading processing within a realistic time while maintaining the accuracy of offset correction. For the purpose.

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線に印加する前記オン電圧と前記オフ電圧とを切り替える走査駆動手段と、
放射線の照射により装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された電流の値に基づいて少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影で放射線が照射される前に、前記走査駆動手段から前記各走査線を介して前記各スイッチ手段に前記オフ電圧を印加して前記各放射線検出素子内に暗電荷を蓄積させた後、前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、
放射線の照射の開始を検出すると、前記各スイッチ手段に再度前記オフ電圧を印加し、
ダーク読取処理の際には、前記放射線画像撮影の際に前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加してから再度前記オフ電圧を印加するまでの時間間隔と同じ時間間隔だけ前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えた後、ダーク読取処理を行うことを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the radiographic imaging device of the present invention includes:
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged to cross each other, and the plurality of the plurality of radiation detecting elements arranged two-dimensionally in each area partitioned by the scanning lines and a plurality of signal lines ,
Are arranged for each said radiation detecting element, through the connected the scan lines holding the charge generated in the radiation detection element off voltage is applied, and the ON voltage is applied from the radiation detection element Switch means for releasing the charge;
Scanning drive means for switching between the on-voltage and the off-voltage applied to the scanning line;
Current detection means for detecting a current flowing in the apparatus by irradiation of radiation;
Control means for detecting at least the start of radiation irradiation based on the value of the current detected by the current detection means;
With
The control means includes
Before the radiation is emitted by the radiation image capturing, after the off-state voltage is applied to to accumulate dark charges in said each of the radiation detection element to the respective switching means via the respective scan lines from said scan driver means , Applying the ON voltage to each of the switch means,
When the start of radiation irradiation is detected, the off-voltage is applied again to the switch means,
Dark During the reading process, the said radiation image capturing the same amount time intervals each switching means and the time interval until the application of the off voltage again by applying the on voltage to each switch means upon A dark reading process is performed after an on voltage is applied and the voltage applied to each of the switch means is switched to the off voltage.

また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線に印加する前記オン電圧と前記オフ電圧とを切り替える走査駆動手段と、
放射線の照射により装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された電流の値に基づいて少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影で放射線が照射される前に、前記走査駆動手段から前記各走査線を介して前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オン電圧と前記オフ電圧との間で交互に繰り返し、
前記各スイッチ手段に前記オン電圧が印加された状態で放射線の照射の開始を検出すると、前記各スイッチ手段に前記オフ電圧を印加し、
ダーク読取処理の際には、前記放射線画像撮影の際に最後に前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加してから再度前記オフ電圧を印加するまでの時間間隔と同じ時間間隔だけ前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えた後、ダーク読取処理を行うことを特徴とする。
Moreover, the radiographic imaging device of the present invention is
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; ,
When an off voltage is applied via the connected scanning line, the charge generated in the radiation detection element is retained for each radiation detection element, and when the on voltage is applied, the radiation detection element Switch means for releasing the charge;
Scanning drive means for switching between the on-voltage and the off-voltage applied to the scanning line;
Current detection means for detecting a current flowing in the apparatus by irradiation of radiation;
Control means for detecting at least the start of radiation irradiation based on the value of the current detected by the current detection means;
With
The control means includes
Before radiation is emitted in radiographic imaging, the voltage applied from the scanning drive means to the switch means via the scan lines is alternately repeated between the on voltage and the off voltage,
When the start of radiation irradiation is detected in a state where the on-voltage is applied to each switch means, the off-voltage is applied to each switch means,
In the dark reading process, the switch means is applied for the same time interval as the time interval from the last application of the on-voltage to the switch means during the radiographic image capture to the application of the off-voltage again. A dark reading process is performed after applying the ON voltage to the switching means and switching the voltage applied to each switch means to the OFF voltage.

また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線に印加する前記オン電圧と前記オフ電圧とを切り替える走査駆動手段と、
放射線の照射により装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された電流の値に基づいて少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
放射線が照射される際に放射線が照射させる旨の情報を入力する入力手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影で放射線が照射される前に、前記走査駆動手段から前記各走査線を介して前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記入力手段から前記情報が入力されると、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えて前記各放射線検出素子内に暗電荷を蓄積させた後、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オン電圧に切り替え
放射線の照射の開始を検出すると、前記各スイッチ手段に再度前記オフ電圧を印加し、
ダーク読取処理の際には、前記放射線画像撮影の際に前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加してから再度前記オフ電圧を印加するまでの時間間隔と同じ時間間隔だけ前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えた後、ダーク読取処理を行うことを特徴とする。
Moreover, the radiographic imaging device of the present invention is
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; ,
When an off voltage is applied via the connected scanning line, the charge generated in the radiation detection element is retained for each radiation detection element, and when the on voltage is applied, the radiation detection element Switch means for releasing the charge;
Scanning drive means for switching between the on-voltage and the off-voltage applied to the scanning line;
Current detection means for detecting a current flowing in the apparatus by irradiation of radiation;
Control means for detecting at least the start of radiation irradiation based on the value of the current detected by the current detection means;
An input means for inputting information to irradiate radiation when irradiated with radiation;
With
The control means includes
When the on-voltage is applied to the switch means via the scanning lines from the scanning drive means before radiation is emitted in radiographic imaging, and the information is input from the input means, When the voltage applied to the switch means is switched to the off voltage and dark charges are accumulated in the radiation detecting elements, the voltage applied to the switch means is switched to the on voltage and the start of radiation irradiation is detected. , Applying the off-voltage again to each switch means,
In the dark reading process, the radio frequency image is captured by the switch means at the same time interval from when the on voltage is applied to the switch means until the off voltage is applied again. A dark reading process is performed after an on voltage is applied and the voltage applied to each of the switch means is switched to the off voltage.

本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、放射線画像撮影前の各放射線検出素子のリセット処理において、各スイッチ手段にオン電圧が印加された状態で、一旦各スイッチ手段に印加する電圧をオフ電圧に切り替えて各放射線検出素子を電荷蓄積状態とした後、再度オン電圧を印加して放射線の照射の開始を待つように構成した。   According to the radiographic imaging apparatus of the system as in the present invention, in the reset process of each radiation detection element before radiographic imaging, the voltage applied to each switch means is temporarily applied while the on-voltage is applied to each switch means. Is switched to an off voltage to bring each radiation detection element into a charge accumulation state, and then an on voltage is applied again to wait for the start of radiation irradiation.

そのため、放射線画像撮影前のリセット処理で各スイッチ手段に定期的にオン電圧を印加したり、入力手段からの信号に基づいて一旦各スイッチ手段に印加する電圧をオフ電圧に切り替えて各放射線検出素子を電荷蓄積状態とすることで、各スイッチ手段に最後にオン電圧を印加してから放射線の照射開始を検出して再度オフ電圧を印加するまでの時間間隔を短くすることが可能となる。   Therefore, each radiation detection element is configured to periodically apply an on-voltage to each switch means in a reset process before radiographic imaging, or switch the voltage applied to each switch means to an off-voltage based on a signal from the input means. In the charge accumulation state, it is possible to shorten the time interval from the last application of the on-voltage to each switch means until the start of radiation irradiation is detected and the off-voltage is applied again.

そして、ダーク読取処理前の各放射線検出素子のリセット処理では、放射線画像撮影前のリセット処理で各スイッチ手段をオン状態とした時間間隔と同じ時間間隔だけ各スイッチ手段にオン電圧を印加してリセット処理を行うように構成したため、ダーク読取処理前のリセット処理を含むダーク読取処理にかかる時間が長くなることを的確に防止することが可能となり、ダーク読取処理を現実的な時間内で行うことが可能となる。本発明では、このようにして上記の問題点1を解決することが可能となる。   In the reset process of each radiation detection element before the dark reading process, the on-voltage is applied to each switch unit for the same time interval as the time interval at which each switch unit was turned on in the reset process before the radiographic image capturing and reset. Since the processing is configured to be performed, it is possible to accurately prevent the time required for the dark reading process including the reset process before the dark reading process from being increased, and the dark reading process can be performed within a realistic time. It becomes possible. In the present invention, it is possible to solve the above-mentioned problem 1.

また、放射線画像撮影前のリセット処理で一旦各スイッチ手段に印加する電圧をオフ電圧に切り替えて各放射線検出素子を電荷蓄積状態とするため、前述した問題点2で述べたように、長時間連続して各スイッチ手段をオン状態として各放射線検出素子内の暗電荷が十分に除去される場合とは異なり、放射線の照射開始時点で各放射線検出素子に残存する暗電荷等の残存電荷の量と、ダーク読取処理前のリセット処理の終了時点で各放射線検出素子に残存する残存電荷の量とを同程度とすることが可能となる。   In addition, since the voltage applied to each switch means is temporarily switched to the off voltage in the reset process before radiographic image capturing and each radiation detection element is set in the charge accumulation state, as described in Problem 2 described above, Unlike the case where the dark charge in each radiation detection element is sufficiently removed by turning each switch means on, the amount of residual charge such as dark charge remaining on each radiation detection element at the start of radiation irradiation and Thus, it is possible to make the amount of residual charge remaining in each radiation detection element at the same level at the end of the reset process before the dark reading process.

そのため、ダーク読取処理で得られたダーク読取値に基づいてオフセット分を算出すれば、算出したそのオフセット分は、放射線画像撮影時に各放射線検出素子に蓄積された暗電荷によるオフセット分とほぼ同じ値になるため、ダーク読取処理により得られたオフセット分を画像データから差し引くことで的確に真の画像データを得ることが可能となり、オフセット補正の精度を維持、向上させることが可能となる。本発明では、このようにして上記の問題点2を解決することが可能となる。   Therefore, if the offset is calculated based on the dark reading value obtained in the dark reading process, the calculated offset is almost the same value as the offset due to the dark charge accumulated in each radiation detection element at the time of radiographic image capturing. Therefore, true image data can be obtained accurately by subtracting the offset obtained by the dark reading process from the image data, and the accuracy of offset correction can be maintained and improved. In the present invention, it is possible to solve the above-mentioned problem 2.

第1の実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the radiographic imaging apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図1におけるA−A線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the board | substrate of a radiographic imaging apparatus. 図3の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とTFT等の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of the radiation detection element, TFT, etc. which were formed in the small area | region on the board | substrate of FIG. 図4におけるX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line in FIG. COFやPCB基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。It is a side view explaining the board | substrate with which COF, a PCB board | substrate, etc. were attached. 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。It is a block diagram showing the equivalent circuit of a radiographic imaging apparatus. 検出部を構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。It is a block diagram showing the equivalent circuit about 1 pixel which comprises a detection part. 電流検出手段の構成を表す等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram showing the structure of a current detection means. 相関二重サンプリング回路における電圧値の変化等を表すグラフである。It is a graph showing the change of the voltage value etc. in a correlated double sampling circuit. 第1の実施形態の放射線画像撮影前のリセット処理におけるタイミングチャートを表す図である。It is a figure showing the timing chart in the reset process before radiographic imaging of 1st Embodiment. 電流検出手段で検出される電流に相当する電圧値の例を表すグラフであり、(A)は放射線の照射が開始されTFTがオフ状態とされた状態、(B)は放射線の照射が終了された状態を表す。It is a graph showing the example of the voltage value corresponded to the electric current detected by an electric current detection means, (A) is the state where irradiation of radiation was started and TFT was turned off, (B) is the irradiation end of radiation. Represents the state. 放射線画像撮影前のリセット処理、読み出し処理、ダーク読取処理前のリセット処理およびダーク読取処理におけるタイミングチャートを表す図である。It is a figure showing the timing chart in the reset process before a radiographic image photography, a read-out process, the reset process before a dark reading process, and a dark reading process. 第2の実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the radiographic imaging apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態の放射線画像撮影前のリセット処理におけるタイミングチャートを表す図である。It is a figure showing the timing chart in the reset process before radiographic imaging of 2nd Embodiment. 従来の放射線画像撮影装置での放射線画像撮影前のリセット処理、読み出し処理、ダーク読取処理前のリセット処理およびダーク読取処理におけるタイミングチャートを表す図である。It is a figure showing the timing chart in the reset process before a radiographic image imaging | photography with the conventional radiographic imaging apparatus, a reading process, the reset process before a dark reading process, and a dark reading process.

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of a radiographic image capturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。   In the following description, the radiographic imaging device is a so-called indirect radiographic imaging device that includes a scintillator or the like and converts the irradiated radiation into electromagnetic waves of other wavelengths such as visible light to obtain an electrical signal. As will be described, the present invention can also be applied to a direct radiographic imaging apparatus. Although the case where the radiographic image capturing apparatus is portable will be described, the present invention is also applicable to a radiographic image capturing apparatus formed integrally with a support base or the like.

[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のA−A線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内にシンチレータ3や基板4等が収納された可搬型(カセッテ型)の装置として構成されている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is an external perspective view of a radiographic imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment is configured as a portable (cassette type) apparatus in which a scintillator 3, a substrate 4, and the like are housed in a housing 2. .

筐体2は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面R(以下、放射線入射面Rという。)が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板2Aとバック板2Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。   The housing 2 is formed of a material such as a carbon plate or plastic that transmits radiation at least on a surface R (hereinafter referred to as a radiation incident surface R) that receives radiation. 1 and 2 show a case in which the housing 2 is a so-called lunch box type formed by the frame plate 2A and the back plate 2B. However, the housing 2 is integrally formed in a rectangular tube shape. It is also possible to use a so-called monocoque type.

また、図1に示すように、筐体2の側面部分には、電源スイッチ36や、LED等で構成されたインジケータ37、図示しないバッテリ41(後述する図7参照)の交換等のために開閉可能とされた蓋部材38等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材38の側面部には、図示しない外部装置と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置39が埋め込まれている。   As shown in FIG. 1, the side surface of the housing 2 is opened and closed for replacement of a power switch 36, an indicator 37 composed of LEDs and the like, and a battery 41 (not shown) (see FIG. 7 described later). A possible lid member 38 and the like are arranged. In the present embodiment, an antenna device 39 that is a communication means for wirelessly communicating with an external device (not shown) is embedded in the side surface of the lid member 38.

また、図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置され、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。   As shown in FIG. 2, a base 31 is disposed inside the housing 2 via a thin lead plate or the like (not shown) on the lower side of the substrate 4. The disposed PCB substrate 33, the buffer member 34, and the like are attached. In the present embodiment, a glass substrate 35 for protecting the substrate 4 and the radiation incident surface R of the scintillator 3 is disposed.

シンチレータ3は、基板4の後述する検出部Pに貼り合わされるようになっている。シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300〜800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。   The scintillator 3 is attached to a detection unit P, which will be described later, of the substrate 4. As the scintillator 3, for example, a scintillator 3 that has a phosphor as a main component and converts it into an electromagnetic wave having a wavelength of 300 to 800 nm, that is, an electromagnetic wave centered on visible light when it receives incident radiation, is used.

基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、それぞれ放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。   In the present embodiment, the substrate 4 is formed of a glass substrate. As shown in FIG. 3, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of signal lines are provided on a surface 4 a of the substrate 4 facing the scintillator 3. 6 are arranged so as to cross each other. In each small region r defined by the plurality of scanning lines 5 and the plurality of signal lines 6 on the surface 4 a of the substrate 4, radiation detection elements 7 are respectively provided.

このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。   Thus, the entire region r in which a plurality of radiation detection elements 7 arranged in a two-dimensional manner are provided in each small region r partitioned by the scanning line 5 and the signal line 6, that is, shown by a one-dot chain line in FIG. The region is a detection unit P.

本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図3や図4の拡大図に示すように、スイッチ手段であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。   In the present embodiment, a photodiode is used as the radiation detection element 7, but other than this, for example, a phototransistor or the like can also be used. Each radiation detection element 7 is connected to the source electrode 8s of the TFT 8 serving as a switch means, as shown in the enlarged views of FIGS. The drain electrode 8 d of the TFT 8 is connected to the signal line 6.

そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15により、接続された走査線5にオン電圧Vonが印加され、ゲート電極8gにオン電圧Vonが印加されるとオン状態となり、放射線検出素子7内で発生し蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は、接続された走査線5にオフ電圧Voffが印加され、ゲート電極8gにオフ電圧Voffが印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、放射線検出素子7内で発生した電荷を放射線検出素子7内に保持して蓄積させるようになっている。   The TFT 8 is turned on when a turn-on voltage Von is applied to the connected scanning line 5 by the scan driving means 15 described later, and is applied to the gate electrode 8g, and is generated in the radiation detection element 7. Then, the accumulated electric charge is discharged to the signal line 6. The TFT 8 is turned off when the off voltage Voff is applied to the connected scanning line 5 and the off voltage Voff is applied to the gate electrode 8g, and the emission of the charge from the radiation detection element 7 to the signal line 6 is stopped. Thus, the charges generated in the radiation detection element 7 are held and accumulated in the radiation detection element 7.

ここで、本実施形態における放射線検出素子7やTFT8の構造について、図5に示す断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるX−X線に沿う断面図である。   Here, the structure of the radiation detection element 7 and the TFT 8 in this embodiment will be briefly described with reference to the cross-sectional view shown in FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line XX in FIG.

基板4の面4a上に、AlやCr等からなるTFT8のゲート電極8gが走査線5と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極8g上および面4a上に積層された窒化シリコン(SiN)等からなるゲート絶縁層81上のゲート電極8gの上方部分に、水素化アモルファスシリコン(a−Si)等からなる半導体層82を介して、放射線検出素子7の第1電極74と接続されたソース電極8sと、信号線6と一体的に形成されるドレイン電極8dとが積層されて形成されている。 A gate electrode 8g of a TFT 8 made of Al, Cr or the like is formed on the surface 4a of the substrate 4 so as to be integrally laminated with the scanning line 5, and silicon nitride (laminated on the gate electrode 8g and the surface 4a). The first electrode 74 of the radiation detecting element 7 is connected to the upper portion of the gate electrode 8g on the gate insulating layer 81 made of SiN x ) or the like via the semiconductor layer 82 made of hydrogenated amorphous silicon (a-Si) or the like. The formed source electrode 8s and the drain electrode 8d formed integrally with the signal line 6 are laminated.

ソース電極8sとドレイン電極8dとは、窒化シリコン(SiN)等からなる第1パッシベーション層83によって分割されており、さらに第1パッシベーション層83は両電極8s、8dを上側から被覆している。また、半導体層82とソース電極8sやドレイン電極8dとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたオーミックコンタクト層84a、84bがそれぞれ積層されている。以上のようにしてTFT8が形成されている。 The source electrode 8s and the drain electrode 8d are divided by a first passivation layer 83 made of silicon nitride (SiN x ) or the like, and the first passivation layer 83 covers both electrodes 8s and 8d from above. In addition, ohmic contact layers 84a and 84b formed in an n-type by doping hydrogenated amorphous silicon with a group VI element are stacked between the semiconductor layer 82 and the source electrode 8s and the drain electrode 8d, respectively. The TFT 8 is formed as described above.

また、放射線検出素子7の部分では、基板4の面4a上に前記ゲート絶縁層81と一体的に形成される絶縁層71の上にAlやCr等が積層されて補助電極72が形成されており、補助電極72上に前記第1パッシベーション層83と一体的に形成される絶縁層73を挟んでAlやCr、Mo等からなる第1電極74が積層されている。第1電極74は、第1パッシベーション層83に形成されたホールHを介してTFT8のソース電極8sに接続されている。   In the radiation detecting element 7, an auxiliary electrode 72 is formed by laminating Al, Cr, or the like on the insulating layer 71 formed integrally with the gate insulating layer 81 on the surface 4 a of the substrate 4. A first electrode 74 made of Al, Cr, Mo or the like is laminated on the auxiliary electrode 72 with an insulating layer 73 formed integrally with the first passivation layer 83 interposed therebetween. The first electrode 74 is connected to the source electrode 8 s of the TFT 8 through the hole H formed in the first passivation layer 83.

第1電極74の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたn層75、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるi層76、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたp層77が下方から順に積層されて形成されている。   On the first electrode 74, an n layer 75 formed in an n-type by doping a hydrogenated amorphous silicon with a group VI element, an i layer 76 which is a conversion layer formed of hydrogenated amorphous silicon, and a hydrogenated amorphous A p layer 77 formed by doping a group III element into silicon and forming a p-type layer is formed by laminating sequentially from below.

放射線画像撮影装置1の筐体2の放射線入射面Rから放射線が入射し、シンチレータ3で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子7のi層76に到達して、i層76内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子7は、このようにして、シンチレータ3から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。   When radiation enters from the radiation incident surface R of the housing 2 of the radiographic imaging apparatus 1 and is converted into an electromagnetic wave such as visible light by the scintillator 3, and the converted electromagnetic wave is irradiated from above in the figure, the electromagnetic wave is detected by radiation. The electron hole pair is generated in the i layer 76 by reaching the i layer 76 of the element 7. In this way, the radiation detection element 7 converts the electromagnetic waves irradiated from the scintillator 3 into electric charges.

また、p層77の上には、ITO等の透明電極とされた第2電極78が積層されて形成されており、照射された電磁波がi層76等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子7が形成されている。なお、p層77、i層76、n層75の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子7として、上記のようにp層77、i層76、n層75の順に積層されて形成されたいわゆるpin型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。   On the p layer 77, a second electrode 78 made of a transparent electrode such as ITO is laminated and formed so that the irradiated electromagnetic wave reaches the i layer 76 and the like. In the present embodiment, the radiation detection element 7 is formed as described above. The order of stacking the p layer 77, the i layer 76, and the n layer 75 may be reversed. Further, in the present embodiment, a case where a so-called pin-type radiation detection element formed by sequentially stacking the p layer 77, the i layer 76, and the n layer 75 as described above is used as the radiation detection element 7. However, it is not limited to this.

放射線検出素子7の第2電極78の上面には、第2電極78を介して放射線検出素子7にバイアス電圧を印加するバイアス線9が接続されている。なお、放射線検出素子7の第2電極78やバイアス線9、TFT8側に延出された第1電極74、TFT8の第1パッシベーション層83等、すなわち放射線検出素子7とTFT8の上面部分は、その上方側から窒化シリコン(SiN)等からなる第2パッシベーション層79で被覆されている。 A bias line 9 for applying a bias voltage to the radiation detection element 7 is connected to the upper surface of the second electrode 78 of the radiation detection element 7 via the second electrode 78. The second electrode 78 and the bias line 9 of the radiation detection element 7, the first electrode 74 extended to the TFT 8 side, the first passivation layer 83 of the TFT 8, that is, the upper surfaces of the radiation detection element 7 and the TFT 8 are A second passivation layer 79 made of silicon nitride (SiN x ) or the like is covered from above.

図3や図4に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に結束されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, in this embodiment, one bias line 9 is connected to a plurality of radiation detection elements 7 arranged in rows, and each bias line 9 is connected to a signal line 6. Are arranged in parallel with each other. Further, each bias line 9 is bound to the connection 10 at a position outside the detection portion P of the substrate 4.

本実施形態では、図3に示すように、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子(パッドともいう)11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bを構成するゲートIC12a等のチップが組み込まれたCOF(Chip On Film)12が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。   In this embodiment, as shown in FIG. 3, each scanning line 5, each signal line 6, and connection 10 of the bias line 9 are input / output terminals (also referred to as pads) provided near the edge of the substrate 4. 11 is connected. As shown in FIG. 6, a COF (Chip On Film) 12 in which a chip such as a gate IC 12a constituting a gate driver 15b of the scanning drive means 15 described later is incorporated in each input / output terminal 11 is anisotropically conductively bonded. They are connected via an anisotropic conductive adhesive material 13 such as a film (Anisotropic Conductive Film) or an anisotropic conductive paste (Anisotropic Conductive Paste).

また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。なお、図6では、電子部品32等の図示が省略されている。   The COF 12 is routed to the back surface 4b side of the substrate 4 and connected to the PCB substrate 33 described above on the back surface 4b side. Thus, the board | substrate 4 part of the radiographic imaging apparatus 1 is formed. In FIG. 6, illustration of the electronic component 32 and the like is omitted.

ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図であり、図8は検出部Pを構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。   Here, the circuit configuration of the radiation image capturing apparatus 1 will be described. FIG. 7 is a block diagram showing an equivalent circuit of the radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment, and FIG. 8 is a block diagram showing an equivalent circuit for one pixel constituting the detection unit P.

前述したように、基板4の検出部Pの各放射線検出素子7は、その第2電極78にそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極78にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源14は、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22は、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を制御するようになっている。   As described above, each radiation detection element 7 of the detection unit P of the substrate 4 has the bias line 9 connected to the second electrode 78, and each bias line 9 is bound to the connection 10 to the bias power supply 14. It is connected. The bias power supply 14 applies a bias voltage to the second electrode 78 of each radiation detection element 7 via the connection 10 and each bias line 9. The bias power source 14 is connected to a control unit 22 described later, and the control unit 22 controls a bias voltage applied to each radiation detection element 7 from the bias power source 14.

本実施形態では、バイアス線9の結線10に、結線10(バイアス線9)を流れる電流の電流量を検出する電流検出手段43が設けられており、結線10を流れる電流の増減を検出して放射線の照射の開始や終了を検出できるようになっている。   In the present embodiment, the current detection means 43 for detecting the amount of current flowing through the connection 10 (bias line 9) is provided in the connection 10 of the bias line 9, and the increase / decrease in the current flowing through the connection 10 is detected. The start and end of radiation irradiation can be detected.

なお、図7や図8および前述した図3等では、各バイアス線9が1本の結線10に結束される場合が示されており、その場合は、電流検出手段43は1本の結線10に1つだけ設けるように構成することが可能であるが、各バイアス線9が複数の結線10に結束されるように構成される場合もある。その場合には、電流検出手段43を各結線10に設けるように構成することも可能であり、また、複数の結線10のうちの何本かに電流検出手段43を設けるように構成することも可能である。   7 and FIG. 8 and FIG. 3 described above show the case where each bias line 9 is bound to one connection 10. In this case, the current detection means 43 is connected to one connection 10. However, there are cases where each bias line 9 is configured to be bound to a plurality of connections 10. In that case, the current detection means 43 can be provided in each connection 10, or the current detection means 43 can be provided in some of the plurality of connections 10. Is possible.

また、本実施形態および後述する第2の実施形態では、電流検出手段43がバイアス線9や結線10に設けられ、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射によりバイアス線9や結線10を流れる電流を検出するように構成されている場合について説明するが、電流検出手段43は、放射線の照射により装置内を流れる電流を検出することができるものであればよく、バイアス線9やその結線10に設けられる場合に限定されない。   In the present embodiment and the second embodiment to be described later, the current detection means 43 is provided in the bias line 9 and the connection 10, and the current flowing through the bias line 9 and the connection 10 due to radiation irradiation to the radiographic imaging apparatus 1 is detected. Although the case where it is comprised so that it may detect is demonstrated, the electric current detection means 43 should just be what can detect the electric current which flows through an apparatus by irradiation of a radiation, and is provided in the bias line 9 and its connection 10 It is not limited to the case.

ここで、電流検出手段43の構成について説明する。本実施形態では、電流検出手段43は、バイアス線9の結線10とバイアス電源14との接続部分に設けられ、放射線の照射の開始に伴ってバイアス電源14と放射線検出素子7との間を流れる電流を検出するようになっている。   Here, the configuration of the current detection means 43 will be described. In the present embodiment, the current detection means 43 is provided at a connection portion between the connection 10 of the bias line 9 and the bias power supply 14 and flows between the bias power supply 14 and the radiation detection element 7 with the start of radiation irradiation. The current is detected.

具体的には、図9に示すように、電流検出手段43は、バイアス電源14と各放射線検出素子7とを結ぶバイアス配線9の結線10に直列に接続される所定の抵抗値を有する抵抗器43aと、それに並列に接続されたダイオード43bと、抵抗器43aの両端子間の電圧Vを測定して制御手段22に出力する差動アンプ43cとを備えて構成されている。   Specifically, as shown in FIG. 9, the current detection unit 43 is a resistor having a predetermined resistance value connected in series to the connection 10 of the bias wiring 9 that connects the bias power supply 14 and each radiation detection element 7. 43 a, a diode 43 b connected in parallel thereto, and a differential amplifier 43 c that measures the voltage V between both terminals of the resistor 43 a and outputs the voltage V to the control means 22.

このように、本実施形態では、電流検出手段43は、差動アンプ43cで抵抗器43aの両端子間の電圧Vを測定し、抵抗器43aを流れる電流、すなわちバイアス線9の結線10を流れる電流を電圧値Vに変換して検出して、制御手段22に出力するようになっている。   Thus, in this embodiment, the current detection means 43 measures the voltage V between both terminals of the resistor 43a by the differential amplifier 43c, and flows the current flowing through the resistor 43a, that is, the connection 10 of the bias line 9. The current is converted into a voltage value V, detected, and output to the control means 22.

なお、電流検出手段43に備えられる抵抗器43aとしては、結線10中を流れる電流を適切な電圧値Vに変換可能な抵抗値を有する抵抗器が用いられる。また、抵抗器43aに並列にダイオード42dを接続することで低線量の場合の検出精度が向上される。抵抗器43a或いはダイオード43bのみを配線に直列に接続して、その両端子間の電圧Vを差動アンプ43cで測定するように構成することも可能である。   As the resistor 43a provided in the current detection means 43, a resistor having a resistance value capable of converting the current flowing through the connection 10 into an appropriate voltage value V is used. Moreover, the detection accuracy in the case of a low dose is improved by connecting the diode 42d in parallel with the resistor 43a. It is also possible to connect only the resistor 43a or the diode 43b in series to the wiring and measure the voltage V between both terminals with the differential amplifier 43c.

また、放射線の照射の開始や終了を検出する場合以外の場合には、電流検出手段43でバイアス電源14と各放射線検出素子7の間を流れる電流を検出する必要はなく、電流検出手段43の抵抗器43aはバイアス電源14から各放射線検出素子7へのバイアス電圧の印加の妨げになるため、電流検出手段43には、電流の検出が不要の場合に抵抗器43aの両端子間を必要に応じて短絡するためのスイッチ43dが設けられている。   Further, in cases other than the case where the start or end of radiation irradiation is detected, it is not necessary for the current detection means 43 to detect the current flowing between the bias power supply 14 and each radiation detection element 7. Since the resistor 43a obstructs the application of a bias voltage from the bias power supply 14 to each radiation detection element 7, the current detection means 43 requires a gap between both terminals of the resistor 43a when current detection is not required. Accordingly, a switch 43d for short-circuiting is provided.

差動アンプ43cには電源供給手段44から電力が供給されるようになっており、電流検出手段43で電流を検出する際には、電源供給手段44から差動アンプ43cに電力を供給し、スイッチ43dの短絡を解除して電流検出手段43を稼働状態とし、電流を検出しない場合には、スイッチ43dで抵抗器43aの両端子間を短絡するとともに、電源供給手段44から差動アンプ43cへの電力の供給を停止して電流検出手段43の稼働を停止するようになっている。   The differential amplifier 43c is supplied with power from the power supply means 44. When the current detection means 43 detects current, the power is supplied from the power supply means 44 to the differential amplifier 43c. When the short circuit of the switch 43d is released and the current detection means 43 is put into operation and no current is detected, both terminals of the resistor 43a are short-circuited by the switch 43d and the power supply means 44 to the differential amplifier 43c. The power supply is stopped and the operation of the current detection means 43 is stopped.

図7や図8に示すように、本実施形態では、放射線検出素子7のp層77側(図5参照)に第2電極78を介してバイアス線9が接続されていることからも分かるように、バイアス電源14からは、放射線検出素子7の第2電極78にバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の第1電極74側にかかる電圧以下の電圧(すなわちいわゆる逆バイアス電圧)が印加されるようになっている。   As shown in FIGS. 7 and 8, in this embodiment, it can be seen that the bias line 9 is connected via the second electrode 78 to the p-layer 77 side (see FIG. 5) of the radiation detection element 7. In addition, the bias power supply 14 supplies a voltage equal to or lower than a voltage applied to the second electrode 78 of the radiation detection element 7 via the bias line 9 as a bias voltage on the first electrode 74 side of the radiation detection element 7 (that is, a so-called reverse bias voltage). Is applied.

各放射線検出素子7の第1電極74はTFT8のソース電極8s(図7、図8中ではSと表記されている。)に接続されており、各TFT8のゲート電極8g(図7、図8中ではGと表記されている。)は、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる走査線5の各ラインL1〜Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d(図7、図8中ではDと表記されている。)は各信号線6にそれぞれ接続されている。   The first electrode 74 of each radiation detection element 7 is connected to the source electrode 8s of the TFT 8 (indicated as S in FIGS. 7 and 8), and the gate electrode 8g of each TFT 8 (FIGS. 7 and 8). Are respectively connected to the lines L1 to Lx of the scanning line 5 extending from the gate driver 15b of the scanning driving means 15 to be described later. Further, the drain electrode 8 d (denoted as D in FIGS. 7 and 8) of each TFT 8 is connected to each signal line 6.

走査駆動手段15は、本実施形態では、電源回路15aとゲートドライバ15bとを備えており、本実施形態では、ゲートドライバ15bは、前述したゲートIC12aが複数並設されて形成されている。また、走査駆動手段15は、ゲートドライバ15bに接続されている走査線5の各ラインL1〜Lxを介してTFT8のゲート電極8gに印加する電圧を制御して、電圧を前述したオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で切り替えるようになっている。   In this embodiment, the scanning drive unit 15 includes a power supply circuit 15a and a gate driver 15b. In this embodiment, the gate driver 15b is formed by arranging a plurality of the gate ICs 12a described above in parallel. Further, the scanning drive means 15 controls the voltage applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 via the lines L1 to Lx of the scanning line 5 connected to the gate driver 15b, and the voltage is set to the above-described on voltage Von. Switching between the off voltage Voff is made.

具体的には、走査駆動手段15の電源回路15aは、ゲートドライバ15bから各走査線5に印加するオン電圧Vonやオフ電圧Voffの各電圧値をそれぞれ所定の電圧値に設定して、ゲートドライバ15bに供給するようになっている。また、走査駆動手段15のゲートドライバ15bは、電源回路15aから供給されるオン電圧Vonとオフ電圧Voffを選択的に切り替えて各走査線5にオン電圧Vonかオフ電圧Voffを印加するようになっている。また、ゲートドライバ15bは、走査線5の各ラインL1〜Lxに印加するパルス波形のオン電圧Vonのパルス幅を変調させることができるようになっている。   Specifically, the power supply circuit 15a of the scanning drive unit 15 sets each voltage value of the on voltage Von and the off voltage Voff applied to each scanning line 5 from the gate driver 15b to a predetermined voltage value, and sets the gate driver 15b is supplied. Further, the gate driver 15b of the scanning driving unit 15 selectively switches between the on voltage Von and the off voltage Voff supplied from the power supply circuit 15a, and applies the on voltage Von or the off voltage Voff to each scanning line 5. ing. The gate driver 15b can modulate the pulse width of the on-voltage Von of the pulse waveform applied to each line L1 to Lx of the scanning line 5.

各信号線6は、読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、読み出しIC16には所定個数の読み出し回路17が設けられており、読み出しIC16が複数設けられることにより、信号線6の本数分の読み出し回路17が設けられるようになっている。   Each signal line 6 is connected to each readout circuit 17 formed in the readout IC 16. Note that a predetermined number of readout circuits 17 are provided in the readout IC 16, and by providing a plurality of readout ICs 16, readout circuits 17 corresponding to the number of signal lines 6 are provided.

読み出し回路17は、増幅回路18と、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)回路19と、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とで構成されている。なお、図7や図8や後述する図10中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。また、図8中では、アナログマルチプレクサ21は省略されている。   The readout circuit 17 includes an amplifier circuit 18, a correlated double sampling circuit 19, an analog multiplexer 21, and an A / D converter 20. 7 and FIG. 8 and FIG. 10 described later, the correlated double sampling circuit 19 is expressed as CDS. In FIG. 8, the analog multiplexer 21 is omitted.

本実施形態では、増幅回路18はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ18aと、オペアンプ18aにそれぞれ並列にコンデンサ18bおよび電荷リセット用スイッチ18cが接続されて構成されている。また、増幅回路18には、増幅回路18に電力を供給するための電源供給部18dが接続されている。   In the present embodiment, the amplifier circuit 18 is configured by a charge amplifier circuit, and is configured by connecting a capacitor 18b and a charge reset switch 18c in parallel to the operational amplifier 18a and the operational amplifier 18a. In addition, a power supply unit 18 d for supplying power to the amplifier circuit 18 is connected to the amplifier circuit 18.

また、増幅回路18のオペアンプ18aの入力側の反転入力端子には信号線6が接続されており、増幅回路18の入力側の非反転入力端子には基準電位Vが印加されるようになっている。なお、基準電位Vは適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば0[V]が印加されるようになっている。 Further, the signal line 6 is connected to the inverting input terminal on the input side of the operational amplifier 18 a of the amplifier circuit 18, and the reference potential V 0 is applied to the non-inverting input terminal on the input side of the amplifier circuit 18. ing. Note that the reference potential V 0 is set to an appropriate value, and in this embodiment, for example, 0 [V] is applied.

また、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cは、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22によりオン/オフが制御されるようになっている。電荷リセット用スイッチ18cがオフの状態で、放射線検出素子7のTFT8がオン状態とされると(すなわち、TFT8のゲート電極8gに走査線5を介してオン電圧Vonが印加されると)、当該放射線検出素子7から放出された電荷がコンデンサ18bに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるようになっている。   The charge reset switch 18c of the amplifier circuit 18 is connected to the control means 22 described later, and is controlled to be turned on / off by the control means 22. When the charge reset switch 18c is off and the TFT 8 of the radiation detection element 7 is turned on (that is, when the on voltage Von is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 via the scanning line 5), The electric charge discharged from the radiation detecting element 7 flows into the capacitor 18b and is accumulated, and a voltage value corresponding to the accumulated electric charge is output from the output side of the operational amplifier 18a.

増幅回路18は、このようにして、各放射線検出素子7から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換して増幅するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされると、増幅回路18の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ18bに蓄積された電荷が放電されて増幅回路18がリセットされるようになっている。なお、増幅回路18を、放射線検出素子7から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。   In this way, the amplifier circuit 18 outputs a voltage value in accordance with the amount of charge output from each radiation detection element 7 to perform charge voltage conversion and amplify. When the charge reset switch 18c is turned on, the input side and the output side of the amplifier circuit 18 are short-circuited, and the charge accumulated in the capacitor 18b is discharged to reset the amplifier circuit 18. ing. Note that the amplifier circuit 18 may be configured to output a current in accordance with the charge output from the radiation detection element 7.

増幅回路18の出力側には、相関二重サンプリング回路(CDS)19が接続されている。相関二重サンプリング回路19は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路19におけるサンプルホールド機能は、制御手段22から送信されるパルス信号によりそのオン/オフが制御されるようになっている。   A correlated double sampling circuit (CDS) 19 is connected to the output side of the amplifier circuit 18. In this embodiment, the correlated double sampling circuit 19 has a sample and hold function. The sample and hold function in the correlated double sampling circuit 19 is turned on / off by a pulse signal transmitted from the control means 22. To be controlled.

すなわち、制御手段22は、放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データの読み出し処理においては、まず、各読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cを制御してオフ状態にする。その際、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態にした瞬間に、いわゆるkTCノイズが発生し、増幅回路18のコンデンサ18bにkTCノイズに起因する電荷qが溜まる。   That is, in the reading process of image data from each radiation detection element 7 after radiographic imaging, the control means 22 first controls the charge reset switch 18c of the amplification circuit 18 of each readout circuit 17 to turn it off. To do. At that time, so-called kTC noise occurs at the moment when the charge reset switch 18c is turned off, and the charge q caused by the kTC noise accumulates in the capacitor 18b of the amplifier circuit 18.

前述したように、増幅回路18では、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値が増幅回路18のオペアンプ18aの出力端子から出力されるが、上記のようにkTCノイズに起因する電荷qがコンデンサ18bに溜まることにより、図10に示すように、オペアンプ18aの出力端子から出力される電圧値が、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態にした瞬間(図10では「18coff」と表示)に、前述した基準電位Vから、kTCノイズに起因する電荷qの分だけ瞬間的に変化し、電圧値Vinに変わる。 As described above, in the amplifier circuit 18, a voltage value corresponding to the amount of charge accumulated in the capacitor 18 b is output from the output terminal of the operational amplifier 18 a of the amplifier circuit 18, but as described above, the charge q caused by kTC noise. 10 is accumulated in the capacitor 18b, the voltage value output from the output terminal of the operational amplifier 18a at the moment when the charge reset switch 18c is turned off (indicated as “18coff” in FIG. 10), as shown in FIG. , the reference potential V 0 which as described above, instantaneously changes by the amount of charge q due to kTC noise varies with the voltage value Vin.

制御手段22は、この段階で(図10では「CDS保持」(左側)と表示)、相関二重サンプリング回路19に1回目のパルス信号Sp1を送信して、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vinを保持させる。   At this stage (indicated as “CDS hold” (left side) in FIG. 10), the control means 22 transmits the first pulse signal Sp1 to the correlated double sampling circuit 19 and is output from the amplifier circuit 18 at that time. The voltage value Vin being held is held.

続いて、制御手段22が、走査駆動回路15から1本の走査線5にオン電圧Vonを印加してその走査線5にゲート電極8gが接続されているTFT8をオン状態とすると(図10では「TFTon」と表示)、これらのTFT8が接続されている各放射線検出素子7から蓄積された電荷が各信号線6を介して増幅回路18のコンデンサ18bに流れ込んで蓄積され、図10に示すように、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じてオペアンプ18aの出力側から出力される電圧値が上昇していく。   Subsequently, when the control means 22 applies the ON voltage Von from the scanning drive circuit 15 to one scanning line 5 and turns on the TFT 8 having the gate electrode 8g connected to the scanning line 5 (in FIG. 10). The charge accumulated from each radiation detection element 7 connected to these TFTs 8 flows into the capacitor 18b of the amplifier circuit 18 via each signal line 6 and is accumulated, as shown in FIG. In addition, the voltage value output from the output side of the operational amplifier 18a increases in accordance with the amount of charge accumulated in the capacitor 18b.

そして、制御手段22は、所定時間が経過した後、走査駆動回路15から当該走査線5に印加しているオン電圧Vonをオフ電圧Voffに切り替えてその走査線5にゲート電極8gが接続されているTFT8をオフ状態とし(図10では「TFToff」と表示)、この段階で各相関二重サンプリング回路19に2回目のパルス信号Sp2を送信して、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vfiを保持させる(図10では「CDS保持」(右側)と表示)。   Then, after a predetermined time has elapsed, the control means 22 switches the on voltage Von applied to the scanning line 5 from the scanning drive circuit 15 to the off voltage Voff, and the gate electrode 8g is connected to the scanning line 5. The TFT 8 is turned off (displayed as “TFToff” in FIG. 10), and at this stage, the second pulse signal Sp2 is transmitted to each correlated double sampling circuit 19 and output from the amplifier circuit 18 at that time. The voltage value Vfi is held (displayed as “CDS hold” (right side) in FIG. 10).

各相関二重サンプリング回路19は、2回目のパルス信号Sp2で電圧値Vfiを保持すると、電圧値の差Vfi−Vinを算出し、算出した差Vfi−Vinを画像データとして下流側に出力するようになっている。   When each correlated double sampling circuit 19 holds the voltage value Vfi with the second pulse signal Sp2, the difference Vfi−Vin between the voltage values is calculated, and the calculated difference Vfi−Vin is output to the downstream side as image data. It has become.

相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7の画像データは、アナログマルチプレクサ21(図7参照)に送信され、アナログマルチプレクサ21から順次A/D変換器20に送信される。そして、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データに変換されて記憶手段40に出力されて順次保存されるようになっている。   The image data of each radiation detection element 7 output from the correlated double sampling circuit 19 is transmitted to the analog multiplexer 21 (see FIG. 7), and is sequentially transmitted from the analog multiplexer 21 to the A / D converter 20. Then, the A / D converter 20 sequentially converts the image data into digital values, which are output to the storage means 40 and sequentially stored.

制御手段22は、図示しないCPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、FPGA(Field Programmable Gate Array)等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。また、制御手段22には、DRAM(Dynamic RAM)等で構成される記憶手段40が接続されている。   The control means 22 includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output interface connected to the bus, an FPGA (Field Programmable Gate Array), or the like (not shown). It is configured. It may be configured by a dedicated control circuit. And the control means 22 controls operation | movement etc. of each member of the radiographic imaging apparatus 1. The control means 22 is connected to a storage means 40 composed of a DRAM (Dynamic RAM) or the like.

また、本実施形態では、制御手段22には、前述したアンテナ装置39が接続されており、さらに、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段40、バイアス電源14等の各部材に電力を供給するためのバッテリ41が接続されている。また、バッテリ41には、外部装置からバッテリ41に電力を供給してバッテリ41を充電する際の接続端子42が取り付けられている。   In the present embodiment, the above-described antenna device 39 is connected to the control unit 22, and each member such as the detection unit P, the scanning drive unit 15, the readout circuit 17, the storage unit 40, the bias power supply 14, and the like. A battery 41 for supplying electric power is connected. In addition, a connection terminal 42 for charging the battery 41 by supplying power from the external device to the battery 41 is attached to the battery 41.

前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり、読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフを制御したり、相関二重サンプリング回路19にパルス信号を送信して、そのサンプルホールド機能のオン/オフを制御する等の各種の処理を実行するようになっている。   As described above, the control means 22 controls the bias power supply 14 to set a bias voltage to be applied to each radiation detection element 7 from the bias power supply 14, or the charge reset switch 18 c of the amplification circuit 18 of the readout circuit 17. Various processes such as on / off control and transmission of a pulse signal to the correlated double sampling circuit 19 to control on / off of the sample hold function are executed.

また、制御手段22は、各放射線検出素子7のリセット処理時や放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データの読み出し時に、走査駆動手段15に対して、走査駆動手段15から各走査線5を介して各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧をオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で切り替えさせるためのパルス信号を送信するようになっている。   Further, the control means 22 performs scanning from the scanning driving means 15 to the scanning driving means 15 at the time of reset processing of each radiation detecting element 7 or reading of image data from each radiation detecting element 7 after radiographic imaging. A pulse signal for switching the voltage applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 between the on voltage Von and the off voltage Voff via the line 5 is transmitted.

以下、各放射線検出素子7のリセット処理や、電流検出手段43で検出された電流に相当する電圧値Vに基づく放射線の照射開始の検出、画像データの読み出し処理、ダーク読取処理前のリセット処理、ダーク読取処理等について説明する。   Hereinafter, reset processing of each radiation detection element 7, detection of radiation irradiation start based on the voltage value V corresponding to the current detected by the current detection means 43, read processing of image data, reset processing before dark reading processing, The dark reading process will be described.

制御手段22は、放射線画像撮影において放射線画像撮影装置1に対して放射線が照射される前に、各放射線検出素子7のリセット処理を行い、一旦各TFT8のゲート電極8gにオフ電圧Voffを一斉に印加し、各TFT8のゲートを閉じて各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる電荷蓄積動作を行わせる。そして、このように所定の電荷蓄積時間を確保した後、各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを一斉に印加して各TFT8のゲートを開いた状態で放射線の照射の開始を待つように構成されている。   The control means 22 performs a reset process of each radiation detection element 7 before the radiation image capturing apparatus 1 is irradiated with radiation in the radiation image capturing, and once applies the off voltage Voff to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 at once. When applied, the gate of each TFT 8 is closed, and a charge accumulation operation for accumulating dark charges in each radiation detection element 7 is performed. Then, after ensuring a predetermined charge accumulation time in this way, the ON voltage Von is applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 and the start of radiation irradiation is waited in a state where the gates of the TFTs 8 are opened. Has been.

本実施形態では、これを実現するために、制御手段22は、放射線画像撮影で放射線が照射される前の各放射線検出素子7のリセット処理の段階で、図11に示すように、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1〜Lxを介して各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧をオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で交互に繰り返し、各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返して行うようになっている。   In the present embodiment, in order to realize this, the control means 22 scans the drive means as shown in FIG. 11 at the stage of the reset process of each radiation detection element 7 before the radiation image is irradiated. The voltage applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 from the line 15 to the scanning lines 5 through the lines L1 to Lx is alternately repeated between the on-voltage Von and the off-voltage Voff, thereby resetting each radiation detection element 7. Is to be repeated.

具体的には、放射線画像撮影装置1の電源がオンされたり、或いは、アンテナ装置39を介して外部装置から信号を受信する等すると、制御手段22は、走査駆動手段15にパルス信号を送信する等して、各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧を所定の時間間隔でオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で切り替えるようになっている。   Specifically, when the radiographic imaging device 1 is turned on or receives a signal from an external device via the antenna device 39, the control unit 22 transmits a pulse signal to the scanning drive unit 15. Equally, the voltage applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 is switched between the on voltage Von and the off voltage Voff at a predetermined time interval.

なお、この各放射線検出素子7のリセット処理の間、制御手段22は、電流検出手段43の差動アンプ43cに電源供給手段44から電力を供給させ、スイッチ43dの短絡を解除して電流検出手段43を稼働状態にして、電流検出手段43でバイアス線9や結線10を流れる電流を検出できるように制御するようになっている。   During the reset process of each radiation detection element 7, the control unit 22 causes the differential amplifier 43c of the current detection unit 43 to supply power from the power supply unit 44 to release the short circuit of the switch 43d and thereby detect the current. 43 is in an operating state, and control is performed so that the current flowing through the bias line 9 and the connection 10 can be detected by the current detection means 43.

また、TFT8がオフ状態である場合よりも、TFT8がオン状態である場合すなわちTFT8のゲートが開いている場合の方が、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生する電子正孔対がバイアス線9や結線10に流れ出し易くなり、放射線の照射開始による電流の増加を検出し易くなる。   In addition, when the TFT 8 is in the on state, that is, when the gate of the TFT 8 is open, the electron-hole pair generated in each radiation detection element 7 due to radiation irradiation is more than that when the TFT 8 is in the off state. It becomes easy to flow out to the bias line 9 and the connection 10, and it becomes easy to detect an increase in current due to the start of radiation irradiation.

そのため、本実施形態では、放射線技師等の操作者に、各TFT8がオン状態である際に放射線の照射を開始させるように、すなわち、各TFT8がオフ状態である場合には放射線の照射を開始させないように、制御手段22は、各TFT8のゲート電極8gに印加されている電圧がオフ電圧Voffである場合にはインジケータ37(図1参照)を点灯させて、操作者にTFT8がオフ状態であることを報知させるようになっている。   For this reason, in this embodiment, an operator such as a radiologist starts radiation irradiation when each TFT 8 is in an on state, that is, starts radiation irradiation when each TFT 8 is in an off state. In order to prevent this, the control means 22 turns on the indicator 37 (see FIG. 1) when the voltage applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 is the off-voltage Voff, so that the TFT 8 is turned off to the operator. It is supposed to notify that there is.

すなわち、本実施形態では、インジケータ37が報知手段となっており、操作者は、インジケータ37が点灯している間は放射線画像撮影装置1に対して放射線を照射しない。なお、報知手段は、インジケータ37である必要はなく、例えば、アンテナ装置39を介して信号を送信して操作室のランプを点灯させるように構成することも可能であり、また、各TFT8のゲート電極8gに印加されている電圧がオフ電圧Voffであることを報知することができるものであれば、光の点灯で報知するもののほか、例えば音の鳴動等で報知するように構成することも可能である。   That is, in the present embodiment, the indicator 37 serves as a notification unit, and the operator does not irradiate the radiation image capturing apparatus 1 while the indicator 37 is lit. Note that the notification means does not need to be the indicator 37, and can be configured to transmit a signal via the antenna device 39 to light the lamp of the operation room, and the gate of each TFT 8 As long as it can notify that the voltage applied to the electrode 8g is the off voltage Voff, in addition to the notification by lighting the light, it can also be configured to notify by sounding, for example. It is.

本実施形態では、このようにして、定期的に各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧をオフ電圧Voffに切り替えて各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる電荷蓄積動作を行わせる所定の電荷蓄積時間(図11や後述する図13のΔTa参照)を確保するとともに、その後、各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧をオン電圧Vonに切り替えて、各TFT8のゲートを開いた状態で放射線の照射の開始を待つようになっている。   In the present embodiment, in this way, a charge accumulation operation for accumulating dark charges in each radiation detection element 7 by periodically switching the voltage applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 to the off voltage Voff in a regular manner is performed. While ensuring a predetermined charge accumulation time (see ΔTa in FIG. 11 and FIG. 13 described later), the voltage applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8g is switched to the on voltage Von and the gates of the TFTs 8 are opened. Waiting for the start of irradiation in the state.

そして、図11の時刻T1に示すように最後にTFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを一斉に印加した状態で、放射線画像撮影装置1に対して放射線の照射が開始されると(なお、この放射線の照射開始時刻をt1とする。)、図12(A)に示すように、時刻t1で電流検出手段43の差動アンプ43cから出力される電流に相当する電圧値Vが急激に増加する。   Then, as shown at time T1 in FIG. 11, when radiation irradiation is started on the radiographic imaging apparatus 1 with the on-voltage Von applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 at the same time (in addition, this As shown in FIG. 12A, the voltage value V corresponding to the current output from the differential amplifier 43c of the current detection means 43 rapidly increases as shown in FIG. 12A. .

そのため、本実施形態では、制御手段22は、電流検出手段43から出力される電圧値Vが増加し、例えば、予め設定された閾値を越えた場合や、電圧値Vの増加率が予め設定された閾値を越えた場合等に、放射線の照射が開始されたことを検出するようになっている。   Therefore, in the present embodiment, the control unit 22 increases the voltage value V output from the current detection unit 43. For example, when the voltage value V exceeds a preset threshold value, the increase rate of the voltage value V is set in advance. When the threshold value is exceeded, it is detected that radiation irradiation has started.

また、上記のようにTFT8をオン状態のままにしておくと、各放射線検出素子7内で発生した電荷が全て流出してしまい、各放射線検出素子7内に電荷(画像データ)が蓄積されなくなってしまうため、制御手段22は、電圧値Vが増加して放射線の照射が開始されたことを検出した時点(時刻T2)で、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧Voffを一斉に印加させ、各TFT8のゲート電極8gにオフ電圧Voffを一斉に印加して全てのTFT8をオフ状態とするようになっている。   Further, if the TFT 8 is left in the ON state as described above, all the charges generated in each radiation detection element 7 flow out, and no charges (image data) are accumulated in each radiation detection element 7. Therefore, the control means 22 is turned off from the scanning drive means 15 to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5 at a time point (time T2) when it is detected that the voltage value V is increased and radiation irradiation is started. The voltage Voff is applied all at once, and the off voltage Voff is applied all at once to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 so that all the TFTs 8 are turned off.

なお、図12(A)および後述する図12(B)では、グラフを見やすくするため、時刻t1と時刻T2との時間間隔を拡大して表されているが、実際には、図11に示した各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧をオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で切り替える場合の時間間隔に比べると、時刻t1、T2間の時間間隔は非常に短く、図11の時間間隔から見るとほぼ同時である。   In FIG. 12A and FIG. 12B, which will be described later, the time interval between time t1 and time T2 is enlarged to make it easier to see the graph. Compared to the time interval when the voltages applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 are switched between the on voltage Von and the off voltage Voff, the time interval between the times t1 and T2 is very short. Seen from the time interval, it is almost simultaneous.

各TFT8のゲート電極8gにオフ電圧Voffを一斉に印加して全てのTFT8をオフ状態とすると(時刻T2)、電流検出手段43から出力される電流に相当する電圧値Vが急激に減少する。   When the off voltage Voff is applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 so that all the TFTs 8 are turned off (time T2), the voltage value V corresponding to the current output from the current detection means 43 is rapidly reduced.

一方、各TFT8がオフ状態とされても、放射線の照射が続く限り、微弱ではあるがバイアス線9や結線10を電流が流れ、その電流を電流検出手段43で検出できる場合がある。   On the other hand, even if each TFT 8 is turned off, as long as radiation irradiation continues, a current flows through the bias line 9 and the connection line 10 although they are weak, and the current detection means 43 may detect the current.

なお、各TFT8がオフ状態でもバイアス線9に電流が流れる理由は、例えば図8でTFT8がオフ状態とされた場合、走査線5からTFT8と放射線検出素子7を介してバイアス電源14に至る閉じるループが形成され、その中にそれぞれ所定の寄生容量を有するTFT8と放射線検出素子7がコンデンサ状に配置されている状態と見なすことができる。そして、放射線の照射により放射線検出素子7のi層76(図5参照)で電子正孔対が発生して蓄積すると、放射線検出素子7内では、所定のバイアス電圧が印加された第2電極78に対する第1電極74の電位(この電位はTFT8のソース電極8s側の電位に等しい。)が下がる。そのため、放射線検出素子7の第1、第2電極74、78やTFT8のゲート電極8gやソース電極8sに蓄積される電荷量が変化するため、それを補うようにバイアス線9や放射線検出素子7−TFT8間の配線、走査線5に電流が流れるのである。   The reason why the current flows through the bias line 9 even when each TFT 8 is in the OFF state is that, for example, when the TFT 8 is in the OFF state in FIG. 8, it closes from the scanning line 5 to the bias power supply 14 via the TFT 8 and the radiation detection element 7. A loop is formed, and it can be considered that the TFT 8 and the radiation detection element 7 each having a predetermined parasitic capacitance are arranged in a capacitor shape. Then, when electron-hole pairs are generated and accumulated in the i layer 76 (see FIG. 5) of the radiation detection element 7 due to the irradiation of radiation, the second electrode 78 to which a predetermined bias voltage is applied in the radiation detection element 7. The potential of the first electrode 74 with respect to (this potential is equal to the potential on the source electrode 8s side of the TFT 8) is lowered. Therefore, the amount of charge accumulated in the first and second electrodes 74 and 78 of the radiation detection element 7 and the gate electrode 8g and the source electrode 8s of the TFT 8 changes, so that the bias line 9 and the radiation detection element 7 are compensated for this. A current flows through the wiring between the TFTs 8 and the scanning line 5.

このように、各TFT8がオフ状態とされた後もバイアス線8や結線10を流れる電流(或いはそれに相当する電圧値V)を検出できる場合、放射線の照射が終了すると、電流検出手段43から出力される電流に相当する電圧値Vは、図12(B)に示すように放射線の照射が終了した時点t2でさらに減少する。そこで、全TFT8がオフ状態とされた時点で減少した電圧値Vがさらに減少したことを検出して、制御手段22で放射線の照射の終了を検出するように構成することも可能である。   As described above, when the current flowing through the bias line 8 or the connection line 10 (or the voltage value V corresponding thereto) can be detected even after each TFT 8 is turned off, the output from the current detection means 43 is completed when radiation irradiation is completed. As shown in FIG. 12B, the voltage value V corresponding to the applied current further decreases at the time point t2 when the radiation irradiation is completed. Therefore, it is possible to detect that the voltage value V, which has been reduced when all the TFTs 8 are turned off, further decreases, and the control means 22 detects the end of radiation irradiation.

しかし、図9に示したように、バイアス線9や結線10を流れる電流を電流検出手段43の抵抗器43aに流し、その両端子間の電圧Vとして電流を検出する場合、バイアス電源14から供給される所定の電圧値のバイアス電圧が、抵抗器43aの両端子間の電圧Vだけ変動し、変動したバイアス電圧が各放射線検出素子7の第2電極78に印加されるようになる。また、電流検出手段43で発生するバイアス電圧に対するノイズが、放射線の照射により放射線検出素子7内で発生し蓄積される電荷量(画像データ)に影響する場合もある。   However, as shown in FIG. 9, when the current flowing through the bias line 9 and the connection line 10 is passed through the resistor 43a of the current detection means 43 and the current is detected as the voltage V between the two terminals, the current is supplied from the bias power supply 14. The bias voltage having a predetermined voltage value fluctuates by the voltage V between both terminals of the resistor 43 a, and the fluctuating bias voltage is applied to the second electrode 78 of each radiation detection element 7. In addition, noise with respect to the bias voltage generated by the current detection unit 43 may affect the amount of charge (image data) generated and accumulated in the radiation detection element 7 due to radiation irradiation.

このように、放射線の照射開始後も電流検出手段43を稼働状態としておくことの悪影響を排除するため、図12(A)に示したように、時刻T2で放射線の照射の開始を検出した後は、電流検出手段43の稼働を停止し、スイッチ43dを短絡させて、放射線検出素子7に印加するバイアス電圧に電流検出手段43の悪影響が及ばないように制御することも可能である。   Thus, after detecting the start of radiation irradiation at time T2, as shown in FIG. 12 (A), in order to eliminate the adverse effect of keeping the current detection means 43 in an operating state even after the start of radiation irradiation. The operation of the current detection unit 43 is stopped, the switch 43d is short-circuited, and the bias voltage applied to the radiation detection element 7 can be controlled so as not to adversely affect the current detection unit 43.

この場合、電流検出手段43から出力される電流に相当する電圧値Vに基づいて放射線の照射の終了を検出することができなくなるが、その場合には、放射線の照射の開始を検出した時刻T2から予め設定した所定時間が経過した時点で放射線の照射が終了したものとして、その後の処理を行うように構成することが可能である。   In this case, the end of radiation irradiation cannot be detected based on the voltage value V corresponding to the current output from the current detection means 43. In this case, the time T2 at which the start of radiation irradiation is detected. It is possible to configure so that the subsequent processing is performed assuming that the irradiation of the radiation has been completed when a predetermined time set in advance has elapsed.

なお、電流検出手段43から出力される電流値(或いはそれに相当する電圧値V)に基づいて放射線の照射が終了したこと(図12(B)の時点t2参照)を検出するように構成する場合には、制御手段22は、放射線の照射終了を検出した時点で電流検出手段43の稼働を停止し、スイッチ43dを短絡させる。   In the case where it is configured to detect the end of radiation irradiation (see time point t2 in FIG. 12B) based on the current value (or the corresponding voltage value V) output from the current detection means 43. In other words, the control means 22 stops the operation of the current detection means 43 when it detects the end of radiation irradiation, and short-circuits the switch 43d.

制御手段22は、放射線の照射が終了したことを検出すると(或いは、放射線の照射開始(時刻T2)から所定時間が経過して放射線の照射が終了したと判断すると)、続いて、各放射線検出素子7からの画像データの読み出し処理を行うようになっている。   When the control means 22 detects that the irradiation of radiation has ended (or determines that the irradiation of radiation has ended after a predetermined time has elapsed from the start of irradiation of radiation (time T2)), each radiation detection is subsequently performed. A process for reading image data from the element 7 is performed.

制御手段22は、図13のタイミングチャートに示すように、時刻T2で放射線の照射が開始されたことを検出し、図13中には図示を省略する時刻t2で放射線の照射が終了したことを検出すると、走査駆動手段15に対してパルス信号を送信し、信号読み出し用のオン電圧Vonを印加する走査線5のラインL1〜Lxを順次切り替えながら各TFT8のゲート電極8gに順次オン電圧Vonを印加して(図13の時刻T3〜T3参照)、前述したように各放射線検出素子7から電荷を読み出す。 As shown in the timing chart of FIG. 13, the control means 22 detects that radiation irradiation has started at time T2, and indicates that radiation irradiation has ended at time t2, not shown in FIG. Upon detection, a pulse signal is transmitted to the scanning drive means 15, and the ON voltage Von is sequentially applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 while sequentially switching the lines L1 to Lx of the scanning line 5 to which the ON voltage Von for signal reading is applied. When applied (see times T3 1 to T3 x in FIG. 13), the charge is read from each radiation detection element 7 as described above.

なお、図13では、タイミングチャートを見やすくするため、信号読み出し用のオン電圧Vonのパルス幅が長く表されているが、実際には、時刻T1−T2間のオン電圧Vonの印加時間に比べれば、信号読み出し用のオン電圧Vonのパルス幅は非常に短い。   In FIG. 13, the pulse width of the on-voltage Von for signal reading is shown to be long in order to make the timing chart easier to see, but actually, compared to the application time of the on-voltage Von between times T1 and T2. The pulse width of the ON voltage Von for signal readout is very short.

そして、各放射線検出素子7から読み出した電荷を増幅回路18で電荷電圧変換し、電圧値に変換された出力値から相関二重サンプリング回路19で画像データを切り出し、相関二重サンプリング回路19から出力された画像データをアナログマルチプレクサ21を介して順次A/D変換器20に送信する。そして、A/D変換器20で順次デジタル値に変換された画像データを記憶手段40に出力して順次保存するようになっている。   Then, the charge read from each radiation detection element 7 is subjected to charge-voltage conversion by the amplifier circuit 18, and image data is cut out from the output value converted into the voltage value by the correlated double sampling circuit 19 and output from the correlated double sampling circuit 19. The processed image data is sequentially transmitted to the A / D converter 20 via the analog multiplexer 21. Then, the image data sequentially converted into digital values by the A / D converter 20 is output to the storage means 40 and sequentially stored.

制御手段22は、続いて、ダーク読取処理前のリセット処理を行うようになっている。ダーク読取処理前のリセット処理の際、制御手段22は、図13に示すように、時刻T4に各TFT8のゲート電極8gに一斉にオン電圧Vonを印加した後、放射線画像撮影の際に時刻T1に各TFT8のゲート電極8gに最後にオン電圧Vonを印加してから時刻T2に再度オフ電圧Voffを印加するまでの時間間隔T2−T1と同じ時間間隔だけ各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを印加し続けた後、時刻T5(T5=T4+T2−T1)に各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオフ電圧Voffに切り替えるようになっている。   Subsequently, the control means 22 performs a reset process before the dark reading process. In the reset process before the dark reading process, as shown in FIG. 13, the control means 22 applies the ON voltage Von to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 at the same time at time T4, and then at the time T1 at the time of radiographic imaging. Further, the ON voltage Von is applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 for the same time interval as the time interval T2-T1 from when the ON voltage Von is last applied to the gate electrode 8g of each TFT8 to when the OFF voltage Voff is applied again at time T2. After the voltage is continuously applied, the voltage applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 is simultaneously switched to the off voltage Voff at time T5 (T5 = T4 + T2-T1).

そのため、制御手段22は、放射線画像撮影の際、最後に各TFT8のゲート電極8gに一斉にオン電圧Vonを印加した時刻T1から時間のカウントを開始し、時刻T2に各TFT8のゲート電極8gに一斉にオン電圧Vonを印加するまでの時間間隔T2−T1をRAM等のメモリに記憶しておくようになっている。   Therefore, at the time of radiographic imaging, the control means 22 starts counting time from the time T1 when the ON voltage Von is finally applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 at the same time, and applies the gate electrodes 8g of the TFTs 8 at time T2. The time interval T2-T1 until the ON voltage Von is applied all at once is stored in a memory such as a RAM.

制御手段22は、続いて、ダーク読取処理を行うようになっている。ダーク読取処理では、制御手段22は、ダーク読取処理前のリセット処理が終了した後、放射線を照射しない状態で放射線画像撮影装置1を放置して、各放射線検出素子7内で発生する暗電荷を各放射線検出素子7に蓄積させる。   Subsequently, the control means 22 performs a dark reading process. In the dark reading process, after the reset process before the dark reading process is completed, the control unit 22 leaves the radiographic image capturing apparatus 1 in a state where no radiation is irradiated, and generates dark charges generated in each radiation detection element 7. It accumulates in each radiation detection element 7.

放射線画像撮影装置1を放置する各走査線5ごとの時間間隔ΔTは、放射線画像撮影の際に各TFT8をオフ状態としていた時間間隔ΔT、すなわち図13で言えば走査線5の各ラインL1〜Lxごとの時刻T2から時刻T3までの時間間隔ΔT(=T3−T2)と同じ時間間隔になるように設定されている。 Time interval [Delta] T n for each scan line 5 to leave the radiation image capturing apparatus 1, the radiation image time interval [Delta] T n which has a respective TFT8 turned off during shooting, that is, each line of the scanning lines 5 in terms of the 13 The time interval is set to be the same as the time interval ΔT n (= T3 n −T2) from time T2 to time T3 n for each of L1 to Lx.

そして、制御手段22は、ダーク読取処理前のリセット処理が終了してTFT8のゲート電極8gに印加する電圧をオフ電圧Voffに切り替えた時刻T5から、走査線5の各ラインL1〜Lxごとに時間間隔ΔTだけ放置した後、上記の画像データの読み出し処理と同じ手順で、各放射線検出素子7から蓄積された暗電荷に相当するダーク読取値を読み出すようになっている。 Then, the control means 22 performs the time for each line L1 to Lx of the scanning line 5 from the time T5 when the reset process before the dark reading process is completed and the voltage applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 is switched to the off voltage Voff. After leaving for the interval ΔT n, the dark reading value corresponding to the dark charge accumulated from each radiation detection element 7 is read out by the same procedure as the reading processing of the image data.

なお、時刻T4〜T5のダーク読取処理前のリセット処理の前に、図11に示したような定期的なリセット処理を1、2回程度行うように構成することも可能である。   Note that it is possible to perform a periodic reset process as shown in FIG. 11 about once or twice before the reset process before the dark reading process at times T4 to T5.

また、上記のようにして取得された各放射線検出素子7のダーク読取値からオフセット分を算出し、各放射線検出素子7の画像データからオフセット分を差し引いて真の画像データを得るオフセット補正は、放射線画像撮影装置1で行うように構成してもよく、また、画像データやダーク読取値を例えばアンテナ装置39を介して外部装置に送信し、外部装置でオフセット補正を行うように構成することも可能である。   Further, the offset correction for calculating the offset from the dark reading value of each radiation detection element 7 acquired as described above, and subtracting the offset from the image data of each radiation detection element 7 to obtain true image data, The radiographic imaging apparatus 1 may be configured to perform the process, or the image data and the dark reading value may be transmitted to the external apparatus via the antenna apparatus 39, for example, and the external apparatus may be configured to perform the offset correction. Is possible.

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、放射線画像撮影前に各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧をオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で定期的に切り替え、最後にオン電圧Vonを印加してから放射線の照射開始を検出して再度オフ電圧Voffを印加するまでの時間間隔T2−T1と同じ時間間隔だけ、ダーク読取処理前のリセット処理では、各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを印加した後、オフ電圧Voffに一斉に切り替えるように構成した。   As described above, according to the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, the voltage to be applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 before the radiographic image capturing is periodically performed between the on voltage Von and the off voltage Voff. In the reset process before the dark reading process, the time interval T2-T1 is the same as the time interval T2-T1 from the last application of the ON voltage Von to the detection of the start of radiation irradiation and the application of the OFF voltage Voff again. After the ON voltage Von was applied to the gate electrode 8g of each TFT 8, it was configured to simultaneously switch to the OFF voltage Voff.

そのため、放射線画像撮影前のリセット処理で定期的に印加するオン電圧Vonの印加時間(パルス幅)を例えば1秒程度の短い時間に適切に調整すれば、最後にオン電圧Vonを印加してから放射線の照射開始を検出して再度オフ電圧Voffを印加するまでの時間間隔T2−T1を少なくともそれより短い時間間隔とすることが可能となる。   Therefore, if the application time (pulse width) of the on-voltage Von periodically applied in the reset process before radiographic imaging is appropriately adjusted to a short time of about 1 second, for example, the last time the on-voltage Von is applied. The time interval T2-T1 from the detection of the start of radiation irradiation to the application of the OFF voltage Voff again can be set to at least a shorter time interval.

そして、ダーク読取処理前のリセット処理にかかる時間間隔T5−T4は時間間隔T2−T1と同じ時間間隔に設定されるため、ダーク読取処理前のリセット処理を含むダーク読取処理にかかる時間が長くなることを的確に防止することが可能となり、ダーク読取処理を現実的な時間内で行うことが可能となる。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1では、このようにして前述した問題点1が解決される。   Since the time interval T5-T4 required for the reset process before the dark reading process is set to the same time interval as the time interval T2-T1, the time required for the dark reading process including the reset process before the dark reading process becomes longer. This can be accurately prevented, and the dark reading process can be performed within a realistic time. In the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, the above-described problem 1 is solved.

また、放射線画像撮影前のリセット処理を定期的に行うため、放射線の照射開始前の最後のリセット処理の前に、各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる所定の電荷蓄積時間(図11や図13のΔTa参照)が確保される。そのため、前述した問題点2で述べたように、長時間連続して各TFT8をオン状態として各放射線検出素子7内の暗電荷が十分に除去される場合とは異なり、放射線の照射開始時点(時刻T2)で各放射線検出素子7に残存する暗電荷等の残存電荷の量と、ダーク読取処理前のリセット処理の終了時点(時刻T5)で各放射線検出素子7に残存する残存電荷の量とを同程度とすることが可能となる。   Further, in order to periodically perform the reset process before radiographic imaging, a predetermined charge accumulation time (FIG. 11) for accumulating dark charges in each radiation detection element 7 before the last reset process before the start of radiation irradiation. And ΔTa in FIG. 13) are secured. Therefore, as described in the above-described problem 2, unlike the case where each TFT 8 is turned on continuously for a long time and the dark charge in each radiation detection element 7 is sufficiently removed, the radiation irradiation start point ( The amount of residual charges such as dark charges remaining in each radiation detection element 7 at time T2) and the amount of residual charges remaining in each radiation detection element 7 at the end of reset processing before dark reading processing (time T5). Can be made comparable.

そのため、ダーク読取処理で得られたダーク読取値に基づいてオフセット分を算出すれば、算出したそのオフセット分は、放射線画像撮影時に各放射線検出素子7に蓄積された暗電荷によるオフセット分とほぼ同じ値になる。そのため、ダーク読取処理により得られたオフセット分を画像データから差し引くことで的確に真の画像データを得ることが可能となり、オフセット補正の精度を維持、向上させることが可能となる。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1では、このようにして前述した問題点2が解決される。   Therefore, if the offset is calculated based on the dark reading value obtained in the dark reading process, the calculated offset is almost the same as the offset due to the dark charge accumulated in each radiation detection element 7 at the time of radiographic image capturing. Value. Therefore, true image data can be accurately obtained by subtracting the offset obtained by the dark reading process from the image data, and the accuracy of offset correction can be maintained and improved. In the radiation image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, the above-described problem 2 is solved.

[第2の実施の形態]
第1の実施形態では、放射線画像撮影前の各放射線検出素子7のリセット処理を、図11に示したように定期的にオン電圧Vonとオフ電圧Voffとの間で切り替えて行う場合について説明したが、各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを長時間連続して印加して行う場合についても本発明を適用することができる。以下、このように構成した第2の実施形態について説明する。
[Second Embodiment]
In the first embodiment, a case has been described in which the reset processing of each radiation detection element 7 before radiographic imaging is performed by periodically switching between the on voltage Von and the off voltage Voff as shown in FIG. However, the present invention can also be applied to the case where the ON voltage Von is continuously applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 for a long time. The second embodiment configured as described above will be described below.

しかし、この場合、各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを長時間連続して印加したまま放射線の照射開始を検出するように構成すると、上記のように各放射線検出素子7内の暗電荷が十分に除去されてしまうため、放射線の照射開始時点(時刻T2)で各放射線検出素子7に残存する暗電荷等の残存電荷の量と、ダーク読取処理前のリセット処理の終了時点(時刻T5)で各放射線検出素子7に残存する残存電荷の量とが有意に異なる値となり、オフセット補正の精度の低下を招いてしまう(すなわち前述した問題点2が解決されない。)。   However, in this case, when the start of radiation irradiation is detected while the on-voltage Von is continuously applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 for a long time, the dark charge in each radiation detection element 7 is reduced as described above. Since it is sufficiently removed, the amount of residual charges such as dark charge remaining in each radiation detection element 7 at the radiation irradiation start time (time T2) and the end time of reset processing before dark reading processing (time T5) As a result, the amount of residual charge remaining in each radiation detection element 7 becomes a significantly different value, leading to a decrease in the accuracy of offset correction (that is, problem 2 described above cannot be solved).

そこで、第2の実施形態においても、放射線画像撮影前のリセット処理で、長時間連続して各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを印加した状態から、印加する電圧を一旦オフ電圧Voffに切り替えて、各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる所定の電荷蓄積時間ΔTaを確保し、その後、各TFT8のゲート電極8gに一斉に印加する電圧を再度オン電圧Vonに切り替えて各TFT8のゲートを開いた状態で放射線の照射開始を待つように構成することが必要となる。   Therefore, also in the second embodiment, the applied voltage is temporarily switched to the off voltage Voff from the state in which the on voltage Von is applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 continuously for a long time in the reset process before radiographic imaging. Thus, a predetermined charge accumulation time ΔTa for accumulating dark charges in each radiation detection element 7 is secured, and then the voltage applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 is switched again to the on-voltage Von to turn on the gates of the TFTs 8. It is necessary to configure to wait for the start of radiation irradiation in a state in which is opened.

そのためには、放射線照射装置等から放射線の照射準備が完了したことを示す信号等を受け取り、それに基づいて長時間連続して各TFT8のゲート電極8gに印加していたオン電圧Vonをオフ電圧Voffに切り替え、その後、再度オン電圧Vonに切り替えるように構成することも可能であるが、放射線照射装置等と放射線画像撮影装置の製造元が異なる等の現実的な問題もあり、放射線照射装置等と放射線画像撮影装置とのインターフェースをとることは必ずしも容易ではない。   For this purpose, a signal indicating that preparation for radiation irradiation has been completed is received from a radiation irradiation device or the like, and the ON voltage Von applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 based on the received signal is converted to the OFF voltage Voff. It is also possible to switch to the on-voltage Von again, but there is a practical problem such as the fact that the manufacturer of the radiation imaging apparatus is different from that of the radiation imaging apparatus. It is not always easy to interface with the image capturing device.

そこで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置100では、図14に示すように、アンテナ装置39が設けられた筐体2の側面部分からコード50が延出され、その先端部に押しボタン式の入力手段51が設けられており、放射線が照射される直前に操作者が入力手段51のボタン部52を押下することにより、放射線画像撮影装置100に放射線が照射させる旨の情報が入力されるようになっている。   Therefore, in the radiographic imaging device 100 according to the present embodiment, as shown in FIG. 14, the cord 50 is extended from the side surface portion of the housing 2 provided with the antenna device 39, and a push button type is provided at the tip thereof. An input unit 51 is provided, and information indicating that the radiation image capturing apparatus 100 is irradiated with radiation is input by the operator pressing the button unit 52 of the input unit 51 immediately before the radiation is irradiated. It has become.

なお、放射線画像撮影装置100の入力手段51等の構成以外の構成は、第1の実施形態に係る放射線画像撮影装置1の構成と同じであり、各機能部については同じ符号を付して説明する。   The configuration other than the configuration of the input unit 51 and the like of the radiographic image capturing apparatus 100 is the same as the configuration of the radiographic image capturing apparatus 1 according to the first embodiment, and each functional unit is denoted by the same reference numeral and described. To do.

また、入力手段51は、上記のようにコード50を備える押しボタン式の入力手段に限らず、放射線が照射される際に放射線画像撮影装置100に放射線が照射させる旨の情報を入力することができるものであればよい。そのため、例えば、操作者が外部装置を操作して外部装置からアンテナ装置39を介して情報を入力するように構成することも可能であり、その場合には、アンテナ装置39が入力手段ということになる。また、電源スイッチ36やそれとは別体に設けられた図示しないスイッチ等を入力手段とし、それを操作することにより上記の情報を入力するように構成することも可能である。   The input unit 51 is not limited to the push button type input unit including the code 50 as described above, and can input information indicating that the radiation imaging apparatus 100 is irradiated with radiation when the radiation is irradiated. Anything is possible. Therefore, for example, an operator can operate the external device to input information from the external device via the antenna device 39. In this case, the antenna device 39 is an input unit. Become. Further, the power switch 36 or a switch (not shown) provided separately from the power switch 36 may be used as input means, and the above information may be input by operating the input means.

本実施形態では、制御手段22は、放射線画像撮影前の各放射線検出素子7のリセット処理においては、まず、図15に示すように、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1〜Lxを介して各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを一斉に印加し、その状態を保つ。   In the present embodiment, in the reset process of each radiation detection element 7 before radiographic image capturing, the control unit 22 first converts the lines L1 to Lx of the scanning line 5 from the scanning driving unit 15 as shown in FIG. Thus, the ON voltage Von is applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 at the same time, and the state is maintained.

そして、入力手段51を介して放射線が照射させる旨の情報が入力されると、各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオフ電圧Voffに切り替えて各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる所定の電荷蓄積時間ΔTaを確保した後、時刻T1に各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオン電圧Vonに切り替えるようになっている。   When information indicating that radiation is irradiated is input via the input unit 51, the voltage applied to the gate electrodes 8 g of the TFTs 8 is simultaneously switched to the off voltage Voff, and dark charges are generated in the radiation detection elements 7. After securing a predetermined charge accumulation time ΔTa for accumulation, the voltages applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 are simultaneously switched to the on voltage Von at time T1.

その後の処理は、第1の実施形態に係る放射線画像撮影装置1の場合と同様に、制御手段22は、図13に示したように、電流検出手段43で検出された電流の値(或いはそれに相当する電圧値V)に基づいて時刻T2に放射線の照射の開始を検出すると、各TFT8のゲート電極8gに再度オフ電圧Voffを一斉に印加し、放射線の照射が終了すると、印加するオン電圧Vonを走査線5の各ラインL1〜Lxごとに切り替えながら各放射線検出素子7から画像データを読み出す。   In the subsequent processing, as in the case of the radiographic imaging apparatus 1 according to the first embodiment, as shown in FIG. 13, the control unit 22 performs the current value detected by the current detection unit 43 (or When the start of radiation irradiation is detected at time T2 based on the corresponding voltage value V), the off voltage Voff is simultaneously applied again to the gate electrodes 8g of the TFTs 8, and when the radiation irradiation is completed, the applied on voltage Von. The image data is read from each radiation detection element 7 while switching for each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5.

そして、ダーク読取処理前の各放射線検出素子7のリセット処理では、放射線画像撮影の際に時刻T1に各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを印加してから時刻T2にオフ電圧Voffを印加するまでの時間間隔T2−T1と同じ時間間隔T5−T4だけ各TFT8のゲート電極8gにオン電圧Vonを一斉に印加し、各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧をオフ電圧Voffに一斉に切り替えた後、ダーク読取処理を行うようになっている。   In the reset process of each radiation detection element 7 before the dark reading process, the on-voltage Von is applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 at time T1 and the off-voltage Voff is applied at time T2 at the time of radiographic imaging. The ON voltage Von is applied simultaneously to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 for the same time interval T5-T4 as the time intervals T2-T1 until the voltage applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 is simultaneously switched to the OFF voltage Voff. After that, dark reading processing is performed.

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置100によっても、上記の第1の実施形態に係る放射線画像撮影装置1と全く同様の効果を奏することが可能となり、オフセット補正の精度を維持、向上させつつ、かつ、ダーク読取処理を現実的な時間内で行うことが可能となる。   As described above, the radiographic image capturing apparatus 100 according to the present embodiment can achieve the same effect as the radiographic image capturing apparatus 1 according to the first embodiment, and maintain the accuracy of offset correction. It is possible to perform the dark reading process within a realistic time while improving.

特に、本実施形態では、放射線画像撮影前の各放射線検出素子7のリセット処理では、長時間連続して各TFT8をオン状態とするため、各放射線検出素子7内の暗電荷を十分に除去する状態となるが、その後、入力手段51を介して放射線が照射させる旨の情報が入力されると、一旦各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオフ電圧Voffに切り替えて各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる電荷蓄積時間ΔTaを確保した後、時刻T1に各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオン電圧Vonに切り替えて放射線の照射開始を待つ。   In particular, in the present embodiment, in the reset process of each radiation detection element 7 before radiographic imaging, each TFT 8 is turned on continuously for a long time, so that dark charges in each radiation detection element 7 are sufficiently removed. After that, when information indicating that radiation is irradiated is input via the input means 51, the voltages applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 are once switched to the off voltage Voff at a time. After securing the charge accumulation time ΔTa for accumulating dark charges in the pixel 7, the voltages applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 are simultaneously switched to the on voltage Von at time T1, and the start of radiation irradiation is awaited.

そのため、放射線の照射開始時点(時刻T2)で各放射線検出素子7に残存する暗電荷等の残存電荷の量が、ダーク読取処理前のリセット処理の終了時点(時刻T5)で各放射線検出素子7に残存する残存電荷の量と同程度となり、第1の実施形態の場合と同様にオフセット補正の精度を維持、向上させることが可能となる。   Therefore, the amount of residual charges such as dark charge remaining in each radiation detection element 7 at the radiation irradiation start time (time T2) is equal to each radiation detection element 7 at the end of reset processing before the dark reading process (time T5). As in the case of the first embodiment, it is possible to maintain and improve the accuracy of offset correction.

なお、第1、第2の実施形態に係る放射線画像撮影装置1、100における電流検出手段43は、放射線の照射によりバイアス線9やその結線10等の装置内を流れる電流を検出することができるものであればよく、図9に示したような抵抗器43aやダイオード43b、差動アンプ43c、スイッチ43d等を備える上記の各実施形態における構成には限定されない。   In addition, the current detection means 43 in the radiographic imaging apparatuses 1 and 100 according to the first and second embodiments can detect a current flowing in the apparatus such as the bias line 9 and its connection 10 by irradiation of radiation. Any configuration may be used, and the configuration is not limited to the configuration in each of the above embodiments including the resistor 43a, the diode 43b, the differential amplifier 43c, the switch 43d, and the like as illustrated in FIG.

1、100 放射線画像撮影装置
5 走査線
6 信号線
7 放射線検出素子
8 TFT(スイッチ手段)
15 走査駆動手段
22 制御手段
37 インジケータ(報知手段)
43 電流検出手段
51 入力手段
r 領域
T2−T1 時間間隔
T5−T4 時間間隔
V 電流に相当する電圧値(電流の値)
Voff オフ電圧
Von オン電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 Radiation imaging device 5 Scan line 6 Signal line 7 Radiation detection element 8 TFT (switch means)
15 Scanning drive means 22 Control means 37 Indicator (notification means)
43 Current detection means 51 Input means r Region T2-T1 Time interval T5-T4 Time interval V Voltage value corresponding to current (current value)
Voff OFF voltage Von ON voltage

Claims (4)

互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線に印加する前記オン電圧と前記オフ電圧とを切り替える走査駆動手段と、
放射線の照射により装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された電流の値に基づいて少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影で放射線が照射される前に、前記走査駆動手段から前記各走査線を介して前記各スイッチ手段に前記オフ電圧を印加して前記各放射線検出素子内に暗電荷を蓄積させた後、前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、
放射線の照射の開始を検出すると、前記各スイッチ手段に再度前記オフ電圧を印加し、
ダーク読取処理の際には、前記放射線画像撮影の際に前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加してから再度前記オフ電圧を印加するまでの時間間隔と同じ時間間隔だけ前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えた後、ダーク読取処理を行うことを特徴とする放射線画像撮影装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; ,
When an off voltage is applied via the connected scanning line, the charge generated in the radiation detection element is retained for each radiation detection element, and when the on voltage is applied, the radiation detection element Switch means for releasing the charge;
Scanning drive means for switching between the on-voltage and the off-voltage applied to the scanning line;
Current detection means for detecting a current flowing in the apparatus by irradiation of radiation;
Control means for detecting at least the start of radiation irradiation based on the value of the current detected by the current detection means;
With
The control means includes
Before applying radiation in radiographic imaging, after applying the off voltage to the switch means via the scanning lines from the scanning drive means to accumulate dark charges in the radiation detecting elements. , Applying the ON voltage to each of the switch means,
When the start of radiation irradiation is detected, the off-voltage is applied again to the switch means,
In the dark reading process, the radio frequency image is captured by the switch means at the same time interval from when the on voltage is applied to the switch means until the off voltage is applied again. A radiographic imaging apparatus, wherein dark reading processing is performed after an on voltage is applied and a voltage applied to each of the switch means is switched to the off voltage.
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線に印加する前記オン電圧と前記オフ電圧とを切り替える走査駆動手段と、
放射線の照射により装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された電流の値に基づいて少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影で放射線が照射される前に、前記走査駆動手段から前記各走査線を介して前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オン電圧と前記オフ電圧との間で交互に繰り返し、
前記各スイッチ手段に前記オン電圧が印加された状態で放射線の照射の開始を検出すると、前記各スイッチ手段に前記オフ電圧を印加し、
ダーク読取処理の際には、前記放射線画像撮影の際に最後に前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加してから再度前記オフ電圧を印加するまでの時間間隔と同じ時間間隔だけ前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えた後、ダーク読取処理を行うことを特徴とする放射線画像撮影装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; ,
When an off voltage is applied via the connected scanning line, the charge generated in the radiation detection element is retained for each radiation detection element, and when the on voltage is applied, the radiation detection element Switch means for releasing the charge;
Scanning drive means for switching between the on-voltage and the off-voltage applied to the scanning line;
Current detection means for detecting a current flowing in the apparatus by irradiation of radiation;
Control means for detecting at least the start of radiation irradiation based on the value of the current detected by the current detection means;
With
The control means includes
Before radiation is emitted in radiographic imaging, the voltage applied from the scanning drive means to each switch means via each scanning line is alternately repeated between the on-voltage and the off-voltage,
When the start of radiation irradiation is detected in a state where the on voltage is applied to each switch means, the off voltage is applied to each switch means,
In the dark reading process, the switch means is applied for the same time interval as the time interval from the last application of the on-voltage to the switch means during the radiographic image capture to the application of the off-voltage again. A radiographic image capturing apparatus, wherein dark reading processing is performed after applying the ON voltage to the switching means and switching the voltage applied to each switch means to the OFF voltage.
放射線画像撮影の際に、前記各スイッチ手段に印加されている電圧が前記オフ電圧であることを報知する報知手段を備えることを特徴とする請求項2に記載の放射線画像撮影装置。   The radiographic image capturing apparatus according to claim 2, further comprising a notification unit configured to notify that a voltage applied to each of the switch units is the off-voltage when performing radiographic image capturing. 互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を保持し、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子から前記電荷を放出させるスイッチ手段と、
前記走査線に印加する前記オン電圧と前記オフ電圧とを切り替える走査駆動手段と、
放射線の照射により装置内を流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段で検出された電流の値に基づいて少なくとも放射線の照射の開始を検出する制御手段と、
放射線が照射される際に放射線が照射させる旨の情報を入力する入力手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影で放射線が照射される前に、前記走査駆動手段から前記各走査線を介して前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記入力手段から前記情報が入力されると、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えて前記各放射線検出素子内に暗電荷を蓄積させた後、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オン電圧に切り替え
放射線の照射の開始を検出すると、前記各スイッチ手段に再度前記オフ電圧を印加し、
ダーク読取処理の際には、前記放射線画像撮影の際に前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加してから再度前記オフ電圧を印加するまでの時間間隔と同じ時間間隔だけ前記各スイッチ手段に前記オン電圧を印加し、前記各スイッチ手段に印加する電圧を前記オフ電圧に切り替えた後、ダーク読取処理を行うことを特徴とする放射線画像撮影装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; ,
When an off voltage is applied via the connected scanning line, the charge generated in the radiation detection element is retained for each radiation detection element, and when the on voltage is applied, the radiation detection element Switch means for releasing the charge;
Scanning drive means for switching between the on-voltage and the off-voltage applied to the scanning line;
Current detection means for detecting a current flowing in the apparatus by irradiation of radiation;
Control means for detecting at least the start of radiation irradiation based on the value of the current detected by the current detection means;
An input means for inputting information to irradiate radiation when irradiated with radiation;
With
The control means includes
When the on-voltage is applied to the switch means via the scanning lines from the scanning drive means before radiation is emitted in radiographic imaging, and the information is input from the input means, When the voltage applied to the switch means is switched to the off voltage and dark charges are accumulated in the radiation detecting elements, the voltage applied to the switch means is switched to the on voltage and the start of radiation irradiation is detected. , Applying the off-voltage again to each switch means,
In the dark reading process, the radio frequency image is captured by the switch means at the same time interval from when the on voltage is applied to the switch means until the off voltage is applied again. A radiographic imaging apparatus, wherein dark reading processing is performed after an on voltage is applied and a voltage applied to each of the switch means is switched to the off voltage.
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