JP5332619B2 - Portable radiographic imaging device and radiographic imaging system - Google Patents

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<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a portable radiological imaging apparatus and a radiological imaging system which prevent a battery from getting exhausted, and can sufficiently remove an excessive charge from radiation detecting elements. <P>SOLUTION: This portable radiological imaging apparatus 1 includes a plurality of radiation detecting elements 7 which are two-dimensionally arranged in each region r partitioned by a scanning line 5 and a signal line 6, a switch means 8 which is arranged for each radiation detecting element 7, a scanning-driving means 15 which controls ON/OFF of the switch means 8 by controlling a voltage applied to the switch means 8, and the battery 41. The scanning-driving means 15 applies the ON voltage Von1 of a specified voltage value to the switch means 8 through each scanning line 5 at the time of a resetting process of the radiation detecting elements 7 for discharging the excessive electric charge which has been accumulated in the radiation detecting elements 7 prior to the radiological imaging. Then, the scanning-driving means 15 makes the voltage value of the ON voltage fall, and keeps applying the ON voltage Von2 which has been lowered to the switch means 8 through each scanning line 5 until the irradiation of the X ray is started. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムに係り、特に、少なくとも放射線画像撮影前に放射線検出素子内に蓄積された余分な電荷を放出させる放射線検出素子のリセット処理を行う可搬型放射線画像撮影装置およびそれを用いた放射線画像撮影システムに関する。   The present invention relates to a portable radiographic image capturing apparatus and a radiographic image capturing system, and in particular, a portable type that performs a reset process of a radiation detection element that releases at least an excess charge accumulated in the radiation detection element before radiographic image capture. The present invention relates to a radiographic imaging apparatus and a radiographic imaging system using the same.

照射されたX線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。   A so-called direct type radiographic imaging device that generates electric charges by a detection element in accordance with the dose of irradiated radiation such as X-rays and converts it into an electrical signal, or other radiation such as visible light with a scintillator or the like. Various so-called indirect radiographic imaging devices have been developed that convert charges to electromagnetic waves after being converted into electrical signals by generating electric charges with photoelectric conversion elements such as photodiodes in accordance with the energy of the converted and irradiated electromagnetic waves. Yes. In the present invention, the detection element in the direct type radiographic imaging apparatus and the photoelectric conversion element in the indirect type radiographic imaging apparatus are collectively referred to as a radiation detection element.

このタイプの放射線画像撮影装置はFPD(Flat Panel Detector)として知られており、従来は支持台(或いはブッキー装置)と一体的に形成されていた(例えば特許文献1参照)。しかし、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納して可搬とされた可搬型放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2、3参照)。これらの可搬型放射線画像撮影装置では、バッテリが内蔵されている。   This type of radiographic imaging device is known as an FPD (Flat Panel Detector), and has conventionally been formed integrally with a support base (or a bucky device) (see, for example, Patent Document 1). However, in recent years, a portable radiographic image capturing apparatus in which a radiation detection element or the like is accommodated in a housing has been developed and put into practical use (see, for example, Patent Documents 2 and 3). In these portable radiographic imaging apparatuses, a battery is built in.

ところで、可搬型放射線画像撮影装置の内部構造は、後述する図3や図4等に示すように、通常、基板4上に互いに交差するように配設された複数の走査線5と複数の信号線6とで区画された各小領域rに、複数の放射線検出素子7が二次元状(マトリクス状)に配列されて形成されている。そして、前述したように、放射線検出素子7では照射された放射線の線量に応じてその内部に電荷が発生し、各放射線検出素子7の電荷がそれぞれ読み出され、読み出し回路17で電荷電圧変換され増幅される等して画像データとして取り出される。   By the way, the internal structure of the portable radiographic image capturing apparatus generally has a plurality of scanning lines 5 and a plurality of signals arranged on the substrate 4 so as to cross each other, as shown in FIGS. A plurality of radiation detection elements 7 are two-dimensionally (matrix-like) arranged in each small region r partitioned by the line 6. As described above, the radiation detection element 7 generates charges in accordance with the dose of the irradiated radiation, the charges of each radiation detection element 7 are read out, and are converted into charge voltages by the readout circuit 17. It is extracted as image data after being amplified.

しかし、可搬型放射線画像撮影装置に放射線が照射されない場合でも、放射線検出素子7自体の熱による熱励起等によりその内部で電荷が発生しており、その電荷はいわゆる暗電荷として各放射線検出素子7内に蓄積される。そして、各放射線検出素子7内にこの暗電荷が多量に存在する状態のまま放射線画像撮影を行うと、放射線の照射によって発生した上記の電荷を各放射線検出素子7から画像データとして読み出す際に、この多量の暗電荷が一緒に読み出されて画像データに大きなノイズ成分がのる状態になる。   However, even when no radiation is applied to the portable radiographic imaging device, charges are generated inside due to thermal excitation or the like due to heat of the radiation detection element 7 itself, and the charge is a so-called dark charge. Accumulated within. Then, when radiographic imaging is performed in a state where a large amount of this dark charge exists in each radiation detection element 7, when the above-described charges generated by radiation irradiation are read out as image data from each radiation detection element 7, This large amount of dark charge is read out together and a large noise component is added to the image data.

この暗電荷によるノイズ成分を可能な限り除去するため、放射線画像撮影時には、通常、放射線画像撮影装置に対して放射線が照射される直前等に、放射線検出素子7内等に蓄積された暗電荷等の余分な電荷を除去するためにリセット処理が行われる。   In order to remove the noise component due to this dark charge as much as possible, at the time of radiographic image capturing, dark charges accumulated in the radiation detecting element 7 or the like usually immediately before the radiation image capturing apparatus is irradiated with radiation, etc. A reset process is performed to remove the excess charge.

放射線検出素子7のリセット処理においては、図3や図4等に示したように各走査線5に接続された各放射線検出素子7のスイッチ手段であるTFT8(Thin Film Transistor)のゲート電極8gに走査線5を介してオン電圧を印加してTFT8のゲートを開き、TFT8を介して放射線検出素子7内に蓄積された余分な電荷を信号線6に放出させてリセット処理が行われる。   In the reset process of the radiation detection element 7, as shown in FIG. 3, FIG. 4, etc., the gate electrode 8g of the TFT 8 (Thin Film Transistor) which is the switch means of each radiation detection element 7 connected to each scanning line 5 is applied. An on-voltage is applied via the scanning line 5 to open the gate of the TFT 8, and extra charge accumulated in the radiation detection element 7 is discharged to the signal line 6 via the TFT 8 to perform reset processing.

特許文献4には、このTFT8に対するオン電圧の印加のさせ方について、いくつかの手法が記載されている。例えば図18に示すように、装置に対する放射線の照射が開始されると同時にTFT8にオン電圧を印加して全放射線検出素子7から余分な電荷を放出させてリセット処理を行い、その後、TFT8のゲート電極8gにオフ電圧を印加してTFT8のゲートを閉じて、放射線の照射によって発生した電荷を放射線検出素子7内に蓄積させる。   Patent Document 4 describes several methods for applying an on-voltage to the TFT 8. For example, as shown in FIG. 18, at the same time as the irradiation of radiation to the apparatus is started, an on-voltage is applied to the TFT 8 to discharge excess charges from all the radiation detection elements 7 and reset processing is performed. An off voltage is applied to the electrode 8 g to close the gate of the TFT 8, and charges generated by radiation irradiation are accumulated in the radiation detection element 7.

また、他の手法として、例えば図19に示すように、まず、TFT8にオン電圧を印加して全放射線検出素子7から余分な電荷を放出させてリセット処理を行った後、TFT8のゲート電極8gにオフ電圧を印加してTFT8のゲートを閉じた時点で装置に対する放射線の照射を開始して、放射線の照射によって発生した電荷を放射線検出素子7内に蓄積させる手法が提案されている。   As another method, for example, as shown in FIG. 19, first, an on-voltage is applied to the TFT 8 to discharge excess charges from all the radiation detection elements 7 and reset processing is performed. A method has been proposed in which irradiation of radiation to the apparatus is started when an off voltage is applied to the TFT 8 and the gate of the TFT 8 is closed, and charges generated by radiation irradiation are accumulated in the radiation detection element 7.

これらのいずれの手法によっても、放射線の照射が開始されるまでに各放射線検出素子7内に発生する暗電荷等の余分な電荷は放出されてリセットされるため、放射線の照射開始に発生した暗電荷等によるノイズ成分はともかく、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分についてはそれらが除去された画像データを得ることが可能となる。   In any of these methods, since extra charges such as dark charges generated in each radiation detection element 7 are released and reset before radiation irradiation is started, the dark charges generated at the start of radiation irradiation are reset. Apart from noise components due to electric charges or the like, it is possible to obtain image data from which at least noise components generated before the start of radiation irradiation are removed.

特開平9−73144号公報JP-A-9-73144 特開2006−058124号公報JP 2006-058124 A 特開平6−342099号公報JP-A-6-342099 特開平9−131337号公報JP-A-9-131337

しかしながら、例えば図18に示した手法によると、時刻t1から時刻t2までの間に照射される放射線により発生した電荷はリセット処理により放射線検出素子7から放出されてしまい、放射線検出素子7内には蓄積されないため、その間、放射線が無駄に照射されることになる。また、その分、被写体である患者の被曝線量が多くなってしまうという問題がある。   However, according to the method shown in FIG. 18, for example, the charge generated by the radiation irradiated from time t1 to time t2 is released from the radiation detection element 7 by the reset process, and the radiation detection element 7 Since it is not accumulated, radiation is emitted in the meantime. In addition, there is a problem that the exposure dose of the patient as the subject increases.

また、それを回避するために、TFT8をオン状態とする期間、すなわち時刻t1から時刻t2までの時間間隔を短縮すると、今度は、放射線検出素子7から余分な電荷を十分に除去することができなくなり、画像データ中から、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分を除去するという上記の効果が得られなくなる。そのため、この手法は、実際上、採用し難い。   In order to avoid this, if the period during which the TFT 8 is turned on, that is, the time interval from the time t1 to the time t2, is shortened, the excess charge can be sufficiently removed from the radiation detection element 7 this time. The above effect of removing noise components generated at least before the start of radiation irradiation from the image data cannot be obtained. For this reason, this method is practically difficult to adopt.

そこで、図19に示した手法を採用することが考えられる。そして、この手法を用いれば、放射線検出素子7中に異常な素子が全く存在しないという理想的な装置では、図20に示すように、時刻t4にTFT8のゲート電極8gにオン電圧を印加すると、放射線検出素子7からは、蓄積されている余分な電荷が放出され、信号線6や、放射線検出素子7のTFT8が接続されている電極74とは反対側の電極78(図7や図8等参照)に接続されたバイアス線9に流出する電流iが増加する。   Therefore, it is conceivable to adopt the method shown in FIG. If this method is used, in an ideal device in which no abnormal element is present in the radiation detection element 7, as shown in FIG. 20, when an on-voltage is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 at time t4, The excess charge accumulated from the radiation detection element 7 is released, and the electrode 78 on the opposite side of the signal line 6 and the electrode 74 to which the TFT 8 of the radiation detection element 7 is connected (FIGS. 7 and 8, etc.) The current i flowing out to the bias line 9 connected to (see) increases.

そして、放射線検出素子7に蓄積されている余分な電荷が放出されていき、TFT8をオン状態とする期間(時刻t4から時刻t5までの時間間隔)を十分にとれば、信号線6やバイアス線9に流れる電流の電流量iを、放射線検出素子7内で発生し続ける僅かな暗電荷に起因する暗電流の電流量idのレベルまで降下させることができる。   Then, if excessive charges accumulated in the radiation detection element 7 are released and a period during which the TFT 8 is turned on (a time interval from time t4 to time t5) is sufficient, the signal line 6 and the bias line The current amount i of the current flowing through 9 can be lowered to the level of the current amount id of the dark current caused by a slight dark charge that continues to be generated in the radiation detection element 7.

しかし、放射線検出素子7の製造段階で、異常な放射線検出素子7が生じてしまうことは避けられない。通常の放射線検出素子7では、電極78にバイアス電源14(図7や図8等参照)からバイアス線9を介してバイアス電圧が印加されると、電極78と電極74とで形成されるコンデンサのようになって、各電極74、78にそれぞれ電荷が蓄積され、各電極74、78間のi層76等(図5参照)で発生する暗電荷に相当する暗電流の電流量id分とごく僅かのリーク分の電流が各電極74、78から流れ出す状態になる。   However, it is inevitable that an abnormal radiation detection element 7 is produced in the manufacturing stage of the radiation detection element 7. In a normal radiation detection element 7, when a bias voltage is applied to the electrode 78 from the bias power supply 14 (see FIG. 7, FIG. 8, etc.) via the bias line 9, a capacitor formed by the electrode 78 and the electrode 74 is used. Thus, charges are accumulated in the electrodes 74 and 78, respectively, and the amount of dark current corresponding to the dark charge generated in the i-layer 76 between the electrodes 74 and 78 (see FIG. 5) is extremely small. A small amount of leakage current flows out from the electrodes 74 and 78.

しかし、上記のような異常な放射線検出素子7では、電極78にバイアス電源14からバイアス電圧を印加してTFT8をオン状態とすると、コンデンサというよりも、寧ろ電極74と電極78との間で短絡を生じているかのように、或いは電極74と電極78との間が導線で接続されているのと同等の電流が流れてしまう。   However, in the abnormal radiation detection element 7 as described above, when a bias voltage is applied to the electrode 78 from the bias power supply 14 to turn on the TFT 8, a short circuit occurs between the electrode 74 and the electrode 78 rather than a capacitor. Or an electric current equivalent to that between the electrode 74 and the electrode 78 connected by a conducting wire flows.

そのため、そのような放射線検出素子7では、図21に示すように、時刻t4にTFT8のゲート電極8gにオン電圧を印加すると、放射線検出素子7に蓄積されている余分な電荷が放出されて、信号線6等を流れる電流iが増加するが、放射線検出素子7に蓄積されていた余分な電荷が放出されても電流量iが下がらず、或いは、少なくとも暗電流の電流量idのレベルよりも高いレベルまでしか下がらず、比較的大きな電流が流れ続ける。   Therefore, in such a radiation detection element 7, when an on-voltage is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 at time t4, as shown in FIG. 21, excess charges accumulated in the radiation detection element 7 are released, Although the current i flowing through the signal line 6 or the like increases, the current amount i does not decrease even when excess charge accumulated in the radiation detection element 7 is released, or at least lower than the level of the current amount id of the dark current. It only drops to a high level and a relatively large current continues to flow.

そうすると、特にバッテリが内蔵された可搬型の放射線画像撮影装置では、バッテリの電力が浪費され、バッテリが消耗する。また、このバッテリの消耗を回避するためにTFT8をオン状態とする期間(時刻t4から時刻t5までの時間間隔)を短くすると、放射線検出素子7から余分な電荷を十分に除去することができなくなり、画像データ中から、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分を除去するという上記の効果が得られなくなる。   Then, especially in a portable radiographic imaging apparatus with a built-in battery, the battery power is wasted and the battery is consumed. Further, if the period during which the TFT 8 is turned on (time interval from time t4 to time t5) is shortened in order to avoid the consumption of the battery, excess charges cannot be sufficiently removed from the radiation detection element 7. The above effect of removing noise components generated at least before the start of radiation irradiation from the image data cannot be obtained.

そこで、可搬型放射線画像撮影装置やそれを用いた放射線画像撮影システムには、異常な放射線検出素子7が存在する場合であっても、バッテリを消耗させることなく、しかも、TFT8をオン状態とする期間を十分にとって放射線検出素子7から余分な電荷を除去することが可能であることが望まれる。   Therefore, the portable radiographic image capturing apparatus and the radiographic image capturing system using the radiographic image capturing apparatus and the radiographic image capturing system do not consume the battery and turn on the TFT 8 even when the abnormal radiation detecting element 7 exists. It is desirable to be able to remove excess charges from the radiation detection element 7 for a sufficient period.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、バッテリの消耗を防止し、かつ、放射線検出素子から余分な電荷を十分に除去可能な可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and is a portable radiographic imaging apparatus and radiographic imaging system capable of preventing battery consumption and sufficiently removing excess charges from a radiation detection element. The purpose is to provide.

前記の問題を解決するために、本発明の可搬型放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオン電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を放出させ、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を前記放射線検出素子内に蓄積させるスイッチ手段と、
前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧を制御する走査駆動手段と、
を備え、
前記各手段に電力を供給するバッテリが内蔵されており、
前記走査駆動手段は、放射線画像撮影前に、前記放射線検出素子内に蓄積された余分な電荷を放出させる前記放射線検出素子のリセット処理の際に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に所定の電圧値の前記オン電圧を印加し、その後、前記オン電圧の電圧値を低下させて、前記放射線の照射が開始されるまで、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に対して前記低下させたオン電圧を印加し続け
前記低下させた前記オン電圧の電圧値は、前記スイッチ手段を流れるオン電流の電流量が正常な前記放射線検出素子に流れるリーク電流の電流量を上回る量になる電圧値に設定されることを特徴とする。
In order to solve the above problem, the portable radiographic imaging device of the present invention is:
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; A detector comprising:
When an on-voltage is applied to the scanning line arranged and connected to each radiation detection element, a charge generated in the radiation detection element is released, and an off-voltage is applied to the connected scanning line. Switch means for accumulating charges generated in the radiation detection element in the radiation detection element;
Scanning drive means for controlling the voltage applied to the switch means via the scanning lines;
With
A battery for supplying power to each of the above means is incorporated,
The scan driving unit is configured to apply a predetermined value to the switch unit via each scanning line during a reset process of the radiation detection element that discharges excess charges accumulated in the radiation detection element before radiographic imaging. The on-voltage of the voltage value is applied, and then the voltage value of the on-voltage is lowered, and the switch means is lowered through the scanning lines until the radiation irradiation is started. Continue to apply the ON voltage ,
The voltage value of the lowered on-voltage is set to a voltage value at which the amount of on-current flowing through the switch means exceeds the amount of leakage current flowing through a normal radiation detection element. And

また、本発明の放射線画像撮影システムは、
外部と通信可能な通信手段を備えた本発明の可搬型放射線画像撮影装置と、
前記可搬型放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線源と、前記放射線源を起動させるとともに、前記放射線源に放射線の照射開始を指示する照射開始スイッチを備える操作卓と、を備える放射線発生装置と、
を備え、
前記可搬型放射線画像撮影装置の前記走査駆動手段は、前記通信手段を介して、前記操作卓から送信された前記放射線源の起動信号を受信すると、前記放射線検出素子のリセット処理を開始することを特徴とする。
Moreover, the radiographic imaging system of the present invention is
A portable radiographic imaging device of the present invention comprising a communication means capable of communicating with the outside;
A radiation generator comprising: a radiation source that irradiates radiation to the portable radiation imaging apparatus; and an operation console that activates the radiation source and includes an irradiation start switch that instructs the radiation source to start radiation irradiation; ,
With
When the scanning drive unit of the portable radiographic image capturing apparatus receives the radiation source activation signal transmitted from the console via the communication unit, it starts resetting the radiation detection element. Features.

本発明のような方式の可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムによれば、全てのスイッチ手段に対して、一旦、通常のオン電圧である高いオン電圧を印加することで、正常な放射線検出素子についても異常な放射線検出素子についても放射線検出素子に蓄積されている余分な電荷を十分に放出させて除去することが可能となる。また、放射線の照射が開始されるまで、スイッチ手段にオン電圧を印加し続けることで、放射線検出素子に蓄積されている余分な電荷を十分に放出させて除去することが可能となる。   According to the portable radiographic image capturing apparatus and the radiographic image capturing system of the system of the present invention, normal radiation is once applied to all switch means by applying a high on-voltage that is a normal on-voltage once. For both the detection element and the abnormal radiation detection element, it is possible to sufficiently discharge and remove excess charges accumulated in the radiation detection element. Further, by continuing to apply the on-voltage to the switch means until radiation irradiation is started, it is possible to sufficiently discharge and remove excess charges accumulated in the radiation detection element.

また、スイッチ手段に印加した高いオン電圧を低下させて低いオン電圧を印加し続けることで、正常な放射線検出素子についてはもちろん、異常な放射線検出素子についても、それから流出する電流量を、例えば正常な放射線検出素子に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量と同量程度まで減少させることが可能となる。そのため、バッテリの電力の消費を抑制して、バッテリの消耗を防止することが可能となる。   Further, by reducing the high on-voltage applied to the switch means and continuing to apply the low on-voltage, the amount of current flowing out of the normal radiation detection element as well as the abnormal radiation detection element can be reduced, for example, It is possible to reduce the amount of leakage current including dark current flowing through the radiation detecting element to the same amount. Therefore, it is possible to suppress battery power consumption and prevent battery consumption.

さらに、放射線の照射が開始されるまで、スイッチ手段にオン電圧を印加し続けることで、放射線の照射が開始されるまでに各放射線検出素子内で発生する暗電荷が各放射線検出素子から流出して除去されるため、最終的に得られる画像データの中から、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分を的確に除去することが可能となる。   Further, by continuing to apply the ON voltage to the switch means until radiation irradiation starts, dark charges generated in each radiation detection element before radiation irradiation starts flowing out from each radiation detection element. Therefore, noise components generated at least before the start of radiation irradiation can be accurately removed from the finally obtained image data.

本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. 図1におけるA−A線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA line in FIG. 本実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the board | substrate which concerns on this embodiment. 図3の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とTFT等の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of the radiation detection element, TFT, etc. which were formed in the small area | region on the board | substrate of FIG. 図4におけるX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line in FIG. COFやPCB基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。It is a side view explaining the board | substrate with which COF, a PCB board | substrate, etc. were attached. 本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路図を表す図である。It is a figure showing the equivalent circuit schematic of the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. 図7における1画素分についての等価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram for one pixel in FIG. 7. 本実施形態に係る放射線画像撮影装置においてスイッチ手段に印加される電圧の電圧値の時間的推移を表すグラフである。It is a graph showing the time transition of the voltage value of the voltage applied to a switch means in the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. (A)スイッチ手段に印加される電圧がオフ電圧からオン電圧に切り替えられた状態を表すグラフであり、(B)電流検出手段で検出されるバイアス線の結線を流れる電流の電流量の時間的変化を表すグラフである。(A) is a graph showing a state in which the voltage applied to the switch means is switched from the off voltage to the on voltage, and (B) the current amount of the current flowing through the bias line connection detected by the current detection means. It is a graph showing a change. (A)仮にスイッチ手段に高いオン電圧を印加し続けた状態を表すグラフであり、(B)全放射線検出素子が正常であると仮定した場合に電流検出手段で検出されるバイアス線の結線を流れる電流の電流量の時間的変化を表すグラフである。(A) It is a graph showing a state in which a high on-voltage is continuously applied to the switch means, and (B) bias line connection detected by the current detection means when all radiation detection elements are assumed to be normal. It is a graph showing the time change of the electric current amount of the electric current which flows. 異常な放射線検出素子が存在する状態で図11(A)のように電圧を印加し続けた際に電流検出手段で検出されるバイアス線の結線を流れる電流の電流量の時間的変化を表すグラフである。FIG. 11A is a graph showing temporal changes in the amount of current flowing through the bias line connection detected by the current detection means when a voltage is continuously applied as shown in FIG. 11A in the presence of an abnormal radiation detection element. It is. 異常な放射線検出素子が存在する状態で図9のように電圧を印加した際に電流検出手段で検出されるバイアス線の結線を流れる電流の電流量の時間的変化を表すグラフである。FIG. 10 is a graph showing temporal changes in the amount of current flowing through the bias line connection detected by the current detection means when a voltage is applied as shown in FIG. 9 in the presence of an abnormal radiation detection element. 放射線の照射が開始されると放射線検出素子内で電荷が発生しバイアス線の結線に流れ出す電流量が増加することを表すグラフである。It is a graph showing that the amount of current that flows out to the connection of the bias line increases due to the generation of electric charge in the radiation detection element when radiation irradiation is started. 走査駆動手段から走査線の各ラインに印加する電圧値のタイミングチャートである。It is a timing chart of the voltage value applied to each line of a scanning line from a scanning drive means. 本実施形態に係る放射線画像撮影システムの全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the radiographic imaging system which concerns on this embodiment. (A)は照射開始スイッチの構成を示す図であり、(B)はボタン部が半押しされた状態、(C)は全押しされた状態を説明する図である。(A) is a figure which shows the structure of an irradiation start switch, (B) is the state which the button part was half-pressed, (C) is a figure explaining the state by which it fully pressed. 放射線検出素子のスイッチ手段に対するオン電圧の印加のさせ方の一例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows an example of how to apply ON voltage with respect to the switch means of a radiation detection element. 放射線検出素子のスイッチ手段に対するオン電圧の印加のさせ方の別の一例を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows another example of how to apply ON voltage with respect to the switch means of a radiation detection element. 図19のようにオン電圧を印加した場合に正常な放射線検出素子から流出する電流の電流量の時間的変化を表すグラフである。It is a graph showing the time change of the electric current amount of the electric current which flows out from a normal radiation detection element when an ON voltage is applied like FIG. 図19のようにオン電圧を印加した場合に異常な放射線検出素子から流出する電流の電流量の時間的変化を表すグラフである。It is a graph showing the time change of the electric current amount of the electric current which flows out from an abnormal radiation detection element when an ON voltage is applied like FIG.

以下、本発明に係る可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of a portable radiographic imaging device and a radiographic imaging system according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

なお、以下、可搬型放射線画像撮影装置を単に放射線画像撮影装置と表す。また、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置やそれを用いるシステムについて説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置やそれを用いるシステムに対しても適用することが可能である。   Hereinafter, the portable radiographic imaging device is simply referred to as a radiographic imaging device. In addition, the radiographic imaging apparatus includes a scintillator or the like, and describes a so-called indirect radiographic imaging apparatus that obtains an electrical signal by converting irradiated radiation into electromagnetic waves of other wavelengths such as visible light, and a system using the same. However, the present invention can also be applied to a direct radiographic imaging apparatus and a system using the same.

[放射線画像撮影装置]
図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のA−A線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内にシンチレータ3や基板4等が収納された可搬型(カセッテ型)の装置として構成されている。
[Radiation imaging equipment]
FIG. 1 is an external perspective view of the radiographic image capturing apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment is configured as a portable (cassette type) apparatus in which a scintillator 3, a substrate 4, and the like are housed in a housing 2. .

筐体2は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面R(以下、放射線入射面Rという。)が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板2Aとバック板2Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。   The housing 2 is formed of a material such as a carbon plate or plastic that transmits radiation at least on a surface R (hereinafter referred to as a radiation incident surface R) that receives radiation. 1 and 2 show a case in which the housing 2 is a so-called lunch box type formed by the frame plate 2A and the back plate 2B. However, the housing 2 is integrally formed in a rectangular tube shape. It is also possible to use a so-called monocoque type.

また、図1に示すように、筐体2の側面部分には、電源スイッチ36や、LED等で構成されたインジケータ37、図示しないバッテリ41(後述する図7参照)の交換等のために開閉可能とされた蓋部材38等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材38の側面部には、外部と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置39が埋め込まれている。   As shown in FIG. 1, the side surface of the housing 2 is opened and closed for replacement of a power switch 36, an indicator 37 composed of LEDs and the like, and a battery 41 (not shown) (see FIG. 7 described later). A possible lid member 38 and the like are arranged. In the present embodiment, an antenna device 39 that is a communication unit for wirelessly communicating with the outside is embedded in the side surface of the lid member 38.

また、図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置され、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。   As shown in FIG. 2, a base 31 is disposed inside the housing 2 via a thin lead plate or the like (not shown) on the lower side of the substrate 4. The disposed PCB substrate 33, the buffer member 34, and the like are attached. In the present embodiment, a glass substrate 35 for protecting the substrate 4 and the radiation incident surface R of the scintillator 3 is disposed.

シンチレータ3は、基板4の後述する検出部Pに貼り合わされるようになっている。シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300〜800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。   The scintillator 3 is attached to a detection unit P, which will be described later, of the substrate 4. As the scintillator 3, for example, a scintillator 3 that has a phosphor as a main component and converts it into an electromagnetic wave having a wavelength of 300 to 800 nm, that is, an electromagnetic wave centered on visible light when it receives incident radiation, is used.

基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、それぞれ放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。   In the present embodiment, the substrate 4 is formed of a glass substrate. As shown in FIG. 3, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of signal lines are provided on a surface 4 a of the substrate 4 facing the scintillator 3. 6 are arranged so as to cross each other. In each small region r defined by the plurality of scanning lines 5 and the plurality of signal lines 6 on the surface 4 a of the substrate 4, radiation detection elements 7 are respectively provided.

このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。   Thus, the entire region r in which a plurality of radiation detection elements 7 arranged in a two-dimensional manner are provided in each small region r partitioned by the scanning line 5 and the signal line 6, that is, shown by a one-dot chain line in FIG. The region is a detection unit P.

本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも、例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図3や図4の拡大図に示すように、スイッチ手段であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。   In the present embodiment, a photodiode is used as the radiation detection element 7, but other than this, for example, a phototransistor or the like can also be used. Each radiation detection element 7 is connected to the source electrode 8s of the TFT 8 serving as a switch means, as shown in the enlarged views of FIGS. The drain electrode 8 d of the TFT 8 is connected to the signal line 6.

そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15により、接続された走査線5にオン電圧が印加され、ゲート電極8gにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子7内で発生し蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は、接続された走査線5にオフ電圧が印加され、ゲート電極8gにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、放射線検出素子7内で発生した電荷を放射線検出素子7内に蓄積させるようになっている。   The TFT 8 is turned on when a turn-on voltage is applied to the connected scanning line 5 by the scanning drive means 15 described later and applied to the gate electrode 8g, and is generated and accumulated in the radiation detection element 7. The charged electric charge is discharged to the signal line 6. Further, the TFT 8 is turned off when the off voltage is applied to the connected scanning line 5 and the off voltage is applied to the gate electrode 8g, and the emission of the charge from the radiation detecting element 7 to the signal line 6 is stopped. The charges generated in the radiation detection element 7 are accumulated in the radiation detection element 7.

ここで、本実施形態における放射線検出素子7やTFT8の構造について、図5に示す断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるX−X線に沿う断面図である。   Here, the structure of the radiation detection element 7 and the TFT 8 in this embodiment will be briefly described with reference to the cross-sectional view shown in FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line XX in FIG.

基板4の面4a上に、AlやCr等からなるTFT8のゲート電極8gが走査線5と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極8g上および面4a上に積層された窒化シリコン(SiN)等からなるゲート絶縁層81上のゲート電極8gの上方部分に、水素化アモルファスシリコン(a−Si)等からなる半導体層82を介して、放射線検出素子7の第1電極74と接続されたソース電極8sと、信号線6と一体的に形成されるドレイン電極8dとが積層されて形成されている。 A gate electrode 8g of a TFT 8 made of Al, Cr or the like is formed on the surface 4a of the substrate 4 so as to be integrally laminated with the scanning line 5, and silicon nitride (laminated on the gate electrode 8g and the surface 4a). The first electrode 74 of the radiation detecting element 7 is connected to the upper portion of the gate electrode 8g on the gate insulating layer 81 made of SiN x ) or the like via the semiconductor layer 82 made of hydrogenated amorphous silicon (a-Si) or the like. The formed source electrode 8s and the drain electrode 8d formed integrally with the signal line 6 are laminated.

ソース電極8sとドレイン電極8dとは、窒化シリコン(SiN)等からなる第1パッシベーション層83によって分割されており、さらに第1パッシベーション層83は両電極8s、8dを上側から被覆している。また、半導体層82とソース電極8sやドレイン電極8dとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたオーミックコンタクト層84a、84bがそれぞれ積層されている。以上のようにしてTFT8が形成されている。 The source electrode 8s and the drain electrode 8d are divided by a first passivation layer 83 made of silicon nitride (SiN x ) or the like, and the first passivation layer 83 covers both electrodes 8s and 8d from above. In addition, ohmic contact layers 84a and 84b formed in an n-type by doping hydrogenated amorphous silicon with a group VI element are stacked between the semiconductor layer 82 and the source electrode 8s and the drain electrode 8d, respectively. The TFT 8 is formed as described above.

また、放射線検出素子7の部分では、基板4の面4a上に前記ゲート絶縁層81と一体的に形成される絶縁層71の上にAlやCr等が積層されて補助電極72が形成されており、補助電極72上に前記第1パッシベーション層83と一体的に形成される絶縁層73を挟んでAlやCr、Mo等からなる第1電極74が積層されている。第1電極74は、第1パッシベーション層83に形成されたホールHを介してTFT8のソース電極8sに接続されている。   In the radiation detecting element 7, an auxiliary electrode 72 is formed by laminating Al, Cr, or the like on the insulating layer 71 formed integrally with the gate insulating layer 81 on the surface 4 a of the substrate 4. A first electrode 74 made of Al, Cr, Mo or the like is laminated on the auxiliary electrode 72 with an insulating layer 73 formed integrally with the first passivation layer 83 interposed therebetween. The first electrode 74 is connected to the source electrode 8 s of the TFT 8 through the hole H formed in the first passivation layer 83.

第1電極74の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたn層75、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるi層76、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたp層77が下方から順に積層されて形成されている。   On the first electrode 74, an n layer 75 formed in an n-type by doping a hydrogenated amorphous silicon with a group VI element, an i layer 76 which is a conversion layer formed of hydrogenated amorphous silicon, and a hydrogenated amorphous A p layer 77 formed by doping a group III element into silicon and forming a p-type layer is formed by laminating sequentially from below.

放射線画像撮影装置1の筐体2の放射線入射面Rから放射線が入射し、シンチレータ3で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子7のi層76に到達して、i層76内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子7は、このようにして、シンチレータ3から照射された電磁波を電荷に変換するようになっている。   When radiation enters from the radiation incident surface R of the housing 2 of the radiographic imaging apparatus 1 and is converted into an electromagnetic wave such as visible light by the scintillator 3, and the converted electromagnetic wave is irradiated from above in the figure, the electromagnetic wave is detected by radiation. The electron hole pair is generated in the i layer 76 by reaching the i layer 76 of the element 7. In this way, the radiation detection element 7 converts the electromagnetic waves irradiated from the scintillator 3 into electric charges.

また、p層77の上には、ITO等の透明電極とされた第2電極78が積層されて形成されており、照射された電磁波がi層76等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子7が形成されている。なお、p層77、i層76、n層75の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子7として、上記のようにp層77、i層76、n層75の順に積層されて形成されたいわゆるpin型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。   On the p layer 77, a second electrode 78 made of a transparent electrode such as ITO is laminated and formed so that the irradiated electromagnetic wave reaches the i layer 76 and the like. In the present embodiment, the radiation detection element 7 is formed as described above. The order of stacking the p layer 77, the i layer 76, and the n layer 75 may be reversed. Further, in the present embodiment, a case where a so-called pin-type radiation detection element formed by sequentially stacking the p layer 77, the i layer 76, and the n layer 75 as described above is used as the radiation detection element 7. However, it is not limited to this.

放射線検出素子7の第2電極78の上面には、第2電極78を介して放射線検出素子7にバイアス電圧を印加するバイアス線9が接続されている。なお、放射線検出素子7の第2電極78やバイアス線9、TFT8側に延出された第1電極74、TFT8の第1パッシベーション層83等、すなわち放射線検出素子7とTFT8の上面部分は、その上方側から窒化シリコン(SiN)等からなる第2パッシベーション層79で被覆されている。 A bias line 9 for applying a bias voltage to the radiation detection element 7 is connected to the upper surface of the second electrode 78 of the radiation detection element 7 via the second electrode 78. The second electrode 78 and the bias line 9 of the radiation detection element 7, the first electrode 74 extended to the TFT 8 side, the first passivation layer 83 of the TFT 8, that is, the upper surfaces of the radiation detection element 7 and the TFT 8 are A second passivation layer 79 made of silicon nitride (SiN x ) or the like is covered from above.

図3や図4に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で1本の結線10に結束されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, in this embodiment, one bias line 9 is connected to a plurality of radiation detection elements 7 arranged in rows, and each bias line 9 is connected to a signal line 6. Are arranged in parallel with each other. In addition, each bias line 9 is bound to one connection 10 at a position outside the detection portion P of the substrate 4.

本実施形態では、図3に示すように、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子(パッドともいう)11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、IC12a等のチップが組み込まれたCOF(Chip On Film)12が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。   In this embodiment, as shown in FIG. 3, each scanning line 5, each signal line 6, and connection 10 of the bias line 9 are input / output terminals (also referred to as pads) provided near the edge of the substrate 4. 11 is connected. As shown in FIG. 6, a COF (Chip On Film) 12 in which a chip such as an IC 12 a is incorporated in each input / output terminal 11 is an anisotropic conductive adhesive film (Anisotropic Conductive Film) or anisotropic conductive paste (Anisotropic paste). It is connected via an anisotropic conductive adhesive material 13 such as Conductive Paste).

また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。なお、図6では、電子部品32等の図示が省略されている。   The COF 12 is routed to the back surface 4b side of the substrate 4 and connected to the PCB substrate 33 described above on the back surface 4b side. Thus, the board | substrate 4 part of the radiographic imaging apparatus 1 is formed. In FIG. 6, illustration of the electronic component 32 and the like is omitted.

ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路図であり、図8は検出部Pを構成する1画素分についての等価回路図である。   Here, the circuit configuration of the radiation image capturing apparatus 1 will be described. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the radiation image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, and FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of one pixel constituting the detection unit P.

前述したように、基板4の検出部Pの各放射線検出素子7は、その第2電極78にそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極78にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。   As described above, each radiation detection element 7 of the detection unit P of the substrate 4 has the bias line 9 connected to the second electrode 78, and each bias line 9 is bound to the connection 10 to the bias power supply 14. It is connected. The bias power supply 14 applies a bias voltage to the second electrode 78 of each radiation detection element 7 via the connection 10 and each bias line 9.

また、バイアス電源14は、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22は、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を制御するようになっている。なお、本実施形態では、バイアス線9の結線10に、結線10(バイアス線9)を流れる電流の電流量を検出する電流検出手段43が設けられているが、これについては後で説明する。   The bias power source 14 is connected to a control unit 22 described later, and the control unit 22 controls a bias voltage applied to each radiation detection element 7 from the bias power source 14. In the present embodiment, the current detection means 43 for detecting the amount of current flowing through the connection 10 (bias line 9) is provided in the connection 10 of the bias line 9, which will be described later.

また、本実施形態では、放射線検出素子7のp層77側(図5参照)に第2電極78を介してバイアス線9が接続されていることからも分かるように、バイアス電源14からは、放射線検出素子7の第2電極78にバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の第1電極74側にかかる電圧以下の電圧が印加されるようになっている。   In the present embodiment, as can be seen from the fact that the bias line 9 is connected to the p-layer 77 side (see FIG. 5) of the radiation detection element 7 via the second electrode 78, A voltage equal to or lower than the voltage applied to the first electrode 74 side of the radiation detection element 7 is applied to the second electrode 78 of the radiation detection element 7 as a bias voltage via the bias line 9.

各放射線検出素子7の第1電極74はTFT8のソース電極8s(図7、図8中ではSと表記されている。)に接続されており、各TFT8のゲート電極8g(図7、図8中ではGと表記されている。)は、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる各走査線5の各ラインL1〜Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d(図7、図8中ではDと表記されている。)は各信号線6にそれぞれ接続されている。   The first electrode 74 of each radiation detection element 7 is connected to the source electrode 8s of the TFT 8 (indicated as S in FIGS. 7 and 8), and the gate electrode 8g of each TFT 8 (FIGS. 7 and 8). Are respectively connected to the lines L1 to Lx of each scanning line 5 extending from a gate driver 15b of the scanning driving means 15 described later. Further, the drain electrode 8 d (denoted as D in FIGS. 7 and 8) of each TFT 8 is connected to each signal line 6.

走査駆動手段15は、本実施形態では、電源回路15aとゲートドライバ15bとを備えており、ゲートドライバ15bに接続されている各走査線5を介してTFT8のゲート電極8gに印加する電圧を制御するようになっている。   In this embodiment, the scanning drive unit 15 includes a power supply circuit 15a and a gate driver 15b, and controls a voltage applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 via each scanning line 5 connected to the gate driver 15b. It is supposed to be.

具体的には、走査駆動手段15の電源回路15aは、ゲートドライバ15bから各走査線5に印加するオン電圧やオフ電圧の電圧値をそれぞれ所定の電圧値に設定して、ゲートドライバ15bに供給するようになっている。また、走査駆動手段15のゲートドライバ15bは、パルス幅変調(Pulse Width Modulation:PWM)により各走査線5に印加するオン電圧のパルス波のパルス幅やデューティ比を変調できるようになっている。   Specifically, the power supply circuit 15a of the scanning drive unit 15 sets the voltage values of the on voltage and the off voltage applied to each scanning line 5 from the gate driver 15b to predetermined voltage values, and supplies them to the gate driver 15b. It is supposed to be. Further, the gate driver 15b of the scanning driving means 15 can modulate the pulse width and duty ratio of the pulse wave of the on-voltage applied to each scanning line 5 by pulse width modulation (PWM).

走査駆動手段15から各走査線5を介したTFT8に対するオン電圧の印加のさせ方については後で詳しく説明する。   A method for applying the ON voltage to the TFT 8 via the scanning lines 5 from the scanning driving means 15 will be described in detail later.

各信号線6は、読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、読み出しIC16には所定個数の読み出し回路17が設けられており、読み出しIC16が複数設けられることにより、信号線6の本数分の読み出し回路17が設けられるようになっている。   Each signal line 6 is connected to each readout circuit 17 formed in the readout IC 16. Note that a predetermined number of readout circuits 17 are provided in the readout IC 16, and by providing a plurality of readout ICs 16, readout circuits 17 corresponding to the number of signal lines 6 are provided.

読み出し回路17は、増幅回路18と、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)回路19と、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とで構成されている。なお、図7や図8中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。また、図8中では、アナログマルチプレクサ21は省略されている。   The readout circuit 17 includes an amplifier circuit 18, a correlated double sampling circuit 19, an analog multiplexer 21, and an A / D converter 20. 7 and 8, the correlated double sampling circuit 19 is represented as CDS. In FIG. 8, the analog multiplexer 21 is omitted.

本実施形態では、増幅回路18はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ18aと、オペアンプ18aにそれぞれ並列にコンデンサ18bおよび電荷リセット用スイッチ18cが接続されて構成されている。また、増幅回路18のオペアンプ18aの入力側の反転入力端子には信号線6が接続されており、増幅回路18の入力側の非反転入力端子には初期電圧Vが印加されるようになっている。なお、初期電圧Vは適宜の値に設定される。 In the present embodiment, the amplifier circuit 18 is configured by a charge amplifier circuit, and is configured by connecting a capacitor 18b and a charge reset switch 18c in parallel to the operational amplifier 18a and the operational amplifier 18a. The signal line 6 is connected to the inverting input terminal on the input side of the operational amplifier 18 a of the amplifier circuit 18, and the initial voltage V 0 is applied to the non-inverting input terminal on the input side of the amplifier circuit 18. ing. The initial voltage V 0 is set to a suitable value.

また、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cは、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22によりオン/オフが制御されるようになっている。電荷リセット用スイッチ18cがオフの状態で、放射線検出素子7のTFT8がオン状態とされると(すなわち、TFT8のゲート電極8gに走査線5を介してオン電圧が印加されると)、当該放射線検出素子7から放出された電荷がコンデンサ18bに流入して蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるようになっている。   The charge reset switch 18c of the amplifier circuit 18 is connected to the control means 22 described later, and is controlled to be turned on / off by the control means 22. When the charge reset switch 18c is off and the TFT 8 of the radiation detection element 7 is turned on (that is, when an on-voltage is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 via the scanning line 5), the radiation The electric charge discharged from the detection element 7 flows into the capacitor 18b and is accumulated, and a voltage value corresponding to the accumulated electric charge is output from the output side of the operational amplifier 18a.

増幅回路18は、このようにして、各放射線検出素子7から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換して増幅するようになっている。また、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされると、増幅回路18の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ18bに蓄積された電荷が放電されて増幅回路18がリセットされるようになっている。なお、増幅回路18を、放射線検出素子7から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。   In this way, the amplifier circuit 18 outputs a voltage value in accordance with the amount of charge output from each radiation detection element 7 to perform charge voltage conversion and amplify. When the charge reset switch 18c is turned on, the input side and the output side of the amplifier circuit 18 are short-circuited, and the charge accumulated in the capacitor 18b is discharged to reset the amplifier circuit 18. ing. Note that the amplifier circuit 18 may be configured to output a current in accordance with the charge output from the radiation detection element 7.

増幅回路18の出力側には、相関二重サンプリング回路(CDS)19が接続されている。相関二重サンプリング回路19は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路19におけるサンプルホールド機能は、制御手段22から送信されるパルス信号によりそのオン/オフが制御されるようになっている。   A correlated double sampling circuit (CDS) 19 is connected to the output side of the amplifier circuit 18. In this embodiment, the correlated double sampling circuit 19 has a sample and hold function. The sample and hold function in the correlated double sampling circuit 19 is turned on / off by a pulse signal transmitted from the control means 22. To be controlled.

すなわち、相関二重サンプリング回路19は、増幅回路18がリセットされた後、電荷リセット用スイッチ18cがオフ状態とされて、放射線検出素子7から放出された電荷がコンデンサ18bに流入して蓄積され始めた時点で制御手段22から1回目のパルス信号を受信すると、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値を保持する。   That is, in the correlated double sampling circuit 19, after the amplifier circuit 18 is reset, the charge reset switch 18c is turned off, and the charge discharged from the radiation detection element 7 starts to flow into the capacitor 18b and accumulate. When the first pulse signal is received from the control means 22 at that time, the voltage value output from the amplifier circuit 18 at that time is held.

そして、その時点から所定時間経過した後、放射線検出素子7から放出された電荷がコンデンサ18bに流入して蓄積された時点で制御手段22から2回目のパルス信号を受信すると、その時点で再び増幅回路18から出力されている電圧値を保持して、それらの電圧値の差分値を下流側に画像データとして出力するようになっている。   Then, after a lapse of a predetermined time from that point, when the second pulse signal is received from the control means 22 when the electric charge released from the radiation detecting element 7 flows into the capacitor 18b and is accumulated, it is amplified again at that point. The voltage value output from the circuit 18 is held, and the difference value between these voltage values is output downstream as image data.

相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7の画像データは、アナログマルチプレクサ21に送信され、アナログマルチプレクサ21から順次A/D変換器20に送信される。そして、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データに変換されて記憶手段40に出力されて順次保存されるようになっている。   The image data of each radiation detection element 7 output from the correlated double sampling circuit 19 is transmitted to the analog multiplexer 21 and sequentially transmitted from the analog multiplexer 21 to the A / D converter 20. Then, the A / D converter 20 sequentially converts the image data into digital values, which are output to the storage means 40 and sequentially stored.

制御手段22は、図示しないCPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータにより構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。また、制御手段22には、DRAM(Dynamic RAM)等で構成される記憶手段40が接続されている。   The control means 22 is constituted by a computer in which a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output interface and the like (not shown) are connected to a bus. It may be configured by a dedicated control circuit. And the control means 22 controls operation | movement etc. of each member of the radiographic imaging apparatus 1. The control means 22 is connected to a storage means 40 composed of a DRAM (Dynamic RAM) or the like.

また、制御手段22には、前述したアンテナ装置39が接続されており、さらに、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段40、バイアス電源14等の各部材に電力を供給するためのバッテリ41が接続されている。このように、バッテリ41は、放射線画像撮影装置1のハウジング2内に内蔵されており、バッテリ41には、外部装置からバッテリ41に電力を供給してバッテリ41を充電する際の接続端子42が取り付けられている。   The control unit 22 is connected to the antenna device 39 described above, and further supplies power to each member such as the detection unit P, the scanning drive unit 15, the readout circuit 17, the storage unit 40, and the bias power source 14. A battery 41 is connected. As described above, the battery 41 is built in the housing 2 of the radiographic imaging apparatus 1, and the battery 41 has a connection terminal 42 for supplying power from the external device to the battery 41 to charge the battery 41. It is attached.

前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり、読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフを制御したり、相関二重サンプリング回路19にパルス信号を送信して、そのサンプルホールド機能のオン/オフを制御する等の各種の処理を実行するようになっている。   As described above, the control means 22 controls the bias power supply 14 to set a bias voltage to be applied to each radiation detection element 7 from the bias power supply 14, or the charge reset switch 18 c of the amplification circuit 18 of the readout circuit 17. Various processes such as on / off control and transmission of a pulse signal to the correlated double sampling circuit 19 to control on / off of the sample hold function are executed.

また、制御手段22は、放射線技師等の操作者により電源スイッチ36が操作される等して手動で、或いは、外部装置からアンテナ装置39を介して無線で、信号が入力されることにより、各部材に対する電力の供給状態を、放射線検出素子7等への電力の供給を停止して必要な部材にのみ電力を供給する省電力モード(sleepモード)と、放射線検出素子7等に電力を供給して放射線画像撮影を可能とする撮影可能モード(wake upモード)との間で切り替えることができるように構成されている。   In addition, the control means 22 is configured such that a signal is input manually by an operator such as a radiologist operating the power switch 36 or wirelessly through an antenna device 39 from an external device. The power supply state to the member is set to a power saving mode (sleep mode) in which the supply of power to the radiation detecting element 7 or the like is stopped and power is supplied only to the necessary member, and the power is supplied to the radiation detecting element 7 or the like. Thus, it is configured to be able to switch between a radiographable mode (wake up mode) that enables radiographic imaging.

省電力モードでは、放射線検出素子7等に電力が供給されないため、バッテリ41の電力消費を抑制することができるが、放射線画像撮影を行うことはできない。また、撮影可能モードでは、放射線検出素子7等の各部材に電力が供給されて放射線検出が可能な状態となるが、バッテリ41の電力が消費される。そのため、制御手段22は、各部材に対する電力の供給状態を撮影可能モードに切り替えた後、所定時間経過しても放射線画像撮影装置1に放射線が照射されない場合には、各部材に対する電力の供給状態を省電力モードに切り替えるようになっている。   In the power saving mode, since power is not supplied to the radiation detection element 7 and the like, power consumption of the battery 41 can be suppressed, but radiographic imaging cannot be performed. In the photographing enabled mode, power is supplied to each member such as the radiation detection element 7 and radiation detection is possible, but the power of the battery 41 is consumed. For this reason, the control unit 22 switches the power supply state to each member to the photographing enabled mode, and if the radiation image capturing apparatus 1 is not irradiated with radiation even after a predetermined time has elapsed, the power supply state to each member. Switch to the power saving mode.

電流検出手段43は、各バイアス線9が結束された結線10内を流れる電流を検出するようになっている。本実施形態では、電流検出手段43は、図示を省略するが、結線10に直列に接続される所定の抵抗値を有する抵抗と、抵抗の両端子間の電圧を測定する差動アンプとを備えて構成されており、差動アンプで抵抗の両端子間の電圧を測定することで結線10を流れる電流を電圧値に変換して検出するようになっている。   The current detection means 43 detects a current flowing in the connection 10 in which the bias lines 9 are bundled. In the present embodiment, the current detection unit 43 includes a resistor having a predetermined resistance value connected in series to the connection 10 and a differential amplifier that measures a voltage between both terminals of the resistor, although not illustrated. By measuring the voltage between both terminals of the resistor with a differential amplifier, the current flowing through the connection 10 is converted into a voltage value and detected.

電流検出手段43に備えられる前記抵抗としては、各バイアス線9や結線10を流れる微弱な電流を増幅して電圧値に変換するために比較的大きな抵抗値を有する抵抗が用いられるようになっており、電流検出手段43は、検出した結線10の電流量に相当する電圧値を制御手段22に出力するようになっている。   As the resistor provided in the current detecting means 43, a resistor having a relatively large resistance value is used in order to amplify a weak current flowing through each bias line 9 and connection 10 and convert it to a voltage value. The current detection means 43 outputs a voltage value corresponding to the detected current amount of the connection 10 to the control means 22.

なお、例えば放射線画像撮影時の放射線照射によって放射線検出素子7内に蓄積された電荷を読み出す際に、バイアス線9や結線10等にも電流が流れるが、電流検出手段43の抵抗の抵抗値が比較的大きいと、バイアス線9や結線10等を流れる電流の妨げとなる。   Note that, for example, when reading the electric charge accumulated in the radiation detection element 7 by radiation irradiation at the time of radiographic imaging, a current also flows through the bias line 9 and the connection 10, but the resistance value of the resistance of the current detection unit 43 is If it is relatively large, the current flowing through the bias line 9 and the connection line 10 will be hindered.

そのため、電流検出手段43には前記抵抗の両端子間を短絡する図示しないスイッチが設けられており、制御手段22は、通常の状態ではこのスイッチをオン状態として抵抗の両端子間を短絡させておき、バイアス線9や結線10等に流れる電流量に相当する電圧値の情報が必要な場合等にスイッチをオフ状態に切り替えて、電流検出手段43から検出した結線10の電流量に相当する電圧値を制御手段22や走査駆動手段15に出力させるようになっている。   For this reason, the current detecting means 43 is provided with a switch (not shown) for short-circuiting both terminals of the resistor, and the control means 22 is normally turned on to short-circuit between both terminals of the resistor. When the voltage value information corresponding to the amount of current flowing through the bias line 9 or the connection 10 is necessary, the switch is turned off, and the voltage corresponding to the current amount of the connection 10 detected from the current detection means 43 The value is output to the control means 22 and the scanning drive means 15.

次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1における走査駆動手段15から各走査線5を介したTFT8に対するオン電圧の印加のさせ方について説明する。   Next, the operation of the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment will be described, and the application of the on-voltage to the TFTs 8 via the scanning lines 5 from the scanning drive unit 15 in the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment will be described. How to let it be explained.

放射線画像撮影装置1の制御手段22(図7参照)は、放射線画像撮影を行うために操作者により手動で、或いは外部装置からアンテナ装置39を介して無線で覚醒信号が入力されると、放射線画像撮影装置1の各部材に対する電力の供給状態を省電力モードから撮影可能モードに切り替える。   The control means 22 (see FIG. 7) of the radiographic image capturing apparatus 1 receives radiation signals when an awakening signal is input manually by an operator to perform radiographic image capturing or wirelessly from an external device via the antenna device 39. The power supply state for each member of the image capturing apparatus 1 is switched from the power saving mode to the image capturing possible mode.

走査駆動手段15の電源回路15aには、走査線5を介して各放射線検出素子7のスイッチ手段であるTFT8のゲート電極8gに印加するオフ電圧Voff、すなわち各放射線検出素子7のTFT8を閉じるためのオフ電圧Voffとして、例えば図9に示すように−10[V]の電圧値を印加するように設定されている。   The power supply circuit 15a of the scanning drive means 15 is used to close the off voltage Voff applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 serving as the switch means of each radiation detection element 7 via the scanning line 5, that is, the TFT 8 of each radiation detection element 7. For example, as shown in FIG. 9, a voltage value of −10 [V] is applied as the OFF voltage Voff.

そして、制御手段22は、各部材に対する電力の供給状態が省電力モードから撮影可能モードに切り替えると走査駆動手段15に信号を送信し、走査駆動手段15の電源回路15aは、制御手段22から信号を受信すると、ゲートドライバ15bに対してオフ電圧Voffを設定する。そして、走査駆動手段15のゲートドライバ15bは、走査線5の全てのラインL1〜Lxを介して全てのTFT8に対してオフ電圧Voffを印加する(時刻T0)。   The control unit 22 transmits a signal to the scanning drive unit 15 when the power supply state to each member is switched from the power saving mode to the photographing enable mode. The power supply circuit 15a of the scanning drive unit 15 receives a signal from the control unit 22. , The off voltage Voff is set for the gate driver 15b. Then, the gate driver 15b of the scanning drive unit 15 applies the off voltage Voff to all the TFTs 8 via all the lines L1 to Lx of the scanning line 5 (time T0).

また、制御手段22は、各部材に対する電力の供給状態が省電力モードから撮影可能モードに切り替えると、バイアス電源14に信号を送信して、バイアス電源14から各バイアス線9や結線10を介して各放射線検出素子7に対して所定の電圧値のバイアス電圧を印加させる。   Further, when the power supply state for each member is switched from the power saving mode to the photographing enable mode, the control means 22 transmits a signal to the bias power source 14 and from the bias power source 14 via each bias line 9 and connection 10. A bias voltage having a predetermined voltage value is applied to each radiation detection element 7.

各部材に対する電力の供給状態が撮影可能モードに切り替えられ、各部材に電力が供給されてスタンバイ状態になると、走査駆動手段15は、ゲートドライバ15bから走査線5の全てのラインL1〜Lxを介して、全てのTFT8に対して、通常のオン電圧である例えば+15[V]のオン電圧Von1を印加する(時刻T1)。   When the supply state of power to each member is switched to the photographing enabled mode and power is supplied to each member to enter a standby state, the scanning drive unit 15 passes through all the lines L1 to Lx of the scanning line 5 from the gate driver 15b. Thus, the normal ON voltage, for example, +15 [V] ON voltage Von1 is applied to all TFTs 8 (time T1).

ゲート電極8gにオン電圧Von1が印加されるとTFT8がオン状態となり、各放射線検出素子7から第1電極74付近に溜まっていた余分な電荷(本実施形態では電子)が信号線6にそれぞれ流出する。一方、各放射線検出素子7の反対側の電極である第2電極78付近には第1電極74付近に溜まっていた余分な電荷とは正負が反対の電荷(本実施形態では正孔)が溜まっているが、電荷(電子)の信号線6への流出にあわせて、その電荷(正孔)も各バイアス線9に流出し、結線10を通ってバイアス電源14に流れ込む。   When the on voltage Von1 is applied to the gate electrode 8g, the TFT 8 is turned on, and excess charges (electrons in this embodiment) accumulated in the vicinity of the first electrode 74 from each radiation detection element 7 flow out to the signal line 6 respectively. To do. On the other hand, in the vicinity of the second electrode 78, which is the opposite electrode of each radiation detection element 7, a charge (in this embodiment, positive and negative) opposite to the excess charge accumulated in the vicinity of the first electrode 74 is accumulated. However, as charges (electrons) flow out to the signal line 6, the charges (holes) flow out to the bias lines 9 and flow into the bias power source 14 through the connection 10.

バイアス電源14に流れ込む電流を電流検出手段43でモニタすると、図10(A)に示すようにTFT8のゲート電極8gに印加される電圧Vがオフ電圧Voffからオン電圧Vonに切り替わると、図10(B)に示すように、各放射線検出素子7の第2電極78から流出した電荷が各バイアス線9を介して結線10に集められ、バイアス電源14に流れ込む電流Iが大きく立ち上がる。   When the current flowing into the bias power source 14 is monitored by the current detection means 43, as shown in FIG. 10A, when the voltage V applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 is switched from the off voltage Voff to the on voltage Von, FIG. As shown in B), the electric charge flowing out from the second electrode 78 of each radiation detecting element 7 is collected in the connection 10 via the respective bias lines 9, and the current I flowing into the bias power source 14 rises greatly.

そして、図20に示したように、各放射線検出素子7が正常で、各放射線検出素子7から流出する電流の電流量iが暗電荷に起因する暗電流の電流量idのレベルまで降下するものであれば、図11(A)に示すように、仮にTFT8に通常のオン電圧Von1を印加し続けた場合には、図11(B)に示すように、バイアス電源14に流れ込む電流Iが増加して、一旦ピークに達した後、次第に減少していき、各放射線検出素子7から流出する暗電流の電流量idの総和に相当する電流量Idまで減少する。   Then, as shown in FIG. 20, each radiation detection element 7 is normal, and the current amount i of the current flowing out from each radiation detection element 7 falls to the level of the current amount id of the dark current caused by the dark charge. Then, as shown in FIG. 11A, if a normal on-voltage Von1 is continuously applied to the TFT 8, as shown in FIG. 11B, the current I flowing into the bias power source 14 increases as shown in FIG. Then, after reaching the peak once, it gradually decreases and decreases to a current amount Id corresponding to the sum of the current amounts id of the dark currents flowing out from the radiation detection elements 7.

このように、全ての放射線検出素子7が正常であれば、TFT8に印加するオン電圧Von1が通常の例えば+15[V]のように高い値のままでも、各放射線検出素子7に溜まっていた余分な電荷が信号線6やバイアス線9に流出した後、バイアス線9等に流れる電流量を、暗電流の電流量idの総和に相当する電流量Idまで低下させることができ、各放射線検出素子7から余分な電荷を十分に除去することが可能となるとともに、バッテリ41の電力の消費を抑制することが可能となる。   As described above, if all the radiation detection elements 7 are normal, even if the on-voltage Von1 applied to the TFT 8 remains at a high value, for example, +15 [V], the excess is accumulated in each radiation detection element 7. After a large amount of charge flows out to the signal line 6 and the bias line 9, the amount of current flowing through the bias line 9 can be reduced to a current amount Id corresponding to the sum of the dark current amounts id. Thus, it is possible to sufficiently remove excess charges from the battery 7, and to suppress power consumption of the battery 41.

しかし、前述したように、放射線検出素子7の中には、図21に示したように、TFT8をオン状態とするとあたかも電極74と電極78との間が導線で接続されているのと同等の電流が流れてしまう異常な放射線検出素子7が存在する。   However, as described above, in the radiation detection element 7, as shown in FIG. 21, when the TFT 8 is turned on, it is equivalent to that the electrode 74 and the electrode 78 are connected by a conductive wire. There is an abnormal radiation detection element 7 through which current flows.

そして、どの程度の数の異常な放射線検出素子7が存在するかにもよるが、このように異常な放射線検出素子7が存在する場合、図11(A)に示したようにTFT8に通常のオン電圧Von1を印加し続けると、図12に示すように、バイアス電源14に流れ込む電流Iは、各放射線検出素子7から流出する暗電流の電流量idの総和に相当する電流量Idよりも高い、比較的大きな電流量Irealまでしか減少しない。   Depending on how many abnormal radiation detection elements 7 are present, if there is such an abnormal radiation detection element 7, a normal TFT 8 is provided in the TFT 8 as shown in FIG. If the on-voltage Von1 is continuously applied, as shown in FIG. 12, the current I flowing into the bias power source 14 is higher than the current amount Id corresponding to the sum of the current amounts id of the dark currents flowing out from the radiation detection elements 7. However, it decreases only to a relatively large current amount Ireal.

これでは、各放射線検出素子7に溜まっていた余分な電荷が十分に信号線6やバイアス線9に流出するとしても、信号線6やバイアス線9、結線10に流れる電流量が、暗電流の電流量idの総和に相当する電流量Idまで下がらずに、比較的大きな値の電流が流れ続けるため、バッテリ41の電力の消費を抑制することができず、バッテリ41が消耗してしまう。   In this case, even if excess charges accumulated in each radiation detection element 7 sufficiently flow out to the signal line 6 and the bias line 9, the amount of current flowing through the signal line 6, the bias line 9, and the connection line 10 is the dark current. Since the current of a relatively large value continues to flow without decreasing to the current amount Id corresponding to the sum of the current amounts id, the power consumption of the battery 41 cannot be suppressed and the battery 41 is consumed.

そこで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1では、放射線検出素子7のリセット処理を行う際、走査駆動手段15は、図9に示したように、ゲートドライバ15bに接続された走査線5の全てのラインL1〜Lxを介して、各放射線検出素子7のスイッチ手段である全てのTFT8に対して、時刻T0にオフ電圧Voffを印加する。   Therefore, in the radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment, when performing the reset process of the radiation detection element 7, the scanning drive unit 15 includes the scanning line 5 connected to the gate driver 15b as shown in FIG. The off voltage Voff is applied at time T0 to all the TFTs 8 that are the switching means of each radiation detection element 7 through all the lines L1 to Lx.

そして、時刻T1に通常のオン電圧であるオン電圧Von1を印加した後、時刻T2でオン電圧の電圧値を電圧値Von2に低下させて、放射線の照射が開始されるまで、各走査線5を介して各TFT8に対してこの低下させたオン電圧Von2を印加し続けるようになっている。   Then, after applying the on-voltage Von1 that is a normal on-voltage at time T1, the voltage value of the on-voltage is lowered to the voltage value Von2 at time T2, and each scanning line 5 is changed until radiation irradiation is started. Thus, the reduced ON voltage Von2 is continuously applied to each TFT8.

その際、本実施形態では、低下させたオン電圧の電圧値Von2は、このオン電圧Von2をTFT8のゲート電極8gに印加してTFT8をオン状態とした場合にTFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von2)が、正常な放射線検出素子7に流れる、暗電流を含むリーク電流の電流量ileakを少し上回る量になるような電圧値に設定される。   At this time, in this embodiment, the voltage value Von2 of the reduced on-voltage is the maximum on-current that can flow through the TFT 8 when the on-voltage Von2 is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 and the TFT 8 is turned on. The amount imax (Von2) is set to a voltage value that slightly exceeds the current amount ileak of the leak current including the dark current flowing through the normal radiation detection element 7.

すなわち、電圧値がVonのオン電圧をTFT8のゲート電極8gに印加してTFT8をオン状態とした場合に、TFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von)は、TFT8のゲート電極8gに印加したオン電圧の電圧値Vonに依存して変化し、オン電圧の電圧値Vonが小さくなるほどTFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von)が小さくなる。そして、オン電圧の電圧値Vonが閾値Vthまで小さくなると、TFT8を流れ得る電流量が急激に減少する。   That is, when an on-voltage having a voltage value of Von is applied to the gate electrode 8g of the TFT8 to turn on the TFT8, the maximum amount of on-current imax (Von) that can flow through the TFT8 is applied to the gate electrode 8g of the TFT8. It changes depending on the voltage value Von of the applied ON voltage, and the maximum current amount imax (Von) of the ON current that can flow through the TFT 8 decreases as the voltage value Von of the ON voltage decreases. When the voltage value Von of the on-voltage decreases to the threshold value Vth, the amount of current that can flow through the TFT 8 rapidly decreases.

急激に減少したTFT8を流れ得る電流量は、TFT8が通常のシリコン系のトランジスタデバイスの場合でも流れ得るオン電流の電流量と比較して4、5桁程度小さく、本実施形態のような(水素化)アモルファスシリコンTFTの場合には7桁程度小さい。そして、急激に減少したTFT8を流れ得る電流量は、正常な放射線検出素子7に流れる、暗電流を含むリーク電流の電流量ileakを大きく下回る値となる。   The amount of current that can flow through the TFT 8 that has decreased sharply is about 4 to 5 orders of magnitude smaller than the amount of on-state current that can flow even when the TFT 8 is an ordinary silicon-based transistor device. In the case of an amorphous silicon TFT, it is about 7 orders of magnitude smaller. Then, the amount of current that can flow through the TFT 8 that has decreased sharply is a value that is much lower than the amount of leakage current ileak that includes the dark current that flows through the normal radiation detection element 7.

そのため、このようなTFT8を流れ得る電流量が急激に減少する閾値Vthの電圧値をTFT8のゲート電極8gに印加すると、事実上、放射線検出素子7から暗電流はTFT8を介して流れ出なくなり、放射線検出素子7内に蓄積されるようになる。しかし、これでは、放射線の照射が開始されるまでに各放射線検出素子7内に発生する暗電荷等の余分な電荷を放出させて、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分を画像データから除去するという目的を達成することができなくなる。   For this reason, when a voltage value of the threshold value Vth at which the amount of current that can flow through the TFT 8 sharply decreases is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8, the dark current effectively does not flow from the radiation detection element 7 through the TFT 8, It accumulates in the detection element 7. However, in this case, excess charges such as dark charges generated in each radiation detection element 7 are released before the start of radiation irradiation, and at least noise components generated until the start of radiation irradiation are detected from the image data. The purpose of removal cannot be achieved.

また、TFT8のゲート電極8gに印加するオン電圧をこの閾値Vthより上昇させて、TFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von)を増やしても、TFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von)が、正常な放射線検出素子7に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量ileakよりも小さければ、やはり、放射線検出素子7から流出しきれなかった電荷が放射線検出素子7内に蓄積されるようになる。   Further, even if the ON voltage applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 is increased above the threshold value Vth and the maximum ON current imax (Von) that can flow through the TFT 8 is increased, the maximum ON current that can flow through the TFT 8 is increased. If imax (Von) is smaller than the current amount ileak of the leak current including the dark current flowing through the normal radiation detection element 7, the charge that could not flow out of the radiation detection element 7 is accumulated in the radiation detection element 7. Will come to be.

そこで、本実施形態では、TFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von2)が、正常な放射線検出素子7に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量ileakと同じ量、或いは多少余裕をもたせてそれを少し上回る量になるように、低下させたオン電圧の電圧値Von2を設定するようになっている。   Therefore, in the present embodiment, the maximum current amount imax (Von2) of the on-current that can flow through the TFT 8 is the same as the leakage current amount ileak including the dark current that flows through the normal radiation detection element 7 or has some margin. The voltage value Von2 of the lowered on-voltage is set so that the amount is slightly larger than that.

そして、放射線検出素子7のリセット処理の際、走査駆動手段15は、図9に示したように、ゲートドライバ15bに接続された走査線5の全てのラインL1〜Lxを介して、各放射線検出素子7のスイッチ手段である全てのTFT8に対して、時刻T0に通常のオフ電圧Voffを印加し、時刻T1に通常のオン電圧であるオン電圧Von1を印加した後、時刻T2でオン電圧の電圧値を上記の電圧値Von2に低下させて、そのオン電圧Von2を時刻T3で放射線の照射が開始されるまで継続して印加する。   When the radiation detection element 7 is reset, the scanning drive unit 15 detects each radiation through all the lines L1 to Lx of the scanning line 5 connected to the gate driver 15b as shown in FIG. A normal off voltage Voff is applied at time T0 to all TFTs 8 serving as switching means of the element 7, and an on voltage Von1 that is a normal on voltage is applied at time T1. The value is decreased to the voltage value Von2, and the on-voltage Von2 is continuously applied until radiation irradiation is started at time T3.

このようにオン電圧Vonを変化させると、時刻T1に通常のオン電圧であるオン電圧Von1を印加した段階で、正常な放射線検出素子7からも異常な放射線検出素子7からも、ともにそれらに蓄積されている余分な電荷が一斉に信号線6やバイアス線9に放出される。   When the on-voltage Von is changed in this way, both the normal radiation detection element 7 and the abnormal radiation detection element 7 accumulate in the on-voltage Von1 which is a normal on-voltage at time T1. The excess electric charges are released to the signal line 6 and the bias line 9 all at once.

そして、時刻T2以降、オン電圧の電圧値を上記の電圧値Von2に低下させると、上記のように、正常な放射線検出素子7に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量ileakは、このオン電圧Von2でTFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von2)より小さい。そのため、正常な各放射線検出素子7からは、このオン電圧Von2の下で、暗電流を含むリーク電流の電流量ileakが流出する。   After the time T2, when the voltage value of the on-voltage is lowered to the voltage value Von2, as described above, the current amount ileak of the leak current including the dark current flowing through the normal radiation detecting element 7 becomes the on-voltage. The on-current maximum current amount imax (Von2) that can flow through the TFT 8 at Von2 is smaller. Therefore, a current amount ileak of a leakage current including a dark current flows out from each normal radiation detection element 7 under this on-voltage Von2.

なお、このように、このオン電圧Von2の下では、正常な各放射線検出素子7から暗電流を含むリーク電流の電流量ileakの全量がTFT8を介して流出するため、時刻T2以降に正常な各放射線検出素子7内で発生する暗電荷等も全て流出し、正常な各放射線検出素子7内に新たに電荷が蓄積されることはない。   In this way, under this on-voltage Von2, since all the leakage current amount ileak including dark current flows out from each normal radiation detecting element 7 through the TFT 8, each normal after the time T2 All dark charges and the like generated in the radiation detection element 7 also flow out, and no new charge is accumulated in each normal radiation detection element 7.

一方、異常な放射線検出素子7では、発生する暗電流を含め、TFT8を流れ得る限りの最大電流量imax(Von2)のオン電流が流れる。しかし、上記のように、この場合、TFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von2)は、正常な放射線検出素子7に流れる、暗電流を含むリーク電流の電流量ileakと同じ量、或いはそれを少し上回る量になるように設定される。   On the other hand, in the abnormal radiation detection element 7, an on-current having a maximum current amount imax (Von2) as long as it can flow through the TFT 8 including a generated dark current flows. However, as described above, in this case, the maximum current amount imax (Von2) of the on-current that can flow through the TFT 8 is the same amount as the current amount ileak of the leakage current including the dark current that flows in the normal radiation detection element 7, or It is set to be a little higher than that.

そのため、異常な各放射線検出素子7からは、このオン電圧Von2の下で、正常な放射線検出素子7に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量ileakと同量、或いはそれを少し上回る量の最大電流量imax(Von2)のオン電流が流出する。   For this reason, each of the abnormal radiation detection elements 7 has a maximum amount that is the same as or slightly larger than the current amount ileak of the leakage current including the dark current flowing through the normal radiation detection element 7 under the ON voltage Von2. An on-current with a current amount imax (Von2) flows out.

なお、オン電圧Von2の下では、異常な各放射線検出素子7からも電流量ileakと同量以上の電流量がTFT8を介して流出するため、時刻T2以降に異常な各放射線検出素子7内で発生する暗電荷等も全て流出し、異常な各放射線検出素子7内にも新たに電荷が蓄積されることはない。   Note that under the ON voltage Von2, a current amount equal to or greater than the current amount ileak flows out from each abnormal radiation detection element 7 through the TFT 8, and therefore in each abnormal radiation detection element 7 after time T2. All the generated dark charges and the like also flow out, and no new charges are accumulated in each abnormal radiation detection element 7.

放射線検出素子7のリセット処理の際に、上記のように、全てのTFT8に対して、一旦、通常のオン電圧であるオン電圧Von1を印加することで、正常な放射線検出素子7についても異常な放射線検出素子7についても蓄積されている余分な電荷を十分に放出することが可能となるとともに、その後、オン電圧の電圧値を上記の電圧値Von2に低下させてオン電圧Von2の印加を放射線の照射が開始されるまで継続する。   When the radiation detection element 7 is reset, as described above, the normal radiation detection element 7 is also abnormal by applying the on voltage Von1 that is a normal on voltage to all the TFTs 8 once. The radiation detection element 7 can sufficiently discharge the accumulated charge, and then the on-voltage value is reduced to the above-mentioned voltage value Von2 to apply the on-voltage Von2. Continue until irradiation begins.

このように構成することで、正常な放射線検出素子7についてはもちろん、異常な放射線検出素子7についても、それから流出する電流量を、正常な放射線検出素子7に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量ileakと同量、或いはそれに近い量まで減少させることが可能となる。   By configuring in this way, not only the normal radiation detection element 7 but also the abnormal radiation detection element 7, the amount of current flowing out from the normal radiation detection element 7 is a current of a leak current including a dark current flowing through the normal radiation detection element 7. It is possible to reduce the amount to the same amount as or close to the amount ileak.

そのため、放射線検出素子7の中に異常な放射線検出素子7が存在する場合でも、走査駆動手段15から各走査線5を介してTFT8に印加するオン電圧Vonを図9に示したように変化させることにより、図13に示すように、バイアス電源14に流れ込む電流Iを、全放射線検出素子7が正常な放射線検出素子7で構成されている場合の暗電流の電流量idの総和に相当する電流量Id(図11(B)参照)に近い電流量Id(図13参照)まで減少させることが可能となる。 Therefore, even when an abnormal radiation detection element 7 is present in the radiation detection element 7, the ON voltage Von applied to the TFT 8 from the scanning drive means 15 via each scanning line 5 is changed as shown in FIG. Thus, as shown in FIG. 13, the current I flowing into the bias power source 14 is a current corresponding to the sum of the dark current amounts id when all the radiation detection elements 7 are composed of normal radiation detection elements 7. It is possible to reduce the current amount to Id * (see FIG. 13) close to the amount Id (see FIG. 11B).

また、そのため、バッテリ41の電力の消費を抑制することが可能となる。そして、各放射線検出素子7から余分な電荷を十分に除去することができ、しかも、そのオン電圧Von2の印加が放射線の照射が開始されるまで継続されるため、正常な放射線検出素子7にも、異常な各放射線検出素子7にも、新たに電荷が蓄積されることはない。そのため、最終的に得られる画像データの中から、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分を除去することが可能となる。   For this reason, the power consumption of the battery 41 can be suppressed. Then, excess charges can be sufficiently removed from each radiation detection element 7, and the application of the on-voltage Von2 is continued until radiation irradiation is started. In addition, no charge is newly accumulated in each abnormal radiation detection element 7. Therefore, it is possible to remove noise components generated at least before the start of radiation irradiation from the finally obtained image data.

なお、走査駆動手段15がTFT8のゲート電極8gに印加するオン電圧Vonを、オン電圧Von1からオン電圧Von2に低下させる時刻T2については、TFT8のゲート電極8gに印加する電圧をオフ電圧Voffからオン電圧Von1に切り替えた時刻T1から時間経過をカウントし、予め設定された所定時間が経過した時点として設定することが可能である。   It should be noted that the voltage applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 is turned on from the off voltage Voff at the time T2 when the scan driving means 15 lowers the on voltage Von applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 from the on voltage Von1 to the on voltage Von2. It is possible to count the elapsed time from time T1 when switching to the voltage Von1 and set it as the time when a predetermined time has elapsed.

また、TFT8のゲート電極8gにオン電圧Von1を印加して、各放射線検出素子7に溜まっていた余分な電荷を確実に信号線6やバイアス線9に流出させるために、例えば、電流検出手段43で検出されたバイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iを走査駆動手段15に送信し、走査駆動手段15で、電流量Iの時間変化率が所定の閾値以下になった時点を時刻T2として各TFT8に印加するオン電圧をVon2に低下させるように構成することも可能である。   Further, in order to apply the on-voltage Von1 to the gate electrode 8g of the TFT 8 and to ensure that excess charges accumulated in each radiation detection element 7 flow out to the signal line 6 and the bias line 9, for example, current detection means 43 The current amount I of the current flowing through the connection 10 of the bias line 9 detected in step S1 is transmitted to the scanning drive means 15, and the time when the time change rate of the current amount I becomes equal to or less than a predetermined threshold value by the scan drive means 15 It is also possible to configure so that the ON voltage applied to each TFT 8 as T2 is reduced to Von2.

例えば、所定の閾値を0に設定すれば、TFT8のゲート電極8gにオン電圧Von1を印加して各放射線検出素子7から余分な電荷が流出し、バイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iが増加してピークに達し、余分な電荷が十分に信号線6やバイアス線9に流出された時点でオン電圧Vonがオン電圧Von2に低下されるため、各放射線検出素子7に溜まっていた余分な電荷を確実に信号線6やバイアス線9に流出させることが可能となる。   For example, if the predetermined threshold value is set to 0, the on-voltage Von1 is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 and excess charge flows out from each radiation detection element 7, and the amount of current flowing through the connection 10 of the bias line 9 When I increases and reaches a peak, and the excess charge is sufficiently discharged to the signal line 6 and the bias line 9, the on-voltage Von is lowered to the on-voltage Von 2. Excess charge can be reliably discharged to the signal line 6 and the bias line 9.

なお、所定の閾値を他の値に設定することも可能であり、適宜の値に設定される。また、電流検出手段43で検出されたバイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iを、走査駆動手段15に送信する代わりに、制御手段22に送信し、制御手段22で、電流量Iの時間変化率が所定の閾値以下になったか否かを判断し、電流量Iの時間変化率が所定の閾値以下になったと判断した時点(時刻T2)で走査駆動手段15に信号を送信して各TFT8に印加するオン電圧をVon2に低下させるように構成することも可能である。   Note that the predetermined threshold value can be set to another value, and is set to an appropriate value. Also, instead of transmitting the current amount I of the current flowing through the connection 10 of the bias line 9 detected by the current detecting unit 43 to the scanning drive unit 15, the current amount I is transmitted to the control unit 22. It is determined whether or not the time change rate of the current amount I has become a predetermined threshold value or less, and a signal is transmitted to the scanning drive means 15 when it is determined that the time change rate of the current amount I has become the predetermined threshold value or less (time T2). It is also possible to reduce the ON voltage applied to each TFT 8 to Von2.

一方、本実施形態では、走査駆動手段15は、図9に示したように、各走査線5を介して各TFT8のゲート電極8gに印加するオン電圧を時刻T2で電圧値Von2に低下させた後、時刻T3で放射線の照射が開始されると、各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオフ電圧Voffに切り替えるようになっている。   On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, the scanning drive unit 15 reduces the ON voltage applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 via each scanning line 5 to the voltage value Von2 at time T2. Thereafter, when radiation irradiation is started at time T3, the voltages applied to the gate electrodes 8g of the TFTs 8 are simultaneously switched to the off voltage Voff.

この場合、例えば放射線画像撮影装置1に放射線の照射を検出する図示しない放射線センサを取り付けておき、放射線センサから送信されてくる検出信号に基づいて放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することも可能である。   In this case, for example, a radiation sensor (not shown) for detecting radiation irradiation is attached to the radiation imaging apparatus 1, and radiation irradiation to the radiation imaging apparatus 1 is started based on a detection signal transmitted from the radiation sensor. It can also be configured to detect this.

しかし、本実施形態では、電流検出手段43で検出されるバイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iを監視することで、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されたことを検出するようになっている。   However, in the present embodiment, by monitoring the current amount I of the current flowing through the connection 10 of the bias line 9 detected by the current detection means 43, it is detected that the radiation imaging apparatus 1 has started irradiation with radiation. It is supposed to be.

具体的には、本実施形態では、各TFT8のゲート電極8gに低下されたオン電圧Von2が印加されている状態で放射線画像撮影装置1に放射線が照射される。そして、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、照射された放射線がシンチレータ3で可視光等の別の波長の電磁波に変換され、その電磁波が直下の放射線検出素子7に入射する。入射した電磁波は放射線検出素子7のi層76(図5参照)に到達して、i層76内で電子正孔対が発生する。   Specifically, in the present embodiment, the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation while the reduced on-voltage Von2 is applied to the gate electrode 8g of each TFT 8. When the radiation image capturing apparatus 1 is irradiated with radiation, the irradiated radiation is converted into an electromagnetic wave of another wavelength such as visible light by the scintillator 3, and the electromagnetic wave enters the radiation detection element 7 directly below. The incident electromagnetic wave reaches the i layer 76 (see FIG. 5) of the radiation detection element 7, and electron-hole pairs are generated in the i layer 76.

放射線検出素子7内には、バイアス電源14からバイアス線9等を介して印加されたバイアス電圧により所定の電位勾配が形成されており、放射線検出素子7内で発生した電子正孔対のうち、一方の電荷(本実施形態では電子)が第1電極74側に移動する。また、この一方の電荷と等量の他方の電荷(本実施形態では正孔)は、放射線検出素子7の第2電極78側に移動する。   A predetermined potential gradient is formed in the radiation detection element 7 by a bias voltage applied from the bias power supply 14 via the bias line 9 and the like, and among the electron-hole pairs generated in the radiation detection element 7, One charge (electrons in this embodiment) moves to the first electrode 74 side. In addition, the other charge (hole in this embodiment) having the same amount as the one charge moves to the second electrode 78 side of the radiation detection element 7.

この場合、TFT8のゲート電極8gにはオン電圧Von2が印加されていてTFT8がオン状態となっているため、放射線検出素子7の第1電極74側に移動した電子は第1電極74から流出してTFT8を介して信号線6に流出し、放射線検出素子7の第2電極78側に移動した正孔は第2電極78からバイアス線9に流出して結線10中を流れ、電流検出手段43で検出される。そのため、図14に示すように、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると、バイアス線9の結線10中を流れる電流の電流量Iが増加する。   In this case, since the ON voltage Von2 is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 and the TFT 8 is in the ON state, the electrons that have moved to the first electrode 74 side of the radiation detection element 7 flow out of the first electrode 74. Then, the holes flowing out to the signal line 6 through the TFT 8 and moving to the second electrode 78 side of the radiation detecting element 7 flow out from the second electrode 78 to the bias line 9 and flow in the connection 10, and the current detecting means 43. Is detected. Therefore, as shown in FIG. 14, when radiation irradiation to the radiation imaging apparatus 1 is started, the current amount I of the current flowing through the connection 10 of the bias line 9 increases.

そこで、本実施形態では、走査駆動手段15は、時刻T2でオン電圧の電圧値を電圧値Von2に低下させて、電流検出手段43により検出されるバイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iが減少した後、電流量Iが再び増加した時点を放射線の照射が開始された時刻T3として検出し、その時刻T3で各TFT8のゲート電極8gに印加する電圧を一斉にオフ電圧Voffに切り替えるようになっている。   Therefore, in this embodiment, the scanning drive unit 15 reduces the voltage value of the on-voltage to the voltage value Von2 at time T2, and the amount of current flowing through the connection 10 of the bias line 9 detected by the current detection unit 43. After I decreases, the time when the amount of current I increases again is detected as time T3 when radiation irradiation is started, and the voltage applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 is simultaneously switched to the off voltage Voff at that time T3. It is like that.

なお、各TFT8のゲート電極8gにオフ電圧Voffが印加されるため各TFT8はオフ状態となり、各放射線検出素子7から電荷がほとんど流出しなくなる。そのため、図14に示すように、放射線の照射が開始された直後には、放射線の照射で各放射線検出素子7内に発生した電荷がバイアス線9に流れ出し、結線10中を流れる電流の電流量Iが増加するが、TFT8がオフ状態となることで、各放射線検出素子7からバイアス線9や結線10への電荷の流出がほとんどなくなる。   Since the off voltage Voff is applied to the gate electrode 8 g of each TFT 8, each TFT 8 is turned off, and the charge hardly flows out from each radiation detection element 7. Therefore, as shown in FIG. 14, immediately after the start of radiation irradiation, the charge generated in each radiation detection element 7 by radiation irradiation flows out to the bias line 9, and the amount of current flowing through the connection 10. Although I increases, since the TFT 8 is turned off, there is almost no outflow of charge from each radiation detection element 7 to the bias line 9 or the connection 10.

また、各TFT8がオフ状態とされた後、放射線の照射によって放射線検出素子7内で発生する電子正孔対は、電位勾配により電子が第1電極74側に移動し、正孔が第2電極78側に移動して分離されるが、放射線検出素子7から流出できなくなるため、放射線検出素子7内に蓄積される。そして、各放射線検出素子7内には、被写体を透過して当該放射線検出素子7に照射された放射線のエネルギ(本実施形態では、当該放射線がシンチレータ3に照射されシンチレータ3で変換された電磁波のエネルギ)に比例した電荷が蓄積される。   In addition, after each TFT 8 is turned off, the electron-hole pair generated in the radiation detection element 7 by radiation irradiation moves to the first electrode 74 side due to the potential gradient, and the hole is transferred to the second electrode. Although it moves to the 78 side and is separated, it cannot flow out of the radiation detection element 7 and is accumulated in the radiation detection element 7. In each radiation detection element 7, the energy of the radiation that has passed through the subject and applied to the radiation detection element 7 (in this embodiment, the radiation of the electromagnetic waves converted by the scintillator 3 is applied to the scintillator 3. The charge is proportional to the energy.

そして、放射線の照射が終了すると、走査駆動手段15は、図15に示すように、今度は、ゲートドライバ15bから信号読み出し用のオン電圧Von1を印加する走査線5のラインL1〜Lxを順次切り替えて(すなわち走査して)、各放射線検出素子7から蓄積された電荷を読み出すようになっている。   When the radiation irradiation is completed, as shown in FIG. 15, the scanning driving unit 15 sequentially switches the lines L1 to Lx of the scanning line 5 to which the signal driver ON voltage Von1 is applied from the gate driver 15b. (Ie, scanning), the electric charge accumulated from each radiation detection element 7 is read out.

その際、走査線5の各ラインL1〜Lxに接続されているTFT8のゲート電極8gにオン電圧Von1が印加されると、放射線検出素子7の第1電極74に蓄積された電子がTFT8を介して信号線6に放出され、読み出し回路17(図7等参照)で電荷電圧変換されて増幅される等して画像データに変換され、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データに変換されて記憶手段40に保存される。   At that time, when the on-voltage Von1 is applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 connected to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5, the electrons accumulated in the first electrode 74 of the radiation detection element 7 pass through the TFT 8. The signal is emitted to the signal line 6, converted into image data by charge-voltage conversion and amplification by the readout circuit 17 (see FIG. 7 etc.), and sequentially converted into digital value image data by the A / D converter 20. And stored in the storage means 40.

一方、放射線検出素子7の第1電極74からの電子の流出にあわせて、放射線検出素子7の第2電極78からは蓄積されていた正孔がバイアス線9に流出し、結線10を流れてバイアス電源14に流入する。なお、この放射線検出素子7からの電荷の読み出しの際には、バイアス線9や結線10を流れる電流の電流量Iを検出する必要はないため、制御手段22は、電流検出手段43のスイッチをオン状態として電流検出手段43の抵抗の両端子間を短絡させておく。   On the other hand, in accordance with the outflow of electrons from the first electrode 74 of the radiation detection element 7, the accumulated holes flow out from the second electrode 78 of the radiation detection element 7 to the bias line 9 and flow through the connection 10. It flows into the bias power source 14. Note that when reading out the charges from the radiation detection element 7, it is not necessary to detect the current amount I of the current flowing through the bias line 9 and the connection 10, so the control means 22 switches the switch of the current detection means 43. The both terminals of the resistor of the current detection means 43 are short-circuited in the on state.

この後は、必要に応じて、ダーク読取処理等が行われる。すなわち、上記のように、本実施形態の放射線画像撮影装置1では、放射線の照射が開始され、各TFT8のゲート電極8gに印加していたオン電圧Von2をオフ電圧Voffに切り替える(時刻T3)までは、各放射線検出素子7内で発生した暗電荷は、TFT8がオン状態となっているため流出し、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分が画像データから除去される。   Thereafter, dark reading processing or the like is performed as necessary. That is, as described above, in the radiographic imaging device 1 of the present embodiment, irradiation of radiation is started, and the on-voltage Von2 applied to the gate electrode 8g of each TFT 8 is switched to the off-voltage Voff (time T3). The dark charge generated in each radiation detection element 7 flows out because the TFT 8 is in an ON state, and at least noise components generated before the start of radiation irradiation are removed from the image data.

しかし、時刻T3に電圧がオフ電圧Voffに切り替えられて各TFT8がオフ状態とされた後は、各放射線検出素子7内で発生した暗電荷は各放射線検出素子7内に蓄積される。そして、各放射線検出素子7内に蓄積された暗電荷は、上記の走査線5の各ラインL1〜Lxごとの各放射線検出素子7からの画像データの読み出しの際(時刻T4〜T4)に画像データとともに読み出される。 However, after the voltage is switched to the off voltage Voff at time T3 and each TFT 8 is turned off, the dark charges generated in each radiation detection element 7 are accumulated in each radiation detection element 7. The dark charges accumulated in each radiation detection element 7 are read out from the radiation detection elements 7 for each line L1 to Lx of the scanning line 5 (time T4 1 to T4 x ). Are read out together with the image data.

そのため、各放射線検出素子7の画像データには、時刻T3から各ラインごとの読み出し開始時刻T4〜T4までの各期間ΔT〜ΔTに各放射線検出素子7内に蓄積された暗電荷に対応するオフセット分がそれぞれ含まれている。このオフセット分を画像データから差し引くことで、放射線の照射により発生した真の電荷に対応する画像データが得られる。そして、このオフセット分を算出する処理がダーク読取処理である。 Therefore, the image data for each radiation detection element 7, dark charge accumulated in each radiation detection element 7 from the time T3 to the period ΔT 1 ~ΔT x to the read start time T4 1 to T4 x of each line The offset corresponding to each is included. By subtracting this offset from the image data, image data corresponding to the true charge generated by the irradiation of radiation can be obtained. The process for calculating the offset is the dark reading process.

ダーク読取処理では、走査線5の最終ラインであるラインLxまでの各放射線検出素子7からの画像データの読み出し処理が終了すると、まず、上記と同様にして、各放射線検出素子7のリセット処理が行われる。リセット処理では、時刻T5に各TFT8に印加する電圧をオフ電圧Voffからオン電圧Von1に切り替え、図15では記載を省略する時刻T6にオン電圧を電圧値Von1から電圧値Von2に低下させ、時刻T7に各TFT8に印加する電圧をオン電圧Von2からオフ電圧Voffに切り替える。   In the dark reading process, when the reading process of the image data from each radiation detection element 7 up to the line Lx which is the final line of the scanning line 5 is completed, first, the reset process of each radiation detection element 7 is performed in the same manner as described above. Done. In the reset process, the voltage applied to each TFT 8 is switched from the off voltage Voff to the on voltage Von1 at time T5, and the on voltage is decreased from the voltage value Von1 to the voltage value Von2 at time T6, which is not shown in FIG. The voltage applied to each TFT 8 is switched from the on voltage Von2 to the off voltage Voff.

時刻T7に電圧がオフ電圧Voffに切り替えられて各TFT8がオフ状態とされると、その後、各放射線検出素子7内で発生した暗電荷は各放射線検出素子7内に蓄積される。そして、ダーク読取処理では、放射線画像撮影装置1に放射線を照射せずに、走査線5の各ラインL1〜Lxごとに放射線画像撮影の場合と同じ各期間ΔT〜ΔTだけ放置して、各放射線検出素子7内に暗電荷を蓄積させる。 When the voltage is switched to the off voltage Voff at time T7 and each TFT 8 is turned off, the dark charge generated in each radiation detection element 7 is accumulated in each radiation detection element 7 thereafter. In the dark reading process, the radiation image capturing apparatus 1 is not irradiated with radiation, and the lines L1 to Lx of the scanning line 5 are left for the same periods ΔT 1 to ΔT x as in the case of radiation image capturing, Dark charges are accumulated in each radiation detection element 7.

ダーク読取処理における各期間ΔT〜ΔTに各放射線検出素子7に蓄積される暗電荷は、放射線画像撮影時における各期間ΔT〜ΔTに各放射線検出素子7に蓄積される暗電荷とそれぞれ極力等量になるように設定するために、各期間ΔT〜ΔT経過した後、上記と同じタイミングで、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから信号読み出し用のオン電圧Von1を印加する走査線5のラインL1〜Lxを順次切り替えて(すなわち走査して)、各放射線検出素子7から蓄積された暗電荷を読み出し、読み出し回路17で電荷電圧変換して増幅する等、上記と同様の処理を行って、それぞれダーク読取値として記憶手段40に保存する。 The dark charges accumulated in each radiation detection element 7 in each period ΔT 1 to ΔT x in the dark reading process are the dark charges accumulated in each radiation detection element 7 in each period ΔT 1 to ΔT x at the time of radiographic imaging. In order to set the same amount as much as possible, after each period ΔT 1 to ΔT x elapses, the scanning for applying the signal readout on-voltage Von1 from the gate driver 15b of the scanning driving means 15 at the same timing as above. Processes similar to the above, such as sequentially switching (that is, scanning) the lines 5 to Lx of the line 5 to read out the dark charges accumulated from the respective radiation detection elements 7 and amplifying them by charge voltage conversion by the read circuit 17. Are stored in the storage means 40 as dark reading values.

このようにして得られたダーク読取値をそのままオフセット分とするように構成することも可能であり、また、例えば上記のダーク読取処理を複数回行って、各放射線検出素子7ごとに得られた複数回分のダーク読取値の平均値等を算出する等して、それをオフセット分とするように構成することも可能である。このようにしてダーク読取処理を行うことで、画像データを補正するためのオフセット分を的確に取得することが可能となる。   The dark reading value obtained in this way can be used as an offset as it is, and for example, the above-described dark reading processing is performed a plurality of times to obtain each radiation detection element 7. It is also possible to configure such that an average value of dark reading values for a plurality of times and the like are used as an offset amount. By performing the dark reading process in this way, it is possible to accurately acquire an offset for correcting the image data.

また、上記のように、本発明に特有の各放射線検出素子7のリセット処理は、放射線画像撮影のために放射線画像撮影装置1の各部材に対する電力の供給状態を省電力モードから撮影可能モードに切り替えた場合だけでなく、ダーク読取処理のためのリセット処理(図15の時刻T5〜T7参照)等においても行われる。   Further, as described above, the reset processing of each radiation detection element 7 unique to the present invention changes the power supply state to each member of the radiation image capturing apparatus 1 from the power saving mode to the image capture possible mode for radiation image capturing. Not only when switching, but also in reset processing for dark reading processing (see times T5 to T7 in FIG. 15) and the like.

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、放射線画像撮影前などに行われる各放射線検出素子7のリセット処理において、放射線検出素子7のスイッチ手段であるTFT8のゲート電極8gに印加する電圧を、一旦、通常のオン電圧である高いオン電圧Von1を印加した後、オン電圧の電圧値を低下させ、放射線の照射が開始されるまでTFT8のゲート電極8gに当該低下させたオン電圧Von2を印加させ続ける。   As described above, according to the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, the gate electrode of the TFT 8 serving as the switch means of the radiation detecting element 7 in the reset processing of each radiation detecting element 7 performed before radiographic image capturing or the like. After applying a high on-voltage Von1 which is a normal on-voltage once, the voltage applied to 8g is lowered to the gate electrode 8g of the TFT 8 until the on-voltage voltage value is lowered and radiation irradiation is started. The ON voltage Von2 is continuously applied.

そのため、まず、全てのTFT8に対して、一旦、通常のオン電圧である高いオン電圧Von1を印加することで、正常な放射線検出素子7についても異常な放射線検出素子7についても放射線検出素子7に蓄積されている余分な電荷を十分に放出させて除去することが可能となる。また、放射線の照射が開始されるまで、TFT8にオン電圧Von2を印加し続けることで、放射線検出素子7に蓄積されている余分な電荷を十分に放出させて除去することが可能となる。   Therefore, first, by applying a high on-voltage Von1 that is a normal on-voltage to all the TFTs 8, both the normal radiation detection element 7 and the abnormal radiation detection element 7 are applied to the radiation detection element 7. It is possible to sufficiently discharge and remove the excess charge accumulated. Further, by continuing to apply the on-voltage Von2 to the TFT 8 until radiation irradiation is started, it is possible to sufficiently discharge and remove excess charges accumulated in the radiation detection element 7.

また、TFT8のゲート電極8gに印加した高いオン電圧Von1を低下させて低いオン電圧Von2を印加し続けることで、正常な放射線検出素子7についてはもちろん、異常な放射線検出素子7についても、それから流出する電流量を、正常な放射線検出素子7に流れる暗電流を含むリーク電流の電流量ileakと同量程度まで減少させることが可能となる。そのため、バッテリ41の電力の消費を抑制して、バッテリ41の消耗を防止することが可能となる。   Further, by reducing the high on-voltage Von1 applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 and continuing to apply the low on-voltage Von2, not only the normal radiation detection element 7 but also the abnormal radiation detection element 7 flows out of it. It is possible to reduce the amount of current to be reduced to the same amount as the current amount ileak of the leak current including the dark current flowing through the normal radiation detection element 7. Therefore, it is possible to suppress power consumption of the battery 41 and prevent the battery 41 from being consumed.

さらに、放射線の照射が開始されるまで、TFT8にオン電圧Von2を印加し続けることで、放射線の照射が開始されるまでに各放射線検出素子7内で発生する暗電荷が各放射線検出素子7から流出して除去されるため、最終的に得られる画像データの中から、少なくとも放射線の照射開始までに発生するノイズ成分を的確に除去することが可能となる。   Further, by continuing to apply the ON voltage Von2 to the TFT 8 until radiation irradiation is started, dark charges generated in each radiation detection element 7 until radiation irradiation is started are caused from each radiation detection element 7. Since it flows out and is removed, it is possible to accurately remove at least noise components generated before the start of radiation irradiation from the finally obtained image data.

なお、低下されたオン電圧Von2の電圧値は、例えば、正常な放射線検出素子7を用いて、TFT8を流れ得るオン電流の最大電流量imax(Von2)が、正常な放射線検出素子7に流れる、暗電流を含むリーク電流の電流量ileakに等しくなる電圧値を測定し、その電圧値に所定の電圧値を加算する等して予め設定される。   Note that the voltage value of the reduced on-voltage Von2 is, for example, that a normal radiation detection element 7 is used and the maximum current amount imax (Von2) of the on-current that can flow through the TFT 8 flows to the normal radiation detection element 7. A voltage value equal to the current amount ileak of the leakage current including the dark current is measured, and is set in advance by adding a predetermined voltage value to the voltage value.

また、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始の検出の場合と同様に、電流検出手段43で検出されるバイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iを監視して、電流量Iが減少することによって放射線の照射が終了したことを検出するように構成することが可能である。また、放射線の照射の終了を検出せず、放射線の照射が開始された時刻T3から所定の時間が経過した後に、各放射線検出素子7からの電荷(画像データ)の読み出しを開始するように予め設定しておいてもよい。   Similarly to the case of detecting the start of radiation irradiation to the radiographic imaging apparatus 1, the current amount I of the current flowing through the connection 10 of the bias line 9 detected by the current detection means 43 is monitored, and the current amount I is calculated. It can be configured to detect the end of irradiation by decreasing. In addition, the end of radiation irradiation is not detected, and after a predetermined time has elapsed from the time T3 when radiation irradiation is started, reading of charges (image data) from each radiation detection element 7 is started in advance. You may set it.

さらに、上記の実施形態では、電流検出手段43を設ける場合について説明したが、必ずしも電流検出手段43を設ける必要はなく、例えば、オフ電圧Voffや2種類のオン電圧Von1、Von2の各値や上記の各時間間隔等を予め設定しておき、走査駆動手段15がそれらの設定に従ってリセット処理や読み出し処理、ダーク読取処理等を行うように構成することも可能である。   Furthermore, although the case where the current detection unit 43 is provided has been described in the above embodiment, the current detection unit 43 is not necessarily provided. For example, each value of the off voltage Voff and the two types of on voltages Von1 and Von2 It is also possible to set each time interval in advance so that the scanning drive unit 15 performs a reset process, a read process, a dark read process, and the like according to these settings.

[放射線画像撮影システム]
上記の放射線画像撮影装置1では、放射線センサを設けたり、バイアス線9の結線10を流れる電流の電流量Iを検出する電流検出手段43を活用して、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射の開始や終了を検出する場合について説明した。しかし、放射線画像撮影装置1に放射線センサや電流検出手段43が設けられていないものも多い。
[Radiation imaging system]
In the radiographic imaging apparatus 1 described above, the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation by using a current sensor 43 provided with a radiation sensor or detecting a current amount I of the current flowing through the connection 10 of the bias line 9. The case where the start and end are detected has been described. However, in many cases, the radiation imaging apparatus 1 is not provided with the radiation sensor or the current detection means 43.

そのような場合には、放射線画像撮影装置1に放射線を照射する放射線発生装置等から放射線の照射の開始や終了を知らせる信号を放射線画像撮影装置1に送信するように構成することが可能である。   In such a case, the radiation image capturing apparatus 1 can be configured to transmit a signal notifying the start or end of radiation irradiation to the radiation image capturing apparatus 1 from a radiation generator that irradiates the radiation image 1 or the like. .

また、実際の放射線発生装置では、放射線発生装置の放射線源が起動されてから放射線が照射されるまでに1秒程度の時間がかかる場合が多い。そのため、放射線源の起動から照射までの時間を使って、放射線画像撮影装置1に放射線画像撮影前のリセット処理を行わせるように構成することが可能である。   Further, in an actual radiation generator, it often takes about 1 second from the start of the radiation source of the radiation generator to the irradiation of radiation. For this reason, it is possible to configure the radiographic imaging apparatus 1 to perform a reset process before radiographic imaging using the time from activation of the radiation source to irradiation.

以下では、それを実現するための放射線画像撮影システムについて説明する。図16は、本実施形態に係る放射線画像撮影システムの全体構成を示す図である。放射線画像撮影システム50は、図16に示すように、例えば、放射線を照射して図示しない患者の一部である被写体の撮影を行う撮影室R1と、放射線技師等の操作者が被写体への放射線の照射等の操作を行う前室R2とに配置される。   Below, the radiographic imaging system for implement | achieving it is demonstrated. FIG. 16 is a diagram showing an overall configuration of the radiographic image capturing system according to the present embodiment. As shown in FIG. 16, the radiographic imaging system 50 includes, for example, an imaging room R <b> 1 that irradiates radiation and images a subject that is a part of a patient (not shown), and an operator such as a radiologist radiates It is arrange | positioned in front chamber R2 which performs operations, such as irradiation.

本実施形態では、撮影室R1には、前述した放射線画像撮影装置1(可搬型放射線画像撮影装置1)を装填可能なブッキー装置51や、被写体に照射する放射線を発生させる図示しないX線管球を備える放射線発生装置の放射線源52、放射線画像撮影装置1と他の装置とが無線通信する際にこれらの通信を中継する無線アンテナ53を備えた無線アクセスポイント(基地局)54等が設けられている。   In the present embodiment, in the imaging room R1, a Bucky device 51 that can be loaded with the above-described radiographic image capturing device 1 (portable radiographic image capturing device 1) or an X-ray tube (not shown) that generates radiation to irradiate a subject. A radiation source 52 of the radiation generating apparatus, a radio access point (base station) 54 provided with a wireless antenna 53 that relays these communications when the radiographic imaging apparatus 1 and other apparatuses communicate wirelessly, and the like. ing.

また、前室R2には、放射線源52からの放射線の照射開始を指示するための照射開始スイッチ55等を備えた放射線発生装置の操作卓56や、放射線画像撮影装置1に内蔵された後述するタグを検出するタグリーダ57等が設けられている。また、放射線発生装置の操作卓56やタグリーダ57等は、撮影室外に設けられたコンソール58に接続されている。   Further, in the front chamber R2, an operation console 56 of a radiation generation apparatus provided with an irradiation start switch 55 for instructing the start of irradiation of radiation from the radiation source 52, and a radiation image capturing apparatus 1 described later. A tag reader 57 and the like for detecting a tag are provided. The console 56 and the tag reader 57 of the radiation generating apparatus are connected to a console 58 provided outside the imaging room.

コンソール58では、放射線画像撮影システム50で取得された画像データやダーク読取値等を用いて画像処理が行われ、放射線画像の生成等が行われるようになっている。なお、コンソール58を前室R2に設けることも可能である。また、コンソール58には、ハードディスク等で構成された記憶手段59が接続されている。   The console 58 performs image processing using image data acquired by the radiation image capturing system 50, a dark read value, and the like, and generates a radiation image. It is possible to provide the console 58 in the front chamber R2. The console 58 is connected to storage means 59 composed of a hard disk or the like.

放射線画像撮影装置1の構成については前述したとおりであるが、本実施形態では、さらに、放射線画像撮影装置1には、図示しないタグが内蔵されている。本実施形態では、タグとして、いわゆるRFID(Radio Frequency IDentification)タグと呼ばれるタグが用いられており、タグには、タグの各部を制御する制御回路や放射線画像撮影装置1の固有情報を記憶する記憶部がコンパクトに内蔵されている。なお、固有情報には、例えば当該放射線画像撮影装置1に割り当てられた識別情報としてのカセッテIDやシンチレータの種類情報、サイズ情報、解像度等が含まれる。   Although the configuration of the radiographic image capturing apparatus 1 is as described above, in the present embodiment, the radiographic image capturing apparatus 1 further includes a tag (not shown). In this embodiment, a tag called a so-called RFID (Radio Frequency IDentification) tag is used as the tag, and the tag stores a control circuit that controls each part of the tag and a storage that stores unique information of the radiographic imaging apparatus 1 The part is built in compactly. The unique information includes, for example, a cassette ID, scintillator type information, size information, resolution, and the like as identification information assigned to the radiation image capturing apparatus 1.

また、放射線画像撮影装置1は、ブッキー装置51に装填されない、いわば単独の状態で用いることもできるようになっている。すなわち、放射線画像撮影装置1を単独の状態で例えば撮影室R1内に設けられた支持台や図16に示すように臥位撮影用のブッキー装置51B等に配置してその放射線入射面R(図1参照)上に被写体である患者の手等を載置したり、或いは、例えばベッドの上に横臥した患者の腰や足等とベッドとの間に差し込んだりして用いることもできるようになっている。この場合、例えばポータブルの放射線源52B等から、被写体を介して放射線画像撮影装置1に放射線を照射して放射線画像撮影が行われる。   In addition, the radiographic image capturing apparatus 1 can be used in a so-called independent state that is not loaded in the bucky device 51. That is, the radiation image photographing apparatus 1 is arranged in a single state on, for example, a support stand provided in the photographing room R1 or a bucky device 51B for lying position photographing as shown in FIG. 1) and the patient's hand as the subject can be placed on the head, or can be used, for example, inserted between the patient's waist or legs lying on the bed and the bed. ing. In this case, for example, radiation image capturing is performed by irradiating the radiation image capturing apparatus 1 with radiation from a portable radiation source 52B or the like via a subject.

ブッキー装置51には、放射線画像撮影装置1を所定の位置に保持するためのカセッテ保持部51aが設けられており、カセッテ保持部51aに放射線画像撮影装置1が装填できるようになっている。また、本実施形態では、ブッキー装置51として、立位撮影用のブッキー装置51Aと臥位撮影用のブッキー装置51Bとがそれぞれ設けられている。また、本実施形態では、各ブッキー装置51A、51Bは、それぞれケーブルや無線アクセスポイント(基地局)54等を介して放射線発生装置の操作卓56等と接続されている。   The bucky device 51 is provided with a cassette holding portion 51a for holding the radiographic image capturing device 1 in a predetermined position, and the radiographic image capturing device 1 can be loaded into the cassette holding portion 51a. Further, in the present embodiment, as the bucky device 51, there are provided a bucky device 51A for standing position shooting and a bucky device 51B for standing position shooting. In the present embodiment, each of the bucky devices 51A and 51B is connected to the operation console 56 of the radiation generating device via a cable, a wireless access point (base station) 54, and the like.

撮影室R1には、被写体を介して放射線画像撮影装置1に放射線を照射するX線管球を備える放射線源52が少なくとも1つ設けられている。本実施形態では、立位撮影用および臥位撮影用のブッキー装置51A、51Bに対して1つの放射線源52Aが共用されるようになっている。なお、各ブッキー装置51A、51Bに、別々の放射線源を対応付けて設けるように構成することも可能である。   In the imaging room R1, at least one radiation source 52 including an X-ray tube that irradiates the radiation image capturing apparatus 1 with radiation through a subject is provided. In the present embodiment, one radiation source 52A is shared by the bucky devices 51A and 51B for standing position shooting and standing position shooting. It should be noted that it is also possible to configure each of the bucky devices 51A and 51B so that different radiation sources are associated with each other.

放射線源52Aは、例えば撮影室R1の天井からつり下げられて配設されるようになっており、撮影時には後述する操作卓56からの指示に基づいてセットアップされ、図示しない移動手段により所定の位置にまで移動され、放射線の照射方向が所定の方向を向くようにその向きが調整されるようになっている。   The radiation source 52A is arranged suspended from the ceiling of the imaging room R1, for example, and is set up based on an instruction from an operation console 56 (to be described later) at the time of imaging. And the direction of the radiation is adjusted so that the radiation direction is in a predetermined direction.

また、本実施形態では、立位撮影用のブッキー装置51Aや臥位撮影用のブッキー装置51Bには対応付けられていないポータブルの放射線源52Bも設けられており、ポータブルの放射線源52Bは、撮影室R1内の任意の場所にも持ち運びでき、任意の方向に放射線を照射できるようになっている。   Further, in the present embodiment, a portable radiation source 52B that is not associated with the standing-up imaging device 51A or the lying-up imaging device 51B is also provided, and the portable radiation source 52B has an imaging function. It can be carried to any place in the room R1, and radiation can be emitted in any direction.

なお、本実施形態では、ポータブルの放射線源52Bも、操作卓56からの指示に基づいてセットアップされるようになっているが、この他にも、例えば、操作者が手動でセットアップしたり、放射線画像撮影装置1からポータブルの放射線源52Bに無線信号を送信してセットアップするように構成することも可能である。   In the present embodiment, the portable radiation source 52B is also set up based on an instruction from the console 56. In addition to this, for example, the operator manually sets up the radiation source 52B. It is also possible to configure to set up by transmitting a radio signal from the image capturing apparatus 1 to the portable radiation source 52B.

放射線源52のX線管球としては、回転陽極X線管球を用いた放射線源が好ましく用いられる。X線管球は、陰極から放射される電子線を陽極に衝突させることで放射線を発生させるように構成されている場合が多いが、電子線が陽極の同じ位置に衝突し続けると、熱の発生等で陽極が損傷する。そのため、回転陽極X線管球では、陽極を回転させて電子線が衝突する位置が同じ位置にならないようにすることで、陽極の長寿命化が図られるようになっている。   As the X-ray tube of the radiation source 52, a radiation source using a rotating anode X-ray tube is preferably used. An X-ray tube is often configured to generate radiation by causing an electron beam emitted from a cathode to collide with an anode. However, if an electron beam continues to collide with the same position on the anode, The anode is damaged due to the occurrence. Therefore, in the rotating anode X-ray tube, the anode is extended so that the position where the electron beam collides does not become the same position, thereby extending the life of the anode.

前室R2には、放射線源52からの放射線の照射開始を指示するための照射開始スイッチ55を備えた放射線発生装置の操作卓56が設けられている。なお、図16では、操作卓56と照射開始スイッチ55とが別体のように記載されているが、必ずしも別体として構成する必要はない。   The front chamber R2 is provided with an operation console 56 of a radiation generating apparatus provided with an irradiation start switch 55 for instructing start of irradiation of radiation from the radiation source 52. In FIG. 16, the console 56 and the irradiation start switch 55 are described as separate bodies, but they are not necessarily configured as separate bodies.

操作卓56は、CPUや専用のプロセッサ(processor)を備えるコンピュータで構成されている。また、照射開始スイッチ55は、図17(A)〜(C)に示すように、棒状のボタン部55aと、ボタン部55aを図中矢印Sで示される方向に押下可能に支持する筐体部55bとで構成されている。そして、ボタン部55aは、図17(A)に示すように、筐体部55bから上方に突出した円筒部55a1と、その内部からさらに上方に突出した円柱部55a2とで構成されている。   The console 56 is configured by a computer including a CPU and a dedicated processor. Further, as shown in FIGS. 17A to 17C, the irradiation start switch 55 includes a rod-shaped button portion 55a and a housing portion that supports the button portion 55a so that the button portion 55a can be pressed in the direction indicated by the arrow S in the drawing. 55b. As shown in FIG. 17A, the button portion 55a includes a cylindrical portion 55a1 protruding upward from the housing portion 55b and a columnar portion 55a2 protruding further upward from the inside thereof.

そして、図17(B)に示すように、操作者により円柱部55a2が円筒部55a1の上端部分まで押し込まれて、ボタン部55aがいわゆる半押しされると、操作卓56から所定の放射線源52に対して起動信号が送信されるようになっており、放射線源52は、起動信号を受信すると、X線管球の陽極の回転を開始して起動するようになっている。この起動信号は、無線アクセスポイント54を介して放射線画像撮影装置1にも送信されるようになっている。   Then, as shown in FIG. 17B, when the column portion 55a2 is pushed down to the upper end portion of the cylindrical portion 55a1 by the operator and the button portion 55a is half-pressed, a predetermined radiation source 52 is supplied from the console 56. When the activation signal is received, the radiation source 52 starts to rotate by starting rotation of the anode of the X-ray tube. This activation signal is also transmitted to the radiation image capturing apparatus 1 via the wireless access point 54.

また、図17(C)に示すように、操作者により照射開始スイッチ55のボタン部55aの円筒部55a1と円柱部55a2とが筐体部55bの上端部分までさらに押し込まれて、ボタン部55aがいわゆる全押しされると、操作卓56から所定の放射線源52に対して照射信号が送信されるようになっており、放射線源52は、照射信号を受信すると、放射線を照射するようになっている。この照射信号も、無線アクセスポイント54を介して放射線画像撮影装置1にも送信されるようになっている。   As shown in FIG. 17C, the operator further pushes the cylindrical portion 55a1 and the column portion 55a2 of the button portion 55a of the irradiation start switch 55 to the upper end portion of the housing portion 55b, so that the button portion 55a is When it is fully pressed, an irradiation signal is transmitted from the console 56 to a predetermined radiation source 52. When the radiation source 52 receives the irradiation signal, the irradiation signal is emitted. Yes. This irradiation signal is also transmitted to the radiation image capturing apparatus 1 via the wireless access point 54.

なお、起動信号や照射信号を、無線アクセスポイント54を介して放射線発生装置の操作卓56や照射開始スイッチ55から放射線画像撮影装置1に送信する代わりに、照射開始スイッチ55の半押しや全押しの状態をそれぞれ検出して、照射開始スイッチ55が半押しされた場合に起動信号(或いは放射線源52を起動したことを表す信号)を放射線画像撮影装置1に送信し、照射開始スイッチ55が全押しされた場合に照射信号(或いは放射線源52から放射線が照射されたことを表す信号)を放射線画像撮影装置1に送信するボタン操作検出手段60を設けるように構成することも可能である。   Instead of transmitting the activation signal or the irradiation signal from the operation console 56 or the irradiation start switch 55 to the radiographic image capturing apparatus 1 via the wireless access point 54, the irradiation start switch 55 is pressed halfway or fully. When the irradiation start switch 55 is half-pressed, an activation signal (or a signal indicating that the radiation source 52 has been activated) is transmitted to the radiographic image capturing apparatus 1, and the irradiation start switch 55 is fully activated. It is also possible to provide a button operation detecting means 60 that transmits an irradiation signal (or a signal indicating that radiation has been irradiated from the radiation source 52) to the radiographic imaging device 1 when pressed.

なお、照射開始スイッチ55の上記の構成は、本発明に特有の構成ではなく、通常の放射線画像撮影システムの操作卓で多く採用されている構成であり、通常、ボタン部55aを半押しに続いて全押ししても、半押ししてから最低でも1秒程度の時間が経過した後に放射線が照射されるように構成されている。   Note that the above-described configuration of the irradiation start switch 55 is not a configuration specific to the present invention, but is a configuration that is often used in an operation console of a normal radiographic image capturing system. Usually, the button unit 55a is half-pressed. Even if the button is fully pressed, the radiation is irradiated after a time of at least about 1 second has elapsed since the button was pressed halfway.

また、前室R2の入口の近傍には、前述したRFIDの技術を用いて放射線画像撮影装置1と情報をやりとりするタグリーダ57(図16参照)が設置されており、タグリーダ57は、前室R2や撮影室R1に入室し或いは退室する放射線画像撮影装置1を検出して、その情報をコンソール58に送信するようになっている。そして、コンソール58で撮影室R1や前室R2に存在する放射線画像撮影装置1を管理するようになっている。   Further, a tag reader 57 (see FIG. 16) for exchanging information with the radiographic imaging apparatus 1 using the RFID technology described above is installed in the vicinity of the entrance of the front chamber R2, and the tag reader 57 is connected to the front chamber R2. In addition, the radiographic imaging device 1 entering or leaving the imaging room R1 is detected, and the information is transmitted to the console 58. The console 58 manages the radiation image capturing apparatus 1 existing in the image capturing room R1 and the front room R2.

放射線画像撮影装置1は、放射線画像撮影に向けて、放射線技師等の操作者により電源スイッチ36が操作される等して各部材に対する電力の供給状態を省電力モード(sleepモード)から撮影可能モード(wake upモード)に切り替えられて、ブッキー装置51に装填されるなどする。   The radiographic image capturing apparatus 1 is a mode in which the power supply state of each member can be captured from the power saving mode (sleep mode) by operating the power switch 36 by an operator such as a radiographer for radiographic image capturing. It is switched to (wake up mode) and loaded into the bucky device 51.

そして、放射線画像撮影装置1の放射線入射面R側に患者の一部である被写体がセットされる。なお、本実施形態の放射線画像撮影システム50では、放射線画像撮影装置1は各部材に対する電力の供給状態が撮影可能モードに切り替えられた段階では各放射線検出素子7のリセット処理を開始しないが、この段階で各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成してもよいことは上記の放射線画像撮影装置1の実施形態で述べたとおりである。   Then, a subject that is a part of the patient is set on the radiation incident surface R side of the radiographic imaging apparatus 1. In the radiographic image capturing system 50 of the present embodiment, the radiographic image capturing apparatus 1 does not start the reset process of each radiation detection element 7 at the stage where the power supply state to each member is switched to the image capture enable mode. As described in the above-described embodiment of the radiation image capturing apparatus 1, the radiation detection elements 7 may be reset in stages.

そして、操作者が前室R2の放射線発生装置の操作卓56に移動して照射開始スイッチ55のボタン部55aを半押しすると、操作卓56から所定の放射線源52に対して起動信号が送信されて、放射線源52がX線管球の陽極の回転を開始して起動するとともに、この起動信号(或いは放射線源52を起動したことを表す信号)が操作卓56や照射開始スイッチ55或いはボタン操作検出手段60から無線アクセスポイント54を介して放射線画像撮影装置1にも送信される。   Then, when the operator moves to the console 56 of the radiation generating apparatus in the front chamber R2 and presses the button portion 55a of the irradiation start switch 55 halfway, an activation signal is transmitted from the console 56 to the predetermined radiation source 52. Then, the radiation source 52 is started by starting rotation of the anode of the X-ray tube, and this activation signal (or a signal indicating that the radiation source 52 has been activated) is operated by the console 56, the irradiation start switch 55 or the button operation. It is also transmitted from the detection means 60 to the radiographic imaging apparatus 1 via the wireless access point 54.

起動信号が、無線アクセスポイント54の無線アンテナ53を介して無線で、或いは無線アクセスポイント54からケーブルを通ってブッキー装置51を介して有線で、送信されてくると、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、走査駆動手段15に対して各放射線検出素子7のリセット処理を行うように指示を出す。   When the activation signal is transmitted wirelessly via the wireless antenna 53 of the wireless access point 54 or via the cable from the wireless access point 54 and wired via the bucky device 51, control of the radiographic imaging device 1 is performed. The means 22 instructs the scanning drive means 15 to perform reset processing of each radiation detection element 7.

走査駆動手段15は、制御手段22からの指示に応じて、上記の放射線画像撮影装置1の実施形態(特に図9や図15参照)で説明したように、走査線5の全ラインL1〜Lxを介して各放射線検出素子7のスイッチ手段であるTFT8のゲート電極8gに所定の電圧値(例えば+15[V])のオン電圧Von1を印加した後、オン電圧の電圧値を低下させて、走査線5の全ラインL1〜Lxを介してTFT8のゲート電極8gに対して低下させたオン電圧Von2を印加し続ける。   In response to an instruction from the control unit 22, the scanning drive unit 15, as described in the embodiment of the radiographic image capturing apparatus 1 (see particularly FIG. 9 and FIG. 15), all the lines L 1 to Lx of the scanning line 5. After applying an on-voltage Von1 having a predetermined voltage value (for example, +15 [V]) to the gate electrode 8g of the TFT 8 serving as the switching means of each radiation detection element 7 through the voltage, the voltage value of the on-voltage is lowered to perform scanning. The reduced ON voltage Von2 is continuously applied to the gate electrode 8g of the TFT 8 through all the lines L1 to Lx of the line 5.

そして、操作者が操作卓56の照射開始スイッチ55のボタン部55aを半押しした後、照射開始スイッチ55のボタン部55aを全押しすると、操作卓56から所定の放射線源52に対して照射信号が送信されて、放射線源52から放射線が照射される。また、この照射信号(或いは放射線源52から放射線が照射されたことを表す信号)が操作卓56や照射開始スイッチ55或いはボタン操作検出手段60から無線アクセスポイント54を介して放射線画像撮影装置1に送信される。   When the operator half-presses the button portion 55a of the irradiation start switch 55 of the console 56 and then fully presses the button portion 55a of the irradiation start switch 55, the irradiation signal is sent from the console 56 to the predetermined radiation source 52. Is transmitted, and radiation is emitted from the radiation source 52. Further, this irradiation signal (or a signal indicating that the radiation source 52 has been irradiated) is sent from the console 56, the irradiation start switch 55 or the button operation detection means 60 to the radiographic image capturing apparatus 1 via the wireless access point 54. Sent.

放射線画像撮影装置1の制御手段22は、操作卓56や照射開始スイッチ55等から送信されてきた照射信号を受信すると、放射線の照射開始を知らせる信号を走査駆動手段15に送信する。走査駆動手段15は、制御手段22からの信号を受信すると、走査線5の全ラインL1〜Lxを介してTFT8のゲート電極8gに対して印加していたオン電圧Von2をオフ電圧Voffに切り替えて全てのTFT8を閉じる。   When receiving the irradiation signal transmitted from the console 56, the irradiation start switch 55, or the like, the control means 22 of the radiographic imaging apparatus 1 transmits a signal notifying the start of radiation irradiation to the scanning driving means 15. When the scanning drive unit 15 receives the signal from the control unit 22, the scanning driving unit 15 switches the on voltage Von 2 applied to the gate electrode 8 g of the TFT 8 through all the lines L 1 to Lx of the scanning line 5 to the off voltage Voff. All TFTs 8 are closed.

このようにして、各放射線検出素子7で発生する電荷が各放射線検出素子7に蓄積される。この後の処理は、上記の放射線画像撮影装置1の実施形態で述べた処理と同様に処理が行われ、放射線の照射が終了すると、走査駆動手段15は、図15に示したように、ゲートドライバ15bから信号読み出し用のオン電圧Von1を印加する走査線5のラインL1〜Lxを順次切り替えながら、各放射線検出素子7から蓄積された電荷を読み出して画像データに変換して記憶手段40に記憶させる。   In this way, charges generated in each radiation detection element 7 are accumulated in each radiation detection element 7. The subsequent processing is performed in the same manner as the processing described in the embodiment of the radiographic image capturing apparatus 1 described above. When the radiation irradiation is completed, the scanning driving unit 15 performs the gate operation as shown in FIG. While sequentially switching the lines L1 to Lx of the scanning line 5 to which the on-voltage Von1 for signal reading is applied from the driver 15b, the charges accumulated from the radiation detecting elements 7 are read and converted into image data and stored in the storage means 40. Let

また、その後、ダーク読取処理が行われ、ダーク読取処理では、各放射線検出素子7のリセット処理が行われた後、各TFT8のゲート電極8gにオフ電圧Voffが印加され、放射線が照射されない状態で所定時間放置された後、走査線5の各ラインL1〜Lxごとに各放射線検出素子7内で発生した暗電荷がダーク読取値として読み出されて記憶手段40に記憶される。   Thereafter, a dark reading process is performed. In the dark reading process, after the reset process of each radiation detection element 7 is performed, the off voltage Voff is applied to the gate electrode 8g of each TFT 8, and no radiation is irradiated. After being left for a predetermined time, the dark charge generated in each radiation detection element 7 for each line L1 to Lx of the scanning line 5 is read as a dark read value and stored in the storage means 40.

このようにして得られた各放射線検出素子7ごとの画像データやダーク読取値は、コンソール58に送信されてダーク読取値に基づいてオフセット分が算出され、画像データからオフセット分が差し引かれる等して、各放射線検出素子7ごとの最終的な画像データが算出されて、放射線画像が生成される。   The image data and dark reading value for each radiation detection element 7 obtained in this way are transmitted to the console 58, an offset is calculated based on the dark reading value, and the offset is subtracted from the image data. Thus, final image data for each radiation detection element 7 is calculated, and a radiation image is generated.

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影システム50によれば、上記の実施形態における放射線画像撮影装置1の効果を有効に発揮することが可能となる。   As described above, according to the radiographic image capturing system 50 according to the present embodiment, the effects of the radiographic image capturing apparatus 1 in the above-described embodiment can be effectively exhibited.

また、各放射線検出素子7のリセット処理において、各放射線検出素子7のTFT8のゲート電極8gに通常のオン電圧である高いオン電圧Von1から低下されたオン電圧Von2が印加される状態が、放射線源52に対して起動信号が送信されてから照射信号が送信されるまで最短で1秒程度になる。   In the reset process of each radiation detection element 7, the radiation source is in a state in which the on voltage Von 2 reduced from the high on voltage Von 1, which is a normal on voltage, is applied to the gate electrode 8 g of the TFT 8 of each radiation detection element 7. It takes about 1 second at the shortest time from when the activation signal is transmitted to 52 until the irradiation signal is transmitted.

そのため、各放射線検出素子7に蓄積されている余分な電荷を十分に放出させて除去することが可能となるとともに、必要以上に長い時間TFT8のゲート電極8gにオン電圧Von2を印加して放射線画像撮影装置1のバッテリ41の電力が浪費されてしまうことを的確に防止することが可能となり、バッテリ41の消耗を防止することが可能となる。   Therefore, it is possible to sufficiently discharge and remove excess charges accumulated in each radiation detection element 7 and apply an on-voltage Von2 to the gate electrode 8g of the TFT 8 for a longer time than necessary to obtain a radiation image. It is possible to accurately prevent the power of the battery 41 of the photographing apparatus 1 from being wasted, and it is possible to prevent the battery 41 from being consumed.

1 放射線画像撮影装置(可搬型放射線画像撮影装置)
5、L1〜Lx 走査線
6 信号線
7 放射線検出素子
8 TFT(スイッチ手段)
9 バイアス線
14 バイアス電源
15 走査駆動手段
39 アンテナ装置(通信手段)
41 バッテリ
43 電流検出手段
50 放射線画像撮影システム
52 放射線源(放射線発生装置)
55 照射開始スイッチ(放射線発生装置)
56 操作卓(放射線発生装置)
I 電流量
ileak リーク電流
P 検出部
r 領域
Voff オフ電圧
Von1 オン電圧
Von2 低下させたオン電圧
1 Radiographic imaging device (portable radiographic imaging device)
5, L1 to Lx Scanning line 6 Signal line 7 Radiation detection element 8 TFT (switch means)
9 Bias line 14 Bias power supply 15 Scanning drive means 39 Antenna device (communication means)
41 Battery 43 Current detection means 50 Radiation imaging system 52 Radiation source (radiation generator)
55 Irradiation start switch (radiation generator)
56 console (radiation generator)
I Current amount ileak Leakage current P Detection part r Region Voff Off voltage Von1 On voltage Von2 Reduced on voltage

Claims (9)

互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記放射線検出素子ごとに配置され、接続された前記走査線にオン電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を放出させ、接続された前記走査線にオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内で発生した電荷を前記放射線検出素子内に蓄積させるスイッチ手段と、
前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する電圧を制御する走査駆動手段と、
を備え、
前記各手段に電力を供給するバッテリが内蔵されており、
前記走査駆動手段は、放射線画像撮影前に、前記放射線検出素子内に蓄積された余分な電荷を放出させる前記放射線検出素子のリセット処理の際に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に所定の電圧値の前記オン電圧を印加し、その後、前記オン電圧の電圧値を低下させて、前記放射線の照射が開始されるまで、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に対して前記低下させたオン電圧を印加し続け
前記低下させた前記オン電圧の電圧値は、前記スイッチ手段を流れるオン電流の電流量が正常な前記放射線検出素子に流れるリーク電流の電流量を上回る量になる電圧値に設定されることを特徴とする可搬型放射線画像撮影装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other; a plurality of radiation detecting elements arranged in a two-dimensional manner in each region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines; A detector comprising:
When an on-voltage is applied to the scanning line arranged and connected to each radiation detection element, a charge generated in the radiation detection element is released, and an off-voltage is applied to the connected scanning line. Switch means for accumulating charges generated in the radiation detection element in the radiation detection element;
Scanning drive means for controlling the voltage applied to the switch means via the scanning lines;
With
A battery for supplying power to each of the above means is incorporated,
The scan driving unit is configured to apply a predetermined value to the switch unit via each scanning line during a reset process of the radiation detection element that discharges excess charges accumulated in the radiation detection element before radiographic imaging. The on-voltage of the voltage value is applied, and then the voltage value of the on-voltage is lowered, and the switch means is lowered through the scanning lines until the radiation irradiation is started. Continue to apply the ON voltage ,
The voltage value of the lowered on-voltage is set to a voltage value at which the amount of on-current flowing through the switch means exceeds the amount of leakage current flowing through a normal radiation detection element. A portable radiographic imaging device.
前記各放射線検出素子に接続されたバイアス線と、
前記バイアス線を介して前記各放射線検出素子にバイアス電圧を印加するバイアス電源と、
前記バイアス線を流れる電流の電流量を検出する電流検出手段と、
をさらに備え、
前記走査駆動手段は、前記放射線画像撮影前の前記放射線検出素子のリセット処理の際に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に所定の電圧値の前記オン電圧を印加し、前記電流検出手段により検出される前記バイアス線を流れる前記電流の電流量の時間変化率が所定の閾値以下になった時点で、前記オン電圧の電圧値を低下させて、前記放射線の照射が開始されるまで、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に対して前記低下させたオン電圧を印加し続けることを特徴とする請求項1に記載の可搬型放射線画像撮影装置。
A bias line connected to each of the radiation detection elements;
A bias power source for applying a bias voltage to each radiation detection element via the bias line;
Current detection means for detecting the amount of current flowing through the bias line;
Further comprising
The scanning driving means applies the on-voltage having a predetermined voltage value to the switch means via the scanning lines during the reset process of the radiation detecting element before the radiographic image capturing, and the current detecting means When the time change rate of the current amount of the current flowing through the bias line detected by the method is less than or equal to a predetermined threshold value, the voltage value of the on-voltage is reduced until the radiation irradiation is started. The portable radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein the reduced on-voltage is continuously applied to the switch unit via each scanning line.
前記走査駆動手段は、前記オン電圧の電圧値を低下させた後、前記電流検出手段により検出される前記バイアス線を流れる前記電流の電流量が増加したことにより前記放射線の照射が開始されたことを検出することを特徴とする請求項2に記載の可搬型放射線画像撮影装置。 After the scan driving means has lowered the voltage value of the on-voltage, irradiation of the radiation has started because the amount of the current flowing through the bias line detected by the current detection means has increased. portable radiographic imaging device according to Motomeko 2 and detecting the. 前記走査駆動手段は、前記放射線画像撮影前の前記放射線検出素子のリセット処理の際に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加した前記オン電圧の電圧値を低下させる処理を、全ての前記走査線を介して全ての前記スイッチ手段に対して同時に行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の可搬型放射線画像撮影装置。   The scan driving means performs a process of reducing the voltage value of the on-voltage applied to the switch means via each scanning line during the reset process of the radiation detection element before the radiographic image capturing. The portable radiographic image capturing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the operation is performed simultaneously for all the switch units via the scanning line. 前記走査駆動手段は、前記放射線画像撮影前の前記放射線検出素子のリセット処理の際に、全ての前記走査線を介して全ての前記スイッチ手段に対して同時に前記オン電圧の印加を開始することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の可搬型放射線画像撮影装置。   The scan driving means starts applying the on-voltage simultaneously to all the switch means via all the scanning lines during the reset process of the radiation detecting element before the radiographic image capturing. The portable radiographic imaging device according to any one of claims 1 to 4, wherein the portable radiographic imaging device is characterized. 前記走査駆動手段は、前記放射線画像撮影前の前記放射線検出素子のリセット処理の際に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に対して前記オン電圧を印加し続け、前記放射線の照射が開始された後に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する前記電圧を前記オフ電圧に切り替えることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の可搬型放射線画像撮影装置。   The scanning drive means continues to apply the on-voltage to the switch means via the scanning lines during the reset process of the radiation detection element before the radiographic imaging, and the radiation irradiation starts. 6. The portable radiographic imaging according to claim 1, wherein the voltage to be applied to the switch means is switched to the off voltage via each of the scanning lines. apparatus. 前記走査駆動手段は、前記放射線画像撮影前の前記放射線検出素子のリセット処理の際に、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する前記電圧を前記オフ電圧に切り替える処理を、全ての前記走査線を介して全ての前記スイッチ手段に対して同時に行うことを特徴とする請求項6に記載の可搬型放射線画像撮影装置。   The scan driving means performs a process of switching the voltage applied to the switch means to the off voltage via the scan lines to the off voltage in the reset process of the radiation detection element before the radiographic image capturing. The portable radiographic image capturing apparatus according to claim 6, wherein the portable radiographic image capturing apparatus performs all of the switch means simultaneously through a scanning line. 外部と通信可能な通信手段を備えた請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の可搬型放射線画像撮影装置と、
前記可搬型放射線画像撮影装置に放射線を照射する放射線源と、前記放射線源を起動させるとともに、前記放射線源に放射線の照射開始を指示する照射開始スイッチを備える操作卓と、を備える放射線発生装置と、
を備え、
前記可搬型放射線画像撮影装置の前記走査駆動手段は、前記通信手段を介して、前記操作卓から送信された前記放射線源の起動信号を受信すると、前記放射線検出素子のリセット処理を開始することを特徴とする放射線画像撮影システム。
The portable radiographic image capturing apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising a communication unit capable of communicating with outside.
A radiation generator comprising: a radiation source that irradiates radiation to the portable radiation imaging apparatus; and an operation console that activates the radiation source and includes an irradiation start switch that instructs the radiation source to start radiation irradiation; ,
With
When the scanning drive unit of the portable radiographic image capturing apparatus receives the radiation source activation signal transmitted from the console via the communication unit, it starts resetting the radiation detection element. A featured radiographic imaging system.
前記可搬型放射線画像撮影装置の前記走査駆動手段は、前記通信手段を介して、前記操作卓から送信された前記放射線源の照射信号を受信すると、前記各走査線を介して前記スイッチ手段に印加する前記電圧を前記オフ電圧に切り替えることを特徴とする請求項に記載の放射線画像撮影システム。 When the scanning drive unit of the portable radiographic imaging apparatus receives an irradiation signal of the radiation source transmitted from the console via the communication unit, the scan driving unit applies the switch to the switch unit via the scanning lines. The radiographic imaging system according to claim 8 , wherein the voltage to be switched is switched to the off voltage.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5589715B2 (en) * 2010-09-24 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 Radiation imaging equipment
JP2012118312A (en) 2010-12-01 2012-06-21 Fujifilm Corp Radiation image detector and drive control method thereof
JP5676405B2 (en) * 2011-09-27 2015-02-25 富士フイルム株式会社 Radiation image capturing apparatus, radiation image capturing system, program, and radiation image capturing method
JP5849841B2 (en) * 2012-04-17 2016-02-03 株式会社島津製作所 X-ray equipment
JP6555893B2 (en) * 2015-02-09 2019-08-07 キヤノン株式会社 Radiation imaging apparatus and radiation imaging system
JP6848407B2 (en) * 2016-12-09 2021-03-24 コニカミノルタ株式会社 Radiation imaging system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2626127B1 (en) * 1988-01-15 1990-05-04 Thomson Csf PHOTOSENSITIVE MATRIX WITH THREE DIODES PER POINT, WITHOUT RESET
JPH11155847A (en) * 1997-11-28 1999-06-15 Canon Inc Radiographic device and driving method
JP2000346950A (en) * 1999-06-07 2000-12-15 Toshiba Corp Radiation detector
JP2004080410A (en) * 2002-08-19 2004-03-11 Toshiba Corp Plane detector and radio-diagnostic device provided therewith
JP2007151761A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Canon Inc Apparatus, system, method, and program for radiation imaging
JP5217156B2 (en) * 2006-11-29 2013-06-19 コニカミノルタエムジー株式会社 Radiation imaging system

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