JP2011035923A - Drive circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumption during standby in a high-voltage drive circuit in which a low-voltage control signal is converted into a high-voltage control signal to be outputted. <P>SOLUTION: Transistors MN1-MN8 of a high voltage portion 2 are driven by control signals a1-d1 and a2-d2 from a low voltage portion 1, and a driving signal is outputted to an operating object 3. In that case, the control signals a1-d1 from the low voltage portion 1 are inputted to gates of the transistors MN1, MN3, MN5, MN7 of the high voltage portion 2 via one input terminal of each of AND gates Q1-Q4, and an ON/OFF signal of the high voltage part 2 is inputted to another input terminal of each of the AND gates Q1-Q4. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、低電圧の制御信号を高電圧の制御信号に変換して出力するドライブ回路、特に待機時の消費電力を抑えたドライブ回路に関する。   The present invention relates to a drive circuit that converts a low-voltage control signal into a high-voltage control signal and outputs the signal, and more particularly to a drive circuit that suppresses power consumption during standby.

高圧側の電源電圧を受けるMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ等の半導体素子あるいは電子回路装置は、それぞれの用途に適した電源電圧の下で動作させる必要があるが、その制御系は一般的に5V以下の低い電源電圧により動作する集積回路装置に組み込まれるので、制御系の出力により直接上記の高圧側の電源電圧を受ける操作対象を制御ないし操作することは困難である。このため、レベルシフト回路を有するドライブ回路を制御系と操作対象の間に介在させる必要があり、このドライブ回路を制御系用の集積回路装置内に組み込むのが通例である(例えば特許文献1参照)。   A semiconductor element or electronic circuit device such as a MOS transistor or a bipolar transistor that receives a power supply voltage on the high voltage side needs to be operated under a power supply voltage suitable for each application, but its control system is generally 5 V or less. Since it is incorporated in an integrated circuit device that operates with a low power supply voltage, it is difficult to control or operate an operation target that directly receives the high-voltage power supply voltage from the output of the control system. For this reason, it is necessary to interpose a drive circuit having a level shift circuit between the control system and the operation target, and this drive circuit is usually incorporated in an integrated circuit device for the control system (see, for example, Patent Document 1). ).

図6は上記の従来のドライブ回路の構成例を示す図である。この回路は、通常5V以下の低い電源電圧で動作する低圧部と、10数V以上の高い電源電圧(例えば300V)で動作する高圧部から構成され、低圧部の入力端子INに入力された上記の制御系からのパルス信号に従って、高圧部の出力端子OUTから操作対象に駆動信号が出力される。   FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of the conventional drive circuit. This circuit is generally composed of a low voltage part that operates at a low power supply voltage of 5 V or less and a high voltage part that operates at a high power supply voltage of more than 10 V (for example, 300 V), and is input to the input terminal IN of the low voltage part. In accordance with the pulse signal from the control system, a drive signal is output from the output terminal OUT of the high voltage unit to the operation target.

高圧部は、レベルシフト段、増幅段及び出力段により構成されている。レベルシフト段は、低圧部からの低圧の制御信号を高圧の制御信号にシフトアップする回路であり、増幅段及び出力段は、操作対象を駆動するのに必要な電力を増幅し、駆動信号を出力する回路である。操作対象を駆動するための電力が小さくても良い場合には、増幅段を省略することができる。また、操作対象の駆動に大電力を必要とする場合には、増幅段の段数を適宜増加させれば良い。   The high voltage unit is composed of a level shift stage, an amplification stage, and an output stage. The level shift stage is a circuit that shifts up the low-voltage control signal from the low-voltage unit to the high-voltage control signal, and the amplification stage and the output stage amplify the power required to drive the operation target, It is a circuit to output. When power for driving the operation target may be small, the amplification stage can be omitted. Further, when a large amount of power is required for driving the operation target, the number of amplification stages may be increased as appropriate.

また、高圧部を構成するPチャンネルのトランジスタMP1〜MP4及びNチャンネルのトランジスタMN1〜MN8は、電力増幅を行うために、後段になるに従って寸法が大きくなる。Z1〜Z4は、トランジスタMP1〜MP4及び操作対象のPチャンネルのトランジスタMP5のゲート・ソース間電圧をクランプするために用いられているツェナーダイオードである。これは、通常のトランジスタではゲート・ソース間の耐圧が数V程度であるためであり、それ以下の一定電圧に抑えている。R1〜R10は抵抗である。   Also, the P-channel transistors MP1 to MP4 and the N-channel transistors MN1 to MN8 constituting the high-voltage unit increase in size as they become downstream in order to perform power amplification. Z1 to Z4 are Zener diodes used to clamp the gate-source voltage of the transistors MP1 to MP4 and the P-channel transistor MP5 to be operated. This is because a normal transistor has a gate-source breakdown voltage of about several volts, and is kept at a constant voltage lower than that. R1 to R10 are resistors.

低圧部は、高圧部のトランジスタMN1〜MN8を駆動するための回路である。図7にその回路の一例を示す。Q11はインバータ、D1,D2は遅延素子、B1〜B4はバッファである。この低圧部からa1〜d1及びa2〜d2の制御信号が出力される。   The low voltage part is a circuit for driving the transistors MN1 to MN8 of the high voltage part. FIG. 7 shows an example of the circuit. Q11 is an inverter, D1 and D2 are delay elements, and B1 to B4 are buffers. Control signals a1 to d1 and a2 to d2 are output from the low-pressure part.

図8は図6の回路の動作波形を示す図である。ここでは、増幅段の動作波形を示す。同図中のVGp3はトランジスタMP3のゲート電圧、VDp3はトランジスタMP3のドレイン電圧(出力電圧)、IlossはトランジスタMN5に流れる電流を示し、IHは急増電流、ILは節約電流である。また、VDDHは高圧の電源電圧、VDDLは低圧の電源電圧、tdは図7の遅延素子D1,D2による遅延時間である。   FIG. 8 is a diagram showing operation waveforms of the circuit of FIG. Here, operational waveforms of the amplification stage are shown. In the figure, VGp3 is the gate voltage of the transistor MP3, VDp3 is the drain voltage (output voltage) of the transistor MP3, Iloss is the current flowing through the transistor MN5, IH is the sudden increase current, and IL is the saving current. VDDH is a high-voltage power supply voltage, VDDL is a low-voltage power supply voltage, and td is a delay time by the delay elements D1 and D2 in FIG.

時刻t1で低圧部からの制御信号c1が立ち上がり、遅延時間td後の時刻t2で制御信号c2が立ち下がるまでの間に、トランジスタMP3のゲート電圧VGp3はツェナーダイオードZ1のクランプ電圧分上がってVDDHになり(図示しないが、時刻t1で制御信号c1と逆相の制御信号b1が立ち下がることによりトランジスタMN3がオフ(OFF)するため)、トランジスタMP3のドレイン電圧VDp3はツェナーダイオードZ3のクランプ電圧分だけVDDHより下がる。そして、この間トランジスタMN5に急増電流IHが流れる。また、時刻t3で制御信号c1が立ち下がり、遅延時間td後の時刻t4で制御信号c2が立ち上がるまでの間に、トランジスタMP3のゲート電圧VGp3はツェナーダイオードZ1のクランプ電圧分だけVDDHより下がり(図示しないが、時刻t3で制御信号c1と逆相の制御信号b1が立ち上がることによりトランジスタMN3がオン(ON)するため。なお、時刻t3では制御信号c2と逆相の制御信号b2によりトランジスタMN4は既にオンしている。)、トランジスタMP3のドレイン電圧VDp3はツェナーダイオードZ3のクランプ電圧分上がってVDDHになる。   The gate voltage VGp3 of the transistor MP3 rises by the clamp voltage of the Zener diode Z1 to VDDH until the control signal c1 from the low voltage section rises at time t1 and the control signal c2 falls at time t2 after the delay time td. (Although not shown, since the transistor MN3 is turned off when the control signal b1 having a phase opposite to that of the control signal c1 falls at the time t1, the drain voltage VDp3 of the transistor MP3 is equal to the clamp voltage of the Zener diode Z3. Lower than VDDH. During this time, the rapidly increasing current IH flows through the transistor MN5. Further, the gate voltage VGp3 of the transistor MP3 falls below VDDH by the clamp voltage of the Zener diode Z1 until the control signal c1 falls at the time t3 and until the control signal c2 rises at the time t4 after the delay time td (illustrated). However, since the control signal b1 having a phase opposite to that of the control signal c1 rises at time t3, the transistor MN3 is turned on, and at time t3, the transistor MN4 has already been turned on by the control signal b2 having a phase opposite to that of the control signal c2. The drain voltage VDp3 of the transistor MP3 is increased by the clamp voltage of the Zener diode Z3 and becomes VDDH.

ここで、通常の電子回路装置では、待機時に必要最低限の回路を動作状態にして、他回路は停止状態にし、待機時の消費電力の削減を行っている。ドライブ回路においても同様の動作を行うものがある。図9にこのような一般的な低圧用のドライブ回路の構成例を示す。   Here, in a normal electronic circuit device, a minimum necessary circuit is set in an operating state during standby, and other circuits are stopped, thereby reducing power consumption during standby. Some drive circuits perform similar operations. FIG. 9 shows a configuration example of such a general low-voltage drive circuit.

このドライブ回路は、PチャンネルのトランジスタP1,P2……Pn−1,Pn及びNチャンネルのトランジスタN1,N2……Nn−1,Nnによるインバータを複数段接続した構成となっている。このような回路では、入力信号のH(High)とL(Low)が変化しない限り、各段のPチャンネルのトランジスタ及びNチャンネルのトランジスタのいずれか一方が必ずオフしているため、電力は消費されない。したがって、待機時に入力をHまたはLに固定することで、停止状態にすることができる。   This drive circuit has a configuration in which inverters of P-channel transistors P1, P2... Pn-1, Pn and N-channel transistors N1, N2,. In such a circuit, as long as the input signal H (High) and L (Low) do not change, either the P-channel transistor or the N-channel transistor in each stage is always turned off. Not. Therefore, it is possible to enter a stop state by fixing the input to H or L during standby.

しかし、図6に示すような高圧用のドライブ回路では、入力をHまたはLに固定しても、高圧部のクランプ用のツェナーダイオードにオン状態のものが存在し、(上述の節約電流ILに相当する)定常電流が流れる。   However, in the high-voltage drive circuit as shown in FIG. 6, even if the input is fixed to H or L, there is a clamp Zener diode in the high-voltage section that is in an ON state (in the above-described saving current IL). Corresponding) steady current flows.

例えば、入力をHに固定した場合、トランジスタMN1がオン状態となり、ツェナーダイオードZ2、トランジスタMN1、抵抗R1,R2を通って電流が流れる。さらに、トランジスタMN5がオン状態となり、ツェナーダイオードZ3、トランジスタMN5、抵抗R6,R7を通って電流が流れる。また、入力をLに固定した場合、トランジスタMN3がオン状態となり、ツェナーダイオードZ1、トランジスタMN3、抵抗R3,R4を通って電流が流れる。さらに、トランジスタMN7がオン状態となり、ツェナーダイオードZ4、トランジスタMN7、抵抗R9,R10を通って電流が流れる。   For example, when the input is fixed to H, the transistor MN1 is turned on, and a current flows through the Zener diode Z2, the transistor MN1, and the resistors R1 and R2. Further, the transistor MN5 is turned on, and a current flows through the Zener diode Z3, the transistor MN5, and the resistors R6 and R7. When the input is fixed to L, the transistor MN3 is turned on, and a current flows through the Zener diode Z1, the transistor MN3, and the resistors R3 and R4. Further, the transistor MN7 is turned on, and a current flows through the Zener diode Z4, the transistor MN7, and the resistors R9 and R10.

特開平9−214317号公報JP-A-9-214317

上記構成の従来の高圧用のドライブ回路では、動作時の低消費電力化については対策がなされているが(急増電流IHが流れる期間が遅延時間tdに限定されている)、上述のように待機時に入力をHまたはLに固定しても、高圧部のクランプ用のツェナーダイオードにオン状態のものが存在し、定常電流が流れるため、待機時の消費電力を削減することができないという問題点がある。   In the conventional high-voltage drive circuit having the above configuration, measures are taken to reduce the power consumption during operation (the period during which the rapid increase current IH flows is limited to the delay time td). Even if the input is fixed to H or L sometimes, there is a problem that the Zener diode for clamping in the high voltage section is in an on state and a steady current flows, so that power consumption during standby cannot be reduced. is there.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、待機時の消費電力を削減することができるドライブ回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide a drive circuit that can reduce power consumption during standby.

本発明では上記課題を解決するために、低電圧の制御信号を出力する低圧部と、前記低圧部からの制御信号を高電圧の制御信号に変換する高圧部と、を有し、前記高圧部は、高圧の電源電圧と接地電圧との間にクランプ素子と、第1トランジスタと、第1抵抗と、第2トランジスタとが直列に接続され、前記第1抵抗と前記第2トランジスタとの接続部が第2抵抗を介して接地された構成を有する、ドライブ回路であって、前記クランプ素子によるクランプ時に流れる定常電流の経路である前記第2抵抗と直列にスイッチ素子が挿入され、待機時に前記スイッチ素子がオフにされることを特徴とするドライブ回路が提供される。   In order to solve the above-described problems, the present invention includes a low-voltage unit that outputs a low-voltage control signal, and a high-voltage unit that converts a control signal from the low-voltage unit into a high-voltage control signal. A clamp element, a first transistor, a first resistor, and a second transistor are connected in series between a high-voltage power supply voltage and a ground voltage, and a connection portion between the first resistor and the second transistor Is a drive circuit having a configuration that is grounded via a second resistor, wherein a switch element is inserted in series with the second resistor, which is a path of a steady current that flows during clamping by the clamp element, and the switch is in standby mode A drive circuit is provided wherein the device is turned off.

このようなドライブ回路によれば、スイッチ素子により待機時の電流経路が断たれるため、待機時の消費電力を削減することができる。
また、本発明では上記課題を解決するために、低電圧の制御信号を出力する低圧部と、前記低圧部からの制御信号を高電圧の制御信号に変換する高圧部と、を有し、前記高圧部は、高圧の電源電圧と接地電圧との間にクランプ素子と、第1トランジスタと、第1抵抗と、第2トランジスタとが直列に接続され、前記第1抵抗と前記第2トランジスタとの接続部が第2抵抗を介して接地された構成を有する、ドライブ回路であって、前記クランプ素子によるクランプ時に流れる定常電流の経路である前記第2抵抗と直列に第1のスイッチ素子が挿入されるとともに、待機時にオフとなる前記第2トランジスタのゲートに第2のスイッチ素子が接続され、待機時に、前記第1のスイッチ素子がオフにされ、前記第2のスイッチ素子がオンにされることを特徴とするドライブ回路が提供される。
According to such a drive circuit, the standby current path is cut off by the switch element, so that power consumption during standby can be reduced.
In order to solve the above problems, the present invention has a low-voltage unit that outputs a low-voltage control signal, and a high-voltage unit that converts the control signal from the low-voltage unit into a high-voltage control signal, The high-voltage unit includes a clamp element, a first transistor, a first resistor, and a second transistor connected in series between a high-voltage power supply voltage and a ground voltage, and the first resistor and the second transistor A drive circuit having a configuration in which a connection portion is grounded via a second resistor, wherein the first switch element is inserted in series with the second resistor that is a path of a steady current that flows during clamping by the clamp element. In addition, the second switch element is connected to the gate of the second transistor that is turned off during standby, and the first switch element is turned off and the second switch element is turned on during standby. Drive circuit according to claim bets is provided.

このようなドライブ回路によれば、スイッチ素子により待機時の電流経路が断たれるため、待機時の消費電力を削減することができる。   According to such a drive circuit, the standby current path is cut off by the switch element, so that power consumption during standby can be reduced.

本発明のドライブ回路は、スイッチ素子により待機時の電流経路が断たれるため、待機時の消費電力を削減することができるという利点がある。   The drive circuit of the present invention has an advantage that power consumption during standby can be reduced because the current path during standby is cut off by the switch element.

本発明の関連技術に係るドライブ回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the drive circuit based on the related technology of this invention. 本発明の第1の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the drive circuit of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the drive circuit of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the drive circuit of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the drive circuit of the 4th Embodiment of this invention. 従来のドライブ回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the conventional drive circuit. 低圧部の回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the circuit of a low voltage | pressure part. 図6の回路の動作波形を示す図である。It is a figure which shows the operation | movement waveform of the circuit of FIG. 一般的な低圧用のドライブ回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the drive circuit for general low voltage | pressure.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、図6に示すドライブ回路と同一の構成要素については同一符号を付して説明する。
図1は本発明の関連技術に係るドライブ回路の構成を示す図である。このドライブ回路は、低電圧の制御信号を出力する低圧部1と、低圧部1からの制御信号を高電圧の制御信号に変換する高圧部2を有している。高圧部2は、レベルシフト段2a、増幅段2b及び出力段2cからなり、PチャンネルのトランジスタMP1〜MP4とNチャンネルのトランジスタMN1〜MN8で構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The same components as those of the drive circuit shown in FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a drive circuit according to a related technique of the present invention. The drive circuit includes a low voltage unit 1 that outputs a low voltage control signal and a high voltage unit 2 that converts the control signal from the low voltage unit 1 into a high voltage control signal. The high voltage unit 2 includes a level shift stage 2a, an amplification stage 2b, and an output stage 2c, and includes P-channel transistors MP1 to MP4 and N-channel transistors MN1 to MN8.

レベルシフト段2aでは、トランジスタMP1と直列にトランジスタMN1及びMN2が接続され、トランジスタMP2と直列にトランジスタMN3及びMN4が接続され、またトランジスタMP1のゲートとトランジスタMP2のドレインが接続され、トランジスタMP2のゲートとトランジスタMP1のドレインが接続されている。増幅段2bでは、トランジスタMP3と直列にトランジスタMN5及びMN6が接続され、出力段2cでは、トランジスタMP4と直列にトランジスタMN7及びMN8が接続されている。   In the level shift stage 2a, the transistors MN1 and MN2 are connected in series with the transistor MP1, the transistors MN3 and MN4 are connected in series with the transistor MP2, the gate of the transistor MP1 and the drain of the transistor MP2 are connected, and the gate of the transistor MP2 And the drain of the transistor MP1 are connected. In the amplification stage 2b, transistors MN5 and MN6 are connected in series with the transistor MP3, and in the output stage 2c, transistors MN7 and MN8 are connected in series with the transistor MP4.

また、高圧部2のPチャンネルのトランジスタMP1〜MP4のゲート及び操作対象のPチャンネルのトランジスタMP5のゲートにはクランプ素子としてツェナーダイオードZ1〜Z4が接続されている。   Zener diodes Z1 to Z4 are connected as clamp elements to the gates of the P-channel transistors MP1 to MP4 of the high voltage unit 2 and the gate of the P-channel transistor MP5 to be operated.

低圧部1は図7に示す構成であり、制御信号a1〜d1はそれぞれ論理積ゲートQ1〜Q4の一方の入力端子を介して高圧部2のトランジスタMN1,MN3,MN5,MN7のゲートに入力され、論理積ゲートQ1〜Q4の他方の入力端子にはオン/オフ端子ENからの高圧部2のオン/オフ信号が入力される。また、制御信号a2〜d2はそれぞれ高圧部2のトランジスタMN2,MN4,MN6,MN8のゲートに入力される。   The low-voltage unit 1 has the configuration shown in FIG. 7, and the control signals a1 to d1 are input to the gates of the transistors MN1, MN3, MN5, and MN7 of the high-voltage unit 2 through one input terminals of the AND gates Q1 to Q4, respectively. The other input terminals of the AND gates Q1 to Q4 receive the on / off signal of the high voltage unit 2 from the on / off terminal EN. The control signals a2 to d2 are input to the gates of the transistors MN2, MN4, MN6 and MN8 of the high voltage unit 2, respectively.

上記のように構成されたドライブ回路においては、低圧部1からの制御信号a1〜d1はそれぞれ論理積ゲートQ1〜Q4の一方の入力端子を介して高圧部2のトランジスタMN1,MN3,MN5,MN7のゲートに入力され、論理積ゲートQ1〜Q4の他方の入力端子には高圧部2のオン/オフ信号が入力される。そして、オン/オフ信号がHのとき、ドライブ回路は稼動状態であり、オン/オフ信号がLのとき、ドライブ回路は待機状態である。   In the drive circuit configured as described above, the control signals a1 to d1 from the low voltage unit 1 are respectively supplied to the transistors MN1, MN3, MN5, and MN7 of the high voltage unit 2 through one input terminals of the AND gates Q1 to Q4. The ON / OFF signal of the high voltage unit 2 is input to the other input terminals of the AND gates Q1 to Q4. When the on / off signal is H, the drive circuit is in an operating state, and when the on / off signal is L, the drive circuit is in a standby state.

すなわち、オン/オフ信号がHの場合には、制御信号a1〜d1は論理積ゲートQ1〜Q4を通してトランジスタMN1,MN3,MN5,MN7のゲートに入力されるが、オン/オフ信号がLの場合には、制御信号a1〜d1が如何なる値でも論理積ゲートQ1〜Q4からはLの信号が出力されるため、トランジスタMN1,MN3,MN5,MN7はオフ状態となり、各段の電流経路は断たれる。したがって、待機時の消費電力を削減することができる。   That is, when the on / off signal is H, the control signals a1 to d1 are input to the gates of the transistors MN1, MN3, MN5, and MN7 through the AND gates Q1 to Q4, but the on / off signal is L. Since the L signals are output from the AND gates Q1 to Q4 regardless of the values of the control signals a1 to d1, the transistors MN1, MN3, MN5, and MN7 are turned off, and the current paths of the respective stages are cut off. It is. Therefore, power consumption during standby can be reduced.

図2は本発明の第1の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。このドライブ回路は、待機時に出力がHとなる回路で、ツェナーダイオードZ1〜Z4によるクランプ時に流れる定常電流の経路にスイッチ素子S1,S2が挿入され、待機時にはスイッチ素子S1,S2がオフにされる。   FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the drive circuit according to the first embodiment of the present invention. This drive circuit is a circuit whose output is H during standby, and the switch elements S1 and S2 are inserted in the path of steady current that flows during clamping by the Zener diodes Z1 to Z4, and the switch elements S1 and S2 are turned off during standby. .

上記のドライブ回路は、操作対象3の駆動に大電力を要する場合を想定している。操作対象3の駆動に大電力を要する場合、トランジスタMN1,MN3,MN5,MN7のサイズが大きくなり、それらのゲートを駆動するための電力も大きくする必要があるが、図1に示す論理積ゲートQ1〜Q4の出力を大電力化するのは困難である。   The above drive circuit assumes a case where a large amount of power is required to drive the operation target 3. When a large amount of power is required to drive the operation target 3, the sizes of the transistors MN1, MN3, MN5, and MN7 are increased, and it is necessary to increase the power for driving the gates. It is difficult to increase the power output of Q1 to Q4.

そこで、本実施の形態では、トランジスタMN1,MN3,MN5,MN7のゲートはバッファを有する低圧部1で直接駆動し、抵抗R2,R7に直列にオン/オフ信号で動作するスイッチ素子S1,S2を設け、待機時には、入力端子INに稼動状態で出力がHとなる信号を入力する。この場合、トランジスタMN2,MN3,MN6,MN7がオフ、トランジスタMN1,MN5がオン状態となる。そして、さらにスイッチ素子S1,S2をオフすることにより、各段の電流経路を断つことができる。   Therefore, in the present embodiment, the gates of the transistors MN1, MN3, MN5, and MN7 are directly driven by the low-voltage unit 1 having a buffer, and switch elements S1 and S2 that operate in response to an on / off signal in series with the resistors R2 and R7. At the time of standby, a signal whose output is H in the operating state is input to the input terminal IN. In this case, the transistors MN2, MN3, MN6, and MN7 are turned off, and the transistors MN1 and MN5 are turned on. Further, by turning off the switch elements S1 and S2, the current path of each stage can be cut off.

図3は本発明の第2の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。このドライブ回路は、図2に示す第1の実施の形態に対し、待機時に出力がLとなる回路であり、抵抗R4,R10に直列にオン/オフ信号で動作するスイッチ素子S1,S2を設け、待機時には、入力端子INに稼動状態で出力がLとなる信号を入力する。この場合、トランジスタMN1,MN4,MN5,MN8がオフ、トランジスタMN3,MN7がオン状態となる。そして、さらにスイッチ素子S1,S2をオフすることにより、各段の電流経路を断つことができる。   FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the drive circuit according to the second embodiment of the present invention. In contrast to the first embodiment shown in FIG. 2, this drive circuit is a circuit whose output is L during standby, and is provided with switch elements S1 and S2 that operate in response to an on / off signal in series with resistors R4 and R10. During standby, a signal that outputs L in the operating state is input to the input terminal IN. In this case, the transistors MN1, MN4, MN5, MN8 are turned off and the transistors MN3, MN7 are turned on. Further, by turning off the switch elements S1 and S2, the current path of each stage can be cut off.

図4は本発明の第3の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。このドライブ回路は、待機時に出力がHとなる回路で、待機時に低圧部1の電源がオフされる場合を想定している。ツェナーダイオードZ1〜Z4によるクランプ時に流れる定常電流の経路に第1のスイッチ素子S1,S2が挿入されるとともに、待機時にオフとなるトランジスタMN2,MN3,MN6,MN7のゲートに第2のスイッチ素子S3,S4,S5,S6が接続されている。そして、待機時には第1のスイッチ素子S1,S2がオフにされ、第2のスイッチ素子S3,S4,S5,S6がオンにされる。   FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the drive circuit according to the third embodiment of the present invention. This drive circuit is a circuit whose output becomes H during standby, and assumes that the power supply of the low-voltage unit 1 is turned off during standby. The first switch elements S1 and S2 are inserted in the path of the steady current that flows during clamping by the Zener diodes Z1 to Z4, and the second switch element S3 is connected to the gates of the transistors MN2, MN3, MN6, and MN7 that are turned off during standby. , S4, S5 and S6 are connected. During standby, the first switch elements S1 and S2 are turned off, and the second switch elements S3, S4, S5 and S6 are turned on.

すなわち、本実施の形態では、図2に示す第1の実施の形態で設けたスイッチ素子S1,S2に加え、トランジスタMN2,MN3,MN6,MN7のゲートとグランド間にスイッチ素子S3,S4,S5,S6を設けている。低圧部1の電源がオフとなる場合には、これらのトランジスタMN2,MN3,MN6,MN7を確実にオフすることは困難である。そこで、待機時にはオン/オフ端子EN1からの信号によりスイッチ素子S1,S2をオフにし、さらにオン/オフ端子EN2からの信号によりスイッチ素子S3,S4,S5,S6をオンにしている。これにより、トランジスタMN2,MN3,MN6,MN7を確実にオフすることができ、各段の電流経路を断つことができる。   That is, in this embodiment, in addition to the switch elements S1 and S2 provided in the first embodiment shown in FIG. 2, the switch elements S3, S4 and S5 are connected between the gates of the transistors MN2, MN3, MN6 and MN7 and the ground. , S6. When the power supply of the low voltage unit 1 is turned off, it is difficult to reliably turn off these transistors MN2, MN3, MN6, MN7. Therefore, during standby, the switch elements S1, S2 are turned off by a signal from the on / off terminal EN1, and the switch elements S3, S4, S5, S6 are turned on by a signal from the on / off terminal EN2. Thereby, the transistors MN2, MN3, MN6, and MN7 can be reliably turned off, and the current path of each stage can be cut off.

図5は本発明の第4の実施の形態のドライブ回路の構成を示す図である。このドライブ回路は、図4に示す第3の実施の形態に対し、待機時に出力がLとなる回路であり、図3に示す第2の実施の形態で設けたスイッチ素子S1,S2に加え、トランジスタMN1,MN4,MN5,MN8のゲートとグランド間にスイッチ素子S3,S4,S5,S6を設けている。そして、待機時にはオン/オフ端子EN1からの信号によりスイッチ素子S1,S2をオフにし、さらにオン/オフ端子EN2からの信号によりスイッチ素子S3,S4,S5,S6をオンにしている。これにより、低圧部1の電源がオフとなる場合でもトランジスタMN1,MN4,MN5,MN8を確実にオフすることができ、各段の電流経路を断つことができる。   FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the drive circuit according to the fourth embodiment of the present invention. This drive circuit is a circuit whose output is L during standby in contrast to the third embodiment shown in FIG. 4, and in addition to the switch elements S1 and S2 provided in the second embodiment shown in FIG. Switching elements S3, S4, S5 and S6 are provided between the gates of the transistors MN1, MN4, MN5 and MN8 and the ground. During standby, the switch elements S1, S2 are turned off by a signal from the on / off terminal EN1, and the switch elements S3, S4, S5, S6 are turned on by a signal from the on / off terminal EN2. Thereby, even when the power supply of the low-voltage unit 1 is turned off, the transistors MN1, MN4, MN5, MN8 can be reliably turned off, and the current path of each stage can be cut off.

1 低圧部
2 高圧部
2a レベルシフト段
2b 増幅段
2c 出力段
3 操作対象
MN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6,MN7,MN8 Nチャンネルのトランジスタ
MP1,MP2,MP3,MP4,MP5 Pチャンネルのトランジスタ
Q1,Q2,Q3,Q4 論理積ゲート
S1,S2,S3,S4,S5,S6 スイッチ素子
Z1,Z2,Z3,Z4 ツェナーダイオード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Low voltage | pressure part 2 High voltage | pressure part 2a Level shift stage 2b Amplification stage 2c Output stage 3 Operation object MN1, MN2, MN3, MN4, MN5, MN6, MN7, MN8 N channel transistor MP1, MP2, MP3, MP4, MP5 Transistor Q1, Q2, Q3, Q4 AND gate S1, S2, S3, S4, S5, S6 Switch element Z1, Z2, Z3, Z4 Zener diode

Claims (2)

低電圧の制御信号を出力する低圧部と、
前記低圧部からの制御信号を高電圧の制御信号に変換する高圧部と、を有し、
前記高圧部は、高圧の電源電圧と接地電圧との間にクランプ素子と、第1トランジスタと、第1抵抗と、第2トランジスタとが直列に接続され、前記第1抵抗と前記第2トランジスタとの接続部が第2抵抗を介して接地された構成を有する、ドライブ回路であって、
前記クランプ素子によるクランプ時に流れる定常電流の経路である前記第2抵抗と直列にスイッチ素子が挿入され、待機時に前記スイッチ素子がオフにされることを特徴とするドライブ回路。
A low-voltage unit that outputs a low-voltage control signal;
A high-voltage unit that converts a control signal from the low-voltage unit into a high-voltage control signal,
The high-voltage unit includes a clamp element, a first transistor, a first resistor, and a second transistor connected in series between a high-voltage power supply voltage and a ground voltage, and the first resistor and the second transistor A drive circuit having a configuration in which the connection portion of the first electrode is grounded via a second resistor,
A drive circuit, wherein a switch element is inserted in series with the second resistor that is a path of a steady current that flows during clamping by the clamp element, and the switch element is turned off during standby.
低電圧の制御信号を出力する低圧部と、
前記低圧部からの制御信号を高電圧の制御信号に変換する高圧部と、を有し、
前記高圧部は、高圧の電源電圧と接地電圧との間にクランプ素子と、第1トランジスタと、第1抵抗と、第2トランジスタとが直列に接続され、前記第1抵抗と前記第2トランジスタとの接続部が第2抵抗を介して接地された構成を有する、ドライブ回路であって、
前記クランプ素子によるクランプ時に流れる定常電流の経路である前記第2抵抗と直列に第1のスイッチ素子が挿入されるとともに、待機時にオフとなる前記第2トランジスタのゲートに第2のスイッチ素子が接続され、待機時に、前記第1のスイッチ素子がオフにされ、前記第2のスイッチ素子がオンにされることを特徴とするドライブ回路。
A low-voltage unit that outputs a low-voltage control signal;
A high-voltage unit that converts a control signal from the low-voltage unit into a high-voltage control signal,
The high-voltage unit includes a clamp element, a first transistor, a first resistor, and a second transistor connected in series between a high-voltage power supply voltage and a ground voltage, and the first resistor and the second transistor A drive circuit having a configuration in which the connection portion of the first electrode is grounded via a second resistor,
A first switch element is inserted in series with the second resistor, which is a path of a steady current that flows during clamping by the clamp element, and a second switch element is connected to the gate of the second transistor that is turned off during standby. The drive circuit, wherein the first switch element is turned off and the second switch element is turned on during standby.
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