JP2011028283A - Electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve display quality and yield by reducing in-plane variations in spacing between a first substrate and a second substrate. <P>SOLUTION: A first substrate 51 on which a driving transistor 24 is formed and a second substrate 52 on which an organic electroluminescent element 25 is formed are bonded with an insulating adhesive 55 containing a spacer 54. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置およびそれを備えた電子機器に関する。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、EL(エレクトロルミネッセンス)素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等をいう。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus including the same. Here, the “electro-optical device” means a general device including an electro-optical element that emits light by electrical action or changes the state of light from the outside. The device that emits light by itself and the passage of light from the outside Including those that control For example, as an electro-optic element, a liquid crystal element, an electrophoretic element, an EL (electroluminescence) element, an active matrix display device provided with an electron-emitting element that emits light by applying electrons generated by applying an electric field to a light-emitting plate, and the like Say.

電気光学装置として、例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、表示装置として先行する液晶表示装置に比べ、薄型軽量、高視野角、高コントラスト等の特徴を有し、さらに、特許文献1に記載されているように、アクティブマトリックス方式で駆動することにより、高精細化、低消費電力化、長寿命化が可能なため、精力的に研究開発が行なわれている。   As an electro-optical device, for example, an organic electroluminescence display device is known. The organic electroluminescence display device has characteristics such as a thin and light weight, a high viewing angle, and a high contrast as compared with a liquid crystal display device that precedes as a display device. Further, as described in Patent Document 1, an active matrix method is used. By driving with, high-definition, low power consumption, and long life can be achieved.

特に、特許文献2および特許文献3に記載されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された第1基板と、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光を制御するための画素回路が形成された第2基板を、有機エレクトロルミネッセンス素子と画素回路が対向するように貼り合わせ、有機エレクトロルミネッセンス素子と画素回路を電気的に接続してなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光は、有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている第1基板を通過して観察者に視認されるため、画素回路や配線等に遮蔽されることが無いので開口率が飛躍的に向上する。これにより、さらなる低消費電力化、高精細化および長寿命化が可能となり、さらに画素回路と有機エレクトロルミネッセンス素子の設計および製造プロセスを個別に最適化することが可能となる。   In particular, as described in Patent Document 2 and Patent Document 3, a first substrate on which an organic electroluminescence element is formed and a second substrate on which a pixel circuit for controlling light emission of the organic electroluminescence element is formed. Are bonded so that the organic electroluminescence element and the pixel circuit face each other, and in the organic electroluminescence display device in which the organic electroluminescence element and the pixel circuit are electrically connected, light emission from the organic electroluminescence element is organic. Since it passes through the 1st board | substrate with which the electroluminescent element is formed, and it is visually recognized by an observer, since it is not shielded by a pixel circuit, wiring, etc., an aperture ratio improves dramatically. As a result, further reduction in power consumption, higher definition, and longer life can be achieved, and further, the design and manufacturing process of the pixel circuit and the organic electroluminescence element can be individually optimized.

特開平8−241048号公報Japanese Patent Laid-Open No. 8-24048 特開平10−333601号公報JP-A-10-333601 特開平11−3048号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-3048

しかしながら、特許文献2および3に開示された有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、基板の歪みに起因して、第1基板と第2基板の間隔に面内ばらつきが生じ易いという課題が有った。   However, the organic electroluminescence display devices disclosed in Patent Documents 2 and 3 have a problem that in-plane variation is likely to occur in the distance between the first substrate and the second substrate due to the distortion of the substrate.

特に有機エレクトロルミネッセンス素子と画素回路を導電性接着剤により接続した場合、第1基板と第2基板の間隔が小さい場所では、導電性接着剤は押しつぶされるので、電流の流れる方向に対して短くなり、且つ、電流の流れる方向に巣直な面に沿って広がるため、電気抵抗が小さくなる。一方、第1基板と第2基板の間隔が大きい場所では、逆に導電性接着剤の電気抵抗が大きくなる。これにより導電性接着剤の電気抵抗にばらつきが生じるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度がばらつき、輝度むらが生じていた。   In particular, when the organic electroluminescence element and the pixel circuit are connected by a conductive adhesive, the conductive adhesive is crushed in a place where the distance between the first substrate and the second substrate is small, so that the current flows in a shorter direction. And since it spreads along the surface which is straight in the direction in which the current flows, the electric resistance becomes small. On the other hand, in a place where the distance between the first substrate and the second substrate is large, the electrical resistance of the conductive adhesive is increased. As a result, variation occurs in the electric resistance of the conductive adhesive, resulting in variation in the light emission luminance of the organic electroluminescence element, resulting in luminance unevenness.

また、第1基板と第2基板の間隔が導電性接着剤の厚さより大きな場所では、有機エレクトロルミネッセンス素子と画素回路が電気的に接続出来ず、第1基板と第2基板の間隔が小さ過ぎる場所では、導電性接着剤が著しく横方向に広がることにより、隣り合う画素回路間や隣り合う有機エレクトロルミネッセンス素子間等で短絡を生じ、製造歩留まりを著しく低下させていた。   In addition, in a place where the distance between the first substrate and the second substrate is larger than the thickness of the conductive adhesive, the organic electroluminescence element and the pixel circuit cannot be electrically connected, and the distance between the first substrate and the second substrate is too small. At the place, the conductive adhesive spreads in the lateral direction, causing a short circuit between adjacent pixel circuits, adjacent organic electroluminescence elements, and the like, and the manufacturing yield is significantly reduced.

本発明の目的は、上記課題を解決する電気光学装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an electro-optical device that solves the above-described problems.

請求項1記載の本発明は、電気光学素子が形成された第1基板と、画素回路が形成された第2基板を、前記電気光学素子と前記画素回路が対向するように貼り合わせ、前記電気光学素子と前記画素回路を電気的に接続してなる電気光学装置において、前記第1基板と前記第2基板の間にスペーサーを有することを特徴とする電気光学装置である。   According to the first aspect of the present invention, the first substrate on which the electro-optic element is formed and the second substrate on which the pixel circuit is formed are bonded together so that the electro-optic element and the pixel circuit face each other. In the electro-optical device in which an optical element and the pixel circuit are electrically connected, a spacer is provided between the first substrate and the second substrate.

請求項1の構成によれば、スペーサーの存在により第1基板と第2基板の間隔を精度良く制御することが可能となり、輝度むらのない電気光学装置を高い歩留まりで得ることが出来る。   According to the configuration of the first aspect, it is possible to accurately control the distance between the first substrate and the second substrate due to the presence of the spacer, and it is possible to obtain an electro-optical device free from luminance unevenness with a high yield.

請求項2記載の本発明は、請求項1記載の電気光学装置において、前記スペーサーは球状または円柱状の粒子であることを特徴とする電気光学装置である。   According to a second aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the first aspect, the spacer is a spherical or cylindrical particle.

請求項2の構成によれば、スペーサーの高さがスペーサーの向きに依存しないため、スペーサーを印刷法や散布法などの簡便な方法で配置することが可能となり、且つ、第1基板と第2基板の間隔を高い精度で制御することが可能となる。   According to the configuration of the second aspect, since the height of the spacer does not depend on the direction of the spacer, the spacer can be arranged by a simple method such as a printing method or a spraying method, and the first substrate and the second substrate can be arranged. It becomes possible to control the space | interval of a board | substrate with high precision.

請求項3記載の本発明は、請求項2記載の電気光学装置において、前記第1基板と前記第2基板は、前記スペーサーを含有する絶縁性接着剤により接合されていることを特徴とする電気光学装置である。   According to a third aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the second aspect, the first substrate and the second substrate are joined by an insulating adhesive containing the spacer. It is an optical device.

請求項3の構成によれば、第1基板と第2基板を接合するための絶縁性接着剤を配置する工程とスペーサーを配置する工程を兼ねることが出来るので製造コストを下げることが可能となる。また、スペーサーは絶縁性接着剤により固定されるので、スペーサーの移動に起因する電気光学素子や画素回路の損傷が皆無となり、製造歩留まりをさらに上げることが出来る。   According to the structure of Claim 3, since the process of arrange | positioning the insulating adhesive for joining a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate and the process of arrange | positioning a spacer can be combined, it becomes possible to reduce manufacturing cost. . In addition, since the spacer is fixed by an insulating adhesive, the electro-optic element and the pixel circuit due to the movement of the spacer are not damaged, and the manufacturing yield can be further increased.

請求項4記載の本発明は、請求項2記載の電気光学装置において、前記電気光学素子と前記画素回路は導電性接着剤により接続され、前記スペーサーは前記導電性接着剤中に含有されていることを特徴とする電気光学装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the second aspect, the electro-optical element and the pixel circuit are connected by a conductive adhesive, and the spacer is contained in the conductive adhesive. This is an electro-optical device.

請求項4の構成によれば、スペーサーを配置する工程と導電性接着剤を配置する工程を兼ねることが出来るので製造コストを下げることが可能となる。また、スペーサーは導電性接着剤により固定されるので、スペーサーの移動に起因する電気光学素子や画素回路の損傷が皆無となり、製造歩留まりをさらに上げることが可能となる。さらに、スペーサーが導電性接着剤中に存在することにより、導電性接着剤の高さをより精密に制御出来るため、輝度むらをさらに抑制することが可能となる。   According to the structure of Claim 4, since the process of arrange | positioning a spacer and the process of arrange | positioning a conductive adhesive can be combined, it becomes possible to reduce manufacturing cost. In addition, since the spacer is fixed by the conductive adhesive, the electro-optic element and the pixel circuit due to the movement of the spacer are not damaged, and the manufacturing yield can be further increased. Furthermore, since the spacer is present in the conductive adhesive, the height of the conductive adhesive can be controlled more precisely, so that the luminance unevenness can be further suppressed.

請求項5記載の本発明は、請求項4記載の電気光学装置において、前記スペーサーが導電性を有することを特徴とする電気光学装置である。   According to a fifth aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the fourth aspect, the spacer has conductivity.

請求項5の構成によれば、導電性接着剤中にスペーサーを含有する場合であっても電気光学素子と画素回路の接続抵抗の増大を防止することが出来る。これにより、駆動電圧及び消費電力を下げることが可能となる。   According to the configuration of the fifth aspect, it is possible to prevent an increase in connection resistance between the electro-optic element and the pixel circuit even when the conductive adhesive contains a spacer. As a result, the drive voltage and power consumption can be reduced.

請求項6の本発明は、請求項1記載の電気光学装置において、前記スペーサーは感光性樹脂材料からなり、前記第1基板と前記第2基板の何れか一方あるいは両方の所定の位置に、フォトリソグラフィーを用いて形成されていることを特徴とする電気光学装置である。   According to a sixth aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the first aspect, the spacer is made of a photosensitive resin material, and a photo is placed at a predetermined position on one or both of the first substrate and the second substrate. An electro-optical device is formed by using lithography.

請求項6の構成によれば、スペーサーを所望の位置に所望の形状で精度良く形成出来るので、第1基板と第2基板の間隔をさらに高い精度で制御することが可能となる。   According to the configuration of the sixth aspect, since the spacer can be accurately formed in a desired shape and in a desired position, the distance between the first substrate and the second substrate can be controlled with higher accuracy.

請求項7記載の本発明は、請求項1記載の電気光学装置において、前記スペーサーは、前記第1基板上で前記電気光学素子を囲うように設けられた逆テーパ隔壁であることを特徴とする電気光学装置である。   According to a seventh aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the first aspect, the spacer is a reverse tapered partition provided so as to surround the electro-optical element on the first substrate. An electro-optical device.

請求項7の構成によれば、スペーサーを電気光学素子のカソードセパレータとして利用することが可能である。ここで言うカソードセパレータとは、電気光学素子の陰極を蒸着等により製膜した際に、逆テーパ部分で陰極を切断しうる部材である。第1基板上にカソードセパレータを形成することにより、陰極を蒸着する際のマスクが不要となるとともに、基板とマスクの位置合わせ工程を省くことが可能となるが、逆テーパ隔壁がカソードセパレータとスペーサーを兼ねることによりさらに製造工程が短縮され、製造コストを下げることが可能となる。   According to the configuration of the seventh aspect, the spacer can be used as a cathode separator of the electro-optical element. The cathode separator here is a member that can cut the cathode at the reverse taper when the cathode of the electro-optic element is formed by vapor deposition or the like. Forming the cathode separator on the first substrate eliminates the need for a mask for vapor deposition of the cathode and eliminates the step of aligning the substrate and the mask. In addition, the manufacturing process can be further shortened and the manufacturing cost can be reduced.

請求項8記載の本発明は、請求項2記載の電気光学装置において、前記スペーサーはプラスチックを主成分とすることを特徴とする電気光学装置である。   According to an eighth aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the second aspect, the spacer includes a plastic as a main component.

スペーサーを用いて第1基板と第2基板の間隔を制御する場合、スペーサーを介在させた状態で第1基板と第2基板を圧着する必要があるが、その際にスペーサーと第1基板の接触する部分および、スペーサーと第2基板の接触する部分に応力が集中するため、電気光学素子または画素回路を構成する素子が破壊される可能性がある。請求項6の構成によれば、スペーサーの適度な弾性により、スペーサーと第1基板の接触する部分および、スペーサーと第2基板の接触する部分に集中する応力を緩和することが可能となる。これにより、電気光学素子または画素回路を構成する素子の破壊を防ぐことが出来る。   When using a spacer to control the distance between the first substrate and the second substrate, it is necessary to crimp the first substrate and the second substrate with the spacer interposed therebetween. Since stress concentrates on the portion to be contacted and the portion where the spacer and the second substrate are in contact with each other, there is a possibility that the electro-optic element or the element constituting the pixel circuit is destroyed. According to the structure of Claim 6, it becomes possible to relieve the stress concentrated on the part where the spacer contacts the first substrate and the part where the spacer contacts the second substrate due to the moderate elasticity of the spacer. As a result, it is possible to prevent the electro-optic element or the elements constituting the pixel circuit from being destroyed.

請求項9記載の本発明は、請求項1から請求項8記載の電気光学装置において、前記スペーサーと前記電気光学素子が、前記第1基板の法線方向に重なる部分を持たないように配置してある事を特徴とする電気光学装置である。   According to a ninth aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the first to eighth aspects, the spacer and the electro-optical element are arranged so as not to have a portion overlapping the normal direction of the first substrate. It is an electro-optical device characterized by that.

スペーサーを用いて第1基板と第2基板の間隔を制御する場合、スペーサーを介在させた状態で第1基板と第2基板を圧着する必要があるが、その際にスペーサーと第1基板の接触する部分に応力が集中するため、スペーサーと電気光学素子が第1基板の法線方向に重なる部分を持つように配置してあると、電気光学素子が破壊される可能性がある。請求項9の構成によれば、電気光学素子の破壊を防止することが可能となる。   When using a spacer to control the distance between the first substrate and the second substrate, it is necessary to crimp the first substrate and the second substrate with the spacer interposed therebetween. Since stress concentrates on the portion to be subjected to, if the spacer and the electro-optic element are arranged so as to have a portion overlapping in the normal direction of the first substrate, the electro-optic element may be destroyed. According to the configuration of the ninth aspect, it is possible to prevent the electro-optical element from being destroyed.

請求項10記載の本発明は、請求項1から請求項9記載の電気光学装置において、前記画素回路を構成する素子と前記スペーサーが、前記第2基板の法線方向に重なる部分を持たないように配置してある事を特徴とする電気光学装置である。   According to a tenth aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the first to ninth aspects, the element constituting the pixel circuit and the spacer do not have a portion overlapping the normal direction of the second substrate. The electro-optical device is characterized in that it is arranged in the above.

スペーサーを介在させた状態で第1基板と第2基板を圧着する際、スペーサーと第2基板の接触する部分に応力が集中するため、画素回路を構成する素子とスペーサーが第2基板の法線方向に重なる部分を持つように配置してあると、画素回路を構成する素子が破壊される可能性があるが、請求項10の構成によれば、画素回路を構成する素子の破壊を防止することが可能となる。   When the first substrate and the second substrate are pressure-bonded with the spacer interposed, stress concentrates on the contact portion between the spacer and the second substrate, so that the elements constituting the pixel circuit and the spacer are normal to the second substrate. If the elements are arranged so as to overlap each other in the direction, there is a possibility that elements constituting the pixel circuit may be destroyed. According to the configuration of claim 10, destruction of elements constituting the pixel circuit is prevented. It becomes possible.

請求項11記載の本発明は、請求項1から請求項10記載の電気光学装置において、前記画素回路は多結晶シリコン薄膜トランジスタにより構成してあることを特徴とする電気光学装置である。   According to an eleventh aspect of the present invention, in the electro-optical device according to the first to tenth aspects, the pixel circuit is formed of a polycrystalline silicon thin film transistor.

請求項11の構成によれば、画素回路表面の凹凸が最小限で済むため、スペーサーを用いた第1基板と第2基板の間隔の制御が容易となるとともに、十分な駆動能力をもつ画素回路を製造することが出来る。   According to the configuration of the eleventh aspect, since the unevenness on the surface of the pixel circuit can be minimized, it is easy to control the distance between the first substrate and the second substrate using the spacer, and the pixel circuit has sufficient driving capability. Can be manufactured.

請求項12記載の本発明は、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。   A twelfth aspect of the present invention includes the electro-optical device according to any one of the first to eleventh aspects.

本発明の一実施例に用いた画素回路の回路図。1 is a circuit diagram of a pixel circuit used in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に用いた第1基板の一画素分の断面図。1 is a cross-sectional view of one pixel of a first substrate used in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例に用いた第2基板の一画素分の平面図。The top view for one pixel of the 2nd board | substrate used for one Example of this invention. 本発明の一実施例に用いた第2基板の一画素分の断面図。Sectional drawing for the 1 pixel of the 2nd board | substrate used for one Example of this invention. 本発明の一実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Sectional drawing of the organic electroluminescent display apparatus which is one Example of this invention. 本発明の一実施例に用いた第1基板の一画素分の断面図。1 is a cross-sectional view of one pixel of a first substrate used in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Sectional drawing of the organic electroluminescent display apparatus which is one Example of this invention. 本発明の一実施例に用いた第1基板の一画素分の断面図。1 is a cross-sectional view of one pixel of a first substrate used in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Sectional drawing of the organic electroluminescent display apparatus which is one Example of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

なお、以下、有機エレクトロルミネッセンス素子(表示装置)を例にとって説明するが、本発明の適用範囲はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, an organic electroluminescence element (display device) will be described as an example, but the scope of application of the present invention is not limited thereto.

図1は本発明の第1の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路図である。図1に示してある通り、一つの画素は画素回路21と有機エレクトロルミネッセンス素子25からなる。一つの画素回路21は選択トランジスタ22と、保持容量23と、駆動トランジスタ24と、有機エレクトロルミネッセンス素子25を備え、選択トランジスタ22のゲートは走査線26に、選択トランジスタ22のソースは信号線27に、選択トランジスタ22のドレインは保持容量23の一方の端子に、保持容量23の他方の端子は電源線28に、駆動トランジスタ24のゲートは選択トランジスタ22のドレインに、駆動トランジスタ24のソースは電源線28に、駆動トランジスタ24のドレインはエレクトロルミネッセンス素子25の陰極に、それぞれ接続され、エレクトロルミネッセンス素子25の陽極は、所定の電位に保たれる。   FIG. 1 is a circuit diagram of an organic electroluminescence display device according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, one pixel includes a pixel circuit 21 and an organic electroluminescence element 25. One pixel circuit 21 includes a selection transistor 22, a storage capacitor 23, a drive transistor 24, and an organic electroluminescence element 25. The gate of the selection transistor 22 is connected to the scanning line 26, and the source of the selection transistor 22 is connected to the signal line 27. The drain of the selection transistor 22 is connected to one terminal of the storage capacitor 23, the other terminal of the storage capacitor 23 is connected to the power supply line 28, the gate of the drive transistor 24 is connected to the drain of the selection transistor 22, and the source of the drive transistor 24 is connected to the power supply line. 28, the drain of the driving transistor 24 is connected to the cathode of the electroluminescence element 25, and the anode of the electroluminescence element 25 is kept at a predetermined potential.

走査線26を介して選択トランジスタ22をON状態にすると、輝度に対応した電圧が、信号線27を介して保持容量23と駆動トランジスタ24のゲートに印可され、有機エレクトロルミネッセンス素子25は所望の輝度で発光する。選択トランジスタ22をOFF状態にした後も、駆動トランジスタ24のゲートには、保持容量23に保持される電圧が印可されるため、有機エレクトロルミネッセンス素子25は所望の輝度で発光を続ける。   When the selection transistor 22 is turned on via the scanning line 26, a voltage corresponding to the luminance is applied to the holding capacitor 23 and the gate of the driving transistor 24 via the signal line 27, and the organic electroluminescence element 25 has a desired luminance. Flashes on. Even after the selection transistor 22 is turned off, the voltage held in the storage capacitor 23 is applied to the gate of the drive transistor 24, so that the organic electroluminescence element 25 continues to emit light with a desired luminance.

図2は、本発明の第1の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の、第1基板の一画素分の断面図である。図2に示してある通り、第1基板は基板10上に、透明導電材料からなる陽極11と、有機発光層14と、陰極15と、隔壁12を有し、陽極11と、有機発光層14と、陰極15が一つの有機エレクトロルミネッセンス素子25を構成する。   FIG. 2 is a cross-sectional view of one pixel of the first substrate of the organic electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the first substrate has an anode 11 made of a transparent conductive material, an organic light emitting layer 14, a cathode 15, and a partition wall 12 on the substrate 10, and the anode 11 and the organic light emitting layer 14. The cathode 15 constitutes one organic electroluminescence element 25.

以下に、本実施例における第1基板の製造過程を説明する。   Hereinafter, the manufacturing process of the first substrate in this embodiment will be described.

先ず、基板10として厚さ0.7mmのガラス基板を用意し、基板10上に陽極11を形成した。陽極11としては、有機発光層14が発する光を基板10側から取り出すために、透明導電材料であるITO(インジウム錫酸化物)を用い、スパッタリングにより基板10上に50nm製膜した。   First, a 0.7 mm thick glass substrate was prepared as the substrate 10, and the anode 11 was formed on the substrate 10. As the anode 11, in order to take out the light emitted from the organic light emitting layer 14 from the substrate 10 side, ITO (indium tin oxide) which is a transparent conductive material was used, and a film of 50 nm was formed on the substrate 10 by sputtering.

次に、有機発光層14を正確に区画するための仕切り部材として、隔壁12を形成した。隔壁12としては、有機発光材料の溶液を適度にはじくこと、数μm程度の厚さで形成出来ること、などが要求される。本実施例では感光性のアクリル樹脂を用い2μmの厚さで隔壁12を形成した。   Next, the partition wall 12 was formed as a partition member for accurately partitioning the organic light emitting layer 14. The partition wall 12 is required to appropriately repel the solution of the organic light emitting material and to be formed with a thickness of about several μm. In this embodiment, the partition wall 12 is formed with a thickness of 2 μm using a photosensitive acrylic resin.

次に、有機発光層14をインクジェット法により形成した。有機発光層14の材料としては、PPV(ポリパラフェニレンビニレン)やポリフルオレン等の高分子系の発光材料が挙げられる。また、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等を積層して有機発光層14とすることが可能である。本実施例では、発光材料溶液を滴下するに先立って、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)をインクジェット装置により隔壁12に囲まれた領域に滴下し、正孔注入層を形成した。その後に、赤の画素においてはローダミン101をPPVに添加したものを、緑の画素においてはPPVを、青の画素においてはポリジオクチルフルオレンを、それぞれ発光材料として用い、インクジェット装置を用いて隔壁12に囲まれた領域に滴下し、有機発光層14を形成した。   Next, the organic light emitting layer 14 was formed by the inkjet method. Examples of the material of the organic light emitting layer 14 include polymer light emitting materials such as PPV (polyparaphenylene vinylene) and polyfluorene. Further, if necessary, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like can be laminated to form the organic light emitting layer 14. In this example, prior to dropping the light emitting material solution, PEDOT (polyethylenedioxythiophene) was dropped into a region surrounded by the partition wall 12 by an ink jet device to form a hole injection layer. Thereafter, rhodamine 101 added to PPV in the red pixel, PPV in the green pixel, and polydioctylfluorene in the blue pixel are used as the light emitting materials, and the partition wall 12 is formed using an inkjet device. The organic light emitting layer 14 was formed by dropping in the enclosed region.

次に、陰極材料をマスク越しに蒸着することで陰極15を形成した。陰極15の材料としては、有機発光層14に効率よく電子を注入出来るように、なるべく仕事関数の小さな金属が適しており、例えば、カルシウム、マグネシウム、或いはそれらの合金若しくは化合物等が利用可能である。また、これらの陰極材料が、酸素や水分によりに酸化するのを防ぐため、アルミや銀等の比較的安定な金属を、陰極材料の上に形成することが好ましい。本実施例においては、カルシウムを50nmの厚さで有機発光層14の上に蒸着し、さらにその上にアルミを250nmの厚さで蒸着し、陰極15とした。   Next, the cathode 15 was formed by evaporating a cathode material through a mask. As a material for the cathode 15, a metal having a work function as small as possible is suitable so that electrons can be efficiently injected into the organic light emitting layer 14. For example, calcium, magnesium, or alloys or compounds thereof can be used. . In order to prevent these cathode materials from being oxidized by oxygen or moisture, it is preferable to form a relatively stable metal such as aluminum or silver on the cathode material. In this example, calcium was vapor-deposited on the organic light emitting layer 14 with a thickness of 50 nm, and aluminum was vapor-deposited thereon with a thickness of 250 nm to form the cathode 15.

以上のようにして、第1基板を製造した。なお、本実施例では有機発光層14として、高分子系の発光材料をインクジェット法により形成したが、Alq3(アルミキノリノール錯体)等の低分子系の発光材料を蒸着法等により形成することも可能である。   The first substrate was manufactured as described above. In this embodiment, a high-molecular light-emitting material is formed as the organic light-emitting layer 14 by an inkjet method, but a low-molecular light-emitting material such as Alq3 (aluminum quinolinol complex) can also be formed by a vapor deposition method or the like. It is.

図3は、本発明の第1の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の、第2基板の一画素分の平面図である。一つの画素回路21は選択トランジスタ22と、保持容量23と、駆動トランジスタ24からなる。   FIG. 3 is a plan view of one pixel of the second substrate of the organic electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention. One pixel circuit 21 includes a selection transistor 22, a storage capacitor 23, and a drive transistor 24.

図4は、図3のC−D断面を描いたものである。基板10上に形成された駆動トランジスタ24は、能動層32と、ソース33と、ドレイン34と、ゲート絶縁膜35と、ゲート電極36から構成され、駆動トランジスタ24のソースは電源線28に、駆動トランジスタ24のドレインは電極パッド40を通じて画素電極42に接続される。   FIG. 4 is a drawing of a CD cross section of FIG. The drive transistor 24 formed on the substrate 10 includes an active layer 32, a source 33, a drain 34, a gate insulating film 35, and a gate electrode 36. The source of the drive transistor 24 is driven to the power line 28. The drain of the transistor 24 is connected to the pixel electrode 42 through the electrode pad 40.

以下に、本実施例における第2基板の製造過程を説明する。なお、本実施例では、請求項11に記載したとおり、選択トランジスタ22および駆動トランジスタ24として、多結晶シリコン薄膜を半導体層とする多結晶シリコン薄膜トランジスタを利用した。   Hereinafter, the manufacturing process of the second substrate in this embodiment will be described. In this embodiment, as described in claim 11, a polycrystalline silicon thin film transistor having a polycrystalline silicon thin film as a semiconductor layer is used as the selection transistor 22 and the driving transistor 24.

基板10としては、厚さ0.7mmの無アルカリガラスを用いた。本実施例の場合、有機エレクトロルミネッセンス素子からの発光は、第1基板側に取り出されるため、基板10は透明である必要はないが、既存の多結晶シリコン薄膜トランジスタ製造装置をそのまま活用するため、ガラス基板を使用した。   As the substrate 10, non-alkali glass having a thickness of 0.7 mm was used. In the case of the present embodiment, since the light emitted from the organic electroluminescence element is taken out to the first substrate side, the substrate 10 does not need to be transparent, but the existing polycrystalline silicon thin film transistor manufacturing apparatus is used as it is. A substrate was used.

先ず、基板10上にPECVD装置を用いてアモルファスシリコン薄膜を堆積した後、アモルファスシリコン薄膜にエキシマレーザーを照射することにより厚さ50nmの多結晶シリコン薄膜を得た。そのようにして形成した多結晶シリコン薄膜を、フォトリソグラフィーとエッチングにより島状にパターニングした。   First, after depositing an amorphous silicon thin film on the substrate 10 using a PECVD apparatus, the amorphous silicon thin film was irradiated with an excimer laser to obtain a polycrystalline silicon thin film having a thickness of 50 nm. The polycrystalline silicon thin film thus formed was patterned into an island shape by photolithography and etching.

次に、PECVD装置を用いて厚さ75nmのSiO2薄膜を製膜し、ゲート絶縁膜35とした。 Next, a 75 nm thick SiO 2 thin film was formed using a PECVD apparatus to form a gate insulating film 35.

ゲート絶縁膜35を形成した後、イオン注入装置を用いて、多結晶シリコン薄膜の、保持容量23を形成する領域に燐イオンを注入した。   After forming the gate insulating film 35, phosphorus ions were implanted into the region of the polycrystalline silicon thin film where the storage capacitor 23 was to be formed using an ion implantation apparatus.

次に、スパッタリングにより厚さ400nmのタンタル薄膜を製膜し、このタンタル薄膜をフォトリソグラフィーとエッチングにより所定の形状にパターニングしてゲート電極36とした。   Next, a tantalum thin film having a thickness of 400 nm was formed by sputtering, and this tantalum thin film was patterned into a predetermined shape by photolithography and etching to form a gate electrode 36.

次に、多結晶シリコン薄膜のソース33およびドレイン34を形成する領域に、イオン注入装置を用いて不純物を注入した。なお、選択トランジスタ22と駆動トランジスタ24は、双方がn型でも、双方がp型でも、あるいは一方がp型で他方がn型であっても駆動回路として機能させることが可能であり、n型のトランジスタを形成する領域には燐イオンを、p型のトランジスタを形成する領域にはボロンイオンを注入するのが好ましい。また、不純物の注入はゲート電極36をマスクとして自己整合的に行うことが好ましい。   Next, an impurity was implanted into a region where the source 33 and drain 34 of the polycrystalline silicon thin film were to be formed using an ion implantation apparatus. Note that the selection transistor 22 and the drive transistor 24 can function as a drive circuit even if both are n-type, both are p-type, or one is p-type and the other is n-type. It is preferable to implant phosphorus ions in the region where the transistor is formed and boron ions into the region where the p-type transistor is formed. Further, the impurity implantation is preferably performed in a self-aligning manner using the gate electrode 36 as a mask.

不純物の注入が終わった後、基板全体を摂氏400度で1時間加熱し、注入した不純物の活性化を図った。   After the implantation of the impurities was completed, the entire substrate was heated at 400 degrees Celsius for 1 hour to activate the implanted impurities.

上述のようにして、駆動トランジスタ24および保持容量23を形成した。なお、図4に図示されていない選択トランジスタ22も駆動トランジスタ24と同じ工程により形成した。   As described above, the drive transistor 24 and the storage capacitor 23 were formed. Note that the selection transistor 22 not shown in FIG.

駆動トランジスタ24、選択トランジスタ22、および保持容量23を形成した後、PECVD装置を用いて層間絶縁膜38を製膜し、フォトリソグラフィーとエッチングによりコンタクトホールを形成した。層間絶縁膜38には厚さ500nmのSiO2を用いた。 After forming the driving transistor 24, the selection transistor 22, and the storage capacitor 23, an interlayer insulating film 38 was formed using a PECVD apparatus, and a contact hole was formed by photolithography and etching. The interlayer insulating film 38 is made of SiO 2 having a thickness of 500 nm.

次に、信号線27、電源線28および電極パッド40を形成した。信号線27、電源線28および電極パッド40には、厚さ800nmのアルミを用いたが、アルミによりソース33およびドレイン34のシリコン薄膜が侵食されないように、アルミの製膜に先立って厚さ50nmのチタンを製膜し、チタンとアルミの積層膜をフォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングした。   Next, the signal line 27, the power supply line 28, and the electrode pad 40 were formed. The signal line 27, the power supply line 28, and the electrode pad 40 are made of aluminum having a thickness of 800 nm, but the thickness of 50 nm prior to the aluminum film formation so that the silicon thin film of the source 33 and the drain 34 is not eroded by the aluminum. Titanium film was formed, and the laminated film of titanium and aluminum was patterned by photolithography and etching.

次に、第二層間絶縁膜41を製膜し、コンタクトホールを形成した後、画素電極42を形成した。第二層間絶縁膜41には感光性を有するアクリル樹脂を用い、画素電極42には厚さ500nmのアルミを用いた。   Next, after forming a second interlayer insulating film 41 and forming a contact hole, a pixel electrode 42 was formed. The second interlayer insulating film 41 is made of photosensitive acrylic resin, and the pixel electrode 42 is made of aluminum having a thickness of 500 nm.

以上のようにして第2基板を製造した。なお、本実施例では第2基板上に画素回路のみ製造したが、必要に応じて、走査線駆動回路、信号線駆動回路などを集積することが可能である。   A second substrate was manufactured as described above. In this embodiment, only the pixel circuit is manufactured on the second substrate. However, a scanning line driver circuit, a signal line driver circuit, and the like can be integrated as necessary.

次に、上述のようにして製造された第1基板と第2基板を貼り合わせる工程を、図5を参照しつつ説明する。   Next, a process of bonding the first substrate and the second substrate manufactured as described above will be described with reference to FIG.

図5は本発明の第1の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。   FIG. 5 is a sectional view of an organic electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention.

本実施例では、第1基板51と第2基板52を機械的且つ電気的に接続するために導電性接着剤53を用い、請求項4に記載したとおり、導電性接着剤53中にスペーサー54を含有させることで、第1基板51と第2基板52の間隔を制御した。   In this embodiment, a conductive adhesive 53 is used to mechanically and electrically connect the first substrate 51 and the second substrate 52, and the spacer 54 is included in the conductive adhesive 53 as described in claim 4. By containing the first substrate 51, the distance between the first substrate 51 and the second substrate 52 was controlled.

導電性接着剤53としては、例えば、株式会社スリーボンドの3300シリーズや、太陽金網株式会社のCHO−BOND SV712等の熱硬化型の導電性接着剤が利用可能であるが、導電性接着剤53中に溶剤が含まれると有機エレクトロルミネッセンス素子の有機発光層に悪影響を与えるため、溶剤を含まない接着剤を用いるのが好ましい。本実施例では株式会社スリーボンドの3301Bを用いた。この導電性接着剤は、120℃で1時間加熱することにより硬化する無溶剤タイプの導電性接着剤である。   As the conductive adhesive 53, for example, a thermosetting conductive adhesive such as 3300 series of Three Bond Co., Ltd. or CHO-BOND SV712 of Taiyo Wire Net Co., Ltd. can be used. Since a solvent is adversely affected on the organic light emitting layer of the organic electroluminescence device, it is preferable to use an adhesive that does not contain a solvent. In this example, 3301B manufactured by ThreeBond Co., Ltd. was used. This conductive adhesive is a solventless type conductive adhesive that is cured by heating at 120 ° C. for 1 hour.

スペーサー54としては、球状のプラスチック粒子に金メッキを施したものを用い、導電性接着剤に10%の割合で混合した。   As the spacer 54, spherical plastic particles plated with gold were used and mixed with a conductive adhesive at a ratio of 10%.

スペーサー54の混入した導電性接着剤53を、スクリーン印刷機を用いて画素電極42上に印刷した後、第1基板51と第2基板52を、有機エレクトロルミネッセンス素子25の陰極15と駆動トランジスタ24の画素電極42が対向するように位置合わせし、第1基板51と第2基板52を圧着した状態でオーブン内に移し、オーブン内を窒素ガスでパージしながら摂氏120度で60分加熱することで導電性接着剤53を硬化させた。   After the conductive adhesive 53 mixed with the spacer 54 is printed on the pixel electrode 42 by using a screen printer, the first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded to the cathode 15 and the driving transistor 24 of the organic electroluminescence element 25. The first electrode 51 and the second substrate 52 are brought into pressure contact with each other so that the pixel electrodes 42 face each other, and the oven is heated at 120 degrees Celsius for 60 minutes while purging the oven with nitrogen gas. Then, the conductive adhesive 53 was cured.

導電性接着剤53が硬化した後、貼り合わされた第1基板51と第2基板52を、窒素置換されたグローブボックス中に移し、第1基板51と第2基板52の外周部にシール剤(図示せず)を塗布し、第1基板と第2基板で挟まれた空間を完全に密閉した。シール剤としては、二液性常温硬化タイプのエポキシ接着剤を用い、塗布後にグローブボックス中で一昼夜放置することで硬化させた。   After the conductive adhesive 53 is cured, the bonded first substrate 51 and second substrate 52 are moved into a nitrogen-substituted glove box, and a sealant (on the outer periphery of the first substrate 51 and the second substrate 52). The space between the first substrate and the second substrate was completely sealed. As the sealant, a two-component room temperature curing type epoxy adhesive was used, and after application, it was cured by being left overnight in a glove box.

上述のようにして得られた有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、輝度むらがなく、良好な表示性能を示した。   The organic electroluminescence display device obtained as described above showed no unevenness in brightness and showed good display performance.

特に、請求項4に記載したとおり導電性接着剤53中にスペーサー54を含有させることで、スペーサー54を配置する工程と導電性接着剤53を配置する工程を兼ねることが可能となり、これにより製造コストを下げることが出来た。さらに、スペーサー54は導電性接着剤53により固定されるので、スペーサー54の移動に起因する有機エレクトロルミネッセンス素子25や画素回路21の損傷を防止することが出来た。また、スペーサー54が導電性接着剤53中に存在することにより、導電性接着剤53の高さを精密に制御することが出来た。   In particular, the inclusion of the spacer 54 in the conductive adhesive 53 as described in claim 4 makes it possible to combine the step of arranging the spacer 54 and the step of arranging the conductive adhesive 53. We were able to lower the cost. Furthermore, since the spacer 54 is fixed by the conductive adhesive 53, damage to the organic electroluminescence element 25 and the pixel circuit 21 due to the movement of the spacer 54 can be prevented. Further, since the spacer 54 is present in the conductive adhesive 53, the height of the conductive adhesive 53 can be precisely controlled.

また、スペーサー54にメッキを施してあるので、請求項5に記載したとおりスペーサーが導電性を有するため、有機エレクトロルミネッセンス素子25と画素回路21の接続抵抗の増大を防止することが出来た。これにより、駆動電圧及び消費電力を下げることが可能となった。   In addition, since the spacer 54 is plated, the spacer has conductivity as described in claim 5, so that an increase in connection resistance between the organic electroluminescent element 25 and the pixel circuit 21 can be prevented. As a result, the drive voltage and power consumption can be reduced.

また、請求項8に記載したとおりプラスチックを主成分とするスペーサーを用いたため、スペーサーの適度な弾性により、スペーサー54と第1基板51の接触する部分および、スペーサー54と第2基板52の接触する部分に集中する応力を緩和出来た。これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子25および画素回路21を構成する素子が破壊されるの防ぐことが出来た。   Further, since the spacer mainly composed of plastic is used as described in claim 8, the portion where the spacer 54 and the first substrate 51 are in contact with each other and the spacer 54 and the second substrate 52 are in contact with each other due to appropriate elasticity of the spacer. The stress concentrated on the part could be relaxed. Thereby, it was possible to prevent the elements constituting the organic electroluminescence element 25 and the pixel circuit 21 from being destroyed.

図6は本発明の第2の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第1基板の断面図である。図6に示してある通り、第1基板は基板10上に、透明導電材料からなる陽極11と、有機発光層14と、陰極15と、隔壁12を有し、陽極11と、有機発光層14と、陰極15が一つの有機エレクトロルミネッセンス素子25を構成する。本実施例における第1基板の構成は第1の実施例と同じであり、その製造工程も第1の実施例と全く同じであるが、有機エレクトロルミネッセンス素子25を若干小さめに製造してある。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the first substrate of the organic electroluminescence display device according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the first substrate has an anode 11 made of a transparent conductive material, an organic light emitting layer 14, a cathode 15, and a partition wall 12 on the substrate 10, and the anode 11 and the organic light emitting layer 14. The cathode 15 constitutes one organic electroluminescence element 25. The configuration of the first substrate in the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and the manufacturing process thereof is exactly the same as that of the first embodiment, but the organic electroluminescence element 25 is manufactured slightly smaller.

図7は本発明の第2の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。本実施例の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路構成は、第1の実施例と全く同じであり、第2基板には第1の実施例と同じ物を用いた。   FIG. 7 is a cross-sectional view of an organic electroluminescence display device according to the second embodiment of the present invention. The circuit configuration of the organic electroluminescence display device of this example is the same as that of the first example, and the same substrate as that of the first example is used for the second substrate.

本実施例においては、第1基板51と第2基板52を電気的且つ機械的に接続するために導電性接着剤53を用いるとともに、請求項3に記載したとおり、スペーサー54を含有する絶縁性接着剤55により第1基板51と第2基板52を接合した。   In this embodiment, the conductive adhesive 53 is used to electrically and mechanically connect the first substrate 51 and the second substrate 52, and as described in claim 3, the insulating property containing the spacer 54 is used. The first substrate 51 and the second substrate 52 were bonded with an adhesive 55.

以下、その製造工程について説明する。   Hereinafter, the manufacturing process will be described.

前述の如く、本実施例に用いた第1基板51および第2基板52は、第1の実施例と全く同じ工程で製造したものである。但し、第1基板51に関しては、有機エレクトロルミネッセンス素子25を若干小さめに製造してあり、有機エレクトロルミネッセンス素子25を避けた位置に、スペーサー54を含有する絶縁性接着剤55を、スクリーン印刷機を用いて印刷した。   As described above, the first substrate 51 and the second substrate 52 used in this embodiment are manufactured in exactly the same steps as in the first embodiment. However, with respect to the first substrate 51, the organic electroluminescence element 25 is manufactured to be slightly smaller, and an insulating adhesive 55 containing a spacer 54 is placed on the screen printing machine at a position away from the organic electroluminescence element 25. Printed.

絶縁性接着剤55としては熱硬化型のエポキシ接着剤を用いた。また、スペーサー54としては球状のガラス粒子を用い、絶縁性接着剤55中に15%の割合で混合した。   As the insulating adhesive 55, a thermosetting epoxy adhesive was used. Further, spherical glass particles were used as the spacer 54 and mixed in the insulating adhesive 55 at a ratio of 15%.

次に、導電性接着剤53を、スクリーン印刷機を用いて画素電極42上に印刷した後、第1基板51と第2基板52を、有機エレクトロルミネッセンス素子25の陰極15と駆動トランジスタ24の画素電極42が対向するように位置合わせし、第1基板51と第2基板52を圧着した状態でオーブン内に移し、オーブン内を窒素ガスでパージしながら摂氏120度で60分加熱することで導電性接着剤53および絶縁性接着剤55を硬化させた。なお、導電性接着剤53には第1の実施例と同じ物を利用した。   Next, after the conductive adhesive 53 is printed on the pixel electrode 42 using a screen printer, the first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded to the cathode 15 of the organic electroluminescence element 25 and the pixel of the driving transistor 24. The electrodes 42 are aligned so that they face each other, transferred to the oven with the first substrate 51 and the second substrate 52 being crimped, and heated by heating at 120 degrees Celsius for 60 minutes while purging the oven with nitrogen gas. The adhesive 53 and the insulating adhesive 55 were cured. The conductive adhesive 53 used was the same as that in the first embodiment.

導電性接着剤53および絶縁性接着剤55が硬化した後、貼り合わされた第1基板51と第2基板52を、窒素置換されたグローブボックス中に移し、第1基板51と第2基板52の外周部にシール剤(図示せず)を塗布し、第1基板と第2基板で挟まれた空間を完全に密閉した。シール剤としては、二液性常温硬化タイプのエポキシ接着剤を用い、塗布後にグローブボックス中で一昼夜放置することで硬化させた。   After the conductive adhesive 53 and the insulating adhesive 55 are cured, the bonded first substrate 51 and second substrate 52 are moved into a nitrogen-substituted glove box, and the first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded. A sealing agent (not shown) was applied to the outer periphery, and the space between the first substrate and the second substrate was completely sealed. As the sealant, a two-component room temperature curing type epoxy adhesive was used, and after application, it was cured by being left overnight in a glove box.

上述のようにして得られた有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、輝度むらがなく、良好な表示性能を示した。   The organic electroluminescence display device obtained as described above showed no unevenness in brightness and showed good display performance.

特に、請求項3に記載したとおり、スペーサー54を含有する絶縁性接着剤55により第1基板51と第2基板52を接合したことにより、スペーサー54を配置する工程と絶縁性接着剤55を配置する工程を兼ねることが出来た。また、スペーサー54は絶縁性接着剤55により固定され、スペーサー54の移動に起因する有機エレクトロルミネッセンス素子25および画素回路21の損傷を防止することが出来た。   In particular, the step of arranging the spacer 54 and the insulating adhesive 55 are arranged by joining the first substrate 51 and the second substrate 52 with the insulating adhesive 55 containing the spacer 54 as described in claim 3. I was able to double as a process. Further, the spacer 54 is fixed by the insulating adhesive 55, and damage to the organic electroluminescence element 25 and the pixel circuit 21 due to the movement of the spacer 54 can be prevented.

また、請求項9に記載したとおり、スペーサー54と有機エレクトロルミネッセンス素子25が、第1基板51の法線方向に重なる部分を持たないように配置してあるため、スペーサー54による有機エレクトロルミネッセンス素子25の破壊を確実に防止出来た。   Further, as described in claim 9, since the spacer 54 and the organic electroluminescence element 25 are arranged so as not to overlap each other in the normal direction of the first substrate 51, the organic electroluminescence element 25 by the spacer 54. It was possible to reliably prevent the destruction.

図8は本発明の第3の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置における第1基板の断面図である。なお、本実施例の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路構成は、第1の実施例と全く同じである。   FIG. 8 is a cross-sectional view of the first substrate in the organic electroluminescence display device according to the third embodiment of the present invention. The circuit configuration of the organic electroluminescence display device of this example is exactly the same as that of the first example.

以下、第1基板の製造工程を説明する。   Hereinafter, the manufacturing process of the first substrate will be described.

基板10上に、第1の実施例と同様にして陽極および隔壁を形成した後、逆テーパ隔壁13を形成した。この逆テーパ隔壁13は、第1基板と第2基板間隔を制御するためのスペーサーとして働くのみならず、有機エレクトロルミネッセンス素子25のカソードセパレータとして機能する部材である。   After forming the anode and the partition on the substrate 10 in the same manner as in the first example, the reverse tapered partition 13 was formed. The reverse tapered partition wall 13 is a member that functions not only as a spacer for controlling the distance between the first substrate and the second substrate but also as a cathode separator of the organic electroluminescence element 25.

ここで言うカソードセパレータとは、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極を蒸着等により製膜した際に、逆テーパ部分で陰極を切断しうる部材である。第1基板上にカソードセパレータを形成することにより、陰極を蒸着する際のマスクが不要となるとともに、基板とマスクの位置合わせ工程を省くことが可能となるが、逆テーパ隔壁13がカソードセパレータとスペーサーを兼ねることによりさらに製造工程が短縮され、製造コストを下げることが可能となる。   The cathode separator here is a member that can cut the cathode at the reverse taper portion when the cathode of the organic electroluminescence element is formed by vapor deposition or the like. Forming the cathode separator on the first substrate eliminates the need for a mask for vapor deposition of the cathode and eliminates the step of aligning the substrate and the mask. By also serving as a spacer, the manufacturing process is further shortened, and the manufacturing cost can be reduced.

逆テーパ隔壁13を形成した後、第1の実施例と同様にして、有機発光層14をインクジェット法により形成し、その上から陰極材料を蒸着した。陰極材料は逆テーパ隔壁13により画素ごとに分断され、陰極15が形成された。   After forming the reverse taper partition wall 13, the organic light emitting layer 14 was formed by an ink jet method in the same manner as in the first example, and a cathode material was deposited thereon. The cathode material was divided for each pixel by the reverse tapered partition wall 13 to form the cathode 15.

以上のようにして第1基板を製造した。なお、有機発光層14および陰極15の材料は、第1の実施例と同じ物を用いた。   The first substrate was manufactured as described above. The materials for the organic light emitting layer 14 and the cathode 15 were the same as those in the first example.

図9は本発明の第3の実施例である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。   FIG. 9 is a sectional view of an organic electroluminescence display device according to a third embodiment of the present invention.

本実施例においては、第1基板51と第2基板52を機械的且つ電気的に接続するために導電性接着剤53を用い、前述したとおり、逆テーパ隔壁13をスペーサーとして利用した。   In this embodiment, the conductive adhesive 53 is used to mechanically and electrically connect the first substrate 51 and the second substrate 52, and the reverse tapered partition wall 13 is used as a spacer as described above.

以下、その製造工程について説明する。   Hereinafter, the manufacturing process will be described.

本実施例に用いた第2基板52は、第1の実施例と全く同じ工程で製造したものである。   The second substrate 52 used in this example is manufactured in exactly the same process as in the first example.

スクリーン印刷機を用いて、第2基板52の画素電極42上に導電性接着剤53を印刷した後、第1基板51と第2基板52を、有機エレクトロルミネッセンス素子25の陰極15と駆動トランジスタ24の画素電極42が対向するように位置合わせし、第1基板51と第2基板52を圧着した状態でオーブン内に移し、オーブン内を窒素ガスでパージしながら摂氏120度で60分加熱することで導電性接着剤53を硬化させた。なお、導電性接着剤53には第1の実施例と同じ物を用いた。   After the conductive adhesive 53 is printed on the pixel electrode 42 of the second substrate 52 using a screen printer, the first substrate 51 and the second substrate 52 are connected to the cathode 15 and the driving transistor 24 of the organic electroluminescence element 25. The first electrode 51 and the second substrate 52 are brought into pressure contact with each other so that the pixel electrodes 42 face each other, and the oven is heated at 120 degrees Celsius for 60 minutes while purging the oven with nitrogen gas. Then, the conductive adhesive 53 was cured. The conductive adhesive 53 was the same as that in the first example.

導電性接着剤53が硬化した後、貼り合わされた第1基板51と第2基板52を、窒素置換されたグローブボックス中に移し、第1基板51と第2基板52の外周部にシール剤(図示せず)を塗布し、第1基板と第2基板で挟まれた空間を完全に密閉した。シール剤としては、二液性常温硬化タイプのエポキシ接着剤を用い、塗布後にグローブボックス中で一昼夜放置することで硬化させた。   After the conductive adhesive 53 is cured, the bonded first substrate 51 and second substrate 52 are moved into a nitrogen-substituted glove box, and a sealant (on the outer periphery of the first substrate 51 and the second substrate 52). The space between the first substrate and the second substrate was completely sealed. As the sealant, a two-component room temperature curing type epoxy adhesive was used, and after application, it was cured by being left overnight in a glove box.

上述のようにして得られた有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、輝度むらがなく、良好な表示性能を示した。   The organic electroluminescence display device obtained as described above showed no unevenness in brightness and showed good display performance.

特に、前述したとおり、逆テーパ隔壁13がカソードセパレータとスペーサーを兼ねることにより製造工程が大幅に短縮され、製造コストを下げることが出来た。   In particular, as described above, the reverse tapered partition wall 13 serves as a cathode separator and a spacer, so that the manufacturing process can be greatly shortened and the manufacturing cost can be reduced.

また、請求項9に記載したとおり、スペーサーとして機能する逆テーパ隔壁13と有機エレクトロルミネッセンス素子25が、第1基板51の法線方向に重なる部分を持たないように配置してあるため、スペーサーによる有機エレクトロルミネッセンス素子25の破壊を確実に防止出来た。   Further, as described in claim 9, the reverse tapered partition wall 13 and the organic electroluminescence element 25 functioning as a spacer are arranged so as not to have a portion overlapping the normal direction of the first substrate 51. The destruction of the organic electroluminescence element 25 was reliably prevented.

また、請求項10に記載したとおり、スペーサーとして機能する逆テーパ隔壁13と、画素回路21を構成する素子とが、第1基板51の法線方向に重なる部分を持たないように配置してあるため、スペーサーにより画素回路21を構成する素子が破壊されるのを確実に防止出来た。   Further, as described in claim 10, the inverted tapered partition wall 13 functioning as a spacer and the elements constituting the pixel circuit 21 are arranged so as not to overlap with the normal direction of the first substrate 51. Therefore, it was possible to reliably prevent the elements constituting the pixel circuit 21 from being destroyed by the spacer.

本発明に係る表示装置は、あらゆる電子機器に適用可能である。例えば、モバイル型パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビューワ、ゲーム機等の携帯情報端末、電子書籍、電子ペーパ、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型TV、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。   The display device according to the present invention is applicable to any electronic device. For example, mobile personal computers, mobile phones, viewers, portable information terminals such as game consoles, electronic books, electronic paper, fax machines with display functions, digital camera finders, portable TVs, electronic notebooks, electronic bulletin boards, public notices It can also be used as a display for home use.

本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタや単結晶シリコントランジスタで駆動回路を構成する場合や、低分子型の有機エレクトロルミネッセンス素子を利用する場合にも適用可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be applied to, for example, a case where a drive circuit is constituted by an amorphous silicon thin film transistor or a single crystal silicon transistor, or a case where a low molecular weight organic electroluminescence element is used. It is.

また、上記実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、インクジェットプリンター用ヘッド等にも適用可能である。   In the above-described embodiment, the display device using the organic electroluminescence element has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to an inkjet printer head or the like.

10 基板、11 陽極、12 隔壁、13 逆テーパ隔壁、14 有機発光層、15 陰極、16 封止材、17 封止基板、19 隔壁開口部、21 画素回路、22 選択トランジスタ、23 保持容量、24 駆動トランジスタ、25 有機エレクトロルミネッセンス素子、26 走査線、27 信号線、28 電源線、32 能動層、33 ソース、34 ドレイン、35 ゲート絶縁膜、36 ゲート電極、38 層間絶縁膜、40 電極パッド、41 第二層間絶縁膜、42 画素電極、51 第1基板、52 第2基板、53 導電性接着剤、54 スペーサー、55 絶縁性接着剤。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate, 11 Anode, 12 Partition, 13 Reverse taper partition, 14 Organic light emitting layer, 15 Cathode, 16 Sealant, 17 Sealing substrate, 19 Partition opening, 21 Pixel circuit, 22 Select transistor, 23 Retention capacity, 24 Drive transistor, 25 organic electroluminescence device, 26 scanning line, 27 signal line, 28 power supply line, 32 active layer, 33 source, 34 drain, 35 gate insulating film, 36 gate electrode, 38 interlayer insulating film, 40 electrode pad, 41 Second interlayer insulating film, 42 pixel electrode, 51 first substrate, 52 second substrate, 53 conductive adhesive, 54 spacer, 55 insulating adhesive.

Claims (12)

電気光学素子が形成された第1基板と、画素回路が形成された第2基板を、前記電気光学素子と前記画素回路が対向するように貼り合わせ、前記電気光学素子と前記画素回路を電気的に接続してなる電気光学装置において、前記第1基板と前記第2基板の間にスペーサーを有することを特徴とする電気光学装置。   The first substrate on which the electro-optic element is formed and the second substrate on which the pixel circuit is formed are bonded so that the electro-optic element and the pixel circuit face each other, and the electro-optic element and the pixel circuit are electrically connected. In the electro-optical device connected to the electro-optical device, a spacer is provided between the first substrate and the second substrate. 請求項1記載の電気光学装置において、前記スペーサーは球状または円柱状の粒子であることを特徴とする電気光学装置。   2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the spacer is a spherical or cylindrical particle. 請求項1または請求項2記載の電気光学装置において、前記第1基板と前記第2基板は、前記スペーサーを含有する絶縁性接着剤により接合されていることを特徴とする電気光学装置。   3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the first substrate and the second substrate are joined by an insulating adhesive containing the spacer. 4. 請求項1または請求項2記載の電気光学装置において、前記電気光学素子と前記画素回路は導電性接着剤により接続され、前記スペーサーは前記導電性接着剤中に含有されていることを特徴とする電気光学装置。   3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical element and the pixel circuit are connected by a conductive adhesive, and the spacer is contained in the conductive adhesive. Electro-optic device. 請求項4記載の電気光学装置において、前記スペーサーが導電性を有することを特徴とする電気光学装置。   5. The electro-optical device according to claim 4, wherein the spacer has conductivity. 請求項1記載の電気光学装置において、前記スペーサーは感光性樹脂材料からなり、フォトリソグラフィーを用いて前記第1基板と前記第2基板の何れか一方あるいは両方の所定の位置に形成してあることを特徴とする電気光学装置。   2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the spacer is made of a photosensitive resin material and is formed at a predetermined position on one or both of the first substrate and the second substrate using photolithography. An electro-optical device. 請求項1記載の電気光学装置において、前記スペーサーは、前記第1基板上で前記電気光学素子を囲うように設けられた逆テーパ隔壁であることを特徴とする電気光学装置。   2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the spacer is a reverse tapered partition wall provided on the first substrate so as to surround the electro-optical element. 請求項2記載の電気光学装置において、前記スペーサーはプラスチックを主成分とすることを特徴とする電気光学装置。   3. The electro-optical device according to claim 2, wherein the spacer includes plastic as a main component. 請求項1から請求項8記載の電気光学装置において、前記スペーサーと前記電気光学素子が、前記第1基板の法線方向に重なる部分を持たないように配置してある事を特徴とする電気光学装置。   9. The electro-optical device according to claim 1, wherein the spacer and the electro-optical element are arranged so as not to have a portion overlapping in a normal direction of the first substrate. apparatus. 請求項1から請求項9記載の電気光学装置において、前記画素回路を構成する素子と前記スペーサーが、前記第2基板の法線方向に重なる部分を持たないように配置してある事を特徴とする電気光学装置。   10. The electro-optical device according to claim 1, wherein the elements constituting the pixel circuit and the spacer are arranged so as not to have a portion overlapping in a normal direction of the second substrate. An electro-optical device. 請求項1から請求項10記載の電気光学装置において、前記画素回路は多結晶シリコン薄膜トランジスタにより構成してあることを特徴とする電気光学装置。   11. The electro-optical device according to claim 1, wherein the pixel circuit is composed of a polycrystalline silicon thin film transistor. 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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