JP2011026494A - 温度可変光センサ素子 - Google Patents
温度可変光センサ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011026494A JP2011026494A JP2009175289A JP2009175289A JP2011026494A JP 2011026494 A JP2011026494 A JP 2011026494A JP 2009175289 A JP2009175289 A JP 2009175289A JP 2009175289 A JP2009175289 A JP 2009175289A JP 2011026494 A JP2011026494 A JP 2011026494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- light emitting
- emitting means
- zno
- emission spectrum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段が、励起光照射時の温度に依存して異なる発光スペクトルを示すことを特徴とする温度可変光センサ素子;少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段の発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大することを特徴とする温度可変光センサ素子。
【選択図】なし
Description
本発明の第一の発明は、少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段が、励起光照射時の温度に依存して異なる発光スペクトルを示すことを特徴とする温度可変光センサ素子を提供する。
また、本発明の第二の発明は、少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段の発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大することを特徴とする温度可変光センサ素子を提供する。
本発明の温度可変光センサ素子においては、励起光照射時の温度に依存して、前記発光スペクトルにおけるピークの位置がシフトすることが好ましい。
本発明の温度可変光センサ素子においては、不活性ガス又はアンモニアガス共存下で加熱処理された酸化亜鉛を含有することが好ましい。
本発明の温度可変光センサ素子においては、前記発光手段が、さらに窒化ガリウム又は二酸化チタンを含有することが好ましい。
本発明の温度可変光センサ素子においては、前記発光手段として、前記酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛が、水又は水溶性の液体中に分散された分散液、あるいは該分散液を塗布及び乾燥してなる層を備えることが好ましい。
また、本発明の温度可変光センサ素子は、少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段の発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大することを特徴とする。
本発明は、酸化亜鉛(以下、ZnOと略記する)の発光スペクトルが、励起光照射時における温度に依存して変化する、又はその発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大するという特性を利用して、温度可変光センサ素子として構成したものである。
加熱処理時の温度は、目的に応じて適宜選択すれば良いが、150〜650℃であることが好ましく、250〜550℃であることがより好ましい。このような範囲とすることで、励起光照射時の温度に依存した発光スペクトルの変化が一層明りょうとなる。
ZnOの加熱処理時の時間は、温度に応じて適宜調整すれば良いが、例えば、加熱温度が上記範囲内である場合には、通常0.5〜2時間程度で良い。
このようにZnOを、高活性なガスの共存下で加熱処理することにより、O(酸素)の空孔欠陥の量を変化させ、発光スペクトルを一層明りょうに変化させることが可能になると考えられる。
この場合、GaNは、半導体分野で通常使用されるもので良く、純度が99.9%以上のものが好ましい。TiO2は、例えば、市販品を使用できる。
また、ZnO及びTiO2を併用する場合には、「ZnOのモル数:TiO2のモル数」は7:3〜3:7であることが好ましく、6:4〜4:6であることがより好ましい。
例えば、GaN又はTiO2をZnOと併用した場合でも、NH3ガス共存下でZnOを加熱処理すると、上記と同様にZnO中のO(酸素)が還元されると考えられる。
樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂のいずれもが使用でき、例えば、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、セルロースアセテート、ウレタン系樹脂、ポリカーボネイト、環化ゴム、塩化ゴム、塩素化ポリオレフィン樹脂、メラミン系樹脂、尿素系樹脂、尿素−メラミン系樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、アミノアルキッド樹脂、ロジン変性マレイン酸樹脂などを単独で又は混合して使用できる。
着色剤としては、各種染料、顔料などが使用できる。添加剤としては、ワックス、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、分散剤、消泡剤、キレート化剤などが使用できる。
インク中における前記ZnO等の含有量は、インク中の固形分全量に対して0.005〜10質量%とされ、0.005質量%未満では発光強度が低すぎてその検出が困難になり、10質量%を超えると印刷適性が悪くなる。
また、インクは透明であることが好ましく、無色透明であることがより好ましい。ただし、ZnO等の配合量によっては、若干白濁することもある。
また、上記のいずれの場合においても、加熱処理時の温度等の条件が異なると、励起光照射時の温度が同じでも、異なる発光スペクトルを示すことがある。そして、特定のピークについて、励起光照射時の温度の上昇に伴って、強度を大きくできることがある。これまでに知られている発光素子では、励起光照射時に温度の上昇に伴って発光強度が減少して消光してしまうので、上記知見は新規なものである。
さらに、上記のいずれの場合においても、発光スペクトルの複数のピークの内、特定のピークだけ波長をシフトさせたり、強度を変化させたりできることがある。
このように、本発明は、発光スペクトルの温度依存性を利用して、発光手段を温度可変光センサとして機能させるものである。
そして、発光手段が基材上に保持されたもので好ましいものとしては、ZnO等を含有する分散液又は溶液、好ましくはインクにより、基材上に文字やパターンが形成されたものが例示できる。このようなものは、基材に特有の情報を付与したメモリ素子として好適である。
<ZnO粉末の発光スペクトルの測定(1)>
ZnO粉末(高純度化学社製、純度99.999%)について、走査型電子顕微鏡(SEM)を使用してSEM像を撮像し、さらにX線回折(XRD)測定を行った。結果を図1に示す。図1のうち、(a)は撮像データ、(b)はX線回折パターンである。
図2から明らかなように、波長390nm付近のピークは、測定温度の上昇に伴って長波長側へシフトすることが確認できた。
<GaN粉末の発光スペクトルの測定(1)>
GaN粉末(高純度化学社製、純度99.99%)について、走査型電子顕微鏡(SEM)を使用してSEM像を撮像し、さらにX線回折(XRD)測定を行った。結果を図3に示す。図3のうち、(a)は撮像データ、(b)はX線回折パターンである。なお、Ga2O3(純度99.99%)をNH3雰囲気下、850℃で加熱処理することにより、別途GaN粉末を調製(調製品)し、これについてもX線回折パターンを測定したので、図3(b)にあわせて示す。
図3(b)から明らかなように、上記の別途調製したGaN粉末は、市販品と同様の回折パターンを示したことから、市販品と同様の品質であることが確認できた。なお、双方の回折パターンは強度が異なるが、これは測定に供した粉末の量の違いに基づくものである。
図4に示すように、発光強度は、測定温度の上昇に伴って大きくなる領域と小さくなる領域とがあった。また、発光スペクトルから、波長390nm付近及び670nm付近にピークが観測された。波長390nm付近のピークは測定温度の上昇に伴って強度が小さくなった。これは、温度の上昇に伴って、欠陥準位に捕獲される電子の確率が上昇したことによるものと考えられる。一方、波長670nm付近にピークが観測されたのは、欠陥によるものと考えられる。
<GaN粉末の発光スペクトルの測定(2)>
試料ホルダに大きさが5mm×5mmのカーボンテープを貼付し、これにGaN粉末(高純度化学社製、純度99.99%)を塗布した。そして、温調手段としてヒータを使用し、GaN粉末の温度を25℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃及び90℃の8通りに調節し、それぞれの場合について、GaN粉末にレーザを照射して発光スペクトルを測定した。測定は、He−Cdレーザ(波長325nm)を使用し、レーザスポットを直径1mmとし、検出手段として電荷結合素子(CCD)を使用して行った。測定結果を図5に示す。
<ZnO粉末の発光スペクトルの測定(2)>
試料ホルダに大きさが5mm×5mmのカーボンテープを貼付し、これにZnO粉末(高純度化学社製、純度99.999%)を塗布した。そして、温調手段としてヒータを使用し、ZnO粉末の温度を26℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃及び95℃の7通りに調節し、それぞれの場合について、ZnO粉末にレーザを照射して発光スペクトルを測定した。測定は、He−Cdレーザ(波長325nm)を使用し、レーザスポットを直径1mmとし、検出手段として電荷結合素子(CCD)を使用して行った。その結果、波長390nm付近にピークが観測され、これは測定時の温度に依存して波長がシフトした。測定結果を図6に示す。図6のうち、(a)は測定時の温度ごとの発光スペクトルの測定結果、(b)はピークの波長と測定時の温度との関係をそれぞれ示すグラフである。
<NH3加熱処理したGaN−ZnO粉末の発光スペクトルの測定>
GaN粉末に代わり、1気圧のNH3ガス雰囲気下、550℃で5時間加熱処理したGaN−ZnO粉末を使用したこと以外は、参考例2と同様に発光スペクトルを測定した。測定結果を図7に示す。なお、ZnO粉末
としては実施例1と同じもの、GaN粉末としては参考例2と同じものをそれぞれ使用した。
一方、図7から明らかなように、波長780nm付近のピークは、測定温度の上昇に伴い、強度に大きな差は生じなかったが、長波長側へシフトし、そのシフト量は、例えば、25℃と70℃との間で6.8nmであった。
<NH3加熱処理したTiO2−ZnO粉末の発光スペクトルの測定>
TiO2−ZnO粉末(TiO2のモル数:ZnOのモル数=1:1)を、1気圧のNH3ガス雰囲気下で300℃(実施例4−1)、400℃(実施例4−2)又は500℃(実施例4−3)でそれぞれ1時間加熱処理した。TiO2粉末としては、高純度化学社製の純度99.99%のものを使用し、ZnO粉末としては、実施例1と同じものを使用した。次いで、走査型電子顕微鏡(SEM)の試料ホルダに、大きさが5mm×5mmのカーボンテープを貼付し、これに前記NH3処理済みTiO2−ZnO粉末を塗布した。そして、温度25℃、加速電圧5.0KV、倍率10000倍の条件で、前記NH3処理済みTiO2−ZnO粉末のSEM像を撮像した。取得した撮像データを図8に示す。図8のうち(a)は加熱処理温度が300℃、(b)は加熱処理温度が400℃、(c)は加熱処理温度が500℃の場合の撮像データである。
表1から明らかなように、加熱処理温度が300℃の場合よりも400℃及び500℃の場合の方が、Ti、Znの濃度が顕著に減少しており、かつN、Oの濃度が顕著に増加していた。
一方、加熱処理温度が400℃の場合、波長543nm付近及び730nm付近にそれぞれピークが観測された。波長543nm付近のピークは、上記と同様にO(酸素)の空孔欠陥に起因するものである。このように、630nm付近にはピークが認められない点で、加熱処理温度が300℃の場合と異なっていた。
ただし、300℃及び400℃のいずれの温度においても、測定温度の上昇に伴い、各ピークの強度は小さくなった。
また、300℃及び400℃のいずれの温度においても、波長600nm付近には、発光スペクトルの谷が観測されたが、ピーク強度に対するこの谷部分の発光強度の相対的な大きさは、300℃の場合の方が400℃の場合よりも大きかった。
<N2加熱処理したTiO2−ZnO粉末の発光スペクトルの測定(1)>
TiO2−ZnO粉末を、NH3ガス雰囲気下に代え、N2ガス雰囲気下で加熱処理したこと以外は、実施例4と同様にTiO2−ZnO粉末の発光スペクトルを測定した。測定結果を図10に示す。図10のうち(a)は加熱処理温度が300℃、(b)は加熱処理温度が400℃、(c)は加熱処理温度が500℃の場合の、発光スペクトルの測定結果を示すグラフである。
一方、加熱処理温度が500℃の場合、波長540nm付近、620nm付近及び716nm付近にそれぞれピークが観測された。波長540nm付近のピークは、上記と同様にO(酸素)の空孔欠陥に起因するものである。そして、この時の発光スペクトルは、上記の加熱処理温度が300℃の場合と同様のパターンであった。
また、加熱処理温度が300℃の場合には、測定温度の上昇に伴い、概ね各ピークの強度は小さくなったが、加熱処理温度が500℃の場合には、特に波長540nm付近のピークで、測定温度の上昇に伴い、ピークの強度が増大する温度範囲の存在が認められた。
また、300℃、400℃及び500℃のいずれの温度においても、波長600nm付近に発光スペクトルの谷が観測されたが、ピーク強度に対するこの谷部分の発光強度の相対的な差は、400℃の場合が300℃及び500℃の場合よりも大きかった。
<TiO2−ZnO含有インク及びZnO含有インクの発光スペクトルの測定(1)>
以下に示すTiO2−ZnO含有インク(実施例6、二種類:インク1〜2)及びZnO含有インク(実施例7、二種類:インク3〜4)を調製し、これらを使用して図11に示す二次元コードを紙上に印刷した。図11は、インクで印刷した二次元コードの平面図であり、黒塗り部分が印刷部である。なお、TiO2−ZnO粉末としては、実施例4で使用したものと同じものを使用し、ZnO粉末としては、実施例1で使用したものと同じものを使用した。
以下の組成から成るインク1〜4を調製した。
硝化綿(SNPE社製 S1/4(N.V.70%)) 25質量部
可塑剤(大日本インキ社製 エポホイザーW−100EL) 6質量部
可塑剤(大日本インキ社製 モノホイザーATBC) 1質量部
酢酸エチル 30質量部
トルエン 30質量部
イソプロピルアルコール 7質量部
ZnO粉末、又はTiO2−ZnO粉末 1〜2質量部
なお、ZnO粉末、又はTiO2−ZnO粉末の含有量は、インク1〜4において、以下の通りとした。
インク1:TiO2−ZnO粉末を1質量部
インク2:TiO2−ZnO粉末を2質量部
インク3:ZnO粉末を1質量部
インク4:ZnO粉末を2質量部
<N2加熱処理したTiO2−ZnO粉末の発光スペクトルの測定(2)>
実施例6で使用したTiO2−ZnO粉末を使用し、そのN2ガス雰囲気下での加熱処理の温度を500℃のみとし、発光スペクトル測定時の温度の下限値を、25℃に代わり26℃としたこと以外は、実施例5と同様にTiO2−ZnO粉末の発光スペクトルを測定した。測定結果を図15に示す。
<NH3加熱処理したZnO粉末の発光スペクトルの測定>
NH3加熱処理したTiO2−ZnO粉末に代わり、1気圧のNH3ガス雰囲気下、500℃で1時間加熱処理したZnO粉末を使用したこと以外は、実施例4と同様に発光スペクトルを測定した。測定結果を図16に示す。なお、ZnO粉末としては、実施例1と同じものを使用した。
<TiO2−ZnO含有インク及びZnO含有インクの発光スペクトルの測定(2)>
実施例6におけるインク2を使用して、図11に示す二次元コードを、紙に代わり、カーボン薄膜を積層した紙の紙面上に印刷したこと以外は、実施例6と同様に、8通りの温度で発光スペクトルを測定した(実施例10)。なお、カーボン薄膜を積層した紙は、通常の紙とは異なり、電荷を逃がす効果を有するので、発光スペクトルの測定精度を向上させることが期待できるものである。
また、実施例7におけるインク4を使用して、図11に示す二次元コードを、紙に代わり、カーボン薄膜を積層した紙の紙面上に印刷したこと以外は、実施例7と同様に、8通りの温度で発光スペクトルを測定した(実施例11)。
測定結果を図17〜18に示す。図17は、実施例10のTiO2−ZnO含有インク(インク2)を使用した場合の発光スペクトルの測定結果を示すグラフであり、図18は、実施例11のZnO含有インク(インク4)を使用した場合の発光スペクトルの測定結果を示すグラフである。
また、実施例6の場合と同様に、波長780nm付近のピークは、測定温度の上昇に伴い、強度に大きな差は生じなかったが、長波長側へシフトし、そのシフト量は、例えば、25℃と90℃との間で14nm(783.5nm−769.5nm)であった。これに対して、その他のピークは、測定温度の上昇に伴う明確なシフトは観測されなかった。
また、実施例7の場合と同様に、波長785nm付近のピークは、測定温度の上昇に伴い、強度に大きな差は生じなかったが、長波長側へシフトし、そのシフト量は、例えば、25℃と90℃との間で11nm(794.7nm−783.7nm)であった。これに対して、その他のピークは、測定温度の上昇に伴う明確なシフトは観測されなかった。
Claims (6)
- 少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段が、励起光照射時の温度に依存して異なる発光スペクトルを示すことを特徴とする温度可変光センサ素子。
- 少なくとも酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛を含有する発光手段と、該発光手段の温度を調節する温調手段と、該発光手段に励起光を照射する励起手段とを備え、前記発光手段の発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大することを特徴とする温度可変光センサ素子。
- 励起光照射時の温度に依存して、前記発光スペクトルにおけるピークの位置がシフトすることを特徴とする請求項1又は2に記載の温度可変光センサ素子。
- 不活性ガス又はアンモニアガス共存下で加熱処理された酸化亜鉛を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の温度可変光センサ素子。
- 前記発光手段が、さらに窒化ガリウム又は二酸化チタンを含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の温度可変光センサ素子。
- 前記発光手段として、前記酸化亜鉛又は加熱処理された酸化亜鉛が、水又は水溶性の液体中に分散された分散液、あるいは該分散液を塗布及び乾燥してなる層を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の温度可変光センサ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009175289A JP5706074B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 温度可変光センサ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009175289A JP5706074B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 温度可変光センサ素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015037313A Division JP2015110804A (ja) | 2015-02-26 | 2015-02-26 | 発光素子用の分散液、溶液、及び、インク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011026494A true JP2011026494A (ja) | 2011-02-10 |
JP5706074B2 JP5706074B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=43635609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009175289A Expired - Fee Related JP5706074B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 温度可変光センサ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5706074B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016050211A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 堺化学工業株式会社 | 硫化物蛍光体の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0412410B2 (ja) * | 1983-09-14 | 1992-03-04 | Omron Tateisi Electronics Co | |
JPH10245550A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ZnO紫外発光体およびその製造方法 |
JP2003268368A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Nippon Shokubai Co Ltd | 紫外線発光体および紫外線発光体用酸化亜鉛粒子 |
JP2006275578A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | National Printing Bureau | 識別方法及び識別装置 |
-
2009
- 2009-07-28 JP JP2009175289A patent/JP5706074B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0412410B2 (ja) * | 1983-09-14 | 1992-03-04 | Omron Tateisi Electronics Co | |
JPH10245550A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ZnO紫外発光体およびその製造方法 |
JP2003268368A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-25 | Nippon Shokubai Co Ltd | 紫外線発光体および紫外線発光体用酸化亜鉛粒子 |
JP2006275578A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | National Printing Bureau | 識別方法及び識別装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN7014003033; JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS (2001), 12, 269-271 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016050211A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 堺化学工業株式会社 | 硫化物蛍光体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5706074B2 (ja) | 2015-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chávez et al. | A review of phosphorescent and fluorescent phosphors for fingerprint detection | |
Zheng et al. | Different sized luminescent gold nanoparticles | |
DE102014207323B4 (de) | Verfahren zur Identifikation eines Gegenstandes | |
JP4997503B2 (ja) | 半導体超微粒子を含有する組成物及びその製造方法 | |
JPH06500590A (ja) | 解読可能なマーク形成方法 | |
WO2007109734A9 (en) | Luminescent materials that emit light in the visible range or the near infrared range | |
WO1999034315B1 (en) | Use of inorganic particles and method for marking and identifying a substrate or an article | |
JP5706074B2 (ja) | 温度可変光センサ素子 | |
Hrytsenko et al. | The use of carbon nanoparticles for inkjet‐printed functional labels for smart packaging | |
EP1887066A2 (en) | Method for identifying articles and process for maintaining security | |
JP2017149981A (ja) | 発光素子用のインク | |
JP2015110804A (ja) | 発光素子用の分散液、溶液、及び、インク | |
Savchenko et al. | Luminescence parameters of InP/ZnS@ AAO nanostructures | |
ES2410808T3 (es) | Documento de seguridad y/o documento de valor con un sistema de contacto de semiconductores de tipo II | |
Sharma et al. | Optical and electrical properties of polyvinyl alcohol doped CdS nanoparticles prepared by sol–gel method | |
Heil et al. | Sunlight stability of organic light-emitting diodes | |
EP3201005A1 (de) | Identifikationsmerkmal zur identifikation eines gegenstandes | |
Ayyub et al. | Photoluminescence enhancement in nanocomposite thin films of CdS–ZnO | |
Wang et al. | Visual monitoring of laser power and spot profile in micron region by a single chip of Zn-doped CdS nanobelts | |
Soundar et al. | Aeglemarmelos mediated green synthesis of Ga2O3-ZnO nanocomposite for display technology and latent finger print detection | |
JP2010155365A (ja) | レーザ増感層インキ、レーザマーキング用記録体およびレーザマーキング方法 | |
Grover et al. | Luminescence studies in cadmium telluride nanocrystals grown on glass substrates | |
DE102015219395A1 (de) | Identifikationsmerkmal mit mindestens zwei in einer definiert begrenzten Fläche angeordneten Identifikationselementen zur Identifikation eines Gegenstandes | |
DE102015219393A1 (de) | Verfahren zur Identifikation eines Gegenstandes | |
US9862219B2 (en) | Method for producing a marking |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110426 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120709 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120709 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120709 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5706074 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |