JP2011003835A - Exposure device, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が使用される。 In the manufacturing process of microdevices such as semiconductor devices and electronic devices, for example, an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid as disclosed in the following patent document is used.
露光装置内の部材(部品)が汚染されていると、例えば基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生し、その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。そのため、露光装置内の部材の汚染状態を確認できる技術の案出が望まれる。 If a member (component) in the exposure apparatus is contaminated, an exposure failure such as a defect in a pattern formed on the substrate may occur, and as a result, a defective device may occur. Therefore, it is desired to devise a technique that can confirm the contamination state of members in the exposure apparatus.
本発明の態様は、部材の汚染状態を確認できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 An object of an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method that can confirm the contamination state of members. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method that can suppress the occurrence of defective devices.
本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、所定部材に照射された励起光によって、所定部材に付着している発光物質から発生する光を受光し、発光物質の量、発光物質の種類、及び発光物質の付着場所の少なくとも一つを特定する検出装置を備える露光装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, and is generated from a luminescent material adhering to the predetermined member by excitation light irradiated on the predetermined member. An exposure apparatus including a detection device that receives light and identifies at least one of an amount of a luminescent material, a type of the luminescent material, and an attachment location of the luminescent material is provided.
本発明の第2の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を保持する保持部に照射された励起光によって、保持部に付着している発光物質から発生する光を受光する検出装置を備える露光装置が提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, the light emission adhering to the holding unit by the excitation light irradiated to the holding unit holding the substrate. An exposure apparatus including a detection device that receives light generated from a substance is provided.
本発明の第3の態様に従えば、第1,第2の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the first and second aspects, and developing the exposed substrate. .
本発明の第4の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材の射出面と基板との間に液体を保持して、液体を介して基板に露光光を照射することと、所定部材に照射された励起光によって、所定部材に付着している発光物質から発生する光を受光し、発光物質の量、種類、及び発光物質の付着場所の少なくとも一つを検出することと、を含む露光方法が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid, the liquid being held between an emission surface of an optical member that emits exposure light and the substrate, The exposure light is irradiated onto the substrate through the liquid, and the light generated from the luminescent material adhering to the predetermined member is received by the excitation light irradiated to the predetermined member, and the amount, type, and light emission of the luminescent material are received. Detecting at least one of the deposition sites of the substance.
本発明の第5の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、露光光を射出する光学部材の射出面と基板との間に液体を保持して、液体を介して基板に露光光を照射することと、基板を保持する保持部に照射された励起光によって、保持部に付着している発光物質を検出することと、を含む露光方法が提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid, the liquid being held between an emission surface of an optical member that emits exposure light and the substrate, There is provided an exposure method including: irradiating a substrate with exposure light through a liquid; and detecting a luminescent substance adhering to the holding unit by excitation light irradiated to the holding unit holding the substrate. The
本発明の第6の態様に従えば、第4,第5の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising: exposing a substrate using the exposure method of the fourth and fifth aspects; and developing the exposed substrate. .
本発明の態様によれば、所定部材の汚染状態を確認できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the aspect of the present invention, the contamination state of the predetermined member can be confirmed. Moreover, according to the aspect of the present invention, the occurrence of defective devices can be suppressed.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
図1は、本実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。 FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the present embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材C及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動する駆動システム4と、基板ステージ2を移動する駆動システム5と、計測ステージ3を移動する駆動システム6と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材7と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置8とを備えている。
In FIG. 1, an exposure apparatus EX measures a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a
なお、基板を保持して移動可能な基板ステージと、基板を保持せずに、露光光を計測する計測部材及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置の一例が、例えば米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されており、その内容を援用して本文の記載の一部とする。 An example of an exposure apparatus including a substrate stage that can move while holding a substrate, and a measurement stage that can move by mounting a measurement member and a measurement device that measure exposure light without holding the substrate, For example, it is disclosed in US Pat. No. 6,897,963, European Patent Application Publication No. 1713113, etc., the contents of which are incorporated herein by reference.
また、露光装置EXは、液体LQと接触する露光装置EX内の部材に対して、発光物質から発光を発生させる励起光を照射して、その部材に付着している発光物質を検出する検出装置50(50A,50B,50C)を備えている。検出装置50は、部材に照射された励起光によって、その部材に付着している発光物質から発生する光を受光して、発光物質を検出する。検出装置50は、部材に照射された励起光によって、その部材に付着している発光物質から発生する光を受光し、発光物質の量、発光物質の種類、及び発光物質の付着場所の少なくとも一つを特定する。励起光は、発光物質から発光を発生させることができる光である。本実施形態において、励起光は、露光光ELとは異なる。
In addition, the exposure apparatus EX irradiates a member in the exposure apparatus EX that is in contact with the liquid LQ with excitation light that generates light emission from the luminescent substance, and detects a luminescent substance attached to the member. 50 (50A, 50B, 50C). The
本実施形態において、検出装置50は、基板ステージ2の上面2U、及び計測ステージ3の上面3Uの少なくとも一方と対向可能な位置に配置された第1検出装置50Aと、少なくとも一部が基板ステージ2に配置された第2検出装置50Bと、少なくとも一部が計測ステージ3に配置された第3検出装置50Cとを含む。
In the present embodiment, the
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。 The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The mask M includes a transmission type mask having a transparent plate such as a glass plate and a pattern formed on the transparent plate using a light shielding material such as chromium. A reflective mask can also be used as the mask M.
基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。 The substrate P is a substrate for manufacturing a device. The substrate P includes, for example, a base material such as a semiconductor wafer and a photosensitive film formed on the base material. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). Further, the substrate P may include another film in addition to the photosensitive film. For example, the substrate P may include an antireflection film or a protective film (topcoat film) that protects the photosensitive film.
照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL irradiates the predetermined illumination area IR with the exposure light EL. The illumination area IR includes a position where the exposure light EL emitted from the illumination system IL can be irradiated. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light, which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light), is used as the exposure light EL.
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRを含むベース部材9のガイド面9G上を移動可能である。駆動システム4は、ガイド面9G上でマスクステージ1を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、マスクステージ1に配置された可動子と、ベース部材9に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ1は、駆動システム4の作動により、ガイド面9G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
The mask stage 1 is movable on the
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、Z軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection region PR includes a position where the exposure light EL emitted from the projection optical system PL can be irradiated. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。計測ステージ3は、計測部材C及び計測器を搭載した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。
The
基板ステージ2を移動するための駆動システム5は、ガイド面10G上で基板ステージ2を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、基板ステージ2に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ3を移動するための駆動システム6は、平面モータを含み、計測ステージ3に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。
The
本実施形態において、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置情報は、レーザ干渉計ユニット11A、11Bを含む干渉計システム11によって計測される。レーザ干渉計ユニット11Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラー1Rを用いて、マスクステージ1の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット11Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー2R、及び計測ステージ3に配置された計測ミラー3Rを用いて、基板ステージ2及び計測ステージ3それぞれの位置情報を計測可能である。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置8は、干渉計システム11の計測結果に基づいて、駆動システム4,5,6を作動し、マスクステージ1(マスクM)、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測部材C)の位置制御を実行する。
In the present embodiment, the position information of the mask stage 1, the
液浸部材7は、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能である。液浸空間LSは、液体LQで満たされた部分(空間、領域)である。液浸部材7は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子12の近傍に配置される。本実施形態において、液浸部材7は、環状の部材であり、露光光ELの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、液浸部材7の少なくとも一部が、終端光学素子12の周囲に配置される。
The
終端光学素子12は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面13を有する。本実施形態において、液浸空間LSは、終端光学素子12と、終端光学素子12から射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に配置される物体との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように形成される。本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、投影光学系PLの像面側(終端光学素子12の射出面13側)で投影領域PRに移動可能な物体であり、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、及び計測ステージ3の少なくとも一つを含む。もちろん、投影領域PRに配置可能な物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、及び計測ステージ3の少なくとも一つに限られない。
The last
本実施形態において、液浸部材7は、投影領域PRに配置される物体と対向可能な下面14を有する。液浸部材7は、投影領域PRに配置される物体との間で液体LQを保持することができる。液浸部材7は、射出面13から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、投影領域PRに配置される物体との間で液体LQを保持可能である。投影領域PRに移動可能な物体は、射出面13から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように、終端光学素子12及び液浸部材7との間で液体LQを保持可能である。一方側の射出面13及び下面14と、他方側の物体の表面(上面)との間に液体LQが保持されることによって、終端光学素子12と物体との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、基板Pに露光光ELが照射されているとき、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。液体LQの界面(メニスカス、エッジ)の少なくとも一部は、液浸部材7の下面14と基板Pの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
In this embodiment, when the exposure light EL is irradiated to the substrate P, the immersion space LS is formed so that a partial region on the surface of the substrate P including the projection region PR is covered with the liquid LQ. At least a part of the interface (meniscus, edge) of the liquid LQ is formed between the
図2は、本実施形態に係る基板ステージ2の一例を示す側断面図である。本実施形態において、基板ステージ2は、米国特許出願公開第2007/0177125号明細書、米国特許出願公開第2008/0049209号明細書等に開示されているような、基板Pをリリース可能に保持する第1保持部31と、第1保持部31の周囲に配置され、プレート部材Tをリリース可能に保持する第2保持部32とを有する。第1,第2保持部31,32は、ピンチャック機構を有する。プレート部材Tは、第1保持部31に保持された基板Pの周囲に配置される。基板ステージ2が移動することによって、第1保持部31に保持された基板P、及び第2保持部32に保持されたプレート部材Tは、投影領域PRに移動可能である。なお、第1保持部31及び第2保持部32の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。
FIG. 2 is a side sectional view showing an example of the
本実施形態において、第1保持部31は、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。第2保持部32は、プレート部材Tの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Tを保持する。本実施形態において、第1保持部31に保持された基板Pの表面と第2保持部32に保持されたプレート部材Tの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。また、第1保持部31に保持された基板Pの側面と、第2保持部32に保持されたプレート部材Tの内側面とは、所定のギャップを介して対向する。
In the present embodiment, the
図3は、本実施形態に係る計測ステージ3の一例を示す側断面図である。本実施形態において、計測ステージ3は、計測部材Cをリリース可能に保持する第3保持部33と、第3保持部33の周囲に配置され、プレート部材Sをリリース可能に保持する第4保持部34とを有する。第3,第4保持部33,34は、ピンチャック機構を有する。プレート部材Sは、第3保持部33に保持された計測部材Cの周囲に配置される。計測ステージ3が移動することによって、第3保持部33に保持された計測部材C、及び第4保持部34に保持されたプレート部材Sは、投影領域PRに移動可能である。なお、第3保持部33及び第4保持部34の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。
FIG. 3 is a side sectional view showing an example of the
なお、プレート部材T、計測部材C、及びプレート部材Sの少なくとも一つはリリース可能でなくてもよい。 Note that at least one of the plate member T, the measurement member C, and the plate member S may not be releasable.
本実施形態において、第3保持部33は、計測部材Cの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、計測部材Cを保持する。第4保持部34は、プレート部材Sの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Sを保持する。本実施形態において、第3保持部33に保持された計測部材Cの上面と第4保持部34に保持されたプレート部材Sの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。また、第3保持部33に保持された計測部材Cの側面と、第4保持部34に保持されたプレート部材Sの内側面とは、所定のギャップを介して対向する。
In the present embodiment, the
また、本実施形態において、計測ステージ3は、計測器として、光センサ35を有する。本実施形態において、計測部材Cは、例えば石英など、露光光ELを透過可能な部材を含み、計測部材Cの少なくとも一部は、露光光ELを透過可能な透過部を含む。第3保持部33に保持された計測部材Cの上面に照射された露光光ELは、計測部材Cの透過部を介して、光センサ35に照射される。光センサ35は、終端光学素子12より射出され、計測部材Cを介した露光光ELを受光する。
Moreover, in this embodiment, the
本実施形態において、基板ステージ2の上面2Uは、第2保持部32に保持されたプレート部材Tの上面を含む。計測ステージ3の上面3Uは、第3保持部33に保持された計測部材Cの上面及び第4保持部34に保持されたプレート部材Sの上面を含む。
In the present embodiment, the
図4は、本実施形態に係る液浸部材7の一例を示す側断面図である。なお、図4を用いる説明においては、投影領域PR(終端光学素子12及び液浸部材7と対向する位置)に基板Pが配置される場合を例にして説明するが、上述のように、基板ステージ2(プレート部材T)、及び計測ステージ3(プレート部材S、計測部材C)を配置することもできる。
FIG. 4 is a side sectional view showing an example of the
図4に示すように、液浸部材7は、射出面13と対向する位置に開口7Kを有する。射出面13から射出された露光光ELは、開口7Kを通過して、基板Pに照射可能である。
As shown in FIG. 4, the
また、液浸部材7は、液体LQを供給可能な供給口15と、液体LQを回収可能な回収口16とを備えている。供給口15は、露光光ELの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。供給口15は、流路17を介して、液体供給装置18と接続されている。液体供給装置18は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。流路17は、液浸部材7の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置18とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置18から送出された液体LQは、流路17を介して供給口15に供給される。
Further, the
回収口16は、液浸部材7の下面14と対向する物体上の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口16は、露光光ELが通過する開口7Kの周囲に配置されている。回収口16は、物体の表面と対向する液浸部材7の所定位置に配置されている。回収口16には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材19が配置されている。なお、回収口16に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。また、回収口16に多孔部材19が配置されていなくてもよい。本実施形態において、液浸部材7の下面14の少なくとも一部は、多孔部材19の下面を含む。回収口16は、流路20を介して、液体回収装置21と接続されている。液体回収装置21は、回収口16を真空システムに接続可能であり、回収口16を介して液体LQを吸引可能である。流路20は、液浸部材7の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置21とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口16から回収された液体LQは、流路20を介して、液体回収装置21に回収される。
The
本実施形態においては、制御装置8は、供給口15からの液体LQの供給動作と並行して、回収口16からの液体LQの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子12及び液浸部材7と、他方側の物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。
In the present embodiment, the
なお、液浸部材7として、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書、欧州特許出願公開第1768170号明細書に開示されているような液浸部材(ノズル部材)を用いることができる。
In addition, as the
次に、検出装置50について説明する。図5は、本実施形態に係る第1検出装置50Aの一例を示す模式図である。第1検出装置50Aは、液体LQと接触する所定部材に対して、露光光ELとは異なる光であり、且つ発光物質から発光を発生させる光である励起光を照射して、所定部材に付着している発光物質を検出することができる。図5を用いる以下の説明において、液体LQと接触する所定部材が基板ステージ2である場合を例にして説明する。なお、所定部材が、例えば計測ステージ3でもよい。
Next, the
また、以下の説明において、発光物質が蛍光物質である場合を例にして説明する。蛍光物質に励起光が照射されることによって、蛍光物質は、蛍光を発生する。 In the following description, a case where the light emitting material is a fluorescent material will be described as an example. When the fluorescent material is irradiated with excitation light, the fluorescent material generates fluorescence.
第1検出装置50Aは、基板ステージ2の上面2Uに励起光を照射して、その上面2Uに付着している蛍光物質を検出することができる。第1検出装置50Aは、励起光を射出する投光装置110と、基板ステージ2からの発光(基板ステージ2に付着している蛍光物質からの発光)を受光する受光装置120とを有する。
50 A of 1st detection apparatuses can irradiate the
第1検出装置50Aは、光源装置131と、複数の光学素子(レンズ)及びフィルタブロック137を含む光学システム125と、基板ステージ2(物体)の像情報を取得可能な撮像素子128を含む観察カメラ129とを備えている。撮像素子128は、例えばCCD(charge coupled device)を含む。本実施形態において、投光装置110は、光源装置131、及びフィルタブロック137を含む光学システム125の一部によって構成される。受光装置120は、フィルタブロック137を含む光学システム125の一部、及び観察カメラ129によって構成される。
The
光学システム125は、光源装置131から射出された光を用いて基板ステージ2を照明する照明光学系136と、照明光学系136で照明された基板ステージ2の像を、撮像素子128に形成する結像光学系133とを備えている。撮像素子128は、結像光学系133の像面側に配置されている。
The
照明光学系136は、対物レンズ135を含み、基板ステージ2の上面2Uと対向可能である。
The illumination
光源装置131は、基板ステージ2の上面2Uに付着している発光物質から蛍光を発生させるための例えば、遠紫外領域から遠赤外領域までの波長の励起光を射出する。光源装置131は、例えばハロゲンランプを含む。なお、光源131は、ランプに限られず、レーザ光源でも構わない。レーザ光源は、複数の波長を照射可能としても構わない。
The
照明光学系136は、光源装置131から射出された光を用いて、所定波長領域の励起光で基板ステージ2を照明する。照明光学系136は、励起光と蛍光とを分離可能なフィルタブロック137を含む。フィルタブロック137は、光源装置131が発生する光のうち、蛍光物質の励起に必要な所定波長の光を抽出することができる。
The illumination
図6は、フィルタブロック137の一例を示す模式図である。図6に示すように、フィルタブロック137は、光源装置131からの光が入射する第1フィルタ138と、第1フィルタ138を介した光が入射するダイクロイックミラー139と、ダイクロイックミラー139からの光が入射する第2フィルタ140とを備えている。
FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of the
第1フィルタ138は、光源装置131からの光のうち、一部の波長領域の光をカットして、蛍光物質の励起に必要な所定波長領域の光を励起光として抽出する波長選択素子として機能する。すなわち、第1フィルタ138は、所定波長領域の光(励起光)のみを透過させ、他の波長領域の光を透過させないバンドパスフィルタを含む。光源装置131から射出され、第1フィルタ138を透過した所定波長領域の光(励起光)は、ダイクロイックミラー139に入射する。
The
ダイクロイックミラー139は、励起光と蛍光とを分離する分離光学素子として機能する。本実施形態において、ダイクロイックミラー139は、第1フィルタ138を透過した所定波長領域の光(励起光)を反射し、所定波長領域以外の光を透過する。第1フィルタ138を透過した所定波長領域の光(励起光)は、ダイクロイックミラー139で反射して、基板ステージ2に導かれる。励起光は、基板ステージ2に照射される。
The
本実施形態においては、フィルタブロック137と基板ステージ2との間に対物レンズ135が配置されており、ダイクロイックミラー139からの励起光は、対物レンズ135を介して、基板ステージ2の上方より、基板ステージ2に照射される。
In the present embodiment, an
基板ステージ2上の蛍光物質に励起光が照射されることによって、その蛍光物質から蛍光が発生する。蛍光物質から発生した蛍光は、対物レンズ135を介して、ダイクロイックミラー139に入射する。一般に、蛍光の波長は、励起光の波長よりも長く、蛍光の波長と励起光の波長とは異なる。したがって、蛍光物質から発生し、ダイクロイックミラー139に入射した蛍光は、ダイクロイックミラー139を透過する。ダイクロイックミラー139を透過した蛍光は、第2フィルタ140に入射する。
When the fluorescent material on the
第2フィルタ140は、基板ステージ2からの蛍光と、蛍光以外の波長の不要な光(散乱光等)とを分離して、蛍光のみを抽出する波長選択素子として機能する。すなわち、第2フィルタ140は、蛍光のみを透過させ、他の波長領域の光を透過させないバンドパスフィルタを含む。第2フィルタ140を透過した蛍光は、観察カメラ129の撮像素子128に入射する。撮像素子128は、蛍光を受光する。これにより、第1検出装置50Aは、撮像素子128が取得した基板ステージ2の像情報(撮像素子128の受光結果)に基づいて、基板ステージ2に付着している蛍光物質を検出することができる。
The
また、第1検出装置50Aの検出結果(撮像素子128の受光結果)は、制御装置8に出力される。制御装置8は、第1検出装置50Aの検出結果に基づいて、基板ステージ2に付着している蛍光物質に関する情報を取得することができる。
The detection result of the
例えば、基板ステージ2に付着している蛍光物質の量に応じて、撮像素子128に入射する蛍光の光量が変化する。例えば、基板ステージ2に付着している蛍光物質の量が多い場合、撮像素子128に入射する蛍光の光量は高くなり、蛍光物質の量が少ない場合、撮像素子128に入射する蛍光の光量は低くなる。したがって、制御装置8は、撮像素子128が受光する蛍光の光量に基づいて、基板ステージ2に付着している蛍光物質の量を特定することができる。
For example, the amount of fluorescent light incident on the
また、基板ステージ2に付着している蛍光物質の種類に応じて、撮像素子128に入射する蛍光の波長が変化する。したがって、制御装置8は、撮像素子128が受光する蛍光の波長に基づいて、基板ステージ2に付着している蛍光物質の種類を特定することができる。
In addition, the wavelength of the fluorescence incident on the
また、基板ステージ2の位置を干渉計システム11で計測しながら、第1検出装置50Aを用いて基板ステージ2上の蛍光物質を検出することによって、制御装置8は、第1検出装置50Aの検出結果と、干渉計システム11の計測結果とに基づいて、基板ステージ2の上面2Uにおける蛍光物質の付着場所を特定することができる。
Further, the
また、基板ステージ2に照射する励起光の波長に応じて、蛍光物質が発生する蛍光特性が変化する。例えば、蛍光物質の種類に応じて、励起可能な励起光の波長が異なる。したがって、基板ステージ2に複数の蛍光物質が付着している場合、基板ステージ2に照射する励起光の波長に応じて、撮像素子128に入射する蛍光の光量が変化する。したがって、基板ステージ2に異なる波長の励起光を照射し、その励起光が照射された蛍光物質が発生する蛍光を受光することによって、蛍光物質の種類を特定することもできる。また、蛍光物質の種類に応じた蛍光物質の付着場所、また蛍光物質の種類に応じた蛍光物質の量を特定することができる。なお、フィルタブロック137を調整あるいは交換することによって、励起光の波長を変化させることができる。
In addition, the fluorescence characteristics generated by the fluorescent material change according to the wavelength of the excitation light applied to the
すなわち、フィルタブロックにより抽出された第1波長の光を基板ステージ2に照射し、基板ステージ2に付着している蛍光物質から発生した第1光を受光し、その後に、フィルタブロックにより抽出された第2波長の光を基板ステージ2に照射し、基板ステージ2に付着している発光物質から発生した第2光を受光し、第1光を受光した結果と第2光を受光した結果とに基づいて、発光物質の量、発光物質の種類、及び発光物質の付着場所の少なくとも一つを特定することができる。
That is, the
なお、本実施形態において、光源装置131が、蛍光物質を励起可能な、所定波長領域のレーザ光(励起光)を射出可能なレーザ装置であってもよい。この場合、例えば第1フィルタ138を省略することができる。
In the present embodiment, the
以上、第1検出装置50Aが基板ステージ2に付着している蛍光物質を検出する場合について説明した。制御装置8は、第1検出装置50Aと計測ステージ3とを対向させて、第1検出装置50Aを用いて、計測ステージ3に付着している蛍光物質を検出することもできる。
The case where the
また、第1検出装置50Aと、第2,第3検出装置50B,50Cとは、同等の構成である。制御装置8は、基板ステージ2に設けられている第2検出装置50Bと液浸部材7とを対向させて、第2検出装置50Bを用いて、液浸部材7に付着している蛍光物質を検出することができる。また、制御装置8は、計測ステージ3に設けられている第3検出装置50Cと液浸部材7とを対向させて、第3検出装置50Cを用いて、液浸部材7に付着している蛍光物質を検出することができる。
Further, the
なお、第2検出装置50Bと第3検出装置50Cの少なくとも一方を使って、液浸部材7に付着している蛍光物質を検出しているが、各ステージの上方に配置されている、液浸部材7とは異なる部材(例えば、終端光学素子12など)に付着している蛍光物質を検出することもできる。
In addition, although the fluorescent substance adhering to the
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて、基板Pを露光する方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
制御装置8は、露光前の基板Pを第1保持部31に搬入(ロード)するために、図7に示すように、基板ステージ2を基板交換位置CPに移動する。基板交換位置CPは、基板Pの交換処理が実行可能な位置である。基板Pの交換処理は、搬送装置36を用いて、第1保持部31に保持された露光後の基板Pを第1保持部31から搬出(アンロード)する処理、及び第1保持部31に露光前の基板Pを搬入(ロード)する処理の少なくとも一方を含む。制御装置8は、液浸部材7から離れた基板交換位置CPに基板ステージ2を移動して、基板Pの交換処理を実行する。
The
基板ステージ2が液浸部材7から離れている期間の少なくとも一部において、制御装置8は、計測ステージ3を液浸部材7に対して所定位置に配置して、終端光学素子12及び液浸部材7と計測ステージ3の上面3Uとの間で液体LQを保持して、液浸空間LSを形成する。
In at least a part of the period in which the
また、基板ステージ2が液浸部材7から離れた期間の少なくとも一部において、必要に応じて、計測部材C及び計測器を用いる計測処理が実行される。計測部材C及び計測器を用いる計測処理を実行するとき、制御装置8は、終端光学素子12及び液浸部材7と計測ステージ3とを対向させ、終端光学素子12と計測部材Cとの間の光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。制御装置8は、投影光学系PL及び液体LQを介して計測部材Cに露光光ELを照射して、計測部材Cを用いる計測処理を実行する。その計測処理の結果は、基板Pの露光処理に反映される。
Further, in at least a part of the period in which the
露光前の基板Pが第1保持部31にロードされ、計測部材C及び計測器を用いる計測処理が終了した後、制御装置8は、基板ステージ2を投影領域PRに移動して、終端光学素子12及び液浸部材7と基板ステージ2(基板P)との間に液浸空間LSを形成する。本実施形態においては、例えば米国特許出願公開第2006/0023186号明細書、米国特許出願公開第2007/0127006号明細書等に開示されているように、制御装置8は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方と終端光学素子12及び液浸部材7との間に液体LQを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ2の上面2Uと計測ステージ3の上面3Uとを接近又は接触させた状態で、基板ステージ2の上面2U及び計測ステージ3の上面3Uの少なくとも一方と終端光学素子12の射出面13及び液浸部材7の下面14とを対向させつつ、終端光学素子12及び液浸部材7に対して、基板ステージ2と計測ステージ3とをXY方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置8は、終端光学素子12及び液浸部材7と基板ステージ2との間に液浸空間LSが形成可能な状態、及び終端光学素子12及び液浸部材7と計測ステージ3との間に液浸空間LSが形成可能な状態の一方から他方へ変化させることができる。すなわち、制御装置8は、液体LQの漏出を抑制しつつ、液浸部材7の下面14側に形成された液浸空間LSが基板ステージ2の上面2U上と計測ステージ3の上面3U上との間を移動するように、基板ステージ2及び計測ステージ3を液浸部材7に対して移動させることができる。
After the substrate P before exposure is loaded on the
以下の説明において、基板ステージ2の上面2Uと計測ステージ3の上面3Uとを接近又は接触させた状態で、終端光学素子12及び液浸部材7に対して、基板ステージ2と計測ステージ3とをXY方向に同期移動させる動作を適宜、スクラム移動、と称する。
In the following description, with the
本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、図8に示すように、制御装置8は、基板ステージ2の+Y側の側面2Fと、その基板ステージ2と対向可能な計測ステージ3の−Y側の側面3Fとを所定のギャップを介して対向させる。そして、制御装置8は、そのギャップを維持した状態で、基板ステージ2及び計測ステージ3を同時に移動(同期移動)させる。本実施形態においては、スクラム移動を実行するとき、制御装置8は、基板ステージ2の上面2Uと計測ステージ3の上面3Uとで実質的に一つの連続面が形成されるように、基板ステージ2の上面2Uと計測ステージ3の上面3Uとの位置関係を調整する。
In this embodiment, when the scrum movement is executed, as shown in FIG. 8, the
スクラム移動を実行して、終端光学素子12及び液浸部材7と基板ステージ2(基板P)との間に液浸空間LSが形成され、終端光学素子12の射出面13と基板Pの表面との間に液体LQが保持された後、制御装置8は、基板Pの露光処理を開始する。基板Pの露光処理を実行するとき、制御装置8は、終端光学素子12及び液浸部材7と基板ステージ2とを対向させ、終端光学素子12と基板Pとの間の光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。制御装置8は、照明系ILより露光光ELを射出して、マスクMを露光光ELで照明する。マスクMからの露光光ELは、投影光学系PL及び液体LQを介して基板Pに照射される。これにより、基板Pは露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。
The scram movement is executed, so that an immersion space LS is formed between the terminal
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置8は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction. The
基板Pの露光処理が終了した後、制御装置8は、スクラム移動を実行する。終端光学素子12及び液浸部材7と計測ステージ3との間に液浸空間LSが形成された後、制御装置8は、基板ステージ2を基板交換位置CPに移動する。制御装置8は、基板交換位置CPに移動した基板ステージ2から露光後の基板Pを搬出し、露光前の基板Pを基板ステージ2に搬入する。
After the exposure processing of the substrate P is completed, the
以下、制御装置8は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Pを順次露光する。
Thereafter, the
ところで、基板Pの露光中、基板Pから発生(溶出)した物質が、汚染物(異物、パーティクル)として液浸空間LSの液体LQ中に混入する可能性がある。また、例えば空中を浮遊する物質が、汚染物として液浸空間LSの液体LQ中に混入する可能性もある。なお、基板Pから発生する物質として、基板Pの有機膜を形成する有機材料が挙げられる。基板Pの有機膜は、例えば感光膜、反射防止膜、及び保護膜の少なくとも一つである。有機材料は、励起光が照射されることで、蛍光を発生させることが可能である。本実施形態において、基板Pの有機膜は、有機材料から構成されている。したがって、基板Pの有機膜は、蛍光物質である。また、空気中を浮遊する物質が、有機材料で構成されている場合がある。この場合、空気中を浮遊する物質は、蛍光物質である。 By the way, during exposure of the substrate P, a substance generated (eluted) from the substrate P may be mixed into the liquid LQ in the immersion space LS as a contaminant (foreign matter, particle). Further, for example, a substance floating in the air may be mixed in the liquid LQ in the immersion space LS as a contaminant. An example of a substance generated from the substrate P is an organic material that forms an organic film of the substrate P. The organic film of the substrate P is at least one of a photosensitive film, an antireflection film, and a protective film, for example. The organic material can generate fluorescence when irradiated with excitation light. In the present embodiment, the organic film of the substrate P is made of an organic material. Therefore, the organic film of the substrate P is a fluorescent material. Moreover, the substance which floats in the air may be comprised with the organic material. In this case, the substance floating in the air is a fluorescent substance.
上述したように、基板Pの交換処理、計測部材Cを用いる計測処理、及び基板Pの露光処理を含む露光シーケンスの少なくとも一部の期間において、液浸空間LSの液体LQは、液浸部材7の少なくとも一部、基板ステージ2の少なくとも一部、及び計測ステージ3の少なくとも一部と接触する。したがって、液浸空間LSの液体LQ中に汚染物が混入すると、液浸部材7の下面14、基板ステージ2(プレート部材T)の上面2U、及び計測ステージ3(計測部材C、プレート部材S)の上面3Uに汚染物が付着する可能性がある。それら露光装置EXの部材の表面(液体LQと接触する液体接触面)に汚染物が付着している状態を放置しておくと、その汚染物が露光中に基板Pに付着したり、供給口15から供給された液体LQが汚染されたりする可能性がある。また、基板ステージ2の上面2U、計測ステージ3の上面3Uが汚染されると、例えば液浸空間LSを良好に形成できなくなる可能性もある。その結果、露光不良が発生する可能性がある。
As described above, the liquid LQ in the immersion space LS is immersed in the
そこで、本実施形態においては、制御装置8は、所定のタイミングで、検出装置50を用いて、液浸空間LSの液体LQと接触する露光装置EXの部材の表面(下面、上面)に汚染物が付着しているかどうかを確認するための処理を実行する。
Therefore, in the present embodiment, the
汚染物が蛍光物質である場合、制御装置8は、検出装置50を用いて、液体LQと接触する露光装置EXの部材(液浸部材7、基板ステージ2、計測ステージ3等)に付着している汚染物を検出することができる。
When the contaminant is a fluorescent substance, the
なお、検出装置50を用いる検出を実行するタイミングは、例えば所定時間間隔毎でもよいし、所定枚数の基板Pを露光する毎でもよいし、例えば液浸部材7と基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方との間で液浸空間LSを良好に形成できなくなったときでもよい。液浸部材7の下面14が汚染されたり、基板ステージ2の上面2U及び計測ステージ3の上面3U少なくとも一方が汚染されたりすると、液浸部材7と基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方との間に所望の形状で液浸空間LSを形成できなくなる可能性がある。そのため、液浸空間LSの状態(形状)に応じて、検出装置50を用いる検出を実行するタイミングが決定されてもよい。また、露光処理を行っている間に検出装置50を用いる検出を実行しても構わない。
Note that the timing of performing detection using the
図9は、計測ステージ3に配置されている第3検出装置50Cが、液浸部材7に励起光を照射して、液浸部材7に付着している蛍光物質を検出している状態を示す図である。
FIG. 9 shows a state in which the
図9に示すように、第3検出装置50Cの少なくとも一部は、計測ステージ3に配置されている。本実施形態において、プレート部材Sの少なくとも一部に、第3検出装置50Cから射出される励起光、及び液浸部材7に付着している蛍光物質から発生する蛍光を透過可能な透過部SMが設けられている。第3検出装置50Cは、透過部SMを介して、液浸部材7の下面14に励起光を照射する。
As shown in FIG. 9, at least a part of the
また、本実施形態においては、液浸部材7とプレート部材Sとの間に液体LQで液浸空間LSが形成された状態で、第3検出装置50Cを用いる検出が実行される。すなわち、第3検出装置50Cは、液体LQを介して、液浸部材7に励起光を照射する。なお、液浸空間LSを形成せずに(液体LQを介さずに)、第3検出装置50Cを用いる検出が実行されてもよい。
In the present embodiment, detection using the
第3検出装置50Cは、図5を参照して説明した第1検出装置50Aと同等の構成であり、制御装置8は、第3検出装置50Cの撮像素子128が受光した蛍光の光量に基づいて、液浸部材7に付着している蛍光物質(汚染物)の量を特定することができる。また、制御装置8は、第3検出装置50Cの撮像素子128が受光した蛍光の波長に基づいて、液浸部材7に付着している蛍光物質(汚染物)の種類を特定することができる。なお、制御装置8は、第3検出装置50Cの撮像素子128が受光した蛍光のスペクトルを求め、液浸部材7に付着している蛍光物質(汚染物)の種類を特定しても構わない。また、制御装置8は、干渉計システム11によって計測される第3検出装置50Cを搭載した計測ステージ3の位置情報と、第3検出装置50Cの検出結果とに基づいて、液浸部材7の下面14における蛍光物質(汚染物)の付着場所を特定することができる。また、制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、液浸部材7の下面14において蛍光物質が付着している面積(付着範囲)、あるいは分布を求めることもできる。
The
例えば基板Pから発生する可能性がある物質が複数種類である場合、制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、基板Pから発生した物質の種類を特定することができる。例えば、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、感光膜が汚染物となっているのか、保護膜が汚染物となっているのか、あるいはその両方が汚染物となっているのかどうかを判断することができる。
For example, when there are a plurality of types of substances that may be generated from the substrate P, the
また、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、基板Pから発生しやすい物質(溶出しやすい物質)の種類を特定することができる。したがって、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、基板Pの有機膜の材料として、溶出し難い材料を選択する等、使用する材料の最適化を実行することができる。
Further, based on the detection result of the
また、本実施形態においては、制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、液浸部材7に対するメンテナンスを実施する。
In the present embodiment, the
制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、複数のメンテナンス方法から所定のメンテナンス方法を選択し、その選択されたメンテナンス方法に基づいて、液浸部材7に対するメンテナンスを実行する。
The
不図示であるが、本実施形態において、露光装置EXは、例えば米国特許出願公開第2007/0258072号明細書等に開示されているような、光洗浄効果を有する紫外光を所定部材に照射して、その所定部材を光洗浄する光洗浄装置、例えば米国特許出願公開第2008/0018867号明細書等に開示されているような、所定部材と液体とを接触させた状態で、その液体に超音波振動を付与して、所定部材を洗浄する超音波洗浄装置等、複数の洗浄装置を備えている。制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、複数の洗浄装置からから所定の洗浄装置を選択し、その選択された洗浄装置で液浸部材7を洗浄する。
Although not shown, in this embodiment, the exposure apparatus EX irradiates a predetermined member with ultraviolet light having a light cleaning effect as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2007/0258072. An optical cleaning device for optically cleaning the predetermined member, for example, as disclosed in US Patent Application Publication No. 2008/0018867, etc. A plurality of cleaning devices such as an ultrasonic cleaning device for applying a sonic vibration to clean a predetermined member are provided. Based on the detection result of the
例えば、制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、液浸部材7に付着している蛍光物質(汚染物)の種類を特定し、その特定された蛍光物質(汚染物)の種類に応じて、光洗浄装置を用いる洗浄、及び超音波洗浄装置を用いる洗浄の少なくとも一方を選択する。
For example, the
また、制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、洗浄装置を用いる洗浄方法を決定することもできる。例えば、制御装置8は、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、蛍光物質(汚染物)の付着範囲(付着場所)を特定し、その特定された付着範囲に応じて、洗浄方法を決定する。例えば、液浸部材7の下面14のほぼ全部が汚染されている場合、制御装置8は、液浸部材7の下面14のほぼ全部に、光洗浄装置からの紫外光を照射する。一方、液浸部材7の下面14の一部が汚染されている場合、制御装置8は、液浸部材7の下面14の一部に、光洗浄装置からの紫外光を照射する。
Further, the
なお、これら洗浄装置は、露光装置EXが備えていてもよいし、露光装置EXとは別の装置でもよい。洗浄装置が露光装置EXとは別の装置の場合、メンテナンス(洗浄)を実行するときに、その洗浄装置が露光装置EX内に搬入される。 These cleaning apparatuses may be provided in the exposure apparatus EX, or may be an apparatus different from the exposure apparatus EX. When the cleaning apparatus is different from the exposure apparatus EX, the cleaning apparatus is carried into the exposure apparatus EX when maintenance (cleaning) is performed.
また、メンテナンスとして、液浸部材7の交換が実行されてもよい。例えば、液浸部材7に、汚染物として無機物が付着している場合等、洗浄装置では除去することが困難な場合、液浸部材7を新たなものと交換してもよい。
Further, as the maintenance, replacement of the
なお、ここでは、第3検出装置50Cの検出結果に基づいて、液浸部材7をメンテナンスする場合を例にして説明したが、液浸部材7の蛍光物質(汚染物)を第2検出装置50Bで検出し、その第2検出装置50Bの検出結果に基づいて、液浸部材7をメンテナンスしてもよい。
Although the case where the
なお、ここでは、液浸部材7をメンテナンスする場合を例にして説明したが、もちろん、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方をメンテナンスすることもできる。例えば、第1検出装置50Aの検出結果に基づいて、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方を光洗浄してもよいし、超音波洗浄してもよい。また、プレート部材Tを交換してもよいし、プレート部材Sを交換してもよい。
Here, the case where the
また、本実施形態においては、検出装置50の検出結果に基づいて、検出対象の部材(液浸部材7など)のメンテナンスを実施しているが、検出装置50の検出結果に基づいて検出対象の部材のメンテナンスを実施するか否かを判断してもよい。例えば、検出装置50の検出結果に基づいて、検出対象の部材の汚染が許容できると判断した場合には、検出対象の部材のメンテナンスを実施しなくてもよい。
In the present embodiment, maintenance of the detection target member (such as the liquid immersion member 7) is performed based on the detection result of the
以上説明したように、本実施形態によれば、検出装置50を用いて、液体LQと接触する露光装置EX内の所定部材の汚染状態を効率良く検出できる。例えば、露光装置EXの稼動率の低下を抑制しつつ、検出装置50を用いて、所定部材の汚染状態を検出できる。また、検出装置50の検出結果に基づいてメンテナンスを実行することによって、汚染物が除去された所定部材を用いて露光処理等を実行することができる。したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。
As described above, according to the present embodiment, it is possible to efficiently detect the contamination state of the predetermined member in the exposure apparatus EX that is in contact with the liquid LQ using the
なお、上述の実施形態において、3つの検出装置50A,50B,50Cのうちの1つ、または2つを省略してもよい。例えば、基板ステージ2に検出装置50Bを設けるだけでもよい。なお、基板ステージ2と計測ステージ3の他に移動可能なステージを設け、検出装置50を設けても構わない。
In the above-described embodiment, one or two of the three
なお、上述の実施形態において、検出装置50の投光装置110は1つでもよいし、複数でもよい。検出装置50が複数の投光装置110及びその投光装置110に応じた複数の受光装置120を備えることによって、検出に要する時間を短縮することができる。
In the above-described embodiment, the
1つの検出装置50を構成する一部分と他の部分とがそれぞれ異なる部材に支持されてもよい。例えば、検出装置50Aの投光装置110を各ステージの上方に配置し、受光装置120を基板ステージ2と計測ステージ3の少なくとも一方に配置してもよい。検出装置50Cの投光装置と受光装置の一部分とを計測ステージ3に設け、受光装置の他の部分を計測ステージ3とは異なる部材に配置してもよい。なお、異なる部材は、移動可能なステージでも構わない。例えば、一つの検出装置50を構成する投光装置110と受光装置120とをそれぞれ異なる移動可能なステージに設けても構わない。
One part and another part constituting one
なお、上述の実施形態においては、励起光と露光光ELとは異なることとしたが、励起光として露光光ELを用いてもよい。例えば、露光光ELを所定部材(基板ステージ2,計測ステージ3,及び液浸部材7の少なくとも一つ)に照射することによっても、その所定部材に付着している汚染物から蛍光を発生させることができ、汚染物の量、汚染物の種類、及び汚染物の付着場所の少なくとも一つを特定することができる。なお、汚染物質の量には、付着場所での汚染物質の厚さも含まれる。
In the above-described embodiment, the excitation light and the exposure light EL are different from each other, but the exposure light EL may be used as the excitation light. For example, by irradiating the predetermined member (at least one of the
なお、上述の実施形態においては、液体LQと接触する露光装置EX内の所定部材の汚染状態を検出したが、検出する場所はこれに限られない。例えば、汚染物質が、液体LQと接触しない部材あるいは場所に付着した場合でも、検出装置50を用いて、その場所の汚染状態を検出できる。液体LQと接触しない場所は、例えば、第1保持部31である。第1保持部31に汚染物質があると、基板Pを所望の形状で保持することが困難になる。第1保持部31の汚染状態を検出し、第1保持部31のメンテナンス(清掃)の要否を判断することができる。検出結果に基づいて、第1保持部31のメンテナンス(清掃)を実施することで、汚染物質が除去された第1保持部31で基板Pを保持することが可能となる。したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。なお、検出装置50を露光前の基板と露光処理後の基板とを交換する場所に設け、第1保持部31の汚染状態の検出を行っても構わない。
In the above-described embodiment, the contamination state of the predetermined member in the exposure apparatus EX that is in contact with the liquid LQ is detected, but the detection location is not limited to this. For example, even when a contaminant adheres to a member or place that does not come into contact with the liquid LQ, the contamination state at that place can be detected using the
なお、上述の実施形態においては、所定部材に付着している汚染物質から蛍光を発生させ、汚染物の量、汚染物質の種類、汚染物質の付着場所の少なくとも一つを特定したが、特定する方法はこれに限られない。例えば、レーザ顕微鏡を用いて、所定部材にレーザを照射し、レーザ照射によりその所定部材に付着している汚染物質から生じる回折光を受光素子で受光することによって上述の特定を行っても構わない。この場合、受光素子が回折光のみを受光するように、受光素子に回折光以外の散乱光を取り除くフィルタを設けることが望ましい。また、汚染物質の量、汚染物質の種類、汚染物質の付着場所の少なくとも一つを特定する手法は、複数の種類の方法を用いても構わない。 In the above-described embodiment, fluorescence is generated from the contaminants adhering to the predetermined member, and at least one of the amount of contaminants, the type of contaminants, and the location where the contaminants are attached is specified. The method is not limited to this. For example, the above-mentioned specification may be performed by irradiating a predetermined member with a laser using a laser microscope and receiving diffracted light from a contaminant adhering to the predetermined member by laser irradiation with a light receiving element. . In this case, it is desirable to provide a filter that removes scattered light other than diffracted light so that the light receiving element receives only diffracted light. A plurality of types of methods may be used as a method for specifying at least one of the amount of contaminant, the type of contaminant, and the location where the contaminant is attached.
なお、上述の実施形態においては、汚染物が蛍光物質であり、その蛍光物質が発生する蛍光を検出することとしたが、汚染物が燐光物質を含む場合、その燐光物質が発する燐光を検出してもよい。 In the above-described embodiment, the contaminant is a fluorescent substance, and the fluorescence generated by the fluorescent substance is detected. However, when the contaminant includes a phosphorescent substance, the phosphorescence emitted by the phosphorescent substance is detected. May be.
なお、上述の実施形態においては、基板Pの露光処理において、投影光学系PLの終端光学素子12の射出側(像面側)の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子12の入射側(物体面側)の光路も液体で満たされる投影光学系を採用することもできる。なお、終端光学素子12の入射側の光路に満たされる液体は、液体LQと同じ種類の液体でもよいし、異なる種類の液体でもよい。
In the above-described embodiment, in the exposure processing of the substrate P, the optical path on the exit side (image plane side) of the terminal
なお、上述の各実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 In addition, although the liquid LQ of each above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient. For example, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used as the liquid LQ. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and one shot on the substrate is obtained by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of a region almost simultaneously. The present invention can also be applied to proximity type exposure apparatuses, mirror projection aligners, and the like.
また、露光装置EXは、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えていてもよい。また、露光装置EXは、計測ステージを備えていなくてもよい。 Further, the exposure apparatus EX may include a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. Further, the exposure apparatus EX may not include a measurement stage.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。 In each of the above embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as the exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。 In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used). The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。 In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed.
また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.
以上のように、本実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図10に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 10, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.
2…基板ステージ、3…計測ステージ、7…液浸部材、12…終端光学素子、13…射出面、50(50A,50B,50C)…検出装置、110…投光装置、120…受光装置、131…光源装置、137…フィルタブロック、EL…露光光、EX…露光装置、LQ…液体、S…プレート部材、T…プレート部材
DESCRIPTION OF
Claims (20)
所定部材に照射された励起光によって、前記所定部材に付着している発光物質から発生する光を受光し、前記発光物質の量、前記発光物質の種類、及び前記発光物質の付着場所の少なくとも一つを特定する検出装置を備える露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
The excitation light applied to the predetermined member receives light generated from the luminescent material adhering to the predetermined member, and at least one of the amount of the luminescent material, the type of the luminescent material, and the attachment location of the luminescent material. An exposure apparatus comprising a detection device for identifying one.
前記射出面から射出される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように、前記露光光が照射可能な位置に配置される物体との間で前記液体を保持可能な液浸部材とを備え、
前記所定部材は、前記液浸部材を含む請求項1記載の露光装置。 An optical member having an exit surface for emitting the exposure light;
An immersion member capable of holding the liquid with an object arranged at a position where the exposure light can be irradiated so that an optical path of the exposure light emitted from the emission surface is filled with the liquid. ,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the predetermined member includes the liquid immersion member.
前記射出面から射出される前記露光光が照射可能な位置に移動可能であり、前記射出面から射出される前記露光光の光路が前記液体で満たされるように、前記光学部材との間で前記液体を保持可能な可動部材とを備え、
前記所定部材は、前記可動部材を含む請求項1〜3のいずれか一項記載の露光装置。 An optical member having an exit surface for emitting the exposure light;
The exposure light emitted from the emission surface can be moved to a position where the exposure light can be irradiated, and the optical path of the exposure light emitted from the emission surface is filled with the liquid. A movable member capable of holding a liquid,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the predetermined member includes the movable member.
前記基板を保持する保持部に照射された励起光によって、前記保持部に付着している発光物質から発生する光を受光する検出装置を備える露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
An exposure apparatus comprising a detection device that receives light generated from a luminescent material attached to the holding unit by excitation light applied to the holding unit that holds the substrate.
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 12,
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method.
前記露光光を射出する光学部材の射出面と前記基板との間に前記液体を保持して、前記液体を介して前記基板に前記露光光を照射することと、
所定部材に照射された励起光によって、前記所定部材に付着している発光物質から発生する光を受光し、前記発光物質の量、種類、及び前記発光物質の付着場所の少なくとも一つを検出することと、を含む露光方法。 An exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid,
Holding the liquid between an emission surface of an optical member that emits the exposure light and the substrate, and irradiating the substrate with the exposure light through the liquid;
The excitation light applied to the predetermined member receives light generated from the luminescent material attached to the predetermined member, and detects at least one of the amount and type of the luminescent material and the place where the luminescent material is attached. And an exposure method comprising:
前記露光光を射出する光学部材の射出面と前記基板との間に前記液体を保持して、前記液体を介して前記基板に前記露光光を照射することと、
前記基板を保持する保持部に照射された励起光によって、前記保持部に付着している発光物質を検出することと、を含む露光方法。 An exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid,
Holding the liquid between an emission surface of an optical member that emits the exposure light and the substrate, and irradiating the substrate with the exposure light through the liquid;
Detecting a luminescent substance adhering to the holding unit by excitation light irradiated to the holding unit holding the substrate.
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure method according to any one of claims 14 to 19,
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method.
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