JP2011003740A - 光検出装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- RFVFQQWKPSOBED-PSXMRANNSA-N 1-myristoyl-2-palmitoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[C@@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)COC(=O)CCCCCCCCCCCCC RFVFQQWKPSOBED-PSXMRANNSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板1Nの表面上に第1反射体E2があり、光検出機能を有さないデッドスペースに第1反射体E2を設けられている。入射光を反射し、これを第2反射体によって再度反射し、各フォトダイオードに再入射させている。これにより、フォトダイオードへの最終的な入射光量を増加させることができるので、各フォトダイオードからの出力を増加することができる。信号読出配線TLも、一般には金属からなるため、反射体としても機能するが、このような消極的な反射体に加えて、積極的な第1反射体E2を基板表面上に設けたものである。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 複数のフォトダイオードを半導体基板に形成してなるフォトダイオードアレイを備えた光検出装置において、
前記半導体基板上に設けられ前記フォトダイオードからの信号を読み出す信号読出線と、
個々の前記フォトダイオードの周辺において前記半導体基板上に設けられ、前記信号読出線以外の金属層からなる第1反射体と、
前記第1反射体によって反射された光を前記フォトダイオード方向へ再反射する金属製の第2反射体と、
を備えることを特徴とする光検出装置。 - 前記フォトダイオードアレイを収容する金属製のパッケージを備え、
前記第2反射体は、前記パッケージの内面によって構成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の光検出装置。 - 個々の前記フォトダイオードは、
第1導電型の前記半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面側に形成された第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域内に形成されこの第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第2半導体領域と、
前記半導体基板に電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体領域上に形成された表面電極と、
を備え、
前記第1反射体は、前記表面電極から電気的に分離していることを特徴とする請求項1又は2に記載の光検出装置。 - 前記第1反射体と、前記表面電極との間には、隙間があり、この隙間を介して、前記第1半導体領域内部に光が入射可能とされている、ことを特徴とする請求項3に記載の光検出装置。
- 複数のフォトダイオードを半導体基板に形成してなるフォトダイオードアレイを備えた光検出装置において、
個々の前記フォトダイオードを取り囲むように前記半導体基板上に設けられた金属層からなる格子状又は網目状の第1反射体と、
前記第1反射体によって反射された光を前記フォトダイオード方向へ再反射する金属製の第2反射体と、
を備えることを特徴とする光検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009145727A JP5297907B2 (ja) | 2009-06-18 | 2009-06-18 | 光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009145727A JP5297907B2 (ja) | 2009-06-18 | 2009-06-18 | 光検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011003740A true JP2011003740A (ja) | 2011-01-06 |
JP5297907B2 JP5297907B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=43561459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009145727A Active JP5297907B2 (ja) | 2009-06-18 | 2009-06-18 | 光検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5297907B2 (ja) |
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