JP2010512620A5 - - Google Patents

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Claims (19)

  1. イオン注入機に電子を閉じ込める装置であって、
    ビームパスの少なくとも一部沿いに配置された第1磁石アレイおよび第2磁石アレイを備え、
    前記第1磁石アレイは前記ビームパスの第1側に配置され、前記第2磁石アレイは前記ビームパスの第2側に配置され、前記第1側は前記第2側に対向しており、
    前記第1磁石アレイの少なくとも1つの磁石は、前記第2磁石アレイの対応する磁石の反対の極性に対向する極性を有し、
    前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイのうち、少なくとも一部は、放射状パターンに配置されて、ビームライン磁石の中を通る前記ビームパスの一部をカバーし、前記放射状に配置された磁石の少なくとも幾つかは、前記ビームパスの軌道に垂直な方向に対して湾曲されて、放射状磁場成分を低減する、装置。
  2. 前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイは、共同してカスプ磁場を生じて前記ビームパスの内部または付近に電子を閉じ込め、
    前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイ間の中央平面に平行な前記カスプ磁場の成分は、前記中央平面に垂直な前記カスプ磁場の成分よりもさい、請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイそれぞれ内において磁石の極性が交番しており、前記中央平面に垂直な前記カスプ磁場の前記成分に、交番する極性を持たせる、請求項2に記載の装置。
  4. 前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイ、永久磁石である、請求項1から3の何れか1項に記載の装置。
  5. 前記第1磁石アレイの前記少なくとも1つの磁石と、前記第2磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに合わせて並べられる、請求項1から4の何れか1項に記載の装置。
  6. 前記第1磁石アレイの前記少なくとも1つの磁石と、前記第2磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに対して垂直である、請求項1から5の何れか1項に記載の装置。
  7. 前記第1磁石アレイの前記少なくとも1つの磁石と、前記第2磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに垂直であり前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイ間の中央平面に平行な磁場成分を低減するよう成形される、請求項1から6の何れか1項に記載の装置。
  8. 前記ームライン磁石は、質量分析器の一部である、請求項1から7の何れか1項に記載の装置。
  9. 前記ームライン磁石は、イオンビームコリメータの一部である、請求項1から8の何れか1項に記載の装置。
  10. イオン注入機に電子を閉じ込める方法であって、
    互いの間の中央平面に平行な成分が前記中央平面と直交する成分よりも実質的に小さいカスプ磁場を共同して生じて、ビームパスの内部または付近に電子を閉じ込める第1磁石アレイおよび第2磁石アレイを、前記第1磁石アレイは前記ビームパスの第1側に、前記第2磁石アレイは前記第1側に対向した前記ビームパスの第2側に、前記ビームパスの少なくとも一部に沿って位置決めする段階と、
    前記第1磁石アレイの少なくとも1つの磁石が前記第2磁石アレイの対応する磁石の反対の極性に対向する極性を有するよう、前記磁石を配置する段階と、を備え
    前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイのうち、少なくとも一部は、放射状パターンに配置されて、ビームライン磁石の中を通る前記ビームパスの一部をカバーし、前記放射状に配置された磁石の少なくとも幾つかは、前記ビームパスの軌道に応じて湾曲されて、放射状磁場成分を低減する、方法。
  11. 前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイそれぞれ内において磁石の極性を交番させて、前記中央平面に垂直な前記カスプ磁場の前記成分に、交番する極性を持たせる段階をさらに備える、請求項10に記載の方法。
  12. 前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイ、永久磁石である、請求項10または11に記載の方法。
  13. 前記第1磁石アレイの前記少なくとも1つの磁石と、前記第2磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに合わせて並べられる、請求項10から12の何れか1項に記載の方法。
  14. 前記第1磁石アレイの前記少なくとも1つの磁石と、前記第2磁石アレイの前記対応する磁石とは、前記ビームパスに対して垂直である、請求項10から13の何れか1項に記載の方法。
  15. 前記第1磁石アレイの前記少なくとも1つの磁石と、前記第2磁石アレイの前記対応する磁石とを、前記ビームパスに垂直であり前記中央平面に平行な磁場成分を低減するよう成形する段階をさらに備える、請求項10から14の何れか1項に記載の方法。
  16. 前記ームライン磁石は、質量分析器の一部である、請求項15に記載の方法。
  17. 前記ームライン磁石は、イオンビームコリメータの一部である、請求項15に記載の方法。
  18. 前記ビームパスの内部または付近に電子を供給する段階をさらに備える、請求項10から17の何れか1項に記載の方法。
  19. イオン注入機に電子を閉じ込める装置であって、
    ビームパスの少なくとも一部に沿って配置された第1磁石アレイおよび第2磁石アレイを備え、
    前記第1磁石アレイは前記ビームパスの第1側に配置され、前記第2磁石アレイは前記ビームパスの第2側に配置され、前記第1側は前記第2側に対向しており、
    前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイは、共同してカスプ磁場を生じて前記ビームパスの内部または付近に電子を閉じ込め、
    前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイの各磁石は、前記ビームパスに垂直であり前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイ間の中央平面に平行な磁場成分を低減するよう成形され
    前記第1磁石アレイおよび前記第2磁石アレイのうち、少なくとも一部は、放射状パターンに配置されて、ビームライン磁石の中を通る前記ビームパスの一部をカバーし、前記放射状に配置された磁石の少なくとも幾つかは、前記ビームパスの軌道に応じて湾曲されて、放射状磁場成分を低減する、装置。
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