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直列ビットストリームコマンドパケットを供給する直列チャネル出力ポートと、直列ビットストリーム読み取りデータパケットを受け取る直列チャネル入力ポートとを有するコントローラであって、前記直列ビットストリームコマンドパケットがオペレーションコードおよびデバイスアドレスを含む、コントローラと、
メモリデバイスであって、前記コントローラから前記直列ビットストリームコマンドパケットを受け取る入力ポートを有し、前記デバイスアドレスが前記メモリデバイスに対応する場合に前記オペレーションコードを実行し、出力ポートを介して前記直列ビットストリームコマンドパケットを提供し、前記オペレーションコードが読み取り機能に対応する場合に前記出力ポートを介して前記直列ビットストリーム読み取りデータパケットをその後に提供する、メモリデバイスと
を含むメモリシステム。
A controller having a serial channel output port for supplying a serial bitstream command packet and a serial channel input port for receiving a serial bitstream read data packet, wherein the serial bitstream command packet includes an operation code and a device address. When,
A memory device having an input port for receiving the serial bitstream command packet from the controller, executing the operation code when the device address corresponds to the memory device, and via the output port the serial bit A memory device that provides a stream command packet and subsequently provides the serial bitstream read data packet via the output port when the operation code corresponds to a read function.
前記メモリデバイスと前記コントローラとの間に直列に結合された少なくとも1つの介在するメモリデバイスをさらに含み、
前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスが、前記直列ビットストリームコマンドパケットを受け取り、これを前記メモリデバイスに渡す入力ポートを有し、
前記デバイスアドレスが前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスに対応するとともに、前記オペレーションコードが読み取り機能に対応する場合に、前記直列ビットストリーム読み取りデータパケットを後段に提供する、請求項1に記載のメモリシステム。
Further comprising at least one intervening memory device coupled in series between the memory device and the controller;
The at least one intervening memory device has an input port for receiving the serial bitstream command packet and passing it to the memory device;
2. The memory system of claim 1, wherein the serial bitstream read data packet is provided downstream when the device address corresponds to the at least one intervening memory device and the operation code corresponds to a read function. .
相補クロック信号が、前記メモリデバイスおよび前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスに並列に提供される、請求項2に記載のメモリシステム。The memory system of claim 2, wherein a complementary clock signal is provided in parallel to the memory device and the at least one intervening memory device. 相補クロック信号が、前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスに提供され、前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスによって前記メモリデバイスに渡され、前記メモリデバイスによって前記コントローラに渡される、請求項2に記載のメモリシステム。The memory of claim 2, wherein a complementary clock signal is provided to the at least one intervening memory device, passed to the memory device by the at least one intervening memory device, and passed to the controller by the memory device. system. 拡張モジュールおよびジャンパのうちの1つを受ける、前記コントローラと前記メモリデバイスとの間の拡張リンクをさらに含む、請求項2に記載のメモリシステム。The memory system of claim 2, further comprising an expansion link between the controller and the memory device that receives one of an expansion module and a jumper. 前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスが、前記拡張リンクとの電気的結合のために構成された結合手段を有する拡張モジュールの一部である、請求項5に記載のメモリシステム。 Wherein the at least one intervening memory device is part of the extended module having a coupling means configured for electrical coupling with the extended link, the memory system according to claim 5. 前記メモリデバイスおよび前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスが、それぞれ、ネイティブメモリコアと、前記直列ビットストリームコマンドパケットに応答して前記ネイティブメモリコアを制御する直列インターフェースおよび制御論理ブロックとを含む、請求項2に記載のメモリシステム。The memory device and the at least one intervening memory device each include a native memory core and a serial interface and control logic block that controls the native memory core in response to the serial bitstream command packet. 2. The memory system according to 2. 前記メモリデバイスネイティブメモリコアおよび前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスネイティブメモリコアが、NANDフラッシュベースである、請求項7に記載のメモリシステム。8. The memory system of claim 7, wherein the memory device native memory core and the at least one intervening memory device native memory core are NAND flash based. 前記メモリデバイスネイティブメモリコアおよび前記少なくとも1つの介在するメモリデバイスネイティブメモリコアが、異なる、請求項7に記載のメモリシステム。8. The memory system of claim 7, wherein the memory device native memory core and the at least one intervening memory device native memory core are different. 前記ネイティブメモリコアが、DRAMメモリコア、SRAMメモリコア、NANDフラッシュメモリコア、およびNORフラッシュメモリコアのうちの1つを含む、請求項2に記載のメモリシステム。The memory system of claim 2, wherein the native memory core comprises one of a DRAM memory core, an SRAM memory core, a NAND flash memory core, and a NOR flash memory core. 前記直列ビットストリームコマンドパケットが、前記直列ビットストリームコマンドパケットのサイズが可変であるモジュラ構造を有する、請求項1に記載のメモリシステム。   2. The memory system according to claim 1, wherein the serial bit stream command packet has a modular structure in which a size of the serial bit stream command packet is variable. 前記直列ビットストリームコマンドパケットが、前記オペレーションコードおよび前記デバイスアドレスを提供するコマンドフィールドを含む、請求項11に記載のメモリシステム。12. The memory system of claim 11, wherein the serial bitstream command packet includes a command field that provides the operation code and the device address. 前記コマンドフィールドが、前記オペレーションコードを提供する第1サブフィールドと、前記デバイスアドレスを提供する第2サブフィールドとを含む、請求項12に記載のメモリシステム。13. The memory system according to claim 12, wherein the command field includes a first subfield that provides the operation code and a second subfield that provides the device address. 前記直列ビットストリームコマンドパケットが、前記オペレーションコードおよび前記デバイスアドレスを提供するコマンドフィールドと、ロウアドレスおよびカラムアドレスのうちの1つを提供するアドレスフィールドとを含む、請求項11に記載のメモリシステム。12. The memory system of claim 11, wherein the serial bitstream command packet includes a command field that provides the operation code and the device address, and an address field that provides one of a row address and a column address. 前記直列ビットストリームコマンドパケットが、前記オペレーションコードおよび前記デバイスアドレスを提供するコマンドフィールドと、ロウアドレスおよびカラムアドレスのうちの1つを提供するアドレスフィールドと、書き込みデータを提供するデータフィールドとを含む、請求項11に記載のメモリシステム。The serial bitstream command packet includes a command field that provides the operation code and the device address, an address field that provides one of a row address and a column address, and a data field that provides write data. The memory system according to claim 11. 前記コントローラが、前記直列ビットストリームコマンドパケットと並列にコマンドストローブを提供し、前記コマンドストローブが、前記直列ビットストリームコマンドパケットの長さと一致するアクティブレベルを有する、請求項11に記載のメモリシステム。12. The memory system of claim 11, wherein the controller provides a command strobe in parallel with the serial bitstream command packet, and the command strobe has an active level that matches a length of the serial bitstream command packet. 前記コントローラが、前記直列ビットストリーム読み取りデータパケットと並列にデータ入力ストローブを提供し、前記データ入力ストローブが、前記直列ビットストリーム読み取りデータパケットの長さと一致するアクティブレベルを有する、請求項16に記載のメモリシステム。17. The controller of claim 16, wherein the controller provides a data input strobe in parallel with the serial bitstream read data packet, the data input strobe having an active level that matches a length of the serial bitstream read data packet. Memory system. 前記メモリデバイスが、前記デバイスアドレスが前記メモリデバイスに対応するときに、前記コマンドストローブの前記アクティブレベルに応答して前記直列ビットストリームコマンドパケットをラッチする、請求項17に記載のメモリシステム。18. The memory system of claim 17, wherein the memory device latches the serial bitstream command packet in response to the active level of the command strobe when the device address corresponds to the memory device. 前記メモリデバイス出力ポートが、前記データ入力ストローブの前記アクティブレベルに応答してイネーブルされる、請求項18に記載のメモリシステム。The memory system of claim 18, wherein the memory device output port is enabled in response to the active level of the data input strobe. 前記コマンドストローブおよび前記データ入力ストローブが、オーバーラップしない信号である、請求項19に記載のメモリシステム。20. The memory system according to claim 19, wherein the command strobe and the data input strobe are non-overlapping signals. 前記コマンドストローブおよび前記データ入力ストローブが、少なくとも1つのデータラッチングクロックエッジによって分離される、請求項19に記載のメモリシステム。20. The memory system of claim 19, wherein the command strobe and the data input strobe are separated by at least one data latching clock edge. 前記コマンドストローブが、少なくとも1つのデータラッチングクロックエッジによって隣接するコマンドストローブから分離される、請求項19に記載のメモリシステム。20. The memory system of claim 19, wherein the command strobe is separated from adjacent command strobes by at least one data latching clock edge. 前記データ入力ストローブが、少なくとも1つのデータラッチングクロックエッジによって隣接するデータ入力ストローブから分離される、請求項19に記載のメモリシステム。20. The memory system of claim 19, wherein the data input strobe is separated from adjacent data input strobes by at least one data latching clock edge. 特定のメモリ動作を実行するために直列に接続されたメモリデバイスのメモリデバイスを選択するコマンドフィールドA command field that selects the memory devices of the serially connected memory devices to perform a specific memory operation
を含む、前記直列に接続されたメモリデバイスを有するメモリシステム用の一連のビットを含むコマンドパケット。  A command packet including a series of bits for a memory system having the memory devices connected in series.
前記コマンドフィールドが、前記メモリデバイスを選択するデバイスアドレスを提供する第1サブフィールドと、前記特定のメモリ動作に対応するオペレーションコードを提供する第2サブフィールドとを含む、請求項24に記載のコマンドパケット。25. The command of claim 24, wherein the command field includes a first subfield that provides a device address for selecting the memory device and a second subfield that provides an operation code corresponding to the particular memory operation. packet. 前記コマンドパケットが、前記オペレーションコードが読み取り動作または書き込み動作に対応するときにロウアドレスおよびカラムアドレスのうちの1つを提供する、前記コマンドフィールドに続くアドレスフィールドをさらに含み、前記アドレスフィールドが、前記ロウアドレスまたは前記カラムアドレスに対応するビット長を有する、請求項25に記載のコマンドパケット。The command packet further includes an address field following the command field that provides one of a row address and a column address when the operation code corresponds to a read operation or a write operation, the address field comprising: 26. The command packet according to claim 25, wherein the command packet has a bit length corresponding to a row address or the column address. 前記コマンドパケットが、前記オペレーションコードが前記書き込み動作に対応するときに前記メモリデバイスでの格納のための書き込みデータを提供する、前記アドレスフィールドに続くデータフィールドをさらに含み、前記データフィールドが、前記書き込みデータに対応するビット長を有する、請求項26に記載のコマンドパケット The command packet further includes a data field following the address field that provides write data for storage in the memory device when the operation code corresponds to the write operation, the data field comprising the write field 27. The command packet according to claim 26, wherein the command packet has a bit length corresponding to data . 複数のメモリデバイスと前記デバイスを制御するコントローラとを含むメモリシステムであって、
前記コントローラが、前記複数のメモリデバイスの第1デバイスにビットストリームコマンドパケットを提供する出力ポートを有し、前記ビットストリームコマンドパケットが、オペレーションコードおよびデバイスアドレスを含み、
前記複数のメモリデバイスのそれぞれが、前記コントローラおよび前のメモリデバイスのうちの1つから前記ビットストリームコマンドパケットを受け取り、前記デバイスアドレスがそれに対応する場合に前記オペレーションコードを実行し、前記複数のメモリデバイスのそれぞれが、次のメモリデバイスおよび前記コントローラのうちの1つに前記ビットストリームコマンドパケットを提供し、ビットストリーム読み取りデータパケットが、前記オペレーションコードが読み取り機能に対応する場合に前記複数のメモリデバイスの最後のメモリデバイスから前記コントローラに提供される
メモリシステム。
A memory system including a plurality of memory devices and a controller that controls the devices,
The controller has an output port for providing a bitstream command packet to a first device of the plurality of memory devices, the bitstream command packet including an operation code and a device address;
Each of the plurality of memory devices receives the bitstream command packet from one of the controller and a previous memory device and executes the operation code when the device address corresponds to the plurality of memory devices; Each of the devices provides the bitstream command packet to one of the next memory device and the controller, and the bitstream read data packet is the plurality of memory devices when the operation code corresponds to a read function. A memory system provided to the controller from the last memory device.
前記複数のメモリデバイスが、直列に接続され、最初のメモリデバイスおよび最後のメモリデバイスが、前記コントローラに接続される、請求項28に記載のメモリシステム。 30. The memory system of claim 28 , wherein the plurality of memory devices are connected in series, and a first memory device and a last memory device are connected to the controller. 前記コントローラが、前記複数のメモリデバイスの最初のデバイスにビットストリームデータパケットを送る、請求項28に記載のメモリシステム。 30. The memory system of claim 28 , wherein the controller sends a bitstream data packet to a first device of the plurality of memory devices. 前記コントローラからの前記ビットストリームデータパケットと、前記ビットストリーム読み取りデータパケットとが、直列ビットストリームを含む、請求項30に記載のメモリシステム。 32. The memory system of claim 30 , wherein the bitstream data packet from the controller and the bitstream read data packet comprise a serial bitstream. 前記コントローラからの前記ビットストリームデータパケットと、前記ビットストリーム読み取りデータパケットとが、並列ビットストリームを含む、請求項30に記載のメモリシステム。 32. The memory system of claim 30 , wherein the bitstream data packet from the controller and the bitstream read data packet include parallel bitstreams. 前記複数のメモリデバイスが、同一のタイプであるか、異なるタイプのメモリデバイスの混合物である、請求項28に記載のメモリシステム。 30. The memory system of claim 28 , wherein the plurality of memory devices are the same type or a mixture of different types of memory devices.
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