JP2010287279A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
いて、記憶データを高速に検索できるようにする。
【解決手段】たとえば、フラッシュメモリは、逆引き検索モードにおいて、各ブロックの
先頭ページより、そのブロックに記憶された記憶データに対応する検索データを読み出し
、その検索データとコントローラからの非検索データとを比較し、非検索データに一致す
る検索データのブロックアドレスおよびページアドレスをコントローラに送り返す。その
際に、フラッシュメモリは、自身が備えるプログラムベリファイ機能を利用して“0”デ
ータを比較することにより、検索データと非検索データとの一致をチェックする。
【選択図】 図3
Description
)ベリファイ機能を有するNAND型フラッシュメモリに関する。
大させ、パーソナルコンピュータではハードディスクに並んで重要な記憶媒体となってい
る。特に、携帯電話などのモバイル機器においては、大容量記憶媒体として不可欠なデバ
イスとなってきた。しかし、メモリ容量の増大にともない、記憶データを検索する場合に
は長時間を要するようになっており、パーソナルコンピュータおよび携帯電話などのシス
テム全体の性能を向上させる上で重大な問題となっている。
データを外部のコントローラに読み出し、コントローラによって、全記憶データと検索条
件との比較を行い、検索条件を満たす記憶データがどれかを判断するという方法を採って
いた。この方法の場合、メモリ容量に比例して検索に時間がかかるとともに、読み出し操
作をコントローラが制御するため、検索期間中は他のデータの読み出しまたは書き込み、
消去ができないなど、システム全体の負担となっていた。
(格納先)を所定の小容量領域にポインタとして保存しておくという、ソフトウェア的な
回避策を施しているシステムもある。このシステムの場合、所定の小容量領域だけを検索
の対象とすれば所望の記憶データの保管場所を容易に探し当てることができるため、検索
時間を大幅に短縮することができ、その分、コントローラを占有する時間も少なくてすむ
という利点がある。しかしながら、このシステムの場合、あらかじめ記憶データの形式が
明確であるとともに、小容量領域に書き込めるだけの内容によって判断できる記憶データ
でなければ検索できないという問題があった。この問題は、いろんなシステムまたはソフ
トウェアから記憶データが書き込まれる可能性のあるフラッシュメモリとしては致命的で
、汎用な用途では利用できない。
に検索できる機能が必要とされてきている。
を効率よく検索できるようにした半導体記憶装置が既に提案されている(たとえば、特許
文献1参照)。
を軽減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。
ためのメモリセルアレイと、メモリセルアレイ中の任意の格納場所を指し示すことができ
るアドレス保持回路と、該アドレス保持回路の保持するアドレスに相当する格納場所から
記憶データを読み出す読み出し回路と、を具備し、メモリアレイから記憶データを読み出
して保持しておく第1の一時記憶手段と、検索データ(キーワード)を記憶しておくため
の第2の一時記憶手段と、上記2つの記憶手段の内容を1ビット毎に1対1で比較演算す
ることができる演算回路と、比較結果が一致した時の第1の一時記憶手段に記憶さえてい
る記憶データが読み出された時の上記アドレス保持回路の内容をメモリ回路外部に読み出
す手段と、第一と第二の一時記憶手段のデータを比較演算した結果、不一致していた場合
に第二の一時記憶手段にデータを読み出した時のアドレス保持回路の内容を更新し別のア
ドレスのデータを第二の一時記憶手段に読み出しなおして第一と第二の一時記憶手段の内
容を比較する作業を繰り返すメモリアドレス更新手段とを具備したことを特徴とする。
を軽減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。
模式的なものであり、各図面の寸法および比率などは現実のものとは異なることに留意す
べきである。また、図面の相互間においても、互いの寸法の関係および/または比率が異
なる部分が含まれていることは勿論である。特に、以下に示すいくつかの実施例は、本発
明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形
状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。この発明の
技術思想は、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることができる。
である。本実施例では、プログラムベリファイ機能を有するNAND型フラッシュメモリ
を例に説明する。なお、チップの主要部のみ図示し、その他の部分については図示を省略
している。
ンプ回路12、比較回路13、一時記憶バッファ(データバッファ)14、および、RO
Wアドレス制御回路15などが設けられている。本フラッシュメモリ10においては、上
記のセンスアンプ回路12、比較回路13、および、一時記憶バッファ14によって、書
き込み動作が完了したかどうかを判別するための、既存のプログラムベリファイ機能が実
現されている。
(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタによって構成さ
れてなるメモリセルトランジスタ)を有し、たとえば、セルトランジスタごとに2値デー
タあるいは8値以上または3ビット以上の多値データを不揮発に記憶するものである。
のセンスアンプ(S/A)を有し、たとえば逆引き検索モード時には、選択状態のセルト
ランジスタ(以下、選択セル)に書き込まれた記憶データに対応する検索データをセンス
するものである。
とをビット線単位で比較(EXOR演算)し、その結果(OR出力)を出力するもので、
たとえば逆引き検索モード時には、非検索データと検索データとの一致をチェックするも
のである。
ページ分の書き込みデータを保持しておくための内部バッファであり、たとえば逆引き検
索モード時には、検索しようとする所望の記憶データに対応する非検索データを一時的に
格納するものである。
をメモリセルアレイ11上から読み出す通常の検索モードに対して、たとえば日付などの
非検索データおよび検索データにそれぞれ対応する記憶データの、メモリセルアレイ11
上の保管場所(格納先)を検索する機能(処理)をいう。
レイ11より選択し、その選択ブロックのワード線および選択信号線に、動作に応じた適
切な電圧を供給するものである。
場合、たとえば図2に示すように、直列に接続されたm個(この例では、32個)のセル
トランジスタCT0〜CT31と、その両端に接続された2個の選択トランジスタSGT
D,SGTSとによって、それぞれNANDセル列(NAND string)NCSj
が構成されている。NANDセル列NCSjは、メモリセルアレイ11の構成単位である
。セルトランジスタCT0〜CT31のそれぞれは、制御ゲート電極と浮遊ゲート電極と
からなる二重ゲート構造を有するMOSトランジスタによって構成されている。セルトラ
ンジスタCT0〜CT31の制御ゲート電極には、それぞれ、ワード線WL0〜WL31
が接続されている。各NANDセル列NCSjの一端側の選択トランジスタSGTDは、
ビット線BLiのいずれかに接続されている。この選択トランジスタSGTDのゲート電
極には、選択信号線SGDが共通に接続されている。各NANDセル列NCSjの他端側
の選択トランジスタSGTSは、セルソース線SRCに共通に接続されている。選択トラ
ンジスタSGTSのゲート電極には、選択信号線SGSが共通に接続されている。ワード
線WL0〜WL31および選択信号線SGD,SGSは、ROWアドレス制御回路15に
それぞれ接続されている。ビット線BLiは、それぞれ、センスアンプ回路12のS/A
に接続されている。
有するj個のNANDセル列NCSによって、ブロック(一単位)BLKnが構成されて
いる。すなわち、メモリセルアレイ11にはn個のブロックBLKが設けられ、各ブロッ
クBLKnには、それぞれ、異なるビット線BLiにつながるj個のNANDセル列NC
Sが設けられている。各ブロックBLKnのj個のNANDセル列NCSは、ワード線W
L0〜WL31および選択信号線SGD,SGSを共有している。そして、各ブロックB
LKnにおける、ワード線WL0〜WL31をそれぞれ共有するセルトランジスタCT0
〜CT31の各単位が“ページ”となっている。
れぞれの記憶データに対応する検索データが記憶される。または、記憶データがそれぞれ
記憶されるデータ領域の各先頭ページに、それぞれの記憶データに対応する検索データが
記憶される。
T31の浮遊ゲート電極に対して、FNトンネル電流を用いて電子を出し入れすることに
よって行われる。通常は、浮遊ゲート電極に電子が注入された状態を“0”書き込み、電
子が注入されない状態を“1”書き込み(消去)としている。また、書き込みデータはセ
ルトランジスタCT0〜CT31に書き込まれて記憶データとなり、その記憶データがセ
ルトランジスタCT0〜CT31より読み出されて読み出しデータとなる。
時の動作について説明する。
検索モード時においては、まず、ユーザは検索しようとする所望の記憶データに対応する
非検索データを、外部のコントローラより書き込みデータの入力と同じ要領で入力する(
ステップST01)。入力された非検索データは、各ビット線BLiに一対一で対応した
一時記憶バッファ14に記憶される。
ては、たとえば“1”データが書き込まれる。これは、プログラムベリファイ機能が“0
”データになっていることを確認するための動作なので、“1”データを書き込んでおく
ことによって、所望の記憶データ以外の記憶データを検索対象から外すことが可能となる
。また、読み出し動作を途中で中止した場合も、それ以降は“1”データを書き込んだ場
合と同様に検索対象から外すことができる。また、非検索データの入力を検索対象アドレ
スの途中から開始した場合も同様で、入力より前のアドレスに相当する検索データとして
は“1”がロードされる。
力する(ステップST02)。
ステップST03)。検索動作は、ROWアドレス制御回路15によって制御され、指定
された検索開始ブロックアドレスおよびページアドレスからの検索データの読み出しが行
われる。検索対象アドレスが指定されなかった場合には、メモリセルアレイ11の先頭ブ
ロックアドレスおよびページアドレスからの、検索データの読み出しが行われる。読み出
された検索データは、ビット線BLiごとに接続されたセンスアンプ回路12の各S/A
に格納される。
回路12内の検索データとの比較演算を行い、データの一致を調べる(ステップST04
)。たとえば、ビット線BLiごとのEXOR演算の結果から全ビット線BLi分のOR
演算の結果が求められ、全てのビット線BLiについて、検索データが非検索データと一
致しているか否かがチェックされる。
現するための機能としてあらかじめ備えたものであり、新規に回路を追加する必要がない
ため、コストの増大もない。
までの間で、ブロックアドレスもしくはページアドレスをインクリメントし(ステップS
T05)、上記の処理(ステップST03,ST04)を繰り返す。
usy信号を用いて、それをコントローラに通知する。この通知を受け取ったコントロー
ラは、検索結果として、比較結果が一致した検索データの、メモリセルアレイ11上のブ
ロックアドレスおよびページアドレスをフラッシュメモリ10から読み出すことにより、
対応する記憶データの格納先のアドレスを知ることができる(ステップST06)。
ァイ機能を有効に利用することで、記憶データの、高速で、かつ、コントローラの負担の
少ない検索を可能にしている。すなわち、記憶データの格納先を検索する逆引き検索モー
ド機能において、記憶データに対応する検索データおよび非検索データの“0”データの
一致をプログラムベリファイ機能によってチェックすることにより、記憶データをフラッ
シュメモリの内部で検索できるようにしている。これにより、外部のコントローラに余計
な負担をかけることなしに、記憶データの高速検索が可能となる。しかも、フラッシュメ
モリがもともと備える回路をそのまま利用することで、回路の追加などを必要としない、
フラッシュメモリに適した検索方法とすることができる。
うにした場合を例に説明したが、これに限らず、たとえば図4に示すように、検索動作が
終了したということは(上記ステップST06)、非検索データに対応する所望の記憶デ
ータが見つかったということなので、その検索データのアドレスに続くアドレスの記憶デ
ータを自動的に読み出すようにすることも可能である(ステップST07)。つまり、読
み出したブロックアドレスおよびページアドレスを再入力することなく、リードコマンド
の入力に応じて読み出し動作を行うことで、検索データと、その検索データに対応する記
憶データとを自動的に読み出すことができる。
を内部の記憶回路(図示していない)に一時的に保管しておき、検索動作を続けるという
方法も有効である。非検索データと一致する検索データが1つとは限らない場合、検索対
象アドレスの終了アドレスまで一連の処理を繰り返し、一致した検索データのアドレスを
まとめて読み出すようにすることも可能である。この場合、一致する検索データの数は、
用意されている一時記憶バッファ14の容量により制限されることになる。
索データと検索データとが一致するたびに検索動作を終了する(検索結果であるアドレス
を読み出す)方式とすることによっても、有効な検索動作を実現できる。すなわち、検索
データが非検索データと一致した場合、Ready/Busy信号によりコントローラに
通知されるが、この通知を受け取ったコントローラは、その検索データのメモリセルアレ
イ11上のブロックアドレスおよびページアドレスをフラッシュメモリ10から読み出す
とともに、たとえば継続検索コマンドを用いて、フラッシュメモリ10に検索動作を継続
させるようにする。これにより、非検索データおよび検索対象アドレスなどを再入力する
ことなしに、検索動作を自動的に継続させることが可能となる。
したのかを判断することができる。したがって、本例の場合、継続検索コマンドを通常の
検索コマンドとは別コマンドにすることで、検索開始アドレスの入力がなくても、検索動
作をメモリセルアレイ11の先頭アドレスから開始するのかどうかを区別することが可能
となる。
レスの入力がなければ、図示していないブロックアドレスバッファおよびページアドレス
バッファにあるアドレスから検索動作を開始するようにしたほうが汎用となる。そこで、
所望のアドレスから検索動作を開始したい場合、特に、メモリセルアレイ11の先頭アド
レスから検索動作を開始したい場合には、ユーザに対して、検索の対象となるアドレスの
範囲を指定する検索対象アドレスの入力を要求する仕様も有効である。すなわち、図5の
ステップST11,ST12に示すように、検索開始アドレスおよび終了アドレスの入力
によって検索対象アドレスの範囲を限定することで、より効率的な検索動作を実現できる
。
よい。検索開始カラムアドレスが入力された場合、フラッシュメモリ10は、そのアドレ
スに対応するカラムから検索動作を開始する。そのアドレス以前のアドレスに相当するカ
ラムは“1”がロードされたのと同じ状態となり、検索動作の対象とはならない。
もよい。検索開始ブロックアドレスが入力された場合、フラッシュメモリ10は、そのア
ドレスに対応するブロックから検索動作を開始し、ブロックアドレスを自動的にインクリ
メントしながら検索動作を継続する。
もよい。検索終了ブロックアドレスが入力された場合、フラッシュメモリ10は、そのア
ドレスのブロックで検索動作を終了する。検索終了ブロックアドレスが入力されなかった
場合には、メモリセルアレイ11の最大ブロックアドレスのブロックの検索動作が終了す
るまで処理を継続する。
を更新する場合(図3,図4,図5の各ステップST05)、1アドレスずつの増加のみ
ならず、あらかじめ指定されたアドレス分を増加させることも有効である。たとえば、検
索データを、メモリセルアレイ11を64ブロックごとに区切ったデータ領域の各先頭ペ
ージに格納するようにした場合においては、検索データを64×ページサイズ分だけ削減
することができ、より検索動作を高速化できる。この場合、ページアドレスを固定した上
で、64ブロックごとにブロックアドレスを1アドレスずつ増加させる設定にすればよい
。
データと“1”データとを比較し、非検索データおよび検索データの一致をチェックする
ようにした場合の例である。すなわち、“0”データのみを比較する実施例1の場合、一
致しない検索データにもかかわらず比較結果が誤って一致となる可能性がある。
検索動作(逆引き検索モード機能)の精度を向上できるようにした場合について説明する
。たとえば、逆引き検索モード時において、非検索データの入力後に、その非検索データ
の反転データを入力する。その際、検索対象から外したい記憶データ(カラム)に関して
は、上記した実施例1の場合と同様に“1”データを入力する。つまり、非検索データと
反転データとにともに“1”データが入力された記憶データは、検索対象から外れること
になる。
記憶バッファ14とは別に、図示していない、反転データを格納するためのバッファ(デ
ータラッチ)を備える。
3での比較結果が一致する検索データをメモリセルアレイ11内より検索する。そして、
今度は、比較結果が一致した検索データの反転読み出しを行い、比較回路13において、
センスアンプ回路12に読み出した反転読み出しデータとデータラッチ内の反転データと
の比較を行う。この場合、非反転データである、非検索データと検索データとの比較の場
合と同様に、フラッシュメモリ10が備えるプログラムベリファイ機能は“0”データの
比較しか行わないため、検索対象でない記憶データに関しては、反転読み出しデータが“
0”または“1”のどちらのデータであっても比較結果は一致となる。
ついては割愛する。
追加のみによって、“0”と“1”の両方のデータを比較することができる。したがって
、フラッシュメモリが従来から備えているプログラムベリファイ機能を利用して逆引き検
索を行う場合の、記憶データの検索の高速性を損なうことなく、しかも、コントローラの
負担を軽減しつつ、検索動作の精度を向上できる。また、反転データと反転読み出しデー
タとの比較は、非検索データと検索データとが一致した場合にのみ実行されるようにした
ので、一致の頻度が小さい場合の検索動作にかかる時間に対するインパクトを小さく抑え
ることができ、有効である。
くためのデータラッチの追加が必要であるが、たとえば多値データを記憶するフラッシュ
メモリのように、1カラム当たりに複数個のデータラッチを内蔵しているようなフラッシ
ュメモリであれば、新たな回路の追加なく、既に備えるデータラッチを有効に利用するこ
とで容易に実現できる。
検索対象のカラムとを見分けるためのマスクデータをロードするようにした場合の例であ
る。本例の場合、各カラムの先頭アドレスに検索データが格納されている。
から除外するための機構を有している場合、この機構を用いて、所望の検索対象のカラム
以外のカラムを検索動作の対象から除外することで、より高速で、かつ、高精度な検索動
作(逆引き検索モード機能)を実現できる。すなわち、メモリセルアレイ11に不良カラ
ムが存在する場合に、カラム冗長回路と通常のメモリ回路とを置き換える機構と、一括ベ
リファイ機能を実現するために不良カラムを無視する機構と、を備えたフラッシュメモリ
がある。そのための機構はさまざまであるが、正常カラムか不良カラムかを示すデータを
格納しておくためのデータラッチ(図示していない)を有し、そのデータの示すカラムを
ベリファイの対象から除外するという基本的な機能はほぼ同様である。
検索対象外となるカラムを設定する。たとえば、逆引き検索モード時において、検索コマ
ンドが入力されるまでの間に、コントローラは、データラッチ内に格納されている不良カ
ラムを示す置換データを読み出し、その置換データを記憶する。この後、検索コマンドの
入力時に、全カラムを検索対象外のカラムとすべく、データラッチをリセットする。そし
て、非検索データを入力する時点で入力された非検索データに応じて、検索の対象となる
カラムをデータラッチに設定することにより、検索対象のカラムと非検索対象のカラムと
を区別できるようになる。つまり、非検索データに対応するカラムのみを、検索動作の対
象とすることが可能となる。
データとにおける“0”データの比較を行った後、反転読み出しデータと非検索データの
反転データとを比較することで、“1”データも比較する。その際、データラッチに設定
されているカラム以外の、検索対象外のカラムの検索データは比較されないので、高速で
、かつ、高精度な検索動作が可能となる。
じ方式(規格)のものでよく、多値データを記憶するフラッシュメモリでなくても有効な
技術である。
記憶していた不良カラムを示す置換データをデータラッチに再び設定し直し、フラッシュ
メモリ10を検索動作の実行前の状態に戻して、逆引き検索モードを終了する。ただし、
不良カラムの置換データを別のデータ領域に記憶しているフラッシュメモリの場合におい
ては、コントローラによって、置換データをあらかじめ記憶しておく必要がない場合もあ
る。
機能を有効に利用することで、外部のコントローラなどに頼ることなく、メモリチップの
内部だけで記憶データを高速に検索でき、フラッシュメモリにとって好適な検索機能とす
ることができるものである。
上述した逆引き検索モード機能を実現する場合について考察する。
ることも可能であるが、より信頼性が求められる検索データの特性を考慮すれば、検索デ
ータは2値モードで、他の記憶データから区別して保持する方法が考えられる。しかし、
多値モードでデータを記憶する機能のあるフラッシュメモリの場合、データは多値モード
で記憶するほうがセルトランジスタのしきい値をより精度よく制御できるため、この機能
を積極的に利用することにより、信頼性の高い検索動作(逆引き検索モード機能)を実現
し得る。
ルトランジスタのしきい値を8つの領域(分布)に制御することができる反面、1つ1つ
の分布の間隔が狭いため、信頼性を確保するのが難しいという問題がある。そこで、たと
えば図7に示すように、8値モードのしきい分布を使って2値データを記憶することで、
より高い信頼性を確保する。この場合、たとえば図8に示すように、必要以上にしきい値
を高く設定すると信頼性上で不利な場合もある。そのため、検索データの場合は、たとえ
ば図9に示すように、8値モードの場合の中程度のしきい値分布を使って記憶するのが望
ましい。
機能を適用した場合について考察する。
用されるほか、複数のチップで1つのシステムを構成する用途が多い。特に、大容量のシ
ステムの場合は、多数のメモリチップを用いて1つのシステムが構成される。
り、検索動作を実行していた。しかしながら、上述したような、メモリチップの内部での
検索動作(逆引き検索モード機能)を可能とすることによって、実装されるメモリチップ
ごとに並行して検索動作を実行することが可能となる。システム内のメモリチップ数が多
くなれば多くなるほど、検索効率は向上する。したがって、大規模システムでの高速検索
を実現する方法として、上述の逆引き検索モード機能は実に有効である。
の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記(各)実施形
態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み
合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、(各)実施形態に示される全構成要
件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課
題(の少なくとも1つ)が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果(の少なくと
も1つ)が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る
。
路、13…比較回路、14…一時記憶バッファ、15…ROWアドレス制御回路、WL0
〜WL31…ワード線、BLi…ビット線、CT0〜CT31…セルトランジスタ、NC
Sj…NANDセル列、BLKn…ブロック。
Claims (5)
- メモリ回路において、
データを記憶しておくためのメモリセルアレイと、
メモリセルアレイ中の任意の格納場所を指し示すことができるアドレス保持回路と、
該アドレス保持回路の保持するアドレスに相当する格納場所から記憶データを読み出す
読み出し回路と、
を具備し、
メモリアレイから記憶データを読み出して保持しておく第1の一時記憶手段と、
検索データ(キーワード)を記憶しておくための第2の一時記憶手段と、
上記2つの記憶手段の内容を1ビット毎に1対1で比較演算することができる演算回路
と、
比較結果が一致した場合には、第1の一時記憶手段に記憶さえている記憶データが読み
出された時の上記アドレス保持回路の内容をメモリ回路外部に読み出し、
比較結果が不一致の場合には、第一の一時記憶手段にデータを読み出した時のアドレス保
持回路の内容を更新し別のアドレスのデータを第一の一時記憶手段に読み出しなおして第
一と第二の一時記憶手段の内容を比較する作業を繰り返すメモリアドレス更新手段と
を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - ”1”または”0”の2進数で表されるデジタル情報を記憶している場合に第2の一時
記憶手段に記憶されているデータの”1”または”0”のどちらか一方のみを比較対象と
し、もしくは、”1”または”0”の両方を比較対象とし、第一、第二の一時記憶手段が
完全に一致していることを比較する演算回路を具備したことを特徴とする請求項1に記載
の不揮発性半導体記憶装置。 - アドレス保持回路の内容を更新する際にあらかじめ決められたアドレスだけ増加または
減少させることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 上記比較演算回路で、ビット毎の比較回路の結果を必ず一致を示す結果に固定する手段
をもち、この手段を用いて、あらかじめ指定していたビットを比較対象から外すことを特
徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 第一と第二の一時記憶手段のデータ比較の結果、一致した場合に、そのときの第二の一
時記憶手段にデータを読み出した時のアドレス保持回路の内容を記憶しておく第3の一時
記憶手段を具備し、
第一と第二の一時記憶手段のデータ比較の結果、一致した場合にはアドレス保持回路の
内容を第3の一時記憶手段に記憶した後、アドレス保持回路の内容を更新し、不一致した
場合には第3の一時記憶手段に記憶することなくアドレス保持回路の内容を更新し、次の
データを第2の一時記憶手段に読み出し、次の比較演算を繰り返し、
検索終了アドレスに到達した後、第3の一時記憶手段に格納されたアドレス保持回路の
内容を回路外部に読み出すことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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