JP2010278234A - シリコンウエハ表面損傷評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンウエハを希フッ酸で処理し、前記処理されたシリコンウエハをCuイオン含有希フッ酸に浸漬し、純水洗浄した後SC1洗浄し、前記シリコンウエハの表面に形成されたヘイズを分析することを特徴とする。
【効果】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を確実にかつ高精度で検出、評価することができる。
【選択図】図1
Description
本発明の方法で評価されるシリコンウエハについては特に制限はなく、種々の材料、形状を有するものの評価が可能である。また損傷を与える工程の種類についても特に制限はなく、シリコンウエハの表面に損傷を与える可能性のある工程をすべて含む。具体的には研磨工程が挙げられ、特に最終仕上げの目的で行われる化学機械研磨工程が挙げられる。化学機械研磨工程ではシリコンウエハ表面に、擦り傷損傷、凹凸損傷、などが形成される。
本発明の方法において、まずシリコンウエハを希フッ酸処理することを特徴とする。この処理によりシリコンウエハ表面の自然酸化膜が除去される。
本発明の方法は、希フッ酸処理したシリコンウエハに、Cuイオンを含む希フッ酸で処理すると、表面の損傷部分にのみCuが選択的に析出するという意想外の知見に基づくものである。ここでCuが析出するとは、Cuイオンが金属Cuとして損傷部分に析出することのみならず、種々の塩、復塩、錯体の形で損傷部分に蓄積、付着、沈殿等されることも意味する。
ここで上で説明した純水洗浄処理についても本発明においては特に制限はなく従来公知の方法、装置が使用可能である。
本発明の方法は、シリコンウエハ表面の損傷部分にCuを析出させた後、通常のSC1洗浄処理を行うことを特徴とする。本発明で使用するSC1洗浄の方法、洗浄液、洗浄装置については特に制限はない。従来公知のSC1洗浄液組成物、洗浄装置が好ましく使用可能である。
本発明の方法によりSC1洗浄後のシリコンウエハ表面に形成されたヘイズは、ウエハ表面において生じている微小な凹凸であって、そのサイズ、形状で特徴づけられるものであって、よく知られたものである(例えば、特開2002−76082号公報参照)。従って当該ヘイズを分析する方法に関しては本発明は特に制限されず、通常公知の分析方法、分析装置を好ましく使用することができる。
Claims (3)
- シリコンウエハを希フッ酸で処理し、前記処理されたシリコンウエハをCuイオン含有希フッ酸に浸漬し、純水洗浄した後SC1洗浄し、前記シリコンウエハの表面に形成されたヘイズを分析することを特徴とする、シリコンウエハ表面の加工損傷を検出する方法。
- フッ酸の濃度が0.1〜10%、Cuイオン含有希フッ酸のCuイオン及び希フッ酸の濃度が、それぞれ0.01ppb以上、0.1〜10%であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 表面に形成されたヘイズを分析するためにレーザー散乱式パーティクル検査装置を用いることを特徴とする、請求項1又は2のいずれかに記載の方法。
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JP2009129282A JP2010278234A (ja) | 2009-05-28 | 2009-05-28 | シリコンウエハ表面損傷評価方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103650124A (zh) * | 2011-07-06 | 2014-03-19 | Lg矽得荣株式会社 | 评估晶片或单晶锭的质量的方法及使用其控制单晶锭的质量的方法 |
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CN103650124A (zh) * | 2011-07-06 | 2014-03-19 | Lg矽得荣株式会社 | 评估晶片或单晶锭的质量的方法及使用其控制单晶锭的质量的方法 |
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