JP2010274352A - Dresser for abrasive cloth - Google Patents

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Hiroaki Sakamoto
広明 坂本
Toshiya Kinoshita
俊哉 木下
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dresser excellent in grinding performance of a pad surface by controlling a direction of individual diamond abrasive grains brazed to a metallic supporting member. <P>SOLUTION: In the dresser for the abrasive cloth, a plurality of abrasive grains are fixed, in a single layer, onto the surface of the metallic supporting member. Each of the abrasive grains is a single crystal abrasive grain having a plurality of crystal habit surfaces, and out of the number of the fixed abrasive grains, the number of the abrasive grains wherein one of the crystal habit surfaces is arranged almost in parallel to the surface of the supporting member, is 80% or more. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、化学的かつ機械的平面研磨(Chemical Mechanical Planarization、以下CMPと略す)の工程で、研磨布の平坦性を維持するため、および、目詰まりや異物除去を行うために使用されるドレッサーに関する。   The present invention provides a dresser used for maintaining the flatness of the polishing cloth and for removing clogging and foreign matters in a chemical and mechanical planar polishing (CMP) process. About.

半導体ウェーハの表面を研磨する装置、あるいは、集積回路を製造する途中の配線や絶縁層の表面を平坦化する装置、磁気ハードディスク基板に使用されるAl板やガラス板の表面を平坦化する装置、等ではCMP研磨が用いられている。CMP研磨とは、例えば、ウレタン製の研磨パッドが貼り付けられた回転基板に、微細な砥粒を含むスラリー液を供給しながら、被研磨面を押し当てて、被研磨面を平坦化する方法である。当然のことながら、この研磨パッドの研磨能力は使用時間と共に低下していくが、この低下を抑制するために、一定時間毎に研磨パッド表層部を研削して研磨パッドの平坦性を維持しながら、常に新しい面が出るようにドレッシングしている。このドレッシングに使用する部品をドレッサーと呼び、金属基板に砥粒を電着、あるいは、ろう付け等によって接合させたものである。   A device for polishing the surface of a semiconductor wafer, a device for flattening the surface of a wiring or an insulating layer in the course of manufacturing an integrated circuit, a device for flattening the surface of an Al plate or glass plate used for a magnetic hard disk substrate, Etc., CMP polishing is used. CMP polishing is, for example, a method of flattening a surface to be polished by pressing the surface to be polished while supplying a slurry liquid containing fine abrasive grains to a rotating substrate to which a urethane polishing pad is attached. It is. As a matter of course, the polishing ability of this polishing pad decreases with the use time, but in order to suppress this decrease, the polishing pad surface layer is ground at regular intervals to maintain the flatness of the polishing pad. , I am always dressing so that a new surface comes out. A part used for this dressing is called a dresser, and abrasive grains are joined to a metal substrate by electrodeposition or brazing.

最近では、集積回路のライン/スペ−スの極狭化によるパターン露光装置の焦点深度の低下、あるいは磁気ハードディスクの記録容量増加、などに伴って、スクラッチ傷を無くすという従来からの要求に加えて、被研磨面のうねり低減など、平坦性への要求が益々高くなってきている。これらの要求に応えていくためには、ドレッシングによってパッド表面を均一に研削してパッド平坦性を維持することが必要であるとともに、パッドの目詰まりや異物を除去するためのパッド研削力も必要となる。更に、通常、ドレッシング時間とともにパッド研削力は低下していくが、この研削力低下をできるだけ抑制し、ドレッサ−寿命を延ばすことが、実用上、CMP工程を安定化させる上で重要となっている。   Recently, in addition to the conventional requirement to eliminate scratches due to a decrease in the depth of focus of a pattern exposure apparatus due to the extremely narrow line / space of an integrated circuit or an increase in the recording capacity of a magnetic hard disk. There is an increasing demand for flatness, such as reducing the waviness of the surface to be polished. In order to meet these demands, it is necessary to uniformly grind the pad surface by dressing to maintain pad flatness, and pad grinding force to remove clogging and foreign matters of the pad is also necessary Become. In addition, the pad grinding force usually decreases with dressing time. However, it is practically important to stabilize the CMP process to suppress the grinding force reduction as much as possible and to extend the dresser life. .

均一なパッド研削を目的としたドレッサーとしては、以下のものが開示されている。特許文献1には、円盤状台金の表面に超砥粒を単層固着した超砥粒層を有するパッドコンディショナーであって、この砥粒層に複数の領域を設け、各領域のそれぞれの全面に超砥粒を正三角形配置させ、さらに、円盤状台金の中心軸側よりも外周側の領域の砥粒間隔を小さくしたドレッサーが開示されている。特許文献2は、円盤状の母材の一面に砥粒層を電着したドレッサーであって、隣り合う砥粒の中心間隔を砥粒平均粒径の2〜10倍としたものである。特許文献3には、ポリッシングパッド面に接する端面の内周側にエッジを鈍化した超砥粒面を設け、かつ、それより外周側に鋭利なエッジを持つ超砥粒面を設けたドレッサーが開示されている。   The following are disclosed as dressers for the purpose of uniform pad grinding. Patent Document 1 discloses a pad conditioner having a superabrasive layer in which a superabrasive grain is fixed to the surface of a disk-shaped base metal, and a plurality of regions are provided in the abrasive layer. Discloses a dresser in which superabrasive grains are arranged in an equilateral triangle, and the abrasive grain spacing in the region on the outer peripheral side is smaller than the central axis side of the disk-shaped base metal. Patent Document 2 is a dresser in which an abrasive layer is electrodeposited on one surface of a disk-shaped base material, and the center interval between adjacent abrasive grains is 2 to 10 times the average grain size of the abrasive grains. Patent Document 3 discloses a dresser in which a superabrasive surface having a blunt edge is provided on the inner peripheral side of an end surface in contact with the polishing pad surface, and a superabrasive surface having a sharp edge on the outer peripheral side is provided. Has been.

特開2006−55944号公報JP 2006-55944 A 特開2001−121418号公報JP 2001-121418 A 特開2001−113456号公報JP 2001-113456 A

前述したように、従来からパッド表面を均一に研削することを目的とするドレッサーが報告されてはいるものの、これらは砥粒の二次元配置の仕方、砥粒の間隔を変えたもの、あるいは、砥粒エッジ形状の異なる複数の砥粒を用いたものであり、個々の砥粒の向きに着目しているものではない。また、特に、ろう付けによってダイヤモンド砥粒を固定する場合には、溶融したろう材の中で砥粒が揺らいでしまい、砥粒の向きが変わるために、ダイヤモンド砥粒の向きを制御したドレッサーは知られていない。   As described above, although dressers intended to uniformly grind the pad surface have been reported conventionally, these are two-dimensional arrangements of abrasive grains, ones with changed abrasive grain intervals, or It uses a plurality of abrasive grains having different abrasive grain edge shapes, and does not focus on the direction of each abrasive grain. In particular, when fixing diamond abrasive grains by brazing, the abrasive grains fluctuate in the molten brazing material, and the direction of the abrasive grains changes. unknown.

本発明は、特に、ダイヤモンド砥粒が金属製支持材にろう付されたドレッサーにおいて、個々のダイヤモンド砥粒の向きを制御することによって、パッド表面の研削性能に優れたドレッサーを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a dresser having excellent grinding performance on a pad surface by controlling the direction of individual diamond abrasive grains, particularly in a dresser in which diamond abrasive grains are brazed to a metal support. And

本発明の要旨は、以下の通りである。
(1)金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、前記砥粒それぞれは、複数の晶癖面を有する単結晶砥粒であり、前記固着された砥粒の総数のうち、前記複数の晶癖面のうちの一つの晶癖面が前記支持材の表面と略平行に配置された砥粒の数が、80%以上であることを特徴とする研磨布用ドレッサー。
(2)前記砥粒の平均粒径が5μm以上300μm以下であることを特徴とする前項(1)に記載の研磨布用ドレッサー。
(3)前記砥粒が前記金属製支持材の表面にろう付けされていることを特徴とする前項(1)または(2)に記載の研磨布用ドレッサー。
(4)前記砥粒がダイヤモンド砥粒であることを特徴とする前項(1)〜(3)のいずれか1項に記載の研磨布用ドレッサー。
(5)前記金属製支持材がステンレス鋼製であることを特徴とする前項(1)〜(4)のいずれか1項に記載の研磨布用ドレッサー。
The gist of the present invention is as follows.
(1) A dresser for a polishing cloth in which a plurality of abrasive grains are fixed to a single layer on the surface of a metal support material, each of the abrasive grains being a single crystal abrasive grain having a plurality of crystal habit planes, Of the total number of the fixed abrasive grains, the number of abrasive grains in which one of the plurality of crystal habit planes is arranged substantially parallel to the surface of the support material is 80% or more. A dresser for polishing cloth characterized by
(2) The dresser for polishing cloth according to the above item (1), wherein an average particle diameter of the abrasive grains is 5 μm or more and 300 μm or less.
(3) The dresser for abrasive cloth as described in (1) or (2) above, wherein the abrasive grains are brazed to the surface of the metal support material.
(4) The dresser for polishing cloth according to any one of (1) to (3) above, wherein the abrasive grains are diamond abrasive grains.
(5) The dresser for polishing cloth according to any one of (1) to (4), wherein the metal support is made of stainless steel.

本発明のドレッサーを用いることによって、個々の単結晶砥粒(好ましくはダイヤモンド砥粒)のパッド研削力が略均一となるため、十分なパッド研削力が維持され、かつ、優れたパッド平坦性の確保も可能となる。更に、個々の砥粒のパッドへの当接が均一化されるため、ドレッサーの寿命が長くなるという効果が発現する。もちろん、単結晶砥粒をろう付けした場合には、砥粒の脱落抑制という特徴も得られる。このためCMP研磨のパッドコンディショナーに本発明のドレッサーを適用すれば、製品基板の平坦性が向上して優れた品質が達成されるとともに、高い生産性も維持できる効果を奏する。   By using the dresser of the present invention, the pad grinding force of individual single crystal abrasive grains (preferably diamond abrasive grains) becomes substantially uniform, so that sufficient pad grinding force is maintained and excellent pad flatness is achieved. Securement is also possible. Furthermore, since the contact of the individual abrasive grains with the pad is made uniform, the effect of extending the life of the dresser is exhibited. Of course, when single crystal abrasive grains are brazed, a feature of suppressing the falling of abrasive grains is also obtained. For this reason, if the dresser of the present invention is applied to a CMP polishing pad conditioner, the flatness of the product substrate is improved and excellent quality is achieved, and high productivity can be maintained.

本発明のドレッサーの製法の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the manufacturing method of the dresser of this invention.

半導体集積回路のCMP研磨、あるいは、Alやガラスの磁気ハ−ドディスク基板のCMP研磨において特に、パッド平坦性が重要となる。一枚のドレッサー表面には、その面積にもよるが、通常、数千個から数万個の単結晶砥粒(例えばダイヤモンド砥粒、好ましくは人工ダイヤモンド砥粒)が固定されている。しかしながら、これらの単結晶砥粒の粒毎のパッド研削力は大きく異なるため、効率良くパッド平坦性を維持することは容易ではなかった。本発明者らは、砥粒として使用する単結晶砥粒の形状に注目した。例えば、略正方八面体の形状を有する単結晶ダイヤモンド砥粒の一つの晶癖面が、研削されるパッド表面に略平行に当接すれば、一つの晶癖面の周囲を構成する鋭利なエッジ部位がパッドを効率的に研削することができると想定し、その検証を行った結果、本発明を完成させるに至った。   Pad flatness is particularly important in CMP polishing of semiconductor integrated circuits or in CMP polishing of Al or glass magnetic hard disk substrates. Depending on the area of one dresser surface, usually several thousand to several tens of thousands of single crystal abrasive grains (for example, diamond abrasive grains, preferably artificial diamond abrasive grains) are fixed. However, since the pad grinding force for each single crystal abrasive grain differs greatly, it has not been easy to maintain the pad flatness efficiently. The present inventors paid attention to the shape of single crystal abrasive grains used as abrasive grains. For example, if one crystal habit plane of a single crystal diamond abrasive grain having a substantially square octahedron shape abuts substantially parallel to the pad surface to be ground, a sharp edge portion constituting the periphery of one crystal habit plane Assuming that the pad can be ground efficiently, and as a result of verification, the present invention has been completed.

前記の通り、パッド表面と単結晶砥粒(好ましくはダイヤモンド砥粒)の晶癖面とが、略平行に当接するためには、単結晶砥粒の一つの晶癖面を金属製支持材の表面に略平行に配置させればよい。このように単結晶砥粒を配置することによって、単結晶砥粒の一つの晶癖面の周囲を構成する鋭利なエッジによって、パッド表面が効率的に研削されるようになる。このように配置された単結晶砥粒の数が、ドレッサー全面に固定されている砥粒の総数に対して、80%以上であれば本発明の効果が発現される。   As described above, in order for the pad surface and the crystal habit plane of the single crystal abrasive grains (preferably diamond abrasive grains) to contact substantially in parallel, one crystal habit plane of the single crystal abrasive grains is attached to the metal support material. What is necessary is just to arrange | position substantially parallel to the surface. By disposing the single crystal abrasive grains in this way, the pad surface is efficiently ground by the sharp edges that form the periphery of one crystal habit plane of the single crystal abrasive grains. If the number of single crystal abrasive grains arranged in this way is 80% or more with respect to the total number of abrasive grains fixed on the entire dresser surface, the effect of the present invention is exhibited.

単結晶砥粒の平均粒径は5μm以上300μm以下であればよい。砥粒の大きさは、CMP研磨される被研磨物によるが、半導体集積回路のCMP研磨の場合には、比較的大きな単結晶砥粒(好ましくはダイヤモンド砥粒)が使用され;Alやガラスの磁気ハードディスク基板のCMP研磨の場合には、比較的小さな単結晶砥粒(好ましくはダイヤモンド砥粒)が使用される。粒径5μm未満では、単結晶砥粒の一つの晶癖面を金属製支持材の表面に略平行に配置されることが容易ではなくなる。粒径300μm超では、研磨されたパッドの凹凸が大きくなり、パッド平坦性が低下しやすい。さらに、粒径10μm以上200μm以下であれば、ドレッサーの製作のし易さ、パッド平坦性の点からより好ましい。   The average grain size of the single crystal abrasive grains may be 5 μm or more and 300 μm or less. The size of the abrasive grains depends on the object to be polished by CMP, but in the case of CMP polishing of a semiconductor integrated circuit, relatively large single crystal abrasive grains (preferably diamond abrasive grains) are used; In the case of CMP polishing of a magnetic hard disk substrate, relatively small single crystal abrasive grains (preferably diamond abrasive grains) are used. When the particle size is less than 5 μm, it is not easy to arrange one crystal habit plane of the single crystal abrasive grains substantially parallel to the surface of the metal support material. When the particle size exceeds 300 μm, the unevenness of the polished pad becomes large, and the flatness of the pad tends to deteriorate. Furthermore, a particle diameter of 10 μm or more and 200 μm or less is more preferable from the viewpoint of ease of manufacturing a dresser and pad flatness.

単結晶砥粒の平均粒径は、JIS B 4130に準じて測定されうる。ただし、平均粒径が小さくなると、JIS B 4130では測定できない場合があるので、その場合には以下の通りに測定すればよい。単結晶砥粒をSEMで直接観察して、個々の粒径を実測する。約100個程度の単結晶砥粒の平均値を平均粒径とする。個々の粒径の測定に際し、SEMで撮影した写真を市販の画像処理ソフトを用いて処理すれば効率的に平均粒径を求めることができる。   The average particle diameter of the single crystal abrasive grains can be measured according to JIS B 4130. However, if the average particle size becomes small, it may not be measured by JIS B 4130. In that case, the measurement may be performed as follows. Single crystal abrasive grains are directly observed with an SEM to measure individual grain sizes. The average value of about 100 single crystal abrasive grains is defined as the average grain size. When measuring individual particle diameters, the average particle diameter can be efficiently obtained by processing a photograph taken with an SEM using commercially available image processing software.

本発明のドレッサーにおいて、単結晶砥粒は支持体表面に単層に配置される。本発明のドレッサーにおいては、個々の単結晶砥粒の配置の仕方、および、単結晶砥粒の金属製支持材へのろう付け方法に特徴がある。   In the dresser of the present invention, the single crystal abrasive grains are arranged in a single layer on the support surface. The dresser of the present invention is characterized by the arrangement of individual single crystal abrasive grains and the method of brazing the single crystal abrasive grains to a metal support.

本発明のドレッサーの製造プロセスの例を、図1を参照して説明する。図1に示すように、まず、金属製支持材2の上に箔状のろう材1をスポット溶接等で仮固定する。その後、ろう材1を溶融させて金属製支持材2の表面と合金化させて接合してもよいし、仮固定のままでもよい。一方、粉体状のろう材を使用する場合には、ダイヤモンド砥粒を金属製支持材の上に均一に散布した後に、ろう材を溶融させて金属製支持材表面と合金化させる(ステップ1)。   An example of the dresser manufacturing process of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, first, a foil-like brazing material 1 is temporarily fixed on a metal support material 2 by spot welding or the like. Thereafter, the brazing material 1 may be melted and alloyed with the surface of the metal support material 2 to be joined, or may be temporarily fixed. On the other hand, when using a powder brazing material, after the diamond abrasive grains are uniformly dispersed on the metal support material, the brazing material is melted and alloyed with the surface of the metal support material (step 1). ).

次に、フラット板4の上に、単結晶砥粒3(例えば、略正方八面体のダイヤモンド砥粒)を単層に配置して、フラット板4に軽い振動を与える。すると、単結晶砥粒3の一つの晶癖面がフラット板の表面に密着して平行になる。この軽い振動によって、より面積の大きな晶癖面がフラット板に密着するので、単結晶砥粒3のぐらつきが少なくなりより安定な配置となる(ステップ2)。   Next, single crystal abrasive grains 3 (for example, substantially tetrahedral octahedral diamond abrasive grains) are arranged in a single layer on the flat plate 4, and light vibration is applied to the flat plate 4. Then, one crystal habit plane of the single crystal abrasive grain 3 is in close contact with the surface of the flat plate and becomes parallel. Due to this light vibration, the crystal habit plane having a larger area is in close contact with the flat plate, so that the wobbling of the single crystal abrasive grains 3 is reduced and the arrangement is more stable (step 2).

単結晶砥粒3が配置されたフラット板4の上に、ろう材1が付いている面を下側に向けた状態で金属製支持材2を載置して、ろう材1と単結晶砥粒3とを接触させる(ステップ3)。この状態で、熱処理炉に挿入して、単結晶砥粒3と金属製支持材2とをろう付けする(ステップ4)。ろう付け熱処理は、上下面を逆にして行ってもよい。フラット板4を単結晶砥粒3から外して、本発明のドレッサーを得ることができる(ステップ5)。   On the flat plate 4 on which the single crystal abrasive grains 3 are arranged, the metal support material 2 is placed with the surface with the brazing material 1 facing downward, and the brazing material 1 and the single crystal abrasive The grain 3 is brought into contact (step 3). In this state, it is inserted into a heat treatment furnace, and the single crystal abrasive grains 3 and the metal support material 2 are brazed (step 4). The brazing heat treatment may be performed with the upper and lower surfaces reversed. The flat plate 4 can be removed from the single crystal abrasive grains 3 to obtain the dresser of the present invention (step 5).

この製法によって製造されたドレッサーは、単結晶砥粒の一つの晶癖面が、均一な厚みのろう材を介して金属支持材の表面と密着している。よって、砥粒脱落の抑制という、ろう付けの特徴が得られる。さらに、個々の単結晶砥粒のパッド研削力が略均一となるため、十分なパッド研削力が維持され、かつ、優れたパッド平坦性の確保も可能となる。更に、単結晶砥粒の高さは略均一となり、個々の単結晶砥粒がパッドに対して均一に当接するようになる。その結果、個々の単結晶砥粒に掛かる負荷(加重)が減少して、砥粒の摩耗が減少し、ドレッサー寿命が延びる効果が発現される。   In the dresser manufactured by this manufacturing method, one crystal habit plane of single crystal abrasive grains is in close contact with the surface of the metal support material through a brazing material having a uniform thickness. Therefore, the brazing feature of suppressing the falling of abrasive grains is obtained. Furthermore, since the pad grinding force of each single crystal abrasive grain becomes substantially uniform, a sufficient pad grinding force can be maintained and excellent pad flatness can be ensured. Furthermore, the height of the single crystal abrasive grains becomes substantially uniform, and the individual single crystal abrasive grains come into contact with the pad uniformly. As a result, the load (weight) applied to each single crystal abrasive grain is reduced, the abrasive wear is reduced, and the effect of extending the dresser life is exhibited.

ろう材の厚みはダイヤモンド砥粒の大きさをdとした場合に、0.4d〜0.6dであることが好ましい。0.4d未満では、ダイヤモンド砥粒のろう材への埋没度が低くなり、ダイヤモンド砥粒の保持力が低下する懸念が生じる。0.6d超の場合には、単結晶砥粒の晶癖面の周囲を構成する鋭利なエッジ部が、ろう材で覆われることがあり、パッド研削力が低下する。粉体状のろう材を使用する場合には、溶融後、再凝固した時のろう材の厚みを0.4d〜0.6dとすることが好ましい。   The thickness of the brazing material is preferably 0.4d to 0.6d, where d is the size of the diamond abrasive grains. If it is less than 0.4d, the degree of burying of the diamond abrasive grains in the brazing material is lowered, and there is a concern that the holding power of the diamond abrasive grains is reduced. In the case of more than 0.6d, the sharp edge portion constituting the periphery of the crystal habit surface of the single crystal abrasive grain may be covered with the brazing material, and the pad grinding force is reduced. When a powder brazing material is used, it is preferable that the thickness of the brazing material when re-solidified after melting is 0.4d to 0.6d.

フラット板は、ろう材と合金化反応を起こさないセラミックス板が好ましく、アルミナ、ジルコニア、窒化珪素、などが好ましい。これらの表面を機械加工後、鏡面加工すれば容易にフラット板とすることが可能である。   The flat plate is preferably a ceramic plate that does not cause an alloying reaction with the brazing material, and is preferably alumina, zirconia, silicon nitride, or the like. If these surfaces are mirror-finished after machining, a flat plate can be easily formed.

単結晶砥粒をろう付けするときの温度は、ろう材の融点をTm℃とした場合、Tm℃〜(Tm+20)℃とする。(Tm+20)℃より温度を上げてしまうと、ろう材の表面張力が低下して、金属製支持材からフラット板側へ、ろう材が垂れやすくなるからである。図1のステップ3の上下面を逆さにした状態でろう付けした場合であっても、(Tm+20)℃より温度を上げてしまうと、溶融したろう材とフラット板とが接触してしまう部位が生じるため好ましくない。Tm℃〜(Tm+20)℃の温度に保持する時間は、5分以上20分以下が好ましい。5分未満では、単結晶砥粒とろう材との合金化反応が不足して、単結晶砥粒の保持力が低下し易くなる。一方、20分超保持してもろう付け状態には影響しない。   The temperature for brazing the single crystal abrasive grains is Tm ° C. to (Tm + 20) ° C. when the melting point of the brazing material is Tm ° C. This is because if the temperature is raised above (Tm + 20) ° C., the surface tension of the brazing material decreases, and the brazing material tends to sag from the metal support material to the flat plate side. Even when brazing in the state where the upper and lower surfaces of Step 3 in FIG. 1 are inverted, if the temperature is raised above (Tm + 20) ° C., there is a portion where the molten brazing material and the flat plate come into contact with each other. Since it occurs, it is not preferable. The time for maintaining the temperature at Tm ° C to (Tm + 20) ° C is preferably 5 minutes or more and 20 minutes or less. If it is less than 5 minutes, the alloying reaction between the single crystal abrasive grains and the brazing material is insufficient, and the holding power of the single crystal abrasive grains tends to decrease. On the other hand, holding for over 20 minutes does not affect the brazed state.

単結晶砥粒の配置パタ−ンは、ランダム的であっても、規則的であってもよい。規則的に配置する場合には、三角形、四角形、五角形、六角形等のマトリクスの各頂点に単結晶砥粒を配置してもよい。また、種々のパタ−ン領域に砥粒を配置することが可能である。所定位置に開口部を有する篩などを、フラット板の上に配置し、その篩の開口部を通して砥粒をフラット板に落とし込めば、所定規則で単結晶砥粒を配置することができる。前記したように、フラット板に軽い振動を与える場合には、篩を配置したまま行うことが好ましい。   The arrangement pattern of the single crystal abrasive grains may be random or regular. In the case of regular arrangement, single crystal abrasive grains may be arranged at each vertex of a matrix such as a triangle, a quadrangle, a pentagon, and a hexagon. Moreover, it is possible to arrange abrasive grains in various pattern areas. If a sieve or the like having an opening at a predetermined position is arranged on the flat plate and the abrasive grains are dropped into the flat plate through the opening of the sieve, the single crystal abrasive grains can be arranged according to a predetermined rule. As described above, when a light vibration is applied to the flat plate, it is preferably performed with the sieve placed.

フラット板の上に篩を配置したまま、ダイヤモンド砥粒をろう付けしてもよい。ただしこの場合には、有機系材料の箔の所定位置を開口させた篩を使用することが好ましい。ろう付け温度まで昇温する途中で、篩自体を分解、揮発させてしまうためである。   Diamond abrasive grains may be brazed while the sieve is placed on the flat plate. However, in this case, it is preferable to use a sieve in which a predetermined position of the organic material foil is opened. This is because the sieve itself is decomposed and volatilized while raising the temperature to the brazing temperature.

金属製支持材の材質は、酸性あるいはアルカリ性のスラリーとの反応性が低いステンレス鋼が好ましい。代表的なステンレスであるSUS304、SUS316、SUS430、などが好適である。炭素鋼等の一般構造用鋼の表面にNi等のめっきをしたものも使用可能である。また、金属製支持材の形状は、特に規定するものではなく、八角形、二十角形等の多角形の形状でもよいが、金属製支持材自体が回転しながらパッドを研削するので、均一研削性を担保するためには円盤状であることが好ましい。   The metal support material is preferably stainless steel having low reactivity with acidic or alkaline slurry. Typical stainless steels such as SUS304, SUS316, and SUS430 are suitable. The surface of general structural steel such as carbon steel plated with Ni or the like can also be used. In addition, the shape of the metal support material is not particularly specified, and may be a polygonal shape such as an octagon or an icosahedron, but the metal support material itself grinds the pad while rotating, so uniform grinding In order to ensure the property, a disk shape is preferable.

ろう材は、Bni-2やBni-5などのJIS規格材に代表されるNi-Cr-Fe-Si-系、Ni-Si-B系や、Ni-Cr-Si-B系が適用できる。ろう材が箔の場合には、スポット溶接で仮付け可能である。粉体の場合には、例えば、セルロース系のバインダー等をろう粉と混練したものを金属製支持材に塗布すればよい。ろう付け熱処理は、10−3Pa程度に真空引きした後、所定の温度まで昇温する。バインダーは、昇温の途中で殆どが気化される。 As the brazing material, a Ni—Cr—Fe—Si— system, a Ni—Si—B system, or a Ni—Cr—Si—B system represented by JIS standard materials such as Bni-2 and Bni-5 can be applied. When the brazing material is a foil, it can be temporarily attached by spot welding. In the case of powder, for example, a kneaded cellulose-based binder or the like may be applied to a metal support material. Brazing heat treatment, after evacuated to about 10 -3 Pa, the temperature is raised to a predetermined temperature. Most of the binder is vaporized during the temperature rise.

なお、本発明のドレッサーの研削用の単結晶砥粒は、ダイヤモンド砥粒に限らず、研削能力のある単結晶粒子(立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、及び酸化アルミニウム)であってもよい。   The single crystal abrasive grains for grinding the dresser of the present invention are not limited to diamond abrasive grains, but may be single crystal grains (cubic boron nitride, boron carbide, silicon carbide, and aluminum oxide) having grinding ability. Good.

以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, based on an Example, this invention is demonstrated in detail.

[実施例1]
平均粒径dが150μmの単結晶人工ダイヤモンド砥粒を用いてドレッサーを作製し、パッド研削レイト(研削速度)、パッド平坦性を評価した。
[Example 1]
A dresser was produced using single crystal artificial diamond abrasive grains having an average particle diameter d of 150 μm, and pad grinding rate (grinding speed) and pad flatness were evaluated.

使用した金属製支持材は、直径100mm、厚み4mmの円盤状SUS304ステンレスであり、表面をフラットに機械加工した。金属性支持体の表面に配置されたダイヤモンド砥粒は、正方形マトリックスの各頂点に位置するようにパターニングされ、かつダイヤモンド砥粒同士の間隔を0.4mmとした。具体的には、金属製支持材の片側の面に描いた半径25mmの円と半径48mmの円の間のリング状領域に、ダイヤモンド砥粒を配置した。より具体的に、このリング状領域を、等角度(90°)で4つのアーク状領域に分割し、隣り合うア−ク状領域同士のギャップ(2mm幅)には、ダイヤモンド砥粒を配置しなかった。各アーク状領域に、正方形マトリックスの各頂点に位置するようにダイヤモンド砥粒を規則的に配置した。   The metal support used was a disc-shaped SUS304 stainless steel having a diameter of 100 mm and a thickness of 4 mm, and the surface was machined flat. The diamond abrasive grains arranged on the surface of the metallic support were patterned so as to be located at each vertex of the square matrix, and the distance between the diamond abrasive grains was 0.4 mm. Specifically, diamond abrasive grains were arranged in a ring-shaped region between a circle with a radius of 25 mm and a circle with a radius of 48 mm drawn on one surface of the metal support material. More specifically, this ring-shaped region is divided into four arc-shaped regions at an equal angle (90 °), and diamond abrasive grains are arranged in the gap (2 mm width) between adjacent arc-shaped regions. There wasn't. In each arc-shaped region, diamond abrasive grains were regularly arranged so as to be located at each vertex of the square matrix.

ダイヤモンド砥粒の具体的配置手順は、以下の通りとした。先ず、ステンレス製支持材の、ダイヤモンド砥粒を配置する領域に、スポット溶接で箔状のろう材を仮付けした。箔状のろう材はJIS規格Bni-2組成とし、厚さ40μmの箔を2枚重ねて使用した。使用したろう材の実測融点は、1000℃であった。ろう材をスポット溶接した支持材を、真空中で5分間1000℃での熱処理を施し、支持材上でろう材を一旦、溶融させた後、さらに凝固させて両者を一体化させた。   The specific arrangement procedure of the diamond abrasive grains was as follows. First, a foil-like brazing material was temporarily attached by spot welding to a region of a stainless steel support material where diamond abrasive grains are arranged. The foil-like brazing material had a JIS standard Bni-2 composition, and two foils each having a thickness of 40 μm were used. The measured melting point of the brazing material used was 1000 ° C. The support material on which the brazing material was spot-welded was subjected to heat treatment at 1000 ° C. for 5 minutes in a vacuum. After the brazing material was once melted on the support material, it was further solidified to integrate both.

フラット板には、板厚5mm、一辺が120mmのアルミナ製板を使用した。ラップ研磨装置を用いて、フラット板の表面を鏡面研磨した。   As the flat plate, an alumina plate having a thickness of 5 mm and a side of 120 mm was used. The surface of the flat plate was mirror-polished using a lapping machine.

次に、ダイヤモンド砥粒が通り抜ける程度の穴が、正方形マトリックスの各頂点に配置された篩を作製した。篩の材質は、通常のスクリ−ン印刷に使用される有機系材質とし、篩の厚みは約120μmとした。公知のフォトリソグラフィ−とエッチングを用いて、有機系材質のフィルムに、正方形マトリックスの各頂点に配置されるように、直径170μmの円形の開口部を形成し、開口部同士の間隔を0.4mmとした。有機系材質のフィルムにおける半径25mmの円と半径48mmの同心円に挟まれるリング状領域に、開口部を設け;かつ、リング状領域を等角度(90°)で4つのアーク状領域に分割し、隣り合うアーク形状領域同士のギャップ(2mm幅)には、開口部を設けなかった。   Next, a sieve was prepared in which holes enough to pass through the diamond abrasive grains were arranged at each vertex of the square matrix. The material of the sieve was an organic material used for normal screen printing, and the thickness of the sieve was about 120 μm. Using known photolithography and etching, a circular opening having a diameter of 170 μm is formed in an organic film so as to be arranged at each vertex of the square matrix, and the distance between the openings is 0.4 mm. It was. An opening is provided in a ring-shaped region sandwiched between a circle having a radius of 25 mm and a concentric circle having a radius of 48 mm in an organic material film; and the ring-shaped region is divided into four arc-shaped regions at an equal angle (90 °); No opening was provided in the gap (2 mm width) between adjacent arc-shaped regions.

作製した篩を、フラット板の上に置いて、篩を通してダイヤモンド砥粒を配置した。フラット板の上に密着させて配置した篩の端部をテ−プで固定して、ずれを抑制した。篩の上からダイヤモンド砥粒を散布して、個々の開口部位を通してダイヤモンド砥粒を落とし込んだ。篩上の余分なダイヤモンド砥粒は、刷毛で取り除いた。その後、実体顕微鏡を用いて開口部の中を観察した。観察の結果、一つの開口部の中には一つのダイヤモンド砥粒が入っていることを確認した。この状態のまま、フラット板を超音波振動板の上に載置して、軽い振動を与えた。この振動によって、篩の開口部内壁に引っ掛かって宙吊り状態になっていたダイヤモンド砥粒が、フラット板表面に接地した。その結果、ダイヤモンド砥粒の一つの晶癖面がフラット板表面に密着した。   The prepared sieve was placed on a flat plate, and diamond abrasive grains were arranged through the sieve. The end of the sieve placed in close contact with the flat plate was fixed with a tape to suppress deviation. Diamond abrasive grains were sprayed from the top of the sieve, and diamond abrasive grains were dropped through the individual openings. Excess diamond abrasive on the sieve was removed with a brush. Thereafter, the inside of the opening was observed using a stereomicroscope. As a result of observation, it was confirmed that one diamond abrasive grain was contained in one opening. In this state, the flat plate was placed on the ultrasonic vibration plate to give light vibration. Due to this vibration, the diamond abrasive grains that had been suspended from the inner wall of the opening of the sieve were grounded to the surface of the flat plate. As a result, one crystal habit plane of the diamond abrasive grains adhered to the flat plate surface.

このダイヤモンド砥粒が規則配列されたフラット板の上に、ろう材が配置された面を下に向けた状態で支持材を被せて、支持体のろう材とフラット板のダイヤモンド砥粒とを接触させた。この状態で真空加熱炉に挿入して、1010℃で10分間のろう付け処理を行った。有機系材質の篩は、昇温途中の約500℃までに分解消失した。ろう付け処理後、フラット板とダイヤモンド砥粒は容易に分離させることができた。   Cover the support with the brazing material facing down on the flat plate on which the diamond abrasive grains are regularly arranged, and contact the brazing material of the support with the diamond abrasive on the flat plate. I let you. It inserted in the vacuum heating furnace in this state, and the brazing process for 10 minutes was performed at 1010 degreeC. The organic material sieve decomposed and disappeared by about 500 ° C. during the temperature increase. After the brazing treatment, the flat plate and diamond abrasive grains could be easily separated.

このような製法によって、本発明のドレッサーを10枚製造した。1枚のドレッサーの各々のア−ク状領域のほぼ中心部近傍に10mm×10mmの観察部位を設定し、レーザー顕微鏡を用いて、観察部位にある全てのダイヤモンド砥粒の晶癖面の、支持材表面に対する平行度を評価した。具体的には、ドレッサーの支持材を計測器の測定台に載置して、個々のダイヤモンド砥粒の形状プロファイルを求めた。ダイヤモンド砥粒の一つの晶癖面の周囲を構成するエッジの、支持体表面からの高さを求めた。各エッジの支持体表面からの高さの最大差(最高−最低)が、3μm以内である場合に、そのダイヤモンド砥粒の一つの晶癖面が、支持材と略平行にあると評価した。1枚のドレッサーについて、4つのアーク状領域の中心部近傍の観察部位に含まれる全てのダイヤモンド砥粒を観察し、略平行となっているダイヤモンド砥粒数の割合を求めた。同様の測定を、全10枚のドレッサーについて行った。   Ten sheets of the dresser of the present invention were manufactured by such a manufacturing method. An observation site of 10 mm × 10 mm is set in the vicinity of the center of each arc-shaped region of one dresser, and the crystal habit planes of all diamond abrasive grains in the observation site are supported using a laser microscope. The parallelism to the material surface was evaluated. Specifically, the dresser support was placed on a measuring table of a measuring instrument, and the shape profile of each diamond abrasive grain was determined. The height from the support surface of the edge constituting the periphery of one crystal habit plane of the diamond abrasive grains was determined. When the maximum difference in height from the support surface of each edge (maximum-minimum) was within 3 μm, it was evaluated that one crystal habit plane of the diamond abrasive grain was substantially parallel to the support material. With respect to one dresser, all diamond abrasive grains included in the observation site near the center of the four arc-shaped regions were observed, and the ratio of the number of diamond abrasive grains being substantially parallel was determined. The same measurement was performed on all 10 dressers.

作製したドレッサーを用いて、実際にパッドを研削した。パッドは発砲ポリウレタン製であり、パッドの直径は250mmである。このパッドを研磨盤の上に貼り付けた。回転機構とパッドの半径方向に揺動機構とを有する装置にドレッサーを固定し、加圧機構によって2.5kgの加重を加えて、パッドに押し付けた。ドレッサーの中心をパッドの中心に合わせつつ、パッド中心から30mm〜90mmの範囲で半径方向に揺動させた。パッド回転数は95rpm、ドレッサー回転数は85rpm、揺動は10往復/分とした。パッド回転方向とドレッサーの回転方向は同じ方向にした。研削全面が水の膜で覆われる程度に水を供給した。   The pad was actually ground using the produced dresser. The pad is made of foamed polyurethane and the pad diameter is 250 mm. This pad was affixed on the polishing machine. A dresser was fixed to a device having a rotating mechanism and a swinging mechanism in the radial direction of the pad, and a weight of 2.5 kg was applied by the pressurizing mechanism and pressed against the pad. While the center of the dresser was aligned with the center of the pad, the dresser was swung in the radial direction within a range of 30 mm to 90 mm from the center of the pad. The pad rotation speed was 95 rpm, the dresser rotation speed was 85 rpm, and the swing was 10 reciprocations / minute. The pad rotation direction and the dresser rotation direction were the same. Water was supplied to such an extent that the entire grinding surface was covered with a water film.

研削開始後5分が経過した時点で一端、研削を中断して、パッド厚みを測定した。パッド厚みは、互いに直交する2本の直径上に沿って、マイクロメ−タで測定した。1つの直径を等間隔で10等分し、等分した部位のほぼ真中付近の20点の厚み測定値の平均を求めてパッド厚みとした。再び研削を続けて、10時間後、15時間後および20時間が経過した時点で研削を中断して、同様にパッド厚みを測定した。   When 5 minutes had elapsed after the start of grinding, the grinding was interrupted once, and the pad thickness was measured. The pad thickness was measured with a micrometer along two diameters orthogonal to each other. One diameter was equally divided into 10 parts at equal intervals, and an average of measured thickness values at 20 points near the middle of the equally divided part was obtained to obtain a pad thickness. Grinding was continued again, and after 10 hours, 15 hours and 20 hours, grinding was interrupted and the pad thickness was measured in the same manner.

パッドの研削レイトは、パッド厚みの減少量と、その研削時間から求めた。   The pad grinding rate was determined from the reduction in pad thickness and the grinding time.

パッド平坦性は、各研削時間経過後に測定した20点のパッド厚みの値のうち、最大値から最小値を引いた値として評価した。ただし、5分後ではドレッシング効果が十分に得られていなかったので、平坦性は評価しなかった。   The pad flatness was evaluated as a value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value among the 20 pad thickness values measured after each grinding time. However, since the dressing effect was not sufficiently obtained after 5 minutes, the flatness was not evaluated.

比較材として、従来の手法でドレッサーを製造した。まず上記実施例と同様に、ステンレス製支持材の所定部位にろう材をスポット溶接し、真空熱処理によって支持材とろう材を一体化させた。次に、ろう材の上に、有機系の糊を薄く均一に塗布した。金属製の篩を、ろう材の上に置いた。金属製の篩の開口部の大きさや間隔は、実施例で用いた篩と同様とした。篩にダイヤモンド砥粒を散布した後、篩上の余分な砥粒を取り除いた。金属製篩を静かに取り除いた後、真空加熱炉に挿入して、1010℃で10分間のろう付け処理を行った。このようにして、比較材としてのドレッサーを全10枚製造した。金属製支持材と略平行になっているダイヤモンド砥粒数の割合、パッドの研削レイト、及び、パッド平坦性を同様に求めた。   As a comparative material, a dresser was manufactured by a conventional method. First, as in the above example, the brazing material was spot welded to a predetermined portion of the stainless steel support material, and the support material and the brazing material were integrated by vacuum heat treatment. Next, an organic paste was thinly and uniformly applied on the brazing material. A metal sieve was placed on the brazing material. The size and interval of the openings of the metal sieve were the same as those used in the examples. After spraying diamond abrasive grains on the sieve, excess abrasive grains on the sieve were removed. After the metal sieve was gently removed, it was inserted into a vacuum heating furnace and brazed at 1010 ° C. for 10 minutes. In this way, a total of 10 dressers as comparative materials were produced. The ratio of the number of diamond abrasive grains substantially parallel to the metal support, the pad grinding rate, and the pad flatness were similarly determined.

本発明のレッサ−、および、比較材のドレッサーの両者において、パッド研削後にダイヤモンド砥粒の脱落は一切無かった。   In both the dresser of the present invention and the dresser of the comparative material, the diamond abrasive grains did not fall off after the pad grinding.

結果を表1、および、表2に示す。   The results are shown in Table 1 and Table 2.

Figure 2010274352
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Figure 2010274352
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表1の結果からわかるように、本発明の実施例であるNo.1〜No.10のドレッサーの略平行のダイヤモンド砥粒の割合は、80%以上となっている。同様な製法によっても略平行の砥粒数の割合が81%〜94%とふれている理由は、略平行状態にあるダイヤモンド砥粒の一部が、ろう付けの際に揺らいでしまうためと考えられる。いずれにしても、上記割合は80%以上であった。パッド研削後の結果に関しては、本発明のドレッサーによれば、パッド研削レイトが高く、使用時間が長くなった場合でも研削レイトの低下は抑制されている。パッド平坦性も、使用時間依存性がほとんどなく、1μm以下の優れた値が維持されている。   As can be seen from the results of Table 1, the ratio of the substantially parallel diamond abrasive grains of the dressers No. 1 to No. 10 which are the examples of the present invention is 80% or more. The reason why the ratio of the number of substantially parallel abrasive grains is 81% to 94% by the same manufacturing method is considered to be that some of the diamond grains in a substantially parallel state fluctuate during brazing. It is done. In any case, the above ratio was 80% or more. Regarding the result after pad grinding, according to the dresser of the present invention, the pad grinding rate is high, and even when the usage time is long, the reduction of the grinding rate is suppressed. Also, the pad flatness has almost no use time dependency, and an excellent value of 1 μm or less is maintained.

これに対して表2の結果からわかるように、比較例であるNo.11〜No.20の従来の製法で作製したドレッサーでは、略平行のダイヤモンド砥粒の割合は23〜37%と本発明のドレッサーに比較して半分以下と低くなっている。研削レイトは、本発明ドレッサーよりも低く、使用時間による低下も大きくなっている。平坦性においても3μm近くまで低下し、使用時間による低下も大きくなっている。   On the other hand, as can be seen from the results in Table 2, in the dresser produced by the conventional manufacturing method of No. 11 to No. 20 as a comparative example, the ratio of the substantially parallel diamond abrasive grains is 23 to 37%. Compared to the dresser, it is less than half. The grinding rate is lower than that of the dresser of the present invention, and the decrease due to the use time is also large. The flatness also decreases to nearly 3 μm, and the decrease due to the use time is also large.

[実施例2]
平均粒径が3μm、6μm、12μm、50μm、85μm、150μm、200μm、280μm、320μmの単結晶人工ダイヤモンド砥粒を使用した。
[Example 2]
Single crystal artificial diamond abrasive grains having an average particle diameter of 3 μm, 6 μm, 12 μm, 50 μm, 85 μm, 150 μm, 200 μm, 280 μm, and 320 μm were used.

平均粒径3μm、および、6μmの砥粒を規則配列させることは容易でないため、ランダム配置とした。具体的には、実施例1と同じアルミナ製フラット板の上に、所定量の単結晶人工ダイヤモンド砥粒を散布して、軽い振動を与えて、ダイヤモンド砥粒の晶癖面をフラット板の表面に密着させた。砥粒同士の間隔は、平均粒径3μmの砥粒では約5μm;平均粒径6μmの砥粒では約10μmになるようにした。   Since it is not easy to regularly arrange abrasive grains having an average particle diameter of 3 μm and 6 μm, random arrangement was adopted. Specifically, a predetermined amount of single crystal artificial diamond abrasive grains is dispersed on the same alumina flat plate as in Example 1 to give a light vibration, and the crystal habit surface of the diamond abrasive grains is the surface of the flat plate. It was made to adhere to. The distance between the abrasive grains was about 5 μm for abrasive grains having an average grain diameter of 3 μm, and about 10 μm for abrasive grains having an average grain diameter of 6 μm.

平均粒径12μm〜320μmの砥粒は、実施例1と同様の手法で、正方形マトリックスの各頂点に配置した。マトリックスの正方形の一辺の長さを砥粒の大きさの3倍とした。有機系材質の篩の開口部の大きさは、砥粒の大きさの1.2倍とした。有機系材質の篩の厚みは、砥粒の大きさの1.1倍とした。   Abrasive grains having an average particle size of 12 μm to 320 μm were arranged at each vertex of the square matrix by the same method as in Example 1. The length of one side of the square of the matrix was set to 3 times the size of the abrasive grains. The size of the opening of the organic material sieve was 1.2 times the size of the abrasive grains. The thickness of the organic material sieve was 1.1 times the size of the abrasive grains.

金属製支持材の材質、形状、およびダイヤモンド砥粒の配置領域は実施例1と同様とした。先ず、ステンレス製支持材のダイヤモンド砥粒の配置領域にスポット溶接で箔状のろう材を仮付けした。箔状のろう材はJIS規格BNi-2組成とし、厚みは、砥粒の粒径の55%に調整した。ろう材をスポット溶接した支持材を真空中5分の1000℃での熱処理を施し、支持材の上でろう材を一端、溶融させた後、凝固させて両者を一体化させた。   The material and shape of the metal support material and the arrangement region of the diamond abrasive grains were the same as in Example 1. First, a foil-like brazing material was temporarily attached by spot welding to an arrangement region of diamond abrasive grains of a stainless steel support material. The foil-like brazing material had a JIS standard BNi-2 composition, and the thickness was adjusted to 55% of the grain size of the abrasive grains. The support material on which the brazing material was spot-welded was subjected to heat treatment at 1000 ° C. for 5 minutes in a vacuum, and the brazing material was once melted on the support material and then solidified to integrate both.

平均粒径3μm、および、6μmの砥粒を散布したフラット板の上に、ろう材側を下に向けた状態で支持材を被せて、支持体のろう材とフラット板のダイヤモンド砥粒とを接触させた。以降の手順は実施例1と同じである。   Cover the support plate with the brazing filler metal side facing down on the flat plate on which abrasive grains having an average particle size of 3 μm and 6 μm are dispersed, and braze the support and the diamond abrasive grains of the flat plate. Made contact. The subsequent procedure is the same as that of the first embodiment.

平均粒径12μm〜320μmのダイヤモンド砥粒に関しては、実施例1と同様に作製した。各大きさの砥粒につき、3枚のドレッサーを作製した。略平行な砥粒数の割合、パッド研削レイト、平坦性の評価を同様に実施した。   Diamond abrasive grains having an average particle diameter of 12 μm to 320 μm were produced in the same manner as in Example 1. Three dressers were prepared for each size of abrasive grains. The ratio of the number of substantially parallel abrasive grains, pad grinding rate, and flatness were evaluated in the same manner.

Figure 2010274352
Figure 2010274352

表3のNo.21〜No.23に示されるように、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が5μm未満(3μm)であると、略平行である砥粒の割合は80%未満となってしまった。パッド平坦性は良くなるが、パッド研削レイトは1μm/分と小さくなってしまう。このような低いパッド研削レイトでは、ドレッシングの時間が長くなるため、生産性が低下する問題が生じる。一方、表3のNo.45〜No.47に示されるように、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が300μm超のドレッサーでは、平坦性が1μmを超えて低下した。   As shown in No. 21 to No. 23 of Table 3, when the average particle diameter of the diamond abrasive grains is less than 5 μm (3 μm), the ratio of the substantially parallel abrasive grains is less than 80%. . The pad flatness is improved, but the pad grinding rate is as small as 1 μm / min. With such a low pad grinding rate, the dressing time becomes long, which causes a problem of lowering productivity. On the other hand, as shown in No. 45 to No. 47 of Table 3, in the dresser having the average particle diameter of the diamond abrasive grains exceeding 300 μm, the flatness decreased by exceeding 1 μm.

表3のNo.24〜No.44に示されるように、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が6μmから280μmのドレッサーでは、略平行のダイヤモンド砥粒の割合は、80%以上となった。本発明のドレッサ−では、パッド研削レイトが高く、使用時間が長くなった場合でも研削レイトの低下は抑制されている。平坦性においても、使用時間依存性がほとんど無く、1μm以下の優れた値が維持されている。   As shown in No. 24 to No. 44 of Table 3, in a dresser having an average particle diameter of diamond abrasive grains of 6 μm to 280 μm, the ratio of substantially parallel diamond abrasive grains was 80% or more. In the dresser of the present invention, the pad grinding rate is high, and even when the usage time is long, the reduction of the grinding rate is suppressed. Even in the flatness, there is almost no dependence on the use time, and an excellent value of 1 μm or less is maintained.

1 ろう材
2 金属製支持材
3 単結晶砥粒
4 フラット板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Brazing material 2 Metal support material 3 Single crystal abrasive grain 4 Flat board

Claims (5)

金属製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、
前記砥粒それぞれは、複数の晶癖面を有する単結晶砥粒であり、
前記固着された砥粒の総数のうち、前記複数の晶癖面のうちの一つの晶癖面が前記支持材の表面と略平行に配置された砥粒の数が、80%以上であることを特徴とする研磨布用ドレッサー。
A polishing cloth dresser in which a plurality of abrasive grains are fixed to a single layer on the surface of a metal support,
Each of the abrasive grains is a single crystal abrasive grain having a plurality of crystal habit planes,
Of the total number of the fixed abrasive grains, the number of abrasive grains in which one of the plurality of crystal habit planes is arranged substantially parallel to the surface of the support material is 80% or more. A dresser for polishing cloth characterized by
前記砥粒の平均粒径が5μm以上300μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の研磨布用ドレッサー。   The dresser for polishing cloth according to claim 1, wherein an average particle diameter of the abrasive grains is 5 µm or more and 300 µm or less. 前記砥粒が前記金属製支持材の表面にろう付けされていることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨布用ドレッサー。   The dresser for polishing cloth according to claim 1 or 2, wherein the abrasive grains are brazed to the surface of the metal support material. 前記砥粒がダイヤモンド砥粒であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨布用ドレッサー。   The abrasive cloth dresser according to any one of claims 1 to 3, wherein the abrasive grains are diamond abrasive grains. 前記金属製支持材がステンレス鋼製であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨布用ドレッサー。   The dresser for abrasive cloth according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal support is made of stainless steel.
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