JP2010272839A - Cmosイメージセンサ及びその動作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CMOSイメージセンサは画素配列ユニット、行選択ユニット及び論理回路を有する。画素配列ユニットはオブジェクトを検知するために用いられる。画素配列ユニットはM個の画素及びP個のマルチプレクサを有し、各画素は1つのマルチプレクサに電気的に接続されている。行選択ユニット及び論理回路はP個のマルチプレクサに電気的に接続されている。行選択ユニットは行選択信号を生成するために用いられる。論理回路は、オブジェクトに対応する検知領域を決定するために用いられる。検知領域はM個の画素のうちN個の画素を有する。更に、論理回路は、これらN個の画素に電気的に接続されているQ個のマルチプレクサを制御して行選択信号をN個の画素に送る。
【選択図】図4
Description
30,30’,50,70 画素配列ユニット
32,72 行選択ユニット
34,54,74 論理回路
36,56,76 読出回路
300,700 画素
302 マルチプレクサ
304,504,704,704’ 検知領域
52 列選択ユニット
58 フレームバッファ
P0,P10 ダミー画素
Claims (14)
- 整数M個の画素及びM以下の整数P個のマルチプレクサを有し、前記M個の画素の夫々は前記P個のマルチプレクサの1つに電気的に接続される、オブジェクトを検知する画素配列ユニットと、
前記P個のマルチプレクサに電気的に接続され、行選択信号を生成する行選択ユニットと、
前記P個のマルチプレクサに電気的に接続され、前記オブジェクトに対応する検知領域を決定する論理回路と
を有し、
前記検知領域は、前記M個の画素のうちM以下の整数N個の画素を有し、
前記論理回路は、前記N個の画素に電気的に接続されているN以下且つP以下のQ個のマルチプレクサを制御して、前記行選択信号を前記N個の画素に送る、CMOSイメージセンサ。 - 前記画素配列ユニットに電気的に接続され、行順に前記検知領域の前記N個の画素によって生成される信号を読む読出回路を更に有する請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記検知領域が前記画素配列ユニットの実質領域を越える場合に、前記読出回路は少なくとも1つのダミー画素を前記検知領域に加える、請求項2に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記検知領域は平行四辺形である、請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- PがMより小さい場合に、前記M個の画素のうち少なくとも2個の画素は、前記P個のマルチプレクサのうちの1つに同時に電気的に接続され、前記画素配列ユニットの1つの行及び異なる列に配置される、請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- CMOSイメージセンサの動作方法であって、
整数M個の画素及びM以下の整数P個のマルチプレクサを有し、前記M個の画素の夫々は前記P個のマルチプレクサの1つに電気的に接続される画素配列ユニットによってオブジェクトを検知するステップと、
前記M個の画素のうちM以下の整数N個の画素を有し、前記オブジェクトに対応する検知領域を決定するステップと、
行選択信号を生成するステップと、
前記行選択信号を前記N個の画素に送るよう、前記N個の画素に電気的に接続されているN以下且つP以下のQ個のマルチプレクサを制御するステップと
を有する方法。 - 行順に前記検知領域の前記N個の画素によって生成される信号を読むステップを更に有する請求項6に記載の方法。
- 前記検知領域が前記画素配列ユニットの実質領域を越える場合に、少なくとも1つのダミー画素を前記検知領域に加えるステップを更に有する請求項6に記載の方法。
- PがMより小さい場合に、前記M個の画素のうち少なくとも2個の画素は、前記P個のマルチプレクサのうちの1つに同時に電気的に接続され、前記画素配列ユニットの1つの行及び異なる列に配置される、請求項6に記載の方法。
- 整数M個の画素を有し、オブジェクトを検知する画素配列ユニットと、
前記画素配列ユニットに電気的に接続され、前記M個の画素を制御して信号を出力させる行選択信号を生成する行選択ユニットと、
前記画素配列ユニットに電気的に接続され、前記M個の画素によって生成される信号を読む読出回路と、
前記読出回路に電気的に接続され、前記オブジェクトに対応する検知領域を決定する論理回路と
を有し、
前記検知領域は、前記M個の画素のうちM以下の整数N個の画素を有し、
前記論理回路は、前記検知領域内で行毎に最初の画素及び最後の画素を決定し、前記読出回路を制御して行順に各行の最初の画素から最後の画素を読ませ、前記N個の画素によって生成される信号を出力する、CMOSイメージセンサ。 - 前記検知領域が前記画素配列ユニットの実質領域を越える場合に、前記読出回路は少なくとも1つのダミー画素を前記検知領域に加える、請求項10に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記検知領域は平行四辺形である、請求項10に記載のCMOSイメージセンサ。
- CMOSイメージセンサの動作方法であって、
整数M個の画素を有する画素配列ユニットによってオブジェクトを検知するステップと、
前記M個の画素のうちM以下の整数N個の画素を有し、前記オブジェクトに対応する検知領域を決定するステップと、
前記M個の画素を制御して信号を出力させる行選択信号を生成するステップと、
前記検知領域内で行毎に最初の画素及び最後の画素を決定するステップと、
行順に各行の最初の画素から最後の画素を読むステップと、
前記N個の画素によって生成される信号を出力するステップと
を有する方法。 - 前記検知領域が前記画素配列ユニットの実質領域を越える場合に、少なくとも1つのダミー画素を前記検知領域に加えるステップを更に有する請求項13に記載の方法。
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