JP2010271160A - Electrical connection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To maximally suppress a circuit chip from being heated to a high temperature. <P>SOLUTION: The electrical connection device includes a support having an upper surface and a lower surface; a probe substrate supported by being assembled on the lower surface of the support with a thickness direction used as a vertical direction; a plurality of contactors mounted on the lower surface of the probe substrate; a chip substrate having a plurality of circuit chips arranged on the upper surface, which is a chip substrate positioned at an interval over the support, in a state where a thickness direction is used as a vertical direction; a heat treatment member for absorbing the heat and discharging the heat on the chip substrate side and on the side different from the chip substrate side, which is a heat treatment member arranged on the lower surface of the chip substrate; and a heat treatment plate mounted on the lower side of the heat treatment member. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路のような平板状被検査体の電気的試験に用いるプローブカードのような電気的接続装置に関し、特に被検査体とその電気的試験を行うテスターの電気回路との接続に用いられる電気的接続装置に関する。   The present invention relates to an electrical connection device such as a probe card used for an electrical test of a flat test object such as a semiconductor integrated circuit, and in particular, a connection between the test object and an electrical circuit of a tester performing the electrical test. The present invention relates to an electrical connection device used in the above.

この種の電気的接続装置の1つとして、上面及び下面を有する板状の支持体と、該支持体の下側に間隔をおいて配置されかつ前記支持体に支持されたプローブ基板と、前記支持体と前記プローブ基板との間に配置されて、前記支持体に取り付けられた電気接続器と、前記プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む技術がある(例えば、特許文献1)。   As one example of this type of electrical connection device, a plate-like support having an upper surface and a lower surface, a probe substrate disposed on the lower side of the support at an interval and supported by the support, There is a technique that includes an electrical connector that is disposed between a support and the probe substrate and is attached to the support, and a plurality of contacts that are attached to the lower surface of the probe substrate (for example, Patent Documents). 1).

他の電気的接続装置の1つとして、複数の接触子が下面に取り付けられたプローブ基板と、複数の回路チップが上面に取り付けられたチップ基板とを上下の関係に重ね合わせ、接触子に対する電気信号の受け渡し機能、例えばテスターと被検査体との間のインターフェース機能や電気信号の分配機能等を前記回路チップに行わせる技術がある(例えば、特許文献2)。   As another electrical connection device, a probe substrate having a plurality of contacts attached to the lower surface and a chip substrate having a plurality of circuit chips attached to the upper surface are superposed in an up-and-down relationship, There is a technique for causing the circuit chip to perform a signal transfer function, for example, an interface function between a tester and an object to be inspected, an electric signal distribution function, and the like (for example, Patent Document 2).

前者によれば、接触子が取り付けられるプローブ基板として、ガラス入りエポキシ樹脂のように耐熱性に劣る材料に代えて、セラミック材のように耐熱性に勝る材料を用いることができるから、接続装置が高温環境下に維持されても、プローブ基板の撓み変形が防止される、という利点を有する。   According to the former, since the probe substrate to which the contact is attached can be made of a material having excellent heat resistance such as a ceramic material instead of a material having poor heat resistance such as an epoxy resin containing glass, the connecting device can be used. Even when maintained in a high temperature environment, there is an advantage that bending deformation of the probe substrate is prevented.

これに対し、後者によれば、回路チップが接触子に対する電気信号の受け渡しを行うから、従来のテスターの電気回路と接続装置との間の試験信号用のチャンネルが著しく低減され、一回で同時に試験する被検査体の数を増加させることができる、という利点を有する。   On the other hand, according to the latter, since the circuit chip transfers the electric signal to the contact, the channel for the test signal between the electric circuit of the conventional tester and the connecting device is remarkably reduced, and at one time This has the advantage that the number of objects to be tested can be increased.

近年、半導体集積回路のような平板状被検査体を、60°C以上、100°C以上等の高温度に維持した状態で試験することが行われている(特許文献1)。そのような高温環境下における試験の間、被検査体はこれを保持するチャックトップ自体又は該チャックトップに備えられた発熱体により高温状態に維持される。これにより、接続装置は、それ自体が被検査体やチャックトップ等からの熱により下方側から加熱されるような高温環境下で使用される。   2. Description of the Related Art In recent years, testing of a flat object such as a semiconductor integrated circuit in a state where it is maintained at a high temperature such as 60 ° C. or higher and 100 ° C. or higher has been performed (Patent Document 1). During the test under such a high temperature environment, the object to be inspected is maintained at a high temperature by the chuck top itself holding the same or a heating element provided on the chuck top. As a result, the connection device is used in a high-temperature environment where the connection device itself is heated from below by heat from the object to be inspected or the chuck top.

このため、特許文献2に記載されている技術を特許文献1に記載されている技術に適用すると、プローブ基板のみならず、チップ基板や、これに配置された回路チップが被検査体やチャックトップ等からの熱により下方側から高温度に加熱される。その結果、回路チップが正常に作動しなくなることが多い。   For this reason, when the technique described in Patent Document 2 is applied to the technique described in Patent Document 1, not only the probe substrate but also the chip substrate and the circuit chip disposed thereon are inspected objects and chuck tops. It is heated to a high temperature from the lower side by heat from etc. As a result, the circuit chip often fails to operate normally.

WO2007/015314号WO2007 / 015314 米国特許第6,275,051号明細書US Pat. No. 6,275,051

本発明は、回路チップが高温度に加熱されることを可能な限り抑制することを目的とする。   An object of this invention is to suppress that a circuit chip is heated to high temperature as much as possible.

本発明に係る電気的接続装置は、上面及び下面を有する支持体と、厚さ方向を上下方向とされた状態に、前記支持体の下面に組み付けられて支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子と、厚さ方向を上下方向とされた状態に、前記支持体から上方に間隔をおいて位置されたチップ基板であって、複数の回路チップが上面に配置されたチップ基板と、前記チップ基板の下面に配置された熱処理部材であって、前記チップ基板の側と、前記チップ基板の側と異なる側とで吸熱及び放熱を行う熱処理部材と、該熱処理部材の下側に取り付けられた熱処理板とを含む。   An electrical connection device according to the present invention includes a support body having an upper surface and a lower surface, a probe substrate assembled and supported on the lower surface of the support body in a state in which the thickness direction is set to the vertical direction, and the probe substrate And a plurality of contacts attached to the lower surface of the chip substrate, and a chip substrate that is spaced upward from the support in a state in which the thickness direction is vertical, and the plurality of circuit chips are disposed on the upper surface. A chip substrate disposed, a heat treatment member disposed on a lower surface of the chip substrate, the heat treatment member performing heat absorption and heat dissipation on the side of the chip substrate and on a side different from the side of the chip substrate, and the heat treatment And a heat treatment plate attached to the lower side of the member.

前記熱処理部材は、熱を前記チップ基板の側から吸収して、前記チップ基板の側と異なる側に放出する部材を含むことができ、また前記熱処理板は放熱板を含むことができる。   The heat treatment member may include a member that absorbs heat from the chip substrate side and releases the heat to a side different from the chip substrate side, and the heat treatment plate may include a heat sink.

前記チップ基板は前記回路チップに電気的に接続された複数の第1の内部配線を備え、前記支持体は前記第1の内部配線及び前記接触子に電気的に接続された複数の第2の内部配線を備えることができる。   The chip substrate includes a plurality of first internal wirings electrically connected to the circuit chip, and the support body includes a plurality of second internal wirings electrically connected to the first internal wiring and the contacts. Internal wiring can be provided.

本発明に係る電気的接続装置は、さらに、前記チップ基板の下面に配置された第1のコネクタであって、前記第1の内部配線の少なくとも一部に電気的に接続された複数の第1の接続端子を有する第1のコネクタと、前記支持体の上面に配置されて、前記第1のコネクタに結合された第2のコネクタであって、前記第2の内部配線の少なくとも一部に電気的に接続された複数の第2の接続端子を有する第2のコネクタとを含むことができる。   The electrical connection device according to the present invention is further a first connector disposed on the lower surface of the chip substrate, and a plurality of first connectors electrically connected to at least a part of the first internal wiring. A first connector having a connection terminal and a second connector disposed on the upper surface of the support and coupled to the first connector, wherein at least a part of the second internal wiring is electrically connected And a second connector having a plurality of second connection terminals connected to each other.

前記第1及び第2のコネクタは、前記支持体と前記チップ基板とを上下方向に間隔をおいて結合していてもよい。また、本発明に係る接続装置は、さらに、前記支持体と前記チップ基板とを結合するスペーサを含むことができる。後者の場合、前記第1及び第2の内部配線は、複数の配線を備えるフラットケーブルにより電気的に接続されていてもよい。   The first and second connectors may couple the support and the chip substrate with an interval in the vertical direction. In addition, the connection device according to the present invention may further include a spacer that couples the support and the chip substrate. In the latter case, the first and second internal wirings may be electrically connected by a flat cable having a plurality of wirings.

本発明に係る電気的接続装置は、さらに、前記支持体の上面に配置された第3のコネクタであって、前記第2の内部配線の少なくとも残りの一部に電気的に接続された複数の第3の接続端子を有する第3のコネクタを含むことができる。   The electrical connection device according to the present invention is further a third connector disposed on the upper surface of the support body, and a plurality of electrical connectors electrically connected to at least the remaining part of the second internal wiring. A third connector having a third connection terminal can be included.

本発明に係る接続装置は、さらに、前記支持体に配置されて、該支持体の温度を検出する温度センサを含むことができるし、前記プローブ基板に配置されて、該プローブ基板を加熱する発熱体を含むこともできる。   The connection device according to the present invention may further include a temperature sensor that is disposed on the support and detects the temperature of the support, and that is disposed on the probe substrate to heat the probe substrate. It can also contain the body.

本発明の電気的接続装置においては、回路チップが上面に配置されたチップ基板を、支持体から上方に間隔をおいて配置し、チップ基板の側と、前記チップ基板の側と異なる側とで吸熱及び放熱を行う熱処理部材をチップ基板の下面に配置し、吸熱及び放熱を行う熱処理板を熱処理部材の下側に配置している。   In the electrical connection device of the present invention, the chip substrate on which the circuit chip is arranged on the upper surface is arranged at a distance above the support, and the chip substrate side is different from the chip substrate side. A heat treatment member that absorbs and dissipates heat is disposed on the lower surface of the chip substrate, and a heat treatment plate that absorbs and dissipates heat is disposed below the heat treatment member.

このため、支持体とチップ基板との間の通風性がよく、熱処理部材及び熱処理板が効率よく作動するから、チップ基板が、効率的に冷却されて、そのチップ基板に配置された回路チップの温度上昇が抑制される。   For this reason, since the ventilation between the support and the chip substrate is good and the heat treatment member and the heat treatment plate operate efficiently, the chip substrate is efficiently cooled and the circuit chip disposed on the chip substrate Temperature rise is suppressed.

上記の結果、本発明によれば、特許文献2に記載されている技術を特許文献1に記載されている技術に適用しても、チップ基板やこれに配置された回路チップが支持体の側からの熱により高温度に加熱されることが効率よく抑制され、温度変化に起因する回路チップの誤動作が防止される。   As a result of the above, according to the present invention, even if the technique described in Patent Document 2 is applied to the technique described in Patent Document 1, the chip substrate and the circuit chip disposed on the chip substrate are arranged on the support side. Heating to a high temperature due to heat from the heat is efficiently suppressed, and malfunction of the circuit chip due to temperature change is prevented.

本発明に係る電気的接続装置の一実施例を示す正面図である。It is a front view which shows one Example of the electrical connection apparatus which concerns on this invention. 図1に示す接続装置の平面図である。It is a top view of the connection apparatus shown in FIG. チップ基板を除去した状態の図1に示す接続装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the connection device shown in FIG. 1 with the chip substrate removed. チップ基板の一実施例を示す平面図である。It is a top view which shows one Example of a chip substrate. チップ基板の一実施例を示す底面図である。It is a bottom view which shows one Example of a chip substrate. 図4における6−6線に沿って得た断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line 6-6 in FIG. 結合装置の一実施例を示す図である。It is a figure which shows one Example of a coupling device. 結合装置の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of a coupling device. 本発明に係る電気的接続装置の他の実施例を示す正面図である。It is a front view which shows the other Example of the electrical connection apparatus which concerns on this invention.

[用語について]   [Terminology]

本発明においては、図1において、上下方向を上下方向又はZ方向といい、左右方向を左右方向又はX方向といい、紙背方向を前後方向又はY方向という。しかし、それらの方向は、多数の接触子が配置されたプローブ基板及びそれを用いたプローブカードすなわち電気的接続装置をテスターに取り付けた状態における接続装置、特にプローブ基板の姿勢に応じて異なる。   In the present invention, in FIG. 1, the vertical direction is referred to as the vertical direction or the Z direction, the horizontal direction is referred to as the horizontal direction or the X direction, and the paper back direction is referred to as the front-rear direction or the Y direction. However, their directions differ depending on the probe board in which a large number of contacts are arranged and the probe card using the probe board, that is, the electrical connection device in a state where the probe is attached to the tester, particularly the posture of the probe board.

それゆえに、本発明に係る電気的接続装置は、これがテスターに取り付けられた状態において、本発明でいう上下方向が、実際に、上下方向となる状態、上下逆となる状態、斜めの方向となる状態等、いずれの方向となる状態で使用してもよい。   Therefore, in the electrical connection device according to the present invention, in the state where it is attached to the tester, the vertical direction in the present invention is actually the vertical direction, the upside down state, and the diagonal direction. It may be used in any state such as a state.

[実施例]   [Example]

図1を参照するに、電気的接続装置10は、円板状の半導体ウエーハに形成された未切断の複数の集積回路を被検査体12とし、それらの集積回路を一回で又は複数回に分けて同時に検査すなわち試験する。各集積回路は、パッド電極のような複数の電極14を上面に有する。   Referring to FIG. 1, an electrical connection device 10 uses a plurality of uncut integrated circuits formed on a disk-shaped semiconductor wafer as a device under test 12, and these integrated circuits are used once or a plurality of times. Separately test or test at the same time. Each integrated circuit has a plurality of electrodes 14 such as pad electrodes on the top surface.

ウエーハは、図示しない検査ステージに解除可能に真空的に吸着され、また試験に先だって、前後、左右及び上下の三次元の方向に移動されると共に、上下方向へ延びるθ軸線の周りに角度的に回転される。これにより、各電極14が後に説明する接触子20の針先に接触可能に位置決めされる。   The wafer is vacuum-removably attracted to an inspection stage (not shown), and is moved in the three-dimensional directions of front and rear, left and right, and up and down, and angularly around the θ axis extending in the up and down direction prior to the test. It is rotated. Thereby, each electrode 14 is positioned so that contact is possible with the needle point of the contactor 20 demonstrated later.

図1から図5を参照するに、接続装置10は、前記した複数の接触子20の他に、さらに、平坦な下面を有する補強部材22と、補強部材22の下面に保持された円形平板状の配線基板24と、配線基板24の下面に配置された平板状の電気接続器26と、電気接続器26の下面に配置されたプローブ基板28と、補強部材22及び配線基板24から上方に間隔をおいて配置されたチップ基板30と、チップ基板30の上面に配置された複数の回路チップ32と、チップ基板30の下面に配置された円板状の熱処理部材34と、熱処理部材34の下面に取り付けられた複数の放熱板36とを含む。   1 to 5, in addition to the plurality of contacts 20 described above, the connection device 10 further includes a reinforcing member 22 having a flat lower surface, and a circular flat plate shape held on the lower surface of the reinforcing member 22. The wiring board 24, the flat electrical connector 26 disposed on the lower surface of the wiring board 24, the probe substrate 28 disposed on the lower surface of the electrical connector 26, the reinforcing member 22, and the wiring board 24 upwardly spaced from each other. The chip substrate 30 disposed at a distance, the plurality of circuit chips 32 disposed on the upper surface of the chip substrate 30, the disk-shaped heat treatment member 34 disposed on the lower surface of the chip substrate 30, and the lower surface of the heat treatment member 34 And a plurality of heat radiating plates 36 attached thereto.

図示の例では、各接触子20は、クランク状の形状を有する板状のプローブを用いている。そのような接触子20は、例えば、特開2005-201844号公報等に記載されている公知のものであり、またプローブ基板28の下面に片持ち梁状に支持されている。   In the illustrated example, each contact 20 uses a plate-like probe having a crank shape. Such a contact 20 is a known one described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-201844, and is supported on the lower surface of the probe substrate 28 in a cantilever shape.

しかし、各接触子20は、タングステン線のような金属細線から製作されたプローブ、フォトリソグラフィー技術と堆積技術とを用いて製作された板状のプローブ、ポリイミドのような電気絶縁シートの一方の面に複数の配線を形成し、それら配線の一部を接触子として用いるプローブ等、従来から知られた形状及び構造を有するものであってもよい。   However, each contact 20 includes a probe made from a fine metal wire such as a tungsten wire, a plate-like probe produced using a photolithography technique and a deposition technique, and one surface of an electrical insulating sheet such as polyimide. A plurality of wirings may be formed, and a conventionally known shape and structure such as a probe using a part of the wirings as a contact may be used.

補強部材22は、ステンレス板のような金属材料で製作されており、また平板状の正面形状を有する。しかし、実際には、図3に示すように、補強部材22は、内方環状部22aと、外方環状部22bと、両環状部22a,22bを連結する複数の連結部22cと、外方環状部22bから半径方向外方へ延びる複数の延長部22dと、内方環状部22aの内側に一体的に続く十字状の中央枠部22eとを有し、それらの部分の間が上下の両方向に開放する空間として作用する操舵輪のような形状を有する。   The reinforcing member 22 is made of a metal material such as a stainless steel plate and has a flat front shape. However, actually, as shown in FIG. 3, the reinforcing member 22 includes an inner annular portion 22a, an outer annular portion 22b, a plurality of connecting portions 22c that connect both the annular portions 22a and 22b, and an outer portion. A plurality of extending portions 22d extending radially outward from the annular portion 22b, and a cross-shaped central frame portion 22e integrally extending inside the inner annular portion 22a, and the upper and lower directions between these portions. It has a shape like a steered wheel that acts as a space that opens to the front.

また、例えば、特開2008−145238号公報に記載されているように、補強部材22の上側に補強部材22の熱変形を抑制する環状の熱変形抑制部材を配置してもよい。   For example, as described in JP 2008-145238 A, an annular thermal deformation suppressing member that suppresses thermal deformation of the reinforcing member 22 may be disposed above the reinforcing member 22.

配線基板24は、ガラス入りエポキシ樹脂のような電気絶縁樹脂により円板状に製作されており、またプローブ基板28(ひいては、接触子20)、回路チップ32等に対する試験信号の受け渡しに用いる複数の導電路すなわち内部配線(図示せず)を有する。試験信号は、試験のための電力、試験のために集積回路に供給する供給信号、供給信号に対する集積回路からの応答信号等の電気信号である。   The wiring board 24 is manufactured in a disk shape from an electrically insulating resin such as a glass-filled epoxy resin, and a plurality of wiring boards used for passing test signals to the probe board 28 (and thus the contact 20), the circuit chip 32, and the like. It has a conductive path, that is, internal wiring (not shown). The test signal is an electrical signal such as power for testing, a supply signal supplied to the integrated circuit for testing, and a response signal from the integrated circuit to the supply signal.

配線基板24の上面の外周縁部には、半径方向に長い複数のコネクタ38(図2及び3参照)が周方向に間隔をおいて配置されている。また、配線基板24の上面の中間部には、半径方向に長い複数のコネクタ40(図2及び3参照)が周方向に間隔をおいて配置されている。   A plurality of connectors 38 (see FIGS. 2 and 3) that are long in the radial direction are arranged at intervals in the circumferential direction on the outer peripheral edge of the upper surface of the wiring board 24. In addition, a plurality of connectors 40 (see FIGS. 2 and 3) that are long in the radial direction are arranged at intervals in the circumferential direction in the middle portion of the upper surface of the wiring board 24.

コネクタ38は、テスターの電気回路に電気的に接続されて、その電気回路と接続装置10、特に配線基板24との間の電気信号の受け渡しに用いられる。コネクタ40は、補強部材22の内方環状部22aと外方環状部22bとの間の空間から上方へ突出している。   The connector 38 is electrically connected to an electric circuit of the tester, and is used for passing an electric signal between the electric circuit and the connection device 10, particularly the wiring board 24. The connector 40 protrudes upward from the space between the inner annular portion 22a and the outer annular portion 22b of the reinforcing member 22.

各コネクタ40は、図7に示すように、チップ基板30の下面に取り付けられた半径方向に長い他のコネクタ42に結合されている。結合されたコネクタ40及び42のいずれか一方は雄型及び雌型のいずれか一方のコネクタであり、他方は雄型及び雌型の他方のコネクタである。   As shown in FIG. 7, each connector 40 is coupled to another radially long connector 42 attached to the lower surface of the chip substrate 30. One of the connected connectors 40 and 42 is either a male or female connector, and the other is a male or female connector.

配線基板24の各内部配線は、コネクタ38とコネクタ40(ひいては、回路チップ32)との電気的な接続、コネクタ38と電気接続器26(ひいては、接触子20)との電気的な接続、コネクタ40(ひいては、回路チップ32)と電気接続器26(ひいては、接触子20)との電気的な接続に寄与している。   Each internal wiring of the wiring board 24 includes an electrical connection between the connector 38 and the connector 40 (and thus the circuit chip 32), an electrical connection between the connector 38 and the electrical connector 26 (and thus the contact 20), and a connector. This contributes to electrical connection between 40 (and thus the circuit chip 32) and the electrical connector 26 (and thus the contact 20).

このため、配線基板24の各内部配線の一端は、コネクタ38の端子(図示せず)、コネクタ40の端子(図示せず)の一部(ひいては、コネクタ42の端子の一部を介して回路チップ32)、及び電気接続器26を介してプローブ基板28の内部配線(ひいては、接触子20)の一部のいずれかに電気的に接続されている。   For this reason, one end of each internal wiring of the wiring board 24 is connected to a terminal (not shown) of the connector 38 and a part of the terminal (not shown) of the connector 40 (and thus a part of the terminal of the connector 42). The chip 32) and the electrical connector 26 are electrically connected to any one of the internal wirings (and thus the contacts 20) of the probe board 28.

これに対し、配線基板24の各内部配線の他端は、コネクタ40の残りの端子の一部(ひいては、コネクタ42の残りの端子の一部を介して、回路チップ32)、及び電気接続器26を介してプローブ基板28の内部配線(ひいては、接触子20)の一部のいずれかに電気的に接続されている。   On the other hand, the other end of each internal wiring of the wiring board 24 is a part of the remaining terminals of the connector 40 (and thus the circuit chip 32 via a part of the remaining terminals of the connector 42), and an electrical connector. 26 is electrically connected to any one of the internal wirings (and thus the contacts 20) of the probe substrate 28 via 26.

これにより、各接触子20は、配線基板24の内部配線の一部を介してコネクタ38の端子に電気的に接続されているか、又は配線基板24の残りの内部配線の一部を介して回路チップ32に電気的に接続されている。   Thereby, each contact 20 is electrically connected to the terminal of the connector 38 via a part of the internal wiring of the wiring board 24 or a circuit via a part of the remaining internal wiring of the wiring board 24. It is electrically connected to the chip 32.

上記の結果、コネクタ38の各端子は、接触子20をテスターの電気回路に接続する端子として作用する。また、各回路チップ32は、コネクタ38,40,42を介してテスター(図示せず)の電気回路に電気的に接続されていると共に、コネクタ40,42を介して接触子20に電気的に接続されている。   As a result, each terminal of the connector 38 acts as a terminal for connecting the contact 20 to the electrical circuit of the tester. Each circuit chip 32 is electrically connected to an electric circuit of a tester (not shown) via connectors 38, 40, and 42 and electrically connected to the contact 20 via connectors 40 and 42. It is connected.

補強部材22と配線基板24とは、補強部材22の下面と配線基板24の上面とを互いに当接させた状態に、複数のねじ部材(図示せず)により同軸的に結合されている。   The reinforcing member 22 and the wiring board 24 are coaxially coupled by a plurality of screw members (not shown) in a state where the lower surface of the reinforcing member 22 and the upper surface of the wiring board 24 are in contact with each other.

電気接続器26は、板状をした電気絶縁性のピンホルダ(図示せず)と、該ピンホルダを上下方向に貫通して伸びる多数の接続ピンと(図示せず)を備える。そのような電気接続器26は、例えば、特開2008−145238号公報に記載されている。   The electrical connector 26 includes a plate-like electrically insulating pin holder (not shown) and a number of connection pins (not shown) extending through the pin holder in the vertical direction. Such an electrical connector 26 is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-145238.

電気接続器26は、配線基板24の内部配線を前記した接続ピンによりプローブ基板28の導電路すなわち内部配線(図示せず)に電気的に接続している。   The electrical connector 26 electrically connects the internal wiring of the wiring board 24 to the conductive path of the probe board 28, that is, the internal wiring (not shown) by the connection pins described above.

電気接続器26は、ピンホルダの上面が配線基板24の下面に当接された状態に、複数のねじ部材及び適宜な部材(いずれも、図示せず)により、ピンホルダにおいて配線基板24の下面に結合されている。   The electrical connector 26 is coupled to the lower surface of the wiring board 24 at the pin holder by a plurality of screw members and appropriate members (none of which are shown) while the upper surface of the pin holder is in contact with the lower surface of the wiring board 24. Has been.

各接続ピンとして、上端及び下端をスプリングにより離間させたポゴピンを用いることができる。各接続ピンは、上端を配線基板24の下面に設けられて配線基板24の内部配線に電気的に接続された接続ランド(図示せず)に押圧されていると共に、下端をプローブ基板28の上面に設けられてプローブ基板28の内部配線に電気的に接続された接続ランド(図示せず)に押圧されている。   As each connection pin, a pogo pin having an upper end and a lower end separated by a spring can be used. Each connection pin is pressed by a connection land (not shown) having an upper end provided on the lower surface of the wiring board 24 and electrically connected to the internal wiring of the wiring board 24, and a lower end being the upper surface of the probe board 28. And is pressed by a connection land (not shown) electrically connected to the internal wiring of the probe board 28.

プローブ基板28は、図示の例では、ポリイミド樹脂のような電気絶縁性樹脂により形成された多層シート(図示せず)をセラッミクのような電気絶縁性樹脂により形成された多層基板(図示せず)の下面に積層した併用基板であり、また多層シートの下面に接触子20を片持ち状に取り付けている。   In the illustrated example, the probe substrate 28 is a multilayer substrate (not shown) formed of an electrically insulating resin such as ceramic from a multilayer sheet (not shown) formed of an electrically insulating resin such as polyimide resin. The contact board 20 is attached to the lower surface of the multilayer sheet in a cantilever manner.

多層シートは、複数の内部配線(図示せず)を内部に有すると共に、多層シートの内部配線に電気的に接続された複数のプローブランド(図示せず)を下面に有する公知の形状及び構造を有しており、また多層基板と一体的に形成されている。   The multilayer sheet has a known shape and structure having a plurality of internal wirings (not shown) inside and a plurality of probe lands (not shown) electrically connected to the internal wirings of the multilayer sheet on the lower surface. And is formed integrally with the multilayer substrate.

多層基板は、電気接続器26の接続ピンが押圧された前記した接続ランドに電気的に接続された複数の内部配線(図示せず)を内部に有する。多層基板の各内部配線は、前記した多層シートの内部配線に電気的に接続されており、またそれら内部配線と共に、接触子20に対する試験信号の受け渡しに利用される。   The multilayer substrate has a plurality of internal wirings (not shown) that are electrically connected to the connection lands where the connection pins of the electrical connector 26 are pressed. Each internal wiring of the multilayer substrate is electrically connected to the internal wiring of the multilayer sheet described above, and is used for passing test signals to the contact 20 together with the internal wiring.

各接触子20は、その先端(すなわち、針先)を下方に突出させた状態に、半田のような導電性接合材による接合、レーザによる溶接等の手法により、前記したプローブランドに片持ち梁状に装着されている。   Each contact 20 is cantilevered on the above-described probe land by a method such as bonding with a conductive bonding material such as solder, laser welding, or the like with its tip (that is, the needle tip) protruding downward. It is attached to the shape.

上記のようなプローブ基板28は、多層基板の上面が電気接続器26の下面に向けて押された状態に、複数箇所のそれぞれにおいて適宜な部材により配線基板24の下面に押圧されて、配線基板24及び補強部材22に支持されている。このため、図示の例においては、配線基板24及び補強部材52はプローブ基板28を支持する支持体として作用する。   The probe board 28 as described above is pressed against the lower surface of the wiring board 24 by an appropriate member at each of a plurality of locations in a state where the upper surface of the multilayer board is pressed toward the lower surface of the electrical connector 26. 24 and the reinforcing member 22. For this reason, in the illustrated example, the wiring board 24 and the reinforcing member 52 act as a support for supporting the probe board 28.

チップ基板30は、配線基板24と同様に、ガラス入りエポキシ樹脂のような電気絶縁樹脂により、配線基板24より小径の円板状に製作されている。チップ基板30の内部配線の一端はコネクタ42の端子に電気的に接続されており、他端は回路チップ32及び熱処理部材34のいずれかに電気的に接続されている。   Similar to the wiring substrate 24, the chip substrate 30 is manufactured in a disk shape having a smaller diameter than the wiring substrate 24 by an electrically insulating resin such as an epoxy resin containing glass. One end of the internal wiring of the chip substrate 30 is electrically connected to the terminal of the connector 42, and the other end is electrically connected to either the circuit chip 32 or the heat treatment member 34.

図5に示すように、コネクタ42は、熱処理部材34に設けられた切り欠き44に受け入れられており、また適宜な取り付け部材により、チップ基板30の下面に取り付けられている。   As shown in FIG. 5, the connector 42 is received in a notch 44 provided in the heat treatment member 34, and is attached to the lower surface of the chip substrate 30 by an appropriate attachment member.

チップ基板30は、コネクタ42がコネクタ40に結合されていることにより、熱処理部材34及び放熱板36が補強部材22及び配線基板24から上方に間隔をおいた状態に周縁部において配線基板24に維持されている。チップ基板30は、また、配線基板24の上面中心部に直立状態に取り付けられたスペーサ46(図1参照)により、中心部において前記のように配線基板24に維持されている。このため、配線基板24は、チップ基板30の支持体としても作用する。   In the chip substrate 30, the connector 42 is coupled to the connector 40, so that the heat treatment member 34 and the heat radiating plate 36 are maintained on the wiring substrate 24 at the peripheral portion with the reinforcing member 22 and the wiring substrate 24 spaced apart upward. Has been. The chip substrate 30 is also maintained on the wiring substrate 24 in the central portion as described above by the spacer 46 (see FIG. 1) attached to the central portion of the upper surface of the wiring substrate 24 in an upright state. For this reason, the wiring substrate 24 also functions as a support for the chip substrate 30.

スペーサ46とチップ基板30とは、チップ基板30を上方から貫通してスペーサ46に螺合されたねじ部材48(図2参照)により、分離可能に結合されている。   The spacer 46 and the chip substrate 30 are detachably coupled by a screw member 48 (see FIG. 2) that penetrates the chip substrate 30 from above and is screwed to the spacer 46.

チップ基板30は、上記のように、その中心部において、ねじ部材48及びスペーサ46を介して配線基板24に支持されていると共に、外周縁部において、コネクタ40,42を介して配線基板24に支持されている。このため、チップ基板46は配線基板24に安定に支持される。   As described above, the chip substrate 30 is supported by the wiring substrate 24 via the screw member 48 and the spacer 46 at the center thereof, and is connected to the wiring substrate 24 via the connectors 40 and 42 at the outer peripheral edge. It is supported. For this reason, the chip substrate 46 is stably supported by the wiring substrate 24.

また、チップ基板30がその中心部においてねじ部材48により、配線基板24に取り付けられたスペーサ46に取り付けられていることと、コネクタ38,40,42が半径方向に長いこととがあいまって、チップ基板30の熱伸縮の方向が半径方向となり、チップ基板30の熱的変化が安定する。   In addition, the chip substrate 30 is attached to the spacer 46 attached to the wiring substrate 24 by the screw member 48 at the center thereof, and the connectors 38, 40, and 42 are long in the radial direction. The direction of thermal expansion and contraction of the substrate 30 becomes the radial direction, and the thermal change of the chip substrate 30 is stabilized.

図示の例では、熱処理部材34として、チップ基板30の熱をチップ基板30の側から吸収し、吸収した熱を放熱板36の側(チップ基板30の側と反対の側)に放出するサーモモジュールを用いている。   In the illustrated example, as the heat treatment member 34, a thermo module that absorbs the heat of the chip substrate 30 from the chip substrate 30 side and releases the absorbed heat to the heat radiating plate 36 side (the side opposite to the chip substrate 30 side). Is used.

放熱板36は、図5から7に示すように、板状のベース36aの一方の面から同じ方向に突出する複数の放熱フィン36bを備えた既知のものであり、またベース36aの他方の面を熱処理部材34の下面に当接させ、かつ放熱フィン36bを下方に突出させ、さらに放熱フィン36bが半径方向へ延びる状態に、熱処理部材34の下面に取り外し可能に取り付けられている。   As shown in FIGS. 5 to 7, the heat radiating plate 36 is a known one having a plurality of heat radiating fins 36b protruding in the same direction from one surface of the plate-like base 36a, and the other surface of the base 36a. Is detachably attached to the lower surface of the heat treatment member 34 such that the heat radiation fin 36b protrudes downward and the heat radiation fin 36b extends in the radial direction.

各回路チップ32は、複数の電子回路を備えるLSI(集積回路)や、ICリレー、ICコンデンサ等の電子部品であり、チップ基板30の内部配線に電気的に接続されている。   Each circuit chip 32 is an electronic component such as an LSI (integrated circuit) including a plurality of electronic circuits, an IC relay, or an IC capacitor, and is electrically connected to the internal wiring of the chip substrate 30.

被検査体12の電気的試験時、被検査体12は、検査ステージにより、プラス120°Cのような高温に加熱されて、維持される。これにより、電気的接続装置10のプローブ基板28、電気接続器26、配線基板24、補強部材22及びチップ基板30も、検査ステージ及び被検査体12により下方側から加熱されて、高温に加熱される。   During the electrical test of the inspection object 12, the inspection object 12 is heated and maintained at a high temperature such as plus 120 ° C. by the inspection stage. As a result, the probe board 28, the electrical connector 26, the wiring board 24, the reinforcing member 22 and the chip board 30 of the electrical connection device 10 are also heated from below by the inspection stage and the inspected body 12 and heated to a high temperature. The

しかし、チップ基板30が補強部材22及び配線基板24から上方に離間されていて、熱処理部材34及び複数の放熱板36と補強部材22及び配線基板24との間に空気の通過を許す空間が存在するから、チップ基板30は、熱処理部材34及び複数の放熱板36による吸熱作用及び放熱作用により、冷却される。   However, the chip substrate 30 is spaced upward from the reinforcing member 22 and the wiring substrate 24, and there is a space that allows the passage of air between the heat treatment member 34 and the plurality of heat radiating plates 36 and the reinforcing member 22 and the wiring substrate 24. Therefore, the chip substrate 30 is cooled by the heat absorbing action and the heat releasing action by the heat treatment member 34 and the plurality of heat sinks 36.

このため、補強部材22及び配線基板24とチップ基板30との間の通風性がよく、熱処理部材34及び放熱板36が効率よく作動するから、チップ基板30が効率的に冷却されて、チップ基板30に配置された回路チップ32の温度上昇が効果的に抑制される。   For this reason, the air permeability between the reinforcing member 22 and the wiring substrate 24 and the chip substrate 30 is good, and the heat treatment member 34 and the heat radiating plate 36 operate efficiently. Therefore, the chip substrate 30 is efficiently cooled, and the chip substrate The temperature rise of the circuit chip 32 arranged at 30 is effectively suppressed.

上記の結果、接続装置10によれば、複数の回路チップ32をチップ基板30に配置し、そのチップ基板30を補強部材22及び配線基板24の上側に配置しているにもかかわらず、チップ基板30やこれに配置された回路チップ32が補強部材22及び配線基板24の側からの熱により高温度に加熱されることが効率よく抑制され、温度上昇に起因する回路チップ32の誤動作が防止される。   As a result, according to the connection device 10, the plurality of circuit chips 32 are disposed on the chip substrate 30, and the chip substrate 30 is disposed above the reinforcing member 22 and the wiring substrate 24. 30 and the circuit chip 32 disposed thereon are efficiently suppressed from being heated to a high temperature by heat from the reinforcing member 22 and the wiring board 24 side, and malfunction of the circuit chip 32 due to the temperature rise is prevented. The

配線基板24の内部配線とチップ基板30の内部配線とを、互いに結合されたコネクタ40及び42により接続する代わりに、図8に示すように、フラットケーブル(FPC)50を介して接続してもよい。この場合、フラットケーブル50は、コネクタ40及び42に結合されるコネクタ52及び54を一端部及び他端部に備える。   Instead of connecting the internal wiring of the wiring substrate 24 and the internal wiring of the chip substrate 30 by the connectors 40 and 42 coupled to each other, as shown in FIG. 8, they may be connected via a flat cable (FPC) 50. Good. In this case, the flat cable 50 includes connectors 52 and 54 coupled to the connectors 40 and 42 at one end and the other end.

また、図9に示す電気的接続装置60のように、接続装置60の温度を調整するヒータのような発熱体62をプローブ基板28に設けてもよい。この場合、発熱体62は、プローバの電気回路から加熱電力を受け、プローブ基板28の温度が被検査体12の試験温度に対応した設定温度となるように、加熱電力量をプローバの電気回路により制御される。   Further, a heating element 62 such as a heater for adjusting the temperature of the connection device 60 may be provided on the probe substrate 28 as in the electrical connection device 60 shown in FIG. In this case, the heating element 62 receives the heating power from the prober electric circuit, and the heating power amount is adjusted by the prober electric circuit so that the temperature of the probe substrate 28 becomes a set temperature corresponding to the test temperature of the device under test 12. Be controlled.

これにより、プローブ基板28は、その下側から被検査体12及び検査ステージにより発熱されると共に、内部の発熱体62により加熱されて、被検査体12の温度に応じた温度に維持される。   As a result, the probe substrate 28 is heated from the lower side by the inspection object 12 and the inspection stage and is heated by the internal heating element 62 to be maintained at a temperature corresponding to the temperature of the inspection object 12.

上記の結果、接続装置60によれば、プローブ基板28は、その中央部が下方に凸となるプローブ基板28及び補強部材22の熱変形を抑制されて、補強部材22及びプローブ基板28の熱変形に起因する針先の高さ位置及び座標位置の変化を著しく低減される。   As a result, according to the connection device 60, the probe substrate 28 is restrained from thermal deformation of the probe substrate 28 and the reinforcing member 22 whose central portion is convex downward, and the thermal deformation of the reinforcing member 22 and the probe substrate 28. The change in the height position and the coordinate position of the needle tip due to this is remarkably reduced.

さらに、図9に示す電気的接続装置60のように、チップ基板30の温度を検出する温度センサ64をチップ基板30に設けてもよい。この場合、温度センサ64で検出したチップ基板30の温度を基に、発熱体62に供給する加熱電力量を調整してもよいし、熱処理部材34により吸熱及び放熱の度合を調整してもよい。   Furthermore, a temperature sensor 64 for detecting the temperature of the chip substrate 30 may be provided on the chip substrate 30 as in the electrical connection device 60 shown in FIG. In this case, the amount of heating power supplied to the heating element 62 may be adjusted based on the temperature of the chip substrate 30 detected by the temperature sensor 64, and the degree of heat absorption and heat dissipation may be adjusted by the heat treatment member 34. .

本発明は、上記実施例に限定されず、特許請求の範囲に記載された趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit described in the claims.

10,60 電気的接続装置
12 被検査体
14 電極
20 接触子
22 補強部材
24 配線基板
26 電気接続器
28 プローブ基板
30 チップ基板
32 回路チップ
34 熱処理部材
36 放熱板
38,40,42 コネクタ
44 切り欠き部
46 スペーサ
50 フラットケーブル
52,54 フラットケーブルのコネクタ
62 発熱体
64 温度センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,60 Electrical connection apparatus 12 Test object 14 Electrode 20 Contact 22 Reinforcing member 24 Wiring board 26 Electrical connector 28 Probe board 30 Chip board 32 Circuit chip 34 Heat treatment member 36 Heat sink 38, 40, 42 Connector 44 Notch Part 46 Spacer 50 Flat cable 52, 54 Flat cable connector 62 Heating element 64 Temperature sensor

Claims (10)

上面及び下面を有する支持体と、厚さ方向を上下方向とされた状態に、前記支持体の下面に組み付けられて支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子と、厚さ方向を上下方向とされた状態に、前記支持体から上方に間隔をおいて配置されたチップ基板であって、複数の回路チップが上面に配置されたチップ基板と、前記チップ基板の下面に配置された熱処理部材であって、前記チップ基板の側と、前記チップ基板の側と異なる側とで吸熱及び放熱を行う熱処理部材と、該熱処理部材の下側に取り付けられた熱処理板とを含む、電気的接続装置。   A support body having an upper surface and a lower surface; a probe board assembled and supported on the lower surface of the support body in a state where the thickness direction is set to the vertical direction; and a plurality of contacts attached to the lower surface of the probe board A chip substrate having a thickness direction set to the vertical direction and spaced upward from the support, wherein the chip substrate has a plurality of circuit chips disposed on an upper surface thereof, and the chip substrate. A heat treatment member disposed on the lower surface of the chip substrate, wherein the heat treatment member absorbs and dissipates heat on the chip substrate side and a side different from the chip substrate side, and a heat treatment plate attached to the lower side of the heat treatment member And an electrical connection device. 前記熱処理部材は、熱を前記チップ基板の側から吸収して、前記チップ基板の側と異なる側に放出する部材を含み、前記熱処理板は放熱板を含む、請求項1に記載の接続装置。   The connection device according to claim 1, wherein the heat treatment member includes a member that absorbs heat from the chip substrate side and releases the heat to a side different from the chip substrate side, and the heat treatment plate includes a heat dissipation plate. 前記チップ基板は前記回路チップに電気的に接続された複数の第1の内部配線を備え、前記支持体は前記第1の内部配線の少なくとも一部に電気的に接続された複数の第2の内部配線と、前記接触子に電気的に接続された複数の第3の内部配線とを備える、請求項1及び2のいずれか1項に記載の接続装置。   The chip substrate includes a plurality of first internal wirings electrically connected to the circuit chip, and the support body includes a plurality of second electrical connections electrically connected to at least a part of the first internal wirings. The connection device according to claim 1, comprising an internal wiring and a plurality of third internal wirings electrically connected to the contact. さらに、前記チップ基板の下面に配置された第1のコネクタであって、前記第1の内部配線の少なくとも一部に電気的に接続された複数の第1の接続端子を有する第1のコネクタと、前記支持体の上面に配置されて、前記第1のコネクタに結合された第2のコネクタであって、前記第2の内部配線の少なくとも一部に電気的に接続された複数の第2の接続端子を有する第2のコネクタとを含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の接続装置。   A first connector disposed on a lower surface of the chip substrate, the first connector having a plurality of first connection terminals electrically connected to at least a part of the first internal wiring; A second connector disposed on the upper surface of the support and coupled to the first connector, wherein the second connectors are electrically connected to at least a part of the second internal wiring. The connection device according to claim 1, further comprising a second connector having a connection terminal. 前記第1及び第2のコネクタは、前記支持体と前記チップ基板とを上下方向に間隔をおいて結合している、請求項4に記載の接続装置。   5. The connection device according to claim 4, wherein the first and second connectors couple the support and the chip substrate with an interval in the vertical direction. さらに、前記支持体と前記チップ基板とを結合するスペーサを含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の接続装置。   Furthermore, the connection apparatus of any one of Claim 1 to 6 containing the spacer which couple | bonds the said support body and the said chip | tip board | substrate. 前記第1及び第2の内部配線は、複数の配線を備えるフラットケーブルにより電気的に接続されている、請求項6に記載の接続装置。   The connection device according to claim 6, wherein the first and second internal wirings are electrically connected by a flat cable including a plurality of wirings. さらに、前記支持体の上面に配置された第3のコネクタであって、前記第2の内部配線の少なくとも残りの一部に電気的に接続された複数の第3の接続端子を有する第3のコネクタを含む、請求項4及び5のいずれか1項に記載の接続装置。   And a third connector disposed on the upper surface of the support body, the third connector having a plurality of third connection terminals electrically connected to at least the remaining part of the second internal wiring. The connection device according to claim 4, comprising a connector. さらに、前記支持体に配置されて、該支持体の温度を検出する温度センサを含む、請求項1から8のいずれか1項に記載の接続装置。   Furthermore, the connection apparatus of any one of Claim 1 to 8 including the temperature sensor arrange | positioned at the said support body and detecting the temperature of this support body. さらに、前記プローブ基板に配置されて、該プローブ基板を加熱する発熱体を含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の接続装置。   The connection device according to claim 1, further comprising a heating element that is disposed on the probe substrate and heats the probe substrate.
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