JP2010268007A - 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。
【選択図】 図3
Description
含むガスを活性化して供給することで、前記シリコン含有層をシリコン窒化層に改質する工程と、前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記シリコン窒化層をシリコン酸化層またはシリコン酸窒化層に改質する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う半導体装置の製造方法が提供される。
低温で形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供できる。
反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
なるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブである第4バルブ243dは弁を開閉して処理室201内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管231、第4バルブ243d、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系が構成される。
機構として機能する。
207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、ガスノズル233と同様に反応管203の内壁に沿って設けられている。
まず、本実施形態の第1シーケンスについて説明する。
図3に、本実施形態の第1シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミング図を示す。本実施形態の第1シーケンスでは、ALD(Atomic Layer Deposition)反応またはCVD(Chemical Vapor Deposition)反応が生じる条件下で、基板に対し所定元素を含む原料ガスを供給することで基板上に原料の吸着層または所定元素の層(以下、所定元素含有層)を形成する第1工程と、その所定元素含有層に対し窒素を含むガスをプラズマまたは熱で活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する第2工程と、その窒化層に対し原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する第3工程と、窒化層上に形成した所定元素含有層に対し酸素を含むガスをプラズマで活性化して供給することで、窒化層上に形成した所定元素含有層および窒化層を酸化層に改質する第4工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う。これにより所望膜厚の酸化膜を形成する。なお、ALD反応が生じる条件下では基板上に原料の吸着層が形成され、CVD反応が生じる条件下では基板上に所定元素の層が形成される。ここで、原料の吸着層とは原料分子の連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。また、所定元素の層とは、所定元素により構成される連続的な層の他、不連続な層や、これらが重なってできる薄膜をも含む総称である。なお、所定元素により構成される連続的な層を薄膜という場合もある。第1工程では基板上に1原子層未満から数原子層の所定元素含有層が形成され、第2工程ではその所定元素含有層が窒化層に置換され、第3工程ではその窒化層上に1原子層未満から数原子層の所定元素含有層が形成され、第4工程ではその所定元素含有層とその下地である窒化層の両方が酸化層に置換される。なお、1原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味している。
ステップ1では、第2ガス供給管232bの第2バルブ243b、及び、ガス排気管231の第4バルブ243dを共に開けて、第2ガス供給管232bから第2マスフローコントローラ241bにより流量調整されたHCDガスをガス供給部249の第3ガス供給孔248cから処理室201内に供給しつつガス排気管231から排気する。このとき、第4バルブ243dを適正に調整して処理室201内の圧力を、例えば10〜1000Paの範囲内の圧力とする。第2マスフローコントローラ241bで制御するHCDガスの供給流量は、例えば10〜1000sccmの範囲内の流量とする。HCDガスをウエハ200に晒す時間は、例えば2〜120秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、処理室201内でALD反応またはCVD反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ200の温度が、例えば300〜650℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ200の温度が300℃未満となるとウエハ200上にHCDが吸着しにくくなる。また、ウエハ200の温度が650℃を超えるとCVD反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ200の温度は300〜650℃の範囲内の温度とするのが好ましい。HCDガスの供給により、ウエハ200表面の下地膜上にHCDが表面吸着、堆積し、さらに熱分解する等して、ウエハ200上(下地膜上)に1原子層未満から数原子層のHCDの吸着層またはシリコン層(以下、シリコン含有層)が形成される。なお、ALD反応が生じる条件下ではウエハ200上にHCDの吸着層が形成され、CVD反応が生じる条件下ではウエハ200上にシリコン層が形成される。ここでHCDの吸着層とはHCD分子の連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。また、シリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、シリコンにより構成される連続的な層を薄膜という場合もある。なお、ウエハ200上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ2,4での窒化、酸化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ200上に形成可能なシリコン含有層の最小値は1原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは1原子層未満から数原子層とするのが好ましい。シリコン含有層が形成された後、第2バルブ243bを閉じ、HCDガスの供給を停止する。このとき、第4バルブ243dは開いたままとして、処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは成膜に寄与した後のHCDガスを排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理室201内に供給すると、更に処理室201内に残留する未反応もしくは成膜に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する効果が高まる。
でなく、アミノシラン系の4DMAS(テトラキスジメチルアミノシラン、Si(N(CH3)2))4)、3DMAS(トリスジメチルアミノシラン、Si(N(CH3)2))3H)、2DEAS(ビスジエチルアミノシラン、Si(N(C2H5)2)2H2)、BTBAS(ビスターシャリーブチルアミノシラン、SiH2(NH(C4H9))2)などの有機原料を用いてもよい。
ステップ2では、第3ガス供給管232cの第3バルブ243c、及び、ガス排気管231の第4バルブ243dを共に開けて、第3ガス供給管232cから第3マスフローコントローラ241cにより流量調整されたNH3ガスを、第1ガス供給管232aを介してガスノズル233の第2のガス供給孔248bからバッファ室237内へ噴出する。このとき、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加することで、このNH3をプラズマ励起し、活性種として第1のガス供給孔248aから処理室201内に供給しつつガス排気管231から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、第4バルブ243dを適正に調整して処理室201内の圧力を、例えば10〜100Paの範囲内の圧力とする。第3マスフローコントローラ241cで制御するNH3の供給流量は、例えば1000〜10000sccmの範囲内の流量とする。NH3をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ200を晒す時間は、例えば2〜120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ1と同様、ウエハ200の温度が300〜650℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、高周波電源273から第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に印加する高周波電力は、例えば50〜400Wの範囲内の電力となるように設定する。NH3は反応温度が高く、上記のようなウエハ温度、処理室内圧力では反応しづらいので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ200の温度は上述のように設定した低い温度範囲のままでよい。また、NH3ガスを供給する際にプラズマ励起せず、第4バルブ243dを適正に調整して処理室201内の圧力を例えば50〜3000Paの範囲内の圧力とすることで、NH3ガスをノンプラズマで熱的に活性化することも可能である。
ステップ3では、第2ガス供給管232bの第2バルブ243b、及び、ガス排気管231の第4バルブ243dを共に開けて、第2ガス供給管232bから第2マスフローコントローラ241bにより流量調整されたHCDガスをガス供給部249の第3ガス供給孔248cから処理室201内に供給しつつガス排気管231から排気する。このとき、第4バルブ243dを適正に調整して処理室201内の圧力を、例えば10〜1000Paの範囲内の圧力とする。第2マスフローコントローラ241bで制御するHCDガスの供給流量は、例えば10〜1000sccmの範囲内の流量とする。HCDガスにウエハ200を晒す時間は、例えば2〜120秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、処理室201内でALD反応またはCVD反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ200の温度が、例えば300〜650℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。HCDガスの供給により、ウエハ200表面の下地膜、すなわちステップ2において形成されたシリコン窒化膜上にHCDが表面吸着、堆積し、さらに熱分解する等して、ウエハ200上(下地膜上)に1原子層未満から数原子層のシリコン含有層(HCDの吸着層またはシリコン層)が形成される。シリコン含有層が形成された後、第2バルブ243bを閉じ、HCDガスの供給を停止する。このとき、第4バルブ243dは開いたままとして、処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは成膜に寄与した後のHCDガスを排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理室201内に供給すると、更に処理室201内に残留する未反応もしくは成膜に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する効果が高まる。
ステップ4では、第1ガス供給管232aの第1バルブ243a、及び、ガス排気管231の第4バルブ243dを共に開けて、第1ガス供給管232aから第1マスフローコントローラ241aにより流量調整されたNOガスをガスノズル233の第2のガス供給孔248bからバッファ室237内へ噴出させる。このとき、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加することで、このNOガスをプラズマ励起し、活性種として第1のガス供給孔248aから処理室201内に供給しつつガス排気管231から排気する。NOガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、第4バルブ243dを適正に調整して処理室201内の圧力を、例えば10〜100Paの範囲内の圧力とする。第1マスフローコントローラ241aで制御するNOガスの供給流量は、例えば100〜10000sccmの範囲内の流量とする。NOガスをプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ200を晒す時間は、例えば2〜120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、HCDガスの供給時と同じく、ウエハ200の温度が300〜650℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、高周波電源273から第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に印加する高周波電力は、例えば、50〜400Wの範囲内の電力となるように設定する。NOガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度、処理室内圧力では反応しづらいので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ200の温度は上述のように設定した低い温度範囲のままでよい。
得られた活性種であり、処理室201内には、HCDガスもNH3ガスも流していない。したがって、NOガスは気相反応を起こすことはなく、活性種となったNOは、ステップ3で形成されたシリコン含有層及びその下地であるステップ2で形成されたシリコン窒化層と表面反応し、シリコン含有層及びシリコン窒化層は、共に、酸化されてシリコン酸化層(SiO2層、以下、単にSiO層ともいう。)へと改質される。
次に、本実施形態の第2シーケンスについて説明する。
図4に、本実施形態の第2シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミング図を示す。本実施形態の第2シーケンスでは、ALD反応またはCVD反応が生じる条件下で、基板に対し所定元素を含む原料ガスを供給することで基板上に所定元素含有層(原料の吸着層または所定元素の層)を形成する第1工程と、その所定元素含有層に対し窒素を含むガスをプラズマまたは熱で活性化して供給することで、所定元素含有層を
窒化層に改質する第2工程と、その窒化層に対し酸素を含むガスをプラズマで活性化して供給することで、窒化層を酸化層に改質する第3工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う。これにより所望膜厚の酸化膜を形成する。第1工程では基板上に1原子層未満から数原子層の所定元素含有層が形成され、第2工程ではその所定元素含有層が窒化層に置換され、第3工程ではその窒化層が酸化層に置換される。
次に第1実施例について説明する。
本実施形態の第1シーケンス、第2シーケンスおよび従来技術のシーケンスによりシリコン酸化膜を形成し、成膜速度および膜厚分布均一性を測定した。なお、従来技術のシーケンスとは、本実施形態の第1シーケンスにおけるステップ1とステップ4とを交互に繰り返すシーケンス(第2シーケンスにおけるステップ1とステップ3とを交互に繰り返すシーケンス)である。また、本実施例における成膜条件(各ステップでの処理条件)は、上述の実施形態に記載の条件範囲内の条件とした。
シリコン酸化膜は、従来技術のシーケンスにより形成されたシリコン酸化膜に比べ、成膜速度が格段に高いことが分かる。特に、本実施形態の第1シーケンスによれば、従来技術のシーケンスによる成膜速度の2倍近い成膜速度が得られることが分かる。また、本実施形態の第2シーケンスの場合においても、従来技術のシーケンスによる成膜速度の1.5倍程度の成膜速度が得られることが分かる。
行うことができず、シリコンウエハ表面上にSiが固定されない領域が生じることとなる。さらに、図9(c)に示すように、NO*は、形成したSiO2層の下地であるシリコンウエハの表面をも酸化してしまう。
含有層の形成と、そのシリコン含有層の酸化による酸化層の形成と、その酸化層の窒化と、を繰り返す例について説明する。
次に第2実施例について説明する。
本実施形態の第2シーケンスおよび一般的なCVD法によりシリコン酸化膜を形成し、膜中不純物の濃度を測定した。なお、一般的なCVD法とは、DCSとN2Oとを同時に供給してCVD法によりシリコン酸化膜(HTO(High Temperature Oxide)膜)を形成する方法であり、成膜温度は780℃とした。また、本実施形態の第2シーケンスにおける各ステップでの成膜温度は600℃一定とし、それ以外の成膜条件(各ステップでの処理条件)は、上述の実施形態に記載の条件範囲内の条件とした。また膜中不純物の測定はSIMSを用いて行った。
化力向上の効果が得られることを確認した。また、ウエハの温度が低すぎると酸化力向上の効果が得られないことも確認した。ただしスループットを考慮すると、この酸化処理時のウエハの温度はシリコン含有層形成時や窒化処理時と同一の温度となるように、すなわち、処理室内の温度をシリコン含有層形成時や窒化処理時と同一の温度に保持するようにヒータの温度を設定するのが好ましい。この場合、第1シーケンスではステップ1からステップ4にかけてウエハの温度、すなわち処理室内の温度が350〜650℃の範囲内の一定の温度となるようにヒータの温度を設定する。第2シーケンスではステップ1からステップ3にかけて処理室内の温度が350〜650℃の範囲内の一定の温度となるようにヒータの温度を設定する。なお、減圧雰囲気下でのO2ガスへのH2ガス添加による酸化力向上の効果を得るには、処理室内の温度を350℃以上とする必要があるが、処理室内の温度は400℃以上とするのが好ましく、さらには450℃以上とするのが好ましい。処理室内の温度を400℃以上とすれば、400℃以上の温度で行うO3酸化処理による酸化力を超える酸化力を得ることができ、処理室201内の温度を450℃以上とすれば、450℃以上の温度で行うO2プラズマ酸化処理による酸化力を超える酸化力を得ることができる。
Dガス中のClを引き抜くことが考えられ、成膜レートの向上、膜中Cl不純物の低減効果が考えられる。また、酸化処理前に、すなわちHCDガスの供給を停止した後またはNH3ガスの供給を停止した後にO2ガスよりも先行してH2ガスの供給を開始することで、膜厚均一性制御に有効となることが考えられる。また、O2ガスよりも先行してH2ガスの供給を開始することで、例えば金属とシリコンが露出した部分に対しては、選択的にシリコンに酸化膜を形成できるようになることが考えられる。また、酸化処理後に、すなわちO2ガスの供給を停止した後、HCDガスの供給を開始する前に、H2ガスを供給することで、酸化処理により形成されたSiO層の表面を水素終端させて改質させ、次のシリコン含有層形成時において供給するHCDガスがSiO層の表面に吸着しやすくなるようにできることが考えられる。
次に第3実施例について説明する。
図13のシーケンスによりシリコン酸化膜(SiO膜)を形成し、そのシリコン酸化膜のウエハ面内における膜厚分布均一性と成膜レートを測定した。ステップ1〜3におけるウエハ温度は600℃に保持し、その他の成膜条件(各ステップでの処理条件)は、上述の実施形態等に記載の条件範囲内の条件とした。
は所定元素の層)を形成する第1工程(ステップ1)と、その所定元素含有層に対し窒素を含むガスをプラズマまたは熱で活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する第2工程(ステップ2)と、その窒化層に対し原料ガスを供給することで窒化層上に所定元素含有層を形成する第3工程(ステップ3)と、窒化層上に形成した所定元素含有層に対し酸素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化層上に形成した所定元素含有層および窒化層を酸窒化層に改質する第4工程(ステップ4)と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う。これにより所望膜厚の酸窒化膜を形成する。第1工程では基板上に1原子層未満から数原子層の所定元素含有層が形成され、第2工程ではその所定元素含有層が窒化層に置換され、第3工程ではその窒化層上に1原子層未満から数原子層の所定元素含有層が形成され、第4工程ではその所定元素含有層とその下地である窒化層の両方が酸窒化層に置換される。
次に第4実施例について説明する。
本実施形態の第2シーケンスのステップ3においてNOガスを熱で活性化して供給することでシリコン酸窒化膜(SiON膜)を形成し、そのシリコン酸窒化膜の屈折率とウエハ面内における膜厚分布均一性と成膜レートを測定した。成膜条件(各ステップでの処理条件)は、上述の実施形態等に記載の条件範囲内の条件とした。
内における膜厚分布均一性を±1.5%以下に制御できることを確認した。また、SiON膜の成膜レートは屈折率がSi3N4膜の屈折率(2.00)に近いほど高く、屈折率がSiO2膜の屈折率(1.48)に近いほど低くなることを確認した。
スを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層上に形成された所定元素含有層および前記窒化層を、酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う半導体装置の製造方法が提供される。
または熱で活性化して供給し、前記第4工程では、前記第2の薄膜上に形成した前記第1の薄膜に対し酸素を含むガスをプラズマで活性化して供給する。
成した薄膜および前記窒化膜を酸窒化膜に改質する第4工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う半導体装置の製造方法が提供される。
とで前記窒化膜上に前記薄膜を形成し、前記処理容器内に酸素を含むガスを熱で活性化して供給することで、前記窒化膜上に形成した前記薄膜および前記窒化膜を酸窒化膜に改質し、これを1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行うように制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。
200 ウエハ
201 処理室
202 処理炉
203 反応管
207 ヒータ
231 ガス排気管
232a 第1ガス供給管
232b 第2ガス供給管
232c 第3ガス供給管
269 第1の棒状電極
270 第2の棒状電極
272 整合器
273 高周波電源
Claims (5)
- 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、
前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層上に形成された所定元素含有層および前記窒化層を、酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、
を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定元素含有層および前記窒化層を酸化層または酸窒化層に変化させる工程では、前記処理容器内に前記酸素を含むガスをプラズマで活性化して供給することで、前記所定元素含有層および前記窒化層を前記酸化層に変化させるか、または、前記処理容器内に前記酸素を含むガスを熱で活性化して供給することで、前記所定元素含有層および前記窒化層を前記酸窒化層に変化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容した処理容器内にシリコンを含むガスを供給することで、前記基板上にシリコン含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記シリコン含有層をシリコン窒化層に変化させる工程と、
前記処理容器内に前記シリコンを含むガスを供給することで、前記シリコン窒化層上にシリコン含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記シリコン窒化層上に形成された前記シリコン含有層および前記シリコン窒化層をシリコン酸化層またはシリコン酸窒化層に変化させる工程と、
を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、
前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、
前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層上に形成された前記所定元素含有層および前記窒化層を、酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、
を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理容器内に窒素を含むガスを供給する窒素含有ガス供給系と、
前記処理容器内に酸素を含むガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記窒素を含むガスまたは前記酸素を含むガスを活性化する活性化機構と、
基板を収容した前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に前記窒素を含むガスを活性化して供給することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、前記窒化層上に形成された前記所定元素含有層および前記窒化層を、酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで前記基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成するように前記原料ガス供給系、前記窒素含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、および、前記活性化機構を制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
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